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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

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FACULTAD DE INGENIERA MECNICA
ANLISIS Y DISEO DE CIRCUITOS DIGITALES (MT-127)
Autor:
TEMA:
MEMORIAS
Ing. Daniel Leonardo Barrera Esparta
Lima, 3 de Junio del 2014
AGENDA
I.- INTRODUCCIN
II.- TERMINOLOGA
III.- FUNCIONAMIENTO
IV.- MEMORIAS SEMICONDUCTORAS
OBJETIVOS.
Conocer las memorias y la terminologa relacionada.
I.- INTRODUCCIN.
Las ventajas de los sistemas digitales con respecto a los sistemas analgicos es su
capacidad para almacenar grandes volmenes de informacin en un perodo muy
corto lo cual los hace ms verstiles y adaptables a muchas situaciones.
II.- TERMINOLOGA
Celda de Memoria: Dispositivo o circuito elctrico utilizado para almacenar un
solo bit (0 1). Ejemplo: Flip Flops0, capacitores cargados, un punto de la cinta
magntica, etc.
Palabra de Memoria: Grupo de celdas que representan instrucciones o datos
de algn tipo. Ejemplo: Un grupo de 8 Flip Flops
Byte(palabra): Conjunto de 8 bits.
Capacidad: Especificacin de cuantos bits se pueden almacenar en un
dispositivo de memoria especfico
Densidad: Cuantifica la capacidad de un dispositivo de memoria de almacenar
mas bits en la misma cantidad de espacio.
II.- TERMINOLOGA
Direccin: Nmero que identifica la ubicacin de una palabra en la memoria, se
representan mediante sistemas binarios, octales, hexadecimales y decimales.
Operacin de Lectura: Es la operacin donde la palabra binaria almacenada
en una ubicacin de memoria especfica es sensada (leda) y luego transferida
hacia otro dispositivo.
Operacin de Escritura: Es la operacin donde una nueva palabra es ubicada
en una ubicacin particular de memoria (operacin de almacenamiento).
Tiempo de Acceso: Es una medida de la velocidad de operacin del dispositivo
de memoria que indica el tiempo requerido para realizar una operacin de
lectura (t ACC).
II.- TERMINOLOGA
Memoria Voltil: Tipo de memoria que requiere alimentacin elctrica para
almacenar la informacin, caso contrario se borrar.
Memoria Principal: Se refiere a la memoria principal de trabajo de un
procesador,.
Memoria Auxiliar: Se refiere al almacenamiento masivo de informacin que
utiliza un procesador y se encuentra externa a la memoria principal.
III.- FUNCIONAMIENTO
Las memorias requieren diferentes tipos de entradas y salidas para cumplir con
las siguientes funciones:
1) Seleccionar la direccin en memoria de acceso para la lectura y escritura.
2) Seleccionar la operacin de lectura o escritura.
III.- FUNCIONAMIENTO
3) Suministrar la entrada de datos a ser almacenada en la memoria durante la
operacin de escritura o mantener la salida de datos desde la memoria
utilizando una operacin de lectura.
4) Habilitar o deshabilitar la memoria.
III.- FUNCIONAMIENTO
Las memorias requieren diferentes tipos de entradas y salidas para cumplir con
las siguientes funciones:
1) Seleccionar la direccin en memoria de acceso para la lectura y escritura.
2) Seleccionar la operacin de lectura o escritura.
III.- FUNCIONAMIENTO
3) Suministrar la entrada de datos a ser almacenada en la memoria durante la
operacin de escritura o mantener la salida de datos desde la memoria
utilizando una operacin de lectura.
4) Habilitar o deshabilitar la memoria.
III.- FUNCIONAMIENTO
R/w

: Entrada para operacin de


lectura/ escritura (R/w

=
1 es lectuia y R/w

=
u cs cscrituro).
CS: Seal de habilitacin del
chip.
0E: Seal de habilitacin de
salida.
IV.- MEMORIAS SEMICONDUCTORAS
IV.1.- MEMORIAS ROM (READ ONLY MEMORY MEMORIA DE SOLO LECTURA)
Las memorias de solo lectura (ROM) son memorias no voltiles que permiten
almacenar datos constantemente sin que estos sufran modificaciones, por lo
cual solo la operacin de lectura es permitida. El proceso de ingreso de datos a
este tipo de memorias se llama proceso de programacin o proceso de
quemado de memoria.
IV.1.- MEMORIAS ROM (READ ONLY MEMORY MEMORIA DE SOLO LECTURA)
Cuando CS es 1, todas las
salidas se pasan al estado
de alta impedancia (Z).
IV.1.- MEMORIAS ROM (READ ONLY MEMORY MEMORIA DE SOLO LECTURA)
Arquitectura de la memoria
ROM de 16 x 8
IV.1.1- MEMORIAS ROM DE MSCARA
Almacenan data utilizada de manera comn en mscaras. Son programadas en
el proceso de fabricacin. Se utilizan en grandes series. Su proceso de
fabricacin es ms caro, pero se rentabiliza si se fabrica un nmero muy
elevado de memorias ROM
IV.1.2- MEMORIAS PROM O ROM PROGRAMABLES
Son memorias que solo se pueden programar en fbrica una vez y se utilizan
cuando se almacenan grandes cantidades de informacin. Sin embargo, existen
memorias PROM enlazadas por fusible, que permiten ser programadas por el
usuario y finalmente quedar con esa informacin para siempre.
IV.1.3- MEMORIAS EPROM O ROM BORRABLES
Son memorias que se programan y funcionan como una PROM, sin embargo
permite ser borradas por la aplicacin de un voltaje (entre 10 y 25 VDC) y
reprogramada cuantas veces sea necesario.
IV.1.3- MEMORIAS EPROM O ROM BORRABLES
IV.1.4- MEMORIAS EEPROM O ROM O BORRABLES ELCTRICAMENTE
Son memorias que mejoraron la versin del EPROM al requerir menos corriente
para la operacin de escritura a travs de mejoras en los MOSFETs internos.
IV.1.5- CD ROM
Son memorias PROM muy utilizadas en computadoras, el cual requiere un
hardware especial para proceder a su lectura y escritura.
IV.1.6- MEMORIAS FLASH
Son memorias que permiten una
operacin de lectura y escritura de
manera rpida y dinmica.
IV.1.7.- MEMORIAS RAM (RANDOM ACCESS MEMORY)
Son memorias de ms fcil acceso
que otras y suelen utilizarse como
almacenamiento temporal de
programas y datos. Los tiempos de
escritura y lectura son ms cortos que
el de las memorias ROM. Su
desventaja radica principalmente en
su volatilidad (la informacin se puede
borrar simplemente desenergizando
la memoria).
Normalmente las memorias RAM
vienen con capacidades de 1K, 4K,
8K, 16K , 64K, 128K, 256K, etc; y
tamaos de palabra de 1, 4 u 8 bits.
Memoria RAM de 64K x 4
IV.1.7.- TIPOS DE MEMORIAS RAM
Las memorias SRAM (Static RAM o memorias RAM estticas) estan compuestas
de flip flops que mantienen almacenado un bit indefinidamente, a menos que se
deje de aplicar el voltaje de alimentacin.Son utilizados como memorias internas
de almacenamiento momentneo en CPUs.
MEMORIAS SRAM
IV.1.7.- TIPOS DE MEMORIAS RAM
Las memorias DRAM (Dynamic RAM o memorias RAM dinmicas) son fabricadas
en base a tecnologa MOS (xido de metal semiconductor), y se caracterizan por
su alta capacidad, bajo consumo de energa y velocidad de operacin moderada.
La informacin es cargada en pequeos capacitores con tecnologa MOS. Debido
a la tendencia de las cargas del condensador a generar fugas luego de un periodo
de tiempo, las memorias dram requieren recargar la memoria de datos ,
tpicamente cada 1ms, 2ms, 4ms u 8 ms, para no perder la informacin.
MEMORIAS DRAM
IV.1.7.- TIPOS DE MEMORIAS RAM
MEMORIAS DRAM
Memoria RAM de 16K x 1
IV.1.7.- TIPOS DE MEMORIAS RAM
FPM DRAM "Fast Page Mode Dinamic Random Access Memory", memoria
dinmica de paginacin de acceso aleatorio Tecnologa opcional en las memorias
RAM utilizadas en servidores, que aumenta el rendimiento a las direcciones
mediante pginas.
EDO RAM "Extended Data Out Random Access Memory", memoria de acceso
aleatorio con salida de datos extendida Tecnologa opcional en las memorias
BEDO RAM "Burst EDO Random Access Memory", memoria de acceso aleatorio
con salida de datos extendida y acceso Burst Tecnologa opcional; se trata de una
memoria EDO RAM que mejora su velocidad gracias al acceso sin latencias a
direcciones contiguas de memoria.
TIPOS DE MEMORIAS DRAM
IV.1.7.- TIPOS DE MEMORIAS RAM
SDRAM: "Synchronous Dinamic Random Access Memory", memoria dinmica de
acceso aleatorio Tecnologa DRAM que utiliza un reloj para sincronizar con el
microprocesador la entrada y salida de datos en la memoria de un chip. Se ha
utilizado en las memorias comerciales como SIMM, DIMM, y actualmente la familia
de memorias DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4, GDDR, etc.), entran en esta
clasificacin.
DDRSDRAM: Double Data Rate Synchronous Dinamic Random Access Memory",
memoria dinmica de acceso aleatorio de doble ratio de datos es una mejora del
SDRAM en la cual se transfieren datos en los flancos de subida y bajada del reloj.
SLDRAM: Synchronous Link Dinamic Random Access Memory", memoria
dinmica de acceso aleatorio con enlace de sincronizacin es una mejora de la
DDRSDRAM que opera a velocidades de bus de hasta 200 Mhz y reloj de
sincronizacin de datos en los flancos de subida y bajada..
TIPOS DE MEMORIAS DRAM