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Chapitre 1

Diode et ses applications


Plan
J onction PN
Diode jonction PN
Applications des diodes jonction PN
Autres types des diodes et ses applications
J onction PN
P N
P N
P N
P N
P N
P N
Zone charge ngativement
P N
Zone charge positivement
P N
Zone charge positivement
P N
Zone charge ngativement
P
N
Zone dpeuple de porteurs de charge mobiles
P
N
Zone de dpltion
E0
Les trous, majoritaires dans la rgion P, diffusent dans la rgion N.
Les lectrons, majoritaires dans la rgion N, diffusent dans la rgion P.
Au voisinage de la jonction, les lectrons et les trous subissent des
recombinaisons.
Dans cette rgion, les charges des ions (accepteurs ou donneurs) ne sont pas
compenses par celles des porteurs libres.
Il en rsulte une charge despace et un champ lectrique interne.
Ce champ soppose la diffusion des porteurs libres.
quilibre entre la diffusion et lentranement par le champ lectrique.
Rsum
Jonction PN l'quilibre
P
N
- - - - - -
- - - - - -
- - - - - -
- - - - - -
- - - - - -
+ + + + + +
+ + + + + +
+ + + + + +
+ + + + + +
+ + + + + +
Na Nd
Jonction
Zone de
dpltion
Accepteur
s
ionis
Donneurs
ioniss
E
0
V
0
Is
I
V
0
: barrire de potentiel
I : Courant d aux porteurs majoritaires
Is: Courant d aux porteurs minoritaires
A lquilibre:
V
0
= kT/e ln ( NaNd/n
i
2
)
Jonction PN polarise en direct
Le fait de polariser la jonction sous une tension V rduit la hauteur de barrire qui
devient : V
0
-V.
Le courant du au porteurs minoritaires, indpendant de la hauteur de barrire du potentiel
reste gal Is:
Le courant du aux porteurs majoritaires
devient:
Au total, il circule du semiconducteur P vers le semiconducteur N , un courant ID appel
courant direct:
Ds que :
Jonction PN polarise en inverse
La polarisation en inverse provoque une augmentation de la barrire de potentiel qui
devient: V+V
0
.
Le courant du aux porteurs majoritaires
devient:
Le courant total est:
Ds que:
Le courant du au porteurs minoritaires, indpendant de la hauteur de barrire du potentiel
reste gal Is:
Caractristiques courant-tension dune diode
- I
S
Zone de
claquage
Zone de
conduction
Zone de blocage
3 zones
Zone de conduction
Vd V0
Zone de blocage Zone de claquage
-Vc < Vd < V0 Vd - Vc
I
d
= I
F
(e
qV
d
kT
1)
I
d
= I
F
1nA
Effet d'avalanche
Effet Zener
Composant non-linaire
IF
Anode
Cathode
P N
Diode jonction PN
En direct En inverse
V>V0 V<V0
Vd Vd
Id
V0 = 0,6 V pour le Silicium
V0 = 0,3 V pour le Germanium
Zone de claquage
2 phnomnes
Effet Zener Effet d'avalanche
Quand le champ lectrique au
niveau de la jonction devient trop
intense, les lectrons acclrs
peuvent ioniser les atomes par
chocs, ce qui libre d'autres
lectrons qui sont a leur tour
acclrs. Il y' a divergence du
phnomne, et le courant devient
important.
Les lectrons sont
arrachs aux atomes
directement par le champ
lectrique dans la zone de
transition et crent un
courant qui devient vite
intense quand la tension
Vd atteint une valeur VZ
dite tension Zener.
Diode jonction PN
Origine du claquage (destruction de la diode)
Quand la tension applique dpasse la valeur spcifie par le fabricant, le courant dcroit trs
rapidement. S'il n'est pas limit par des lments externes, il y a destruction rapide de la diode.
Les diffrents modles statiques
Id
Vd
Id
Vd
V
0
Id
Vd
Diode
bloque
Diode passante Diode bloque Diode passante Diode passante Diode bloque
A
K
Id
Vd <0
A K
Id = 0
Id
Vd 0
Id 0
Id
Vd < V0
A
K
Id = 0
Id
Vd V0
V0
VAK = V0
Id
Vd < V0
Id
Vd V0
Id = 0
V0 Rd
VAK = V0 + Rd Id
A K
A K
A K
A K
A K
Modle idal
Modle avec seuil
Modle linaris
En technologie, un modle est une reprsentation simplifi dune chose complexe.
Diode jonction PN
VAK = 0
Id 0
Diode jonction PN
E=V
d
+ RI
d
I
d
=
1
R
V
d
+
E
R
quation de la droite de charge statique
Point de fonctionnement ou de polarisation
Lintersection P entre la droite de charge statique et la
caractristique de la diode reprsente le point de
fonctionnement du circuit encore appel point de
polarisation.
Diode jonction PN
Fonctionnement en rgime variable : rgime dynamique
Modle petit signal
id(t) et Vout(t) sont sinusodaux. On peut alors considrer que le systme travaille en rgime linaire.
Vin = V sin (t)
R
d
=
V
d
I
d
1
R
d
=
I
F
( e
qV
d
KT
)
V
d
R
d
=
KT
q I
d
Id doit tre autour du point de repos
T= 20 C , KT/q = 25 mV
Tant que lon travaille sur la petite portion P1, P2 de la caractristique de la diode, on peut modliser cette
dernire, en rgime dynamique, par sa rsistance Rd.
Vp +V Vp -V
Diode jonction PN
Modle linaire petit signal
Transformation
petits signaux
Diode jonction PN
La diode se bloque : le courant s'annule.
La tension Vd n'est plus, elle aussi sinusodale
Si les variations de la tension dalimentation sont sinusodales, celles de vd(t) et de id(t) sont seulement
priodiques. On dit quil y a distorsion.
On dit que le systme travaille en rgime de grands signaux (rgime non linaire).
Modle petit signal
Protection diode contre l'inversion de polarit
Une inversion de la polarit de l'alimentation E nendommagera pas le systme
Lorsque la polarisation de l'alimentation est inverse , la tension VD est ngative et la diode
se comporte comme un interrupteur ouvert.
La prsence de la diode est quasiment sans effet si le branchement de l'alimentation est
correct (diode passante interrupteur ferme)
U
En fait, la diode passante entrane une chute de 0,6V : U = E-VD = E- 0,6 V
Applications
Applications
Limiteur diodes
On considre que les diodes sont idales
Pour Vin > E
D1 est passante et D2 bloque Vout = E
Pour Vin < -E D1 est bloque et D2 est passante Vout = - E
Pour -E < Vin < E D1 et D2 sont bloques
Vout = Vin
Applications
Alimentations
Schma lectrique
u2 u1
I1
I2
N1 N2
On appelle m le rapport de
transformation :
Relations
m=
N
2
N
1
=
u
2
u
1
=
I
1
I
2
Le transformateur
Le transformateur assure une isolation galvanique et il est de type abaisseur de tension.
U
max
=

2U
efficace
v (t)
u (t)
v (t)
v (t)=Vmax sin (t)
Applications
Redressement mono-alternance
i
R
On considre que la diode est parfaite
u(t)= R i = v(t) - Vd
Vd
1
v (t)
u (t)
v (t)
u (t)
Applications
Redressement mono-alternance
Pour v(t) 0 La diode est passante et elle se comporte comme un interrupteur ferm
Vd= 0
u(t) = v(t)
2
1
v (t)
u (t)
v (t)
u (t)
Applications
Redressement mono-alternance
Pour v(t) < 0
La diode est bloque, elle se comporte comme un interrupteur ouvert
i = 0
u(t) = 0
R
v (t)
u (t)
v (t)
u (t)
Applications
Redressement mono-alternance
R
Calcul de u moyenne et u efficace
u
eff
2
=
1
T

u
2
dt
0
1
2
[

V
max
2
sin
2
()d +

0 d ]
V
max
2
2

sin
2
()d
V
max
2
2

(1/ 2(1 cos(2))d )


V
max
2
4
[ 1/ 2sin(2)]
V
max
2
4
=
=
=
=
=
u
moy
=
1
T

udt
1
2

V
max
sin()d
V
max
2
[ cos()]
V
max

=
=
=
0
0

T
0
T
0
0
0
0

2
v (t)
v (t)= VMax sin (t)
Applications
Redressement double alternance
On considre que les diodes sont idales
R
u(t)
v(t)
i
Vd4
Vd1
Vd2
Vd3
u(t)= R.i = v(t) Vd1 Vd2 = -v(t) Vd3 - Vd4
1
v (t)
u (t)
Applications
Redressement double alternance
Pour v(t) 0 D1, D2 passantes et D3,D4 sont bloques
u(t) = v(t) Vd1 - Vd2 = v(t) 0 - 0
u(t) = v(t)

Applications
Redressement double alternance
Vd3
Vd4
Pour v(t) < 0 D1, D2 sont bloque et D3, D4 sont passantes
u(t)= -v(t) Vd3 - Vd4 = -v(t)- 0 - 0
u(t) = -v(t)


0
2.
Calcul de la valeur moyenne de u :
Applications
Redressement double alternance
R
u(t)
v(t)
i
Vd4
Vd1
Vd2
Vd3
u
moy
=
1
T

udt
1

V
max
sin()d
V
max

[ cos()]
2
V
max

0
0
T

=
=
=
u
eff
2
=
1
T

u
2
dt
1

V
max
2
sin
2
( )d
V
max
2

(1/ 2(1 cos(2))d )


V
max
2
2
[ 1/ 2sin(2)]
V
max
2
2
=
=
=
=

0
0
0
0
T
Applications
Filtrage de la tension redresse
A t= 0 , la capacit C est dcharge, on a donc vs(t) = vc(t)=0
D'o ve(t) = vD(t) >0 : la diode est passante
ve(t) = vs (t) Ainsi, la capacit se charge
t > T/4 ve (t) < vs(t) : la diode est bloque D'o le rseau RC est isol :
La capacit se dcharge travers R. Sa tension vs(t) va diminuer jusqu' linstant o la tension ve(t)
redevient plus grande que vs(t).
En rgime permanent, la tension vs(t) varie entre Vsmax et Vsmin.
Ondulation :
Taux d'ondulation :
t = R*C >> T, ainsi la capacit na pas le temps de se dcharger compltement sur une priode T
C=
I T
V
Cmax
Q = I T = C V => Q = I T = C V
T
Diode Zener
Caractristiques courant-tension
V
Izmin est l'intensit au dessous de laquelle la tension
n'est plus stabilise.
Izmax est l'intensit au dessus de laquelle, la puissance
P = Vz.Imax dissipe dans la diode devient
destructrice.
Modles lectriques quivalents
V
V
Modle idale
Modle linaris
V=VZ V = VZ + RZ I
Vz
Vz Rz
Condition de stabilisation
Izmin < Iz < Izmax
Diode Zener
Stabilisation de tension
Thvenin
E
TH
=
R
L
R
L
+ R
E
R
TH
=
R R
L
R+ R
L
E
TH
> V
Z
3 cas peuvent tre analyss
- RL fixe
- E fixe
- RL fixe
- E varie
- RL varie
- E fixe
VL
V
L
= V
Z
E
TH
< V
Z
V
L
=
R
L
R
L
+ R
E
Diode passante
Diode bloque
Diode Zener
Stabilisation de tension (RL et E fixes)
1. Rsistance maximale (Rmax) pour la stabilisation de tension
E
TH
=
R
L
R
L
+ R
E
R
TH
=
R R
L
R+ R
L
La diode est passante pour :
E
TH
> V
Z
R
L
E> R
L
V
Z
+ RV
Z
R
L
E R
L
V
Z
> RV
Z R< R
L
E V
Z
V
Z
R
max
= R
L
E V
Z
V
Z
2. Courants, I, IRL, Iz
I =
E V
Z
R
I
RL
=
V
Z
R
L
I
Z
= I I
RL
=
E V
Z
R

V
Z
R
L
VL
Diode Zener
Stabilisation de tension (RL fixe et E varie)
1. Tension de polarisation minimale (Emin )pour la stabilisation de tension
E
TH
=
R
L
R
L
+ R
E
R
TH
=
R R
L
R+ R
L
La diode est passante pour :
E
TH
> V
Z
R
L
E> R
L
V
Z
+ RV
Z
E>
R
L
+ R
R
L
V
Z
E
min
=
R
L
+ R
R
L
V
Z
2. Courants, I, IRL, Iz
I
max
=
E
max
V
Z
R
I
RL
=
V
Z
R
L
I
Zmax
= I
max
I
RL
=
E
max
V
Z
R

V
Z
R
L
I
min
=
E
min
V
Z
R
I
Zmin
= I
min
I
RL
=
E
min
V
Z
R

V
Z
R
L
VL
Diode Zener
Stabilisation de tension (RL varie et E fixe)
1. Tension de polarisation minimale (Emin )pour la stabilisation de tension
E
TH
=
R
L
R
L
+ R
E
R
TH
=
R R
L
R+ R
L
La diode est passante pour :
E
TH
> V
Z
R
L
E> R
L
V
Z
+ RV
Z
R
L
> R
V
Z
E V
Z
R
Lmin
= R
V Z
E V
Z
2. Courants, I, IRL, Iz
I =
E V
Z
R
I
R
Lmax
=
V
Z
R
Lmin
I
Zmax
= I I
R
Lmin
=
E V
Z
R

V
Z
R
Lmin
I
Zmin
= I I
R
Lmax
=
E V
Z
R

V
Z
R
Lmax
I
R
Lmin
=
V
Z
R
Lmax
VL
Diode Zener
Application du thorme de superposition
1/ tude du point de fonctionnement
2/ tude du rgime petits signaux
Stabilisation de tension (petit signaux)
Stabilisation de tension
Diode Zener
1. Rgime petits signaux
Stabilisation amont
(Vz /Ve ) iRL= cte
RL =cte
Stabilisation aval
(Vz /iRL ) Ve= cte
RL varie
V
Z
=
R
L
R
Z
R
p
+ R
L
R
Z
V
e
V
Z
/ V
e
=
R
L
R
Z
R
p
+ R
L
R
Z
V
Z
/ i
RL
= R pR
Z
Rsistance de
sortie du montage
V
Z
/ i
RL
R
Z
Ve varie, RL fixe Ve fixe, RL varie
Stabilisation de tension
symbole:

P
N
Rgion active
Rgion morte
(+)
(-)
La recombinaison est radiative dans le cas du semi-conducteur base de GaAs
Pour que ce phnomne de recombinaison radiative se manifeste encore faut-il crer une forte
population d'lectrons dans la bande de conduction, et de trous dans la bande de valence. C'est ce
processus qui est appliqu dans les diodes lectroluminescentes et dans les diodes lasers, le phnomne
portant le nom d'lectroluminescence.
Diode lectroluminescente ou LED (Light Emitting Diode)
Principe de fonctionnement
Ec
Ev
Recombinaison h
EG
Lumire
Lorsque la diode est polarise en direct, elle met un
flux lumineux proportionnel au courant la traversant.
Si la diode est polarise en inverse, elle nmet pas
de rayonnement optique.
Applications : Afficheurs, clairage, crans OLED .
Rouge: V0 =1.5V, LED Vert: V0 =2.4 V
Photodiode
Principe de fonctionnement
Ec
Ev
h EG
EG
Lorsque les photons pntrent dans le semiconducteur, pourvu qu'il ont une nergie suffisante, peuvent
crer des photoporteurs en excs dans le matriaux. Ces photoporteurs sont des paires d'lectrons-trous.
Chaque paire cre se traduit par la circulation dans le circuit extrieur d'une charge lmentaire. On
observe ainsi une augmentation du courant.
Vu que les photocourants crs sont trs faible, il faut que la jonction soit polariser en inverse, d'une part
pour viter le courant en direct de la photodiode qui est beaucoup plus important que les photocourant et
d'autre par pour augmenter son rendement.
Applications : Cellule photovoltaque, Dtecteurs optiques, ...
Symbole
Photocoupleur ou optocoupleur
Il combine une LED et une photodiode dans le mme botier Il isole lectriquement le circuit de sortie de
celui dentre (dcouplage). Le faiseux lumineux et le seul contact entre lentre et la sortie.
La lumire mise par la LED bombarde la photodiode et fait circuler dans le circuit de sortie un courant
proportionnel a celui du circuit dentre
Principe de fonctionnement
Plan du cours
Chapitre 1: Gnralits sur les semi-conducteurs
Chapitre 2: Diode et ses applications
Chapitre 3: Transistor bipolaire et ses applications
Chapitre 4: Transistor eet de champs et ses applications
Chapitre !: "mpliicateur oprationnel et ses applications
Chapitre 0
Chapitre 0
Gnralits sur les semi-conducteurs
Gnralits sur les semi-conducteurs
Plan du cours
#appels sur la structure de la mati$re
Structure de l'atome
Structure de l'tat solide
Bandes d'nergies
%emi-conducteur intrins$&ue
Liaison de covalence: gnration de paires lectron-trou
Recombinaison
Concentration des porteurs dans le silicium intrinsque
%emi-conducteur e'trins$&ue: Dopa(e
Silicium dop de type N
Silicium dop de type
%tructure de la mati$re : "tome
)es lectrons de coeur : *ortement li au no+au
)es lectrons priphri&ues ou de ,alence: peu li au
no+au
"tome - .o+au /01 0 2lectrons /-1
.o+au - Protons /01 0 .uclons / non char(s1
"tome lectri&uement neutre
.ombre de Protons - .ombre d3lectrons
.i,eau d3ner(ie discret: contient 2n
2
lectrons
n: .umro de ni,eau correspond une couche
couche /4 /n-115 )/n-215 6/n-3171
2n 89 &uel&ue soit n : il aut produire un tra,ail
pour loi(ner un lectron de l3atome:
2'emple : "tome de silicium /;- 141
4 /n-11 - 2:1
2
- 2
)/ n-21 - 2: 2
2
- <
6/n-31 /peut occuper 2:3
2
-1<1 : occupe
le reste - 4
19 lectrons de c=ur
4 lectrons de ,alence 21
22
23
2 lectrons de 4
< lectrons de 4
4 lectrons de 4
"tome de %ilicium /%i1
6od$le de >?@#
%tructure de la mati$re : %olide
6atriau' solides
"morphe:
Crisallin:
!tomes rangs rgulirement au" noeuds d'un
rseau priodique#
l'ordre n'est que local et non rpt#
Cristal
Cristau' ioni&ues /.a
0
Cl
-
1:
"ttraction colombienne:
Cristau' isolants et tr$s
dur:
Cristau' molculaires:
6tau' /)i5 "(5 "u5:::1 :
Conducteurs lectri&ues :
An lectron libre par
atome:
Cristau' co,alents
/Colonne BC: C5 %i5
Ge5%n71:
)iaisons de ,alence:
)iaisons moins ortes
&ue les liaisons
ioni&ues:

Proprits- f(orce de
ces liaisons1:
%tructure de la mati$re : >andes d3ner(ie
)es tats ner(ti&ues possibles des lectrons du cristal sont reprsents par un dia(ramme de bandes
d3ner(ie:
>ande
de conduction
>ande
de ,alence
>ande interdite
lectrons
li au" atome
lectrons
libre dans le solide
2
G
Cristal
.i,eau de ermi /21
An lectron dont l3ner(ie est situe dans une bande en dessous de la bande de
,alence est li un atome donn du solide:
Dans la bande de ,alence5 l3lectron est commun plusieurs atomes:
)3lectron dont l3ner(ie est comprise dans la bande de conduction circule librement
dans le solide:
)e (ap 2
G
reprsente la &uantit d3ner(ie minimale ncessaire pour aire (rimper un
lectron de la bande de ,alence la bande de conduction:
2 le ni,eau dit de *ermi5 &ui est le ni,eau ner(ti&ue le plus le, &u3un lectron
puisse occuper 9D4:
2
G
est un param$tre essentiel &ui permet de distin(uer les matriau' isolants5
semiconducteurs et conducteurs:
Dirence entre conducteurs5 isolants et semi-conducteurs
$%
Bande interdite
Bande interdite
Bande interdite
Bande de
valence
Bande de
conduction
Bande de
conduction
Bande de
conduction
Bande de
valence
Bande de
valence
$
Conducteur %emiconducteur Bsolant
Dans les isolants et les semiconducteurs, la bande de valence est entirement pleine T=0K. La hauteur de la
bande interdite des isolants est plus grande par rapport celle des semiconducteurs.
Dans les conducteur, la bande de conduction est partiellement remplie.
Les semiconducteurs ont une conductivit intermdiaire entre les conducteurs et les isolants.
ls sont isolants T=0K.
Exemple de valeurs de gap
%emiconducteurs
%tructure des semiconducteurs: %ilicium intrins$&ue
Lors de la !ormation du cristal un atome de silicium va gagner " lectrons en !ormant des liaisons
covalentes #ui correspondent la mise en commun de ses lectrons avec les atomes voisins. $insi un
atome de silicium #ui s%associe avec #uatre autres atomes de silicium verra huit lectrons sur sa dernire
couche.
apparition des porteurs de c&arge 't&ermiques)
paires 'lectrons-trous)
* + ,-.
)iaison co,alente
* / ,-.
lectrons
trous
Gnration thermi&ue de paires Electron-trouF - #ecombinaison
* / ,-.
Gnration thermi&ue de paires Electron-trouF - #ecombinaison
* / ,-.
Gnration thermi&ue de paires Electron-trouF - #ecombinaison
* / ,-.
Gnration thermi&ue de paires Electron-trouF - #ecombinaison
* / ,-.
Gnration thermi&ue de paires Electron-trouF - #ecombinaison
* / ,-.
Gnration thermi&ue de paires Electron-trouF - #ecombinaison
* / ,-.
recombinaison
Gnration thermi&ue de paires Electron-trouF - #ecombinaison
Concentration des porteurs de char(e dans le silicium intrins$&ue
Bande de valence
Bande de conduction
$v
$c
Gnration de paires
Electron-trouF
#ecombinaison
$
0
+ $c-$v
p + trous 1cm
2
n + lectrons1cm
2
n=Nc e
( EcEFi)
kT
p=Nv e
(EFiEv)
kT
n= p=ni=AT
&/ '
e
(
EG
'KT
)
Loi de masse : n#p + n
i
3
our */ , .4 des lectrons peuvent devenir libre
c'est 5 dire passer de la bande de valence 5 la bande
de conduction4 o6 leur concentration est note n#
Ces lectrons laissent des trous dans la bande de
valence 7avec une concentration note p8 eu" aussi
libres de se dplacer#
9n quilibre s:tablit entre les p&nomnes
d:ionisation t&ermique et de recombinaison ; les
lectrons libres et les ions de silicium apparaissant
en quantits gales# La concentration en lectrons
libres n et en trous libres p sont gales 5 ni la
concentration intrinsque#
<l y a environ 3 paires lectron-trou pour =, milliards d:atome 5
temprature ordinaire 73,-C8
<l y a environ di" mille milliards de milliards d:atome 7=,
33
8 dans un
gramme de silicium4 donc deu" mille milliards 73"=,
=3
8 d:lectrons
libres par gramme de silicium
Semi conducteur dop 'N)
Semi conducteur dop 'N)
>
<ntroduction d:atomes trivalents4 environ = pour =, millions
d:atome de silicium
>
!rsenic4 antimoine4 &osp&ine ?
%ilicium dop E.F
@
@
%ilicium dop E.F
0
0
%ilicium dop E.F
0
0
%ilicium dop E.F
0
0
%ilicium dop E.F
0
0
%ilicium dop E.F
0
0
%ilicium dop E.F
Concentration des porteurs de char(e dans le silicium dop E.F
$c
$v
$
0
$
Ai
$
An
B$
n
+ $
An
- $
Ai
Bande de conduction
Bande de valence
n = (d ) ni * (d
p + n
i
3
1N
d
Les lectrons sont les porteurs maCoritaires et les
trous les porteurs minoritaires#
La population des lectrons libres de la bande de
conduction est beaucoup plus importante que elle
des trous libres dans bande de valence#
Le niveau de Aermi $
An
se dplace donc du milieu de
la bande interdite 7$
Ai
8 vers la bande de conduction#
n + Nd: Concentration des donneurs
Loi de masse : n:p - n
i
2
EFnEFi=kT.ln(
Nd
ni
)
Semi conducteur dop ')
Semi conducteur dop ')
>
<ntroduction d:atomes trivalents4 environ = pour =, millions
d:atome de silicium
>
<ndium4 bore?
%ilicium dop EPF
-
-
%ilicium dop EPF
-
-
%ilicium dop EPF
-
-
%ilicium dop EPF
-
-
%ilicium dop EPF
-
-
%ilicium dop EPF
-
-
%ilicium dop EPF
-
-
%ilicium dop EPF
-
-
%ilicium dop EPF
Concentration des porteurs de char(e dans le silicium dop EPF
$c
$v
$
0
$
Ai
B$
p
+ $
Ai
- $
Ap
Bande de conduction
Bande de valence
n + n
i
3
1N
a
p = (
a
) n
i
D N
a

p + Na: Concentration des accepteurs
Loi de masse : n:p - n
i
2
Les trous sont les porteurs maCoritaires et les
lectrons les porteurs minoritaires#
La population des lectrons libres de la B#C# est
beaucoup plus %aible que celle des trous libres
dans BE#
Le niveau indicateur de Aermi $%p se dplace
du niveau intrinsque $Ai vers la bande de
valence#
EFiEFp=kT ln (
Na
ni
)
Chapitre 2 :
Transistor bipolaire
Le transistor en lectronique
Ses applications :
Amplifier un signal : amplificateur de tension, de courant,de puissance
tre utilis comme une source de courant
Agir comme un interrupteur command : essentiel pour llectronique
numrique.
Ses formes :
Composant discret.
Circuit intgr : de quelques units (ex : AO) quelques millions de transistors
par circuit microprocesseurs).
Types de transistors :
Transistor bipolaire : source de courant pilote en courant
Transistor effet de champs (JFET ou MOSFET) : source de courant pilote en
tension.
Types de transistors bipolaires
Une couche N fortement dope constituant lmetteur.
Une couche P trs mince et faiblement dope constituant
la base.
Une couche N faiblement dope constituant le
collecteur.
N
P
N
C
(Collecteur)
E
(Emetteur)
B
(Base)
B
E
C
P
N
P
C
(Collecteur)
E
(Emetteur)
B
(Base)
B
E
C
Une couche P fortement dope constituant lmetteur.
Une couche N trs mince et faiblement dope constituant
la base.
Une couche P faiblement dope constituant le collecteur.
NPN
PNP
Principe de fonctionnement du transistor bipolaire
N N P
--------- -
- -
- -
-
-
-
- - -
IB
E
B
IC
IE
e
VBE VCB
La jonction EB est polarise en direct favorise la diffusion d'lectrons dans la base et de
trous dans l'metteur.
La jonction collecteur-base polarise en inverse ne constitue pas une barrire pour les
porteurs minoritaires. Tout lectron de la base qui atteint la zone de dpletion de la jonction
collecteur-base est propuls vers le collecteur par le champ rgnant dans cette zone de
transition.
Si l'paisseur de la base de la zone P est trs troite, la majorit des lectrons mis par
l'metteur vont tre collects par le collecteur, c'est l'effet transistor.
Transistor bipolaire : Relations fondamentales
Courant de collecteur : I
C
I
s
e
qV
BE
kT
Courant de base : I
B
= I
C
/= (I
s
/)e
qV
BE
kT
Courant de l'metteur :
I
E
= I
C
+ I
B
= (+ 1) I
B
I
B
Is : Courant de saturation inverse de la jonction metteur - base .
: Gain en courant du transistor, c'est une caractristique du transistor.
est trs peut reproductible dun composant lautre, ( 20 < < 500 ).
(Effet transistor)
Transistor bipolaire : Modle d'Ebers-Moll (en rgime linaire)
IC
IE
IB
B
( P )
C ( N )
E (N )
IC
IE
IB
B
(N )
C ( P )
E (P )
C
E
B
IE = ( + 1) IB
IC = IB
IB
VBE
C
E
B
IE = ( + 1) IB
IC = IB
IB
VBE
Transistor NPN
Transistor PNP
Le gnrateur de courant n'existe que si le transistor est polaris, et de telle sorte
avoir l'effet transistor
On peut voir le transistor comme un quadriple. Comme c'est en ralit un triple,
il faut mettre une de ses connexions en commun entre lentre et la sortie du
quadriple.
Transistor bipolaire : Montages de base
Trois montages sont possibles:
Grandeur d'entre :
VBE, IB
Grandeur de sortie :
VCE, IC
Grandeur d'entre :
VBC, IB
Grandeur de sortie :
VEC, IE
Grandeur d'entre :
VEB, IE
Grandeur de sortie :
VCB, IC
Emetteur Commun Collecteur Commun Base Commune
Transistor bipolaire : Caractristiques lectriques (Emetteur commun)
Caractristique d'entre
IB = f (VBE) pour VCE = cte
Caractristique de transfert
IC = f (IB) pour VCE = cte
Caractristique de sortie
IC = f (VCE) pour IB = cte
Diode constitue par la jonction
Base-Emetteur
IC = IB + ICE0
ICE0 : Courant de fuite
Zone 1 : IC dpend trs peu de VCE
pour IB donn gnrateur de
courant avec une faible rsistance
interne.
Zone 2 : IC dpend beaucoup de VCE.
C'est la zone de saturation. Lorsque
VCE devient trs faible, la jonction
collecteur-base cesse dtre polarise
en inverse (VBC = VBE-VCE). On n'a
plus un transistor mais l'quivalent
de deux diodes en parallle
Montage de mesure
Transistor bipolaire : Rgimes de fonctionnement
Rgimes de fonctionnement
Si IB = 0 (VBE 0)
Transistor bloqu,
Rien ne circule
Si IB > 0
Transistor en rgime linaire
IC = IB (effet transistor).
Si IB > Icsat/ (VCE = 0)
Transistor satur
IC< IB
Fonctionnement
en commutation
de blocage
Fonctionnement
en amplification
Fonctionnement
en commutation
de saturation
P0
P1
P2
P3
P4
Blocage
Saturation
Amplification
Transistor bipolaire : Polarisation par deux alimentations
Polarisation par deux alimentations
Droite d'attaque (IB = f (VBE) :
I
B
=
V
BE
R
B
+
V
BB
R
B
Droite de charge (IC = f (VCE) :
I
C
=
V
CE
R
C
+
V
CC
R
C
Objectif de la polarisation
Fixer le point de fonctionnement
Choisir le rgime de fonctionnement
Fonctionnement en Amplification (ou encore
linaire) (point P en A): IC = IB.
Fonctionnement en commutation de saturation
(point P en S): IC < IB.
Fonctionnement en commutation de blocage ( point
P en B): IC = 0.
Ce montage ncessite deux alimentations,
coteux, encombr
Transistor bipolaire : Polarisation par rsistance de base
Droite d'attaque (IB = f (VBE) :
I
B
=
V
BE
R
B
+
V
CC
R
B
Droite de charge (IC = f (VCE) :
I
C
=
V
CE
R
C
+
V
CC
R
C
Dans le rgime linaire (amplification) on :
I
C0
I
B0
=
V
CC
V
BE0
R
B
Les dispersions de sont grandes pour le mme type
du transistor. En plus, dpend de la temprature.
Le point de fonctionnement est donc instable ce qui
reprsente le principal inconvnient de ce montage.
Polarisation par rsistance de base
Transistor bipolaire : Polarisation par pont de base
Thvinin
E
B
=
R
2
R
1
+ R
2
V
CC
R
B
=
R
1
R
2
R
1
+ R
2
E
B
= R
B
I
B
+ V
BE0
+ R
E
I
E
= R
B
I
B
+ V
BE0
+ R
E
(1+ ) I
B
= (R
B
+ (1+ ) R
E
) I
B
+ V
BE0
I
B
=
E
B
V
BE0
R
B
+(1+)R
E
I
C
=
E
B
V
BE0
R
B
+R
E
En choisissant
R
B
R
E I
C

E
B
V
BE0
R
E
+ 1 1 I
B
=
E
B
V
BE0
R
B
+ R
E
On a :
Le point de polarisation devient indpendant de donc plus stable vis vis la temprature
linterchangeabilit du transistor
Transistor bipolaire : Modle petit signaux (Basses frquences)
Quest-ce quun modle petits signaux?
Le modle petit signaux correspond la linarisation du fonctionnement du
transistor autour de son point de polarisation.
Petit signaux = Grandeurs priodiques et centres :
Capacits de liaison
Tension dalimentation constantes Masses.
Fil
s
A B A B
A B
A B
Transistor bipolaire : schma quivalent petit signaux (Basses frquences)
B
C
E
ib
ic
vbe
vce
Paramtres du modle :
: rsistance base-metteur.
: rsistance collecteur-metteur (souvent nglige).
: amplification en courant

r
I
V
h
cste V
B
BE
CE

11

cste V
B
C
CE
I
I
h
21

1
22

cste I
CE
C
B
V
I
h
i
b
= I
S
e
e v
be
kT
di
b
dv
be
=
e
kT
I
S
e
e v
be
kT
=
e
kT
i
b
r

=
V
BE
I
B
=
kT
e I
B0
=
kT
e I
C0
Calcul de r :
On a :
temprature ambiante (T = 300 K) , on a alors :
r

=
0,026
I
C0
Amplification petits signaux l'aide d'un transistor bipolaire
Grce aux modles linaires du transistor et au thorme de superposition, le calcul d'un
amplificateur (devient trs simple. Le calcul complet se dcompose en cinq tapes successives :
1. Calcul du point de fonctionnement du circuit (IB0,VBE0, IC0, VCE0)
2. Calcul des paramtres du transistor partir du courant de repos IC
3. Dessin du circuit petits signaux dans lequel on annule toutes les sources continues et on
remplace le transistor par son modle petits signaux.
4. Calcul des paramtres de l'amplificateur quivalent reprsent par les impdances Ze, Zs et
son gain en tension ou en courant Av ou Ai .
A
v
=
v
s
v
e
A
i
=
i
s
i
e
Z
e
=
v
e
i
e
Z
s
=
v
s
i
s
5.Prsenter ltage amplificateur comme un quadriple.
Mthodologie du calcul
Fonctionnement du transistor bipolaire en amplification : Montages de base
On appelle montage metteur, base, collecteur commun, un montage dans lequel lmetteur,
resp. la base ou le collecteur sont relis la masse en petits signaux.
Montage classiques et utiles :
Emetteur commun
Montage collecteur commun
Montage base commune
Montage metteur commun : polarisation
Polarisation
Les capacits sont
Assimiles des
interrupteurs ouverts
VBE0 est gale la tension seuil de la jonction Base-Bmetteur
Objectif : dtermination des valeurs des grandeurs de repos : I
B0
, I
C0
, V
BE0
, V
CE0
1.Polarisation
I
B0

E
TH
V
BE0
R
E
I
C0
=I
B0

E
TH
V
BE0
R
E
E
TH
=
R
b2
R
b1
+ R
b2
E
V
CE0
= E( R
C
+ R
E
) I
C0
= E
(R
C
+ R
E
)
R
E
(E
TH
V
BE0
)
R
TH
R
E
R
TH
=
R
b1
R
b2
R
b1
+ R
b2
On peut aussi dterminer le point de repos graphiquement
Montage metteur commun : Schma quivalent petit signaux du transistor
Objectif : calcul des paramtres du transistor
B
C
E
ib
ic
vbe
vce
i
b
= I
S
e
e v
be
kT
di
b
dv
be
=
e
kT
I
S
e
e v
be
kT
=
e
kT
i
b
r

=
V
BE
I
B
=
kT
e I
B0
=
kT
e I
C0
Calcul de r :
On a :
temprature ambiante (T = 300 K) , on a alors :
r

=
0,026
I
C0
2. Schma quivalent petit signaux du transistor
Montage metteur commun : Schma quivalent petit signaux du montage
Schma quivalent
En petit signaux
On court-circuite les
capacits
3. Schma quivalent petit signaux du montage
4. Calcul des paramtres de lamplificateur
A/ Gain en tension vide ( sans charge connecte la sortie)
A
v0
=
v
s
v
e
On a :
v
e
= v
be
= r

i
b
v
s
= R
c
i
c
=R
c
i
b
A
v0
=
v
s
v
e
=
R
c
i
b
r

i
b
A
v0
=
R
c
r

B/ Impdance d'entre
Z
e
=
v
e
i
e
v
e
= (R
b1
R
b2
r

)i
e
Z
e
=
v
e
i
e
= R
b1
R
b2
r

On a
C/ Impdance de sortie
v
s
= R
c
i
c
= R
c
i
s
Z
s
= R
c
On a :
Montage metteur commun : Schma quivalent petit signaux du montage
D/ schma quivalent de l'tage amplificateur
E/ Gain de l'tage en charge
v
s
=
R
ch
Rch+ R
c
A
v0
v
e
=
R
c
r

R
ch
Rch+ R
c
v
e
On a (diviseur de tension) : A
v
=
v
s
v
e
=
R
c
R
ch
r

(R
ch
+ R
c
)
F/ Bilan
Ce montage prsente :
Une bonne amplification en tension
Une impdance dentre relativement faible ( presque gale r)
Une impdance de sortie assez leve Rc
Ce est inexploitable seul, il faudra lui adjoindre des tages adaptateurs d'impdance.
Montage collecteur commun : polarisation
1.Polarisation
Objectif : dtermination des valeurs des grandeurs de repos : I
B0
, I
C0
, V
BE0
, V
CE0
Polarisation
Les capacits sont
Assimiles des
interrupteurs ouverts
VBE0 est gale la tension seuil de la jonction Base-Bmetteur
I
B0

E
TH
V
BE0
R
E
I
C0
=I
B0

E
TH
V
BE0
R
E
E
TH
=
R
b2
R
b1
+ R
b2
E
V
CE0
= E R
E
I
C0
= E
R
E
R
E
(E
TH
V
BE0
)= E E
TH
+ V
BE0
R
TH
R
E
R
TH
=
R
b1
R
b2
R
b1
+ R
b2
On peut aussi dterminer le point de repos graphiquement
Rc =0
Ve
Montage collecteur commun : Schma quivalent petit signaux du montage
Schma quivalent
En petit signaux
On court-circuite les
capacits
2. Schma quivalent petit signaux du montage
3. Calcul des paramtres de lamplificateur
A/ Gain en tension vide
A
v0
=
v
s
v
e
pour i
s
= 0
On a :
v
e
= r

i
b
+ R
E
(+ 1)i
b
=(r

+ R
E
(+ 1))i
b
v
s
= R
E
(+ 1)i
b
A
v0
=
(+ 1)R
E
r

+ (+1) R
E
1
B/ Impdance d'entre
Z
e
=
v
e
i
e
v
e
= [ R
b1
R
b2
(r

+ (+ 1) R
E
)]i
e
On a :
Transistor
Z
e
=
v
e
i
e
= R
b1
R
b2
(r

+ (+ 1) R
E
)
ie
is
Vs
Ve
ib
Ve
On remarque que lentre et la sortie ne sont pas spares. La charge influe sur limpdance dentre
et limpdance interne du gnrateur dattaque influe sur limpdance de sortie.
Montage collecteur commun : Schma quivalent petit signaux du montage
C/ Impdance de sortie
D/ Bilan
Ce montage prsente :
Un gain en tension presque gale 1
Une impdance dentre leve
Une impdance de sortie faible
Z
s
=
v
s
i
s
pour e
g
= 0
v
s
= R
E
(i
s
+(+ 1)i
b
)
i
b
=
v
s
[(R
g
R
b1
R
b2
)+ r

]
Z
s
=
r

+( R
g
R
b1
R
b2
)
+ 1
Vs
is
Vs
is
Si Rg = 0
Z
s

Il est vident que ce montage ne sert pas pour amplifier un signal, mais il est utilis comme adaptateur dimpdance.
Situ en amont dun vrai montage amplificateur, il permet daugmenter son impdance dentre, situ en aval dun
vrai montage amplificateur, il permet de linterfacer avec une faible charge, et ceci, sans modifier le gain en
tension de ltage.
Montage base commune : Schma quivalent petit signaux du montage
Schma quivalent
En petit signaux
On court-circuite les
capacits
1.Schma quivalent petit signaux du montage
2. Calcul des paramtres de lamplificateur
A/ Gain en tension vide ( sans charge connecte la sortie)
A
v0
=
v
s
v
e
On a :
v
e
= r

i
b
v
s
=R
c
i
b
A
v0
=
v
s
v
e
=
R
c
i
b
r

i
b
A
v0
=
R
c
r

B/ Impdance d'entre Z
e
=
v
e
i
e
i
e
=
v
e
R
E
(+ 1)i
b
=
v
e
R
E
+(+ 1)
v
e
r

Z
e
=
v
e
i
e
=
(+ 1) R
E
r

+ (+ 1) R
E
r

On a
C/ Impdance de sortie
v
s
= R
c
(i
s
i
b
)= Rci
s
+ Rc
v
e
r

= R
c
i
s
+ A
v0
v
e
= Z
s
i
s
+ A
v0
v
e
Z
s
= R
c On a :
Montage collecteur commun : Schma quivalent petit signaux du montage
D/ Bilan
Ce montage prsente :
Un gain en tension lev
Une impdance dentre faible
Une impdance de sortie moyenne
En pratique, ce montage sera trs peu utilis, sauf en haute frquence o il va prsenter
une bande passante suprieure celle du montage metteur commun.
Chapitre 3:
Transistor effet de champ
Inconvnients des transistors bipolaires :
Courant de base non nul consommation non nulle.
Fonctionnement par injection de charge
Risque de stabilit thermique
Impdance d'entre faible (ordre de k )
Pilotage en courant (pas en tension)
On souhaite un autre type de transistor :
A consommation dnergie trs rduite en commutation.
Pilotable en tension.
Impdance d'entre leve
Plus stable thermiquement
Il existe : le transistor Effet de champ
Transistors effet de champ (TEC ou FET) : Introduction
Deux familles
Transistor effet de champ jonction
(JFET)
MOSFET (Mtal-Oxyde-
Semiconducteur effet de champ)
Transistors effet de champ jonction (JFET ):Types
La Source S est llectrode par ou les lectrons
entrent dans le barreau. (Source dlectrons)
Le drain D est llectrode par ou les lectrons
quittent le barreau. (lectrode charge pour drainer
les lectrons)
La grille G permet de commander le courant IDS
JFET de type N ou canal N
JFET de type P ou canal P
La Source S est llectrode par ou les trous entrent
dans le barreau. (Source dlectrons)
Le drain D est llectrode par ou les trous quittent
le barreau. (lectrode charge pour drainer les
trous)
La grille G permet de commander le courant IDS
Dans ce ce qui suit, on sintressera au JFET de type N uniquement, le JEFET de type P tant
identique par permutation des zones P et N.
ID
IG
ID
IG
Principe de fonctionnement du JFET de type N
En fonctionnement normal, le drain sera polaris positivement par rapport a la source (VDS > 0), la
grille sera polarise ngativement par rapport a la source (VGS <0) ce qui polarisera en inverse les
jonctions PN (Grille-Canal) produisant ainsi deux zones de depletion autour des jonctions. Ces zones
ne contiennent pas de porteur, donc elles sont isolantes et leur paisseur augmente avec VGS et aussi
avec VDS. Les lectrons, qui sont les porteurs mobiles de charges, circulent dans le canal dont la
largeur est contrle par la tension VGS<0.
VGS 0
VDS 0
P P
+
-
VGS
+
-
N
N
Gate
Drain
Source
VDS =0
Principe de fonctionnement du JFET de type N
VDS =0V VD=VS VGD =VGS
La largeur du canal est contrle par la tension VGS<0
Principe de fonctionnement du JFET de type N : VGS=0 et VDS varie
N N
P
P
Id
VDS Vp = pincement du canal
Vp
IDS = f(VDS) pour VGS = 0 V
Ids = Vds/Rds
Rds varie
VGD = VGS -VDS = -VDS
Principe de fonctionnement du JFET de type N : VGS et VDS varies
P
P
N
VDS
VGS
P
Vp =
VGS off
VGS =0
VGS1<0
VGS2<VGS1
Vp Vp1 = Vp -|VGS1| Vp2 = Vp -|VGS2| VDS = 0
i
DS mA
v
DS
10
30
20
40
- 2
2
4
6
8
- 4
V
GS
= -2 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= -4 V
V
GS
= -5,5 V
V
GS
= -6,7 V
i
DS mA
v
DS
10
30
20
40
- 2
2
4
6
8
- 4
V
GS
= -2 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= -4 V
V
GS
= -5,5 V
V
GS
= -6,7 V
Vp
Vp - 2
Vp - 4
Vp 5,5
i
DS mA
v
DS
10
20
- 2
2
4
6
8
- 4
V
GS
= -1 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= -2 V
V
GS
= -3 V
V
GS
= -6,7 V
10
2
4
6
8
10
i
DS mA
v
GS
v
DS
10
20
- 2
2
4
6
8
- 4
V
GS
= -1 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= -2 V
V
GS
= -3 V
V
GS
= -6,7 V
10
2
4
6
8
10
i
DS mA
i
DS mA
v
GS
v
DS
10
20
- 2
2
4
6
8
- 4
V
GS
= -1 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= -2 V
V
GS
= -3 V
V
GS
= -6,7 V
10
2
4
6
8
10
i
DS mA
i
DS mA
v
GS
i
DSS
v
DS
10
20
- 2
2
4
6
8
- 4
V
GS
= -1 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= -2 V
V
GS
= -3 V
V
GS
= -6,7 V
10
2
4
6
8
10
i
DS mA
i
DS mA
v
GS
i
DSS
-2 V -4 V -6 V
v
DS
10
20
- 2
2
4
6
8
- 4
V
GS
= -1 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= -2 V
V
GS
= -3 V
V
GS
= -6,7 V
10
2
4
6
8
10
i
DS mA
i
DS mA
v
GS
i
DSS
-2 V -4 V -6 V
v
DS
10
20
- 2
2
4
6
8
- 4
V
GS
= -1 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= -2 V
V
GS
= -3 V
V
GS
= -6,7 V
10
2
4
6
8
10
i
DS mA
i
DS mA
v
GS
i
DSS
-2 V -4 V -6 V
v
DS
10
20
- 2
2
4
6
8
- 4
V
GS
= -1 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= -2 V
V
GS
= -3 V
V
GS
= -6,7 V
10
2
4
6
8
10
i
DS mA
i
DS mA
v
GS
i
DSS
-2 V -4 V -6 V
v
GSoff
v
DS
10
20
- 2
2
4
6
8
- 4
V
GS
= -1 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= -2 V
V
GS
= -3 V
V
GS
= -6,7 V
10
2
4
6
8
10
i
DS mA
v
GS
i
DSS
-2 V -4 V -6 V
Caractristique de transfert pour V
DS
= 15 V
v
GSoff
Pour VDS < Vp -|VGS|, le FET se comporte comme une rsistance, d'o l'appellation Zone rsistive ou Zone
Ohmique de cette rgion :
Pour VDS > Vp -|VGS|, Le courant ID ne dpend quasiment pas de VDS. Cette rgion est dite Zone de saturation :
O
Caractristique de transfert du JFET de type N
quation de schockley
Si on observe le rseau de caractristique ID=f(VDS)VGS=Cte, on s'aperoit qu'on peut distinguer deux modes de
fonctionnement du FET :
VGSOFF= -Vp
Pour finir de tracer la courbe de transfert, on peut isoler V
GS
partir de lquation de Schokley :
Et calculer V
GS
pour les 2 cas particuliers :

I
D
=
I
DSS
4

I
D
=
I
DSS
2

I
D
=
I
DSS
4

V
GS
=
V
P
2
Caractristique de transfert du JFET de type N
Caractristique de transfert du JFET de type N

I
D
=
I
DSS
4

V
GS
=
V
P
2
ID =0 VGS = Vp
ID = IDSS
VGS = 0V
Comparaison entre JFET de type N et Transistor bipolaire NPN
Comparaison entre JFET de type N et Transistor bipolaire NPN
Le JFET se comporte comme un robinet ( SOURCE ) dont on commande le dbit ( COURANT ) vers le
DRAIN avec une valve ( GRILLE )
La force qui agit sur la valve correspond au champ lectrique entre la GRILLE et le CANAL
Bipolaire NPN JFET de type N
Polarisation d'un JFET
Polarisation par la grille ( deux alimentation)
Polarisation automatique
Polarisation par diviseur de tension
Polarisation fixe (par deux alimentations) du JFET de type N
ID = -VDS/RD + VDD/R
Droite de charge
Droite d'attaque
-VGG -VGS+ RG IG =0
RG IG =0
VGS = -VGG
On a :
Donc
VGS = -VGG
Dterminer les coordonnes du point de repos : VGSQ, IDQ et VDSQ
IDSS = 10 mA
VGSOFF = -8V
RD = 2 k
VDD =16 V
RG = 1 M
Polarisation fixe (par deux alimentations) du JFET de type N : Exemple
Polarisation automatique du JFET de type N
RG IG +VGS + Rs ID =0 VGS + Rs ID = 0 ID = -VGS /RD
Droite d'attaque
Droite de charge
VDD = VDS (Rs+RD) ID ID = -VDS/ (Rs+RD) + VDD/ (Rs+RD)
Polarisation automatique du JFET de type N : exercice
Soit le montage suivant. On donne le courant : IDSS = 12 mA, la pente : Vp=-3V, la rsistance :
RG = 1 M et RD = 3 k.
1. On dsire polariser le transistor la valeur VGS = VP/2. Donner la valeur de la rsistance RS
qui permet davoir cette polarisation.
2. Pour la valeur trouve de RS, dterminer la valeur du courant ID qui circule dans le drain ainsi
que la tension VDS.
3. Tracer la droite de charge statique et placer le point de repos P.
Eth = VDD R2/(R1+R2 )
Rth = R1//R2
VDD = VDS + ID (RD + Rs)
ID = - VDS / (RD + Rs ) + VDD / (RD+ Rs)
Polarisation par pont de rsistance du JFET de type N
VGS = Eth -Rs ID ID = -VGS/Rs + Eth/Rs
Droite d'attaque :
Droite de charge :
Dterminer les coordonnes du point de repos : VGSQ, IDQ et
VDSQ
IDSS = 8 mA
VGSOFF = -4V
R1 = 2,1 M,R2 = 270 k
RD = 2,4 k, Rs = 1,5 k
VDD =16 V
Polarisation par pont de rsistance du JFET de type N : Exercice
En amplification, le JFET est utilis en source de courant. On a le modle petits signaux basse
frquence suivant :
Remarques :
Limpdance dentre est infinie utile pour ladaptation dimpdance.
Consommation trs faible en commutation.
Le plus souvent, on prendra rDS= nglige.
gm est appele transconductance.
G
D
S
ID
VGS
VDS
JFET de type N: Modle petit signaux
JFET de type N: Amplificateur source commune
JFET de type N: Amplificateur source commune (Exercice)
Vp = -4V
Idss= 8 mA
Etudier ce montage
Transistors effet de champ Mtal-Oxyde-
Semiconducteur (MOSFET)
MOSFET canal
diffus
MOSFET canal
induit
MOSFET canal
diffus
MOSFET canal diffus : Structure et symbole
Source Grille Drain
substrat
N
P
N+ N+
mtal
Source Grille Drain
substrat
P
N
P+ P+
mtal
DRAIN
SOURCE
GRILLE substrat
DRAIN
SOURCE
GRILLE
substrat
MOSFET canal N
Symbole
Structure
MOSFET canal P
Symbole
Structure
Source Grille Drain
substrat
N
P
N+ N+
Canal N
V
GS
=0 un canal existe
MOSFET de type N canal diffus : Principe de fonctionnement
V
DS
Source Grille Drain
substrat
N
P
N+ N+
Canal N
V
GS
faible
appauvrissement faible
V
DS
MOSFET de type N canal diffus : Principe de fonctionnement
Source Grille Drain
substrat
N
P
N+ N+
Zone dpeuple dlectrons libres
appauvrissement fort
V
GS
V
DS
MOSFET de type N canal diffus : Principe de fonctionnement
Source Grille Drain
substrat
N
P
N+ N+
V
GS
OFF
V
DS
MOSFET de type N canal diffus : Principe de fonctionnement
Source Grille Drain
substrat
N
P
N+ N+
enrichissement
V
DS
V
GS
MOSFET de type N canal diffus : Principe de fonctionnement
MOSFET de type N canal diffus : Caractristiques
Caractristique de sortie
Caractristique de transfert
Enrichissement
Appauvrissement
Mme quation que les JFET
o
Saturation
Ohmique
quation de schockley
DRAIN
SOURCE
GRILLE
substrat
Symbole
DRAIN
SOURCE
GRILLE substrat
Canal P
MOSFET de type P canal diffus
Source Grille Drain
substrat
N
P
P+ P+
Canal P
VGS=0 il y a un canal
V
DS
MOSFET de type P canal diffus : Principe de fonctionnement
Source Grille Drain
substrat
N
P
P+ P+
Canal P
V
GS
faible
appauvrissement faible
V
DS
Source Grille Drain
substrat
N
P
P+ P+
Zone dpeuple de trous
Canal P
appauvrissement fort V
GS
leve
V
DS
Source Grille Drain
substrat
N
P
P+ P+
Canal P
enrichissement
MOSFET canal
induit
Source
Grille Drain
substrat
P
N+ N+
film mtallique
DRAIN
SOURCE
GRILLE
substrat
Source
Grille Drain
substrat
N
P+ P+
film mtallique
DRAIN
SOURCE
GRILLE
substrat
MOSFET canal induit : Structure et symbole
Canal N
Canal P
Source Grille Drain
substrat
P
N+ N+
SiO
2
film mtallique
Canal N
V
GS
=0 il ny a pas de canal
MOSFET de type N canal induit : Principe de fonctionnement
Source Grille Drain
substrat
N
P
N+ N+
enrichissement
VGS >0
VDS
MOSFET de type N canal induit : Principe de fonctionnement
Source Grille Drain
substrat
N
P
N+ N+
enrichissement
VDS
VGS
MOSFET de type N canal induit : Principe de fonctionnement
Source Grille Drain
substrat
N
P
N+ N+
enrichissement
VDS
VGS
MOSFET de type N canal induit : Principe de fonctionnement
MOSFET de type N canal induit : Caractristiques
Caractristique de sortie
Caractristique de sortie
VTH : Tension seuil
DRAIN
SOURCE
GRILLE
substrat
Source Grille Drain
substrat
N
P+ P+
SiO
2
film mtallique
Canal P
V
GS
=0 il ny a pas de canal
MOSFET de type P canal induit : Principe de fonctionnement
Source Grille Drain
substrat
N
P
P+ P+
Canal P
enrichissement
MOSFET de type P canal induit : Principe de fonctionnement
VGS
VDS
Source Grille Drain
substrat
N
P
P+ P+
Canal P
enrichissement
MOSFET de type P canal induit : Principe de fonctionnement
VGS
VDS
Source Grille Drain
substrat
N
P
P+ P+
Canal P
enrichissement
VDS
VGS
MOSFET de type P canal induit :Principe de fonctionnement

Chapitre 4:
Amplificateur oprationnel

Introduction
C'est un circuit intgr, c'est dire qu'il est form d'une multitude de composants lectroniques
lmentaires (rsistances, transistors, condensateurs, diodes, etc...) formant un circuit complexe et
intgrs dans un botier.
Il constitue une brique de base dans un circuit lectronique.
Il peut raliser diverses oprations sur un signal lectrique !mplification, Comparaisons,
soustractions, additions, dp"asages (dcalages dans le temps), filtrages, etc...

L' amplificateur oprationnel comprend trois tages :
un tage d'entre diffrentiel c"arg d'amplifier une diffrence de potentiel entre deux
signaux (V+ et V-) A (V+ # V-),
un tage prsentant un tr$s fort gain, idalement proc"e de l'infini,
un tage de sortie permettant de dlivrer le signal de sortie avec une faible rsistance
Amplificateur oprationnel: schma interne
V-
V+

Amplificateur oprationnel: Symbole
Le symbole normalis AFNOR (Association Franaise de NORmalisation)
Le symbole gnralement utilis

Caractristiques essentielles d'un AmplioP

Amplificateur oprationnel: schma
V -: la tension entre l'entre in!erseuse et le potentiel de rfrence
V+: la tension entre l'entre positi!e et le potentiel de rfrence
: la tension d'entre diffrentielle (V+ - V-)

%on amplification aux frquences basses est considrable (par exemple de &'( &')), cela
est d* aux nombreux tages amplificateurs qu'il comporte Vs = A ( V+ - V-)= A
+ien sur, quelque soit le gain, la tension de sortie ne peut "amais dpasser la tension
d'alimentation,
,e module de l'amplification dcro#t lors$ue la fr$uence augmente (par suite des
-capacits parasites. des transistors) mais sa bande passante est souvent considrable (par
exemple plusieurs di/aines de mga"ert/)
Amplificateur oprationnel: Caractristiques

Amplificateur oprationnel: Caractristiques
%on impdance d'entre est tr$s le!e (de l'ordre de 01)
%on impdance de sortie (Zout) est tr$s faible (au maximum quelques 2iloo"ms).

Amplificateur oprationnel: Caractristiques
,e %le3 rate (%,) (ou la vitesse de bala4age) est la vitesse de croissance maximale de
la tension de sortie.
Il s5exprime en volts par micro seconde
6ension de dcalage ou tension d5offset (7d) C5est une tension continue qui serait ncessaire
d5appliquer entre les deux entres pour avoir 7s 9 '7.
Courant de dcalage c'est le pendant de la tension :ffset pour les courants de polarisation
Id 9 I; # I#

Amplificateur oprationnel: Caractristiques
Caractristique de transfert: Vs = f(
A!ec un "ffset =Vd = # A!ec "ffset= Vd $#

Amplificateur oprationnel parfait
%ypoth&ses d'idalit
<ain ! 9 =
Impdance d5entre >in 9 =
Impdance de sortie >out 9 '
+ande passante 9 =
%le3 rate 9= 7?@%

Amplificateur oprationnel parfait
En rgime linaire

Montages de base AO en rgime linaire

Montages d'amplification

Amplification
(onta)e in!erseur
(onta)e non* in!erseur (onta)e sui!eur
+e choi, de -. est bas
sur un compromis entre
/e et A!
A! 0. quelque soit -.et -1
(onta)e non*in!erseur
A!ec -. =2 et -1 = #

Montages oprationnels

(onta)es oprationnels: Sommateur* soustracteur (diffrentiel
Si R1= R2= R3= R
Vs= -(Ve1 + Ve2 + Ve3)
Si R1= R2= R3= R4
Vs = Ve1 - Ve2
(onta)e sommateur in!erseur (onta)e soustracteur (diffrentiel

(onta)es oprationnels: Int)rateur* dri!ateur
(onta)e int)rateur (onta)e dri!ateur

(onta)es oprationnels: +o)arithme*3,ponentiel
(onta)e lo)arithmique
(onta)e e,ponentiel

4iltres actifs
5asse bas 1&me ordre 5asse haut 1&me ordre

Montages de base AO en rgime de saturation

Comparateur de !aleur relati!e
Ane tension inconnue Ve est applique sur l5entre positive
%i Ve > Vref alors Vs = +Vcc
%i Ve < Vref alors Vs = -Vcc
Exemple: Vcc= 3V et Vre= 1V
%aractristi$ue stati$ue :

Comparateur de !aleur absolue
V+=' donc le passage de Vs d5un tat un autre se produira quand la tension V_ sera gale /ro.
Bn appliquant 0ilmann
7# 9 7e CD ?( C& ; CD) ; 7ref C&?(C&;CD)
Vs=;Vcc si V ; EV F
!"Ve R2 #( R1 + R2) + Vre R1#(R1+R2)
Vs=-Vcc si V ; GV F !$Ve R2 #( R1 + R2) + Vre R1#(R1+R2)
Ve$ - Vre R1#R2
Ve" - Vre R1#R2
,e basculement aura lieu quand Ve = - Vre R1#R2
Il faut que Ve et Vref soient de polarit diffrente
&'ercice :
Vref 9H7, Vcc9;&H7, R1=R29&21,
6race/ la caractristique Vs en fonction de Ve

Comparateur 6 hystrsis: Intr7t
Bn fait, le signal d'entre est touIours entac" de bruit.
%i on n'en tient pas compte, des transitions rapides et intempestives entre les tats "aut et bas apparaissent
,es comparateurs "4strsis apportent une immunit par rapport aux parasites prsents sur le signal
d5entre.

Comparateur in!erseur 6 hystrsisou tri))er de Smith
Introduction d5une raction positive renvo4ant une partie du signal de sortie sur l5entre non inverseuse
7; 9 7s C& ?( C& ; CD) ; 7ref CD?(C&;CD)
7# 97e
Il existe donc deux seuils de basculement
7s 9 7J %i 7eG7&; 7&; 9 7J C& ?( C& ; CD) ; 7ref CD?(C&;CD)
7s 9 7+ %i 7eE7D;
7D; 9 7+ C& ?( C& ; CD) ; 7ref CD?(C&;CD)
,a diffrence entre ces deux seuils est appele "4strsis
K7 9 7; # 7# 9 (7J # 7+) C&? C& ; CD
Il 4 a deux rgions pour lesquelles l5tat de la sortie est fix.
Lans la /one d5"4strsis, l5tat de la sortie peut prendre les deux
valeurs. ,a valeur prise dpend de la !aleur prise prcdemment
en de(ors. C5est une /one de mmorisation

Comparateur non in!erseur 6 hystrsisou tri))er de Smith
7; 9 7e CD ?( C& ; CD) ; 7s C&?(C&;CD)
7# 9'
,e basculement aura lieu quand
7e 9 #7s C&?CD
Il existe donc deux seuils de basculement selon la valeur de Vs
7s 9 7J %i 7D; 9 7e CD ?( C& ; CD) ; 7J C&?(C&;CD)E'
7e E #7J C&?CD
7s 9 7+
%i 7&; 9 7e CD ?( C& ; CD) ; 7+ C&?(C&;CD)G'
7e G #7+ C&?CD