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- Obtencin del silicio grado electrnico

Partiendo de la arena, cuarcita, o cuarzo, materiales con alto contenido en xido de silicio y
bajos contenidos en otro tipo de silicatos, ya que la limpieza de estos contaminantes
encarecen la obtencin del silicio.





Cuarcita Cuarzo

La cuarcita es introducida en un clisol donde estn colocados dos electrodos de carbn,
cuando se hace pasar una corriente elctrica por los electrodos se produce un arco elctrico
que puede alcanzar temperaturas de 2000 C. A estas temperaturas la cuarcita pasa a
estado liquido y este fundido se extrae por la parte inferior del clisol.





Horno de silicio metalrgico Electrodos de carbn

En este proceso se produce una reaccin qumica que da como resultado el llamadosilicio
metalrgico, este silicio es abundantemente utilizado en la fabricacin de aceros, aluminio,
siliconas y otros y tambin para la obtencin del silicio grado electrnico.
Reaccin qumica: SiO2 + C ---- Si + 2CO


Silicio Metalrgico


El silicio metalrgico se introduce en un molino para as obtener un polvo de silicio.


Silicio molido


El silicio as obtenido tiene una pureza comprendida entre el 98 al 99 %, este es aceptable
para aplicaciones metalrgicas silicio grado metalrgico (Si gm) pero no para aplicaciones
electrnicas o solares donde es necesario una pureza mayor.

Para obtener el silicio grado electrnico (Si ge) el polvo de silicio se introduce en un reactor
de lecho fluido mezclado con acido clorhdrico (CLH) y se calienta la mezcla a una
temperatura aproximada de 300C, los gases son conducidos a unas columnas de
destilacin fraccionada donde se separan los distintos compuestos y se obtiene un gas
llamado Triclorosilano que una vez enfriado pasa a fase liquida, este liquido mezclado
con Hidrogeno se introduce en el reactor Siemens donde se encuentra una varilla de silicio
ultrapuro a modo de filamento que mediante el paso de una corriente elctrica se calienta a
una temperatura aproximada de 1200C, el filamento se va regruesando de silicio hasta
alcanzar un grosor determinado, este es el silicio grado electrnico , tambin
llamado polisilicio.


Figura esquemtica del proceso de obtencin del polisilicio






Reactor de lecho fluido Columnas de destilacin






Obtencin de las varillas filamentos Varilla de filamento antes de doblar en u


Conjunto de reactores Siemens


Filamento de Polisilicio regruesado


Trozo de filamento regruesado


Este es el procedimiento ms comn para la obtencin del polisilicio grado electrnico
(ge) con pureza del 99,999999999 %.

Los mtodos fsicos de purificacin del silicio metalrgico
Estos mtodos se basan en la mayor solubilidad de las impurezas en el silicio lquido, de forma que
ste se concentra en las ltimas zonas solidificadas. El primer mtodo, usado de forma limitada
para construir componentes de radar durante la Segunda Guerra Mundial, consiste en moler el
silicio de forma que las impurezas se acumulen en las superficies de los granos; disolviendo stos
parcialmente con cido se obtena un polvo ms puro. La fusin por zonas, el primer mtodo
usado a escala industrial, consiste en fundir un extremo de la barra de silicio y trasladar
lentamente el foco de calor a lo largo de la barra de modo que el silicio va solidificando con una
pureza mayor al arrastrar la zona fundida gran parte de las impurezas. El proceso puede repetirse
las veces que sea necesario hasta lograr la pureza deseada bastando entonces cortar el extremo
final en el que se han acumulado las impurezas.

Los mtodos qumicos de purificacin del silicio metalrgico
Los mtodos qumicos, usados actualmente, actan sobre un compuesto de silicio que sea ms
fcil de purificar descomponindolo tras la purificacin para obtener el silicio. Los compuestos
comnmente usados son el triclorosilano (HSiCl3), el tetracloruro de silicio (SiCl4) y el silano (SiH4).
En el proceso Siemens, las barras de silicio de alta pureza se exponen a 1150 C al triclorosilano,
gas que se descompone depositando silicio adicional en la barra segn la siguiente reaccin:
2 HSiCl3 Si + 2 HCl + SiCl4
El silicio producido por ste y otros mtodos similares se denomina silicio policristalino y
tpicamente tiene una fraccin de impurezas de 0,001 ppm o menor.
El mtodo Dupont consiste en hacer reaccionar tetracloruro de silicio a 950 C con vapores de cinc
muy puros:
SiCl4 + 2 Zn Si + 2 ZnCl2
Este mtodo est plagado de dificultades (el cloruro de cinc, sub producto de la reaccin, solidifica
y obstruye las lneas), por lo que eventualmente se ha abandonado en favor del proceso Siemens.
Una vez obtenido el silicio ultrapuro es necesario obtener un monocristal, para lo que se utiliza el
proceso Czochralski.

GERMANIO
Se encuentra en pequeas cantidades en yacimientos de plata, cobre y cinc, as como en el
mineral germanita, que contiene un 8% de germanio.
Se obtiene de yacimientos de plata, cinc y cobre. Los nicos minerales rentables para la extraccin
del germanio son la germanita (69% de Ge) y garnierita (7-8% de Ge); adems est presente en el
carbn, la argirodita y otros minerales. La mayor cantidad, en forma de xido (GeO2), se obtiene
como subproducto de la obtencin del zinc o de procesos de combustin de carbn (en Rusia y
China se encuentra el proceso en desarrollo).
La purificacin del germanio pasa por su tetracloruro que puede ser destilado y luego es reducido
al elemento con hidrgeno o con magnesio elemental.
Con pureza del 99,99%, para usos electrnicos se obtiene por refino mediante fusin por zonas
resultando cristales de 25 a 35 mm usados en transistores y diodos; con esta tcnica las impurezas
se pueden reducir hasta 0,0001 ppm.
El desarrollo de los transistores de germanio abri la puerta a numerosas aplicaciones electrnicas
que hoy son cotidianas. Entre 1950 y a principios de los 70, la electrnica constituy el grueso de
la creciente demanda de germanio hasta que empez a sustituirse por el silicio por sus superiores
propiedades elctricas. Actualmente la gran parte del consumo se destina a fibra ptica (cerca de
la mitad), equipos de visin nocturna y catlisis en la polimerizacin de plsticos, aunque se
investiga su sustitucin por catalizadores ms econmicos. En el futuro es posible que se
extiendan las aplicaciones electrnicas de las aleaciones silicio-germanio en sustitucin del
arseniuro de galio especialmente en las telecomunicaciones sin cable.
Adems se investigan sus propiedades bactericidas ya que su toxicidad para los mamferos es
escasa.