5: EI fIip-fIop R-S. Memorias.

MuItivibradores
La desventaja que poseen todos los circuitos lgicos y las configuraciones que hemos
estudiado en los captulos anteriores es que al ser removida la informacin a su entrada
desaparece la informacin a su salida, algo as como lo que ocurre cuando hay una
interrupcin en el suministro de la energa elctrica y se pierde toda la informacin que una
persona estaba manejando en su computadora de escritorio justo cuando ocurri el apagn.
Estos circuitos nicamente pueden procesar informacin, no la pueden retener ni siquiera
temporalmente. Es obvio que la existencia de configuraciones con memoria, esto es, con la
capacidad para retener por tiempo indefinido (o al menos mientras haya suministro de corriente
elctrica) la informacin que alguna vez fue colocada a su entrada, puede ser de una utilidad
enorme.
Para lograr tales elementos con memoria, podemos explotar un fenmeno muy peculiar a los
circuitos lgicos de enorme importancia: La retroalimentacin (o el regreso) de la salida (o
salidas) a la entrada (o entradas) de los circuitos lgicos introduce memoria en los mismos;
esto es, se convierten en elementos capaces de almacenar informacin por tiempo indefinido.
(En la literatura de habla inglesa, a la retroalimentacin se le conoce como feedback.)
Empezaremos nuestra introduccin a los circuitos lgicos capaces de exhibir capacidades de
memoria con la siguiente configuracin que puede parecer curiosa al principio por carecer por
completo de entradas que podamos variar a nuestro antojo:
Para analizar este tipo de circuitos, procedemos exactamente de la misma manera como lo
hicimos con los circuitos lgicos combinatorios, en los cuales aplicamos todas las
combinaciones posibles de "unos" y "ceros" a la entrada (o entradas) y obtuvimos todas las
respuestas posibles a la salida (o salidas) de tales circuitos lgicos, construyendo Tablas de
Verdad para cada uno de ellos, anlisis que posteriormente fue refinado con la introduccin del
lgebra Boleana. La diferencia en este caso es que como estamos retroalimentando las salidas
a las entradas, no slo tenemos que aplicar todas las combinaciones posibles de "unos" y
"ceros" a la entrada (o entradas) sino que tenemos que aplicar tambin todas las
combinaciones posibles de "unos" y "ceros" a la salida (o salidas), fijndonos muy bien en
aquellas combinaciones de entradas y salidas que produzcan estados incompatibIes para
proceder a desecharlas de nuestro anlisis. Un estado incompatible en el anterior circuito
formado con dos bloques NOT sera el estado en el cual Q=0 y Q'=0:
Aqu la verificacin de que este es un estado incompatible es un asunto fcil. Suponiendo que
la salida del NOT superior es "0", entonces dicho "0" est siendo introducido al NOT inferior, el
cual por la accin inversora debera convertir dicho "0" produciendo un "1" a su salida, lo cual
es incompatible con el "0" que habamos supuesto desde un principio para Q'. Y si la salida del
NOT inferior es "0", entonces dicho "0" est siendo introducido al NOT superior, el cual por la
accin inversora tambin debera convertir dicho "0" en un "1", lo cual es incompatible con el
valor que habamos supuesto de Q=0.
Llevando a cabo un anlisis similar, podemos proceder a desechar tambin el estado Q=1 y
Q'=1 como un estado posible, porque tambin nos produce incompatibilidades. Tal estado
simple y sencillamente no puede existir.
Sin embargo, un estado que s es posible es el estado Q=1 y Q'=0:
Aqu, el "1" que posee la salida Q en el NOT superior es alimentado a la entrada del NOT
inferior, el cual por la accin inversora del NOT es convertido a un "0", que es precisamente el
valor que estamos suponiendo para Q'. Aqu no hay incompatibilidad alguna. Y el "0" que
posee la salida Q' en el NOT inferior es alimentado a la entrada del NOT superior, el cual por la
accin inversora del NOT es convertido a un "1", que es precisamente el valor que estamos
suponiendo para Q. No habiendo incompatibilidad alguna, aceptamos el hecho de que este es
un estado posible y estable.
Pero la combinacin Q=1 y Q'=0 no es la nica combinacin estable para este circuito. Existe
otra combinacin, la combinacin de salidas Q=0 y Q'=1:
la cual tambin podemos comprobar que tambin es una configuracin estable.
Esto nos conduce a un dilema. Si tenemos dos estados estables, igualmente posibles, tomando
en cuenta que el circuito lgico no tiene entrada alguna sobre la cual podamos ejercitar algn
control a nuestra discrecin, cul de los dos estados tomar el circuito al encenderse la
configuracin con la aplicacin de energa elctrica?
La difcil realidad es que, como ambos estados son igualmente posibles, el estado en que
podr caer este circuito al aplicar energa elctrica es completamente una cuestin de azar.
Una vez que se encienda el circuito, podemos encontrarnos con cualquiera de los dos estados,
esto es algo que est completamente fuera de nuestro control. Y peor an, entre estos dos
estados existe un tercer estado, conocido como estado meta-estable, en el cual las salidas
dejan de ser "0" "1" para quedar atoradas en un limbo. Este circuito formado por dos NOTs
ciertamente posee memoria, pero su comportamiento azaroso lo vuelve intil para una
aplicacin prctica que no sea la de construr una mquina electrnica de juegos de azar. Sin
embargo, el circuito nos d una pista sobre cmo utilizando funciones lgicas ms elaboradas
que el NOT, tales como bloques NAND o bloques NOR, podemos construr circuitos lgicos
con memoria sobre los cuales podamos tener algn tipo de control.
Usando como base tales propiedades, apareci en el mercado por vez primera un elemento
bsico de memoria conocido como el fIip-fIop R-S, el cual frecuentemente se representa como
una "caja negra" cuyos detalles interiores estn ocultos de la vista de los tcnicos que atienden
sistemas construdos con circuitos lgicos:
Como podemos ver en su representacin esquemtica, el flip-flop R-S es un bloque
fundamental que consta de dos terminales de entrada, la terminal de "ajuste" S (set) y la
terminal de "reajuste" R (reset); as como dos terminales de salida Q y Q', las cuales, como su
notacin lo indica, son complementarias, son el inverso la una de la otra. La palabra combinada
"flip-flop" viene del ingls empezando con la palabra flip que es utilizada cuando se usa un
interruputor de encendido para prender algo como las luces de la sala de la casa, situacin en
la que se acostumbra decir "flip the switch", mientras que la palabra flop, derivada de la palabra
flip, tiene una intencin opuesta, usndose cuando se va a apagar algo a travs del mismo
interruptor de encendido.
Las caractersticas del flip-flop R-S son las siguientes, suponiendo que al empezar ambas
entradas R y S estaban siendo alimentadas con un cero (0) lgico:
(1) Cuando S=1 y R=0; o sea, al poner un 1 en la terminal de entrada S, el flip-flop R-S entra en
el estado Q=1 independientemente del valor que Q haya tenido anteriormente. La salida Q' a
su vez adquirir el valor Q' =0.
(2) Cuando S=0 y R=1; o sea, al poner un 1 en la terminal de entrada R, el flip-flop R-S entra
en el estado Q=0 independientemente del valor que Q haya tenido anteriormente. La salida Q'
a su vez adquirir el valor Q' =0. En lenguaje vulgar, se dice que el flip-flop R-S es reseteado.
Dependiendo de los elementos usados para construr el flip-flop R-S, ste tendr una
combinacin de valores S y R con la cual mientras haya suministro de energa retendr por
tiempo indefinido la informacin que le fu colocada anteriormente.
Desgraciadamente, tendr tambin otra combinacin de valores que lo colocarn en un estado
no-definido en el cual las salidas Q y Q' dejarn de ser complementarias. Esta combinacin de
valores debe evitarse a toda costa.
Este elemento, como todos los dems bloques fundamentales en los circuitos lgicos, se
puede construr empleando funciones lgicas bsicas. En general, el flip-flop R-S se construye
empleando ya sea funciones NAND o funciones NOR.
Una forma de analizar el comportamiento "interno" del flip-flop R-S cuando es construdo a
partir de funciones lgicas bsicas es considerar para cada combinacin de unos y ceros a la
entrada todas las combinaciones posibles de unos y ceros a la salida, eliminando
sistemticamente las combinaciones de unos y ceros que no sean compatibles. Este mtodo
resulta algo laborioso.
La forma ms efectiva de analizar un flip-flop R-S es obteniendo las salidas Q yQ' en funcin
de las entradas R y S utilizando lgebra Boleana. Este mtodo resulta ms rpido, ms
prctico y ms acadmico. De cualquier modo, en la seccin de problemas resueltos se usan
ambos mtodos con el fin de que se pueda comparar las ventajas y desventajas de ambos.
El flip-flop R-S, capaz de almacenar un "bit" de informacin, se puede utilizar a su vez como
bloque bsico para construr memorias ms complejas tales como la Memoria de Acceso aI
Azar (Random Access Memory o RAM). La gran mayora de los lectores debe poder reconocer
este tipo de memoria, la famosa memoria RAM; es la que se anuncia en los modelos de las
computadoras caseras puestos a la venta con la garanta de que entre mayor sea la memoria
RAM mejor podr ser el desempeo de la computadora.
Aqu se vuelve necesario hacer una aclaracin. Aunque es posible almacenar un "bit" o varios
"bits" de informacin usando para ello elementos de memoria construdos con funciones lgicas
bsicas, se pueden construr elementos de memoria sin utilizar para el almacenamiento de
informacin elemento alguno que involucre alguna de las funciones lgicas bsicas, inclusive
sin utilizar tecnologa de semiconductores. Tal es el caso de las memorias de ferrita
magntica (core memory) en las cuales el almacenamiento de un "0" de un "1" se lleva a
cabo en base a la direccin del campo magntico del elemento utilizado como medio de
almacenamiento. El principio esencial radica en que es posible magnetizar una pieza de
material magntico en dos direcciones opuestas, como lo muestran los siguientes dos imanes
acomodados en direcciones contrarias:
En el imn de la izquierda (A) tenemos su "polo Norte" (N) apuntando hacia la derecha y su
"polo Sur" (S) apuntando hacia la izquierda, en una alineacin que llamaremos un "0" lgico,
mientras que en el imn de la derecha (B) tenemos su "polo Norte" apuntando hacia la
izquierda y su "polo Sur" apuntando hacia la derecha, en una alineacin que llamaremos un "1"
lgico. De hecho, podemos ver esto como el mismo imn acostado en dos diferentes
direcciones.
Es un hecho fsico bien conocido que con la aplicacin externa de una corriente elctrica es
posible magnetizar ciertos materiales en direcciones opuestas, dependiendo de la direccin de
la corriente, lo cual a su vez depende de cmo se aplican las polaridades del voltaje que
produce la corriente elctrica:
Este es el mismo principio fsico que fue utilizado por Jay W. Forrester en 1952 para inventar
las memorias de acceso aleatorio RAM basadas en el uso de ferritas magnticas, en las cuales
utiliz ncleos de ferrita (cores) en forma de anillos y en las cuales la direccin del campo
magntico dentro de los anillos poda ser "en sentido del avance de las manecillas del reloj" o
"en sentido contrario del avance de las manecillas del reloj" dependiendo de la direccin del
flujo de la corriente elctrica en el alambre puesto en el centro de la ferrita:
En la siguiente fotografa amplificada tenemos un arreglo rectangular de 4 por 4 ncleos de
ferrita magntica capaces de almacenar un modesto total de 16 bits (es necesario tomar en
cuenta que cada uno de los ncleos de ferrita es de tamao milimtrico):
Como podemos ver en la fotografa, cada uno de los ncleos de ferrita es atravesado por dos
alambres, un alambre horizontal y un alambre vertical que actan como seIectores, lo cual
permite localizar un ncleo de ferrita especfico entre todos los dems seleccionando
elctricamente el alambre horizontal y el alambre vertical que lo atraviesan. Este mtodo de
seleccin basado en un arreglo rectangular de coordenadas X y Y es completamente general y
aplica tambin a las memorias RAM contemporneas hechas a base de semiconductores.
En la fotografa no se muestra un tercer alambre que atraviesa a todos los ncleos de ferrita,
identificado en aquellos tiempos como el alambre de deteccin de informacin Sense y
utilizado precisamente para poder "escribir" "leer" el "1" el "0" almacenado en cada ncleo
de ferrita. Porque no basta con poder localizar un ncleo de ferrita individual entre muchos
otros, es necesario tener alguna forma de poder meter y sacar la informacin del mismo:
nclusive para aquellos tiempos, 16 bits era una cantidad demasiada modesta de "bits" con la
cual no se poda hacer prcticamente nada que valiera la pena. Para poder ser de utilidad
alguna, era necesario construr arreglos mucho ms grandes de ncleos de ferrita magntica,
como el siguiente modelo capaz de poder almacenar 2,048 palabras de 8 bits cada una
(ampIiar imagen):
Dadas las enormes dificultades para poder construr memorias RAM de este tipo, tanto por lo
laborioso de la insercin individual de alambres muy delgados (susceptibles de reventarse
durante el proceso de insercin) dentro de ncleos de ferrita milimtricos, como por el enorme
trabajo involucrado en tener que desarmar toda la configuracin para volver a comenzar de
nuevo en caso de que un solo ncleo de ferrita resultara defectuoso, el costo de una memoria
como esta ascenda fcilmente a los cientos de miles de dlares aunque la fabricacin se
llevara a cabo en pases asiticos con mano de obra sumamente barata. Esta es una de las
razones por la que en esos tiempos las computadoras no se vendan, se rentaban, e inclusive
as los costos de la posesin temporal de las mismas podan ser sumamente elevados. Pese a
todo, esta era la memoria RAM utilizada en el 95 por ciento de todas las computadoras
empresariales (las computadoras personales de escritorio no existan an) usadas hasta 1976.
La situacin eventualmente cambiara al hacer su aparicin en 1970 la primera memoria RAM
construda con semiconductores, la memoria dinmica RAM 1103, con una capacidad de
almacenamiento de 1,024 bits, construda por una nueva empresa que naci viendo una
posibilidad de que los semiconductores eventualmente pudieran reemplazar algn da los
costosos ncleos de ferrita magntica, ntel:
Aunque mucho se ha escrito que la invencin del microprocesador en un substrato
semiconductor fue lo que posibilit el abaratamiento y la accesibilidad de las computadoras
para prcticamente cualquier persona alrededor del mundo, sin la invencin de las memorias
RAM hechas a base de semiconductores las computadoras hoy en da seguiran siendo un lujo
accesible nicamente a grandes empresas e investigadores y personal acadmico universitario
trabajando con un amplio subsidio gubernamental. Es importante sealar que fue la misma
compaa, ntel, la que invent las dos cosas, el microprocesador y la memoria RAM ambos
implementados en la microelectrnica de los semiconductores. Y de all en adelante el mundo
no volvera a ser igual.
A ntel no le llev mucho tiempo fabricar otro tipo de memoria RAM, la memoria RAM esttica,
usando un principio de operacin diferente. En la siguiente fotografa tenemos la "pastilla
semiconductora" (la cual cabe fcilmente en la yema de un dedo) de la memoria RAM esttica
C51C98-25, con una capacidad de almacenamiento de 16 mil palabras binarias de 4 bits cada
una:
Al final del Suplemento # 1: Las familias lgicas se han includo explicaciones ms a fondo
sobre cmo trabajan ambos tipos de memoria RAM, tanto la memoria RAM dinmica como la
memoria RAM esttica, de acuerdo con la tecnologa de semiconductores con la cual son
construdas en la actualidad.
Es importante hace notar que existe otra clase de memorias que nada tiene que ver con el flip-
flop R-S. Un ejemplo tpico es la Memoria de Lectura Unicamente (Read-Only Memory o
ROM), en la cual la informacin ya est almacenada permanentemente y es imposible borrarla
o modificarla, teniendo por lo tanto la ventaja de que retiene la informacin puesta en ella an
cuando el equipo en el que se encuentra es apagado. Esta es una memoria imprescindible en
prcticamente todas las calculadoras electrnicas de bolsillo, los relojes digitales, las cartulas
de los hornos de microondas, e inclusive en muchas computadoras de escritorio, porque es
precisamente el tipo de memoria que contiene los programas (software) que permiten que
estos artculos puedan trabajar apropiadamente al momento de ser encendidos. Aunque la
memoria ROM tuvo sus inicios como un circuito integrado pequeo, cualquier tecnologa que
contenga informacin grabada que no puede ser alterada tambin puede ser considerada como
una memoria ROM, lo cual permite clasificar a los discos CD de datos como memorias ROM.
La enorme ventaja de las memorias ROM es que en virtud de que no pueden ser alteradas, son
inmunes al ataque de algn virus elaborado por un hacker. En tiempos recientes, con el
advenimiento de las memorias flash de bajo costo que son reprogramables, ha habido una
tendencia a favorecer el uso en los nuevos diseos de las memorias flash sobre las memorias
ROM. Desafortunadamente, justo por el hecho de ser reprogramables, esto las hace
vulnerables a ataques cibernticos como el ocasionado por el tristemente clebre virus
informtico Chernobyl, el cual al reprogramar el circuito integrado BOS de las computadoras
de escritorio (este circuito integrado est presente en todas las computadoras, el cual contiene
los programas preliminares encargados de inicializar la mquina antes de que un sistema
operativo como Windows o Linux tome el control de la computadora) echaba a perder el BOS
inutilizando con ello a la computadora, la cual tena que ser desechada por completo al no
haber forma de poder inicializarla (la razn principal dada por los fabricantes para substitur el
BOS basado en memorias ROM por memorias flash era para permitirle al usuario llevar a cabo
actualizaciones para permitirle a su mquina la instalacin y el manejo de equipos novedosos
como los lectores de discos DVD que no existan cuando las mquinas salieron a la venta).
Histricamente hablando, al aparecer en el mercado las memorias ROM construdas a base de
semiconductores hicieron su aparicin poco despus en 1956 las memorias ROM
programables elctricamente, conocidas como memorias PROM (Programmable Read-Only
Memory). Estas memorias, las cuales en su interior tienen un arreglo rectangular de fusibles,
antes de ser programadas tienen todas sus salidas puestas a un bit de "1" lgico. La
programacin de las memorias PROM se lleva a cabo quemando en forma selectiva los
fusibles bajo el control de una computadora de escritorio conectada al "quemador", lo cual hace
que la salida se ponga a "0" lgico en cada punto en donde se "quema" un fusible, razn por la
cual estas memorias slo pueden ser programadas en una sola ocasin. El siguiente diagrama
esquemtico nos muestra el aspecto funcional de una memoria PROM que puede almacenar
tres palabras binarias formadas por tres bits cada una (los fusibles son las pequeas lneas
curvas en forma de "onda"):
(Por razones de simplicidad didctica, no se han mostrado en este diagrama esquemtico cada
uno de los diodos conectados a los nueve puntos de cruce en donde se encuentran los
fusibles, los cuales tienen como propsito impedir el flujo de la corriente elctrica hacia las
otras terminales actuando a la vez como los componentes de un decodificador disfrazado. En
esencia, estos diodos tienen el efecto de implementar el equivalente de la funcin AND. Para
mayores detalles, vase el Suplemento # 1: Las familias lgicas.)
En esta memoria PROM (y lo mismo puede decirse para todas las dems) slo una de las
Ineas de domiciIio (address) que en este caso son A
0
, A
1
, y A
2
puede estar activada a la vez
con un "1". En la memoria PROM tal y como est mostrada arriba, si la lnea del domicilio A
0
es
activada con un "1", este "1" ser puesto en las tres lneas de salida de datos (data) D
2
, D
1
y
D
0
por estar intactos los tres fusibles. En otras palabras, bajo el domicilio A
0
el dato encontrado
ser D
2
D
1
D
0
=111, puesto que ninguno de los fusibles ha sido "quemado". Tambin en los dos
domicilios restantes A
1
y A
2
los datos obtenidos sern D
2
D
1
D
0
=111 al tener intactos sus
fusibles. Y qu suceder si en el proceso de programacin ("quema") del PROM quemamos
los tres fusibles que van conectados al rengln A
0
? En tal caso y en ese rengln la fuente de
voltaje +V no podr llegar por la ausencia de dichos fusibles a las lneas D
2
, D
1
y D
0
, y la salida
ser D
2
D
1
D
0
=000. Este ser el dato binario almacenado bajo el domicilio A
0
.
El siguiente esquemtico nos muestra el diagrama funcional de otro PROM que an no ha sido
"programado", un PROM con capacidad para almacenar ocho palabras binarias, con cuatro bits
de extensin cada una (precaucin: cada uno de los AND mostrados no es un AND de una sola
entrada sino un AND de tres entradas, del mismo modo que los OR mostrados son ORs de
entradas mltiples y no de una sola entrada; la representacin simblica utilizada aqu se hizo
con el propsito de evitar una "sobrepoblacin" de lneas de conexin y as simplificar el
diagrama; tampoco se muestran aqu los diodos que implementan las funciones AND y OR en
cada uno de los puntos de cruce):
Podemos ver mejor lo que ocurre en este tipo de memoria suponiendo varios valores para el
domicilio de entrada A
2
A
1
A
0
. Supngase que A
2
A
1
A
0
=000. Entonces el AND de tres entradas
puesto en el primer rengln y alimentado con A
2
A
1
A
0
=111 ser activado por la funcin
decodificadora de los tres NOT cuyas tres salidas alimentan el AND que conduce hacia el
primer rengln. Esto pondr un "1" lgico en la lnea del primer rengln, y como los fusibles
estn intactos por ser un PLA an sin ser programado, la salida ser S
3
S
2
S
1
S
0
=1111. Ahora
supngase que A
2
A
1
A
0
=001. Entonces el AND de tres entradas puesto en el segundo rengln
y alimentado con A
2
A
1
A
0
=111 ser activado por la funcin decodificadora de los tres NOT
cuyas tres salidas alimentan el AND que conduce hacia el segundo rengln. Esto pondr un "1"
lgico en la lnea del segundo rengln, y como los fusibles estn intactos por ser un PROM an
sin ser programado, la salida ser tambin S
3
S
2
S
1
S
0
=1111.
La programacin de las PROM se lleva a cabo aplicando pulsos de voltajes elevados que no
son encontrados durante la operacin normal de las mismas, y aunque pueden ser
programadas bit-por-bit normalmente son programadas con el "quemador de PROMs"
conectado a una computadora de escritorio.
Funcionalmente hablando y como podemos comprobarlo arriba, la memoria PROM consiste en
la utilizacin de una matriz (arreglo rectangular) fija, el equivalente de bloques de entrada AND
que siempre produce una salida de "1" en una lnea distinta para cada una de todas las
combinaciones posibles de "unos" y "ceros" a la entrada (domicilio); seguida de otra matriz
capaz de seleccionar una o varias de las lneas horizontales para combinar en suma Boleana
todos los trminos seleccionados de cada rengln.
La estructura operacional del PROM la podemos resumir en forma ms concreta con el
siguiente diagrama funcional de bloques:
Tiempo despus, en 1971 hizo su aparicin la memoria EPROM (Erasable Programmable
Read-Only Memory), la cual a diferencia de las memorias PROM que no pueden ser
programadas de nuevo tras la "quema" de sus fusibles internos, puede volverse a programar
borrando por completo la informacin contenida. Para poder ser borrada con el fin de ser
programada de nuevo, la memoria EPROM tiene que ser expuesta a una luz ultravioleta a
travs de la ventana transparente que la cubre en su circuito integrado, como la siguiente
memoria EPROM 27C256 (equivalente a la memoria EPROM 27256) con capacidad de
almacenamiento de 32K bytes:
A continuacin tenemos el diagrama de la relacin funcional de las terminales "pins" de este
circuito integrado:
Para la programacin de este circuito integrado, se va aplica en la terminal Vpp (terminal 1) un
voltaje mayor del valor de operacin normal. Una vez programada la informacin dentro de esta
memoria EPROM, podemos localizar algn byte especfico poniendo la combinacin de "unos"
y "ceros" del domiciIio binario (address) bajo el cual se encuentra el byte que estamos
buscando, identificado por las terminales de la 2 a la 10 y de la 23 a la 27. El byte almacenado
es recuperado a travs de las terminales de datos (data) en las terminales 11 a la 13 y de la 15
a la 19. A modo de ejemplo, en el siguiente domicilio:
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
= 11010011010001
podramos localizar el siguiente byte:
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
= 01101011
Para programar este tipo de memorias, utilizamos un "quemador" como el siguiente conectado
a una computadora de escritorio:
Puesto que estos equipos no son baratos, teniendo precios que pueden llegar a los miles de
dlares, una alternativa atractiva para escuelas tcnicas y estudiantes de ingeniera puede ser
la construccin o adquisicin de "kits" de bajo costo, como el diseo econmico del Doctor
Glenn Pure descrito en el siguiente enlace:
http://www.siliconchip.com.au/cms/A_30475/article.html
y para el cual podemos obtener los programas ejecutables de software en el siguiente sub-
enlace de su pgina casera:
http://glenn.pure.site.net.au/electron.htm
Otro ejemplo tpico de este tipo de memorias es el ArregIo Lgico ProgramabIe
(Programmable Logic Array PLA) que una vez programado ya no se puede "desprogramar"
en virtud de que su programacin se lleva a cabo "soldando" con antifusibles (los cuales tienen
una accin contraria a los fusibles en el sentido de que al "quemarse" no se abren sino que se
funden estableciendo un contacto elctrico) los puntos seleccionados (hay tambin memorias
PLA equipadas con "fusibles" convencionales como los que usan las memorias PROM). La
principal diferencia entre el Arreglo Lgico Programable y las memorias PROM que vimos
arriba es que podemos programar no slo las lneas de salida sino tambin las lneas de
entrada al PLA. Para poder apreciar esto mejor, a continuacin se presenta primero un
esquema simplificado de un PLA sin programar:
seguido por el mismo PLA ya programado:
Podemos ver cmo partiendo de las entradas a, b, c y d del PROM as como de los
complementos a', b', c' y d' de las entradas se seleccionaron ciertos puntos (nueve en total) de
la matriz de entradas en el plano AND para ser "fusionados" (soldados, establecindose una
conexin elctrica) y as tener disponibles en los renglones de la matriz de la izquierda (la
matriz de salida en el plano OR) los trminos ab, b'c'd', bc' y c'd'. En el plano OR dos salidas
(columnas) y1 y y2 fueron seleccionadas para tener en dichas salidas los trminos:
y1 = ab + b'c'd'
y2 = ab +bc' + cd'
El diagrama de este ejemplo muestra claramente que no slo las salidas pueden ser
seleccionadas y "fusionadas" (programadas) a voluntad, sino tambin las entradas. Obsrvese
la rica variedad de posibilidades que un PLA nos ofrece sobre un PROM.
Como esto puede parecer ms complicado de lo que realmente es, veremos a continuacin un
segundo ejemplo de otro PLA, ya "programado":
En este segundo ejemplo estamos obteniendo de la matriz de ANDs todas las cuatro
combinaciones posibles para los trminos de entrada: AB, AB, AB y AB. Y con la matriz de
ORs estamos seleccionando dos salidas con distintas combinaciones de dichos trminos:
AB+AB y AB+ AB.
Resumiendo, el PLA normalmente sera idntico en su funcionamiento a un PROM, excepto
que las conexiones de entrada ligadas a los AND tambin son seleccionables y programables
mediante la "fusin" con antifusibles de los puntos seleccionados. Esta estructura operacional
del PLA la podemos resumir en forma ms concreta con el siguiente diagrama funcional de
bloques:
En virtud de que en el PLA ambas matrices, tanto la de compuertas AND como la de
compuertas OR (implementadas con diodos en cada punto de cruce, los cuales no se han
mostrado para mantener la simplicidad de los diagramas), son programables, esto nos habilita
para incrementar el nmero de entradas disponibles sin necesidad de tener que aumentar el
tamao de la matriz, y nos permite "disear" a nuestro antojo un bloque combinatorio de
entradas mltiples y salidas mltiples con una gran variedad de combinaciones posibles. Esta
estructura permite una mejor utilizacin de los recursos disponibles en el circuito integrado, de
tal forma que se requiere un mnimo numero de trminos necesarios para generar una funcin
lgica .
En la seccin de problemas resueltos correspondiente a este captulo se pueden encontrar
ejemplos que muestran especficamente la presencia de los diodos que permiten implementar
tanto la funcin AND como la funcin OR en cada matriz.
El flip-flop R-S, el elemento de memoria fundamental construdo con funciones lgicas bsicas,
es tambin conocido como un muItivibrador biestabIe por tener dos estados estables (Q=0 y
Q=1).
Tambin es posible tener un muItivibrador monoestabIe; esto es, con un estado estable y un
estado inestable. Este tipo de multivibrador es tambin conocido en la literatura tcnica de
habla inglesa como one-shot (un "disparo", posiblemente en alusin a la accin que se lleva a
cabo cuando se jala el gatillo de una pistola).
gualmente posible es la existencia de un muItivibrador astabIe, esto es, con dos estados
inestables (Q=0 y Q=1), lo cual implica que actuar como un oscilador.
A continuacin se muestra un diagrama de tiempos que ejemplifica el comportamiento de los
tres tipos de multivibradores:
En el diagrama superior correspondiente al inciso (a) que muestra el comportamiento de un
multivibrador astable (astable multivibrator) se puede ver que este tipo de multivibrador no
precisa de ninguna seal a su entrada (input), y de hecho este tipo de circuito no tiene terminal
de entrada alguna. Su salida estar oscilando todo el tiempo entre el nivel de voltaje positivo
(+V
out
) y el nivel de voltaje negativo (-V
out
) produciendo una forma de onda cuadrada.
(Podemos tomar +V
out
como un "1" lgico y -V
out
como un "0" lgico.)
En el diagrama intermedio correspondiente al inciso (b) que muestra el comportamiento de un
multivibrador monoestable (monostable multivibrator) se puede ver que la accin de "disparo" a
la salida es iniciada por un brevsimo pulso de voltaje aplicado a la entrada en un tiempo t
1
.
nmediatamente, a la salida, el voltaje cambia de polaridad por un perodo prefijado de tiempo,
despus de lo cual la salida regresa a su valor original de voltaje. Este tipo de circuito tiene una
sola terminal de entrada, la terminal de "gatillo" (trigger) que se usa para "disparar" la accin
del circuito.
Y por ltimo, en el diagrama final correspondiente al inciso (c) que muestra el comportamiento
de un multivibrador biestable (bistable multivibrator) se puede ver que el circuito tiene dos
estados estables. Para hacerlo cambiar de estado, aplicamos un pulso brevsimo de voltaje a
una de las dos entradas (la cual podemos suponer como la entrada S de un flip-flop R-S) en un
tiempo t
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, con lo cual el circuito permanecer en dicho estado por tiempo indefinido (segundos,
minutos, horas, das, meses, aos). Si queremos que el circuito regrese a su estado anterior,
tenemos que aplicar un pulso brevsimo de voltaje en la otra terminal de entrada (la cual
podemos suponer como la entrada R de un flip-flop R-S) en un tiempo t
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, con lo cual el circuito
volver a su estado anterior, permaneciendo en dicho estado por tiempo indefinido hasta que
no se aplique nuevamente un pulso en la terminal de entrada correspondiente para llevar a
cabo tal accin.
Si lo deseamos, podemos construr con relativa facilidad cualquiera de los tres tipos de
multivibradores con componentes que podemos obtener comercialmente en el mercado. Por
ejemplo, si queremos construr un multivibrador monoestable, lo podemos hacer con el circuito
integrado 74121 cuyo diagrama funcional interno es el siguiente:
Para construr el multivibrador monoestable, necesitamos proveerle al circuito integrado unos
componentes adicionales, tales como la resistencia R y el capacitor C cuya constante de
tiempo RC fijar la duracin del pulso de salida. El diagrama completo de un monoestable tal
es el siguiente:
En este caso, la resistencia R tiene un valor de 10K (10 mil ohms) y el condensador tiene un
valor de 2 uf (2 microfarads), lo cual le fijar al pulso de salida una duracin de 0.066 segundos
con un comportamiento mostrado por el siguiente diagrama de tiempos.
Adems del circuito integrado 74121, podemos utilizar otro circuito integrado extremadamente
verstil, el cual pese a que tiene ya varias dcadas de haber sido introducido, sigue resonando
an por su enorme flexibilidad y bajo costo, el timer 555, del cual hay mayores detalles en el
Suplemento # 7 puesto al final de este libro (El temporizador 555).