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Revue des Energies Renouvelables Vol.

11 N2 (2008) 259 266


259
Etude analytique dune cellule solaire htrojonction
p
+
(GaAs)/n (Al
x
Ga
1-x
As)/N (Al
0.4
Ga
0.6
As)
H. Ben Slimane et A. Helmaoui
Laboratoire de Physique des Dispositifs Semi-conducteurs
Centre Universitaire de Bchar, B.P. 417, Bchar, Algrie
(reu le 30 Mars 2008 accept le 30 Juin 2008)

Rsum Afin de rduire les pertes par recombinaison dans la zone de charge despace pour les
cellules GaAs, nous proposons une structure p
+
(GaAs)/ n (Al
x
Ga
1-x
As)/ N (Al
0.4
Ga
0.6
As) avec une
interface bande interdite graduelle entre lmetteur p
+
(GaAs) et la base N (Al
0.4
Ga
0.6
As). Le
courant de recombinaison dans une telle cellule est discut, ainsi que linfluence de ce courant sur
les caractristiques photovoltaques. Lpaisseur de la couche bande interdite graduelle n (Al
x
Ga
1-
x
As) a t tudi, il est de lordre de 800 900 .
Abstract Because the losses of carrier recombination in the space region reduces the efficiency of
a similar GaAs cell, and the conduction band discontinuity or spike n an abrupt heterojunction
p
+
(GaAs) / N(Al
0.4
Ga
0.6
As) solar cell can hinder the separation of hole-electron by electric field, a
graded layer inserted between the emitter p
+
(GaAs) to base N (Al
0.4
Ga
0.6
As) is use to eliminate the
spike and reduces recombination in space charge region. This paper describes the role of the graded
band gap layer between the emitter and base in decreasing the performance of the heterojunction
cell. The structure p
+
(GaAs)/ n (Al
x
Ga
1-x
As)/ N (Al
0.4
Ga
0.6
As) with band gap gradient in space charge
region has been studied. The recombination current is more discussed, the graded region width
required to eliminate the spike and reduce the recombination in space charge region is on the order
of 800 to 900 .
Mots cls: AlGaAs Recombinaison Cellule solaire htrojonction htrojonction graduelle.

1. INTRODUCTION
Durant les dernires annes, les cellules solaires base des matriaux III-V ont t largement
utilises, plus particulirement aux applications spatiales, et ce cause de leur rendement lev et
leur faible dgradation face aux irradiations dans lespace [1].
Cependant, un problme important sopposait au dveloppement des piles solaires au AsGa,
savoir, celui de la vitesse de recombinaison en surface. Cest la raison pour laquelle le rendement
ralis pour les premires cellules solaires tait seulement de lordre de 10 % [2].
Dans les cellules solaires htrojonction, metteur bande interdite graduelle, le champ
lectrique cr par le gradient de bande interdite permet de rduire le processus de la
recombinaison superficielle et dans un volume proche. Le courant fourni la charge est la
diffrence entre le photocourant et le courant dobscurit. La minimisation de ce courant est
souhaitable pour lamlioration des performances des cellules. Le courant dobscurit est
dtermin par la combinaison des effets des mcanismes de transport des courants (injection,
recombinaison).
Dans cet ordre dides, nous nous sommes proposs de traiter des cellules photovoltaques
base dhtrojonction, p
+
(GaAs)/n(Al
x
Ga
1-x
As)/N(Al
0.4
Ga
0.6
As).
2. ASPECT THEORIQUE
Le courant dbit par la cellule solaire est le photocourant diminu du courant direct.
d ph
J J J = (1)
Avec
H. Ben Slimane et al.

260
( )
R
T k V q
s d
J 1 e J J + = (2)
o: q , V , k , T et
s
J sont respectivement la charge de llectron, la tension de polarisation, la
constante de Boltzman, la temprature et le courant de saturation.
R
J est le courant de
recombinaison de la zone de charge despace.
Dans ce travail, on cherche diminuer le terme
R
J . On est donc amen lutilisation de
Al
0.4
Ga
0.6
As comme une base de la cellule htrojonction p
+
(GaAs)/N(Al
0.4
Ga
0.6
As. Cette
structure permet de localiser la zone de charge despace dans un semi-conducteur large bande
interdite, ce qui diminue le courant de recombinaison
R
J (Fig. 1).
Dans ce type dhtrojonction, il apparat aux niveaux de la jonction un pic (barrire de
potentiel) qui influe sur la sparation des porteurs de charges excdentaires [3]

Fig. 1: Reprsentation de lhtrojonction (N-Al
0.4
Ga
0.6
As / p-GaAs)
Pour liminer ce pic, il faut que la transition entre lmetteur et la base de lhtrojonction se
fasse dune manire progressive, (Fig. 2), [4].

Fig. 2: Diagramme nergtique de la cellule (p
+
GaAs/n Al
x
Ga
1-x
As/N Al
0.4
Ga
0.6
As)
n
x : Largeur de la zone de charge despace du ct semi-conducteur de type
b : Largeur de la couche de transition
La recombinaison dans la zone de charge despace est conditionne par la prsence dun point
(
R
x ) pour lequel la concentration des lectrons est gale celle des trous. La position de ce point
dpend de lasymtrie de dopage et de la polarisation directe V [5].
La zone de charge despace de lhtrojonction (p
+
GaAs / n Al
x
Ga
1-x
As / N Al
0.4
Ga
0.6
As) se
trouve localise dans le semi-conducteur le moins dop (Fig. 2), cest--dire dans la rgion
(n Al
x
Ga
1-x
As/N Al
0.4
Ga
0.6
As).
Etude analytique dune cellule solaire htrojonction

261
Cela implique que le point de recombinaison maximale dans la rgion de type N ou dans la
couche de transition bande interdite graduelle.
La position de
R
x est donne par [6, 7]:
1 pour b x 0
R
< < ( b : paisseur de la couche de transition)
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|

+

=
q
E
A ln
q
T k
.
2
1
4
x
A
1 A 2
x
C
0
n
S C
0
R
(3)
2 pour b x
R
>
|
|
.
|

\
|

=
q
E
A ln
q
T k
.
2
1
4
x
A
1 A
x
C
0
n
R
(4)
d
a
N
N
A = Coefficient dasymtrie de dopage
a
N ,
d
N Concentrations de dopage
( )
1 A
A V V 2
x
0
d
n
+

= Epaisseur de la zone de charge despace
d
V est le potentiel de diffusion et
( )
( ) 1 A
A . V V . N q 2
d d
0
+

= le champ lectrique
linterface mtallurgique.
Constante dilectrique des deux semi-conducteurs GaAs et Al
0.4
Ga
0.6
As.
b q
E
C
0 C

=
b q
E
V
0 V

=
On constate que pour ( b x
R
= ), les conditions (3) et (4) concident et donnent lexpression:
( ) A b b
V
= .
( )

=
|
|
.
|

\
|

=
0
E
V E
V
q
T k
L
1
T k
E
.
2
L
4
x
A
1 A
A b
n
(5)
Le courant
R
J prend deux formes selon la position du point
R
x dans la zone de charge
despace.
Si: | |
n R
x , b x alors

=
|
|
.
|

\
|

=
0
E
E
in
R
q
T k
L
T k 2
V q
exp L
n q
2
J
(Courant de Shockley-Noyce-Sah [5] (6)
Si: | | b , 0 x
R

R
J est donn par [6]
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|

=
T k
V q
exp x
T k
q
exp 1 f n
T k
2
J
R
C
ip
V
R
(7)
H. Ben Slimane et al.

262
avec
( )

(
(

|
|
.
|

\
|
+
|
.
|

\
|

+
=
1 A T k
V q
exp
N
n
2
cos
1
1
2
f
d
a
ip
(8)
o:
V
C

= ;
C V
C V
+

= ;
T k
q
C
C

= ;
T k
q
V
V

= ; ( ) +
+
+
= 1 .
A
1 A

La figure 3 reprsente la courbe ( ) A b
V
. Lespace hachur reprsente le domaine de validit
de lexpression de Shockley-Noyce-Sah o le point
R
x se trouve dans la rgion large bande
interdite de la zone de charge despace.
A titre dexemple, si lpaisseur
c
b b = , (Fig. 3), alors le point
R
x se trouve dans le semi-
conducteur large bande interdite pour des tensions
C
V V < .
Si la tension V dpasse la valeur
C
V , le point de recombinaison maximale
R
x va se
dplacer vers la rgion de transition et le courant
R
J sera donn par la formule (7). La condition
pour que le pic soit compltement limin est donn par (6):
1 m
b b > , (avec
b
E
b
C
1 m

= ).

Fig. 3: Domaine de validit de lexpression de Shockley-Noyce-Sah
La figure 4 montre les caractristiques (courant tension) lobscurit de lhtrojonction
p
+
(GaAs)/ n Al
x
Ga
1-x
As/N (Al
0.4
Ga
0.6
As) pour 100 A = , eV 5 . 0 E
g
= et pour diffrentes
valeurs de lpaisseur b .
Les courbes 1 et 2 reprsentent respectivement la densit du courant direct de lhomo jonction
GaAs et de lhtrojonction (p
+
GaAs/ N (Al
0.4
Ga
0.6
As). Dans les deux cas, le courant direct est
calcul par Sah-Noyce, [5]. Il est noter que le courant direct de lhtrojonction est moindre que
le courant direct de lhomo jonction GaAs.
La courbe 3 dcrit la densit de courant dinjection (courant de recombinaison nglig). Les
lignes continues de (4) (7) reprsentent les caractristiques (courant tension) des structures
p
+
(GaAs)/n (Al
x
Ga
1-x
As)/N (Al
0.4
Ga
0.6
As) pour diffrentes valeurs de lpaisseur de la couche de
transition qui diminue de la courbe (4) la courbe (7).
Etude analytique dune cellule solaire htrojonction

263
On remarque que le courant direct dcrot avec la dcroissance de lpaisseur de la couche de
transition. Une partie de la courbe (7) concide avec la courbe (2), ce qui montre que dans les
faibles tensions, le courant direct est minimal, il est donn par la formule de Shockley-Noyce-Sah.
Cest le cas o,
c
b b = de la figure 3).
Pour des tensions peu leves (
1 C
V V V < < , Fig. 3), le courant direct est donn par la
relation (7). Si la tension V dpasse la valeur
1
V , le courant direct prend lallure du courant
dinjection.

Fig. 4: Caractristique courant tension lobscurit de la cellule
p
+
(GaAs)/ n (Al
x
Ga
1-x
As)/ N (Al
0.4
Ga
0.6
As)
3. CELLULE SOLAIRE A HETEROJONCTION
p
+
(GaAs)/n (Al
x
Ga
1-x
As)/N (Al
0.4
Ga
0.6
As)
Le diagramme nergtique de la cellule est reprsent sur la figure (2).
o A la surface claire de lhtrojonction, on dpose une couche fentre de type p, cette couche
est trs troite dune manire quon peut ngliger son absorption de la lumire, donc
contribution au photo courant.
o Entre les deux semi-conducteurs GaAs et Al
0.4
Ga
0.6
As bandes interdites 1.42 eV et 1.92 eV
respectivement, on a une couche de transition bande interdite variable, cette couche est de
type n, elle est localise dans la zone de charge despace.
o Vitesse de recombinaison linterface entre la fentre et la couche p
+
-(GaAs) nulle.
o Puisque lAsGa absorbe la quasi-totalit des photons incidents sur 2 3 m dpaisseur [1] et
si on prend une paisseur de lAsGa (d > 3 m), alors la lumire ne peut atteindre que la zone
(absorbante) ] x , d [
p
, [4].
o Dans le but de diminuer la rsistance srie, on va rduire lpaisseur de la zone arrire
] H , x [
n
.
Finalement, le courant dans la rgion ] x , d [
p
est un courant de diffusion.
La densit de courant total dans la cellule aux points
p
x x = , scrit:
H. Ben Slimane et al.

264
( ) ( ) ( ) ( )
( )
( ) ( )
( )

|
|
|
|
|
.
|

\
|
+

|
|
.
|

\
|

|
|
|
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
=
1
L
L
x d
gh tan
. x d exp
L
x d
cosh
1
L 1
R 1 q
1
T k
V q
exp
L
x d
tanh
L
n D q
J
n
n
p
p
n
p
2
n
2
2
n
p
n
0 p n
T
(9)
n
x W et 0 x
p
, donc on peut simplifier lexpression du courant total comme:
( ) 1 e J J J
T k V e
S ph
=
|
|
.
|

\
|
=
n n
0 p n
S
L
d
tanh
L
n D q
J (10)
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( )
( ) ( )
( )

|
|
|
|
|
.
|

\
|
+

|
|
.
|

\
|

|
|
|
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|



= 1
L
L
d
gh tan
. d exp
L
d
cosh
1
L 1
R 1 F q
J
n
n
n
2
n
2
2
0
ph
(11)
Certains porteurs de charges se recombinent en traversant la zone de charge despace. La
densit de courant de recombinaison sajoute la densit de courant
T
J .
La figure 5 reprsente la caractristique courant tension de la cellule solaire la base de
lhtrojonction p
+
(GaAs)/ /N (Al
0.4
Ga
0.6
As) interface graduelle.
La courbe 1 reprsente la caractristique courant tension dune cellule homojonction
base dAsGa, o la zone de charge despace une largeur de bande interdite constante, le courant
direct de cette homojonction est calcul par le modle de Shockley-Noyce-Sah, [5].
La courbe 2 reprsente la caractristique courant tension de la cellule solaire base
dhtrojonction p
+
(GaAs)/ /N (Al
0.4
Ga
0.6
As) o, on nglige le courant de recombinaison dans la
zone de charge despace.
Les courbes 3 6 montrent que le courant total dbit par la cellule (p
+
GaAs/n Al
x
Ga
1-x
As/N
Al
0.4
Ga
0.6
As) crot avec la dcroissance de lpaisseur b .

Etude analytique dune cellule solaire htrojonction

265

Fig. 5: Caractristique courant tension de la cellule
p
+
(GaAs)/n (Al
x
Ga
1-x
As)/N (Al
0.4
Ga
0.6
As)
La figure 6 montre la variation du rendement de conversion photovoltaque avec lpaisseur
b . Cette augmentation est due essentiellement ce que le courant direct a diminu.

Fig. 6: Rendement de conversion photovoltaque de la cellule
p
+
(GaAs)/n (Al
x
Ga
1-x
As)/N (Al
0.4
Ga
0.6
As)
4. CONCLUSION
Dans ce travail, nous avons montr que nous pouvons diminuer le courant de recombinaison
par lutilisation des cellules htrojonctions bande interdite variable dans la zone de charge
despace.
Nous avons vu que la couche de transition graduelle permet dliminer le pic qui apparat au
niveau de la jonction entre les deux semi-conducteurs de nature diffrente. Cette barrire influe
sur la sparation des porteurs, qui est ncessaire pour le fonctionnement de la cellule.
Ltude de la recombinaison dans une zone de charge despace, comportant une couche de
transition bande interdite variable et une rgion bande interdite large montre que le courant de
H. Ben Slimane et al.

266
recombinaison diminue avec la diminution de lpaisseur de la couche de transition. Cette
diminution ne doit pas dpasser une valeur minimale laquelle le pic est toujours limin.
REFERENCES
[1] M. Orgeret, Les piles Solaires, le Composant et ses Applications, Edition Masson, 1985.
[2] H.J. Hove land J.M. Woodall, Ga
1-x
Al
x
As GaAs p-p-n Heterojunction Solar Cell, Journal of
Electrochemical Society, Vol. 120, p. 1246, 1973.
[3] A.L. Fahrebruch and R.H. Bube, Fundamentals of Solar Cells, Photovoltaic Solar Energy Conversion,
Academic Press, 1983.
[4] D.T. Cheung, S.Y. Chiang and G.L. Pearson, A Simplified Model for Graded-Gap Heterojunctions, Solid
State Electronics, Vol. 18, pp. 263 266, 1975.
[5] Chih-Tang Sah, Robert N. Noyce and W. Shockley, Carrier Generation and Recombination in p-n
Junctions and p-n Junction Characteristics, IRE 45, pp. 1228 1243, September 1957.
[6] O.V. Konstantinov and O.A. Mezrin, Recombination in deep levels in the p-n Heterojunction, Vol. 19,
N7, p. 796, 1986.
[7] O.V. Konstantinov, O.A. Mezrin, B.V. Egorov, V.M. Lantratov and S.I. Troshkov, Theory of a Solar Cell
with a Band-gap Gradient in the Space Charge Region of p-n Heterojunction, Sov. Phys. Semicond., Vol.
20, N7, p. 796, 1986.