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ELECTRNICA:

TEORA DE CIRCUITOS
6 Polarizacin de FET Polarizacin fija: Vas = -V
aa
. Vos = V
oo
- IJio: autopolarizacin: Vas = -IJis' Vos = V
oo
-
Io(Rs + Ro)' V
s
= IsRs: divisor de voltaje: Va = R, Vool(R, + R,), Vas = Va - IJis' Vos = V
oo
- lo(Ro + R): MOSFET
incremental: ID == k(V GS - V GS(Th
2
, k == 1 D(encendido)/(V GS(encendido) - V GS(Th2; polarizacin por retroalimentacin: VDS = V GS'
Vas = Vro- loRD: divisor de voltaje: Va =R,Vool(R, + R,). V
GS
= VG-1oRs: curva universal: m = 1 V
p
1 IlossRs' M = m x
vall V
p
1, Va = R, Vool(R, + R,)
7 ModeJaje de transistores bipolares Z,= Y,Jl,,l, = (V, - V,)/R""",,,lo = (V, - V) IR""",,,ZO = V)Io,A,= V)V,.A" =
/(Z + R
s
)' A == -AvZJRL' re == 26 mV/l base comn: Z == re,Zo ::::: 00 n,A
v
::::: Rfre' A :::: -1; emisor comn: Z = fjr
e

Zo = ro' Av = -R{Jre' A :::: f3, h
ie
= f3r
e
, hft! == f3
ac
' h
ib
== Te' h
fb
= -a.
8 Anlisis a pequea seal del transistor bipolar Emisor comn: A, = -Reir,. Z, = RBIIf3r,. Zo = Re. A, = f3: divisor de
voltaje: R' = R,I\R,. A, = -Re Ir,. Z, = R'1If3r,. Zo = Re: polarizacin en emisor: Zb = f3(r, + RE) = f3R"A,. = -f3R
e
IZ
b
= -RJ
(r, + RE) = -ReiR emisor seguidor: Zb = f3(r, + RE)' A, = l. Zo = r,: base comn: A, = Reir,. Z, = REllr,. Zo = Re: retroali-'
mentacin en colector: A, = -Reir,. Z, = f3r,IIR
F
/I A,I. Zo = ReIIRe: retroalimentacin de de en colector: A, = -(RF.IIRe)/r"
Z, = R
F
, lIf3r,. Zo = RclIR
F
,: parmetros hbridos: A, = h(l + hoR
L
). A, = -hRJ[h, + (h,h
o
- hh,)RLl. Z, = h, - hh/?LI(l +
hoRL)' Zo = l/[h
o
- (hh/(h, + R,] .
9 Anlisis a pequea seal del FET gm = gmo(l - V GSIVp). 8
mo
= 2los
s
lJVpl: configuracin bsica: A, = -gmRO:
resistencia de fuente sin desvo: A, = -gmROI(1 + gmRS): seguidor de fuente: A, = gmRs/(l + gmRS): compuerta comn: A, =
gm(Rollr)
10 Aproximacnalossistemas:efectodeR,yR
L
BJT:A =RLA I(RL+R ).A.=-A 7./R
L
V=RVj(R.+R):
w v VNL o I v<-' I liS
polarizacin fija: A, = -(RcIlRL)/r,. A" = Z,A)(Z, + R,). Z, = f3r,. Zo = Re: divisor de voltaje: A,. = -(RcIlRL)/r,. A" = ZA)
(Z, + R,). Z, = R,IIRzllf3r,.Z, = Re: polarizacin en emisor: A, = -(RclIRL)/R" A" = Z,A)(Z, + R,). Z, = RBIlf3RE'Zo = Re:
retroalimentacin en colector: A, = -(RcIlRL)lr,. A" = Z,A,/(Z, + R,). Z, = f3r,lIRF/IA). Z, = RclIRF: emisor seguidor: =
REIIRL' A,. = + r,), A" = + R/f3 + r,l. Z, = R
B
Ilf3(r, + Zo = REIICR/f3 + r,): base comn: A, = (RelIRL)lr,.
A, = -l. Z, = r,.Zo = Re: FET: con desvo R,: A, = -gm(RoIIRL). Z, = RG'Zo = Ro: sin desvo R
s
: A, = -gm(RoIIRL)/(l +
gmRS)' Z, = RG,Zo = R
D
: seguidor de fuente: A, = gm(RsIIRL)/[1 + gm(RsIIRL)], Z, = RG'Zo = Rsllrdll1lgm; compuerta comn:
A .. = gm(RDIIR
L
). Z = Rslll/g Zo = Ro: en cascada: A = A . A . A .. ' A ,A = A Z IR
L ' I m lir VI \12 \13 11. Ir \Ir 11
ECUACIONES IMPORTANTES
1 Diodos semiconductores W = QV, I eV = 1.6 x 10-'9 J,lD = 1,(e
kV
D
ff
, - 1), R
DC
= VDII
D
, r
d
= I!.V/M
d
= 26 mVl
ID' r" = I!.V/M
d
, P
D
= V
dD
, Te = I!.V/[V,(T,- T
o
)] x 100%
2 Aplicaciones de diodos V
BE
= VD = 0.7 V; media onda: V
do
= 0.318V
m
; onda completa: V
do
= 0.636V
m
4 Polarizacin en dc-BJT En general: V
BE
= 0.7 V, Ic = lE' Ic = f31
B
; polarizacin fija: lB = (Vcc- VBE)/R
B
, V
CE
=
Vcc-lcRc- I c ~ = Vcc'R estabilizada en emisor: lB = (Vcc- VBE)/(R
B
+ (13+ I)R
E
), R= (13+ I)RE' V
CE
= Vcc-I"Rc+
RE),I
Cw
= V cc/(R
e
+ RE); divisor de voltaje: exacto: RTh = R, 11 R
2
, ETh = R
2
Veel(R, + R
2
), lB = (E
Th
- VBE)I(R
Th
+ (13 +
l)R
E
), V
eE
= Vcc-I"Rc + RE)' aproximado: V
B
= R
2
V
ee
/(R, + R
2
), f3R
E
? IOR
2
, VE = V
B
- VBE' Ic = lE = V ;IR por
retroalimentacin de voltaje: lB = (Vee- VBE)/[R
B
+ f3(R
e
+ RE)]; base comn: lB = (V
EE
- VBE)/R conmutacin de
transistores: le,,,,,"do = t, + Id' I,p, ,do = 1, + 1
1
; estabilidad: S(leo) = Me/Meo; polarizacin fija: S(leo) = 13 + 1;
polarizacin en emisor: S(leo) = ~ + 1)(1 + RIRE)/(l + 13 + RIRE); divisor de voltaje: S(lco) = (13 + 1)(1 + RnfRE)/(l + 13 +
RnfRE); polarizacin por retroalimentacin: S(lco) = (13 + 1)(1 + R/Rc)/(l + 13 + RB/R
e
), S(VBE) = MI!.VB polarizacin
fija: S(VBE) = -/3IR
B
; polarizacin en emisor: S(V
BE
) = -/3I[R
B
+ (13 + l )R
E
]; divisor de voltaje: S(V
BE
) = -/3I[RTh + (13 +
I)R
E
]; polarizacin por retroalimentacin: S(V
BE
) = -/3I(R
B
+ (13+ I)R
e
), S(f3J = M
e
/l!..f3; polarizacin fija: S(f3J = le,lf3,;
polarizacin en emisor: S(f3J = Ic,o + R
B
IR
E
)/[I3,(I + 13
2
+ RBIR
E
)]; divisor de voltaje: S(f3J = le,o + R
Th
IR
E
)/[f3(l + 13
2
+ _
RTh/R
E
)]; polarizacin por retroalimentacin: S(f3J = Ic,(R
B
+ R
c
)/[f3,(R
B
+ R"I + 13
2
))], Me = S(lco) Meo + S(V
BE
) I!.V
BE
+
S(f3J I!.f3
5 Transistores de efecto de campo I
G
= O A, ID = IDSS(l- V
GS
/V
p
)2, ID = Is' V
Gs
= Vp(l- V/D/I
DSS
)' ID = I
DSS
/4
(si VGS = Vp/2), ID = I
DS
s'2 (si VGS = O.3Vp), P
D
= V DS
I
D' ID = k(V GS - V
T
)2
ELECTRNICA:
TEORA DE CIRCUITOS
Robert L. Boylestad
Louis Nashelsky
TRADUCCIN:
Juan Purn Mier y Tern
Profesor de asignatura en el Depto. de Matemticas,
Universidad Iberoamericana,
Profesionista en Sistemas CAD, GIS
Sergio Luis Mara Ruiz Faudn
Analista de Sistemas
Traductor Profesional
REVISIN TCNICA:
M. en e.Agustn Surez Fernndez
Departamento de Ingeniera Elctrica
Universidad Autnoma Metrpolitana-Iztapalapa
Sexta edicin
Pearson
Educacin
-------
MXICO ARGENTINA BRASIL COLOMBIA' COSTA RICA' CHILE
ESPAA GUATEMALA' PER' PUERTO RICO VENEZUELA
EDICIN EN INGLS
Editor: Dave Garza
Developmental Editor: Carol Hinklin Robison
Production Editor: Rex Davidson
Cover Designer: Brian Deep
Production Manager: Laura Messerly
Marketing Manager: Debbie Yarnell
1l1ustrations: Network Graphics
BOYLESTAD I ELECTRNICA: TEORA DE CIRCUITOS, 6a. Ed.
Traducido del ingls de la obra: ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT THEORY, SIXTH EDlTlON.
Al! rights reserved. Authorized translation from English language edition published by Prentice-Hall, Ine.
A Simon & Sehuster Company.
Todos los derechos reservados. Traduccin autorizada de la edicin en ingls publicada por Prentince-Hall, Inc.
A Simon & Sehuster Company.
Al! rights reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form or by any means,
electronic or mechanical, including photocopying, recording or by any information storage and retrieval system,
without permission in writing from the publisher.
Prohibida la reproduccin total o parcial de esta obra, por cualquier medio o mtodo sin autorizacin por escrito del editor.
reservados 1997 respecto a la cuarta edicin en espaol publicada por
Prentice Hall Hispanoamericana, S.A.
Calle 4 Nl 2S2 piso Fracc. Ind. Alce Blanco,
Naucalpan de Jurez, Edo. de Mxico,
c.P. 53370
ISBN 968-880-805-9
Miembro de la Cmara Nacional de la Industria Editorial, Reg. Nm. 1524.
Original English Language Edition Published by Prentice-Hall, Inc. A Simon & Schuster Company.
Copyright MCMXCVl
AH rights reserved
ISBN 0-13-375734-X
IMPRESO EN MXICO/PRINTED IN MEXICO
[J
F'ROGRAMo\S EDUCATIVOS. S.A. DE e,v
CAl.Z. CHABACANO No, 1;6. LOCAl. A
COL ASruRlAS,DELEG. CUAUHTEUQC,
C,P. OOBSQ,IIEX\CO, D.f.
eMPRESA CeRTIFICADA POR EL
INSTlTUTO MEXICANO DE NORMAliZACIN
SAJOL/I NCI\Wo.
150-S002: 19941NMX.cc-004: 1995
CON El No. DE REGISTRO RSc-G'6
-[J
Dedicado a
ElSE MARIE, ERlC, ALISON, MARK y KELCY; STACEY y DOUGLAS; JOHANNA
ya
KATRIN, KIRA, LARREN, TOMMY, JUSTIN Y PATIT
1
PREFACIO
AGRADECIMIENTOS
DIODOS SEMICONDUCTORES
1.1 Introduccin 1
1.2 El diodo ideal 1
1.3 Materiales semiconductores 3
1.4 Niveles de energa 6
1.5 Materiales extrnsecos: tipo n y tipo P 7
1.6 Diodo semiconductor 10
1.7 Niveles de resistencia 17
1.8 Circuitos equivalentes para diodos 24
1.9 Hojas de especificaciones de diodos 27
1.10 Capacitancia de transicin y difusin 31
1.11 Tiempo de recuperacin inverso 32
1.12 Notacin de diodos semiconductores 32
1.13 Prueba de diodos 33
1.14 Diodos Zener 35
1.15 Diodos emisores de luz 38
1.16 Arreglos de diodos: circuitos integrados 42
1.17 Anlisis por computadora 44
Contenido
xvii
xxi
1
ix
2 APUCACIONFS DE DIODOS 53
2.1 Introduccin 53
2.2 Anlisis mediante la recta de carga 54
2.3 Aproximaciones de diodos 59
2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas dc 61
2.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 66
2.6 Compuertas ANDtOR 69
2.7 Entradas senoidales; rectificacin de media onda 71
2.8 Rectificacin de onda completa 74
2.9 Recortadores 78
2.10 Cambiadores de nivel 85
2.11 Diodos Zener 89
2.12 Circuitos multiplicadores de voltaje 96
2.13 Anlisis por computadora 99
3 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIN 114
3.1 Introduccin 114
3.2 Construccin de transistores 115
3.3 Operacin del transistor 115
3.4 Configuracin de base comn 117
3.5 Accin amplificadora del transistor 121
3.6 Configuracin de emisor comn 122
3.7 Configuracin de colector comn 129
3.8 Lmites de operacin 130
3.9 Hoja de especificaciones de transistores 132
3.10 Prueba de transistores 136
3.11 Encapsulado de transistores e identificacin de terminales 138
3.12 Anlisis por computadora 140
4 POLARIZACIN DE DC-BJT 144
4.1 Introduccin 144
4.2 Punto de operacin 145
4.3 Circuito de polarizacin fija 147
4.4 Circuito de polarizacin estabilizado en emisor 154
4.5 Polarizacin por divisor de voltaje 158
4.6 Polarizacin de dc por retroalimentacin de voltaje 166
4.7 Diversas configuraciones de polarizacin 169
4.8 Operaciones de diseo 175
4.9 Redes de conmutacin con transistores 181
4.10 Tcnicas para la localizacin de fallas 186
4.11 Transistores pnp 189
4.12 Estabilizacin de la polarizacin 191
4.13 Anlisis por computadora 200
x Contenido
5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 215
5.1 Introduccin 215
5.2 Construccin y caractersticas de los JFET 216
5.3 Caractersticas de transferencia 223
5.4 Hojas de especificaciones (JFET) 227
5.5 Instrumentacin 230
5.6 Relaciones importantes 231
5.7 MOSFET de tipo decremental 238
5.8 MOSFET de tipo incremental 238
5.9 Manejo del MOSFET 246
5.10 VMOS 247
5.11 CMOS 248
5.12 Tabla resumen 250
S .13 Anlisis por computadora 251
6 POLARIZACIN DEL FET 256
6.1 Introduccin 256
6.2 Configuracin de polarizacin fija 257
6.3 Configuracin de autopolarizacin 261
6.4 Polarizacin mediante divisor de voltaje 267
6.5 MOSFET de lipa decremental 273
6.6 MOSFET de tipo incremental 277
6.7 Tabla resumen 283
6.8 Redes combinadas 285
6.9 Diseo 288
6.10 Localizacin de fallas 290
6.11 FET de canal-p 291
6.12 Curva universal de polarizacin para JFET 294
6.13 Anlisis por computadora 297
7 MODELAJE DE TRANSISTORES BIPOLARES 311
7.1 Introduccin 311
7.2 Amplificacin en el dominio de ac 311
7.3 Modelaje de transistores EJT 312
7.4 Los parmetros importantes: Z;, Zo' A ~ A; 314
7.5 El modelo de transistor r, 320
7.6 El modelo hbrido equivalente 327
7.7 Determinacin grfica de los parmetros h 333
7.8 Variaciones de los parmetros de transistores 337
7.9 Anlisis por computadora 339
Contenido
xi
xii
8
ANLISIS A PEQUEA SEAL
DEL TRANSISTOR BIPOLAR
8.1 Introduccin 346
8.2 Configuracin de emisor comn con polarizacin fija 346
8.3 Polarizacin mediante divisor de voltaje 350
8.4 Configuracin de E-C con polarizacin en emisor 353
8.5 Configuracin emisor-seguidor 360
8.6 Configuracin de base comn 366
8.7 Configuracin con retroalimentacin en colector 368
8.8 Configuracin con retroalimentacin de dc en colector 374
8.9 Circuito equivalente hbrido aproximado 377
8.10 Modelo equivalente hbrido completo 383
8.11 Tabla resumen 390
8.12 Solucin de problemas 390
8.13 Anlisis por computadora 393
9 ANLISIS A PEQUEA SEAL DEL FET
9.1 Introduccin 415
9.2 Modelo de pequea seal del FET 416
9.3 Configuracin de polarizacin fija para el IFET 424
9A Configuracin de autopolarizacin para el JFET 426
9.5 Configuracin de divisor de voltaje para el JFET 432
9.6 Configuracin fuente-seguidor (drenaje comn) para el JFET 433
9.7 Configuracin de compuerta comn para el JFET 436
9.8 MOSFET de tipo decremental 440
9.9 MOSFET de tipo incremental 442
9.10 Configuracin de retroalimentacin en drenaje para el EMOSFET 443
9.11 Configuracin de divisor de voltaje para el EMOSFET 446
9.12 Cmo disear redes de amplificador FET 447
9.13 Tabla resumen 450
9.14 Solucin de problemas 453
9.15 Anlisis por computadora 453
10
APROXIMACIN A LOS SISTEMAS:
EFECTOS DE Rs y R
L
10.1 Introduccin 468
10.2 Sistemas de dos puertos 468
10.3 Efecto de la impedancia de carga (R J 470
lOA Efecto de la impedancia de la fuente (R,) 475
10.5 Efecto combinado de R, Y R L 477
10.6 Redes BIT de CE 479
10.7 Redes emisor-seguidor 484
10.8 Redes CB 487
10.9 Redes FET 489
10.10 Tabla resumen 492
10.11 Sistemas en cascada 496
lU2 Anlisis por computadora 497
Contenido
346
415
468
11
RESPUESTA EN FRECUENCIA
DE TRANSISTORES BJT Y JFET
11.1 Introduccin 509
11.2 Logaritmos 509
11.3 Decibeles 513
11.4 Consideraciones generales sobre la frecuencia 516
11.5 Anlisis a baja frecuencia, grfica de Bode 519
11.6 Respuesta a baja frecuencia, amplificador a BIT 524
11.7 Respuesta a baja frecuencia, amplificador FET 533
11.8 Capacitancia de efecto MiIler 536
11.9 Respuesta a alta frecuencia, amplificador BJT 539
11.10 Respuesta a alta frecuencia, amplificador FET 546
11.11 Efectos de frecuencia en multietapas 550
11.12 Prueba de onda cuadrada 552
11.13 Anlisis por computadora 554
509
12 CONFlGURACIONES COMPUESTAS 560
12.1
12.2
12.3
12.4
12.5
12.6
12.7
12.8
12.9
12.10
12.11
13
Introduccin 560
Conexin en cascada 560
Conexin cascade 565
Conexin Darlington 566
Par retroalimentado 571
Circuito CMOS 575
Circuitos de fuente de corriente 577
Espejo de corriente 579
Circuito de amplificador diferencial 582
Circuitos de amplificador diferencial BiFET, BiMOS y CMOS 590
Anlisis por computadora 591
TCNICAS DE FABRICACIN DE
CIRCUITOS DISCRETOS E INTEGRADOS
13.1 Introduccin 607
13.2 Materiales semiconductores, Si, Ge y GaAs 607
13.3 Diodos discretos 609
13A Fabricacin de transistores 611
13.5 Circuitos integrados 612
13.6 Circuitos integrados monolticos 614
13.7 El ciclo de produccin 617
13.8 Circuitos integrados de pelcula delgada y pelcula gruesa 626
13.9 Circuitos integrados hbridos 627
607
Contenido xiii
14 AMPUFlCADORES OPERACIONALES 628
14.1 Introduccin 628
14.2 Operacin en modo diferencial y en modo comn 630
14.3 Amplificador operacional bsico 634
14.4 Circuitos prcticos con amplificadores operacionales 638
14.5 Especificaciones, parmetros de desvo de dc 644
14.6 Especificaciones de parmetros de frecuencia 647
14.7 Especificaciones para una unidad de amplificador operacional 651
14.8 Anlisis por computadora 657
15
APUCACIONES DEL AMPUFlCADOR
OPERACIONAL 669
15.1 Multiplicador de ganancia constante 669
15.2 Suma de voltajes 673
15.3 Acoplador de voltaje 676
ISA Fuentes controladas 677
15.5 Circuitos de instrumentacin 679
15.6 Filtros activos 683
15.7 Anlisis por computadora 687
16 AMPUFlCADORES DE POTENCIA 701
16.1 Introduccin: definiciones y tipos de amplificadores 701
16.2 Amplificador clase A alimentado en serie 703
16.3 Amplificador acoplado con transfonnador lase A 708
16.4 Operacin del amplificador clase B 715
16.5 Circuitos de amplificador clase B 719
16.6 Distorsin del amplificador 726
16.7 Disipacin de calor del transistor de potencia 730
16.8 Amplificadores clase C y clase D 734
16.9 Anlisis por computadora 736
17 CI UNEALES/DIGITALES 741
17.1 Introduccin 741
17.2 Operacin del comparador 741
17.3 Convertidores analgicos-digitales 748
17A Operacin del el temporizador 752
17.5 Oscilador controlado por voltaje 755
17_6 Lazo de seguimiento de fase 758
17.7 Circuitos de interfaz 762
17.8 Anlisis por computadora 765
18
CIRCUITOS CON RETROAUMENTACIN
y OSCILADORES 773
18.1 Conceptos de retroalimentacin 773
xiv 18.2 Tipos de conexin de retroalimentacin 774
18.3 Circuitos prcticos con retroalimentacin 780
18.4 Amplificador retroalimentado: consideraciones de fase y frecuencia 787
18.5 Operacin del oscilador 789
18.6 Oscilador de corrimiento de fase 791
18.7 Oscilador de puente Wien 794
18.8 Circuito de oscilador sintonizado 795
18.9 Oscilador a cristal 798
18.10 Oscilador monounin 802
19
FUENTES DE ALIMENTACIN
(REGULADORES DE VOLTAJE)
19.1 Introduccin 805
19.2 Consideraciones generales de filtros 805
19.3 Filtro capacitor 808
19.4 Filtro Re 811
19.5 Regulacin de voltaje con transistores discretos 814
19.6 Reguladores de voltaje de CI 821
19.7 Anlisis por computadora 826
805
20 OTROS DISPOSITIVOS DE DOS TERMINALES 832
20.1
20.2
20.3
20A
20.5
20.6
20.7
20.8
20.9
20.10
20.11
21
Introduccin 832
Diodos de barrera Schottky ("portadores calientes") 832
Diodos varactores (varicap) 836
Diodos de potencia 840
Diodos tnel 841
Fotodiodos 846
Celdas fotoconductoras 849
Emisores de IR 851
Pantallas de cristal lquido 853
Celdas solares 855
Termistores 859
DISPOSITIVOS pnpn
21.1 Introduccin 864
21.2 Rectificador controlado de silicio 864
21.3 Operacin bsica del rectificador controlado de silicio 864
21A Caractersticas y valores nominales del SCR 867
21.5 Construccin e identificacin de terminales del SCR 869
21.6 Aplicaciones del SCR 870
21.7 Interruptor controlado de silicio 874
21.8 Interruptor controlado en compuerta 876
21.9 SCR activado por luz 877
21.10 Diodo Shockley 880
21.11 DIAC 880
21.12 TRIAC 882
21.13 Transistor monounin 883
21.14 Fototransistores 893
21.15 Optoaisladores 895
21.16 Transistor monounin programable 897
864
xv
xvi
22
OSCILOSCOPIO Y OTROS
INSTRUMENTOS DE MEDICIN
22.1 Introduccin 906
22.2 Tubo de rayos catdicos: teora y construccin 906
22.3 Operacin del osciloscopio de rayos catdicos 907
22.4 Operacin del barrido de voltaje 908
22.5 Sincronizacin y disparo 911
22.6 Operacin en multitrazo 915
22.7 Medicin utilizando las escalas calibradas 915
22.8 Caractersticas especiales 920
22.9 Generadores de seales 921
APNDICE A: PARMETROS HBRIDOS:
ECUACIONES PARA CONVERSIN
906
(EXACTAS Y APROXIMADAS) 924
APNDICE B: FACTOR DE RIZO
Y CLCULOS DE VOLTAJE 926
APNDICE C: GRFICAS y TABLAS 933
APNDICE D: PSPICE 935
APNDICE E: SOLUCIONES
A LOS PROBLEMAS SELECCIONADOS
CON NMERO NON 937
NDICE 943
Contenido
Segn nos acercbamos al XXV aniversario del texto, se hizo verdaderamente claro que esta
sexta edicin deba continuar con el importante trabajo de revisin que tuvo la edicin. La
creciente utilizacin de la computadora, los circuitos integrados y el expandido rango de co-
bertura necesaria en los cursos bsicos que contribuyeron al refinamiento de la pasada edicin
continan siendo los factores principales que afectan el contenido ele una nueva versin. A
travs de los aos, hemos aprendido que el mejoramiento de la lectura se puede obtener a travs
de la apariencia general del texto, de tal fortna que nos hemos comprometido al fortnato que
encontrar en la sexta edicin de tal manera que el material del texto parezca ms "'amistoso"
para un amplio sector de estudiantes. De la misma manera que en el pasado, continuamos
empeados en el fuerte sentido pedaggico del texto, la exactimd y en un aruplio rango de
materiales auxiliares que apoyan el proceso educativo.
PEDAGOGA
Sin duda, una de las mejoras ms importantes que se han retenido de la quinta edicin es la
manera en la cual el texto se presta para el compendio ordinario del curso. La nueva secuencia
de la presentacin de los conceptos que afect la ltima edicin se ha conservado en la presen-
te. Nuestra experiencia docente con esta presentacin ha reforzado la creencia de que el mate-
rial tiene ahora una pedagoga mejorada para apoyar la presentacin del instructor y ayudar al
estudiante a construir los fundamentos necesarios para sus futuros estudios. Se ha conservado
la cantidad de ejemplos, los cuales fueron incrementados de modo considerable desde la quin-
ta edicin. Las declaraciones aisladas en negritas ("balas") identifican aseveraciones y conclu-
siones importantes. El formato ha sido diseado para establecer una apariencia amistosa para
el estudiante y para asegurar que el trabajo artstico se encuentre tan cercano a la referencia
como sea posible. Se han utilizado pantallas para definir caractersticas importantes o para ais-
lar cantidades especficas en una red o en una caracterstica. Los iconos, desarrollados para
cada captulo del texto, facilitan la referencia de un rea en particular tan rpidamente como
sea posible. Los problemas, los cuales han sido desarrollados para cada seccin del texto, van
en progreso a partir de lo ms simple a lo ms complejo. Asimismo, un asterisco identifica los
ejercicios ms difciles. El ttulo en cada seccin tambin se reproduce en la seccin de proble-
mas para identificar con claridad los ejercicios de inters para un tema de esmdio en particular.
Prefacio
xvii
xviii
ENFOQUE DE SISTEMAS
Durante varias visitas a otros colegios, institutos tcnicos, y juntas de varias sociedades, se
mencionaba que debera desarrollarse un mayor "enfoque de sistemas" para apoyar la necesi-
dad de un estudiante de convertirse en adepto de la aplicacin de paquetes de sistemas. Los
captulos 8,9 Y 10 estn especficamente organizados para desarrollar los cimientos del anli-
sis de sistemas en el grado posible en este nivel introductorio. Aunque puede resultar ms fcil
considerar los efectos de Rs y R
L
con cada configuracin cuando sta se presenta por primera
vez, los efectos de Rs y R
L
tambin ofrecen una oportunidad para aplicar algunos de los con-
ceptos fundamentales del anlisis de sistemas. Los ltimos captulos referentes a amplifIcadores
operacionales y circuitos integrados desarrollan an ms los conceptos presentados en los
captulos iniciales.
EXACTITUD
No hay duda que una de las metas primarias de cualquier publicacin es que sta se encuentre
libre de errores en lo posible. Ciertamente, la intencin no es de retar al instructor o al estu-
diante con inconsistencias planeadas. De hecho, no existe algo ms tenso para un autor que el
escuchar sobre errores en su libro. Despus de una verificacin extensiva acerca de la exacti-
tud en la quinta edicin, ahora nos sentimos seguros que este texto gozar del nivel ms alto de
exactitud que se puede obtener para una publicacin de este tipo.
MODELAJE DE TRANSISTORES
El modelaje del transistor bipolar de unin (BJT) es un rea que se ha enfocado de varias
maneras. Algunas instituciones utilizan exclusivamente el modelo re mientras que otras se
apoyan en el enfoque hbrido o en una combinacin de estos dos. La sexta edicin destacar el
modelo r, con la suficiente cobertura del modelo hbrido como para permitir una comparacin
entre los modelos y la aplicacin de ambos. Se ha dedicado un captulo completo (captulo 7)
.la introduccin de los modelos para asegurar un entendimiento claro y correcto de cada uno
y de las relaciones que existen entre los dos.
PSpice y BASIC
Los recientes aos han visto un crecimiento continuo del contenido de computacin en los
curSOs introductorios. No solamente aparece la utilizacin de procesadores de texto en el pri-
mer semestre, sino que tambin se presentan las hojas de clculo y el empleo de un paquete de
anlisis tal como PSpice en numerosas instituciones educativas.
Se eligi PSpice como el paquete que aparecer a travs de este texto debido a que
recientes encuestas sugieren que es el que se emplea con mayor frecuencia. Otros paquetes
posibles incluyen Micro-Cap III y Breadboard. La :obertura de PSpice ofrece suficiente
capacidad para permitir la escritura del archivo de captura para la mayora de las redes
analizadas en este texto. No se supone un conocimiento anterior acerca de paquetes para
computadora.
PSpice en el ambiente WINDOWS permite entrar al circuito en forma esquemtica, el
cual puede ser analizado despus con resultados de salida similares a PSpice. An se incluyen
en el texto algunos programas en BASIC para demostrar las ventajas de conocer un lenguaje
de computacin y de los beneficios adicionales que surgen de su utilizacin.
SOLUCIN DE PROBLEMAS
La solucin de los problemas es indudablemente una de las habilidades ms difciles para
presentar, desarrollar y demostrar en un texto. Se trata de un arte que debe ser introducido
utilizando una variedad de tcnicas, pero la experiencia y la exposicin son obviamente los
elementos clave en el desarrollo de estas habilidades. El contenido es en forma esencial una
revisin de situaciones que ocurren con frecuencia dentro del ambiente de laboratorio. Se
presentan algunas ideas sobre cmO aislar un rea problemtica as como una lista de las cau-
sas posibles. Esto no pretende sugerir que un estudiante se convertir en un experto en la
solucin de las redes presentadas en este texto, pero al menoS el lector tendr algn entendi-
miento de lo que est relacionado con el proceso de la solucin.
UTILIZACIN DEL TEXTO
En general, el texto est dividido en dos componentes principales: el anlisis en de y en ac o
respuesta en frecuencia. Para algunos colegios la seccin de es suficiente para un semestre.
mientras que para otros el texto completo puede ser cubierto en un semestre mediante la elec-
cin de temas especficos. En cualquier caso, el presente es un texto que "construye" a partir
de los captulos iniciales. El material superfluo se relega a los ltimos captulos para evitar el
contenido excesivo acerca de un tema particular al principio en el nivel de desarrollo, Para
cada dispositivo el texto cubre una mayora de las configuraciones y aplicaciones importantes.
Mediante la eleccin de ejemplos y aplicaciones especficos es posible reducir el contenido de
un curso sin perder las caraetelsticas de construccin progresivas del texto. Por tanto, si un
instructor siente que un rea especfica es particulannente importante, se ofrece el detalle con.
el fin de tener una revisin ms extensiva.
ROBERT BOYLESTAD
LOUIS NASHELSKY
Agradecimientos
Nuestros ms sinceros agradecimientos se deben extender a los profesores que han utilizado el
texto y han enviado algunos comentarios, correcciones y sugerencias. Tambin deseamos agra-
decer a Rex Davidson, editor de Prentice-Hall, por mantener unidos los tantos aspectos deta-
llados de produccin. Nuestro ms sincero agradecimiento a Dave Garza, editor senior, y a
Carol Robison, editor senior de desarrollo, de Prentice-Hall, por su apoyo editorial en la sexta
edicin de este texto.
Deseamos agradecer a aquellas personas que han compartido sus sugerencias y evaluacio-
nes del presente texto a travs de sus muchas ediciones. Los comentarios de estas personas nos
han permitido presentar Electrnica: Teora de Circuitos en esta nueva edicin:
Ernest Lee Abbott
Phillip D, Anderson
AJAnthony
A. Duane Bailey
Joe Baker
Jerrold Barrosse
Ambrose Barry
Arthur Birch
Scott Bisland
Edward Bloch
Gary C. Bocksch
Jeffrey Bowe
Alfred D. Buerosse
Lila Caggano
Rohert Casano
Alan H. Czarapata
Mohammad Dabbas
John Darlington
Lucius B. Day
MikeDurren
Dr. Stephen Evanson
George Fredericks
F. D. Fuller
Phil Golden
Joseph Grabinski
Thomas K. Grady
WiUiam HiII
Napa College, Napa, CA
Muskegon Community College, Muskegon, MI
EG&G VACTEC Inc.
Southern Alberta Institute ofTechnology, Calgary, Alberta, CANAD
University of Southern California, Los ngeles, CA
Penn State-Ogontz
University of North Carolina-Charlolte
Hartford State Technical College, Hartford, CT
SEMATECH, Austin, TX
The Perkin-Elmer Corporation
Charles S. Molt Community College, F1int, MI
Bunker HilI Community College, Charlestown, MA
Waukesha County Technical College. Pewaukee, WI
MicroSim Corporation
Internationa! Rectifier Corporation
Montgomery College, Rockville. MD
ITI Technical Institute
Humber College, Ontatio, CANAD
Metropolitan State College, Denver, CO
Indiana Vocational Technical College, South Bend, IN
Bradford University, UK
Northeast State Technica! Community College
Rumber College, Ontatio, CANAD
DeVry Institute ofTechnology, Irving, TX
Hartford State Technical College, Hartford, CT
Western Washington University, Bellingham. WA
ITI Technica! Institute
xxi
xxii
Albert L. Ickstadt
Jeng-Nan Juang
Karen Karger
Kenneth E. Kent
Donald E. King
Charles Lewis
Donna Liverman
George T. Mason
William Maxwell
Abraham Michelen
John MaeDougall
Donald E. MeMillan
Thomas E. Newman
Dr. Robert Payne
E. F. Rockafellow
Saeed A. Shaikh
Dr. Noel Shammas
Erie Sung
Donald P. Szymanski
Parker M. Tabor
Peter Tampas
Chuek Tinney
Katherine L. Usik
DomingoUy
Richard J. Walters
Julian Wilson
Syd R. Wilson
Jean Younes
Charles E. Yunghans
U1rieh E. Zeisler
San Diego Mesa College. San Diego, CA
Mercer University, Macon, GA
Tektronix lne.
DeKalb Technical Institute, Clarkston, GA
ITI Technical Institute, Youngstown, OH
APPLIED MATERIALS, Inc.
Texas Instruments Ine.
Indiana Vocational Technical College, South Bend, IN
Nashville State Technical Institute
. Hudson Valley Community College
University ofWestem Ontario, London, Ontario, CANAD
Southwest State University, Marshall, MN
L. H. Bates Vocational-Technical Institute, Tacoma, WA
University of Glamorgan, Wales, UK
Southern-Alberta Institute of Technology, Calgary, Alberta, CANAD
Miami-Dade Cornmunity College, Miami, FL
School of Engineering, Beaconside, UK
Computronics Technology Inc.
Owens Technical College, Toledo, OH
Greenville Technical College, Greenville, SC
Michigan Technological University, Houghton, MI
University of Utah
Mohawk College of Applied Art & Technology, Hamilton, Ontario, CANAD
Hampton University, Hampton, VA
DeVry Technical Institute, Woodbridge, NI
Southern College of Technology, Marietta, GA
Motorola Inc.
!TI Technical Institute, Troy, MI
Western Washington University, Bellingham, WA
Sal! Lake Cornmunity College, Sal! Lake City, UT
ELECTRNICA:
TEORA DE CIRCUITOS
Diodos
semiconductores
CAPTULO

1.1 INTRODUCCIN
Unas cuantas dcadas que han seguido a la introduccin del transistor, hacia finales de los aos,
cuarenta, han sido testigo de un cambio asombroso en la industria de la electrnica. La
miniaturizacin que se ha logrado nos deja sorprendidos de sus alcances. Sistemas completos
aparecen ahora sobre una oblea de silicio, miles de veces ms pequea que un solo elemento de
las redes iniciales. Las asociadas con los sistemas actuales, comparados con las redes
de bulbos de los aos anteriores, resultan, en su mayor parte, obvias de inmediato: son ms
pequeos y ligeros, no tienen requerimientos de calentamiento o disipacin de calor (como en
el caso de los bulbos), tienen una construccin ms robusta, son ms eficientes y no requieren
de un periodo de calentamiento.
La miniaturizacin desarrollada en los aos recientes ha dado por resultado sistemas tan
pequeos que ahora el propsito bsico del encapsulado slo es obtener algunos medios para
manipular el dispositivo y asegurar que las conexiones permanezcan fijas en fonna adecuada
en la base del semiconductor. Los lmites de la miniaturizacin dependen de tres factores: la
calidad del material semiconductor, la tcnica del diseo de redes y los lmites de la manufac-
tura y el equipo de procesamiento.
1.2 EL DIODO IDEAL
El primer dispositivo electrnico que se presenta es el que se denomina diodo, el ms sencillo
de los dispositivos semiconductores, pero que desempea un papel muy importante en los
sistemas electrnicos. Con sus caractersticas, que son muy similares a las de un interruptor
sencillo, aparece en una amplia variedad de aplicaciones, que van desde las ms sencillas a las
ms complejas. Adems de los detalles de su construccin y caractersticas, los datos y grfi-
cas importantes se encontrarn en las hojas de especificaciones y tambin se estudiarn con
objeto de asegurar una comprensin de la terminologa que se utiliza, aparte de demostrar la
riqueza de la informacin que los fabricantes suelen proporcionar.
Antes de analizar la construccin y las caractersticas de un dispositivo real, primero se
considerar el dispositivo ideal para ofrecer una base de comparacin. El diodo ideal es un
dispositivo con dos terminales. que tiene el smbolo y caractersticas que se muestran en la
figura l.la y b, respectivamente.
De manera ideal, un diodo conducir corriente en la direccin que define la flecha en el
smbolo, y actuar como un circuito abierto en cualquier intento por establecer corriente en
direccin opuesta. En esencia:
Las caractensticas de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede
conducir comente en una sola direccin.
VD
+

o o
-
ID
Ca)
+ ID
+
V
o
.1

...
lo
+
V
o
(
O
V
D
+
...
lo
(b)
Flgura 1.1 Diodo ideal: a)
smbolo; b) caractersticas.
1
2
En la descripcin de los elementos que se presentan a continuacin es importante que se
definan los diferentes smbolos de letras, polaridades de voltajes y direcciones de la corriente. Si
la polaridad del voltaje aplicado es consistente con el que se muestra en la figura l.la, las carac-
tensticas que deben ser consideradas en la figura l.lb estn hacia la derecha del eje vertical. En
caso de que se aplique un voltaje inverso, son pertinentes las caractersticas hacia la izquierda del
eje. Si la corriente a travs del diodo tiene la direccin que se indica en la figura l.la, la porcin
de las caractersticas que deben considerarse es arriba del eje horizontal, mientras que una inver
sin en la direccin requerirla del empleo de las caractensticas abajo del eje. Para la mayona de
las caractensticas de los dispositivos que aparecen en este libro, la ordenada (o eje "y") ser el eje
de la corriente, en tanto la abscisa (o eje "x") ser el eje del voltaje.
Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resisteuciaenel punto o la regin de
operacin. Si se considera la regin de conduccin definida por la direccin de ID y polaridad
de VD en la figura 1.1a (el cuadrante superior derecho de la figura l.lb), se deduce que el va-
lor de la resistencia directa, Rp segn lo define la ley de Ohm, es
V
F
OV
RF = - = O Q (corto circuito)
IF 2,3, mA, ... , slo un valor positivo
donde V
F
es el voltaje de polarizacin directa a travs del diodo e 1 F es la corriente a travs del
diodo.
Por tanto, el diodo ideal es un circuito cerrado para la regin de conduccin.
Si ahora se considera la regin de potencial negativo aplicado (tercer cuadrante) de la
figura 1.1 b,
V. -5, -20, o cualquier potencial de polarizacin inversa
RR = - = = Q (circuito abierto)
IR O mA
donde V
R
es el voltaje inverso a travs del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo.
Por tanto, el diodo ideal es un circuito abierto en la regin de no conduccin.
En resumen, son aplicables las condiciones que se descnben en la figura 1.2.
Corto circuito
./. lo
por el circuito)
C')
o
+ / ei"uito abierto I
__ 0-0--.... o
--
ID =0
Cb)
FIgUra 1.2 a) Estados de conduccin y b) no conduccin del diodo ideal segn est detenninado
por la polarizacin aplicada.
Por lo general, resulta sencillo hasta cierto punto determinar si un diodo se encuentra en la
regin de conduccin o de no conduccin, al observar la direccin de la corriente ID que se
establece mediante un voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al flujo de electro-
nes), si la corriente resultante del diodo tiene la misma direccin que la punta de la flecha del
smbolo del diodo, ste est operando en la regin de conduccin, segn se descnbe en la
figura 1.3a. Si la corriente resultante tiene la direccin opuesta, como se muestra en la figura
l.3b, el circuito abierto equivalente es el apropiado.
Capitulo l Diodos semiconductores
(al
o
(bl
FIgura 1.3 al Estados de
conduccin y b) no conduccin del
diodo ideal, segn est determinado
por la direccin de la corriente
convencional establecida por la red.
Como se indic antes, el propsito inicial de esta seccin es presentar las caractersticas
de un dispositivo ideal para poder compararlas con las caractersticas de la variedad comer-
cial. Segn se avance a travs de las prximas secciones, se deben considerar las siguientes
preguntas:
Qu tan cercana ser la resistencia directa o de "encendido" de un diodo prctico
comparado con el nivel O-.Q deseado?
Es la resistencia inversa parcial lo suficientemente grande como para permitir una
aproximacin de circuito abierto?
1.3 MATERIALES SEMICONDUCTORES
El trmino semiconductor revela por si mismo una idea de sus caractersticas. El prefijo semi
suele aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre dos lmites.
El trmino conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de
carga, cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a travs de sus
terminales.
Un aislante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la
presin de una fuente de voltaje aplicada.
Un semiconductor, por tanto, es un material que posee un nivel de conductividad sobre
algn punto entre los extremos de un aislante y un conductor.
De manera inversa, y relacionada con la conductividad de un material, se encuentra su
resistencia al flujo de la carga o corriente. Esto es, mientras ms alto es el nivel de conductividad,
menor es el nivel de resistencia. En las tablas, el tnnino resistividad (p, la letra griega rho) se
utiliza a menudo para comparar los niveles de resistencia de los materiales. En unidades mtri-
cas, la resistividad de un material se mide en n-cm o n-m. Las unidades de n-cm se derivan de
la sustitucin de las unidades para cada cantidad de la figura 1.4 en la siguiente ecuacin
(derivada de la ecuacin bsica de resistencia R = pi! A):
RA (n)(cm')
p=--= =>n-cm (l.l)
1 cm
De hecho, si el rea de la figura lA es de 1 cm' y la longitud de 1 cm, la magnitud de la
resistencia del cubo de la figura lA es igual a la magnitud de la resistividad del material segn
se demuestra a continuacin:
1
P -= P
A
(1 cm)
(1 cm')
Iplohms
Este hecho ser de utilidad cuando se comparen los niveles de resistividad en los anlisis que se
presentan enseguida.
En la tabla 1.1 se muestran los valores tpicos de resistividad para tres categoras amplias
de materiales. Aunque se pueda estar familiarizado con las propiedades elctricas del cobre y la
mica, las caractersticas de los materiales semiconductores, germanio (Ge) y silicio (Si), pue-
1.3 Materiales semiconductores
~
cm
A=lcm
2
l=lcm
Figura 1.4 Definicipn de las
unidades mtricas de
resistividad.
3
.1
/
/
/
/
/
Figura 1.5 Estructura de un solo
cristal de Ge y Si.
4
TABLA 1.1 Valores tipicos de resistividad
Conductor
p == 10-6 O-cm
(cobre)
Semiconductor
p == 50 O-cm (germanio)
p == 50 X 10
3
O-cm (silicio)
Aislante
p= 10
12
n-cm
(mica)
den ser relativamente nuevas. Como se encontrar en los captulos que siguen, ciertamente no
son los nicos dos materiales semiconductores; sin embargo, son los que ms interesan en el
desarrollo de dispositivos semiconductores. En aos recientes el cambio ha sido estable con
el silicio, pero no as con el germanio. cuya produccin an es escasa.
Observe en la tabla 1.1 el rango tan grande entre los materiales conductores y aislantes para
la longitud de 1 cm (un rea de lcm') de material. Dieciocho lugares separan la colocacin del
punto decimal de un nmero a otro. Ge y Si han recibido la atencin que tienen por varias razo-
nes. Una consideracin muy importante es el hecho de que pueden ser fabricados con un muy
alto nivel de pureza. De hecho, los avances recientes han reducido los niveles de impureza en el
material puro a una parte por cada 10 mil millones (1 : 10 000 000 000). Es posible que alguien
se pregunte si estos niveles de impureza son realmente necesarios. En realidad lo son si se consi-
dera que la adicin de una parte de impureza (del tipo adecuado) por milln, en una oblea de
silicio, puede cambiar dicho material de un conductor relativamente pobre a un buen o ~ d u t o r .
de electricidad. Como es obvio, se est manejando un espectro completamente nuevo de nive-
les de comparacin, cuando se trata con el medio de los semiconductores. La capacidad de cam-
biar las caractersticas del material en forma significativa a travs de este proceso, que se conoce
como "dopado", es otra razn ms por la cual el Ge y el Si han recibido tanta atencin. Otras
razones incluyen el hecho de que sus caractersticas pueden alterarse en forma significativa a
travs de la aplicacin de calor o luz, una consideracin importante en el desarrollo de dispositi-
vos sensibles al calor o a la luz.
Algunas de las cualidades nicas del Ge y el Si que se observaron antes se deben a su
estructura atmica. Los tomos de ambos materiales forman un patrn muy definido que es
peridico en naturaleza (esto es que continuamente se repite el mismo). A un patrn completo
se le llama cristal, y al arreglo peridico de los tomos, red cristalina. Para el Ge y el Si el
cristal tiene la estructura de diamante de tres dimensiones que se muestra en la figura 1.5.
Cualquier material compuesto slo de estructuras repetidas de cristal del mismo tipo se deno
mina estructura de cristal nico. Para los materiales semiconductores de aplicacin prctica en
el campo de la electrnica, esta caracterstica de cristal nico existe y, adems, la periodicidad
de la estructura no cambia en forma significativa con la adicin de impurezas en el proceso de
dopado.
Ahora, se examinar la estructura del tomo en s y se observar cmo se pueden afectar
las caractersticas elctricas del material. Como se tiene entendido, el tomo se compone de
tres partculas bsicas: el electrn, el protn y el neutrn. En la red atmica, los neutrones y los
protones forman el ncleo, mientras que los electrones se mueven alrededor del ncleo sobre
una rbita fija. Los modelos de Bohr de los semiconductores que se usan con mayor frecuen-
cia, el germanio y el silicio, se muestran en la fignra 1.6.
Como se indica en la figura 1.6a, el tomo de germanio tiene 32 electrones en rbita,
mientras que el silicio tiene 14 electrones en varias rbitas. En cada caso, existen cuatro elec-
trones en la rbita exterior (valencia). El potencial (potencial de ionizacin) que se requiere
para movilizar cualquiera de estos cuatro electrones de valencia, es menor que el requerido
por cualquier otro electrn dentro de la estructura. En un cristal puro de germanio o de silicio
estos cuatro electrones de valencia se encuentran unidos a cuatro tomos adjuntos. como se
muestra en la figura 1.7 para el silicio. Tanto el Ge como el Si son referidos como tomos
tetravalentes, porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia.
U na unin de tomos fortalecida por el compartimiento de electrones se denomina
unin covalente.
Capitulo 1 Diodos semiconductores
E I m n ~
de valencia
(4 para cada uno)
Electrones
en rbita
lb)
Figura 1.6 Estructura atmica: a) germanio;
b) silicio.
Figura 1.7 Unin covalente del tomo de
silicio.
Si bien la unin covalente generar una unin ms fuerte entre los electrones de valencia
y su tomo, an es posible para los electrones de valencia absorber suficiente energa cintica
por causas naturales, para romper la unin covalente y asumir el estado "libre". El trmino
"libre" revela que su movimiento es muy sensible a los campos elctricos aplicados, como los
establecidos por las fuentes de voltaje o cualquier diferencia de potencial. Estas causas natura-
les incluyen efectos como la energa lumnica en la forma de fotones y la energa trmica del
medio que lo rodea. A temperatura ambiente existen aproximadamente 1.5 x 10
10
portadores
libres en un centmetro cbico de material intrnseco de silicio.
Los materiales intlnsecos son aquellos semiconductores que han sido
cuidadosamente refinados para reducir /as impurezas a un nivel muy bajo,
esencialmente tan puro como se puede obtener a travs de /a tecnologa moderna.
A los electrones libres localizados en el material que se deben slo a causas naturales, se
les conoce como portadores intrnsecos. A la misma temperatura, el material intrnseco de
germanio tendr aproximadamente 2.5 x 10
13
transmisores libres por centmetro cbico. La
relacin del nmero de portadores en el germanio respecto al silicio es mayor de 10
3
e indica
que el germanio es un mejor conductor a temperatura ambiente. Esto puede ser cierto, aunque
en el estado intrnseco ambos an son considerados conductores pobres. Observe en la tabla
1.1 cmo la resistividad tambin difiere por una relacin de aproximadamente 1000 : 1 con el
silicio, teniendo, por tanto, un mayor valor. Por supuesto, ste debe ser el caso, debido a que la
resistividad y la conductividad son inversamente proporcionales.
Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar un incremento
sustancial en el nmero de electrones libres en el material.
Segn aumenta la temperatura desde el cero absoluto (O K), un nmero mayor de
electrones de valencia absorben suficiente energa trmica como para romper la unin
covalente y contribuir as al nmero de portadores libres, segn se describi antes. Este
mayor nmero de portadores aumentar el ndice de conductividad y generar un menor
nivel de resistencia.
Se dice que los materiales semiconductores como el Ge y el Si, que muestran una
reduccin en resistencia con el incremento en la temperatura, tienen un coeficiente
de temperatura negativo.
Quiz el lector recuerde que la resistencia de casi todos los conductores se incrementar
con la temperatura. Esto se debe al hecho de que el nmero de portadores en un conductor no
1.3 Materiales semiconductores 5
Figura 1.8 Niveles de energa: a)
niveles discretos en estructuras
atmicas aisladas; b) bandas de
conduccin y valencia de un
aislador, semiconductor y
conductor.
6
se incrementar significativamente con la temperatura, pero su patrn de vibracin con respec-
to a una localizacin relativamente fija aumentar la dificultad para que los electrones pasen a
travs de ella. Un incremento en la temperatura, por tanto, genera un aumento del nivel de
resistencia y un coeficiente positivo de temperatura.
1.4 NIVELES DE ENERGA
En la estructura atmica aislada existen niveles de energa discretos (individuales) asociados con
cada electrn en una rbita, segn se muestra en la figura 1.8a. Cada material tendr, de hecho, su
propio conjunto de niveles de energa pennisibles para los electrones en su estructura atmica.
Mientras ms distante se encuentre el electrn del ncleo, mayor e:s el estado de
energa, y cualquier electrn que haya dejado a su tomo, tiene un estado de energa
mayor que cualquier electrn en la estructura atmica.
Energa
Banda de energa vaca!
Banda de energa vaca t
etc.
(a)
Energa
Nivel de valencia (capa ms externa)
Segundo nivel (siguiente capa interna)
Tercer nivel (etc.)
.. Ncleo
ElectroneS
Energa
Banda de conduccin "libres" para
f-.,-------'"" establecer la Banda de conduccin
t conduccin --_._
I -.


/ Electrones ~ -
f-'-------,. de valencia
.' unidos a la Banda de valencia e.
: .. ,Banda de y.alencia . estructura
atmica

E = 1.1 eV (Si)
~ = 0.67 eV (Ge)
~ = 1.41 eV (GaAs)
Aislante Semiconductor
(b)
Energa
Las bandas
Banda de conduccin
se traslapan --I;;;:;;;;
Banda de valencia
Conductor
Entre los niveles de energa discretos existen bandas vacas, en las cuales no pueden apa-
recer electrones dentro de la estructura atmica aislada. Cuando los tomos de un material se
unen para formar la estructura de la red cristalina, existe una interaccin entre los tomos que
ocasiona que los electrones dentro de una rbita en particular de un tomo tengan ligeras
diferencias en sus niveles de energa. respecto a los electrones en la misma rbita de un tomo
adjunto. El resultado neto es una expansin de la banda de los niveles discretos de estados de
energa posibles para los electrones de valencia, como se muestra en la figura 1.8b. Observe
que existen niveles y estados de energa mximos en los cuales se puede encontrar cualquier
electrn, y una regin prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionizacin. Recuerde
que la ionizacin es el mecanismo mediante el cual un electrn puede absorber suficiente
Capitulo 1 Diodos semiconductores
energa para separarse de su estructura atmica y entrar en la banda de conduccin. Se obser-
var que la energa asociada con cada electrn se mide en electrn volts (eV). La unidad de
medida es adecuada, porque
I W=QV I
eV (1.2)
segn se deriv de la ecuacin definida para el voltaje V = W /Q. Q es la carga asociada con un
nico electrn.
Sustituyendo la carga de un electrn y una diferencia de potencial de 1 volt en la ecuacin
(1.2) se tiene un nivel de energa referido como un electrn volt. Debido a que la energa
tambin se mide en joules y que la carga de un electrn = 1.6 x 1j}-19 coulomb,
W = QV = (1.6 X 10-
19
C)(I V)
y 1 eV= 1.6XIO-
19
J (1.3)
A O K o cero absoluto (-273.15 OC), todos los electrones de valencia de los materiales
semiconductores se encuentran en la capa exterior del tomo con niveles de energa asociados
con la banda de valencia de la figura 1.8b. Sin embargo, a temperatura ambiente (300 K, 25 oC)
un gran nmero de electrones de valencia han adquirido suficiente energa para dejar la banda
de valencia, y han atravesado la banda de energa vaca definida por Eg en la figura 1.8b y
entrado a la banda de conduccin. Para el silicio Eg es de 1.1 eV, para el germanio 0.67 eV
y para el arseniuro de galio 1.41 e V. Para el germanio, Eg obviamente es menor, y se debe al
gran nmero de portadores en dicho material, comparado al silicio expuesto a temperatura
ambiente. Observe que para el aislante la banda de energa es con frecuencia de 5 eV o ms, lo
cual limita drsticamente el nmero de electrones que pueden entrar a la banda de conduccin
a temperatura ambiente. El conductor tiene electrones en la banda de conduccin aun a O K.
Por tanto, es bastante obvio que a temperatura ambiente existan portadores libres ms que
suficientes para soportar un gran flujo de carga o corriente.
En la seccin 1.5 encontrar que si ciertas impurezas se aaden a los materiales
semiconductores intrnsecos, ocurrirn estados de energa en las bandas prohibidas, lo que
causar una reduccin neta en Eg para ambos materiales semiconductores y, por consecuen-
cia, tambin una mayor densidad de portadores en la banda de conduccin a temperatura
ambiente.
1.5 MATERIALES EXTRNSECOS:
TIPO n Y TIPO p
Las caractersticas de los materiales semiconductores pueden ser alteradas significativamente
por la adicin de ciertos tomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro.
Estas impurezas, aunque slo haya sido aadida 1 pane en \O millones, pueden alterar en
forma suficiente la estructura de la banda y cambiar totalmente las propiedades elctricas del
material.
Un material semiconductor que haya sido sujeto al proceso de dopado se denomina
un material exmnseco.
Existen dos materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin de dispositivos
senticonductores: el tipo n y el tipo p. Cada uno se describir con detalle ms adelante.
Material tipo n
Tanto el material tipo n como el tipo p se forman mediante la adicin de un nmero predetermi-
nado de tomos de impureza al gennanio o al silicio. El tipo n se crea a travs de la introduccin
de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el
antimonio, arsnico y fbsforo. El efecto de estos elementos impuros se indica en la figura 1.9
1.5 Materiales extrnsecos: tipo n y tipo p 7
8
Figura 1.9 Impureza de antimonio
en el material tipo n.
(utilizando el antimonio como impureza en el silicio). Observe que las cuatro uniones covalentes
an se encuentran presentes. Existe, sin embargo, un quinto electrn adicional debido al tomo
de impureza, mismo que se encuentra desasociado de cualquier unin covalente en particular.
Este electrn restante, unido dbilmente a su tomo (antimonio), se encuentra relativamente
libre para moverse dentro del recin formado material tipo n. Debido a que el tomo de impu-
reza insertado ha donado un electrn relativamente "libre" a la estructura:
A 1m; impureZ/lS tlifundJos con cinco electrones de valencll se les l/mnll tomos donares.
Es importante comprender que, aunque un nmero importante de portadores "'libres" se
han creado en el material tipo n, ste an es elctricamente neutral, debido a que de manera
ideal el nmero de protones cargados positivamente en los ncleos es todava igual al nmero
de electrones 'libres" cargados negativamente y en rbita en la estructura.
El efecto de este proceso de dopado sobre la conductividad relativa se describe mejor a
travs del diagrama de bandas de energa de la figura 1.10. Observe que un nivel de energa
discreto (llamado el nivel del donor) aparece en la banda prohibida con un Eg significativamente
menor que aquel del material intrnseco. Aquellos electrones "libres" que se deben a la impu-
reza aadida se sitan en este nivel de energa, y tienen menor dificultad para absorber la
energa trmica suficiente para moverse a la banda de conduccin a temperatura ambiente. El
resultado es que a temperatura ambiente existe un gran nmero de portadores (electrones) en el
nivel de conduccin, y la conductividad del material aumenta en forma significativa. A tempe-
ratura ambiente en un material de Si intrnseco existe aproximadamente un electrn libre por
cada 10
12
tomos (uno por cada 10
9
para Ge). Si el nivel de "dosificacin" fuera de 1 en 10
millones (lO'), la proporcin (10
12
110
7
= 10
5
) indicaria que la concentracin de portadores se
ha incrementado en una proporcin de 100,000 : l.
Energa


Eg = 0.05 eV (Si).O.Ol eV CGe)
Es como antes
Nivel de energa del donor
Figura 1.10 Efecto de las impurezas del donor sobre la estructura
de la banda de energa.
Capitulo l Diodos semiconductores
Material tipo p
El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con
tomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. Los elementos que se utilizan
con mayor frecuencia para este propsito son el boro, galio e indio. El efecto de alguno de
estos elementos, como el boro sobre el silicio, se indica en la figura 1.11.
Figura 1.11 Impureza de boro en
el material tipo p.
Observe que ahora existe un nmero de electrones insuficiente para completar las uniones
covalentes de la red cristalina recin fonnada. A la vacante que resulte se le llama hueco, y est
representado por un pequeo crculo o signo positivo debido a la ausencia de una carga nega-
tiva. Por tanto, la vacante resultante aceptar con facilidad un electrn "libre"':
A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como tomos
aceptores.
El material resultante tipo p es elctricamente neutro, por las mismas razones descritas
para el material tipo n.
Flujo de electrones comparado con flujo de huecos
El efecto del hueco sobre la conduccin se muestra en la figura 1.12. Si un electrn de valencia
adquiere suficiente energa cintica para romper su unin covalente y llena un hueco. entonces
se crear un hueco en la unin covalente que liber el electrn. Sin embargo, existe una trans-
ferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha, segn se muestra en la
figura 1.12. La direccin que se utilizar en el texto es la del flujo convencional, el cual se
indica por la direccin del flujo de huecos .

Flujo de huecos

Flujo de electrones
FIgUra 1.12 Flujo de electrones en funcin de flujo de huecos.
1.5 Materiales extrnsecos: tipo R y tipo p 9
10
Portadores mayoritarios y minoritarios
En el estado intrnseco, el nmero de electrones libres en Ge o en Si se debe slo a aquellos
electrones en la banda de valencia que han adquirido suficiente energa de las fuentes trmicas
o lumnicas para romper la unin covalente o a las pocas impurezas que no pudieron eliminar-
se. Las "vacantes" dejadas atrs en la estructura de uniones covalentes representan una canti-
dad muy limitada de huecos, En un material tipo n, el nmero de huecos no ha cambiado de
manera significativa de su nivel intrnseco, El resultado neto, por tanto, es que el nmero
de electrones supera por mucho el nmero de huecos. Por esta razn:
En un material tipo n (figura 1,13a) al electrn se le llama portador mayoritario y el
hueco es el portador minoritario.
Para el material tipo p el nmero de huecos supera por mucho el nmero de electrones,
como se muestra en la figura 1.13b. Por tanto:
En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrn es el portador
minoritario.
Cuando el quinto electrn de un tomo donor deja a su tomo, el tomo restante adquiere
una carga positiva neta: de ah el signo positivo en la representacin del ion donar. Por razones
anlogas, el signo negativo aparece en el ion aceptor.
Los materiales tipo n y p representan los bloques de construccin bsicos de los dispositi-
vos semiconductores. En la siguiente seccin se encontrar que la "unin" de un solo material
tipo n con un material tipo p tendr por resultado un elemento semiconductor de importancia
considerable en los sistemas electrnicos.
Iones donores
Tipo n
Ponadores
mayoritarios
Portadores
minoritarios
Figura 1.13 a) material tipo n; b) material tipo p.
Portadores
mayoritarios
1.6 DIODO SEMICONDUCTOR
Iones aceptores
Tipop
Portadores
minoritarios
En la seccin 1.5 se presentaron tanto los materiales tipo n como tipo p, El diodo semiconductor
se fonna con slo juntar estos materiales (construidos en la misma base: Ge o Si), segn se
muestra en la figura 1.14, utilizando tcnicas que se describirn en el captulo 20, En el mo-
mento en que son "unidos" los dos materiales, los electrones y los huecos en la regin de la
unin se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la regin cercana a la unin.
A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin de
agotamiento, debido al agotamiento de portadores en esta regin.
Como el diodo es un dispositivo de dos tenninales, la aplicacin de un voltaje a travs de
sus terminales permite tres posibilidades: sin polarizacin (VD = O V), polarizacin directa
(VD> O V) Y polarizacin inversa (VD < O V), Cada una es una condicin que dar un resultado
que el usuario deber comprender con claridad para que el dispositivo se aplique en forma
efectiva.
Captulo l Diodos semiconductores
Flujo de portadores minoritarios

1"
FluJo de ponadores mayoritarios
p
tzD DmA
"------0+
VD DV
(sin polarizacin)
Sin polarizacin aplicada (VD = O V)
n
Bajo condiciones -sin polarizacin, cualquiera de los portadores minoritarios (huecos) en el
material tipo n que se encuentren dentro de la regin de agotamiento, pasarn directamente
al material tipo p. Mientras ms cercano se encuentre el portador minoritario a la unin, mayor
ser la atraccn de la capa de iones negativos y menor la oposicin de los iones positivos en la
regin de agotamiento del material tipo n. Con la idea de que surjan anlisis futuros, se supone
que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se localizan en la regin de agota-
miento debido a su movimiento aleatorio pasarn directamente al material tipo p. Se puede
considerar que algo similar pasa con los portadores minoritarios (electrones) del material tipo
p. Este flujo de portadores se indica en la figura 1.14 para los portadores minoritarios de cada
materiaL
Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben sobreponerse a las fuer-
zas de atraccin de la capa de iones positivos del material tipo n, y a la capa de iones negativos
en el material tipo p, con el fin de migrar hacia el rea localizada ms all del rea de agota-
miento del material tipo p. Sin embargo, en el material tipo n el nmero de portadores mayori-
tarios es tan grande que invariablemente habr un pequeo nmero de portadores mayoritarios
con suficiente energa cintica para pasar a travs de regin de agotamiento hacia el material
tipo p. Una vez ms, la misma consideracin se puede aplicar a los portadores mayoritarios
(huecos) del material tipo p. El flujo resultante debido a los portadores mayoritarios tambin se
describe en la figura 1.14.
,Si se examina con cuidado la figura 1.14, se observar que las magnitudes relativas de los
vectores de flujo son tales que el flujo neto en cualquier direccin es igual a cero. Esta cance-
lacin de los vectores se indica por medio de las lneas cruzadas. La longitud del vector que
representa el flujo de huecos se dibuj en una escala mayor que el flujo de los electrones con
objetO de demostrar que la magnitud de cada uno no necesariamente debe ser la misma para la
cancelacin del flujo, y que los niveles de dopado para cada material pueden dar como resulta-
do un flujo de portadores desigual de electrones y huecos. En resumen:
En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de la carga en
cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero.
1.6 Diodo semiconductor
Figura 1.14 Unin p-n sin
polarizacin externa.
JI
Figura 1.15 Condiciones para un
diodo semiconductor sin
polarizacin.
+
o I ~ M < o
_t,
(Opuestos)
Figura 1.17 Condiciones de
polarizacin inversa para un
diodo semiconductor.
12
El smbolo para el diodo se repite en la figura 1.15 con las regiones tipo n y tipo p asocia-
das. Observe que la flecha est asociada con el componente tipo p y la barra con la regin de
tipo n. Como se indic, para VD = O V, la corriente en cualquier direccin es O roA.
Condicin de polarizacin inversa (VD < O V)
Si un potencial externo de V volts se aplica a travs de 1,,: unin p-n de tal forma que la
terminal positiva se encuentre conectada con el material tipo n y la terminal negativa est
conectada con e1 materia1 tipo p como se muestra en la figura 1.16, el nmero de iones
positivos en la regin de agotamiento del material tipo n se incrementar debido al gran
nmero de electrones "libres" atrados por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por
razones similares, el nmero de iones negativos se incrementar en el material tipo p. El
efecto neto, por tanto, es una ampliacin de la regin de agotamiento. Dicha ampliacin
establecer una barrera de potencial demasiado grande para ser superada por los portadores
mayoritarios, adems de una reduccin efectiva del flujo de los portadores mayoritarios a
cero, como se muestra en la figura 1 .16 .
.......-- l., Flujo de portadores minoritarios
1 ,_:::0
mayoruarlO
p '---------,---- n
Regin de agotamiento
+
Figura 1.16 Unin p-n con polarizacin
inversa.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estn entrando a la regin de
agotamiento no cambiarn, y dan como resultado vectores de flujo de portadores minoritarios
de la misma magnitud que sin voltaje aplicado, como lo indica la figura 1.14.
A la corriente que existe bajo las condiciones de polariUlcin inversa se le llama
corriente de saturacin inversa, y se representa mediante Is'
La corriente de saturacin inversa rara vez es mayor que unos cuantos microamperes, con
excepcin de los dispositivos de alta potencia. De hecho, en aos recientes se encontr que su
nivel est casi siempre en el rango de nanoamperes para dispositivos de silicio, y en el rango de
microamperes para el germanio. El trmino saturacin proviene del hecho de que alcanza su
mximo nivel con rapidez y no cambia de manera significativa con el incremento del potencial
de polarizacin inversa, como se muestra en las caractensticas de los diodos de la figura 1.19
para VD < O V. Las condiciones de polarizacin inversa se describen en la figura 1.17 para el
smbolo de diodo y la unin p-n. Observe, en particular, que la direccin de 1, es contra la
flecha del smbolo. A su vez, que el potencialaegativo est conectado al materia! tipo p y el
potencial positivo a! material tipo n, y que la diferencia en las literales subrayadas para cada
regin revela una condicin de polarizacin inversa.
Condicin de polarizacin directa (VD> O V)
Una condicin de polarizacin directa O "encendido" se establece al aplicar el potencial posi-
tivo al materia! tipo p y el potencia! negativo al materia! tipo n, como lo muestra la figura 1.18.
Por tanto, para mayor referencia:
Un diodo semiconductor tiene po/arizacibn directa cuando se ha establecido la
asociacin tipo p y positivo y tipo n y negativo.
Captulo 1 Diodos semiconductores
_1, }
. )' Imavoril:mo ID = lmayom:mo - 1,

+ 8 + C<r.'
+8+8
p n
Regin de agotamiento
+
VD
Figura 1.18 Unin p-n con polarizacin
directa.
La aplicacin de un potencial de polarizacin directa VD "presionar" los electrones en el
material tipo n y los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones cercanos
a la unin y reducir el ancho de la regin de agotamiento como se indica en la figura 1.18. El
flujo de electrones, portadores minoritarios, del material tipo p al material tipo n (y de los huecos
del material tipo n al material tipo p) no ha cambiado en magnitud (debido a que el nivel de
conduccin se encuentra controlado bsicamente por el nmero limitado de impurezas en el
material), pero la reduccin en el ancho de la regin de agotamiento ha generado un gran flujo
de portadores mayoritarios a travs de la unin. Ahora, un electrn de material tipo n "observa"
una barrera muy reducida en la unin. debido a la pequea regin de agotamiento y a una fuerte
atraccin del potencial positivo aplicado al material tipo p. Mientras se incremente en magnitud
la polarizacin aplicada, la regin de agotamiemo continuar disminuyendo su anchura hasta que
un flujo de electrones pueda pasar a travs de la unin, lo que da como resultado un incremento
exponencial en la corriente, como se muestra en la regin de polarizacin directa de las caracte
J
ID(mA)
I
20
I
19
Ec. (1.4) I
-
lB
Unidad real disponible-
17
en el mercado
- -
I
16
15
I
I
14
I
l3
I
12
Polarizacin definida y -
II direccin para la grfica -
10
VD
-
+

-
9
,-
8 -ID
-
I
7
Regin de polarizacin directa
6
(VD>OV,ID>OmA)
I
5
I
4
I
I
1/
3
I
2
/
1,
1
,
,/
-40 -30 -20 -\0
r->::0.3
05 0.7 1
V
f
-0.1
Ji
Regin de polarizacin inversa
--O.21J.A
(VD=OV,ID=OmA)
(VD<OV,lD=-Is>T
- -0.3 .LA
1 11
1 I
-?4 .LA
I I I I
D (V)
1.6 Diodo semiconductor
Figura 1.19 Caractersticas del
diodo semiconductor de silicio.
13
}
I
o 2
Figura ].20 Grfica de ex.
(Similares)
x
figura 1.21 Condiciones de
polarizacin directa para un diodo
semiconductor.
14
rsticas de la figura 1.19. Observe que la escala vertical de la figura 1.19 est en miliamperes
(aunque algunos diodos semiconductores tendrn una escala vertical en amperes), y la escala
horizontal en la regin de polarizacin directa tiene un mximo de 1 V. Por tanto, en general, el
voltaje a travs de un diodo de polarizacin directa ser de menos de 1 V. Observe tambin la
rapidez con que se incrementa la corriente despus del punto de inflexin de la curva de respuesta.
A travs del empleo de la fsica del estado slido se puede demostrar que las caractersti-
cas generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la ecuacin siguiente
para las regiones de polarizacin directa e inversa:
(1.4)
donde Is = corriente de saturacin inversa
K = 11 ,600 / 1) con 1) = 1 para Ge y 1) = 2 para Si en niveles relativamente bajos de
corriente del diodo (en o abajo del punto de inflexin de la curva) y 1) = 1 para Ge
y Si en mayores niveles de corriente del diodo (en la seccin de crecimiento
rpido de la curva)
T
K
= T
c
+273
En la fIgura 1.19 se ofrece una grfIca de la ecuacin (1.4). Si se expande la ecuacin (1.4)
en la forma siguiente, se puede describir con facilidad el componente de contribucin para
cada regin de la figura 1.19:
Para valores positivos de VD' el primer trmino de la ecuacin anterior crecer con mayor
rapidez, y superar el efecto del segundo trmino. El resultado ser positivo para los valores
positivos de V v e [v' y crecer de la misma manera que la funcin y = ex, la cual aparece en la
figura 1.20. En V
v
=0 V, la ecuacin (1.4) se convierte en Iv = [,(e0 - 1) =IP - 1) = O mA, como
aparece en la fIgura 1.19. Para valores negativos de V v' el primer trmino disminuir rpidamen-
te debajo de 1" dando como resultado Iv =-1" que es la lnea horizontal de la figura 1.19. La ruptura
de las caractersticas en V v = O V se debe slo al cambio drstico en la escala de mA a !LA.
Observe en la figura 1.19 que la unidad comercial disponible tiene caractersticas que se
encuentran desplazadas a la derecha por unas cuantas dcimas de un volt. Esto se debe a la
resistencia interna del "cuerpo" y a la resistencia externa de "contacto" de un diodo. Cada una
contribuye a un voltaje adicional sobre el mismo nivel de corriente, como lo determina la ley
de Ohm (V = IR). Con el tiempo, mientras se mejoran los mtodos de produccin, esta diferen-
cia disminuir y las caractersticas reales se aproximarn a aquellas de la seccin (1.4).
Es importante observar el cambio en la escala para los ejes vertical y horizontal. Para
los valores positivos de ID' la escala se encuentra en miliamperes y la escala de la corriente
abajo del eje se calcula en microamperes (o posiblemente nanoamperes). Para Vv' la escala
para los valores positivos est en dcimas de volts y para los valores negativos la escala es
en decenas de volts.
En un principio, la ecuacin (l.4) parece algo compleja y es susceptible de generar un
temor injustificado de que sta se someter a todas las aplicaciones subsecuentes de diodos.
Sin embargo, afortunadamente en una seccin posterior se har un nmero de aproximaciones
que eliminar la necesidad de aplicar la ecuacin (1.4) Y ofrecer una solucin con un mnimo
de dificultad matemtica.
Antes de dejar el tema del estado de polarizacin directa, las condiciones para la conduccin
(el estado "encendido") se repiten en la fIgura 1.21 con los requerimientos de polaridad y la
direccin resultante del flujo de portadores mayoritarios. Observe en particular cmo la direc-
cin de la conduccin concuerda con la flecha en el smbolo (segn se revel para el diodo ideal).
Regin Zener
Aunque la escala de la figura 1.19 se encuentra en mltiplos de diez volts en la regin negativa,
existe un punto en el cual la aplicacin de un voltaje demasiado negativo dar por resultado un
agudo cambio en las caractersticas, como lo muestra la figura 1.22. La corriente se incrementa
Captulo 1 Diodos semiconductores
V
/
, \
,
,
1-- Regin
Zener
t
o
figura 1.22 Regin Zener.
a una velocidad muy rpida en una direccin opuesta a aquella de la regin de voltaje positivo.
El potencial de polarizacin inversa que da como resultado este cambio muy drstico de las
caractersticas se le llama potencial Zener y se le da el smbolo V
z
.
Mientras el voltaje a travs del diodo se incrementa en la regin de polarizacin inversa, la
velocidad de los portadores minoritarios responsables de la corriente de saturacin inversa (
tambin se incrementarn. Eventualmente, su velocidad y energa cintica asociada (W K :=
: mv
1
) ser suficiente para liberar portadores adicionales por medio de colisiones con otras
estructuras atmicas estables. Esto es, se generar un proceso de ionizacin por medio del cual
los electrones de valencia absorben suficiente energa para dejar su tomo. Dichos portadores
adicionales pueden luego ayudar al proceso de ionizacin, hasta el punto en el cual se estable-
ce una gran corriente de avalancha que determina la regin de ruptura de avalancha.
La regin de avalancha (V
z
) se puede acercar al eje vertical al incrementar los niveles de:
dopado en los materiales tipo p y tipo n. Sin embargo, mientras V
z
disminuye a niveles muy
bajos, como -5 V, otro mecanismo llamado ruptura Zener contribuir con un cambio agudo en
la caracterstica. Esto ocurre debido a que existe un fuerte campo elctrico en la regin de la
unin que puede superar las fuerzas de unin dentro del tomo y "generar" portadores. Aunque el
mecanismo de ruptura Zener es un contribuyente significativo slo en los niveles ms bajos de V
z

este cambio rpido en la caracterstica a cualquier nivel se denomina regin Zener, y los diodos que
utilizan esta porcin nica de la caracterstica de una unin p-n son los diodos Zener. Estos
diodos se describen en la seccin 1.14.
La regin Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta de un
sistema no debe ser alterada completamente por el severo cambio en las caractersticas de esta
regin de voltaje inverso.
El mximo potencial de polarizacin inversa que puede ser aplicado antes de entrar a
la regin Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el
valor PIV, por las iniciales en ingls de: Peak Inverse Voltage) o PRV, por las
iniciales en ingls de: Peak Reverse Voltage).
Si una aplicacin requiere de un valor PIV mayor que el de una sola unidad. se deben
conectar en serie un nmero de diodos de la misma caracterstica. Los diodos tambin se
conectan de manera paralela para aumentar la capacidad de transporte de corriente.
Silicio en funcin de germanio
Los diodos de silicio tienen, en general, un PIV y un valor de corriente ms altos, y rangos ms
amplios de temperatura que los diodos de germanio. Los valores PIV para el silicio pueden
encontrarse en la vecindad de 1000 V, mientras que el valor mximo para el germanio est ms
cel:ca de los 400 V. El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura
puede aumentar a cerca de 200 oC (400F), mientras que el germanio tiene un valor mximo
mucho menor (lOO OC). Sin embargo, la desventaja del silicio, comparado con el gennanio,
segn se indica en la figura 1.23, es el mayor voltaje de polarizacin directa que se requiere
1.6 Diodo semiconductor 15
16
1, (Si)=O.OI pA= lOnA
Vz(Si) Vz(Ge)
t
Si Ge
30
25
20
lS
lO
5
~
t
J, (Ge)
lo (roA)
D.l 0.2
1 A
2 }.lA
~
G, Si
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 VD (V)
VT(Ge) VT(Si)
FIgUra 1.23 Comparacin de diodos
semiconductores de Si y Ge.
para alcanzar la regin de conduccin. ste suele ser del orden de 0.7 V de magnitud para los
diodos de silicio disponibles en el mercado, y 0.3 V para diodos de germanio cuando se redon-
dea a la siguiente dcima. La mayor variacin para el silicio se debe, bsicamente, al factor r
en la seccin (lA). Este factor toma parte en la determinacin de la forma de la curva slo en
niveles de corriente muy bajos. Una vez que la curva empieza su crecimiento vertical, el factor
r cae a 1 (el valor continuo del germanio). Esto es evidente por las similitudes en las curvas
una vez que el potencial de conduccin se ha alcanzado. El potencial por el cual ocurre este
crecimiento se conoce como potencial de conduccin de umbralo de encendido. Con frecuen-
cia, la primera letra de un trmino que describe una cantidad en particular se usa en la notacin
para dicha cantidad. Sin embargo, para asegurar un mnimo de confusin con otros trminos,
como el voltaje de salida (VD' por las iniciales en ingls de: output) y el voltaje de polarizacin
directa (V
p
por la inicial en ingls de:forward), la notacin Vrha sido adaptada para este libro
por la palabra "umbral" (por la inicial en ingls de: threshold).
En resumen:
V
T
= 0.7 (Si)
V
T
= 0.3 (Ge)
Obviamente, mientras ms cercana al eje vertical es la excursin, ms cerca de lo "ideal" est
el dispositivo. Sin embargo. las otras caractersticas del silicio comparadas con el germanio lo
hacen ser el elegido en la mayor parte de las unidades disponibles en el mercado.
Efectos de la temperatura
La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las caractersticas de un diodo
semconductor de silicio, segn se comprob mediante un diodo de silicio tpico en la figura
1.24. A partir de mltiples experimentos se encontr que:
La corriente de saturacin inversa ls ser casi igual al doble en magnitud por cada
10C de incremento en la temperatura.
Capitulo 1 Diodos semiconductores
(V)
'fl
lO
I
ID (mA)
(392F)
200C 100C 25C
12
I I
I
I
I
lO
I
I

I
I
8 ,
I
T
f---H---i--I::::=p-1F
I
_=. (punto de ebullicin
del ag.ua)
,
I
6

J-----';""
ambiente)
4 f-----fl-,--If---f'--+----1
I /1
, I /1 ./
2 I--+-l'-h//I-- ... rl:".. '---+-----1
/...%:: ....... ('
..................................
,-- ---1--------1--1
- _1- - - - - - - _/f- 2
(1 ;
,: - 3
I I ,
1:
(!lA)
0.7 1 1.5 2
Figura 1.24 Variacin en las
caractersticas de los diodos con
el cambio de temperatura.
No es poco frecuente que un diodo de germanio con un 1, del orden de 1 o 2 .LA a 25 oC
tenga una corriente de fuga de 100).lA = 0.1 roA a una temperatura de 100 oc. Los niveles de
corriente de esta magnitud en la regin de polarizacin inversa con seguridad cuestionaran la
condicin deseada de circuito abierto en la regin de polarizacin inversa. Los valores tpicos
de lo para el silicio son mucho menores que para el germanio para unos niveles similares de
potencia y corriente, segn se mostr en la figura 1.23. El resultado es que an a mayor tempe-
ratura.los niveles de 1, para los diodos de silicio no alcanzan los mismos altos niveles que para
el germanio, una razn muy importante para que los dispositivos de silicio tengan un nivel
significativamente mayor de desarrollo y utilizacin en el diseo. Fundamentalmente, el equi-
valente de circuito abierto en la regin de polarizacin inversa es mejor a cualquier temperatu-
ra con silicio en lugar de gennanio.
Los niveles de 1, aumentan a mayortemperatura con niveles menores del voltaje de umbral.
como se muestra en la figura 1.24. Simplemente, al incrementar el nivel de 1, en la ecuacin (lA)
observe el rpido incremento en la corriente del diodo. Desde luego, el nivel de T
K
tambin se
incrementar en la misma ecuacin, pero el mayor valor de Is sobrepasar el menor cambio
en porcentaje en T K' Mientras la temperatura mejora las caractersticas en polarizacin directa, en
realidad se convierten en caractersticas ms "ideales", pero cuando se revisan las hojas de espe-
cificacin se encuentra que las temperaturas ms all del rango de operacin normal pueden tener
un efecto muy perjudicial en los niveles de potencia y corriente mximas del diodo. En la regin
de polarizacin inversa, el voltaje de ruptura se incrementa con la temperatura, pero observe
tambin el incremento no deseado en la corriente de saturacin inversa.
1. 7 NIVELES DE RESISTENCIA
Cuando el punto de operacin de un diodo se mueve desde una regin a otra, la resistencia del
diodo tambin cambiar debido a la forma no lineal de la curva caracterstica. En los siguientes
prrafos se demostrar cmo el tipo de voltaje o seal aplicado definir el nivel de la resisten-
cia de inters. Se presentarn tres niveles diferentes en esta seccin, pero aparecern de nuevo
cuando se analicen otros dispositivos. Por tanto, es muy importante que su detenninacin se
comprenda con claridad.
1.7 Niveles de resistencia
17
EJEMPLOl.l
18
Resistencia en dc o esttica
La aplicacin de un voltaje de a UD circuito que contiene un diodo semiconductor tendr por
resultado un punto de operacin sobre la curva caracterstica que no cambiar con el tiempo. La
resistencia del diodo en el punto de operacin puede encontrarse con slo localizar los niveles
correspondientes de VD e ID como se muestra en la figura 1.25 y aplicando la siguiente ecuacin:
( 1.5)
Los niveles de resistencia en de en el punto de inflexin y hacia abajo sern mayores que
los niveles de resistencia que se obtienen para la seccin de crecimiento vertical de las carac-
tersticas. Como es natural, los niveles de resistencia en la regin de polarizacin inversa sern
muy altos. Debido a que, por lo regular, los hmetros utilizan una fuente de comente relativa-
mente constante, la resistencia determinada ser en el nivel de corriente predeterminado (casi
siempre unos cuantos miliamperes).
ID (mA)
Figura 1.25 Determinacin de la
resistencia en dc de un diodo en un
punto de operacin en parti<:utar.
Determine los niveles de resistencia en de para el diodo de la figura 1.26 en
a) ID = 2rnA
b) ID=20rnA
e) VD = -10 V
30
_ Silicio
20 ------------
10
_
.... ----+0 0.5 0.8 VD (V)
lIlA
Solucin
a) EnI
D
=2rnA, V
D
=0.5 V (de la curva) y
0.5 V
= 2500
2rnA
Captulo 1 Diodos semiconductores
FIgura 1.26 Ejemplo L L
b) En ID = 20 rnA, VD = 0.8 V (de la curva) y
VD 0.8 V
R
D
= - = = 400
ID 20 rnA
c) En VD=-lOV,ID=-I,=-lpA(delacurva)y
VD 10V
R
D
= - = -- = 10 MO
ID 1 pA
Es obvio que se sustentan algunos de los comentarios anteriores con respecto a los niveles de
resistencia de de un diodo.
Resistencia en ac o dinmica
A partir de la ecuacin 1.5 y en el ejemplo l.l resulta obvio que la resistencia en dc de un diodo
es independiente de la forma de la caracterstica en la regin que rodea el punto de inters. Si
se aplica una entrada senoidal en lugar de una entrada de de, la situacin cambiar por comple-
to. La entrada variante desplazar de manera instantnea el punto de operacin hacia arriba y
abajo en una regin de las caractersticas y, por tanto, define un cambio especfico en corriente
y voltaje, como lo muestra la figura 1.27. Sin tener una seal con variacin aplicada, el punto
de operacin sera el punto Q que aparece en la figura 1.27, determinado por los niveles de dc
aplicados. La designacin del punto Q se deriva de la palabra estable (por la inicial en ingls
de: quiescent), que significa "estable o sin
Caracterstica del diodo "--.,
fCfJ' '" ----------
M ___ o - ----- -. : PuntoQ
L ____ , ______ .. ' : (ope"dn de)
Lnea tangente
Figura 1.27 Definicin de la
resistencia dinmica o en ac.
Una lnea recta dibujada tangencialmente a la curva a travs del punto Q, como se muestra en
la figura 1.28, definir un cambio en particular en el voltaje, as como en la corriente que pueden
ser utilizados para detenninar la resistencia en ac o dinmica para esta regin en las caractersti-
cas del diodo. Se debe hacer un esfuerzo para mantener tan pequeo y equidistante como sea
posible el cambio en ei voltaje y en la corriente a cualquier lado del punto Q. En forma de ecuacin,
- donde significa un cambio finito en la cantidad.
I r = I
d dI
(1.6)
d
Mientras mayor sea la pendiente, menor ser el valor de para el mismo cambio en Md y
menor ser la resistencia. La resistencia ac en la regin de crecimiento vertical de la caracters-
tica es, por tanto, muy pequea, mientras que la resistencia ac es mucho ms alta en los niveles
de corriente bajos.
1.7 Niveles de resistencia
FIgura 1.28 Determinacin de la
resistencia en ac en un punto Q.
19
EJEMPLO 1.2
20
Para las caractersticas de la figura 1.29:
a) Determinar la resistencia en ac en ID::;: 2 mA.
b) Detenninar la resistencia en ac en [ D ; 25 mA.
e) Comparar los resultados de los incisos a y b con las resistencias en de a cada nivel.
30
1
I
25
. r
aI
"
20
J
\"v
u"
15
10
5
4 - ............
2 -----------------,.,
o 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 I VI> (V)

aY,}
F.gura 1.29 Ejemplo 1.2.
Solucin
a) Para [D = 2 mA; la lnea tangente en [D ; 2 mA se dibuj como se muestra en la figura y se
eligi una excursin de 2 mA arriba y abajo de la corriente del diodo especificada. En [D =
4 mA; VD = 0.76 Y, Y en[D = O mA; VD = 0.65 V. Los cambios que resultan en la corriente
y el voltaje son
y
y la resistencia en ac:
!J.[d; 4mA - O mA = 4mA
!J.V
d
= 0.76 Y - 0.65 Y = 0.11 Y
!J.V
d
0.11 Y
r = -- = -- = 27.5 O
d !J.[d 4 mA
b) Para [D = 25 mA; la lnea tangente en [D = 25 mA se dibuj como se muestra en la figura
y se eligi una excursin de 5 mA arriba y abajo de la corriente del diodo especificada. En
[D = 30 mA; VD = 0.8 Y, Y en [D = 20 mA; VD = 0.78 V. Los cambios que resultan en la
corriente y el voIta je son
y
y la resistencia ac:
!J.[d = 30mA - 20mA = lOmA
!J.V
d
= 0.8 Y - 0.78 Y = 0.02 Y
!J.V
d
0.02 Y
r
d
=--=--;20
!J.[d 10 mA
Capitulo 1 Diodos semiconductores
e) Para/
v
=2roA, V
v
=0.7Vy
V
v
0.7V
Rv = = -- = 350 Q
Iv 2mA
la cual excede por mucho la r d de 27.5 n.
Para Iv = 25 roA. V
v
= 0.79 V Y
V
v
0.79 V
Rv = - = = 31.62 Q
Iv 25 roA
la cual excede por mucho la r d de 2 n.
Se ha encontrado la resistencia dinmica en forma grfica, pero existe una definicin
bsica en el clculo diferencial que establece:
La derivada de una funcin en un punto es igual a la pendiente de la nea tangente
dibujada en dicho punto.
Por tanto, la ecuacin (l.6), segn se defini en la figura 1.28, consiste, en esencia, encontrar la
derivada de la funcin en el punto Q de operacin. Si se encuentra la derivada de la ecuacin
general (104) para el diodo semiconductor con respecto a la polarizacin directa aplicada y luego
se invierte el resultado, se tendr una ecuacin para la resistencia dinmica o ac en esa regin. Es
decir, tomando la derivada de la ecuacin (104) con respecto a la polarizacin aplicada, se tendr
d d
(lo)
=
- [IsCekVDITK - 1)]
dV
v
dV
dIo
k
y =-(lv+ /,)
dV
o
T
K
siguiendo algunas maniobras bsicas de clculo diferencial. En general, ID >- Is en la seccin de
pendiente venical de las caractensticas y
dl
D
k
-- '" --Iv
dV
o
T
K
Sustituyendo 11;;:;; 1 para Ge y Si en la seccin de crecimiento vertical de las caractersticas, se
obtiene
II ,600 II ,600
k= = =11,600
TI
y a temperatura ambiente
T
K
= Te + 273" = 25
0
+ 273
0
= 298
0
de tal ionna que
k 1l,6OO
=
-
38.93
T
K
298
y
dIo
=
38.931v
dV
D
Invirtiendo el resultado para definir una proporcin de resistencia (R = VIl), se obtiene
dV
o
'" 0.026
dIo Iv
o
26mV I
L-___ I_o _....JGe.s;
rd =
(1.7)
1.7 Niveles de resistencia 21
22
El significado de la ecuacin (1.7) debe comprenderse con claridad. Este implica que la resis-
tencia dinmica se puede encontrar mediante la sustitucin del valor de la corriente en el punto
de operacin del diodo en la ecuacin. No hay necesidad de tener las caractensticas disponi-
bles o de preocuparse per trazar lneas tangenciales como se defmi en la ecuacin (1.6). Sin
embargo, es importante considerar que la ecuacin (l.7) es exacta slo para valores de ID en la
seccin de crecimiento vertical de la curva. Para valores menores de ID' 1] = 2 (silicio) y el
valor obtenido de r
d
se debe multiplicar por un factor de 2. Para los valores pequeos de ID por
abajo del punto de inflexin de la curva,la ecuacin (1.7) resulta inadecuada.
Todos los niveles de resistencia que se han detenninado hasta ahora han sido definidos
para la unin p-n y no incluyen la resistencia del material semiconductor en s (llamada resis-
tencia del cuerpo), y la resistencia que presentan la conexin entre el material del semiconductor
y el o ~ d u t o r metlico exterior (llamada resistencia del contacto). Estos niveles de resistencia
adicionales pueden incluirse en la ecuacin (1.7) al aadir la resistencia denotada por r B como
aparece en la ecuacin (1.8). Por tanto,la resistencia r; incluye la resistencia dinmica defini-
da por la ecuacin 1.7 y la resistencia r B que recin se present.
26mV
r' =: --- + r
B
d 1
D
ohms (1.8)
El factor r B puede tener un rango tpico desde 0.1 O para los dispositivos de alta potencia
a 2 O para algunos diodos de baja potencia y propsitos generales. Para el ejemplo 1.2 la
resistencia ac en 25 mA se calcul como 2 O. Utilizando la ecuacin (l.7) se obtiene
26mV 26mV
rd = -1- = 25mA = 1.04D
D
La diferencia de aproximadamente 1 n se debe tomar como una contribucin de r B'
Para el ejemplo 1.2 la resistencia ac en 2 mA se calcul como de 27.5 Q. Utilizando la
ecuacin (1.7), pero multiplicando por un factor de 2 para esta regin (en el punto de inflexin
de la curva 1] = 2),
(
26m'V\ (26mj
r
d
= 2 ---r 2 -- = 2(130) = 260
ID 2mA
La diferencia de 1.5 Q se debe tomar como una contribucin debida a r B'
En realidad,la determinacin de r d con un alto grado de exactitud de una curva caractenstica
utilizando la ecuacin (1.6) es un proceso difcil, y en el mejor de los casos los resultados deben
manejarse con cuidado. En los niveles bajos de corriente del diodo, el factor r
B
es lo suficiente-
mente bajo comparado con r d como para pennitir que se omita su impacto sobre la resistencia ac
del diodo. En los niveles altos de corriente, el nivel de r B puede acercarse al de r
d
, pero debido a
que con frecuencia habr otros elementos de resistencia de mucho mayor magnitud en serie con
el diodo, a lo largo del libro se supone que la resistencia ac se encuentra determinada slo per r
d
y que el impacto de r B se ignorar a menos que se observe lo contrario. Las mejoras tecnolgicas
de los aos recientes sugieren que el nivel de r B continuar disminuyendo en magnitud, y en
algn momento se convertir en un factor que con seguridad no se tomar en cuenta al compararse
con r
d
,
El anlisis anterior se centr slo en la regin de polarizacin directa. En la regin de
polarizacin inversa se supondr que el cambio en la corriente a lo largo de la lnea 1, es nulo
desde O V hasta la regin Zener, y que la resistencia ac resultante al utilizar la ecuacin (1.6) es
suficientemente alta como para permitir la aproximacin del circuito abierto.
Resistencia en ac promedio
Si la seal de entrada es lo suficientemente grande para producir una gran excursin tal como
lo indica la figura 1.30, a la resistencia asociada con el dispositivo para esta regin se le llama
resistencia en ac promedio. La resistencia ac promedio es, por definicin, la resistencia deter-
Captulo 1 Diodos semiconductores
20
15
tJ
d
10
5
o
ID (mA)
0.1 0,2 0.3 DA 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
-
",V,
Figura 1.30 Determinacin de la resistencia en ac promedio entre
los lmites indicados.
minada por una lnea recta dibujada entre dos intersecciones establecidas por unos valores
mximos y mnimos del voltaje de entrada, En forma de ecuacin (obsrvese la figura 1.30),
L\, Vd 1
r av:::: ..l d punto por punto
(1.9)
Para la situacin indicada por la figura 1.30,
L\,I
d
= 17 mA - 2 mA = 15 mA
y L\,V
d
= 0.725 V - 0.65 v = 0.075 V
con L\,V
d
0.075 V
r,,=--=----=5Q
Md 15 mA
Si la resistencia ac (r
d
) estuviera determinada por ID = 2 mA, su valor no sera mayor a 5 a,
y si fuera determinada a 17 mA, sera menor. En medio, la resistencia ac hara la transicin
desde un valor alto en 2 mA al valor bajo en 17 mA. La ecuacin (1.9) defini un valor que se
considera el promedio de los valores ac de 2 a 17 mA. El hecho de que pueda utilizarse un nivel
de resistencia para tan amplio rango de las caractersticas probar ser bastante til en la defini-
cin de circuitos equivalentes para un diodo en una seccin posterior.
Tabla resumen
La tabla 1.2 se desarroll con objeto de reforzar las importantes conclusiones de las ltimas
pginas y de hacer nfasis en las diferencias entre los diversos niveles de resistencia. Como se
indic antes, el contenido de esta seccin es el fundamento para gran cantidad de clculos de
resistencia que se efectuarn en secciones y captulos posteriores.
1.7 Niveles de resistencia 23
24
TABLA 1.2 Niveles de resistencia
Tipo
DC
o
esttica
AC
o
dinmica
ac
promedio
Ecuacin
b.V
d
26mV
r
d
= --:--
!!.id ID
.6./ d punto a punto
Caractersticas
especiales
Definida como un punto
en las caractersticas
Definida por una lnea
tangencial en el
punto Q
Definida por una lnea
recta entre los lmites
de operacin
Determinacin
grfica
1.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS
Un circuito equivalente es una combinacin de elementos que se eligen en/arma
adecuado. para representar, lo mejor posible, las caractersticas terminales reales de
un dispositivo, sistema o similar en una regin de operacin en particular.
En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalente. el smbolo del dispositivo
puede eliminarse de un esquema, e insertar el circuito equivalente en su lugar sin afectar de
forma severa el comportamiento real del sistema. El resultado es a menudo una red que puede
resolverse mediante el empleo de tcnicas tradicionales de anlisis de circuitos.
Circuito equivalente de segmentos lineales
Una tcnica para obtener un circuito equivalente para un diodo consiste en aproximar las
caractersticas del dispositivo mediante segmentos lineales. como se muestra en la figura 1.31.
Como es natural, al circuito equivalente que resulta se le llama circuito equivalente de segmen-
tos lineales. A partir de la figura 1.31 debe resultar obvio que los segmentos lineales no resultan
ser una duplicacin exacta de las caractersticas reales, sobre todo en la regin de inflexin de
la curva de respuesta. Sin embargo, los segmentos resultantes son lo suficientemente cercanos
a la curva real como para establecer un circuito equivalente, que ofrecer una excelente prime-
ra aproximacin al comportamiento real del dispositivo. Para la seccin con pendiente del
equivalente, el nivel de resistencia ac promedio que se present en la seccin 1.7 es la resisten-
cia que aparece en el circuito equivalente de la figura 1.32, a continuacin del dispositivo real.
En esencia, define el nivel de resistencia cuando se encuentra en el estado "encendido". El
diodo ideal se incluye con el fin de establecer que existe una nica direccin de conduccin a
Captulo 1 Diodos semiconductores
26mV/ID
Q
l
()
+
o
ID (mA)
0.7\1 O.sV VD (V)
(Vj)
F1gura 1.31 Definicin del circuito
equivalente de segmentos lineales
mediante el empleo de segmentos de
linea recta para aproximar la curva
caracterstica.
FIgura 1.32 Componentes del circuito equivalente de segmentos lineales.
travs del dispositivo. y se generar una condicin de polarizacin inversa en el estado de circui-
to abierto para el dispositivo. Debido a que un diodo semiconductor de silicio no alcanza el
estado de conduccin hasta que VD alcanza 0.7 V con una polarizacin directa (segn se muestra
en la figura 1.31), debe aparecer una batera V
r
que se opone a la conduccin en el circuito
equivalente segn se muestra en la figura 1.32. La batera slo especifica que el voltaje a travs
del dispositivo debe ser mayor que el umbral del voltaje de la batera antes que pueda establecer-
se la conduccin a travs del dispositivo en la direccin que dicta el diodo ideal. Cuando se
establezca la conduccin, la resistencia del diodo ser el valor especificado de '".
Sin embargo, tenga en cuenta que V T en el circuito equivalente no es una fuente de voltaje
independiente. Si se coloca un voltmetro a travs de un diodo aislado encima de una mesa de
laboratorio, no se obtendr una lectura de 0.7 V. La batera slo representa el defasamiento
horizontal de las caractersticas que deben excederse para establecer la conduccin.
Por lo regular, el nivel aproximado de r ay puede determinarse a partir de un punto de
operacin en la hoja de especificaciones (la cual se analizar en la seccin 1.9). Por ejemplo,
para un diodo semiconductor de silicio, si IF = 10 mA (una comente de conduccin directa en
el diodo) a VD = 0.8 V, se sabe que para el silicio se requiere un cambio de 0.7 V antes que haya
conduccin y
segn se obtuvo para la figura 1.30.
0.8 V - 0.7V
lOmA - DmA
Circuito equivalente simplificado
=
0.1 V
lOmA
=lOQ
Para la mayor parte de las aplicaciones, la resistencia r
av
es lo suficientemente pequea como
para omitirse en comparacin con otros elementos en la red. La eliminacin de r av del circuito
. 1.8 Circuitos equi-valentes para diodos 25
26
.,... r ~ = O Q
Figura 1.33 Circuito equivalente simplificado para el diodo semiconductor de silicio.
equivalente es la misma que aparece en las caractersticas del diodo, tal como se muestra en la
figura 1.33. Desde luego, esta aproximacin se emplea con frecuencia en el anlisis de circui-
tos semiconductores segn se demuestra en el captulo 2. El circuito equivalente reducido
aparece en la misma figura. ste establece que un diodo de silicio con polarizacin directa en
un sistema electrnico bajo condiciones de de tiene una cada de 0.7 V a travs de l, en el
estado de conduccin a cualquier nivel de corriente del diodo (desde luego, dentro de los
valores nominales).
Circuito equivalente ideal
Ahora que r av se elimin del circuito equivalente se tomar un paso ms, y se establece que un
nivel de 0.7-V puede, a menudo, omitirse, en comparacin con el nivel de voltaje aplicado. En
este caso, el circuito equivalente se reducir al de un diodo ideal, tal como lo muestra la figura
1.34 con sus caractersticas. En el captulo 2 se ver que esta aproximacin suele hacerse sin
perjuicio considerable en cuanto a exactitud.
En la industria, una sustitucin popular para la frase "circuito equivalente de diodo" es
modelo de diodo, un modelo que, por definicin, es la representacin de un dispositivo, objeto
y sistema existente, y as sucesivamente. De hecho, esta terminologa de sustitucin se em-
plear casi de manera exclusiva en los captulos subsecuentes.
figura 1.34 Diodo ideal y sus caractersticas.
Tabla resumen
Por claridad, los modelos de diodos que se utilizan para el rango de parmetros y aplicaciones
de circuito se presentan en la tabla 1.3, con todas sus caractersticas en segmentos lineales.
Cada uno se investigar con mayor detalle en el captulo 2. Siempre existen excepciones a la
regla general, pero es muy cierto que el modelo equivalente simplificado se utilizar con mu-
cha frecuencia en el anlisis de sistemas electrnicos, mientras que el diodo ideal es aplicado
con mayor regularidad en el anlisis de los sistemas de fuente de alimentacin donde se loca-
lizan los mayores voltajes.
Captulo 1 Diodos semiconductores
TABLA 1.3 Circuitos equivalentes para diodos (modelos)
Tipo
Modelo de segmentos
lineales
Modelo
simplificado
Dispositi vo
ideal
Condiciones
Rred ~ v
Ered V
T
Modelo Caractersticas
o
v,
o
v,
o
1.9 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS
Los datos acerca de los dispositivos semiconductores especficos suele presentarlos el fabri-
cante de dos maneras. Es comn que consistan slo de una breve descripcin limitada, a veces
de una pgina. De otra forma, es un extenso examen de las caractersticas con sus grficas,
trabajo artstico, tablas, etc. Sin embargo, en cualquier caso, existen piezas especficas de da-
tos que deben incluirse para una correcta utilizacin del dispositivo. stos incluyen:
l. El voltaje directo V
F
(a una corriente y temperatura especificadas)
2. La corriente directa mxima IF (a una temperatura especificada)
3. La corriente de saturacin inversa IR (a una corriente y temperatura especificadas)
4. El valor de voltaje inverso [PIVo PRV o V(BR), donde BR proviene del trmino "ruptura"
(por la inicial en ingls de: breakdown) (a una temperatura especificada)]
5. El nivel mximo de disipacin de potencia a una temperatura en particular
6. Los niveles de capacitancia (segn se definir en la seccin 1.10)
7. El tiempo de recuperacin inverso t" (como se definir en la seccin 1.11)
8. El rango de temperatura de operacin
Dependiendo del tipo de diodo que se considere, tambin se presentan datos adicionales,
como el rango de frecuencia, el nivel de ruido, el tiempo de conmutacin, los niveles de resis-
tencia trmica y los valores pico repetitivos. Para la aplicacin considerada. el significado de
los datos, en general, ser claro por s mismo. Si se proporciona la mxima potencia o el valor
nominal de disipacin, se entiende que ste es igual al producto siguiente:
(1.10)
donde ID Y VD son la corriente y el voltaje del diodo en un punto de operacin en particular.
1.9 Hojas de especificaciones de diodo"
27
Si se aplica el modelo simplificado para una aplicacin en particular (un caso frecuen-
te), se puede sustituir VD = V
T
= 0,7 V para un diodo de silicio en la ecuacin (1.10), y
determinar la disipacin de potencia resultante para compararla contra el valor de mxima
potencia. Es decir,
Pdi'ip'd' - (0,7 V)/D
(Ul)
DIFUSIN PLANAR DE SILICIO
A--<f---' BV '" 125 V (MIN)@loo!lA(BAY73)
'BV , .. 200 V (MIN) @ 100 !lA (BA 129)
ENCAPSULADO 0035
VALORES NOMINALES MXIMOS ABSOLUTOS (Nota 1)
Temperaturas
B-I-----
Rango de temperao1ra de almacenamiento
Temperatura mxima de operacin de la unin
Temperatura de la ,:anexin
-65C a +200
o
C
+17SoC
+260C
Disipacin de potenda (Nota 2)
c-l----
Disipacin mxima de potencia total a 25 OC de ambiente
Factor de prdida de disipacin de potencia lineal (desde 25 OC)
SOOmW
3.33 mWOC
Voltaje y corriente mximas
WIV Voltaje inverso de trabajo BAY73
BA129
0-1-----
Corriente rectificada promedio
Corriente directa continua
100 V
180V
200mA
500mA
600mA
NOTAS
E
F
G
H
28
Pico de corriente directa repetitivo
Pico de corriente de onda directa
Ancho de pulso = 1 s
Ancho de pulso = 1 J1s
l.OA
4.0A
acero cubierto de cobre
ConexIones doradas dIsponibles
Encapsulado de vIdrio hennhCameme
Peso del paquete de 0.14 gramo;
CARACTERSTICAS EUtCTRICAS (25 Oc temperatura ambiente a menos que se observe lo contrario)
BAY73 BA 129
SMBOLO CARACTERSTICA
MN MX MN MX
UNIDADES CONDICIONES DE PRUEBA
V
F
Voltaje 0.85 1.00 V
IF = 200 mA
0.81 0.94 V I
F
= 100 mA
0.78 0.88 0.78 1.00 V IF = SOmA
0.69 0.80 0.69 0.83 V IF=lOmA
0.67 0.75 V I
f
=5.0mA
0.60 0.68 0.60 0.71 V IF = 0.1 mA
0.51 0.60 V IF = 0.1 mA
IR
Corriente inversa 500 nA V
R
-20V,T
A
- 12S"C
5.0 nA V
R
=
lOOV
1.0
V
R
= lOOV,T
A
= 125C
10 nA V
R
= 180V
5.0 V
R
= 180V.T
A
= 100C
Bv
Voltaje de ruptura 125 200 V IR -
e Capacitancia 8.0 6.0 pF v
R
= O,f - 1.0MHz
t
rr
Tiempo de: recuperacin i versa- 3.0
IF - IOmA,V
R
= 35V
R
L
= 1.0 a lOOkO
C
L
= lOpF,IAN256
NOTAS:
t
2
Estos son valores lmites sobre 10$ cuales el funcionamiento del diodo puede ser daado.
Estos son de estado estables. La fbrica debe ser consultada sobre aplIcaciones que involucran pulsos u operacin con ciclo ele trabajo bajo.
Figura 1.35 Caractersticas elctricas de los diodos de alto voltaje y baja fuga Fairchild BAY73 . BA
129. (Cortesa de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)
Capitulo 1 Diodos semiconductores
Una copia exacta de los datos proporcionados por Fairchild Camera and Instrument
Corporaton para sus diodos de alto voltaje y baja fuga BAY73 y BA 129 aparece en las figuras
1.35 y 1.36. Este ejemplo representara la lista extensa de datos y caractersticas. El trmino
rectificador se aplica a un diodo cuando se emplea con frecuencia en un proceso de rectificacin,
mismo que se describir en el capitulo 2.
-;;
=
"



o
'
(;
-:'i
=

o
.S

E

v
-'
1000
100
10
1.0
001
VOLTAJE DIRECTO CO:-iTRA
CORRIENTE DIRECTA
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
om
V
F
- Voltaje directo - \-'oh!'>
VOLTAJE INVERSO CONTRA
CORRIENTE INVERSA
I ,
,

vl
T" =
,
,
,
-::;;p
I i
I '
:7
i
1
1 i
I
I
, I
I
I
i
I
I
I
I !
,
I
:
I
I
CURVAS CARACTERSTICAS ELCTRICAS TPICAS
a 25 Oc temperatura ambiente a menos que se observe lo contr;lrio
CORRIENTE DIRECTA CONTRA
COEFICIENTE DE TEMPERATURA
500
I
-< toO
E
,

=-
'-
.-
+
, -,
I
1.0
,
O. 1
0.0 1
-X \"
o 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
Te - Coeficiente de temperatura _ mVolC
CORRIENTE INVERSA CONTRA
COEFICIENTE DE TEMPERATURA
5K
IK
v,
125 V
,
I ,
lOO
lO
1.0
0.1
O 25 50 7S 100 125 O 25 50 75 100 125 ISO
V
R
- Voltaje inverso - volts T
A
- Temperatura ambiente _ oC
'2.
"
O

g
e
u
2
5
E
e
U
6.0
50
40
30
2-D
1.0
o
100
10
CAPACITANCIA CONTRA
VOLTAJE INVERSO
,
I
I I i
,
I
,
,
,
,
\'
T !
\.
"'-.
'--';"
I .
,
,
I
i
i
o 4.0 8.0 12 16
V R - Voltaje inverso -
(MPEDANCIA DINMICA
CONTRA DIRECTA
I
I ! I I I I I I
. '. ,
folkH, J



I

Ti
I i
, , , .
, 11
,
I
1.0
,
,
i I I
,
I
I
I I
I
I
I
o.
I !
0.0 I
i
o 1.0 10 100 IK JQK
R
D
-Impedancia dinmica - Q
CORRIENTE RECTIFICADA
PROMEDIO Y CORRIENTE DIRECTA CURVA DE PRDIDA DE
DISIPACiN DE POTENCIA CONTRA TEMPERATURA AMBIENTE
500
1'\ i !
'\ i I
f'\:
I
I
400
i
I
\.
'"
E
,
300
,
I
r\T
I
I I
I
,
i 1'\
i ,
T
2
5

200
100
I I . ,\1
O
O 25 50 75 100 125 ISO 175 200
T
A
- Temperatura ambiente _ oC
Figura 1.36 Caractersticas trmicas de los diodos de alto voltaje Fairchild BAY73 .
BA 129. (Cortesa de Fairchild Camera and lnstrument Corporation.)
500
400
300
200
I I
I ,
;,
I l "'1;
0,
I
I
,
'"
100 f--+-I--+
C
",",;:'
__
O 25 50 75 100 125150 175 200
T
A
- Temperatura ambiente - oC
1.9 Hojas de especificaciones de diodos 29
30
Las reas especficas de las hojas de datos se resaltaron en gris con una letra de identifica-
cin correspondiente a la descripcin siguiente:
A: Los voltajes mnimos de polarizacin inversa (PIV) para cada diodo a una corriente
de saturacin inversa especificada.
B: Caractersticas de temperatura segn se indican. Observe el empleo de la escala Celsius
y un amplio rango de utilizacin [recuerde que 32F = O oC = congelamiento (H,O)
y 212F = 100 oC = ebullicin (Hz)]. -
C: Nivel de disipacin de potencia mximaPo= Vol
o
= 500 mW. El valor de potencia
mxima disminuye a una proporcin de 3.33 mW por grado de incremento en la
temperatura arriba de la temperatura ambiente (25 oC), segn se indica con claridad
en la curva de prdida de disipacin de potencia en la figura 1.36.
D: Corriente directa continua mxima I
F
= 500 mA (observe I
F
en funcin de la
m"
temperatura en la figura 1.36).
E: El rango de valores de V
F
en I
F
= 200 mA. Observe que excede V
T
= 0.7 V para am-
bos dispositivos.
F: El rango de valores de VFen I
F
= 1.0 mA. En este caso, observe cmo los lmites su-
periores se encuentran alrededor de 0.7 V.
G: En V
R
" 20 Vy una temperatura de operacin tpica IR" 500 nA= 0.5 LA, mientras
que a un voltaje inverso mayor IR cae a S nA = 0.005 ..A.
H: El nivel de capacitancia entre las terminales es aproximadamente de 8 pF para el
diodo BAY73 en V
R
= VD = O V (sin polarizacin) y con una frecuencia aplicada de
1 MHz.
1: El tiempo de recuperacin inverso es 3 Ils para la lista de condiciones de operacin.
En algunas de las curvas de la figura 1.36 se utiliza una escala logartmica. Una breve
investigacin de la seccin 11.2 debe ayudar a la lectura de las grficas. Observe, en la figura
superior izquierda, la manera en que V
F
se increment desde cerca de 0.5 V a ms de 1 V,
mientras I F aument de lO ..A a ms de lOO mA. En la figura inferior se encuentra que la
corriente de saturacin inversa cambia un poco con los cambios crecientes de V
R
, pero perma-
nece en menos de 1 nA a temperatura ambiente hasta V
R
= 125 V. Sin embargo, como se
aprecia en la figura adjunta, la comente de saturacin inversa se incrementa con rapidez con el
aumento en la temperatura (tal como se pronostic antes).
En la figura superior derecha se observa cmo disminuye la capacitancia con el incremen-
to en el voltaje de polarizacin inversa, y en la figura inferior se puede ver que la resistencia ac
(r
d
) es slo cercana al Q en lOO mA y aumenta a lOO Q en corrientes menores de 1 mA (segn
se esperaba a partir del anlisis en secciones anteriores).
La corriente rectificada promedio, la corriente directa pico repetitiva y la corriente de
sobrecarga pico, COmo aparecen en la hoja de especificaciones, se definen de la manera
siguiente:
1. Corriente rectificada promedio. Una seal rectificada de media onda (descrita en la sec-
cin 2.8) tiene un valor promedio definido por 1" = 0.318 Ip"o' El valor de la corriente
promedio es menor que las comentes directas continuas o pico repetitivo, porque una for-
ma de onda de corriente de media onda tendr valores instantneos mucho ms altos que el
valor promedio.
2. Corriente directa pico repetitivo. ste es el valor mximO instantneo de la corriente direc-
ta repetitiva. Observe que debido a que se encuentra en este nivel durante un breve periodo,
su nivel puede ser superior al nivel continuo.
,. Corriente de sobrecarga pico. Eu ocasiones, duraute el en.cendido, el mal funcionamiento
y otros factores similares, existirn corrientes muy altas a travs del dispositivo durante
breves intervalos de tiempo (que no Son repetitivos). Este valor nominal define el valor
mximo y el intervalo de tiempo para tales sobrecargas del nivel de corriente.
captulo l Diodos semiconductores
Mientras ms se est en contacto con las hojas de especificaciones, stas se volvern ms
"amistosas" , en particular cuando el impacto de cada parmetro se comprende con mayor
claridad para la aplicacin que se est investigando.
1.10 CAPACITANCIA DE TRANSICIN
Y DIFUSIN
Los dispositivos electrnicos son inherentemente sensibles a las frecuencias muy altas. Casi
todos los efectos relativos a la capacitancia pueden omitirse a bajas frecuencias, debido a que
su reactancia Xc = \l2rtfe es muy grande (equivalente a circuito abierto). Sin embargo, esto no
se puede ignorar a frecuencias muy altas. X" ser lo suficientemente pequeo debido al alto
valor de f para presentar una trayectoria de "corto" de baja reactancia. En el diodo semiconductor
p-n existen dos efectos de capacitancia que deben considerarse. Ambos tipos de capacitancia
se encuentran presentes en las regiones de polarizacin directa y polarizacin inversa, pero
una sobrepasa a la otra de tal manera que en cada regin slo se consideran los efectos de una
sola capacitancia.
En la regin de polarizacin inversa se tiene la capacitancia de la regin de
transicin o de agotamiento (e
T
), mientras que en la regin de polarizacin directa
se tiene la capacitancia de difusin (e J o de almacenamiento.
Recuerde que la ecuacin bsica para la capacitancia de un capacitar de placa'S paralelas
est definida por e = EA/d, donde E es la pertnitividad del dielctrico (aislante) entre las placas
de rea A separada por una distancia d. En la regin de polarizacin inversa existe una regin de
agotamiento (libre de portadores) que, en esencia, se comporta como un aislante entre las
capas de carga opuesta. Debido a que el ancho de esta regin (el) se incrementar mediante el
aumento del potencial de polarizacin inversa, la capacitancia de transicin que resulta dis-
minuir, como lo muestra la figura 1.37. El hecho de que la capacitancia es dependiente del
potencial de polarizacin inverso aplicado, tiene aplicacin en numerosos sistemas electr-
nicos. De hecho, en el captulo 20 se presentar un diodo cuya operacin depende totalmente
de este fenmeno.
Aunque el efecto descrito tambin se encontrar presente en la regin de polarizacin
directa, ste es mucho menor que un efecto de capacitancia directamente dependiente de la
velocidad a la que la carga es inyectada hacia las regiones justo afuera de la regin de agota-
miento. El resultado es que niveles crecientes de corriente resultarn en niveles crecientes de la
capacitancia de difusin. Sin embargo, los niveles crecientes de corriente resultan en niveJes
reducidos de resistencia asociada (lo cual se demostrar ms adelante), y la constante de tiem-
po resultante (r = RC, misma que es muy importante en las aplicaciones de alta velocidad,
porque no se hace excesiva.
C(pF)
15
.
.
I
10
Polarizacin inversa (C
r
)
7
5
7

POlarizacin,directa (C
D
)-
(V) -25 -20 -15 -lO o 0.25 0.5
Figura 1.37 Capacitancia de transicin y de difusin en funcin de la polarizacin
aplicada para un diodo de silicio.
1.10 Capacitancia de transicin y difusin 31
figura 1.38 Se incluye el efecto
de la capacitancia de transicin
o de difusin en el diodo
semiconductor.
32
Los efectos de la capacitancia que se describieron antes se encuentran representados por
un capacitor en paralelo con el diodo ideal, segn se muestra en la figura 1.38. Sin embargo,
para las aplicaciones de baja O mediana frecuencia (excepto en el rea de potencia), por lo
regular, el capacitor no est incluido en el smbolo del diodo.
1.11 TIEMPO DE RECUPERACIN INVERSO
Existen ciertas partes de datos que, por lo general, presentan los fabricantes en las hojas de
especificaciones de diodos. Una de estas cantidades que todava no se ha considerado es el
tiempo de recuperacin inverso, y se denota mediante t
rr
. En el estado de polarizacin directa,
se mostr antes que existe un gran nmero de electrones del material tipo n que pasan a travs
del material tipo p, y un gran nmero de huecos en el tipo n, lo cual es un requisito para la
conduccin. Los electrones en el tipo p y los huecos que se difunden hacia el material tipo n
establecen un gran nmero de portadores minoritarios en cada material. Si el voltaje aplicado
se invierte para establecer una nueva situacin de polarizacin inversa, idealmente se deseara
ver que el diodo cambia de fonna instantnea, del estado de conduccin al de nO conduccin.
Sin embargo, debido a que un gran nmero de portadores minoritarios se localizan en cada
material, la corriente del diodo se invertir como se muestra en la figura 1.39, Y permanecer
en este nivel susceptible de ser medido durante un tiempo t, (tiempo de almacenamiento) que
requieren los portadores minoritarios para retornar a su estado de portadores mayoritarios den-
tro del material opuesto. En el diodo pennanecer en el estado de circuito cerrado con
una corriente linversa determinada por los parmetros de la red. En algn momento, una vez que
ha pasado esta fase de almacenamiento, la corriente se reducir en nivel hasta llegar a aquel
asociado con el estado de no conduccin. Este segundo periodo se denota mediante t, (interva-
lo de transicin). El tiempo de recuperacin inversa es la suma de estos dos intervalos: t
rr
:= t
s
+ t{ Naturalmente, es una consideracin importante en las aplicaciones de conmutacin de
alta velocidad. Casi todos los diodos de conmutacin disponibles en el mercado tienen un t
rr
en
el rango de unos cuantos nanosegundos hasta 1 J.1.s. Sin embargo, hay unidades disponibles con
un t
rr
de slo unos cuantos cientos de picosegundos (10-
12
).
/
Cambio de estado (encendidoapagado)
[dircc.
-'='"""+--i requerido en t = ti'
/' Respuesta deseada
[in\lersa '-_-'-!
1
... " .... 1-,,-

FIgura 1.39 Definicin del tiempo
de recuperacin inverso.
1.12 NOTACIN DE DIODOS SEMICONDUCTORES
La notacin que ms se suele utilizar para los diodos semiconductores se presenta en la figura
1.40. Para la mayor parte de los diodos cualquier marca, como un punto o banda, segn lo
muestra la figura 1.40, aparece en el extremo del ctodo. La terminologa nodo y ctodo es
una herencia de la notacin de bulbos. El nodo se refiere a un potencial mayor O positivo y el
ctodo se refIere a una terminal a un potencial ms bajo o negativo. Esta combinacin de
niveles de polarizacin dar por resultado una condicin de polarizacin directa o "encendido"
para el diodo. En la figura 1.41 aparecen varios diodos semiconductores disponibles en el
mercado. Algunos detalles de la construccin real de dispositivos. como los que aparecen en la
figura 1.41, se explican en los captulos 12 y 20.
Captulo 1 Diodos semiconductores
cb nooo
T r o d ~
Figura 1.40 Notacin de los diodos semiconductores.
(,)
(b)
O', K, etc.
FlgUra 1.41 Varios tipos de diodos de unin. [a) Cortesa de Motorola lnc.; y
b) y e) Cortesa de International Rectifier Corporation.]
1.13 PRUEBA DE DIODOS
(e)
La condicin de un diodo semiconductor se puede detenninar con rapidez utilizando: 1) un
multmetro digital (DDM, por las iniciales en ingls de: digital display meter) con una funcin
de verificacin de diodos, 2) la seccin de medicin de ohms de un multmetro, o 3) un trazador
de curvas.
Funcin de verificacin de diodos
En la figura 1.42 se ilustra un multmetro digital con capacidad de verificacin de diodos.
Observe el pequeo smbolo de diodo en la parte inferior del selector. Cuando se coloca en esta
posicin y se conecta coma se muestra en la figura 1.43a, el diodo debe estar en encendido", y
la pantalla indicar el voltaje de polarizacin directa tal como 0.67 V (para Si). El medidor
tiene una fuente interna de corriente constante (cercana a 2 mA) que definir el nivel de volta-
je, como se muestra en la figura 1.43b. Una indicacin OL al conectar como en la figura 1.43a
revela un diodo abierto (defectuoso). Si las conexiones se encuentran invertidas, debe resultar
una indicacin OL debido a la equivalencia de circuito abierto que se espera para el diodo. Por
tanto, en general, una indicacin OL en ambas direcciones es indicativa de un diodo abierto o
defectuoso.
1.13 Prueba de diodos 33
(hmetro)
R relativamente baja
Terminal roja 1 1 Terminal negra
(VQ) (COM)
+-----' ... --
(a)
R relativamente alta
Terminal negra 1 lTerminal roja
(COM) (Vl)
-'--I .. , - - ,
(b)
Figura 1.44 Verificacin de un
diodo mediante un hmetro.
34
Terminal roja I I Terminal negra
(Vl) t t (COM)
- - - I ~ M - - -
(a)
Prueba con un hmetro
{D (mA)
,t----I
A
o 0.67 V
(b)
Figura 1.42 Multmetro digital con
capacidad de verificacin de diodos.
(Cortesa de Computronics
Technology, Inc.)
Figura 1.43 Verificacin
de un diodo en el estado
de polarizacin directa.
En la seccin 1.7 se encontr que la resistencia en polarizacin directa para un diodo
semiconductor es bastante baja comparada con el nivel de polarizacin inversa. Por tanto, si se
mide la resistencia de un diodo utilizando las conexiones que se sealan en la figura 1.44a,
se puede esperar un nivel relativamente bajo. La indicacin resultante en el hmetro ser una
funcin de la corriente establecida por la batera interna a travs del diodo (a menudo 1.5 V)
por el circuito del hmetro. Mientras ms alta sea la corriente, menor ser el nivel de resisten-
cia. Para la situacin de polarizacin inversa la lectura debe ser bastante alta, requiriendo, tal
vez, de una mayor escala de resistencia en el medidor, segn se indica en la figura 1.44b. Una
lectura alta en la resistencia en ambas direcciones indica con claridad una condicin abierta
(dispositivo defectuoso), mientras que una lectura muy baja de la resistencia en ambas direc-
ciones quiz indique un dispositivo en corto.
Trazador de curvas
El trazador de curvas de la figura 1.45 puede desplegar las caractersticas de una gran cantidad
de dispositivos, incluyendo el diodo semiconductor. Al conectar el diodo en forma adecuada al
tablero de pruebas en la parte central e inferior de la unidad y ajustando los controles, se puede
Captulo l Diodos semiconductores
lOmA
9mA
SmA
7mA
&mA
'mA
'mA
3mA
2mA
lmA
DmA
V
Por
VenIC;\
I
mA

horilOntal
100
m'
figura 1.45 Trazador de curvas.
(Cortesa de Tektronix, lne.)
U
r> o g",
por diVj,in
ov O,IV 0.2\1 03V 0.4\1 O,SV 0.6V 0.7\1 O.SV 0,9V 1.0V ----
Figura 1.46 Respuesta del
trazador de curvas para el
diodo de silicio IN4007.
obtener una imagen en la pantalla como la de la figura 1.46. Observe que la escala vertical
es de I mA/div, lo que da por resultado los niveles indicados. Para el eje horizontal, la escala es
de 100 m V/div, lo que da por resultado los niveles de voltaje que se indican. Para un nivel de
2-mA, como se defini para un DDM,el voltaje resultante sera de 625 mV = 0.625 y. Aunque,
en principio, el instrumento parece ser muy complejo, el manual de instrucciones y algunos
momentos de contacto revelarn que los resultados deseados por lo general se pueden obtener
sin mucho esfuerzo y tiempo. El mismo instrumento aparecer en ms de una ocasin en los
captulos subsecuentes, a medida que se investigan las caractersticas de diversos dispositivos.
1.14 DIODOS ZENER
La regin Zener de la figura 1.47 se analiz con cierto nivel de detalle en la seccin 1.6. La
caracterstica cae de manera casi vertical en un potencial de polarizacin inversa denotado
como V
z
. El hecho de que la curva caiga abajo y lejos del eje horizontal, en vez de arriba y lejos
para la regin positiva VD. revela que la corriente en la regin Zener tiene una direccin opues-
ta a aquella de un diodo con polarizacin directa.
1.14 Diodos Zener
o
Figura 1.47 Revi.sin de la regin
Zener,
35
~ f f i o
+
~ 1,
+
~ I D
v V
D
fa) lb)
Figura 1.48 Direccin de la
conduccin: a) diodo Zener: b)
diodo semiconductor.
r v-L
1
f - "'f
v, T
-
(a) (b\
Figura 1.49 Circuito equivalente de
Zener: a) completo: b) aproximado.
Esta regin de caractersticas nicas se utiliza en el diseo de los diodos Zener, los cuales
tienen el smbolo grfico que aparece en la figura 1.48a. Tanto el diodo semiconductor como
el diodo Zener se presentan uno alIado de otro en la figura 1.48 con objeto de asegurar que la
direccin de la conduccin se comprenda con todo detalle junto con la polarizacin requerida
del voltaje aplicado. El diodo semiconductor, en el estado "encendido", soportar una corrien-
le en la direccin de la flecha en el smbolo. Para el diodo Zener la direccin de la conduccin es
opuesta a la de la flecha sobre el smbolo, de acuerdo con el comentario en la introduccin de
esta seccin. Observe, a su vez, que la polarizacin de VD y de V
z
son iguales, como si se
hubieran obtenido en caso de que cada uno hubiera sido un elemento resistivo.
La localizacin de la regin Zener puede controlarse mediante la variacin de los niveles de
dopado. Un incremento en el dopado, que produzca un aumento en el nmero de impurezas
agregadas, disminuir el potencial Zener. Los diodos Zener se encuentran disponibles con poten-
ciales Zener desde 1.8 hasta 200 V, con rangos de potencia desde 1 hasta 50 W. Debido a su
capacidad para soportar mayor temperatura y comente, por lo general en la manufactura de los
diodos Zener se prefiere silicio. El circuito equivalente completo del diodo Zener en la regin
Zener, incluye una pequea resistencia dinmica y una bateria igual al potencial Zener, como se
muestra en la figura 1.49. Sin embargo, para todas las aplicaciones siguientes se deber suponer
como primera aproximacin que las resistencias son de magnitudes mucho mayores que la resis-
tencia Zener equivalente, y que el circuito equivalente es el que se indica en la figura 1.49b.
En la figura 1.50 se muestra un dibujo ms grande de la regin Zener con objeto de'penni-
tir una descripcin de los datos con el nombre Zener que aparecen en la tabla lA para un diodo
Fairchild IN961 de 500-mW y 20%. El trmino "nominal" asociado con V
z
indica que se trata
de un valor tpico promedio. Debido a que se trata de un diodo de 20%. se puede esperar que el
v"
v,
/'
(
"'-
r
d
=8.5.Q=Zn
'z
..-
10 .uA
1"
V
z
0.25 mA = I
ZK
1
l;r= 12.5 mA
lz.w= 32 mA
Figura 1.50 Caractersticas de
prueba de Zener (FairchUd lN96l).
TABLA 1.4 Caractelisticas elcmcas (25C de temperatura ambiente, a menos que se observe lo contrario)
Voltaje Impedancia Impedancia Corriente Corriente
Zener Corriente dinmica maxima de inversa Voltaje reguladora Coeficiente
nominal, de prueba, mxima punto de inflexin mxima de prueba mxima de temperatura
Tipo V
z
IZT ZZT
O
IZT ZZJ( o IZK IR o V
R
V
R
IZM
tpico
Jedec (V) emA) en) en) emA) (A) (V) emA) e%rc)
IN961 lO 12.5 8.5 700 0.25 lO 7.2 32 +0.072
36 Captulo 1 Diodos semiconductores
potencial Zener vare cerca de 10 V 20% o entre 8 y 12 V en su rango de aplicacin. Tambin
se encuentran disponibles diodos de 10% y 5% con las mismas especificaciones. La corriente
de prueba 1 ZT es la definida por el nivel de potencia y ZZT es la impedancia dinmica en este
nivel de corriente. La mxima impedancia del punto de inflexin ocurre en la corriente del
punto de inflexin de J ZK' La corriente de saturacin inversa se alcanza en un nivel particular
de potencia. e 1l.'VI representa la corriente mxima para la unidad de 20%.
El coeficiente de temperatura refleja el cambio porcentual en V z con respecto a la tempe-
ratunl. sta se define por la ecuacin ..
%/OC (1.12)
donde V z es el cambio que resulta en el potencia! Zener debido a la variacin de la tempera-
tura. Observe en la figura 1.51 que el coeficiente de temperatura puede ser positivo, negativo,
o incluso hasta cero para diferentes niveles Zener. Un valor positivo reflejara un incremento
en V
z
con un aumento en la temperatura. mientras que un valor negativo dara corno resultado
la disminucin en el valor con un incremento en la temperatura. Los niveles de 24 V, 6.8 V. y
3.6 V se refieren a tres diodos Zener que tienen estos valores nominales dentro de la misma
familia Zener como el lN96l. Naturalmente. la curva para el lN96l de 10 V caera entre las
curvas de los dispositivos de 6.8 V Y 24 V. Regresando a la ecuacin (1.12), Tu es la tempera-
tura a la cual se ofrece V
z
(por lo regular la temperatura ambiente. 25 OC), Y TI es el nuevo
nivel. El ejetuplo l.3 demostrar el empleo de la ecuacin (1.12).
Coeficiente de temperatura contra
corriente Zener
+0.12 ,T"'"T l. -,"'-rT1L"Tl
1
"1-' l;-rr--c
E I
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e
- 12
0.01 0.050.1 0.5 J 5 10 50 100
Corrente Zener. Iz - (mA)
1 kQ
500
el
200
,:'
100

50
20

"

10
1
5
2
1
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1
,
Impedancia dinmica
contra corriente Zener
K!
I
I
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,
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1
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. I
"-
Ir
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"-


I 1 1
i
"
"-
6.8 V
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
Corriente Zener. Iz - (mA)
(b)
Figura 1.51 Caractersticas elctricas para un diodo Zener Farchild de 500 mW.
(Cortesa de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)
Detenninar el voltaje nominal para un diodo Zener Fairchild 1 N96l de la tabla 1.4 a una
temperatura de lOO oc.
Solucin
A partir de la ecuacin (1.12).
1.14 Diodos Zener
EJEMPLO 1.3
37
38
Los valores sustituidos a partir de la tabla 1.4 generan
(0.072)(10 V) (lOO oC _ 25 OC)
lOO
= (0.0072)(75)
= 0.54 V
y debido al coeficiente de temperatura positivo, un nuevo potencial Zener, definido por V;, es
~ = V
z
+ 0.54 V
= 10.54 V
La variacin en la impedancia dinmica (fundamentalmente, su resistencia en serie) con
la corriente aparece en la figura 1.51b. Una vez ms, el Zener de 10 V surge entre los Zeners de
6.8 V Y de 24 V. Observe que mientras ms grande es la comente (o mientras ms arriba se est
en el eje vertical de la figura 1.47), menor ser el valor de la resistencia. Observe igualmente
que cuando se cae abajo del punt? de inflexin de la curva, la resistencia se incrementa a
niveles significativos.
La identificacin de la terminales y el encapsulado pata una variedad de diodos Zener apa-
rece en la figura 1.52. La figura 1.53 es una fotografa de diversos dispositivos Zener. Observe
que su aspecto es muy similar al diodo semiconductor. Algunas reas de aplicacin del diodo
Zener se examinarn en el captulo 2.
1.15 DIODOS EMISORES DE LUZ
Figura 1.52 Identificacin y
smbolos de las terminales Zener.
figura 1.53 Diodos Zener.
(Cortesa de Siemens Corporation.)
El aumento en el uso de pantallas digitales en las calculadoras, relojes y todo tipo de instru-
mentos ha contribuido a generar el muy considerable inters que hoy en da existe respecto a
las estructuras que emiten luz cuando se polarizan en forma apropiada. En la actualidad, los
dos tipos que se utilizan con ms frecuencia para llevar a cabo esta funcin son el diodo
emisor de luz (LED, por las iniciales en ingls de: light emitting diode) y la pantalla de cristal
lquido (LCD, por las iniciales en ingls de: liquid crystal display). Debido a que el LED entra
Captulo 1 Diodos semiconductores
en la familia de los dispositivos de unin p-n, se estudiar en este captulo y algunas de sus
redes se estudiarn en los captulos siguientes. La pantalla LCD se describe en el captulo 20.
Como su nombre lo indica, el diodo emisor de luz (LED) es un diodo que emite luz visible
cuando se energiza. En cualquier unin p-n con polarizacin directa existe, dentro de la estruc-
tura y en forma primaria cerca de la unin. una recombinacin de huecos y electrones. Esta
recombinacin requiere que la energa que posee un electrn libre se transfiera a otro estado.
En todas las uniones p-n de semiconductor, parte de esta energa se emite como calor y otra
parte en forma de fotones. En el silicio y el germanio el mayor porcentaje se genera en forma
de calor y la luz emitida es insignificante. En otros materiales, como el fosfuro arseniuro de
galio (GaAsP) o fosfuro de galio (GaP), el nmero de fotones de energa de luz emitida es
suficiente para crear una fuente de luz muy visible.
Al proceso de emisin de luz mediante la aplicacin de una fuente de energa
elctrica se le llama electroluminiscencia.
Como se muestra en la figura 1.54 con su smbolo grfico, la superficie conductora conec-
tada al material p es mucho ms pequea, con objeto de permitir la emisin de un nmero
mximo de fotones de energa lumnica. Observe en la figura que la recombinacin de los
portadores inyectados debido a la unin con polarizacin directa genera luz, que se emite en el
lugar en que se da la recombinacin. Puede haber, desde luego, alguna absorcin de los paque-
tes de energa de los fotones en la superficie misma, pero un gran porcentaje se encuentra
disponible para salir, segn se muestra en la figura.
Contacto/
metlico
/' Luz visible
/" emitida
"" Contacto
metlico
(-)
+
el-
e
~
----..
: : - - I - - ~ e
ID VD
(b)
La apariencia y caractersticas de una lmpara subminiatura de estado slido de gran efi-
ciencia que fabrica Hewlett-Packard aparece en la figura 1.55, Observe, en la figura 1.55(b),
que la corriente pico directa es de 60 rnA con 20 mA de corriente directa promedio tpica, Sin
embargo, las condiciones de prueba que se enumeran en la figura 1.55(c) corresponden a una
corriente directa de 10 rnA, El nivel de VD bajo condiciones de polarizacin directa se indica
como V
F
y se extiende de 2.2 a 3 V. En otras palabras, se puede esperar una corriente de
operacin tpica de aproximadamente 10 rnA a 2.5 V para una buena emisin de luz,
Aparecen dos cantidades que an no se han identificado bajo el encabezado de caracters-
ticas elctricas / pticas a T
A
= 25 oC, Estas son la intensidad lumnica axial (Iv) y la eficiencia
lumnica (1), La intensidad de la luz se mide en candelas, Una candela emite un flujo de luz
de 4n lmenes y establece una iluminacin de 1 candela pie en un rea de 1 pie cuadrado a 1
pie de la fuente de luz, Aunque esta descripcin quiz no ofrezca una comprensin clara de la
candela como unidad de medida, su nivel bien puede compararse entre dispositivos similares.
El trmino eficacia es, por definicin, una medida de la capacidad de un dispositivo para
generar un efecto deseado. Para el LED, este es el cociente del nmero de lmenes generados
por watt aplicado de energa elctrica. Esta eficiencia relativa est definida por la intensidad
1,15 Diodos emisores de luz
Figura 1.54 a) Proceso de
electroluminiscencia en el LED;
b) smbolo grfico.
39
(e)
40
(a)
---------
lumnica por unidad de corriente, segn se muestra en la figura 1.55g. La intensidad relativa de
cada color contra la longitud de onda se muestra en la figura 1.55d,
Debido a que el LED es un dispositivo de unin p-n, tendr una caracterstica en polarizacin
directa (figura 1.5Se) similar a las curvas de respuesta del diodo. Observe el incremento casi
lineal en la intensidad lumnica relativa con corriente directa (figura 1.55f). La figura 1.55h
revela que mientras ms larga es la duracin del pulso a una frecuencia en particular, menor
ser la corriente pico permitida (despus de pasar el valor de ruptura de t
p
)' La figura 1.55i
muestra que la intensidad es mayor a 0 (de cabeza) y la menor a 90 (cuando el dispositivo se
observa desde un lada).
Valores mximos absolutos aTA = 25 Oc
Parmetros
Disipacin de potencia
Corriente directa promedio
Corriente directa pico
Rango de temperatura de operacin
y almacenamiento
Temperatura de soldadura de la cone;<..in
[1.6 mm (0.063 pulg) del cuerpo
[1] Prdida desde 50 oC a 0.2 mA/oC.
(b)
Rojo de afra eficiencia

120
20,11
60
_55C a 100
Q
C
230C durante 3 segundos
Unidades
mv,:
mA
mA
Caractersticas elctricas/pticas aTA = 25 Oc
Smbolo
NOTAS,
Descripcin
Intensidad lumnica
axial
Incluyendo el ngulo
entre los Pl..mtos de la
mitad de intensidad
lumnica
Longitud de onda de pico
Longitud de onda dominante
Velocidad de respuesta
Capacitancia
Resistencia tnnica
Voltaje directo
Voltaje de ruptura inverso
Eficacia lumnica
Rojo de alta eficiencia
4160
Mnimo
LO
5.0
npico
3.0
80
635
628
90
II
120
2.2
147
Mximo
3.0
Unidades
med
deg.
om
om
"'
pF
crw
v
V
lmJW
Condiciones de prueba
Nota 1
Medida en el pico
Nota 2
V
F
= 0:1= 1 Mhz
nin a la
conexin ctodo a
079 mm (.031 pulg)
desde el cuerpo
lF=lOmA

)ota 3
l. es el ngulo fuera dd eje al cual la intensidad lumnica es la mitad de la intensidad lumnica axial.
2. La longitud de onda dominante, P.
d
, se deriva del diagrama de cromaticidad elE y representa la longitud de onda nica que
define el color del dispositivo.
3. La intensidad radiante. le' en watts/estereorradianes. se puede encontrar a partir de la ecuacin 1,. = /,.ITf
l
donde/l' es la
intensidad lumnica en candelas y Tf,. es la eficacia luminica en lmenes/waU.
FIgUra 1.55 Lmpara subminiatura roja de estado slido de alta eficiencia de Hewlett-Packard;
a) apariencia; b) valores nominales mximos absolutos; e) caractersticas elctricas/pticas;
d) intensidad relativa contra longitud de onda; e) corriente directa contra voltaje directo; f) intensidad
lumnica relativa contra corriente directa; g) eficiencia relativa contra corriente pico; h) corriente
pico mxima contra duracin del pulso; i) intensidad lumnica relativa contra desplazamiento angular.
(Cortesa de Hewlett-packard Corporation.)
Captulo 1 Diodos semicondnctores
2O
<
=
15
o


"-O
10
2
.g
6
u
5

o
O
,
El

i, ....
.... : ...
__
Verde
. /' Rojo GaAsP
ii 0.5
:g
.
-=
;

500 550 600 650 700 750
Longitud de onda - nm
(d)
T,
3.0 ,
r- 1'.4 = 25C
2.0
/
/
/
../'
V
1.0
o
05 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 O 5 10 15 20
"
"
,

i:g
1

1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
l.l
1.0
0.9
OR
07
0"

/
/
l
10 20
-
-
,
40 50
V r - Voltaje directo - V I
r
- Corriente directa - mA I
p
"" - Comente pico - roA
(, (f) (gl
--->- T
10 100 (000 10.000 20
rp - Duracin del pulso - )..ls
(h)
(i)
Flgura L55 Continuacin.
1.15 Diodos emisores de luz
-
"o
41
42
Hoy en da, las pantallas de visualizacin LEO se encuentran disponibles en muchos ta-
maos y formas diferentes. La regin de emisin de luz est disponible en longitudes desde 0.1
a 1 pulgada. Los nmeros pueden crearse por segmentos como los que se ejemplifican en la
figura 1.56. Al aplicar una polarizacin directa al segmento apropiado de material tipo p, se
puede desplegar cualquier nmero del O al 9 .
... ~ .-.... i
t:C oto"
.LtJ 'r"
smIDJ
I ~ 0 8 0 3 - I
O.IOO"Tip --..11--
Flgura 1.56 Pantalla visual de segmentos Litronix.
La pantalla de visualizacin de la figura 1.57 ofrece ocho dgitos y se utiliza en calculadoras.
Existen tambin lmparas LED con dos conexiones que contienen dos LED, de tal forma que una
inversin en la polarizacin cambiar el color de rojo a verde o viceversa. Actualmente, los LED
se encuentran disponibles en rojo, verde, amarillo, naranja y blanco; el blanco con azul estar
disponible pronto. En general, los LEO operan a niveles de voltaje desde 1.7 hasta 3.3 V, lo cual
los hace por completo compatibles con los circuitos de estado slido. Tienen un tiempo de res-
puesta rpido (nanosegundos) y ofrecen buenas relaciones de contraste para la visibilidad. El
. requerimiento de potencia suelen ser de 10 hasta 150 mW con un tiempo de vida de 100.000
horas o ms. Su construccin de semiconductor le aade un significativo factor de fortaleza.
Figura 1.57 Pantalla visual para calculadora con ocho dgitos y
signo. (Cortesa de Hewlett-Packard Corporation.)
1.16 ARREGLOS DE DIODOS: CIRCUITOS
INTEGRADOS
Las caractersticas nicas de los circuitos integrados se presentarn en el captulo 12. Sin em-
bargo, se ha alcanzado una plataforma en la introduccin de circuitos electrnicos que permite
por lo menos hacer un examen superficial a los arreglos de diodos en circuitos integrados. Se
encontrar que el circuito integrado no es un dispositivo nico con caractersticas totalmente
diferentes a aquellas que se analizarn en estos captulos introductorios. Simplemente es una
tcnica que permite una reduccin significativa en el tamao de los sistemas electrnicos. En
otras palabras, dentro del circuito integrado se encuentran sistemas y dispositivos discretos
que estuvieron disponibles mucho tiempo antes que el circuito integrado como se le conoce
actualmente, se convirtiera en una realidad.
Captulo l Diodos semiconductores
Un arreglo posible aparece en la figura 1.58. Observe que los ocho diodos son internos en
el arreglo de diodos Fairchild FSAI4IOM. Esto es, en el encapsulado mostrado en la figura
1.59 existe un arreglo de diodos en una placa nica de silicio que tiene todos los nodos conec-
tados a la terminal 1 y los ctodos de cada una a las terminales 2 al 9. Observe. en la misma
figura, que la tenninal 1 puede detenninarse como la que est del lado izquierdo de la pequea
proyeccin o ceja del encapsulado si se mira desde abajo hacia el encapsulado. Los otros
nmeros siguen despus en secuencia. Si slo se utiliza un diodo, solamente se utilizarian las
tenninales 1 y 2 (o cualquier otro nmero del 3 al 9).
FSA1410M
ARREGLO MONOLTICO PLANAR DE DIODOS AISLADOS DEL AIRE
. c ... 5.0 pF CMX)
. dV
F
15 mv @ lOmA
VALORES NOMINALES MXIMOS ABSOLUTOS (Nota 1)
Temperaturas
DIAGRA:vtA DE COl\"EXIl\"
FSA]4 ]OM
Rango de temperatura de almacenamiento
:vtxima temperatura de operacin de la unin
Temperatura en la conexin
Disipacin de potencia (Nota 2)
Mxima disipacin en la unin a 25 nc de ambiente
Por encapsulado a 25 oC de ambiente
_55C a +200 oC
+150C
+260 oC
400mW
600mW
3.2 mWOC
4.8 mWOC
rfHtHH
Factor de prdida de disipacin lineal (desde 25 OC) en la unin
Encapsulado
2 J 4 5 6 7 8 9
Corriente y voltaje mximos
Ver diagrama de base del encapsulado TO96
WIV Voltaje inverso de trabajo
Corriente directa continua
Corriente de onda de pico directo
Ancho de puLso = t.o s
Ancho de pulso = l.o!ls
55 V
350 mV
1.0 A
2.0A
CARACTERSTICAS ELCTRICAS (25 Oc de temperatura ambiente a menos que se especifique lo contraro)
SMBOLO CARACTERSTICA MNIMO I MXIMO UNIDADES
I
L 27. Voltaje de ruptura
60 !
v
I
V, Voltaje directQ (Nota 3)
I
1
1.5 V
11 V
1.0 V
1, Corriente inversa
Corriente inversa (T
A
= 150C)
I
100 nA
100
e Capacitancia

i
5.0
I
pF
V", Voltaje pico directo
I
4.0
I
V
t
Tiempo de recuperacin directo 40
I
n,
,
t
rr
Tiempo de recuperacin inverso 10
I
n,
I
50
I
n,
Igualdad de voltaje directo 15 mV
NOTAS:
I Estos valore, son nlores limItes sobre Jo, cuales la vida O el de'empeo satIsfactorios pueden ser daado,
I
CONDICIONES DE PRUEBA
lF = 500 mA
lF = 200 mA
I
F
= 100 mA
V
R
=40V
V
R
= 40 V
V
R
= O. f = 1 MHz
1
1
= 500 mA. Ir < 10 ns
1
1
_ 500 mA.l, < 10 ns
l
I
= 1, =10- 200mA
R
L
= IOOn. Rec. a 0.1 Ir
II = 5ODmA.I, = 50mA
R
L
= !DOn. Ret. a 5 mA
IF = lOmA
-----_._-
2 Estos son lmites de los estados. La fbrica debe ser con,ultada para aplicaciones que mvolucn:n operacIn con pulso o un Ctclo de tra1::>;Jo 1::>;jo.
:; V F se mide utill2lmdo un pulso de & ms
Figura 1.58 Arreglo monoltico de diodos. (Cortesa de Fairchild Camera and lnstrument
Corporation.)
1.16 Arreglos de diodos: circuitos integrados 43
FIgura 1.59 Descripcin del
encapsulado TO-96 para el arreglo
de diodos FSA1410M. Todas las
dimensiones se encuentran en
pulgadas. (Cortesa de Fairchild
Camera and Instrument
Corporation.)
Diagramas de base
1 FSA2500M
Ver descripcin de! encapsulado TO-II6-2
44
Plano de montaje
0.500"

.... 0.230" +-
3
2
6
La forma del
aislador de
separacin
puede variar
7
Notas:
Vidrio Conex.iones de Kovar, banadas en oro
Encapsulado sellado hennticamente
Peso del encapsulado: 1.32 gramos
Los diodos restantes se quedaran "colgando" y no afectaran la red a la cual slo estaran
conectadas las terminales 1 y 2.
Otro arreglo de diodos aparece en la figura 1.60. En este caso el encapsulado es diferente,
pero la secuencia de numeracin aparece en el diagrama de base. La terminall es la que est
directamente arriba de la pequea muesca cuando el dispositivo se observa con las terminales
hacia abajo.
TO-116-2 Descripcin
l' 0.785" , I
+" C:::::J


-- - .".';
Plano de t
montaje
Notas:
Aleacin 42. terminales estaadas
Terminales baadas en oro disponibles
Encapsulado de cermica sellado
hermticamente
Figura 1.60 Arreglo monoltico de diodos. Todas las dimensiones se encuentran en pulgadas.
(Cortesa de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)
1.17 ANLISIS POR COMPUTADORA
La computadora se ha convertido en una parte integral de la industria electrnica, de tal mane-
ra que las capacidades de esta "herramienta" de trabajo se deben presentar en la primera opor-
tunidad posible. Para aquellos estudiantes sin experiencia previa en computacin, existe al
principio un temor muy comn hacia este poderoso sistema que parece complicado. Tomando
esto en cuenta, el anlisis por computadora de este libro fue diseado para hacer que el sistema
por computadora resulte ms "amistoso", mediante la revelacin de la relativa facilidad con
que se puede aplicar para llevar a cabo algunas tareas muy tiles y especiales con una cantidad
mnima de tiempo y un alto grado de exactitud. El contenido se escribi suponiendo que el
lector no tiene experiencia previa en computacin ni tampoco contacto con la terminologa que
se utilizar. Tampoco existe sugerencia alguna en cuanto a que el contenido de este libro sea
suficiente para permitir una comprensin completa de los "cmos" y los "porqus" que surgi-
rn. El propsito aqu es meramente presentar algo de la terminologa, analizar algunas de sus
capacidades, revelar las posibilidades disponibles, tocar algunas de las limitaciones y demos-
trar su versatilidad con un nmero de ejemplos cuidadosamente seleccionados.
En general, el anlisis por computadora de los sistemas electrnicos puede tomar uno de
dos mtodos: utilizando un lenguaje tal como el BASIC, Fortran, Pascal, o C, o utilizando un
paquete de programacin como PSpice, MicroCap 11, Breadboard, o Circuit Master, por nom-
brar unos cuantos. Un lenguaje, a travs de su notacin simblica, construye un puente entre el
Capitulo 1 Diodos semiconductores
usuario y la computadora, el cual permite un dilogo entre los dos con el fin de establecer las
operaciones que deben llevarse a cabo,
El lenguaje que se usa en este libro es el BASIC, y se eligi debido a que emplea una
cantidad de palabras y frases familiares de la lengua inglesa que revelan, por s mismas, la
operacin que se desarrollar. Cuando se utiliza un lenguaje para analizar un sistema, se desa-
rrolla un programa que define, en fanna secuencial, las operaciones que se llevarn a cabo, en
su mayor parte, siguiendo el mismo orden con que se realiza el mismo anlisis efectuando los
clculos a mano. Al igual que ocurre con el mtodo de calcular a mano, un paso incorrecto y el
resultado que se obtiene carecer por completa de significado. Obviamente, los programas que
se desarrollan con tiempo y aplicacin son medios ms eficaces para obtener una solucin.
Una vez que se establecen en su e"mejor" forma, se pueden catalogar y utilizar posterionnente.
La ventaja ms importante del mtodo de los lenguajes radica en que el programa puede adap-
tarse con objeto de satisfacer todas las necesidades especiales del usuario. Permite que este
ltimo haga "movimientos" especiales que darn por resultado la obtencin de datos en forma
impresa, de manera informativa e interesante.
El mtodo alterno que se describi antes utiliza un paquete de computadora para llevar a
cabo la investigacin deseada. Un paquete de programacin es un programa escrito y probado
durante cierto tiempo, que se disea para realizar un tipo de anlisis o sntesis en particular de
manera eficiente y con un alto nivel de exactitud.
El paquete en s no puede ser alterado por el usuario y su aplicacin est limitada a las opera-
ciones que se integran al sistema. Un usuario debe ajustar su deseo de informacin de salida al
rango de posibilidades que ofrece el paquete. Adems, el usuario debe capturar informacin, tal y
como lo exige el paquete, o de lo contrario los datos pueden ser malinterpretados, El paquete de
programacin que se eligi para este libro es PSpice.* En la actualidad, PSpice se encuentra dispo-
nible en dos formas: DOS y Wmdows, El formato DOS fue el primero que se introdujo y es el ms
popular hoy en da. Sin embargo, la versin Windows cobra cada vez ms aceptacin confonne los
usuarios conocen sus capacidades. Es como todo: una vez que se logra dominar un mtodo que har
el trabajo por nosotros, se genera menos entusiasmo por tomar el tiempo para aprender otro mtodo
del que se obtendrn resultados similares, Sin embargo, los autores confIrman que confonne se
conoce ms la versin Wmdows, sta ofrece algunas caractersticas interesantes que bien vale la
pena investigar. La versin de DOS que se usa en este texto es la 6.0 y la de Windows es la 6.1. En
MicroSim, ubicada en Irvine, California, se encuentran disponibles copias para evaluacin, En la
fIgura 1.61 aparece una fotografa de un paquete de Centro de Diseo completo con la versin CD-
ROM 6.2, Tambin se encuentra disponible en discos flexibles de 35", Una versin ms compleja,
que se denomina SPICE, est encontrando una amplia gama de aplicaciones en la industria,
Por tanto, en general, un paquete de programacin est "empacado" para realizar una serie
de clculos y operaciones, y para ofrecer los resultados en un formato definido. Un lenguaje
*PSpice es una marca registrada de MicroSim Corparation.
Fgura 1.61 Paquete de diseo
PSpice. (Cortesa de MicroSim
Corporaton.)
1,17 Anlisis por computadora 45
Dl
2 3

(+) (-)
Figura 1.62 Etiquetas de PSpice
para la captura de diodos en la
descripcin de una red.
46
permite un mayor nivel de flexibilidad, pero tambin omite los beneficios que brindan las
numerosas pruebas y la investigacin exhaustiva que se suelen realizar para desarrollar un
paquete El usuario debe definir cul mtodo satisface mejor sus necesidades
del momento. Obviamente, si existe un paquete para el anlisis o sntesis que se desea reali-
zar, debe considerarse antes de optar por las muchas horas de trabajo que se requieren para
desarrollar un programa confiable y eficiente. Adems, es posible adquirir los datos que se
necesitan para un anlisis en particular de un paquete de programacin y luego buscar un
lenguaje para definir el formato de salida. En muchos aspectos, los dos mtodos van de la
mano. Si alguien continuamente tiene que depender del anlisis por computadora, es necesa-
rio que conozca el uso y las limitaciones tanto de los lenguajes como de los paquetes. La
decisin en cuanto a con qu lenguaje o paquete conviene familiarizarse es, bsicamente,
una funcin del rea de investigacin. Sin embargo, por fortuna, el conocimiento fluido de
un lenguaje o un paquete especfico ayudar al usuario a familiarizarse con otros lenguajes y
paquetes. Existen similitudes en propsitos y procedimientos que facilitan la transicin de
un mtodo a otro.
En cada captulo se harn algunos comentarios respecto al anlisis por computadora. En
algunos casos aparecer un programa BASIC y una aplicacin PSpice, mientras que en otras
situaciones slo se aplicar uno de los dos. Conforme surja la necesidad de entrar en detalles,
se proporcionar la informacin necesaria para permitir cuando menos una comprensin su-
perficial del anlisis.
PSpice (versin DOS)
Este captulo aborda las caractersticas del diodo semiconductor en particular. En el captulo 2
el diodo se investiga utilizando el paquete PSpice. Como un primer paso dirigido hacia tal
anlisis, se presenta ahora el "modelo" para el diodo semiconductor. La descripcin en el
manual PSpice incluye un total de 14 parmetros para definir sus caractersticas tenninales.
stos incluyen la corriente de saturacin, la resistencia en serie, la capacitancia de la conexin,
el voltaje de ruptura inverso, la corriente de ruptura inversa, y muchos otros factores que en
caso necesario pueden especificarse para el diseo o anlisis que vaya a realizarse.
La especificacin de un diodo en una red tiene dos componentes. El primero especifica la
ubicacin y nombre del modelo, el otro incluye los parmetros que se mencionan antes. El
fonnato para definir la ubicacin y el nombre del modelo del diodo es el siguiente para el
diodo de la figura 1.62:
2
'-v-'
+
3
'-v-'
DI
'-v-'
nombre nodo nodo nombre
del modelo
Observe que el diodo se especifica mediante la literal D al principio del rengln seguida
por la identificacin que se asigna al diodo en el esquema. La secuencia de los nodos (puntos
de conexin para los diodos) define el potencial en cada nodo y la direccin de la conduccin
para el diodo de la figura 1.62. En otras palabras, la conduccin se especifica a partir del nodo
positivo y hacia el nodo negativo. El nombre del modelo es el nombre que se asigna a la
descripcin del parmetro que sigue. El mismo nombre de modelo puede aplicarse a cualquier
nmero de diodos en la red, como D2, D3, Y as sucesivamente.
Los parmetros se especifican cuando se usa una instruccin MODEL que tiene el fonnato
siguiente para un diodo:
MODEL DI
'-v-'
nombre
del modelo
D(IS = 2E - 15)
'---- "
especificaciones
de parmetro
La especificacin se inicia con los datos .MODEL seguido por el nombre del modelo
segn se especific en la descripcin de la ubicacin y la literal D para especificar un diodo.
Captulo 1 Diodos semiconductores
Las especificaciones del parmetro aparecen en parntesis y deben utilizar la notacin que se
especifica en el manual PSpice. La corriente de saturacin inversa se encuentra listada como
IS y se le asigna un valor de 2 x 10-
t5
A. Se eligi este valor debido a que, por lo general,
resulta en un voltaje de diodo de cerca de 0.7 V para niveles de corriente de diodo que con
frecuencia se encuentran en las aplicaciones que se analizan en el captulo 2. De esta manera,
del anlisis manual y por computadora se obtendrn resultados relativamente cercanos en cuanto
a magnitud. Si bien en el listado anterior se especific un parmetro, la lista puede incluir los
10 parmetros que aparecen en el manual. Para los dos enunciados anteriores, es en particular
importante seguir el fonnato segn se defini. La ausencia de un punto antes de MODEL o la
omsin de la letra D en el mismo rengln invalidarn por completo el registro.
Anlisis del centro de diseo PSpice en Windows
Cuando se utiliza el PSpice para Windows, el usuario dibuja la red en un esquema en lugar de
capturar rengln por rengln empleando los nodos de referencia. Por tanto, una fuente para cada
elemento debe encontrarse disponible para colocarlos en la pantalla. Primero, se debe establecer
una pantalla de esquemas (siguiendo un procedimiento de instalacin que se deja a criterio del
usuario), y luego se selecciona la opcin Draw (Dibuja) desde la barra de menes. Una vez
seleccionado, aparecer una lista de opciones de las cuales se elige Gel New.Part (Seleccionar
una nueva parte). Aparecer una caja de dilogo; se selecciona Browse (Hojear), lo cual lleva a
la caja de dilogo de Get Part (Traer parte). Se escoge la biblioteca eval.slb del listado de libre-
ras y se recorre la lista de Partes (part) hasta que se encuentra DIN414S. Cuando se hace "click",
la Descripcin (Description) superior revelar que se trata de un diodo. Se hace "click" en OK y
aparecer un smbolo de diodo en la pantalla de esquemas. Despus que se mueve el diodo a la
posicin deseada. un "click" adicional dejar el diodo y aadir las etiquetas DI y DIN414S.
Cuando se haga "click" con el botn derecho pel apuntador (motise), se completa la secuencia de
colocacin del diodo. Si se deben cambiar los parmetros del diodo, simplemente de hace "c1ick"
una vez (y slo una vez) al smbolo del diodo en el esquema y luego se hace "c1ick" otra vez en
la opcin de Edicin (Edit) en la barra de men. Se elige el Modelo (Model) y luego Editar
Modelo Ejemplificado (Edit Instance Model) (debido a que se desea establecer parmetros para
una sola aplicacin) y una caja de dilogo del Editor de Modelos (Model Editor) aparecer con
los parmetros del diodo. Los cambios en el modelo del diodo se pueden llevar a cabo en la caja
de dilogo para ser utilizados en la aplicacin real. Si no se observa la pantalla, lo anterior puede
resultar algo difcil de seguir y comprender. Lo mejor sera obtener el modelo para su evaluacin,
inicializar la pantalla y realizar las operaciones en el orden indicado. En el siguiente captulo se
presentar una red real que ayudar en el proceso de revisin.
},2 Diodo ideal
1. Describa, con sus propias palabras, el significado de la palabra ideal cuando se aplica a un dispo-
sitivo o a un sistema.
2. Describa. con sus propias palabras, las caractersticas del diodo ideal y cmo se determinan los
estados "encendido" y "apagado" del dispositivo. Es decir, describa por qu son adecuados los q u i ~
valentes de circuito cerrado y circuito abierto.
3. Cul es la diferencia ms importante entre las caractersticas de un simple intenuptor y aquellas
de un diodo ideal?
1.3 Materiales semiconductores
4. Con sus propias palabras, defina semiconductor, resistividad, resistencia de volumen y resistencia
de contactos hmicos.
S. a) Utilizando la tabla 1.1, determine la resistencia de una muestra de silicio que tiene un rea de
1 cm
2
y una longitud de 3 cm.
b) Repita el inciso a si la longitud es de 1 cm y el rea de 4 cm
2
.
c) Repita el inciso a si la longitud es de 8 cm y el rea de 0.5 cm
2

d) Repita el inciso a para el cobre y compare los resultados.
Problemas
PROBLEMAS
47
48
6. Dibuje la estructura atmica del cobre y analice por qu es un buen conductor y cmo su estructura
es diferente del gennanio y del silicio.
7. Defina, con sus propias palabras. un material intrnseco, un coeficiente de temperatura negativo y
una unin covalente.
8. Consulte su biblioteca de referencia y mencione tres materiales que tengan un coeficiente de tem-
peratura negativo y tres que tengan un coeficiente de temperatura positivo.
1.4 Niveles de energa
9. Cunta energa en joules se necesita para mover una carga de 6 C a travs de una diferencia en
potencial de 3 V?
10. Si se requieren 48 eV de energa para mover uoacarga a travs de una diferencia de potencial de 12
Y, determine la carga involucrada.
11. Consulte su biblioteca de referencia y precise el nivel de E" para GaP y ZnS, dos materiales
semiconductores de valor prctico. Adems. determine el n o n ~ r e escrito para cada material.
1.5 Materiales extrinsecos: tipo n y tipo p
12. Especifique la diferencia entre los materiales semiconductores tipo 11 y tipo p.
13. Explique la diferencia entre las impurezas donoras y aceptaras.
14. Describa la diferencia entre los portadores mayoritarios y minoritarios.
15. Dibuje la estructura atmica del silicio e inserte una impureza de arsnico como se mostr para el
silicio en la figura 1.9.
16. Repita el problema 15, pero inserte una impureza de indio.
17. Consulte su biblioteca de referencia y localice otra explicacin para el flujo de huecos contra el de
electrones. Utilizando ambas descripciones, seale con sus propias palabras, el proceso de la conduc-
cin de huecos.
1.6 Diodo semiconductor
18. Explique, con sus propias palabras, las condiciones establecidas por las condiciones de
polarizacin directa e inversa en un diodo de unin P-ll, y la manera en que se afecta la corriente
resultante.
19. Describa, cmo recordar los estados de polarizacin directa e inversa en el diodo de unin p-n. Es
decir, cmo recordar cul potencial (positivo o negativo) se aplica a cul terminal?
20. Utilizando la ecuacin (1 .4), precise la corriente del diodo a 20 oC para un diodo de silicio con l
= 50 nA y una polarizacin directa aplicada de 0.6 V.
21. Repita el problema 20 para T = 100 oC (punto de ebullicin del agua). Suponga que Is se increment
a 5.0 LA.
22. a) Utilizando la ecuacin (lA), detennine la corriente del diodo a 20 oC para un diodo de silicio
con Is = 0.1 J1A a un potencial de polarizacin inversa de -10 V.
b) El resultado es el esperado? Por qu?
23. a) Grafique la funcin y::;; eX para x desde O hasta 5.
b) Cul es el valor de y = eX para x = O?
c) Basndose en los resultados del inciso b, por qu es importante el factor -1 en la ecuacin (lA)?
24. En la regin de polarizacin inversa la corriente de saturacin de un diodo de silicio es de
aproximadamente 0.1 Ji.A (T = 20 OC). Determine su valor aproximado si la temperatura se
incrementa 40 oC.
25. Compare las caractersticas de un diodo de silicio y uno de gennanio y detennine cul preferira
utilizar para la mayor parte de las aplicaciones prcticas. Proporcione algunos detalles. Refirase
a caractersticas de fabricante y compare las caractersticas de un diodo de germanio y uno de
silicio de valores mximos similares.
26. Detennine la cada de voltaje directo a travs del diodo cuyas caractersticas aparecen en la figura
1.24 a temperaturas de -75 oC, 2S oC, 100 oC y 200 oC y una corriente de 10 mA. Para cada
temperatura precise el nivel de la corriente de saturacin. Compare los extremos de cada una y
haga un comentario sobre la relacin de ambos.
Capitulo I Diodos semiconductores
1.7 Niveles de resistencia
27. Determine la resistencia esttica o de del diodo disponible en el mercaao ae la figura 1.19 con una
corriente directa de 2 mA.
28. Repita el problema 26 con una corriente directa de 15 mA Y compare los resultados.
29. Determine la resistencia esttica o de del diodo disponible en el mercado de la figura 1.19 con un
voltaje inverso de -10 V. Cmo se compara con el valor determinado para un voltaje inverso de
-30 V?
30. a) Determine la resistencia dinmica (ac) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de
10 mA utilizando la ecuacin (1.6).
b) Precise la resistencia dinmica (ae) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de 10
mA utilizando la ecuacin (1.7).
e) Compare las soluciones de los incisos a y b.
31. Calcule las resistencias dc y ac para el diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de lOmA
y compare sus magnitudes.
32. Utilizando la ecuacin (1.6), determine la resistencia ac con una corriente de 1 mA y 15 mA para
el diodo de la figura 1.29. Compare las soluciones y una conclusin general respecto a
la resistencia ac y a los crecientes niveles de corriente del diodo.
33. Utilizando la ecuacin (1.7), determine la resistencia lC con una corriente de 1 mA y 15 mA para
el diodo de la figura 1.19. Modifique la ecuacin cuando sea necesario para los niveles bajos de
corriente de diodo. Compare con las soluciones que obtuvo en el problema 32.
34. Determine la resistencia ac promedio para el diodo de la figura 1.19 para la regin entre 0.6 y
0.9 V.
35. Determine la resistencia ac para el diodo de la figura 1 19 a 0.75 Vy compare con la resistencia ac
promedio obtenida en el problema 34.
1.8 Circnitos equivalentes para diodos
36. Encuentre el circuito equivalente de segmentos lineales para el diodo de la figura 1.19. Utilice un
segmento de lnea recta que interseque el eje horizontal en 0.7 V Y que mejor se aproxima a la
curva para la regin mayor a 0.7 V.
37, Repita el problema 36 para el diodo de la figura 1.29.
1.9 Hojas de especificaciones de diodos
* 38. Grafique 1 F contra V
F
utilizando escalas lineales para el diodo Fairchild de la figura 1.36. Observe
que la grfica que se presenta utiliza una escala logartmica para el eje vertical (las escalas
logartmicas se cubren en las secciones 11.2 y 11.3).
39. Comente el cambio en el nivel de capacitancia con el aumento en el potencial de polarizacin
inversa para el diodo BAY73.
40. Cambia significativamente en magnitud la corriente de saturacin inversa del diodo BAY73 para
potenciales de polarizacin inversa en el rango de -25 Va-lOO V?
* 41. Detennine para el diodo de la figura 1.36 el nivel de IR a temperatura ambiente (25 OC) Y en el
punto de ebullicin del agua (100 OC). Es significativo el cambio? Casi se duplica el nivel por
cada incremento de 10 oC en la temperatura?
42. Para el diodo de la figura 1.36 detenrune la resistencia en ac mxima (dinmica) con una corriente
directa de 0.1 mA, 1.5 mA Y 20 mA. Compare los niveles y comente si los resultados respaldan las
conclusiones derivadas en las primeras secciones de este captulo.
43. Utilizando las caractersticas de la figura 1.36, determine los niveles mximos de disipacin de
potencia para el diodo a temperatura ambiente (25 OC) Y 100 oC. Suponiendo que V
F
permanece
fijo a 0.7 V, cmo ha cambiado el nivel mximo de IF entre los dos niveles de temperatura?
44. Haciendo uso de las caractersticas de la figura 1.36, detennine la temperatura en la cual la co-
rriente del diodo ser del 50% de su valor a temperatura ambiente (25 OC).
Problemas 49
50
1.10 Capacitancia de transicin y difusin
* 45. a) Con referencia a la figura 1.37, determine la capacitancia de transicin con potenciales de
polarizacin inversa de -25 V Y -10 V. Cul es la proporcin del cambio en la capacitancia al
cambio en el voltaje?
b) Repita el inciso a para potenciales de polarizacin inversa de -10 V Y -1 V. Determine la
proporcin del cambio en capacitancia al cambio en el voltaje.
e) Cmo se comparan las proporciones detenninadas en los a y b? Qu le indica a usted acerca
de cul rango tendr ms reas de aplicacin prctica?
46. Refirindose a la figura 1.37, detennine la capacitancia de difusin a O V Y a 0.25 V.
47. Describa, con sus propias palabras, cmo difieren las capacitancias de difusin y de transicin,
48. Detenmne la reactancia ofrecida por un diodo descrito con las caractersticas de la figura 1.37, a
un potencial directo de 0.2 V Y a un potencial inverso de -20 V si la frecuencia que se aplica es de
6 MHz.
1.11 Tiempo de recnperacin inverso
49. Dibuje la fonna de la onda para i en la red de la figura 1.63 si tI = 2t
s
Y el tiempo total de recupera-
cin inverso es de 9 ns.
!O
o
. 5
ti = 5 ns
1.14 Diodos Zener
10 k!l
Figura 1.63 Problema 49.
SO. Las siguientes caractersticas estn especificadas para un diodo Zener en particular: V z = 29 V, V R =
16.8 V, Izr:: 10 mA, IR:; 20}lA Y 1
2M
:: 40 mA. Dibuje la curva caracterstica de la manera que
tiene en la figura 1.50.
* 51 A qu temperatura tendr el diodo Zener IN961 10 V Fairchild un voltaje nominal de 10.75 V?
(Sugerencia: Observe los datos de la tabla 1.4).
52. Determine el coeficiente de temperatura de un diodo Zener de 5 V (caracterizado a 25 OC) si el
voltaje nominal cae a4.8 V a una temperatura de 100 oC.
53. Utilizando las curvas de la figura 1.51 a, qu nivel de coeficiente de temperatura esperara para un
diodo de 20 V? Repita para un diodo de S V. Suponga una escala lineal entre los niveles de voltaje
nominal y un nivel de corriente de 0.1 mA.
54. Detennine la impedancia dinmica para el diodo de 24 Val z = lOmA para la figura 1.5 1 b.
Observe que se trata de una escala logartmica.
* SS. Compare los niveles de impedancia dinmica para el diodo de 24 V de la figura 1.5 1 b a los niveles
de corriente de 0.2 mA, 1 roA, Y 10 mA. Cmo se relacionan los resultados a la forma de las
caractersticas en esta regin?
1.15 Diodos emisores de lnz
56. RefIrindose a la fIgura 1.55e, cul parecera ser un valor apropiado de V T para este dispositivo?
Cmo se compara con el valor de V
r
para el silicio y el germanio?
57. Utilizando la infonnacin que se proporciona en la figura 1.55, determine el voltaje directo a
travs del diodo si la intensidad lumnica relativa es de 1.5.
* 58. a) Cul es el porcentaje de incremento en la eficiencia relativa de la figura 1.55 si la corriente
pico crece de 5 a 10 mA?
b) Repita el inciso a para 30 a 35 mA (el mismo incremento en corriente).
c) Compare el porcentaje de incremento de los incisos a y b. En qu punto de la curva dira
usted que se gana poco al seguir aumentando la corriente pico?
Capitulo I Diodos semiconductores
* 59. a) Refirindose a ~ figura 1.55h, detenrune la corriente pico tolerable mxima, si el periodo de
la duracin del pulso es de 1 ms.la frecuencia es de 300 Hz y la mxima corriente dc tolerable
es de 20 mA.
b) Repita el inciso a para una frecuencia de 100 Hz.
60. a) Si la intensidad lumnica en un desplazamiento angular de 0 es de 3.0 mcd para el dispositivo
de la figura 1.55. a qu ngulo ser de 0.75 mcd?
b) A qu ngulo cae la prdida de intensidad lumnica debajo del nivel de 50%?
* 61. Dibuje la curva de prdida de corriente para la corriente directa promedio del LED rojo de alta
eficiencia de la figura 1.55a como se determin para la temperatura. (Observe los valores mxi-
mos promedio.)
*Los asteriscos indican problemas ms difciles.
Problemas 51
Aplicaciones de
diodos
2.1 INTRODUCCIN
La construccin, caractersticas y modelos de los diodos semiconductores se analizaron en el
captulo l. El objetivo principal del presente captulo es desarrollar un amplio conocimiento
prctico sobre el diodo en una variedad de configuraciones utilizando los modelos adecuados
para el rea de aplicacin. Una vez que concluya este captulo, se comprender con claridad el
patrn bsico de componamiento de los diodos en las redes de de yac. Los conceptos que
aprenda en este captulo aparecern de rnanera recurrente en los subsiguientes. Por ejemplo,
los diodos se utilizan a menudo en la descripcin de la construccin bsica de los transistores y
en el anlisis de las redes de transistores en de yac.
El contenido de este captulo revela una faceta interesante y muy positiva del estudio de
un campo tal como el de los dispositivos electrnicos y los sistemas; una vez que se com-
prende con claridad el componamiento bsico de un dispositivo, se pueden determinar su
funcin y respuesta en una variedad infinita de configuraciones. El rango de aplicaciones no
tiene fin; sin embargo, las caractersticas y los modelos no sufren cambio alguno. El anlisis
abarcar desde el que emplea las caractersticas reales del diodo hasta el que utiliza, casi
exclusivamente, modelos aproximados. Es importante que la funcin y respuesta de varios
elementos dentro de un sistema electrnico se comprendan sin tener que repasar de forma
continua procedimientos matemticos prolongados y tediosos. Por lo general, esto se lleva
a cabo a travs del proceso de aproximacin, el cual por s mismo se puede considerar un
arte. Si bien los resultados que se obtienen al utilizar las caractersticas reales pueden diferir
un poco de aquellos en los que se requiere una serie de aproximaciones, tenga en cuenta que
tambin las caractersticas obtenidas de la hoja de especificaciones pueden ser un poco dis-
tintas a las que se obtengan del uso real del dispositivo. En otras palabras, las caractersticas
de un diodo semiconductor lN4001 pueden variar de un elemento a otro dentro de un mismo
lote. La variacin puede ser ligera, pero a menudo ser suficiente para validar las
aproximaciones utilizadas en el anlisis. Tambin se deben considerar los otros elementos de
la red. Es la resistencia nominal de 100 exactamente igual a 100 ? El voltaje aplicado
es exactamente igual a 10 V o quiz 10.08 V? Todas estas tolerancias contribuyen a la creencia
general en cuanto a que una respuesta determinada mediante un conjunto adecuado de
quiz resulte tan "exacta" como una en la que se utilizan las caractersticas
en su totalidad. En este libro el nfasis se centra en el desarrollo de un conocimiento prctico
de un dispositivo, mediante la utilizacin de las aproximaciones adecuadas, evitando as un
nivel innecesario de complejidad matemtica. Sin embargo, tambin se proporcionan detalles
suficientes con objeto de permitir que quien lo desee, est en condiciones de realizar un
anlisis matemtico minucioso.
CAPTULO
53

+
E_
-l
o
ID
-"+
+
VD
( R
(a)
ID (mA)
(b)
Figura 2.1 Configuracin de
diodo en serie: a) circuito;
b) caractersticas.
54
+
V
R
2.2 ANLISIS MEDIANTE LA RECTA DE CARGA
Normalmente, la carga aplicada tendr un impacto importante en el punto o regin de opera-
cin del dispositivo. Si el anlisis se debe llevar a cabo de manera grfica, se puede dibujar una
lnea recta sobre las caractersticas del dispositivo que represente la carga aplicada. La
interseccin de la recta de carga con las caractersticas determinar el punto de operacin del
sistema. Por razones obvias, a este anlisis se le llama anlisis mediante la recta de carga.
Aunque la mayor parte de las redes de diodos que se analizan en este captulo no utilizan el
sistema de la recta de carga, la tcnica se usa de manera frecuente en los captulos siguientes,
y esta introduccin ofrece la aplicacin ms simplificada del mtodo. Pennite de igual fonna
una validacin de la aproximacin de la tcnica descrita a lo largo del resto del captulo.
Considere la red de la figura 2.1 que utiliza un diodo, el cual tiene las caractersticas de la
figura 2.1 b. Obsrvese en la figura 2.1a que la "presin" que proporciona la batera tiene como
objetivo establecer una corriente a travs del circuito en serie, de acuerdo con el sentido de las
manecillas del reloj. El hecho de que esta corriente y la direccin de conduccin definida del
diodo sean "semejantes", indica que el diodo est en estado "encendido" y que se establece la
conduccin. La polaridad resultante a travs del diodo ser como se seala, y el primer cua-
drante (VD e ID positivos) de la figura 2.1b ser la regin de inters, es decir, la regin de
polarizacin directa.
Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie de la figura 2.1a dar por resultado
E - VD - V
R
= O
o
I E = VD + Irft I
(2.1)
Las dos variables en la ecuacin (2.1) (VD e ID) son las mismas que las variables de los ejes
del diodo de la figura 2.1 b. Esta similitud permite una graficacin de la ecuacin (2.1) sobre
las mismas caractersticas de la figura 2.lb,
Las intersecciones de la recta de carga sobre las caractersticas pueden detenninarse con
facilidad si se considera que en cualquier lugar del eje horizontal ID = O A Y que en cualquier
lugar del eje vertical VD'" O V.
Si se establece VD = O V en la ecuacin (2.1) y se resuelve para ID' se tiene una magnitud
de ID sobre el eje vertical. Por tanto, con VD = O V la ecuacin (2.1) se convierte en
y
El ID =-
R VD = OY
(2.2)
como lo indica la figura 2.2. Si se establece ID = O Aen la ecuacin (2.1) y se resuelve para VD'
se tiene la magnitud de VD sobre el eje vertical. Por tanto, con ID = O A la ecuacin (2.1) se
convierte en
E = VD + Irft
= VD + (OA)R
y VD '" EII
D
= o A I
(2.3)
como lo seala la figura 2.2. Una lnea recta dibujada entre los dos puntos definir una recta de
carga como la descrita en la figura 2.2. Si se cambia el nivel de R (la carga), cambiar la
interseccin sobre el eje vertical. El resultado ser un cambio en la pendiente de la recta de
carga, y en un punto de interseccin diferente entre la recta de. carga y las caractersticas del
dispositivo.
Ahora se tiene una recta de carga definida por la red y una curva de caractersticas defini-
da por el dispositivo. El punto de interseccin entre las dos es el punto de operacin para este
Capitulo 2 Aplicaciones de diodos
'-
/ Caractesticas (dispositivo)
,
Punto Q
o
E
Figu!'a 2.2 Dibujo de la recta de carga y la seleccin del punto de operacin.
circuito. Mediante el sencillo dibujo de una lnea recta hacia abajo hasta el eje horizontal puede
determinarse el voltaje del diodo VD' mientras que una lnea horizontal a partir del punto de inter-
seccin y hasta el eje vertical dar el i v l de ID . La corriente ID es en realidad la corriente a travs
de toda 1a conflgracin en serie de la figura t.la. En general, al punto de operacin se le llama
punto estable (abreviado "Q-pt". por las palabras en ingls de: Quiescent PoinT) y refleja sus
cualidades de "estable y sin movimiento" segn se defini para una red de de.
La solucin que se obtiene por la interseccin de las dos curvas es la misma que podra
conseguirse mediante la solucin matemtica de las ecuaciones simultneas (2.1) Y (1.4 ) [ID =
IsCeKvD/TK - 1)]. Puesto que la curva para un diodo tiene caractersticas no lineales,
las matemticas involucradas requeriran del uso de tcnicas no lineales que estn fuera de las
necesidades y objetivo de este libro. El anlisis de la recta de carga descrito antes ofrece una
solucin con un mnimo de esfuerzo, y una descripcin "pictrica" de la razn por la cual se
obtuvieron los niveles de solucin para V DQ e 1 DQ' Los siguientes dos ejemplos demostrarn las
tcnicas que se presentaron, las cuales ofrecen una facilidad relativa con la que puede dibujarse
la recta de carga utilizando las ecuaciones (2.2) y (2.3).
Determinar para la configuracin de diodos en serie de la figura 2.3a usando las caractersticas
de diodo de la figura 2.3b:
a) V
DQ
e I
DQ

b) V
R

+
.....
Si
+
R > 1 k,Q V
R
Figura 2.3 a) Circuito; b) caractersticas.
10
9
8
7
6
5
4
3
2
o
0.5 0.8
(b)
2.2 Anlisis mediante la recta de carga
EJEMPLO 2.1
55
EJEMPLO 2.2
56
Solucin
E I 10V
a) La ecuacin (2.2): ID = - = -- = 10 mA
R VD=OV IkQ
La ecuacin (2.3): VD = EII
D
= DA = lO V
La recta de carga resultante aparece en la figura 2.4. La interseccin entre la recta de carga y la
curva caracterstica define el punto Q COffi<?
VD ",O.78V
Q
ID ",9.25mA
Q
El nivel de VD es una estimacin y la exactitud de ID est limitada por la escala elegida. Un
grado ms alto de exactitud requerira de una grfica mucho ms grande.
b) V
R
= I.R = ID R = (9.25 mA)(1 kQ) = 9.25 V
Q
o V
R
=E-V
D
=IOV-0.78V=9.22V
La diferencia en los resultados se debe a la exactitud con la cual se pueda leer la grfica. Es
ideal cuando los resultados que se obtienen de una ti otra manera son los mismos.
,
'"
lO
I
DQ
== 9.25 mA 9
8
7
6
5
4
3
2
n (mA)
o 0.5 \ J 2 3 4
Figura 2.4 Solucin al ejemplo 2.1.
5 6
Repetir el anlisis del ejemplo 2.1 con R = 2 kQ.
Solucin
7 8 9
a) La ecuacin (2.2): ID = !...I = = 5 mA
R VD = o v 2 kQ
La ecuacin (2.3): VD = EI1D=DA = IOV
10 VD (V)
(E)
La recta de carga resultante aparece en la figura 2.5. Obsrvese la pendiente reducida y los niveles
de corriente del diodo para las cargas crecientes. El punto Q resultante est definido por
VD ",O.7V
Q
I '" 4.6mA
DQ
b) V
R
= IRR = ID R = (4.6 mA)(2 kQ) = 9.2 V
Q
con V
R
= E - VD = 10 V - 0.7 V = 9.3 V
La diferencia en los niveles se debe, una vez ms, a la exactitud con la cual se pueda leer la
grfica. Es cierto que los resultados ofrecen una magnitud esperada para el voltaje V R.
Capitulo 2 Aplicaciones de diodos
f
10
9
8
7
''1
11\! == 4.6 mA 4
3
Punto Q
(del ejemplo 2.1)
o 05 \ I 2 3
V
DQ
== O.7V
Figura 2.5 Solucin al ejemplo 2.2.
4 5 6 7 8 9 10
(E)
Como se observa en los ejemplos anteriores, la recta de carga est determinada slo por la
red aplicada, mientras las caractersticas estn definidas para el dispositivo elegido. Si se recurre
al modelo aproximado para el diodo y no se cambia la red, la recta de carga ser exactamente la
misma que se obtuvo en los ejemplos anteriores. De hecho, los siguientes dos ejemplos repiten
el anlisis de los ejemplos 2.1 y 2.2 mediante el empleo del modelo aproximado para permitir
una comparacin de los resultados.
Repetir el ejemplo 2.1 usando el modelo equivalente aproximado para el diodo semiconductor'
de silicio.
Soluciu
Se dibuja de nuevo la recta de carga segn se muestra en la figura 2.6, con la misma interseccin
como se defini en el ejemplo 2.1. Las caractersticas del circuito equivalente aproximado para
el diodo tambin se han trazado en la misma grfica. El punto Q resultante:
10
IDQ = 9.25 mA 9
8
7
6
5
4
3
2
O 05 \1 2 3 4
VD = 0.7 V
Q
ID = 9.25 mA
Q
5 6 7 8 9 10 VD (V)
Figura 2.6 Solucin al ejemplo 2.1 usando el modelo aproximado del diodo.
2.2 Anlisis mediante la recta de carga
EJEMPLO 2.3
57
EJEMPLO 2.4
10
9
8
7
6
I
DQ
=: 4.6 mA 5
4
3
2
O
EJEMPLO 25
58
Los resultados que se obtienen en el ejemplo 2.3 son muy interesantes, porque el nivel de
ID es exactamente el mismo que el del ejemplo 2.1 empleando una curva de caractersticas
u ~ resulta mucho ms fcil dibujar que la que aparece en la figura 2.4. El nivel de VD ~ 0.7 V
contra 0.78 V del ejemplo 2.1 tiene una diferencia en magnitud del orden de las centsimas,
pero es cierto que estn en la misma vecindad, si se comparan sus magnitudes con las de los
otros voltajes en la red.
Repetir el ejemplo 2.2 usando el modelo equivalente aproximado para el diodo semiconductor
de silicio.
Solucin
La recta de carga se dibuja de nuevo como lo indica la figura 2.7, con la misma interseccin
definida en el ejemplo 2.2. Las caractersticas del circuito equivalente aproximado para el
diodo tambin se dibujaron en la misma grfica. El punto Q resultante:
VD
~ 0.7 V
Q
lo
Q
~ 4.6 mA
1/)(mA)
0.7 V
--
~ =>-;cIf-o-
-
0.5 \1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VD (V)
figura 2.7 Solucin al ejemplo 2.2
utilizando el modelo aproximado del
V
DQ
=:O.7V
diodo.
En el ejemplo 2.4 los resultados que se obtienen tanto para VD como para IDo son los
mismos que los que resultaron empleando las caractersticas compfetas en el ejemplo 2.2.
Los ejemplos anteriores demuestran que los niveles de corriente y voltaje que se obtuvieron al
utilizar el modelo aproximado, son muy cercanos a los que resultaron al utilizar las caracters-
ticas completas. Esto sugiere, como se ver al aplicarlo en las prximas secciones, que el uso
de las aproximaciones adecuadas puede dar como resultado la obtencin de soluciones que son
muy cercanas a la respuesta real con un nivel reducido de incertidumbre acerca de la reproduc-
cin adecuada de las caractersticas, eligiendo a su vez una escala lo suficiente grande. Los
resultados indicarn las condiciones que deben ser satisfechas para poder aplicar el equivalen-
te ideal de forma adecuada.
Repetir el ejemplo 2.1 usando el modelo del diodo ideal.
Solucin
En la figura 2.8 se mostr cmo la recta de carga contina siendo la misma, pero ahora las
caractersticas ideales se intersecan con la recta de carga en el eje vertical. Por tanto, el punto
Q est definido por
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
V
DQ
= O V
IDo = lOmA
I
DQ
=10mA 10
9
8
7
Punto Q
\ VD=OV
.:::----
2
o"
2 3 4 5 6 7 8 9
Figura 2.8 Solucin al ejemplo 2.1 usando el modelo del diodo ideal.
Los resultados son lo suficientemente diferentes para las soluciones del ejemplo 2.1 como
para causar una incertidumbre acerca de su exactitud. Es cierto que ofrecen alguna indicacin
acerca del nivel de voltaje y corriente que deben esperarse para otros niveles de voltaje de la
red, pero el esfuerzo adicional de incluir el equivalente de 0.7 V, muestra que el mtodo del
ejemplo 2.3 es ms apropiado.
Por tanto, el uso del modelo del diodo ideal debe reservarse para aquellas ocasiones cuando
la funcin de un diodo sea ms importante, que los niveles de voltaje que pueden variar en
dcimas de un volt, y en las situaciones donde los voltajes aplicados son de manera considerable
ms grandes que el voltaje de umbral V T" En las siguientes secciones se usar en forma casi
exclusiva el modelo aproximado, ya que los niveles de voltaje que resulten sern sensibles a las
variaciones que se aproximan a V T" Tambin en secciones posteriores se usar el modelo ideal con
mayor frecuencia debido a que los voltajes aplicados sern un poco ms altos que V T. Y los autores
desean asegurarse que la funcin del diodo quede comprendida en fonna correcta y clara.
2.3 APROXIMACIONES DE DIODOS
En la seccin 2.2 se indic que los resultados que se obtuvieron al emplear el modelo equivalente
de segmentos lineales fueron muy cercanos, si no iguales, a la respuesta obtenida al utilizar las
caractersticas de manera completa. De hecho, si se consideran todas las posibles variaciones
debidas a las tolerancias, temperaturas, y as sucesivamente, se podra considerar una solucin
"tan exacta" como la otra. Debido a que el uso del modelo aproximado genera los resultados
que se desean despus de un tiempo y esfuerzo reducidos, ser entonces el sistema empleado
en este libro, a menos que se especifique 10 contrario. Recuerde lo siguiente:
El propsito bsico de este libro es desa"ollor un conocimiento general acerca del
comportamiento, capacidades y reas posibles de aplicacin de un dispositivo, de
manera que minimice la necesidad de extensos desarrollos matemticos.
El modelo equivalente de segmentos lineales completo se present en el captulo 1, Y no se
utiliz en el anlisis de la recta de carga debido a que r av suele ser mucho menor que los otros
elementos en serie de la red. Si r" fuera cercano en magnitud a los otros elementos en serie de
la red, el modelo equivalente completo podra aplicarse de la misma forma como se describi
en la seccin 2.2.
Con la finalidad de preparar el anlisis que se presentar, se desarroll la tabla 2.1 para
repasar las caractersticas ms importantes, los modelos y las de aplicacin de los
modelos aproximados e ideales de los diodos. Aunque el diodo de silicio se usa en forma casi
2.3 Aproximaciones de diodos 59
TABLA 2.1 Modelos de diodo semiconductor aproximado e ideal
Siliciu
Germanio
Modelo ideal (Si o Ge)

- E + + V
T
-
60
(E> V-,Rr",)
=>
o
o 0.3 V
VD
(EVT,Rr",)
=> ------4--------+
________ V_D_
+ 0.7\1

+ 0.3 V

+ OV

if-o

lo
exclusiva debido a sus caractersticas de temperatura, todava se utiliza el diodo de germanio,
y por tanto se incluye en la figura 2.1. De la misma manera que el diodo de silicio. un diodo de
germanio se aproxima mediante un equivalente de circuito abierto para los voltajes menores
que Vr- Entrar al estado "encendido cuando VD;;' = V
T
= 0.3 V.
Tenga en cuenta que el 0.7 V Y el 0.3 V en los circuitos equivalentes no son fuentes
independientes de energa. pero estn ah slo para que recuerde que existe un "precio que
debe pagarse" por encender un diodo. Un diodo aislado en la mesa de laboratorio no indicar
0.7 V o 0.3 V si se coloca un voltmetro en sus terminales. Los fabricantes especifican la cada
de voltaje a travs de cada uno cuando el dispositivo se encuentra en "encendido'. y detallan
que el voltaje del diodo debe ser por lo menos del nivel que se indica antes que la conduccin
pueda establecerse.
Capitulo 2 Aplicaciones de diodos
En las siguientes secciones se demostrar el impacto de los modelos de la tabla 2.1 sobre
el anlisis de las configuraciones'de los diodos. Para las situaciones en que se emplee el circui-
to equivalente aproximado. el smbolo del diodo aparecer como lo seala la figura 2.93 para
los diodos de silicio y de germanio. Si las condiciones son las que podran usarse en el modelo
del diodo ideal, el smbolo del diodo aparecer como lo indica la figura 2.9b.
2.4 CONFlGURACIONES DE DIODOS EN SERIE
CON ENTRADAS DE DC
En esta seccin se usar el modelo aproximado para investigar una variedad de configuracio-
nes de diodos en serie con entradas de de. Dicho contenido establece los fundamentos en el
anlisis de diodos que se aplicarn en las secciones y captulos siguientes. El procedimiento
descrito podr aplicarse a redes con cualquier nmero de diodos y en una variedad de configu-
raciones.
Primero. para ca.da configuracin debe detenninarse el estado de cada diodo. , Cules diodos
se encuentran en "encendido" y cules en "apagado"? Una vez que esto se hace. se puede
sustituir el equivalente adecuado como se defini en la seccin 2.3 y determinar los parmetros
restantes de la red detenninada.
En general, un diodo est en estado "encendido" si la corriente establecida por las
fuentes aplicadas es tal que su direccin concuerda con la flecha del smbolo del
diodo, y V D ~ 0,7 V para el silicio y V D ~ 03 V para el germanio.
Para cada configuracin, se reemplazarn mentalmente los diodos por elementos resistivos
y se observar la direccin resultante de la corriente, de acuerdo como se establece debido a los
voltajes aplicados ("presin"). Si la direccin resultante es "similar" a la flecha del smbolo del
diodo. ocurrir la conduccin a travs del diodo y el dispositivo estar en estado 'encendido".
La descripcin anterior depende de que la fuente suministre un voltaje mayor que el voltaje de
"encendido" (VT) de cada diodo.
Si un diodo est en estado "encendido", se puede colocar una cada de 0.7-V a travs del
elemento. o dibujar de nuevo la red con el circuito equivalente V T como se defini en la tabla
2.1. Con el tiempo, probablemente se preferir incluir la cada de 0.7 Va travs de cada diodo
en "encendido" y dibujar una lnea a travs de cada diodo en estado "apagado" o abierto.
Inicialmente el mtodo de sustitucin se utilizar con el fin de asegurar que se detenninen el
voltaje y los niveles de corriente adecuados.
El circuito en serie de la figura 2.10, descrito brevemente en la seccin 2.2. se necesitar
para demostrar la aproximacin descrita en los prrafos anteriores. Primero, el estado del diodo
se determina de forma mental al reemplazar el diodo con un elemento resistivo, como lo indica
la figura 2.11. La direccin resultante de 1 coincide con la flecha en el smbolo del diodo, y
dado que E> V T. el diodo se encuentra en estado "encendido". Se dibuja de nuevo la red como
lo seala la figura 2.12 con el modelo equivalente apropiado para el diodo de silicio con
polarizacin directa. Obsrvese para una futura referencia. que la polaridad de VD es la misma
'l.ue la que resultara si de hecho el diodo fuera un elemento resistivo. El voltaje resultante y los
niveles de corriente son .los siguientes:
(2.4)
(2.5)
(2.6)
2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de dc
---
Ge
(a) (b)
Figura 2.9 a) Notacin del
modelo aproximado: b) notacin
del modelo ideal.
Si
+
Figura 2.10 Configuracin con
diodo en serie.
...
+
v,
Figura 2.11 Determinacin del
estado del diodo de la figura. 2.10.
+ v{) -
+ F' ~ v
lL
+
E R
v
R
...
Figura 2.12 Sustitucin del
modelo equivalente para el diodo
en estado "encendido" de la.
fgura 2.10.
61
+
E
+
E ~ = -
+
R V,
~
Figura 2.13 Invirtiendo el diodo
de la figura 2.10.
EJEMPLO 2.6
+
V
o
F
Si
l'L,
8 V R 2.2kQ
..
Figura 2.16 Circuito para el
ejemplo 2.6.
EJEMPLO 2.7
+
V,
--1-
if"'"''''
~
+
E R
V,
..
Figura 2.14 Determinacin del
estado del diodo de la figura 2.13.
+ VD=E
+F
l"t,
+
E R
V,
..
Figura 2.15 Sustitucin del modelo
equivalente para el diodo en estado
"apagado" de la figura 2.13.
En la figura 2.13 el diodo de la figura 2.10 se invirti. El reemplazo mental del diodo por
un elemento resistivo segn la figura 2.14 indicar que la direccin resultante de la corriente
no coincide con la flecha del smbolo del diodo. El diodo est en estado "apagado", lo que
genera el circuito equivalente de la figura 2.15. Debido al circuito abierto, la corriente del
diodo es de O A Y el voltaje a travs .de la resistencia R es la siguiente:
El hecho de que V
R
= O V establecer E volts a travs del circuito abierto, como se defini por
la ley de voltaje de Kirchhoff. Siempre se tomar en cuenta que bajo cualesquiera circunstan-
cias, valores instantneos de de, ac, pulsos, etc., deber satisfacerse la ley de voltaje de Kirchhoff.
Para la configuracin de diodos en serie de la figura 2.16, determinar VD' V
R
e ID'
Solucin
Debido a que el voltaje establece una corriente en la direccin de las manecillas del reloj para
coincidir con la flecha del smbolo y que el diodo est en estado "encendido",
VD = 0.7 V
VR=E-V
D
=8V-O.7V=73V
V
R
7.3 V
ID=IR= = _332mA
R 2.2kn
Repetir el ejemplo 2.6 con el diodo invertido.
ID = OA o---l1 Solucin
L VD - 'R = O: Al eliminar el diodo, resulta que la direccin de 1 es opuesta a la flecha en el smbolo del diodo,
E 8 V R 2.2 ka V
R
y que el equivalente del diodo es el circuito abierto sin importar qu modelo se utilice. Debido
..
Flgura 2.17 Determinacin de las
cantidades desconocidas para el
ejemplo 2.7.
62
al circuito abierto, el resultado es la red de la figura 2.17 , donde ID = O A. Esto es porque V R =
l ~ , V
R
= (O)R=O V. Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo cerrado genera
y
E - VD - V
R
= O
VD=E-VR=E-O=E =8V
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
Obsrvese en el ejemplo 2.7 el alto voltaje a travs del diodo a pesar de que se encuentra
en estado "'apagado". La corriente es cero, pero el voltaje es significativo. Con el fin de repasar,
debe recordarse el anlisis siguiente:
l. Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a travs de sus terminales, pero la
corriente siempre ser igual a O A.
2. Un circuito cerrado tiene una cada de O V a travs de sus terminales, pero la corriente
estar limitada por la red que la rodea.
En el siguiente ejemplo es importante la notacin de la figura 2.18 para el voltaje aplicado.
Se trata de una notacin comn en la industria, con la que el lector debe familiarizarse. Dicha
notacin y otros niveles definidos de voltaje se tratarn con mayor profundidad en el captulo 4.
E =+lOVo
Figura 2.18 Notacin de la fuente.
Para la c;onfiguracin de diodo en serie de la figura 2.19, determinar VD' V
R
e ID"
~
Si
E -=:=- 0.5 v
Solucin
+
R < 1.2 kQ V
R
Figura 2.19 Circuito del diodo
en serie para el ejemplo 2.8.
A pesar de que la "presin" establece una comente con la misma direccin que el smbolo de la
flecha, el nivel del voltaje aplicado resulta insuficiente para "encender" el diodo de silicio. El
punto de operacin sobre las caractersticas se s e a l ~ en la figura 2.20, y establece el equiva-
lente del circuito abierto como la aproximacin adecuada. El voltaje resultante y los niveles de
corriente son por tanto los siguientes:
y
ID = OA
V
R
= I.R = Id? = (OA)1.2kn = OV
V
D
=E=O.5V
Figura 2.20 Punto de operacin
con E '" 0.5 V.
o / 0.7 V
VD == 0.5 V
2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de de
EJEMPLOZ;8
63
EJEMPLO 2.9
EJEMPLO 2.10
64
Determinar V, e ID para el circuito en serie de la figura 2.21.
Si G,
IR
+12V
V,
-
ID
5.6 kO
Solucin
Figura 2.21 Circuito para el
ejemplo 2.9.
Un enfoque similar que se aplic en la figura 2.6 revelar que la corriente resultante tiene la
misma direccin que las flechas de los smbolos de ambos diodos, y que la red de la figura 2.22
es el resultado, porque E = 12 V > (0.7 V + 0.3 V) = 1 V. Ntese la fuente redibujada de 12 V
Y la polaridad de V
o
a travs de la resistencia de 5.6 kQ. El voltaje resultante
V
o
= E - V
T
, - V
T
, = 12 V - 0.7 V - 0.3 V = 11 V
V
R
V
o
11 V
[D=[R=-=-= 0'1,96mA
R R 5.6kQ
e
Determinar ID' VD, Y V
o
para el circuito de la figura 2.23.
+ V
D2
-
Solucin
Si Si
+ 12 v V,
IR
5.6 kn
Figura 2.22 Determinacin de las
cantidades desconocidas para el
ejemplo 2.9.
Figura 2.23 Circuito para el
ejemplo 2.10.
Al eliminar los diodos y al determinar la direccin de la corriente resultante 1 generar el
circuito de la figura 2.24. Existe una similitud en la direccin de la corriente para el diodo de
silicio. pero no as para el diodo de La combinacin de un corto circuito en serie con
un circuito abierto siempre genera como resultado un circuito abierto e ID = O A, como lo
seala la figura 2.25.
FIgura 2.24 Determinacin del estado
de los diodos de la figura 2.23.
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
?
1= o
-
Figura 2.25 Sustitucin del estado
equivalente para el diodo abierto.
La pregunta que permanece es: qu sustituir en lugar del diodo de silicio? Para el anlisis
que seguir y para los captulos subsecuentes, slo debe recordarse que para el diodo prctico
real ID = O A, VD = O Y (y viceversa), como se describi para la situacin sin polarizacin en el
captulo l. Las condiciones descritas por ID = O A Y VD, = O Y se indican en la figura 2.26.
y
Figura 2.26 Determinacin de
las cantidades desconocidas
para el circuito del ejemplo 2.10.
V
o
= I? = lrfi = (OA)R = OY
V D
2
= Vcitcuito abierto = E = 12 V
La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj da
E - VD, - VD, - V
o
= O
y
con
VD, = E - VD, - V
o
= l2V - O - O = 12V
V = OV
o
Determinar 1, VI' V
2
y V
o
para la configuracin de de en serie de la figura 2.27.
Solucin
+ v,
R,
4.7 ka
+
FIgUra 2.27 Circuito para el
ejemplo 2.11.
Las fuentes se dibujan de nueve. y la direccin de la corriente se indica en la figura 2.28. El
diodo est en estado "encendido" y la notacin que aparece en la figura 2.29 est incluida para
indicar este estado. Obsrvese que el estado "encendido" se anota slo mediante VD = 0.7 V
+ VI - + O.7V-
(T
4.7 kn
2.2 ka:
E, 110V
5V
...
EJEMPLO 2,11
,
+
+
A
R
2
v,
V,
E,
J.
+
Figura 2.28 Determinacin del estado del diodo
para la red de la figura 2.27.
Figura 2.29 Determinacin de las cantidades desconocidas
para la red de la figura 2.27.
2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de de 65
EJEMPLO 2.12
66
adicional en la figura. Esto elimina la necesidad de dibujar de nuevo la red y evita cualquier
confusin que pueda generarse por la aparicin de otra fuente. Como se seal en la introduc-
cin de esta seccin, es probable que esta sea la ruta y notacin que se tomar, una vez que se
establece un nivel de confiabilidad en el anlisis de las configuraciones de los diodos. Con el
tiempo, el anlisis completo se desarrollar slo refirindose a la red original. Recuerde que
puede indicarse un diodo con polarizacin inversa. slo con una lnea a travs del dispositivo.
La corriente resultante a travs del circuito es,
E + E, - VD 10 V + 5 V - 0.7 V 14.3 V
1= = = _2.07mA
R + R, 4.7 kQ + 2.2 kQ 6.9 kQ
Y los voltajes son
V = IR = (2.07 mAl (4.7 kQ) = 9.73 V
V, = IR, = (2.07 mAl (2.2 kQ) = 4.55 V
La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff a la seccin de salida en la direccin de las
manecillas del reloj generar un resultado
y V
o
= V, - E, = 4.55 V - 5 V = 4 5 V
El signo de menos indica que V
o
tiene una polaridad opuesta a la que aparece en la figura 2.27.
2.5 CONFIGURACIONES EN PARALELO
Y EN SERIE-PARALELO
Los mtodos aplicados en la seccin 2.4 se pueden extender al anlisis de las configuraciones
en paralelo y en serie-paralelo. Para cada rea de aplicacin, slo se igualan las series
secuenciales de pasos aplicados a las configuraciones de diodos en serie.
Determinar V
o
'!'! D, e ID, para la configuracin de diodos en paralelo de la figura 2.30.
Solucin
...
...
FIgura 2.30 Red para el
ejemplo 2.12.
Para el voltaje aplicado, la "presin" de la fuente es para establecer una corriente a travs de
cada diodo en la misma direccin que se muestra en la figura 2.31. Debido a que la direccin
de la corriente resultante es igual a la de la flecha en cada smbolo de diodo. y que el voltaje
aplicado es mayor que 0.7 V. ambos diodos estn en estado "encendido". El voltaje a travs de
los elementos en paralelo es siempre el mismo y
V
o
= 0.7 V
Capitulo 2 Aplicaciones de diodos
La corriente
+ V -
1 '
0.33 kn
E 110 v
.".
V
R
1 = - =
, R
R
0_
IOV - 0.7 V
Figura 2.31 Determinacin de las
cantidades desconocidas para la
red del ejemplo 2.12.
= = 2S.1SmA
0.33 kQ
Suponiendo diodos de caractersticas similares, se tiene
1 =
D,
1,
1 =- =
D, 2
28.18 mA
2
14.09mA
El ejemplo 2.12 demostr una razn para colocar diodos en paralelo. Si la corriente nomi-
nal de los diodos de la figura 2.30 es slo de 20 mA. una corriente de 28.18 mA daara el
dispositivo si apareciera slo en la figura 2.30. Al colocar dos en paralelo, la corriente est
limitada a un valor seguro de 14.09 mA con el mismo voltaje terminal.
Determinar la corriente 1 para la red de la figura 2.32.
1
-+ R
E=20V 2.2kQ
Solucin
Si
....
....
D,
D_
....
'-'
Si
Figura 2.32 Red para el
ejemplo 2.13.
Al dibujar de nuevo la red como lo indica la fIgura 2.33. se seala que la direccin de la
corriente resultante es como para encender el diodo DI y apagar el diodo D
2
" La corriente
resultante 1 es entonces
1=
1 R = 2.2 kQ
+
20 V - 4 V - 0.7 V
2.2kQ
_ 6.95mA
0.7 V
+
:1]'
:' T 4V
Figura 2.33 Determinacin de
las cantidades desconocidas para
la red del ejemplo 2.13.
2.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo
11
EJEMPLO 2.13
67
EJEMPLO 2.14
12 v
s,
I ~ v .
2.2 kSl
Figura 2.34 Red para el
ejemplo 2.14.
EJEMPLO 2.15
E -;.- 20 v
Si

_.
D,
v
5.6 kQ
R,
33 kQ
Figura 2.36 Red para el
ejemplo 2.15.
68
Determinar el voltaje Va para la red de la figura 2.34.
Solucin
Inicialmente, parecera que el voltaje aplicado "encender" ambos diodos; sin embargo. si
ambos estn en "encendido", la cada de 0.7-Va travs del diodo de silicio no ser igual a los
0.3 V a travs del diodo de germanio como se requiere, por el hecho de que el voltaje a travs
de elementos paralelos debe ser el mismo. La accin resultante se puede explicar slo con
notar que cuando la fuente se enciende incrementar de O Va 12 V en un periodo, aunque quiz
se podra medir en milisegundos. Durante el incremento en que se establece 0.3 V a travs del
diodo de gennanio. ste '''prender'' y mantendr un nivel de 0.3 V. El diodo de silicio nunca
tendr la oportunidad de capturar su 0.7 V requerido, y por tanto pennanecer en su estado de
circuito abierto como lo indica la figura 2.35. El resultado:
V
o
= 12 V - 0.3 V = 11.7 V
rS
~
vTTo3V
03V
a o
O 7 V I , I
F
v
o
... 2.2 kD
Figura 2.35 Determinacin de
V
o
para la red de la figura 2.34.
Determinar las corrientes /" /, e / D, para la red de la figura 2.36.
Solucin
El voltaje aplicado (presin) es como para encender ambos diodos, como se observ por las
direcciones de corriente resultante en la red. de la figura 2.37. Ntese que el uso de la notacin
abreviada para los diodos '''encendido'' y que la solucin se obtienen a travs de una aplicacin de
tcnicas aplicadas a las redes de en serie-paralelo.
5.6 kQ
- V
1
+
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
0,7V
= = 0.212mA
3.3 kQ
R, ~ 3.3kQ
figura 2.37 Determinacin de las
cantidades desconocidas para el
ejemplo 2.15.
La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en la direccin de
las manecilla, del reloj produce:
-V
2
+
y V, = E - V
T
, - Vr,
con 1, =
V
o
R,
En el nodo a de la parte inferior
E - V
T
- V
T
= O
, .
= 20V - 0.7V - 0.7V
18.6 V
= ---- = 3.32 mA
5.6kQ
ID: + JI = 1:..
18.6 V
y lo, = 1, - 1, = 3.32 mA '-- 0.212 mA = 3.108 mA
2.6 COMPUERTAS ANDjOR
Ahora, las herramientas de anlisis estn a la disposicin, y la oportunidad de investigar una
configuracin de computadora, que demostrar el rango de aplicaciones de este dispositivo
relativamente sencillo. El anlisis estar limitado a la determinacin de los niveles de voltaje,
y no se incluir un anlisis detallado de lgebra booleana o de lgica positiva y negativa.
La red que se analizar en el ejemplo 2.16 es una compuerta OR para lgica positiva. Esto
es, el nivel de 10-V de la figura 2.38 tiene asignado un "1" para el lgebra booleana, en tanto
que una entrada de O-V tiene asignado un "O. Una compuerta OR es tal. que el nivel de voltaje
de salida ser de 1 si alguna o ambas entradas son l. La salida es de O si ambas entradas estn
en el nivelO.
El anlisis de las compuertas AND/OR se realiza con fciles mediciones al utilizar el
equivalente aproximado para un diodo. en lugar del ideal. debido a que puede estipularse que
el voltaje a travs del diodo debe ser 0.7 V positivos para el diodo de silicio (0.3 V para el de
germanio) para cambiar al estado "encendido'.
En general. el mejor mtodo es el de establecer un sentido "intuitivo' para el estado de los
diodos mediante la observacin de la direccin y la "presin" que establecen los potenciales
aplicados. El anlisis verificar o negar las suposiciones iniciales.
Determinar V, para la red de la figura 2.38.
Solucin
Obsrvese que en principio slo existe un potencial aplicado; 10 V en la terminal l. La terminal
2 con una entrada de O V es esencialmente un potencial de tierra, como se indica en lo que se
dibuj de nuevo de la red de la figura 2.39. La figura 2.39 "sugiere" que DI est probablemente
en estado "encendido' debido a los 10 V aplicados. mientras que D, con su lado "positivo" en
O V est quiz en "apagado" . La suposicin de estos estados dar por resultado la configura-
cin de la figura 2.40.
El siguiente paso es slo para verificar que no existen contradicciones en las suposiciones.
Esto es, observar que la polaridad a travs de DI es tal como para encenderlo y que la polaridad
a travs de D
2
es tal como para apagarlo. Para D I el estado "encendido" establece V
o
en V
o
= E
- V
D
= 10 V -0.7 V =9.3 V, Con 9.3 en el lado del ctodo (-) de D
2
y O Ven el lado del nodo
(+), D? est definitivamente en estado "apagado". La direccin de la corriente y la trayectoria
c o n t i n ~ resultante para la conduccin reafirman la suposicin de que DI est conduciendo.
Las suposiciones se confinuan por los voltajes y la corriente resultante, y se puede asumir que
el anlisis inicial es correcto. El nivel de voltaje de salida no es de JO V como se defini para
una entrada de 1, pero el 9.3 V es lo suficientemente grande para ser considerado un nivel l.
Por tanto. la salida es un nivel 1 con slo una entrada, lo cual sugiere que se trata de una
2.6 Compuertas ANDjOR
s;
(1) E=10 ye
~
(
D,
s;
(O(
Oy
av
1
,
D,
Rt kQ
...
Figura 2.38 Compuerta lgica
OR positiva.
EJEMPLO 2.16
+ ... -
r.
D,
Figura 2.39 Red dibujada de
nuevo de la figura 2.38.
69
EJEMPLO 2.17
(1)
E,
= OY
(01
Ez =ov
2
Si
D,
Si
D,
OVo
R I k!l
E 1 lO\'
...
Figura 2.41 Compuerta lgica
AND positiva.
70
R I kQ.
1
Figura 2.40 Estados del diodo asumidos
"=" para la figura 2.38.
compuerta ORo Un anlisis de la misma red con dos entradas de lO-y dar por resultado que
ambos diodos estn en estado "encendido" y con una salida de 9.3 Y. Una entrada de O-Yen am-
bas entradas, no proporcionar el 0.7 Y requerido para encender los diodos y la salida ser de
O debido al nivel de salida de O-v. Para la red de la figura 2.40 el nivel de corriente se encuentra
determinado por
I =
10 Y - 0.7 Y
= -----= 9.3mA
lkQ
Determinar el nivel de salida para la compuerta lgica ANO positiva de la figura 2.41.
Solucin
Obsrvese en este caso que la fuente independiente aparece en la terminal conectada a tierra de
la red. Debido a razones que pronto sern obvias, se elige el mismo nivel que el nivel lgico de la
entrada. La red est dibujada en la figura 2.42 con las suposiciones iniciales respecto a
los estados de los diodos. Con 10 Y del lado del ctodo de DI se asume que DI se encuentra en
estado "apagado", aunque exista una fuente de lO-y conectada al nodo de DI a travs de la
resistencia. Sin embargo, recuerde que se mencion en la introduccin de esta seccin que el
empleo del modelo aproximado servir de ayuda para el anlisis. Para DI de dnde vendr
el 0.7 Y, si los voltajes de entrada y fuente se encuentran en el mismo nivel y creando "presio-
nes" opuestas? Se supone que D, se encuentra en estado "encendido" debido al bajo voltaje del
lado del ctodo y la disponibilidad de la fuente de !O-Ya travs de la resistencia de l-kQ .
Para la red de la figura 2.42 el voltaje en V
o
es de 0.7 Y, debido a que el diodo D, est
polarizado directamente. Con 0.7 Y en el nodo de DI y 10 Y en el ctodo, DI est defi-
nitivamente en estado "apagado". La corriente 1 tendr la direccin que se indica en la figura
2 .42 Y una magnitud igual a
I = =
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
lOY- 0.7Y
lkQ
= 9.3 mA
FIgura 2.42 Sustitucin de los
estados asumidos para los diodos
de la figura 2.41.
El estado de los diodos es, por tanto, confinnado y el anlisis anterior fue correcto. A pesar
de que no hay O V como se especific antes para el nivelO, el voltaje de salida es lo suficiente-
mente pequeo para poder considerarlo en un nivelO. Para la compuerta AND, por tanto, una
nica entrada dar por resultado un nivelO de salida. Los estados restantes de los diodos para
las posibilidades de dos entradas y ninguna entrada se examinarn en los problemas que apare-
cen al final del captulo.
2.7 ENTRADAS SENOIDALES; RECTIF1CACIN
DE MEDIA ONDA
Ahora, el anlisis de los diodos se ampliar para incluir las funciones variables en el tiempo,
tales como la fonna de onda senoidal y la onda cuadrada. No existe duda de que el grado de
dificultad se complicar, pero una vez que se comprendan varios movimientos, el anlisis ser
bastante directo y seguir un procedimiento comn.
La red ms simple que se examinar con una seal variable en el tiempo aparece en la
figura 2.43. Por el momento se utilizar el modelo ideal (obsrvese la ausencia de la identificacin
Si o Ge para denotar el diodo ideal), para asegurar que el sistema no se dificulte por la comple-
jidad matemtica adicional.
~ +
~ leido
v, = Vmsen oor
~ - . - ~ - . . . . . .
+ +
R
...
Figura 2.43 Rectificador de media onda.
A travs de un ciclo completo, definido por el periodo T de la figura 2.43, el valor prome-
dio (la suma algebraica de las reas arriba y abajo del eje) es cero. El circuito de la figura 2.43,
llamado rectificador de media onda, generar una forma de onda v
o
' la cual tendr un valor
promedio de uso particular en el proceso de conversin de ac a dc. Cuando un diodo se usa en
el proceso de rectificacin, es comn que se le llame rectificador. Sus valores nominales de
potencia y corriente son nonnalmente mucho ms altos que los de los diodos que se usan en
otras aplicaciones, como en computadoras o sistemas de comunicacin.
Durante el intervalo t = O .... TI2 en la figura 2.43, la polaridad del voltaje aplicado Vi es
como para establecer "presin" en la 'direccin que se indica, y encender el diodo con la pola-
ridad indicada arriba del diodo. Al sustituir la equivalencia de circuito cerrado por el diodo
dar por resultado el circuito equivalente de la figura 2.44, donde parece muy obvio que la
seal de salida es una rplica exacta de la seal aplicada. Las dos terminales que definen el
voltaje de salida estn conectadas directamente a la seal aplicada mediante la equivalencia de
corto circuito del diodo.
+
+
+
+
+
,
,
~
R,
"
~
,
, R
V
o
= V
... ...
Figura 2.44 Regin de conduccin (O ~ T/2).
2,7 Entradas senoidales; rectificacin de media onda
.,
71
72
Para el periodo T/2 ---'> T, la polaridad de la entrada v; es como se indica en la figura 2.45,
y la polaridad resultante a travs del diodo ideal produce un estado "apagado" con un equiva-
lente de circuito abierto. El resultado es la ausencia de una trayectoria para el flujo de carga y
V
o
= iR = (O)R = O V para el periodo T/2 ---'> T. La entrada v; y la salida va se dibujaron juntas en
la figura 2.46 con el propsito de establecer una comparacin. Ahora, la seal de salida v(J tiene un
rea neta positiva arriba del eje sobre un periodo completo, y un valor promedio detenninado por
V
dc
= 0.318Vm Imediaonda
(2.7)
+ v"
R "0 = O V
Figura 2.45 Regin de no conduccin (T/2 T) .
Vd':: = O V
...
o .L T
2
o
-r-
Figura 2.46 Seal rectificada de media
onda.
Al proceso de eliminacin de la mitad de la seal de entrada para establecer un nivel de se
le llama rectificacin de media onda.
El efecto del uso de un diodo de silicio con V
r
= 0.7 V se seala en la figura 2.47 para la
regin de polarizacin directa. La seal aplicada debe ser abara de por lo menos 0.7 V antes de
que el diodo pueda "encender". Para los niveles de v; menores que 0.7 V el diodo an est en
estado de circuito abierto y V
o
:= O V, como lo indica la misma figura. Cuando conduce, la
diferencia entre voY Vi se encuentra en un nivel fijo de V T= 0.7 V Y V
o
= Vi - V
r
segn se indica
en la figura. El efecto neto es una reduccin en el rea arriba del eje, la cual reduce de manera
+ v
r
-

O.7V
R
Figura 2.47 Efecto de V T sobre la seal rectificada de media onda.
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
11
I 11
o I 11 T T t

Defasamiento debido a V T
natural el nivel resultante de voltaje de. Para las situaciones donde V m V p la ecuacin 2.8
puede aplicarse para determinar el valor promedio con un alto nivel de exactitud.
(2.8)
Si v m es suficientemente ms grande que V T' la ecuacin 2.7 es a menudo aplicada como
una primera aproximacin de V
dC

a) Dibujar la salida voy detenninar el nivel de de la salida de la red de la figura 2.48.
b) Repetir el inciso a si el diodo ideal es reemplazado por un diodo de silicio.
e) Repetir los incisos a y b si V
m
se incrementa a 200 V, Y comparar las soluciones utilizando
las ecuaciones (2.7) y (2.8).
o TI
Solucin
+
+
Figura 2.48 Red para
el ejemplo 2.18.
a) En esta situacin el diodo conducir durante la parte negativa de la entrada segn se mues-
tra en la figura 2.49, y V
o
aparecer como se seala en la misma figura. Para el periodo
completo, el nivel dc es
Vd' = -D.3l8V m = -D.318(20 V) = -6.36 V
El signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad definida de la
figura 2.48.
,.
-14+ ro
o
+
'.
0
2kQ
'o
T
O T
2
20 +
Figura 2.49 V
o
resultante para el circuito del ejemplo 2.18.
b) Utilizando un diodo de silicio, la salida tiene la apariencia de la figura 2.50 y
Vd';: -0.318(V
m
-0.7V) = -D.318(l9.3V);: -6.14 V
La cada resultante en el nivel de es de 0.22 V o cerca del 3.5%.
e) Ecuacin (2.7): Vd' = -D.318V
m
= -D.3 1 8(200 V) = -63.6 V
Ecuacin (2.8): Vd' = -D.318(V
m
- V
T
) = -D.3 1 8(200 V - 0.7 V)
= -(0.318)(199.3 V) = -63.38 V
la que es una diferencia que. en efecto. puede ignorarse para la mayor parte de las aplicaciones.
Para el inciso e el desvo y la cada en la amplitud debido a V T no sera discernible en un
osciloscopio tpico si se despliega el patrn completo.
2.7 Entradas senoidales; rectificacin de media onda
EJEMPLO 2.18
v"
o L
2
\
20V- O.7V= 19.3V
Figura 2.50 Efecto de V
T
sobre
la salida de la figura 2.49.
73
+ "encendido"
R
+
+
_ "encendido"_
_ "apagado"
FJgura 2.53 Red de la figura 2.52
para el periodo O T/2 del voltaje
de entrada vi.
74
PIV (pRV)
El valor del voltaje pico inverso (PIV, por las iniciales en ingls de: Peak Inverse Voltage) (o
PRV, por las iniciales en ingls de: Peak Reverse Va/tage) del diodo es muy importante en el
diseo de sistemas de rectificacin. Recuerde que se trata del valor del voltaje que no debe
excederse en la regin de polarizacin inversa, pues de otra fonna el diodo entrar en la regin
de avalancha Zener. El valor PIV requerido para el rectificador ~ media onda puede determinarse
a partir de la figura 2.51, la cual muestra el diodo de la figura 2.43 con polarizacin inversa con
un voltaje mximo aplicado. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff, parece muy obvio que el
valor PIV del diodo debe ser igualo mayor al valor del pico del voltaje aplicado. Por tanto,
Valor PIV G V m
recrificador de media onda
(2.9)
'--------'
v
o
== IR= (O)R=O V
Figura 2.51 Determinacin del valor
de PIV que se requiere para el
rectificador de media onda.
+
0------------+-----,o
2.8 RECTIFICACIN DE ONDA COMPLETA
Puente de diodos
El nivel de dc que se obtiene a partir de una entrada senoidal puede mejorar al 100% si se
utiliza un proceso que se llama rectificacin de onda completa. La red ms familiar para llevar
a cabo tal funcin aparece en la figura 2.52 con sus cuatro diodos en una configuracin en
forma de puente. Durante el periodo t '" O a Tl2 la polaridad de la entrada se muestra en la
figura 2.53. Las polaridades resultantes a travs de los diodos ideales tambin se sealan en
la figura 2.53 para mostrar que D, y D3 estn conduciendo, en tanto que D y D, se hallan
en estado "apagado". El resultado neto es la configuracin de la figura 2.54, con su corriente y
polaridad indicadas a travs de R. Debido a que los diodos son ideales, el voltaje de carga V
o
=
Vi' segn se muestra en la misma figura.
+
T
R
A
+
2
D4 FJgura 2.52 Puente rectificador de
onda completa.
A
"
v.
O T t
2
Figura 2.54 Trayectoria de conduccin para la regin positiva de Vi.
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
Para la regin negativa de la entrada los diodos conductores son DI y D
4
, generando la
configuracin de la figura 2.55. El resultado importante es que la polaridad a travs de la resis-
tencia de carga R es la misma que en la figura 2.53, estableciendo un segundo pulso positivo,
como se indica en la figura 2.55. Despus de un ciclo completo los voltajes de entrada y de
salida aparecern segn la figura 2.56.
,
,
, ,
,
\
",
o T T
R
"2
+
Figura 2.55 Trayectoria de conduccin para la regin negativa de v-
T
,
o
,
\
,
o T T
"2
Figura 2.56 Formas de onda
de entrada y salida para un
rectificador de onda completa.
Debido a que el rea arriba deI eje para un ciclo completo es ahora doble, en comparacin
con la obtenida para un sistema de media onda, el nivel de dc tambin ha sido duplicado y
Vd' = 2(Ec.2.7) = 2(0.318V
m
)
o
I Vd' = 0.636Vm IOOd"OffiPet,
(2.10)
S se emplea diodos de silicio en lugar de los ideales como se indica en la figura 2.57, una
aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la trayectoria de conduccin resultara
y
Vi - V
r
- V
o
- V
r
= O
V
o
= Vi - 2V
r
El valor pico para el voltaje de saIida va es, por tanto,
Para las situaciones donde V m 2V
T
, puede aplicarse la ecuacin (2.11) para el valor promedio
con un nivel relativamente alto de precisin.


_ 0-+
R
o_\,,=;:;v
(2.11)
Ftgura 2.57 Determinacin de
V
Omh
para los diodos de silicio en
la configuracin puente.
Si V
m
es lo suficiente ms grande que 2V" entonces la ecuacin (2.10) a menudo se aplica
como una primera aproximacin para V
dC
'
2.8 Rectificacin de onda completa
75
F1gura 2.58 Determinacin del
PV que se requiere para la
configuracin puente.
76
PIV
El PIV que se requiere para cada diodo (ideal) puede determinarse a partir de la figura
2.58 que se obtuvo en el pico de la regin positiva de la seal de entrada. Para la malla indicada
el voltaje mximo a travs de R es V
m
y el valor PIV se define por
V
m
I
'-___ -"'...Jrectificador puente de onda completa
(2.12)
Transformador con derivacin central
Un segundo rectificador de onda completa muy popular aparece en la figura 2.59 con slo dos
diodos. pero requiere de un transformador con derivacin central (CT, por las iniciales en
ingls de: Center Tappe) para establecer la seal de entrada a travs de cada seccin del
secundario del transformador. Durante la porcin positiva de Vi aplicada al primario del trans-
formador, la red aparece como se muestra en la figura 2.60. D) asume el equivalente del corto
circuito y Do el equivalente del circuito abierto, segn se determin por los voltajes secunda-
rios y las direcciones de corriente resultantes. El voltaje de salida aparece en la figura 2.60.
"
o
I.
2
D,
+
"
,

R
cr ,
+
+
"
"
D,
__ --
+ !Jim
: >0-----'1,,'0/1" .,.+,....,
Tfii. ..,.;".g. __ :'. V m R
'.'
+
Figura 2.60 Condiciones de la red para la regin positiva de Vi'
o
Figura 2.59 Transformador con
derivacin central para un
rectificador de onda completa.
I.
2
Durante la porcin negativa de la entrada, la red aparece como lo indica la figura 2.61,
invirtiendo los papeles de los diodos, pero manteniendo la misma polaridad para el voltaje a
v
- +
,

I \


, V
lA
+ m
O
I.
T CT va'" +
2
V
m
+ - V
m
,
.
,
I
\
\
O
I.
T
2
Figura 2.61 Condiciones de la red para la regin negativa de v O
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
travs de la resistencia de carga R. El efecto neto es una salida igual a la que aparece en la
figura 2.56 con los mismos niveles de dc.
PIV
La red de la figura 2.62 ayudar a determinar el PIV neto para cada diodo de este rectificador
de onda completa. La insercin del voltaje mximo del voltaje secundatio y el V
m
de acuerdo
con lo establecido para la red adjunta dar por resultado
PIV ;;; Vsecundario + V R
= V + V
m m
y PIV f; 2V
m
I
'-_____ ....:::_--' transformador CT. rectificador de onda completa
(2.13)
Determinar la forma de onda de salida para la red de la figura 2.63 y calcular el nivel dc de
salida y el PIV que se requiere para cada diodo.
+
2 kO
T,
2 kO 2Hl
Figura 2.63 Red puente para el ejemplo 2.19.
Solucin
La red aparecer como en la figura 2.64 para la regin positiva del voltaje de entrada. El redibujo
de la red generar la configuracin de la figura 2.65, donde V
o
= +v; oVo = +V; = +(10 V) =
5 V, como lo indica la figura 2.65. Para la parte negativa de la entrada la funcin de los diodos
ser intercambiada y V
o
aparecer segn la figura 2.66.
+
r - - - - ~ PIV - , - - - _ - - ,
+
R
v'" +
Figura 2.62 Determinacin del
nivel de PIV para los diodos del
transformador con derivacin
central para un rectificador de
onda completa.
EJEMPLO 2.19
+
~
+
+
>
~
2 ill
'.
2k.{l
,
'.
2ill
o I !
'.
2 ill >
o T'
2 2:
2k.{l
Figura 2.64 Red de la figura 2.63 para la regin
positiva de Vi"
Figura 2.65 Red redibujada de la figura 2.64.
El efecto de remover dos diodos de la configuracin puente fue, por tanto, reducir el nivel
de dc disponible al siguiente:
Vd' = 0.636(5 V) = 3.18 V
o al disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada. Sin embargo, el PIV
segn se determin en la figura 2.58 es igual al voltaje mximo a travs de R, el cual es de 5 V
o la mitad de lo que se requiere para un rectificador de media onda con la misma entrada.
2.8 Rectificacin de onda completa
o
I.
2
T
tigura 2.66 Salida resultante
para el ejemplo 2.19.
77
/
78
2.9 RECORTADORES
Existe una variedad de redes de diodos que se llaman recortadores y tienen la capacidad de
"recortar" una porcin de la seal de entrada sin distorsionar la parte restante de la forma
de onda alterna. El rectificador de media onda de la seccin 2.7 es un ejemplo de la forma ms
simple de un recortador de diodo, una resistencia y un diodo. Dependiendo de la orientacin
del diodo, la regin positiva O negativa de la seal de entrada es "recortada".
Existen dos categoras generales de recortadores: en serie y en paralelo. La configuracin
en serie es donde el diodo est en serie con la carga, mientras que en paralelo tiene un diodo en
una trayectoria paralela a la carga.
En serie
La respuesta de la configuracin en serie de la figura 2.67a a una variedad de formas de onda
alternas se ilustra en la figura 2.67b. Aunque se present al principio como un rectificador de
media onda (para fonnas de onda senoidales), no existen limitaciones sobre el tipo de seales
que pueden aplicarse a un recortador. La adicin de una fuente de de como la que se muestra en
la figura 2.68 puede tener un efecto pronunciado sobre la salida de un recortador. El anlisis
inicial se limitar a los diodos ideales, y se reservar el efecto de V T a un ejemplo posterior.
+ +
,
R Yo
...
(a)
'o
,
(b)
Figura 2.67 Rec.ortador en serie.
v
~ __ f---'---o+
T
Y, R
figura 2.68 Recortador en serie
con una fuente de.
No existe un procedimiento genera! para el anlisis de las redes como las del tipo que se
presenta en la figura 2.68, pero existen ciertas ideas que debern considerarse mientras se tra-
baja en la solucin.
l. Hacer un dibujo mental de kl respuesta de la red basndose en kl direccin del
diodo yen los niveles de voltaje aplicados.
Para la red de la figura 2.68, la direccin del diodo sugiere que la sea! Vi debe ser positiva
para encenderlo. La fuente dc requiere ms an que el voltaje Vi sea mayor que V volts para
encender el diodo. La regin negativa de la seal de entrada est "presionando" a! diodo hacia
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
el estado "apagado", soportado ms an por la fuente dc. En general, se puede estar muy segu-
ro que el diodo est en circuito abierto (estado "apagado") para la regin negativa de la seal de
entrada.
2. Determinar el voltaje aplicado (voltaje de transicin) que causar un cambio en el
estado del diodo.
Para el diodo ideaL la transicin entre los estados ocurrir en el punto sobre las caracters-
ticas donde vd = O V e id = O A. Al aplicar la condicin id = O Y Vd = O a la red de la figura 2.68
se genera la configuracin de la figura 2.69, donde se reconoce que el nivel de Vi que causar
una transicin en el estado es
v, = V
R
(2.14)
Figura 2.69 Determinacin del nivel
de transicin para el circuito de la
figura 2.68.
Para un voltaje de entrada mayor que V volts el diodo est en estado de corto circuito, mientras
que para los voltajes de entrada menores que V volts est en estado de circuito abierto o "apa-
gado".
3. Estor consciente continuamente de las terminales definidas y la polaridad de v
o
'
Cuando el diodo se encuentra en estado de corto circuito, como el que se muestra en la
figura 2.70. el voltaje de salida V
o
se puede determinar mediante la aplicacin de la ley de
voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj:
y
Vi - V - V
o
= a (direccin de las manecillas del reloj)
v = v. - V
o ,
4. Puede ayudar el dibujar la seal de entrada arriba de la seal de salida y
determinar los valores instantneos de la entrada.
(2.15)
Posteriormente. es posible dibujar los voltajes de salida a partir de los puntos de datos
resultantes de v
o
' como se demostr en la figura 2.71. Tenga en cuenta que a un valor instant-
neo de Vi la entrada puede ser tratada como una fuente dc de dicho valor y el valor de dc
correspondiente (el valor instantneo) de la salida determinada. Por ejemplo, para el caso Vi =
V
m
en la figura 2.68, se analizar la red que aparece en la figura 2.72. Para V m> V el diodo est
en estado de corto circuito y para V
o
= V m - V, como en la figura 2.71.
Para Vi = V los diodos cambian de estado y para Vi = -V
m
V
o
= av, y la curva completa para
V
o
puede dibujarse como se muestra en la figura 2.73.
v

+
v, == v
m R
'o
-+-
T
v

+ +

R
Figura 2.70 Determinacin de VD.
.'
i '
Q
,
, '
IV 1_ Vi
"'1 I
, ,
T
2
,T
T
Figura 2.71 Determinacin de los
niveles de v O.
T ,
v, '= V (los diodos cambian de estado)
Figura 2.72 Determinacin de V
o
cuando Vi = Vm' Figura 2.73 Dibujo de v
O
'
2.9 Recortadores 79
aqui el nivel de DC se disminuye

EJEMPLO 220
80
Determinar la forma de la onda de salida para la red de la figura 2.74.
T
Solucin
V=5 v

t
R
Or-----_-+--__ O
Figura 2.74 Recortador en serie
para el ejemplo 220.
La experiencia anterior sugiere que el diodo estar en estado "encendido" para la regin posi-
tiva de Vi' especialmente cuando se observa el efecto de ayuda de V:;: 5 V. La red aparecer
como lo seala la figura 2.75 y va:;: Vi + 5 V. Sustituyendo id == O para vd:;: O para los niveles de
transicin, se obtiene la red de la figura 2.76 y Vi == -5 V.
o----;

+- +
SV
+
R '.
FIgUra 2.75 V
o
con diodo
en estado "encendido".
Agura 2.76 Determinacin del nivel
de transicin para el recortador de la
figura 2.74.
Para los valores de Vi ms negativos que -5 V, el diodo entrar en estado de circuito
abierto, mientras que para los voltajes ms positivos de -5 V el diodo estar en estado de corto
circuito. Los voltajes de entrada y de salida aparecen en la figura 2.77.
20
5V "",=0 V+5V =5V
--'F"""'''''--''----+
T\ O f \ T
Voltaje de vo=-S V+SV =OV
transicin
Figura 2.17 Dibujo de V
o
para el ejemplo 2.20.
El anlisis de las redes de recortadores con las entradas de onda cuadrada es en realidad
ms fcil que las redes con entradas senoidales, debido a que slo deben considerarse dos
niveles. En otras palabras, la red puede analizarse como si tuviera dos entradas de nivel de con
la salida resultante V
o
graficada en el marco adecuado de tiempo.
Capitulo 2 Aplicaciones de diodos
aqu el nivel de DC se aumenta
Repetir el ejemplo 2.20 para la onda cuadrada de entrada de la figura 2.78.
20
o
Solucin
-2
T
,--=---,1 T
10
figura 2.78 Seal que se aplica para el
ejemplo 2.21.
Para vi = 20 V (O -7 T/2) generar la red de la figura 2.79. El diodo est en estado de corto
circuito y V
o
= 20 V + 5 V = 25 V. Para Vi = -10 V dar como resultado la figura 2.80, colocando
el diodo en estado "apagado" y V
o
= i RR = (O)R = O V. El voltaje resultante de salida aparece en
la figura 2.81.
=----I+
+ 5V
20 v
FJ.gUra 2.79 V
o
a vi = +20 V.
+
R IOV
+
r+
1 5V
Figura 2.80 V
o
a vi '" -10 V.
+
R v,,=O V
Obsrvese en el ejemplo 2.21 que el recortador no slo recort nicamente 5 V de la
excursin total de la seal sino que increment el nivel de de la seal por 5 V.
En paralelo
La red de la figura 2.82 es la ms sencilla de las configuraciones de diodos, en paralelo con la
salida para las mismas entradas de la figura 2.67. El anlisis de las configuraciones en paralelo
es muy similar a la que se aplica a las configuraciolles en serie, como se demostrar en el
siguiente ejemplo.
-+-
o
-v
Figura 2.82 Respuesta de un recortadoT en paralelo.
'{---'\fV'.,----,--O
+ R +
2.9 Recortadores
o
EJEMPLO 2.21
T
"2
25 Y
Oy
T
Figura 2.81 Dibujo de va para el
ejemplo 2.21.
o
-v
81
-----
EJEMPLO 222
+ +
+
o_----_____
Figura 2.85 Determinacin del
nivel de transicin para el
ejemplo 2.22.
"
v
1
4v
'o
q 1 o
Figura 2.86 Determinacin de V
o
para el estado abierto del diodo.
82
Determinar V
o
para la red de la figura 2.83.
v,
16
+ R +
o
v,
c_--_____ v __
Figura 2.83 Ejemplo 2,22.
Solucin
La polaridad de la fuente de y la direccin del diodo sugieren que el diodo est en estado "encen-
dido" para la regin negativa de la seal de entrada. Para esta regin la red aparecer como lo
seala la figura 2.84, donde las terminales definidas para V
o
requieren que V
o
= V = 4 y,

R
+
+ v 1 4V

Figura 2.84 V
o
para la regin
negativa de Vi'
El estado de transicin puede determinarse a partir de la figura 2,85, donde la condicin
de id = O A para vd = O Y se ha impuesto, El resultado es que v; (la transicin) = V = 4 Y.
Debido a que la fuente de se encuentra obviamente "presionando" al diodo para permane-
cer en estado de circuito cerrado, el voltaje de entrada debe ser mayor a 4 Y para que el diodo
est en estado "apagado". Cualquier voltaje de entrada menor que 4 V generar un diodo en
corto circuito.
Para el estado de circuito abierto la red aparecer segn se muestra en la figura 2.86,
donde V
o
= Vi' Completando el dibujo de V
o
resulta la forma de onda de la figura 2,87,
"
T
'2
T
Agora 2.87 Dibujo de V
o
para el
ejemplo 2.22.
Para examinar los efectos de V
T
sobre el voltaje de salida, el siguiente ejemplo especifica-
r un diodo de silicio, en lugar del equivalente del diodo ideal.
Captulo 2 Aplcaciones de diodos
Repetir el ejemplo 2.22 usando un diodo de silicio con V T = 0.7 V.
Solucin
El voltaje de transicin suele detenninarse en primera instancia al aplicar la condicin de i
d
:=
O A cuando vd = VD = 0.7 V. y obteniendo la red de la figura 2.88. Al aplicar la ley de voltaje de
Kirchhoff alrededor del lazo de salida en el sentido de las manecillas del reloj, se encuentra que
y
Vi + V
T
- V = O
V; = V - V
T
= 4 V - 0.7 V = 3.3 V
\}R :::: i/?:::: if? = (O)R = ov
Figura 2.88 Determinacin del nivel de
transicin para la red de la figura 2.83.
Para los voltajes de entrada mayores que 3.3 V, el diodo estar en circuito abierto y va = v;.
Para los voltajes de entrada menores que 3.3 V, el diodo estar en estado "encendido" y resul
tar la red de la figura 2.89, donde
v
o
= 4V
+
R
e
)
0.7V
;,
]; 07V
- 4V
3.3 V
+
Figura 2.89 Determinacin de V
o
para el diodo de la figura 2.83 en
______ ___ o estado "encendido",
o
La forma de onda resultante de salida aparece en la figura 2.90. Ntese que el nico efecto de
V T fue disminuir el nivel de transicin desde 3.3 V a 4 V.
16 V
3.3 V J,
o T
"2
T
Figura 2.90 Dibujo de V
o
para
el ejemplo 2.23.
No hay duda de que incluir los efectos de VTccmplicarn el anlisis un poco, pero una vez
que el anlisis se comprende con el diodo ideal, el procedimiento, incluyendo los efectos de V ro
no sern tan difciles.
Resumen
Una variedad de recortadores en serie y en paralelo con los resultados de salida para las entra-
das senoidales se presentan en la figura 2.91. Obsrvese en particular la respuesta de la ltima
configuracin, con su capacidad de recortar Una seccin positiva o negativa como se detennne
por la magnitud de sus fuentes de de.
2.9 Recortadores
EJEMPLO 2.23
83

Recortadores en serie simples (diodos ideales)
POSITIVO
-o

+
R
,
,
-o
-v
m
Recortadores en serie polarizados (diodos ideales)
- (v", + V)
0---1
+ +
v
,
R
,
,
V
-o
o
-(Vm-V)
Recortadores en paralelo simplt!S (diodos ideales)
Recortadores en paralelo polarizados (diodos ideales)
+ R +
,
"
v,
I
v'I
o o
Figura 2.91 Circutos de recorte.
NEGATIVO
+
R

+ +
v
R
o---J
+ +
v
,
,
R
"
+
R
+
(Vm-V)
'"


v. v o
J V o t
- T _-v
o o


, ,
, ,
v
-; T-;
84 Captulo 2 Aplicaciones de diodos
2.10 CAMBIADORES DE NIVEL
Una red de cambiadora de nivel es la que "cambia" una seal a un nivel de de diferente. La red
debe tener un capacitor, un diodo y un elemento resistivo: pero tambin puede usar una fuen-
te de de independiente para introducir un cambio de nivel de de adicional. La magnitud de R y
e debe elegirse de tal fanna que la constante de tiempo r = Re es lo suficiente grande para
asegurar que el voltaje a travs del capacitor no se descarga de manera significativa, durante el
intervalo en que el diodo no est conduciendo. A travs de todo el anlisis se asumir que para
propsitos prcticos, el capacitor se cargar o descargar totalmente en cinco constantes de
tiempo.
La red de la figura 2.92 cambiar el nivel de la seal de entrada a cero volts (para diodos
ideales). La resistencia R puede ser una resistencia de carga o una combinacin en paralelo de
la resistencia de carga y una resistencia diseada para ofrecer el nivel deseado de R.
" e
v
~ : r - ~ - - - - ~ - - ~
o T
;;
T
" ~ ~
>R
>
-v Figura 2.92 Cambiador de niveL
Durante el intervalo 0-> Tl21a red aparecer como lo indica la figura 2.93; con el diodo en
estado "encendido" efectivamente hace corto circuito el efecto de la resistencia R. La constante
de tiempo Re resultante es tan pequea (R se detennina por la resistencia inherente de la red)
que el capacitar se cargar a V volts rpidamente. Durante este intervalo el voltaje de salida
est directamente a travs del "corto circuito" y V
o
= O V.
Cuando la entrada cambia al estado -V, la red aparecer como lo indica la figura 2.94, con
el equivalente de circuito abierto para el diodo determinado por la seal aplicada y el voltaje
almacenado a travs del capacitar, ambos "presionando" la corriente a travs del diodo desde el
ctodo hacia el nodo. Ahora que R se encuentra de regreso en la red, la constante de tiempo
determinada por el producto Re es lo suficiente grande para establecer un periodo de descarga
5 r mucho mayor que el periodo Tl2 -> T, Y puede asumirse sobre una base aproximada que el
capacitar mantiene toda su carga y, por tanto, el voltaje (debido a que V = QIC) durante este
periodo.
Debido a que V
o
est en paralelo con el diodo y la resistencia, tambin puede dibujarse en
la posicin alterna que se indica en la figura 2.94. La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff
alrededor del lazo de entrada dar por resultado
y
v - V - V
o
= O
v = -2V
"
El signo negativo se debe a que la polaridad de 2Ves opuesta a la polaridad definida por v
O
' La
forma de onda de salida que resulta aparece en la figura 2.95 junto con la seal de entrada.
La seal de salida "cambia de nivel" a O V durante el intervalo de O a T12, pero mantiene la
misma excursin de voltaje total (2\1) que la entrada.
Para una red de cambio de nivel:
La excursin de voltaje total de la seal de salida es igual a la excursin de voltaje
total de la seal de entrada.
Este hecho es una excelente herramienta para verificar el resultado que se obtiene.
En general, los siguientes pasos pueden ser tiles cuando se analizan redes cambiadoras
de nivel.
l. Iniciar el anlisis de las redes cambiadoras de nivel mediante la consideracin de
la parte de la seal de entrada que dar polarizacin directa al diodo.
2.10 Cambiadores de nivel
"
e
+
< R \J"
Figura 2.93 Diodo en "encendido"
y el capacitor cargando a V volts.
e
+
Figura 2.94 Determinacin de va
con el diodo en "apagado".
v
o
-v
o
T
2:
T r
.'
T._ T
2" .. '
-2 v
figura 2.95 Dibujo de V
o
para la
red de la figura 2.92.
85
EJEMPLO 224
C

ve
20 V
+
>
+ R > 100 kQ V
o
V-;;- 5 V
Figura 2.97 Determinacin de V
o
y Ve con el diodo en estado
"encendido".
25 V""'+------,

+ +
IOY
KVL
Figura 2.98 Determinacin de V
o
con el diodo en estado "apagado".
86
La instruccin anterior puede requ'erir de saltar un intervalo de la seal de entrada (como se
demostrar en el siguiente ejemplo), pero el anlisis no se ampliar con una medida innecesa-
ria de investigacin.
2. Durante el pertdo en donde el diodo est en estado "encendido". se asumir que el
capacitor se cargar de manera instantnea al nivel de voltaje que determine la red.
3. Se supondr que durante el periodo en que el diodo est en estado "apagado" el
capacitar se mantendr en el nivel de voltaje que se establece.
4. A travs de todo el anlisis debe mantenerse un continuo cuidado de la posicin y la
polaridad de referencia para v
o
' para asegurar que los niveles correctos de V
o
se estn
obteniendo.
5. Tener en mente la regla general de que la excursin total de voltaje de salida debe ser
igual a la excursin de voltaje de la seal de entrada.
Determinar V
o
para la red de la figura 2.96 para la entrada que se indica.
VI f = 1000Hz
C=IlF


R
V-;.-5V
Figura 2.96 Seal que se aplica y red para el ejemplo 2.24.
Solucin
Obsrvese que la frecuencia es de 1000 Hz, que resulta en un periodo de I ms y un intervalo de
0.5 ms entre niveles. El anlisis comenzar con el periodo tI -? t
2
de la seal de entrada debido
a que el diodo est en estado de corto circuito segn recomendaciones del comentario l. Para
este intervalo la red aparecer como lo seala la figura 2.97. La salida es a travs de R, pero
tambin directamente a travs de la batera de 5 V si se sigue la conexin directa entre las
terminales definidas para voy las terminales de la batera. El resultado es V
o
= 5 V para este
intervalo. La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo de entrada dar por
resultado
y
-20V+V
e
-5V=0
Ve = 25 V
Por tanto, el capacitar se cargar hasta 25 V, como se estableci en el comentario 2. En
este caso, el diodo no hace corto circuito en la resistencia R, pero un circuito equivalente
Thvenin de la porcin de la red que incluye la batera y la resistencia generar RTh = O Q con
En = V = 5 V. Para el periodo t
2
-? t
3
1a red aparecer como lo indica la figura 2.98.
El equivalente de circuito abierto para el diodo eliminar que la batera de 5 V tenga
cualquier efecto sobre v
o
' y la aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo
exterior de la red dar por resultado
y
+10 V + 25 V - V
o
= O
V
o
= 35 V
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
La constante de de la red de descarga de la figura 2.98 est detenninada por el
producto Re y tiene la magnitud de /'
" = Re = (lOO kQ)(O.1 ,uF) = 0.01 s = 10 ms
El tiempo total de descarga es por tanto de Sr= 5(10 ms) = 50 ms.
Debido a que el intervalo 1
2
---) 13 durar slo 0.5 ros, es cierto que resulta buena la aproximacin
de afinnar que el capacitar mantendr su voltaje durante el periodo de descarga entre los pul-
sos de la seal de entrada. La salida resultante aparece en la figura 2.99 junto con la seal de
entrada. Obsrvese que la excursin de voltaje de salida de 30 V iguala a la excursin del
voltaje de entrada como se observa en el paso 5.
P.
'o
35
-
10
I
..
,-\
I
o
" ."
'3
"
,
.-, :<;:: 30 V
30Y
1

5
-20
O
"
'2
'3
"
Repetir el ejemplo 2.24 usando un diodo de silicio con V
T
= 0.7 V.
Solucin
Para el estado de corto circuito la red toma ahora la apariencia de la figura 2.100, y V
o
puede
determinarse por la ley de voltaje de Kirchhoff en la seccin de salida.
y
+5V-0.7V-v
o
=0
V
o
= 5 V - 0.7 V = 4.3 V
Para la seccin de entrada la ley de voltaje de Kirchhoff dar por resultado
y
- 20 V + Ve + 0.7 V-S V = O
Ve = 25 V - 0.7 V = 24.3 V
Ahora, para el periodo 1, -; 13 la red aparecer como la figura 2.101, siendo el nico
cambio el voltaje a travs del capacitar. La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff genera
+10 V + 24.3 V - Yo =0
V = 34.3 V
a

24.3 V
IOV
Figura 2.101 Determinacin de
.... ,..-. ______ V
o
con el diodo en estado abierto.
2.10 Cambiadores de nivel
Figura 2.99 VY V
o
para el
cambiador de nivel de la figura
2.96.
EJEMPLO 2.25
Figura 2.100 Determinacin de
V
o
y Ve con el diodo en estado
"encendido".
87
La salida resultante aparece en la figura 2.102, comprobndose el enunciado de que las eXCur-
siones de voltaje de entrada y salida son iguales.
34.3 V
30V
4.3 V
o t,
Figura 2.102 Dibujo de V
o
para el
cambiador de nivel de la figura 2.96
con un diodo de silicio.
En la figura 2.1 03 se muestran varios circuitos de cambio de nivel y su efecto en la seal
de entrada. Aunque todas las formas de onda que aparecen en la figura 2.103 son ondas cuadradas,
las redes de cambio de nivel trabajan de la misma manera para las seales senoidales. Un
mtodo para el anlisis de las redes de cambio de nivel con entradas senoidaJes es, el de reem-
plazar la seal senoidal por una onda cuadrada con los mismos valores pico. La salida resultan-
te tendr una forma envolvente para la respuesta senoidal, como lo indica la figura 2.104 para
la red que aparece en la parte inferior derecha de la figura 2.103.
Redes de caJ1lbio de nivel
v
T
o f-+--i-+
-v
88
:TI
c ----
V
J
R v"
- -
--o
I ~
--o
+
C ~ ~
",
R
v"
v, --; ;;--
; ~ t F:
J VI "
- -
--o
v"
o h"''-''''-tr+
t
2V
,-1
,
- 2vr '--
v,
v,
o
2V
1
v,
o
t
-v,_
1- r- .t
2V
-
_1
v
,
+-l
+
C
",
R v,
v,
v,
o
r l ~
v,
+
v, C ~ ..
R
v,
v, -" ::...
o
-v,
Figura 2.103 Circuitos cambiadores de nivel con diodos ideales (Sr o::: SRC> T/2).
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
t
2V
1
t
2V
-t

e
-T- !O V
+
R
Figura 2.104 Red de cambio de nivel con una entrada senoidal.
2.11 DlODOSZENER
V
o
(V)
El anlisis de las redes que utilizan diodos Zener es muy similar al que se aplica al anlisis de
diodos semiconductores de las secciones anteriores. Primero debe determinarse el estado
del diodo seguido por una sustitucin del modelo adecuado, y una detenninacin de las otras
cantidades desconocidas de la red. A menos que se especifique 10 contrario, el modelo Zener
utilizado para el estado "encendido" ser como el que indica la figura 2.105a. Para el estado
"apagado" de acuerdo con su definicin para un voltaje menor que V
z
pero mayor que O V con
la polaridad que se indica en la figura 2.l05b, el equivalente Zener es el circuito abierto que
aparece en la misma figura.
+
1
v
z
=:> l-
vZ
"encendido"
(,)
Vi Y R fijas
+ 1
v=:>
1
(V
z
>v >0 V)
"apagado"
(b)
Ftgura 2.105 Equivalentes de
diodo Zener para los estados
a) "encendido" y b) "apagado".
Las redes ms simples del diodo Zener aparecen en la figura 2.106. El voltaje de dc aplicado
es fijo, as como la resistencia de carga. El anlisis puede hacerse fundamentalmente en dos
pasos.
1. Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminacin de la red y
calculando el voltaje a travs del circuito abierto resultante,
La aplicacin del paso 1 a la red de la figura 2.106 generar la red de la figura 2.107, donde
una aplicacin de la regla del divisor del voltaje resultar
(2.16)
Si V;::: V
z
, el diodo Zener est en estado "encendido" y se puede sustituir el modelo equiva-
lente de la figura 2.1 OSa. Si V < V
z
, el diodo est en "apagado" y se sustituye la equivalencia de
circuito abierto de la figura 2.105b,
2,11 Diodos Zener
R
v
Figura 2.106 Regulador Zener
bsico.
R
.,
+ +
v,
v
Figura 2.107 Determinacin del
del dido Zener.
89
~
R
. j.Iz
= 1,
+
-==- Vz
: R,
<
P
ZM
Figura 2.108 Sustitucin del
equivalente Zener para la situacin
"encendido" .
EJEMPLO 2.26
90
+
V,.
2. Sustituir el circuito equivalente adecuado y resolverlo para las incgnitas
deseadas .
Para la red de la figura 2.106 el estado "encendido" dar por resultado la red equivalente
de la figura 2.108. Puesto que los voltajes a travs de los elementos paralelos deben ser los
mismos, se encuentra que
(2.17)
La comente del diodo Zener debe determinarse por la aplicacin de la ley de comente de
Kirchhoff. Esto es
e (2.18)
donde
=
La potencia disipada por el diodo Zener est determinada por
(2.19)
el cual debe ser menor que la P 2M especificada para el dispositivo.
Antes de continuar, es muy importante darse cuenta de que el primer paso se utiliz slo
para determinar el estado del diodo Zener. Si el diodo Zener est en estado "encendido". el
voltaje a travs del diodo no es de V volts. Cuando el sistema se enciende, el diodo Zener se
encender tan pronto como el voltaje a travs de l sea de V
z
volts. Se "atar" en este nivel y
nunca alcanzar un nivel ms alto de V volts.
Los diodos Zener se utilizan con mayor frecuencia en las redes reguladoras o como un
voltaje de referencia. La figura 2.106 es un regulador simple diseado para mantener un volta-
je fijo a travs de la carga Re Para los valores de voltaje aplicado mayores que el que se
requiere para encender el diodo Zerrer, el voltaje a travs de la carga se mantendr en V
z
volts.
Si el diodo Zener se emplea como un voltaje de referencia, ofrecer un nivel para compararlo
en funcin de otros voltajes.
a) Para la red de diodo Zener de la figura 2.109. determinar V
u
VR,lz y P z.
b) Repetir el inciso a con R L = 3 kD.
lkil Iz +
v, "'" 16 V V
z
= IOV ~ ~ . R, 12 kQ V
L
P
zM
=30mW
Solucin
FIgura 2.109 Regulador de diodo
Zener para el ejemplo 2.26.
a) Siguiendo el procedimiento sugerido, la red se redibuja como lo indica la figura 2.110.
La aplicacin de la ecuacin (2.16) da
V=
=
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
1.2 kQ(16 V)
lkQ+1.2kQ
= 8.73 V
v, 16 V
+
V
+
Figura 2.110 Determinacin de V
para el regulador de la figura 2.109.
Dado que V = 8.73 Ves menor que V
z
= 10 V, el diodo est en estado "apagado", como se
muestra en las caractersticas de la figura 2 .111. Sustituyendo el equivalente de circuito abierto
resultar la misma red que en la figura 2 .11 0, donde se encuentra que
y
V
L
= V = 8,73 V
V
R
= Vi - V
L
= l6V - 8.73V = 727V
Iz = OA
Pz = V!z = Vz(OA) = OW
b) Aplicando la ecuacin (2.16) ahora resulta
3 kQ(16 V)
lkQ+3kQ
= 12 V
Debido a que V = 12 V es mayor que V
z
= 10 V, el diodo est en estado "encendido" y la red de
la figura 2.112 ser el resultado. La aplicacin de la ecuacin (2.17) genera
V
L
=
V
z
= 10V
y V
R
= Vi - V
L
= 16V-lOV=6V
con I
L
e
IR
de tal forma que
V
L
10V
=--=---
=
3.33 mA
R
L
3kQ
V
R
6V
= = = 6mA
R
1 kQ
IR - I
L
[Ec. (2.18)]
= 6 mA - 3.33 mA
= 2,67mA
La potencia disipada
Pz = V!z = (lOV)(2.67mA) = 26,7mW
la cual es menor que la especificada P ZM = 30 m W.
+ v
R
R
IkQ
+
V, ~ 16V
~
figura 2.112 Red de la figura
2.109 en estado "encendido",
2,11 Diodos Zener
iz(mA)
\
o
'2
8.73 V
Figura 2.111 Punto de operacin
resultante para la red de la figura
2.109.
91
92
Vi fijo, R
L
variable
Debido al voltaje V
z
' existe un rango de valores de resistencias (y por tanto, de corriente de
carga) que asegurar que el dispositivo Zener est en estado "'encendido". Una resistencia de car-
ga R
L
muy pequea generar un voltaje V
L
a travs de la resistencia de carga menor que V
z
y el
dispositivo Zener estar en estado "apagado".
Para determinar la resistencia de carga mnima de la figura 2.106 que encender el diodo
Zener, simplemente se calcula el valor de R
L
y dar como resultado un voltaje de carga V
L
= V
z
.
Esto es,
Resolviendo R
L
, se tiene
(2.20)
Cualquier valor de resistencia de carga mayor que el R
L
que se obtiene de la ecuacin (2.20)
asegurar que el diodo Zener est en estado "encendido" y que el diodo puede ser reemplazado
por su fuente equivalente Vz-
La condicin defInida por la ecuacin (2.20) establece el R
L
mnimo, pero a su vez especifIca
ell L mximo como
(2.21)
Una vez que el diodo est en estado "encendido", el voltaje a travs de R permanece cons-
tante en
(2.22)
e IR permanece fija en
(2.23)
La corriente Zener
(2.24)
resultando un 1z mnimo cuando J
L
es un mximo, y un 1z mximo cuando J
L
eS un valor
mnimo debido a que IR es constante.
Dado que I z est limitada a 1
2M
como se especific en la hoja de datos, afecta el rango de
R
L
y por tanto de le Sustituyendo I
ZM
por Iz establece el I
L
mnimo como
(2.25)
y la resistencia de carga mxima como
(2.26)
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
a) Para la red de la figura 2.1\3. determinar el rango de R
L
y de 1 L que resultar que V
R ,
se mantenga en 10 V.
b) Determinar el valor de la disipacin mxima en watts del diodo.
Ik,Q
IR
-+
=l"V'
+
R
1,
V,=50V
V
Z
= 10 v
D,
I
zM
=32mA
Figura 2.113 Regulador de voltaje
para el ejemplo 2.27.
Solucin
a) Para determinar el valor de R L que encender el diodo Zener, se aplica la ecuacin (2.20):
RV z (1 kQ)(lO V)
R = --=-- =[Df------- =
Lmm V _ V 50 V - lO V
, z
IOkQ
40
150Q
El voltaje a travs de la resistencia R se determina por medio de la ecuacin (2.22):
V
R
= Vi - V
z
= 50 V-lO V = 40 V
y la ecuacin (2.23) ofrece la magnitud de IR:
V
R
40V
1 =--= =40mA
R R 1 kQ
El nivel mnimo de I
L
se determina despus con la ecuacin (2.25):
I
Lm
," = IR - IZM = 40 mA - 32 mA = 8 mA
con la ecuacin (2.26) se determina el valor mximo de R
L
:
V
z
10 V
R
L
. = -- = = 1.251<.0
m", I 8mA
L mL"
Una grfica de V
L
en funcin de R
L
aparece en la figura 2.114a y para V
L
en funcin de I
L
en la
figura 2.114b.
= (lO V)(32 mAl = 320 mW
V,
10+ 1..--------,
V,
lOV

-:'1
','1
o 250 Q
1.25k.Q o 8mA 40mA
1,
(b)
F'lgura 2.114 V
L
en funcin de R L e I
L
para el regulador de la figura 2.113.
2.11 Diodos Zener
EJEMPLO 2.27
93
EJEMPLO 2.28
20V - - - - - - - ==,-"
O 10
20 1
1
40
23.67 V 36.87 V
Figura 2.116 V
L
en funcin de Vi
para el regulador de la figura
2.115.
94
R
L
fija, Vi variable
Para los valores fijos de R
L
en la figura 2.106, el voltaje Vi debe Ser lo suficientemente grande
para encender el diodo Zener. El voltaje de encendido mnimo Vi = V est determinado por
1",'0
RV
V
=V- Li
L Z -
R
L
+ R
y v. =
min
(2.27)
El valor mximo de Vi est limitado por la corriente Zener mxima 1
2M
, Debido a que 12M
=IR-IL'
I R m ~ = IZM + IL I
(2.28)
Debido a que I
L
est fijo en V:!R
L
y que l
ZM
es el valor mximo de lz, el mximo Vi se
define por
V =V
R
+V
z
,,,,,. """
V = IR R + V
z 1m:!.>: m:h
(2.29)
Determinar el rango de valores de Vi que mantendrn el diodo Zener de la figura 2.115 en
estado "encendido".
+
v
Solucin
Ecuacin (2.27):
Ecuacin (2.28):
R
1,
-+-
220Q
~ Iz
V
z
= 20 V
I
ZM
=60 mA
v. =
(R
L
+ R)Vz
R
L
mm
=lV'
R,
1.2 kQ
+
V,
Figura 2.115 Regulador para el
ejemplo 2.28.
(1200 O + 2200)(20 V)
= = 23.67 V
1200 O
V
L
V
z
20V
I
L
= -- = -- = ---- = 16.67 mA
R
L
R
L
1.2 kO
I = I
ZM
+ l
L
= 60 mA + 16.67 mA
R"",
= 76.67 mA
Ecuacin (2.29): V - 1 R + V
i
m
, - Rmx Z
= (76.67 mA)(0.22 kO) + 20 V
= 16.87V+20V
= 36.87 V
Se presenta en la figura 2.116 una grfica de V
L
en funcin de Vi'
Capitulo 2 Aplicaciones de diodos
Los resultados del ejemplo 2.28 revelan que para la red de la figura 2.115 con una R
L
fija.
el voltaje de salida permanecer fijo en 20 V para un rango de voltaje de entrada que se extien-
de desde 23.67 V hasta 36.87 V.
La entrada podra aparecer como lo indica la figura 2.117 y la salida permanecera cons-
tante en 20 V, como aparece en la figura 2.IJ6. La forma de onda en la figura 2.117 se obtiene
alfillrar una salida de media onda o de onda completa rectificada. proceso descrito con mayor
detalle en un captulo posterior. Sin embargo, el efecto neto es el de establecer un voltaje de de
estable (para un rango definido de V) como se seala en la figura 2.116 de una fuente senoidal
con un valor promedio de O.
40
36.87 V
23.67 V
20
10
o
v,
Figura 2.117 Forma de onda
generada mediante una seal
rectificada filtrada.
Pueden establecerse dos o ms niveles de referencia al colocar diodos Zener en serie como
lo indica la figura 2.118. Mientras Vi sea mayor que la suma de V
z
y V", ambos diodos se
encontrarn en estado "encendido" y estarn disponbles tres voltajes de referencia.
Tambin pueden utilizarse dos diodos Zener conectados en sus ctodos (espalda con es-
palda) como un regulador de ac, como lo indica la figura 2.1l9a. Para la seal senoidal Vi' el
circuito aparecer como en la figura 2.119b en el instante Vi = 10 V. La regin de operacin de
cada diodo se indica en la figura adjunta. Obsrvese que Z est en una regin de baja impedancia,
mientras que la impedancia de Z2 es muy grande. la que corresponde a la representacin de
circuito abierto. El resultado es V
o
= Vi cuando Vi;;;; 10 V. La entrada y salida continuarn dupli-
cndose mutuamente hasta que Vi alcance 20 V. Entonces Z2 se encender (como un diodo
"
"
,
+ 5 kQ +
z,
,
20-V< ",
Olt
Zener
z,
(a)
5kQ +
z,
20V
v,=IOV
z,
(b)
figura 2.119 Regulacin de ac senoidal: a) regulador ac senoidal de 40-V de pico a
pico; b) operacin del circuito a Vi = 10 V.
Olt
I
o V
2.11 Diodos Zener
+ 20V _
5 kn +
+
10 V (V
z
)
30V
+
~ ____ ____ 4 _ _ _ _ _ _ _ _ _ ~
...
Figura 2.118 Establecimiento de
tres niveles de voltaje de
referencia.
95
96
Zener), mientras que 2
1
est en una regin de conduccin con un nivel de resistencia lo sufi-
ciente pequeo comparado con la resistencia de 5-kO en serie para considerarlo como un
circuito cerrado. La salida resultante para el rango completo de vise indica en la figura 2 .l19( a).
Obsrvese que la forma de onda no es puramente senoidal, pero su valor rms es menor que el
asociado con una seal pico completa de 22-V. La red est limitando en forma efectiva el valor
rms del voltaje disponible. La red de la figura 2.119a puede ampliarse a la de un generador
simple de onda cuadrada (debido a la accin de recorte) si la seal de Vi se incrementa a quiz
50-V pico con Zener de lO-V, como lo seala la figura 2.120 con la forma de onda de salida
resultante.
,.
,
+ 5 kO +
+
SOV
z,
IO-V\
IOV
v,
v,
o
2 1t rol
Zener +
L
-lOV
FtgUra 2.120 Generador simple de onda cuadrada.
2.12 CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE VOLTAJE
Los circuitos multiplicadores de voltaje se utilizan para mantener el voltaje pico de un trans-
formador relativamente bajo, ya que elevan el voltaje de salida pico a dos, tres, cuatro o ms
veces el voltaje pico rectificado.
Doblador de voltaje
La red de la figura 2.121 es un doblador de voltaje de media onda. Durante el medio ciclo de
voltaje positivo a travs del transformador, el diodo del secundario D, conduce (y el diodo
D, est en corte), cargando el capacitar C I hasta el voltaje pico rectificado (V
m
) El diodo D,
es idealmente un circuito cerrado durante este medio ciclo, y el voltaje de entrada carga al
capacitar C
I
hasta V
m
con la polaridad mostrada en la figura 2.122a. Durante el medio ciclo
negativo del voltaje del secundario, el diodo D, est en corte y el diodo D, conduce carga al
capacitor C
2
. Dado que el diodo D
2
acta como un corto circuito durante el medio ciclo
negativo (y el diodo DI abierto), pueden sumarse los voltajes alrededor del lazo externo
(vase la figura 2.122b):
-Vc + V + V = O
, m m
de la cual
~
~ + + :(
14
o
r
2V. { c,
-
v.
D,
I v.
! ' D,
2
+
v.
+
-
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
Figura 2.121 Doblador de voltaje
de media onda.
+ V",_
Diodo Do
/ no condt7ctor
Diodo DI
conductor
r"

DiodoD,
+ el / condUClo-r
--, -'-t-D---i, o
no conductor
(b)
En el siguiente medio ciclo positivo, el diodo Dz no est conduciendo y el capacitar C
z
se descar-
gar a travs de la carga. Si ninguna carga est conectada a travs del capacitar C
z
' ambos
capacitares permanecen cargados, el a V
m
y C? a 2V
m
Si, como pudiera esperarse, existe una
carga conectada a la salida del doblador de voltaje, el voltaje a travs del capacitor C
z
Cae durante
el medio ciclo positivo (en la entrada). el capacitor se recarga hasta 2V
m
durante el medio ciclo
negativo. La forma de onda de la salida a travs del capacitor C
z
es la de una seal de media onda
filtrada por un filtro capacitar. El voltaje pico inverso a travs de cada diodo eS de 2V
m
.
Otro circuito doblador es el doblador de onda completa de la figura 2.123. Durante el
medio ciclo positivo del voltaje del secundario del transformador (vase la figura 2.124a),
el diodo DI conduce carga al capacitar C
l
hasta un voltaje pico V
m
. El diodo D
2
no est condu-
ciendo en este momento.


vI>!
...,
r
'l
D,
j
J
'm ;,J.;c,

"
D.
ConductOr
\c+
V
o
,
'- - -14c - --'
D'
2 "']\io conductor
(al
o
+
21/
m
figura 2.123 Doblador de voltaje
de onda completa.
/ No conductor
,..--......--_ ..... 11". - - -
..-,
D,
V
o
+
.....
D2 Conductor
(b)
2.12 Circuitos multiplicadores de voltaje
Figura 2.122 Operacin doble,
indicando cada medio ciclo de
operacin: a) medio c.iclo
positivo: b) medio ciclo negativo.
figun 2.124- Meu:'os ddos. ue
operacin alternos para el
doblador de voltaje de onda
completa.
97
111
98
Durante el medio ciclo negativo (vase la figura 2.l24b) el diodo D, conduce carga al
capacitor e" en tanto que el diodo DI no est conduciendo. Si no hay consumo de corriente en
la carga del circuito, el voltaje a travs de los capacitores el y e
z
es 2V m. Si hay consumo de
corriente de carga en el circuito, el voltaje en los capacitares C l y C
z
es el mismo que a travs
de un capacitor alimentado por un circuito rectificador de onda completa. Una diferencia es la
capacitancia efectiva de el y e, en serie, que es menor a la capacitancia de el y e, solos. El
valor menor del capacitor ofrecer una accin de filtrado ms pobre que el circuito de filtrado
con un solo capacitor.
El voltaje pico inverso a travs de cada diodo es 2V m as como lo es para el circuito de
filtro con capacitar. En resumen,los circuitos dobladores de voltaje de media onda y de onda
completa ofrecen el doble del voltaje pico del secundario del transformador, y no se requiere
un transformador con derivacin central sino nicamente un valor PIV de 2 V m para los diodos.
Triplicador y cuadruplicador de voltaje
La figura 2.125 muestra una extensin del doblador de voltaje de media onda, el que desarrolla
tres y cuatro veces el voltaje pico de entrada. Resultar obvio para el patrn de la conexin del
circuito la forma en que los diodos y capacitores adicionales se pueden conectar de tal forma
que el voltaje de salida puede ser de cinco, seis, siete, y as sucesivamente, veces el voltaje pico
bsico (V m)'
1
'-------Triplicador (3Vm) ~ I
v'" 2V",
+11- +u-
e+
l'
1\
e, e,
~ I I
v
m ~
~ D,
~ ~ D,
~ ~ D,
~ ..
e, e,
-
" "
+"-
.1
+ l'
2V
m 'V
m
Doblador (2V.,,)
Cuadruplicador (4 V,J

Figura 2.125 Triplicador y cuadruplicador de voltaje.
Durante la operacin el capacitor el se carga a travs del diodo DI a un voltaje pico, V m'
durante el medio ciclo positivo del voltaje del secundario del transformador. El capacitor e,
se carga al doble del voltaje pico 2 V m desarrollado por la suma de los voltajes a travs del
capacitor el y el transformador, durante el medio ciclo negativo del voltaje del secundario
del transformador.
Durante el medio ciclo positivo, el diodo D3 conduce y el voltaje a travs del capacitor e
2
carga al capacitor e, al mismo voltaje pico de 2V
m
. En el medio ciclo negativo, los diodos D,
y D4 conducen con el capacitar e
3
,cargando e
4
a 2V
m

El voltaje a travs del capacitor e
2
es 2V
m
, a travs de el y e
3
es de 3V
m
, ya travs de e
2
y e 4 es de 4 V m. Si se utilizan secciones adicionales de diodo y capacitor, cada capacitar ser
cargado con 2V
m
. La medicin desde la parte superior del devanado del transformador (figura
2.125) ofrecer mltiplos nones de V
m
en la salida, mientras que si la medicin es desde la
parte inferior del transformador el voltaje de salida ofrecer mltiplos pares del voltaje pico V m'
El valor del voltaje nominal de salida del transformador es nicamente V
m
, mximo, y
cada diodo en el circuito debe tener un valor nominal de 2 V m para PIV. Si la carga es pequea
y los capacitores tienen poca fuga, pueden desarrollarse de de voltajes de muy altos mediante
este tipo de circuito, utilizando muchas secciones para aumentar el voltaje de de.
captulo 2 Aplicaciones de diodos
2.13 ANUSIS POR COMPUTADORA
PSpice (versin DOS)
El anlisis por computadora de este captulo empezar por determinar las cantidades descono-
cidas para la red de la figura 2.27 (ejemplo 2.11) utilizando la versin DOS de PSpice. El
primer paso consiste en dibujar de nuevo la red como lo indica la figura 2.126, identificar los
nodos y etiquetarlos en un orden lgico. La tierra se elige como el nivel de referencia y se le
asigna la etiqueta O. El diodo de silicio est especificado entre los nodos 2 y 3. El voltaje de
salida del ejemplo 2.11 est del nodo 3 a tierra. El voltaje V
1
se localiza entre los nodos 1 y 2 Y
V
2
entre los nodos 3 y 4.
1 R,
4.7 ka
+
lOV
2
Si
3
Figura 2.126 Dibujar de nuevo la
figura 2.27 para el anlisis PSpice.
La infonnacin de la red se captura en la computadora en un archivo de entrada como se
muestra en bloques en la figura 2.127. La primera entrada debe ser una lnea de ttulos para
identificar el anlisis que se desarrollar, El siguiente conjunto de entradas es una descripcin
de la red utilizando los nodos elegidos y el formato que requiere PSpice para cada elemento. La
ltima entrada debe ser la instruccin .END exactamente en el fonnato que se indica. La omi-
sin del punto invalidar completamente el archivo de entrada.
El archivo de entrada para la red de la figura 2.126 se presenta en la figura 2.128. La lnea
del ttulo especifica el circuito de diodo para la red de la figura 2.126 como el circuito que debe
analizarse. La primera lnea de la descripcin de la red especifica la fuente de dc de lO-Y. Para
todas las fuentes dc la primera lnea debe ser la literal Y, seguida por el nombre de la fuente. El
nombre es slo una eleccin de letras y/o nmeros para identificar la fuente en la estructura de
la red. Despus se captura el nodo con el lado positivo de la fuente seguido por la polaridad
negativa. Se captura la magnitud de la fuente como se indic.
Oiode circuit for network of Fig. 2.126
VEllO lOV
Rl 1 2 4.71':
Dl 2 3 DI
R2 3 4 2.28:
VE2045V
.MODEL DI D(IS-2E-1S)
.OC VEl lOV lOV lV
.PRINT De Ve') I(Dl) V(1.2) VI3,O) V(2.J)
.OPTIONS NOPAGE
.EIfD
La siguiente entrada en el archivo es un elemento resistivo que requiere una literal R para
empezar el rengln seguido por el nombre elegido (en este caso slo el nmero 1 para referir el
subndice en la red de la figura 2.126). La "presin" de la fuente de lO-y sugiere que la corrien-
te resultante har al nodo 1 positivo respecto al nodo 2, de ah el orden de los nodos en el ar-
chivo de entrada. La magnitud de la resistencia se especific como de 4.7 ldl.
El formato para la entrada del diodo se present en el captulo 1. Obsrvese la entrada en
el rengln 3 de la descripcin de la red y la del modelo del diodo en el rengln 6. Recuerde que
2.13 Anlisis por computadora
Archivo de entrada
Rengln de ttulo
Descripcin
de
la red
Instrucciones
para anlisis
Instruccin END
Figura 2.127 Componentes de
un archivo de entrada.
Pi
Figura 2.128 Archivo de entrada
para la red de la figura 2.126.
99
Figura 2.129 Archivo de salida
para la red de la figura 2.126.
100
se especific IS como 2E-15 para obtener una cada de 0.7-V (o lo ms cercana posible a este
nivel) a travs de los diodos de silicio en estado "encendido" con los niveles de corriente
usuales para los sistemas electrnicos.
Las siguientes dos entradas son la segunda resistencia y la fuente de alimentacin. Obsrvese
en cada caso un intento para definir los nodos positivos y negativos en el orden de las entradas
de los nodos. Una suposicin incorrecta dar por resultado slo en un signo negativo para el
voltaje a travs de un elemento en particular.
La entrada .De especifica un anlisis en dc con una fuente El a 10 V. El anlisis .De
puede especificarse para un rango de valores, de ah la repeticin del nivel de lO-Ven el
rengln de captura. Si el nivel se repite, como es el caso. el anlisis se desarrollar nicamente
al nivel que se indica. Si el segundo nivel fuera diferente, el anlisis se desarrollar desde el
primer nivel al segundo nivel y a los niveles definidos por el incremento que se especifica
como la siguiente entrada en el rengln. Aunque el anlisis es slo a un nivel, se requiere una
entrada para el incremento como se indica por el 1 V utilizado generalmente para este propsi-
to. Una vez que se corre el programa y el sistema de cmputo observa una repeticin del nivel
de 10 V. slo llevar a cabo el anlisis a un nivel nico (10 V) e ignora el impacto de la captura
del incremento. No es necesario incluir la segunda fuente de de en esta instruccin. La entrada
.De especifica el tipo de anlisis a un nivel de El = 10 V con todos los otros elementos segn
se especific en la descripcin de la red.
La instruccin _PRINT (IMPRESIN) define las cantidades que deben incluirse en los
datos de salida. La cantidad V(3) es el voltaje del nodo 3 a tierra. el voltaje de salida de la
figura 2.126.A continuacin se encuentra la corriente a travs del diodo seguido por los voltajes
entre los nodos indicados.
La entrada ,OPTIONS NOPAGE (OPCIONES NO PGINAS) es una instruccin para
"ahorrar papel", el que limita los datos presentados en el archivo de salida a menos que se
so1.icite especficamente. El archivo de entrada termina con la instruccin .END.
Una vez que el archivo de entrada se captur adecuadamente, el programa PSpice puede
ser "corrido" y la informacin deseada que se obtiene en el fOffilato del archivo de salida que
aparece en la figura 2.129. Obsrvese en la figura la posicin del rengln de ttulo y la repeti-
cin de la descripcin de toda la red. Se listan los parmetros del modelo que se especific
seguidos por los resultados deseados. VEl es slo una repeticin del nivel de E, (l.OOOE + 1 =
10) Y lo controla la computadora para especificar la condicin bajo la que se hicieron los
clculos (recordar la instruccin ,De): mientras que V(3) = Ve> = -4.455E-Ol = -0.4455 V. el
que se compara de manera favorable con el -.45 V que se obtuvo en el ejemplo 2.11. La
corriente del diodo I(DI) = ID = 2.07 mA, es una rplica exacta del ejemplo 2.11. El voltaje
V(1.2) = VI = 9.73 V que se compara con 9.73 V para el ejemplo 2.11 y V(3,4) = V
2
= 4.554 V
que se compara con 4.55 V es para el mismo ejemplo. El ltimo elemento del archivo de salida
es el voltaje a travs del diodo. el cual es para el nivel de corriente IS elegido de 0.715 V,
Diode circ'.lit tor netW'ork of Fig. 2.126
**.. CIRCUIT OESCRIPTION
* **************************************************_ _ _._ _.-
VE! 1 O lOV
Rl 1 2 4.7K
01 2 3 DI
R2 :3 4
VE2045V
.MODEL DI 0(IS=2E-15)
.DC VE! lOV lOV IV
.PRINT oc V(3) I(Dl) V(l,2} V(J,4) V(2,J)
.QPTIONS NOPAGE
.END
_... Oiode MODEL PARAMETERS
DI
1$ 2.000000E-15
OC TRANSFER CURVES
TEMPERATURE '"
VE1 V(J) 1(01) V(l,2)
1.000E+Ol -4. 455E-Ol 2.070E-03
27.000 OEG e
V{2. J)
7.155E-Ol 9.730E+OO 4.554E+OO
Capitulo 2 Aplicaciones de diodos
comparado con el 0.7 V Y utilizado en el ejemplo 2.11. Del captulo 1 recuerde que el voltaje
del diodo es una funcin de una variedad de parmetros, como la corriente de saturacin inver-
sa, el nivel de corriente, la temperatura, y as sucesivamente; pero no puede especificarse slo
como 0.7 V amenos que se elimine el uso de todo el modelo.
En general, los resultados son exactos con los que se obtuvieron en el ejemplo 2.11, como
deben ser si se aplica el cuidado adecuado para ambos mtodos. El primer contacto con cual-
quier tcnica nueva, como el anlisis PSpice que se presenta en esta seccin, es natural que
dejar preguntas y dudas acerca de su aplicacin. Sin embargo, se debe estar consciente que la
intencin de este libro es presentar al lector varios mtodos de computacin, y no necesaria-
mente el detalle que se requiere para desarrollar el anlisis por su propia cuenta para una varie-
dad de configuraciones. Esto no quiere decir que la descripcin anterior no sea suficiente para
iDtentar varias configuraciones de diodos. sino slo qlle pueden surgir preguntas que requieran
un curso sobre el tema o por lo menos la disponibilidad del manual PSpice. Lo anterior es el
tipo de anlisis PSpice que se presentar a lo largo de este libro. Debe tenerse presente que
PSpice es uno de los paquetes aplicados con mayor frecuencia en la comunidad educacional. y
que cualquier conocimiento acerca de su aplicacin ser valioso en cualquier sistema de anli-
ss por computadora que se pueda elegir.
Anlisis del centro de diseo de PSpice para Windows
Ahora, PSpice para Windows se aplicar a la misma red de la figura 2.126 para permitir una
comparacin entre los mtodos y las soluciones. Como se describi en el captulo 1, la aplica-
cin de la versin para Windows tiene como resultado un dibujo de la red en una pantalla
esquemtica. En los siguientes prrafos se presentarn las bases para dibujar una red sobre la
pantalla. Sin duda se harn algunas referencas a los manuales cuando se intenten otras confi-
guraciones; sin embargo, esta descripcin lo llevar a travs de las bases sin demasiada dificul-
tad. Se podr hacer referencia a la red terminada de la figura 2.130 mientras se avanza a travs
de la presentacin,
En general, es ms fcil dibujar la red si la malla se encuentra sobre la pantalla y se hace el
requerimiento de que todos los elementos se hallan sobre dicha malla, Con mayor importancia,
se asegurar de que todas las conexiones sean establecidas entre los elementos. La pantalla al
principio puede inicializarse al elegir Options (Opciones) en la barra de men seguido por
Display Options (Desplegar Opciones). La caja de dilogo de Display Options permitir
hacer todas las elecciones necesarias respecto al tipo de pantalla que se desee, Para estos pro-
psitos se eligir Grid On, Stay on Grid y un Grid Size de 0.1" (Malla activa. Permanecer en
la Malla y un Tamao de Malla de 0.1 "). Las opciones restantes se dejan para investigar. Una
vez que se especifique con una pequea x en las cajas adecuadas, al dar OK se inicializar la
pantalla con las especificaciones que se desean.
R
Primero se coloca la resistenciaR en la posicin adecuada al dar "click" a Draw (dibujar)
en la barra de men seguido por Get New Part (seleccionar una parte nueva) y Browse (ho-
jear). La caja de dilogo de Get Part aparecer, y si se recorre la biblioteca hasta que aparece
analog.slb. se da "click" en la librera analog.slb y aparecer un listado de alternativas bajo el
encabezado de Part (parte). Recorrindolo hasta ver R, se hace "click" en R y luego OK, y
aparecer una resistencia en la pantalla. La secuencia entera puede reducirse con teclear R en la
caja de dilogo de Add Part (aadir parte) y dando "click" en OK; sin embargo. la secuencia
superior permite un primer acercamiento a una lista importante de bibliotecas y opciones. La
resistencia aparecer en forma horizontal, lo que es perfecto para R l' Se mueve la resistencia a
una posicin lgica, se le da "click" al botn izquierdo del mouse, y la resistencia R 1 est en
posicin. Ntese la forma en que se "adhiere" a la estructura de la malla.
Ahora. se tiene que colocar R
2
, pero R
2
es vertical en la figura 2.126. Al presionar etrl y R
de manera simultnea, puede girar la resistencia 90
0
, permitiendo su colocacin en la fonna
vertical adecuada. Puesto que no hay ms resistencias en el diagrama, slo se hace "click" al
botn derecho del mouse y el proceso se completa. Las etiquetas Rl y R2 estn de manera
c o r r e c t ~ pero los valores son incorrectos.
2.13 Anlisis por computadora 101
102
Para cambiar un valor, se hace doble "click" en el valor sobre la pantalla (primer R 1) Y
aparecer una caja de dilogo Set Attribute Value (establecer valor del atributo). Se escribe el
valor correcto y aparecer en la pantalla al dar OK. Aparecer el 4.7k dentro de la caja, que
puede moverse slo haciendo "click" en la pequea caja y mientras se mantenga oprimido el
botn, se mueve el 4.7k a la posicin que se desee. Se libera el botn y la etiqueta de 4.7k
permanecer donde se coloc. Una vez ah, un "click" adicional en cualquier lugar de la pan-
talla eliminar las cajas y terminar el proceso. Si se desea mover e14.7k posteriormente, se da
un "click" sobre el valor y las cajas reaparecern. Se repite lo anterior para el valor de la
resistencia R
2

E
Las fuentes de voltaje se encuentran en la biblioteca source.slb de Get Part y eligiendo
VSRC. Dando OK da por resultado el smbolo de la fuente en el esquema, que puede colocarse
como sea necesario. Despus de darle "click" para colocarlo donde se requiere, aparecer una
etiqueta VI. Para cambiar la etiqueta a El, se hace "click" al VI un par de veces y aparecer
una caja de dilogo de Edit Reference Designator (editar el designador de referencia). Se
cambia la etiqueta a El y se la da "click" a OK y aparecer E 1 sobre la pantalla dentro de una
caja. La caja puede moverse de la misma manera que las etiquetas para las resistencias. Cuando
se tengan en la posicin correcta, slo se oprime el mouse una vez ms y El estar en posicin.
Para establecer el valor de El se oprime el smbolo dos veces y aparecer una caja de
dilogo. El Part Name:VSRC (nombre de la parte El: VSRC). Se seleccionaDC= y se esta-
blece el valor de 10 V. Antes de dejar la caja de dilogo se debe estar seguro de dar Save Attr
(guardar atributos). Se hace "click" en OK y El ha sido fijado con un valor de 10 V aunque no
aparezca en la red. Para aadir la etiqueta de 10 V al diagrama, se selecciona Draw en la barra
de men seguido por Text (texto). Se escribe 10 V Y se hace "click" en OK; aparecer una caja
en blanco que puede moverse a la posicin deseada. Cuando se hace "click" para colocarla, los
10 V aparecern en la pantalla. Se oprime el lado derecho del mouse para terminar el proceso
y luego se oprime el lado izquierdo para eliminar la caja. El proceso ser el mismo para E
z
'
pero se debe estar seguro de incluir el signo negativo.
DIODO
El diodo est en la biblioteca eval.slb de la caja de dilogo Get Parto Oprimiendo el diodo
DIN4l48 y el OK colocar el smbolo del diodo en la pantalla. Se mueve el diodo a la posi-
cin correcta, y se oprime una vez. Las etiquetas DI y D1N4l48 aparecern cerca del diodo.
Se oprime el lado derecho del mouse para terminar las series de colocacin de los diodos. En la
figura 2.126 la etiqueta Si aparece en lugar del Dl' Al dar doble "click" el DI traer el Edit
Reference Designator para cambiarlo a Si. Si la etiqueta DI no desaparece por completo, se
utiliza la instruccin Ctrl L para dibujar de nuevo la red y sta eliminar cualquier lnea que
persista. Si se desean ver las especificaciones de los diodos, se oprime una vez el smbolo del
diodo y se utiliza la secuencia Edit (editar) - Model (modelo) - EditInslance Model (editar
modelo ejemplo). El Model Editor aparecer y mediante un "click" puede cambiarse una
parte. Para este anlisis se cambi Is a 2E-15 en lugar del valor implcito de 1 pA.
IPROBE
Puede desplegarse la corriente de la red al insertar un IPROBE (ensayo) en serie con
los elementos de la red. IPROBE est en la librera special.slb y aparece como una cartula
de medidor en la pantalla. El IPROBE responder con una respuesta positiva si la corriente
entra al smbolo al final con un arco que representa la escala. Debido a que se est buscando
una respuesta positiva en esta investigacin, el IPROBE debe ser instalado como se indica
en la figura 2.130. Donde aparece el smbolo primero, ste est 180' fuera de fase con la
corriente deseada. Por tanto, es necesario oprimir la secuencia Ctrl R dos veces para rotar el
smbolo antes de colocarlo en posicin. Una vez en posicin, un "c1ick" completar el pro-
ceso. Un "click" en el botn derecho del mouse terminar la caracterstica de insercin del
IPROBE.
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
LNEA
Los elementos ahora necesitan ser conectados al elegir Draw y luego Wire (cable). Apa-
recer entonces un lpiz que puede dibujar las lneas deseadas de la siguiente manera. Se mue
v
ve el lpiz al principio de la lnea y se oprime el botn izquierdo del mouse. Luego se dibuja la
lnea y se hace "click" una vez ms al botn izquierdo al final de la lnea. Si slo se debe dibujar
una lnea. el proceso puede terminarse al oprimir el botn derecho del mouse. Si deben dibujarse
lneas adicionales, slo se presiona la barra espaciadora despus de terminar una lnea y se
dibuja la siguiente lnea.
EGND
El sistema debe tener tierra para actuar como punto de referencia para los voltajes de los
nodos. La tierra (EGND, por las palabras en ingls de: Earth GrouND) es parte de la biblioteca
port.slb y puede colocarse de la misma manera que los otros elementos de la red.
VIEWPOINT
Los voltajes de los nodos pueden desplegarse sobre el diagrama despus de la simulacin
utilizando VIEWPOINTS (puntos de vista) que estn en la biblioteca special.slb de la caja de
dilogo Get Parto Slo se coloca la flecha del smbolo VIEWPOINT en el punto donde se
desea el voltaje respecto a la tierra. Puede colocarse un VIEWPOINT en cada nodo de la red si
es necesario. Ahora. la red est completa como lo indica la figura 2.130.
RI
DI
~
4.7k
: 2.066E-3
DIN4148
-.4542
R2 2.2 k
1-
-'-
El -==-- lV E2 ---==- 5V
-TL-____ . ~ ~
+
ASIGNACIN DE NODOS
Figura 2.130 Respuesta
de Windows para la red de
la figura 2.126.
Cuando los elementos son capturados como en la parte anterior. la probabilidad es que
los nodos asociados con cada elemento no concuerden con las referencias de los nodos asig-
nadas de la figura 2.126. Sin embargo, esto puede cambiarse al oprimir el Examine Netlist
(examinar la lista neta) bajo el encabezado Analysis (anlisis). El resultado es un listado de
los elementos de la red y el valor numrico asignado a cada nodo. Esta lista puede cambiarse
para igualar la de la figura 2.126 con una simple secuencia de insercinlborrado para cada
referencia de los nodos. Para este anlisis las referencias de los nodos se cambiaron para
igualarlas a la figura 2.126.
ANLISIS
Ahora. la red est lista para el anlisis. Para acelerar el proceso, se oprime Analysis (an-
lisis) y se elige Probe Setup (irticializacin de la prueba). Se elige Do Not Auto-Run Probe
(no autoejecutar la prueba) debido a que Probe no es apropiada para este anlisis. Es una
opcin que se presentar en un captulo posterior cuando se manejen las cantidades que cam-
bian con el tiempo, la frecuencia o cualquier otra variable importante. Despus se procede con
OK-Analysis-Simulate (Ok,anlisis, simulacin) para llevar a cabo el anlisis. Si se desarro-
lla correctamente, una caja de dilogo de PSpice aparecer indicando que el anlisis en de se
termin. Se sale de la caja y el diagrama tendr la corriente y el voltaje de los nodos como en la
figura 2.130. La corriente del circuito de 2.07 mA concuerda con la solucin en DOS, y el
voltaje de los nodos en -{).46 Ves muy cercano a la solucin DOS de -{).45 V.
2.13 Anlisis por computadora 103
104
El archivo de salida puede observarse con la secuencia Analysis--Examine Output (an-
lisis, examinar salida), Varias de las partes importantes del archivo de salida aparecen en la
figura 2,131, Obsrvese que las asignaciones de los nodos del Schematics Netlist (lista esque-
mtica neta) concuerda con las referencias de los nodos de la figura 2.126. Los parmetros de
CIRCUIT DESCRIPTlON
................................................................... -...... .

.. Scbemati<:;s Ncdist ..
R RI SN_OOO2 SN_OOOl 4.1lc.
a:R2 SN_OOO4 SN_OOO3 2.2k
V_El SNJ)OOSODC lOV
V El $N OOG40DC-SV
D:DI SN-OOOI $N 0003 DIN4148-X
v_V6 SN:0005 SN:0002 e
...... Diode MODEL pARAMETERS
........ _ ................................................................ .

D1N414J.X
IS 2.000000E-J S
BV JOO
lBV
RS 16
TI 12.()()O()C)Ot...()9
CJO 2.000000E-12
SMAU.-SlGNAL BIAS SOLtmON TEMPERATURE = 27.000 DEG e
............ -.........................................................

NODE VOLTAOE NOnE VOLTAGE NQDE VOLTAGE :NODE
VOLTAGE
(SN_0001) .2925
(SN_OO<l3) ,4561
(SN_oooS) 10.0000
(SN-"002) 10.0000
(SN_OOO4) '0000
VOLTAGE SOUIlCE CUIUtENTS
NAME CIllUU!NT
V_El -2,065E-03
V _P2 2.06SE-03
v_ 2.06SE-03
TOTALPOWEIlDlSSlPAnON 3.10&<>2 WATTS
TEMPBRAnJRE- 27.000DEGC
......................................... "' ! ..
.....
DIODES
NAME O_DI
MODEL D1N4I4&-X
ID 2.01E-03
VD 7.49E-Ol
REQ 1.2SE+Ol
CAP 9,62&10
Figura 2.131 Archivo de salida para el anlisis PSpice (Windows) del circuito de la figura 2.126.
los diodos se repiten bajo el listado Diode MODEL PARAMETERS (parmetros de modelos
de diodOS). La SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION (solucin de pequea seal de polarizacin)
incluye todos los voltajes de los nodos con la corriente listada a continuacin como las VOLTAGE
SOURCE CURRENTS (corrientes de las fuentes de voltaje). La OPERATING POlNT
INFORMATION (informacin del punto de operacin) revela que ID es de 2.07 mA Y que el
voltaje a travs del diodo es de 0.749 V en lugar del 0.7 V utilizado en la solucin manual, una
posihle razn para la ligera diferencia en el voltaje de los nodos listado arriba.
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
Ahora, se complet el anlisis utilizando la versin para Windows de PSpice.Al principio,
puede parecer que se hace mucho ms trabajo antes de llegar a la solucin para Windows en
comparacin con la solucin para DOS. Sin embargo, se debe dar al sistema de Windows una
oportunidad para demostrar su versatilidad mientras se empiezan a examinar sus otras caracte-
rsticas. Con el tiempo, desde luego uno se vuelve ms adepto a la construccin de la red: y
tambin, el resultado es una red dibujada con todos los voltajes de los nodos importantes y las
corrientes deseadas impresas en el diagrama.
I
1
I
1
,
I
2.2 Anlisis mediante la recta de carga
1. a) Utilizando las caractersticas de la figura 2; 1 32b. determine ID' VD Y V
R
, para el circuito de la
figura 2.132a.
b) Repita el inciso a usando el modelo aproximado para el dodo y compare los resultados.
e) Repita el inciso a utilizando el modelo ideal para el diodo y compare los resultados.
I
i
1
I
1

I
I
1
:
1
,
,
I
!
i
1
i!
,
,
1 I
, ,
D(mA)
I ,
i
I

,
! !
!
,
1
,
: 1
i
1
,
\
I
1-30
, ,
I
,
\

!
,
,
,
,
I I

!
I
!
I
, ,
i

!
!

I
!
1
1
,
j
1
i
!
I
.
!
\
1_, _ i5
,
,
i
,
I
1

I
1
!
I
i
f--
1O
,
,
I
i I
1
,
1
1 1
,
1
I
,
1
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I
5
\
,
I
,
1
I
!

,
1
i
i
,
,
,
I
A
I
i I
,
,
O
I
1 2 3 4 5 6 7
"
9 10
I
I
I
I
1 1
,
I
O.7V
!

!
i ,
1
,
I 1
,
rb)
2. a) Usando las caractersticas de la fIgura 2.132b, detennine J D Y VD para el circuito de la figura
2.133.
b) Repita el inciso a con R == 0.47 kQ.
c) Repita el inciso a con R == 0.18 ka.
3. Determine el valor de R para el circuito de la figura 2.133 que resultar para una corriente del
diodo de 10 mA si E:; 7 V. Utilice las caractersticas de la figura 2.132b para el diodo.
4. a) Usando las caractersticas aproximadas para el diodo de Si. detennine el valor de V 0.10 Y V
R
,
para el circuito de la figura 2.134.
b) Desarrolle el mismo anlisis del inciso lA utilizando el modelo ideal para el diodo.
e) Sugieren los resultados que se obtuvieron en los incisos a y b que el modelo ideal
puede ofrecer una buena aproximacin para la respuesta real bajo algunas condiciones?
Problemas
PROBLEMAS
R
ro)
Figura 2.132 Problemas 1.2.

E T 5v
L ______ -'
Figura 2.133 Problemas 2. 3.
+ V
D
s,
Figura 2.134 Problema 4.
R
+
O.33kQ "R
+
+
2.2 ka v'"
105
SI
12 V
L
Si
106
2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de de
5. Determine la corriente / para cada una de las configuraciones de la figura 2.135 utilizando el
modelo equivalente aproximado para el diodo.
10Q
20 V
,1 +
-- *SI
'1
tI
1
SI
tI
+
>
10Q
"ro- IOV Ion
.
> 20n
SI
lb) (o)
Figura 2.135 Problema 5.
6. Determine V
o
e ID para las redes de la figura 2.136.
SI
1.2 kQ
2.2 kQ
4.7 kQ
s,
lb)
Figura 2.136 Problemas 6, 52.
* 7. Determine el nivel de V
o
para cada una de las redes de la figura 2.137.
20 v
SI G,
2 kQ
o

'VV'v
1 "'
2 kn "
...
la) (b)
Figura 2.137 Problema 7. 51.
* 8. Determine V
o
e ID para las redes de la figura 2.138.
SI
/ t lOmA 2.2 kQ 1.2 kD:
1
"=' ':' "='
+20 V
5V
6.8 kn
SI
lb)
Figura 2.138 Problema 8.
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
,
* 9. Detennine V y V para las redes de la figura 2.139.
0, 0,
Ge Si
3.3 kQ
(a) (b)
F1gura 2.139 Problema 9.
2.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo
10. Detennine V
o
e J D para las redes de la figura 2.140.
15 V
ID
-
-+
+;ov
ID
SI
V
o SI

i

--...-
SI V
o
4.7 kQ
}>
> 2.2 kQ
_L
-5 V
(a) (b)
Figura 2.140 Problemas 10, 53.
* 11. Detennine V
o
e 1 para las redes de la figura 2.141.
+lOV +16V

>
> 4.7kn
12 V
(a) (b)
Figura 2.141 Problema 11.
Problemas
107

Si
Si
! kn
Figura 2.144 Problema 18.
-5 v
av
Si
2.2 kQ
-5 V
Figura 2.145 Problema 19.

; +..... r oVd,=2V
"
T 2.2 kD

1
...
figura 2.148 Problemas 22. 23. 24.
108
12.
* 13.
Determine V , V , e 1 para la red de la figura 2.142.
o] o"
Determine V
o
e ID para la red de la figura 2.143.
1 kD
+10 V
20 V
10/'
2kD
Si
Si
2 kQ
Figura 2.142 Problema 12. Figura 2.143 Problemas 13, 54.
2,6 Compuertas AND{OR
14. Determine Va para la red de la figura 2.38 con O V en ambas entradas.
15. Determine V
o
para la red de la figura 2.38 con 10 V en ambas entradas.
16. Determine Va para la red de la flgura 2.41 con O V en ambas entradas.
17. Detenmne Va para la red de la figura 2.41 con 10 V en ambas entradas.
18. Determine Va para la compuerta lgica OR de la figura 2.144.
19. Detennine Va para la compuerta lgicaAND de la figura 2.145.
20. Determine el nivel de V
o
para la compuerta de la figura 2..146.
21. Determine el nivel de V
o
para configuracin de la figura 2.147 .
IOV
. 5 V
Si Si
IOV
5V
V
o
V
o
Si Ge
IkD 2.2 kD.
10V ...
flgura 2.146 Problema 20. figura 2.147 Problema 21.
2.7 Entradas senoidales; rectificacin de media onda
2 kQ
22. Suponiendo un diodo ideal, dibuje vi' Vd e id para el rectificador de media onda de la figura 2.148.
La entrada tiene una forma de onda senoidal con una frecuencia de 60 Hz.
* 23. Repita el problema 22 con un diodo de silicio (V
T
= 0.7 V).
* 24. Repita el problema 22 con una carga aplicada de 6.8 kQ como 10 indica la figura 2.149.
Dibuje v
L
e i
L

25. Para la red de la figura 2.150, dibuje V
o
y determine V
dc
.
+
"
Ideal
V(\c= 2V
,
,

i,
+
2.2 kO
+ +
-
2.2 kO
R, 6.8 k.Q v
L
V;= 110 Y (rros)
Ideal
Hgura 2.149 Problema 24. Hgura 2.150 Problema 25.
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
* 26. Para la red de la figura 2.151, dibuje va e iR'
+
I ka +
-10 V
Figura 2.151 Problema 26.
* 27. a) Dado P m;l:' == 14 rnW para cada diodo de la figura 2.152, determine el valor mximo de corrien-
te de cada diodo (utilizando el modelo equivalente aproximado).
b) Determine 1 m:\ para Vi 160 V,
e) Determine la comente a travs de cada diodo para V. utilizando los resultados del inciso b.
d) Es la corriente detenninadaenel inciso e mximo determinado enel inciso a?
e) Si slo estuviera presente un diodo, detennine la corriente del diodo y comprela con el valor
m,,-imo.

1""
....
o---
+
--
>
v
....
47 kQ > ,;
<
56 kn
Figura 2.152 Problema 27.
2.8 Rectificacin de onda completa
28. Un puente rectificador de onda compieta con una entrada senoidal de 120-V nns tiene una resis-
tencia de carga de 1 ill.
a) Si se utilizan diodos de silicio, cul es el voltaje dc disponible en la carga?
b) Determine el valor PIV que se requiere de cada diodo.
e) Encuentre la corriente mxima a travs de cada diodo durante la conduccin.
d) Cul es el valor de potencia que ser requiere de cada diodo?
29. Determine va y el valorPIV que se requiere para cada diodo de la configuracin de la figura 2.153.
+
Diodos ideales
+
2.2 kQ
-100 V
Figura 2.153 Problema 29.
Problemas
,i
109
---
.,
* 30. Dibuje V
o
para la red de la figura 2.154 y determine el voltaje de de disponible.
+
Diodos ideales
2.2 kQ 2.2 kQ 2.2 kQ
-100 V
Figura 2.154 Problema 30.
* 31. Dibuje V
o
para la red de la figura 2.155 y determine el voltaje de de disponible.
+
Diodos
ideales
2.2 kn
2.2 kn
-170V
Figura 2.155 Problema 31.
2.9 Recortadores
32. Dibuje V
o
para cada red de la figura 2.156 para la entrada que se indica.
"
Si 5V Ideal
20V
+ +

+
, 2.2 kn
'o "
kfl
"
-20 V
(b)
Figura 2.156 Problema 32.
33. Dibuje V
o
para cada red de la figura 2.157 para la entrada que se indica.
OV
Si
5V
" _____ ---<
r
1.2 ldl 4.7 kQ
-lOV
(a)
(b)
Figura 2.157 Problema 33.
llO
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
* 34. Dibuje V
o
para cada red de la figura 2.158 para la entrada que se indica.
2() V
2 V Ideal
Ideal
:--JT
\' I kQ v
, ,
" ro
2.2 kQ
o
-5 V
I

+5 y
(a) (b)
Figura 2.158 Problema 34.
* 35. Dibuje V
o
para cada red de la figura 2.159 para la entrada que se indica.
4Y
"0
,
2.2 kQ o
S(
+ 2_2 k.Q +
S(
(a) (b)
FIgura 2.159 Problema 35.
36. Dibuje iR y V
o
para la red de la figura 2.160 para la entrada que se indica.
r
10 kQ
o--JVV\;
!
+ -+
'R
i
s
' "
o
S3Y 1
Figura 2.160 Problema 36.
2.10 Cambiadores de nivel
37. Dibuje V
o
para cada red de la figura 2.161 para la entrada que se indica.
e e
20 V
0--.1' " 0--.1
"
+ "
+
o
.


Ideal
",
Id,al j
>R
"
R
I
5Y
o
.". ...
-20 V (a) (b)
Figura 2.161 Problema 37.
Problemas III

o
112
38. Dibuje V
o
para cada red de la figura 2.162 para la entrada que se indica. Sera una buena
macin considerar que se trata de un diodo ideal para ambas configuraciones? Por qu?
e e
o-------j'
o-------j
120 v
+ 1\
+ +

fR
sr
, sr ,
l',
<
,
E T
20 V
(b)
Figura 2.162 Problema 38.
* 39. Para la red de la figura 2.163:
a) Calcular 5 T.
b) Comparar 5rcon la mitad del periodo de la seal aplicada.
+\0
c) Dibujar v
o
.
L------I _ lO
f = 1 kHz
e

+ 0.\)lF ,, +
sr
R
-'1=- 2 v
Figura 2.163 Problema 39.
+
R
"
* 40. Disear un circuito cambiador de nivel para llevar a cabo la funcin que se seala en la figura 2.164.
+30 V
Diodos ideales
20V
+ +
Diseo
o
-lOV
-20 V
Figura 2.164 Problema 40.
* 41. Disear un circuito cambiador de nivel para llevar a cabo la funcin que se indica en la figura 2.165.
Diodos de silido
IOV
2.7 V
+
+
o
Diseo
-10 V
-17.3 V
Figura 2.165 Problema 41.
Captulo 2 Aplicaciones de diodos
2. Il Diodos Zener
* 42. a) Determinar VL,IL e IR para la red de la figura 2.166 siR
L
= ISOn.
b) RepitaelincisoasiR
L
=4700.
e) Determine el valor de R
L
que establecer las condiciones mximas de potencia para el diodo
Zener.
d) Detennine el valor mnimo de R
L
para asegurar que el diodo Zener est en estado 'encendido".
+ -
IR
R,
220 Q
Vi':::: 10 V
P2m" = 400 mW
V
f.
Figura 2.166 Problema 42.
* 43. a) Disee la red de la figura 2.167 para mantener V[ en 12 V para una variacin en la carga (lL)
desde O hasta 200 mA. Esto es, determine Rs y V
z
.
b) Determine P 2
m
", para el diodo Zener del inciso a.
* 44. Para la red de la figura 2.168, determine el rango de Vi que mantendr V
L
en 8 V Y no exceder el
valor mximo de potencia del diodo Zener.
45. Disear un regulador de voltaje que mantendr un voltaje de salida de 20 V a travs de una carga
de 1 kQ con una entrada que tendr una variacn entre 30 y 50 V. Esto es. determine el valor
adecuado de Rs y la corriente mxima I
ZM
'
46. Dibuje la salida de la red de la figura 2.120 si la entrada es una onda cuadrada de 50 V. Repita para
una onda cuadrada de S-v.
2.12 Circuitos multiplicadores de voltaje
47. Determine el voltaje disponible del doblador de voltaje de la figura 2.121 si el voltaje del secunda-
rio del transfonnador es de 120 V (rrns).
48. Detennine los valores PIV que se requieren por los diodos de la figura 2.121 en tI1Ilinos del
voltaje pico del secundario V
m
.
2.13 Anlisis por computadora
49. Escriba el archivo de entrada para PSpice (DOS) para detenninar las corrientes 1).1
2
e 1m de la
figura 2.36 (ejemplo 2.15).
50. Utilizando PSpice (DOS), escriba el archivo de entrada para determinar V
o
para la red de la figura
2.38.
51. Escriba el archivo de entrada PSpice (DOS), para determinar V
o
para la red de la figura 2.137b.
52. Desarrolle un anlisis para la red de la figura 2.l36b utilizando P$pice (Windows).
53. Desarrolle un anlisis para la red de la figura 2.140b usando PSpice (Windows).
54. Desarrolle un anlisis para la red de la figura 2.143 utilizando PSpice (Windows).
55. Desarrolle un anlisis general de la red Zener de la figura 2.168 usando PSpice (Windows).
56. Repita el problema 49 utilizando BASIC.
57. Repita el problema 50 usando BASIC.
,. Los asteriscos indican problemas ms difciles.
Problemas
1
....
figura 2.167 Problema 43.
91 Q
V
z
= 8 V
P
Zm
" =400rn'W'
0.22 kQ
,Figura 2.168 Problemas 44, 55.
113
CAPTULO
f3
Los inventores del primer
transistor en los BeU Laborato-
ries: doctor WiIliam Shockley
(sentado); doctor John Bardeen
(izquierda); doctor Walter H.
Brattain. (Cortesa de los archivos
AT&T.)
Dr. Shockley Naci en: Londres.
Inglaterra, 1910
PhD Harvard, 1936
Dr. Bardeen Naci en: Madison.
Wisconsin, 1908
PhD Princeton. 1936
Dr. Brattain Naci en: Amoy, China,
1902
PhD Universidad de
Minnesota. 1928
Todos compartieron el Premio Nobel en
1956 por esta contribucin.
114
Transistores bipolares
de unin
3.1 INTRODUCCIN
Durante el periodo de 1904 a 1947, el bulbo fue, sin duda, el dispositivo electrnico ms
interesante y tambin el que ms se desarroll. El diodo de bulbo fue introducido por J. A.
Fleming en 1904. Poco tiempo despus, en 1906, Lee De Forest le aadi un tercer elemento al
diodo al vaco, denominado rejilla de control, lo cual dio por resultado el triodo, primer
amplificador de su gnero. En los aos subsecuentes, la radio y la televisin ofrecieron un gran
estmulo a la industria de los bulbos. La produccin se increment,de cerca de un milln de
bulbos en 1922 a .cien millones aproximadamente en 1937. A principio de los aos treinta el
tubo de vaco de cuatro y cinco elementos cobr gran importancia en la industria de los tubos
electrnicos al vaCo. En los aos siguientes la industria se convirti en una de las ms
importantes y se lograron rpidos avances en el diseo. tcnicas de manufactura. aplicaciones
de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturizacin.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrnica registr la apari-
cin de un nuevo campo de inters y desarrollo. Fue esa tarde cuando Walter H. Brattain y
Joseph Bardeen demostraron la accin amplificadora del primer transistor en la compaa Bell
Telephone Laboratories. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra
en la figura 3.1. Las ventajas de este dispositivo de estado slido de tres terminales respecto al
bulbo se manifestaron de inmediato: era ms pequeo y ligero, no tena requerimientos de
Figura 3.1 El primer transistor. (Cortesa BeU Telephone Laboratories.)
calentamiento o disipacin de calor, su construccin era resistente y era ms eficiente debi-
do a que el mismo dispositivo consuma menos potencia, estaba disponible para utilizarse de
inmediato, no requera de un periodo de calentamiento y era posible utilizar voltajes de opera-
cin ms bajos. Ntese que, a partir del anlisis anterior, en este captulo se aborda por
primera vez el anlisis de dispositvos con tres o ms terminales_ El lector encontrar que
todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el voltaje, la corriente o nivel de
potencia) tendrn por lo menos tres terminales, donde una controla de flujo de las otras dos
terminales.
3.2 CONSTRUCCIN DE TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de mate-
rial tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. Al primero se
le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.Ambos se muestran en la figura
3.2 con la polarizacin de de adecuada. En el captulo 4 encontrar que la polarizacin de de es
necesaria para establecer la regin de operacin adecuada para la amplificacin de ac. La capa
del emisor se encuentra fuertemente dopada. la base ligeramente dopada y el colector slo muy
poco dopado. Las capas exteriores tienen espesores mucho mayores que el material tipo pon
al que circundan. Para los transistores que se muestran en la fIgura 3.2, la proporcin del
espesor total respecto al de la capa central es de 0.150/0.001 = 150: 1. El dopado de la capa
central es tambin mucho menor que el dopado de las capas exteriores (casi siempre 10: 1 o
menos). Este nivel bajo de dopado disminuye la conductividad (aumenta la resistencia) de este
material al limitar el nmero de portadores "libres".
Para la polarizacin que se muestra en la figura 3.2 las terminales se indican mediante
las literales E para el emisor, e para el colector y B para la base. Se desarrollar una aprecia-
cin de la eleccin de esta notacin cuando se analice la operacin bsica del transistor. La
abreviatura BJT, de transistor bipolar de unin (del ingls, Bipolar Junction Transistor),
suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de
que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material pola-
Ilzado de forma opuesta. Si slo se utiliza un portador (electrn o hueco), entonces se consi-
dera un dispositivo unipolar. El diodo Schottky, que se considera en el captulo 20, es uno de
estos dispositivos.
3.3 OPERACIN DEL TRANSISTOR
Ahora se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura
3.2a. La operacin del transistor npn es exactamente la. misma que s se intercambiaran las
funciones que cumplen el electrn y el hueco. En la figura 3.3 se dibuj de nuevo el transistor
pnp sin la polarizacin base-colector. Obsrvense las similitudes entre esta situacin y aquella
del diodo con polarizacin directa del captulo l. El espesor de la regin de agotamiento se
redujo debido a la polarizacin aplicada, lo que da por resultado un flujo muy considerable de
portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.
+Portadores mayoritarios

+- +
+
E
+-+-
-:- ....
+ p-+
+-
+-+- + +-
+/
_B
Regin de agotamiento
+ 1, -
l'
FIgura 3.3 Unin con polarizacin
d.irecta de un transistor pnp.
3.3 Operacin del transistor
r
O,150l"l
0.001 itl.
~ I r--
E
p p
e
B
(a)
r
0.150I"l
0.001 in.
~ I I
E
n n
e
(b)
Figura 3.2 Tipos de transstores:
a) pnp; b) npn.
115
p
f3
116
Ahora se eliminar la polarizacin base-colector del transistor pnp de la figura 3 .2a, segn
se muestra en la figura 3.4. Es pertinente considerar las similitudes entre esta situacin y la del
diodo con polarizacin inversa de la seccin 1.6. Recuerde que el flujo de los portadores
mayoritarios es cero, y da por resultado slo un flujo de portadores minoritarios. corno indica
la figura 3.4. Por consiguiente. en resumen:
Una unin p-n de un transistor tiene polarizacin inversa, mientras que la otra tiene
polarizacin directa.
En la figura 3,5 ambos potenciales de polarizacin se aplicaron a un transistor pnp, con el
flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios. Obsrvense, en la figura
3.5, los espesores de las regiones de agotamiento, que indican con claridad cul unin tiene
polarizacin directa y cul polarizacin inversa. Como se indica en la figura 3.5, habr una
gran difusin de portadores mayoritarios a travs de la unin p ~ con polarizacin directa
hacia el material tipo n. As, la pregunta sera si acaso estos portadores contribuirn de forma
directa a la corriente de base lB o si pasarn directamente al material tipo p. Debido a que el
material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja conductividad. un nmero muy pequeo
de estos portadores tomar esta trayectoria de alta resistencia hacia la tenninal de la base. La
magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los microamperes.
comparado con miliamperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor cantidad
'"de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin con polarizacin inversa,
hacia el material tipo p conectado a la terminal del colector, segn se muestra en la figura 3.5.
La razn de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la
unin con polarizacin inversa se comprender con facilidad si se considera que para el diodo
con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores
minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portado-
res minoritarios al material de la regin de la base tipo n.A la combinacin de esto con el hecho
de que todos los portadores minoritarios en la regin de agotamiento atravesarn la unin con
polarizacin inversa de un diodo puede atribursele el flujo que se indica en la figura 3.5.
+Ponadores minoritarios

Regin de agotamiento
+
Figura 3.4 Unin con polarizacin inversa de
un transistor pnp.
+Portadores mayoritarios +Portadores minoritarios
Regin de agotamiento
Figura 3.5 Flujo de portadores mayoritarios
y minoritarios de un transistor pnp.
Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5, como si fuera un
solo nodo, se obtiene
(3.1)
y se observa que la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y de la base. Sin
embargo, la corriente del colector est fonnada por dos componentes: los portadores mayorita-
rios y minoritarios, segn se indica en la figura 3.5. Al componente de corriente minoritaria se le
denomina corriente de fuga y se le asigna el smbolo leo (corriente le con la tenninal del emisor
abierta). Por tanto, la corriente total del colector se detennina mediante la ecuacin (3.2).
(3.2)
Capitulo 3 Transistores bipolares de unin
Para los transistores de propsto general, le se mide en miliamperes, mientras que leo se
mide en microamperes o nanoamperes. leo' al igual que Is para un diodo con polarizacin
inversa, es sensible a la temperatura y debe analizarse con cuidado cuando se consideren ran-
gos amplios de temperatura. S lo anterior no se considera de manera adecuada, es susceptible
de afectar de manera severa la estabilidad de un sistema a una temperatura alta. Las mejoras en
las tcnicas de construccin han generado niveles significativamente ms bajos de leo' a tal
grado que casi siempre es posible omitir sus efectos.
3.4 CONFIGURACIN DE BASE COMN
La notacin y los smbolos que se utilizan junto Con el transistor en casi todos los textos y
manuales que se publican hoy en dia, se indican en la figura 3.6, para la configuracin de base
comn con transistores pnp y npn. La tenninologia de la base comn se deriva del hecho de
que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. A su vez, por lo r e ~
guIar la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo
largo de este libro todas las direcciones de corriente harn referencia al flujo convencional
(huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Esta eleccin se bas, sobre todo.
en el hecho de que en la gran cantidad de literatura disponible en instituciones educativas e
industriales se utiliza el flujo convencional. y las flechas en todos los simbolos electrnicos
tienen una direccin definida por esta convencin. Recuerde que la flecha en el simbolo del
diodo define la direccin de la conduccin para la corriente convencional. Para el transistor:
La flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor (flujo
convencional) a travs del dispositivo.
Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las direcciones reales.
definidas por medio de la eleccin del flujo convencional. Ntese. en cada caso. que I
E
= le +
IR' Obsrvese tambin que las polaridades aplicadas (fuentes de alimentacin) son tales que
permiten establecer una corriente en la direccin que se indica en cada rama. Es decir, se
compara la direccin de lE con la polaridad de V
EE
para cada configuracin y la direccin de le
con la polaridad de V ce
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres tenninales.
como los amplificadores de base comn de la figura 3.6. se requiere de dos conjuntos de
caractersticas, uno para el punto de excitacin o parmetros de entrada y el otro para el lado
de la salida. Corno se muestra en la figura 3.7, el conjunto de entrada para el amplificador de
base comn relacionar la corriente de entrada (lE) con un voltaje de entrada (V
BE
) para varios
nIveles de voltaje de salida (VeB)'
El conjunto de salida relacionar la corriente de salida (le) con un voltaje de salida (VeB)
para varios niveles de corriente de entrada (lE)' segn se muestra en la figura 3.8. E1 conjunto
de caractersticas de la salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters, como se indica
8
7
6
5
2
Il O.!. OA 0.6
Ir =1\'
I "
0.8 1.0
Val-: (V)
figura 3.7 Caractersticas del
punto de entrada o manejo para un
amplficador a transistor de silicio
de base comn.
3.4 Configuracin de base comn
VI./"
v
cc
1, le
Ea
--.
r'
~
6
B
lo)
. ~
L
B
d
+
-
+
,
V
u
...
I/
cc
1,
E 0---"--,.
B
(b)
Figur,l 3.6 Notacin y smbolos
utilizados con la configuracin de
base comn: a) transistor pnp; b)
transistor npn.
117
(3
f3
Figura 3.8 Caractersticas de
salida o colector para un
amplificador a transistor de base
com:1.
Figura 3.9 Corriente de saturacin
inversa.
lIS
Ir (mA)
,
Regin activa (rea sin sombra)
7 1-
7mA
6
f-
6mA
"
'o
-
Ti
5mA
"

5
" Oi

4
-
'"
4mA
."
"
'o
3mA 1- .0;,
3
'" <>::
2 1-
2mA
1-
IE= 1 mA
o
L.L
I I I
IE=O mA I
-1 o 5 10 15 20 V
es (V)
Regin de corte
en la figura 3.8: las regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la que suele
utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsin). En particular:
En la regin activa la unin base-colector se polariza inversamente, mientras que la
unin emisor-base se polariza directamente.
La regin activa se define mediante los arreglos de polarizacin de la figura 3.6. En el
extremo ms bajo de la regin activa, la corriente del emisor (I E) es cero; esa es la verdadera
corriente del colector, y se debe a la corriente de saturacin inversa leo' como lo seala la
figura 3.8. La corriente leo real es tan pequea (microamperes) en magnitud si se compara con
la escala vertical de le (miliamperes) que aparece virtualmente sobre la misma lnea horizontal
en donde le = O. Las condiciones de circuito que existen cuando lE = O para la configuracin de
base comn se muestran en la figura 3.9. La notacin que con ms frecuencia se utiliza para
lco en los datos y las hojas de especificaciones es, como se indica en la figura 3.9,lCBO. Debido
a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de leBo para los transistores de propsito
general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es
tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia/cBo
aparecer todava en el rango de los microamperes. Adems, recuerde que I
CBO
' as como ls'
para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores
temperaturas, el efecto de leBo puede convertirse en un factor importante debido a que aumen-
ta muy rpidamente con la temperatura.
Obsrvese en la figura 3.8 que cuando la corriente del emisor se incrementa por arriba de
cero, la corriente del colector aumenta a una magnitud en esencia igual a aquella de la corriente
del emisor, segn se detennina por las relaciones bsicas de corriente en el transistor. Ntese
asimismo el efecto casi nulo de V
eB
sobre la corriente del.colector para la regin activa. Las
curvas indican con claridad que una primera aproximacin a la relacin entre lEe Icen la
regin activa est especificada por
(3.3)
Como se infiere por su propio nombre, la regin de corte se define como la regin en la que la
corriente del colector es O A, segn indica la figura 3.8. As tambin:
En la regin de corte, tanto la unin base-colector como la unin emisor-base de un
transistor tienen polarizacin inversa.
Captulo 3 Transistores bipolares de unin
La regin de saturacin se define como la regin a la izquierda de las' caractersticas de
V CE = O V. La escala horizontal en esta regin se expandi para mostrar con claridad el cambio
radical que sufren las caractersticas en esta regin. Obsrvese el incremento exponencial en la
corriente del colector cuando el voltaje V
eB
se incrementa hacia los O V.
En la regin de saturacin, tanto la unin base-colector como la emisor-base estn en
polarizacin directa.
Las caractersticas de entrada de la figura 3.7 revelan que para valores fijos del voltaje del
colector (VeR)' conforme se incrementa el voltaje base-emisoLla corriente del emisor aumenta
de tal manera que es muy similar a las caractersticas del diodo. De hecho, los niveles crecien-
tes de V
eB
tienen un efecto tan bajo sobre las caractersticas que, como una primera aproximacin,
se pueden ignorar los cambios ocasionados por V CB y sus caractersticas pueden dibujarse
corno se ilustra en la figura 3.10a. Si se aplica la aproximacin de segmentos lineales, dar por
resultado las caractersticas que se presentan en la figura 3.l0b. Al avanzar un paso ms e
ignorando la pendiente de la curva, y, por tanto, la resistencia asociada con la unin con
polarizacin directa, se obtendrn las caractersticas que denota la figura 3.10c. Para los
propsitos de anlisis de este texto, el modelo equivalente de la figura 3,lOc se utilizar para
todos los anlisis en dc de redes de transistores. Es decir, una vez que el transistor se encuentre
en estado "encendido", se supondr que el voltaje base-emisor es el siguiente:
V
8E
= 0.7 V (3.4)
En otras palabras, el efecto de las variaciones debidas a V
eB
y <:lla pendiente de las caracters-
ticas de entrada se omitirn en tanto sea posible analizar las redes de transistores de tal manera
que ofrezcan una buena aproximacin a la respuesta reaL sin involucrarse demasiado en las
variaciones de los parmetros de menor importancia.
t ir (mAl
1
1
, (mAl
\ J, ,mAI
8
I
g 8 -
I
I
7
, 7
6
Cualquier V r;
6
I
"
5
5
I 5
..
I
4
4

4
3
3
L"
3
2
2
O 0.2 0.4 06 0.8 VIIE(V) O
0.2 0.4 0.6 0.8 VBf,(V)
1')
lb)
Figura 3.10 Desarrollo del modelo equivalente para ser utilizado para la regin base-emisor
de un amplificador en modo de de.
Es importante apreciar en su totalidad el enunciado que establece las caractersticas de la
figura 3.10c. stas especifican que con el transistor en estado "encendido" o activo, el voltaje
base-emisor ser de 0.7 V a cualquier nivel de corriente del emisor controlada mediante una
red extema. Desde la primera vez que se encuentra cualquier configuracin de transistor en el
modo de dc. es posible especificar de inmediato que el voltaje base-emisor es de 0.7 V si
el dispositivo se encuentra en la regin activa, una conclusin muy importante para el anlisis
de dc que se explica a continuacin.
2
O ,
3.4 Configuracin de base comn
0.2
f3
0.7 V
!
0.4 06 0.8
VSE(V)
'e)
119
~
f3
EJEMPLO 3.1
120
a) Utilizando las caractersticas de la figura 3.8. determine la corriente resultante del colector
cuando lE = 3 mAy V
eB
= 10 V.
b) Empleando las caractersticas de la figura 3.8, determine la corriente resultante del colec-
tor si lE pennanece en 3 mA pero V CS se reduce a 2 V.
e) Usando las caractersticas de la figuras 3.7 y 3.8, determine V
BE
cuando le = 4 mA y
V
eB
=20V.
d) Repita el inciso e utilizando las caractersticas de las figuras 3.8 y 3.lOc.
Solucin
a) Las caractersticas indican con claridad que le'= IE= 3 mA.
b) El efecto de cambio de V
eB
puede omitirse e le contina siendo 3 mA.
c) A partir de la figura 3.8, IE'= le = 4 mA. En la figura 3.7 el nivel resultante de V
BE
es de
aproximadamente 0.74 V.
d) Una vez ms, a partir de la figura 3.8,1,," le= 4 mA. Sin embargo, en la figura 3.lOc V
BE
es de 0.7 V para cualquier nivel de corriente del emisor.
Alfa (a)
En el modo de dc los niveles de le e lE debidos a los portadores mayoritarios se encuentran
relacionados por una cantidad llamada alfa y definida por la siguiente ecuacin:
(3.5)
donde le elE son los niveles de corriente en el punto de operacin. Si bien las caractersticas de
la figura 3.8 podran sugerir que a =1 para los dispositivos prcticos, el nivel de alfa suele
extenderse de 0.90 a 0.998, donde la mayora se aproxima al extremo alto del rango. Debido a
que alfa slo puede definirse para los portadores mayoritarios, la ecuacin (3.2) se convierte en
I le = alE + leBO
(3.6)
Para las caractersticas de la figura 3.8 cuando lE::::: O mA, le es por consiguiente igual a
I
CBO
; no obstante, como se mencion antes, el nivel de Icso es con frecuencia tan pequeo que
prcticamente no es posible detectarlo en la grfica de la figura 3.8. En otras palabras, cuando
lE=' O mA, en la figura 3.8, le tambin parece ser de O mA para el rango de valores de V CB'
Para las situaciones de ac donde el punto de operacin se desplaza sobre la curva de
caracterstica, un alfa en ac se define mediante
(He I
a =--
" AlE V CB :: constante
(3.7)
En tnninos fonnales, alfa de ac se denomina como de base comn, corto circuito o factor de
amplificacin por razones que resultarn ms obvias cuando se analicen los circuitos equiva-
lentes para transistores en el captulo 7. Por el momento, se debe reconocer que la ecuacin
(3.7) especifica que un cambio relativamente bajo en la corriente del colector se divide entre el
cambio correspondiente en lE cuando se mantiene constante el voltaje del colector a la base. En
la mayor parte de las situaciones, las magnitudes de aac y a
dc
son muy cercanas, lo cual pennite
utilizar la magnitud de una para la otra. El uso de una ecuacin como la (3.7) se demostrar en
la seccin 3.6.
Polarizacin
La polarizacin correcta de la configuracin de base comn en la regin activa se puede deter-
minar con rapidez, si se utiliza la aproximacin I
c
: IE,y suponiendo, por el momento, que lB
Captulo 3 Transistores bipolares de unin
E
+
e
figura 3.11 Establecimiento de
la polarizacin correcta para un
transistor pnp en base comn en
la regin activa.
'" O IlA. El resultado es la configuracin de la figura 3.11 para el transistor pnp. La flecha del
smbolo define la direccin del flujo convencional para lE == le Luego se insertan las fuentes de
con una polaridad tal, que soportarn la direccin resultante de la corriente. Para el transistor
npn se in vertiro las polaridades.
Algunos estudiantes sienten que pueden recordar si la flecha del smbolo del dispositivo
se encuentra apuntando hacia adentro o haca afuera. comparando las literales del tipo de tran-
sistor con las literales adecuadas de las frases "apuntando hacia adentro" o "no apuntando
hacia adentro". Por ejemplo, existe una similitud entre las literales npn y las literales itlicas de
no apuntando hacia adentro y las literales pnp con apuntando hacia adentro.
3.5 ACCIN AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR
Ahora que se ha establecido la relacin entre le e lE en la seccin 3.4, se puede explicar la
accin bsica de amplificacin del transistor sobre un nivel superficial utilizando la red de la fi-
gura 3.12. La polaridad de no aparece en la figura debido a que nuestro inters se limita a la
respuesta en ac. Para la configuracin de base 'comn, la resistencia ac de entrada determinada
por las caractersticas de la figura 3.7 es muy pequea y casi siempre vara entre 10 y 100 Q.
La resistencia de salida, segn se detennin en las curvas de la figura 3.8, es muy alta (mientras
ms horizontales sean las curvas, mayor ser la resistencia) y suele varar entre 50 kQ Y 1 MQ
(100 kQ para el transistor de la figura 3.12). La diferencia en cuanto a resistencia se debe a la
unin con polarizacin directa en la entrada (base-emisor) y a la unin con polarizacin inver-
sa en la salida (base-colector). Utilizando un valor comn de 20 Q para la resistencia de entra-
da, se encuentra que
V.
1 =
,
,
Ri
=
200mY
20Q
= lOmA
Si se asume por un momento que aac ;;; 1 (le;;; le)'
y
1,
-
E
+ I
Vi:: 200 mV
R
I\ ---'--+
I
20Xu
-
IL = li = 10 mA
v.
L
= IL
R
= (10 mA)(5 ill)
= 50Y
pnp
1,
e ---+-
B
R,
-
R
5 k!l
lOQkQ
+
V,
Figura 3.12 Accin bsica de a.mplificacin de voltaje de la configuracin de
base comn.
3.5 Accin amplificadora del transistor
f3
121
f3
Figura 3.13 Notacin y smbolos
utilizados con la configuracin de
emisor comn: a) transistor npn;
b) transistor pnp.
122
La amplificacin de voltaje es
Vi
=
50 V
---= 250
200mV
Los valores tpicos de la amplificacin de voltaje para la configuracin de base comn
varan entre 50 y 300. La amplificacin de corriente (le/lE) es siempre menor que 1 para la
configuracin de la base comn. Esta ltima caracterstica debe ser obvia debido a que le = alE
Y a es siempre menor que 1.
La accin bsica de amplificacin se produjo mediante la transferencia de una comente 1
desde un circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinacin de las partes de las dos
palabras en itlicas, en la siguiente frmula, da como resultado el trmino transistor; esto es,
transferencia + resistor ---7 transistor
3.6 CONFIGURACIN DE EMISOR COMN
La configuracin de transistor que se encuentra ms a menudo aparece en la figura 3.13 para
los transistores pnp y npn. Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el
emisor es comn o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este
caso, es comn tanto a la tenninal de base como a la de colector). Una vez ms, se necesitan
dos conjuntos de caractersticas para describir por completo el comportamiento de la configu-
racin de emisor comn: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito
de salida o colector-emisor. Ambos se muestran en la figura 3.l4.
le
-
e
lB
n

-
V
ee
v"
,---0 e
E
(,)
v"
le
-
e
lB
P
-
lB
-+-
Bo--'----I
1
E
(b)
V
cc
Las corrientes del emisor, colector y base se muestran en su direccin convencional para
la corriente. Si bien cambi la configuracin del transistor, an se puede aplicar las relaciones
de corriente que se desarrollaron antes para la configuracin de base comn. Es decir, lE = le +
IBele=aI
E

Para la configuracin de emisor comn, las caractersticas de salida son una grfica de la
corriente de salida (le) en funcin del voltaje de salida (V CE) para un rango de valores de corrien-
te de entrada (lB). Las caractersticas de entrada son una grfica de la corriente de entrada (lB)
en funcin del voltaje de entrada (VBE) para un rango de valores de voltaje de salida (V CE)'
Captulo 3 Transistores bipolares de unin
/c(mA)
6
(Regin de saturacin) 5
____ _
(R:gln activa)
___
10 .LA
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
.Vn,=!V
.va=JOv
o 5 10 \5 o 0.2 0.4 0.6 0.8 l.0
lao = f3/
C80
(Regin de corte)
(al
Figura 3.14 Caractersticas de un transistor de silicio en la configuracin de emisor
comn: a) caractersticas del colector; b) caractersticas de la base.
Obsrvese que en las caractersticas de la figura 3 J 4 la magnitud de lB se indica en
microamperes, comparado con los miliamperes de le- Considere tambin que las curvas de lB
no son tan horizontales como las que se obtuvieron para lEen la configuracin de base comn,
10 cual indica que el voltaje del colector al emisor tendr influencia sobre la magnitud de la
corriente del colector.
La regin activa para la configuracin del emisor comn es la parte del cuadrante superior
derecho que tiene mayor linealidad, es decir. la regin en la que las curvas para lB son casi
rectas e igualmente espaciadas. En la figura 3.l4a, esta regin existe a la derecha de la lnea
punteada en V Ct.; y por arriba de la curva para lB igual a cero. La regin a la izquierda de
V CE,,,, se regin de saturacin.
En la regin activa de un amplificador de base comn la unin del colector-base se
encuentra polarizada inversamente, mientras que la unin base-emisor se encuentra
polarizada directamente.
Recuerde que estas son las mismas condiciones que existieron en la regin activa de la
configuracin de base comn. La regin activa de la configuracin de emisor comn se puede
emplear tambin para la amplificacin de corriente o potencia.
La regin de corte para la configuracin de emisor comn no est tan bien definida como
para la configuracin de base comn. Obsrvese en las caractersticas del colector de la figura
3.14 que le no es igual a cero cuando lB es cero. Para la configuracin de base comn, cuando
la corriente de entrada lE fue igual a cero, la corriente del colector fue igual slo a la corriente
de saturacin inversa leo' de tal forma que en la curva lE = O Y el eje de los voltajes fue uno
para todos los propsitos prcticos.
La razn de esta diferencia en las caractersticas del colector puede obtenerse a travs del
manejo adecuado de las ecuaciones (3.3) y (3.6). Es decir,
La sustitucin da
Volviendo a arreglar da:
Ecuacin (3.6): le = al


Ecuacin (3.3): le = m.lc + lB) + leBo
+
I
CBO
I - a
(3.8)
3.6 Configuracin de emisor comn
(b)
f3
V
8E
(V)
123
emisor comn
f3
Si se considera el caso que recin se analiz, donde lB;;;; O A, Y se sustituye un valor tpico
como de 0.996, la corriente resultante del colector es la siguiente:
le =
a(OA)
le80
+
l-a - 0.996
leBo
= 2501
eBo
0.004
Si leso fuera 1 ,uA.la corriente resultante del colector con lB = O A sera 250(1 ,uA) = 0.25 mA,
segn se refleja en las caractersticas de la figura 3.14.
Como referencia futura, a la corriente del colector definida con la condicin lB = O /lA se
le asignar la notacin que indica la ecuacin (3.9).
= leBo I
(3.9)
I - a1/,=0""
En la figura 3.15 se demuestran las condiciones para esta corriente recin definida con su
direccin asignada de referencia.
Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin), el corte para la
configuracin de emisor comn se definir mediante le = ICEO'
En otras palabras, la regin por abajo de lB = O J1A debe evitarse si se requiere una seal de
salida sin distorsin.
Cuando se utiliza como interruptor en el circuito lgico de una computadora, un transistor
tc;nd.r dos puntos de operacin interesantes: uno en la regin de corte y otro en la regin de
saturacin. La condicin ideal de corte debe ser le = O mA para el voltaje elegido V
eE
. Debido
a que lCEO suele ser bajo en magnitud para los materiales de silicio, el corte existir para fines
de conmutacin cuando lB = O J1A o lc = ICEO,pero slo para los transistores de silicio. Sin
embargo, para los transistores de germanio, el corte para fines de conmutacin se definir
mediante las condiciones que existan cuando lc = ICBO. Dicha condicin se puede obtener, por
10 regular, para los transistores de germanio mediante la polarizacin inversa de la unin base-
emisor, con unas cuantas dcimas de volt.
Recuerde que para la configuracin de base comn se hizo una aproximacin al conjunto
de caractersticas de entrada mediante un equivalente de segmentos lineales, que dio como
resultado V
BE
= 0.7 V para cualquier nivel de lE mayor que O mA. Para la configuracin de
emisor comn se puede recurrir al mismo mtodo, lo cual da por resultado el equivalente
aproximado de la figura 3.16. El resultado da sustento a la conclusin anterior respecto a que
para un transistor "encendido" o activo, el voltaje de la base-emisor es de 0.7 V. En este caso,
el voltaje est fijo para cualquier nivel de corriente de base.
/B (pA)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
Figura 3.15 Condiciones de cir<:uito relativos
a CEO.
O 0.2 0.4 0.6 1 0.8
0.7 V
Figura 3.16 Equivalente de segmentos
lineales para las caractersticas del
diodo de la figura 3.14b.
124 Captulo 3 Transistores bipolares de unin
a) Utilizando las caractersticas de la figura 3.14, determine le cuando lB ~ 30 /lA Y V
eE
~ l O V
b) Empleando las caractersticas de la figura 3.14, determine le cuando V" ~ 0.7 V Y
V e E ~ 15 V.
Solucin
a) En la interseccin delB = 30 /lA Y V
CE
= 10 V.l
c
= 3.4 mA.
b) Usando la figura 3.14b.I
B
~ 20 /lA cuando V
BE
~ 0.7 V. A partir de la figura 3.14a. se
encuentra que I C = 2.5 mA. en la interseccin de lB = 20 /lA Y V CE = 1 S V.
Beta (JJ)
En el modo de de, los niveles de le e lB se relacionan mediante una cantidad a la que llamare-
mos beta y se defmen mediante la ecuacin siguiente:
(3.10)
donde le e lB son determinadas en un punto de operacin en particular de las caractersticas.
Para los dispositivos prcticos, el nivel de f3 suele tener un rango entre cerca de 50 y ms de
400, con la mayora dentro del rango medio. Como para a, f3 revela ciertamente la magnitud
relativa de una corriente respecto a la otra. Para un dispositivo con una f3 de 200, la corriente
del colector equivale a 200 veces ia magnitud de la corriente de base.
En las hojas de especificaciones, f3
dc
se incluye, por lo regular, como h
FE
, donde la h se
obtiene de un circuito equivalente hbrido que se presentar en el captulo 7. Los subndices
FE se derivan de una amplificacin de corriente directa (por las siglas en ingls de,jorward) y
la configuracin de emisor comn, respectivamente.
Para las situaciones de ac, una beta ac. se define en los trminos siguentes:
(3.11)
El nombre formal para f3
ac
es factor de amplificacin de corriente directa de emisor comn.
Debido a que, por lo general, la corriente del colector es la comente de salida para una confi-
guracin de emisor comn, y la corriente de base es la corriente de entrada, el trmino ampli-
ficacin se incluye en la nomenclatura anterior.
La ecuacin (3.11) es similar en cuanto a formato a la ecuacin para aC en la seccin 3.4.
El procedimiento para obtener lX
ac
a partir de las curvas de caractersticas no se explic debido
a la dificultad para medir realmente los cambios de le elE sobre las caractersticas. Sin embar-
go, la ecuacin (3.11) puede describirse con cierta claridad, y de hecho el resultado se puede
utilizar para encontrar aac empleando una ecuacin que se obtendr ms adelante.
Por lo regular, en las hojas de especificaciones f3
ac
se indica como he' Obsrvese que la
nica diferencia entre la notacin que se utiliza para la beta de, especficamente J3
dc
= h
FE
,
radica en el tipo de literal que se emplea para cada cantidad sealada como subndice. La literal
h contina haciendo referencia al circuito equivalente hbrido que se describir en el captulo 7
y lafe a la ganancia de corriente directa (por las siglas en ingls de,jorward) en la configura-
cin de emisor comn.
El uso de la ecuacin (3.11) se describe mejor mediante un ejemplo numrico utilizando
un conjunto real de caractersticas, como las que aparecen en la figura 3.14a y se repiten en la
3.17. Detennine f3
ac
para una regin de las caractersticas definidas por un punto de operacin
de I
B
= 25 /lA Y V
eE
= 7.5 V,como se indica en la figura 3.17. La restriccin de V
eE
= constante
requiere que se dibuje una lnea vertical a travs del punto de operacin en V
CE
= 7.5 V. En
cualquier lugar de esta lnea vertical el voltaje V CE es 7.5 V, una constante. El cambio en lB
3.6 Configuracin de emisor comn
EJEMPLO 32
125
126
1 ( A e m )
1/
e,
9
I
1
_ J)lA

I
I
I
I
I I
I
!
I
]
8
I
vt:-,...
I
!
i .
8Ol1A

I
!
I
)
i I
I
!
I I
7
~
70 )lA I
!
I
i
!
I
I
!
!
60 )lA I
,
I
6
I
~
5+
1
I
VI
I
I
I
1
5
1
V
V
I
1
I
1
I
140 pA
1

4
I
VI
!
! I
i

1
lB:
30 pA
j i 1
,
1
I
3
f{_
1-
25 IJA
! i
I
<
-- .... --
I I
--
Punto Q
20)1A
i
! , !
I
;
i
2
lB I
,
i
i
I

I
10 pA
!
1
;
I
I
I 1
i
I
I
I
1,-O)lA I
O
5/
10 15 20 25 V U(V)
V
cE
=7.5 V
Figura 3.17 Determinacin de f3
ac
y P
dc
a partir de las caractersticas del colector.
(!J.I B) como aparece en la ecuacin (3.11) se define entonces al elegir dos puntos en cada lado
del punto Q a lo largo del eje vertical, y a distancias aproximadamente similares a cada lado del
punto Q. Para esta situacin, las curvas de lB = 20 }.lA Y de 30 }.lA cumplen el requisito sin
extenderse muy lejos del punto Q. Tambin definen los niveles de lB que se definen con facilidad
en lugar de tener que interpolar el nivel de lB entre las curvas. Es pertinente mencionar que la
mejor determinacin suele hacerse manteniendo la .1 18 que se seleccion tan pequea como
sea posible. En las dos intersecciones de lB Y el eje vertical, los dos niveles de le pueden
determinarse trazando una lnea horizontal sobre el eje vertical y leyendo los valores resultantes
de le' El f3
ac
resultante para la regin se puede determinar mediante
f3" =
Me 1
=
le, - le,
LlI B v CE = constante
IBc - lB
I
3.2 mA - 2.2 mA 1 mA
=
=
30}.lA - 20}.lA 1O}.iA
=
100
La solucin anterior revela que para una entrada de ac en la base, la corriente del colector ser
de aproximadamente 100 veces la magnitud de la corriente base.
Si se determina la beta de dc en el punto Q:
Captulo 3 Transistores bipolares de unin
Aunque no son exactamente iguales, los niveles de f3
ac
y de f3
dc
se encuentran razonable-
mente cercanos y a menudo se pueden utilizar indistintamente. Esto es, si se conoce el nivel de
f3
ac
' se supone que es de la misma magnitud aproximadamente que f3
dc
' y viceversa. Tome
tambin en cuenta que dentro del mismo lote, el valor de f3
ac
variar en alguna medida entre un
transistor y el siguente, aunque cada uno tenga el mismo nmero de cdigo. Es probable que
la variacin no sea significativa para la mayor parte de las aplicaciones; por consiguiente, es
suficiente validar el sistema aproximado anterior. Casi siempre, mientras ms bajo sea el nivel
de ICEo' ms cercanas sern las magnitudes de las dos betas. Debido a que la tendencia
se dirige hacia niveles ms y ms bajos de lCEO' la validacin de la aproxmacin anterior se
sustenta an ms.
Si las caractersticas tuvieran la apariencia de aquellas que se encuentran en la figura 3.18,
el nivel de f3
ac
sera el mismo en todas las regiones de las caractersticas. Obsrvese que el paso
o incremento en lB se ha fijado en 10 pA, Y el espaciamiento vertical entre las curvas es el
mismo en cada punto de las caractersticas. es decir. 2 mA. El clculo de {3" en el punto Q
indicado dar por resultado
9mA 7mA 2mA
=----- = 200
45 !lA 35 !lA 10 !lA
Detenninar beta de dc en el mismo punto Q dar por resultado
8mA
= 200
40 !lA
lo cual revela que si las caractersticas tienen la apariencia de la figura 3.18, la magnitud de
f3
ac
y de f3
dc
ser la misma en cada punto de las caractersticas. Es importante observar que
I
CEO
= O !lA.
Aunque un conjunto de caractersticas de un transistor real nunca tendr la apariencia de
la figura 3.18. ofrecemos un conjunto de caractersticas con el objeto de compararlas con las
que se obtienen con un trazador de curvas (que se describir enseguida).
le (mA)"
12
IB==60,uA
11
r-
IB=50)JA
10
9 '-------------
8
Punto Q
lB == 40)JA
7 -------------
6
1
JB=)O,UA
5 --
1
1
IB=20,uA
4
1
3 r- 1
2
1
lB = 10 ,uA
1
1
f-
1
lB = O j1.A (lCEO == O IJA)
I 1 I /
O
5 JO 15 20
Figura 3.18 Caractersticas en la cual f3
ac
es igual en cualquier lado y f3
ac
'" f3
dc
-
Para el anlisis subsecuente, el subndice correspondiente a dc o ac no se incluir con la f3
para evitar la confusin a que dan lugar las expresiones con etiquetas innecesarias. Para las
situaciones de dc bastar con reconocerla como f3
dc
' y para cualquier anlisis en ac ser {3ac" Si
se especifica un valor de {3 para una configuracin de transistor en particular, por 10 regular se
utilizar tanto para los clculos de dc como para10s de ac.
3.6 Configuracin de emisor comn
p
127
f3
128
Es posible establecer una relacin entre 13 y a utilizando las relaciones bsicas que se han
presentado hasta ahora. Al utilizar 13 = lellB se tiene que lB = lelJ3, y a partir de a = lellE se
tiene que lE = lela. Al sustituir en
lE = le + lB
se tiene
le le
= le +-
a f3
y al dividir ambos miembros de la ecuacin entre le se obtiene
1
-:;;;; +-
a f3
o bien
f3 = af3 + a = (f3 + l)a
en consecuencia
o bien
A su vez, recuerde que
pero al utilizar una equivalencia de
I a=f3:1 I
a
f3=--
1 - a
=---
1 - a
--=13+1
1 - a
derivado de lo anterior, se encuentra que
leEO = (f3 + 1)leBo
o bien
(3.12a)
(3.12b)
(3.13)
segn se indica en la figura 3.14a. Beta es un parmetro en particular importante porque ofrece
un vinculo directo entre los niveles de corriente de los circuitos de entrada y los de salida
para una configuracin de emisor comn. Es decir,
y dado que
se tiene
lE = le + lB
= f3
I
B + lB
(3.14)
(3.15)
Las dos ecuaciones anteriores desempean un papel muy importante en el anlisis que se realiza
en el captulo 4.
Polarizacin
La polarizacin adecuada de un amplificador de emisor comn puede determinarse de una
manera similar a la presentada para la configuracin de base comn. Suponga que se le presen-
ta un transistor npn como el que se muestra en la figura 3.19a, y se pide aplicar la polaridad
correcta para colocar al dispositivo en la regin activa.
El primer paso consiste en indicar la direccin de lE segn lo establece la flecha en el
smbolo del transistor como se muestra en la figura 3.19b. Despus, se presentan las otras
Captulo 3 Transistores bipolares de unin
?
?
r 1
1') lb)
Figura 3.19 Determinacin del arreglo polarizacin apropiada para una configuracin
de transistor npn en emisor comn.
corrientes como se indica, tomando en cuenta la relacin de la ley de corriente de Kirchhoff: le
+ lB = lE' Por ltimo, se introducen las fuentes con las polaridades que soportarn las direccio-
nes resultantes de lB e le' segn se muestra en la figura 3.19c, para completar el concepto. El
mismo sistema puede aplicarse a los transistores pnp. Si el transistor de la figura 3.19 tiene un
transistor pnp, se invertirn todas las corrientes y polaridades de la figura 3.19c.
3.7 CONFIGURACIN DE COLECTOR
COMN
La tercera y ltima configuracin de transistor es la configuracin de colector comn, que se
ilustra en la figura 3.20 con las direcciones adecuadas de corriente y notacin de voltaje. La
configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento
de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de
salida, contrariamente a las de las configuraciones de base comn y de un emisor COmn.
80----1
e
e
la) lb)
3.7 Configuracin de colector comn
('1
Figura 3.20 Notacin y smbolos
utilizados con la configuracin de
colector comn: a) transistor pnp;
b) transistor npn.
129
f3
80------1
E
R
Figura 3.21 Configuracin de
colector comn utilizado para
propsitos de acoplamiento de
impedancia.
Figura 3.22 Definicin de la
regin lineal (sin distorsin) de
operacin para un transistor.
130
En la figura 3.21 se muestra una configuracin de circuito de colector comn con la resis-
tencia de carga conectada del emisor a la tierra. Obsrvese que el colector se encuentra conec-
tado a la tierra aunque el transistor est conectado de manera similar a la configuracin del
emisor comn. Desde un punto de vista de diseo. no se requiere de un conjunto de caracters-
ticas de colector comn para elegir los parmetros del circuito de la figura 3.21. Puede disear-
se utilizando las caractersticas de emisor comn de la seccin 3.6. Para todos los propsitos
prcticos, las caractersticas de salida para la configuracin de colector comn son las mismas
que para la configuracin de emisor comn. Para la configuracin de colector comn, las
caractersticas de salida son una grfica de lEen funcin de V EC para un rango de valores de lB
Por tanto. la corriente de entrada es la misma tanto para las caractersticas del emisor comn
como para las del colector comn. El eje horizontal del voltaje para la configuracin del colec-
tor comn se obtiene con slo cambiar el signo del voltaje del colector al emisor de las caracters-
ticas del emisor comn. Por ltimo, existe un cambio casi imperceptible en la escala vertical de
lc de las caractersticas de emisor comn, si le se reemplaza por lE para las caractersticas
de colector comn (debido a que a" 1). Para el circuito de entrada de la configuracin de
colector comn las caractersticas bsicas de emisor comn son suficientes para obtener la
infonnacin que se requiere.
3.8 LMITFS DE OPERACIN
Para cada transistor hay una regin de operacin sobre las caractersticas, las cuales asegura-
rn que no se rebasen los valores mximos y que la seal de salida exhiba una distorsin
mnima. Esta regin se defini para las caractersticas del transistor de la figura 3 .22. Todos los
lmites de operacn para un transistor se definen en la hoja de especificaciones que se descri-
bir en la seccin 3.9.
Algunos de los lmites de operacin se explican por s .solos, tales como la corriente mxi-
ma: del colector (a la que por lo regular se hace mencin normalmente en la hoja de especifica-
ciones como corriente continua del colector) y voltaje mximo del colector al emisor (que a
menudo se como V CEO o V(BRlCEO en la hoja de especificaciones). Para el transistor de
la figura 3.22, ICm', se especific como 50 mA Y V
CEO
como 20 V. La lnea vertical relativa a
Regin e
saturacin
50 )lA
40
,
40 )lA
30
,
20 _________________________________
lE ... ... ... I
-
1O)lA
______________________
__ O.3V
I V
CE ,al
5 10
Regin de corte
t
15 20
Captulo 3 Transistores bipolares de unin
las caractersticas que se define como V CE,", especifica el V CE mnimo que puede aplicarse sin
caer en la regin no lineal denominada como regin de saturacin. El nivel de V CE, .., suele
encontrarse en las proximidades de los 0.3 V que se especifican para este transistor.
El nivel mximo de disipacin se define mediante la ecuacin siguiente:
(3.16)
Para el dispositivo de la figura 3.22, la disipacin de potencia del colector se especific
como 300 mW. As surge la pregunta respecto a cmo graficar la curva de disipacin de poten-
cia del colector especificada por el hecho de que
o bien
Pe "', = VCEle. = 300 mW
VCEl
e
= 300 mW
En cualquier punto de las caractersticas el producto de V
eE
e le debe ser igual a 300 ID W.
Si se elige que le tenga un valor mximo de 50 mA y se sustituye en la relacin anterior, se
obtiene
VCEl
e
=
300mW
V
CE
(50 mA)
=
300mW
300mW
V
eE
= =
6V
50mW
Como resultado, se encuentra que si le = 50 mA, entonces V
CE
== 6 V sobre la curva de
disipacin de potencia, como se indic en la figura 3.22. Si ahora se elige que V
eE
tenga un
valor mximo de 20 V, el nivel de le es el siguiente:
(20 V)/c = 300 mW
300mW
le=---
20V
= 1SmA
definiendo un segundo punto sobre la curva de potencia.
Si ahora se elige un nivel de le a la mitad del rango medio tal como 25 mA, y se despeja
Con objeto de obtener el nivel resultante de V CE' se obtiene
y
Como tambin se indica en la figura 3 .22.
300mW
300mW
25mA
= 12V
Por lo regular, se puede dibujar un estimado general de la curva real utilizando los tres
puntos que se defmieron antes. Desde luego, mientras ms puntos se tengan, ms exacta ser la
curva: sin embargo, casi siempre lo nico que se necesita es un estimado general.
La regin de corte se define como la regin por abajo de lc = ICEO' Esta regin debe
evitarse tambin si la seal de salida debe tener una distorsin mnima. En algunas hojas de
especificaciones slo se incluye ICBO' Entonces, se debe utilizar la ecuacin lCEO = f3/
CBO
para
darse una idea del nivel de corte si no se dispone de las curvas caractersticas. La operacin en
la regin resultante de la figura 3.22 asegurar una distorsin mnima de la seal de salida, y
los niveles de corriente y de voltaje que no daarn al dispositivo,
En caso de que no se disponga de las curvas caractersticas, o que stas no aparezcan en la
hoja de especificaciones (cosa que suele ocurrir), slo habr que asegurar que le' V CE' Y su
producto c ~ c caigan dentro del rango que aparece en la ecuacin (3.17).
3.8 limites de operacin 131
f3
132
lCEO :> lc :> lc
m
"
V
CE
:> V
CE
:> V
CE
""1 m:1x
(3.17)
Para las caractersticas de base comn, la curva de potencia mxima se define mediante el
siguiente producto de cantidades de salida:
(3.18)
3.9 HOJA DE ESPECIFICACIONES DE TRANSISTORES
Debido a que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicacin entre el fabricante y
el usuario, es muy importante que la informacin que incluye se reconozca y se entienda con
claridad. Aunque no hemos presentado todos los parmetros, ahora conoceremos casi todos.
Los parmetros restantes se presentarn en los captulos siguientes. Entonces, se har men-
cin a esta hoja de especificaciones con objeto de repasar la forma como se presenta el
parmetro.
La infonnacin que se proporciona como figura 3.23 se tom directamente de la publicacin
Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes (Transistores de pequea seal. FET y diodos)
que prepar la compaa Motorola Inc. EI2N4123 es un transistor npn de uso cuya identificacin
de encapsulado y tenninales aparecen en la esquina superior derecha de la figura 3.23a. Casi
todas las hojas de especificaciones se desglosan en valores nominales mximos, caractersti-
cas trmicas y caractersticas elctricas. Las caractersticas elctricas se desglosan despus en
"encendido", "apagado" y en caractersticas de pequea seal. Las caractersticas de "encendido"
y "apagado" se refieren a los lmites de de, en tanto que las de pequea seal incluyen los
parmetros importantes para la operacin en ac.
Obsrvese en la lista de valores nominales mximos que V
CEm
" = V
CEO
= 30 V con lc
m
"
= 200 mA. La disipacin mxima del colector P c.' = P D = 625 mW. El factor de prdida de
disipacin bajo el valor mximo especifica que e r ~ l o r mximo disminuye en 5 mW por el
aumento de cada 1
Q
de temperatura por arriba de los 25 oC. En las caractersticas "apagado"
leBo se especifica como 50 nA y en las de "encendido" V
CE
. = 0.3 V. El nivel de h
FE
tiene un
rango entre 50 y 150 en lc = 2 mA Y V
CE
= 1 V. y un valor .;';nimo de 25 a la mayor corriente
de 50 mA al mismo voltaje.
Ahora definimos los lmites de operacin para el dispositivo y se repiten a continuacin en
el fonnato de la ecuacin (3.17) utilizando h
FE
= 150 (el lmite superior) e ICEO '" {3ICBO =
(150)(50 nA) = 7.5 ,uA. Es cierto que para muchas aplicaciones el 7.5 ,uA = 0.0075 mA puede
considerarse como O mA sobre una base aproximada.
Lmites de operacin
7.5,uA :> le :> 200 mA
0.3V:>V
cE
:>30V
VcEl
c
:> 650mW
En las caractersticas de pequea seal se proporciona el nivel de h, ({3,,) junto con una
grfica de la forma en que vara con la corriente del colector en la figura 3.23f. En la figura
3.23j se demuestra el efecto de la temperatura y la corriente del colector en el nivel de h
FE
({3,,).A temperatura ambiente (25 oC) obsrvese que h
FE
({3do) tiene un valor mximo de l en el
rea cercana a 8 mA aproximadamente. Confonne lc se incrementa por arriba de este nivel,
hFEdisminuye a la mitad del valor cuando Ices igual a 50 mA. Tambin puede disminuir a este
nivel si lc disminuye al nivel bajo de 0.15 mA. Como se trata de una curva normalizada. si se
tiene un transistor con f3
dc
= h
FE
= 50 a temperatura ambiente, el valor mximo a 8 rnA es 50.
Cuando [c = 50 mA ha disminuido a 50/2 = 25. En otras palabras, la nonnalizacin revela que
Capitulo 3 Transistores bipolares de unin
el nivel real de h
FE
a cualquier nivel de le se dividi entre el valor mximo de h
FE
a esa
temperatura y con le;; 8 mA. Obsrvese asmismo que la escala horizontal de la figura 3.23j es
una escala logartmica. Las escalas logartmicas se analizan con todo detalle en el captulo 11.
Es probable que el lector, cuando disponga de tiempo para revisar las primeras secciones del
captulo 11, quiera hacer un nuevo repaso de las grficas que se incluyen en esta seccin.
nLORES :'IOOMI:'\ALES MXIMOS
Valor Smbolo 2N4123 Unidad
2N4123
Voltaje coleCIOf-eTmsor V
CEO
30 Vd, ENCAPSULADO 29-04, ESTILO \
VojJje emisor-base
Corriente del colector continua
Di<";'l;J.(in tol"l del @T,\=25C
de arriba 25 "C
de de umn en
J
e .l,.R.\CTERisTICAS TRMICAS
Caracterstica
tcrmiea. unin a enc:p,;ul:J.do
ReSistencia trmie<l. unin a ambiente
V
CBU
YEBO
'e
Pe
TJ.T"
Smbolo
Rme

'"
Vdc
5.0 Vdc
200 mAdc
625 mW
5,0 m'W"C
'c
Mximo Lnidad
833 CW
200 CW
CARACTERisTICAS ELCfRICAS (T JI 25 T J qu.:;e .:specifiquc lo contr.lrio)
Caracterstica
CARACTERiSTlCAS DE APAGADO
Voltaje de ruptura {1} colector-emisor
{le - 1.0 mAde.I
E
-O}
Voltaje de ruptura colector-b<lse
{l =oIOflAdc.lr"'O}
Voltaje de ruptuw emisor-base

Comente de corte del colector
(Ves'" 20 Vde. lE = O)
Corriente de corte del emIsor
{V
OE
=o 3.0 Vdc.l
e
'" O}
c c e ARA TERISTICAS DE EN
Ganancia de corriente OC 1)
ENDIDO
(le'" 2.0 mAdc. V
CE
"" 1.0 Vdc)
(! =50mAdc.V = 1.0 Vdc)
Voltaje de saturacin (l) colector-emisor
(le = 50 mAde.l
e
= 5.0 mAdc)
VolwJe de satUr.lcin base-emisor
(le'" 50 mAdc.I
B
= 5.0 mAdc)
-, -,
CARACTERISTICAS DE PEQt;ENA SENAL
Producto ganancia en corriente-ancho de band3
(le'" 10 mAdc. V
CE
'" 20 Vde. f= 100 MHz)
CapaCItancia de sahdu
(V
CB
= 5.0 Vdc. lE =-0. f '" 100 MHz)
Capacitanc,a de entrada
("'BE == 0.5 Vdc.l
c
= Q. f == 100 KHz)
CapacitancIa colector-base
(Ir",O,V
cs
=-5.0V.f= 100kHz)
Ganan<:ia en corriente en seial
(le = 2.0 mAdc. V
CE
"" 10 Vde. f= 1.0 kHz)
GananCia en comente-alta frecuencia
(Ic = 10 mAdc. V
CE
= 20 Vdc. f== 100 MHz)
(le = 2.0 mAde. V CE"" 10 V, f= 1.0 kHz)
Figura de ruido
{le = 100 flAdc. V CE"" 5.0 Vde. Rs '" 1.0 k ohm. f= 1.0 KHz}
(I) Pru.:ba de pulso: ancho del pulso _ 300 .s. Ciclo de trabaJo'" 2.0 <k
Figura 3_23 Hoja de especificaciones de transistores.
TO-92 (TO-226AA)
3 Colc<:tor
"

2 3 1 Em"or
TRANSISTOR DE PROPSITO
VIBRICEO
V'BRICBO
V"'BR1E.!lO
leBo
I
EBO

VCE 'Ul
V

f,
GENERAL
NPl'i SILICIO
Mximo
30
40
5.0
50
25
-
-
250
50
2.5
50
50
50
150
-
0,3
0,95
4.0
'O
4.0
200
200
6.0
I
Lnidad
Vd<:
Vdc
Vdc
nAde
nAde
-
Vd'
Vdc
MHz
pF
pF
pF
dE
3.9 Hoja de especificaciones de transistores
f3
133
f3

"
"

";:

"
'-'
" :s

;::
u

W
:;:
l;
;
10
7.0
5.0
Antes de concluir esta descripcin de las caractersticas, obsrvese el hecho de que no se
proporcionan las caractersticas reales del colector. De hecho, casi todas las hojas de especifi-
caciones que presentan la mayora de los fabricantes omiten proporcionar las caractersticas
completas. Es de esperarse que los datos que se proporcionan sean suficientes para utilizar de
manera eficaz el dispositivo en el proceso de diseo.
Como se observ en la introduccin de esta seccin, no todos los parmetros que se inclu-
yen en la hoja de especificaciones se definieron en las secciones o captulos anteriores. Sin
embargo, la hoja de especificaciones que se proporciona en la figura 3.23 se mencionar con
frecuencia en los captulos que siguen, a medida que se presenten los parmetros. La hoja de
especificaciones puede ser una herramienta muy valiosa en el diseo o al utilizarla en el anlisis,
pero debe hacerse cualquier esfuerzo que sea necesario para conocer la importancia de cada
parmetro. y la forma en que puede variar con los niveles cambiantes de comente, temperatura
y dems.
Figura 1 - Capacitancia Figura 2 - Tiempos de conmutacin
,
,
, i
200
"
,
, ,
,
i i
I i
,
! I : !
100
"'-
,
I ,
,
,
, ,
e
i l'
T- .bo

, .
70
E.
8-
50
,
I
3.0
:::::::<....
/
-........... -...........
=
30

........ ,
,
I
:/

. "'<'
.i/ ,,/
,
I
.... 20
2.0

.........
............... / ......
Ir "y:
.Y.
1.0
12
10
8
6
4
2
O
i
I
0.1
.
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 40
Voltaje de polarizacin inversa (V)
Ib1
10.0
7.0
5.0
1.0
V
cc
= 3 V
........
! ' ......... . i
le/lB-lO
O.sy+-c-I
V EB (abieno)
2.0 3.0 5.0 10 20 30 50
le- Corriente de colector (mA)
('1
CARACTERSTICAS DE PEQUEA SEJ\;AL PARA AUDIO
FIGURA DE RUIDO
(V
CE
= 5 Vdc. T
A
= 25"C)
Ancho de banda = 1.0 Hz
Figura 3 - Variaciones de frecuencia. Figura 4 - Resistencia de la fuente
,
14
f= 1 kHz
1/ /
// /
/
/
\ Resistencia de la fuente =' :WO.Q
Vl
e
=
1 mA
12 ,
.JI '//
'\.
Resistencia de la fuente = '200.0:
i\..X le = 0.5 mA
Resistencia de la fuente = 1 kD.
"-
v---
Ic= 5O I1A
I
'x:" ..........
I
I
::--
.... .'i ,

: ,
I
de la fuente = 500 n
-------... le = 100 J.LA
10
2
:s 8

2
6
.g
;::
5,
4

"'
:;:
2
1 1mAJ"/
/ /
V/ I /
-----l
e
=0.5mA .J / I I
v/ .
I
"-
/V
I
/ /
Ic=
5O
I1
A
/.
!/'J
.
/!/'"
:
1; iooJ.I.A
!
, .
,
O
100 200
--
0.1 0.2 0.4 2
"
10 20 40 100 0.1 0.2 0.4 1.0 2.0 4.0 10 20 40 100
r Frecuencia (kHz.)
(dI (,)
Figura 3.23 Continuacin.
134 Captulo 3 Transistores bipolares de unin
PARMETROS h
V
CE
= 10V,j= 1 kHz. T\=25C
Figura 5 - Ganancia de corriente Figura 6 - Admitancia de entrada
100
I
'6
50

e_
'"
-----
I
--
o

20
o
10
I
I
"
'g

5.0
:g
-j
I .
,
.:::./ 1.0
___________ __
30
0.1
,
0.2
1 i I
I
-
1.0 2.0
J C' Corriente de colector (mAl
(O
1.0
5.0 10 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0
le- Corriente de colector (mA!
(g)
Figura 7 - Impedancia de entrada Figura 8 . Relacin de retroalimentacin de voltaje
.
1.0
0.5 =:_.=
- -- ._-_ .. --------------
0.2 '-___ . _________ ---'
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.2
le' Corriente de colector (mA)
(h)
CARACTERSTICAS EST TICAS
Figura 9 '" Ganancia de corriente en DC
1.0
+\25C I
0.5 1.0 2.0 5.0
1(". Corriente de colector (mAl
(i)
,

=
1.0
, T
J
VCE=lV _

i
"
2
+25OC
=
" "
0.7
-g
,
o
"
0.5
o


o
.<:;

e
0.3
O
0.2 ,
.:::,"'-
1
5SOC
..- '-
!
---
............ I
"'-
I
'-
'\. '\.
1 !
,
"""
0.1
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200
le Corriente de colector (mA)
Ftgura 3.23 Continuacin.
3.9 Hoja de especificaciones de transistores
10
10
f3
135
"
f3
Figura 3.24 Respuesta del
trazador de curvas al transistor
npn 2N3904.
Flgura 3.25 Determinacin de la
f3
ac
para las caractersticas del
transistor de la figura 3.24 a le =
7mAyV
CE
=:SY.
136
3.10 PRUEBA DE TRANSISTORES
De manera semejante como ocurre con los diodos, existen tres "rutas" que pueden tomarse
para verificar un transistor: trazador de curvas, medidor digital y hmerro.
Trazador de curvas
El trazador de curvas de la figura 1.45 generar una imagen igual a la pantalla de la figura 3.24
una vez que todos los controles se ajusten de manera adecuada. Las pantallas ms pequeas a
la derecha indican la escala que debe aplicarse a las caractersticas. La sensibilidad vertical es
de 2 mA /div, 10 que da por resultado la escala que se ilustra a la izquierda del monitor. La
sensibilidad horizontal es de 1 V /div, 10 que da por resultado la escala que se muestra abajo de
las caractersticas. La funcin de paso indica que las curvas estn separadas por una diferencia
de 10 pA, empezando en O f.1A para la curva de la parte inferior. El ltimo factor de escala que
se proporciona se puede utilizar para detenninar con rapidez la f3
ac
para cualquier regin de las
caractersticas. Slo multiplique el factor que aparece en pantalla por el nmero de divisiones
entre las curvas lB en la regin de inters. Por ejemplo, determine f3" para un punto Q de le =
7 mAy V
CE
= 5 V. En esta regin de la pantalla, la distancia entre las curvas lB es de' de una
divisin, como se indica en la figura 3.25. Si se usa el factor especificado, se encuentra que
2.0"",(
,
,
16mA:
14mAi
,
12mAi
4mAi
i
2mAI
I
,
,
i
,
i
i
!
I
!
OmA"
i
I
! ,
r

/:
I
r'
i
i
I


,
I
"
i
= div (200) = 180
10 div
!
1:
I

SO ,(lA
r-
,70 !lA
e ,
.
,
60 flA
50,(lA
40,uA
.
30 llA
20 llA
-
: !OllA

.
I
OllA
I -
- -
OV lV 2V 3V 4V 5V 6V 7V SV 9V lOV
1 -8mA IB,=40pA
lc, = 8.2 mA r .;:-::::--:::-:::::2- >=::=-C=+f =- ti ========-
=-ro div +/ Punto Q
1
... (lc =7mA.V
cE
=5V)
-- J
Ic,=6.4mA
Captulo 3 Transistores bipolares de unin
Venieal por
divisin
2mA
Horizontal por
divisin
IV
Por paso
10,(lA
/3 o gm por
divisin
200
Al utilizar la ecuacin (3.11) se obtiene
1.8mA
10llA
= 180
lo cual verifica la determinacin anterior.
le, - le, = B.2mA - 6.4mA
lB, - lB, 40llA - 30llA
Medidores digitales avanzados
Hoy en da, en el mercado se dispone de medidores digitales avanzados, como el que se
muestra en la figura 3.26, que son capaces de proporcionar el nivel de h
FE
, si se utilizan los
conectores que estn en la parte inferior a la izquierda del disco selector de funcin. Obsr-
vese la opcin de pnp o npn y la disponibilidad de dos bornes para el emisor para manejar la
secuencia de contactos, segn sea el encapsulado. El nivel de h
FE
se determina a una corrien-
te del colector de 2 mA para el Testmate l75A, que tambin aparece en la pantalla digital.
Obsrvese que este verstil instrumento tambin puede verificar un diodo. Puede medir la
capacitancia y la frecuencia adems de las funciones nonnales de medicin de voltaje, co-
rriente y resistencia.
De hecho, en el modo de verificacin de diodo se puede usar para verificar las uniones p-n
de un transistor. Con el colector abierto, la unin debe dar por resultado un voltaje
bajo de aproximadamente 0.7 V, con la punta de prueba roja (positivo) conectada a la base y la
punta de prueba negra (negativo) conectada al emisor. Una inversin de las tenninales debe
dar por resultado una indicacin G.L. para representar la unin con polarizacin inversa. De
manera anloga, con el emisor abierto. es posible verificar los estados de polarizacin directa
e invers de la unin base-colector.
Ftgura 3.26 Probador de transistores. (Cortesa de Computronics Teehnology, lne.)
3,1 () Prueba de transistores
f3
137
f3
Figura 3.27 Verificacin de la
unin base-emisor con polarizacin
directa de un transistor npn.
Ralta
Figura 3.28 Verificacin de la
unin base-colector con
polarizacin inversa de un
transistor npn.
138
(al
hmetro
Un hmetro o las escalas de resistencia de un DMM pueden utilizarse para verificar el estado
de un transistor. Recuerde que para un transistor en la regin activa, la unin base-emisor tiene
polarizacin directa y la unin base-colector polarizacin inversa. Por tanto, en esencia. la
unin con polarizacin directa debe registrar una resistencia relativamente baja, mientras que
la unin con polarizacin inversa muestra una resistencia mucho mayor. Para un transistor
npn, la unin con polarizacin directa (palarizada por la fuente interna en el modo de resisten-
cia) base-emisor debe verificarse como se indica en la figura 3.27, y da por resultado una
lectura que, por lo regular, caer en el rango de 100 Q a unos cuantos kilohms. La unin con
polarizacin inversa base-colector (una vez ms polarizada inversamente por la fuente interna)
debe verificarse segn se muestra en la figura 3.28 con una lectura que suele exceder los
100 kil. Para un transistor pnp las terminales se invierten para cada unin. Es obvio que una
resistencia grande o pequea en ambas direcciones (invirtiendo los contactos) para cada unin
de un transistor npn o pnp indica un dispositivo daado.
Si ambas uniones de un transistor dan por resultado las lecturas esperadas, el tipo de
transistor tambin puede determinarse con slo observar la polaridad de las puntas de prueba
cuando se aplican a la unin base-emisor. Si la punta de prueba positiva (+) se conecta a la base
y la negativa (-) al emisor, una lectura de baja resistencia indicaria un transistor npn. A su vez,
una lectura de alta resistencia indicara un transistor pnp. Aunque tambin puede utilizarse un
hmetro para detenninar las tenninales (base, colector y emisor) de un transistor, se supone
que esta determinacin puede hacerse con slo observar la orientacin de los contactos en el
encapsulado.
3.11 ENCAPSULADO DE TRANSISTORES
E IDENTIFICACIN DE TERMINALES
Una vez que se ha fabricado el transistor utilizando una de las tcnicas que se describen en el
captulo 12, se unen las tenninales mediante pequeos alambres, que casi siempre son de oro,
aluminio o nquel. y toda la estructura se encapsula en un "contenedor" como el que se muestra
en la figura 3.29. Los que se construyen para trabajo pesado son dispositivos de alta poten-
cia, en tanto que otros cuyo encapsulado es pequeo (tipo sombrero) o cuyo cuerpo es de
plstico son dispositivos de baja o mediana potencia.
Siempre que sea posible, el encapsulado del transistor tendr algn tipo de marca para
indicar qu terminales se encuentran conectadas al emisor, colector o base de un transistor.
Algunos de los mtodos que se utilizan con mayor frecuencia se indican en la figura 3.30.
(b) Co) (d)
FlgUra 3.29 Varios tipos de transistores. a) Cortesa de General Electric Company; b) y c) cortesa
de Motorola, lnc.; d) cortesa de International Rectifier Corporation.
Capitulo 3 Transistores bipolares de unin
figura 3.30 Identificacin de terminales del transistor.
En la figura 3.31 aparece la construccin interna de un encapsulado TO-92 de la lnea
Fairchild. Obsrvese el tamao en extremo pequeo del dispositivo semiconductor real. Exis-
ten pequeos alambres de oro para conectar las terminales, una estructura de cobre y un
encapsulado de resina epxica.
Dado con proceso de
pasivacin
Estructura de cobre
(,)
lnyeccin de compuesto de
moldeo axial
,/" Encapsulado de epxico
Ir I"i\-f.-,. Lenguet3s de cierre
(b)
(e)
Figura 3.31 Construccin interna de un transistor Fairchild en un encapsulado TO-92.
(Cortesa de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)
En el encapsulado de terminales en doble lnea, que aparece en la figura 3.32a, es posible
encapsular cuatro transistores pnp individuales de silicio; las conexiones internas de las termi-
nales se ilustran en la figura 3.32b. De igual manera como ocurre con el encapsulado de diodos
en le, la identificacin en la superficie superior indica el nmero 1 de las 14 terminales.
3.11 Encapsulado de transistores e identificacin de terminales
f3
139
f3
Figura 3.32 Transistores pnp de
silicio Q2T2905 de Texas
Instruments: a) apariencia;
b) diagrama de base. (Cortesa de
Texas Instruments Incorporated.)
140
(Vista superior)
e B E NC E
C B E NC E B e
NC - Sin conexin i n t e ~
(a) (b)
3.12 ANLISIS POR COMPUTADORA
En el captulo 4 se estudiar una red de transistores utilizando BASIC y PSpice (versiones
DOS y Windows). Si se utiliza BASIC, el mtodo ser anlogo a un anlisis realizado a mano,
ntientras que en un anlisis mediante PSpice (versin DOS) se utilizar un modelo de transistor
que se introduce en los prrafos siguientes. El PSpice (versin Windows) utilizar'un tran-
sistor que se incluye en la biblioteca interna.
PSpice (versin DOS)
El enunciado de PSpice para la introduccin de los elementos de un transistor tiene el formato
siguiente:
QI 3 4
nombre C B E nombre del modelo
La Q se requiere para identificar el dispositivo como un transistor. El nmero 1 es el nombre
elegido para el transistor, aunque puede incluir hasta siete caracteres (nmeros y letras). Des-
pus, se capturan las terntinales en el orden que aparece arriba. El ltimo registro es el nombre
del modelo, para dirigir al paquete de programacin (programa) hacia la localizacin de los
parmetros que definen al transistor.
El enunciado del modelo tiene el siguiente formato:
.MODEL QN
~
NPN (BF = 140 IS = 2E - 15)
'------' ...... ~ #
nombre tipo
del modelo
parmetros que sern especificados
Como se indica, el enunciado debe comenzar con .MODEL y seguido por el nombre del mode-
lo del transistor como se especific en el enunciado anterior. Despus, se indica el tipo de
transistor y los valores de los parmetros que se especificarn que se incluyen dentro del pa-
rntesis. La lista de parmetros, como aparece en el manual PSpice, es muy extensa y de hecho
incluye 40 trntinos. Para las necesidades actuales slo es necesario especificar dos parmetros.
Entre stos se incluyen el valor de beta, que se seala como BF, y la corriente de saturacin
inversa IS a un nivel que d por resultado un voltaje base-entisor de aproximadamente 0.7 V
cuando el dispositivo est "encendido".
Los dos enunciados que se mencionaron antes aparecern en la seccin de anlisis por
computadora que se incluye en el captulo 4. Sern los nicos enunciados diferentes de los que
aparecen en el anlisis de diodos del captulo 2. En otras palabras, los elementos nuevos pueden
Capitnlo 3 Transistores bipolares de unin
presentarSe en la biblioteca PSpice sin modificar los procedimientos ya descritos. En este sentido,
el uso del paquete PSpice es una "experiencia de construccin" real con la posibilidad de
analizar algunas redes muy complicadas que se encuentran a slo unos cuantos enunciados
de distancia.
Anlisis del centro de diseo de PSpice para Windows
La eleccin de transistor bajo PSpice para Windows se encuentra al seleccionar Draw en la
barra de men de la ventana de 5chematics (esquemas). Despus se elige Get New Par!
(busca nuevo componente) seguido por Browse (hojear) para ver la lista disponible. Se en-
cuentra eval.slb en la lista de Iibrary (biblioteca) y despus de seleccionar la entrada se debe
mover a travs de la lista de dispositivos disponibles. Conforme oprima el botn de un dispo-
sitivo al siguiente, una caja de Description aparecer arriba de la entrada describiendo el tipo
de dispositivo. Una vez que se elige la opcin del transistor deseado, slo se selecciona en el
dispositivo y OK, y aparecer en la pantalla para su colocacin. El captulo 4 describir la
forma de modificar los parmetros del transistor seleccionado y la forma de llevar a cabo un
anlisis de la red de transistores.
3.2 Construccin de transistores
1. Qu nombres se asignan a los dos tipos de transistores BJT? Dibuje la construccin bsica de
cada uno e identifique los diversos portadores minoritarios y mayoritarios en cada uno. Dibuje el
smbolo grfico junto a cada uno. Se altera algn elemento de esta informacin al cambiar de una
base de silicio a una de gennanio?
2. Cul es la diferencia ms importante entre un dispositivo bipolar y uno unipolar?
3.3 Operacin del transistor
3. Cmo se deben polarizar las dos uniones del transistor para una operacin de amplificacin co-
rrecta del transistor?
4. Cul es la fuente de la corriente de fuga en un transistor?
5. Dibuje una figura similar a la figura 3.3 para la unin con polarizacin directa de un transistor npn.
Describa el movimiento resultante del ponador.
6. Dibuje una figura similar a la figura 3.4 para la unin con polarizacin inversa de un transistor
npn. Seale el movimiento resultante del portador.
7. Dibuje una figura similar a la figura 3.5 para el flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de
un transistor npn. Describa el movimiento resultante del ponador.
8. Cul de las comentes del transistor es siempre la mayor? Cul es siempre la menor? Cules de
las dos corrientes son relativamente cercanas en magnitud?
9. Si la comente del emisor de un transistor es de 8 mA e lB es de 1/100 de le determine los niveles
de le e lB
3.4 Configuracin de base comn
10. De memoria, dibuje el smbolo del transistor para un transistor pnp y npn. e insene la direccin
convencional del flujo para cada corriente.
11. Utilizando las caractersticas de la flgura 3.7, especifique V
BE
alE = 5 mA para V
eB
;:::: 1 V, 10 V Y
20 V. Es razonable suponer. con base en una aproximacin, que V
eB
tiene slo un pequeo efecto
en la relacin entre V BE elE?
12. a) Determine la resistencia promedio en ac para las caractersticas de la figura 3.10b.
b) Para las redes en las cuales la magnitud de los elementos resistivos se encuentra en kilohms,
es vlida la aproximacin de la figura 3.10c (basndose en los resultados del inciso a)?
13. a) Usando las caractersticas de la figura 3.8, detennine la corriente resultante del colector si lE =
4.5 rnA V
cB
=4 V.
b) Repitaelincisoaparal[=4.SmA Ves = 16 V.
e) Cmo han afectado los cambios de V
eB
el nivel resultante de le?
d) Respecto a una base aproximada. cmo se relacionan lE e le basndose en los resultados
anteriores?
Problemas
f3
PROBLEMAS
141
f3
142
14. a)
b)
e)
d)
e)
15. a)
b)
e)
Empleando las caractersticas de las figuras 3.7 y 3.8, determine le si Ves = 10 V V
SE
::; 800 rnV.
Determine V
SE
si le::; 5 mA Y V cs::; 10 V.
Repita el inciso b utilizando las caractersticas de la figura 3.10b.
Repita el inciso b utilizando las caractersticas de la figura 3.lOc.
Compare las soluciones para V
BE
para los incisos b, c. y d. Se puede ignorar la diferencia si
normalmente se encuentran niveles de voltaje mayores a unos cuantos volts?
Dada una a
dc
de 0.998. detennine le si lE::; 4 mA.
Determine cx
dc
si lE = 2.8 mA e lB = 20 p.A.
Encuentre lE si lB::; 40 jiA Y u
dc
es 0.98.
16. Dibuje de memoria la configuracin del transistor en base comn (para npn y pnp) e indique la
polaridad de la polarizacin aplicada y las direcciones de corriente resultantes.
3.5 Accin amplificadora del transistor
17. Calcule la ganancia de voltaje (Av = V L/V) para la red de la figura 3.12 si Vi = 500 m V y R = 1 k,Q.
(Los otros valores del circuito permanecen iguaJes.)
18. Calcule la ganancia de voltaje (A" = V L/V) para la red de la figura 3.12 si la fuente tiene una
resistencia interna de 100 Q en serie con Vi"
3.6 Configuracin de emisor comn
19. Definal
cBo
e ICEO' En qu son diferentes? Cmo estn relacionados? Por lo regular sus magni-
tudes son cercanas?
20. Utilizando las caractersticas de la figura 3.14:
~ 2 1
* 22.
23.
a) Encuentre el valor de lc correspondiente a V
BE
= +750 mV y V CE = +5 V.
b) Encuentre el valor de V CE Y V
BE
correspondiente a le =- 3 mA e lB = 30 .lA.
a)
b)
e)
d)
a)
b)
e)
a)
b)
e)
d)
Para las caractersticas de emisor comn de la figura 3.14, determine la beta en dc en un punto
de operacin de V
CE
= +8 Ve 'c = 2 mA.
Encuentre e! valor de a correspondiente a este punto de operacin.
A V CE = +8 V, encuentre el valor correspondiente de ICEO'
Calcule el valor aproximado de lCBO utilizando el valor de beta dc que se obtuvo en el inciso a.
Usando las caractersticas de la figura 3.14a. determine 1 CEO a V CE = 10 V.
Determine f3
dc
en lB = 10 j.iA Y V
CE
= 10 V.
Utilizando la f3
dc
determinada en el inciso b. calcule I
CBO
'
Utilizando las caractersticas de la figura 3.14a, determine f3
dc
en lB = 80 J1.A Y V CE = 5 V.
Repita el inciso a en lB::: 5 p;Ay V
CE
::: 15 V.
Vuelva a utilizar el inciso a en lB = 30 f1A Y V CE = 10 V.
Revisando los resultados de los incisos a a e, cambia el valor de f3
dc
entre punto y punto en
las caractersticas? Dnde se encuentran los valores ms altos? Puede desarrollar algunas
conclusiones generales acerca del valor de /3
dc
con base en un conjunto de caractersticas
como las que se presentan en la figura 3.14a:
* 24. a) Utilizando las caractersticas de la figura 3.l4a. determine fJ" en lB = 80 LA Y V
eE
= 5 V.
b) Repita el inciso a en lB = 5 J1A y V
CE
= 15 V.
c) Vuelva a hacer el inciso a en lB = 30 Ji.A Y V
CE
= 10 V.
d) Al revisar los resultados de los incisos a a e, cambia el valor de f3
ac
entre punto y punto en
las caractersticas? Dnde se encuentran los valores ms altos? Puede determinar algunas
conclusiones generales acerca del valor de f3
ac
con base en un conjunto de caractersticas de
colector?
e) Los puntos seleccionados en este ejercicio son los mismos que los que se utilizaron en el pro-
blema 23. Si se llevara a cabo el problema 23, compare los niveles de f3
dc
y f3
ac
para cada punto
y comente acerca de la tendencia en magnitud para cada cantidad.
25. Utilizando las caractersticas de la figura 3.14a, determine f3
dc
en lB = 25 J1A y V
CE
= 10 V. Despus
calcule a
dc
y el nivel resultante de lE' (Utilice el nivel de Ic determinado por I
c
::: f3
d
iB')
26. a) Dado que a
de
= 0.987, especifique el valor correspondiente de f3
de
.
b) Una vez especificado f3
dc
::: 120, determine el valor correspondiente de a.
c) Sif3dc::: 180e I
c
= 2.0 mA, encuentre lEe lB'
Captulo 3 Transistores bipolares de unin
27. Dibuje de memoria la configuracn de transistor en emisor comn (para npn y pnp) e inserte el
arreglo correcto de la polarizacin con las direcciones de corriente resultantes para lB' le elE"
3.7 Configuracin de colector comn
28. Se aplica un voltaje de 2 V nns (medidos de la base a tierra) al circuito de la figura 321. Suponien-
do que el voltaje del emisor siga exactamente el vohaje de base y que V
be
(rms) = 0.1 V, calcule la
amplificacin de voltaje del circuito (A" = V
o
I Vi) Y la corriente del emisor para RE = 1 kG.
29. Para un transistor que tenga las caractensticas de la figura 3.14, dibuje las caractersticas de entra-
da y de salida de la configuracin de colector comn.
3.8 limites de operacin
30. Determine la regin de operacin para un transistor que tenga las caractersticas de la figura 3.14
si/
c
m.x=7mA,
31. Especifique la regin de operacin para un transistor que tenga las caractersticas de la figura 3.8
si lcm:< = 6 mA, VCBm:< = 15 V, Y PCm:X =30mW.
3.9 Hoja de especificaciones de transistores
32. Refirindose a la figura 3.23. determine el rango de temperaturas para el dispositivo en grados
Farenheit.
33. Utilizando la informacin que se proporciona en la figura 3.23 con respecto a P Dmx' V CEmx,ICm:;,:'
y VCEm:....' dibuje los lmites de operacin para el dispositivo.
34. Con base en los datos de la figura 3.23, cul es el valor esperado de lCEO utilizando el valor
promedio de J3
dC
?
35. Cmo se compara el rango de h
FE
(figura 3.23j, normalizada a partir de h
FE
:= 100) con el rango de
h
lc
(fIgura 3.23f) para el rango de le desde 0.1 mA a 10 mA?
36. Utilizando las caractersticas de la fIgura 3.23b, determine si la capacitancia de entrada en la
configuracin de base comn se incrementa o disminuye con los crecientes niveles de potencial de
polarizacin inversa. Explique por qu.
* 37. Utilizando las caractersticas de la figura 3.23f. determine cunto ha cambiado el nivel de h(e desde
su valor en 1 mA a su valor en 10 mA. Obsrvese que la escala vertical es una escala logritrnica
que puede referirse a la seccin 11.2. Es este cambio tal que deba considerarse en una situacin
de diseo?
* 38. Utilizando las caractersticas de la figura 3.23j, detenmne el nivel de fi
dc
en le= 10 mA en los tres
niveles de temperatura que aparecen en la figura. Es significativo el cambio para el rango de
temperatura especificado? Se trata de un elemento que deba considerarse en el proceso de diseo?
3.10 Prueba de transistores
39. a) Utilizando las caractersticas de la figura 3.24, determine f3
ac
en le == 14 mA y V CE = 3 V.
b) Determine f3
ac
en lc = 1 mA Y V CE = 8 v,
e) Especifique Jl" en le = 14 mA Y V CE = 3 V.
d) Detennine (3.e en le = 1 mA Y V
eE
= 8 V.
e) Cmo se comparan los niveles de f3
ac
y de f3
dc
en cada regin?
f) Es vlida la aproximacin {3dc == {Jac para este conjunto de caractersticas?
* Los asteriscos indican problemas ms difciles.
Problemas
f3
143
CAPTULO
144
Polarizacin
en dc-BJT
4.1 INTRODUCCIN
El anlisis o diseo de un amplificador a transistor requiere de un conocimiento tanto para la
respuesta en de como para la respuesta en ac del sistema. Muy a menudo se asume que un
transistor es un dispositivo mgico que puede elevar el nivel de una seal de entrada de ac, sin
la asistencia de una fuente externa de energa. En realidad, el nivel de potencia de salida de ac
mejorado es el resultado de una transferencia de energa desde las fuentes de dc aplicadas. Por
tanto, el anlisis o diseo de cualquier amplificador electrnico tiene dos componentes: la
porcin de dc y la porcin de ac. Por fortuna, el teorema de la superposicin puede aplicarse y
la investigacin de las condiciones de de puede separarse por completo de la respuesta de ac.
Sin embargo, se debe tener en cuenta que durante el estado de diseo o sntesis, la eleccin de
los parmetros para los niveles requeridos de dc afectarn la respuesta en ac, y viceversa.
El nivel de de de un transistor en operacin es controlado por diversos factores, incluyendo
el rango de puntos de operacin posibles sobre las caractersticas del dispositivo. En la seccin
4.2 se especifica el rango para el amplificador a BIT. Una vez definidos los niveles de voltaje
y de corriente de dc, se debe construir una red que establecer el punto de operacin deseado;
en este captulo se analizan varias de estas redes. Cada diseo tambin determinar la estabilidad
del sistema, es decir, qu tan sensible es el sistema a las variaciones de temperatura. Este
aspecto tambin se investigar en una seccin posterior del presente captulo.
Aunque en este captulo se analiza cierta cantidad de redes, existe una similitud fundamental
entre el anlisis de cada configuracin debido al uso recurrente de las siguientes relaciones
bsicas, que son importantes para un transistor:
V
BE
= O.7V (4.1)
(4.2)
(4.3)
Una vez que estn analizadas las primeras redes, la solucin de las siguientes se tornar
ms clara. En la mayora de los casos la corriente base lB es la primera cantidad que debe
determinarse. Una vez que lB se conoce, las relaciones de las ecuaciones (4.1) a (4.3) pueden
aplicarse para encontrar las cantidades de inters restantes. Las similitudes en el anlisis sern
inmediatamente obvias segn vaya avanzando en este captulo. Las ecuaciones para J B son tan
familiares para una cantidad de configuraciones que una ecuacin puede derivarse de otra slo
Captulo 4 Polarizacin en dc-B.IT
con eliminar o aadir uno o dos trminos. La principal funcin de este captulo es desarrollar
un nivel de familiaridad con el transistor BJT, el cual podra permitir un anlisis en dc de
cualquier sistema que pueda utilizar el amplificador a BJT
4.2 PUNTO DE OPERACIN
El trmino polarizacin que aparece en el ttulo de este captulo es un trmino que comprende
todo lo relacionado para la aplicacin de voltajes de de, que ayudan a establecer un nivel fijo
de comente y voltaje. Para los amplificadores a transistores el voltaje y comente de dc resultantes
establecen un punto de operacin sobre las caractersticas que definen una regin que se utilizar
para la amplificacin de la seal aplicada. Debido a que el punto de operacin es un punto fijo
sobre las caractersticas, tambin se le !lama punto de reposo (abreviado punto Q, por la sigla
en ingls de, quiescent point). La figura 4.1 muestra una caracterstica general de salida de un
dispositivo con cuatro puntos de operacin indicados. El circuito de polarizacin puede disearse
para establecer la operacin del dispositivo en cualquiera de estos puntos o de otros dentro de
la regin activa. Los valores mximos estn indicados en las caractersticas de la figura 4.1
mediante una lnea horizontal para la corriente mxima del colector le ' y una lnea vertical
~
cuando sea el voltaje mximo del colector-emisor V
CE
. La restriccin de mxima potencia se
m"
define por la curva Pe en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se encuentra
m"
la regin de corte, definida por ls'; O JiA, Y la regin de saturacin, definida por V
CE
'; V
CEm
'
El dispositivo BJT puede estar en polarizacin para operar fuera de estos lmites mxi-
mos, pero el resultado de tal operacin podra ser un recorte considerable de la vida del dispo-
sitivo, o bien la destruccin del dispositivo. Cuando se confina la regin activa pueden
seleccionarse muchas reas o puntos de operacin diferentes. El punto Q que se elige a menudo
depende del empleo del circuito. De cualquier manera, se pueden considerar algunas diferen- .
lc(mA)
80l1A
/ ,
Cmx 25
20
50 IJ-A
15
Saturacin
s
10
20 pA
,- -
5
C
OpA
A
5 10 15 20
Corte
Hgura 4.1 Varios puntos de operacin dentro de los lmites de operacin de un transistor.
4,2 Punlo de operacin 145
146
cias entre los diversos puntos mostrados en la figura 4.1 para presentar algunas ideas bsicas
acerca del punto de operacin y, por tanto, del circuito de polarizacin.
Si no se utilizara la polarizacin, el dispositivo estara al principio completamente apaga-
do,dando por resultado un punto Q enA, es decir, cero corriente a travs del dispositivo (y cero
voltaje a travs de l), Debido a que es necesario polarizar un dispositivo de forma que pueda
responder al rango completo de la seal de entrada, el punto A no sera precisamente el adecua-
do. Para el punto B, si la seal se aplica al circuito, el dispositivo tendr una variacin en
corriente y voltaje desde el punto de operacin, permitiendo al dispositivo reaccionar (y posi-
blemente amplificar) tanto ante las excursiones positivas como negativas de la seal de entra-
da. Si la seal de entrada se elige correctamente, el voltaje y la corriente del dispositivo ten-
drn variacin, pero no la suficiente como para llevar al dispositivo hacia el corte o a la
saturacin. El punto e pennitira cierta variacin positiva y negativa de la seal de salida, pero
el valor pico a pico estara limitado por la proximidad de V CE = O VII
e
= O rnA, La operacin en
el punto e tambin acarrea inquietud acerca de las no linealidades presentadas por el hecho de
que hay un cambio rpido en las curvas de lB en esta regin. En general, es preferible operar
donde la ganancia del dispositivo es muy constante (o lineal) para asegurar que la aruplifica-
cin a travs de la excursin completa de la seal de entrada es la misma, El punto B es una
regin de espaciamiento ms lineal y, por tanto, de operacin ms lineal, segn se muestra en
la figura 4.1, El punto D establece el sitio de operacin del dispositivo cerca del nivel de
voltaje y potencia mxima. La excursin del voltaje de salida en la direccin positiva se en-
cuentra entonces limitada para no exceder el voltaje mximo. Por tanto, el punto B parece ser
el mejor punto de operacin en trminos de ganancia lineal y la excursin ms grande posible
de voltaje y corriente. sta es por lo general la condicin deseada para los aruplificadores de
pequea seal (captulo 8), pero no necesariaruente es el caso para los amplificadores de poten-
cia, los cuales sern considerados en el captulo 16. En este anlisis, nos concentramos bsica-
mente en la polarizacin del transistor para la operacin de amplificacin en pequea seal.
Existe otro factor para la polarizacin muy importante que todava debemos considerar.
Una vez que seleccionamos y polarizamos el BJT en un punto de operacin, tambin debe
tomarse en cuenta el efecto de la temperatura. Este factor ocasiona que cambien los parmetros,
como la ganancia en corriente del transistor (/3,,) y la corriente de fuga del transistor (lew)'
Las mayores temperaturas dan como resultado mayores corrientes de fuga en el dispositivo,
causando un cambio en la condicin de operacin establecida por la red de polarizacin. El
resultado es que el diseo de la red debe ofrecer tambin un grado de estabilidad en tempera-
tura, de tal forma que dichos carubios ocasionen la menor cantidad de modificaciones en el
punto de operacin. La estabilidad del punto de operacin puede especificarse mediante un
factor de estabilidad S,el cual indica el grado de cambio en el punto de operacin debido a una
variacin en la temperatura. Es mejor un circuito de gran estabilidad; comparada con la estabi-
lidad de varios circuitos polarizados.
Para que el BJT est polarizado en su regin lineal o de operacin activa, los siguientes
puntos deben resultar exactos:
1 . La unin base-entisor debe tener una polarizacin directa (voltaje de la regin p ms positivo)
con un voltaje de polarizacin directa resultante de aproximadaruente 0.6 a 0.7 V.
2. La unin base-colector debe tener una polarizacin inversa (voltaje de la regin n ms
positivo) con un voltaje de polarizacin inversa resultante de cualquier valor dentro de los
lmites mximos del dispositivo.
[Obsrvese que para la polarizacin directa el voltaje a travs de la unin p-n es p-positiva,
ntientras que para la polarizacin inversa es opuesto (inverso) con n-positiva. Este nfasis sobre
la letra inicial debe ofrecer un medio para ayudar a memorizar la polaridad necesaria de voltaje.]
La operacin en las regiones de corte, saturacin y lineal de las caractersticas del BJT se
ofrecen de la siguiente manera:
l. Operacin en la regin lineal:
Unin base-emisor con polarizacin directa
Unin base-colector con polarizacin inversa
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
2. Operacin en la regin de corte:
Unin base-emisor con polarizacin inversa
3. Operacin en la regin de saturacin:
Unin base-emisor con polarizacin directa
Unin base-colector con polarizacin directa
4.3 CIRCUITO DE POLARIZACIN FIJA
El circuito de polarizacin fija de la figura 4.2 ofrece una introduccin relativamente directa y
simple al anlisis de la polarizacin en de de transistores. Aunque la red utilice un transistor npn,
las ecuaciones y los clculos se pueden aplicar con facilidad a la configuracin con transistor
pnp, con el solo hecho de cambiar todas las direcciones de corriente y los voltajes de polarizacin.
Las direcciones de corriente de la figura 4.2 son las reales, y los voltajes estn definidos por la
notacin estndar de doble subndice. Para el anlisis en dc, la red debe aislarse de los niveles
de ac, reemplazando los capacitares por un equivalente de circuito abierto. Ms adelante, la
fuente V
ee
de dc puede separarse en dos fuentes (para propsitos de anlisis solamente), como
se muestra en la figura 4.3, para permitir una separacin de los circuitos de entrada y de salida.
Tambin reduce la unin de las dos corriente que fluyen hacia la base lB' Como se observa, la
separacin es vlida, como lo muestra la figura 4.3, donde V ce est conectada directamente a
R8 y Re' justo como en la figura 4.2.
V
ee
h
Re
R
B
L
seal de
~ s a l i d a
e
c,
en ac
+
sena! de
enrrada o V
CE
en ac
C,
8+
V
B
-- E
... Figura 4.2 Circuito de polarizacin fija .
Polarizacin directa base-emisor
Considere primero la malla del circuito base-emisor de la figura 4.4. Cuando escriba la ecuacin
de voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj, se obtendr
+V
ec
- lsRB - V
BE
= O
Ntese la polaridad de la cada de voltaje a travs de R
B
establecida por la direccin indicada
de lB' Cuando se resuelve la ecuacin para la corriente lB da por resultado lo signiente:
I
-V
cc
- V
BE
lB -
R
B
(4.4)
Es verdad que la ecuacin (4.4) no es difcil de recordar si se toma en cuenta que la
corriente de base es la corriente a travs de R
B
' Y de acuerdo con la ley de Ohm dicha corriente
es el voltaje a travs de R
B
dividido entre la resistenciaR
B
, El voltaje a travs de RE es el voltaje
V
cc
aplicado en un extremo menos la cada a travs de la unin base-emisor (V
BE
). Debido a
4.3 Circuito de polarizacin fija
v
cc
V
ee
Re
h
R
B
L
C
+
V
eE
B+
V
BE
-
E
..-
iFlgura 4.3 Equivalente de de de
lla figura 4.2.
+
R,
+
~ 1
lB
~
V
BE
'\\
...
...
Figura 4.4 Malla base-emisor.
147
+
...
Figura 4.5 Malla colector-emisor.
E
1.
... ...
Hgura 4.6 Medicin de V CE Y V C'
. EJEMPLO 4,1
148
que el voltaje V
ee
y el voltaje base-emisor son constantes R
B
, fija el nivel de la corriente de
base para el punto de operacin,
Malla
La seccin colector-emisor de la red aparece en la figura 4.5 con la direccin de la corriente le
indicada y la polaridad resultante a travs de Re La magnitud de la corriente del colector est
directamente relacionada a lB mediante
(45)
Es interesante observar que debido a que la corriente de base est controlada por el nivel
de R
B
y que le est relacionada a lB por la constante {3, la magnitud de le no es una funcin de
la resistencia Re El cambio de Re hacia cualquier nivel no afectar el nivel de lB o de le
mientras se permanezca en la regin activa del dispositivo. Sin embargo, como se ver ms
adelante, el nivel de Re detenninar la magnitud de V
CE
' el cual es un parmetro importante.
La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin del sentido de las manecillas
del reloj alrededor de la malla cerrada indicada en la figura 45 dar por resultado lo siguiente:
y (4.6)
la cual establece que el voltaje a travs de la regin colector-emisor de un transistor en la
configuracin de polarizacin fija es el voltaje de alimentacin menos la cada a travs de Re
Como un breve repaso de la notacin de subndice sencillo y doble, recuerde que
(4.7)
donde V
CE
es el voltaje colector-emisor y Ve y VE son los voltajes del colector y del emisor a
tierra, respectivamente. Pero en este caso, debido a que VE = O Y, se tiene que
(4.8)
Adems, ya que
(4.9)
y que VE = O Y, entonces
(4.10)
Tenga presente que los niveles de voltaje como V CE son determinados mediante la coloca-
cin de la punta de prueba roja (positiva) del voltmetro en la terminal del colector y la punta
de prueba negra (negativa), a la terminal del emisor segn se muestra en la figura 4.6. Ve es el
voltaje del colector a la tierra y se mide segn la misma figura. En este caso las dos lecturas son
idnticas, pero en las redes que siguen las dos pueden ser muy diferentes. Comprender la
diferencia entre ambas medidas puede ser muy importante para la localizacin de fallas en las
redes de transistores .
Determinar lo siguiente para la configuracin de polarizacin fija de la figura 4.7.
a) lB e le .
Q Q
b) V
eEQ
.
c) VByV
e
d) VBC'
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
V
Cc
=+12V
R,
240 ka
1
e,
entrada \
en ac --,1--0------\
10 .uF
salida
: ; ~ en ac
\
10 .uF
Va fi= 50

Ftgura 4.7 Circuito de de polarizacin
fija para el ejemplo 4.1.
Solucin
a) Ecuacin (4.4):
12 V - 0.7 V
240kQ
= 47.08 !lA
Ecuacin (4.5): le = {H
B
= (50)(47.08,uA) = 2.35 mA
Q Q
b) Ecuacin (4.6): V
CE
= V
ee
- eRe
Q
c) V
B
= V
8E
= 0.7 V
Ve = V
CE
= 6.83 V
= 12 V - (2.35 mAl (2.2 kQ)
= 6.83 V
d) La utilizacin de la notacin del subndice doble da por resultado
V
BC
= V
B
- V
c
= 0.7V - 6.83 V
= -6.13 V
y el signo negativo revela que la unin tiene polarizacin inversa, como debe Ser para la
amplificacin lineal.
Saturacin del transistor
El trmino saturacin se aplica a cualquier sistema donde los ni veles han alcanzado sus mximos
valores. Una esponja saturada es aquella que no puede contener otra gota de lquido. Para un
transistor que opera en la regin de saturacin la corriente es un valor mximo para el diseo
en particular. El cambio en el diseo puede ocasionar que el nivel de saturacin correspondiente
pueda llegar a incrementarse O descender. Desde luego, el nivel ms alto de saturacin est
definido por la corriente mxima del colector, y se proporciona en la hoja de especificaciones.
Las condiciones de saturacin se evitan normalmente porque la unin base-colector ya no
se encuentra con polarizacin inversa y la seal de salida amplificada se dstorsionar. Un
punto de operacin en la regin de saturacin se describe en la figura 4.8a. Ntese que se trata
de una regin donde las curvas caractersticas se juntan y el voltaje colector-emisor se en-
cuentra en o por debajo de V
CE
,,,' Adems, la corriente del colector es relativamente alta en las
caractersticas.
Si se aproximan las curvas de la figura 4.8a a las que aparecen en la figura 4.8b, el mtodo
directo para detenninar el nivel de saturacin se toma aparente. En la figura 4.8b la corriente es
ms o menos alta y el voltaje V
CE
se asume de O volts. Al aplicar la ley de Ohm, puede calcularse
la resistencia entre las tenninales- del colector y las del emisor de la siguiente manera:
4,3 Circuito de polarizacin fija 149
RCE=OQ
(Va = O V.l
e
= l
e
'"l)
Figura 4.9 Determinacin de 1 C",,'
EJEMPLO 4.2
150
o
(al (bl
Figura 4.8 Regin de saturacin a) real b) aproximada.
La aplicacin de los resultados al esquema de la red resultara en la configuracin de la
figura 4.9. .
Por tanto, y para el futuro, si existiera una necesidad inmediata de conocer la comente
mxima del colector (nivel de saturacin) para un diseo en particular, slo se inserta un
equivalente de corto circuito entre el colector y el emisor del transistor y se calcula la corriente
resultante del colector. En resumen. slo haga V
eE
= O V. Para la configuracin de polarizacin
fija de la figura 4.10 el corto circuito se aplic. causando que el voltaje a travs de Re se
convierta en el voltaje aplicado V ce La corriente de saturacin resultante para la configuracin
de poiarizacin fija es
+
(4.11)
Figura 4.10 Determinacin de le para
la configuracin de polarizacin
Una vez que le se conoce puede tenerse idea de la corriente mxima posible del colector para el
diseo y el nivel bajo el cual debe permanecer si se espera una amplificacin lineal.
Determine el nivel de saturacin para la red de la figura 4.7.
Solucin
V
ee
12 V
l - = = 5.45mA
e,,, - Re 2.2 kQ
Capitulo 4 Polarizacin en dc-BJT
El diseo del ejemplo 4.1 dio por resultado lco = 2.35 mA, el cual se localiza lejos del
punto de saturacin y aproximadamente a la mitad del valor mximo del diseo.
Anlisis de recta de carga
El anlisis hasta el momento se hizo utilizando el nivel de f3 correspondiente con el punto Q
resultante. Ahora, se investigar la forma en que los parmetros de la red definen el rango
posible de puntos Q y la manera en que se determina el punto Q real. La red de la figura 4.11a
establece una ecuacin de salida que relaciona las variables le y V
CE
de la siguiente manera:
I V
CE
= V
ce
- leRe I
(4.12)
Las caractersticas de salida del transistor tambin relacionan las dos variables le y V CE como
se muestra en la figura 4.11b.
En esencia, se tiene una ecuacin de redes y un conjunto de caractersticas que utilizan las
mismas variables. La solucin comn de las dos sucede donde se satisfacen las restricciones
establecidas por cada una de manera simultnea. Esto es similar a encontrar la solucin para
dos ecuaciones simultneas: una establecida por la red y la otra por las caractersticas del
dispositivo.
Las caractersticas del dispositivo de le en funcin de V
CE
se ofrecen en la figura 4.Jlb.
Ahora, se debe superponer la lnea recta definida por la ecuacin (4.12) sobre las caractersticas.
El mtodo ms directo para graficar la ecuacin (4.12) sobre las caractersticas de salida es
mediante el hecho de que una lnea recta se encuentra definida por dos puntos. Si se elige que
le sea O mA, entonces se especifica el eje horizontal como la lnea sobre la cual est localizado
un punto. Al sustituir le = O mA en la ecuacin (4.12), se encuentra que
y (4.13)
definiendo un punto para la lnea recta de acuerdo con la figura 4.12.
le (mA)
50 )1A
sf-
7 4Ol1A
6
f/'"
30)1A
5
4
20 )1A
3
!O)1A
2
+
1"
t
lB = 0}.lA
I I
o 5
t
10 15
lceo
(a) (bl
Figura 4.11 Anlisis de la recta de carga a) la red b) las caractersticas el dispositivO.
4.3 Circuito de polarizacin fija
V
CE
(V)
151
le
V
cc
Re
-
-
V
eE
_____ __ .... p:-u_nt_O..:Q:.... ___ I'Q
Reotade oru-g'
o
V
ee
Figura 4.12 Recta de carga
para polarizacin fija.
Ahora, si se elige que V
eE
sea O V, lo que establece al eje vertical como la lnea sobre la
cual estar definido el segundo punto, se tiene que le est determinado por la siguiente ecuacin:
O = V
ee
- leRe
e (4.14)
segn aparece en la figura 4.12.
Al unir los dos puntos definidos por las ecuaciones (4.13) y (4.14), se puede dibujar la lnea
recta establecida por la ecuacin (4.l2).A la lnea resultante sobre la grfica de la figura 4.12 se
le llama recta de carga debido a que es definida por el resistor de carga Re Mediante la solucin
para el nivel resultante de lB puede establecerse el punto Q real que se muestra en la figura 4.12.
Si el nivel de lB cambia al variar el valor de R B ' el punto Q se desplaza hacia arriba o hacia
abajo sobre la recta de carga como se indica en la figura 4.13. Si V
cc
se conserva fijo y se
cambia Re' la recta de carga se mover de acuerdo con la figura 4.14. Si lB se mantiene fijo, el
punto Q se desplaza como se indica en la misma figura. Si Re se mantiene fijo y V
cc
vara, la
recta de carga se mueve igual que en la figura 4.15.
le
V
ee
R,
-
V
ee
1,;
R,
V
ee
\
RJ
punto Q 1
"
Figura 4.13 Movimiento del punto Q con niveles crecientes de lB'
FIgUra 4.14 Efecto de los niveles crecientes de Re sobre la
recta de carga y el punto Q.
152 Capitulo 4 Polarizacin en dc-BJT
Figura 4.15 Efecto de valores
pequeos de V
ec
sobre la recta de
carga y el punto Q.
Dada la recia de carga de la figura 4.16 y el punto Q definido, calcule los valores requeridos de
V
cc
' Re y R
B
para la configuracin de polarizacin fija.
60pA
12
10
8
6
4
2
Figura 4.16 Ejemplo 4.3.
o
5 10
Solucin
A partir de la figura 4.16
y
y
Va = V
cc
= 20V e le = O mA
V
cc
le = -- y V
eE
= OV
Re
V
ee
20 V
Re = -- = = 2kf.!
le lOmA
20V - 0.7 V
25 pA
15 20
= 772kQ
4.3 Circuito de polarizacin fija
EJEMPLO 43
153
+
...
Figura 4.18 Malla base-emisor.
154
4.4 CIRCUITO DE POLARIZACIN
ESTABILIZADO EN EMISOR
La red de polarizacin de de de la figura 4.17 contiene un resistor en el emisor para mejorar el
nivel de estabilidad respecto al de la configuracin de polarizacin fija. La mejor estabilidad se
demostrar a travs de un ejemplo numrico que veremos posterionnente en esta seccin. El
anlisis se llevar a cabo cuando examinemos en primer lugar la malla base-emisor, y
posterionnente utilizando los resultados para investigar la malla colector-emisor.

- -
L.
"
e,
Figura 4.17 Circuito de polarizacin para
BlT con resistor de emisor.
Malla emisor-base
La malla emisor-base de la red de la figura 4.17 puede dibujarse de nuevo igual como se indica
en la figura 4.18. La ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en el sentido de
las manecillas del reloj dar por resultado la siguiente ecuacin:
Recuerde del captulo 3 que
lE = (f3 + I)I
B
Sustituyendo por lEen la ecuacin (4.15) resultar
V
cc
- laRB - V
BE
- (f3 + I)laRE = O
La agrupacin de los trminos ofrecer lo siguiente:
-IB(R
B
+ ({3 + I)R
E
) + V
cc
- V
BE
= O
Multiplicando por (-1) se tiene
IB(R
B
+ ({3 + I)R
E
) - V
cc
+ V
BE
= O
con IB(R
B
+ (f3 + I)R
E
) = V
ee
- V
BE
y resolviendo para lB da
(4.15)
(4.16)
(4.17)
Ntese que la nica diferencia entre esta ecuacin para lB Y la que se obtuvo para la configura-
cin de polarizacin fija es el trmino (f3 + I)R
E
.
Existe un resultado interesante que puede derivarse a partir de la ecuacin (4.17), si la
ecuacin se utiliza para dibujar una red en serie que pudiera resultar en la misma ecuacin, que
Capitulo 4 Polarizacin en dc-8JT
R,
figura 4.19 Red derivada de la
ecuacin (4.17).
es el caso de la red de la figura 4.19. La solucin para la corriente lB dar por resultado la
misma ecuacin obtenida. Obsrvese que adems del voltaje de la base al emisor V
BE
, el
resistor RE se refleja de regreso al circuito de entrada de la base por un factor ({3 + 1). En
otras palabras, el resistor del emisor, que fanna parte de la malla colector-emisor, "'aparece
como" ({3 + I)REen la malla de la base al emisor. Debido a que {3 es normalmente 50 o ms,
el resistor del emisor aparenta ser mucho mayor en el circuito de la base. Por tanto, para la
configuracin de la figura 4.20,
(4.18)
La ecuacin 4.18 puede ser de utilidad en el anlisis que seguir a continuacin. Ofrece
una forma relativamente sencilla para recordar la ecuacin (4.17). Utilizando la ley de Ohm, se
sabe que la corriente a travs de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito.
Para el circuito de la base al emisor, el voltaje neto es V
cc
- V
BE
" Los niveles de resistencia son
R
B
ms RE reflejado por ([3 + 1). El resultado es la ecuacin (4.17).
Malla colector-emisor
La malla colector-emisor est dibujada de nuevo en la figura 4.21. La ley de voltaje de Kirchhoff
para la maHa indicada en la direccin de las manecillas del reloj dar por resultado
Sustituyendo IE= le y agrupando trminos da
Va - V
ee
+ leCRe + RE) = O
y
1. V
CE
' = V
ee
- le(Re + RE)
(4.19)
El voltaje de un nico subndice V E es el voltaje del emisor a la tierra y se determina por
(4.20)
mientras que el voltaje del colector a la tierra puede determinarse
y (4.21)
o (4.22)
El voltaje en la base respecto a tierra puede determinarse a partir de
(4.23)
o (4.24)
4.4 Circuito de poIarlzacin estabilizado en emisor
B
figura 4.20 Nivel reflejado de
impedancia de RE'
Hgura 4.21
emisor.
+
h
Malla colector-
155

'-------------------------------------------------------------
EJEMPLO 4.4
156
Para la red de polarizacin en emisor de la figura 4.22, calcule:
a) lB'
b) le'
e) V
CE
'
d) Ve
e) VE'
f) VB'
g) V
BC
+20 V
430 k.Q
10,uF
v, __ -I
Figura 4.22 Circuito de polarizacin con
estabilizacin en emisor para el ejemplo 4.4.
Solucin
2 kQ
P=50
1 ka I4o,uF
"=" ":'"
a) Ecuacin (4.17):
V
ee
- V
BE
20V - 0.7 V
lB = _----="----.!?OC.-_ = -------
b) le = f3I
B
= (50)(40.1 !lA)
;: 2.01 mA
=
R
B
+ (f3 + I)R
E
430 kO + (51)(1 kQ)
19.3 V
481 kO
= 40.1)lA
e) Ecuacin (4.19): V
CE
= V
ee
- le(Re + RE)
d) Ve = V
ec
- leRe
= 20 V - (2.01 mA)(2 kO + 1 kQ) = 20 V - 6.03 V
= 13.97 V
= 20 V - (2.01 mA)(2 kO) = 20 V - 4.02 V
= 15.98 V
e) VE = Ve - V
CE
= 15.98 V - 13.97 V
= 2.01 V
o VE = IpRE ;: leRE
= (2.01 mA)(1 kO)
= 2.01 V
f) V
B
= V
BE
+ VE
=0.7V + 2.01 V
= 2.71 V
g) V
BC
= V
B
- Ve
= 2.71 V - 15.98 V
= -13.27 V (con polarizacin inversa como se requiere)
Capitulo 4 Polarizacin en dc-BJT
Estabilidad de la polarizacin mejorada
La adicin del resistor del emisor a la polarizacin en de del BJT ofrece una mejor estabilidad;
esto es, los voltajes y conientes de polarizacin de de permanecen ms cerca de donde los fij
el circuito cuando cambian las condiciones externas, como la temperatura y la beta del transis-
tOfo Mientras que un anlisis matemtico se ofrece en la seccin 4.12, puede obtenerse una
comparacin de la mejora como lo demuestra el ejemplo 4.5.
Prepare una tabla y compare las corrientes y voltajes de polarizacin de los circuitos de la
figura 4.7 y la figura 4.22, para el valor dado de f3 = 50 Y para un nuevo valor de f3 = 100.
Compare tambin los cambios en /c y V
CE
para el mismo incremento en f3.
Solucin
Si se utilizan los resultados calculados en el ejemplo 4.1 y se repiten para un valor de f3 = 100,
se genera.Jo siguiente:
f3
so 47.08 2.35 6.83
100 47.08 4.71 1.64
Se aprecia un cambio del 100% en la coniente del colector de BJT debido al cambio del 100%
en el valor de f3. /B es el mismo y V
CE
disminuye 76%.
Utilizando los resultados del ejemplo 4.4 y despus repitindolos para un valor de f3 =
100, tia lo siguiente:
50 40.1 2.l 1l.97
100 36.3 3.63 9.11
Ahora, la coniente del colector del BIT se incrementa aproximadamente 81% debido al 100%
de incremento en f3. Ntese cmo lB disminuye, y ayuda a mantener el valor de le o por lo
menos reduce el cambio total en /e debido al cambio en f3. El cambio en V CE ha cado cerca del
35%. La red de la figura 4.22 es, por tanto, ms estable que la de la figura 4.7 para el mismo
cambio en f3.
Nivel de saturacin
El nivel de saturacin del colector o la coniente mxima del colector para un diseo de
polarizacin en emisor puede determinarse si se utiliza el mismo mtodo aplicado para la
configuracin de polarizacin fija: se aplica un corto circuito entre las terminales del colector-
emisor como se muestra en la figura 4.23, y luego se calcula la coniente del colector resultan-
te. Para la figura 4.23:
(4.25)
La adicin del resistor de emisor reduce el nivel de saturacin del colector, abajo del que se
obtuvo con una configuracin de polarizacin fija utilizando el mismo resistor del colector.
4.4 Circuito de polarizacin estabilizado en emisor
EJEMPLO 4.5
Flgura 4.23 Determinacin de
re para el circuito de polarizacin
establidad en
157
--<
----------------------------------------------------
EJEMPLO 4.6
158
Determine la comente de saturacin para la red del ejemplo 4.4.
Solucin
1
=
V
ee

Re + RE
20V
= =
2 kQ + 1 kQ
= 6.67mA
20V
3kQ
que es ms o menos el doble del nivel de IC
Q
para el ejemplo 4.4.
Anlisis por recta de carga
El anlisis por recta de carga para la red de polarizacin en emisor es poco diferente de la que
se encontr para la configuracin de polarizacin fija. El nivel de lB como lo determin la
ecuacin (4.17) define el nivel de lB sobre las caractersticas de la figura 4.24 (denotado lBQ)'
o
Flgura 4.24 Recta de carga para la
configuracin de polarizacin en
emisor.
La ecuacin de la malla colector-emisor que define la recta de carga es la siguiente:
seleccin de le = O mA da
(4.26)
segn se obtiene para la configuracin de polarizacin fija. La eleccin de V
CE
= O V da
(4.27)
como se muestra en la figura 4.24. Los diferentes niveles de lB desplazarn, desde luego, el
punto Q hacia arriba o hacia abajo de la recta de carga. Q
4.5 POLARIZACIN POR DMSOR DE VOLTAJE
En las configuraciones de polarizacin previas a la corriente de polarizacin le y el voltaje
V CEQ de polarizacin eran una funcin de la ganancia en corriente ({3) del Sin embar-
go. debido a que f3 es sensible a la temperatura, especialmente para los transistores de silicio, y
de que el valor real de beta por lo general, no est bien definido, lo mejor sera desarrollar un
capitulo 4 Polarizacin en dc-BJT
R,
,
v,
c, - ..
o
Figura 4.25 Configuracin de polarizacin por divisor de voltaje. Figura 4.26 Definicin del punto Q para la configuracin
de polarizacin por divi,sor de voltaje.
circuito que fuera menos dependiente o, de hecho, independiente de la beta del transistor. La
red a la que nos referimos es configuracin de polarizacin por divisor de voltaje de la figura
4.25. Si se analiza sobre una base exacta la sensibilidad a los cambios en beta, resulta ser muy
pequea. Si los parmetros del circuito se eligen adecuadamente, los niveles resultantes de
1 CQ y de V CEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta. Recuerde que en anlisis
anteriores el punto Q estaba definido por un nivel fijo de leo y de V
CEQ
' como se muestra en la
figura 4.26. El nivel de ISQ cambiar con el cambio en beta, pero el nunto de operacin definido
sobre las caractersticas por leQ y V
CEQ
puede permanecer fijo si se utilizan los parmetros
adecuados del circuito.
Como antes se observ, existen dos mtodos que pueden aplicarse para analizar la confi-
guracin del divisor de voltaje. El motivo principal para elegir los nombres en esta configura-
cin ser ms obvio en el anlisis que sigue. El primero que vamos a demostrar es el mtodo
exacto que puede aplicarse en cualquier configuracin de divisor de voltaje. Al segundo se le
llama mtodo aproximado y puede introducirse slo si son satisfechas las condiciones espec-
ficas. El mtodo aproximado permite un anlisis ms directo con un mayor ahorro en tiempo y
en energa. Tambin es ms til en el modo de diseo que ser descrito en una seccin poste-
rior. En conjunto, el mtodo aproximado puede aplicarse a la mayora de las siruaciones y, por
tanto, debe ser examinado con el mismo inters que el mtodo exacto.
Anlisis exacto
El lado de entrada de la red de la figura 4.25 puede volver a dibujarse segn se muestra en la
figura 4.27 para el anlisis en de. La red equivalente Thvenin a la izquierda de la terminal de
la base puede encontrarse de la siguiente manera:
s
Thvenin
Figura 4.27 Redibujo de la malla de
entrada de la red de la figura 4.25.
4,5 Polarizacin por divisor de voltaje 159
R,
Figura 4.28 Determinacin de R
Th
"
+ +
R
Th
: La fuente de voltaje se .reemplaza por un corto circuito equivalente como se indica
en la figura 4.28.
(4.28)
ETh! La fuente de voltaje V ce regresa al circuito y el voltaje de circuito abierto Thvenin
de la figura 4.29 se calcula de la siguiente manera:
La aplicacin de la regla del divisor de voltaje:
(4.29)
Despus se vuelve a dibujar la red Thvenin como se muestra en la figura 4.30 e lB
Q
puede calcularse al aplicar primero la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas
del reloj para la malla que se indica:
Figura 4.29 Determinacin deE
Th
. Sustituyendo lE = (/3 + I)lB Y resolviendo para lB
B
+
Figura 4.30 Insercin del circuto
equivalente de Thvenin.
EJEMPLO 4.7
160
E
Th
- V
BE
lB =
RTh + (/3 + I)R
E
(4.30)
Aunque la ecuacin (4.30) aparece al principio diferente de las que se desarrollaron antes,
obsrvese que el numerador es, una vez ms, una diferencia de dos niveles de voltaje y que el
denominador es la resistencia de la base ms el resistor de emisor reflejado por (/3 + 1), cierta-
mente muy similar a la ecuacin (4.17).
Una vez que lB se conoce, las cantidades restantes de la red pueden establecerse de la
misma manera como fueron desarrolladas para la configuracin de polarizacin en emisor.
Esto es,
(4.31)
que es exactamente la misma que la ecuacin (4.19). Las ecuaciones restantes para VE' Ve y V
B
son las mismas que se obtuvieron para la configuracin de polarizacin en emisor.
Determine el voltaje de polarizacin de de V
eE
y la corriente le para la siguiente configuracin
de divisor de voltaje de la figura 4.31.
+22 V
10 kQ
39 kQ
IOpF
" ----nI --+-------'--1
3.9 k.Q
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
FIgura 4.31 Circuito para beta estabilizada
para el ejemplo 4.7.
Solucin
La ecuacin (4.28): RTh = R,IIR,
(39 kQ)(3.9 kQ)
= = 3.55 ka
39ka + 3.9ka
La ecuacin (4.29): ETh =
=
(3.9 ka)(22 V)
39 Ka + 3.9 Ka
=2V
ETh - V
BE
La ecuacin (4.30) : lB = ---"'----"=---
RTh + ([3 + l)R
E
2V-0.7V 1.3 V
= =-------
3.55 ka + (141)(1.5 kQ) 3.55 ka + 211.5 kQ
= 6.05)lA
le = [3lB
= (140)(6.05 )lA)
= O.8SmA
La ecuacin (4.31): V
CE
= V
cc
-lc(Rc + RE)
= 22 V - (0.85 mA)(10 kQ. + 1.5 kQ)
= 22 V - 9.78 V
= 12.22 V
Anlisis aproximado
La seccin de entrada de la configuracin del divisor de voltaje se representa por la red de la
figura 4.32. La resstenciaR es la resistencia equivalente entre la base y tierra para el transistor
con un resistor de emisor RE' Recuerde que, como se vio en la seccin 4.4 [ecuacin (4.18)], la
resistencia reflejada entre la base y el emisor est definida por R = ([3 + I)R
E
. Si R es mucho
mayor que la resistencia R
2
, la comente lB ser mucho menor que 1
2
(la comente siempre
busca la trayectoria de menor resistencia), e 1
2
ser aproximadamente igual a 1]. Si se acepta la
aproximacin de que lB es esencialmente cero comparada con II o /2' entonces 1] :;;:: 1
2
Y R] Y R
2
pueden considerarse elementos en serie. El voltaje a travs de R" que en realidad es el voltaje
1, ~
R,
1,
--
1
+
t
1, r
R,
v,
~
--
-
.... ....
I
:
,
I
!
I
I
I
.'-
....
I
R,
I
R R
2
(11 ~ : d 2
Figura 4.32 Circuito de
polarizacin parcial para calcular
el voltaje de base aproximado V
B
"
4.5 Polarizacin por divisor de voltaje 161
EJEMPLO 4.8
162
base, puede calcularse mediante el uso de la regla del divisor de voltaje (de ab el nombre para
la configuracin). Esto es,
(4.32)
Debido a que R, = ({3 + I)R
E
", {3R
E
, la condicin que definir, en caso que pueda aplicarse
a la aproximacin, ser la siguiente:
(4.33)
En otras palabras, si beta a veces es el valor de RE es por lo menos 10 veces el valor de R
2
, la
aproximacin podr aplicarse con un alto grado de precisin.
Una vez determinado VB' el nivel de VE puede calcularse a partir de
I VE = V
B
- V
BE
y la corriente del emisor podr calcularse a partir de
I lE = VE I
RE
e
I
lc
o
'" lE
I
. El voltaje del colector-emisor se encuentra determinado por
(4.34)
(4.35)
(4.36)
(4.37)
Ntese en la secuencia de clculos desde la ecuacin (4.33) a la ecuacin (4.37) que beta
no aparece y que lB no fue calculada. El punto Q (segn se determin mediante lco y V CE ) es
por tanto independiente del valor de beta. Q
Repita el anlisis de la figura 4.31 utilizando la tcnica aproximada y compare las soluciones
para lc y para V
CE
.
Q o
Solucin
Probando:
{3RE ;:, IOR,
(140)(1.5 ka) ;:, 10(3.9 ka)
210 ka ;:, 39 ka (satisfecha)
La ecuacin (4.32):
=
(3.9 ka)(22 V)
39 ka + 3.9 ka
= 2V
Capitulo 4 Po1arizacin en dc-B.IT
Obsrvese que el nivel de V
B
es el mismo que para ETh calculado en el ejemplo 4.7. Por
tanto, esencialmente la"principal diferencia entre las tcnicas aproximada y exacta es el efecto
de RTh en el anlisis exacto que separa ETh y V B'
La ecuacin (4.34): VE = V
B
- V
BE
= 2 V - 0.7 V
== 1.3 V
1.3 V
= 0.867 mA
\.5kQ
comparada con 0.85 mA con el anlisis exacto. Finalmente.
V
eEQ
V
ee
- le(Re + RE)
= 22 V - (0.867 mA)(1O kQ + \.5 kQ)
= 22 V - 9.97 V
= 12.03V
contra 12.22 V obtenido en el ejemplo 4.7.
Sin duda, los resultados paraJe y para V CEQ se encuentran cercanos, y si se toma en cuenta
la variacin real en los valores de Is parmetros, puede considerarse tanto a unO Como al otro.
Mientras ms grande es el nivel de R comparado con R
2
, ms cercana ser la solucin aproxi-
mada sobre la exacta. El ejemplo 4.10 hace una comparacin sobre las soluciones a un nivel
muy por debajo de la condicin establecida por la ecuacin (4.33).
Repita el anlisis exacto del ejemplo 4.7 si f3 se reduce a 70 y compare las soluciones para leQ y
para V
CEQ
'
Solucin
Este ejemplo no trata de la comparacin de los mtodos exactos en funcin de uno aproxima-
do. sino de probar cunto se mover el punto Q si el nivel de f3 se corta por la mitad. RTh y ETh
son los mismos:
RTh = 3.55 kQ, ETh = 2 V
ETh - V
BE
lB = ~ _ .
RTh + (f3 + I)R
E
2 V - 0.7 V 1.3 V
;;;; ;;;;
3.55 kQ + (71)(1.5 kQ) 3.55 kQ + 106.5 kQ
= 11.81 JA
le
=
f3
I
B
Q
= (70)(11.81 JA)
= 0.83 mA
V
e
, = V
ee
- le(Re + RE)
= 22 V - (O .83 mA)(lO kQ + 1.5 kQ)
= 12.46 V
4.5 Polarizacin por divisor de voltaje
EJEMPLO 4.9
163
EJEMPLO 4.10
164
Al tabular los resultados se obtiene:
f3
140
70
0.85 mA
0.83 mA
12.22 v
12.46 V
Los resultados muestran claramente la relativa insensibilidad del circuito hacia el cambio en f3.
Aunque f3 se corte drsticamente a la mitad, de 140 a 70, los niveles de ICQ y de V CE son en
esencia los mismos. Q
Determine los niveles de IC
Q
y de V
CE
para la configuracin del divisor de voltaje de la figura
4.33, utilizando las tcnicas exacta y para comparar las soluciones. En este caso
las condiciones de la ecuacin (4.33) no sern satisfechas, pero los resultados revelarn la
diferencia de la solucin si se ignora el criterio de la ecuacin (4.33).
18 V
?
5.6 k,Q
> 82 k!2
t
1C
Q
10 .tF
+
:1
o "o
"
10 "..
V
CEQ
f3 = 50
22kQ
Solucin
1.2 ka
Figura 4.33 Configuracin de divisor de
voltaje para el ejemplo 4.10.
Anlisis exacto:
La ecuacin (4.33): f3R
E
IOR
2
(50)(1.2 kQ) 10(22 kQ)
60 kn 'f. 220 kQ (no satisfeciUl)
RTh = R, IIR
2
= 82 knl122 kn = 17.35 kQ
22 kQ(l8 V)
= ------ = 3.81 V
82 kQ + 22 kQ
ETh - V
BE
lB = --=--""-- = -------- =
3.81 V - 0.7 V
RTh + (f3 + I)R
E
17.35 kQ + (51)(1.2 kn)
= 39.6 }lA
IC
Q
= f3I
B
= (50)(39.6 }lA) = 1.98 mA
Vct;, = V
cc
- Ic(Rc + RE)
= 18 V - (1.98 mA)(5.6 kQ + 1.2 kn)
= 4.54 V
Capitulo 4 Polarizacin en dc-B.IT
3.11 V
78.55 kQ
Anlisis aproximado:
VE = V
B
- V
BE
=3.81 V - 0.7 V = 3.11 V
3.11 V
1.2 ill
= 2.59 mA
= 18 V - (2.59 mA)(S.6 kQ + 1.2 kQ)
= 3.88 V
Tabulando los resultados, se tiene:
Exacta
Aproximada
1.98mA
2.59 mA
4.54 V
3.88 V
Los resultados revelan la diferencia entre las soluciones exacta y aproximada. le es aproxima-
damente 30% ms grande con la solucin aproximada; mientras que V CE es msQo menos 10%
menor. Los resultados son notablemente diferentes en cuanto a pero aunque [3R
E
es
slo tres veces ms grande que R
2
, los resultados son todava cercanos uno del otro. Sin embar-
go, para el futuro el anlisis ser dictado por la ecuacin (4.33) para asegurar una similitud
entre las soluciones exacta y aproximada.
Saturacin del transistor
El circuito de salida del colector-emisor para la configuracin del divisor de voltaje tiene la
misma apariencia que el circuito de polarizacin en emisor, que fue analizado en la seccin
4.4. La ecuacin resultante para la corriente de saturacin (cuando V CE se hace cero volts) es,
por tanto, la misma que se obtuvo para la configuracin de polarizacin en emisor. Esto es,
(4.38)
Anlisis por recta de carga
Las similitudes con el circuito de salida de la configuracin de polarizacin en emisor dan
como resultado las mismas intersecciones para la recta de carga de la configuracin del divisor
de voltaje. Por tanto, la recta de carga tendr la misma apariencia que la de la figura 4.24, con
(4.39)
y (4.40)
El nivel de lB desde luego se determina mediante una ecuacin diferente para las configuracio-
nes de polarizacin por divisor de voltaje y de polarizacin en emisor.
4.5 Polarizacin por divisor de voltaje
165
166
',o---U-
e,
4.6 POLARIZACIN DE DC POR RETROALIMENTACIN
DE VOLTAJE
Un nivel mejorado de estabilidad tambin se obtiene mediante la introduccin de una trayecto-
ria de retroalimentacin desde el colector a la base, como se muestra en la figura 4.34. Aunque
el punto Q no es totalmente independiente de beta (aun bajo condiciones aproximadas), la
sensibilidad a los cambios en beta o a las variaciones en temperatura son normalmente meno-
res que las encontradas en la configuracin de polarizacin fija o de polarizacin en emisor. De
nuevo, el anlisis se har examinando en primer lugar la malla emisor-base y aplicando los
resultados a la malla colector-emisor.
Malla base-emisor
La figura 435 muestra la malla base-emisor para la configuracin de retroalimentacin de
voltaje, La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla en el sentido de las
manecillas del reloj dar por resultado
V
ee
- - IsRB - V
BE
- = O
J +
R
e
V
ee
Re
-
-
+
ct
"F
lB
ti;
+ ;!:
>
V
SE
_

(
-tIc
o V
O
R
B
e,
V
ee

+
V
eE
-t lE
)
+
RE
-
"-
",,.
...
Figura 4.34 Circuito de polarizacin de de con retroalimentacin de voltaje.
Figura 4.35 Malla para la
red de la figura 4.34.
Es importante observar que la corriente a travs deR
e
no es le sino (donde = le + lB)'
Sin embargo, el nivel de le e supera por mucho el nivel normal de lB y la aproximacin l' e
"le por lo general se utiliza, Sustituyendo le = f3IB e lE" le resultar
V
ee
- f3
l
sRc - IsRB - V
BE
- f3lsRB = O
Si se arreglan los trminos, se tiene
V
ee
- V
BE
- f31S<Re + RE) - IsRB = O
y resolviendo para lB dar
(4.41)
El resultado es muy interesante en cuanto a que el formato es muy similar a las ecuaciones
para lB obtenidas para configuraciones anteriores. El numerador es de nuevo la diferencia
entre los niveles disponibles de voltaje, mientras que el denominador es la resistencia de la
base ms los resistores del colector y del emisor reflejados por beta, Por tanto, la trayectoria
de retroalimentacin da por resultado un reflejo de la resistencia Re de regreso al circuito de
entrada, muy similar al reflejo de RE'
En general, la ecuacin para lB ha tenido el siguiente formato:
V'
1 =----
B R
B
+ f3R'
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
con la ausencia de R' para la configuracin de polarizacin fija, R' = RE para la configuracin
de polarizacin en emisor (con (13 + 1) " /3), y R' = Re + RE para la configuracin de retroali-
mentacin del colector. El voltaje V' es la diferencia entre los dos niveles de voltaje.
Ya que le = f3I
B
,
En general, mientras ms grande sea f3R' comparado con R
B
, menor ser la sensibilidad de le
a las variaciones en beta. Obviamente, si f3R' "" R
B
Y R
B
+ f3R'" f3R', entonces Q
f3V' f3V' V'
------=
f3R' R'
e lCQ es independiente al valor de beta. Debido a que R' normalmente es mayor para la confi-
guracin de retroalimentacin de voltaje que para la configuracin de polarizacin en emisor,
la sensibilidad a las variaciones en beta ser menor. Desde luego, R' es cero ohms para la
configuracin de polarizacin fija y por tanto bastante sensible a las variaciones en beta.
Malla colector-emisor
La malla colector-emisor para la red de la figura 4.34 se presenta en la figura 4.36. La aplicacin
de la ley de voltaje de Kirchhoff para la malla indicada en la direccin de las manecillas del
reloj dar por resultado
IERE + V
CE
+ I ~ R e - V
ee
= O
Debido a que ~ le y que lE" le' se tiene
Ic(Re + RE) + V
CE
- V
CC
= O
y
I V
CE
= V
cc
- Ic(Re + RE)
(4.42)
la cual es exactamente la obtenida para las configuraciones de polarizacin en emisor y de
polarizacin por divisor de voltaje.
Determinar los niveles de reposo de le Q y de V CE
Q
para la red de la figura 4.37.
Solucin
Ecuacin (4.41):
\O V - 0.7 V
=---------
250 k.Q + (90) (4.7 ka + 1.2 ka)
9.3 V
=------=
250 ka + 531 ka
= 11.91 p.A
IC
Q
= f3I
B
= (90) (11.91 J.A)
= 1.07mA
V
eEQ
= V
cc
- le(Re + RE)
9.3 V
781 k.Q
= 10V - (1.07 mA)(4.7 ka + 1.2 ka)
= 10V - 6.31 V
10 .uF
figura 4.36 Malla colector-emlsor
para la red de la figura 4.34.
EJEMPLO 4,11
IOV
4.7kn
1.2kQ
= 3,69 V
Ftgura 4.37 Red para el ejemplo 4.11.
4.6 Polarizacin de de por retroalimentacin de voltaje 167
EJEMPLO 4.12
EJEMPLO 4.13
168
---- - ------------ --
Repetir el ejemplo 4.11 utilizando una beta de 135 (50% ms que en el ejemplo 4.11).
Solucin
Es importante observar en la solucin para lB en el ejemplo 4.11, que el segundo trmino en el
denominador de la ecuacin es mayor que el primero. Recuerde que en uno de los anlisis
anteriores, mientras mayor es este segundo trmino comparado con el primero, menor ser la
sensibilidad a los cambios en beta. En este ejemplo, el nivel de beta se incrementa en 50%, lo
cual har que aumente la magnitud de este segundo trmino an ms comparado con el prime-
ro. Sin embargo, es ms importante observar en estos ejemplos que una vez que el segundo
trmino es relativamente ms grande comparado con el primero, la sensibilidad a los cambios
en beta resulta ser significativamente menor.
Resolviendo para lB da
V
cc
- V
BE
10 V - 0.7 V
lB =
=
R
B
+ (3(Re + RE)
250 k.! + (135)(4.7 kQ + 1.2 ka)
9.3V 9.3 V
= =
250 ka + 796.5 kQ 1046.5 ka
8.89 J1.A
e
leQ = f3I
B
=
(135)(8.89 J1.A)
=
1.2mA
con
Va =
V
ce
- Ic(Rc + RE)
Q
=
10 V - (1.2 mA)(4.7 ka + 1.2 ka)
=
10 V - 7.08 V
=
2.92 V
Aunque el nivel de {3 se increment 50%. el nivel de leQ nicamente se elev al 12.1 %,
mientras que el nivel de V
eEQ
decay aproximadamente 20.9%. Si la red fuera un diseo de
polarizacin fija, un incremento del 50% en {3 hubiera causado un aumento del 50% en le y
un cambio drstico en la localizacin del punto Q. Q
Determine el nivel de lB y de Ve para la red de la figura 4.38.
18 V
3.3 kU
91 kO llOkO
lO tF
r-"-.........,....-4V\I\,-+--I{-c---o "
R,
I
1OtF'
1OtF .,..
" <>---}II---+.--------I
R,
P=75
51OkO
I
50
tF
":" Figura 4.38 Red para el ejemplo 4.13.
Captulo 4 Polarizacin en dc-8.IT
Solucin
En este caso la resistencia de la base para el anlisis en de est compuesto de dos resistores con
un capacitar conectado a partir de la unin con tierra. Para el modo de de, el capacitar es
equivalente a un circuito abierto y R
B
= R 1 + R
2
.
Resolviendo para lB se obtiene
V
cc
- V
BE
lB ;
R
B
+ 3(.R
e
+ RE)
18 V - 0.7 V
=-------------------------
(91 kQ + 110 kQ) + (75)(3.3 kQ + 0.51 kQ)
17.3 V 17.3 V
; =----
201 kQ + 285.75 kQ 486.75 kQ
; 35.5 !lA
le = j3
I
B
= (75)(35.5 !lA)
; 2.66mA
Ve ; V
cc
- I ~ R e ;: V
ce
- leRe
= 18 V - (2.66 mA)(3.3 kQ)
; 18 V - 8.78 V
= 9.22 V
Condiciones de saturacin
Utilice la aproximacin de 1 = le que es una ecuacin para la corriente de saturacin, y resulta
ser la misma que se obtuvo para las configuraciones del divisor de voltaje y de polarizacin en
emisor. Esto es
(4.43)
Anlisis por recta de carga
Proseguimos con la aproximacin ~ le y da por resultado la misma recta de carga definida
para las configuraciones del divisor de voltaje y de polarizacin en emisor. El nivel de lB ser
definido por la configuracin de polarizacin elegida. Q
4.7 DIVERSAS CONFlGURACIONES
DE POLARIZACIN
Existen ciertas configuraciones de polarizacin para BJT que no se asemejan al molde bsico
de las analizadas en las secciones previas. De hecho. existen variaciones en el diseo que
hubieran requerido ms pginas de las que son posibles de ofrecer en un libro de este tipo. Sin
embargo, el principal propsito en esta edicin es el de hacer nfasis en las caractersticas del
dispositivo que permiten un anlisis en de de la configuracin, para establecer Un procedi-
miento general hacia la solucin deseada. Para cada configuracin que hasta ahora se ha ana-
lizado, el primer paso es la derivacin de una expresin para la comente de la base. Una vez
que se conoce la corriente de la base, la corriente del colector y los niveles de voltaje del
4.7 Diversas configuraciones de polarizacin 169
EJEMPLO 4.14
170
circuito de salida pueden elegirse prcticamente en forma directa. Pero esto no implica que
todas las soluciones tomarn la misma trayectoria, pero s sugiere una ruta a seguir si se en-
cuentra una nueva configuracin.
El primer ejemplo explica cmo el resistor de emisor se elimina de la configuracin de
retroalimentacin de voltaje de la figura 4.34. El anlisis es muy similar, pero requiere de la
eliminacin de RE de la ecuacin aplicada.
Para la red de la figura 4.39:
a) Determinar Iq, y V cE .
b) Encontrar V
B
Vc, VE y V.
e
e,
Solucin
Re 4.7 kQ
J= 120
Figura 4.39 Retroalimentacin en
colector con RE'" O n.
a) La ausencia de RE reduce la reflexin de los niveles resistivos slo al de Re y la ecuacin
para l. se reduce a
b)
lB =
V
cc
- V'
E
R
B
+ f3
R
c
20 V - 0.7 V
= =
680 kQ + (120)(4.7 kQ)
=
15.51 }lA
ICQ =
f31. = (120)(15.51}lA)
=
1.86 mA
V
CEQ
= V
cc
- leRe
= 20 V - (1.86 mA)(4.7 kQ)
=
11.26 V
V
B
=
V
BE
= 0.7 V
V
c
=
V
CE
= 11.26 V
VE = O V
V.
C
= V
B
- V C = 0.7 V - 11.26 V
= -10.56 V
19.3 V
1.244 MQ
En el siguiente ejemplo el voltaje aplicado est conectado a la terminal del emisor y Rc
est directamente conectada a la tierra. Al principio. parece ser algo no ortodoxo y muy diferente
a los que se encontraron hasta ahora. pero una aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff al
circuito base dar por resultado la corriente de base deseada.
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJf
Determinar Ve y VE para la red de la figura 4.40.
c,
Solucin
1.2 kQ
c,
...... ---l{---o '"
1OLF
/Jo 45
Figura 4.40 Ejemplo 4.15.
La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj para
la malla base-emisor dar por resultado
y
La sustitucin genera
9 V - 0.7 V
lB
=
100kQ
8.3 V
=
100 kQ
= 83 .lA
le = f3
1
B
= (45)(83 .lA)
= 3.735 mA
Ve = -leRe
= -(3.735 mA)( 1.2 kQ)
= -4A8 V
V
B
= -lsRB
= -(83 .lA)(100 kQ)
= -8.3 V
El siguiente ejemplo utiliza una red denominada configuracin emisor-seguidor. Cuando la
misma red se analiza en ac, se encontrar que tanto las seales de salida como la de entrada estn en
fase (una siguiendo a la otra) y que el voltaje de salida es ligeramente menor que la seal aplicada.
Para el anlisis en de el colector se conecta a tierra y el voltaje se aplica en la terminal del emisor.
4.7 Diversas configuraciones de polarizacin
EJEMPLO 4.15
171
-(
----------------------------------------------------
EJEMPLO 4.16
172
Detenninar V CEQ elE para la red de la figura 4 Al.
C,
" 0---1)1---.----1
IOpF
C,
~ - I \ - --'o v,
IOpF
V
EE
-20V
Figura 4.41 Configuracin de colector comn
(emisor:"seguidor).
Solucin
La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada dar por resultado
pero
y
con
-IBRB - V
BE
- lE + V
EE
= O
lE = (f3 + l)IB
V
EE
- V
BE
- (f3 + 1)lsRE. - lsRB = O
Sustituyendo los valores queda
20 V - 0.7 V
lB = --------
240 kQ + (91)(2 kQ)
19.3 V 19.3 V
= =----
240 kQ + 182 kQ 422 kQ
= 45.73 )lA
le = f3
l
s
= (90)(45.73 )lA)
= 4.12 mA
La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida resultar
pero
y
-V
EE
+ IE + V
CE
= O
lE = (f3 + l)ls
V
CE
= V
EE
- (f3 + l)lsRE
Q
= 20 V - (91)(45.73 )lA)(2 kQ)
= 11.68 V
lE = 4.16 mA
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
Hasta ahora todos los ejemplos usan una configuracin de emisor comn o de colector
comn. En el siguiente ejemplo se investiga la configuracin de base comn. En dicha situa-
cin el circuito de entrada se utilizar para deternlnar lEen lugar de 1 S' Despus la corriente
del colector queda disponible para realizar un anlisis del circuito de salida.
Determine el voltaje V
eB
y la corriente 'B para la configuracin de base comn de la
figura 4.42.
~ ~
"R, r ~ ~ ~
V
u
4 V V
ec
lOV
...
Figura 4.42 Configuracin de base comn.
Solucin
La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada da
y
Sustituyendo los valores, se obtiene
4 V - 0.7 V
1.2 ka
= 2.75 mA
La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida da
-V
CB
+ leRc - V
ee
= O
Y
V
CB
=
V
ec
- lcR-c con le ~ lE
= 10 V - (2.75 mA)(2.4 ka)
= 3.4 V
lB
=

f3
2.75 mA
=
60
= 45.8 !lA
El ejemplo 4.18 utiliza una fuente doble y requiere de la aplicacin del teorema de Thvenin
para detenninar las incgnitas deseadas.
4.7 Diversas configuraciones de polarizacin
EJEMPLO 4.17
173
EJEMPLO 4.18
174
Especifique Ve y V
B
para la red de la figura 4.43.
V
cc
=+20V
Re
2.7Hl
R, 8.2kQ e,
e
,;
,{ o v"
e, 10 ..LF
1:
B
v, o
~
.Jl=12ij
10 IlF
E
R, 2.2kn
RE
1.8kn
V
EE
=-20V
Figura 4.43 Ejemplo 4.18.
Solucin
La resistencia y voltaje Thvenin se calculan para la red a la izquierda de la terminal de la base.
como se muestra en las figuras 4.44 y 4.45.
8.2kil
> ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ Q B
JI
1
8.2 k.!l
Figura 4.44 Determinacin de R
Th
, figura 4.45 Determinacin de ETh'
RTh = 8.2 kQ 112.2 kQ = 1.73 kQ
V
ec
+ V
EE
20 V + 20 V 40 V
1= = =---
R + Rz 8.2 ka + 2.2 ka 10.4 kQ
= 3.85 mA
= (3.85 mA)(2.2 ka) - 20 V
= -11.53 V
+
Luego la red puede ser redibujada segn se muestra en la figura 4.46, donde la aplicacin
de la ley de voltaje de Kirchhoff da por resultado
-E
Th
- leRTh - V
BE
- I ~ E + V
EE
= O
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
p= 120
E
11..53 V
V
EE
=-20V
Figura 4.46 Sustitucin del circuito
equivalente de Thvenin.
Sustituyendo lE = (J + 1)1
8
da
e
Va - ETh - V
BE
- (J + I)IBR
E
- IBR
Th
= O
V
EE
- ETh - V
BE
RTh + (J + I)R
E
20 V - 11.53 V - 0.7 V
1.73 ka + (121)(1.8 kQ)
7.77 V
=----
219.53 ka
= 35.39 j.iA
le = JIB
= (120)(35.39 lA)
= 4.25 mA
Ve = V
cc
- eRe
= 20 V - (4.25 mA)(2.7 ka)
= 8.53 V
V
B
= -E
Th
- IsRTh
= -(11.53 V)
= -11.59 V
(35.39 LA)(1.73 ka)
4.8 OPERACIONES DE DISEO
Hasta ahora los anlisis se enfocan al estudio de ~ redes existentes. Todos los elementos estn
en su lugar, y slo es cuestin de resolver para determinar los niveles de corriente y de voltaje
de la configuracin. El proceso de diseo es donde se especifican la corriente y/o e! voltaje, y
deben detenninarse los elementos requeridos para fijar los niveles de! diseo. Este proceso de
sntesis requiere de una muy clara comprensin de las caractersticas del dispositivo, las
ecuaciones bsicas para la red y un gran conocimiento de las leyes bsicas del anlisis de
circuitos, como la ley de Ohm, la ley de voltaje de Kirchhoff, y as sucesivamente. En la
mayora de las situaciones se reta al proceso de pensamiento en un grado alto durante el proce-
so de diseo, mucho ms que durante la secuencia de anlisis. La trayectoria hacia la solucin
est menos definida, y puede requerir de cierta cantidad de suposiciones bsicas que no se
tienen que hacer cuando simplemente se analiza una red.
4.8 Operaciones de diseo 175
EJEMPLO 4.19
176
Es obvio que la secuencia de diseo es sensible a los componentes que ya se han especifi-
cado ya los elementos que deben determinarse. Si se han especificado tanto el transistor como
las fuentes, el proceso de diseo simplemente determinar los resistores que se requieren para
un diseo en particular. Una vez que se han decidido los valores tericos de los resistores,
normalmente se escogen los valores estndares comerciales ms cercanos, y se aceptan
cualesquiera de las variaciones debidas a la no utilizacin de los resistores de los valores exactos.
Es cierto que se trata de una aproximacin vlida,considerando las tolerancias que con frecuencia
se asocian a los elementos resistivos y a los parmetros de los transistores.
Si se deben determinar valores resistivos, u n ~ de las ecuaciones ms poderosas es
simplemente la ley de Ohm, de la siguiente manera:
I Ru"" = V
R
I (4.44)
IR
En un diseo particular, el voltaje a travs de un resistor a menudo puede detenninarse a partir
de los niveles que se especificaron. Si existen especificaciones adicionales que definan el
nivel de corriente, la ecuacin (4.44) puede utilizarse para calcular la resistencia requerida.
Los primeros ejemplos demostrarn la forma en que los elementos particulares pueden deter-
minar,e a partir de los nivel"" ""peciflcados. M, adelante ,e presentar un procedimiento
completo de diseo para dos configuraciones comunes.
Dadas las caractersticas del dispositivo de la figura 4.47a, determinar V ce R
B
y Rc para la
configuracin de polarizacin fija de la figura 4.47b.
8
o
lB
Q
= 4O).IA
~ ~ ~ ~
(a)
Solucin
De la recta de carga
y
con
captulo 4 Polarizacin en dc-B.IT
(b) figura 4.47 Ejemplo 4.19.
V
cc
= 20 V
lB =
R
B
=
=
=
V
cc
-
R
B
V
cc
-
lB
V
BE
V
BE
20 V
8 mA
21l V - 1l.7 V
=
4OJA
482.5 ka
= 2.5 ka
19.3 V
40 JA
Los resistores de valores estndar:
Rc = 2.4 kQ
R
B
= 470 kQ
El uso de resistores de valores estndar dan
lB = 41.1 !lA
la cual se encuentra dentro del 5% del valor especificado.
Dado ICQ = 2 mA y V
CEQ
= 10 V, determinar R y Rc para la red de la figura 4.48.
Solucin
y
v
!OF

8 kil
1.2kQ
Figura 4.48 Ejemplo 4.20.
VE = '" leRE
= (2 mA)(1.2 kQ) = 2.4 V
V
B
= V
BE
+ VE = 0.7 V + 2.4 V = 3.l V
R
2
V
CC
V
B
= = 3.l V
R + R
2
(18 kQ)(18 V)
R + 18 kQ
= 3.1 V
324 kQ = 3.l R + 55.8 kQ
3.l R = 268.2 kQ
268.2 kQ
R = ---- = 86.52 kQ
3.l
La ecuacin (4.44):
RC = V
R
, = Vec - Ve
con
y
le le
Ve = V CE + VE = 10 V + 2.4 V = 12.4 V
18 V - 12.4 V
2 mA
= 2.8 kQ
Los valores estndar comerciales ms cercanos a R son 82 kQ Y 91 kQ. Sin embargo, el
empleo de la combinacin en serie de los valores estndar de 82 kQ Y 4.7 kQ. = 86.7 kQ
resultara en un valor muy cercano al nivel de diseo.
4.8 Operaciones de diseo
EJEMPLO 420
177
EJEMPLO 4.21
178
La configuracin de polarizacin en emisor de la figura 4.49 tiene las siguientes especificacio-
nes: leo = Ve"Je",= 8 mA, Ve = 18 V Y f3 = 110. Detenninar Re' RE y R
B

Solucin
y
y
con
r ~ ~ 2 8 V
FIgUra 4.49 Ejemplo 4.21.
=
28 V - 18 V
4 mA
= 2.5 ka
V
ee
28 V
RE = le", = 8 mA =
RE = 3.5 ka - Re
= 3.5 kQ - 2.5 kQ
= 1 ka
3.5 ka
le 4 mA
lB = -Q- = -- = 36.36 J1A
Q f3 110
= ---- - (lll)(l ka)
36.36 J1A
27.3 V
=----
36.36 J1A
= 639.8 ka
111 ka
Capitulo 4 Polarizacin en dc-BJT
Para los valores estndar:
Re = 2.4 ka
RE = 1 ka
R
B
= 620 ka
El anlisis que sigue presenta una tcnica para el diseo de un circuito completo, pensado
para operar en un punto de polarizacin especfico. A menudo, las hojas de especificaciones
del fabricante ofrecen infonnacin sobre un punto de operacin sugerido (o regin de operacin)
para un transistor en particular. Adems, los otros componentes del sistema conectados a una
etapa de amplificacin dada pueden definr tambin la excursin de la corriente, la excursin
del voltaje, el valor del voltaje de la fuente comn, y as sucesivamente para el diseo.
En la prctica real, muchos otros factores deben considerarse, porque pueden afectar la
seleccin del punto de operacin que se desea obtener. Sin embargo, por el momento nos
concentraremos en la determinacin de los valores de los componentes para encontrar un punto
de operacin especfico. El anlisis estar limitado a las configuraciones de polarizacin en
emisor y a la de polarizacin por divisor de voltaje. aunque el mismo procedimiento puede
aplicarse a una variedad de otros circuitos de transistores.
Diseo de un circuito de polarizacin con
retroalimentacin en el resistor de emisor
Considere primero el diseo de los componentes de polarizacin de de de un circuito
amplificador, que posee la estabilizacin mediante el resistor de emisor, igual que en la figura
4.50. El voltaje de la fuente y el punto de operacin se seleccionaron a partir de la informacin
que ofreci el fabricante sobre el transistor utilizado en el amplificador.
R,
C,
entrada \
de ac ----,I----+-----t
V
B
2N4401
10 iF (p. 150)
c,
'"---tI-- salida
T + deac
1OtF
Figura 4.50 Circuito de polarizacin
con estabilizacin en emisor
para consideracin de disefio.
La seleccin de los resistores de colector y emisor 00 pueden proceder directamente de
la informacin recin especificada. La ecuacin que relaciona los voltajes alrededor de la malla
colector-emisor tiene dos incgnitas, los resistores Re y RE. En este momento se debe hacer un
juicio de ingeniera, como comparar el nivel del voltaje del emisor con el voltaje de la fuente.
Recuerde la necesidad de incluir un resistor del emisor a tierra para ofrecer un medio de
estabilizacin de la polarizacin de de, de tal forma que el cambio de la corriente del colector
debido a corrientes de fuga del transistor y la beta del transistor no ocasionen un gran cambio
en el punto de operacin. Por lgica, el resistor de emisor no puede ser demasiado grande,
porque su voltaje limita el rango de la excursin de voltaje colector-emisor (que debe obser-
varse cuando la respuesta en ac se analice). Los ejemplos examinados en este captulo revelan
4.8 Operaciones de diseo 179
EJEMPLO 422
180
que el voltaje del emisor hacia tierra es por lo general de un cuarto a un dcimo del voltaje de
la fuente. Elegir un caso conservador de un dcimo pennitir calcular el resistor de emisor RE
y el resistor Re de una manera parecida a los ejemplos recin completados. En el siguiente
ejemplo se desarrolla un diseo completo de la red de la figura 4.49 utilizando el criterio que
presentamos antes para el voltaje de emisor.
Determine los valores de los resistores para la red de la figura 4.50 para el punto de operacin
y el voltaje de la fuente de alimentacin.
Solucin
VE =",V
ec
=",(20 V)= 2 V
VE VE 2 V
RE = - '" -- = -- = 1 kQ
lE lc 2mA
Re = V
Re
= V
cc
- V
CE
- VE = 20 V-lO V - 2 V = ~
le le 2 mA 2 mA
= 4 kQ
le 2 mA
1 = -- = = 13.33 }lA
B f3 150
V
R
Vec-VBE-VE
R
B
= -'- = ~ ~ ~ = =
lB lB
",1.3MQ
20 V - 0.7 V - 2 V
13.33 }lA
Diseo de un circuito de ganancia de corriente estabilizada
(independiente de beta)
El circuito de la figura 4.51 ofrece estabilizacin tanto para los cambios por la corriente de
fuga como por la ganancia de corriente (beta). Los cuatro valores de los resistores que mostra-
mos deben obtenerse para el punto de operacin especificado. El criterio de ingeniena para la
seleccin de un valor del voltaje del emisor VE se utiliza de la misma forma que las considera-
ciones previas de diseo, porque guan hacia una solucin directa para todos los valores de los
resistores. Estos pasos del diseo se muestran en el siguiente ejemplo.
V
cc
= 20 V
I C,
le, = !O rnA 't "---JL-- salida
+ ,- deac
C,
entrada ___ \
de ac ~ f 1 ~ I
1O'
... ...
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJf
1O'
V
CEQ
= 8 V (3(mn) = 80
FIgUra 4.51 Circuito con ganancia en
corriente estabilizada para consideraciones
de diseo .
-<;
-------------------------------------------------------------
Determine los niveles de Re' RE' R] Y Ro para la red de la figura 4.51 para el punto de operacin
indicado.
VE VE
2 V
RE =
---
=
200Q
lE le
lO mA

V
CC
- V
eE
- VE
20 V - 8 V - 2 V lOV
Re = = = =
le le
10 mA lO mA
=
lkQ
V
B
= V
BE
+ VE = 0.7 V + 2 V = 2.7 V
Las ecuaciones para el clculo de los resistores de base R 1 Y R
2
necesitarn de ciertos
anlisis. Usar el valor del voltaje de la base calculado arriba y el valor del voltaje de la fuente
proporcionar una ecuacin, pero existen dos incgnitas, R y R
2
, Se puede obtener una ecuacin
adicional entendiendo la operacin de estos dos resistores, al fijar el voltaje de base necesario.
Para que el circuito opere de manera eficiente se asume que la corriente a travs de R 1 Y R
2
debe ser aproximadamente igual y mucho mayor que la corriente de la base (por lo menos
1O:1). Este hecho y la ecuacin del divisor de voltaje para el voltaje de base ofrecen las dos
relaciones necesarias para determinar los resistores de la base. Esto es,
y
La sustitucin da
y
Ro $,),(80)(0.2 kQ)
1.6 kQ
V
s
= 2.7 V
0.6 kQ)(20 V)
R] + 1.6 ka
2.7R] + 4.32 ka = 32 ka
2.7R] = 27.68 ka
R] = 10.25 kQ (use 10 ka)
4.9 REDES DE CONMUTACIN
DE TRANSISTORES
Aplicar los transistores no se limita nicamente a la amplificacin de seales. A travs de un
diseo adecuado pueden utilizarse como un interruptor para computadora y para aplicaciones
de control. La red de la figura 4.52a puede emplearse como un inversor en los circuitos lgicos de
las computadoras. Obsrvese que el voltaje de salida Ve es opuesto al que se aplic sobre la
base o a la terminal de entrada. Tambin obsrvese la ausencia de una fuente de dc conectada
al circuito de la base. La nica fuente de dc est conectada al colector o lado de la salida, y para
las aplicaciones de computadoras normalmente es igual a la magnitud del nivel "alto" de la
seal aplicada, en este caso 5 V.
4,9 Redes de conmutacin de transistores
EJEMPLO 423
181
182
5V 5V
.....
-
-
OV
h
FE
= 125
68 k,Q
1
OV
...
Ic(mA)

71-
le"" == 6.1 mA,l-__________________ 50 !lA



3

__

30 I-lA
2
1
2 t
3 4 5
ICEO=OmA
V
cc
= 5 V
(b)
Flgura 4.52 Transistor inversor.
El diseo ideal para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin conmute
de corte a la saturacin, pero a lo largo de la recta de carga descrita en la figura 4.52b. Para
estos propsitos se asumir que 1 C = 1 CEO = O mA cuando lB = O pA (una excelente aproximacin
de acuerdo con las mejoras de las tcnicas de fabricacin), como se muestra en la figura 4.52b.
Adems, se asumir que V
CE
= V
CE
,,, = O V en lugar del nivel tpico de 0.1 a 0.3 V.
Cuando Vi;;: 5 V, el transistor se encontrar "encendido" y el diseo debe asegurar que la
red est saturada totalmente por un nivel de lB mayor asociado con la curva lB' que aparece
cerca del nivel de saturacin. La figura 4.52b requiere que lB > 50 pA. El nivel de saturacin
para la corriente del colector y para el circuito de la figura 4.52a est definido por
Capitulo 4 Polarizacin en dc-BJT
V
CC
1 =----
Csa, R
C
(4.45)
Los resultados del nivel de lB en la regin activa justo antes de la saturacin pueden aproxi-
marse mediante la siguiente ecuacin:
Por 10 mismo, para el nivel de saturacin se debe asegurar que la siguiente condicin se
satisfaga:
(4.46)
Para la red de la figura 4.52b cuando Vi = 5 V, el nivel resultante de lB es el siguiente:
Vi - 0.7 V
5 V - 0.7 V
lB = = = 63 J.1A
R
B
68 kQ
V
ee
5 V
e 1 =
'" 6.1
mA
R
0.82 kQ
e
Comprobando la ecuacin (4.46) da
6.1 mA
---- = 48.8 .tA
125
la cual es satisfecha. Es cierto que cualquier nivel de lB mayor que 60 .tA pasar a travs del
punto Q sobre la recta de carga, que se encuentra muy cerca del eje vertical.
Para Vi = O V'/B = O .tA, y dado que se est suponiendo que le = ICEO = O mA,el voltaje cae
a travs de Rc como 10 determin V
Rc
= eRe = O V, dando por resultado Ve = +5 V para la
respuesta indicada en la figura 4.52a.
Adems de su contribucin en los circuitos lgicos de las computadoras, el transistor se
puede utilizar como un interruptor, si se emplean los extremos de la recta de carga. En la
saturacin la corriente lc es muy alta y el voltaje V
CE
muy bajo. El resultado es un nivel de
resistencia entre las dos tenninales detenninado por
y descrito en la figura 4.53.
E
E
Figura 4.53 Condiciones de
saturacin y la resistencia resultante
de la tenninal.
Si se utiliza un tpico valor promedio de como 0.15 V da como resultado
R =
'"
0.15 V
--- = 24.60.
6.1 mA
el cual es un valor relativamente bajo y ::: O Q cuando se coloca en serie con resistores en el
rango de los kilohms.
4.9 Redes de conmutacin de transistores 183
EJEMPLO 4.24
184
Figura 4.54 Condiciones de corte
y la resistencia resultante de la
terminal.
Para Vi = O V como lo vemos en la figura 4.54, la condicin de corte ocasionar un nivel de
resistencia de la siguiente magnitud:
V
ee
5 V
R =--= ~ Q
con,
l
CEO
O mA
resultando en la equivalencia de circuito abierto. Para un valor tpico de leEO = 10 LA, la
magnitud de la resistencia de corte es
que se aproxima a la equivalencia de circuito abierto para muchas situaciones.
Determine R
B
Y Re para el transistor inversor de la figura 4.55 si le = 10 mA.
"'
Vcc=lOV
v,
h
FE
= 250
v
Flgura 4.55 Inversor para el ejemplo 4.24.
Solucin
En la saturacin:
l =
e'al
y 10 mA =
IOV
as que Re = = 1 kQ
10 mA
En la saturacin:
l 10 mA
lB '" ~ = = 40 LA
f3"" 250
Elija lB = 60 LA para asegurar la saturacin, y utilizando
lB = Vi - 0.7 V
R
B
Capitulo 4 Polarizacin en dc-BJT
IOV IOV
v - 0.7 V 10 V - 0.7 V
se obtiene
,
155 kQ
;
60 !lA
Seleccione R
B
= 150 kQ. el cual es el valor estndar. Luego
v - 0.7 V 10 V - 0.7 V
,
;
------ ; 62 !lA
R
B
150 kQ
e lB ; 62 )lA > ; 40 )lA
Por tanto. use R
B
; 150 kQ Y Re; 1 kQ.
Existen transistores que se les denomina transistores de conmutacin debido a la veloci-
dad con que cambian de un nivel de voltaje a otro. En la figura 3.23c los periodos de tiempo
definidos como t
s
' t d' tI" Y tI se proporcionan en funcin de la comente de colector. Su impacto
sobre la velocidad de respuesta de la salida del colector se define por la respuesta de la comente
de colector de la figura 4.56. El tiempo total necesario para que el transistor cambie del estado
"apagado" al "encenciido" est designado como tencendido y definido por
I tencendido = tr + td I
(4.47)
siendo t d el tiempo de retardo entre el estado de cambio de la entrada y el comienzo de una
respuesta en la salida. El elemento de tiempo t, es el tiempo de subida del 10 al 90% del valor
final.
Transistor "encendido" Transistor "apagado"
1009,
909',
lOge
o
-1,
- - - - - - - - - _1- __
I
I
I I
,- I - - - - - - - - - -1- - - -1- -
, ,
- '-
, ,
--+< 1,
'-
,
,
--+<, I[ ,
1,
I
,
,-
~
tapagado
tencendido
,-
,_
Figura 4.56 Definicin de los intervalos de tiempo de una forma de onda de pulso.
El tiempo total que requiere un tra.'1sistor para cambiar del estado "encendido" al "apaga-
do" se le conoce como tapagado y se define as
(4.48)
donde t, es el tiempo de almacenamiemo y t
r
es el tiempo de bajada del 90 al 10% del valor
inicial.
4.9 Redes de conmutacin de transistores 185
.:::0.7 V Si
o::O.3VGe
Figura 4.57 Verificacin del nivel
de de V
BE
"
186
Para el transistor de propsito general de la figura 3.23c a le;;;: 10 mA, se encuentra que
t.
l
" =
120 ns
Id =
25 ns
1, =
13 ns
y I
f
=
12 ns
as que
tencendido
=
I
+ , Id =
13 ns + 25ns=38ns
y
tl.l.?agadQ
I
, + I
f
= 120 ns + 12 ns 132 nS
Al comparar los valores anteriores con los siguientes parmetros de un transistor de conmutaCin
BSV52L, se observa una de las razones para elegir un transistor de conmutacin cuando surge
la necesidad de ste.
t encendido = 12 ns
y
t apagado == 18 os
4.10 TCNICAS PARA LA LOCAUZACIN DE FALLAS
El arte de la localizacin de fallas es un tema tan amplio. que no puede ser cubierto un rango
tan lleno de posibilidades y de tcnicas en unas cuantas secciones de un libro. Sin embargo, un
practicante debe estar enterado de unas cuantas maniobras y medidas que pueden aislar el rea
de problema, y posiblemente encontrar una solucin.
Es muy obvio que el primer paso para poder resolver un problema en una red es entender
el comportamiento de la misma y tener alguna idea de los niveles de voltaje y corriente esperados.
Para el transistor que est en la regin activa el nivel dc mesurable ms importante es el voltaje
emisor-base.
Para un transistor "encendido" el voltaje V
BE
debe estar en la vecindad de 0.7 V.
Las conexiones adecuadas para medir V
aE
aparecen en la figura 4.57. Obsrvese que
la punta de prueba roja (positiva) se encuentra conectada a la base para un transistor npn y la
negra (negativa) al emisor. Cualquier lectura totalmente diferente del nivel esperado de ms o
menos 0.7 Y, como O Y, 4 Y O 12 Y, o si es negativo el valor se debe sospechar de l; por lo
mismo, es mejor verificar las conexiones del dispositivo o la red. Para un transistor pnp pueden
usarse las mismas conexiones, pero debe esperarse una lectura negativa.
Un nivel de voltaje de igual importancia es el voltaje del colector al emisor. Recuerde las
caractersticas generales de un BJT,con los niveles de VCEen la vecindad de 0.3 V que sugieren
un dispositivo saturado, una condicin que no debe existir a menos que se est usando como
interruptor. Sin embargo:
Para el amplificador tpico a transistor que est en la regin activa, V CE est por lo
general entre el 25 y el 75% de V cc"
Para V ce = 20 Y una lectura de V CE entre 1 y 2 Y o entre 18 y 20 Y como se mide en la
figura 4.58, es cieno que es un resultado fuera de lo comn, y a menos que se conozca otro
diseo para esta respuesta, deben investigarse tanto e1 diseo como la operacin. Si V CE = 20 V
(con V
cc
= 20 Y) existen por lo menos dos posibilidades: O bien el dispositivo (BJT) est


0.3 V = satu"cin
O O v = estado de corto circuito
\ (J) o de conexin pobre
+ - Normalmente unos cuantos volts
-------Va) o ms
E
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
Figura 4.58 Verificacin del nivel
de de Ver"
daado y tiene las carf!1ctersticas de un circuito abierto entre las terminales del colector y
del emisor. o bien una conexin en la mal1a del circuito del colector-emisor o base-emisor
est abierta como en la figura 4.59. haciendo le O mA y V
Re
= O V. En la figura 4.59 la
punta de prueba negra del vlmetro est conectada a la tierra comn de la fuente y la roja a
la terminal inferior del resistor. La ausencia de una corriente del colector y de la cada de
voltaje resultante a travs de Re darn por resultado una lectura de 20 V. Si el medidor est
conectado a la terminal del colector del BJT. la lectura ser de O V. porque V
ee
est blo-
queado del dispositivo activo por un circuito abierto. Uno de los errores ms comunes en
la experiencia de laboratorio es el uso del valor errneo de la resistencia para un diseo
dado. Imagine el impacto del uso de un resistor de 680 Q para Ra en lugar del valor de
diseo de 680 ka. Para V cc;;:;: 20 V Y una configuracin de polarizacin fija, la corriente
. de base resultante seria
20 V - 0.7 V
680 Q
= 28.4 mA
en lugar del valor deseado de 28.4 pA, una diferencia significativa!
Una corriente base de 28.4 mA es cierto que colocara al diseo en una regin de
saturacin y es posible que se dae el dispositivo. Ya que los valores reales de los resistores
a menudo son diferentes de los valores de los cdigos de color nominales (recuerde que
los valores de tolerancia de los resistores), es una buena inversin de tiempo hacer la
medicin de un resistor antes de insertarlo en la red. El resultado ser tener valores reales
ms cercanos a los niveles tericos y cierta seguridad de que el valor correcto de la resis-
tencia se utiliza.
Habr momentos en que surgir la frustracin. Se habr verificado el dispositivo en un
trazador de curvas u otro instrumento para probar BJT y parecer correcto. Todos los niveles
de los resistores parecen adecuados, las conexiones se ven slidas y se ha aplicado la fuente
adecuada de voltaje, qu sigue? Ahora, la persona encargada de resolver el problema debe
esforzarse para lograr un mayor nivel de sofisticacin. Podra ser que la conexin interna
entre el cable y la conexin final de una punta est daada? Cuntas veces el simple hecho
de tocar una punta crea una situacin "'correcta o incorrecta" entre las conexiones? Quiz la
fuente fue encendida y ajustada en el voltaje correcto. pero el control de limitacin de co-
rriente se dej en cero, evitando el nivel adecuado de corriente segn lo demanda el diseo
de la red. Obviamente, mientras ms sofisticado es el sistema, ms extenso el rango de
posibilidades. En cualquier caso. uno de los mtodos ms efectivos para verificar la opera-
cin de una red es probando varios niveles de voltaje respecto a la tierra y al conectar la
punta de prueba negra (negativa) de un vlmetro a tierra y "tocando" las terminales impor-
tantes con la punta de prueba roja (positiva). En la figura 4.60, si la punta roja se conecta
directamente a V
cc
, se deben leer V
cc
volts, porque la red tiene una tierra comn para la
fuente y los componentes de la red. En Ve la lectura debe ser menor por la cada a travs de
Re y V E debe ser menor que Ve por el voltaje colector emisor V
eE
. La falla en cualquiera
de estos dos puntos sirve para registrar lo que podra parecer un nivel razonable y ser
autosuficiente para definir la falla o el elemento defectuoso. Si V R Y V
R
son valores razo-
, e
nables pero V CE = O V. existe la posibilidad de que el BIT est daado y presente un equiva-
lente de corto circuito entre las terminales del colector y del emisor. Antes dijimos que si V CE
registra un nivel de aproximadamente 0.3 V, como seala V CE;;;:; V C - V E (la diferencia entre
los dos niveles como se midi arriba), la red puede estar saturada con un dispositivo que est
o no defectuoso.
Parecera obvio, a partir del anlisis anterior, que la seccin de vlmetro de un VOM
o DMM es muy importante en el proceso de localizacin de fallas. Por 10 general. los
niveles de corriente se calculan a partir de los niveles de voltaje a travs de los resistores,
en lugar de "romper" la red para insertar la seccin de miliampermetro de un multmetro.
En los diagramas grandes se ofrecen los niveles especficos de voltaje respecto a la tierra,
para facilitar la verificacin e identificacin de las posibles reas de problemas. Para las
redes cubiertas en este capitulo se deben considerar los niveles tpicos dentro del sistema,
como 10 defini el potencial aplicado y la operacin general de la red.
4.10 Tcnicas para la localizacin de fallas
V
Cc
=20V
lc=OmA ~ Re
conexin ___ ~
abierta
I
----/
20 v
Figura 4.59 Efecto de una
conexin pobre o un dispositivo
daado.
Figura 4.60 Verificacin de los
niveles de voltaje respecto a
tierra.
187
EJEMPLO 425
EJEMPLO 426
188
El proceso de localizacin de fallas es una verdadera prueba para comprender claramente
el comportamiento adecuado de una red y su habilidad para aislar las reas problemticas --
utilizando unas cuantas medidas bsicas con los instrumentos apropiados. La experiencia es la
clave, y sta vendr nicamente con la exposicin continua a los circuitos prcticos.
Es importante basarse en las lecturas ofrecidas en la figura 4.61 para determinar si la red est
operando adecuadamente, y si no 10 est, encontrar la posible causa.
::!ov
...
Solucin
3.3 kQ
211 Y
p= lOO
2kQ
Figura 4.61 Red para el
ejemplo 4.25 .
Los 20 V en el colector revelan inmediatamente que le = O mA, debido a un circuito abierto o
a un transistor que no est operando. El nivel de V R = 19.85 V tambin revela que el transistor
,
est en "apagado" porque la diferencia de V
ec
- V
R
; == 0.15 V es menor que la necesaria para
encender el transistor y proporcionar algn voltaje para VE' Si se asume una condicin de corto
circuito desde la base al emisor, se obtiene la siguiente corriente a travs de R B'
20 V
252 kil
= 79.4 }lA
la cual asemeja a la obtenida de
19.85 V
250 kil
= 79.4 }lA
Si la red se encontrara operando de manera adecuada, la corriente de base debera ser
19.3 V V
cc
- V
BE
20 V - 0.7 V
lB = ----"''------''''-- = --------- = = 42.7 }lA
R
B
+ (/3 + l)R
E
250 kQ + (101)(2 kil) 452 kil
Por tanto, el resultado es que el transistor est daado en una condicin de corto circuito entre
la base y el emisor.
Basndose en las lecturas que aparecen en la figura 4.62, determinar si el transistor se encuen-
tra "encendido" y si la red est operando de manera correcta.
Capitulo 4 Polarizacin en dc-BJT
Solucin
Si nos basamos en los valores de los resistores RI y R
2
Y la magnitud de V
cc
' el voltaje V
s
:::;:
4 V parece adecuado (y de hecho lo es). Los 3.3 Ven el emisor son el resultado de una cada de
0.7 V a travs de la unin base-emisor del transistor lo que sugiere un transistor "encendido",
Sin embargo. los 20 Ven el colector revelan que le:;;;; O mA. aunque la conexin a la fuente
debe ser "slida" o los 20 V no apareceran en el colector del dispositivo. Existen dos posibi-
lidades: o bien puede existir una conexin pobre entre Re y la terminal del colector del transis-
tor. o el transistor tiene abierta la unin base-colector. Primero se verifica la continuidad en la
unin del colector utilizando un hmetro. y si est bien. debe verificarse el transistor usando
uno de los mtodos descritos en el captulo 3.
4.11 TRANSISTORES PNP
Hasta ahora. el anlisis se ha limitado totalmente a los transistores npn para asegurar que el
anlisis inicial de las configuraciones bsicas sean 10 ms claras posible y simplificadas para
no intercambiar entre los tipos de transistores. Por fortuna. el anlisis de los transistores pnp
sigue el mismo patrn que se estableci para los transistores npn. Primero se calcula el nivel de
lB' seguido por la aplicacin de las relaciones adecuadas de los transistores para determinar la
lista de las cantidades que se ignoran. La nica diferencia entre las ecuaciones resultantes para
una red en la que se reemplaz un transistor npn por un transistor pnp es la seal asociada con
las cantidades en particular.
Como se observa en la figura 4.63, la notacn de doble subndice contina de manera
normal. como ya se mencion. Sin embargo. las direcciones de las corrientes se invirtieron
para reflejar las direcciones reales de coriduccin. En caso de que se utilicen las polaridades
definidas de la figura 4.63, tanto V
SE
como V
CE
sern cantidades negativas.
La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoffa la malla base-emisor dar por resultado la
siguiente ecuacin para la red de la figura 4.63:
La sustitucin de lE = (3 + 1)1 B Y solucin para lB da por resultado
(4.49)
La ecuacin resultante es la misma que la ecuacin (4.17) excepto por el signo para V
BE
.
Sin embargo. en este caso V
BE
= -0.7 V Y la sustitucin de los valores resultar el mismo signo
para cada trmino de la ecuacin (4.49) y la ecuacin (4.17), Considere que la direccin de lB
ahora se defin como opuesta para un transistor npn, segn la figura 4.63.
Para V CE la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a la malla colector-emisor, dando por
resultado la siguiente ecuacin:
(4.50)
La ecuacin resultante tiene el mismo formato que la ecuacin (4.19), pero el signo antes
de cada trmino en el miembro de la derecha ha cambiado. Debido a que V
cc
ser mayor que
la magnitud del trmino subsiguiente, el voltaje V CE tendr un signo negativo. como se pudo
observar anteriormente.
4.11 Transistores pnp
20 V
4.7 kQ
80 kQ
20\"
4v
3.3 y
20 kQ
1 kn
Figura 4.62 Red para el ejemplo 4.26.
+
+
R,
Figura 4.63 Transistor pnp en
una configuracin de
estabilizacin en emisor.
189
EJEMPLO 4.27
190
Calcule V
CE
para la configuracin de polarizacin por divisor de voltaje de la figura 4.64.

2.4 k.Q
47 ka
10 iF
'"
10 IlF +
>-
-----1-1",,111----+---
8
0------1 ", o - t-,. V
eE
1" -
E
p= 120
lOkQ
Solucin
Probando la condicin
da por resultado
1.1 kQ
Figura 4.64 Transistor pnp en una
configuracin de polarizacin por divisor
de voltaje.
f3R
E
'" IOR
2
(120)(1.1 kf.l) '" 10(10 kQ)
132 kQ '" lOO kQ (satisfecha)
Si se resuelve para VE' se tiene
R, V
ec
(10 kf.l)(-18 V)
V
B
= = = -3.16 V
R, + R, 47 kQ + 10 kQ
Obsrvese la similitud en el fonnato de la ecuacin con el voltaje resultante negativo para V
B
"
La aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla base-emisor genera
y
+V
B
- V
BE
- VE = O
VE = V
B
- V
BE
Sustituyendo los valores, se obtiene
VE = -3.16 V - (-D.7 V)
= -3.16 V + 0.7 V
= -2.46 V
Ntese cmo en la ecuacin anterior se utiliza la notacin de subndice sencillo y doble. Para
un transistor npn la ecuacin VE = V B - V BE sera exactamente la misma; la nica diferencia
aparece cuando se sustituyen los valores.
La corriente
VE 2.46 V
lE = = = 2.24 mA
RE 1.1 kQ
Para la malla colector-emisor:
Sustituyendo lE == le y acomodando los trminos, se tiene
V
eE
= -V
ee
+ leCRe + RE)
Capitulo 4 Polarizacin en dc-B.IT
Sustituyendo los valores, da
Ve -18 V + (2.24 mA)(2.4 kQ + l.l kQ)
= -18 V + 7.84 V
= -10.16 V
4.12 ESTABILIZACIN DE lA POlARIZACIN
La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de una red hacia las variaciones
en sus parmetros. En cualquier amplificador que utiliza un transistor, la corriente del colector
le es sensible a cada uno de los siguientes parmetros:
[3: se incrementa con el aumento en la temperatura
I V
BE
1: decrece aproximadamente 7.5 mV por incremento en grado Celsius (oC) en la
temperatura
leo (corriente de saturacin inversa): duplica su valor por cada 10 oC de incremento
en la temperatura
Cualquiera o todos estos factores pueden causar que el punto de polarizacin cambie del
punto de operacin diseado. La tabla 4.1 describe la forma en que leo y V BE camhiaron con
el incremento en la temperatura para un transistor en particular. A temperatura ambiente (cerca
de 25 OC) leo = 0.1 nA, mientras que a lOO oC (punto de ebullicin del agua) leo es aproxima-
damente 200 veces mayor a 20 nA. Para la misma variacin en temperatura, (3 se increment
de 50 a 80 y V
BE
cay de 0.65 a 0.48 V. Recuerde que lB es muy sensible al nivel de V
8E

especialmente para los niveles ms all del valor del umbral.
TABLA 4.1 Variacin de los parmetros de un transistor
de silicio con la temperatura
T
leo
V
SE
ce) (nA) b (V)
-65 0.2 x 10-' 20 0.85
25 0.1 50 0.65
100 20 80 0.48
175 3.3 x 10
3
120 0.3
El efecto de los cambios en la comente de fuga (1 col y la ganancia de comente (ff sobre el punto
de polarizacin de dc se demuestra por las caractersticas de colector para emisor-comn de las figuras
4.65a y 4.65b. La figura 4.65 muestra la forma como cambian las caractensticas de colector del
transistor desde una temperarura de 25 OC a una temperarura de 100 oC. Obsrvese que el incremento
significativo en la corriente de fuga no solamente causa que las curvas se eleven sino que tambin
existe un incremento en la beta, segn se observa a travs del mayor espaciamiento entre las curvas.
Se puede especificar un punto de operacin mediante el dibujo de la recta de carga de dc
del circuito sobre la grfica de las caractersticas de colector, y notando la interseccin de la
recta de carga y la corriente de base de dc establecida por el circuito de entrada. Se marca un
punto de forma arbitraria en la figura 4.65a en lB = 30 lA. Debido a que el circuito de polarizacin
fija proporciona una corriente de base cuyo valor depende aproximadamente del voltaje de la
fuente de alimentacin y el resistor de la base, ninguno se ve afectado por la temperatura o el
cambio en la corriente de fuga o en la beta, pero existir la misma magnitud de la corriente de
base a altas temperaturas, segn se indica en la grfica de la figura 4.65b. Como lo muestra la
figura, dar por resultado el cambio del punto de polarizacin de de a una mayor comente de
colector y a un menor voltaje colector-emisor en el punto de operacin. En el extremo, el
transistor no podra llevarse a saturacin. En cualquier caso, el nuevo punto de operacin
puede no ser satisfactorio y ocasionar una distorsin considerable debido al cambio del punto
de polarizacin. Un mejor circuito de polarizacin es el que estabilizar o mantendr la polari-
4.12 Estabilizacin de la polarizacin
191
IC (mA)
6-
5
I
i
4
"""
J
2
1 -
I
0
1
192
70 lA
O ~ A
50 lA
40 lA
~ pUnloQ
30 lA
~
20 ~ A
~
10 lA
I
~
IB=OlA

5 15 20
le (mAl
I
50 lA
6- __ --------------
40 lA
5
4
punto Q
30 lA
3
20 lA
o 5 10 t 15 20
ICEO=f3lcBO
(a) (b)
Figura 4.65 Cambio en el punto de polarizacin de dc (punto Q) debido al cambio en la
temperatura: a) 25C; b) 1O()0C.
dad de dc establecida inicialmente, de forma que el amplificador puede utilizarse en un am-
biente de temperatura variable.
Factores de estabilidad, S(IcO>, S(VB) y S(ft)
Se defini un factor de estabilidad S para cada uno de los parmetros que afectan la estabilidad
de la polaridad. segn se lista a continuacin:
S(lco)
Me
=
Meo
(4.51)
S(V
BE
)
=
Me
'" V
BE
(4_52)
SCfJJ
Me
=--
"'/3
(4.53)
En cada caso el smbolo delta ("') significa un cambio en dicha cantidad_ El numerador de cada
ecuacin es el cambio en la corriente del colector, segn se estableci mediante el cambio de
la cantidad en el denominador. Para una configuracin en particular, si un cambio en leo
no puede producir un cambio significativo en le' el factor de estabilidad definido por S(leo) =
Me / Meo ser muy pequeo_ En otras palabras:
Las redes que son muy estables y relativamente insensibles a las variaciones en la
temperatura tienen bajos factores de estabilidad.
Parecera ms apropiado en algunas ocasiones considerar las cantidades definidas por las
ecuaciones (4.5 1 a 4_53) como los factores de sensibilidad porque:
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJ'f
Mientras ms alto es el factor de estabilidad, mayor sensibilidad tendr la red a las
variaciones de dicho parmetro.
El estudio de los factores de estabilidad requiere del conocimiento del clculo diferencial.
Sin embargo, el propsito aqu es revisar los resultados del anlisis matemtico y realizar una
evaluacin total de los factores de estabilidad para las configuraciones de polarizacin ms
comunes. Gran cantidad de literatura referente a este tema est disponible. y si el tiempo lo
permite se le propone leer ms acerca del tema.
S(IcO>:
CONFIGURACIN DE POLARIZACIN EN EMISOR
Un anlisis de la red para la configuracin de polarizacin en emisor dar por resultado
(4.54)
Para R si RE'" (13 + 1), la ecuacin (4.54) se reducir a la siguiente:
S(/co) = 13 + 1
(4.55)
segn se indica en la grfica de SUco) en funcin de R
B
/ RE en la figura 4.66.
5(1co),
Factor de estabilidad
~ l
2
Figura 4.66 Variacin del factor
de establidad S(JcJ con el
cociente de resistor Rs/RE para la
configuracin de polarizacin en
emisor.
~ ~ ~ ________ ~ ______________ R
B
~ 1 RE
Para RB/R
E
4; 1, la ecuacin (4.54) se aproximar al siguiente nivel (segn se muestra en
la figura 4.66):
(13 + 1)
(4.56)
S(Ico) = (13 + 1) -------- = --> 1
revelando que el factor de estabilidad se acercar a su nivel ms bajo mientras RE se vuelve lo
suficientemente grande. Sin embargo, considere que un buen control de la polarizacin nor-
malmente requiere que R
B
sea mayor que RE" Por tanto, el resultado es una situacin donde los
mejores niveles de estabilidad estn asociados con un criterio pobre de diseo. Obviamente,
debe existir un compromiso que satisfaga tanto a la estabilidad como a las especificaciones de
polarizacin. Es importante observar en la figura 4.66 que el valor ms bajo de SUco) es 1,
revelando que le siempre se incrementar a un ritmo igualo mayor que lco.
Para el rango donde R B IR E flucta entre 1 y (13 + 1), el factor de estabilidad se encontrar
determinado por
(4.57)
4,12 Estabilizacin de la polarizacin
193
.. -(
EJEMPLO 428
194
segn se muestra en la figura 4.66. Los resultados revelan que la configuracin de polarizacin
en emisor es muy estable cuando la relacin de R
B
f RE es tan pequea como sea posible, y es
menos estable cuando dicha relacin se acerca a (f3 + 1). "---
Calcular el factor de estabilidad y el cambio en le desde 25 oC hasta 100 oC para el transistor
definido por la tabla 4.1 para los siguientes arreglos de polarizacin en emisor.
a) R
B
/ RE = 250 (R
B
= 250R
E
)
b) R
B
/ RE = 10 (R
B
= 10R
E
)
e) R
B
/ RE = 0.01 (RE = 100R
B
)
Solucin
I + RB/R
E
a) S(leo) = ([3 + 1) ---"--"--
1 + [3 + RelRE
_ 5/ 1+ 250
1
_ 51(251)
\51 + 2501 301
:= 42.53
la cual empieza a acercarse al nivel definido por [3 + 1 = 51.
Mc = [S(leo)](M
eo
) = (42.53)(19.9 nA)
" 0.85 }lA
1 + RB/R
E
b) SUco) = ([3 + 1) ---"--"--
1 + [3 + RB/R
E
= 51( 1 + 10) = 51 ( ~ )
51 + 10 61
" 9.2
Mc ~ [S(Ico)](,vco) = (9.2)(19.9 nA)
:= 0.18}lA
1 + Re/RE
e) S(lco) = ([3 + 1) - - ~ - - - - - - - - -
1 + [3 + RB/R
E
(
1 + 0.01 ) ( 1.01 )
= 51 = 51--
51 + 0.01 51.01
:= 1.01
la cual se encuentra muy cercana al nivel de 1 del pronstico si Re/ RE ~ l.
Me = [S(Ico)](,veo) ~ 1.01(19.9 nA)
~ 20.1 nA
El ejemplo 4.28 revela cmo los niveles ms bajos de leo para el transistor BIT moderno
mejoraron el nivel de estabilidad de las configuraciones de polarizacin bsicas. Aun cuando el
cambio en lees considerablemente diferente en un circuito con una estabilidad ideal (S 1). de uno
con un factor de estabilidad de 42.53,el cambio en le de una corriente en de que se fij, por ejemplo,
en 2 mA, sera de 2 mA a 2.085 mA en el peor caso, lo cual es obviamente lo suficientemente
pequeo como para que lo ignoren la mayora de las aplicaciones. Algunos transistores de potencia
exhiben mayores corrientes de fuga, pero para la mayor pane de los circuitos amplificadores los
niveles ms bajos de leo han tenido un impacto muy positivo sobre la cuestin de la estabilidad.
CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA
Para la configuracin de polarizacin fija, si se multiplican el numerador y el denomina-
dor de la ecuacin (4.54) por RE y se hace a RE ~ O Q. resultar la siguiente ecuacin:
I S(lco) ~ [3 + I
(4.58)
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
Obsrvese que la ecuacin resultante asemeja el valor mximo para la configuracin de
polarizacin en emisor. El resultado es una configuracin con un factor de estabilidad pobre y
una alta sensibilidad a las variaciones de leo'
Configuracin de polarizacin por divisor de voltaje
Recuerde de la seccin 4.5 el desarrollo de la red equivalente de Thvenin que aparece en la
figura 4.67, para la configuracin de polarizacin por divisor de voltaje. Para la red de la figura
4.67 la ecuacin para S(lco) es la siguiente:
(4.59)
Ntense las similitudes con la ecuacin (4.54), donde se determin que S(lco) tena su
nivel ms bajo y la red tena su mayor estabilidad cuando RE > R8' Para la ecuacin (4.59), la
condicin correspondiente es RE > RTh o bien, RTh/R
E
debe ser tan pequeo como sea posible.
Para la configuracin de polarizacin por divisor de voltaje, RTh puede ser mucho menor que la
correspondiente R
B
en la configuracin de polarizacin en emisor y aun as tener un diseo
efectivo.
Configuracin de polarizacin por retroalimentacin (RE = O Q)
En este caso,
(4.60.)
Debido a que la ecuacin es similar en formato a la que se obtuvo para las configuraciones de
polarizacin en emisor y de polarizacin por divisor de voltaje, tambin aqu pueden aplicarse
las mismas conclusiones respecto a la relacin de R
B
/R
e
Impacto fsico
El tipo de ecuaciones que se desarrollaron arriba, a menudo fallan en cuanto a proporcionar un
sentido fsico para el motivo, por el cual las redes se comportan de la forma en que lo hacen.
Ahora se sabe de los niveles relativos de estabilidad y cmo la eleccin de los parmetros
puede afectar la sensibilidad de la red, pero sin estas ecuaciones quiz resulte difcil explicar
con palabras por qu una red es ms estable que otra. Los prrafos siguientes intentan llenar
vacio a del uso de algunas de las relaciDnes bsicas asociadas con cada conflguracin.
Para la configuracin de polarizacin fija de la figura 4.68a, la ecuacin para la corriente
de base es la siguiente:
con la corriente del colector determinada por
(4.61)
Si le como se indica en la ecuacin 4.61 debe incrementarse debido a un incremento en
1 co' no existe nada en la ecuacin para lB que intente compensar este incremento que no se
desea en el nivel de corriente (suponiendo que V
BE
permanezca constante). En otras palabras,
el nivel de le continuara elevndose con la temperatura con lB' manteniendo un valor prctica-
mente constante; por 10 mismo, sera una situacin muy inestable.
Sin embargo, para la configuracin de polarizacin en emisor de la figura 4.68b, un au-
mento en le debido a un incremento en leo causar que el voltaje VE se incremente.
El resultado sera una cada en el nivel de lB' segn se detennina en la siguiente ecuacin:
4.12 Estabilizacin de la polarizacin
Figura 4.67 Circuito equivalente
para la configuracin de divisor
de voltaje.
195
Figura 4.68 Revsin de las redes
c.e polarizacin y del factor de
estabilidad S(lcOJ.
196
V
cc
V
ee
+
v"
VB,
+ Re
R,
Re

+
lB V
BE
_
V
+
V
BE
_
B
+
+
V
E
V,
."
." ."
(a) (b) (e) (d)
1 1- -
V
CC
- V
Bo
- VE t
B -
R
B
(4.62)
Una cada en lB tendr el efecto de reducir el nivel de le a travs de la accin del transistor.
y por lo mismo compensa la tendencia de le a incrementarse por un aumento en la temperatura.
En total, la configuracin es tal que existe una reaccin hacia un incremento en le' que tender
a oponerse al cambio en las condiciones de polarizacin.
La configuracin de retroalimentacin de la figura 4.68c opera de la misma forma que la
configuracin de polarizacin en emisor cuando llega a los niveles de estabIlidad. Si le se incrementa
debido al aumento en la temperatura, el nivel de V Re se elevar en la siguiente ecuacin:
V
cc
- V
BE
- V
R
t
e
(4.63)
y el nivel de lB se reducir. El resultado es un efecto estabilizador como el descrito para la
configuracin de polarizacin en emisor. El lector debe estar enterado de que la accin descrita
arriba no sucede en una secuencia paso por paso. En su lugar. se trata de una accin simultnea
para mantener las condiciones de polarizacin establecidas. En otras palabras, en el mismo
instante en que le empiece a incrementarse, la red captar el cambio y tendr lugar el efecto de
balanceo que se describi antes.
La ms estable de las configuraciones es la red de polarizacin por divisor de voltaje de la
figura 4.68d. Si se satisface la condicin j3R
E
:l> IOR" el voltaje V
B
pennanecer razonable-
mente constante para los niveles cambiantes de /e- El voltaje base-emisor de la configuracin
est deternlinado por V BE ::: V B - VE' Si / e se incrementa, V E aumentar como se menciona
arriba, y para un V B constante el voltaje V BE caer. Una cada en V BE establecer un nivel bajo
de lB' que tratar a su vez de compensar el nivel de aumento de le
El factor de estabilidad definido por

Ll. V
BE
resultar en la siguiente ecuacin para la configuracin de polarizacin en emisor:
(4.64)
Sustituyendo RE;;;;; 0.0:, como ocurre con la configuracin de polarizacin fija, dar por
resultado
(4.65)
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
La ecuacin (4.64) puede escribirse de la siguiente fonna:
(4.66)
Sustituyendo la condicin (/3 + 1) j> R
B
IR
E
resultar la siguiente ecuacin para S(V
Bf
):
-f3!R -f3/R 1
S(V
BE
) " E" __ e = __
13 + 1 13 RE
(4.67)
revela que mientras ms grande sea la resistencia RE' menor ser el factor de estabilidad y ms
estable el sistema.
Detennine el factor de estabilidad S(V
BE
) y el cambio en le desde 25 oC hasta 100 oC para el
transistor sealado en la tabla 4.1 para les siguientes arreglos de polarizacin.
a) Polarizacin fija con R
B
= 240 ka y 13 = 100.
b) Polarizacin en emisor con R
B
= 240 ka, RE = 1 ka y 13= 100.
e) Polarizacin en emisor con Re = 47 ka, RE = 4.7 ka y 13= 100.
Solucin
a) La ecuacin (4.65):
y
f3
100
= --'--'--
240 ka
= - 0,417 X 10-'
Me = [S(VBEl](Ll.VBE)
= (-DA17 x 10,3)(0.48 V - 0.65 V)
= (-D.4l7 x lO,3)(-D.17 V)
= 70,9 pA
b) En este caso, (/3 + 1) = 101 Y R
B
I RE = 240. La condicin (/3 + 1) j> RBIR
E
no est satis-
fecha, y no pennite el uso de la ecuacin (4.67) Y requiere del uso de la ecuacin (4.64).
La ecuacin (4.64):
-100 100
= = ----
240 ka + (101)1 ka 341 ka
= -0.293 x 10-
3
la cual es aproximadamente 30% menor que el valor de polarizacin fija debido al tnnino
adicional (13 + I)R
E
en el denominador de la ecuacin S(VBE)'
e) En este caso,
(/3+1)=
Me = [S(VBE)](Ll. V
BE
)
= (-D.293 x lQ-3)(-D.17 V)
_ SOpA
R
B
47 ka
101 j> -- = --- = 10 (satisfecha)
RE
4.7 ka
4.12 Estabilizacin de la polarizacin
EJEMPLO 429
197
EJEMPLO 4.30
198
La ecuacin (4.67): S(V
BE
)
=
RE
=
/
4.7 ka
=
-0.212 x 10-
3
y
/!,le
=
[S(VBE)](L'< V
BE
)
=
(-0.212 x 10-
3
)(-0.17 V)
=
36.04 pA
En el ejemplo 4.29 el incremento de 70.9 pA tendr un impacto en el nivel de le . Para una
situacin donde le ;;:: 2 mA, la corriente resultante del colector aumentar a Q
Q
un incremento de 3.5%.
le = 2 mA + 70.9 pA
Q
= 2.0709 mA
Para la configuracin por divisor de voltaje el nivel de Rs se cambiar aR
Th
en la ecuacin
(4.64) (segn se defini en la figura 4.67). En el ejemplo 4.29. al utilizar una de R
B
= 47 ka
resulta ser un diseo cuestionable. Sin embargo, ser RTh para la configuracin del divisor de
voltaje; sin embargo, puede ser de este nivelo uno menor y todava mantener buenas
caractersticas de diseo. La ecuacin resultante para S(V
SE
) para la red de retroalimentacin
ser similar a la de la ecuacin (4.64) con RE por Re
S(f3):
El ltimo factor de estabilidad que se investigar es el de S(fJ. El desarrollo matemtico
es ms complejo que el que se encontr para SUco) y para S(VBE)' como lo da a entender la
siguiente ecuacin para la configuracin de polarizacin en emisor:
S(fJ =
= __ l,,-e ,,-e _1 _+_R.::.B_I R--,E:...) __
/3,(1 + /3, + RBIR
E
)
(4.68)
La notacin le, y /3, se utiliza para definir sus valores bajo un conjunto de condiciones de
red, mientras que la notacin f3
2
se usa para describir un nuevo valor de beta como lo establecen
causas como un cambio en temperatura, la variacin de f3 del mismo transistor o un cambio de
transistores.
Calcule le a una temperatura de 100 oC e le = 2 mA a 25 oc. Utilice el transistor descrito
en la tabla4.1. donde /3, = 50 Y /3, = 80 Y un ociente de resistencia R
B
I RE de 20.
Solucin
La ecuacin (4.68): S(fJ
=
le,(I + RBIR
E
)
/3,(1 + /3, + RBIR
E
)
(2 x 10-
3
)(1 + 20)
=
(50)(1 + 80 + 20)
=
8.32 x
y /!,le = [S(fJl[L'<f3J
=
(8.32 x 1()-<i)(30)
-
0.25 mA
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
=
42 X 10-
3
5050
En conclusin, la o ~ e n t e del colector cambi de 2 mA a una temperatura ambiente a 2.25
mA a 100 oC, representando un cambio de 12.5%.
La configuracin de polarizacin fija est definida por S(fJJ = le, 1{3, y la R
B
de la ecuacin
(4.68) puede reemplazarse por RTh para la configuracin del divisor de voltaje.
Para la configuracin de retroalimentacin en colector con RE:;;: O n,
S(fJJ =
(4.69)
Resumen
Ahora que se presentaron tres factores de estabilidad importantes, el efecto total sobre la co-
rriente del colector puede calcularse utilizando la siguiente ecuacin:
(4.70)
Al principio, la ecuacin puede parecer muy compleja, pero tome en cuenta que cada
componente slo es un factor de estabilidad para la configuracin multiplicado por el cambio
resultante en un parmetro entre los lmites de inters de temperatura. Adems, la Me que debe
determinarse simplemente es el cambio en le a partir del nivel a una temperatura ambiente.
Por ejemplo. si se examina la configuracin de polarizacin fija, la ecuacin (4.70) se
convierte en la siguiente:
(4.71)
despus de sustituir los factores de estabilidad como se deriv en esta seccin. Ahora, se usar
la tabla 4.1 para encontrar el cambio en la corriente del colector para un cambio de temperatura
desde 25 oC (temperatura ambiente) a lOO oC (el punto de ebullicin del agua). Para este rango
la tabla revela que
Meo = 20 nA - 0.1 nA = 19.9 nA
l;V
BE
= 0.48 V - 0.65 V = -0.17 V (obsrvese el signo)
y l;{3 = 80 - 50 = 30
Empezando con una corriente de colector de 2 mA con una R
B
de 240 ka, el cambio
resultante en le debido a un incremento en la temperatura de 7S oC es el siguiente:
50 2 mA
Me = (50 + 1)(19.9 nA) - ---(-0.17 V) + --(30)
240 ka 50
= 1.01 p.A. + 35.42 p.A + 1200 p.A.
= 1.236 mA
el cual es un cambio significativo debido principalmente al cambio en {3. La corriente de colector
aument desde 2 mA a 3.236 mA, pero esto era esperado, en el sentido que se reconoce en el
contenido de esta seccin, que la configuracin de polarizacin fija es la de menor estabilidad.
Si se hubiera utilizado la configuracin ms estable del divisor de voltaje, con un cociente
de RTh/R
E
: 2 y RE = 4.7 n, entonces
S(/co) = 2.89, S(VBE) = -D.2 X 10-
3
, S({3) = 1.445 X 10-6
Y Me = (2.89)(19.9 nA) - 0.2 X 10-3(-D.17 V) + 1.445 X 1Q-6(30)
= 57.51 nA + 34 p.A + 43.4 p.A
: 0.077 mA
4.12 Estabilizacin de la polarizacin 199
22 V
?
10 kQ

= 39kn

[]
3.9 Hl
1.5 kQ
=r:
..J..
FgUra 4.69 Red para ser
analizada utilizando PSpice.
50
Figura 4.70 Archivo de entrada
para el anlisis con PSpice de la
red de la figura 4.69.
200
La corriente de colector resultante es de 2.077 mA o esencialmente 2.1 mA, comparada
con los 2.0 roA a 25 oC. La red es obviamente mucho ms estable que la de
polarizacin fija, como se seal en anlisis anteriores. En este caso SCf3) no paso por encima
de los otros dos factores, y los efectos de S(VBE) y de S(lco) fueron por igual muy importantes.
A temperaturas mayores los efectos de S(l eo) y de S(V BE) sern mayores que para SCiJ! para el
dispositivo de la tabla 4.1. Para temperaturas abajo de los 25 oC le disminuir con niveles
crecientes de temperaturas negativas.
El efecto de SUco) en el proceso de diseo se convierte en una preocupacin menor,
debido a las mejores tcnicas de manufactura que continan disminuyendo el nivel de leo =
1 CBO' Tambin debe mencionarse que para un transistor en particular la variacin en los niveles
de leBo y V BE de un transistor a otro en un lote es casi despreciable, comparada con la variacin
en beta. Adems. los resultados del anlisis anterior sustentan el hecho de que para un buen
diseo estable:
El cociente R
B
I RE o RTh I RE debe ser lo ms pequeo posible con las debidas
consideraciones en todos los aspectos del diseo, incluyendo la respuesta en ac.
Aunque el anlisis anterior puede resultar confuso porque las ecuaciones son muy
plejas para algunas de las sensibilidades, el propsito es desarrollar un alto grado de
cin sobre los factores que se involucran en un buen diseo y para estar ms cerca de los
parmetros de los transistores y el impacto que ejercen sobre el funcionamiento de la red. El
anlisis de las secciones anteriores fue para las situaciones idealizadas con valores invariables
de parmetros. Ahora, se debe estar consciente de cmo puede variar la respuesta en de del
diseo con las variaciones de los parmetros de un transistor.
4.13 ANLISIS POR COMPUTADORA
Esta seccin contiene un anlisis de la red del divisor de voltaje del ejemplo 4.7 y se necesita
recurrir tanto a BASIC como a PSpice. Adems, proporciona una excelente oportunidad para
comparar las ventajas relativas de cada uno.
PSpice (versin DOS)
La red del ejemplo 4.7 se ha redibujado en la figura 4.69 con los nodos escogidos para el
anlisis PSpice. El archivo de entrada aparece en la figura4.70. Ntese que todos los parmetros
se definieron entre los nodos indicados, asumiendo al primer nodo como el de mayor potencial.
El formato del enunciado del transistor es su entrada .MODEL como lo sealarnos en el captulo
3. Si las cantidades especficas como I(RC) = IR, = lc Y V(3.4) = V
CE
se requieren en lugar de
un simple listado de todos los voltajes nodales, debe aadirse un enunciado de control .DC
como se indica. En el enunciado .De se especifica la fuente al nivel necesario. Si se repiten los
22 V como en este caso, el anlisis nicamente se har en este nivel. Si el segundo nivel es
distinto, el paquete desarrollar el anlisis a cada nivel en y entre los dos niveles utilizando un
incremento definido como la entrada siguiente, en este caso 1 V. Sin embargo, debido a que los
22 V se repiten en este enunciado de control .DC, se requiere el l V para completar el formato
OC Biasinq of BJT - Fig. 4.69
VCC 2 o 22V
Rl 2 1 39K
R2 1 O 3.9](
Re 2 3 lOR
RE 4 o l.SK
CE 4 o SOUF
Q1314QH
.MODEL QN NPN(BF-140 IS-2E-15)
.oc VCC 22 22 1
.PRINT OC I(RC) V(3,4)
.OPTIONS NOPAGE
.END
Captulo 4 Polarizacn en dc-BJT
oc Biasinq of BJT - Fi9. 4;69
, '.:,
ClRCUIT DBSClUPTrON
** ........ .... *** ....... *"" .. *'** ***'*.*It **** .. * .... *: ....... ~ . . . ; ~ ; ~ : . ' * ' ~ ~ ~ ~
... " ','
VCC 2 O 22V
I 2 1 39r:
R2 1 O 3.911;
RC 2. 3 lOr:
RE 4 O 1.5lt
CE 4 O SOUY
01 3 1 4 oN
.IIODI!L QIf_IBF>o140 :[11-2"15)'
OC VCC 22,22 1
.l'ItUIT De 1.(Re) Ve3,4)
.0P1'1011S IIORoGE
.DD
.*.. BJ'l' MODBL PARIIMBTERS
QIf
1fPIf
IS 2.000000B-15
Bl' 140
.....
, De TRAIISFER .CURVES
YCC
2.200E+Ol
I(ac) V(l,.)
8.512E-04 1.220E+Ol
FIgUra 4.7I Archivo de salida para el anlisis con PSpice de la red de la figura 4.69.
de la instruccin, pero se omite en la secuencia operacional. La instruccin .PRINT puede
escribirse despus para especificar las c:antidades deseadas en el listado del archivo de salida,
El archivo de salida aparece en la fIgura 4.71 con la lista de parmetros especifIcados del
modelo y los niveles que se desean de salida. Tanto para lc() como para V
CE
los resultados
obtenidos, utilizando PSpice, son una rplica exacta con las soluciones del ejmplo 4,7, Esto
es, lec = 8,5l2E-D4 = 0,8512 mAy Ve", = L220E+Ol = 12.2 V.
Anlisis con el centro de diseo PSpice para Windows
Con la misma tcnica descrita en el captulo 2, la red de la figura 4,69 puede crearse sobre la
pgina esquemtica como se muestra en la figura 4.72. El transistor y el capacitar no aparecen
en redes anteriores, pero son parte de la biblioteca Get New Par!. El capacitar se encuentra
listado en la biblioteca analog.slb y el transistor Q2N2222 en la biblioteca eval.slb, Obsrvese
en eval.slb que cuando se selecciona una parte, con el dispositivo apuntador (mouse), sobre el
Q2N2222, aparece una descripcin (Description) arriba de la seleccin en la caja de dilogo
Get ParL Recuerde que los VIEWPOINT (puntos de vista) se establecen al elegir la opcin
8,242E-04
Vcc ,-----",.,---{" )----,
R1
39k
1,9 59
R2
3.9k
Re
10k 1 3,7580
1.2588
+----<0>----'1/
I CE
-'- 50uF
Figura 4.72 Presentacin esq uemtica
de PSpice (Windows) de la figura 4.69.
4,13 Anlisis por computadora 201
202
desde la biblioteca special.slb. Cada VIEWPOINT se coloca con slo ,Pprimir el botn iz-
quierdo del dispositivo apuntador. Para terminar el proceso oprima el bot'n derecho del apun-
tador. La corriente del colector ser recogida por la opcin IPROBE de la biblioteca special.slb.
como se muestra en la rama del colector de la red. Tome en cuenta que la corriente que debe
captarse se site en el crculo ms cercano a la curva interna, porque sta significa la escala de
medicin.
En la figura 4.69 la beta del transistor es 140 y la corriente de saturacin se ha inicializado
en 2E-15A. Una vez en el esquema, al oprimir el smbolo del transistor (slo una vez) y te-
cleando Edit, en la barra de men, aparecer una lista de opciones donde Model es una de
ellas. Se elige Model y aparecer una caja de dilogo Edit Model. Como nicamente estamos
interesados en cambiar la beta y establecer 15 para esta red, se escoge Edit Instance Model
(elegir modelo ejemplo). Entonces se proporciona una Jista para el transistor Q2N2222 y pueden
cambiarse Is(e Ise) a2E-15 y Bra 140. Una vez cambiados. se oprime OK y los parmetros de
la red han sido modificados.
Es muy probable que la mayora de los usuarios de Windows coloquen primero los resistores.
seguidos por el capacitar, transistor y la fuente de voltaje dc. Las lneas se capturan por lo general
al final para completar la red. Sin embargo, el resultado de dicha secuencia es que los nodos
tengan asignados valores numricos de acuerdo con la secuencia en que los elementos fueron
capturados, y las probabilidades sern que no concuerden con el valor numrico asignado a cada
nodo en la figura 4.69. Sin embargo, las referencias de los nodos pueden cambiarse si se elige
Analysis y luego Examine Netlist (examinar lista). Lo mejor sera prever que la introduccin de
un IPROBE requerir de la introduccin de un nodo adicional entre V ce y la terminal del colector
del transistor. En este caso el nodo adicional (5) fue asignado para asegurar que las referencias de
los nodos sean las mismas que la figura 4.69. Los nmeros asignados podrn cambiarse con una
secuencia insertldeJete (insertarlborrar) y registrar cuando se abandone la caja de dilogo.
Antes de simular el programa. debe estar seguro de que Probe Setup (inicializacin de la
prueba) bajo Analysis no est inicializada para ejecutar automticamente Probe despus de
la simulacin. Esto le ahorrar tener que involucrarse con la respuesta de Probe antes de ver el
archivo de salida. La respuesta de Probe se examinar eI1 el captulo 8 cuando se analice un sistema
eu ac. Lasimulaciu de la red dar I'orresultado el archivo de salida de la figura 4 .73 . El archivo de
la figura 4.73 es una versin cortada y pegada para pennitir una concentracin de los elementos ms
importantes del archivo. Obsrvese que la lista neta esquemtica (Schematics Netlist) tiene las
mismas referencias de nodos que la figura 4.69 para cada elemento, y que el transistor se encuentra
listado en la secuencia 3-1-4 (colector, base, emisor) como lo requiere la versin DOS. Los parmetros
del modelo BIT (BJT MODELPARAMETERS) es un listado de los parmetros ms importantes
que definen al transistor Q2N2222. Ntese que IS es 2615 y BF (beta) es 140.
Se puede encontrar una descripcin de todos los parmetros listados en THE DESIGN
CENTER Circuit Analysis Reference Manual (manual de referencia del anlisis de circuitos
del Centro de Diseo) de MicroSim Corporation. Los niveles dc para los diferentes nodos
(respecto a la tierra) son parte de la solucin de polarizacin en pequea seal (Sman Signal
Bias Solution). El voltaje V
eE
del transistor es de 13,7580 V - 1.2588 V = 12.5 V, que es casi
igual a la solucin DOS. El siguiente listado incluye los distintos niveles de corriente y voltaje
de la red y sus parmetros como se definieron mediante el punto de operacin resultante.
Obsrvese que Ices 0.824 mA comparado con 0.851 mA para el anlisis en DOS y que VBEes
0.688 V o aproximadamente 0.7 V como se desea. La beta de es ahora 55 en lugar del 140
capturado y la beta de ac es 65. la cual ser utilizada para la respuesta en ac. El cambio no
sucedi en la versin DOS porque se pudo seleccionar un transistor npn sin tener que escoger
un modelo en particular. que tuviera todos sus parmetros de definicin. En la versin de
evaluacin de PSpice para Windows uno debe elegir un transistor de la lista proporcionada y
simplemente modificar los parmetros de definicin lo mejor posible. Los cambios adicionales
se pudieron haber hecho para crear una similitud ms cercana, pero el detalle que se requiere
va ms an de las necesidades de este texto.
Obsrvese en el esquema de la figura 4.72 como los VIEWPORT e IPROBE reflejan los
mismos resultados impresos en el archivo de salida. El uso adecuado de VIEWPORT e IPROBE
eliminan la necesidad de estar preocupados acerca de las referencias nodales, porque los voltajes
y las corrientes pueden observarse directamente sobre el esquema despus de la simulacin.
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
.,. CIRcurr DESCRIPTION
.....................................................................................
.....
Schcmatic:s Nctlist
RR2
R-RJ
R-Re
R-RE
C=CE
V_Ycc
<LQl
v_v:
.....
o SN 0001 3.9k
$N 0001 $N ooo239k
SN-=,OOO3 SN-:'OOOS 1010:
O SN_OOO4 1.5k
0$);_0004 SOuF
S"-,'002 O OC nv
SN_OOO3 SN_OOOI SN_OOO4 Q N ~ X
SN _ 0002 SN _0005 O
BJT MODEL PARAMETERS
................................................................................
Q N Z ~ X
NPN
(S 2.000000E- t 5
BF 140
NF 1
VAF 74.03
IKF .2841
ISE \4.34ooooE\5
NE 1301
BR 6,091
NR ,
RB 10
RBM 10
RC 1
eJE n.01OOOOE-12
MJE m
CJC 7.306OOOE-\2
MJC .3416
TF 411.l1XlOOQE..12
XTF 3
VTF 1.7
ITF .6
TR 46.91 0000E-09
XTB 1.5
..... SMAll SlGNAL BIAS soumON TEMPERATURE" 27.000 DEG e
............................................................................
.....
NODE VOLTAGE
VOLTAGE
NODE VOLTAGE NaDE VOLTAGE NODE
(St-.tOOO1) 19469
(SN_OOO3) 13.7580
($N 3JO()S) n 0000
(SN_OOO2) 22.0000
($N _0004) 1.258$
VOLTAGESOURCECURRENTS
NA,,\1E. CURRENT
-1.338E-OJ
8.242E..04
TOTALPOWERDlSSlPATION 2.94E..Ql WATrS
BIPOLAR JUNCTfON TRANSISTO.RS
NAME Q_QI
MODEL Q2N=-X
lB l.SO&OS
le 8.Z4E-04
VSE 68SB-61
VBC -1.I8E+Ol
va L2SE+Ol
BETADC 5.50E+Ol
GM 3.JIE..02
RPl 2.04E"'l3
RX I.OOE+OI
RO I.04E"'lS
CBE 5.06&11
CBC 2.'95-12
CBX O.OOE"'lO
ClS O 00E"'lO
SET Me 6.SQE"'l'
FT 9,47E+07
4_13 Anlisis por computadora
Figura 4.73 Archivo de salida
para la red de la figura 4.72.
203
204
BASIC
El programa que se desarrollar con BASIC llevar a cabo el mismo anld,is que el otro lista-
do, ir un paso adelante y permitir cambiar la configuracin mediante la especificacin de un
circuito abierto o un corto circuito para los parmetros. Por ejemplo, si R
2
se hace igual a 1 E30
ohms, se trata en esencia de un circuito abierto y que da por resultado una configuracin de
polarizacin en emisor. Si RE se queda en cero ohms con R
2
en lE30 ohms, dar por resultado
una configuracin de polarizacin fija. De esta manera. el rango de aplicaciones se expande y
limita la biblioteca de programas necesarios para hacer el anlisis en un rea en particular.
En la tabla 4.2 aparece un resumen de las ecuaciones utilizadas junto con un resumen de
las variables en la tabla 4.3. Un mdulo de programa que empieza en la lnea 10000 est escrito
en BASIC para realizar los clculos necesarios para el anlisis en de de la red de la figura 4.69.
La lnea 10010 calcula la resistencia de base equivalente de Thveriin de R, en paralelo con
R
2
. La lnea 10020 calcula el voltaje equivalente de Thvenin en la base. Luego se determinal
s
en la lnea 10030 utilizando un voltaje base-emisor de 0.7 V. La lnea 10040 prueba para una
condicin de corte, la que ocurre si el valor de V
r
es menor que V
SE
;;:: 0.7 V, en cuyo caso lB
toma el valor de cero; de otra forma, 18 permanece como se calcul en la lnea 10030. Las
lneas 10060 y 10070 calculan le e lE' respectivamente.
TABLA 4.2 Ecuaciones y enunciados del programa para el
mdulo de clculos de polarizacin de dc
TABLA 4.3 Variables para ecuacin y el
programa para el mdulo de
clculos de polarizacin de dc
Ecuacin
RTh =
R R ~
R, + R
2
R,
ETh ;::: V
cc
R, + R,
ETh - 0.7
RTh + (13 + I)R
E
le = f3
l
s
VE = IERE
V
s
= VE + 0.7
Ve V
cc
- leRe
Enunciados para el programa
Variable en la ecuacin Variable en el programa
RT ;:::.(Rl * R2)(Rl + R2)
R,
R,
RI
R2
VT = (R2 ' Cel/(R' + R2)
RT
CC
lB = (VT - O.7)I(RT + (BETA + 1) , RE)
VT
lB
BE
IC
lE
VE
VB
vC
CE
= BETA' lB
= (BETA + 1)
, lB
= lE ' RE
= VE + 0.7
= CC - IC ' RC
= VC - VE
~
BETA
RE
IC
lE
VE
VB
VC
CE
La lnea 10090 prueba la condicin de saturacin de un circuito, y establece le (e lE) con
el valor de saturacin. De otra manera, los valores de le e lE permanecen como se calcularon
previamente. Por tanto las lneas 10100 a 10120 calculan VE' VE Y Veo respectivamente. La
lnea 10130 calcula V CE Y luego el mdulo de programa regresa al programa principal.
El programa principal solicita la entrada de todos los datos adecuados del circuito, como
el mdulo 10000 para hacer los clculos de polarizacin de de. Los pasos del programa principal
para imprimir los resultados se proporcionan en la figura 4.74. Una vez ms, obsrvese la
correspondencia que est cerca de los resultados obtenidos antes para lc y para V
CE
.
(1 (1
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
10 REM 1t **" **'* '* .. '" 11 .,,"'** *." *** *** '* * * ** *." *********,********11:****
20 REH
30 REM OC CALCULATIONS OF STANDARD CIRCUIT
40 REM
50 REM ***************************************'*************
60 REM
100 PRHI'l' "This pl:'ogram calculates the de bias"
110 PRINT "for a standard cLrcuLt as shown in figure 4.69."
120 PRINT
130 PRIN1' "First, en ter the following crcut data:"
140 INPUT "RB1="Rl
150 INPUT "RB2(Use lE30 if topen'}o::";R2
160 INPUT "RE=";RE
170 InpUT "RC:" Re
190 PRIN'I'
190 INPUT "VCC=";CC
200 PRIN'I'
210 INPUT "Transistor beta=" ; BETA
220 PRINT
230 REM Now do circuit calculations
240 GOSU6 10000
250 PRINT uThe results of de bias caleulations are:"
260 PRIN'l
270 PRIN'l' "Circui t curnmts: 11
:zso PRINT "18=II;IB"'1000000J ;"UA"
290 PRIN'f "Ie=" ;IC*1000;"lllA"
300 PRINT "IE=";IE*1000;"mA"
310 PRINT
320 "Circuit voltages:"
330 PRINT "VB=";VB;"vOlts"
340 PRIN'I' "VE=" ;VE;"vQlts"
350 PRIN'l' "VC=fl ;VC;"volts"
360 "VCE=" CE; "vol ts"
370 PRINT :PRINT
380 ERD
10000 REM Module to calculate de bias of BJT circuit
10010 RT-Rl*(R2/(Rl+R2))
10020 VT==CC*(R2! (Rl''R2)
10030
10040 REM Test for cutoff condition
10050 IF VT<=.7 TnEN lB=O
10060 IC=BETA*IB
10070IE==(BETA+l)*IB
10080 REM Test /for saturation condition
10090 IF IC*(RC+RE)-CC TREN lC=CC/(RE+RC) :IE=lC
10100 VE""IE"'RE
10110 VB""VE+.7
10120
10130 CE"'"VC-VE
10140 RE'tURN
RUN
This program calculates the de bias
for a standard circuit as shown in Figure 4.69.
First, enter the following circuit data:
RBl""? 39:E3
RB2(use lEJO if 3.9E3
RE=? l. s:E:3
RC=? lOE3
VCC=? 22
Transistor 140
The results of de bias calculations are:
Circuit currents:
lB= uA
re=: .846:3327 mA
lE: .8523779 roA
Circuit qoltaqes!
V8= 1.978567 valts
VE= 1.278567 volts
VC= 13.53667 volts
VCE"" 12.25811 volts
4.13 Anlisis por computadora
Figura 4.74 Programa BASle
para el anlisis de la red de la
figura 4.69.
205
PROBLEMAS
206
4.3 Circuito de polarizacin fija
1. Para la configuracin de polarizacin fija de la figura 4.75. determine:
/
a) lB .
b) le' .
Q 16V
e) V CE .
d) Ve'
e) VE'
D VE' 2.7kQ
470 kQ
2. Dada la informacin que aparece en la figura 4.76. calcule:
a) le
b) Re
e) R ..
d) V
eE
.
3. Dada la infornlacin que aparece en la figura 4.77, determine:
a) le
b) V
ee
e) [3.
d) R
B
.
2.2 kQ
+
figura4.75 Problemas 1,4,11,
47,51,52,53,56.61.
Figura 4.77 Problema 3.
4. Encuentre la corriente de saturacin (le",,) para la configuracin de polarizacin fija de la figura 4.75.
* 5. Dadas las caractersticas del transistor BJT de la figura 4.78:
a) Dibuje una recta de carga sobre las caractersticas determinada por E = 21 V Y Re = 3 kQ para
una configuracin de polarizacin fija.
b) Escoja un punto de operacin a la mitad entre el corte y la saturacin. Determine el valor de RE
para establecer el punto de operacin resultante.
c) Cules son los valores resultantes de le () y de V CE Q?
d) Cul es el valor de f3 en el punto de operacin?
e) Cul es el valor de a definido para el punto de operacin?
f) Cul es la corriente de saturacin (le,,) para el diseo?
g) Dibuje la configuracin resultante de polarizacin fija.
h) Cul es la potencia dc disipada por el dispositivo en el punto de operacin?
i) Cul es la potencia proporcionada por V
ee
?
j) Detennine la potencia que los elementos resistivos disiparon al tomar la diferencia entre los
resultados de los incisos h e i.
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
9
8
7
6
5
4
3
2

le (mA)
5
. , 1;--;- f 110A.
](Xl
10 15
:
"

.
::::;c ,,:-, i ,c::
:50uA '
re-: ,,;
10,A '=ti:

25 30
Figura 4.78 Problemas 5.10,19,35,36.
4.4 Circuito de polarizacin estabilizado en emisor
6. Para el circuito de polarizacin con emisor estabilizado de la figura 4.79, determine:
a) lB
b) 1/,
,
e) VCE(J'
d) Ve
e) VE'
f) VE'
7. Con la informacin que proporciona ia figura 4.80, calcule:
a) Re
b) RE'
e) RB'
d) VeE'
e) VE'
8. Con la informacin que ofrece la figura 4.81, determine:
a) f3.
b) V
ee
e) RE'
9. Calcule la corriente de saturacin para la red de la figura 4.79.
'* 10. Usando las caractersticas de la figura 4.78, determine lo siguiente para una configuracin de
polarizacin en emisor si se define un punto Q en le = 4 mA y V CE = 10 V.
Q Q
al Re SI V
cc
= 24 Vy R
E
= 1.2 kQ.
b) f3 en el punto de operacin.
el RE'
d) La potencia disipada por el transistor.
e) La potencia disipada por el resistor Re
Problemas
20 V
510 kQ
2AkQ
.leQ

f3= 100
i<-Ij-k-Q--.<J VE

Figura 4.79 Problemas 6, 9, 1,
20.24,48,51,54,58.62.
12V
=i).2mA
Re
R
B
7.6 V
+
V
B
VCl:" p=.W
2.4 V
RE

figura 4.80 Problema 7.
20 .llA t
2.7 kn
+
t----o 2.1 V
0.68 k,Q
Figura 4.81 Problema 8.
207
* 11. a) DeterminelcY VCEpara la red de la figura 4.75.
b) Cambie f3 a 135 y calcule el nuevo valor de le y V
CE
para la red de la figura 4.75.
c) Determine la magnitud del porcentaje de cambio en le y V Cf; utilizando las siguientes ecuaciones:
I
/ - / I
%tl.I
c
:= C'p.",<,' x 100%,
c,"'"""
d) Determine le y V CE para la red de la figura 4.79.
e) Cambie Ja 150 y determine el nuevo valor de leY VeEpara Ja red de la figura 4.79.
f) Determine la magnitud del porcentaje de cambio en le y V CE usando las siguientes ecuaciones:
I
/ - / I
%tl.I
e
= C'p,neo' x 100%,
e,p,"',J)
g) En cada una de las ecuaciones anteriores, la magnitud de f3 se increment en un 50%. Compare
el porcentaje de cambio en leY V CE para cada configuracin Y comente sobre cul parece ser
menos sensible a los cambios en /3.
4.5 Polarizacin por divisor de voltaje
12. Para la configuracin de polarizacin por divisor de voltaje de la figura 4.82. determine:
a) / .
,
b) /e .
,
c) V
CE
'
d) Ve- Q
e) VE'
f) V .
13. Con la informacin que ofrece la figura 4.83. determine:
a) /e-
b) VE'
e) V .
d) R.
14. Con la informacin proporcionada en la figura 4.84, determine:
a) /e
b) VE'
e) V
ee
d) V
eE
.
e) V .
f) R.
16V lV
CC
3.9 Hl
62kU
tICQ
Ve
V
B
+
-
lBe
V
CEQ
VE
9.1 kQ
0.68 U"l
.. gura 4.82 Problemas 12. 15, 18,
20,24,49,51,52,55,59,63.
208

R
5.6kU
1.2 kD.
Figura 4.83 Problema 13.
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
2.7 kQ
R
t le
10.6 V
20
+
-+
V
eE
V
B
100
V,
8.2 kQ
l.2kD.

..gura 4.84 Problema 14.
15. Determine la corriente de saturacin (I e", ) para la red de la figura 4.82.
* 16. Determine para la siguiente configuracin de divisor de voltaje de la figura 4 .85 utilizando la
aproximacin. si se satisface la condicin establecida por la ecuacin (4.33).
a) le
b) Ver
e) lB'
d) VE'
e) V
B
,
* 17. Repita el problema 16 empleando el sistema exacto (Thvenin) y compare las soluciones. Basn-
dose en los resultados. es el sistema aproximado una tcnica vlida de anlisis si la ecuacin
(4.33) est satsfecha?
18.
* 19.
20.
a)
b)
e)
a)
b)
e)
d)
e)
f)
a)
b)
e)
Determine lc" ' V CE" e lB , para la red del problema 12 (figura 4.82) con el mtodo aproximado
aunque la condicin establecida por la ecuacin (4.33) no est satisfecha.
Determine Ic". V CE
r
, e lB, utilizando el mtodo ex.acto.
Compare las soluciones y' comente sobre si la diferencia es lo suficientemente grande como
para requerir el respaldo de la ecuacin (4.33) cuando se determine qu mtodo debe utilizarse.
Con las caractertsticas de la figura 4.78, detennine Rc y RE para la red del divisor de voltaje
que tiene un punto Q de le := 5 mAy Ver: = 8 V. Utilice V
cc
= 24 V y Rc = 3R
E

o '-0
Encuentre Vt.,.
Determine V B'
Encuentre R]. si R = 24 kQ suponiendo que {3R
E
> ORz.
Calcule f3 en el punto Q,
Pruebe la ecuacin (4.33) y obsrvese si la suposicin del inciso d es correcta.
Determine le y V
eE
para la red de la figura 4.82.
Cambie f3 a 120 (50% de incremento) y detennine los nuevoS valores de le y V
CE
para la red de
la figura 4.82.
Determine la magnitud del porcentaje de cambio en le y V
CE
utilizando las siguientes ecuaciones:
1
I - I 1
%M
c
c.P.''';' Cr?-l"'.' X 1ooo/c.
c.]W1< .,
I
v - V 1
%t:.V
eE
= CE,p"",, X 100%
CE'p,n, "
d) Compare la solucin del inciso e con las soluciones que se obtuvieron para e y f del
problema 11. Si no se llev a cabo, obsrvense las soluciones proporcionadas en el
apndice E.
e) Basndose en los resultados del inciso d, cul configuracin es menos sensible a las
variaciones en f3'?
* 21. 1 Repita los incisos a a e del problema 20 para la red de la figura 4.85. Cambie {) a 180 en el
inciso b.
II Qu conclusiones generales se pueden hacer respecto a las redes en las cuales se satisface la
condicin f3R
E
> IOR
2
Y las cantidades le y V CE deben resolverse en respuesta a un cambio en f3?
4.6 Polarizacin de de por retroaliinentacin de voltaje
22. Para la configuracin de retroalimentacin del colector de la figura 4.86, determine:
23.

b) le
e) Ve
Para la configuracin de retroalimentacin de voltaje de la figura 4.87 , calcule:
a) le
b) Ve
el VE'
d) V
eE
,
470kn 220 kn
'.
1.5 kQ
6.2kU
Figura 4.87 Problema 23.
1
...
Problemas
18 v
3.3 kQ
39 kf2
+--=--ov,
8.2 kQ
ka
Figura 4.85 Problemas 16, 17,21.
+16 v
3,6kQ
470kO:
0.51 ka
Figura 4.86 Problemas 22. 50. 56,
60.64,
209
* 24. a) Determine le y V
CE
para la" red de la figura 4.88.
b) Cambie f3a 135 (50% de incremento) y calcule los nuevos niveles de le y V
CE
'
c) Resuelva la magnitud del porcentaje de cambio en le y V
eE
usando las siguientes ecuaciones:
11 - 1 1 %!::J
e
== c.P.ll"I<;' elo""o, x 100o/c.
e,p.,",",
%!>V
CE
= 1 V
cc
,,,,,,", - V
CE
""",,, 1 x 100%
VeE,p"rt, "
d) Compare los resultados del inciso e con las soluciones de los problemas 11 c. 11 f y 20 c.
Cmo se compara la red de retroalimentacin del colector en funcin de las otras configura-
ciones respecto a la sensibilidad a los cambios en j3?
25. Determine el rango de posibles valores para Ve para la red de la figura 4.89 empleando el
potencimetro de l-MQ.
* 26. Dado V
B
::; 4 V para la red de la figura 4.90. resuelva:
a) VE'
b) le
e) V
c
,
d) V
CE
'
e) lB'
f) 13
+22V +12Y
18 v
9.1 kQ 4.7 kQ
2.2 kQ
330 kQ
Ve
+
470 kQ ISO kQ
~ N V \ . - N ~ ~ Ve
1MQ
P=180
V
eE
fi
P=90
VE
9.1 kQ
3.3 kQ
\.lkQ
...
FIgura 4.88 Problema 24. Figura 4.89 Problema 25. Figura 4.90 Problema 26.
4.7 Diversas configuraciones de polarizacin
18 V
3.9 kQ
560 k.Q
r---"oIV",",-h-.o Ve = 8 V
le
+
...
Figura 4.91 Problema 27.
210
27. Con Ve = 8 V para la red de la figura 4.91, determine:
a) lB'
b) le
e) 13,
d) V
eE
,
* 28. Para la red de la figura 4.92, calcule:
a) lB'
b) le
e) V
cc
'
d) Ve
Captulo 4 Polarizacin en dc-B.IT
...
9.1 kQ
f6V
12kQ
ve t le
+
V
e
1=:
15kQ
-12 V
j3 = 120
Figura 4.92 Problema 28.
* 29. Para la red de la figura 4.93, especifique:
a) lB'
b) le
e) VE'
d) Vet.
* 30. Determine el nivel de VE e lE para la red de la figura 4.94.
* 31. Para la red de la figura 4.95. determine:
a) 1 "
b) Ve
c) V
cr 6Y


9.1 kQ
5JkQ "Ie
Ve
330 kQ
+
P=130
510 kQ
1.5 kQ
'-----+----0 -18 v
120
+
].2 kD
-6\/
Figura 4.93 Problema 29. Figura 4.94 Problema 30. Figura 4.95 Problema 31.
4.8 Operaciones de diseo
32. Calcule Rc y R B para una configuracin de polarizacin fija si V cc = 12 V. f3 = 80 e le = 2.5 roA
con V CE = 6 V. Utlice valores estndar. Q
(1
33. Disee una red con estabilizacin en emisor a = flc, y V
ccQ
= +VcC' Utilice V
cc
= 20 V.
lc = 10 mA. f3= 120 Y Rc = 4R
E
Utilice los valores estndar.
34. Disee una red de polarizacin por divisor de voltaje utilizando una fuente de 24 V, un transistor
con una beta de 110, y un punto de operacin de lc(. = 4 mAy V
CE
(. = 8 V. Elija VE = +V
cc
Utilice
valores estndar.
* 35. Con las caractersticas de la figura 4.78. disee una configuracin de divisor de voltaje que tenga
un nivel de saturacin de 10 mA. Y un punto Q a la mitad entre el corte y la saturacin. La fuente
que est disponible es de 28 V Y VE Y debe ser un quinto de VCC' La condicin establecida por la
ecuacin (433) tambin debe cumplirse para ofrecer un alto factor de estabilidad. Utilice los
valores estndar.
4.9 Redes de conmutacin de transistores
* 36. Con las caractersticas de la figura 4.78, determine la apariencia de la forma de onda de salida para
la red de la figura 4.96. Incluya los efectos de V CE", Y determine lB' e le,,, cuando Vi = 10 V.
Detennine la resistencia colector a emisor en saturacin y en corte.
* 37. Disee el inversor a transistor de la figura 4.97 para operar con una corriente de saturacin de
8 mA empleando un transistor con una beta de 100. Utilice un nivel de lB igual a1120% de lB y
valores es.tndar de resis.tores. """
10 V
v,
2.4kQ
IOV
180 ka
5Y
v,
OY
ov
FIgUra 4.96 Problema 36. F'lgura 4.97 Problema 37.
Problemas
1.8 kD
10Y
5Y
p= lOO
211
~ _ < O +V
ee
= 16 V
Re
3.6kn
Hgura 4.100 Problema 41.
212
38. a) Con las caractersticas de la figura 3 .23c, determine teTlcendido y tapagado para una corriente de
2 mA. Obsrvese cmo se utilizan las escalas logartmicas y la posible necesidad de referir-
se a la seccin 11.2.
b) Repita el inciso a para una corriente de 10 mA. Cmo han cambiado tencendido y {apagado con
el incremento de corriente del colector?
~
e) Dibuje para los incisos a y b la forma de onda del pulso de la figura 4.56 y compare los
resultados.
4.10 Tcnicas para la localizacin de fallas
* 39. Todas las mediciones de la figura 4.98 revelan que la red no est funcionando de manera adecuada.
Enliste las posibles razones para las mediciones que se obtuvieron.
20V 20V 20V
4.7kn
4.7kn
4.7kn
470kn 470kn 470kn
20V
+
20V
OV 0.05 V
1.2kf! 1.2kf!
1.2kf!
C,) Cb) Co)
Hgura 4.98 Problema 39.
* 40. Las mediciones que aparecen en la figura 4.99 revelan que las redes no estn operando adecuada-
mente. Sea especfico al describir por qu los niveles reflejan un problema en el comportamiento
esperado de la red. En otras palabras, los niveles obtenidos sealan un problema muy especfico en
cada caso.
16V 16V
3.6 kn 3.6 kn
91 kn 91 kn
V
B
=9.4V
fi= 100
2.64 v 9------1 fi=IOO
4V
18kn 18 kl
1.2 kl
1.2 kn
C,) Cb)
Figura 4.99 Problema 40.
41. Para el circuito de la figura 4.100:
a) (,Se incrementa o disminuye Ve si R
B
aument?
b) Se incrementa o disminuye le si f3 se incrementa?
c) Qu sucede con la corriente de saturacin si f3 aumenta?
d) Se incrementa o disminuye la corriente del colector si V
ce
se disminuye?
e) Qu sucede a V
CE
si el transistor se reemplaza con uno con una {3 ms pequea?
Captulo 4 Polarizacin en dc-BJT
'.
42. Conteste las siguientes preguntas acerca del circuito de la figura 4,101.
a) Qu le sucede al voltaje V
c
si el transistor se reemplaza con uno que tenga un mayor valor de {3?
b) Qu le pasa al voltaje V CE si la terminal de tierra del reslstor Rs se abre (no se conecta a la
tierra)? '
c) Qu le sucede a le si el voltaje de la fuente es bajo?
d) Qu voltaje V
CE
debe ocurrir si la unin del transistor base-emisor falla al convertirse en abiera?
e) Qu voltaje V
CE
debe resultar si la unin del transistor base-emisor falla al convertirse en
corto circuito?
R,
10 kQ
...
+V
cc
= 20 V
...
Re
IOkQ
/3= 80
Figura 4.101 Problema 42 .
* 43. Conteste las siguientes preguntas acerca del circuito de la figura 4.102.
a) Qu le sucede al voltaje V
c
si el resistor Rs se abre?
b) Qu le pasa al voltaje V CE si f3 se incrementa debido a la temperatura?
c) Cmo se ver afectado VE cuando se reemplace el resistor de colector con uno cuya resistencia
est en el extremo inferior del rango de tolerancia?
d) Si la conexin del colector del transistor se abre, qu le pasar a VE?
e) Qu puede motivar que V CE tome el valor de cerca de 18 V?
4.11 Transistores pnp
44. Calcule Vc' V
CE
e lc para la red de la figura 4.103.
45. Detennine Ve e 1 s para la red de la figura 4.104.
46. Determne lEY V C para la red de la figura 4.1 05.
-12 V
510 kQ
...
Ve
+
VCE /3= 100
-22 V
82kQ
lB
-
16kQ
2.2 kQ
~
/3=2W
0.75 kQ
V
CC
=+18V
Re
2.2 kQ
/3=90
...
Figura 4.102 Problema 43.
Figura 4.103 Problema 44. FIgura 4.104 Problema 45. FIgura 4.105 Problema 46.
Problemas
213
214
4.12 Estabilizacin de la polarizacin
47. Determine lo siguiente para la red de la figura 4.75.
a) S(lco).
~ ~ ~ .
e) S({J) utilizando T
1
como la temperatura en la que los valores de los parmetros 6stn especifi-
cados y f3(T,) como el 25% mayor que f3(T,l.
d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operacin con un incre-
mento de 'ca de 02 j.iAa 10 J1..A, una cada de V
BE
de 0.7 V a 0.5 V Y un incremento de j3del25o/c.
* 48. Para la red de la figura 4.79, determine:
a) S(lco).
b) S(V
BE
).
e) S({J) utilizando T) como la temperatura en la cual las valores de los parmetros estn especifi-
cados y {3(T
2
) como e125% mayor que {3(T
1
).
d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operacin con un
incremento de 1 ca de 0.2 J1A a 10 J1A, una cada de V
BE
de 0.7 V a 0.5 V Y un incremento de f3
del 25%.
* 49. Para la red de la figura 4.82. detennine:
a) S(lco).
b) S(VBE).
c) S(fJJ utilizando T) como la temperatura en la que los valores de los parmetros estn especifi-
cados y f3(T,) como el 25% mayor que f3(T]).
d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operacin con un
incremento de leo de 0.2 ~ A a 10 j1A, una cada de V
BE
de 0.7 Va 0.5 V Y un incremento de f3
del 25%.
* 50. Para la red de la figura 4.91, detennine:
a) S(lco).
b) S(VBE).
c) S(fJJ utilizando T) como la temperatura en la cual Jos valores de los parmetros estn especifi-
cados y j3(T,) como el 25% mayor que f3(T]).
d) Detennine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operacin con un
incremento de lea de 0.2 ~ A a 10 f..1.A, una cada de V BE de 0.7 V a 0.5 V Y un incremento de
f3 del 25%.
* 51. Compare los valores relativos de la estabilidad para los problemas 47 a150, c ~ resultados para los
ejercicios 47 y 49 pueden encontrarse en el apndice E. Se pueden derivar algunas conclusiones
generales a partir de los resultados?
* 52. a) Compare los niveles de estabilidad para la configuracin de polarizacin fija del problema 47 .
b) Compare los niveles de estabilidad para la configuracin de divisor de voltaje del problema 49.
c) Cules factores de los inciso a y b parecen tener mayor influencia sobre la estabilidad del
sistema, o no existe un patrn general sobre los resultados?
4.13 Anlisis por computadora
53. Lleve a cabo un anlisis PSpice (versin OOS) de la red de la figura 4.75. Esto es ,determine I C' V CE e lB.
54. Repita el problema 53 para la red de la figura 4.79,
55. Repita el problema 53 para la red de la figura 4.82.
56. Repita el problema 53 para la red de la figura 4.86,
57. Repita un anlisis PSpice (versin Windows) para la red de la figura 4.75.
58. Repita el problema 57 para la red de la figura 4.79.
59. Repita el problema 57 para la red de la figura 4.82.
60. Repita el problema 57 para la red de la figura 4.86.
61. Desarrolle un anlisis de la red de la figura 4.75 utilizando BASIC. Es decir, detenrune lC' V
CE
e lB'
62. Repita el problema 61 para la red de la flgura 4.79.
63. Repita el problema 61 para la red de la figura 4.82.
64. Repita el problema 61 para la red de la figura 4.86.
*Los asteriscos indican problemas ms difciles.
Capitulo 4 Polarizacin en dc-BJT
Transistores
de efecto de campo
CAPTULO
-----------------------IDDivp---
5.1 INTRODUCCIN
El transistor de efecto de campo (FET) (por las siglas en ingls de Field Effect Transistor) es
un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan, en
una gran proporcin, a las del transistor BJT descrito en los captulos 3 y 4. Aunque existen
importantes diferencias entre los dos tipos de dispositivos, tambin es cierto que tienen muchas
similitudes que se presentarn a continuacin.
La diferencia bsica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT
es un dispositivo controlado por corriente como se describe en la figura 5.1 a. mientras que el
transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje como se muestra en la figura 5 .lb. En
otras palabras. la corriente le de la figura 5.1a es una funcin directa del nivel de lB' Para el
FET la corriente ID ser una funcin del voltaje V GS aplicado al circuito de entrada como se
muestra en la figura 5.lb. En cada caso, la corriente del circuito de salida est controlado por
un parmetro del circuito de entrada, en un caso se trata de un nivel de corriente y en el otro
de un voltaje aplicado.
(Corriente de controi) 18
.....
BJT
(a)
+
(Voltaje de control) V GS
FET
FIgura 5.1 Amplificadores
controlados por a) corriente y
(b) b) voltaje.
De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp, hay transistores de
efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante considerar que el transistor
BJT es un dispositivo bipolar; el prefijo bi indica que el nivel de conduccin es una funcin de
dos portadores de carga, los electrones y los huecos. El FET es un dispositivo unipolar que
depende nicamente de la conduccin o bien, de electrones (canal-n) o de huecos (canal-p).
El tnnino "efecto de campo" en el nombre seleccionado merece cierta explicacin. Toda
la gente conoce la capacidad de un imn permanente para atraer limaduras de metal hacia el
imn sin la necesidad de un contacto real. El campo magntico del imn permanente envuelve
las limaduras y las atrae al imn por medio de un esfuerzo por parte de las lneas de flujo
magntico con objeto de que sean lo ms cortas posibles. Para el FET un campo elctrico se
215
Los doctores Jan Munro Ross y G. C.
Dacey desarrollaron juntos en 1955
un procedimiento experimental para
medir las caractersticas de un
transistor de efecto de campo.
(Cortesa de AT &T Archives.)
Jan Munro Ross
El doctor Ross naci en
Southport, Inglaterra
PhD Gonville and
Caius College,
Cambridge University
Presidente emrito de
AT & T BeU Labs
Socio de IEEE,
Miembro de la
National Science Board
Presidente del National
Advisory Committee
on Semiconductors
G. C.Dacey
216
El doctor Dacey naci en
Chicago, lllinois
PhD California Institute of
Technology
Director de Solid State
Electronics Research de
Bell Labs
Vicepresidente de
Investigacin en Sandia
Corporation
Miembro de fRE, Tau Beta
Pi, Eta Kappa Nu
establece mediante las cargas presentes que controlarn la trayectoria de conduccin del cir-
cuito de salida, sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras y
controladas.
Existe una tendencia natural cuando se presenta un segundo dispositivo con un rango de
aplicaciones similar a uno que se dio a conocer previamente, para comparar algunas de las
caractersticas generales de cada uno. Uno de los rasgos ms importantes del FET es una gran
impedancia de entrada. A un nivel desde 1 a varios cientos de megaohms excede por mucho
los niveles tpicos de resistencia de entrada de las configuraciones con transistor BJT, un punto
muy importante en el diseo de amplificadores lineales de ac. Por otro lado, el transistor BJT
tiene una sensibilidad mucho ms alta a los cambios en la seal aplicada; es decir, la variacin
en la corriente de salida es obviamente mucho mayor para el BJT, que la que produce en el FET
para el mismo cambio de voltaje aplicado. Por esta razn,las ganancia,s normales de voltaje en
ac para los amplificadores a BJT son mucho mayores que para los FET. En general, los FET
son ms estables a la temperatura que los BJT, y los primeros son por lo general ms pequeos
en construccin que los BJT, lo cual los hace mucho ms tiles en los circuitos integrados (le)
(por las siglas en ingls de, Integrated Circuits). Sin embargo, las caractersticas de construc-
cin de algunos FET los pueden hacer ms sensibles al manejo que los BIT.
En este captulo se presentarn dos tipos de FET: el transistor de efecto de campo de unin
(JFET) (por las siglas en ingls de, Junction Field Elfect Transistor) y el transistor de efecto de
campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) (por las siglas en ingls de Metal-Oxide-
Semiconductor Field Elfect Transistor). La categora MOSFET se desglosa despus en los
tipos decremental e incremental, los mismos que describiremos. El transistor MOSFET se ha
convertido en uno de los dispositivos ms importantes en el diseo y construccin de los cir-
cuitos integrados para las computadoras digitales. Su estabilidad trmica y otras caractersticas
generales lo hacen muy popular en el diseo de circuitos para computadoras. Sin embargo,
como elemento discreto en un encapsulado tpico de sombrero alto, se debe manipular con
cuidado (tema que se analizar en una seccin
Una vez que se hayan presentado la construccin y las caractersticas del FET, los arreglos
de polarizacin se cubrirn en el captulo 6. El anlisis que se desarroll en el captulo 4
utilizando' transistores BJT ser muy til para derivar las ecuaciones importantes y para el
entendimiento de los resultados obtenidos para los circuitos a FET.
5.2 CONSTRUCCIN
Y CARACTERSTICAS DE LOS JFET
Como se indic anterionnente, el JFET es un dispositivo de treS terminales, con una tenninal
capaz de controlar la corriente de las otras dos. En el anlisis del transistor BIT se utiliz el
transistor npn a travs de la mayor parte de las secciones de anlisis y diseo; tambin se
dedic slo una seccin al impacto del uso del transistor pnp. Para el transistor JFET, el dispo-
sitivo de canal-n aparecer como el dispositivo importante y se dedican prrafos y secciones al
impacto del uso de un JFET de canal-p.
La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura 5.2. Obsrvese que la
mayor parte de la estructura es del material de tipo-n que forma el canal entre las capas interio-
res del material de tipo p. La parte superior del canal de tipo n se encuentra conectada por
medio de un contacto hmico a la terminal referida como el drenaje (D), mientras que el
extremo inferior del mismo material se conecta por medio de un contacto hmico a una termi-
nal referida como lafuente (S) (por su sigla en ingls, Source). Los dos materiales de tipo p se
encuentran conectados entre s y tambin a una terminal de compuerta (G) (por la sigla en
ingls de, Gale). Por tanto, el drenaje y la fuente se hallan conectadas a los extremos del canal
de tipo n y la entrada a las dos capas de material tipo p. Durante la ausencia de cualesquiera
potenciales aplicados el JFET tiene dos uniones pon bajo condiciones sin polarizacin. El re-
sultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se muestra en la figura 5.2,la cual
se asemeja a la regin de un diodo sin polarizacin. Recuerde tambin que la regin de
agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es, por tanto, incapaz de soportar la
conduccin a travs de la regin.
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
Contactos

Cumpuerta(G)
0--'----1--1
Regin de
agotamiento
Drenaj;:
Canal-11
ruentc. (5)
Regin de
a!,'otamienlo
Hgura 5.2 Transistor de efecto de campo
de unin OFET).
En raras ocasiones son perfectas las analogas y a veces pueden causar confusiones; sin
embargo. la analoga del agua de la figura 5.3 proporciona cierto sentido sobre el control del
JFET a tI de la terminal de compuerta y acerca de lo adecuado de la terminologa aplicada
a las terminales del dispositivo. La fuente de la presin del agua se parece al voltaje aplicado
desde el drenaje a la fuente que establecer un flujo de agua (electrones). a travs de la llave
(fuente). La "compuerta", mediante una seal aplicada (potencial), controla el flujo de agua
(carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y de la fuente se encuentran en los extre-
mos opuestos del como en la figura 5.2 porque la terminologa est definida para el
flujo de electrones.
VGS = O V, VDS algn valor positivo
En la figura 5 A se ha aplicado un voltaje positivo VDS a travs del canal, y la entrada se conect
directamente a la fuente con objeto de establecer la condicin V GS = O V. El resultado es que la
compuerta y la fuente tienen el mismo potencial y una regin de agotamiento en el extremo
inferior de cada material-p similar a la distribucin de la condicin de sin polarizacin de la
figura 5.2. En el instante en que se aplica el voltaje V
DD
(= VDS)' los electrones sern atrados a
ia tenninal del drenaje, establecindose la corriente convencional ID con la direccin detlnida
de la figura 5A. La trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las corrientes de
drenaje y fuente son equivalentes (lD = 1
5
), Bajo las condiciones que aparecen en la fIgura 5.4,
el flujo de carga se encuentra relativamente sin ninguna restriccin y slo lo limita la
cia del canal-n entre el drenaje y la fuente.
D Po +
CanaJ-n
Regin de
agotamiento
G
+
SG.
figura 5.4 JFET en Ves'" O V Y
VDS>Ov.
5.2 Construccin y caracteristicas de los JFET
Fuente
Compuerta
ofFr
LDrenaje
figul1l 5.3 Analoga hdrulica
para el mecanismo de control del
FET.
217
J. ov
Figura 5.5 Potenciales variables
de polarizacin inversa a travs de
la unin pon de un JFET de canaln.
Es importante observar que la regin de agotamiento es ms amplia cerca de la parte
superior de ambos materiales de tipo p. La razn por el cambio de tamao de la regin se
describe mejor por medio de la ayuda de la figura 5.5. Suponiendo una resistencia uniforme en
el canal-n, la resistencia del canal se puede desglosar en las divisiones que aparecen en la
figura 5.5. La corriente ID establecer los niveles de voltaje a travs del canal que se indican en
la misma figura. El resultado es que la regin superior del material de tipo p estar polarizada
de manera inversa con cerca de 1.5 V, con la regin inferior polarizada en forma inversa nica-
mente con 0.5 V. Recuerde a partir de la discusin de la operacin del diodo. que mientras
mayor es la polarizacin inversa aplicada, ms ancha es la regin de agotamiento. de ah que la
distribucin de la regin de agotamiento es como se muestra en la figura 5.5. El OOffio de que
la unin pon est polarizada de forma inversa a travs de toda la longitud del canal ocasiona
una corriente en la entrada de cero amperes como se muestra en la misma figura. El hecho de
que le = O A es una caracterstica importante del JFET.
En cuanto el voltaje VDS se incrementa desde O a unos cuantos volts, la corriente aumenta
como lo determina la ley de Ohm y la grfica de ID en funcin de VDS aparece de acuerdo con
la figura 5.6. La relativa rectitud de la grfica indica que para la regin de valores pequeos de
VDS' la resistencia es en esencia constante. Cuando VDS se eleva y se acerca al nivel referido
como V
p
en la figura 5.6, las regiones de agotamiento de la figura 5.4 se harn ms amplias,
ocasionando una reduccin notable en el ancho del canal. La trayectoria de conduccin redu-
cida causa que se incremente la resistencia, lo que ocasiona la curva en la grfica 5.6. Mientras
ms horizontal es la curva, mayor la resistencia, lo que sugiere que la resistencia est alcanzan-
do un nmero "infinito" de ohms en la regin horizontal. Si VDS se eleva a un nivel donde
parece que las dos regiones de agotamiento se "tocan", como se muestra en la figura 5.7,
resultar una condicin referida como estrechamiento. Al nivel de VDS que establece esta con-
dicin se le conoce como voltaje de estrechamiento y se denomina como Vp (por su sigla en
ingls. Pinch-off). como se muestra en la figura 5.6. En realidad. el trmino 'estrechamiento
es un nombre inapropiado que sugiere que la corriente ID se detiene y que cae a O A. Sin
embargo, como 10 muestra la figura 5.6, este difcilmente es el caso, porque ID mantiene un
nivel de saturacin definido como lDSS en la figura 5.6. En realidad. an existe un pequeo
canal con una corriente de densidad muy alta. El hecho de que ID no caiga con el estrechamiento
y mantenga el nivel de saturacin indicado en la figura 5.6 se verifica con el siguiente hecho:
la ausencia de una corriente de drenaje eliminara la posibilidad de niveles de potencial dife-
rentes a travs del canal del material-n con objeto de establecer los niveles variantes de
polarizacin inversa a lo largo de la unin pon. El resultado sera una prdida de la distribucin
de la regin de agotamiento que motiv el estrechamiento inicial.
o
JI) I
1 xivel de saturacin
Vc,=OV
[
1 Aumento de resistencia debido al
[
[
[
v
,
del canal
dd c,)l'.al-/1
Figura 5.6 ID en funcin VDS para Ves'" O V.
+
D
Estrechamiento
G
+
s
Figura 5.7 Estrechamiento (Ves" O V, VDS'" V
p
).
218 Captulo 5 Transistores de efecto de campo
Mientras VDS se incremente ms all de V p' la regin del encuentro cercano entre las dos
regiones de agotamiento incrementa su longitud a 10 largo del canal, pero el nivel de ID penna-
nece esencialmente constante. Por tanto. una vez que VDS> V P' ellFET tiene las caractersticas
de una fuente de corriente. Como se muestra en la figura 5.8, la corriente est fija en ID = 1 DSS'
pero el voltaje VDS (para aquellos niveles> Vpl est determinado por la carga aplicada.
La eleccin de la notacin IDSS se deriva del hecho de que es la corriente del Drenaje a la
fuente (por la sigla en ingls de. Source) con una conexin de corto circuito (por la sigla en
ingls de, Short) de la entnida a la fuente. Mientras contina la investigacin de las caracters-
ticas del dispositivo. tenemos que:
I
DSS
es la corriente mxima de drenaje para un JFET y est definida mediante las
condiciones V
GS
= O V Y VDS> l. V
p
l.
Obsrvese en la figura 5.6 que Ves = O V para toda la curva. Los siguientes prrafos
describen la manera en que las caractersticas de la figura 5.6 resultan afectadas por los cam-
bios en el nivel de Ves'
VGS<OV
El voltaje de la compuerta a la fuente denotado por V GS es el voltaje que controla al JFET. As
como se establecieron varias curvas para J C en funcin de V CE para diferentes niveles de lB Y
para el transistor BJT. se pueden desarrollar curvas de ID en funcin de VDS para varios niveles
de Ves para el JFET. Para el dispositivo de canal-n el voltaje de control Ves se hace ms y ms
negativo a partir de su nivel Ves::: O V. Es decir, la terminal de la compuerta se hace a niveles
de potencial ms y ms bajos en comparacin con la fuente.
En la figura 5.9 se aplica un voltaje negativo de -1 V entre las tenninales de la compuerta
y la fuente para un nivel bajo de VDS. El efecto del Ves aplicado de polaridad negativa es el de
establecer regiones de agotamiento similares a las que se obtuvieron con V GS = O V, pero a '
niveles menores de VDS' Por tanto, el resultado de aplicar una polarizacin negativa en la
compuerta es alcanzar un nivel de saturacin a un nivel menor de VOS como se muestra en la fi-
gura 5.10 para V GS = -1 V. El nivel resultante de saturacin para ID se ha reducido y de hecho
continuar reducindose mientras Ves se hace todava ms negativo. Obsrvese tambin en la
figura 5.10 la manera en que el voltaje de estrechamiento contina cayendo en una trayectoria
parablica confomle V
GS
se hace ms negativo. Eventualmente, cuando V GS= -V
p
, Vas ser lo
suficientemente negativo como para establecer un nivel de saturacin que ser en esencia O mA,
por otro lado. para todos los propsitos prcticos el dispositivo ha sido "apagado". En resumen:
G
+
+
~
+
Vos>V
Agura 5.9 Aplicacin de un voltaje
negativo a la entrada de un JFET.
5.2 Construccin y caracteristicas de los JFET
IDDIVp
I
o
+
f
o
::; foss
t
VDS ---+-
I
Carga
O
Figura 5.8 Fuente de corriente
equivalente para V GS = O V, VDS> V po
219
220
5 1- -
ID (mA) 1 / Ubicacin de los de estrechamiento
/. .
Regin I Regin de saturacin
___ -:-_.,..... __
Lti
L

7 ;,' ' .. "-t,' 0' :, __ " .. I ,
6 "T - _' ! I =-
I-i-J- ;
, '
1
1
j
I\'
4
3
o
, 5
10 15
'0
15
FIgUra 5.10 Caractersticas del JFET de canal-n con loss '" 8 mAy V
p
'" -4 V.
El nivel de V GS que da por resultado ID = O mA se encuentra definido por V GS = V p'
siendo V p un voltaje negativo para los dispositivos de canal-n y un voltaje positivo
para los ]FET de canal-p.
En la mayor parte de las hojas de especificaciones, el voltaje de estrechamiento se encuen-
tra especificado como V GS(apagado) en vez de V p' Ms adelante, en este captulo se revisar una
hoja de especificaciones cuando hayan sido presentados los elementos bsicos ms importan-
tes. La regin a la derecha del estrechamiento en la figura 5.l0 es la regin empleada
normalmente en los amplificadores lineales (amplificadores con una mnima distorsin de la
seal aplicada). y se le refiere como la regin de corriente constante, saturacin o regin de
amplificacin lineal.
Resistor controlado por voltaje
La regin a la izquierda del estrechamiento en la figura 5.10 es conocida como la regin hmica
o de resistencia controlada por voltaje. En esta regin al JFET se le usa en realidad como un
resistor variable (posiblemente para un sistema de control de ganancia automtica) cuya resis-
tencia se encuentra controlada por medio del voltaje de la compuerta a la fuente. Obsrvese en
la figura 5.10 que la pendiente para cada curva, y por tanto la resistencia del dispositivo entre
el drenaje y la fuente para VDS < V
p
, es una funcin del voltaje aplicado V
Gs
' Mientras lI
GS
se
convierte en ms negativo, la pendiente de cada curva se hace ms horizontal, correspondien-
do a un nivel creciente de resistencia. La siguiente ecuacin ofrecer una buena y primera
aproximacin del nivel de resistencia en trminos del voltaje aplicado V GS'
(5.1 )
donde roes la resistencia con Ves;:: O V Y r d es la resistencia en un nivel particular de V GS'
Para un JFET de canal-n con r, igual a 10 kQ (VGs=OV, V
p
=-6 V), la ecuacin (5.1) dar
por resultado 40 kQ en V GS = -3 V
Dispositivos de canal-p
El JFET de canal-p est construido exactamente de la misma manera que el dispositivo de
canal-n de la figura 5.2 con una inversin de los materiales tipo p y tipo n, como se muestra en
la figura 5.11.
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
~
D I 'n +
+
t s
f
Figura 5.11. JFET de canal-p.
Las direcciones de corriente definidas estn invertidas, como las polaridades reales para los
voltajes Ves y VDS' Para el dispositivo de canal-p, ste ser estrechado mediante voltajes cre-
cientes positivos de la compuerta a la fuente, y la notacin de doble subndice para Vos' por
tanto, dar como resultado voltajes negativos para VDS sobre las caractersticas de la figura
5.12.la cual tiene una 1 DSS de 6 mA y un voltaje de estrechamiento de Ves = +6 V. No se debe
confundir por el signo de menos para VD;' ste simplemente indica que la fuente se encuentra
a un potencial mayor que el drenaje.
V
es
=+2V
Regin
de ruptura
o ~ 5 ~ O ~ l S -20 -25
Figura 5.12 Caractersticas del JFET de canal-p con I
DSS
'" 6 mAy V
p
'" +6 V.
Se observa en los niveles altos de VDS que las curvas suben repentinamente a niveles que
parecen ilimitados. El crecimiento vertical es una indicacin de que ha sucedido una ruptura y
que la corriente a travs del canal (en la misma direccin en que normalmente se encuentra)
ahora est limitada nicamente por el circuito externo. Aunque no aparece en la figura 5.10
para el dispositivo de canal-n, sucede para el canal-n cuando se aplica suficiente voltaje. Esta
regin puede evitarse si el nivel de V DS
m
." de las hojas de especificaciones, y el diseo es tal,
que en nivel real de VDS es menor que el valor mximo para todos los valores de V cs'
5.2 Construccin Y caractersticas de los JFET
221
222
Smbolos
Los smbolos grficos para los JFET de canal-n y de canal-p se presentan en la figura 5.13.
Obsrvese que la flecha se encuentra apuntando hacia adentro para el de canal-n de
la figura 5.13a, con objeto de representar la direccin en la cual fluira IG si la unin p-n tuviera
polarizacin directa. La nica diferencia en el smbolo es la direccin de la flecha para el
dispositivo de canal-p (figura 5.l3b).
D
+
h
G
+
VDS
vc,
S
,)
Resumen
G
+
D
+
L
s
(b)
Figura 5.13 Smbolos del JFET: a)
de canal-n; b) de canal-p.
Una cantidad importante de parmetros y relaciones se presentaron en esta seccin. Otros,
cuya referencia ser frecuente en el anlisis de este captulo, as como en el siguiente para los
JFET de canal-n, se describen a continuacin:
La corriente mxima se encuentra dejinida como 1 DSS y ocurre c:lando Ves = O V Y
V DS I V p I como se muestra en la jigura 5.14a ..
Para los voltajes de la compuerta a lafuente Ves menores que (ms negativos que) el
nivel de estrechamiento, la corriente de drenaje es igual a OA (ID = OA), como
aparece en lajigura 5.14b.
Para todos los niveles de Ves entre O V Y el nivel de estrechamiento, la corriente ID se
encontrar en el rango entre IDSSY OA, respectivamente, como se encuentra en la
jigura 5.l4c.
Se puede desarrollar una lista similar para los jFET de canal-p.
D
(a)
D <
OmA_ln</DSS
G
+
S
Ce)
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
D
v
es
=- V
ee
1
G
+
I[)=O A
VD!)
V
ee
Vc,
+ S
vpl
b)
Figura 5.14 a) V
cs
" O V.l
D
"
I
DSS
; b) corte (ID" O A) VGS es
menor que el nivel de
estrechamiento; e) D se
encuentra entre O A ef.
DSS
cuando VGS es menor o igual a O
V Y mayor que el nivel de
estrechamiento.
5.3 CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA
Derivacin
Para el transistor BJT la corriente de salida fe y la corriente de control! B fueron relacionadas
por beta. considerada como constante para el anlisis que fue desarrollado. En fanna de ecuacin .
.--______ de control
le f(
8
) /PB I
i
constante
(5.2)
En la ecuacin (5.2) existe una relacin lineal entre le e B" Si se duplica el nivel de 1 H e le' se
incrementar tambin por un factor de 2.
Desafortunadamente. esta relacin Ilneal no existe entre las cantidades de salida y de
entrada de un JFET. La relacin entre ID Y Ves se encuentra definida por la ecuacin de Shock/e)':
variable de control
IDSS 0
? )2
ID
es

-
..
V
p
(5.3)
con stantes
I T
El tnnino cuadrtico de la ecuacin dar por resultado una relacin no lineal entre ID Y V cs'
produciendo una curva que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de V cs'
Para el anlisis en dc que ser desarrollado en el captulo 6. un sistema grfico ms que
matemtico ser, en general, ms directo y fci1 de aplicarse. Sin embargo. la aproximacin
grfica requerir de una grfica de la ecuacin (5.3) con objeto de representar el dispositivo, y
una grfica de la ecuacin de red que relacione las mismas variables. La solucin est definida
por el punto de interseccin de las dos curvas. Es importante considerar al aplicar la aproxima-
cin grfica que las caractersticas del dispositivo no sern afectadas por la red en la cual se
utilice el dispositivo. La ecuacin de la red puede cambiar con la interseccin de las dos cur-
vas, pero la curva de transferencia definida por la ecuacin (5.3) permanece sin resu\tar afec-
tada. Por tanto:
Las caractersticas de transferencia definidas por la ecuacin de Shockley no
resultan afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo.
Se puede obtener la curva de transferencia utilizando la ecuacin de Shockley o a partir de
las caractersticas de salida de la figura 5.lO. En la figura 5.l5 se proporcionan dos grficas
lv(mAl //) (mA)
1010
9 9
-8
__ -
11
5 10 15 20
Ves=OV
25
V
es
=-3 v
V
U
_\=---4 V
5.3 Caractersticas de transferencia
William Bradford Shockley (1910-
1989) coinvent el primer
transistor y formul la teora de
"efecto de campo" que se utiliz
en el desarrollo de los
transistores y el FET. (Cortesa de
AT&T Archives).
Shockley naci en Londres.
Inglaterra PhD Harvard. 1936
Director del Transistor Physics
Department - BeU Laboratories
Presidente de Shockley Transistor
Corp.
Profesor Poniatoff de Enginnering
Science en Stanforc University
Premio Nobel en fsica en 1956
junto con los doctores Brattain y
Bardeen
Figura 5.15 Obtencin de la
curva de transferencia para las
caractersticas de drenaje.
223
224
con la escala vertical en miliamperes para cada grfica. Una es una grfica de ID en funcn
VDS' mientras que la otra es de ID en funcin Ves- Con las caractersticas de drenaje a la derecha
del eje "'y" es posible dibujar una lnea horizontal desde la regin de saturacin de la curva
denotada Ves == O Val eje ID' El nivel resultante de corriente para ambas g!'ficas es lDss' El
punto de interseccin en la curva ID en funcin Ves ser el que se mostr antes. ya que el eje
vertical est definido como V GS == O V. ---
En resumen:
Cuando V
GS
= O V, ID = loss'
Cuando Ves == V
p
== -4V, la corriente de drenaje es de cero miliamperes, definiendo otro
punto sobre la curva de transferencia. Esto es:
Cuando V
GS
= Vp, ID = O mA.
Antes de continuar, es importante comprender que las caractersticas de drenaje relacio-
nan una cantidad de salida (o drenaje) a otra cantidad de salida (o drenaje); ambos ejes estn
definidos por variables en la misma regin de las caractersticas del dispositivo. Las caracters-
ticas de transferencia son una grfica de una corriente de salida (o drenaje) en funcin una
cantidad controladora de entrada. Por tanto, existe una "transferencia" directa de las variables
de entrada a las de salida, utilizando la curva a la izquierda de la figura 5.15. Si la relacin
fuera lineal, la grfica de ID en funcin V GS sera una lnea recta entre 1 DSS y V
p
' Sin embargo,
la curva que resulta es parablica, porque el espaciamiento vertical entre los pasos de Ves
sobre las caractersticas del drenaje de la figura 5.15 decrece notoriamente mientras Ves se
hace ms y ms negativo. Compare el espaciamiento entre Ves == O V Y Ves = -1 V con aquel
entt=e Ves = -3 V Y el estrechamiento. El cambio en Ves es el mismo, pero el cambio resultante
en ID es bastante diferente.
Si se dibuja una lnea horizontal desde Ves = -1 V hacia el eje ID Y luego se extiende hacia
el otro eje, se puede localizar otro punto sobre la curva de transferencia. Obsrvese que en V GS =
-1 V la curva de transferencia tiene un valor de ID = 4.5 mA. Ntese que en la definicin de ID
cuando Ves == O V Y -1 V que se utiliza los niveles de saturacin de iD Y la regin hmica se
ignora. Seguimos con V GS;::: -2 V Y -3 V se puede completar la curva de transferencia. Preci-
samente es la curva de ID en funcin Ves la que recibir un amplio uso en el anlisis del
captulo 6, y no precisamente las caractersticas de drenaje de la figura 5.15. Los siguientes
prrafos presentan un mtodo rpido y eficiente para graficar ID en funcin Ves' usando nica-
mente los niveles de I
Dss
y V
p
y la ecuacin de Shockley.
Aplicacin de la ecuacin de Shockley
La curva de transferencia de la figura 5.15 tambin puede obtenerse directamente a partir de la
ecuacin de Shockley (5.3), simplemente dando los valores de loss y V P' Los niveles de loss y
V p definen los lmites de la curva sobre ambos ejes y dejan la necesidad de encontrar slo unos
cuantos punts intennedios. La validacin de la ecuacin (5.3) como una fuente de la curva de
transferencia de la figura 5.l5 se demuestra mejor al examinar unos cuantos niveles especfi-
cos de una variable y encontrando el nivel resultante del otro de la siguiente manera:
Sustituyendo V GS = O V da
(, V G S ~
Ecuacin (5.3): ID = I
Dss
~ - --
V
p
- 0)2
e (5.4)
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
Para las caractersticas de drenaje de la figura 5.15, si se sustituye Ves;: ~ 1 V,
(
Ves) 2
ID = loss 1---
V
p
(
-l Y)'
=8mAI---
-4Y
= 8 mA(0.5625)
= 4.5 mA
8mA(1 - ~ ) =8mA(0.75)2
(5.5)
como se muestra en la figura 5.15. Obsrvese el cuidado que se necesita tomar con los signos
negativos de Ves 'J V p en los clculos anteriores. La prdida de un signo dara un resultado
totalmente errneo.
Debe resultar obvio a partir de lo anterior que dados Vos
s
y V
p
(como normalmente se
proporciona en las hojas de especificaciones) el nivel de ID se puede encontrar para cualquier
nivel de V cs' Recprocamente, utilizando lgebra bsica se puede obtener [a partir de la ecuacin
(5.3)] una ecuacin para el nivel resultante de Ves para un nivel dado de ID. La derivacin es
bastante directa y dar como re,:s.::ul:..:t"ad::.o=--____ ----:===----,
Ves = Vp(l - ~ ID ) (5.6)
I
Dss
Puede probarse la ecuacin (5.6) si se localiza el nivel de Ves que dar por resultado una
corriente de drenaje de 4.5 mA para el dispositivo con las caractersticas de la figura 5.15.
= - 4 Y(l - -) 0.5625) = -4 Y(l - 0.75)
= -4 Y(0.25)
= -1 V
como se sustituy en el clculo anterior y siendo verificado por la figura 5.15.
Mtodo manual rpido
Debido a que la curva de transferencia debe graficarse con mucha frecuencia, podra resultar
muy ventajoso tener un mtodo manual rpido, con objeto de graficar la curva de la manera
ms eficiente mientras se mantenga un grado aceptable de precisin. El formato de la ecuacin
(5.3) es tal, que los niveles especficos de Ves darn niveles de ID que podrn ser memorizados
para proporcionar los puntos necesarios con objeto de graficar la curva de transferencia. Si se
especifica que Ves sea la mitad del valor de estrechamiento V p' el nivel resultante de ID ser el
siguiente, de acuerdo con la determinacin de la ecuacin de Shockley:
_
12)2 __
1 DSsC0.5)2
5.3 Caractersticas de Transferencia 225
EJEMPLOS.l
226
e
(5.7)
Ahora es importante estar consciente de que la ecuacin (5.7) no es para un wel de V p en
particular, sino es una ecuacin general para cualquier nivel de V
p
mientras que Ves = V p12. El
resultado especifica que la corriente de drenaje siempre ser de una cuarta parte del valor de
saturacin 1 DSS' mientras el voltaje-fuente sea de la mitad del valor de estrechamiento. Obsr-
vese el nivel de ID para Ves = Ve 12 = -4 V/2 = -2 V en la figura 5.15.
Si se elige ID = I
DSS
/2 y se sustituye en la ecuacin (5.6), se encuentra que
Ves =
V
p
0 ~
I
DSS
=
V
p
0 -
~ IDSsI2)
-- = Vp(l
IDSS
- -{65)
=
V
p
(0.293)
y
V
GS
== o.3vp lo,=IDss /2
(5.8)
Pueden determinarse puntos adicionales, pero la curva de transferencia puede trazarse
con un nivel satisfactorio de precisin utilizando simplemente los cuatro puntos definidos
arriba y revisados en la tabla 5 .1. De hecho, en el anlisis del captulo 6 se utiliza un mximo
de cuatro puntos con objeto de trazar las curvas de transferencia. En la mayora de las
ocasiones, utilizando slo el punto de la grfica definido por Ves == V
p
/2 y las intersecciones
de los ejes en 1 DSS y V p' se obtiene una Curva lo suficientemente precisa para la mayora de
los clculos.
TABLA 5.1 V GS en funcin ID utilizando
la ecuacin de Sbockley
Ves
O
O.3V
p
O.5V
p
Ve
Trazar la curva definida por I DSS = 12 mA y V p = ..{j v.
Solucin
Los dos puntos de la grfica estn definidos por
e
I
DSS
= 12 mA
ID = OmA
y
y
ID
lDSS
1 DSS/2
l/Jss/
4
DmA
En Ves = V
p
l2 =..{j V/2 =-3 V la corriente de drenaje est dada por ID =I
DSs
/4 = 12 mA/4=
3 mA. En ID = I
Dss
/2 = 12 rnA/2 = 6 mA el voltaje de la compuerta a la fuente se encuentra
determinado por Ves'" 0.3 V
p
= 0.3 (-6 V) = -1.8 V. Los cuatro puntos estn bien definidos
sobre la figura 5.1 f- ::on la curva de transferencia completa.
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
\l
GS
= Vp =-6 V
"'"
-6 -5 -4 -3 -2 -1
ID (mA)
12I
D
=/DSS=12mA
11
9
S
7
6
5
4
3
2
O V
GS
Figura 5.16 Curva de transferencia
para el ejemplo 5.1.
Para los dispositivos de canal-p, la ecuacin (5.3) de Shockley puede todava aplicarse
exactamente como aparece. En este caso, tanto V
p
como V GS sern positivos, y la curva tendr
la imagen en espejo de la curva de transferencia que se obtuvo para un dispositivo de canal-n
y los mismos valores limitantes.
Trazar la curva de transferencia para un dispositivo de canal-p con 1 DSS;;;; 4 mA y V p = 3 V.
Solucin
En Ves = V
p
l2 = 3 VI2 = 1.5 V,lD= I
Dss
l4 = 4mA14= l mA. En ID = IDssl2 = 4 mAI2 = 2 mA,
Ves = 0.3 V
p
= 0.3 (3 V) = 0.9 V. Los dos puntos de la grfica aparecen en la figura 5.17 junto
con los puntos definidos por medio de loss y V
p
'
o
losS = 4 mA
V
p
=3 V
2 3
Vp
Figura 5.17 Curva de transferencia
para el dispositivo de a n a ~ p del
ejemplo 5.2.
5.4 HOJAS DE ESPECIFICACIONES (JFE1)
Aunque el contenido general de las hojas de especificaciones puede variar desde el mnimo
absoluto hasta una gran cantidad de grficas y tablas, existen unos cuantos parmetros funda-
mentales que proporcionan todos los fabricantes. Los ms importantes se analizan en los si-
guientes prrafos. La hoja de especificaciones para el JFET de cana1-n 2N5457 proporcionado
por Motorola se ofrece en la figura 5. l 8.
5.4 Hojas de especificaciones (JFEl)
EJEMPLO 52
227
228
VALORES !\'OMINALES MXIMOS
Clasificacin Smbolo Valor Lnidad
Voltaje drenaje-fuente
VD'
25 Vd,
Voltaje drenaje-compuerta V
DO
25 Vd,
Voltaje inverso ,:ompuerta-fuente V
OSR
-25 Vdc
Corriente de la I:ompuerta
lo
JO mAdc
Disipacion total del dispositivo @T
A
= 25 oC P
D
JlO mW
Prdida de dlsipacin arriba de 25 oC 2.82 mW/oC
Rango de temperatura de la unin
T, 125
oC
Rango de almacenamiento de temperatura del canal

-65a+150
oC
CARACTERSTICAS ELCTRICAS (T" = 25 oC a menos que se especifique lo contrario)
Caracterstica
CARACTERSTICAS "APAGADO"
Voltaje de ruptura compuerta-fuente
(iG=-IOtlAdc. VDS=O)
Corriente inver'ia de la compuerta
(Ves = -15 Vdc. Vos =0)
(V GS = :"15 Vdc. Vos =0. T
A
= 100C)
Voltaje de corte: compuerta fuente
(VDS = 15Vdc,lo= lOnAdc)
Voltaje compuerta fuente
(Vos = 15Vdc.l
o
= 100,uAdc)
L-...::'.
CARACTERSTICAS "ENCENDIDO"
Corriente de drenaje con voltaje de cero en la entrada"
(VDS = 15 Vde, Vos = O)
CARACTERSTICAS ES PEQUEA SEAL
Admitaneia de transferencia directa para fuente comn'
(Vos'" 15 'Vde.V
GS
=O,f= LOkHz)
Admitancia dI: salida para fuente comn'
(VDS = 15 Vde, VGs=O,f= 1.0kHz)
Capacitancia de entrada
(Vos = 15 Vdc, VGS =0, f= 1.0 MHz)
Capacitancia ele transferencia inversa
(Vos = 15 Vde, VGS = O.f= 1.0 MHz)
l'T1Jeb, de pul",: ",oho del pul'oO 5630 m" ciclo dc 10%
VIBRIGSS
I
GSS
V
2N5457
2N5457
Ves
2N5457
I
Yh
i
2N5457
I y,,,:
e",
C,,,
Figura 5.18 JFET de canal-n 2N5457 de Motorola.
Valores nominales mximos
2N5457
E?\CAPSULADO 29-04. ESTILO 5
TO-92 (TO-226AAl
Refirase al 21'04220 para
-25 - -
- - -1.0
- - -200
-0.5 - --6.0
- -2.5 -
1000 - 5000
- 10 50
- 4.5 7.0
- 1.5 3.0
I
Vd,
nAde
Vdc
Vd,


pF
pF
1
I
La lista de valores nominales mximos por 10 general aparece al principio de la hoja de espe-
cificaciones,junto con los voltajes mximos entre las terminales especficas, los niveles mxi-
mos de las corrientes y el nivel mximo de disipacin de potencia del dispositivo. Los niveles
mximos especificados para VDS y V DG no deben excederse en ningn punto del diseo de la
operacin de] dispositivo, La fuente aplicada V DD puede exceder estos niveles, pero el nivel
real de voltaje entre estas terminales nunca debe exceder el nivel especificado. Todo buen
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
diseo intentar evitar estos niveles COn un buen margen de seguridad. El trmino inverso en
V
esR
define el voltaje mximo con la fuente positiva respecto a la compuerta (como si estuviera
polarizada normalmente para un dispositivo de canal-n) antes de que ocurra la ruptura. En
algunas hojas de especificaciones es referido BV[)SS' el voltaje de ruptura con el drenaje y la
fuente en corto circuito (VDS == O V) se encuentran referidas como BV DSS' Normalmente est
diseado con objeto de operar con le = O A. pero si se fuerza a aceptar una corriente de la
entrada podra soportar 10 mA antes de que suceda cualquier dao. La disipacin total del
dispositivo a 25 oC (temperatura ambiente) es la mxima potencia que el dispositivo puede di-
sipar bajo condiciones normales de operacin y est definida por
(5.9)
Ntese la similitud en formato con la ecuacin de disipacin mxima de potencia para el tran-
sistor BJT.
El factor de prdida de disipacin se analiza con detalle en el captulo 3, pero por el
momento reconocemos que el valor de 2.82 m W /oC revela que el valor de disipacin decrece
en 2.82 mW por cada incremento en la temperatura de 1 oC arriba de 25 oC.
Caractersticas elctrcas
Las caractersticas elctricas incluyen el nivel de Vp en las CARACTERSTICAS DE APA-
GADO e lDSS en las CARACTERSTICAS DE ENCENDIDO. En este caso V
p
= VCs<,p"'do)
tiene un rango entre -0.5 a -6.0 e lDSS entre 1 y 5 roA. El hecho de que ambos tengan -una
variacin de dispositivo a dispositivo del mismo tipo, se debe al proceso de fabricacin. Las
otras cantidades estn definidas bajo las condiciones que aparecen entre parntesis. Las carac-
tersticas de pequea seal se discuten en el captulo 9.
Construccin del encapsulado e identificacin de terminales
Este JFET en particular tiene la misma apariencia que proporciona la hoja de especificaciones
de la figura S .18. La identificacin de las terminales tambin se proporciona directamente de-
bajo de la figura. Adems los JFET se encuentran disponibles en encapsulado de "sombrero
alto", como se muestra en la figura 5.19 con su identificacin de tenninales.
Regin de operacin
La hoja de especificaciones y la curva definida por los niveles d$oestrechamient a cada nivel
de Ves definen la regin de operacin para la amplificacin lineal sobre las caractersticas de
drenaje como Se muestra en la figura 5.20. La regin hmica define los valores mximos
permisibles de VDS en cada nivel de V CS' y VDS mh especifica el valor mximo para este parmetro.
ID los de estrechamiento
1/ \
1 \
FIgUra 5.20 Regin de operacin
normal para el diseo
de amplificacin lneal.
5.4 Hojas de especificaciones (JFE1)
2N2844
CPSULA 22-03. ESTILO 1:::
To-n; (TQ-206AA)
3 Drenaje
(encapsulado)

l Fuente
JFET DE USO GENERAL
CANAL-P
Hgura 5.19 Encapsulado de
alto" e identificacin
de las terminales para un JFET de
canal-p.
229
IDSS=9mA
lDSS = 4.5 mI..
. 2
(VGS = -0.9 V)
ImA{
di"
230
i
I
La corriente de saturacin loss es la corriente mxima de drenaje, y el nivel mximo de
disipacin de potencia define la curva dibujada de la misma manera que para los transistores
BJT. La regin sombreada resultante es la regin de operacin normal para el diseo de
amplificadores.
5.5 INSTRUMENTACiN
Recuerde que, como se vio en el captulo 3, hay instrumentos disponibles para medir el nivel
de f3
dc
para el transistor BJT. Una instrumentacin similar no est disponible con objeto de
medir los niveles de I DSS y V
p
. Sin embargo, el trazador de curvas presentado para el transistor
BJT puede tambin mostrar las caractersticas de drenaje del transistor JFET a travs del ajuste
adecuado de varios controles. La escala vertical (en miliamperes) y la escala horizontal (en
volts) se han ajustado para mostrar las caractersticas completas, como se muestra en la figura
5.21. Para el JFET de la figura 5 .21. cada divisin vertical (en centmetros) refleja un cambio
de -mA en le' mientras que cada divisin horizontal tiene un valor de V. El paso del voltaje
es de 500 mV/paso (0.5 V/paso), lo que revela que la curva superior se encuentra definida por
V GS == O V, Y que la siguiente curva hacia abajo -0.5 V para el dispositivo de canal-no Con el uso
del mismo paso de voltaje la siguiente curva es -1 V, luego -1.5 V, Y finalmente -2 V. Al
dibujar una lnea a partir de la curva superior sobre el eje ID se puede estimar el nivel de I DSS de
cerca de 9 mA. El nivel de V
p
se puede estimar si se observa el valor de Ves de la ltima curva
hacia abajo, pero tomando en cuenta la distancia ms pequea entre las curvas mientras V GS
se hace todava ms negativo. En este caso, V
p
es cierto que es ms negativo que -2 V Y quiz
V
p
se encuentre cercano a -2.5 V. Sin embargo, tenga en cuenta que las curvas V GS se contraen
muy rpidamente cuando se acercan a la condicin de corte, por lo que quiz V
p
== -3 V es una
/
v ov
es=
l
1
j
\
,
f
1
I
~ Sensibildad
Yt
i
!
!
!
vertical
1
,
I i
ImA
i".

!
!
!
por divisin
,
,
,
I -
/
i
. ~
/7
'1.
-
1(,
~ .
V .
'-,--'
IV
t.1iv
i
!
i
_._.-.. _ .
i
I
\
!
,
""
Sensibilidad
1
!
horizontal
I
,
!
IV
!
por divisin
!
I
:
!
I

/ j I 500 rnV-
!
,
I " I
por paso
,
i
1---- L ____ .. f--
I
.. _--_.- ---_ ..
I i
I I
,--
\
I
- -
gm
I
1
I

2m
,
i por divisin
-
- -
I
,
I
1
i
,
"
i
\
I
\
i-
,
V
GS
=-2V
V =-3
p
v
Figura 5.21 Caractersticas de drenaje para el transistor JFET 2N4416 como se presenta en
un trazador de curvas.
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
mejor eleccin. Tambin es importante revsar que el control del paso se ajusta para una panta-
lla de cinco pasos limitando las curvas mostradas a V GS = O V, -0.5 V, -1 V, -1.5 V Y -2 V. Si
el control del paso se incrementa a 10, el voltaje por paso se puede reducir a 250 mV = 0.25 V,
Y la curva para Ves = -2.25 V se hubiera podido incluir, as como una curva adicional entre
cada paso de la figura 5.21. La curva Ves = -2.25 V hubiera indicado la rapidez con que las
curvas se estn cerrando una sobre la otra para el mismo paso de voltaje. Por fortuna, el nivel
de V p se puede estimar con un grado razonable de exactitud simplemente aplicando la condicin
que aparece en la tabla 5.1. Esto es. cuando ID == 1 DSS /2, luego V GS;;::: O.3V
p
' Para las caracters-
ticas de la figura 5.21. ID = I DSS/2 = 9 mA/2 = 4.5 mA, y es tan visible en la figura 5.21 que el
nivel correspondiente de Ves es de aproximadamente -0.9 V. Con esta informacin se encuen-
tra que V
p
= V
es
/O.3 = -0.9 V/O.3 = -3 V, el cual ser nuestra seleccin para este dispositivo.
Con este valor encontramos. que en V GS:;;; -2 y,

V)'
ID = I 1 GS
DSS - V
p
= 9 mA f _ -2 vV
-3 V!
_ 1 mA
como se fundamenta en la figura 5.21.
En Ves = -2.5 V la ecuacin de Shockley dar por resultadoI
D
=0.25 mA, con V
p
= -3 V,
lo cual revela con claridad cuan rpido las curvas se contraen cerca de V
p
' La importancia del
parmetro gm y la forma en que se determina a partir de las caractersticas de la figura 5.21 se
describen en el captulo 8 cuando se examinen las condiciones de ac en pequea seal.
5.6 RELACIONES IMPORTANTES
Una cantidad de ecuaciones importantes y de caractersticas de operacin se presentaron en las
ltimas secciones. particulannente importantes para el anlisis que sigue para las configura-
ciones de dc yac. En un esfuerzo por aislar y enfatizar su importancia, se repiten a continuacin
en seguida de su ecuacin correspondiente para el transistor BJT. Las ecuaciones JFET estn
definidas para la configuracin de la figura 5.22a, mientras que las ecuaciones para el B1T se
relacionan a la figura 5.22b.
1')
s
lb)
JFET
E figura 5,22 a) JFET contra b) BJT.
BJT
{::} le" lE
{::} V
SE
" 0.7 V
(5.10)
5,6 Relaciones importantes
231
232
Entender bien el impacto de cada una de las ecuaciones anteriores es suficiente anteceden-
te para atacar las configuraciones de de ms complejas. Recuerde que V
BE
= 0.7 V a menudo se
tom como clave para inicializar un anlisis de una configuracin a BIT. De forma parecida, la
condicin le = O A es a menudo el punto de inicio para el anlisis de una configuracin a JFET.
Para la configuracin BJT, lB por lo general es el primer parmetro que debe determinarse. Para
el JFET normalmente es V cs' La cantidad de similitudes entre las configuraciones de dc
para BIT y JFET se podr apreciar mejor en el captulo 6.
5.7 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL
Como se observ en la introduccin del captulo. existen dos tipos de FET: los JFET y los
MOSFET. Los MOSFETse desglosan ms adelante en tipo decremental y en tipo incremental.
Los trminos agotamiento e incremental definen su modo bsico de operacin, mientras que la
etiqueta MOSFET significa transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor. Debido
a que existen diferencias en las caractersticas y en la operacin de cada tipo de MOSFET, se
han cubierto en secciones por separado. En esta seccin se examinar el MOSFET de tipo
decremental, el cual tiene las caractersticas similares a aquel1as de un JFET entre el corte y la
saturacin en l DSS' pero luego tiene el rasgo adicional de caractersticas que se extienden hacia
la regin de polaridad opuesta para Ves'
Construccin bsica
La construccin bsica del MOSFET de tipo decremental de canal-n se proporciona en la
figura 5.23. Una placa de material tipo p est formada a partir de una base de silicio y se le
conoce como substrato, que es la base sobre la que se construye el dispositivo. En algunos
casos el substrato se encuentra conectado interiormente con la teoninal de la fuente. Sin em-
bargo, muchos dispositivos discretos ofrecen una terminal adicional etiquetada SS, dando por
resultado un dispositivo de cuatro terminales, como el que aparece en la figura 5.23. Las termi-
nales de fuente y compuerta estn conectadas por medio de contactos a las regiones
dopadas-n unidas por un canal-n como se muestra en la figura. La compuerta se encuentra
conectada tambin a una superficie de contacto metlico, pero permanece aislada del canal-n
por medio de una capa muy delgada de dixido de silicio (Si0
2
). El SiO, es un tipo particular
(Drenaje)
D
S
(Fuente)
Canal-n
Substrato
,P
Regiones
dopadas-n
Figura 5.23 MOSFET de tipo decrementa! de canal-n.
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
Substrato
de aislante conocido como dielctrico que ocasiona campos elctricos opuestos (como se indi-
ca por el prefijo di) dentro del dielctrico cuando se expone a un campo externamente aplica-
do. El hecho de que la capa SiO::! es una capa aislante revela el siguiente hecho:
No existe conexin elctrica directa entre la terminal de la compuerta y el canal de
un MOSFET.
Adicionalmente:
Se debe a la capa aislante de SiOl del MOSFET explica la alta impedancia, muy
deseable, de entrada del dispositivo.
De hecho. la resistencia de entrada de un MOSFET es a menudo igual a la del JFET
nonnal, aun cuando la impedancia de entrada de la mayora de Jos JFET es lo suficientemente
alta para la mayora de las aplicaciones. La muy alta impedancia de entrada contina soportan-
do totalmente el hecho de que la corriente de la entrada (le) es en esencia de cero amperes para
las configuraciones de polarizacin de dc.
El motivo de la etiqueta FET de metal-xido-semiconductor es ahora mucho ms obvia:
metal por las conexiones del drenaje, fuente y compuerta a las superficies adecuadas en parti-
cular.la tenninal de la compuerta y el control que ofrece el rea de la superficie de
xido por la capa aislante de dixido de silicio y el semiconductor por la estructura bsica
sobre la cual las regiones de tpo n y p se difunden. La capa aislante entre la compuerta y el
canal ha dado por resultado otro nombre para el dispositivo: FET de compuerta aislada o
IGFET (por las siglas en ingls de, lnsulated Gate), aunque este nombre es cada vez menos
utilizado en la literatura actual.
Operacin bsica y caractersticas
En la figura 5.24 el voltaje compuerta-fuente se hace cero volts mediante la conexin directa
de una tenninal a la otra, y se aplica un voltaje Vos a travs de las terminales del drenaje y
fuente. El resultado es una atraccin. por el potencial positivo del drenaje, para los electrones
libres del canal-no y una corriente similar a aquella establecida a travs del canal del JFET. De
hecho. la corriente resultante con Ves =:: O V se le sigue denominando Ios
s
' como se muestra en
la figura 5.25.
o
, .. -----
ss
+
Figura 5.24 MOSFET de tipo decremental de canal-n con V G.'l '" O V
Y un voltaje aplicado V
nn
.
5.7 MOSFET de tipo decrementa!
233
234
agotamIento
2
-6 -5 --4 -3 -1 \1 O
Vp Vp 0.3 V
p
2
Modo
incremental
------ I
ms
o
-----.,.----
~ _ Ves = O \'
_---------- Ve.;, = -1 \"
_----------- Ves =-2-V
I'-_____________ \/c;s= V,.. =-3 V
-4V T
-5 V
I VD.'
V
es
=V
p
=-6V
Figura 5.25 Caractersticas de drenaje y de transferencia para un MOSFET de tipo decrementa! de
canal-n.
En la figura 5.26, V GS tiene un voltaje negativo tal como -1 V. El potencial negativo en la
entrada tender a presionar a los electrones hacia el substrato de tipo p (cargas similares se
repelen) y atrae huecos del substrato de tipo p (cargas opuestas se atraen) como se muestra en
la figura 5.26. Dependiendo de la magnitud de la polarizacin negativa que aplica V cs' sucede-
r un nivel de recombinacin entre los electrones y los huecos que reducir el nmero de
electrones libres disponibles para la conduccin en el canal-n. Mientras ms negativa sea la
polarizacin, ms alta ser la tasa de recombinacin. El nivel resultante de corriente de drenaje
es, por tanto, reducida con la polarizacin negativa creciente de V GS como se muestra en la
figura 5.25 para V
GS
= -1 V, -2 V, Y as sucesivamente, hasta el nivel de estrechamiento de
-6 V. Los niveles resultantes de corriente de drenaje y la grfica de la curva de transferencia se
conduce exactamente igual a la descrita para el JFET.
Capa de S i O ~ Canal-n
G ~ i
Contacto
metlico
Proceso de
recombinaci6n
Substrato de
material-p
+) Huecos atrados a!
potencia! negativo
en la compuerta
+
Electrones repelidos por
el potencial negativo en
la compuerta
FIgUra 5_26 Reduccin de
portadores libres en el canal
debido a un potencial negativo
en la terminal de la compuerta.
Para los valores positivos de V GS la entrada positiva atraer electrones adicionales (porta-
dores libres) desde el substrato de tipo p debido a la corriente de fuga inversa, y crear nuevos
portadores mediante la colisin resultante entre las partculas en aceleracin. Mientras el vol-
taje compuerta-fuente sigue aumentando en la direccin positiva, la figura 5.25 indica que la
corriente de drenaje se incrementar de manera acelerada debido a las razones listadas arriba.
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
El espaciamiento vertical entre las curvas de Ves = O V Y Ves = + 1 V de la figura 5.25 es
una clara indicacin de cunto ha aumentado la corriente por el cambio en 1 volt en Ves'
Debido al rpido incremento, el usuario debe estar alerta del valor mximo de corriente de
drenaje porque puede excederse con un voltaje positivo en la entrada. Esto es, para el disposi-
tivo de la figura 5.25, la aplicacin de un voltaje V
GS
+4 V podra dar por resultado una
corriente de drenaje de 22.2 mA, la cual posiblemente podra exceder el valor mximo (co-
rriente o potencia) para el dispositivo. Como se dijo antes, la aplicacin de un voltaje positivo
de la compuerta a la fuente ha "incrementado" el nivel de portadores libres en el canal com-
parado con aquel encontrado con Ves = O V. Por esta razn la regin de voltajes positivos de
la entrada sobre el drenaje o las caractersticas de transferencia es a menudo conocida como la
regin incremental, con la regin entre el nivel de corte y de saturacin de 1 DSS denominada
como la regin de agotamiento.
Es particularmente interesante y til que la ecuacin de Shockley siga aplicndose para las
caractersticas del MOSFET de tipo decremental tanto en la regin de agotamiento como en la
incremental. Para ambas regiones simplemente es necesario que se incluya el signo adecuado de
Ves en la ecuacin. y que el signo sea seguido con cuidado en las operaciones matemticas.
Trace las caractersticas de transferencia para un MOSFET de tipo decremental de canal-n con
I
Dss
!O mAy V
p
= -4 V.
Solucin
En V
GS =
OV.
ID = IDSS =
lOmA
V
GS =
V
p
=
-4 V. ID OmA
V
p
-4V
IDSS
lOmA
V
GS
=

=
-2 V,
ID
=

=
2.5 mA
2 2 4 4
yen
ID =
IDSS
V
GS
2

O.3V
p =
0.3(-4 V)
=
-1.2 V
todas las cuales aparecen en la figura 5.27.
Antes de graficar la regin positiva de V
Gs
' se debe tener en cuenta que ID aumenta con
mucha rapidez con los valores mayores de V cs' En otras palabras, se tiene que ser conservador
con la seleccin de los valores que deben sustituirse en la ecuacin de Shockley. En este caso
se intentar + 1 V de la siguiente manera:
(, +IV\'
!O - -4 V) =
10 mA(l + 0.25)' !O mA(1.5625)
'" 15.63 mA
la cual es lo suficientemente alta como para terminar la grfica.
MOSFET de tipo decremental de canal-p
v,
La construccin de un MOSFET de tipo decremental de canal-p es exactamente el inverso del que
aparece en la fIgura 5.23. Esto es. ahora existe un substrato de tipo n y un canal de tipo p, como lo
muestra la figura 5.28a. Las teITfnales permanecen como se encuentran identificadas, pero todas
las polaridades de los voltajes y las direcciones de las comentes estn invertidas, como 10 ilustra la
misma figura. Las caractersticas de drenaje podrian aparecer iguales que en la figura 5.25, pero
5,7 MOSfET de tipo decrementa!
-3
EJEMPLO 53
-2 -1
11:
L
2
17
16
15
14
4
3
2
O
O.3V,
,
I
DSS
:
2
1
1
1
1
IDSS :
-1
4 1
1
1
+1
figura 5.27 Caractersticas de
transferencia para un MOSFET de
tipo decremental de con
10 mAy V
p
= -4 V.
235
Yc;s
D
G 0--_1,
+
-6
S
236
(,)
n
ss
ID (mA)
-1 O 2 3 4 5 6
Ves
V
p
(b)
9
8
7
6
5
4
3
2
O
D(mA)
____ V
Ves;::: O V
__ ------------------v
es
=+\ V
..... ----------------v
es
= +2 V
= +3 V
V
es
=+4 V
V
es
=+5 V
Ves = V
p
= +6 y
(e)
Figura 5.28 MOSFET de tipo decreme,ntal de canal-p con I
DSS
:= 6 roA Y V
p
= +6 v.
con valores negativos de VDS' ID positiva como se indica (debido a que la direccin definida
ahora est invertida) y V GS con las polaridades opuestas como se muestra en la figura 5.28c. La
inversin en Ves traer como resultado una imagen de espejo (con respecto al eje ID) para las
caractersticas de transferencia como lo muestra la figura 5.28b. En otras palabras, la corriente
de drenaje aumenta desde el corte en V GS = V p en la regin positiva de Ves a 1 DSS' y despus
su crecimiento para valores negativos mayores de V GS. La ecuacin de Shockley
todava se aplica. pero necesita slo colocar el signo correcto tanto para V GS como para V p en
la ecuacin.
Smbolos, hojas de especificaciones y construccin
del encapsulado
Los smbolos grficos para un MOSFET de tipo decremental de canal-n y p se proporcionan
la figura 5.29. Obsrvese cmo los smbolos seleccionados intentan reflejar la construccin
real del dispositivo. La falta de una conexin directa (debido al aislamiento de la entrada) entre
la compuerta y el canal est representado por un espacio entre la compuerta y las otras tenni-
nales del smbolo. La lnea vertical que representa el canal est conectada entre el drenaje y la
fuente y est "soportada" por el substrato. Para cada tipo de canal se ofrecen dos smbolos para
reflejar el hecho de que en algunos casos el substrato se encuentra disponible en forma externa;
mientras que en otros no 10 est. Para la mayora de los anlisis que siguen en el captulo 6, el
substrato y la fuente estarn conectados y se utilizarn los smbolos inferiores.
canal-n canal-p
(a) (b)
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
Figura 5.29 Smbolos grficos para
a) MOSFET de tipo decremental de
canal-n, y b) MOSFET de tipo
decremental de canal-p.
El dispositivo de la figura 5.30 tiene tres tenninales identificadas en la misma figura. La
hoja de especificaciones para un MOSFET de tipo decremental es similar a la hoja de un JFET.
Los niveles de V pe 1 DSS se dan junto con una lista de los valores mximos y de las caracters-
I
I
VALORES NOMISALES MXIMOS
Clasificacin Smbolo Valor t;nidad
Voltaje drenajefuente
Vos
Vd,
2N3797 20
Vahaje comput'rta-fucme V
GS
JO Vdc
Corriente del drenaje 1, 20 mAdc
Disipacin total del dispositivo @ T A = 25 "C P, 200 mW
Prdida de disipacin arriba de 25 oc 1.14 mWOC
Rango de temperatura de la unin T
;
+175
oC
Rango de almacenamiento de temperatura dd Lanal

-6S a +200
oC
CARACTERSTICAS ELCTRICAS (T .. = 25 uc a que se especifique lo contrario)
Caracterstica
CARACTERSTICAS "APAGADO"
Voltaje de ruptura drenaje-fuente
V{BRIOSX
(Vos = -7.0 V. ID = 5.0 .lA) 2i'\3797
Corriente inversa de la compuerta (1 J
lGSS
(VGs=-lOV,Vos=O)
-= 150C)
Voltaje de corte compuerta fuente
V GS(,pog1<!o)
(ID=2.0.uA,Vos= 10V) 2N3797
Voltaje inverso drenaje compuerta (1) 1
00O
( .... OG= 11,) .... ,ls-=.'0;.
CARACTERSTICAS "ENCENDIDO"
Corriente de drenaje con voltaje de cero en la entrada
Ioss
(Vos'" 10 V'V
os
""0)
2N3797
Corriente de drenaje en el estado encendido
ID(cllCendido)
(VDS = 10 V, Ves = +35 V)
2N3797
-
-
CARACTERSTICAS EN PEQUENA SliNAL
Admitancia de transferencia directa
1",1
(VDS = 10 V. V GS == O, f = 1.0 kH,Z)
2N3797
(VDS = 10 V. VOS == 0, f = 1.0 kHz)
2N3797
Admilancia de salida
1 Y" 1
(Los = 10 V, Ves = O, f = 1.0 MH,Z)

Capacitancia de entrada
C",
(\'os = 10v. \los =0, t == 1.0MH,Z)
2N3797
Capacitancia de transferencia inversa
C",
(VDS = 10 V. V GS => O. f = 1,0 MH,Z)
CARACTERISTICAS FUNCIONALES
Datos 'del ruido
(Vos = 10 V. Vos = 0, f = 1.0 kHz. Rs = 3 megohms)
2N3797
ENCAPSCLADO 22-03, ESTILO 2
TO-18 (TO-206AA)
/t
2 I ,,"'"OC I
MOSFET DE AUDIO DE BAJA !
POTENCIA- - - - - I

Mximo I Unidad I
Vcc
20 25
-
pAdc
- - 1.0
- - 200
Vd,
- -5.0 -7.0
- - 1.0 pAdc
I
mAdc
2.0 2.9 6.0
mAdc
9.0 14 18
jlmhos
1500 2300 3000
1500
-
-
,umhos
- 27 60
pF
- 6.0 8.0
- 0.5 0.8 pF
dB
(1) Es[e valor en corriente incluye tallto Ja COlTiente de fuga del FET como la corriente de fuga a,ociada con el contacto de prueba y sus conexiones cuando se mide bajo la, mejores
condIcione, alcanzildas.
Figura 5.30 MOSFET de tipo decrementa! de canal-n 2N3797 de Motorola.
5.7 MOSFET de tipo decrementaI
237
238
ticas normales de "encendido" y "apagado". Adems, ya que l D se puede extender ms all del
nivel de 1 DSS' normalmente se proporciona otro punto que refleja un valor tpico de ID para
algn voltaje positivo (para un dispositivo de canal-n). Para la unidad de la figura 5.30, l D est
especificado como I D(oo",d(do) = 9 mA dc con VDS = 10 V Y V GS = 3.5 V.
5.8 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL
Aunque existen muchas similitudes en la construccin y modo de operacin entre los MOSFET
de tipo decrementa} y de tipo incremental, las caractersticas del MOSFET de tipo incremental
son bastante diferentes de cualquier otro que hasta ahora obtuvimos. La curva de transferencia
no est definida por la ecuacin de Shockley, y la corriente de drenaje ahora est en corte hasta
que el voltaje compuerta-fuente alcance Una magnitud especfica. Entonces, el control de co-
rriente en un dispositivo de canal-n ahora resulta afectado por un voltaje compuerta-fuente
positivo en lugar del rango de voltajes negativos encontrados para los JFET de canal-n y los
MOSFET de tipo decremental de canal-no
Construccin bsica
La construccin bsica del MOSFET de tipo incremental de canal-n se ofrece en la figura 5.31.
Una placa de material tipo p se fonna a partir de una base de silicio y una vez ms se le Conoce
como substrato. De la misma forma que con el MOSFET de tipo decremental, el substrato
algunas veces se conecta a la tenninal de la fuente, mientras que en otros casos hay disponible
una cuarta tenninal para el control externo de su nivel de potencial. Las terminales de la fuente
y drenaje se conectan una vez ms por medio de contactos metlicos a regiones dopadas n,
pero se observa en la figura 5.31 la ausencia de un canal entre las dos regiones dopadas n. Esta
es la diferencia primaria entre la construccin de los MOSFET de tipo decremental y los de
tipo incremental: la ausencia de un canal como un componente construido del dispositivo. La
capa de SiO, an est presente para aislar la plataforma metlica de la compuerta de la regin
entre el drenaje y la fuente, pero ahora est simplemente separada de una seccin de material
de tipo p. Por tanto, la construccin de Un MOSFET de tipo incremental es bastante similar
a la de un MOSFET de tipo decremental, excepto por la ausencia de un canal entre las terminales
del drenaje y la fuente.
Contactos
metlicos
G
S
Regin
dopada-n
Regin
dopada-n
Sin canal
Substrato
SS
Fgura 5.31 MOSFET de tipo incremental de canal-no
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
Operacin bsica y caractersticas
Si Ves se hace O V Y se aplica un voltaje entre el drenaje y la fuente del dispositivo de la figura
5.31, la ausencia de un canal-n (con su generoso nmero de portadores libres) dar por resulta-
do una corriente de cero amperes efectivos, una diferencia grande con el MOSFET y JFET de
tipo decremental donde ID = IDss' No es suficiente tener acumulados una gran cantidad
de portadores (electrones) en el drenaje y la fuente (debido a las regiones dopadas n) si no
existe una trayectoria entre las dos. Si VDS es cierto voltaje positivo, Ves es O V, Y la tenninaJ SS
se conecta directamente a la fuente, existen de hecho dos uniones p-n con polarizacin inversa
entre las regiones dopadas n y el substrato p para oponer cualquier flujo significativo entre el
drenaje y la fuente.
En la figura 5.32 tanto VDS como Ves estn en algn voltaje positivo mayor de cero volts,
estableciendo al drenaje y la compuerta a un potencial positivo respecto a la fuente. El potencial
positivo en la compuerta presionar los huecos (porque las cargas iguales se repelen) del substrato
p a lo largo del filo de la capa de Sial con objeto de dejar esa rea y entrar a regiones ms
profundas del substrato p. como se muestra en la figura. El resultado es una regin de agotarrriento
cerca de la capa aislante de SiO
z
sin huecos. Sin embargo, los electrones en el substrato p (los
portadores minoritarios del material) sern atrados a la entrada positiva y se acumularn en la
regin cercana a la superficie de la capa de Si0
2
. La capa de Si0
2
y sus cualidades aislantes
evita que los portadores negativos sean absorbidos en la teOllinal de la compuerta. Mientras
Ves aumente en magnitud. la concentracin de electrones cerca de la superficie de Si0
2
se
incrementar hasta que una regin inducida de tipo n pueda eventualmente soportar un flujo
mesurable entre el drenaje y la fuente. El nivel de Ves que resulta en un incremento significativo
de la corriente de drenaje se le llama voltaje de umbral, y se le da el smbolo de V T (parla sigla
en ingls de, Threshold). En las hojas de especificaciones se le conoce como V GS(Th)' aunque V T
es ms corto y ser utilizado en el siguiente anlisis. Debido a que el canal no existe con Ves::: O
V y.se fanna al "incrementar" la conduct.vidad mediante la aplicacin de un voltaje compuer-
ta-fuente, este tipo de MOSFET se le llama MOSFET de tipo incremental, Tanto los MOSFET
de tipo decrementa! como incremental tienen regiones de tipo incremental, pero el nombre se
aplic al ltimo debido a que ese es su nico modo" de operacin.
Electrones atrados por la compuerta
positiva (canaln inducido)
Capa aislante
Regin agotada de portadores
de tipo p (huecos)
+
ss
HueCOS repelidos por
la entrada positiva
Figura 5.32 Formacin del canal
en el MOSFET de tipo incremental
de canal-no
5.8 MOSFET de tipo incremental 239
240
Cuando VGS se incrementa ms all del nivel de umbral, la densidad de los portadores
libre en el canal inducido se incrementan, dando por resultado un nivel mayor de corriente de
drenaje. Sin embargo, si se mantiene Ves constante y slo se aumenta el nivel de VDS' la co-
rriente de drenaje eventualmente alcanzar un nivel de saturacin as corno ocurri al JFET y
al MOSFET de tipo decrementa\. La saturacin de ID se debe a un proceso de estrechamiento
descrito por un canal ms angosto al final del drenaje del canal inducido. como se muestra en
la figura 5.33. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff a los voltajes de las terminales del
MOSFET de la figura 5.33, se encuentra que
D
Estrechamiento (principio)
Reg.in de ag.otamiento
Substrato
tipop
(5.11)
Figura 5.33 Cambio en la regin de
agotamiento y el canal con aumento
en el nivel de Vos para un valor fijo
de V
GS
-
Si V GS se mantiene fijo en un valor tal como 8 Y Y VDS se aumenta de 2 Y a 5 y, el voltaje
V
DG
[debido a la ecuacin (5.111] caer de -6 Y a -3 Y Y la entrada ser cada vez menos
positiva respecto al drenaje. Esta reduccin en el voltaje de la compuerta al drenaje reducir a
su vez la fuerza de atraccin para los portadores libres (electrones) en esta regin del canal
inducido, causando una reduccin en el ancho efectivo del canal. Eventualmente, el canal se
reducir al punto del estrechamiento y se establecer una condicin de saturacin como se des-
cribi antes para el JFET y el MOSFET de tipo decremental. En otras palabras, cualquier creci-
lIento posterior en VDS y en el valor fijo de V GS no afectar el nivel de saturacin de ID hasta
que se encuentren las condiciones de ruptura.
Las caractersticas de drenaje de la figura 5.34 revelan que para el dispositivo de la figura
5.33 con VGS = 8 y, la saturacin ocurri en un nivel de VDS 6 Y. De hecho, el nivel de
saturacin para VDS est relacionado con el nivel de VGS aplicado por
(5.12)
Por tanto. es obvio que para un valor fijo de V T' mientras mayor sea el nivel de V cs' mayor ser
el nivel de saturacin para Vos' como se muestra en la figura 5.33 por la localizacin de los
niveles de saturacin.
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
ID (mA)
II
10
9
8
7f-
6
5
4
3
2
o
__ ---------------------------- Vos=+6V
j.. ___________________________ V GS:: +5 V
5 V,
6V
10 V 15 V
Figura 5.34 Caractersticas del drenaje de un MOSFET de tipo incremental
con V
T
", 2 Vyk" 0.278 x 10-3 AjV2.
Como se indic para las caractersticas de la figura 5.33, el nivel de V T es de 2 Y, por el
hecho de que la corriente de drenaje ha cado a O mA. Por tanto:
Para los valores de V GS menores que el nivel de umbral, la corriente de drenaje de un
MOSFET de tipo incremental es de O mA.
La figura 5.34 indica que cuando el nivel de V
GS
se incrementa de V
T
a 8 Y, el nivel de
saturacin resultante para ID tambin aumenta desde un nivel de O mA a 10 mA. Adems, es
bastante notorio que el espaciamiento entre los niveles de V GS aumentaron cuando subi la
magnitud de V cs' dando por resultado aumentos siempre crecientes en la corriente del drenaje.
Para los niveles de V
Gs
> V
r
la corriente de drenaje est relacionada al voltaje compuerta-
fuente aplicado mediante la siguiente relacin no lineal:
(5.13)
Una vez ms, es el trmino cuadrtico que resulta de la relacin no lineal (curva) entre ID y
V
Gs
' El trmino k es una constante que, a su vez, es una funcin de la fabricacin del disposi-
tivo. El valor de k se puede calcular a partir de la siguiente ecuacin [derivada de la ecuacin
(5.13)] donde ID(encendido) y Ves(f':nccn(itr:U) son los valores de cada uno en un punto en particular
sobre las caractersticas del dispositivo.
k = ____ __ __
(5.14)
(V VT)2
GS(encendido) -
Sustituyendo 1 D(encendido) =: 10 mA donde V GS(encendido) = 8 V a partir de las caractersticas
de la figura 5.34 da
lOmA 10 mA
k = ----=--=
(8 Y - 2 Y)' (6 Y)2
= 0.278 X 1()-3 AN2
10 mA
36 y,
y una ecuacin general para ID para las caractersticas de la figura 5.34 da por resultado:
5.8 MOSFET de tipo incremental 241
1[)(mA)
10
9
8
7
6
5
4
3
2
o
2
V
T
242
Sustituyendo V GS = 4 V, se encuentra que
ID = 0.278 x 10-
3
(4 V - 2 V)' = 0.278 X 10-
3
(2)2
= 0.278 x 10-
3
(4) = 1.B mA
como se verifica en la figura 5.34. En Ves == VTel trmino al cuadrado es O e ID == O mA.
Para el anlisis en de del MOSFET de tipo incremental que aparece en el captulo 6, las
caractersticas de transferencia otra vez sern las que se utilizarn en la solucin grfica. En la
figura 5.35 el drenaje y las caractersticas de drenaje y de transferencia se han colocado lado a
lado para describir el proceso de transferencia tanto de una como de la otra. En esencia, proce-
de igual que en el ejemplo que antes presentamos para el JFET y el MOFET de tipo decrementa\.
Sin embargo, en este caso se debe recordar que la corriente de drenaje es de O mA para V es
V T" En este momento una corriente que se puede medir ser el resultado para ID Y crecer como
se defini en la ecuacin (5.13). Obsrvese que al definir los puntos de la caracterstica de
transferencia a partir de las caractersticas de drenaje. slo se utilizan los niveles de saturacin,
limitando de tal modo la regin de operacin a niveles de VDS mayores que los niveles de
saturacin como se defini en la ecuacin (5.12).
ID (mA)
'10
9
8
--------7
6

5
4
3
---- _._--_._-
2
--------
3 4 5 6 7 8
VG;
o
5 10 15 20
Figura 5.35 Trazo de las caracterfsticas de transferencia de un MOSFET de tipo
incremental de canal-n a partir de las caractersticas de drenaje.
\les=+7V
V
es
=+4V
Ves = +3 V
25\ vC,\,
v
es
=V
T
=2V
La curva de transferencia de la figura 5.35 es bastante diferente de aquellas otras obteni-
das. Ahora, el dispositivo de canal-n (inducido) est totalmente en la regin de VGS positiva y
no aumenta hasta que Ves = V T' Surge entonces la pregunta sobre cmo graficar las caracters-
ticas de transferencia dados los niveles de k y de V
p
as como se incluye abajo para un MOSFET
en particular:
Primero se dibuja una lnea horzontal en ID = O mA desde V GS = O mA a V GS = 4 V como
se muestra en la figura 5.36a. Luego, se elige un nivel de V GS mayor que V T' tal como 5 V, Y se
sustituye en la ecuacin (5.13) para detenninar el nivel resultante de ID de la siguiente manera:
4 V)2
= 0.5 x 10-
3
(5 V 4 V)' = 0.5 X 10-
3
(1)2
= O.5mA
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
8 8
7 7
6 6
5 5
4 4
3 3
2 2
O 2 3 4 5 6 7 8
Ve; O 2 3 4 5 6
\/T V,
(a) (b)
l{)=(mAl
8
7
6
3
4
"
2
O
2 3 4 5 6 7 8
Ves
V,
(e)
I-igura 5.36 Grfica de las caractersticas de transferencia de un MOSFET de tipo
incremental de canal-n con k = 0.5 X 10-
3
AjV2 Y V
T
= 4 V.
7 8
Ves
y se obtiene un punto en el plano, como se muestra en la figura 5 .36b. Por ltimo se eligen
niveles adicionales de V
GS
y se obtienen los niveles resultantes de ID' En particular, para
Ves = 6 V, 7 V Y 8 Vel nivel de ID es 2 mA, 4.5 mA y 8 mA respectivamente, como se
muestra en el diagrama resultante de la figura 5.36 c.
MOSFET de tipo incremental de canal-p
La constnlccin de un MOSFET de tipo incremental de canal-p es exacto al inverso que apare-
ce en la figura 5.31, como se muestra en la figura 5.37a. Esto es, ahora existe un substrato de
tipo n y regiones dopadas-p bajo las conexiones del drenaje y de la fuente. Las terminales
permanecen tal como se indicaron, pero estn invertidas todas las polarizaciones del voltaje y
las direcciones de corriente. Las caractersticas del drenaje aparecern igual que en la figura
537c, con niveles de corriente crecientes que resultan del incremento negativo de los valores
de V
Gs
. Las caractersticas de transferencia sern una imagen de espejo (respecto al eje ID) de
la curva de transferencia de la figura 5.35, pero con ID creciendo con los valores cada vez ms
negativos de V GS despus de V
p
como se muestra en la figura 5.37b. Pueden aplicarse igual
que las ecuaciones (5.11) a la (5.14) a los dispositivos de canal-p.
5,8 MOSFET de tipo incremental
243
D
n
+
D
(a)
244
lD= (mA) I{)=(mA)
8
8
7
7
6
6
5
5
4 4
___ ---------- Ves = -5 V
-o SS
3 3
2
2
-5 -4 -3 -2 -1
O Vas
O
V
T
(b) (e)
Figura 5.37 MOSFET de tipo incremental de canal-p con V
T
: 2 Vy k = 0.5 x 10--
3
AjV2.
Smbolos, hojas de especificaciones y construccin
del encapsulado
En la figura 5.38 se proporcionan los smbolos grficos para los MOSFET de tipo increl _,tal
para el canal-n y p. Una vez ms podemos ver la manera en que los smbolos intentan reflejar
la construccin real del dispositivo. Se eligi la lnea punteada entre el drenaje y la fuente para
reflejar el hecho de que no existe un canal entre los dos bajo condiciones de no polarizacin.
De hecho, esta es la nica diferencia entre los smbolos para los MOSFET de tipo decremental
y de tipo incremental.
canal-n canal-p
JD JD
G ~
ss
G ~
ss
s s
JD JD
G ~ 9 s G ~ 9 s
Figura 5.38 Smbolos para
a) MOSFET de tipo incremental
de canal-n, y b) MOSFET de tipo
(,) (b)
incremental de canal-p.
En la figura 5.39 se proporciona la hoja de especificaciones para un MOSFET de tipo
incremental de canal-n de Motorola_ Se proporcionan la construccin del encapsulado y la
identificacin de las tenninales junto a los valores nominales mximos, los cuales incluyen
ahora una corriente de drenaje mxima de 30 mA de. La hoja de especificaciones ofrece el
nivel de 1 DSS bajo condiciones de "apagado", el cual es ahora de slo 10 nA dc (cuando VDS =
10 V Y V
GS
= O V) comparado con el rango de miliamperes para el JFETy el MOSFET de tipo
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
VALORES MXIMOS
Clasificacin Smbolo Valor t:nidad
Voltaje
Vos
25 Vdc
Voltaje drenaje-compuerta V
DG
30 Vd,
Voltaje compuerta-fuentc'
V(;, 30 Vd,
Corriente del drenaje
ID 30 mAdc
Disipacin total del dispositivo @ T,\ = 25 OC P
D
300 ,m\\'
Prdida de disipacin arriba de 25 'C 1.7
mW/oC
Rango dc temperatura de la unin T, 175
oC
Rango de temperatura de almacenamiento

-65a+175
oC
CARACTERSTICAS ELCTRICAS (T A = 25 oC a menos que se especifique lo contrario)
2N4351
EI\CAPSULADO 20-03. ESTILO 2
TO-72 (TO-206A:;')
CONMUTACIN DEL MOSFET
CANALN- INCREMENTAL
Caracterstica Smbolo I Mnimo :\11ximo Unidad I
CARACTERSTICAS "APAGADO"
Voltaje de ruptura drenaje-fuente
(ID = 10 IlA. Ves == Ol
Corriente de drenaje con voltaje de cero en la compuerta
(VDS = ro v. VGS == O) T .. = 25C
T",= 150C
Corriente inversa de la compuerta
(V
Gs
= 15Vdc.V
DS
=0)
CARACTERISTICAS "ENCENDIDO"
Voltaje de umbral de la compuerta
(Vos = 10 V. ID = 1O,uA)
Voltaje en encendido drenaje-compuerta
(ID = 2.0 mA. V GS = IOV)
Corriente de drenaje en encendido
(V
Gs
= lOV,V
DS
= 10 V)
"
,
CARACTERISTICAS EN PEQUENA SENAL
Admitancia de transferencia directa
(Vos = 10 V.l
o
= 2.0 mA, f == 1.0 kHz)
Capacitancia de entrada
(Vos = 10 V. VGS =0, f= 140 kHz)
Capacitancia de transferencia inversa
(VDs=O.VGs=O.f= 140kHz)
Capacitancia drenaje-substrato
(V DISl;BI = 10 V. f = 140 kHz)
Resistencia drenaje-fuente
(V
GS
'" 10V'!o=0.f", 1.OkHz)
CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
Retardo de encendido (figura 5)
Tiempo de subida (figura 6) I
n
= 2.0 mAdc. VDS = 10 Vdc.
Retardo de apagado (figura 7) (V
Gs
= lOVdc)
Tiempo de bajada (figura 8) (Ver figura 9: veces que se detennin el circuito)
Figura 5.39 MOSFET de tipo incremental de canal-n 2N4351 de Motorola.
VBRlDSX
25
loss
-
-
less
-
VeS(Thl
1.0
V -
OS(cnccnd,J",
ID(clICcnd,d,'1
3.0
k'
1000
C
'"
C,,,
Cdl,ubl
fd,ccnnddo'
1"
-
1,
t
d
:, -
1,
-
decremental. El voltaje de umbral est especificado V GS{Th) y tiene un rango de 1 a 5 V
de, dependiendo de la unidad que se utlice. En lugar de proporcionar un rango de k en la
ecuacin (5.13), se especifica un nivel normal de 1 D(encendido) (3 mA en este caso) en un nivel de
VGS1"OOndidO) en particular (lO V para el nivel especificado de lo), En otras palabras, cuando
Ves = 10 V. ID = 3 mA. Los niveles que se dieron de V GS(Th), 1 D(encendido)' y VeS(enccndido) permi-
ten determinar k a partir de la ecuacin (5.14) y escribir la ecuacin general para las caracters-
ticas de transferencia. En la seccin 5,9 se revisan los requerimientos de manejo de los MOSFET.
5.8 MOSFET de tipo incremental
I
- Vdc
10 nAdc
10 IlAdc
:t 10 pAdc
5 Vdc
1.0 V
- mAd,
,umho
5.0 pF
1.3 pF
5.0 pF
300
45
"
6S ns
60 ns
100
I "'
245
EJEMPLO 5.4
246
Determine a partir de los datos proporcionados en la hoja de especificaciones de la figura 5.39
un voltaje promedio de umbral de VGS(Th) = 3 V:
a) El valor de k que resulte para el MOSFET.
b) Las caractersticas de transferencia.
Solucin
a) La ecuacin (5.14):
k = ______ ____ __
(V -
GS(encendido)
3mA
=
-----= =---
3 X 1{}"
AN2
(JO Y - 3 Y)'
(7 y)2
49
= 0.061 x 10-
3
AJV2
b) La ecuacin (5.13): lo = k(Ves - V
r
)2
= 0.061 X 10-3(V
es
- 3 Y)'
Para Ves = 5 Y,
ID = 0.061 x 10-
3
(5 Y - 3 Y)' = 0.061 X 10-
3
(2)2
= 0.061 x 10-
3
(4) = 0.244 mA
Para Ves = 8 Y, 10 Y, 12 Y Y 14 Y,ID ser de 1.525 mA, 3 mA (como se defini), 4.94 mA y
7.38 mA, respectivamente. En la figura 5.40 estn trazadas las caractersticas de transferencia.
D(mA)
8
7
6
5
4
3
2
o 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 J4 15 Ves
Figura 5.40 Solucin al ejemplo 5.4.
5.9 MANEJO DEL MOSFET
La delgada capa de SiO, que se encuentra situada entre la compuerta y el canal de los MOSFET
tiene el efecto positivo de ofrecer una caracterstica de alta impedancia de entrada para el
dispositivo, pero por esta capa extremadamente delgada se deben tener precauciones para su
manejo, que no eran necesarias en los transistores BJT o JFET. A menudo existe suficiente
acumulacin de carga esttica (la cual se capta de los alrededores) que establece una diferencia
de potencial a travs de la delgada capa, de tal forma que puede romper la capa y establecer la
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
conduccin a travs de ella. Por tanto, es muy importante que se deje el papel de embarque (o
anillo) de corto circuito (o conduccin) porque interconecta las terminales hasta que el dispo-
sitivo se va a insertar en el sistema. El anillo para corto circuito evita la posibilidad de aplicar
un potencial a travs de dos terminales cualquiera de) dispositivo. Con el anillo la diferencia de po-
tencial se mantiene en O V entre dos terminales cualquiera. Por lo menos, siempre se debe
hacer tierra para permitir la descarga de la esttica acumulada antes de manejar el dispositivo,
y siempre levantar el transistor por el encapsulado.
A menudo existen ciertos transitorios (cambios bruscos en el voltaje o la corriente) en una
red cuando los elementos son retirados o insertados cuando se encuentra encendido. Los niveles
de transitorios con frecuencia pueden ser mayores de los que puede soportar el dispositivo; por
tanto, siempre se debe mantener apagado el sistema cuando se haga cualquier cambio en la red.
Normalmente se proporciona el voltaje compuerta-fuente mximo en la lista de valores
nominales mximos del dispositivo. Un mtodo para asegurar que no se exceda este voltaje
(debido quiz a efectos transitorios) para cualquier polarizacin es mediante la introduccin de
dos diodos Zener, como se muestra en la figura 5.41. Los diodos Zener estn situados uno
junto al otro para asegurar proteccin para cualquier polarizacin. Si ambos diodos Zener son
de 30 V Y aparece un transitorio positivo de 40 V. el Zener inferior se "disparar"" a 30 V Y el
superior se encender con una cada de cero volts (de fonna ideal, para la regin de "encendi-
do" positiva de un diodo semiconductor) a travs del otro diodo. El resultado es un voltaje
mximo de 30 V de la compuerta a la fuente. U na desventaja que se presenta con la proteccin
Zener consiste en que la resistencia de "apagado" de un diodo Zener es menor que la impedancia
de entrada 'que se estableci por medio de la capa de Si0
2
. El resultado es una reduccin de la
resistencia de entrada, pero aun as es lo suficientemente alta para la mayora de las aplicacio-
nes. La mayor parte de los dispositivos discretos tienen en la actualidad la proteccin Zener de
tal fonna que los cuidados anteriores no resultan tan problemticos. Sin embargo, todava es
mejor manejar con cautela los dispositivos MOSFET discretos.
5.10 VMOS
Una de las desventajas del MOSFET tpico consiste en los reducidos niveles de manejo de
potencia (por lo general, menos de 1 W) comparado con los transistores BJT. Se puede superar
esta carencia de un dispostivo con tantas caractersticas positivas mediante un cambio en la
forma de construirlo de una naturaleza planar como la que se muestra en la figura 5.23, a una
con una estructura vertical como la que se seala en la figura 5.42. Todos los elementos del
MOSFET planar estn presentes en el FET vertical de metal-xido-silicio (VMOS) (por las ini-
ciales en ingls de Vertical la conexin de la superficie metlica a las
terminales del dispositivo, la capa de Si0
2
entre la compuerta y la regin de tipo p que se
encuentra entre el drenaje y la fuente con el objeto de crear el canal-n inducido (operacin en
n+
Terminales de la fuente
conectadas de forma externa
+
D
n+(substrato)
Canal ms ancho
Longitud efectiva
del canal
Figura 5.42 Construccin
deunVMOS.
5.10 VMOS
D
---
-1
1
G 1
1
1
1
1
L... ___
J
S
Figura 5.41 MOSFET protegido
por un Zener,
247
248
modo incremental). El trmino vertical se debe bsicamente al hecho de que el canal se en-
cuentra ahora formado en la direccin vertical, en vez de la direccin horizontal para el dispo-
sitivo planar. Sin embargo, el canal de la figura 5.42 tambin tiene la apariencia de un corte en
V en la base del semiconductor, que se destaca como caracterstica para la memorizacin
mental del nombre del dispositivo. La construccin de la figura 5.42 es muy simple en natura-
leza al eliminar algunos de los niveles de transicin de dopado. pero a su vez permite una
descripcin de las facetas ms importantes de su operacin. .
La aplicacin de un voltaje positivo sobre el drenaje y de un voltaje negativo sobre la
fuente con la compuerta en O V o en algn nivel positivo de "encendido" tpico ,como el que se
muestra en la figura 5.42. dar por resultado el canal-n inducido en la regin angosta de tipo p
del dispositivo. Por tanto, se define la longitud del canal mediante la altura vertical de la regin
p, que puede ser mucho menor que el de un canal de construccin plano. Sobre un plano
horizontal, la longitud del canal est limitada de 1 a 2 micrmetros (pm) (1 pm = 10-
6
m). Se
pueden controlar las capas de difusin (de la misma forma que la regin p de la figura 5.42) en
pequeas fracciones de un micrmetro. Dado que las longitudes decrecientes de canal dan
como resultado niveles reducidos de resistencia, el nivel de disipacin de potencia del disposi-
tivo (potencia disipada en fonna de calor) se reducir en los niveles de operacin de corriente.
Adems, el rea de contacto entre la regin n+ se incrementa mucho debido a la construccin
vertical, 10 que contribuye a una reduccin mayor en el nivel de resistencia y a una rea mayor
para corriente entre las capas dopadas. Tambin existen dos trayectorias de conduccin entre el
drenaje y la fuente para contribuir a un mayor valor de corriente, como 10 muestra la figura
5.42. El resultado neto es un dispositivo con corrientes de drenaje que pueden alcanzar niveles
de amperes con niveles de potencia que exceden los 10 W.
Por lo general:
Comparados con los MOSFET planares disponibles en el mercado, los FET VMOS
tienen niveles reducidos de resistencia en el canal y mayores valores nominales, de
corriente y de potencia.
Adems, una caracterstica importante de la construccin vertical es:
Los FET VMOS tienen un coeficiente positivo de temperatura que atacar la
posibilUlad de avalancha trmica.
Los niveles de resistencia se incrementarn si la temperatura del dispositivo aumenta de-
bido al medio que lo rodea o a sus corrientes. causando con esto una reduccin de la corriente
de drenaje en vez de un incremento, como sucede con un dispositivo convencional. Los coefi-
cientes negativos de temperatura dan por resultado menores niveles de resistencia con Un in-
cremento en la temperatura que aumenta los niveles de corriente y genera mayor inestabilidad
de temperatura y avalancha tnnica.
Otra caracterstica positiva de la configuracin VMOS es:
Los niveles reducidos de almacenamiento de carga dan por resultado tiempos de
conmutacin ms rpidos en la construccin VMOS comparados con los tiempos de
la construccin planar convencional.
De hecho, los dispositivos VMOS tienen tiempos de conmutacin menores de la mitad de
los tiempos que se encuentran en el transistor BJT normal.
5.11 CMOS
Puede establecerse un circuito lgico muy efectivo al construir un MOSFET de canal-p y de
canal-n sobre el mismo substrato, como se muestra en la figura 5.43. Se observa a la izquierda
el canal-p inducido y a la derecha el canal-n inducido, para los dispositivos de canal-p y de
canal-n, respectivamente. La configuracin que se conoce como un arreglo complementario
de MOSFET, y se abrevia CMOS, tiene extensas aplicaciones en el diseo de lgica de compu-
tacin. La impedancia de entrada relativamente alta, las rpidas velocidades de conmutacin,
y los bajos niveles de potencia de operacin de la configuracin CMOS dan por resultado una
disciplina totalmente nueva que se le llama diseo lgico CMOS.
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
v,
v,
\.. "encendido"
'----v
MOSFET de canal-p
Substrato de tpo n
,. encendido"
'-..... _-v
MOSFET de canal-n
p
Figura 5.43 CMOS con las conexiones indicadas en la figura 5.44.
Como muestra la figura 5.44. un inversor es un arreglo complementario de uso muy efec-
tivo. De ~ misma mai.1era que se present para los transistores de conmutacin, un inversor es
un elemento lgico que "invierte" la seal aplicada. Esto es, si los niveles lgicos de operacin
son O V (estado O) y 5 V (estado 1), un nivel de entrada de O V dar por resultado un nivel de 5 V
Y viceversa. Se absenta en la figura 5.44 que ambas entradas estn conectadas a la seal de
entrada y los dos drenajes a la salida V
O
' La fuente del MOSFET de canal-p (Q,) est conectada
directamente al voltaje aplicado V
ss
' mientras que la fuente del MOSFET de canal-n (Q,) est
conectada a tierra. Para los niveles lgicos definidos arriba, la aplicacin de 5 V en la entrada
deben dar por resultado una salida aproximada de O V. Con 5 Ven Vi (respecto a la tierra). V GS,
= Vi Y Q, est "encendido", dando por resultado una resistencia muy baja entre el drenaje y la
fuente, como se muestra en la figura 5.45. Ya que Vi y V
ss
estn en 5 Y, Ves, = O V, lo cual es
menor que el V T necesario para el dispositivo y da por resultado un estado "apagado". El nivel
de resistencia resultante entre el drenaje y la fuente es muy alto para Q2' como se muestra en la
figura 5 AS. Una aplicacin simple de la regla del divisor de voltaje indicar que V
u
se en-
cuentra muy cerca de O V o en el estado O. estableciendo el proceso de inversin deseado. Para
un voltaje aplicado Vi de O V (estado O). Ves. = O V Y Q, estar apagado con V
ss
, = -5 V.
encendiendo el MOSFET de canal-p. El resultado consiste en que Q, presentar un 'pequeo
nivel de resistencia y Q una gran resistencia y V
o
== V
ss
= 5 V (el estado 1). Debido a que la
corriente de drenaje que fluye en cada caso est limitada por el transistor "apagado" en el valor
de fuga, la potencia que disipa el dispositivo en cada caso es muy bajo. En el captulo 17 se
presentan ms comentarios sobre la aplicacin de lgica eMOS.
+
V
GS
,_t
V
;s=5V
+ ~ MOSFET
de canal-p
Q,
oVu=OV
(estado O)
5 V I MOSFET
(estado 1) L - ~ 1 de cana!-n
+ Q,
Ves, -
...
Figura 5.44 Inversor CMOS.
Q} apagado
Q] encendido
R]V
SS
V" = --== O V (estado O)
R] + R ~
Figura 5.45 Niveles relativos de resistencia para
VI'" 5 V (estado 1).
S.l! CMOS 249
5.12 TABLA RESUMEN
La tabla 5.2 se desarroll para presentar de manera clara las diferencias entre un dispositivo y
otro debido a que las curvas de transferencia y algunas caractersticas importantes varan de un
tipo de FET a otro. Entender bien todas las curvas y parmetros de la tabla ofrecer una forma-
cin suficiente para los anlisis en de y ac que siguen en los captulos 6 y 8. Tome un momento
para asegurar que se reconoce cada curva y que est clara su derivacin, y despus establezca
una base de comparacin para cada dispositivo, de los niveles de los parmetros importantes
deR
i
y e
i

TABLA 5.2 Transistores de efecto de campo
-Smbolo-
I
Resistencia y capacitancia
Tipo Relaciones bsicas Curoa de transferencia de entrada
JFET
(canal-n) ID
1 DSS
IG=OA,ID=ls

-
'oss
R> 100 Mil
I
Dss
.
--2
C;, (1 - 10) pF
v
p
I
loss
-f--
I
:
4
I
( V
eJ
2
v
p
V,
0.3 v
p O
Ves lo=IDSS
T
MOSFET
)
tipo decremental
r
D
(canal-n)
lo=OA.I
D
=l
s

/
f
DSS
Ri> lOlOQ
I
DSS ,
C,: (1 - 10) pF
V
p
I
I
I
I
I
( V
eJ
'
I
ID=IDSsl-Vp
I
V, O
Ves Ves
MOSFET
ID
tipo incremental
Ic=OA./D=I
s
(canaln)
I
u
JDVT
,._--}:
R, > 10
1O
.Q
G 9 I
V GS(=ndido)
--------
C,: (1 - 10) pF
S
I
I
ID = k(V
es
- Ves (n?
:
k=
/ D(cncend,do) O
(V GS(.ncendido) - V GS(Th?
V GS(Th) V GSlcnccndldo) Ves
250 Capitulo 5 Transistores de efecto de campo
5.13 ANLISIS POR COMPUTADORA
El anlisis por computadora de un amplificador a FET en el modo dc utilizando BASIC nece-
sita que se utilice la ecuacin caracterstica para el dispositivo que se utilizar, junto con las
ecuaciones de la red con el objeto de obtener una solucin matemtica. Como se mencion
para la configuracin a BJT, el anlisis proceder de la misma forma que el sistema manual. En
el captulo 6, el BASIC se utiliza para investigar una de las configuraciones del amplificador
JFET ms comunes.
PSpice (versin DOS)
Para PSpice se debe utilizar un formato especfico para introducir los parmetros JFET de
manera adecuada. El formato para un dispositivo de canal-p o n es el siguiente:
JI 3 4 JN
nombre D G S nombre del modelo
El formato es muy similar al que se usa para el transistor BJT. El nombre consiste de la
literal J, que es un designador para JFET, junto con el nmero l. Los nodos a los cuales se
conectan las terminales estn listados en el orden en que aparecen en el ejemplo anterior. Por
ltimo, se debe introducir el nombre del modelo con objeto de proporcionar una ubicacin que
definir los parmetros del JFET.
El siguiente es el formato para la descripcin del. modelo:
.MODEL JN NJF(VTO = -4V, BETA = .SE - 3)
nombre del modelo especificaciones de parmetros
El .MODEL requerido es seguido por el nombre del modelo como se list en la instruccin
anterior. NJF especifica que se trata de un JFET de canal-n, mientras que PJF explicara un
JFET de canal-p. Se puede especificar una seleccin de hasta 14 parmetros. Sin embargo,
para estos propsitos ser suficiente especificar VTO y BETA. VTO es el voltaje de umbral
que se especifica normalmente como Vp- BETA no es la f3 definida para los transistores BJT
sino la que se determina en la siguiente ecuacin:
(5.15)
Por ejemplo, si V
p
= -4 V e 1 DSS = 8 mA, se generarn los valores ')ue aparecen en la instruc-
cin anterior del modelo. Esto es. VTO =-4 Vy BETA = IDss/1 V
p
l' = 8 mAl (4V)' = 8 mAl
16 V' = 0.5 X 10-
3
AN'.
Ambas instrucciones aparecern en un anlisis de PSpice que se desarrollar en el captu-
lo 6 en una configuracin de divisor de voltaje. Se debe empezar a reconocer la similitud de las
instrucciones utilizadas para tener acceso a los parmetros a la red. Continan las similitudes
para una amplia variedad de dispositivos, lo cual permite un ajuste relativamente fcil al an-
lisis de las redes que contienen una gran variedad de elementos.
Anlisis del centro de diseo de PSpice para Windows
Para la versin de PSpice para Windows, los JFET estn listados en la biblioteca eval.slb en el
listado de Partes (Get New Part). Se utiliza el mismo procedimiento para colocar un JFET
sobre la pantalla esquemtica que el descrito para los transistores en los captulos 3 y 4. En el
captulo 6 se explicar la especificacin de VTO y de BETA para el JFET seleccionado.
5,13 Anlisis por computadora 251
PROBLEMAS
252
5.2 Construccin y caractersticas de los JFET
1. a) Dibuje la construccin bsica de un JFET de canal-p.
b) Aplique la polarizacin correcta entre el drenaje y la fuente y dibuje la regin de agotamiento
para VGs=OV.
2. Con 'las caractersticas de la figura 5.10, determine ID para los siguientes niveles de Ves (con
VDS> V
p
).
a) VGs=OV.
b) VGs=-IV.
e) V
Gs
=-I.SY.
d) V
GS
=-1.8 V.
e) VGS = -4 V.
f) V
Gs
=-6Y.
3. a) Calcule VDS para Ves = O V e ID::; 6 mA utilizando las caractersticas de la figura 5.10.
b) Con los resultados del inciso a, calcule la resistencia del JFET para la regin ID = O mA a 6
mApara Ves=Ov.
e) Determine VDS para Ves = -1 Ve ID::; 3 mA.
d) Con los resultados del inciso e, calcule la resistencia del JFET para la regin ID::; O rnA a 3
mApara V
es
=-l V.
e) Detennine VDS para V GS::;: -2 Velo = 1.5 mA.
D Usando los resultados del inciso e, calcule la resistencia del JFET para la regin J D = O mA
a 1.5 mApara V
Gs
=-2 y.
g) Despus de definir el resultado del inciso b como T
o
' precise la resistencia para V GS ;;: -1 V
utilizando la ecuacin (5.1) y comprela con los resultados del inciso d.
h) Repita el inciso g para V GS= -2 V utilizando la misma ecuacin, y compare los resultados con
el inciso f.
i) Basndose en los resultados de los incisos g y h, aparenta la ecuacin (5.1) ser una aproxi-
macin vlida?
4. Utilizando las caractersticas de la figura 5.10:
a) Precise la diferencia de comente de drenaje (para VDS> V
p
) entre V GS = O V Y V GS = -1 V.
b) Repita el inciso a entre V GS = -1 V Y -2 V.
c) Haga otra vez el inciso a entre VGS = -2 V Y -3 V.
d) Repita el inciso a entre V GS = -3 V Y -4 V.
e) Existe un cambio marcado en la diferencia en los niveles de corriente cuando V GS se aumenta
en fonna negativa?
f) Es lineal o no lineal la relacin entre el cambio en V GS Y el cambio que resulta en ID? Explique.
5. Cules son las diferencias principales entre las caractersticas del colect;)r de un transistor BJT y
las de drenaje de un transistor JFET? Compare las unidades de cada eje y la variable de control.
Cmo reacciona le ante los niveles crecientes de lB contra los cambios en ID respecto a jos aumentos
negativos en los valores de V GS? Cmo se comparan los espaciamientos entre los pasos de lB con
los espaciamientos entre los pasos de V GS? Compare Ve ,a, con V
p
al definir la regin no lineal en los
niveles bajos del voltaje de salida.
6. a) Describa con sus propias palabras por qu, para un transistor JFET, l G es efectivamente igual
a cero amperes.
b) Por qu es tan alta la impedancia de entrada a un JFET?
c) Por qu es adecuado el tnnino efecto de campo para este importante dispositivo de tres
tenninales?
7. Dados 1 DSS = 12 roA Y IV pi = 6 V, trace una distribucin probable de las curvas caractersticas para
el JFET (similar a la figura 5.10).
8. En general, comente acerca de la polarizacin de los varios voltajes y la direccin de las corrientes
para un JFET de canal-n contra un JFET de canal-p.
5.3 Caractersticas de transferencia
9. Dadas las caractersticas de la figura 5.46:
a) Trace las caractersticas de transferencia directamente a partir de las caractersticas de drenaje.
b) Utilizando la figura 5.46 para establecer los valores de 'DSS y V
p
, dibuje las caractersticas de
transferencia utilizando la ecuacin de Shockley.
c) Compare las caractersticas de los incisos a y b. Existen algunas diferencias importantes?
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
ID (mA)
VGS=V
I
9
1/
8'
1
-IV
7
6
I
1/
I
5
2V
f--
4
_1
3
-3V ,
2 ,
I
4V
I
SV
;;6
v
O
5 10 15 20 25
VDS
(V)
Figura 5.46 Problemas 9, 17.
10. a) Dados 1 DSS = 12 mA y V p = -4 V. dibuje las caractersticas de transferencia para el transistor
JFET.
b) trace las caractersticas de drenaje para el dispositivo del inciso Q.
11. Dados Ioss=9 mAy V
p
=-3.5 V.detennine ID cuando:
a) VGs=OV
b) V
Gs
=-2V
el V
Gs
=-3.5V,
d) VGs=-S V
12. Dados loss = 16 mA y V
p
= -5 V. dibuje las caractersticas de transferencia utilizando los datos de
los puntos de la tabla 5 .1. Precise e1 va10r de 1 D a partir de la curva. cuando V GS -= -3 V Y comprelo
con el valor determinado al utilizar la ecuacin de Shockley. Repita lo anterior para Ves:;::: -1 V.
13. Un JFET de canal-p tiene parmetros del dispositivo de loss = 7.5 mA y V p = 4 V. Trace las
caractersticas de transferencia.
14. Dados I
DSS
= 6 mAy V
p
= -4.5 V:
a) Calcule ID cuando Ves =-2 Vy -3.6 V.
b) Determine Ves cuando ID = 3 mA y 5.5 mA.
15. Dado un punto Q en I
DQ
= 3 mA Y Ves = -3 V. determine loss si V
p
= -6 V.
5.4 Hojas de especificaciones (JFE1)
16. Defina la regin de operacin del JFET 2N5457 de la figura 5.18 utilizando el rango proporciona-
do de I
DSS
y Vp- Esto es, dibuje la curva de transferencia definida por ellos
s
y V
p
mximos y la
curva de transferencia definida por ell DSS y V
p
mnimos. Seale despus el rea resultante entre las
dos curvas.
17. Defina la regin de operacin del JFET de la figura 5.46 si Vos max ;:: 25 V Y P Om.i. = 120 mW.
5.5 Instrumentacin
18. Con el uso de las caractersticas de la figura 5.21, determine ID cuando Ves = --0.7 V Y VDS = 10 V.
19. Al referirse a la figura 5.21, se encuentran los valores de estrechamiento definidos por la regin
V
DS
< IVpl =3V?
20. Determine V p para las caractersticas de la figura 5.21 utilizando loss e ID en algn valor de V GS'
Esto es. slo sustituya en la ecuacin de Shockley y resuelva para V p- Compare el resultado con el
valor supuesto de -3 V de las caractersticas.
Problemas 253
254
21. Utilizando I
DSS
= 9 rnAy V
p
=-3 V para las caractersticas de la figura5.21, calcule lo cuando Ves =
-1 V usando la ecuacin de Shockley y comprela con el nivel que aparece en la figura 5.21.
22. a) Calcule la resistencia asociada con el JFET de la figura 5.21a para V GS = O V desde ID = O rnA
hasta 4 mA.
b) Repita el inciso a para Ves = -0.5 V desde lo = O mA hasta 3 mA.
c) Al asignar el nombre ru al resultado del inciso a y r
d
al resultado del inciso b, utilice la
ecuacin (5.1) para determinar r
d
y comprelo con el resultado del inciso b.
5.7 MOSFET de tipo decremental
23. a) Dibuje la construccin bsica de un MOSFET de tipo decremental de canal-p.
b) Aplique el voltaje adecuado del drenaje a la fuente y trace el flujo de electrones para Ves = O V.
24. En qu formas es similar la construccin de un MOSFET de tipo decremental y un JFET? En
qu fonnas es diferente?
25. Explique con sus propias palabras por qu la aplicacin de un voltaje positivo a la entrada de
un MOSFET de tipo decremental de canal-n dar por resultado que una corriente de drenaje
exceda I DSS'
26. Dado un MOSFET de tipo decremental con I DSS = 6 mA Y V
p
= 3 V, precise la corriente de drenaje
en Ves = -1 V, O V, 1 V Y 2 V. Compare la diferencia con los niveles de corriente entre -1 y O V con
la diferencia entre 1 y 2 V. En la regin positiva, se incrementa la corriente de drenaje en una
proporcin significativamente mayor que para los valores negativos? Se hace la curva lo ms y
ms vertical al aumentar los valores positivos de Ves? Existe una relacin lineal o no lineal entre
ID Y Ves? Explquela.
27. Trace las caractersticas de transferencia y de drenaje de un MOSFET de tipo decremental de
canal-n con I
Dss
= 12 mAy V
p
= -8 V para un rango de Ves = -V
p
a l/es::: 1 V.
28. Dado ID:;:: 14 mAy V
es
= 1 V, determine Vpsi I DSS= 9.5 mApara un MOSFET de tipo decremental.
29. Dado ID = 4 mAy Ves = -2 V, detennine 1 DSS si V
p
= -5 V.
30. Utilizando un valor promedio de 2.9 mA para el I
DSS
del MOSFET 2N3797 de la figura 5.30,
precise el nivel de V GS que dar por resultado una corriente mxima de drenaje de 20 mA si V
p
~ 5 V.
31. Si la corriente de drenaje para el MOSFET 2N3797 de la figura 5.30 es de 8 mA, cul es el valor
mximo permisible de VDS si se utiliza el valor nominal mximo de potencia?
5.8 MOSFET de tipo incremental
32. a) Cul es la diferencia principal entre la construccin de un MOSFET de tipo incremental y un
MOSFET de tipo decremental?
b)
e)
33. a)
b)
34. a)
b)
e)
Dibuje un MOSFET de tipo incremental de canal-p con la polarizacin adecuada aplicada
(VDS> O V, Ves> V
r
) e indique el canal, la direccin del flujo de electrones y la regin de
agotamiento que resulte.
Con sus propias palabras, describa brevemente la operacin bsica de un MOSFET de tipo
incremental.
Trace las caractersticas de transferencia y de drenaje de un MOSFET de tipo incremental de
eanal-n con V T ~ 3.5 Vy k ~ 0.4 X 10-
3
AJV'.
Repita el inciso a para la caracterstica de transferencia si se mantiene V
T
en 3,5 pero k se
incrementa el 100% a 0.8 x 10-
3
AN2.
Dado V GS(Th) = 4 Ve lD(encendido) == 4 mA cuando Ves(encendidO) = 6 V, determine k y escriba la
expresin general para ID en el formato de la ecuacin (5.13).
Dibuje las caractersticas de transferencia para el dispositivo del inciso a.
Determine ID para el dispositivo del inciso a cuando V GS == 2 V, 5 V Y 10 V.
35. Dadas las caractersticas de transferencia de la figura 5.47, determine V
T
y k Y escriba la ecuacin
general para lo'
36. Dados k == 0.4 X 10-
3
A/V
2
e ID(enCendidO) = 3 mA con Ves{enCendido) = 4 V, determine V
r
37. Para el MOSFET de tipo incremental de canal-n, la corriente mxima de drenaje es de 30 mA.
Determine V GS en este nivel de corriente cuando k::: 0,06 X 10-
3
A/V
2
Y V Tes el valor mximo.
Captulo 5 Transistores de efecto de campo
D(mA)
25
20
5
,1
O
5
o
5 10
Figura 5.47 Problema 35.
38. Aumenta la corriente de un MOSFET de tipo incremental en la misma proporcin que un MOSFET
de tipo decremental en la regin de conduccin? Revise con cuidado el fonnato general de las
ecuaciones, y si sus conocimientos en matemticas abarcan el clculo diferencial, calcule dI DI
dVesY compare sus magnitudes.
39. Trace las caractersticas de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-p si V
r
=
-5 V Y k = 0.45 X 10-
3
AN2
40. Dibuje la curva de ID = 0.5 X 10-
3
(\12 es) el
D
= 0.5 x 10-
3
(V
es
-4)2 para Ves desde O a 10 V. Tiene
un impacto significativo V
T
= 4 V sobre el nivel de ID en esta regin?
5.10 VMOS
41. a) Describa con sus propias palabras por qu el FET VMOS resiste unos valores mayores de
corriente y potencia que la tcnica estndar de constrUccin.
b) Por qu los FET VMOS tienen niveles reducidos de resistencia del canal?
c) Por qu se desea un coeficiente positivo de temperatura?
5.n CMOS
* 42. a) Describa con sus propias palabras la operacin de la red de la figura 5.44 con Vi::; O V.
b) Si el MOSFET "encendido" de la figura 5.44 (con Vi::; O V) tiene una corriente de drenaje de
4 mA con VDS::; 0.1 V, cul es el nivel aprox.imado de resistencia del dispositivo? Si lo::;
0.5 pA para el transistor "apagado", cul es la resistencia aproximada del dispositivo? Su-
gieren los niveles de resistencia que suceder el nivel deseado de voltaje de salida?
43. Investigue en su biblioteca escolar la lgica eMOS y describa el rango de operaciones y de venta-
jas bsicas de esta tecnologa.
"'Los asteriscos indican problemas ms difciles.
Problemas
255
CAPTULO
256
Polarizacin del FET
6.1 INTRODUCCIN
En el captulo 5 se estudi que para una configuracin de transistor de silicio se pueden obte-
ner los niveles de polarizacin al utilizar las ecuaciones caractersticas V
BE
= 0.7 V, le = f3'B e
le ::= lEo La relacin entre las variables de entrada y de salida la proporciona /3. la cual asumi
una magnitud fija para el anlisis que se llev a cabo. El hecho de que beta sea una constante
establece una relacin lineal entre le e lB. El duplicar el valor de lB duplicar el nivel de le y
as sucesivamente.
Para el transistor de efecto de campo la relacin entre las cantidades de entrada y de salida
es no lineal, debido al trmino cuadrtico en la ecuacin de Shockley. Las relaciones lineales
resultan en lneas rectas cuando se dibujan en una grfica de una variable en funcin de la otra,
mientras que las relaciones no lineales dan por resultado curvas como las que se obtuvieron
para las caractersticas de transferencia de un JFET. La relacin no lineal entre ID Y V GS puede
complicar el mtodo matemtico del anlisis de dc de las configuraciones a FET. Una solucin
grfica limita las soluciones a una precisin de dcimas, pero resulta un mtodo ms rpido
para la mayora de los amplificadores. Debido a que el sistema grfico es por lo general el ms
comn, el anlisis de este captulo tendr una orientacin ms grfica en vez de tcnicas mate-
mticas directas.
Otra diferencia distintiva entre el anlisis de los transistores BIT y FET es que la variable
de entrada que controla un transistor BJT es el nivel de la corriente, mientras que para el FET
la variable de control es un voltaje. Sin embargo, en ambos casos la variable de salida contro-
lada es un nivel de corriente que tambin define los niveles importantes de voltaje del circuito
de salida.
Las relaciones generales que pueden aplicarse al anlisis en dc de todos los amplificadores
a FET son
(6.1)
e
(6.2)
La ecuacin de Shockley se aplica con objeto de relacionar las cantidades de entrada y de
salida para los JFET y los MOSFET de tipo decremental:
(6.3)
Para los MOSFET de tipo incremental puede aplicarse la siguiente ecuacin:
(6.4)
Es particularmente importante observar que todas las ecuaciones anteriores son slo para
el dispositivo.' stas no cambian con cada configuracin de red. siempre y cuando el dispositi-
vo se encuentre en la regin activa. La red slo define el nivel de corriente y el voltaje asociado
con el punto de operacin por medio de su propio conjunto de ecuaciones. En realidad, la
solucin de las redes de BJT y de FET es la solucin de ecuaciones simultneas establecidas
por el dispositivo y la red. La solucin puede determinarse con el uso de un mtodo matemti-
co o grfico, hecho que se demostrar en las primeras redes a analizar. Como se mencion
anteriormente, el mtodo grfico es el ms popular para las redes FET y es el que utilizamos en
este libro.
Las primeras secciones de este capitulo estn limitadas a los JFET y al sistema grfico con
objeto de analizarlos. El MOSFET de tipo decremental se examinar despus con su rango
aumentado de puntos de operacin seguido por el MOSFET de tipo incremental. Finalmente,
se investigarn los problemas de diseo para probar los conceptos y procedimientos presenta-
dos en el captulo.
6.2 CONFlGURACIN DE POLARIZACIN FIJA
En la fIgura 6.1 aparece el arreglo de polarizacin ms simple para el JFET de canal-no Cono-
cido como la configuracin de polarizacin fija, la cual es una de las pocas configuraciones a
FET que pueden resolverse directamente tanto con un mtodo matemtico como con uno gr-
fico. Ambos mtodos estn incluidos en esta seccin con dos objetivos: para demostrar la
diferencia entre ambas filosofas y para establecer el hecho de que puede obtenerse la misma
solucin utilizando cualquier mtodo.
La configuracin de la figura 6.1 incluye los niveles de ac Vi y V
o
y los capacitores de
acoplamiento (C 1 y C
2
) Recuerde que los capacitares de acoplamiento son "circuitos abiertos"
para el anlisis en dc e impedancias bajas (esencialmente cortos circuitos) para el anlisis en
ac. El resistor Re est presente para asegurar que Vi aparezca en la entrada del amplificador a
FET. para el anlisis en ac (captulo 9). Para el anlisis en de.
le ;o O A
y
V
R
= leRe = (OA)R
e
= O V
,
La cada de cero volts a travs de Re permite reemplazar V G por un corto circuito equivalente,
como el que aparece en la red de la figura 6.2 redibujado de manera especfica para el anlisis
en de.
V
DD
R
D
D
I;"-----lf----o v;,
v, o------l
G
C,
C,
- - ~ ~
1
i V
ee
'=' '='
Figura 6.1 Configuracin de polarizacin fija.
6.2 Configuracin de polarizacin fija
l' -.L
cc
+
G
+
D+
V
GS
-
s -
figura 6.2 Red para el anlisis
en de.
257
258
El hecho de que la tenninal negativa de la batera est conectada en fonna directa al
potencial positivo definido V GS refleja bien que la polarizacin de V GS est colocada de manera
opuesta y directamente a la de V GG' Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin de
las manecillas del reloj en la malla indicada en la figura 6.2 se tiene
- V
GG
- V
GS
= O
y (6.5)
Debido a que V GG es una fuente fija de de, el voltaje V GS es de una magnitud fija, lo que da por
resultado la notacin "configuracin de polarizacin fija".
Ahora, el nivel resultante de corriente de drenaje ID lo controla la ecuacin de Shockley:
Ya que V GS resulta una cantidad fija para esta configuracin, su magnitud y signo pueden
sustituirse con facilidad en la ecuacin de Shockley, adems de calcular el nivel resultante de
VD' Este es uno de los pocos casos en que una solucin matemtica es muy directa para una
configuracin a FET.
En la figura 6.3 se muestra un anlisis grfico que hubiera requerido una grfica de la
ecuacin de Shockley. Es importante recordar que la eleccin de V
GS
= V
p
/2 dar por resulta-
do una corriente de drenaje de 1 DSS /4 cuando se grafique la ecuacin. Para el anlisis de este
captulo sern suficientes los tres puntos definidos por 1 DSS' V P Y la interseccin recin descrita
con objeto de graficar la curva.
o
Figura 6.3 Grfica de la ecuacin
de Shockley.
En la figura 6.4 se ha sobrepuesto el nivel fijo de V GS como una lnea vertical en V GS =
-V GG' En cualquier punto de la lnea vertical el nivel de V
GS
es de -V
GG
; el nivel de ID simple-
mente debe estar detenmnado en esta lnea vertical. El punto donde se intersecan ambas curvas
Red ...........
Punto Q -.............
(solucin)
Captulo 6 Polarizacin del FET
Figura 6.4 Bsqueda de la solucin para
la configuracin de polarizacin fija.
es la solucin comn para la configuracin, y se conoce como el punto de operacin estable.
La literal Q ser aplicada a la corriente de drenaje, y el voltaje de la compuerta a la fuente con
objeto de identificar sus niveles en el punto Q. Se observa en la figura 6.4 que el nivel estable
de ID puede determinarse al dibujar una lnea horizontal desde el punto Q al eje vertical ID
igual que en la figura 6.4. Es necesario mencionar que una vez que la red de la figura 6.1 est
construida y operando, los niveles de dc de ID Y de Ves que sern medidos por los instrumentos
de la figura 6.5 son los valores estables que se definen en la figura 6.4.
Miliampermetro ID
Q
\'CSQ
+ -
I Voltmetm
Punta de __ .-" !
de prueba negm
S
Figura 6.5 Medicin de los valores del
punto de operacin estable ID y Ves
El voltaje del drenaje a la fuente de la seccin de salida puede calcularse si se aplica la ley
de voltaje de Kirchhoff de la siguiente manera:
y (6,6)
Recuerde que los voltajes de un sOlO subndice se refieren al voltaje en un punto respecto a la
tierra. Para la configuracin de la figura 6.2.
(6,7)
Con una notacin de doble subndice:
VDS = VD
V
s
o
VD =
VDS +
V
s
=
VDS
+OY
Y VD = VDS
(6,8)
Adems,
Ves
=
Ve
V
s
o
Ve =
V
GS
+ V
s
Ves + O Y
Y Ve = Ves
(6,9)
El hecho de que VD = VDS Y que Ve = Ves parece obvio a partir del hecho de que V
s
= O Y,
pero tambin se incluyeron las derivaciones anteriores con objeto de enfatizar la relacin que
existe' entre la notacin de doble subndice y de un solo subndice. Ya que la configuracin
dos fuentes de dc, su empleo est limitado, y no podr incluirse en la siguiente lista
de FET ms comunes.
6.2 Configuracin de polarizacin fija 259
~
EJEMPLO 6.1
260
Calcular lo siguiente para la red de la figura 6.6.
a) V
GSo
'
b) ID'
Q
e) VDS'
d) VD'
e) Vc.
f) V
s
'
+
Solucin
Mtodo matemtico:
a) Vcs ~ -V
GG
~ -2V
Q
16V
21&
D
G
Ios
s
= lOmA
+
V
p
=-8V
IMn
Ves
S
2V
.".
~
-2 v),
10 mA 1---
-8 V
FIgura 6.6 Ejemplo 6.1.
~ 10 mA(l - 0.25)' ~ 10 mA(0.75)' ~ 10 mA(0.5625)
~ 5.625mA
e) VDS ~ V
DD
- IrJl.D ~ 16 V - (5.625 mA)(2 kQ)
~ 16 V - 11.25 V ~ 4.75 V
d) VD ~ VDS ~ 4.75V
e) V
G
~ VGS ~ -2 V
f) V
s
~ O V
Mtodo grfico: La curva de Shoekley resultante y la lnea vertical en V GS ~ -2 V se propor-
cionan en la figura 6.7. Es verdad que es difcil leer ms all del segundo decimal sin aumentar
lo(mA)
[DSS= lOmA
9
8
7
6
- - ~ ID =5.6mA
5 Q
4
3 lDss=2.5mA
------"-
-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1
V
p
- =-4V
2
Captulo 6 Polarizacin del F'ET
2 4
o
Figura 6.7 Solucin grfica para
la red de la figura 6.6.
significativamente el tamao de la figura. pero a partir de la grfica de la figura 6.7 es bastante
aceptable una solucin de 5.6 mA: Por tanto, para el inciso a,
b) ID = 5.6mA
c) = V
OIJ
- IdlD 16 V - (5.6 mA)(2 kQ)
= 16 V - 11.2 V = 4.8 V
d) VD VDS = 4.8 V
e) Ve = Ves = -2 V
f) V
s
O V
Los resultados confinnan con claridad el hecho de que los sistemas matemtico y grfico
generan muy cercanas.
6.3 CONFlGURACIN DE AUTOPOLARIZACIN
La configuracin de autopolarizacin elimina la necesidad de dos fuentes de dc. El voltaje de
control de la compuerta a la fuente ahora lo detennina el voltaje a travs del resistor Rs' que
se conecta en la tenninal de la fuente de la configuracin como se muestra en la figura 6.8.
v,
c,
FIgUra 6.8 Configuracin de autopolarizacin
para lFET.
Para el anlisis en de los capacitares pueden reemplazarse una vez ms por "circuitos
abiertos", y el resistor Re puede cambiarse por un corto circuito equivalente dado que le = O A.
El resultado es la red de la figura 6.9 para el anlisis en dc.
y
o
La corriente a travs de Rs es la corriente de la fuente I
s
' pero Is = ID Y
Para el lazo cerrado que se indic en la figura 6.9 se tiene que
-Ves - V
R
; =0
Ves = -V
Rs
(6.10)
En este caso podemos ver que Ves es una funcin de la corriente de salida ID' Y no fija en
magnitud, como ocurri para la configuracin de polarizacin fija.
6.3 Configuracin de autopolarizacin
D
e
+
vc,
n
s
+
v,;
Rs
Agura 6.9 Anlisis en de de la
configura.cin de a.utopo\ari2.acin.
261
262
La ecuacin (6.10) est definida por la configuracin de la red. y la ecuacin de Shockley
relaciona las cantidades de entrada y de salida del dispositivo. Ambas ecuaciones relacionan
las mismas dos variables, y penniten tanto una solucin matemtica como una grfica.
Puede conseguirse una solucin matemtica mediante la simple sustitucin de la ecuacin
(6.10) en la ecuacin de Shockley como mostramos a continuacin:
ID = IDss(1 _ ~ s j 2
( -Irfis)2
= 1 S S ~ - ----v;:-
o
Al desarrollar el tnnino cuadrtico que se indica y al reorganizar los trminos. puede lograrse
una ecuacin de la siguiente fanna:
IJ) + K/
D
+ K
2
= O
Puede resolverse la ecuacin cuadrtica para la solucin adecuada de ID'
La secuencia anterior define el mtodo matemtico. El mtodo grfico requiere que pri-
mero se establezcan las caractersticas de transferencia del dispositivo como se muestra en la
figura 6.10. Debido a que la ecuacin (6.10) define una lnea recta en la misma grfica, prime-
ro se identifican dos puntos sobre la grfica que se localizan sobre la lnea y simplemente se
dibuja una lnea recta entre ambos puntos. La condicin ms obvia de aplicacin es ID = O A,
yaque da por resultado V
GS
= -Irfis = (O A)R
s
= O V. Por tanto. para la ecuacin (6.10) se
define un punto sobre la lnea recta mediante ID = O Ay V GS= O V, tal como aparece en la figura 6.10.
loss
4
/ VGS=OV,ID=OA(VGs=-lrfis)
__ ~ L ~ L ~ ~ __ _
Vp V
p
O \lGS
2
f"lgura 6.10 Definicin de un punto
sobre la recta de autopolarizacin.
El segundo punto para la ecuacin (6.10) requiere de la seleccin de un nivel de V
GS
o de
ID y calcular el valor correspondiente de la otra cantidad con la ayuda de la ecuacin (6.10).
Los niveles resultantes de ID y de V
GS
despus definirn otro punto sobre la lnea recta y
permitirn un dibujo real de dicha lnea. Se supone. por ejemplo, que se selecciona un nivel de
ID igual a la mitad del nivel de saturacin. esto es,
luego
I
DSS
ID =
2
-1 R = _ IDs!?s
/Y'S 2
El resultado es un segundo punto con el objeto de dibujar la lnea recta como se muestra en la
figura 6.11. Luego se dibuja la lnea recta por medio de la ecuacin (6.10) y se obtiene el punto
Captulo 6 Polarizacin del FET
loss
loss
2
o
Figura 6.11 Trazo de la recta de
autopolarizacin.
estable en la interseccin de la lnea recta y la curva caracterstica del dispositivo. Los valores esta-
bles de ID Y de V GS pueden determinarse y utilizarse para encontrar las otras cantidades de
inters.
Puede calcularse el valor de VDS si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de
salida, lo que da por resultado
y
pero
y
Adems:
y
Calcular lo siguiente para la red de la figura 6.12.
a) V
Gs
'
Q
b) ID'
Q
e)
d)
e)
f)
VDS'
V
s
.
V
G

VD'
20V
3.3 kD
D
+
1M!>
(6.11)
(6.12)
(6.13)
(6.14)
Figura 6.12 Ejemplo 6.2.
6,3 Configuracin de autopolarizacin
EJEMPLO 62
263
264
Solucin
a) El voltaje compuerta-fuente se determina por
Si se elige ID = 4 mA, se obtiene
V
GS
= -(4 mA)(l km = -4 V
El resultado es la grfica de la figura 6.13 como se defini mediante la red.
/I
D
=8 mA, V
es
=-8 V
~
ID (mA)
8
7
. ID"" 4 mA,V
es
:::-4 V
Red- / :
-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1
4
3
2
Ves=OV'/o=OmA
o Ves(V)
Figura 6.13 Trazo de la recta de
auto polarizacin para la red de la
figura 6.12.
En caso de elegir ID := 8 roA, el valor de V GS resultante sea de -8 V. como se muestra en
la misma grfica. En cualquier caso se obtendr la misma lnea recta, demostrando que puede
seleccionarse cualquier valor adecuado de ID' siempre y cuando se utilice el valor determinado
por la ecuacin (6.10) para V
Gs
' Adems, debe tenerse en cuenta que puede seleccionarse el
valor de V GS' y calcular el valor de ID' para obtener el mismo resultado.
Si se selecciona V GS = V
p
/ 2 = -3 V para la ecuacin de Shockley, se tiene que ID =
1 DSS / 4 = 8 mA / 4 = 2 mA, y resultar la grfica de la figura 6.14, la cual representa las
caractersticas del dispositivo. La solucin se encuentra al sobreponer las caractersticas de la
red defmidas mediante la figura 6.13 sobre las caractersticas del dispositivo de la figura 6.14,
y encontrando el punto de interseccin de ambas como se indica en la figura 6.15. El punto de
operacin resultante est en un valor del voltaje compuerta-fuente estable de
-6 -s -4 -3 -2 -1
(V
p
) (Vp )
2
V
GS
= -2,6V
Q
o VGs(V) -6 -5 -4 -1
V
CSQ
= -2.6 V
ID (mA)
8
7
5
4
3
2
I
DQ
= 2.6mA
O Ves (V)
figura 6.14 Trazo de las caractersticas del
dispositivo para el lFET de la figura 6.12.
Figura 6.15 Clculo del punto Q para la red de
la figura 6.12.
Captulo 6 Polarizacin del FET
b) En el punto estable:
ID = 2.6 mA
o
e) La ecuacin (6.11): VDS = V
DD
- ID(R
s
+ R
D
)
d) La ecuacin (6.12):
e) La ecuacin (6.13):
f) La ecuacin (6.14):
o
= 20 V (2.6 mA)( 1 kQ + 3.3 kQ)
20 V 11.18 V
= 8.82 V
V
s
= Irfls
(2.6 mA)(l kQ)
= 2.6V
Ve = OV
VD = VDS + V
s
= 8.82V + 2.6V = 11.42V
VD V
DD
- IDR
D
= 20 V - (2.6 mA)(3.3 kQ)
Encontrar el punto de operacin para la red de la figura 6.12 si:
a) R
s
= 100 Q.
b) R
s
= 10kQ.
Solucin
Obsrvese la figura 6.16.
R
s
=100Q
J D = 4 mA. Ves == -0.4 V Punto Q
Punto Q
t 'n (mA)
5
4
3
o Ves (V)
11.42 V
-6 -5 -4 -3 -2 -1
V
es
(J=-4.6 V Figura 6.16 Ejemplo 6.3.
a) En el eje de ID.
De la ecuacin (6.10).
b) En el eje de Ves.
De la ecuacin (6.10).
ID = 6.4mA
Q
Ves = -4.6V
Q
ID = 0.46 mA
Q
Podemos observar cmo los niveles ms bajos de Rs acercan la recta de carga de la red
hacia el eje J D' mientras que los niveles ms altos de Rs acercan la recta de carga de la red hacia
el eje Ves'
6.3 Configuracin de autopolarizacin
111
l'
!
EJEMPLO 63
265
-.:;
----------------------------------------------------
EJEMPLO 6.4
12V
t
ID
1.5kQ
D
G
+
V
GS
S
+
V
Rs
680<1
figura 6.18 Trazo del
equivale?te de de de la red
de la ligt.ra 6.17.
266
Determine lo siguiente para la configuracin de entrada comn de la figura 6.17.
a) V GSo"
b) 1 DQ'
e) VD' 12V
d) V
G
.
e) V
s
.
f) VDS' 1.5 k<1
\>-----1(,---0 v,
Figura 6.17 Ejemplo 6.4.
S<lluciu
La terminal de la compuerta conectada a tierra y la ubicacin de la entrada establecen fuertes
similitudes con el amplificador a BJT de base comn. Aunque es diferente en apariencia, en
relacin con la estructura bsica de la figura 6.8. la red de de que result de la figura 6.18 posee
~ misma estructura bsica que la figura 6.9. Por tanto, puede proceder el anlisis en de de la
misma forma que en los ejemplos recientes.
a) Las caractersticas de transferencia y la recta de carga aparecen en la figura 6.19. En este
caso se determin el segundo punto para el trazo de la recta de carga seleccionando (en forma
arbitraria) ID ~ 6 mA y resolviendo V GS' Esto es.
V
GS
~ Irfis ~ -(6 mA)(680 Q) ~ -4.08 V
como se muestra en la figura 6.19. La curva de transferencia de dispositivo se traz usando:
-6 -5
Vp
ID ~
I
DSS
4
-4 -3 -2 -1
Ves, " - 2.6 V
Captulo 6 Polarizacin del FET
~
l2mA
~ 3mA
4
ID (mA)
12 lDSS
II
10
5
4../
D
"3.8mA
3 Q
2
o
Figura 6.19 Determinacin del
punto Q de la red de la figura 6.17.
y el valor asociado de Ves:
6V
2
= - 3 V
como se muestra en la figura 6.19. Al utilizar el punto de operacin de la figura 6.19 se obtiene
v
GS
Q
'" -2.6V
b) De la figura 6.19.
ID '"
3.8mA
Q
c)
VD = V
DD
- IrJiD
=
12 V - (3.8 mA)(1.5 kQ)
=
12V - 5.7V
= 6.3V
d)
Ve = OV
e) V
s
= I rl's = (3.8 mA)(680 Q)
= 2.58 V
f)
VDS
= VD - V
s
= 6.3 V - 2.58 V
=
3.72 V
6.4 POLARIZACIN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE
El arreglo de polarizacin mediante divisor de voltaje que se aplic a los amplificadores a
transistor BIT tambin puede aplicarse a los amplificadores a FET, como lo muestra la figura
6.20. La construccin bsica es exactamente la misma, pero el anlisis en dc de cada una es
muy diferente. Para los amplificadores FET le = O A. pero la magnitud de lB para los
amplificadores de emisor comn puede afectar los niveles de corriente y voltaje de dc, tanto en
los circuitos de entrada como en los de salida. Recuerde que lB proporcion la relacin
entre los circuitos de entrada y de salida para la configuracin de divisor de voltaje para el BIT,
mientras que Ves har lo mismo en la configuracin a FET.
Para el anlisis en dc se redibuja la red de la figura 6.20 como se muestra en la figura 6.21.
Vemos que todos los capacitares, incluyendo el capacitar de desvo es' han sido reemplazados
por un "circuito abierto" equivalente. Adems, se separ la fuente V
DD
en dos fuentes equiva-
V
DO
ro
Ro
R,
R,
R,
( oVo
C,
)
..
v, o
Ve
c,
+
R,
R, R,
R,
1 C,
.,..
.,..
""
.,..
V
DD
VDl)
R
D
lCi,=.OA
t lo
...
+
+
Ve;
t-
I,
Ve;
0+
V
R
,
R,
.,..
.,..
Figura 6.20 Arreglo de polarizacin mediante divisor de voltaje.
Figura 6.21 Redibujo de la red de la figura 6.20 para el anlisis en dc.
6.4 Polarizacin mediante divisor de voltaje
267
268
lentes con objeto de pennitir una separacin mayor de las regiones de entrada y salida de la
red. Debido a que f
G
= O A, la ley de corriente de Kirchhoffrequiere que fR, = fR, Y que el cir-
cuito equivalente en serie que aparece a la izquierda de la figura pueda utilizarse para encon-
trar el nivel de Ve' El voltaje Ve' igual que el voltaje a travs de R
2
, puede encontrarse si se
utiliza la regla del divisor de voltaje de la siguiente manera:
(6.15)
Si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de las maneciHas del reloj en el
lazo indic,,10 en la figura 6.21, se obtiene
y
Sustituyendo V
R
= fsRs = f}?s' se tiene
,
(6.16)
El resultado es una ecuacin que todava incluye las mismas dos variables que aparecen
en la ecuacin de Shockley: V GS e f D' Las cantidades V G Y Rs estn fijas por la construccin de
la red. La ecuacin (6.16) es an la ecuacin para una lnea recta, pero el origen ya no es un
punto de la recta. No es difcil el procedimiento para dibujar la ecuacin (6.16) si se procede
como se indica a continuacin. Debido a que cualquier lnea recta requiere la definicin de dos
puntos, primero est el hecho de que en cualquier punto a lo largo del eje horizontal de la
figura 6.22 la corriente ID = O mA. Entonces, si se selecciona J D para ser igual a. O mA, en
esencia se est estableciendo en algn lugar sobre el eje horizontal. Puede calcularse la locali-
zacin exacta mediante la simple sustitucin de ID = O roA en la ecuacin (6.16) y encontrando
el valor resultante de Ves de la siguiente manera:
V
GS
= V
G
- f}?s
= Ve - (O mA)R
s
y
(6.17)
El resultado especifica que siempre que se grafique la ecuacin (6.16), en caso de haber selec-
cionado f
D
= O mA, el valor de V
GS
para el dibujo ser de V
G
volts. El punto que se acaba de
determinar aparece en la figura 6.22.
I
DSS
ID=OmA, v
Gs
= v
G
/'
- - - - - - - 4 ~ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - __ ~ - - - ~
vp O +v
o
vos
Figura 6.22 Trazo de la ecuacin de la red para la configuracin mediante divisor de voltaje.
Capitulo 6 Polarizacin del FET
Para el otro punto se utiliza el hecho de que en cualquier punto sobre el eje vertical
V GS = O V, Y se resuelve para el valor calculado de ID:
V
GS
= Ve - [Jis
OV
= Ve - [Jis
Ve 1
(6.18) e [D =-
Rs vc;s=ov
El resultado especifica que las veces que se grafique la ecuacin (6.16), siempre que V GS = O,
el nivel de [D est determinado por la ecuacin (6.18). Esta interseccin aparece tambin en la
figura 6.22.
Los dos puntos definidos arriba permiten dibujar una lnea recta con objeto de representar
la ecuacin (6.16). La interseccin de la lnea recta con la cunra de transferencia en la regin a la
izquierda del eje vertical definir el punto de operacin y los niveles correspondientes de ID y
de Ves'
Debido a que la interseccin sobre el eje vertical se calcula mediante ID = V G I Rs y V G est
fijo debido a la red de entrada, los valores mayores de Rs reducirn el nivel de la interseccin
ID como se muestra en la figura 6.23. Parece muy obvio a partir de la figura 6.23 que:
Cuando aumentan los valores de R s dan por resullado valores menores eswbles de 1 D'
as como valores ms negativos de V cs'
figura 6.23 Efecto de Rs sobre el punto Q obtenido.
Una vez que se han calculado los valores estables de [D Y de V GS ' el anlisis restante de
, Q
la red puede desarrollarse de la manera usual. Esto es,
VDS =
V
DD
- [D(R
D
+ Rs) (6.19)
VD = V
DD
- [JiD
(6.20)
"'s :::
[Jis
(6.21)
IR = [R =
V
DD
(6.22)
, ,
R + Rz
6.4 Polarizacin mediante divisor de voltaje 269
~
-------------------------------------------------------------
EJEMPLO 6.5
270
Determinar lo siguiente para la red de la figura 6.24.
a) ID y v
GS
.
b) V;. Q
+16V
el V
S
'
dl VDS'
e) V
DG
"
2.4 kQ
> 2.1 MQ
I ~ ~
,(
o V;,
v, e
t-
)'
I
DSs
=8mA\\
l-
5
V
p
=--4V
270 k.Q
> 1.5 kn
=
r: 20 ~
Figura 6.24 Ejemplo 6.5.
_L
Solucin
al Para las caractersticas de transferencia. si [D = [DSS / 4 = 8 mA / 4 = 2 mA. entonces V GS =
V
p
/ 2 = -4 V /2 = -2 V. La curva resultante que representa la ecuacin de Shock1ey aparece en
la figura 6.25. La ecuacin de la red est definida por
y
ID=OmA:
-4 -3
(V
p
)
(270 kQ)(l6 V)
2.1 MQ + 0.27 MQ
1.82 V
V
GS
= V
G
- Irfls
lo (mA)
8 (lDSS)
7
5
4
3
= 1.82 V - [D(1.5 kQ)
V
GS
= +1.82 V
ID =2.4mA
2 Q
~ 1
0
= 1.21 mA(V
Gs
= O V)
-2 -1 O
V
GsQ
=-1.8 V
12 3
ve =1.82 V
(lo=OmA)
Figura 6.25 Clculo del punto Q para la
red de la figura 6.24.
Capitulo 6 Polarizacin del FET
1.82 V
ID = = 1.21 mA
1.5 kQ
La recta de polarizacin que se obtuvo aparece en la figura 6.25 con los valores del punto de
operacin
in'J
= 2.4mA
y
Ves"
= -1.8 V
b) V
D
= V
DD
- IfiD
=
16 V - (2A mA)(2. 4 kQ)
=
10.24 V
e) V
s
= IDRs = (2A mA)(1.5 kQ)
3.6V
d)
VDS
V
DD
- ID(R
D
+ Rs)
=
16 V - (2A mA)(2A kQ + 1.5 kQ)
6.64 V
o
VDS
VD - V
s
10.24 V - 3.6 V
=
6.64 V
e) Aunque raras veces se solicita, el V
DC
puede determinarse as
V
De
= VD - Ve
10.24 V - 1.82 V
= 8.42 V
Independientemente de que la constrUccin bsica de la red en el siguiente ejemplo es
muy diferente del arreglo de polarizacin mediante divisor de voltaje, las ecuaciones obteni-
das requieren de una solucin muy similar a la que se describi. Se observa que la red utiliza
una fuente en el drenaje y en la fuente.
Determinar 10 siguiente para la red de la figura 6.26.
a) IDQ yV
esQ
'
b) VDS'
e) VD'
d) V
s
. V
DD
= 20V

lvss=-lOV
figura 6.26 Ejemplo 6.6.
6.4 Polarizacin mediante divisor de voltaje
EJEMPLO 6.6
271
G
+
. /,
Vos
S
...
+
()
R ~ 1.5 kQ
Figura 6.27 Clculo de la ecuacin
de la red para la configuracin de la
figura 6.26.
Figura 6.28 Determinacin del
punto Q para la red de la figura
6.26.
272
Solucin
al Se obtiene una ecuacin para Ves en trminos de ID al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff
a la seccin de entrada de la red como est redibujada en la figura 6.27 .
o
pero
y
-Ves - [sRs + V
ss
= a
Ves = V
ss
- [sRs
[s = 11)
(6.23)
El resultado es una eCtlacin muy similar en su formato a la ecuacin (6.16) que puede
sobreponerse a las caractersticas de transferencia, empleando el mismo procedimiento de la
ecuacin (6.16). Para este ejemplo.
Para 11) = amA.
Para Ves = a v,
e
a = lav -I
D
(1.5kQ)
lOV
= 6.67mA
1.5kQ
Los puntos que se obtienen para la grfica estn identificados en la figura 6.28.
ID (mAl
9 (IDSS)
8
3
2
-1 I O 1 2 3 4 5 6 7
I
8 9 10
Ves = -0.35 V
Se graficaron las caractersticas de transferencia utilizando el punto de la grfica estable-
cido por Ves = V /2 = -3 V/2 =-1.5 Ve [D = I
Ds
!4 = 9 mA/4= 2.25 mA, que tambin aparece
en la figura 6.28. El punto de operacin establece los siguientes niveles de estabilidad:
ID = 6,9mA
Q
Ves =-O.35V
Q
b) Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff aliado de la salida de la figura 6.26 se obtiene
-V
ss
+ [sRs + Vos + }ID - V
DD
= O
Captulo 6 Polarizacin del FET
Sustituyendo 15 = ID Y reorganizando se obtiene
I VDS V
DD
+ V
SS
- lD(R
D
+ Rsl
el cual para este ejemplo resulta
VDS 20 V + 10 V - (6.9 mA)(1.8 kQ + 1.5 kQ)
= 30 V - 22.77 V
7.23 V
e) VD = V
DD
- loRD
= 20 V - (6.9 mA)(1.8 kQ) = 20 V - 12.42 V
= 7.58 V
d) VDS = VD - V
s
o V
s
= VD - VDS
= 7.58 V - 7.23 V
= 035 V
6.5 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL
(6.24)
Las similitudes que hay en la apariencia entre las curvas de transferencia de Jos JFET y de los
MOSFET de tipo decremental permiten un anlisis similar de cada uno en el dominio de de. La
diferencia ms importante entre los dos es el hecho de que el MOSFET de tipo decremental
permite puntos de operacin con valores positivos de V GS y niveles de ID que excedan I
Dss
. De
hecho, para todas las configuraciones realizadas hasta ahora, el anlisis es el mismo si el JFET
se reemplaza por un MOSFET de tipo decrementa!.
La nica parte sin definir en el anlisis consiste en la fonna de graficar la ecuacin de
Shockley para los valores positivos de V
GS
. Qu tan lejos debe extenderse la curva de transfe-
rencia en la regin de valores positivos de V GS y valores de ID mayores que 1 DSS? Para la
mayora de las situaciones este rango necesario estar bien definido por los parmetros del
MOSFET y por la recta de polarizacin que se obtuvo de la red. Unos cuantos ejemplos indi-
carn el impacto del cambio de dispositivo en el anlisis obtenido.
Para el MOSFET de tipo decremental de canal-n de la figura 6.29. determinar:
a) lDQ y VGS,.
b) VDS' 18 V
FIgura 6.29 Ejemplo 6.7.
>1.81d1
110MO
OMU
750 O
6.5 MOSFET de tipo decrementa!
EJEMPLO 6.7
273
274
Solucin
a) Para las caractersticas de transferencia se define un punto de la grfica de ID:;; 1 DSS /4 = 6
mA/4 = 1.5 mAy V
Gs
= V/4 =-3 V/2 =-1.5 V. Al considerar el nivel de V
p
y el hecho de que
la ecuacin de Shockley define una curva que se eleva con mayor rapidez a medida que V GS se
hace ms positivo, se detalla un punto de la grfica en V GS = + I V. Sustituyendo la ecuacin de
Shockley
~
+1 V)'
=6mAl---
-3 V
6 mA ~ + ~ ) = 6 mA(l.778)
= 10.67 mA
La curva de transferencia que result aparece en la figura 6.30. Si seguimos de acuerdo con la
manera que se describi para los JFET, se tiene:
Ecuacin (6.15):
10 MO(l8 VJ
= 1.5 V
lOMO + 1l0MO
Ecuacin (6.16): V
GS
= V
G
- l"Rs = 1.5 V - I
D
(750 O)
lo (mAl
-2
-1 : O 2
v
GsQ
=-O.8 V
Haciendo ID = O mA, se obtiene
Haciendo V GS = O V, se obtiene
V
G
1.5 V
V
GS
Figura 6.30 Clculo del punto Q
para la red de la figura 6.29.
-=---= 2mA
Rs 750 O
En la figura 6.30 aparecen tanto los puntos de la grfica como la recta de polarizacin obteni-
da. El punto de operacin resultante:
I
DQ
'" 3.1 mA
V GS
Q
= -O.S V
Captulo 6 Polarizacin del FET
b) La ecuacin (6.19): VDS V
DD
- ID(R
D
+ Rs)
= 18 V - (3.1 mA)(1.8 kQ + 750 Q)
_ 10.1 V
Repetir el ejemplo 6.7 con Rs = 150 Q.
Solucin
a) Los puntos de la grfica son los mismos para la curva de transferencia como se muestra en
la figura 6.31. Para la recta de polarizacin,
-3 -2 -1 O
V
p
Haciendo ID = O mA. se obtiene
Haciendo V GS = O V. se obtiene
ID
Iv (mA)
---- J
D
=7.6mA
Q
,
2 ,
V
GS
=+0.35 v
V
GS
1.5 V
V
G
1.5 V
=- = ---=
Rs
150 Q
Ves
Figura 6.31 Ejemplo 6.8.
lOmA
La recta de polarizacin est incluida en la figura 6.31. Notamos en este caso que el punto de
operacin estable da por resultado una comente de drenaje que excede 1 DSS con un valor posi-
tivo para V GS. El resultado:
I
DQ
= 7.6 IDA
V GSQ = +0.35 V
b) La ecuacin (6.19): VDS V
DD
- ID(R
D
+ Rs)
18 V - (7.6 mA)(1.8 kQ + 150 Q)
3.18 V
6.5 MOSFET de tipo decrementa!
EJEMPLO 6.8
275

EJEMPLO 6.9
276
Determinar lo siguiente para la red de la figura 6.32.
a) I
DQ
y V
GsQ
'
b) VD' 20V
6.2kQ
( o
v, 0>---)11-----.-------'1---4
1MQ
2.4 kQ
--------
Figura 6.32 Ejemplo 6.9.
Solucin
a) La configuracin de autopolarizacin da por resultado
como la que se obtuvo para la configuracin JFET. estableciendo el hecho que V GS debe ser
menor que cero volts. Por tanto, no existe la necesidad de graficar la curva de transferencia
para los valores positivos de V
Gs
' aunque en esta ocasin se hizo para completar las caractersticas
de transferencia. Un punto de la grfica para las caractersticas de transferencia de V GS < O V es
8mA I
DSS
ID
2mA
4 4
V
p
-8 y
Y VGS

2 2
y dado V
p
-8 Y, para V GS > O Y se seleccionar
VGS +2 Y

e
_ =
= 12.5 mA
-4Y

+2 Y)2
8mA 1---
-8 Y
En la figura 6.33 aparece la curva de transferencia que se obtuvo. Para la recta de polarizacin,
en VGS O Y, ID O mA. Al elegir V
Gs
= -6 V se obtiene
--6 Y
VGS
I
D R
El punto Q resultante:
b) VD = V
DD
- loRD
= 20 Y - (1.7 mA)(6.2 kU)
9.46 V
Captulo 6 Polarizacin del FET
s
2.4kU
I
DQ
= 1.7 mA
VGsQ -4.3 V
2.5 mA
-5 -f4 -3 -2 -1
Yas
Q
= -4.3 V
ID (mA)
6
5
4
3
_2_--ID =1.7mA
1 Q
o 1 2
Ves
Figura 6.33 Clculo del punto Q
para la red de la figura 6.32.
El siguiente ejemplo utiliza un diseo que tambin puede aplicarse a los transistores JFET.
A primera vista aparece algo simple, pero a menudo causa cierta confusin cuando se analiza
por primera vez debido al punto de operacin especial.
Determinar VDS para la red de la figura 6.34.
Solucin
La conexin directa entre las terminales de la compuerta y la fuente requiere que
Debido a que Ves est fija en O V, la comente de drenaje debe ser I
DSS
(por definicin). En otras
palabras.
e
V = OV
GS
Q
ID = lOmA
Q
Por tanto, no existe la necesidad de dibujar la curva de transferencia y
VD V
DD
- IrIID = 20 V - (10 mA)(1.5 kQ)
20 V - 15 V
= 5V
6.6 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL
Las caractersticas de transferencia del MOSFET de tipo incremental son muy diferentes de las
encontradas para el JFET y los MOSFET de tipo decremental. pero se obtiene una solucin
grfica muy diferente a las encontradas en secciones precedentes. Lo primero y quiz ms
imponante es recordar que para el MOSFET de tipo incremental de canal-n, la corriente de
drenaje es cero para aquellos niveles de voltaje compuerta-fuente, menores que el nivel del
umbral V GS(Th)' como lo muestra la figura 6.35. Para los niveles de V GS mayores que VGS(Th)' la
corriente de drenaje se define mediante
6.6 MOSFET de tipo incremental
EJEMPLO 6.10
20V
1.5 kQ
D

+
figura 6.34 Ejemplo 6.10.
277
-t:
278
___________________________ _
ID(cncendidol ----------,"-- ---------.
, I
/
lD=OmA
VGS., "YGS
V - "
F'tgura 6.35 Caractersticas de transferencia de un MOSFET de tipo incremental
de canal-n.
(6.25)
Ya que las hojas de especificaciones por lo general proporcionan el voltaje del umbral y un
nivel de corriente de drenaje (1 D(enCendido), as{ como su nivel correspondiente de V G5(encendido)'
pueden definirse dos puntos de inmediato como lo muestra la figura 6.35. Para completar la
curva, primero tiene que determinar la constante k de la ecuacin (6.25) a partir de los datos de
las hojas de especificaciones mediante la sustitucin en la ecuacin (6.25) y resolviendo para
k de la siguiente manera:
ID(encendido) = k(V GS(encendido) - V GS(Th2
y
1 D(encendido)
k = ---==='---- (6.26)
(V GS(encendido) - V GS(Thj)2
Una vez que k est definida, pueden calcularse otros niveles de ID para los valores selecciona-
dos de V cs. Por lo general, un punto entre V GS(Th) y V GS(encendido) y uno un poco mayor que
Ves(encendido) ofrecern una cantidad suficiente de puntos para graficar la ecuacin (6.25) (ob-
srvense IDI e IDzen la figura 6.35).
Arreglo de polarizacin por retroalimentacin
En la figura 6.36 se proporciona un arreglo comn de polarizacin para los MOSFET de tipo
incremental. El resistor RG proporciona un voltaje suficientemente grande a la compuerta para
"encender" el MOSFET. Debido a que 1 G = O mA y V Re = O V, la red equivalente de de aparece
como se muestra en la figura 6.37.
Existe ahora una conexin directa entre el drenaje y la compuerta, y tenemos
y (6.27)
Capitulo 6 Polarizacin del FET
,-------<r-------H(- - - - o ~
D
'1, O-----)I---______ ----o-
G
- t ~ l
-:;:
Figura 6.36 Arreglo de polarizacin por retroalimentacin.
Para el circuito de salida,
la cual se convierte en la siguiente ecuacin despus de sustituir la ecuacin (6.27):
(6.28)
Se obtiene una ecuacin que relaciona las mismas dos variables como la ecuacin (6.25),
permitiendo graficar cada una en el mismo conjunto de ejes.
Debido a que la ecuacin (6.28) es la de una lnea recta, puede emplearse el mismo proce-
dimiento que se describi con anterioridad, para calcular los dos puntos que defnirn el trazo
sobre la grfica. Sustituyendo ID = O mA en la ecuacin (6.28) se obtiene
(6.29)
Sustituyendo Ves = O V en la ecuacin (6.28), se tiene
(6.30)
Las grficas definidas por las ecuaciones (6.25) y (6.28) aparecen en la figura 6.38 con el
punto de operacin resultante.
Ves Figura 6.38 Clculo del punto
Q para la red de la figura 6.36.
6,6 MOSFET de tipo incremental
,--------<1 D
+
Figura 6.37 Equivalente de de de
la red de la figura 6.36.
279
Ii
I
,
I
-r:;
------------------------------------------------------
EJEMPLO 6.11
280
Determinar I
DQ
Y V
DSQ
para el MOSFET de tipo incremental de la figura 6.39.
12V
2ill

I
10 Mn.
v, O>--U)---+----19
1
...
"'''',
Figu'ra.6.39 Ejemplo 6.11.
Solucin
Grfica de la curva de transferencia: Se definen de inmediato dos puntos como se muestra
en la figura 6.40. Resolviendo para k:
Ecuacin (6.26): k = ___ I",D","",OC",,,Od,,;d,,,o,,-l__ _
(V GS(encendidO) - V GS(Th))2
6mA 6x 10--
3
; -----; Nv
2
('<l V - 3 V)2 25
; 0.24 x 10-
3
AJV2
Para Ves; 6 V (entre 3 y 8 V):
ID ; 0.24 x 10-
3
(6 V - 3 V)2 ; 0.24 x 10-
3
(9)
12
11
10
9
8
7
1 D(coccndido) - - 6
5
4
3
2
2.16 mA
012345678910
I I
VGS(Th) V GSlcncend,o
Captulo 6 Polarizacin del FET
Figura 6.40 Grfica de la curva de
transferencia para el MOSFET de la
figura 6.39.
como se muestra en la figura 6.40. Para V GS 10 V (ligeramente mayor que VeS(Th):
10 0.24 X j(J-J(lO V - 3 V)' 0.24 x 10-
3
(49)
11.76mA
como aparece tambin en la figura 6.40. Los cuatro puntos son suficientes para grafiear la
curva total para el rango de inters como se muestra en la figura 6.40.
Para la red de la recta de polarizacin:
Ves V
DD
- Id'D
= 12 V - 1 D(2 kQ)
La ecuacin (6.29): Ves V
DD
= 12VI'D=OmA
La ecuacin (6.30):
La recta de polarizacin que result aparece en la figura 6.41. El punto de operacin:
y
con
12
1\
\0
9
8
7
V
oo
6
R
D
5
4
ID =-2.7SmA-3
Q 2
o
ID = 2.75 mA
Q
V
GS
= 6.4 V
Q
VDS Ves = 6.4 V
Q Q
IO=mA
2 3 4 5 8 9 10 11 12
(V
DD
)
Flgura 6.41 Clculo del punto Q para la red de la figura 6.39.
Arreglo de polarizacin mediante divisor de voltaje
En la figura 6.42 aparece un segundo arreglo de polarizacin comn para el MOSFET de tipo
incremental. El hecho de que IG O mA da por resultado la siguiente ecuacin para V
ee
como
se deriva a partir de una aplicacin de la regla del divisor de voltaje:
(6.31)
6.6 MOSFET de tipo incremental
D
G
+ v
GS
- S
Figura 6.42 Arreglo de
polarizacin mediante divisor de
voltaje para un MOSFET de tipo
incremental de canal-no
281
11
EJEMPLO 6.12
282
Cuando se aplica la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en la figura 6.42
resulta
y
o
Para la seccin de salida:
y
o
+V
G
- V
GS
- V
R
, = O
V
GS
= V
G
- V
R
,
V
Rs
+ VDS + V
RD
- V
DD
= O
VDS = V
DD
- V
R
- V
R
s D
(6.32)
(6.33)
Debido a que las caractersticas son una grfica de ''ID en funcin V cS' y que la ecuacin
(6.32) relaciona las mismas dos variables, pueden graficarselas dos curvas en la misma grfica y
hacer el clculo de la solucin en la interseccin de ambas. ~ vez que se conocen 1 DQ Y Veso'
pueden entonces calcularse todas las cantidades restantes de la 'red, tales como VDS' VD Y V
S
.
\
Determinar ID" V
GsQ
' as como VDS para la red de la figura 6.43.
4QV
22k!l
G
+
18 M.o.
3 k!l
0.82 ill
2N4351
VGs(Th) = 5 V
ID (encendido) = 3 mA
Y Vos (encendido) = 10 V
f"lgura 6.43 Ejemplo 6.12.
Soluciu
Red:
La ecuacin (6.31):
(18 MQ)(40 V)
22MQ + 18MQ
= 18 V
La ecuacin (6.32): V
GS
= V
G
- Irfis = 18 V - I
D
(O.82 kQ)
Cuando ID = O mA,
V GS = 18 V - (O mA)(O.82 kQ) = 18 V
tal como aparece en la figura 6.44. Cuando V GS = O V,
V
GS
= 18 V - I
D
(O.82 kQ)
O = 18 V -I
D
(O.82 kQ)
18 V
In = --- = 21.95 mA
O.82kQ
tal como aparece en la figura 6.44.
Captulo 6 Polarizacin del FET
30
V
G
- = 21.95
Rs 20
o
ID (mA)
Figura 6.44 Determinacin del punto Q para la red del ejemplo 6.12.
Dspositivo:
VGS(Th) = 5 Y, 1 Dlenccndido) :::;: 3 mA con V GS(encendido) = 10 V
La ecuacin (6.26): k
1 D(encendido)
3mA
------ = 0.12 X IQ-3 NV2
(lOY - 5 Y)'
e
ID = k(V GS - V GS(Th2
0.12 x lQ-3(VGS - 5)2
la cual se traza sobre la misma grfica (figura 6.44). De la figura 6.44,
ID=6.7mA
Q
V
GsQ
= 12.5 V
La ecuacin (6.33): VDS V
DD
- ID(R
s
+ R
D
)
= 40 Y - (6.7 mA)(0.82 kQ + 3.0 kQ)
40Y-25.6Y
= 14.4 V
6.7 TABLA RESUMEN
Ahora que se han presentado los arreglos de polarizacin ms comunes para los diferentes
FET, se desarroll la tabla 6.1 para revisar los resultados bsicos, y para demostrar la similitud
del mtodo para una cierta cantidad de configuraciones. Tambin indica que el anlisis gene-
ral de las configuraciones de de para los FET no es demasiado complejo. Una vez que se han
establecido las caractersticas de transferencia, entonces puede determinarse la recta de
autopolarizacin de la red y el punto Q en la interseccin de la caracterstica de transferencia
del dispositivo, y la curva de la red de polarizacin. El anlisis restante slo consiste en la
aplicacin de las leyes bsicas del anlisis de circuitos.
6,7 Tabla resumen 283
TABLA 6 l Configuraciones polarizacin de FET
Tipo Configuracin Ecuaciones pertinentes Solucin grfica
{'f
In
RIJ
ID,\)
JFET
VCSQ::O -VCiG
Punto aj
con polarizacin fija _i
RG
VDS = V
oo
- JoRs
VCG +
,
V
p
V
GC
o
Ves
d""
Iv
1055
JFET Ro
Ves = -lrfis

con autopolarizacin
VDS = V
oo
-IAR
o
- RsJ
- - 1'0
Re Rs
Vp:v-
O
Ve;
G.I'
83:'"
ID
JFET RI R
D
V _ =
'DSS
con polarizacin mediante
(, RI + R:!
pumud
ve
divisor de voltaje
R
Ves = Y
e
- loRs

,
VDS = V
OD
- Iv(Ro + Rs)
v, O
Ve vr.s
.{
In
Ro
PuulO rJ-
lD'\S
Compuena comn
Vos = Y
ss
- loRs
V
ss
JFET
VDS = V:){) + V
s
.\. - lo(Ro + Rs)

R,
-V
ss
V, O
V
5
_\ Ves
d'"
"""
Punto Q
lo

JFET
Ro
Yc;sQ= O V
)
(V
es
,,= OV) ID(i == Ivss
/V
esQ
::;; O V

O
Ves
d"
lo
V(;S = -l,/?\ loss
JFET
VD = V
DO
PunIOQ':J)
(Ro = O a)
Re Rs
V
s
= loRs -ro
Vos = V
OD
- IsRs
I
VplV'GS o Ve;
MOSFET
d'"
ID
de tipo decremental Ro
Punto Q
-(Todas las configu.raciones

Voso = -VCG
,
arriba de los caso, positivos
VOS = VOD -loRs
donde VGS " + voltaje)
POlarizagin fija
V
oo
V,
01 V""
Ve;
tf
Va'
ID
MOSFET de tipo
R] R
D

R'

decrementa!
V
e
=---

RI - R
2
'7
Polarizacin mediante
Ves = V
o
-lsRs
divisor de voltaje R2 R
Vos = V
uo
- lo(R
D
+ Rsl
s
V, O
Ve
CC
V
OD lo
MOSFET de tipo
Ro
Ves = VDS Ro

incremental
VGS = V
DD
-loRD
D(encc
Configuracin por
Ro
retroalimentacin
O
Vesnl V VDD Ves
GSfcncend,dol
S
V _ R;:YDD
ve
ID
MOSFET de tipo R.

incremental
R Ro
G - RT + R
2
Polarizacin mediante
R: Rs
Ves = Ve; - 10ft!>
divisor de voltaje
O
VesiTl'ti Ve Ves
284 Captulo 6 Polarizacin del FET
6.8 REDES COMBINADAS
Ahora que se estableci el anlisis en de para una variedad de configuraciones a BJT y FET, se
presenta por s misma la oportunidad de analizar las redes con ambos tipos de dispositivos. Es
fundamental entender que el anlisis slo requiere que primero se estudie el dispositivo que
proporcionar un voltaje o un nivel de corriente en la terminal. Luego, la puerta se encuentra
abierta para calcular otras cantidades y concentrarse en las incgnitas restantes. Estos son, por
lo general, problemas que resultan interesantes, debido al reto que implica encontrar la entra-
da, y luego utilizar los resultados de las ltimas secciones y el captulo 5 para hallar las canti-
dades importantes de cada dispositivo. Las ecuaciones y relaciones que se necesitan slo son
las que hasta ahora se han utilizado en ms de una ocasin, as que no existe la necesidad de
desarrollar nuevos mtodos de anlisis.
Determinar los niveles de VD y Ve para la red de la figura 6.45.
r ~ r 0 1 6 V
2.7 ka
82kn
1Mn
p= 180
24kQ
1.6kn
Figura 6045 Ejemplo 6.13.
Solucin
A partir de la experiencia pasada, ahora se sabe que V GS es, por lo general, una cantidad im-
portante para determinar o escribir una ecuacin con objeto de analizar las redes con JFET. Debido
a que Ves es un valor para el cual no es obvia una solucin inmediata, se dar nfasis a la confi-
guracin del transistor bipolar. La configuracin mediante divisor de voltaje es una donde
puede aplicarse la tcnica aproximada (/3RE = (180 x 1.6 kQ) = 288 H.l > IOR, = 240 kQ), lo
cual permite un clculo de V
B
utilizando la regla del divisor de voltaje en el circuito de entrada.
Para VB:
24 kQ(l6 V)
82kQ + 24kQ
Con el hecho que V
BE
= 0.7 V se obtiene
VE = V
B
- V
BE
= 3.62 V - 0.7 V
= 2.92 V
= 3.62 V
6,8 Redes combinadas
.--t.
EJEMPLO 6,]3
285
286
V
R
VE
2.92 V
e
lE
: __ E
: : : 1.825 mA
RE RE
1.6kQ
con
le '" lE :
1.825 mA
A continuacin, se encuentra que para esta configuracin
y
/D:/s:/e
VD : 16 V - /D(2.7 kQ)
: 16 V - (1.825 mA)(2.7 kQ)
: 11.07 V
16V - 4.93 V
La pregunta sobre cmo calcular Ve no es tan obvia. Tanto V CE como VDS son cantidades
desconocidas que evitan que se establezca una relacin entre VD Y VeO de VE y VD' Un examen
ms cuidadoso de la figura 6.45 indica que Ve est relacionado a V
s
mediante Ves (suponiendo
que V
Rc
: O V). Si puede encontrarse V GS' se podr conocer V
B
, y calcularse Vea partir de
Luego surge la pregunta acerca de cmo encontrar el valor de a partir del valor
estable de ID' Los dos valores se encuentran relacionados mediante la de Shockley:
y Vese puede detenninarse bajo un esquema matemtico al resolver V
esQ
y sustituir los valores
numricos. Sin embargo, se regresa al mtodo grfIco para trabajar slo en el orden inverso
que se utiliz en las secciones precedentes. Primero se trazan las caractesticas de transferen-
cia del JFET como se muestra en la figura 6.46. Luego se establece el nivel de 1 DQ por medo de
una lnea horizontal como se muestra en la misma figura. Luego se determina V GSQ al dibu-
jar una lnea desde el punto de operacin hacia el eje horizontal, dando por resultado
El nivel de Ve:
Ve V
B
- V
GsQ
: 3.62 V - (-3.7 V)
: 7.32 V
ID (mA)
12 'DSS
10
8
6
2
- ID =1.825 mA
Q
-6 -5 O
V
p
Captulo 6 Polarizacin del FET
Figura 6.46 Clculo del punto Q
para la red de la figura 6.45.
Calcular VD para la red de la figura 6.47.
- - - - - - - - - ~ - o 1 6 V
3.6kf1
470 k.Q
fi= 80
2.4 kQ
.,..
Fqura 6.47 Ejemplo 6.14 .
Solucin
En este caso no existe una trayectoria obvia para determinar un valor de vohaje o de corriente
para la configuracin a transistores. Sin embargo, al revisar el JFET con autopolarizacin,
puede derivarse una ecuacin para V GS y as calcular el punto de operacin estable resultante
con la ayuda de tcnicas grficas. Esto es,
con la cual se logra la recta de autopolarizacin que aparece en la figura 6.48 en
Para el transistor bipolar,
e
V
B
=
=
=
y
VE ~ VD
~
~
~
VGS = -2.6 V
Q
le 1 mA
lB = - = -- = 12.5 J1A
f3 80
16 V - lB(470 kQ)
16 V - (12.5 ,uA)(470 kQ) = 16 V - 5.875 V
10.125 V
V
B
- V
BE
10.125 V - 0.7 V
9.425 V
6.8 Redes combinadas
EJEMPLO 6.14
ID (mA)
8 lDSS
7
6
5
4
3
1. 1.61 mA
l--I
D
=lmA
Q
-4 -31-2 -1 O
V
p
!
VGS =-2.6 V
Q
Figura 6.48 Clculo del punto Q
para la red de la figura 6.47.
287
Figura 6.49 Configuracin de
auto polarizacin que se disear.
EJEMPLO 6.15
288
6.9 DISEO
El proceso de diseo no est limitado slo a las condiciones de de. En el proceso del diseo
total entran el rea de aplicacin, el nivel de amplificacin deseado, la potencia de la seal y
las condiciones de operacin como unas cuantas de las condiciones existentes. Sin embargo,
primero tiene que concentrarse en el establecimiento de las condiciones de de que se eligieron.
Por ejemplo, si estn especificados los niveles de VD e ID para la red de la figura 6.49,
puede detenninarse el nivel de V GSQ mediante una curva de transferencia y tambin se puede
calcular Rs a partir de V
GS
; -1 nRs' Si est especificado V
DD
, puede calcularse el valor de R
D
a
partir de R
D
; (V
DD
- VD)IlD' Desde luego, es posible que los valores de Rs y de R
D
no sean
valores estndar disponibles en el mercado, y que requieran del 'USo del valor comercial ms
cercano. Sin embargo, junto con las tolerancias (rangos de valores) que normalmente se espe-
cifican para los parmetros de una red, rara vez causar un problema real'en el proceso de
diseo la pequea variacin debida a la seleccin de valores estndares.
La anterior es slo una posibilidad durante la fase de diseo que involucra la red"deJa
figura 6.49. Es posible que slo se hayan especificado V
DD
y R
D
junto con el valor de VDS' Pero
debe especificarse el dispositivo que se va a utilizar junto con el nivel de Rs' Parece lgico que
el dispositivo deba tener un valor mximo de VDS mayor que el valor de diseo especificado
con cierto margen de seguridad.
Por lo general, para los amplificadores lineales es una buena prctica elegir los puntos de
operacin que no alcancen los valores de saturacin (lDSS)' o las regiones de corte (V
p
)' Es
verdad que durante el diseo son razonables unos puntos iniciales, para V
GS
los valores cerca-
nos a V
p
/2 o de I
Dss
/2 paral
DQ
Desde luego, en cualquier proceso de diseo
Q
no deben exceder-
se los valores mximos de ID ni de VDS que aparecen en las hojas de especificaciones.
Los ejemplos que siguen a continuacin tienen un diseo u orientacin hacia la sntesis,
de tal forma que se proporcionan los valores especficos, y deben calcularse los parmetros de
la red como R
D
, Rs' V
DD
, y as sucesivamente. En cualquier caso, el enfoque es en muchos
casos opuesto al descrito en secciones anteriores. En algunos ejemplos. se trata slo de aplicar
la ley de Ohm de una forma adecuada. En particular, si se solicitan valores de resistencias, el
resultado se logra mediante la simple aplicacin de la ley de Ohm de la siguiente manera:
V
R
Rdesconocida = 1
R
(6.34)
donde V R e IR a menudo son parmetros que se localizan en forma directa a partir de los valores
de voltaje y corriente especificados.
Para la red de la figura 6.50 estn especificados los niveles de V DQ Y de 1 DQ' Calcular los valores
necesarios de R
D
y de Rs' Cules son los valores estndar ms cercanos disponibles en el
mercado?
Captulo 6 Polarizacin del FET
20V
t IDQ = 2.5 mA
R
D
F'Igura 6.50 Ejemplo 6.15.
Solucin
Por la definicin de la ecuacin (6.34),
y =
20V - l2V
2.5mA
8V
= -- = 3.2ka
2.5mA
Al graficar la curva de transferencia de la figura 6.51 y dibujar la lnea horizontal en I DQ =
2.5 mA se obtiene V
GsQ
= -1 V, Y la aplicacin de VGS = -/rfis establecer el nivel de Rs'
_-_(V-"G""SQ,--)
Rs =
-(- 1 V)
---= 0.4ka
2.5 mA
ID (mA)
6l
DSS
5
4
3
.... ---ID =2.5mA
2 Q
- 1
-3 -2 -1 o
,
, Vp
V
GSQ
= -1 V
Los valores ms cercanos disponibles en el mercado son
R
D
= 3.2 ka => 3.3 ka
Rs = 0.4 ka => 0.39 ka
Para la configuracin de polarizacin mediante divisor de voltaje de la figura 6.52, calcular el EJEMPLO 6.16
valor de Rs si VD = 12 V Y V
GsQ
= -2 V.
Solucin
Ei nivel de V G se determina de la siguiente forma:
47 kQ(l6 V)

1.8kO:
91 ill
V
G
= = 5.44 V 0------0 12 V
47 ka + 91 ka
con
ID =
V
DD
- VD
R
D
___ .... t--
+
47kQ
16V - 12V
=
= 2.22mA
1.8 kQ
- --
Luego se escribe la ecuacin para V GS y se sustituyen los valores conocidos:

VGS = V
G
- Irfis
Figura 6.52 Ejemplo 6.16.
-2 V = 5.44 V - (2.22 mA)Rs
-7.44 V = -(2.22 mA)R
s
7.44 V
Rs = = 3.35 ka
2.22mA
y
El valor ms cercano que est disponible en el mercado es de 3.3 kQ.
6.9 Diseo
289
._------

----------------------------------------------
EJEMPLO 6.17
290
Para la red de la figura 6.53 estn especificados los niveles de VDS e ID como VDS = iV
DD
e ID =
1 D{encendido}" Determine los valores de V DD Y de Rv'
10 M.o.

Solucin
V GS(eN:rodido) = 6 V
J D(enco:lldido) ::: 4 mA
VOS(rh) = 3 v
\
Figura 6.53 EjeIlll'lo 6.17.
Con ID == 1 D(encendido) :;;; 4 mA Y V GS;;::: V GS(encendido) :;;; 6 V, para esta configuracin,
y
de tal forma que
VDS = V
GS
= +V
DD
6V = iV
DD
V
DD
= 12 V
Con la aplicacin de la ecuacin (6.34) se obtiene
y
R
D
= V
RD
= VDD - VDS = VDD - iVDD
ID 1 D(encendido) 1 D(encencido)
6V
= -- = 1.5kQ
4mA
que es un valor estndar disponible en el mercado.
6.10 LOCAUZACIN DE FALLAS
+V
DD
= ----'=--
1 D{encendido)
Cuntas veces se ha construido una red con cuidado slo para encontrar que cuando se
aplica la potencia, la respuesta es totalmente inesperada y no cumple con los clculos teri-
cos? Cul es el siguente paso? Se trata de una mala conexin? Se trata de una mala
lectura en el cdigo de color de un elemento resistivo o simplemente de un error en el proce-
so constructivo? Parece muy vasto y a menudo es frustrante el rango de posibilidades. El
proceso de localizacin de fallas que se describi al principio del anlisis de las configura-
ciones a BIT debe cerrar la lista de posibilidades y aislar el rea del problema siguiendo un
plan de ataque preciso. Por lo general, el proceso se inicia mediante una verificacin de la
construccin de la red y de las conexiones de las terminales. Luego, se sigue con la verifica-
cin de los niveles de voltaje entre las terminales especficas y la tierra, o entre las termina-
les de la red. Rara vez se miden los niveles de corriente porque estos manejos obligan a
modificar la estructura de la red con objeto de insertar el medidor de corriente. Desde luego,
una vez obtenidos los niveles de voltaje, pueden calcularse los niveles de la corriente
empleando la ley de Ohm. En cualquier caso, debe tenerse una idea del nivel esperado del
voltaje o la comente para que la medicin tenga cierta importancia. Por tanto, el proceso de
localizacin de fallas puede iniciar con cierta esperanza de xito si se entiende la operacin
Capitulo 6 Polarizacin del FET
bsica de la red junto con algunos valores esperados del voltaje o la corriente. Para el
amplificador a JFET de canal-n est entendido con claridad que el valor estable de V GS
Q
est
limitado a O V o a un voltaje negativo. Para la red de la figura 6.54, V GSQ est restringido a
los valores negativos en el rango desde O V hasta V p" Si se Conecta un voltmetro como lo
muestra la figura 6,54, con la punta de prueba positiva (normalmente roja) a la entrada y la
punta de prueba negativa (normalmente negra) a la fuente, la lectura debe tener un signo
negativo y una magnitud de unos cuantos volts. Cualquier otra respuesta tiene que conside-
rarse como sospechosa y debe investigarse.
El nivel de VDS normalmente se encuentra entre el 25 y el 75% de V
DD
, Una lectura de O V
para VDS indica que o bien el circuito est "abierto" o el JFET tiene un corto circuito interno
entre el drenaje y la fuente. Si VD tiene V DD volts, resulta obvio que no existe una cada a travs
de R
D
debido a la falta de corriente a travs de R
D
y deben verificarse las conexiones para
revisar su continuidad.
Si el nivel de VDS parece inadecuado, puede verificarse sin problemas la continuidad de]
circuito de salida al conectar a tierra la punta de prueba negativa del voltmetro, y tomando la
medicin de los niveles de voltaje desde V DO a tierra con la ayuda de la terminal positiva, Si V D
V DD' puede que la corriente a travs de R
D
sea cero, pero existe continuidad entre VD Y V DD' Si
V
s
= V DD' el dispositivo no est abierto entre el drenaje y la fuente, pero tampoco "encendido".
Sin embargo, se confirma la continuidad de V
s
' En este caso es posible que exista una conexin
pobre entre Rs y la tierra que puede no Ser muy obvia. Tambin es posible que la conexin in-
terna entre el cable de la punta de prueba y el conector de la terminal se encuentren separados.
Tambin existen otras posibilidades como un dispositivo en corto del drenaje a la fuente, pero
la persona que se encuentre localizando la falla simplemente tendr que concentrar las causas
posibles del funcionamiento errneo.
Puede verificarse la continuidad de una red midiendo slo el voltaje a travs de cual-
quier resistencia de la red (excepto para Re en la configuracin JFET). La indicacin de una
de O V revela de inmediato la falta de corriente a travs del elemento debido a un circuito
abierto en la red.
El elemento ms sensible en las configuraciones a BJT y JFET es el amplificador en s
mismo. La aplicacin de un voltaje excesivo durante las fases constructiva o de prueba, o el
uso indebido de valores incorrectos de resistores que ocasionan altos niveles de corriente,
pueden destruir el dispositivo. Si se cuestiona la situacin del amplificador, la mejor prueba
para el FET es el trazador de curvas, ya que no slo revela si el dispositivo es operable, sino
tambin sus rangos de valores de corriente y voltaje. Algunos probadores pueden indicar que el
dispositivo an se encuentra bsicamente en buen estado, pero no indican que su rango de
operacin se ha reducido de manera severa.
El desarrollo de buenas tcnicas de localizacin de fallas proviene en gran medida de la
experiencia y el nivel de confianza en cuanto a qu esperar y por qu. Desde luego, existen
ciertas ocasiones en que parecen desaparecer misteriosamente las razones de las causas de una
respuesta extraa cuando se verifica una red. En estos casos, lo mejor es no confiarse y conti-
nuar Con la construccin. Debe encontrarse la causa de tal situacin "'buena o mala" muy
sensible o de lo contrario puede volver a ocurrir en el momento ms inoportuno.
6.11
FET DE CANAL-P
Hasta ahora el anlisis se ha limitado slo a los FET de canal-n, Para los FET de canal-p se
necesita una imagen de espejo de las curvas de transferencia y se invierten las direcciones
definidas de comente, como se muestra en la figura 6.55 para los diversos tipos de FET.
Se observa en todas las configuraciones de la figura 6.55 que cada voltaje de la fuente
de alimentacin es un voltaje negativo que consume corriente en la direccin indicada. En
particular, se observa que contina la notacin de doble subndice para los voltajes tal
como se defini para el dispositivo de canal-n: V GS' VDS' y as sucesivamente. Sin embar-
go, en este caso V GS es positivo (positivo o negativo para el MOSFET de tipo decrementa!)
y VDS negati va.
6.11 FET de canal-p
s
rojo negro Rs
+ Vcs ..:
Figura 6,54 Verificacin de la
operacin en de de la
configuracin del JFET con
autopo!arizacin.
291
-r:;
292
-V
DD
ID
R
D
IDSS
h
+
+
VDS
VGS
tls
Rs
O
Vp VGS
tlD
V
DD
ID
R
D
lDss
= R
~
+
VDS
+
VGS _
R,
Rs
tls
V
G
O
Vp VGS
., ,.
-V
DD
RD
RG
tlD
+
1
VDS
+
VGS
VGS
Figura 6.55 Configuraciones de cana.l-p.
Debido a las similitudes entre el anlisis de los dispositivos de canal-n y de canal-p, en
realidad puede asumirse como un dispositivo de canal-n con una fuente inversa de voltaje y
desarrollar el anlisis completo. Cuando se obtienen los resultados, estar correcta la magni-
tud de cada cantidad, aunque la direccin de la corriente y la polarizacin del voltaje tendrn
que nvertirse. Sin embargo, el siguiente ejemplo demostrar que con la experiencia que se ha
logrado a travs de los dispositivos de canal-n es bastante directo el anlisis de los dispsitivos
de canal-p.
Captulo 6 Polarizacin del FET
~
-------------------------------------------------------------
Calcular 1 DQ' V
esQ
y VDS para el JFET de canal-p de la figura 6.56.
1.8k!l
Solucin
'-_____ +-+t / s
~ Figura 6.56 Ejemplo 6.18.
20kQ(- 20 V)
----- = -4.55 V
20 kQ + 68 kQ
Con la aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff se obtiene
y
Seleccionando ID = O mA se tiene
tal como aparece en la figura 6.57.
Ve - Ves + Irfis = O
Ves = Ve + Irfis
Cuando se elige V GS = O V, se obtiene
Ve -4.55 V
ID =-- = - = 2.53mA
Rs 1.8 kQ
que tambin aparece en la ligura 6.57. El punto de operacin estable que se obtiene a partir de
la figura 6.57:
ID=3.4mA.--
Q
-5 -4 -3 -2 -1
/D (mAl
8
o 1 I 2
I
ID, = 3.4 mA
Ves, = 1.4 V
3 4
V
p
Figura 6.57 Clculo del punto Q
para la coniguracin de JFET de la
figura 6.56.
6.11 FET de canaJ-p
EJEMPLO 6.18
293
Figura 6.58 Curva universal de
polarizacin para el JFET.
294
Para Vos' con la ley de voltaje de Kirchhoff se obtiene
y
-loRs + Vos - loRo + V
oo
= O
Vos = -V
oo
+ lo(Ro + Rs)
= -20 V + (3.4 mA)(2.7 kQ + 1.8 kQ)
= -20 V + 15.3 V
= -4.7 V
6.12 CURVA UNIVERSAL DE POLARIZACIN PARA JFET
Debido a que la solucin de una configuracin a FET necesita que se dibuje la curva de trans-
ferencia en cada anlisis, se desarroll una curva universal til para cualquier nivel de I DSS y de
Vp. En la figura 6.58 se proporciona la curva universal de un JFET de canal-n o el MOSFET
de tipo decremental (para los valores negativos de V
esQ
)' Se observa que el eje horizontal no es
el de V
GS
' sino el de un nivel nonnalizado definido por V GS/ I V
p
1, con la indicacin I V
p
1, lo
que significa que slo debe tomarse en cuenta su magnitud, mas no su signo. Para el eje verti-
calla escala tambin es un valor normalizado de El resultado es tal que cuando lo =
lossel cociente es 1, y cuando V
GS
= Vpel cociente V
G
/ I V
p
I es de-!. Se observa tambin que
la escala para ID/I
DSS
se encuentra a la izquierda en lugar de la derecha como se encontr para
ID en los ejercicios anteriores, Las dos escalas adicionales a la derecha necesitan presentarse.
La escala vertical llamada m puede utilizarse por s misma para encontrar la solucin a las
configuraciones de polarizacin fija. La otra escala, llamada M, se utiliza junto con la escala m
!.L
I
DSS
IVpl
m=--
Rs IDss
-"-'- H- -.:-.. -h- -! t----, +-, '--+-"
-0.8 -0.6 -0.4 -0.2
Captulo 6 Polarizacin del FET
M=m x v
GO
IVpl
o
para encontrar la solucin para la configuracin mediante divisor de voltaje. Las escalas para
m y M provienen de un desarrollo matemtico que involucra las ecuaciones de la red y la escala
normalizada recin presentada. La siguiente descripcin no se concentra sobre el motivo por el
cual la escala m se extiende desde O a 5 cuando V Gsil V
p
I = -0.2, Y la escala M desde O a 1
cuando \/GS ~ V
p
J = 0, sino en la fonna de usar las escalas resultantes para obtener una solu-
cin para las configuraciones. Las ecuaciones de m y de M son las siguientes, con \/ G tal como
se defini por medio de la ecuacin (6.15).
con
IVpl
m=---
IDssRs
R
2
V
DD
V
G
=
R + R
2
(6.35)
(6.36)
Es importante tener en cuenta que la belleza de este mtodo se debe a que ya no es necesario
trazar la curva de transferencia para cada anlisis, a que la sobreposicin de la recta de
polarizacin resulta mucho ms sencilla y a que son menos los clculos. El uso de los ejes m y
M se explica mejor mediante unos ejemplos que utilicen dichas escalas. Una vez que ha queda-
do claro el procedimiento, es mucho ms rpido el anlisis y ms preciso tambin.
Calcular los valores del punto de operacin estable tanto de ID como de V GS para la red de la
fIgura 6.59.
V; 0-0 --...,)11----,----..
0.05 ~
lMO
Solucin
...
Calculando el valor de m, se obtiene
16V
3.9Hl
0.05 ll'
I o V,
1.6kO 40 ll'
Hgura 6.59 Ejemplo 6.19 .
IVpl 1-3VI
m = -- = ------ = 0.31
IDssRs (6 mA)(1.6 kQ)
La recta de autopolarizacin definida por Rs se grafica al dibujar una lnea recta desde el
origen y a travs del punto definido por m = 0.31, as como se muestra en la figura 6.60.
El punto Q obtenido:
0.18 y -0.575
6.12 Curva universal de polarizacin para JFET
EJEMPLO 6.19
295
EJEMPLO 6.20
296
0.2
ID
I
Dss
t
H-
-1 H--,-- .. +--1
IV,I
m=--
[DssR
s
5
2
..J __ _
_
j,
T :1:-;:
V
GG
M=m
x
-
IVpl
+ -++
m
_1.0 -0.8
, '
-0.6, -0.4
,
VGS =-0.575
IV,I
Figura 6.60 Curva universal para los ejemplos 6.19 y 6.20.
: -0.2
VGS =-0.26
IV,I
o
Los valores del punto de operacin estable de ID Y de V GS pueden calcularse despus de la
siguiente manera:
y
l
DQ
= 0.181
DSS
= 0.18(6 mAl = 1.08 mA
V
GsQ
= -0.5751 V
p
1 = -0.575(3 V) = -1.73 V
Calcule los valores en el punto de operacin de ID Y VGS para la red de la figura 6.61.

2.2kO
91OkO
1.uF
...... ---1:'(1------<0 V,
Vi 0-0 ---+---11-
1.uF 1-
220kO
: 1.2 kO
FIgura 6.61 Ejemplo 6.20.
Solucin
El clculo de m da
1 V
p
1 1--6 V 1
m -- ----- 0.625
(8 mA)( 1.2 kQ)
La determinacin de V G

(220 kQ)(l8 V)
910 kQ + 220 kQ
= 3.5 V
Al encontrar M se tiene
M m x I
VG
0.625 (3.5 V) 0.365
vpl 6V
Ahora que se conocen m y M, puede dibujarse la recta de polarizacin sobre la figura 6.60.
Entonces, se observa que aunque los valores de I
DSS
y V
p
son diferentes para las dos redes,
puede utilizarse la misma curva universal. Primero se encuentra M sobre el eje M como se
indica en la figura 6.60. Despus se dibuja una lnea horizontal hacia el eje m, yen el punto de
interseccin con el eje se aade entonces la magnitud de m, como lo muestra la figura. Con el
punto que se obtuvo sobre el eje m y la interseccin sobre M, se dibuja una lnea recta para
intersecar la curva de transferencia y as definir el punto Q.
Esto es,
e
con
y
I DQ 0.531 DSS 0.53(8 mAl 4.24 mA
V
GsQ
-0.261 V
p
1 -0.26(6 V) -1.56 V
6.13 ANLISIS POR COMPUTADORA
En esta seccin se desarrolla el anlisis por computadora de una configuracin a JFET mediante
un divisor de voltaje usando los programas tanto BASIC como PSpice. El enfoque de PSpice es
muy sinlar cuando empleamos la configuracin a BIT del captulo 4. Si se elige BASIe se
necesitar de un mtodo matemtico que incluir encontrar la solucin de una ecuacin cuadrtica.
PSpice (versin DOS)
En la figura 6.62 se redibuja la configuracin mediante divisor de voltaje de la figura 6.61
usando los nodos y parmetros del dispositivo que se definieron de acuerdo al captulo 5. Los
W 8V
9!OkQ
220kQ
IIJ.
2.2kQ
VTO_V
p
__ 6V
BETA = IDSS =0.222 x 1O-
3
AN
2
IV
p
l2
m
1.2kQ
figura 6.62 Red de la figura 6.61
con nodos definidos para un anlsis
mediante PSpice. 297
298
oc Bias of JFET confiquration in Fig. 6.61
CIRCUlT DESCRIPTION
********.************************.*******.***************************.
VDD 2 O 18V
Rl 2 1 910K
R2 1 O 220K
RD 2 3 2.2K
RS 4 O 1.2"
J1 3 143M
.MODEL JK KJF(VTO--6V BETA-.222E-3)
.oc VOD 18 18 1
.PRINT OC V(l,4} I(RO)
.OPTIONS NOPAGE
EllO
Junction FET NOOEL PARAMETERS
JK
NJF
\'TO -6
BETA 222.000000E-06
****
DC TRANSFER CURVES
VDD V(l,4) i(RD)
1.800E+Ol -1.565E+OO '.225E-Ol
TEMPERATURE. 27.000 DEG e
Figura 6.63 Anlisis mediante PSpice de la configuracin de la figura 6.61.
son capturados, segn aparecen en la figura 6.63, de igual fonna que en los captulos
previos con el JFET introducido, usando los formatos descritos tambin en el captulo 5. El
voltaje que se solicita como V(l,4) es V
GS
y la corriente I(RD) es ID . Se observa cmo son
similares los resultados con los del ejempl6 6.20 con ID = 4.24 rnA (ejmplo 6.20) e ID = 4.23
mA (PSpice), y V GS = -1.56 V (ejemplo 6.20) y V GS Q = -1.57 V (PSpice). Q
Q Q
Anlisis del centro de diseo de PSpice para Windows
La red de la figura 6.62 aparecer como se muestra en la figura 6.64 cuando se aplique la
versin para Windows de PSpice. Excepto por el JFET, se ha descrito en captulos anteriores el
Figura 6.64 Representacin
esquemtica de la red de la
figura 6.62.
procedimiento para inicializar la red con los enunciados VIEWPOINTS e IPROBE. El JFET
J2N3819 aparece dentro de la biblioteca eval.slb de la caja de dilogo Gel Part, la cual se
seleccion mediante la secuencia Draw - Get New Part - Browse. Cuando se elige en la
biblioteca, la Descripcin (Descriplion) que aparece sobre la lista en la caja de dilogo, se
Captulo 6 Polarizacin del FET
indica como un JFET de. tipo decremental de canal-n (n-channel jfet-depletion). Si se selec-
ciona OK, aparecer el smbolo JFET para su ubicacin en la pantalla. Se coloca el JFET sobre
la localizacin deseada y se oprime el botn derecho del apuntador (mouse) para terminar el
proceso. Para los valores iniciales de VTO y BETA, slo se selecciona el smbolo JFET que
est sobre el dibujo una vez (pero slo una vez) y se opta por la seleccin Edit en la barra de
mens. Siguiendo la secuencia Edit - Model - Edit Instance Model, el Editor de Modelo
(Model Editor) aparecer y se podr inicializar VTO en -{iV y BETA en 0.222E-3. Una vez
inicializados, se elige OK para asignar estos valores en la aplicacin.
En este ejemplo, VIEWPOINTS e IPROBE tendrn toda la informacin necesaria. Para
acelerar la ejecucin, se selecciona Analysis seguido por Probe Setup y se elige Do Not
Auto-Run Probe. Una vez que se termina. la secuencia OK - Analysis - Simulation propor-
cionar los resultados que aparecen en la figura 6.64.
La corriente de drenaje igual a 4.23 mA es una rplica exacta de la solucin con DOS as
como el voltaje V
GS
= V(l,4) = 3.5044 V -5.076 V = -1.57 V.
BASIC
Si se utiliza un lenguaje como BASIC, entonces es necesario encontrar una solucin comn
mediante el empleo de tcnicas matemticas para las ecuaciones que se definieron por la red y
el dispositivo. Para la red de la figura 6.65a, se observa que el dispositivo est descrito por la
ecuacin de Shockley (6.65b):
(6.37)
mientras que la red est definida por (figura 6.65b)
V
GS
= V
G
- Irfis (6.38)
V
G
R
2
V
DD
(6.39) con =
R + R
2
Si se inserta la ecuacin para ID [ecuacin (6.37)] en la ecuacin (6.38), se obtiene
R
V, --)1--+--'"
R,
Ipss
v,
(a)
(b)
VGG vGS Ftgura 6.65 Configuracin mediante
divisor de voltaje Que se analizar
mediante el empleo de BASIC.
6,13 Anlisis por computadora 299
la cual, cuando se expande, genera la siguiente ecuacin cuadrtica
IDssRs
+ (1 -
2I
DS
sRs)
+ (lDSSRS - V
G
)
---V
2
Ves
V2 GS
V
p p
- ~ '--.-----" ~
a b e
Las soluciones a la ecuacin cuadrtica estn determinadas por
-b -lb' - 4ac
2a
= O
siendo la solucin real aquel valor de V GS que caiga dentro del rango entre O y V r El programa
probar desde luego, el valor de b
2
- 4ac, indicando que no existe solucin en caso de tener un
valor negativo. Luego, los voltajes del drenaje y la fuente son
V
s
= IvRs
y VDS = VD - V
s
(6.40)
(6.41)
(6.42)
En las tablas 6.2 y 6.3 se proporciona un resumen de las variables y las ecuaciones que se
utilizan en el mdulo 11000. En la figura 6.66 aparece el listado del programa junto Con una
ejecucin con los mismos valores utilizados en el anlisis PSpice. Una vez ms es importante
notar la correspondencia tan cercana entre los resultados.
TABLA 6.2 Ecuaciones y enunciados
para el mdulo 11 000
TABLA 6.3 Ecuaciones y variables del programa
para el mdulo 11000
Ecuacin
R
2
vG=--VDD
R +Rz
V
s
= l"Rs
vGs=vG-V
S
lD=IDS{ v::]
A = IDssRs
Vi
2l
Ds
sRs
8=1----
V
p
C=IDssRs-VG
D = B2 -4AC
-B + 'iD
V
z
=
2A
-B-W
2A
V
D
= VDD-1aRD
300
Enunciado para computadora
GG = (R2/(Rl + R2)) , DD
VS=ID'RS
GS=VG-VS
ID = SS' (1 - GSNP) ; 2
A=SS'RSNP;2
B= 1-2' SS' RSNP
C=SS' RS-GG
D=B ;2-4'A'C
VI = (-B + SQR(D))/(2' A)
V2 = (-B - SQR(D))/(2' A)
VD=DD-ID' RD
VS=ID'RS
DS=VD-VS
Captulo 6 Polarizacin del FET
Variable de la ecuacin Variable del programa
VG
VS
VD
GG
DD
GS
DS
VP
ID
SS
Rl
R2
RS
RD
10 REM .**.***.*************.*********.*************
2. REM
30 REM Module tar FET de Bias Calculations
40 REM
50 REM *********************************************
60 REM
100 PRINT
110 PRINT
120 PRINT
130 PRINT
"This program provides tbe de bias
"for a JFET or depletion MOSFET"
"voltage-divider confiquratlon."
140 PRINT "Enter the fOllowing cireuit
150 PRINT
160 INPUT
170 INPUT
180 rHPUT
190 INPUT
200 PRINT
"Rl (use
"R2
"RS-"';RS
"RO-" RO
lE30 if open)-";R1
..... ;R2
210 INPUT "Supply voltage, VOD="DD
220 PRIIIT
230 PRINT the followin9 device data:"
calculations"
240 INPUT "Oratn-aouree saturation current,
250 INPUT "Gate-aouree pinoho!f voltaqe, VP-"VP
260 PRINT :PRINT
270 REH Nov do bias caleulations
280 GOSUB 11000
290 PRINT current ls, IP-";ID*1000;"mA"
300 PRINT MBias voltages
310 PRINT "VGS-";GS"volts"
320 PRINT Vo--;VD;"volts"
310 PRINT VS";VS"volts
340 PRINT "VDS="DS"volts"
350 END
11000 REK Module for FET dc bias calculationd
11010 GG-(R2(Rl+R2))*DD
11020
11030 B-l-Z*SS*RS/VP
11040 o-SS*RS-GG
l1Q50
11060 IF 0<0 THEN PRINT -No solution!!!" :STOP
11070 Vl=(-S+SQR(D))(2*A)
11080 V2-(-S-SQR(D))(2'A)
11090 IV ABS(VlABS(VP) THEN GS=V-2
11100 IF ABS(V2ABS(VP) TREN GS=Vl
11110 ID-SS*(1-GS/VP)A2
11120 VS=XD*'RS
11130 VG-GG
11140 VD-OD-IO.RD
11150 OS=VD-vS
11160 RBTURN
RUN
This program provides the de bias calculations
for a JFET or depletion MOSFET
yoltage-divider eonfiquration.
tnter tha following circuit data:
Rl (use lEJO if open)=? 910E3
R2 =? 220E3
RS-? 1.2E3
RD-? 2.2El
supply voltage, VDD=? 18
Entar the followinq data:
Drain-souree saturation current, 10S8-? BE-J
Gate-souree pinchoff voltage, VP=? -6
aias current i_, 4.26821
aias voltaqes are:
VGS--l.617427 volts
VD- volts
vs- 5.121852 volts
VDS= 3.488087 volts
Figura 6.66 Programa en BASIC para el anlisis de la red de la figura 6.65.
301
.-r;
-------
PROBLEMAS
302
6.2 Configuracin de polarizacin fija
1. Para la configuracin de polarizacin fija de la figura 6.67:
a) Trazar las caractensticas de transferencia del dispositivo.
b) Sobreponer la ecuacin de la red en la misma grfica.
e) Calcular I
DQ
y V
DSQ
'
d) Con la ecuacin de Shock.ley, resuelva I
DQ
y luego localice V
DSQ
' Comprela con las solucio-
nes del inciso c.
12 V
IMn
...
Figura6.67 Problemas 1,35,38,41. .
2. Para la configuracin de polarizacin fija de la figura 6.68, determine:
a) ID Y Ves utilizando un mtodo puramente matemtico.
b) Rpita el fnciso a con un mtodo grfico y compare los resultados. 16 V
e) Encuentre VDS' VD' V G Y V
s
utilizando los resultados del inciso a.
IMl
3V
figura 6.68 Problema 2.
3. Dado el valor de VD medido en la figura 6.69, calcule:
a) [D.
b) VDS.
e) V cC.
14 V
1.6 kl
V
D
=9 V
+
VDS IDSs=8mA
V
p
=-4 V
+
...
2.2kl
lvss = 10 rnA
V
p
=-4.5 V
Figura 6.69 Problema 3.
4. Determine VD para la configuracin de polarizacin fija de la figura 6.70.
5. Determine VD para la configuracin de polarizacin fija de la figura 6.71.
20V 18 V
2.2kil
2kil
1 Mil
2 Mil
4V-
Figura 6.70 Problema 4. Figura 6.71 Problema 5.
6.3 Configuracin de autopolarizacin
6. Para la configuracin de autopolarizacin de la figura 6.72:
a) Trace la curva de transferencia para el dispositivo.
b) Sobreponga la ecuacin de la red en la misma grfica.
c) Calcule IOQ y V GSQ'
d) Encuentre VDS' VD' Ve y V
s
'
18 V
1.5 kil
I Mil
750il
I
pss
= lOmA
V
p
=-4 V
VD
FIgura 6.72 Problemas 6. 7. 36. 39, 42.
* 7. Determine IOQ para la red de la figura 6.72 utilizando un mtodo puramente matemtico. Esto es,
establezca una ecuacin cuadrtica para ID Y seleccione la solucin compatible con las caracters-
ticas de la red. Comprela con la solucin que se obtuvo en el problema 6.
8. Para la red de la figura 6.73, calcule:
a) VesQel
o
'
b) VDS' VD' V
G
y V
s
'
9. Dada la medcin V
s
= 1.7 V para la red de la figura 6.74, calcule:
a) I
DQ

b) VGsQ'
c) I
Dss
'
d) VD'
e) VDS'
Problemas 303
I Mil
12V
2.2kil
I[)SS = 6 mA
Vp =-<:' v
1.6kil
Figura 6.73 Problema 8.
304
* 10.
Encuentre para la red de la figura 6.75:
a) ID'
b) VDS'
C) VD"
d) V
S
'
I Mil
18 V
2kil
v, = 1.7 V
0.51 kil
20V
0.68 kn
I
DSS
=4.5 roA
V
p
=-5 V
Figura 6.74 Problema 9. FIgura 6.75 Problema lO.
* 11. Encuentre V
s
para la red de la figura 6.76.
14 V 2.2kil
IDSS=6mA
v
p
=-6 v
0.39 kil
Figura 6.76 Problema 11.
6.4 Polarizacin mediante divisor de voltaje
12. Determine para la red de la figura 6.77:
a) VD'
b) ID Y VDS'
Q Q
e) VD y V
s
' 20 V
d) V DS
Q
'
910kil
IDSS= lOmA
V
p
=-3.5 V
LIHl
FIgura 6.77 Problemas 12. 13. 43.
13. a) Repita el problema 12 con Rs = 0.51 ka (aproximadamente e150% del valor de 12). Cul es
el efecto de un R s menor sobre ID Y V GS ?
. Q Q
b) Cual es el menor valor posible de Rs para la red de la figura 6.77?
Capitulo 6 Polarizacin del FET
14. Para la red de la figura 6.78, V
D
:= 9 V. Calcular:
a) ID'
b) V
s
, VDS'
c) VG' VGs'
d) VI"
* 15. Especifique para la red de la figura 6.79:
a) I
DQ
Y V
GsQ
'
b) VDSyV
S
'
18 V
f
750 kQ
+
V
o
.t-
VDS
+ 1-
VOS
-
V
s
91 kQ
0.68 kQ
Figura 6.78 Problema 14.
* 16. Dado V
DS
:= 4 V para la red de la figura 6.80, encuentre:
a) ID'
b) VDY V
s
.
c) VGS'
6.5 MOSFET de tipo decremental
17. Calcular para la configuracin de autopolarizacin de la figura 6.81:
a) I
DQ
y V
GsQ
'
b) VDS Y VD'
* 18. Calcule para la configuracin de la figura 6.82:
a) ID y Ves'
Q Q
b) VDS Y V
s
.
14 V
1.2 kQ
1 MQ
0.43 kQ
...
Figura 6.81 Problema 17.
18 V
2.2 kQ
0.39 kQ
-4V
Figura 6.82 Problema 18.
16 V
Figura 6.79 Problemas 15,37,40.
12V
3kQ
4V
l
+
2kQ
-3V
Figura 6.80 Problema 16.
Problemas 305
306
6.6 MOSFET de tipo incremental
19. Para la configuracin de la figura 6.83 calcule:
a) IDa
b) VeSQyVDSQ'
e) VD y V
s

d) VDS-
20. Calcular para la configuracin mediante divisor de voltaje de la figura 6.84:
a) [Da y V
GSQ
'
b) VDyV
s
.
24 V
22 V
1.2 kQ
2.2 kQ
lOMQ
*lDQ

VGS(Th) = 3 V
1MQ
+ VaS(Th) =4 V
ID(meendido)== 5 mA
V
DSQ
V GS(=udid<l) == 7 V
+
V G5(cncendido) == 6 V
+
1 f)(cncendidQ) = 5 mA VesQ
V
GSQ
6.8MQ
0.51 kQ
0.75kQ
...
figura 6.83 Problema 19. figura 6.84 Problema 20.
6.8 Redes combinadas
* 21. Calcular para la red de la figura 6.85:
a) V
G
.
b) V
GS
el
D

e) lE' Q Q
d) lB.
e) VD.
f) Ve
$ J.J kQ
>330kQ
>
91kQ
r
L::
....
160
lB
FE
flDQ
VD
.1- IDss=6mA
+
1-
V
p
=-6V
VasQ
>

18kQ
> I.2kQ
*
, ..
Figura 6.85 Problema 21.
Captulo 6 Polarizacin del FET
* 22. Detennine para la red combinada de la fgura 6.86:
a) VB' Vc'
b) VE'
e) lE' le ID'
d) lB'
e) Ve> V
s
VD'
f) VCE'
g) VDS'
6.9 Diseo
: 40 kQ

10 kQ
>
2.2 kQ

v,
Vc
r
+
....
V
CE
lE
1.2 kQ
p= lOO
Figura 6.86 Problema 22.
* 23. Disee una red de autopolarizacin empleando un transistor JFET con lvss = 8 rnA Y V p = -6 V
para obtener un punto Q en 1 D = 4 mA utilizando una fuente de 14 V. Asuma que J.. D = 3R S Y use
los valores estndar. Q
* 24. Disee una red mediante divisor de voltaje empleando un MOSFET de tipo decremental con 1 DSS
= 10 mA y V p = -4 V para obtener un punto Q en 1 DQ = 2.5 mA utilizando una fuente de 24 V.
Adems. fije Ve = 4 Vy utilice R
D
= 2.5R
s
con R = 22 MQ. Utilice los valores estndar.
25. Disee una red como la que aparece en la figura 6.39 empleando un MOSFET de tipo incremental
con V GS(Th) = 4 V, k = 0.5 x 10--
3
AJV2 para obtener un punto Q en 1 DQ = 6 mA. Utilice una fuente
de 16 V Y valores estndar.
6.10 Localizacin de fallas
* 26. Qu sugieren las lecturas de cada configuracin de la figura 6.87 acerca de la operacin de
la red?
12 V 12 V
2kQ 2kQ
4V !--oOV
+
1MQ 1 Mil 12 V 1 Mil
1kQ
... ... ...
Col
Flgura 6.87 Problema 26.
Problemas
12V
2kQ
307
308
'" 27. Aunque las lecturas de la figura 6.88 por principio sugieren que la red/st comportndose de
forma adecuada. deterrnine una causa probable del estado indeseable d\a red.
'" 28. La red de la figura 6.89 no est operando de manera adecuada. Cul es la causa especfica de su
falla?
20V
2.2kQ
330kQ
3.7V-r---......
6.25 V
75kQ
l ill
...
F"lgura 6.88 Problema 27.
6.11 FET de canal-p
29. Para la red de la figura 6.90, calcule:
a) I
DQ
y V
GsQ
'
b) VDS.
e) VD.
30. Para la red de la figura 6.91, determine:
IMn
a) I
DQ
y V
GsQ
.
b) VDS.
e) VD.
-IBV
2.2kQ
0.51 ill
Figura 6.90 Problema 29.
20V
2kQ
330kQ
14.4 V
75 kQ
1 ill
F"lgura 6.89 Problema 28.
-16V
2kQ
IMn
VGSml) =-3 V
1 D(tllCeDdido) = 4 mA
V GS(eocendido) = -7 V
F"lgura 6.91 Problema 30.
6.12 Curva universal de polarizacin para JFET
31. Repita el problema 1 utilizando la curva universal de polarizacin para JFET.
32. Repita el problema 6 usando la curva universal de polarizacin para JFET.
33. Vuelva a hacer el problema 12 utilizando la curva universal de polarizacin para JFET.
34. Repita el problema 15 ayudado con la curva universal de polarizacin para JFET.
Captulo 6 Polarizacin del FET
35.
36.
37.
38.
39.
40.
41.
42.
~ .
6.13 Anlisis por computadora
Desarrolle un anlisis con PSpice (DOS) de la red del problema 1. Calcule ID Y V GS .
Q Q
Desarrolle un anlisis con PSpice (DOS) de la red del problema 6. Calcule ID Y V GS .
Q Q
Desarrolle un anlisis con PSpice (DOS) de la red del problema 15. Calcule I
DQ
, VesQ y VDS Q
Desarrolle un anlisis con PSpice (Windows) de la red del problema 1.
Desarrolle un anlisis con PSpice (Windows) de la red del problema 6.
Desarrolle un anlisis con PSpice (Windows) de la red del problema 15.
Utilizando BASIC, calcule 1 DQ Y V
esQ
para la red del problema 1.
Utilizando BASIC, calcule I
DQ
y V
GsQ
para la red del problema 6.
Utilizando BASIC. calcue ID Ves y VDS p"'a >red del problema 12.
o Q Q
*Los asteriscos indican problemas ms difciles.
Problemas 309
7.1 INTRODUCCIN
Modelaje de
transistores
bipolares
En el captulo 3 se presentaron aspectos como la construccin bsica, la apariencia y las
caractersticas del transistor. En el captulo 4 se examin con detalle la polarizacin de de. En
este apartado se examinar la respuesta de ac en pequea seal del amplificador a BJT mediante
la revisin de los modelos que se utilizan con ms frecuencia para representar al transistor en el
dominio senoidal en ac.
Uno de los primeros intereses en el anlisis senoidal en ac de las redes de transistores es la
magnitud de la seal de entrada, porque sta detenninar si deben aplicarse las tcnicas de
pequea sealo de gran seal. No existe una lnea divisoria entre ambas, pero la aplicacin y
la magnitud de las variables de inters relacionadas con las escalas de las caractersticas del
dispositivo, por lo general, establecen con claridad cul mtodo es el adecuado, La tcnica de
pequea seal se presenta en este captulo y las aplicaciones de gran seal se examinan en el
captulo 16.
Existen dos modelos que se utilizan con frecuencia en el anlisis en ac de pequea seal

de redes de transistores: el modelo re y el equivalente hlbrido, Este captulo presenta no slo
ambos modelos, sino que define el papel de cada uno y la relacin que hay entre ambos.
7.2 AMPUFlCACIN EN EL DOMINIO DE AC
En el captulo 3 se demostr que se puede utilizar el transistor como un dispositivo amplificador.
Esto es, la seal senoidal de salida es mayor que la seal de entrada o, dicho de otra manera, la
potencia en ac de la salida es mayor que la potencia en ac de entrada. Luego surge la pregunta
sobre la manera en que la potencia en ac de salida puede ser mayor que la potencia en ac de en-
trada. La conservacin de la energa establece que a travs del tiempo la potencia total de
salida, Po' de un sistema no puede ser mayor que su potencia de entrada, P;, y que la eficiencia
definida como r = PJP; no puede ser mayor que 1. El factor que falta en la presentacin
anterior que permite que la potencia en ac de salida sea mayor que la potencia en ac de entrada
es la potencia aplicada de dc. sta es una contribucin a la potencia total de salida, aunque
parte de ella se disipe por medio del dispositivo y los elementos resistivos. En otraS palabras,
existe un "intercambio" de potencia de dc al dominio de ac que permite el establecimiento de
una mayor potencia de ac de salida. De hecho, se define una eficiencia de conversin por
medio de 7J = P o(ac/Pi(dc)' donde po(ac) es la potencia en ac de la carga, y Pi(dc) es la potencia de
de suministrada.
Quiz el papel de la fuente de dc pueda describirse mejor si se considera primero la red de
de simple de la figura 7.1. La direccin de flujo resultante est indicada en la figura junto con
una grfica de la corriente i en funcin del tiempo. Ahora se insertar un mecanismo de control
como el que se muestra en la figura 7.2. El mecanismo de control es tal, que la aplicacin de
CAPTULO
1
L- 1.1
1 (constante)
o
Figura 7.1 Corriente estable
fija.da mediante una fuente de.
311

I r i v:"
de control t .
,

o
Figura 7.2 Efecto de un elemento
de control sobre el flujo de estado
estable del sistema elctrico de la
figura 7.1.
312
una seal relativamente pequea al mecanismo de control puede ocasionar una oscilacin mucho
mayor en el circuito de salida. Para el sistema de la figura 7.2 el valor pico de la oscilacin est
controlado por el nivel de de establecido. Cualquier intento de exceder el lmite establecido
por el nivel de dc dar por resultado un "recorte" (aplanado) de la regin pico de la seal de
salida. Por tanto, y en general, el diseo adecuado del amplificador requiere que los componentes
de y en ac sean sensitivos a los requerimientos y limitaciones del otro.
Sin embargo, en realidad es una fortuna que los amplificadores de pequea seal a
transistores puedan considerarse lineales para la mayora de las aplicaciones,
permitindose el uso del teorema de la superposicin para aislar el anlisis dc del
anlisis ac.
7.3 MODELAJE DE TRANSISTORES BJT
La clave para el anlisis en pequea seal de los transistores es el uso de circuitos equivalentes
(modelos} que se presentarn en este captulo.
Un modelo es la combinacin de elementos del circuito, seleccionados de forma
adecuada, que mejor se aproximan al comportamiento real de un dispositivo
semiconductor que est bajo condiciones especificas de operacin.
Una vez que se determina el circuito equivalente en ac, se puede reemplazar en el esquema
el smbolo grfico del dispositivo por este circuito y pueden, entonces, aplicarse los mtodos
bsicos del anlisis de circuitos ac (anlisis de mallas, anlisis por nodos y el teorema de
Thvenin) para determinar la respuesta del circuito.
Hoy en da, dos importantes corrientes de pensamiento respecto al circuito
equivalente que sustituir al transistor. Durante muchos aos tanto las instituciones industriales
como las educativas se apoyaban mucho sobre los parmetros h'bridos (los cuales sern
presentados en breve). El circuito equivalente de parmetros hbridos sigue siendo muy popular,
aunque ahora debe compartir su utilizacin con un circuito equivalente que se deriv
directamente a partir de las condiciones de operacin del transistor: el modelo r,. Los fabricantes
continan especificando los parmetros luaridos para una regin de operacin en particular en
sus hojas de especificaciones. Los parmetros (o componentes) del modelo r, pueden deri-
varse de manera directa a partir de los parmetros hbridos. Sin embargo, el circuito luarido
equivalente se condiciona por estar limitado a un conjunto en particular de condiciones de
operacin si se debe considerar como preciso. Los parmetros del otro circuito equivalente
pueden determinarse para cualquier regin de operacin dentro de la regin activa y no estn
limitados por el conjunto nico de parmetros proporcionados en las hojas de especificaciones.
En contraste, el modelo r, fracasa por no considerar el nivel de impedancia de salida del
dispositivo, ni en el efecto de retroalimentacin de la salida a la entrada.
Debido a que ambos modelos se emplean en forma extensiva en la actualidad, los dos se
examinan con detalle en este texto. En algunos anlisis y ejemplos se requerir el modelo
hbrido, mientras que en otros se utilizar el modelo r, de manera exclusiva. Sin embargo, en el
texto se harn todos los esfuerzos para mostrar cun relacionados estn los dos modelos, y
cmo el aprovechamiento de uno conduce al aprovechamiento natural del otro.
En un esfuerzo para demostrar el efecto que tendr el circuito equivalente en ac sobre el
siguiente anlisis, se debe considerar el circuito de la figura 7.3. Es importante asumir por el mo-
mento que ya est determinado el circuito equivalente de ac en pequea seal. Debido a que
slo se est interesado en la respuesta en ac del circuito, todas las fuentes de de se pueden
reemplazar por un potencial equivalente de cero (corto circuito) debido a que slo aproximan
el nivel de de (estable) del voltaje de salida y no la magnitud de la excursin de la salida en ac;
esto est claramente expuesto en la figura 7.4. Los niveles de dc fueron importantes slo para
determinar el punto de operacin Q adecuado. Una vez que stos se fijaron, se pueden eliminar
los niveles de de del anlisis en ac de la red. Adems, se seleccionaron el par de capacitores de
acoplamiento el y e
2
y el capacitar de desvo e
3
para tener una pequea reactancia a fa
frecuencia de la aplicacin. Por tanto, para cualquier propsito prctico, pueden sustituirse
mediante una trayectoria de baja resistencia o por un corto circuito de polarizacin; pero es
Captulo 7 Modelaje de transistores bipolares
V
ee
Re
R
I
o
e e, +
B
r
V
o
R,
+
E
+
Vi
R,
V, '\ RE
le
3
Figura 7.3 Circuito de transistor
-.L
bajo examen en esta discusin

introductoria.
Re
R
e
+ ,
B
+
V,
R, E
+
Vi R,
V,
'\
Figura 7.4 La red de la figura 7.3
1
despus de la eliminacin de la fuente de
-.,,.

de y la insercin del corto circuito
equivalente para los capadtores.
evidente que esto ocasionar un "corto" del resistor de polarizacin RE" Recuerde que los
capacitores asumen un equivalente de "circuito abierto" bajo condiciones de estado de de
estable, lo que permite un aislamiento entre los estados de los niveles de de y las condicio-
nes estables.
Si se establece una tierra comn y se reorganizan los elementos de la figura 7.4, R I Y R
2
estarn en paralelo, y Re aparecer de colector a emisor como lo muestra la figura 7.5. Debido
a que los componentes del circuito equivalente del transistor que aparecen en la figura 7.5
li
Circuito equivalente de
lo
-
ac en pequea seal
-
+
-
B
para el
e +
R, Zi
Vi
RII R,
E
Re
VD
+
-
V,
'\
Z,
-....
..
..
Figura 7.5 Redibujo de la figura 7.4 para el anlisis en ac y pequea seal.
7.3 Modelaje de transistores B.IT 313
314
utilizan componentes familiares como resistores y fuentes controladas independientes, se pueden
aplicar las tcnicas de anlisis como la superposicin, el teorema de Thvenin, y as sucesiva-
mente, para determinar las cantidades deseadas.
Si se examina con mayor detalle la figura 7.5, se pueden identificar las cantidades importantes
que se elegirn para el sistema. Debido a que el transistor es un dispositivo amplificador, se
podra esperar alguna indicacin acerca de cmo se relaciona el voltaje de salida V
o
con el voltaje
de entrada Vi' la ganancia en voltaje, En la figura 7.5 se observa para esta configuracin que
Ji == lb Y que Jo;;:: le' las cuales definen la ganancia en corriente A;;:: J/Ji" La impedancia de entrada
2, y la impedancia de salida 20 son particularmente importantes en el prximo anlisis. En las
siguientes secciones se hablar mucho ms acerca de estos parmetros.
En resumen, el equivalente de ac de una red se obtiene:
1. Haciendo todas las fuentes de dc cero y reemplazndolas por un corlo circuito
equivalente
2. Reemplazando todos los capacitores por un corto circuito equivalente
3. Eliminando todos los elementos en paralelo con un elemento de desvo mediante
los equivalentes de corlo orcuito que fueron presentados en los pasos 1 y 2
4. Redibujando la red de manera ms conveniente y ms lgica
En las siguientes secciones los circuitos re y el hbrido equivalente se presentarn para
completar el anlisis en ac de la red de la figura 7.5.
7.4 LOS PARMETROS IMPORTANTES:
Z, Zo' Av' A
Antes de investigar los circuitos equivalentes para los amplificadores a BIT con mayor detalle,
primero se estudiarn aquellos parmetros de un sistema de dos puertos que son de vital importancia
desde los puntos de vista de anlisis y de diseo. Para el sistema de dos puertos (dos pares de
terminales) de la figura 7.6, el lado de la entrada (el lado en el cual se aplica normalmente la
seal) est situado a la izquierda y el lado de la salida (donde est conectada la carga) se localiza
a la derecha. De hecho, para la mayora de los sistemas elctricos y electrnicos el flujo general
nonnalmente es de izquierda a derecha. Para ambos conjuntos de terminales, la impedancia entre
cada par de terminales bajo condiciones normales de operacin es muy importante.
1,
1,
- -
+
+
V;
-
Sistema de dos
-
V,
z
puertos
Z,
F'tgura 7.6 Sistema de dos puertos.
Impedancia de entrada, Z
Para el lado de la entrada, la impedancia de entrada 2 est definida por la ley de Ohm de la
siguiente forma:
(7.1)
Si la seal de entrada Vi es cambiada, se puede calcular la corriente I utilizando el mismo
nivel de impedancia de entrada. En otras palabras:
Captulo 7 Modelaje de transistores bipolares
Para el anlisis en pequea seal, una vez que se ha determinado la impedancia de
entrada, se puede emplear el mismo valor numrico para los niveles cambiantes de la
seal aplicada.
De hecho. Se encontrar en las prximas secciones que la impedancia de entrada de un
transistor puede calcularse de forma aproximada mediante las condiciones de polarizacin de
de, las cuales son condiciones que no cambian slo porque vara la magnitud de la seal de ac
aplicada.
Es muy notable que para las frecuencias dentro del rango bajo a medio-bajo (normalmente
$ 100 kHz):
La impedancia de entrada para un amplificador a transistor a BiT es puramente
resistiva en naturaleza, y dependiendo de la manera en que se utilice el transistor,
puede variar desde unos cuantos ohms hasta los megaohms.
Adems:
No se puede emplear un hmetro para medir impedancia de entrada en pequea
seal debido a que ste opera en el modo de dc.
La ecuacin (7.1) es particularmente til porque proporciona un mtodo para medir la
resistencia de entrada en el dominio de ac. Por ejemplo, en la figura 7.7 se aadi un resistor
sensor en el lado de la entrada para permitir una determinacin de Ji mediante el empleo de la
ley de Ohm. Se puede utilizar un osciloscopio o un multmetro digital sensible (DMM) para
medir tanto el voltaje V" como el V
i
- Ambos voltajes pueden ser de pico a pico, ovalares nns,
siempre y cuando ambos valores utilicen el mismo estndar. Luego se determina la impedancia
de entrada de la siguiente manera:
y
--
Zi
v-v.
S I
+
V Sistema de dos
puertos
(7.2)
(7.3)
Figura 7.7 Determinacin de Z,"
La importancia de la impedancia de entrada de un sistema se puede demostrar mejor por
medio de la red de la figura 7.8. La fuente de la seal tiene una resistencia interna de 600 Q Y el
sistema (posiblemente un amplificador a transistor) tiene una resistencia de entrada de 1.2 kQ.
Si la fuente fuera ideal (R, = O Q).los 10 mV completos seran aplicados al sistema, pero por la
Rfueotc
r
..,. ..
+
600 Q
V
s
I
lOmV
-
Zi = 1.2 ka
+
V, Amplificador
figura 7.8 Demostracin del
impacto de Z en la respuesta
del amplificador_
7.4 Los parmetros importantes: Zi' ZfI' Av' Ai
315
EJEMPLO 7.1
316
impedancia de la fuente, se debe calcular el voltaje de entrada utilizando la regla del divisor de
voltaje de la siguiente malnera:
2V
V. :;:: I S
, -J.
"ti + Rfuente
(1.2 kQ)(lO mV)
1.2 kn + 0.6 kn
; 6.67 mV
De este modo slo el 66.70/0 de toda la seal de entrada est disponible en la entrada. Si 2i fuera
slo de 600 n, entonces 11'. rnV); 5 mV o el 50% de la seal disponible. Desde luego.
si 2; 8.2 kn, v. ser del '93.2% de la seal aplicada. Por tanto, el nivel de la impedancia de
, "
entrada puede tener un significativo sobre el nivel de la seal que alcance el sistema (o
amplificador). En las sigulentes secciones y captulos se demostrar que la resistencia de entrada
en ac es dependiente en eH caso de que el transistor est en la configuracin de base comn,
emisor comn, o de cole4tor comn y la colocacin de los elementos resistivos.
Para el sistema de la figu a 7.9, calcule el valor de la impedancia de entrada.
R,cmor
+1
IkU
Zi t
-
I
Sistema de dos
V,
'\,
2mV
v
i
=
-1
puertos
l'
Figura 7.9 Ejemplo 7.1.
Solucin'
y
v - V 2 mV - 1.2 mV 0.8 mV
, ,
; ;; 0.8 !lA
V,
Z= -=
li
1.2 mV
0.8 !lA
Ikn Ikn
= 1.5 kQ
Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida;naturalmente se define en el conjunto de terminales de salida, pero
esta definicin es un pocp diferente cuando se trata de la impedancia de entrada. Esto es:
La impedancia de se determina en las terminales de salida viendo hacia atrs
al sistema con la seial aplicada igual a cero.
Por ejemplo, en la tlgura 7.10 la seal aplicada se hace cero volts. Para determinar 2
0
, se
aplica una seal, V
s
' a las:tenninales de salida y se mide el nivel de V
o
con un osciloscopio o un
DMM sensible. Luego s<t calcula la impedancia de salida de la siguiente manera:
V-V
1
0
= ___ o
Rsensor
(7.4)
y
8J
=V
o
o 1
o
(7.5)
Captulo 7 Modelaje de transistores bipolares
R R
fucnlc
'C,":'
-"AA
+
-- _1
Sistema de
lo
dos puertos
VD
-- Z"
I
-
+
'VV
Figura 7.10 Determinacin deZ
o
.
En particular, para las frecuencias en el rango bajo a medio (normalmente::; 100 kHz):
La impedancia de salida de un amplificador a transistor BJT es resistiva por
naturaleza y, dependiendo de la configuracin y la colocacin de los elementos
resistivos, Zo puede variar desde unos cuantos ohms a un valor que puede exceder los
2MQ.
Adems:
No se puede utilizar un hmetro para medir la impedancia de salida en pequea seal
debido a que el hmetro trabaja en el modo de de.
Para las configuraciones de amplificador donde se desea una ganancia significativa en
corriente, el nivel de 20 debe ser tan grande como sea posible. Como se demostr en la figura
7.1 L si 20 R L' la mayor parte de la comente de salida pasar a la carga. En las siguientes
secciones y captulos se demostrar que con frecuencia 20 es tan grande respecto a R L que se
puede reemplazar por un equivalente de circuito abierto.
Calcular el nivel de impedancia de salida para el sistema de la figura 7.12.
Sistema de dos
puertos
Solucin
1
o
Y 20
=
=
+ 20kil
-- z,
V
o
= 680 mV
Figura 7.12 Ejemplo 7.2.
v - V
o
1 V - 680 rnV 320 mV
= = =
16 )lA
Rsensor
20 kQ 20 kQ
V
o
680 rnV
42.5 kQ
= =
1 16 )lA
o
Ganancia en voltaje, Av
Una de las caractersticas ms importantes de un amplificador es la ganancia en voltaje en
pequea seal, como se detennina mediante
I Av =:, I (7.6)
7.4 los parmetros importantes: Zj' Zo' A", A
R P:'\r3 Ro R
L
L ILIR
o
Figura 7.11 EfectodeZ
n
" Roen
la corriente J
L
de carga o salida.
EJEMPLO 7.2
317
EJEMPLO 7.3
318
Para el sistema de la figura 7.13, no se ha conectado una carga a las terminales de salida y el
nivel de ganancia determinado por la ecuacin (7.6) se refiere como la ganancia de voltaje
de sin carga. Esto es:
V
o
!
;-1 (7.7)
Vi R
L
'" 00 Q (circuito abierto)
+ +
--
Z
Vi
Figura 7.13 Determinacin del voltaje de no carga.
En el captulo 9 se demostrar que:
Para los amplificadores a transistores, la ganancia de voltaje sin carga es mayor que
la ganancia de voltaje con carga.
Para el sistema de la figura 7.13 que tiene una resistencia de fuente Rs' el nivel de Vi
debera determinarse primero utilizando la regla del divisor de voltaje antes de calcular la
ganancia V/V
s
. Esto es,
ZV
v.
;
, ,
,
Z
Rs
+
,
v.
Z, ,
con
V Z + R
., ,
V V V
Al',
o
,
o
V V V
y
, , ,
V Z
A,.
o
A. (7.8)
;
V Z + R
\- :-"L
, ,
de tal forma que
De manera experimental. la ganancia de voltaje Al" o AV:>:L se puede calcular simplemente
al medir los niveles de voltaje adecuados por medio de un osciloscopio o un DMM sensible, y
sustituyendo en la ecuacin correspondiente.
Dependiendo de la configuracin, la magnitud de la ganancia en voltaje para un
amplificador a transistor de una etapa normalmente est en el rango de menos de 1 a
unos cuantos cientos. Sin embargo, un sistema multietapas (multiunidades) puede
tener una ganancia en voltaje de varios miles.
Para el amplificador a BJT de la figura 7.14, detenninar:
a) Vi'
b) li'
e) Z.
d) A",
Captulo 7 Modelaje de transistores bipolares
R,

I
1.2kU +
+ -Zi
V, =40mV '\"

Vi
Figura 7.14 Ejemplo 7.3.
Solucin
v
V,
7.68 V
,
Y Vi =
V A 320
,
\} t"L
V -
Vi
40 rnV - 24 rnV
,
R,
1.2 kQ
b) 1,
V 24 rnV
,
=
1.8 kQ
1
,
13.33 LA
e) Zi =
d) A
Zi
A
=
"
Z.
+ R,
V
NL
,
1.8 kQ
=
(320)
1.8 kQ + 1.2 kQ
=
192
Ganancia en corriente, A
Amplificador
BIT
AI>,;L = 320
24 rnV
= 13.33 j1A
---o
+
V,=7.68V
o
La ltima caracterstica numrica que ser tratada es la ganancia en corriente definida mediante
(7.9)
Aunque por lo general sta recibe menor atencin que la ganancia en voltaje, es, sin embargo,
una cantidad importante que puede tener un impacto significativo en la efIciencia total de un
diseo. En general:
Para los amplificadores a BJT, la ganancia en comente normalmente vara desde un
nivel apenas inferior a 1 hasta un nivel que puede exceder los 100.
Para la situacin con carga de la figura 7.15,
o
+
li
-
Vi .......
Z,
e>------
l =
,
Amplificador
BIT
Vi
Zi
e
lo =
l,
-
V,
+
Figura 7.15 Determinacin
de la ganancia de corriente
cargada.
7.4 Los parmetros importantes: Zi' Zo' Av' A;
319
r
e
320
A
lo
Vo/R
L
VoZ
~ ~ ~
,
li
V/Z
V,RL
con
y
Ai
-A
Zi
(7.10)
,
R
L
La ecuacin (7,10) permite determinar la ganancia en corriente a partir de la ganancia en
voltaje de los niveles de impedancia.
Relacin de la fase
La relacin de la fase entre las seales senoidales de entrada y de salida es importante por una
variedad de razones prcticas. Afortunadamente:
Para el transistor amplificador tipico a frecuencias que permiten ignorar los efectos
de los elementos reactivos, lS seales de entrada y de salida estn o bien lS(f' fuera de
fase o en fase.
La razn de la situacin anterior se aclarar en los siguientes captulos.
Resumen
Hasta aqu se han presentado los parmetros de importancia primaria de un amplificador: la
impedancia de entrada 21' la impedancia de salida Zf)' la ganancia de voltaje Av> la ganancia de
corriente A i Y la relacin de la fase resultante. Otros factores. tales como la frecuencia aplicada
en los extremos bajo y alto del espectro de frecuencias. afectarn algunos de estos parmetros.
pero esto se discutir en el captulo 11. En las siguientes secciones y captulos. todos los
parmetros se determinarn para una variedad de redes de transistores para pennitir una
comparacin de las ventajas y de las desventajas de cada configuracin.
7.5 EL MODELO DE TRANSISTOR r ~
El modelo r
l
requiere un diodo y una fuente de corriente controlada para duplicar el
comportamiento de un transistor en la regin de inters. Recuerde que una fuente controlada
de corriente es aquella donde los parmetros de la fuente de corriente estn controlados por
medio de una corriente situada en cualquier otro lugar de la red. De hecho:
Los amplificadores a transistor BiT son conocidos como dispositivos de corriente
controlada.
Configuracin de base comn
En la figura 7.16a se ha insertado un transistor pnp dentro de la estructura de dos puertos, y es
necesario para la discusin de las ltimas secciones. En la figura 7.16b el modelo re para el
transistor se ha colocado entre las mismas cuatro tenninales. Como se observ en la seccin
7.3. el modelo (circuito equivalente) se selecciona de tal forma que se aproxime al
comportamiento del dispositivo que est reemplazando en la regin de operacin de inters.
En otras palabras, los resultados obtenidos con el modelo en su lugar deben ser relativamente
cercanos a aquellos que se consiguen con el transistor real. En el captulo 3 se estudi que una
unin de un transistor en operacin est polarizada de manera directa, mientras que la otra est
polarizada inversamente. La unin en polarizacin directa se comportar de fonna similar a un
diodo (ignorando los efectos de los cambios de valores de V CE) como lo veritlcan las curvas de
la figura 3.7. Para la unin de la base al emisor del transistor de la figura 7.16a, la equivalencia
del diodo de la figura 7.16b entre las mismas dos terminales parece ser muy apropiada. Tngase
presente que para el lado de la salida las curvas horizontales de la figura 3.8 revelaron que le ==
l, (como se calcul a partir de l,. = al) para el rango de valores de V CE" La fuente de corriente
Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares
1, 1,
e 0----":----,
1,
--
r-I -----=--..0 e
t le = al,.

(b)
Figura 7.16 a) Transistor BJT en base comn: b) modelo re para la c:onfiguracin
de la figura 7.16a.
de la figura 7 .16b establece el hecho de que le = ale' apareciendo la corriente de control!e del
lado de la entrada del circuito equivalente como se detennin en la figura 7 .16a. Por tanto. se
ha establecido una equivalencia en las tenninales de entrada y de salida con la fuente controlada
de corriente, proporcionando as un vnculo entre las dos; una revisin inicial hubiera sugerido
que el modelo de la figura 7 .l6b es un modelo vlido del dispositivo real.
En el captulo 1 se analiz cmo la resistencia en ac de un diodo puede detenninarse por
medio de la ecuacin r" = 26 mVI1
D
, donde ID es la corriente de dc a travs del diodo en el
punto Q (estable). Esta misma ecuacin se puede utilizar para encontrar la resistencia en ac
del diodo de la figura 7 .16b si slo se sustituye la corriente del emisor de la siguiente manera:
26 mV
r,'= .-----

(7.11 )
El subndice e de re se seleccion para enfatizar que es el nivel dc de la coniente del emisor
la que determina el nivel de la resistencia en ac del diodo de la figura 7.16b. Sustituyendo el valor
obtenido de r, en la figura 7.16b dar por resultado el muy til modelo de la figura 7.17.
1,
--
.-1------00 e
t le =
____ 4-__________ Figura 7.17 Circuito equivalente re
de base comn.
Debido al aislamiento que existe entre los circuitos de entrada y de salida de la figura 7.17, es
obvio que la impedancia de entrada Z para la configuracin de base comn de un transistor
es simplemente re' Esto es,
z. = r I
L--.-'-' _::....' -' CH
(7.12)
Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de Z varan desde unos
cuantos ohms hasta un mximo de aproximadamente 50 .0..
Para la impedancia de salida, si se hace cero la seal, entonces 1, = O A e 1, = al, = a
(O Al = O A, obtenindose una equivalencia de circuito abierto en las terminales de la salida.
El resultado es que para el modelo de la figura 7.17,
(7.13)
7.5 E( modelo de transistor r, 321
322
En realidad:
Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de Zo estn en el rango de
los megaohms.
La resistencia de salida de la configuracin de base comn est detenninada por la pendiente
de las lneas que fonnan las caractersticas de salida como se muestra en la figura 7.18. Supo-
niendo que las lneas estn perfectamente horizontales (una aproximacin excelente), dara
por resultado la conclusin de la ecuacin (7.13). Si se tuviera cuidado para medir 20 de forma
grfica o experimental, se obtendran niveles ubicados normalmente en el rango de 1 a 2 MQ.
Pendiente :: .!....
/ r" I=4mA
4 ~ __ ~ ~
/e (mA)
lE = 3 mA
~ ________________
IE= 2 mA
2b------------------
o
V
eB
figura 7.18 Definicin de 20'
En general, para la configuracin de base comn, la impedancia de entrada es
relativamente pequea y la impedancia de salida es muy grande.
Ahora se determina la ganancia en voltaje para la red de la figura 7.19.
v =
u
V
,
y
as que
A, =
y
Para la ganancia en comente,
y
o
+
Vi
o
/,
-
-
Z,
Amplificador
BIT de base
comn
A
,
-loRL = - (-l,)R
L
=
IZ
=
IeTe , ,
V
aIeRL
o
V 1 r
, , ,
A,
aR
L
R
L
-
r r
, ,
1 -1
o
,
= =
li 1,
A
, =
-a '"
-1
+
Captulo 7 Modelaje de transistores bipolares
al,R
L
ICB
al

1,
ICB
(7.14)
(7.15)
FIgUra 7.19 Definicin deAv
= V
O
IV, para la configuracin
de base comn.
El hecho de que la polaridad del voltaje V
o
como lo detennin la corriente 1, sea el mismo
que el definido por la figura 7.19 decir. el lado negativo est en potencial de tierra) indica que
tanto V
o
como Vi estn en fase para la configuracin de base comn. Para el transistor npn en la
configuracin de base comn la equivalencia podra parecerse a la mostrada en la figura 7.20.
1,
-
E 0---'-----__ -"
le
,------="--0 e
1,
-
e 0---_--,
1,

f
1 = al
e ,
_____________ _OB _____ ____________
Figura 7.20 Modelo aproximado para la configuracin de base comn para un transistor npn.
Para una configuracin de base comn de la figura 7.17 con lE = 4 roA. ex:= 0.98, y se aplica
una seal en ac de 2 m V entre las tenninales de la base y el emisor:
a) Calcular la impedancia de entrada.
b) Determinar la ganancia en voltaje si se conecta una carga de 0.56 kQ a las terminales de
salida.
e) Encontrar la impedancia de salida y la ganancia en corriente.
Solucin
a)
y
26 mV 26 mV
re --- --- 6.5 Q
lE 4 mA
2 mV
-- 307.69 !lA
6.5 Q
V
o
I,R
L
o:I,R
L
(0.98)(307.69 !lA)(0.56 kQ)
168.86 mV
A
,.
v
o
84.43
168.86 mV
V; 2 mV
O a partir de la ecuacin (7.14).
A,
r,
el 2
0
" 00 Q

(0.98)(0.56 kQ)
6.5 Q
84.43
lo
A; -- -o: -0.98 como se defini por medio de la ecuacin (7.15)
1,
Configuracin de emisor comn
Para la configuracin de emisor comn de la figura 7.21 a, las terminales de entrada son las
terminales de la base y el emisor, pero en este caso la salida se establece entre las terminales
del colector y del emisor. Adems. la terminal del emisor ahora es comn a los puertos de
entrada y de salida del amplificador. Sustituyendo el circuito equivalente re para el transistor
npn se obtiene la configuracin de la figura 7.21 b. Obsrvese que la fuente controlada de
corriente an est conectada entre las terminales del colector y de la base, y el diodo entre las
7.5 F.I. modelo de transistor r,
EJEMPLO 7.4
323
324
1,
-
,------oc
Oc
E E
e o ~ _ o e
1')
lb)
Figura 7.21 a) Transistor BJT en emisor comn; b) modelo aproximado para la configuracin de la
figura 7.21a.
terminales de la base y el emisor. En esta configuracin, la corriente de la base es la corriente
de entrada, mientras que la comente de salida an es le' Segn lo estudiado en el captulo 3, las
comentes de base y del colector estn relacionadas por medio de la siguiente ecuacin:
~ o r . tanto, la corriente a travs del diodo est determinada por
1, = 1, + lh = f3lb + lb
e 1, = (13 + l)lb
(7.16)
(7.17)
Sin embargo, debido a que la beta en ac por lo general es mucho mayor que 1, se emplear la
siguiente aproximacin en el anlisis:
r---------,
(7.18)
La impedancia de entrada est determinada por el siguiente cociente:
VI V
be
Z:;;; ;;:
l lb
El voltaje V
be
est a travs de la resistencia del diodo como se muestra en la figura 7.22. El
nivel de r, an est detenninado por la corriente dc lE. Al aplicar la ley de Ohm da
Vi ;::: V
be
;::: Iere == /3lb
r
e
I
oc
~
le = f3J
b
1 =l"
b
-
+
+
V
V
V .. r.
e o ~ ~ ~ ~ e
Captulo 7 Modelaje de transistores bipolares
Figura 7.22 Determinacin de Zi
utilizando el modelo aproximado.
La sustitucin genera
2
1
::: Vbe =: {3Ib
r
e
,------, _ v/
Z, '" (3r, ICE -' ,
lb lb
y (7.19)

En esencia, la ecuacin (7.19) establece que la impedancia de entrada para una situacin
como la que se muestra en la figura 7.23 es beta veces el valor de re" En otras palabras, un
elemento resistivo en la terminal de emisor se refleja en el circuito de entrada mediante b
un factor de multiplicacin {3. Por ejemplo, si re = 6.5 Q como en el ejemplo 7.4 y {3 = 160
(muy normal), la impedancia de entrada se ha incrementado a un nivel de
Z '" {3r, = (160)(6.5 a) = 1,04 kQ
Para la configuracin de emisor comn, los valores tpicos de Z definidos mediante
j3r
e
estn en el rango desde unos cuantos cientos de ohms al rango de los kilohms con
valores mximos de aproximadamente 6 a 7 kilohms.
Para la impedanca de salida, las caractesticas de inters son el conjunto de salida de la figura
7.24. Se observa que la pendiente de las curvas se incrementa en la corriente del colector; mientras
mayor es la pendiente, menores el nivel de impedancia de salida (Z). El modelo re de laflgura 7.21
no incluye una impedancia de salida, pero si sta se encuentra disponible de un anlisis grfico
o de las hojas de especificaciones, se puede incluir como lo muestra la figura 7.25.
t le (mA)
= ...!-.
10 '01"-....
8
6
4
20IJ.A
____
2
- _----::::::----- 1, = O
- '-- 1
O
!O
Pendiente:::: -
r'2
20
FI.gura 7.24 Definicin de ro para
la configuracin de emisor comn.
Para la configuracin de emisor comn, los valores tpicos de Za estn en el rango de
los 40 a los 50 kQ,
Para el modelo de la figura 7.25, si la seal aplicada se hace cero, la corriente le es de O A
Y la impedancia de salida es
Z = r I
'--__ 0 __ 0_