Divido em 3 partes:

TABELAS EM MEMORIA ROM

MICROPROCESSADORES
LOGICAS PROGRAMAVEIS

Tabelas so basicamente responsveis por armazenamento de informaes.
VOLATILIDADE
VOLATEIS
- Precisam de energia para funcionar, e perdem as informaes quando
desergenizadas. RAM
NO VOLATEIS
- Mantem os dados aps serem desorganizadas ROM e HD
RANDOMICIDADE
SEQUENCIAIS
- So memorias que gravam e leiem em sequencia, exemplo VHS e fita DAT.
RANDOMICAS
- Dados podem ser acessado em qualquer lugar, sem ter a necessidade de ler todo o
arquivo. Exemplo PENDRIVE
PERMISSO DE ACESSO
SOMENTE LEITURA
- So memorias que permitem somente a leitura. CD/DVD ROM
LEITURA E GRAVAO
-So memorias que permitem a leitura e gravao de dados, HD, pendrive.
DINAMICIDADE
ESTATICAS
- Mantem os dados inalterados enquanto energizada, memria CACHE.
DINAMICAS
- Dados podem perder as informaes com o passar do tempo. Pente de memoria
RAM.

TIPOS DE MEMORIAS
MEMORIA ROM (no volteis)
-Read Only Memory: So memorias os dados vem gravados de fbrica, no podendo ser
apagados ou alterados, produzidos em serie, conhecido pelo MASK ROM.
MEMORIA PROM
-Programmable Read Only Memory: So memorias que vem vazia, podendo ser
gravadas pelo comprador, queimando fusveis. Tambm chamada de OTPROM ( On Time PROM)
MEMORIA EPROM (Eresable Prom)
-No utilizam fusveis, mas transistores MOS, com Gate flutuante, permitindo que o
transistor possa ser colocado em conduo por uma carga eltrica provida durante o processo de
gravao. Para apagamento possui uma janela de quartzo, que o expondo a luz ultravioleta ele apaga.


EEPROM (Electrically EPROM) E2PROM
-Nesta Tecnologia o pino gate do transistor no flutuante, permitindo-se por o
transistor em condio ou no com sinais eltricos (no necessrio UV)
FLASH
-Tecnologia desenvolvida pela INTEL que gerou uma memoria mais rpida e de maior
capacidade que as E2PROM. Possui logica de atuao segmentada em setores.
TECNOLOGIA RAM
-SRAM: Static Random Acess Memory: Mantem os dados inaterados enquanto
energizados. So construdas com flipflops D
-DRAM: Dynamic RAM : Os dados podem ser perdidos com o passar do tempo. So
construdas a partir de capacitores.
INTERFACE EXTERNA DAS MEMORIAS
Existem basicamente 3 categorias de sinais presentes em memorias chamadas de:
-Barramento de endereo;
-Barramento de Dados;
-Barramento de Controle;

MEMORIAS:
-BARRAMENTO DE ENDEREO: Finalidade permitir a identificao da posio que est
sendo acessada na memoria. Quanto Maior o numero de sinais deste barramento, maior a quantia de
posies (endereos) suportados pelas memorias. So normalmente denominados como A0, A1, A2, A3,
A4,An (Address) onde o n o numero de sinais de barramento de endereos. Ex. memoria 1K
posies: A0,A1,A2,A3,A4,A5,A6,A7,A8,A9
-BARRAMENTO DE DADOS: tem funo de armazenar o valor da informao trafegada.
Existem memorias diferentes quantidades de sinais de dados, mas sempre em potencia de 4.
-bit;
-4bits; -nibble
-8bits; -byte
-16bits; -word
-32bits; -double word
-64bits; -quad word





MICROPROCESSADORES

UC: Unidade Controladora: Gerencia o algoritmo de execuo do processador determinando qual ser o
prximo a ser executado, determina o que fazer quais so os operandos.

ULA: composta por uma serie de circuitos onde realiza os processos aritmticos.

REGISTRADOR: pequena memoria dentro do processador que armazena as variveis dos algoritmos,
palavras de instruo e algumas informaes de controle para o processador, possuem tipicamente
entre 8 e 128 registradores.

PROCESSO dentro do UC contm o CONTADOR DE PROGRAMA o qual informa qual o campo da
memoria a ser lido, o valor que se encontra na posio da MEMORIA salvo em REGISTRADOR DE
INTRUES, aps isto encaminhado para o DECODIFICADOR DE INSTRUO decodifica para uma
linguagem onde o processador entenda e possa executa-la. Ento colocado nas entradas da ULA os
operandos fontes so lidos da memoria ou dos registradores. Em seguida do processamento da ULA
encaminhado para o REGISTRADOR o valor.