Como funcionan los transistores?

No, como funcionan realmente?

La mayora de los libros de texto introductorios hacen un trabajo muy
pobre explicando los detalles de cmo funcionan los transistores. En
principio asumen que la corriente de Base de alguna manera controla la
corriente del Colector, y luego tratan de explicar cmo una corriente afecta
a la otra. Estas explicaciones siempre fallan porque los transistores
bipolares, as como los FETs, son dispositivos controlados por voltaje. Una
corriente no afecta a la otra. En cambio, el voltaje Base-Emisor controla el
espesor de una capa aislante llamada "capa de agotamiento" que se
encuentra en el camino de tanto la corriente del Colector como la corriente
de Base.

( "Capa de agotamiento" en ingls original "depletion layer", donde depletion fue traducido
como agotamiento, cual si de un recurso se tratase)
Cuando por primera vez me interes en la electrnica de nio, me sent a
pensar como funcionan los transistores bipolares.

Bueno, ms o menos.

Le varios artculos que explicaban el "amplificador de base comn". Base
comn es la configuracin que fue usada por los inventores del transistor.
En esas explicaciones, la Base est "a tierra" o "a masa" y la seal de
entrada se aplica al Emisor. Puesto que los amplificadores de base comn
son raramente usados en los circuitos de transistores, acab teniendo que
soar mi propia explicacin. La bas en los poquito que saba acerca de la
configuracin de Emisor comn. Emisor comn es cuando el Emisor est a
masa, la Base es la entrada (input) y la salida (output) es tomada a travs
de una resistencia conectada al Colector. Mi explicacin casera ms o
menos funcion, pero yo no estaba satisfecho. Yo estaba lleno de molestas
dudas. Y por qu los libros de texto usaban "Base comn" para presentar
los transistores a los novatos? Simplemente no tena sentido.

Cuando fui a la facultad de ingeniera, encontr extremadamente raro
que an no haban buenas explicaciones de los transistores bipolares.
Seguro, haban detallados tratamientos matemticos. Noms multiplicar la
corriente de base por "hfe" para obtener la corriente del Colector. O, tratar
al transistor como una red de dos puertos con un sistema de ecuaciones
dentro. Ebers-Moll y todo eso. Pero todos eran similares a circuitos "caja
negra" y ninguno explicaba COMO funciona un transistor, cmo una
corriente pequea puede tener algn efecto en una ms grande????. Y
nadie pareca curioso. Todos en la clase parecan pensar que memorizar las
ecuaciones era lo mismo que aprender conceptos y ganar conocimiento
sobre el dispositivo. (R. Feynman llama a esto el punto de vista Euclideano
o Griego, el amor de los matemticos, opuesto al punto de vista de los
fsicos, el punto de vista Babilnico donde los conceptos son mucho ms
importantes que las ecuaciones). Yo soy un babilnico total. Para m, la
matemtica es intil al comienzo, las ecuaciones son como esos programas
caja-negra Spice, donde todo poda funcionar perfecto, pero no te dicen
ningun detalle acerca de qu esta sucediendo adentro de un dispositivo en
el mundo real. Slo despus de haber alcanzado un conocimiento visual y
visceral de algo, nicamente ah la matemtica es til para m, para
refinarlo y aadirle detalles. La matemtica es slo una herramienta o una
receta, una muleta para quienes nicamente quieren el resultado numrico
final y ciertamente no les aporta conocimiento.

Ahora, muchos aos han pasado, y creo que puedo ver el problema...


Las explicaciones tradicionales sobre el transistor bsicamente *apestan*.

Las que veo en los libros de texto y revistas hobbistas son terribles. Estn
llenas de errores y contradicciones. Utilizan mal la palabra "corriente" como
si fuera algo que fluye. No explican los aislantes correctamente. Y tratan de
probar que la corriente de Base puede tener un efecto en la corriente del
Colector. Y tambin estn todos aquellos autores que usan los
amplificadores de Base comn como introduccin para los novatos. Son
acaso tontos que siguen una tradicin nicamente porque es tradicional?
Por qu nunca hacen esfuerzos para mejorar las explicaciones? Acaso
fueron talladas en piedra por Dios? Bueno, si nadie piensa que las
explicaciones estn abiertas a mejoras, entonces mejor apuesto por ello. (Y
si tengo razn, debera ser muy fcil escribir una explicacin mapliamente
mejorada).

Ms abajo estn mis ideas sobre como los transistores realmentefuncionan.
Como pronto podrs ver, se requieren varios conceptos nuevos. Quizs te
sera ms fcil simplemente memorizar las ecuaciones en lugar de imaginar
que ocurre realmente en el interior. Pero si de hecho logras decodificar mis
explicaciones y crudo arte ASCII, pienso que estars en la minora
que realmente entiende a los transistores. He encontrado que incluso la
mayora de los ingenieros en actividad no tienen una buena imagen mental
de la operacin de los transistores bipolares. As que, si alcanzas un claro
entendimiento de los transistores, sobrepasars a muchos expertos.


Antes que nada, debes abandonar la idea de que la corrienteatraviesa los
transistores o fluye dentro de los cables. Si, me escuchaste bien. La
corriente no fluye. La corriente elctrica nuncafluye, ya que la corriente
elctrica no es ninguna cosa. La corriente elctrica es un flujo de algo ms.
(Preguntate esto: qu cosa fluye en un ro, es "corriente" o es algo
llamado "agua"?).

Entonces, qu fluye dentro de los cables?

La cosa que se mueve dentro de los cables no se llama corriente elctrica.
En su lugar, se llama Carga Elctrica. Es la carga lo que fluye, nunca la
corriente. Y en los ros o en los caos es el agua lo que fluye, no la
"corriente". No podremos entender la plomera hasta que dejemos de creer
en una cosa llamada "corriente", y aprendamos que es el "agua" lo que
fluye dentro de los caos. Lo mismo sucede con los circuitos. Los cables no
estn llenos de corriente, sino de cargas que pueden moverse. La carga
elctrica es algo real; puede moverse alrededor. Pero la corriente elctrica
no es una cosa real. Si decidimos ignorar la "corriente" y examinamos el
comportamiento de cargas mviles en gran detalle, podemos despejar las
nubes de niebla que bloqueaban nuestra comprensin de la electrnica.

Segundo: las cargas que se encuentran dentro de los conductores no se
empujan entre ellas, sino que en realidad don empujadas por la diferencia
de potencial; estn siendo empujadas por los campos de voltaje dentro del
material conductivo. Las cargas no salen de a chorros de la fuente de poder
como si sta fuera una especie de fuente de agua. Si imaginas que las
cargas parten del terminal positivo o negativo de una fuente; si piensas que
las cargas luego se desparraman por los caos huecos del circuito, has
cometido un error fundamental. Los cables no actan como "caos para
electrones" vacos, y la fuente de poder no aporta ningn electron. Las
fuentes de poder ciertamente crean corrientes, o causancorrientes, pero
recordemos, estamos eliminando la palabra "corriente". Para crear un flujo
de cargas, la fuente no inyecta ninguna carga en los cables. La fuente es
slo una bomba. Una bomba puede aportar presin de bombeo. Las
bombas nunca aportan el agua que es bombeada.

Tercero: descubriste el gran "secreto" de la visualizacin de circuitos?

TODOS LOS CONDUCTORES ESTN PREVIAMENTE LLENOS DE CARGAS
Los cables y el silicio... ambos se comportan como caos previamente
llenados y tanques de agua. Los circuitos elctricos estn basados en caos
llenos. Esta simple idea es usualmente oscurecida por la frase "las fuentes
de poder crean corriente", o "la corriente fluye en los cables". Terminamos
pensando que los cables son como caos huecos, y una misteriosa
sustancia llamada Corriente fluye por ellos. Nop. (Una vez que nos
quitamos de encima la palabra "corriente", finalmente podemos descubrir
sorprendentes comportamientos en circuitos simples, eh?).

Si los circuitos son como caeras, entonces ninguno de los "caos" de un
circuito est jams vaco. Esta idea es extremadamente importante, y sin
ella no podemos entender a los semiconductores. Los metales contienen
una vasta cantidad de electrones mviles que forman una suerte de "fludo
elctrico" dentro del metal. Un simple bloque de cobre es como un tanque
de agua!. Los fsicos llaman a este fludo con el nombre de "mar de
electrones de los metales". Los semiconductores estn siempre llenos de
esta cosa-cargada mvil. La carga mvil est ah incluso cuando el
transistor est apoyado en un estante y desconectado de todo. Cuando un
voltaje es aplicado a travs de una pieza de silicio, estas cargas
previamente includas en los metales son puestas en movimiento. Notemos
adems que la carga dentro de los cables permanece... sin cambios. Cada
uno de los electrones mviles tiene un proton positivo cerca, de manera
que an conteniendo un vasto mar de electrones, no existe carga neta en
promedio. Los cables contienen carga "descargada". Mejor llammosle
"carga cancelada". Igualment an con los electrones cancelados por los
protones, los electrones pueden moverse, de manera que es posible tener
flujos de carga en un metal descargado.

OK, partiendo desde que los "caos" estn previamente llenos de "lquido",
para entender los circuitos NO debemos trazar el sendero comenzando por
los terminales de la fuente. En cambio, podemos empezar por cualquier
componente del esquema. Si un voltaje es aplicado a travs de ese
componente, las cargas dentro suyo comienzan a fluir. Modifiquemos la
antigua "explicacin tipo linterna" que nos ensearon a todos en la escuela.
Aqu est la versin corregida:
LA CORRECTA EXPLICACIN TIPO LINTERNA:
Los cables estn llenos de vastas cantidades de carga elctrica mvil (todos
los conductores lo estn!). Si conectas unos cables en crculo, formas un
"circuito elctrico" que contiene un cinturn mvil de cargas dentro del
metal. A continuacin cortamos el cable en un par de lugares y conectamos
una batera y una lmpara en los cortes. La batera acta como una bomba
de agua, mientras que la lmpara ofrece friccin. La batera empuja la fila
de cargas en los cables hacia adelante, todas las cargas fluyen, y la
lmpara se enciende. Sigmoslas.

Las cargas empiezan dentro del filamento de la lmpara. (No, no dentro de
la batera. Empezamos en la lmpara). Las cargas son forzadas a flur a lo
largo del filamento. Fluyen luego hacia el primer cable y se mueven hasta
el primer terminal de la batera. (al mismo tiempo ms cargas entran al
filamento por el otro lado). La batera bombea las cargas a travs de ella
misma y hacia afuera nuevamente. Las cargas abandonan el segundo
terminal de la batera, y fluyen a traves del segundo cable. Se ubican
nuevamente dentro del filamento de la lmpara. al mismo tiempo, las
cargas en otras partes del circuito estn haciendo exactamente la misma
cosa. Es como un cinturn slido hecho de cargas. La batera acta como
polea que mueve el cinturn. Los cables actan como si estuvieran
escondiendo una banda transportadora adentro. La lmpara acta como
"friccin", calentndose cuando sus propias cargas naturales son forzadas a
flur. La batera acelera la banda transportadora completa, mientras la
friccin de la lmpara la frena nuevamente. As, la banda corre
constantemente, y la lmpara se calienta.

Breve resumen:

1. LA COSA QUE FLUYE A TRAVS DE LOS CONDUCTORES SE LLAMA
CARGA. (LA "CORRIENTE" NO FLUYE)
2. LA CARGA DENTRO DE LOS CONDUCTORES ES EMPUJADA POR LOS
CAMPOS DE VOLTAJE
3. TODOS LOS CABLES ESTAN "PREVIAMENTE LLENADOS" DE UNA GRAN
CANTIDAD DE CARGA MVIL
4. BATERAS Y FUENTES DE PODER SON BOMBAS DE CARGA
5. LAS LMPARAS Y RESISTENCIAS ACTAN CON FRICCIN
Una ltima cosa: la diferencia entre un conductor y un aislante es simple:
los conductores son como caos previamente llenados con agua, mientras
que los aislantes son como caos llenos de hielo. Ambos contienen la "cosa
elctrica"; conductores y aislantes estn ambos llenos de partculas
cargadas elctricamente. Pero la "cosa" dentro de un aislante no puede
moverse. Cuando aplicamos una diferencia de presin a traves de un cao
con agua, el agua fluye. Pero con un cao vaco, como no hay nada que
fluya, no sucede nada. Y con un cao lleno de hielo, la "cosa" est atrapada
y no puede desplazarse. (En otras palabras, el voltaje causa flujo de cargas
en los conductores, pero no puede hacerlo en los aislantes porque las
cargas estn inmovilizadas). Muchos libros de texto tienen sus definiciones
equivocadas. Definen un conductor como algo a travs de lo cual puede
flur carga, y aislante supuestamente son los que bloquean las cargas.
Nop.El aire y el vaco no bloquean las cargas, y sin embargo son buenos
aislantes! De hecho, un conductor es algo que contiene cargas mviles,
mientas un aislante carece de ellas. (Si un libro tiene equivocada esta idea
fundacional, gran parte de sus explicaciones posteriores se construyen en
una pila de basura, por lo cual colapasar).

Una ltima cosa ms antes de meternos de lleno en los transistores.El
Silicio es muy diferente al metal. Los metales estn llenos de cargas
mviles... al igual que el silicio dopado. En qu se diferencian?. Seguro,
est ese tema del "Band Gap" y la diferencia entre electrones versus
huecos, pero eso no es lo importante. La diferencia importante es bastante
simple: los metales tienen grandes cantidades de carga mvil, pero el silicio
no. Por ejemplo, en el cobre, todos y cada uno de los tomos de cobre
dona un electrn mvil al "mas de cargas". El "fludo elctrico" es muy
denso, tan denso como el metal de cobre. Pero en el silicio dopado, slo un
tomo en un billn (un milln de millones) dona una carga mvil. Solocio es
como un gran espacio vaco con una ocasional carga movindose. En el
silicio, uno puede barrer todas las cargas fuera del material usando unos
pocos voltios de potencial, mientras en un metal requerira billones de
voltios para lograr el mismo resultado. O en otras palabras:

6. LA CARGA DENTRO DE LOS SEMICONDUCTORES ES COMO UN GAS
COMPRESIBLE, MIENTRAS LA CARGA DENTRO DE LOS METALES ES COMO
UN DENSO E INCOMPRESIBLE LQUIDO.
Barrer las cargas en un material es lo mismo que convertir ese material de
ser un conductor a ser aislante. Si el silicio es como una manguera de
goma, sera una manguera que contiene un gas compresible. Podemos
fcilmente apretarla hasta cerrarla y cortar el flujo. Pero si el cobre fuera
tambin como una manguera, estara en cambio llena de perdigones de
acero. Uno podra apretar y apretar pero no se puede apartarlos del lugar.
En cambio con las mangueras de aire y el silicio incluso una pequea
presin en los costados corta el paso y el flujo.

OK, vamos a ver la forma en que los transistores son explicados
usualmente.

Para encender un transistor NPN, un voltaje es aplicado a travs de los
terminales de Base y Emisor. Esto causa que los electrones en el cable de
Base se alejen del transistor y fluyan hacia la fuente de poder. Esto arrastra
o jala electrones desde el material tipo P de la Base, dejando "huecos", y
los "huecos" actan como cargas positivas que son empujadas en sentido
opuesto al flujo de electrones. Lo que PARECE suceder es que el cable de
Base inyecta cargas positivas en la regin de Base. Escupe huecos. inyecta
carga.

(Ntese que estoy describiendo flujo de carga aqu, no "corriente
convencional" de cargas positivas.)

. |
. ______|______
. | |
. | COLECTOR N |
. |_____________| LOS ELECTRONES SON JALADOS
DE LA
. | | -----> REGIN DE BASE HACIA EL
CABLE,
. | BASE P |______________ LO QUE PRODUCE "HUECOS"
POSITIVOS
. |_____________| | + COMO SI FUERAN ESPARCIDOS
EN LA REGIN
. | | ____|____ DE BASE POR LA BATERA.
. | EMISOR N | _____
. |_____________| _________
. | _____
. |_____________________| -

Esa es parte de la explicacin convencional. Por qu es importante esto
para la operacin del transistor? ***NO LO ES!!*** La corriente de base
no es importante para la operacin del transistor. Is tan solo un
subproducto de la operacin REAL, que involucra una capa aislante llamada
"capa de agotamiento". Concentrndose en la corriente en la Base, muchos
autores llegan a un punto muerto en sus explicaciones. Para evitar esta
suerte, debemos empezar ignorando la corriente de Base. En su lugar,
buscamos en otro lado la comprensin. Ver el diagrama de abajo:

. |
. ______|______
. | | \
. | COLECTOR | |
. | | > lleno de electrones errantes libres
. | n-dopado | |
. |_____________| /
. | | \
. | BASE | |
. | |-- > lleno de "huecos" errantes
libres
. | p-dopado | |
. |_____________| /
. | | \
. | EMISOR | |
. | | > lleno de electrones errantes libres
. | n-dopado | |
. |_____________| /
. |
. |

La "regin de agotamiento" es una capa aislante existente entre la regin
de Base y el Emisor. Por qu est ah? Existe porque la Base es una regin
de silicio dopado P; existe porque el silicio tipo P est lleno de "huecos"
mviles, y porque el silicio tipo P est tocando silicio tipo N.

. |
. ______|______
. | |
. | COLECTOR N |
. |_____________|
. | |
. | BASE P |--
. |_____________|
. _____________ <-- "capa de agotamiento" aislante
. | |
. | EMISOR N |
. |_____________|
. |
. |


Los electrones en el silicio tipo P actan como una fila de baco casi lleno
de bolitas. Los "huecos" es como la brecha entre bolitas. Al mover una
bolita hacia adelante, el "hueco" entre ellas es como si se moviera hacia
atrs. Al tocar el silicio P con el tipo N, los electrones errantes en el tipo N
caen en los huecos. Adems, los huecos en la regin tipo P de la Base
fluyen entre los electrones mviles del silicio tipo N del Emisor y muchos
son cancelados. Los huecos tragan electrones, y esto deja una fina regin
entre las regiones N y P que carece de cargas mviles.

Recuerden: un conductor no es una sustancia que permite el paso de
cargas. (No olvidar el N3 arriba). En realidad un conductor es cualquier
sustancia que contiene cargas mviles. Cualquier cosa que carezca de
cargas mviles es un aislante. Dentro de la capa de agotamiento todas las
cargas opuestas se juntaron y anularon. Las brechas en el baco ya no
existen, de manera que las bolitas no pueden moverse. Sin cargas mviles,
el silicio se ha vuelto un aislante. Cuando no hay voltaje aplicado a traves
de los terminales de Base y Emisor, esta capa crece en espesor y el
transistor acta como un interruptor que ha sido apagado.

Me gusta visualizar que el silicio de un transistor es normalmente como un
conductor plateado y brillante (como un metal)... excepto por esta capa
aislante entre las regiones P y N que acta ms como una capa de cristal
aislante. El silicio es como metal que se convierte en cristal!


. |
. ______|______
. | | \
. | COLECTOR N | |
. |_____________| > Metal conductivo brillante
. | | |
. | BASE P |-- /
. |_____________|
. _____________ <-- "capa de agotamiento" cristalina
. | | \
. | EMITTER N | > Metal conductivo brillante
. |_____________| /
. |
. |
Cuando se aplica voltaje entre la Base y el Emisor, esta capa de
aislamiento cambia de espesor. Si un voltaje (+) se aplica al tipo P por el
cable de Base, mientras un voltaje (-) se aplica al tipo N por el cable del
Emisor, los electrones en el tipo N son empujados hacia los huecos en el
tipo P. La capa de aislamiento se vuelve tan fina que las nubes de
electrones y huecos empiezan a verse y combinarse. Una corriente existe
entonces en el circuito Base-Colector. Pero esta corriente no es importante
para la accin del transistor. Lo que es importante notar es que es el
*VOLTAJE* a travs de Base-Emisor lo que causa el adelgazamiento de la
capa de agotamiento hasta que las cargas pueden fluir a travs de ella.
Esto es como si fuera que el transistor contiene una capa de cristal cuyo
espesor puede variar al alterar el voltaje. La capa se vuelve mas fina
cuando el voltaje es aumentado. Esto sucede porque el voltaje empuja a
los elelectrones y huecos unos contra otros, reduciendo el tamao de la
regin aislante entre las nubes de huecos y electrones, permitiendo el paso
de algunos. La capa de agotamiento es un interruptor controlado por
voltaje, que cierra el circuito cuando la correcta polaridad es aplicada.
Adems es un interruptor proporcional, ya que un voltaje pequeo puede
cerrarlo slo parcialmente. Para el silicio, las cargas comienzan a pasar
cuando el voltaje es alrededor de los 0,3v. Elevar el voltaje a 0,7v provoca
que la corriente sea muy alta. (Esto es para el silicio. Otros materiales
pueden tener diferentes voltajes de encendido). A mayor voltaje, ms fina
es la capa de agotamiento, por lo cual una corriente mayor puede circular
por el transistor. Aplicando el voltaje correcto, podemos adelgazar o
engrosar la capa de agotamiento a voluntad, creando un interruptor cerrado,
abierto o parcialmente abierto.

Se ve que est pasando aqu? El transistor no es controlado por la
corriente. En cambio es controlado por el voltaje entre Emisor y base

7. EL SILICIO TIPO P Y TIPO N SON CONDUCTORES PORQUE CONTIENEN
CARGAS MVILES
8. UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE APARECE CUANDO LOS TIPOS N Y P
SE TOCAN
9. LA CAPA AISLANTE PUEDE ADELGAZARSE APLICANDO UN VOLTAJE


. |
. ______|______
. | |
. | COLECTOR N |
. |_____________|
. | | ---->
. | BASE P |______________
. |=============| | + Con un pequeo voltaje
aplicado,
. | | ____|____ la capa de agotamiento de
adelgaza,
. | EMISOR N | _____ las cargas empiezan a
cruzarla,
. |_____________| _________ una pequea corriente
aparece.
. | _____ El interruptor est
slamente
. |_____________________| - parcialmente cerrado!.
. <-----

OK, todo lo que sabemos est mal, y los transistores no son realmente
"amplificadores de corriente". En cambio, el voltaje de base es lo
importante, no la corriente de base.
. |
. ______|______
. | |
. | COLECTOR N |
. |_____________|
. | | ---- > Aplicando un pequeo voltaje,
. | BASE P |____________ se adelgaza la "capa de
agotamiento",
. |=============| | + las cargas comienzan a cruzarla
. | | ____|____ un en el circuito de la batera
. | EMISOR N | _____ aparece un pequeo flujo de
cargas.
. |_____________| _________ el "interruptor" esta olo
parcialmente
. | _____ cerrado!
. |___________________| -
. <-----


El espesor variable de la capa aislante conmuta el transistor entre
encendido y apagado. Y como el VOLTAJE DE BASE es lo que cambia el
espesor, podemos ignorar la corriente en el cable de base. Pero esperen un
minuto, CUAL flujo de cargas esta siendo encendido o apagado?. Ah,
tenemos otro circuito completo que agregar a nuestro diagrama.
Conectamos otra batera a travs de todo el transistor, entre el Emisor y el
Colector. Usemos una batera comn de 9v.
. <------
. _______________________
. | |
. | |
. | ______|______
. | | |
.Batera del | | COLECTOR N |
. Colector | + |_____________|
. ____|____ | |______________
. _____ | BASE P | |
. _________ |=============| | +
. _____ 9V | | ____|____
. _________ | EMISOR N | _____ Batera
de
. _____ |_____________| _________ Base
. _________ | _____ .5V
. _____ | | -
. | - |_____________________|
. |_______________________|
.
. ------->



As que la batera de Base enciende el "interruptor" del transistor, y eso
deja a la batera de 9v del Colector dirigir un gran flujo de cargas
verticalmente a travs de toda la cosa.

Qu uso tiene el silicio del Colector? El voltaje de la batera del Colector
no sobrepasara cualquier control de la Base? Y por qu tenemos TRES
segmentos de silicio? Acaso la segunda Capa de agotamiento no apagara
todo? Y por qu no conectamos el cable superior a la Base directamente?

Las respuestas estn en la ltima de estas preguntas. Si nos libramos del
Colector, accidentalmente estaramos conectando las dos bateras juntas,
ya que el silicio es un buen conductor. Terminaramos teniendo un diodo en
lugar de un transistor (ver abajo). Las bateras pelearan entre s, y el diodo
actuara simplemente como un cortocircuito entre las dos bateras.
. EST TODO CIRCUITADO
. SE CALIENTA Y HECHA HUMO
. _____________________ __________________
. | | | |
.Batera del | | | |
. Colector | + ____|____|___ |
. ____|____ | | |
. _____ | BASE P | |
. _________ |=============| | +
. _____ 9V | | ____|____
. _________ | EMISOR N | _____ Batera
de
. _____ |_____________| _________ Base
. _________ | _____ .5V
. _____ | ES UN DIODO PN | -
. | - | |
. |_______________________|_____________________|


Obviamente el Colector es necesario. Obviamente el segmento del Colector
hace algo realmente extrao!

Ntese que la batera del Colector est aplicando un voltaje de polaridad
(+) al Colector, pero el colector es un silicio tipo N. No est esto al revs?
No habra toda una nueva Capa de agotamiento formndose entre el
Colector y la Base? S! Y como estamos usando una batera de 9v para
jalar de los huecos mviles en el silicio tipo P lejos de los electrones en el
tipo N, esta Capa de agotamiento ser una bastante gruesa. Debera actuar
como un interruptor apagado, no?. Lo hace... pero no lo hace. Yo
personalmente pienso que esta es la parte mas extraa del accionar de un
transistor, y me tom un buen tiempo antes de que mi cerebro dejara de
rechazar la rareza para poder "ver" todo sucediendo al mismo tiempo.
. <------
. _______________________
. | |
. | |
. | ______|______
. | | |
.Batera del | | COLECTOR N |
. Colector | + |_____________| gruesa "capa de
agotamiento"
. | _____________
. ____|____ | |______________
. _____ | BASE P | |
. _________ |=============| | +
. _____ 9V | | ____|____
. _________ | EMISOR N | _____ Batera
de
. _____ |_____________| _________ Base
. _________ | _____ .5V
. _____ | | -
. | - |_____________________|
. |_______________________|
.
. ------->


OK, esta nueva Capa de agotamiento previene que la batera del Colector
afecte al resto del transistor. Si aumentamos el voltaje de esa batera de
9v, la capa de aislamiento entre base y Colector simplemente se engrosa, y
los segmentos Base-Emisor debajo del Colector nunca sienten la fuerza del
voltaje de la batera. Si, la "superficie superior" del segmento de Base en la
capa de agotamiento superior s siente la fuerza, pero el resto del circuito
no. (Es como acercar un globo altamente cargado a una linterna. nada le
sucede al flujo de cargas en el circuito de la linterna).

SIN EMBARGO!

Puesto que la batera de Base ya ha adelgazado la Capa de agotamiento
aislante del Emisor, oleadas de electrones mviles pueden pasar del Emisor
y subir hacia el segmento de Base. Slo unos pocos realmente fluirn arriba
hacia la base, ya que se causara un embotellamiento si el cable de Base no
fuera capaz de chuparlos inmediatamente hacia afuera. (O mas
precisamente, si los electrones en la Base no se van nuevamente; y no son
cancelados por huecos, entonces cada electron extra que ingrese al
segmento de Base lo cargara negativamente, y esta carga repelera nuevos
electrones que pudieran llegar desde el Emisor).

As que ahora tenemos una escasa nube de unos pocos electrones entrando
en el silicio tipo P de la seccin Base desde abajo, y algunos de esos
electrones suben hacia la "superficie superior" del segmento de Base. Qu
sucede entonces? Son expuestos de pronto a la atraccin del voltaje
positivo de la batera de 9v.

La Capa de agotamiento superior no acta tanto como una capa aislante de
cristal, sino mas bien como una brecha de aire. Slo es aislante si no hay
cargas mviles presentes. No bloquea el flujo de cargas, pero si no existen
cargas ah, el voltaje no puede crear flujo.

No olvidar que siembre hubo cantidad de huecos en el segmento de Base,
pero cualquier hueco que se atreviera a subir hacia afuera del segmento de
Base era empujado hacia abajo nuevamente por la polaridad positiva de la
batera de 9v. (Eso es lo que hace que la Capa de agotamiento acte como
un aislante en principio: repele los huecos de vuelta a la zona tipo P, y
repele los electrones de vuelta a la tipo N). Imaginen que el segmento del
Colector sea un metal conductivo. El segmento de Base tambin sea un
metal, y la Capa de agotamiento sea una brecha de espacio vaco. Entonces
sucede la "electricidad esttica"!.

Hemos cargado positivamente al segmento del Colector. Si arrojamos por
ejemplo bolitas de poliestireno cargadas negativamente en el espacio vaco,
sern chupadas hacia arriba. Bueno, los pocos electrones errantes en el
segmento de Base actan JUSTAMENTE como bolitas cargadas
negativamente, y si deben subir hasta la superficie del segmento de Base,
ah irn. Sern chupados a traves de la brecha hacia el Colector y luego
forzados por el resto del circuito del Colector. Esto slo puede pasar si
llegan hasta la "superficie superior" del segmento de base. Cuando estn
dentro del segmento de Base, sta acta como un escudo de metal
conductivo, y los electrones errantes no "ven" el fuerte campo atractivo que
proviene del segmento del Colector.

Algunos electrones suben y se escapan de la Base. Esto alivia el
"embotellamiento"! La regin de Base pierde algunos electrones hacia
arriba. Ni bien el Colector cargado positivo recibe esos electrones
escapados, ms electrones pueden finalmente colarse desde abajo... lo que
provoca aumento en los electrones errantes que se escapen hacia arriba, y
as sucesivamente. Un flujo de cargas bastante enorme aparece en
direccin vertical.

El efecto "embotellamiento" as como la accin de vlvula de la fina Capa
de agotamiento entre Base y Emisor se alan para controlar la corriente
vertical principal a traves de todo el transistor. Cualquier electrn que se
escabulle a traves de la muy fina Capa de agotamiento puede tambin
escabullirse a travs del fino segmento de Base y terminar convirtindose
en parte del gran flujo de carga en el circuito de la batera del Colector. El
voltaje de la batera de Base controla el espesor de la fina Capa de
agotamiento, y esto controla la cantidad de electrones que se vierten en el
Colector. La batera del Colector provee la "succin" que impulsa la
corriente vertical principal. Pero si cambiamos el voltaje de la batera del
Colector, el flujo de cargas vertical no cambia. La batera del Colector
solamente atrae a los electrones que le son entregados. No puede alterar la
corriente del Colector. Esta es una situacin interesante conocida como
"fuete de poder de corriente constante".

Ntese que es importante hacer el segmento de Base bastante fino, para
maximizar el efecto "embotellamiento" (y minimizar el nmero de cargas
que innecesariamente se filtran por el cable de Base). Estamos basndonos
en la habilidad natural de los electrones de vagar a travs del segmento de
Base por su cuenta. No hay voltaje impulsndolos en esa direccin. La
batera de Base est jalndolos lentamente para el costado hacia el cable
de Base. La batera del Colector no puede chuparlos por su cuenta de
niguna manera, no hasta que alcancen la "superficie superior" del
segmento de Base.

Guau. Todo esto de arriba es difcil de tragar. No te sorprendas si le toma a
tu cerebro un tiempo para conectar todo el rempecabezas junto. Me tom
aos para ver todo esto (y solamente sucedi recin aos despus de
haber tomado dos semestres de ingeniera sobre la matermtica de este
mismo proceso). Mejor recapitulamos:
10. EL TRANSISTOR PUEDE ACTUAR COMO UN INTERRUPTOR (O COMO UN
INTERRUPTOR PARCIALMENTE ENCENDIDO)
11. SE CONECTA UNA FUENTE DE PODER O BATERA DESD EL COLECTOR
AL EMISOR PARA CREAR UN GRAN FLUJO DE CARGAS (PERO POR QU?)
12. HAY OTRA CAPA DE AGOTAMIENTO ENTRE EL COLECTOR Y LA BASE.
13.ESTA NUEVA CAPA DE AGOTAMIENTO ACTA COMO UNA BRECHA
AISLANTE DE AIRE
14. CUALQUIER ELECTRN QUE SE ESCABULLA TODO EL CAMINO A
TRAVES DE LA BASE ES AGARRADO POR EL COLECTOR; ESFORZADO A
TRAVES DE LA CAPA DE AGOTAMIENTO SUPERIOR
15. LA CAPA DE AGOTAMIENTO DE BASE CONTROLA LA CORRIENTE DE LA
BATERIA DEL COLECTOR. PERO CAMBIOS EN EL VOLTAJE DE LA BATERA
DEL COLECTOR TIENEN POCO EFECTO.
Si aumentamos el voltaje de la batera de Base, la capa de agotamiento se
adelgaza, el "interruptor" esa totalmente encendido, y un gran flujo de
cargas puede aparecer en el circuito del Colector. Oh oh. El transistor
(como un interruptor) est tratando de cortocircuitar la batera del
Colector. As que dejmosle que controle algo. Dmosle una lmpara en
serie.
. ________ Lmpara
. / \ de Luz
. | ________/\/\/\________
. | | |
. | | \________/ |
. v | |
. | |
. | ______|______
. | | |
.Batera del | | COLECTOR N | Gruesa capa de
agotamiento
. Colector | + |_____________| con electrones pasando
. | _____________ <-- a travs de ella
. ____|____ | |______________
. _____ | BASE P | |
. _________ |=============| | +
. _____ 9V | | ____|____
. _________ | EMISOR N | _____ Batera
de
. _____ |_____________| _________ Base
. _________ | _____ .7V
. _____ | | -
. | - |_____________________|
. |______________________|
.
. ------>


Y finalmente le damos una ltima mirada al flujo de corriente en el cable de
Base. Inclusive siendo el VOLTAJE entre Base y Emisor lo que controla el
transistor, no ignoramos la corriente del cable de Base totalmente. Tiene un
uso importante. Por concidencia la pequea corriente Base-Emisor es
proporcional a la gran corriente Colector-Emisor. As que si conocemos el
valor de la corriente que fluye en el cable de Base, podemos multiplicar
este valor por un factor de "Ganancia de corriente", y as averiguar cual
sera la corriente en el Colector. El transistor ACTA como si estuviera
amplificando corriente. Pero es realidad est usando un pequeo cambio en
el VOLTAJE para crear un gran cambio en una corriente. (Es ms que
simple coincidencia que los flujos de carga en la Base y el Colector sean
proporcionales. De hecho ambos son controlados por el voltaje Base-
Emisor, que controla el espesor de la Capa de agotamiento enre Base y
Emisor). La corriente de Colector es grande porque el Colector tiene una
gran rea que toca la Base. La corriente de Base es pequea porque el
cable de Base slo toca al segmento de Base en un rea pequea.

Un voltaje en un lugar controla un flujo de cargas en otro. Este hecho
determina el nombre del dispositivo. Un cambio en el voltaje causa un
cambio en la corriente, as que el dispositivo se comporta como una
RESISTENCIA (RESISTOR). Pero el voltaje que controla est en un cable
diferente. Es como si el efecto del voltaje fuera TRANSFERIDO del circuito
de Base al del Colector. Transfer-resistor. Transistor.
16. ELVOLTAJE DE BASE CONTROLA LA CORRIENTE DEL COLECTOR.
17. PURA SUERTE?: EL ESCAPE DE CARGAS DE LA BASE ES
PORPORCIONAL A LA CORRIENTE DEL COLECTOR.
18. LOS TRANSISTORES *NO* SON AMPLIFICADORES DE CORRIENTE.
PERO CIERTAMENTE LAS COSAS SE SIMPLIFICAN SI PRETENDEMOS QUE
LO SON.
As que, esta explicacin fue muy larga y desagradable?. Ciertamente
sera ms fcil si todos los autores de libros de texto tuviesen una mejor
idea de cmo funcionan los transistores. Sera ms fcil si dejaran de
decirle a la gente que los transistores "amplifican corriente". Y ciertamente
sera ms fcil si levantara mi trasero y crease algunas animaciones para
ilustrar este texto!

Volver a la parte uno.

ndice de artculos

PD: El transistor fue inventado alrededor de 1923 por el fsico Dr. J. Edgar
Lilienfeld, el padre del moderno capacitor electroltico. QUE??!! Pero si
todo el mundo sabe que fue inventado en los Laboratorios Bell en 1947!.
Nop. El transistor original era un dispositivo fino depositado sobre vidrio. La
regin de Base era una astuta idea: quebrar una pieza de vidrio, y ponerla
junta nuevamente con una hoja de papel metlico en medio, luego eliminar
el sobrante de papel metalico para crear una superficie que sea: vidrio,
metal, vidrio. Depositar una fina capa de semiconeductor y calentar el
dispositivo, entonces la fina lnea de metal dopara esa parte de la capa
semiconductora. Simple. El Dr. Lilienfeld construy adems MOSFETs
usando la capa de xido natural encontrada en placas de aluminio. Tambin
construy una radio funcional a transistores, y se la ense a varias
compaas. Fue ignorado, posiblemente porque no posea una teora slida
para explicar cmo funcionaba su invento, aunque ms probablemente
porque su idea era rara y nueva. Algn hobbista debera tratar de hacer un
transistor casero. [Informacin nueva 2006: R. G. Arns dice que Bret
Crawford construy exitosamente un transistor Lilienfeld en 1991 como su
Tesis MS Physics. Joel Ross lom hizo nuevamente en 1995 con versiones
ms estables. Y ms impresionante: William Shockley y G. L. Pearson lo
hicieron en 1948, publicando en Physical Review el 15 de Julio de 1948,
aclarando que era el dispositivo de Lilienfield el que estaban demostrando!]


Los nmeros de patente de Lilienfield son:

* # 1,745,175 Method and Apparatus for Controlling Electric Currents
* # 1,877,140 Amplifier for Electric Current
* # 1,900,018 Device for Controlling Electric Current

Estas patentes causaron algn malestar en Bardeen, Brattain, y Shockley, y
que la oficinal de patentes de EEUU destituyera las patentes FET de los
laboratorios Bell en siguientes aos.

Adems:

* R. G. Arns "The other transistor: early history of the MOSFET." (.pdf)
Engineering Science and Education Journal 7 (5): 233-240 (1988)
* IEEE Spectrum: How Europe Missed the Transistor (independantly
invented "transistron")
* T. L. Thomas, Twenty Lost Years of Solid State Physics, Analog
(magazine) March 1965

PPS
Es posible hacer un transistor usando Galena (lead sulfide, PbS). Galena se
encuentra disponible en tiendas de rocas y museos de ciencia. Uno puede
hacer la suya mezclando sulfuro y polvo de plomo sobre una llama. Busque
las palabras clave "cat's whisker diode" y "crystal radio" para ms
informacin.

El truco para armar un transistor es usar una cara de cistal hiper limpia, y
afinar los contactos "cat's-whisker" disolviendo las puntas con electrlisis, y
luego poniendo las puntas a 0.05mm entre s (mejor a 0.01mm, usar
microscopio). Los autores del artculo encontraron que la unin
Base/Emisor era crtica: DEBAactuar como buen rectificador. La junta
Base/Colector no era tan importante. Ellos lograron alguna ganancia,
aunque el beta estaba en el ambito de una sola cifra. Otros mencionan que
rompiendo un diodo 1N34 de cristal para exponer el chip de Germanio, se
puede hacer un transistor con el mismo procedimiento.

Crystal Triode Action in Lead Sulphide, P. C. Banbury, H.A. Gebbie, C. A.
Hogarth, pp78-86. SEMI-CONDUCTING MATERIALS, Conference
proceedings, H.K. Henisch (ed), 1951 Butterworth's scientific publications
LTD 1951.