Tipos de Memoria

En la actualidad existen dos grades y principales clases de memorias de carcter

semiconductor, cada una con sus caractersticas distintas y bien destacadas, pero que
juntas se encargan del buen funcionamiento del equipo, a continuacin se detallaran
cada uno de estos grupos:
Memoria RAM (Random-Access Memory)
Denominada memoria de acceso aleatorio ya que su tiempo de espera ya sea para
escritura o lectura no se ve afectado por la direccin o posicin que ocupe el dato en la
memoria, es decir, toma el mismo tiempo en acceder a cualquier direccin de memoria
y a su vez puede seleccionar estas en cualquier orden. Esta es una memoria de
escritura y de lectura que proporciona como beneficio la modificacin de algn dato
durante el desarrollo de un programa.
Son utilizadas para el almacenamiento de datos y programas preferiblemente a corto
plazo ya que pierden la informacin guardada al retirarle su alimentacin, en otras
palabras son del tipo de memoria voltil, en estas son cargadas todas las instrucciones
que ejecuta el procesador y otras unidades.
A continuacin se presenta el siguiente cuadro esquemtico acerca de las
subcategorias de la memoria RAM:

Figura # Subcategorias de la Memoria RAM
A travs de la figura # se puede observar que existen dos tipos de memorias RAM
ambas de tipo voltil. La memoria RAM esttica est conformada con elementos
flip-flops para su sistema de almacenamiento de datos con lo que se consigue
mantener dicho dato en un tiempo indefinido siempre y cuando se le proporcione una
alimentacin continua, mientras que la memoria RAM dinmica est conformada por
condensadores lo que ocasiona que no se pueda mantener la informacin por mucho
tiempo gracias al proceso de refresco por parte de los almacenadores.
RAM Esttica (SRAM)
Este tipo de memoria se caracteriza por sus celdas de almacenamiento (flip-flops), y
esto gracias a su habilidad de mantener los datos por un tiempo indefinido con
alimentacin constante; cuando se habilita la alimentacin a una de estas celdas de
almacenamiento esttico se puede mantener un estado ya sea 1 o 0 de manera
indefinida, aunque si se le es retirada la alimentacin entonces el dato almacenado se
perder.

Figura # Celda de Almacenamiento de tipo Flip-Flop
En la memoria SRAM cada bit es guardado en cuatro transistores (M
1
M
2
M
3
M
4
) los
cuales forman un circuito biestable (dos estados), este es capaz de almacenar un 0 o
un 1, la entrada a este circuito est custodiada por un bus de control () que a su
vez controla a otros dos transistores M
5
y M
6
quienes son los responsables en
establecer o no conexin entre

y . Cabe destacar que tanto los datos de salida

como los de entrada estn en la capacidad de utilizar las mismas lneas ya que las
operaciones de escritura y de lectura se realizan en instantes de tiempo distintos.
SRAM Asncrona (ASRAM)
Teniendo en cuenta la definicin de procesos asncronos (Se dice que dos procesos
son asncronos cuando los procesos de ambos no coinciden o estn en discordancia),
se establece entonces que una memoria de tipo SRAM asncrona es aquella en donde
su funcionamiento no se encuentra en sincrona con el reloj de la CPU del ordenador,
es decir, trabaja por separado. Esta a su vez cuenta con un patrn cronolgico para
las acciones de lectura y escritura. Este tipo de memorias suele ser de mayor
velocidad.
SRAM Sncrona de Rfaga
Este tipo de memoria como lo indica su nombre se encuentra sincronizada con el reloj
del sistema (del microprocesador), tienen gran similitud con el tipo de memoria SRAM
asncrona en cuanto a trminos de la matriz de memoria y del sistema tanto de
decodificacin como de entradas de lectura/escritura aunque la diferencia ms
importante entre estas memorias se encuentra en que la SRAM sncrona establece
registros con seales de reloj para as sincronizar todas las entradas con el reloj del
microprocesador esto da como resultado una operacin ms rpida.
Existen dos tipos de memorias SRAM sncronas, la diferencia entre estas se encuentra
en poseer o no un registro de salida; las de flujo directo no lo poseen y las de pipeline
si lo poseen, el no poseer dicho registro crea como consecuencia que los datos de
salida se presenten de manera des sincronizada hacia las lneas de entrada/salida.
Este tipo de memoria es mayormente implementada a la hora de disponer de una
memoria cache para computadoras (siendo mucho ms rpidas).
RAM Dinmica (DRAM)
Este tipo de memoria a diferencia de la SRAM almacena los datos en condenadores lo
que proporciona mayor espacio gracias a sus celdas de tipo sencillo esto a su vez
brinda una memoria menos costosa, por otro lado teniendo en cuenta el
funcionamiento de un condensador (carga y descarga en un periodo de tiempo), se
nota que el dato almacenado no se mantiene guardado si no al contrario es borrado
una vez que el condensador se descarga, al menos que dicho dato se refresque.
Una de las funciones ms importante de este tipo de memoria se basa en funcionar
como memoria principal de la computadora gracias a su extensa capacidad (su celda
est formada por un condensador y un transistor).
Es importante entender el funcionamiento de la celda de almacenaje del dato, como
antes se sealo este tipo de celdas estn formada por un condensador y un transistor,
este ultimo realiza el trabajo de interruptor de tipo cerrado; y es el que conecta el
condensador y la lnea de bit (va por la cual se carga el condensador), cuando se
almacena un dato el transistor desconecta al condensador de la lnea de bit quedando
guardado por un instante de tiempo la informacin.

Figura # Celda de Almacenamiento de Tipo Condensador
DRAM Con Modo Pagina Rpido (FPM DRAM)
Este tipo de memoria fue utilizada comnmente antes de la creacin de la EDO
DRAM, este tipo de modo rpido se basa en la probabilidad que existe en que las
direcciones a utilizarse se encuentren en la misma fila, por lo tanto da como resultado
un ahorro de tiempo ya que solo se implementa la direccin de memoria una sola vez
para especificar una serie de direcciones.
DRAM Con Salida de Datos Extendidas (EDO DRAM)
Tambin llamada de modo hiperpgina, este tipo de memoria es muy parecida a la
memoria FPM DRAM, aunque su tiempo de acceso a la informacin es ms rpido ya
que permite acceder a varias direcciones simultneamente (antes del que sistema
externo se active).

DRAM Con Salida de Datos Extendida en Rfaga (BEDO DRAM)
Este tipo de memoria contiene un sistema de acceso rpido ya que permite generar
cuatro direcciones (de manera interna), todo esto basndose en una sola direccin
externa, en otras palabras tiene la posibilidad de generar una serie de rfagas de
direcciones.
DRAM Sncrona (SDRAM)
Este tipo de memoria se encuentra sincronizada con el reloj del microprocesador como
en el caso de la memoria RAM sncrona, esto a su vez da como resultado que el
microprocesador no tenga que esperar que la memoria DRAM culmine sus acciones
internas, siendo entonces una de las memorias ms rpidas.
Memoria ROM (Read-Only Memory)
Conocida tambin como memoria de solo lectura, este tipo de memoria le hace honor
a su nombre ya que solo permite la lectura y no la escritura de la informacin
almacenada, es decir, no se permite la modificacin de lo almacenado, es de tipo
semiconductor y no necesita la presencia de una fuente de energa para mantener su
informacin, es decir, su informacin es guardada de forma permanente o
semipermanente. Actualmente cuentan con un sistema de reprogramacin donde la
memoria dependiendo de su tipo se puede borrar y volver a programar varias veces si
as se desea, aunque este proceso es relativamente lento.
Es importante tener en cuenta que los datos almacenados en una memoria ROM son
aquellos que el sistema utilizara frecuentemente para sus aplicaciones.
A travs de la siguiente figura # se pueden observar las subcategoras de la memoria
ROM:
ROM
Memoria
De Solo Lectura
PROM
Borrable
(EPROM)
EPROM
Mediante
Ultravioleta
(UV EPROM)
ROM
Programable
(PROM)

PROM Borrable
Electricamente
(EEPROM)

ROM
De Mscara

Figura #
ROM De Mscara
Conocida tambin solo como memoria ROM, es aquella la cual se programa al inicio
en el proceso de fabricacin de forma permanente, esto claro para brindar ciertas
aplicaciones necesarias para el usuario; este tipo de memoria no acepta cambios en
su contenido.


ROM Programable (PROM)
Este tipo de memoria como su nombre lo indican es programables, estas son iguales a
las ROM de mscara una vez que han sido programadas, lo curioso en este tipo de
memoria es que el proceso de programacin no se lleva a cabo en la fabricacin sino
que el proceso recae en las manos del usuario cosa beneficiosa ya que este puede
disponer de la memoria para satisfacer sus necesidades. Este tipo de memoria utiliza
un sistema basado en la fundicin para su programacin, en otras palabras una vez
programada la memoria no podr ser cambiada.
PROM Borrable (EPROM)
Esta memoria es idntica a una PROM aunque contiene una diferencia fundamental,
en este tipo de memoria la reprogramacin es aceptable, siempre y cuando se borre
primero el programa existente. El sistema de almacenamiento de la informacin se da
a travs de la presencia o no de una carga, por lo tanto el borrado de un bit es
simplemente la eliminacin de la carga en la direccin especificada.
EPROM Mediante Ultravioleta (UV EPROM)
Este es un tipo de memoria programable con la capacidad de borrado, en donde este
proceso de borrado se realiza con la exposicin de las celdas de memoria a una
radiacin ultravioleta de gran intensidad que tardar un periodo de tiempo
comprendido entre unos minutos y una hora de exposicin.
PROM Borrable Elctricamente (EEPROM)
Este es el segundo tipo de memoria programable con la capacidad de borrado, en este
caso el sistema de borrado se lleva a cabo a travs de impulsos elctricos, se
presentado dos tipos la, la MOS de puerta flotante y la de silicio xido nitroso metal.