Casa abi erta al tiempo

UNIVERSIDAD AUTONOMA METROPOLITANA

U NI DAD IZTAPALAPA
'c-z
PROYECTO TERMINAL
CARRERA: ING. ELECTRNICA
J
REA DE CONCENTRACIN: COMUNICACIONES
/AMPLIFICADOR EN UHF
Asesor: Ing. Juan Carlos Snchez Garca
Integrantes:
/Garca Daz Mauricio H.
Santana Olgun Oscar
4 de Febrero de 1997
INDICE
J ustificacin .............................................................................................................. 1
Introduccin .............................................................................................................. 1
Objetivos ................................................................................................................... 2
Teora de Pequea Seal ........................................................................................ 2
o Polarizacin .............................................................................................. 2
Diseo utilizando parmetros Y ................................................................ 5
Acoplamiento conjugado simultneo ........................................................ 7
o
o Mxima Ganancia disponible (MAG) ........................................................ 7
o
Diseo del circuito .................................................................................................... 9
Metodologa y Equipo utilizado .............................................................................. 15
Resultados .............................................................................................................. 16
Conclusiones .......................................................................................................... 17
Bibliografa .............................................................................................................. 18
Apndice ................................................................................................................. 19
JUSTlFlCAClON
Una parte importante de la ingeniera electrnica en comunicaciones es el
diseo de equipos de transmisin y recepcin de seales moduladas.
Parte fundamental de estos equipos se encuentra en la etapa de amplificacin de
radio-frecuencia en la cual, para su diseo se toman en cuenta gran parte de los
conocimientos adquiridos durante la licenciatura, como por ejemplo:
0 Circuitos amplificadores con transistores
0 Respuesta a altas frecuencias de estos circuitos
0 Compensacin en frecuencia
0 Acoplamiento de impedancias entre etapas para lograr mxima
transferencia de energa.
I NTRODUCC ION
AI disear un receptor, generalmente se empieza por el detector o la
circuitera de demodulacin, sin embargo la mayora de los circuitos detectores no
trabajan bien en presencia de ruido o seales de interferencia, adems de requerir
de ciertos niveles de voltaje en la seal deseada.
Dado que la seal de entrada puede tener una intensidad de campo a la
entrada del receptor en el rango de los microvolm, mientras que las intensidades
de las seales de interferencia y seales de ruido captadas por la antena pueden
estar en el rango de los volts/m, se nota la necesidad de ganancia y selectividad
en el amplificador de entrada del receptor.
Los problemas en el diseo de un amplificador de R.F. son los siguientes:
a) Controlar el nivel de ruido con el fin de mantenerlo a una distancia
adecuada por debajo del nivel de la seal deseada.
b) Controlar las no linealidades del dispositivo activo utilizado por el
amplificador, para prevenir distorsin en la seal o interacciones no
deseadas de la seal.
c) Cuidar que el nivel de ganancia no produzca oscilaciones no deseadas.
1
OBJETIVOS
Disear un amplificador de R. F. a pequea seal para trabajar a una
frecuencia de 100 MHz.
lmplementar el diseo terico, efectuando todos los ajustes necesarios para su
correcto funcionamiento, tales como: acoplamiento de impedancias, ajuste de
circuitos resonantes, ajuste de las impedancias de entrada y salida a 50 ohms.
Obtener la respuesta en frecuencia del amplificador.
TEORA DE PEQUEA SEAL
POLA RIZA C/O N
En la mayora de los diseos de amplificadores de radio-frecuencia, se debe
cuidar la parte de polarizacin del transistor, a menos que el amplificador sea
operado a temperatura ambiente solamente y no sea necesario disear un punto
de operacin de dc, extremadamente estable con la temperatura. Si por otro lado,
el amplificador debe operar manteniendo ciertas especificaciones (ganancia, figura
de ruido, etc.) sobre grandes rangos de temperatura, la red de polarizacin de dc
debe ser considerada cuidadosamente.
Observando las curvas de los parmetros Y y S de las hojas de especificaciones
del transistor 2N5179, se ve que un cambio en el punto de polarizacin del
transistor afecta todas las caractersticas de operacin de rf del transistor.
Hay dos caractersticas internas bsicas del transistor que tienen un profundo
efecto en el punto de operacin de dc del transistor con la temperatura; ellos son
AVBE y Ap. El objeto del diseo de una buena polarizacin estable con la
temperatura es minimizar los efectos de estos parmetros.
AI incrementarse la temperatura, el voltaje base-emisor (VBE), del transistor
decrece a una tasa de cerca de 2.5 mV/"C desde su valor nominal a temperatura
ambiente de 0.7 Volt (para un dispositivo de silicio). Mientras el VBE disminuye, se
permite que fluya mas corriente de base, lo cual produce mayor corriente de
colector, que es exactamente lo que se pretende prevenir. El cambio total en VBE
para un cambio de temperatura dado, es llamado AVBE. El primer factor externo
del circuito que se puede controlar y con el cual se tiende a minimizar los efectos
del AVBE , es el voltaje de emisor (VE) del transistor.
2
IBR +It3
E 8
Figura 1: Criccuito de polarizacin
De la figura anterior se observa que un decremento en VBE con la temperatura
causara un incremento en la corriente de emisor y de aqu, un incremento en VE.
El incremento en VE es una forma de retroalimentacin negativa que tiende a
polarizar inversamente la unin base-emisor y, por eso, decrementa la corriente de
colector. Un decremento de VBE, tiende a ser contrarrestado por el incremento en
VE, y la corriente de colector no se incrementa tanto con la temperatura.
Poniendo estos hechos en forma de ecuaciones:
N c =- * vnFh . . . (1)
VF
donde :
AIc =cambio en la corriente de colector
IC =corriente de colector en el punto quiescente
AVeE =cambio en el voltaje base-emisor
VE =voltaje en el punto quiescente
As, si VE fuera igual a 20 veces AVBE, el cambio en la corriente de colector con la
temperatura debido a AVBE sera de solo 5%.
La ecuacin (1) implica que entre mas alto sea el valor de VE es mejor. Esto sera
totalmente cierto sino nos tuviramos que preocupar de nada ms que de la
polarizacin del transistor para un punto de operacin especfico. Un alto voltaje
3
de emisor, por ejemplo, tiende a desperdiciar potencia y decrementar la ganancia
de la seal en ac. Un capacitor de bypass en paralelo con RE a la frecuencia de la
seal, es usado normalmente para prevenir la prdida en ganancia, pero el
desperdicio de potencia puede seguir siendo un problema.
Si asumimos que el amplificador operar sobre un cambio de temperatura de no
mas de 2 50"C, entonces un voltaje de emisor de 2.5 volts, provocar una
variacin de 5 5% en la corriente de colector debida a VBE. De hecho, la mayora
de las redes de polarizacin para transistores similares a la mostrada,
proporcionan un valor de VE desde 2 hasta 4 volts, dependiendo de los valores de
Vcc y Vc escogidos. Altos valores son posibles, dependiendo del grado de
estabilidad requerido.
El cambio en la ganancia de corriente en dc del transistor, o p, con la temperatura,
tambin debe de tenerse en cuenta, ya que cualquier variacin en f.3 producira un
cambio en la corriente quiesciente de colector y cambiara el punto de operacin
diseado. La p de un transistor de silicio tpicamente se incrementa con la
temperatura a una tasa de cerca del 0.5% por "C. As, para una variacin en la
temperatura de 2 50C, la p del transistor, y por lo tanto su corriente de colector,
variar un 225%.
El valor de p no solo varia con la temperatura, ya que el valor de la tolerancia en la
p entre transistores de un mismo lote, vara en un tango de 1 a 10 (tal como de 50
a 500).
El cambio en la corriente de colector para un correspondiente cambio en p se
puede aproximar por:
donde:
IC, =corriente de colector con p =
=valor mas bajo de p
p2 =valor mas alto de p
Ap =p2 - p1
RB =paralelo de R1y R2
RE =resistor de emisor
Esta ecuacin indica que una vez que se ha especificado el transistor, el nico
control que el diseador tienen sobre el efecto de los cambios de p sobre la
corriente de colector es mediante la relacin de resistencias RB/RE. Entre mas
pequea sea esta relacin menos vara la corriente de colector.
4
Sin embargo, mientras se decrementa la relacin R~/RE, se produce el efecto
indeseable de decrementar la ganancia en corriente del amplificador. Tambin,
mientras la relacin se aproxima a la unidad, la mejora en la estabilidad del punto
de operacin rpidamente disminuye. Como una regla prctica para circuitos
estables, la relacin RB/RE deber ser menor a I O.
Diseo utilizando parmetros Y.
El desempeo de un transistor de rf en pequea-seal, puede ser caracterizado
completamente por sus parmetros de admitancia de dos puertos. Basados en
estos parmetros, se pueden escribir las ecuaciones para ayudar a encontrar un
transistor que cubra nuestras necesidades y completar el diseo una vez que se
ha seleccionado el transistor.
Uno de los primeros requerimientos en el diseo de cualquier amplificador, es
escoger el transistor que cubra mejor los requerimientos deseados. Dos de las
consideraciones mas importantes al escoger un transistor para usarse en
cualquier diseo de amplificadores, son su estabilidad y su mxima potencia
disponible (MAG). La estabilidad es una medida de la tendencia del transistor
hacia la oscilacin MAG es un tipo de figura de mrito para el transistor la cual
indica la mxima ganancia en potencia terica que se espera obtener del
dispositivo, cuando este es acoplado conjugadamente a su impedancia de carga y
de entrada.
Clculos de estabilidad.
Es posible predecir el grado de estabilidad de un transistor mediante el factor de
estabilidad de Linvill, C.
donde:
y, =transferencia de admitancia en inverso
yf =transferencia de admitancia en directo
gi =conductancia de entrada
go =conductancia de salida
5
Cuando C es menor a 1, el transistor es incondicionalmente estable en el punto de
polarizacin elegido. Esto significa que se puede elegir cualquier combinacin de
impedancias de carga y de fuente para el dispositivo y que el amplificador
permanecer estable.
Si C es mayor a 1, el transistor es potencialmente inestable y oscilar para ciertos
valores en las impedancias de fuente y de carga.
El factor de estabilidad de Linvill es til para predecir un problema potencial de
inestabilidad. No indica para que valores de impedancias el transistor ser
inestable, pero obviamente, si un transistor tiene un factor C menor a 1
(incondicionalmente estable), ser mucho ms fcil trabajar con l que con uno
que sea potencialmente inestable. Hay que tener presente que si C es menor
pero muy cercano a 1, para cualquier transistor, entonces cualquier cambio en el
punto de polarizacin debido a variaciones de la temperatura, podra causar que el
transistor se vuelva potencialmente inestable y mas propenso a oscilar a algunas
frecuencias, por lo que un valor de C pequeo es mejor.
Los parmetros Y tambin pueden ser utilizados para predecir la estabilidad de un
amplificador dados ciertos valores de impedancias de fuente y de carga. Este es
el llamado factor de estabilidad de Stern, el cual esta dado por:
2( gr +Gs)( go +GI,)
K = ~ . . . . . . (4)
yy! +RE(yyf)
donde:
Gs =conductancia de la fuente
GL =conductancia de carga
En este caso, si K es mayor a 1, el circuito ser estable para esos valores de
impedancias de la fuente y de carga. Si K es menor a 1, el circuito es
potencialmente inestable y ms propenso a oscilar a alguna frecuencia.
El factor de estabilidad de Linvill es til para encontrar transistores estables,
mientras que el factor de estabilidad de Stern predice posibles problemas de
estabilidad con circuitos.
6
Mxima ganancia disponible ( MAG) .
La MAG de un transistor puede encontrarse utilizando la siguiente ecuacin:
2
Yf
MAG = ~~ ......( 5)
4 m
La MAG es un clculo inicial para buscar un transistor adecuado para alguna
aplicacin particular, ya que da una buena indicacin de si el transistor
proporcionar suficiente ganancia para nuestros propsitos.
La mxima ganancia de potencia disponible para un transistor, ocurre cuando yr =
O, y cuando YL y YS son complejos conjugados de y , , y yi respectivamente. La
condicin de que yr debe ser igual a cero para que ocurra la mxima ganancia es
debida a que el hecho de que bajo condiciones normales, yr acta como un patrn
interno de retroalimentacin negativa para el transistor. Con yr=O, no se permite
retroalimentacin y la ganancia est a su mximo.
En situaciones prcticas, es fsicamente imposible reducir yr a cero, y como
resultado, la MAG nunca puede ser alcanzada, sin embargo es posible acercarse
a este valor mediante un acoplamiento conjugado simultneo de las admitancias
de entrada y de salida del transistor.
Acoplamiento conj ugado simultneo.
Una ptima ganancia en potencia se obtiene de un transistor cuando yi y yo son
acoplados conjugadamente a YS y YL, respectivamente. YL afecta la admitancia
de entrada del transistor y YS afecta su admitancia de salida, con lo cual es posible
proveer al transistor de un acoplamiento conjugado simultneo para una mxima
transferencia de potencia (de la fuente a la carga) usando las siguientes
ecuaciones:
7
,
Gsgo
GI. = ...... ( 9)
Bf. =- j bo +lm(yn/r) ...... (1 O)
2 8
donde:
Gs =conductancia de la fuente
Bs =susceptancia de la fuente
GL =conductancia de la carga
BL =susceptancia de la carga
8
I
DISEO DEL CIRCUITO
Utilizando un transistor 2N5179 para el diseo de un amplificador a 100 MHz que
tenga mxima ganancia en potencia, con impedancias de entrada y de salida a 50
ohms, y con un VCE =10 volts y una IC =5 mA, de sus hojas de especificaciones
obtenemos los siguientes parmetros Y:
Yi =8 +j56.7 mmhos
Y, =0.4 +jl.5mmhos
Yf =52- j20mmhos
Y, =0.01-j.01mmho
Calculamos el factor de estabilidad de Linvill utilizando la ecuacin (3).
(52 - j20)(0.01- j O. 1)
-
-
2(8)(0.4) - Re[(52 - j20)(0.01- jO.i)]
5.57
6.4 - (-1.47)
- -
=0.71
Dado que C es menor a 1, el dispositivo es incondicionalmente estable y podemos
proceder con el diseo.
9
La MAG del transistor es calculada con la ecuacin (5)
Yf
4mo
MAG =
52 - j 202
4(8)(0.4)
- -
=242.5
=23.8dB
La ganancia prctica que podemos obtener ser algo menor que sta, debido a yr
y prdidas en los componentes.
Utilizando las ecuaciones (6) a (I O) calculamos las admitancias de fuente y de
carga para un acoplamiento conjugado simultneo.
Para la fuente, utilizando la ecuacin (6):
- ~ [6.4 ~~ +1.47p-(5.57)2 ~
-
2(0.4)
=6.95mmhos
10
Y con la ecuacin (7):
- 5.37
2(0.4)
=-j 5. 7+ j - -
=- j12.4 lmmhos
De aqu, la admitancia de fuente que el transistor debe ver para una ptima
transferencia de potencia es 6.9541 2.41 mmhos. La admitancia de entrada actual
del transistor es el conjugado de este nmero, 6.95 +j12.41 mmhos.
Para la carga, utilizando la ecuacin (9)
Gsgo
&Y
GI. = ...... (9)
=0.347mmho
Y con la ecuacin (1 O)
- 5.37
2(8)
=- j l S +j
=- j l .84mmhos
11
As, para una ptima transferencia de potencia, la admitancia de carga deber ser
de 0. 347 - j l . 84 mmhos. La admitancia de salida del transistor es el conjugado de
la admitancia de carga, esto es, 0. 347 +j l . 84 mmhos.
El siguiente paso es disear las redes de acoplamiento de impedancia de la
entrada y de la salida, que transformarn los 50 ohms de fuente y de carga, a la
impedancia que el transistor deseara ver para obtener una mxima transferencia
de potencia. El diseo del acoplamiento de entrada se muestra en la carta de
Smith*. Esta carta es normalizada para que el centro de la carta represente 50
ohms o 20 mmhos. As, el punto Ys =6. 95 - j 12. 42 mmhos, se normaliza a :
Ys =50( 6. 95 - j 12. 41) mmhos
=0. 34 - j 0. 62 mho
Note que su impedancia normalizada correspondiente puede ser leda
directamente de la carta como Zs =0. 69 +j 1.2 ohms. La red de acoplamiento de
la entrada debe transformar los 50 ohms de impedancia de la fuente a la
impedancia representada pr este punto.
Utilizando una red L de dos elementos para la red de entrada, tenemos
Arc AB =C serie
Arc BC =L paralelo
=- j l . 3 ohms
=-j l . 1 mhos
Dado que los valores de admitancia requeridos en la red de salida son demasiado
pequeos, esta carta tuvo que ser normalizada a 200 ohms (5 mmhos). As, la
admitancia normalizada trazada en la carta es:
YL =200( 0. 347 - j l . 84) mmhos
=0. 069 - j 0. 368 mho

ZL =0. 495 +j 2. 62 ohms
La carga normalizada a 50 ohms, debe ser transformada a este valor de
impedancia para mxima transferencia de potencia. Utilizando nuevamente una
red L de dos elementos para el acoplamiento, tenemos:
Arc AB =C serie
Arc AB =L paralelo
=-j l . 9 ohms
=- j 0. 89 mho
12
Las redes de acoplamiento de entrada y de salida son mostradas en la figura 2.
Por simplicidad, la circuitera de polarizacin no se muestra.
5
Figura 2: Redes deacoplamiento deentrada y salida.
Donde:
1
o m
Cl =
=24.5pF
Y
N
oB
Li =
50
- -
27t(looxlo6)(1.1)
=72nH
13
Similarmente, para la red de salida:
1
2x (1 00x1 06)(119)(200)
c2 =
=4.18pF
Y,
200
2x (1 00x1 06)(0.89)
L2= ~
358nH
El circuito final, incluyendo la red de polarizacin se muestra en la figura 3. Los
capacitores de =. 1 microfarad son bypass de rf a 1 O0 MHz.
Figura 3: Circuito diseado
14
METODOLOGA Y EQUIPO UTILIZADO
El equipo utilizado fue el siguiente:
0
0
0
0 1 Multmetro digital.
1 Generador de seales para RF
1 Medidor de potencia para RF
1 Fuente de DC de 20 V.
METODOLOGA:
1. Primero se trato de entonar lo ms posible los acoplamientos de impedancia,
tanto de entrada como de salida. Esto se realiz, colocando un capacitor
variable en serie con un capacitor de 22pF, tanto a la entrada como en la
salida.
2. Para el acoplamiento de impedancia de entrada, se conect el generador de
seales (con -30 dBm, a una frecuencia de IOOMHz) a la entrada del circuito
amplificador, y entre ellos se conecto un medidor de potencia para poder
ajustar la mxima transferencia de potencia a la entrada del circuito.
Para obtener el punto de resonancia, se ajusto el capacitor variable hasta tener
una lectura mxima en el medidor de potencia.
3. En el caso del acoplamiento de la impedancia de salida, se realizo un
procedimiento similar, de igual manera hasta tener un punto mximo de
potencia a la salida del circuito.
Utilizando un generador de seales a la entrada con una ganancia de -30dBm
y a una frecuencia de 100 MHz y en la salida una carga de 50R
El circuito implementado se muestra en la figura 4. En este circuito, se incluyen
los valores comerciales utilizados de los inductores y capacitores en los
acoplamientos de entrada y de salida, utilizndose los valores mas cercanos a los
calculados tericamente.
15
I Figura 4: Circuito implementado. I
RESULTADOS
Como el diseo se realiz para pequea seal, el voltaje de entrada debe ser
menor de 0.7V. En nuestro caso se realizaron pruebas con un voltaje de
V=300mV. Con este voltaje de entrada, la potencia de entrada es:
=9 ~1 0 - ~
V 2
2x50R
Pot =~
Cuyo valor en dBm =10 x log Pot =10 x log ~ x I O - ~ =-30.45 dBm
As con una potencia de entrada, Pin =-30 dBm se obtuvo a la salida una potencia
de Pout =-14 dBm, obteniendo as una ganancia de Gan =16dBm.
16
CONCLUSIONES
Basndonos en el diseo terico del circuito amplificador, se hizo la
implementacin prctica de ste, ajustndose los valores de resistencias a los
valores exactos, logrando con esto que el punto de operacin en dc fuese el
adecuado. En cambio, para el punto de operacin en ac se tuvieron problemas
para ajustar exactamente los valores tanto del inductor como del capacitor de los
circuitos resonantes de entrada y de salida, debido a que estos difieren de los
valores comerciales de estos dispositivos.
Se observ que los capacitores en los circuitos resonantes de entrada y de salida,
son con los que se tiene un mayor control de la frecuencia de resonancia.
Sobre el equipo de medicin de rf (medidor de potencia analgico), las mediciones
tuvieron un margen de error de .02dB por escala.
No se tuvo acceso a un analizador de espectros para poder observar el ancho de
banda de la respuesta en frecuencia del circuito, por lo que no se pudo calcular la
selectividad del circuito (a).
El trabajar a alta frecuencia implica que se tenga mucho cuidado en cuanto a
interferencias externas al circuito, ya que solo el acercar la mano al circuito puede
mover la frecuencia de resonancia.
La ganancia obtenida experimentalmente difiere de la calculada tericamente,
debido a que los capacitores de los acoplamientos de impedancia tanto de entrada
como de salida no se lograron ajustar a sus valores exactos, por lo que la
ganancia se vio disminuida., adems de que ciertos componentes como el mismo
inductor proporcionan una capacitancia inherente, lo cual hace que cambie la
ganancia del circuito.
Despus de implementar el circuito amplificador y hacer las mediciones
necesarias, podemos decir que se cumpli con los objetivos expuestos en un
principio.
17
I
BIB LI OG RA F I A
-Chris Boowick;
RF Circuit Design
Edit. Sams.
-Kenneth K. Clarke, Donald T. Hess;
Communications Circuits: Analysis and Design.
Ed it. Add ison-Wesley
I 1 ;
2N5179
MOY OROLA
Semi conductors
B O X 2 0 9 1 2 . PHOENI X. ARI ZONA 0 5 0 3 6
L I
The RF Line 1 1
NPN SI LI CON RF HIGH FREQUENCY TRANSI STOR
. . . designed pr i mar i l y for use i n hi ghgai n. l ow.noi se ampl i f i er. oscil-
l at or. and mi xer appl i cat i ons. Can also be used in UHF convert er
appl i cat i ons.
o Hi gh Cur r ent -Gai n - Bandwi dt h Product -
f~ = 1.4 GHz ( Ty p) @ I C =10 mAdc
o Low Col l ect or-Base Ti me Const ant -
o Charact eri zed wi t h Scat t eri ng Paramet em
Low Noire Figure -
r b' cc =14 PS (MUXI @ I E =2.0 mAdc
NF =4.5 di3 (Max) @ I =200 MHz
'MAXIMUM RATINGS
Rat ing Symbol vitu. Uni t
Co1lector.Emiiter Voltage VCEO
Aoolicable 1.0 to 20 mAdc
Collector-Bise Voltage vCB 20 Vdc
Emitter.Eaw Voltage VE B 2.5 Vdc
Collector Currant I C 50 mAdc
Toi d ON~C. Dirilpetion 8 TA 25OC PO 200 l7IW
Derate above 25OC 1.14 rnWPC
Tots1 Devicc Dirripation @ TC - 25OC PO 300 mW
Derate above 25OC 1.71 mWPC
StoropsTemperatura Range Trtg -65 to +ZO OC
4.5 dB Q 200 MHr
HI GHFREQUENCY
TRANSI STOR
NPN SILICON
I
-I!--D
;TYLE i o
PI NI . ZUliTER
2. BASE
1. COLLECTOR
4. CASE
ALL J EDEC d i 4 w d nomwb
CASE ?&o3
1072
THE TMNSISTO~\ AT ~IADIO FIIEQUENCIIS
109
Chirrtsrirtic
2N5179
Symbol Min Max Unit
DC Current Cain
Coiiecfor.Emiitcr Saturafion Voltage
(IC - 10mAdc. Ig =1.0mAdcl
(IC 3 O mAdc. VCE 1 O Vdc)
h~E
vCElwtl
-
25 250
Vdc
-
0.4
9sse.Emiifer Saturation Volfagc
( I C - IOmAdc. Ig- 1.0rnAdcl
FUNCTIONAL TEST.
Comrnon.Ernitter Amplifier P owr Gain l See Figure 1)
I VCE - 6.0 Vdc. I C - 5.0 mAdc, f - 200 MHzl
(VCB - 10 Vdc, I E - 12 mAdc. fi 500 MHzI
Power Outr>ut (See Figure 2)
*tna<c.l.i J EOEC R.gl s1,r.d V.1u.r.
@IT i t d.1in.d .I lh. lr.gu.nCv .I which I h f .x l r .pot .l .s I O uni t y .
4
VSE(rail Vdc
-
1.0
do
15
-
rnW
20
-
CurrentGain - Bandwidth Product @
Coitector.Base Capsifsnce
( I C - 5.0 mAdc. VCE - 6.0 Vdc, I - 100 MHzI '
Veo - 10Vdc. IE - O. I - 0.1 io 1.0MHzl
Small.Signal Current Gain
Collector-Base Time Constant
(IC - 2.0 rnAdc. VCE - 6.0 Vdc. I - 1.0 kHz1
(IE 2.OmAdc. VCB 6.0 Vdc. f 31.9 MHzI
Noise Figure (Sea Figure 11
'
(I C - 1.5 mAdc. VCE - 6.0 Vdc. RS - 50 ohms, f - 2M1 MHzl
@
MOTOROLA Semi c onduc t or P r o duct s t nc .
'T MHz
900 2ow
PF
1.0
ccb
hlC
'b' cc PS
-
25 300
3.0 14
NF dB
4. 5
I
Cont. 011 t l exf 1>age
Fig. 5-14.-Cont. Data slicct. ( Coiirtcsy Al otorol n Sotiicondirclor Prodiicfs I iic. ).
* 2N5179
FIGURE 1 - 200 MHz AMPLIFIER POWER GAIN
AND NOISE FIGURE CIRCUIT
T V U
, " , I S . .. .-
FIGURE 3 -NOISE FIGURE
w-1 FREQUENCY
I O
S O
8.0
7.0
6 0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
-
O -
Y) 70 1w zoo 3m LW
FI GURE 2 - 500MHr OSCILLATOR CIRCUIT
FIGURE 4 - NOISE FIGURE versus SOURCE
RESISTANCE and COLLECTOn CURREIJT
tw
LW
400
300
700
IW
YU
10
60
50
40
30
nu
0 5 O 1 I O 1 0 3 0 5 0 7 0 I O
I c. COLLECTOA CURflENT imAdcl
I. FREOUCNCY (UI I i l
FIGUnE 5 - NOISE FIGURE versus SOURCE
RESISTANCE and COLLECTOR CURRENT
0 5 0.1 1.0 10 3 0 s o 1.0 10
I L COL L ECTOR CURRCNT ImAdrl
MOTOROLA Semi c onduc tor P roduc t s /nc -
Coi i l . on tiex! p g r
Fig. 5-14.-Coiit. Data siicct. (Coirrfcsy nloforoin Serfiicotirocfor Prodrrcts I fic. ).
..-- I -
~NSI STOI ~ AT RADIO FREQUENCIES
111
2N5179
FIGURE 6 - CURRENTCAIN-BANDWIDTH PRODUCT
2.0
I 8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0 4
1.0 2 0 4.0 5.0 6.0 1.0 8.0 9.0 10 20
I C. COLLECTOR CURRENT ImAdcl
FIGURE 7 - INPUT ADMITTANCE
vu^^FnEQUENCY
20
18
2 16
E
5 I4
-
w U
2 12
E 10
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1 6.0
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2 0
O
iw I 50 200 300 4110 5W 600 800 IWO
-
I O
- 3.0
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I . FREOUEHCY I MHi l
FIGURE 9 - FORWARO TRANSFER
ADMITTANCE versus FREQUENCY
-
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I. FREOUENCY IYHiI
FIGURE O - OUTPUT AOMIiiANCE
v.rsuI FREQUENCY
I I50 200 JPO 4W 5W 600 GO3 lay)
I. FREOUENCY I MHiI
FIGURE 10 - REVERSE TRANSFER
ADMITTANCE WWI FREOUENCY
-
o 5.0
E 4.5
E ' 5
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I. FREOUEHCY IYHI)
MOTOROLA S u r n i c on cf u c t o r P r o cf u c t s I n c .
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Pig. 5-14.-Cont. Data shcct. (Courtesy Afoforokc Scniicondiicfor i'rotliicts Znc.).
TI TLE OWG. NO.
I Ol t bl 11.01-N\ ANAI .OG I NSTRUhlftI TS COhll'ANY. 1i LW PI tOVI DCNCf. N.J. 01974 DATE
NO I ( MA 1. 11E I1 I MI C 1) AN C C A EI U A O h.1ITTAN C E COO I { DI NAT ES
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Fig. 6-6. Input network clcsign for Examplc 6-1.
124
NAME i i'r LE
SMITH CHART FORM ZY-01-H I ANALOG I NSTI l UMENTC COMPANY. NFW I ' l l OVI Ut NCE, N.J 0? 114
EX.AMPLE 6-1 -Con t.
i
OWG. NO.
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RADI ALLY SCALED PARAhl CTEl l S
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Fig. G-7. Output nctxvork <Icsigii for Exnniple G- I .
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