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Electrnica industrial. Gua 4

Curvas de operacin del PUT y osciladores de relajacin.




Analizar el funcionamiento y la polarizacin del transistor de unijuntura programable (PUT).
Medir las caractersticas del PUT y determinar los parmetros (voltaje y corriente) del PUT.
Construir un oscilador con un transistor PUT.





Cantidad Descripcin
1 Tablero maestro
1 Tarjeta de circuito impreso EB-113
1 Multmetro
1 Osciloscopio
1 Generador de funciones
Tabla 1.1. Materiales y equipo.



El transistor uni-unin programable PUT.
El transistor PUT (uni-unin programable) es un dispositivo PNPN de cuatro capas, con tres terminales: ctodo
K, nodo A y compuerta G. En la Figura 4.1 se muestra el esquema y el smbolo del PUT. Aunque tiene nombre
similar al transistor uni-unin, la constitucin y funcionamiento del transistor PUT difieren enormemente del
transistor uni-unin (UJT). Las caractersticas de transferencia de los dos dispositivos son muy parecidas y es la
razn de la similitud entre los nombres.











Figura 4.1. Esquema y smbolo del transistor PUT.


Contenido
Objetivos Especficos
Material y Equipo
Introduccin Terica
Facultad: Ingeniera
Escuela: Ingeniera Electrnica
Asignatura: Electrnica industrial
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La programabilidad del dispositivo permite controlar los parmetros R
BB
y V
P
, que en el dispositivo UJT son fijos.
La disposicin bsica para su polarizacin se muestra en la Figura 4.2.

Figura 4.2. Circuito bsico de polarizacin del PUT.

Asumiendo en la Figura 4.2, que la corriente de compuerta es muy pequea y tiende a cero (I
G
= 0), puede
obtenerse la siguiente expresin:









En la Figura 4.3 se muestran las caractersticas del transistor PUT.













Figura 4.3 Caractersticas del transistor PUT.

En las caractersticas del transistor PUT pueden distinguirse tres regiones:
1. La regin de corte (I
BAJA
< I
P
y 0 < V < V
P
).
2. La regin de conduccin (I > I
V
y V > V
V
).
3. La regin de inestabilidad que las separa.

Como en el transistor UJT el potencial de disparo necesario V
P
para activar el dispositivo es:

V
P
= V
BB
+ V
AG

En la Figura 3.1 puede observarse que V
AG
es la cada de tensin directa a travs del diodo en conduccin, de
forma que:

V
P
= V
BB
+ 0.7
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La principal diferencia entre los transistores PUT y UJT estriba en que las resistencias RB1 y RB2 son
resistencias internas del UJT, sin posibilidad de variacin, mientras que en el transistor PUT estas resistencias
se encuentran conectadas exteriormente y pueden variarse.

Aunque las caractersticas del PUT y del UJT son similares, las corrientes de pico y de valle del PUT son ms
dbiles que las del UJT y la tensin mnima de funcionamiento tambin es ms pequea en el PUT.

El funcionamiento bsico del dispositivo puede explicarse por medio de la Figura 4.2. Si el dispositivo se
encuentra apagado (en corte), su estado no cambiar hasta que no se alcance la tensin V
P
. Durante este
perodo la corriente es muy dbil y cuando se alcanza V
P
el dispositivo conmuta, pasando por la regin
inestable, al estado de conduccin (encendido). En el estado de conduccin la relacin entre tensin y corriente
es muy pequea (lo contrario al estado de apagado). Una vez alcanzado el estado de conduccin no puede
llevarse el dispositivo al corte disminuyendo la tensin V
G
; solamente la reduccin de I
A
es capaz de apagar el
transistor. Una de las aplicaciones tpicas del PUT es como oscilador (Figura 4.6). El condensador se carga a
travs de la resistencia R hasta que se alcanza la tensin V
P
, entonces el dispositivo se dispara al estado de
conduccin. El potencial de V
G
cae aproximadamente a 0V y el dispositivo se apaga, repitindose el ciclo de
carga el ciclo de carga.

La frecuencia de oscilacin es:
f =
1
1.2RC





Medida de las caractersticas del PUT.

1. Localice el circuito que contiene el PUT (Q1) en la tarjeta EB-113.

2. Elabore el circuito de la Figura 4.5.


Figura 4.5 Circuito para medida de los parmetros del PUT.

Procedimiento
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3. Ajuste la salida de voltaje PS-1 a mnima tensin.
4. Mida V
S
y comparar su valor medido con el calculado.

V
S
(medido) = __________ Voltios. V
S
(calculado) = __________ Voltios.

5. Ajuste la salida de PS-1 lentamente girando el potencimetro a la derecha y observar que el voltaje de nodo
aumenta.

6. El voltaje de nodo aumentar hasta un mximo y despus caer. Registre la tensin y corriente de nodo en
este mximo (pico).

V
P
= __________ Voltios. I
P
= __________ A.

7. Repita la operacin anterior, conectando R7 en paralelo con R8.
Qu ha ocurrido con V
P,
respecto de su magnitud calculada en pasos anteriores?.
_________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________

8. Desconecte R7.

9. Gire con mucho cuidado el potencimetro RV1 hacia la derecha. El voltaje de nodo (V
A
) caer a su valor
mnimo (punto de valle). Registrar los valores del voltaje y corriente en el punto de valle.

V
V


= __________ Voltios. I
V
= __________ mA.

10. Contine girando el potencimetro RV1 hacia la derecha. Observe que las variaciones de la tensin de
nodo son muy pequeas, pero que las de corriente son grandes. Registrar los valores del voltaje cuando el
potencimetro se encuentre totalmente a la derecha.

V
F
= __________ Voltios. I
F
= __________ mA.

Oscilador con PUT.
11. Conecte el circuito de la Figura 4.6.
Figura 4.6 Oscilador con transistor PUT.

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12. Ajuste la fuente PS-1 a su mximo valor. Girar el potencimetro RV1 hasta que aparezcan las oscilaciones
en la pantalla del osciloscopio.

13. Dibuje las tensiones de nodo y compuerta.




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14. Conecte el Canal 2 del osciloscopio para observar el voltaje de ctodo del PUT y luego dibjela.


15. Vuelva a conectar el Canal 2 para observar el voltaje de compuerta.
16. Ajustar RV1 hasta conseguir oscilaciones de 100 Hertz de frecuencia.
17. Cambie el condensador C4 por el condensador C3 (C4 < C3).

18. Mida la frecuencia de la oscilacin. La frecuencia es de __________ Hertz. Justifique el aumento del
condensador para obtener una disminucin de frecuencia.
_________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________

19. Vuelva al condensador C4. Mida la amplitud de salida de la oscilacin V = __________ V
PP
.

20. Conecte R7 en paralelo con R8. Mida la amplitud de salida de la oscilacin V = __________ V
PP
.

21. Registre la frecuencia de oscilacin f = __________ Hertz.
Por qu aumenta la frecuencia?
_________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________

22. Gire el potencimetro RV1 y observar las variaciones en frecuencia que causa y que no influye en el nivel
de voltaje.


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1. Presentacin de las formas de onda de ngulos de disparo y de la curva caracterstica del dispositivo
en papel milimetrado.
2. Simulacin de los circuitos.
3. Comparar datos obtenidos con hoja de datos del fabricante.



1. Disee un oscilador de relajacin equivalente al utilizado en la prctica, implementado con UJT,
(NTE6410) que servir para disparar un SCR. Use valores comerciales de dispositivos, consignando
memoria de clculo y diagrama del circuito.



o DEGEM Systems: Curso EB-113: Electrnica Industrial. Inter Training Systems-1998.
o Boylestad, Robert.: Electrnica. Teora de Circuitos. Prentice-Hall. 2. Edicin Mxico 1997.



Anlisis de resultados
Investigacin complementaria
Bibliografa
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EVALUACION
% 1-4 5-7 8-10 Nota

CONOCIMIEN
TO (1) 20%
Conocimiento deficiente de los
fundamentos tericos durante
la evaluacin previa de la
prctica.

Conocimiento y explicacin
incompleta de los fundamentos
tericos
Conocimiento completo y
explicacin clara de los
fundamentos tericos

APLICACIN
DEL CONOCI-
MIENTO 20%
Un porcentaje de mediciones,
entre el 0% y 45% son
satisfactorias en trminos de
exactitud y precisin
esperadas.(2)
Un porcentaje de mediciones,
entre el 45% y 75% son
satisfactorias en trminos de
exactitud y precisin esperadas.
(2)
Un porcentaje de mediciones,
entre el 75% y 100% son
satisfactorias en trminos de
exactitud y precisin
esperadas.(2)

20%
La informacin brindada en los
reportes, tareas e investigacin
complementaria es
insuficiente.
La informacin brindada en los
reportes, tareas e investigacin
complementaria contiene
menos elementos de lo
solicitado.
La informacin brindada en los
reportes, tareas e investigacin
complementaria es suficiente.

20%
No tiene la habilidad de
utilizar el osciloscopio.
Utiliza el osciloscopio con
dificultad, eventualmente no
ajusta los controles
adecuadamente al primer
intento.
Utiliza el osciloscopio
adecuadamente.

ACTITUD
10%
Se ha tardado un tiempo
mucho mayor al esperado para
realizar la prctica.
Se ha tardado un tiempo poco
mayor al esperado para realizar
la prctica.
El tiempo de realizacin de la
prctica es mejor que el
esperado.

10%
No tiene actitud proactiva para
realizar las mediciones durante
la prctica.
Su actitud es parcialmente
proactiva para realizar las
mediciones durante la prctica.
Muestra claramente una actitud
proactiva para realizar las
mediciones durante la prctica.

TOTAL
100%

(1) Relativos a parmetros elctricos de disparo, corriente de pico y de valle y otras caractersticas de la funcin de transferencia del
PUT.
(2) Para los valores de corriente, ngulos de disparo y oscilogramas solicitados.

Gua 4. El PUT.


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Escuela: Ingeniera Electrnica
Asignatura: Electrnica industrial