Universidade Federal do Rio de Janeiro

COPPE
Programa de Ps-Graduao em Engenharia de Nanotecnologia
Nanomateriais CNT706
Docente: Srgio Alvaro de Souza Camargo Jr






Simulao Monte Carlo








Discente: Erick Lorenzato Ferreira Vianna
DRE: 114098480







Rio de Janeiro
Junho de 2014
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Quase todos os eventos clssicos da engenharia macroscpica podem ser descritos por equaes
matemticas bem precisas. Quando se passa para escalas micro e nano, muitos dos comportamentos da
matria e energia se alteram graas contribuio quntica. Muitos processos em nano escala so
feitos e controlados computacionalmente, mas possuem uma grande dificuldade de projees e
previses de acontecimentos. Entre estes processos se encontram a Fsica das Radiaes, Dinmica das
Reaes Qumicas, Deposio de Filmes Finos, entre outros. Os processos citados acima tem em
comum a grande aleatoriedade dos eventos.
No caso da produo de filmes finos, existem diversas tcnicas de produo como Deposio por
Sputtering, Deposio por Evaporao, Deposio Qumica por Vapor, Deposio por Raio Inico e
Epitaxia de Raio Molecular. Nestes casos a descrio matemtica dos eventos prevista por
simulaes computacionais. As simulaes computacionais so mtodos relativamente rpidos,
baratos e to precisos quanto necessrio. Quando se trata de simulao em escala atmica, existem
duas grandes classes computacionais: Dinmica Molecular (MD) e a Simulao Monte Carlo.
A Dinmica molecular surgiu como um dos primeiros mtodos de simulao de aplicaes pioneiras
para a dinmica de lquidos no final dos anos 1950 e incio dos anos 1960. Devido aos avanos da
tecnologia dos computadores e otimizao de algoritmos, MD tornou-se, posteriormente, uma
ferramenta valiosa em muitas reas da fsica e da qumica. Existem duas famlias principais de
mtodos de MD que podem ser distinguidas de acordo com o modelo (e o formalismo matemtico)
escolhido para representar um sistema fsico: Abordagem Clssica e Abordagem Quntica. Na
abordagem da mecnica clssica para simulaes de DM, molculas so tratadas como objetos
clssicos, assemelhando-se a modelos esfricos. tomos correspondem a esferas e traos elsticos
correspondem a ligaes. As leis da mecnica clssica regem a dinmica do sistema. Na abordagem
quntica, toma-se em conta a natureza quntica da ligao qumica. A funo densidade de eltrons
para os eltrons de valncia que determinam a ligao no sistema calculada usando equaes
qunticas, ao passo que a dinmica de ons (ncleos com seus eltrons internos) seguida
classicamente. Simulaes Quantum MD representam um avano em relao abordagem clssica e
eles so usados no fornecimento de informaes em diversas reas, como a de fatores biolgicos.
Apesar disso, eles exigem mais recursos computacionais. A Dinmica Molecular foi muito utilizada
para calcular propriedades de equilbrio de um sistema, para simular o processo de deposio de Cu
em pequena escala, incluindo mecanismos de difuso e a probabilidade de adeso de tomos sobre
uma superfcie metlica. Uma limitao grave, contudo, que a integrao requer curtos passos de
tempo suficiente (aproximadamente entre 10 e15 s) para resolver as vibraes atmicas.
Consequentemente, o tempo total de simulao normalmente limitado a menos de um
microssegundo, enquanto processos que desejam estudar, por exemplo, difuso e aniquilao de
defeitos aps um evento em cascata, muitas vezes ocorrem em escalas de tempo muito mais longos.
Isto conhecido como "Problema de Escala de Tempo." A fim de se refinar as limitaes de escala de
tempo, inerentes ao mtodo de MD, desenvolveu-se a Modelagem Monte Carlo.
A modelagem Monte Carlo refere-se a uma ampla classe de algoritmos que resolvem os problemas
atravs da utilizao de nmeros aleatrios. Ele surgiu pela primeira vez no final dos anos 1940. Seu
nome refere-se natureza aleatria da corrida em Monte Carlo, Mnaco. O ncleo do algoritmo de
MC uma prescrio heurstica para um padro aceitvel de alteraes nas configuraes assumidas
pelo sistema. Tal movimento elementar depende do tipo de problema. Existem diversos algoritmos de
Monte Carlo, como Metropolis Monte Carlos (CMD), Monte Carlo Volumtrico (VMC), Monte Carlo
Quntico (QMD), Cintico de Monte Carlo (KMC).
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A ideia do VMC gerar nmeros aleatrios que so utilizados para produzir volumes por tomo ou
realizar outros tipos de anlise geomtrica. J o QMD gera trajetrias aleatrias que so usadas para
calcular as energias e funes de onda da mecnica quntica, muitas vezes para resolver problemas de
estrutura eletrnica, usando a equao de Schrdinger como ponto de partida formal. O algoritmo
CMD, tambm chamado de Monte Carlo Clssico provavelmente o mtodo Monte Carlo mais
utilizado na Fsica, e tem como objetivo determinar valores esperados de propriedades do sistema
simulado atravs de uma mdia sobre uma amostra. O algoritmo concebido de modo a se obter uma
amostra que siga a distribuio de Boltzmann. Uma longa srie de movimentos aleatrios gerada
com apenas alguns deles considerados bons se movem. Um movimento aceito incondicionalmente se
a nova configurao resulta em uma melhor energia potencial (inferior), caso contrrio, admite-se com
uma probabilidade dada pelo fator de Boltzmann. O algoritmo de Cintico de Monte Carlo uma
derivao do algoritmo Clssico.
A principal ideia por trs KMC a utilizao de taxas de transio que dependem da barreira de
energia entre os estados, com incrementos de tempo formulados de forma que eles se relacionam com
a cintica microscpica do sistema. Uma propriedade atraente de KMC que ele pode, em princpio,
dar a evoluo dinmica exata de um sistema, apesar deste ideal praticamente nunca ser alcanado. Isto
se deve, principalmente, ao fato de que geralmente h caminhos de reao no sistema que no se
espera com antecedncia. A desvantagem desta abordagem, no entanto, que as vias importantes
podem ser imprecisas, pois detalhes atomsticos so desconsiderados, alm disso, todos os processos
fsicos relevantes devem ser explicitamente includos nas simulaes, parametrizados com constantes
de velocidade caractersticas obtidas a partir de dados experimentais ou simulaes de DM. Assim, se
o objetivo de um estudo KMC obter dinmica preditiva precisa, aconselhvel realizar investigaes
paralelas a outros modelos como o sistema usando Dinmica Molecular, Cintica On-The-Fly Monte
Carlo. Apesar destas limitaes, no entanto, a abordagem KMC continua a ser a mais poderosa
disponvel para fazer previses dinmicas em pequenas escalas sem recorrer a outros modelos. Ele
tambm pode ser usado para fornecer a entrada e/ou verificao de tratamentos de alto nvel, tais como
teorias de modelos de taxa ou simulaes de elementos finitos. Alm disso, mesmo em situaes em
que uma simulao mais precisa seria vivel, a extrema eficincia da KMC torna ideal para simulaes
rpidas nas mais diferentes condies, por exemplo, para estudos de modelos.
Ao se fazer simulaes de deposio de filme fino com o KMC, utiliza-se um modelo de lanamento
atmico, ou seja, uma partcula lanada sobre uma superfcie com determinadas condies. Devem-
se restringir variveis como: tempo de simulao ou tempo de processo, posio de deposio (fixa ou
randmica), possibilidade de choque de tomos, raio de impacto, influencia do impacto, energia de
incidncia, ngulo de incidncia e possibilidade de eventos de difuso. Ao se listar as possibilidades
existentes no sistema para o programa, randomicamente os eventos ocorrem de forma plausvel. Isto
quer dizer, restringir os 4 pontos-chaves ao se fazer esse tipo de simulao: Escolher a estrutura de
rede apropriada e implementar a estrutura de rede de forma eficiente; configurar uma regra para decidir
se um tomo de entrada vai ficar com a superfcie e onde o tomo vai ficar; Determinar as regras de
difuso que deve incluir mecanismos de difuso e taxas de difuso; Apresentar uma maneira eficiente
de observar todos os eventos possveis. A escolha da temperatura imputada importante, pois para
relativas altas temperaturas, o sistema tende a priorizar mais o estado de difuso do que crescimento do
filme fino. Alm disso, o ponto mais importante para o crescimento do cristal o ngulo de incidncia.
Ele afeta todas as propriedades do filme fino como densidade, espessura, rugosidade, ngulo de
crescimento e morfologia. Vale ressaltar que esse procedimento gera cristais perfeitos, e o modelo de
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difuso ideal, fatos que no correspondem ao caso de experimentos reais. A modelagem de um
sistema real complexa e muitas vezes invivel.
Para se avaliar os resultados de crescimento aps ou durante o processo, pode-se observar que
inicialmente existem muitos gros. Ao passar do tempo, e crescimento dos gros, alguns desses
crescem por cima de outros, o que limita o aumento de tamanho de diversas partculas. Assim, o
nmero de partculas em cada cama ser um tanto menor quanto maior for espessura do filme.
Quanto maior a angulao de incidncia, maior o sombreamento de partculas sobre as outras.
medida que o ngulo de incidncia aumenta, h um crescimento gradual de poros. A Figura 1 mostra
dados deste tipo de simulao utilizando KMC.

Figura 1 - Simulao de crescimento de cristais e o fenmeno de sombreamento para t= 0,1;0,2 e 0,3 segundos

Uma tcnica de caracterizao bem compatvel para se comparar os resultados da simulao como a
rugosidade e espessura a Difrao de Raio-X. A Difrao de Raio-X uma das principais tcnicas
utilizadas na caracterizao de microestruturas de materiais cristalinos. A tcnica consiste na
incidncia da radiao em uma amostra e na deteco dos ftons difratados, que constituem o feixe
difratado. O fton aps a coliso com o eltron muda sua trajetria, mas sem perda de energia, ou seja,
o absorve a energia do fton e a reemite instantaneamente, portanto, cada eltron um centro emissor
de Raio-X. Isto ocorre segundo a Lei de Bragg, a qual estabelece a relao entre os planos que a
originaram (caractersticos para cada fase cristalina). Este procedimento possvel porque os tomos
se ordenam em planos cristalinos separados entre si por distncias da mesma ordem de grandeza dos
comprimentos da onda dos raios X. Assim pode-se verificar que as relaes de fase entre os
espalhamentos adquirem certa periodicidade e que efeitos de difrao de Raios-X podem ser
observados em vrios ngulos. O resultado de uma anlise de difrao se chama difratograma e um
modelo grfico de espectros, um exemplo apresentado na Figura 2.

Figura 2 - Espectro de emisso de Raio-X do Cu
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O processo de simulao de deposio de filmes finos em substratos possui extrema importncia na
sociedade moderna. Dado sua dificuldade de modelagem matemtica, faz-se mo de mtodos de
simulao. O mtodo Cintico Monte Carlo uma grande possibilidade de se obter parmetros de um
modo relativamente simples. Seus resultados podem ser comparados com espectros de Difrao de
Raio-X.


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Disponvel em http://www.angelfire.com/crazy3/qfl2308/1_multipart_xF8FF_2_DIFRACAO.pdf, Acessado
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Disponvel em https://www.ipam.ucla.edu/publications/matut/matut_5898_preprint.pdf, Acessado dia
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WANG, L. , Clancy, P., Kinect Monte Carlo simulation of the growth of polycrystalline Cu films,
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