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UNIVERSIDADE ESTADUAL DE PONTA GROSSA

SETOR DE CINCIAS AGRRIAS E DE TECNOLOGIA


DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA DE MATERIAIS










ANA KAORI DE OLIVEIRA OUBA










FUNDAMENTOS DE MICROSCOPIA ELETRNICA























PONTA GROSSA
2014


ANA KAORI DE OLIVEIRA OUBA























FUNDAMENTOS DE MICROSCOPIA ELETRNICA

Trabalho apresentado disciplina de
Fundamentos de Microscopia Eletrnica como
requisito parcial de avaliao do curso de
Mestrado em Cincia e Engenharia de Materiais
pela Universidade Estadual de Ponta Grossa.

Professor Dr. Osvaldo Mitsuyuki Cintho















PONTA GROSSA
2014





SUMRIO

1 INTRODUO ....................................................................................................................................4
2 MICROSCOPIA ELETRNICA DE VARREDURA .......................................................................6
3 ANLISE DAS AMOSTRAS DE PEROVISKITA ..........................................................................7
3.1 RECOBRIMENTO POR PELCULA CONDUTORA ..............................................................8
3.2 DIMETRO DO FEIXE ELETRNICO (PROBE) ............................................................... 10
3.3 ACELERAO DOS ELTRONS (AccV) ........................................................................... 12
3.4 DISTNCIA DE TRABALHO.................................................................................................. 14
3.5 FONTE DE ELTRONS ......................................................................................................... 16
3.5.1 IMAGEM POR ELTRONS SECUNDARIOS .............................................................. 17
3.5.2 IMAGEM POR ELTRONS RETROESPALHADOS .................................................. 18
4 CONCLUSO .................................................................................................................................. 19
5 REFERNCIAS ............................................................................................................................... 21








1 INTRODUO

Ao longo dos sculos, a necessidade humana de observao da natureza e
dos materiais atuou como uma fora motriz para o desenvolvimento de tcnicas e
equipamentos, os quais permitiram a expanso do campo de viso humana com
ampliaes de algumas dezenas at milhes de vezes.
Equipamentos extremamente sofisticados, que utilizam feixes de radiao
eletromagntica ou feixes de eltrons na construo das imagens, tm sido
aperfeioados, permitindo a obteno das imagens de dimenses bastante
reduzidas, com alta resoluo e em elevadas ampliaes. [1]
A Tabela 1 mostra as comparativamente resolues tpicas obtidas com
ampliaes dos objetos por diferentes tcnicas de microscopia.

Tabela 1: Diferentes tcnicas de microscopia e suas caractersticas principais
Microscpios
Resoluo
(aproximada)
Ampliao
(prtica)
Fonte
Requisito para
anlise da
amostra
Cristalo-
grafia
Olho humano 100 m --- Luz Material (volume) No
Microscpio de Luz
(ptico)
100 nm 5 ~ 1500x
Feixe
eletrnico
Material (Superfcie
polida)
No
Microscpio Eletrnico
de Varredura MEV
10 nm
100 ~
200.000x
Feixe
eletrnico
Material (Volume)
Depende
do modelo
Microscpio Eletrnico
de Transmisso MET
0,5 nm
1.000 ~
300.000x
Feixe
eletrnico
Filmes finos
(espessura ~ 100 nm)
Sim
Microscpio Eletrnico
de Transmisso de Alta
Resoluo MET
0,1 nm
3.000 ~
1.000.000x
Feixe
eletrnico
Filmes finos
(espessura ~ 100 nm)
Sim
Fonte: [5]

A histria da microscopia comea com a fabricao de lentes ticas, as
quais eram combinadas para ampliar a viso dos objetos. O primeiro microscpio
desenvolvido era capaz de ampliar cerca de 30 vezes o objeto em anlise. [2]
O aperfeioamento do microscpio tico foi conduzido at que sua nica
limitao se tornou o comprimento de onda da radiao (luz visvel), sendo este
grande demais para permitir maior poder de resoluo. Esta dificuldade permitiu o
desenvolvimento de modelos de microscpio, cujas fontes de iluminao
possussem pequenos comprimentos de onda. Em 1924, Louis de Broglie observou
o comportamento de eltrons como fontes de luz, e desta forma deu incio ao
desenvolvimento da microscopia eletrnica. [2]


A microscopia eletrnica teve um rpido desenvolvimento, e em poucos
anos permitiu grandes aumentos, com grande capacidade de resoluo e qualidade
das imagens obtidas. [5]
O primeiro microscpio eletrnico desenvolvido o de varredura (MEV), o
qual revela imagens topogrficas da superfcie com grande riqueza de detalhes.
Este aparelho forma uma imagem tridimensional da superfcie de amostras no
seccionadas e a imagem visualizada em um monitor acoplado ao microscpio,
nesse caso, os eltrons varrem apenas a superfcie externa do material. [1,3]
O segundo tipo de microscpio eletrnico o de transmisso (MET), o qual
tem forma imagens bidimensionais do interior do material sobre uma tela, por meio
da passagem de um o feixe de eltrons atravs de cortes extremamente finos da
amostra. A imagem formada diretamente a partir da impresso do feixe de eltrons
na tela de observao, aps a passagem pela amostra. O pequeno comprimento de
onda de eltrons faz com que o limite de resoluo do microscpio de transmisso
seja maior do que o de varredura. [1]
H diversas outras tcnicas para visualizao, anlise e caracterizao de
amostras. Estas dependem, principalmente, das limitaes dos materiais e da
necessidade de cada estudo em especfico. Neste trabalho, vamos nos limitar s
tcnicas utilizadas para analisar uma amostra cermica em um microscpio
eletrnico de varredura, disponvel no laboratrio do Departamento de Engenharia
de Materiais.
O microscpio eletrnico de varredura utilizado foi um modelo Shimadzu e
para este estudo, diversos parmetros foram alterados com fins didticos de
comparao e observao.













2 MICROSCOPIA ELETRNICA DE VARREDURA

O microscpio eletrnico de varredura (MEV) um equipamento capaz de
produzir imagens de alta ampliao e resoluo. A professora Ana Maria Maliska
afirma que, dependendo do material, o aumento pode ser de at 900.000 vezes. [1]
As imagens fornecidas pelo MEV possuem carter virtual, onde o qu
visualizado no monitor do aparelho a transcodificao da energia emitida pelos
eltrons, ao contrrio da radiao de luz que estamos acostumados. [3]
O MEV consiste basicamente de: uma coluna contendo o canho de
eltrons e sistema de demagnificao, unidade de varredura, cmara de amostra,
sistema de detectores e sistema de visualizao da imagem. O princpio de
funcionamento do MEV (Figura 2) consiste na emisso de feixes de eltrons por um
filamento capilar de tungstnio (eletrodo negativo), mediante a aplicao de uma
diferena de potencial que pode variar de 0,5 a 30 KV. Essa variao de voltagem
permite a variao da acelerao dos eltrons, e tambm provoca o aquecimento do
filamento. [2,5]
O eletrodo positivo, parte positiva em relao ao filamento do microscpio,
atrai fortemente os eltrons gerados, resultando numa acelerao em direo
amostra. A correo do percurso dos feixes realizada pelas lentes condensadoras
que alinham os feixes em direo abertura da objetiva. A lente objetiva ajusta o
foco dos feixes de eltrons antes dos eltrons atingirem a amostra analisada. [5]

Figura 2: Representao do funcionamento do microscpio eletrnico de varredura convencional



Fonte: [5]
Para a garantia do livre caminho mdio dos eltrons, necessrio um
sistema de alto vcuo nas partes que compem o equipamento. Para obteno das
imagens no MEV so captados eltrons secundrios, eltrons retroespalhados e
raios-X caractersticos. [3]

3 ANLISE DAS AMOSTRAS DE PEROVISKITA

As anlises feitas no MEV foram de duas amostras de peroviskita na forma
de pastilha, cuja composio contm LaNi
1-x
Fe
x
O
3
. A ttulo de comparao, foram
analisadas uma amostra contendo recobrimento com ouro (Figura 3.a) e outra sem
recobrimento (Figura 3.b).

Figura 3: a) amostra recoberta com ouro; b) amostra sem recobrimento




As amostras foram colocadas no equipamento. Aps os respectivos ajustes
(vcuo, temperatura e inclinao da amostra), fez-se um total de 11 imagens,
alterando-se parmetros como:
Recobrimento por pelcula condutora;
Dimetro do feixe eletrnico (probe);
Acelerao dos eltrons (AccV);
Distncia de trabalho (WD) e;
Fonte de eltrons.

3.1 RECOBRIMENTO POR PELCULA CONDUTORA

Materiais condutores eltricos, como os metais, podem ser estudados no
MEV sem qualquer preparao especial. Contudo, os materiais dieltricos, como a
maioria dos minerais e das substncias cermicas precisam tornar-se condutores
artificialmente, para dissipao da carga eltrica e do calor introduzidos pela
exposio ao feixe de eltrons. Assim, pelculas delgadas condutoras devem ser
depositadas na superfcie destas amostras, tendo espessuras entre 5 a 50 nm. [1]
As pelculas condutoras podem ser metlicas (Au, Au-Pd, Al) ou pelculas de
carbono. O carbono apresenta um nico pico no espectro de EDS e, portanto
interfere muito pouco nas microanlises. leve e devido a isto, no inibe a resposta
do detector de eltrons retro-espalhados, porm, como aplicado pela vaporizao
em vcuo, consegue-se boa camada apenas em superfcies lisas e planas. [1,5]
Em amostras com relevo, utiliza-se ouro aplicado em plasma de argnio
(sputter) com atmosfera turbulenta, que permite a aplicao do metal em superfcies
rugosas e cavidades. O ouro componente que melhor conduz eltrons, esta
caracterstica permite a obteno de imagens de melhor resoluo e magnificao.
[1]
As Figuras 4.a e 4.b so da amostra recoberta com ouro e no recoberta,
respectivamente.

Figura 4: a) amostra recoberta por pelcula de ouro; b) amostra sem recobrimento




Ambas apresentam o mesmo dimetro de feixe eletrnico, mesmo aumento
(3.000 vezes), mesma acelerao do feixe eletrnico (30 kV) e mesma fonte de
emissora, neste caso, eltrons secundrios. Neste caso, a diferena entre amostra
recoberta e no recoberta foi pequena. A resoluo praticamente no se altera neste
caso, provavelmente porque a perovskita em estudo uma cermica semi-
condutora, cujo princpio de utilizao em clulas a combustvel, justificando assim
o fato de produzir uma imagem boa, sem alteraes significativas causadas pelas
cargas eltricas geradas na superfcie da amostra.
As Figuras 5.a e 5.b tambm foram feitas a ttulo de comparao entre duas
amostras, recoberta com ouro e no recoberta, respectivamente.
Figura 5: a) amostra recoberta por pelcula de ouro; b) amostra sem recobrimento
a) b)





Neste caso, as imagens foram feitas com o mesmo aumento (3.000 vezes),
porm dimetro de feixe eletrnico e acelerao do feixe eletrnico reduzidos em
relao s primeiras amostras. possvel perceber que a resoluo foi prejudicada,
alm da noo de profundidade. Mas, da mesma forma que as Figuras 4.a e 4.b,
comparativamente, a resoluo das Figuras 5.a e 5.b esto bem semelhantes,
porm a distoro gerada pelas cargas eltricas aparece suavemente nas bordas de
alguns gros da amostra no recoberta, sempre prximo aos poros, atrapalhando a
emisso dos eltrons secundrios e formando contrastes irregulares mais claros do
que a amostra. O contraste, muito provavelmente se deve presena dos poros. A
amostra recoberta no apresentou esta caracterstica to acentuadamente, graas
camada de ouro depositada sobre a superfcie.

3.2 DIMETRO DO FEIXE ELETRNICO (PROBE)

O canho de eltrons do microscpio eletrnico de varredura usado para a
produo do feixe de eltrons com energia e quantidade suficiente para ser captado
pelos detectores. O dimetro do feixe produzido diretamente pelo canho de
a) b)


eltrons muito grosseiro para produzir uma boa imagem em grandes aumentos e
por isso precisa ser reduzido pelas condensadoras (lentes eletromagnticas). A
maioria dos MEV capaz de produzir um feixe de eltrons que ao atingir a amostra
tenha um dimetro da ordem de 10 nm e que ainda possua corrente suficiente para
formar uma imagem com boa resoluo. [2]
O feixe eletrnico demagnificado por vrias lentes eletromagnticas, cuja
finalidade produzir um feixe de eltrons focado com um pequeno dimetro numa
determinada regio da amostra, isto , cada lente eletromagntica e abertura
existente ao longo da coluna reduz o dimetro do feixe de eltrons, bem como a
corrente do feixe fica algumas ordens de grandeza menor quando atinge a amostra.
[1]
A abertura final, com dimetro de 50 a 300 m, colocada na ltima lente
(objetiva). Esta abertura diminui o ngulo de divergncia dos eltrons da lente
condensadora para os dos eltrons que entram na objetiva. O ngulo final ir
determinar a profundidade de foco e est relacionado com o tamanho da abertura
final. Pequenos ngulos causam maior profundidade de foco, isto , quanto menor o
dimetro do feixe, melhor ser a resoluo e noo de profundidade. [5] Estas
caractersticas expostas acima podem ser observadas nas Figuras 6, 7 e 8.

Figura 6: a) Dimetro do feixe de eltrons maior (probe = 4.0); b) dimetro menor (probe = 3.0)


Figura 7: a) Dimetro do feixe de eltrons maior (probe = 4.0); b) dimetro menor (probe = 3.0)
a) b)




Figura 8: a) Dimetro do feixe de eltrons maior (probe = 5.5); b) dimetro menor (probe = 3.0)

Conforme a literatura, constata-se o fato de que dimetros menores do feixe
eletrnico resultam em um sinal de eltrons secundrios com melhor resoluo e
melhor poder de observao de profundidade. [1] possvel observar inclusive, que
as amostras contendo maior dimetro de feixe eletrnico apresentam falhas em
alguns contornos de gros dificultando o limite entre eles e tambm ocultam gros
menores e mais profundos, fazendo com que a regio seja semelhante um poro.

3.3 ACELERAO DOS ELTRONS (AccV)

A acelerao dos eltrons do feixe primrio determinada pela diferena de
potencial entre o catodo e o anodo no gerador de eltrons, sendo a energia do feixe
gerado geralmente medido em eltron-volts (eV). Nos equipamentos disponveis, a
diferena de potencial pode variar de 0,5 at 30 kV. Quanto maior for tenso
aplicada maior ser a acelerao e a energia do feixe de eltrons. [5]
Como consequncia de uma acelerao maior, tem-se uma maior
profundidade de penetrao e um maior volume de interao (Figura 9). De modo
geral, o aumento da energia do feixe conduz a uma maior resoluo da imagem,
mas possui o inconveniente de aumentar o carregamento eletrosttico da superfcie,
a) b)
a) b)


podendo causar danos superfcie da amostra, efeito de borda ou afetar a nitidez
das imagens. [1]

Figura 9: Variao do volume e profundidade de penetrao do feixe de eltrons da amostra com o
aumento da energia do feixe (E) e com o aumento do nmero atmico (Z)

Fonte: [5]

As Figuras 10 e 11 demonstram o fenmeno descrito ao comparar imagens
com diferentes aceleraes do feixe de eltrons.
Figura 10: a) Acelerao maior do feixe de eltrons (AccV = 30 kV); b) acelerao menor (AccV = 15 eV)


a) b)



Figura 11: a) Acelerao maior do feixe de eltrons (AccV = 30 kV); b) acelerao menor (AccV = 15 eV)



Como consequncia de uma acelerao maior, tem-se uma maior
profundidade de penetrao e um maior volume de interao. Neste caso, as
amostras com acelerao de 30 kV apresentaram qualidade de imagem e resoluo
notadamente superior quando comparadas s imagens obtidas com acelerao de
15 kV. A maior energia emitida auxilia na melhor percepo dos contornos de gros
e a distribuio, isto , profundidade destes.






3.4 DISTNCIA DE TRABALHO

a) b)


A distncia de trabalho a distncia entre a amostra e a lente objetiva.
Quanto menor a distncia de trabalho, melhor ser a resoluo. Por outro lado,
quanto maior a distncia de trabalho maior ser a profundidade de campo obtida.
A imagem formada a partir do sinal captado na varredura eletrnica de uma
superfcie pode apresentar diferentes caractersticas, uma vez que a imagem resulta
da amplificao de um sinal obtido de uma interao entre o feixe eletrnico e o
material da amostra. Diferentes sinais podem ser emitidos pela amostra. Dentre os
sinais 12 emitidos, os mais utilizados para obteno da imagem so originrios dos
eltrons secundrios e/ou dos eltrons retroespalhados. [1] A resoluo da imagem
determinada pelo dimetro sobre o qual sair o sinal que ser utilizado para formar
a imagem. [2]
Os eltrons secundrios so bem pouco energticos, porm so os que
permitem obter a melhor resoluo. Eles no tm capacidade para percorrer grandes
trajetos dentro do material, pois eles provm de uma zona da ordem de alguns
angstrons () em torno do feixe incidente. Desta forma, quanto menor for a distncia
de trabalho da amostra, melhor ser a emisso e captao destes eltrons
secundrios. [2]
Para serem detectados, as partculas e/ou os raios eletromagnticos
resultantes da interao do feixe eletrnico com a amostra devem retornar
superfcie da amostra e atingirem o detector. A profundidade mxima de deteco
(ou resoluo espacial) depende da energia com que estas partculas ou raios
atingem o detector, ou so capturadas pelo mesmo. Assim, eltrons retroespalhados
possuem maior energia do que os eltrons secundrios, assim, o detector de
eltrons retroespalhados ir operar na faixa de energia maior e o de eltrons
secundrios na faixa menor. [2]
Os eltrons retroespalhados possuem uma energia que em torno daquela
do feixe incidente (choques elsticos). A resoluo ser, portanto, maior medida
que a tenso for mais fraca. Mas preciso salientar o fato de que se produzem
menos eltrons retroespalhados medida que a tenso diminui. [5]



Figura 12: a) Distncia de trabalho maior (WD = 41); b) Distncia de trabalho menor (WD = 24)


As imagens mostram claramente a influncia da distncia de trabalho. A
amostra com distancia menor (Figura 12.b) apresenta melhor definio dos
contornos de gros e melhor nitidez, porm apresenta manchas esbranquiadas
devido ao fato de no estar recoberta com a camada de ouro, demonstrando o efeito
das cargas eletrostticas na superfcie. Alm disso o efeito da profundidade tambm
pode ser observado, onde a amostra com maior distncia de trabalho apresentou
melhor percepo da distribuio dos gros.

3.5 FONTE DE ELTRONS

Conforme dito anteriormente, os eltrons do feixe primrio interagem com o
material em anlise, gerando sinais que sero captados para formar imagens. Estes
sinais podem ser de eltrons secundrios (ES), eltrons retroespalhados (ERE)
(Figura 13) ou raios X caractersticos. O sinal de ES o mais usado. [1]

Figura 13: Esquema da produo de eltrons secundrios e retroespalhados

Fonte: [1]
a) b)


3.5.1 IMAGEM POR ELTRONS SECUNDARIOS

Eltrons secundrios (ES) so aqueles ejetados de tomos da amostra
devido a interaes inelsticas dos eltrons energticos do feixe primrio com
eltrons pouco energticos da banda de conduo nos metais ou de valncia nos
semicondutores e isolantes. Por definio so emitidos da amostra com energia
inferior a 50 eV. [1,6]
Uma das caractersticas dos eltrons secundrios a sua baixa
profundidade de escape, resultado direto da baixa energia com que so produzidos.
Os ES so produzidos durante todo o caminho do eltron primrio pela amostra,
como consequncia das interaes inelsticas. [1,6]
Os eltrons secundrios so formados em todo o volume de interao do
feixe eletrnico, porm somente aqueles que se encontram prximos a superfcie
tero energia suficiente para escapar da amostra e iro contribuir para o sinal. Esta
profundidade de cerca de 1 nm para os metais e 10 nm para os materiais
isolantes. [1].
Figura 14: Imagens obtidas via eltrons secundrios.
a) Dimetro do feixe de eltrons menor (probe = 3.0); b) Dimetro do feixe maior (probe = 5.5)


a) b)



Basicamente, os eltrons secundrios so gerados pelos eltrons do feixe
primrio medida que vo penetrando na amostra, e tambm pelos eltrons
retroespalhados quando estes vo deixando a amostra. [1]
As imagens observadas no MEV (Figuras 14.a e 14.b) so resultados da
variao de contraste que ocorre quando um feixe de eltrons primrios varre a
superfcie da amostra em anlise ponto a ponto. Resumidamente, as variaes de
contraste ponto a ponto ocorrem devido a variao do nmero de eltrons que so
emitidos da amostra e que atingem o detector.
3.5.2 IMAGEM POR ELTRONS RETROESPALHADOS

O sinal de eltrons retroespalhados resulta de uma sequncia de colises
elsticas e inelsticas, no qual a mudana de direo suficiente para ejet-lo da
amostra. Eles produzem sinais importantes para a obteno de imagens no MEV. [1]
Por definio, os ERE possuem energia varia entre 50 eV at o valor da
energia do eltron primrio. Os eltrons retroespalhados com energia prxima a dos
eltrons primrios so aqueles que sofreram espalhamento elstico e formam a
maior parte do sinal de ERE. Estes so resultantes de colises elstica, sendo,
portanto, oriundos da camada mais superficial da amostra. Desta forma, as
informaes de profundidade contidas na imagem sero insuficientes comparadas
com profundidade de penetrao do feixe, justificando a resoluo prejudicada em
comparao com as imagens por ES (Figuras 14.a e 14.b). [1,6]

Figura 15: Imagem obtida via eltrons retroespalhados.


O mecanismo de contraste mais importante dos ERE o contraste de
composio, pois o coeficiente de emisso dos eltrons retroespalhados est


diretamente relacionado com o nmero atmico. O sinal de ERE tambm contm
informaes sobre a topografia da amostra, pois o coeficiente de emisso dos
eltrons depende do ngulo de incidncia do feixe de eltrons primrios com a
superfcie da amostra. Contrastes cristalogrficos tm pouca influncia na imagem
de ERE. [1]
Resumidamente, o sinal de ERE resulta das interaes que ocorreram em
regies mais interiores da amostra com baixa energia, provenientes da regio do
volume de interao com maior dimetro do que o dimetro do feixe primrio
resultando em na gerao de imagens com resoluo menor em comparao com a
imagem correspondente dos ES. [1,6]
4 CONCLUSO

Basicamente, as tcnicas de microscopia tm como objetivo a construo de
imagens ampliadas dos objetos e sistemas observados. O princpio da microscopia
eletrnica de varredura consiste na emisso de um feixe de eltrons por um
filamento de tungstnio, que concentrado, controlado e reduzido por um sistema de
lentes eletromagnticas, diafragmas e bobinas incide sobre a amostra, provocando
uma srie de emisses de sinais relacionados com a interao do feixe de eltrons
incidente e a amostra. Os sinais emitidos encontram-se sob a forma de eltrons
(secundrios, retroespalhados, absorvidos, transmitidos, difratados, etc.) e de ftons
(fotoluminescentes e raios-X) so captados por detectores apropriados, sendo
amplificados e processados num sistema analisador especfico para cada tipo de
sinal. [5]
Conforme foi observado, a obteno de uma boa imagem depende de
diversos fatores, alguns fixos como temperatura e presso e outros ajustveis de
acordo com o material a ser analisado. Neste trabalho foram feitas imagens de duas
pastilhas de peroviskita (LaNi
1-x
Fe
x
O
3
), e por questes didticas foram alterados
alguns parmetros do equipamento para que fosse possvel observar em qual
situao a imagem apresentou melhor qualidade.

Concluso sobre os parmetros em anlise:
a) Recobrimento por pelcula condutora: sabendo que material em estudo
uma cermica semicondutora, fez-se anlises de uma pastilha recoberta com
material condutor e outra sem o recobrimento. Conforme a literatura, amostras no


condutoras podem sofrer com o carregamento eletrosttico da superfcie, podendo
causar contrastes irregulares, deformao e deslocamento da imagem e micro-
anlises de regies diferentes das consideradas. Neste trabalho a influncia do
recobrimento foi pequena, justamente pelo fato de ser uma cermica semicondutora.
b) Dimetro do feixe eletrnico (probe): A funo da lente objetiva controlar
o dimetro do feixe eletrnico que ir incidir sobre a amostra. Conforme discutido
anteriormente, quanto menor o dimetro do feixe, melhor ser a resoluo e noo
de profundidade.
c) Acelerao dos eltrons (AccV): Sabendo que, quanto maior for esta
tenso aplicada maior ser a acelerao e a energia do feixe de eltrons, foi
constatado nas imagens experimentais que aceleraes maiores produziram maior
profundidade de penetrao do feixe e um maior volume de interao. De modo
geral, o aumento da energia do feixe conduz a uma maior resoluo da imagem,
mas contribui de forma negativa aumentando o carregamento eletrosttico da
superfcie, que podem prejudicar a formao das imagens.
d) Distncia de trabalho (WD): Conforme constatado, quanto menor a
distncia de trabalho, melhor ser a resoluo. Por outro lado, quanto maior a
distncia de trabalho maior ser a profundidade de campo obtida. Isto ocorre devido
ao fato de que a distncia de trabalho est diretamente relacionada com a captao
dos eltrons emitidos.
e) Fonte de eltrons: Com relao fonte de eltrons, tem-se que os
eltrons secundrios oferecem melhor resoluo e noo de profundidade, em
contra partida os eltrons retroespalhados permitem observaes mais profundas,
auxiliando na anlise da composio do material.
Pode-se concluir desta forma, que a melhor imagem pode ser obtida quando
houver uma pelcula de material condutor homogeneamente dispersa na superfcie
do material. Alm disso, quanto menores forem o dimetro do feixe eletrnico
primrio e a distncia de trabalho, em conjunto com a maior acelerao possvel,
melhor ser a resoluo e qualidade da imagem. A escolha da fonte de eltrons
(secundrios ou retroespalhados) dever ser feita de acordo com o tipo de anlise
que se deseja obter.















5 REFERNCIAS

[1] MALISK, A. M., Microscopia Eletrnica de Varredura. Universidade Estadual
de Santa Cataria (UFSC).

[2] GOMES, G. M., Microscopia eletrnica de varredura: aplicaes e preparao
de amostras: materiais polimricos, metlicos e semicondutores. Universidade
Estadual de Santa Cataria (UFSC), 2007.

[3] Laboratrio do Departamento de Geologia. Universidade Federal de Ouro Preto.
Disponvel em: <http://www.degeo.ufop.br/laboratorios/microlab/mev.htm>. Acesso
em 14/06/2014.

[4] Infopdia Enciclopdia e Dicionrios Porto Editora. Histria da Microscopia.
Disponvel em: <http://www.infopedia.pt/$historia-da-microscopia>. Acesso em
14/06/2014.

[5] MASUR, H. S., Tcnicas de Caracterizao de Materiais. Disponvel e:
<http://www.biomaterial.com.br/capitulo7part01.pdf>. Acesso em 14/06/2014.

[6] DEDAVID, B. A., GOMES, C. I., MACHADO, G., Microscopia Eletrnica de
Varredura: Aplicaes e preparao de amostras. Porto Alegre RS, EDIPUCRS
2007.