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TECSUP - PFR Electrnica de Potencia
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Unidad I

I IN NT TR RO OD DU UC CC CI I N N A A L LA A E EL LE EC CT TR R N NI IC CA A D DE E P PO OT TE EN NC CI IA A

1. DEFINICIN

Con el trmino de Electrnica de Potencia se refiere al control y
conversin de la energa elctrica por medio de dispositivos
semiconductores de potencia que trabajan como interruptores. Con la
llegada de los Rectificadores Controlados de Silicio (SCR), se empez a
desarrollar una nueva rea de aplicacin llamada Electrnica de Potencia.

Previamente a la introduccin de los SCRs, los rectificadores de arco de
mercurio eran usados para controlar la energa elctrica, pero su campo
de aplicacin era limitado. Una vez que los SCRs y otros dispositivos de
potencia tales como los transistores MOSFET e IGBT salieron al mercado,
el rea de aplicacin se esparci a muchos campos. Ver figura 1.

Figura 1.1

Aplicaciones de los dispositivos de potencia. (Cortesa de Powerex, Inc.)

En la figura 1.1 se observa que en el plan futuro de desarrollo de nuevos
dispositivos de potencia se tiene la tendencia a incrementar el rango de
potencia a controlar (mayores niveles de voltaje y corriente que puedan
Electrnica de Potencia TECSUP - PFR

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soportar) as como ha incrementar la velocidad de operacin de los
mismos, logrando de este modo reducir el tamao de los equipos (filtros
ms pequeos).

1.1 PRINCIPALES TAREAS DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA

La Electrnica de Potencia tiene aplicaciones a lo amplio de todo el campo
de los sistemas elctricos de potencia, con un rango de potencia de estas
aplicaciones extendindose desde unos cuantos VA/Wats a muchos
MVA/MW.

La tarea principal de la Electrnica de Potencia es controlar y convertir la
energa elctrica de una forma a otra. Las cuatro principales formas de
conversin son:

- Rectificacin referida a la conversin de voltaje AC a voltaje DC.
- Conversin DC a AC.
- Conversin DC a DC.
- Conversin AC a AC.

1. CONVERTIDORES ELECTRNICOS DE POTENCIA

Es el trmino que se usa para referirse a un circuito electrnico que convierte
voltaje y corriente de una forma a otra. Estos convertidores pueden clasificarse
como:

- Rectificador, que convierte voltaje AC a voltaje DC.
- Inversor, que convierte voltaje DC a Voltaje AC.
- Chopper o Fuente de Alimentacin Conmutada, que convierte voltaje DC a
voltaje DC.
- Cicloconvertidor, que convierte voltaje AC a voltaje AC.

En suma, los SCRs y otros dispositivos de potencia son usados como
interruptores estticos.

RECTIFICACIN

Los rectificadores convierten voltaje AC en voltaje DC. Pueden ser
clasificados como controlados y no controlados, y los
rectificadores controlados pueden ser luego divididos en semi-
controlados y totalmente controlados.

Los rectificadores no controlados son implementados con diodos, y los
rectificadores totalmente controlados son implementados con SCRs.
Ambos, diodos y SCRs son usados en circuitos rectificadores semi-
controlados.

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Ventrada = VAC
(valor constante)
Vsalida = VDC
(valor constante)
RECTIFICADOR
NO CONTROLADO
+
-

Ventrada = VAC
(valor constante)
Vsalida = VDC
(valor variable)
RECTIFICADOR
CONTROLADO
+
-

Figura 1.2

Hay algunas configuraciones de circuitos rectificadores. Los ms
populares son:

- Puente rectificador monofsico semi-controlado.
- Puente rectificador monofsico totalmente controlado.
- Tres fases tres pulsos, rectificador conectado en estrella.
- Doble tres fases tres pulsos, rectificador de tres pulsos conectado en
estrella con transformador inter-fase (IPT).
- Puente rectificador trifsico semi-controlado.
- Puente rectificador trifsico totalmente controlado.
- Doble tres fases puente rectificador totalmente controlado con IPT.

Tambin hay rectificadores de 12 pulsos conectados en serie para
aplicaciones de gran potencia de salida.

El rango de potencia de un rectificador monofsico tiende a ser menor a
10 kW. Los puentes rectificadores trifsicos son usados para desarrollar
grandes potencias de salida, hasta 500kW a 500VDC o an ms. Para
aplicaciones de bajos voltajes y grandes corrientes, se usan un par de
rectificadores trifsicos, tres pulsos interconectados con transformador
IPT. Para grandes corrientes de salida, son preferidos los rectificadores
con IPT para conectar dispositivos directamente en paralelo. Hay muchas
aplicaciones para rectificadores. Algunos son:


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- Variadores de velocidad de motores DC.
- Cargadores de batera.
- Fuentes de alimentacin DC para aplicaciones como electro-plateado.

CONVERTIDOR DC-AC

El convertidor que cambia voltajes DC a voltaje alternado es llamado
Inversor. Al; comienzo los inversores eran implementados con SCRs.

Debido a que los circuitos necesarios para apagar los SCRs eran muy
complejos, actualmente se usan otros dispositivos semiconductores de
potencia tal como los transistores bipolares (BJT), MOSFET de potencia,
transistores de compuerta aislada (IGBT) y los tiristores controlados por
MOS (MCTs).

Comnmente, slo los inversores con un gran rango de potencia, tal
como 500kW o mayores, son implementados con SCRs o tiristores
apagados por compuerta (GTOs).

Existen muchos circuitos inversores y las tcnicas para controlarlos varan
en complejidad.

Ventrada = VDC
(valor constante)
Vsalida = VAC
(valor variable)
INVERSOR
+
-
MOSFET IGBT

Figura 1.3

Algunas de las aplicaciones de los inversores son:

- Sistemas de luces de emergencia.
- Variadores de velocidad de motores AC.
- Fuentes de alimentacin ininterrumpidas (UPS).
- Convertidores de frecuencia.

CONVERTIDOR DC-DC

Cuando se usaban los SCRs, un circuito convertidor DC-DC era llamado
Chopper. Hoy en da, los SCR son poco usados en convertidores DC-DC.
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En su lugar se usan los transistores de potencia y los circuitos
convertidores DC-DC son llamados Fuentes de alimentacin conmutadas.

Ventrada = VDC
(valor constante)
Vsalida = VDC
(valor variable)
FUENTE
CONMUTADA
+
-
MOSFET IGBT
+
-

Figura 1.4

A continuacin tenemos los siguientes tipos:

- Fuente de alimentacin conmutada Step-down.
- Fuente de alimentacin conmutada Step-Up.
- Convertidor Fly-back.
- Convertidor resonante.

Algunas de las aplicaciones de las fuentes de alimentacin conmutadas
son:

- Variador de velocidad de motor DC.
- Cargador de bateras.
- Fuente de alimentacin DC.

CONVERTIDOR AC-AC

Un cicloconvertidor o cicloinversor convierte voltaje AC, en otro voltaje
AC. La amplitud y la frecuencia del voltaje de entrada al cicloconvertidor
tiende a ser fijo, mientras que la amplitud y el voltaje de salida tiende a
ser variable. De otro modo, el circuito que convierte voltaje AC a otro
voltaje AC de igual frecuencia es conocido como Chopper-AC.

Ventrada = VAC
(valor constante)
Vsalida = VAC
(valor variable)
CICLOCONVERTIDOR
+
-

Figura 1.5
Una aplicacin tpica del cicloconvertidor es usarlo para controlar la
velocidad de un motor AC de traccin de gran potencia, del orden de
unos cuantos MW y se usan los SCRs para implementar dichos circuitos.
Debe notarse que el uso de cicloconvertidores no es tan comn como los
inversores y son raramente usados.

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2. OBSERVACIONES ADICIONALES A LA ELECTRONICA DE POTENCIA

La mayor cantidad de circuitos de potencia hacen uso intensivo de inductores y
capacitores.

En muchas aplicaciones de electrnica de potencia, un inductor puede recibir una
gran corriente a alta frecuencia. Las implicancias de operar un inductor de dicha
manera, hacen necesario el empleo de cables con acabados especiales, as como
ncleos apropiados para limitar las prdidas respectivas y evitar tambin la
interferencia electromagntica.

Usualmente los capacitores usados en electrnica de potencia son muy robustos,
pues son operados a alta frecuencia y con corrientes de pico pasando a travs
del mismo peridicamente. Esto significa que el rango de trabajo de los
capacitores a la frecuencia de operacin debe ser chequeado antes de su uso.

En muchos circuitos de electrnica de potencia, los diodos cumplen un rol crucial.
Un diodo de potencia normal es diseado para ser operado a frecuencias
menores a 400Hz. La mayora de inversores y fuentes de alimentacin
conmutadas son operadas a frecuencias muy altas y por lo tanto se debe usar
diodos de conmutacin rpida.

El anlisis de los circuitos electrnicos de potencia tiende a ser complicado, a
causa de que estos circuitos raramente trabajan en estado estable.
Tradicionalmente la respuesta en estado estable se refiere al estado del circuito
caracterizado por su respuesta en DC y respuesta senoidal. La mayora de los
circuitos electrnicos de potencia tienen respuesta peridica, pero dicha
respuesta no es senoidal. Desde que la respuesta no es senoidal, es necesario
efectuar el anlisis de armnicos.

La electrnica de potencia tiene naturaleza interdisciplinaria. Para disear y
construir circuitos de control de una aplicacin de electrnica de potencia, se
necesita conocimientos de algunas reas tal como se lista lneas abajo:

- Diseo de circuitos electrnicos analgicos y digitales.

- Microcontroladores y procesadores de seales digitales para su uso en
aplicaciones sofisticadas.

- Muchos circuitos electrnicos de potencia tienen una mquina elctrica como
carga. En los variadores de velocidad de motor AC, pueden ser motores de
reluctancia, motores asncronos o motor sncrono. En un variador de velocidad
de motor DC, son usados los motores DC tipo shunt.
- En los circuitos inversores, un transformador puede conectarse a la salida y
tener que trabajar con voltajes no senoidales.

- Los transformadores de pulso con ncleo de ferrita son usados para transferir
la seal de disparo al dispositivo semiconductor de potencia. Transformadores
con ncleo de ferrita de gran potencia de salida es tambin usado en
aplicaciones tal como inversores de alta frecuencia.
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- Muchos sistemas electrnicos de potencia son operados con realimentacin
negativa. Un controlador lineal tal como el PI es usado en aplicaciones
relativamente simples, mientras que controladores basados en circuitos
digitales o tcnicas de realimentacin de estado variable son usados en
aplicaciones mas sofisticadas.

- Los simuladores por computadora son muy usados para optimizar el diseo de
los sistemas electrnicos de potencia.

El estudio de la Electrnica de Potencia es una experiencia excitante pues su
campo de aplicacin crece da a da. Los nuevos dispositivos que ingresan al
mercado, sustancialmente desarrollan su trabajo en aplicaciones de Electrnica
de Potencia.

T TI IP PO OS S Y Y P PR RU UE EB BA AS S D DE E E ES ST TA AD DO O

1. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

A partir de 1970 se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de
potencia que quedaron disponibles en forma comercial.

1.2 TIPOS Y SMBOLOS

1.1.1. DIODOS RECTIFICADORES

Figura 2.1

1.1.2. TIRISTORES

Figura 2.2

Anodo
A
Ctodo
K
Smbol
o
Gate
G
Anodo
A
Ctodo
K

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1.1.3. TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNTURA (BJT)

Figura 2.3
1.1.4. TRANSISTORES DE METAL XIDO SEMICONDUCTOR
FET (MOSFET)

Figura 2.4

1.1.5. TRANSISTORES BIPOLARES DE COMPUERTA AISLADA
(IGBT)
Figura 2.5

2. FUNCIONAMIENTO IDEAL

De un modo ideal estos semiconductores funcionan como interruptores y por
tanto tienen dos posiciones definidas:

G
C
E
Colector
C
E
Emisor
Base
B
Gate
G
Drenador
D
S
Surtidor
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ESTADO DE BLOQUEO O CORTE

El semiconductor no permite el paso de corriente. En dicho estado el
semiconductor soporta el voltaje proporcionado por la fuente de
alimentacin.

Terminal
Principal 1
Terminal
Principal 2
I= 0
Dispositivo Semiconductor
de Potencia
Terminal
de control

Figura 2.6
ESTADO DE CONDUCCIN O SATURACIN

El semiconductor permite el paso corriente, y la cada de tensin que
produce es nula en caso ideal. En dicho estado la cantidad de corriente
que fluye por el semiconductor depende del valor de la carga.

Terminal
Principal 1
Terminal
Principal 2
I
Dispositivo Semiconductor
de Potencia
Terminal
de control

Figura 2.7

CONTROL

El paso del estado de bloqueo al de conduccin depende de la aplicacin
de una seal (de corriente o voltaje segn el tipo de dispositivo) al
terminal de control as como de la correcta polarizacin de los terminales
principales del semiconductor.

El nico dispositivo de potencia que no tiene terminal de control es el
Diodo Rectificador, cuyo paso del estado de bloqueo al de conduccin
depende de la polaridad de la fuente de alimentacin que lo alimenta.


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CARACTERSTICAS IDEALES

En un interruptor ideal seran deseables las siguientes caractersticas:

- Baja corriente de fugas en estado de bloqueo.
- Alta tensin de bloqueo.
- Alta corriente nominal.
- Baja cada de tensin en el estado de conduccin.
- Proporcionalidad directa entre la cada de tensin y la intensidad de
corriente.
- Cortos tiempos de conexin y desconexin.
- Buena posibilidad de admitir valores altos de dv/dt y di/dt.
- Bajas tensiones e intensidades de control, es decir, potencia de control
reducida.

CARACTERSTICAS REALES

Lo que sucede en la prctica es que el comportamiento no es el ideal y
se aleja de l, ms o menos, segn los casos. En general podemos dar las
caractersticas que servirn para evaluar a los distintos semiconductores
en la lista siguiente:

- Tensin de utilizacin.
- Intensidad nominal de empleo.
- Tiempo de conmutacin desde bloqueo a conduccin (tiempo de
encendido
ON
t ).
- Tiempo de conmutacin de conduccin a bloqueo (tiempo de apagado
OFF
t ).
- Velocidad de conmutacin.
- Control con pequea potencia (tensin o intensidad).

3. DIODOS RECTIFICADORES

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

Es el ms sencillo de los dispositivos electrnicos. Su funcionamiento es
muy parecido a una vlvula del tipo check que se usan en los tanques
reservorios de agua para evitar el retorno del lquido. Para aplicaciones
industriales (60Hz de frecuencia) se utilizan diodos estndar o de uso
general, en cambio para aplicaciones especiales a frecuencias de kHz, se
utilizan los diodos de recuperacin rpida (soportan altos voltajes) o los
diodos Schottky (soportan bajos voltajes).

(Nota: Presin es equivalente a Voltaje y fluido de agua es equivalente a
corriente elctrica)

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Ejemplo de Vlvula Check
mayor presin
de agua
menor presin
de agua
+
-

Figura 2.8

Los diodos son dispositivos formados por la unin de cristales
semiconductores de silicio conformando una pastilla de dos capas; tienen
dos terminales denominados Anodo A y Ctodo K. Cuando es
polarizado con un voltaje de nodo mayor que voltaje de ctodo en 0.6V
(polarizacin directa), permite el paso de corriente a su travs en el
sentido de Anodo a Ctodo. Dicho sentido aparece indicado con una
flecha sobre el propio semiconductor. Si se encuentra conduciendo y se
aplica la tensin en sentido inverso (polarizacin inversa) hasta hacer que
la corriente A-K disminuya y sea menor que la corriente de
mantenimiento (IH), el diodo bloqueara el paso de la corriente.

En la figura 2.9a, se muestra el smbolo usado para representar al diodo
rectificador. La cada de tensin entre sus terminales A-K al momento de
conducir es VD = 0.6V. La corriente ID que pasa por el diodo en
conduccin se encuentra limitada por la carga.

En la figura 2.9b, se observa la forma de reconocer si el diodo se
encuentra polarizado en directa o inversa.

Figura 2.9


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En la figura 2.10, se observan los dos estados posibles que puede tener el
diodo dependiendo de la polaridad en sus terminales A-K. En dicha figura
se considera al diodo como un interruptor electrnico ideal.

Figura 2.10

PRINCIPALES CARACTERSTICAS

En polarizacin inversa: (Estado de bloqueo)

V
RRM
: Voltaje de pico inverso repetitivo.
V
RSM
: Voltaje de pico inverso no repetitivo (transitorio).
I
RRM
: Valor pico de la corriente de fugas con V
RRM
.

En polarizacin directa: (Estado de conduccin)

I
F(AV)
: Corriente directa media (A
DC
).
I
F(RMS)
: Corriente directa eficaz (A
RMS
).
I
FSM
: Corriente directa instantnea mxima, no repetitiva que
soporta en el tiempo de un semiciclo.

TIPOS DE ENCAPSULADOS

Figura 2.11 Figura 2.12 Figura 2.13

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Podemos observar tres tipos de encapsulados, de los muchos que se
tienen, correspondientes a diodos de potencia. La parte roscada sirve
para instalar el diodo en una placa disipadora de calor sujetndola por
medio de una tuerca y as evitar su excesivo calentamiento.

- Los diodos pueden tener su terminal de nodo (A) perteneciente a la
parte roscada, en tal caso se denominan diodos negativos.

- Los diodos cuyo terminal de ctodo (K) pertenece a la parte roscada,
se denominan diodos positivos.

En la figura 2.11, se tiene un diodo rectificador industrial de
encapsulado tipo DO-4, la parte roscada puede ser Anodo o Ctodo. La
corriente promedio de conduccin es de 16 a 25 ADC y voltaje pico
inverso disponibles en el rango de 50 a 1200 Vpico.

encapsulado tipo SR-75, la parte roscada puede ser Anodo o Ctodo.
La corriente promedio de conduccin es de 450 a 550 ADC y voltaje pico
inverso disponibles en el rango de 600 a 1600 Vpico.

encapsulado tipo HR-16, la parte inferior es el Anodo. La corriente
promedio de conduccin es de 430 y voltaje pico inverso de 1400 Vpico.
Se observa que dicho diodo trabaja montado dentro de un armazn de
aluminio que le sirve de disipador y debe ser ajustado a una presin de
1400 Lbs.

PRUEBAS CON MULTMETRO EN ESCALA DE DIODO

En el siguiente grfico, se tiene un diodo del tipo ctodo roscado. El
multmetro indicara el voltaje de conduccin del diodo que normalmente
esta en el rango de 0.4 a 0.65V para diodos de silicio, que son usados en
potencia.

Figura 2.14

GND
Cable
rojo
Cable
negro
Anodo
Ctodo
0.45V

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Al medir con el voltmetro en sentido contrario, se indicar mxima escala
(OL) en la pantalla del mismo.

Figura 2.15

4. TIRISTORES

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

Son dispositivos formados por la unin de cristales semiconductores de
silicio conformando una cpsula de cuatro capas.

Tienen tres terminales denominados Anodo A, Ctodo K y Gate
G. Los terminales A y K son denominados terminales de Potencia,
y el terminal G es denominado terminal de control.

En la siguiente figura se muestra el smbolo que representa a dicho
dispositivo.

Figura 2.16

El tiristor es un dispositivo que, al igual que el diodo rectificador, tiene
dos estados de trabajo: Bloqueo (no conduccin) y Conduccin. Pero a
diferencia del diodo, para que exista conduccin se han de dar
simultneamente las dos condiciones siguientes:

- Tensin aplicada de polarizacin directa en los terminales de potencia
en el sentido de nodo a Ctodo.

- Pulso de corriente adecuada en el terminal de Gate.

GND
Cable
rojo
Cable
negro
OL
Anodo
Ctodo
A K
G
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Una vez lograda la conduccin, el tiristor se mantiene en dicho estado
aunque se elimine la corriente en el Gate. Ahora el Gate ha perdido el
control del tiristor.

Para que el tiristor pase al estado de Bloqueo se debe cumplir la siguiente
condicin:

- Reducir (por algn medio externo) la corriente que pasa a travs de
nodo-Ctodo hasta hacerla menor que la corriente de mantenimiento
(I
H
) durante un tiempo dado.

En el sentido de polarizacin inversa Ctodo-nodo, el tiristor siempre
bloquea el paso de corriente en sus terminales principales
independientemente de aplicacin de corriente en el terminal de Gate.

Podemos representar el funcionamiento del Tiristor haciendo analoga con
el siguiente circuito hidrulico:

(Nota: Presin es equivalente con Voltaje y fluido de agua es equivalente
a corriente)

Figura 2.17

El tiristor no conduce a pesar de estar polarizado en directa: Potencial
nodo mayor que Potencial Ctodo. Analoga: terminal de Gate
representado por una compuerta deslizante.

Figura 2.18
mayor presin
de agua
menor presin
de agua
+
-
Estado de Bloqueo
ANODO
CATODO
GATE
mayor presin
de agua
menor presin
de agua
+
-
Disparo del Tiristor
ANODO
CATODO
GATE

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El tiristor es activado (disparado), volvindose conductor pues se cumplen
los dos requisitos para tal fin: Polarizacin Directa y Pulso de corriente en
Gate. Analoga: La compuerta deslizante es jalada hacia abajo
permitiendo que la apertura de la compuerta principal deje fluir el agua.

Figura 2.19

El tiristor permanece en conduccin a pesar que el terminal de Gate es
desactivado. Analoga: La compuerta de Gate es repuesta en su posicin
primigenia.

Figura 2.20

Para que el tiristor deje de conducir, prcticamente no debe haber flujo
de corriente a travs de sus terminales de potencia. Analoga: cuando
no existe fluido, la compuerta principal retorna a su posicin primigenia
por medio de la rtula de la compuerta de Gate.

PRINCIPALES CARACTERSTICAS

En polarizacin inversa:

V
RRM
: Voltaje de pico inverso repetitivo.
V
RSM
: Voltaje de pico inverso no repetitivo (transitorio).
I
RRM
: Valor pico de la corriente de fugas con V
RRM
.

mayor presin
de agua
menor presin
de agua
+
-
Estado de Conduccin
ANODO
CATODO
GATE
presin
de agua cero
presin
de agua cero
-
Tiristor bloquendose
ANODO
CATODO
GATE
flujo casi cero
-
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En polarizacin directa:

I
F(AV)
: Corriente directa media (A
DC
).
I
F(RMS)
: Corriente directa eficaz (A
RMS
).
I
FSM
: Corriente directa instantnea mxima, no repetitiva que
soporta en el tiempo de un semiciclo.

En la figura 2.21, nos permite mostrar los dos estados de trabajo del
tiristor representados en un eje cartesiano, as como los trminos ms
usuales.

Figura 2.21

- I
L
: Corriente de enganche, es la corriente de nodo mnima necesaria
para mantener al tiristor en estado de conduccin inmediatamente
despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de gate.

- I
H
: Corriente de mantenimiento, es la corriente de nodo mnima
necesaria para mantener el tiristor en el estado de conduccin.

- V
BO
= V
RRM
: Es el voltaje de pico inverso y directo repetitivo mximo
que pueden soportar los terminales de potencia del tiristor. Se observa
que el tiristor tambin podra dispararse sin aplicar seal de gate si es
que el voltaje pico de la fuente de alimentacin supera el V
RRM
, pero
dicha forma de trabajo no es recomendable pues el tiristor se puede
destruir.


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- Corrientes de fuga directa e inversa: Idealmente debieran ser
cero, pero, debido a las imperfecciones de los tiristores tienen valores
muy pequeos diferentes de cero.

- Cada directa de voltaje: Es la cada de voltaje entre los terminales
de potencia del tiristor cuando se encuentra en conduccin.

TIPOS DE ENCAPSULADOS


Podemos observar tres tipos de encapsulados, de los muchos que se
tienen, correspondientes a tiristores. La parte roscada sirve para colocar
una placa disipadora de calor sujetndola con una tuerca y as evitar
calentamiento excesivo en el dispositivo.

En la figura 2.22, se tiene un tiristor de encapsulado tipo TO-48, la parte
roscada siempre es el terminal de Anodo. Se pueden conseguir tiristores
con corrientes promedio de conduccin entre 6.2 a 22 ADC y voltaje pico
inverso entre 50 hasta 800V.

En la figura 2.23, se tiene un tiristor de encapsulado tipo TO-93, la parte
roscada siempre es el terminal de Anodo. Se pueden conseguir tiristores
con corrientes promedio de conduccin entre 175 a 230 ADC y voltaje
pico inverso entre 200 hasta 1600V.

En la figura 2.24, se tiene un tiristor de encapsulado tipo HT-23, la parte
inferior es el Anodo. La corriente promedio de conduccin es de 550 ADC
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y voltaje pico inverso de 1600V. Se observa que dicho tiristor trabaja
montado dentro de un armazn de aluminio que le sirve de disipador y
ajustado a una presin de operacin de 2400 lbs.

En la figura 2.23 se observa que existen dos terminales Ctodo. Ambos
conductores se encuentran fsicamente unidos pero uno de ellos
pertenece a la etapa de potencia (conductor de mayor calibre) y el otro
pertenece a la etapa de disparo (conductor rojo), permitiendo el retorno
de la corriente de disparo que ingresa al gate. Ver la siguiente figura:

En la figura 2.24 se observa que dicho tipo de tiristores trabajan
satisfactoriamente cuando han sido instalados y ajustados sus terminales
de potencia con una presin de 2400 lbs.
Tarjeta de
disparo
A
K
G
K
Ingreso I
G
Retorno I
G

Figura 2.25

PRUEBAS CON MULTMETRO EN ESCALA DE DIODO

En el siguiente grfico, se tiene un tiristor. El multmetro indicara los
siguientes valores cuando el dispositivo se encuentre en buenas
condiciones.

Figura 2.26

GND
Cable rojo
Cable negro
Anod
o
Ctod
o
0.45V
Gate

20
Cable Rojo Multmetro Cable Negro Multmetro Valor Medido (V)
A K OL
K A OL
A G OL
G A OL
K G Valor pequeo = 0
G K Valor pequeo = 0

Tabla 2.1
5. TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNTURA (BJT)

Fue el primer semiconductor controlable y su desarrollo permiti la construccin
de los primeros amplificadores de electrnica de estado slido. Su empleo
durante muchos aos estuvo limitado al campo de las pequeas tensiones e
intensidades. Esta formado por la unin de cristales de silicio dopados de manera
precisa para formar una pastilla semiconductora de tres capas. Es un dispositivo
de tres terminales denominados Emisor, Base y Colector, los cuales responden a
las abreviaturas E, B y C. Los terminales de potencia son E y C y los terminales
de control son B y C.

Se utilizan en forma amplia en convertidores de CA-CD y CD-CA. Su velocidad de
conmutacin es mayor a la de los tiristores pero las especificaciones de voltaje y
corriente son menores, entonces se utilizan en aplicaciones de baja y mediana
potencia.

Se pueden tener transistores BJT del tipo NPN y PNP tal como se muestra en la
figura. Observe que en el transistor tipo NPN, la polarizacin de los terminales
principales debe ser VC>VE. La seal de control es en forma de corriente
ingresando por su terminal B.

En el transistor PNP la polarizacin debe ser VE>VC. La seal de control es en
forma de corriente saliendo del terminal B.

Figura 2.27

En electrnica de potencia se usa este semiconductor como interruptor
controlable. No se emplea como amplificador. Ahora en el mercado hay
21
transistores que permiten mayores tensiones e intensidades y por ello se les
denominan transistores de potencia.

5.1 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

En potencia, el transistor es usado como interruptor, por lo tanto tiene
dos estados de operacin:

- Cuando los terminales principales C y E no permiten el paso de
corriente, se dice que el transistor se encuentra en estado de Corte (al
igual que el estado de Bloqueo en diodos y tiristores). En tal estado los
terminales C y E soportan el mximo voltaje proporcionado por la
fuente de alimentacin.
Para que el transistor trabaje en dicho estado, el terminal de control B
no debe recibir corriente.

- Cuando los terminales principales C y E permiten el paso mximo de
corriente limitado por la carga, se dice que el transistor se encuentra
en estado de Saturacin (al igual que el estado de Conduccin en
diodos y tiristores). En tal estado los terminales C y E tienen una cada
de voltaje de 1V aproximadamente. Para que el transistor trabaje en
dicho estado, el terminal de control B debe recibir permanentemente
una seal de corriente.

Haciendo analoga del trabajo del transistor con un circuito hidrulico
tenemos:

(Nota: Presin es equivalente con voltaje y fluido de agua es equivalente
con corriente elctrica).

Figura 2.28

mayor presin
de agua
menor presin
de agua
+
-
Estado de Corte (Bloqueo)
COLECTOR
EMISOR
BASE

22
Observamos que la compuerta esta normalmente cerrada no permitiendo
el flujo de agua. Adems los terminales principales C y E soportan presin
mxima. El terminal B se encuentra inactivo.

mayor presin
de agua
menor presin
de agua
+
-
Estado de Saturacin (Conduccin)
COLECTOR
EMISOR
BASE

Figura 2.29

Observamos que el terminal de control B tiene aplicada una seal en
forma permanente para que la compuerta esta abierta permitiendo de ese
modo el paso de fluido.

5.2 PRINCIPALES CARACTERSTICAS

En estado de Corte:

BVCEO: Mximo voltaje que pueden soportar los terminales de potencia C
y E.

BVCBO: Mximo voltaje que pueden soportar los terminales C y B.

En la figura 2.30, se muestra el siguiente grfico representando al
transistor de potencia en el estado de corte por medio de una analoga
elctrica.

23

Figura 2.30
En estado de Saturacin:

I
C
: Mxima corriente que pueden soportar los terminales de potencia C y
E.

BV
EBO
: Mximo voltaje inverso que pueden soportar los terminales B y E.

P
D
: Mxima potencia de disipacin del dispositivo. P
D
= I
C
xV
CE
(Watts).

h
FE
: Ganancia de corriente. h
FE
= I
C
/I
B
. (No tiene unidades).

f
t
: Mxima frecuencia de trabajo del transistor. (Unidades en Hz).

La respectiva analoga elctrica del transistor trabajando en saturacin se
muestra en la figura 2.31:

Figura 2.31

C E
I= 0
Transistor de Potencia en
Corte
B
+
-
I
Transistor de Potencia en
Saturacin
C
+
E
-
B

24
En la figura 2.32, se muestra las curvas generales de un transistor de
potencia con indicacin de las regiones de Corte y Saturacin.

Figura 2.32

Vemos que la intensidad de corriente aplicable a la base permite el
control del transistor. Para operar al transistor como interruptor
electrnico se debe hacer:
-
B
i
= 0, el transistor se encuentra en la regin de Corte.
- Para
B
i
=
mx B
i
el transistor se encuentra en la regin de saturacin.

El principal inconveniente del transistor BJT ocurre cuando se quiere
controlar grandes cantidades de corriente fluyendo por los terminales de
potencia. Debido a su pequea ganancia de corriente (hFE= IC/IB) sera
necesario aplicar un valor excesivo de potencia de control.

Para resolver dicho inconveniente sin que desaparezcan las ventajas del
transistor de potencia, se usan asociaciones de transistores acoplados en
conexin Darlington con la cual se incrementa la ganancia disminuyendo
por lo tanto el valor de la corriente de control IB.

Esquema bsico de un transistor Darlington en la figura 2.33.

Figura 2.33
25
Otras caractersticas importantes de los transistores de potencia BJT son
los tiempos de conmutacin. Dichos tiempos son del orden de s debido
a su gran frecuencia de conmutacin mucho mayores que la de los
tiristores. Tenemos:
-
r
t = Tiempo de retardo, transcurrido entre el inicio de la excitacin de
base, y la llegada de la intensidad de colector al 10% de su valor final.
-
s
t = Tiempo de subida, transcurrido para que la intensidad de colector
pase del 10 al 90% de su valor final.
-
ON
t = Tiempo de excitacin, es la suma de las anteriores
ON
t =
r
t +
s
t
(ejm.: s 4 ).
-
al
t = Tiempo de almacenamiento, entre el inicio de la desexcitacin de
la base hasta que su intensidad cae a 90% de su valor (ejm: s 8 ).
-
c
t = Tiempo de cada, el que emplea la intensidad de colector para
bajar del 90 al 10% de su valor (ejm: ) 3 s .
-
OFF
t = Tiempo de apagado, es la suma de las anteriores
OFF
t =
al
t +
c
t .

En la figura 2.34, nos muestra el cambio de estado del transistor desde el
estado de Corte (I
C
=0) a Saturacin (I
Cnom
) y finalmente a Corte (I
C
=0).
Tambin se puede observar los tiempos de conmutacin caractersticos y
la respectiva disipacin de potencia del componente (P
dis
), que ocurre solo
durante la conmutacin.

Caractersticas dinmicas de un transistor
Paso de Corte a Saturacin y viceversa

Figura 2.34

26
5.3 TIPOS DE ENCAPSULADOS

Se presentan a continuacin tres tipos de encapsulados normalmente
usados por los transistores.


En la figura 2.35, se tiene un transistor de encapsulado TO-220, donde el
terminal C normalmente se encuentra internamente unido a su placa de
aluminio. Los valores mximos de corriente Ic que puede soportar se
encuentran en el rango de 10A, y los valores mximos de voltaje BV
CEO

son del orden de 800V.

aluminio. Los valores mximos de corriente Ic que puede soportar se
encuentran en el rango de 50A, y los valores mximos de voltaje BV
CEO

son del orden de 1500V. Observamos un diodo instalado entre CE, al cual
se denomina diodo damper y sirve para proteger al transistor cuando
trabaja con cargas inductivas.

terminal C tambin es la parte roscada. Los valores mximos de corriente
Ic que puede soportar se encuentran en el rango de 50A, y los valores
mximos de voltaje BV
CEO
son del orden de 150V.

Obviamente todos los encapsulados estn fabricados en material de
aluminio y una resina epxica aislante. El aluminio sirve para poder
efectuar el montaje en un disipador de calor de igual material, con el
objetivo de evitar calentamiento excesivo del transistor.

5.4 PRUEBAS CON MULTMETRO EN ESCALA DE DIODO

A continuacin mostramos la forma de comprobar el perfecto estado del
componente por medio del multmetro digital. Consideramos un transistor
NPN.

27

Figura 2.38

O
b
s
e
r
v
O
Tabla 2.2

Observamos que el valor medido BE es ligeramente mayor que BC.
Si el transistor tuviera diodo damper la medida sera la siguiente:

C E OL
E C Ejm: 0.6
C B OL
E B OL
B E Ejm: 0.431
B C Ejm: 0.425

Tabla 2.3

6. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE OXIDO METALICO DE SILICIO
(MOSFET)

Un transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, que requiere de
corriente de base para controlar el flujo de corriente del colector. Un MOSFET de
potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere slo de una
pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta siendo
los tiempos del orden de los nanosegundos. Los MOSFET son de dos tipos: (1)
de agotamiento y (2) de enriquecimiento. Cada uno de los tipos de MOSFET
mencionados tambin pueden ser de canal
n
o de canal
p
. Los transistores
MOSFET emplean un campo elctrico para controlar la intensidad de corriente en
sus terminales de potencia. Los terminales de potencia se denominan Drenador
(D) y Surtidor (S), el terminal de control se denomina Gate (G).

C E OL
E C OL
C B OL
E B OL
B E Ejm: 0.431
B C Ejm: 0.425
GND
rojo
negro

28
En la figura 2.39, se muestran los smbolos empleados para representar a cada
uno de los tipos de transistores MOSFET.

MOSFET de enriquecimiento MOSFET de agotamiento

Figura 2.39

Los MOSFET de enriquecimiento ofrecen normalmente alta resistencia entre sus
terminales principales D y S, su analoga elctrica podra corresponder al
contacto de un rel NA. Los MOSFET de agotamiento es el caso contrario y
podra relacionarse con un contacto de rel NC.


En potencia el tipo de transistor MOSFET mas usado es el MOSFET de
enriquecimiento canal n. En potencia el transistor debe trabajar como
interruptor electrnico, por lo tanto tiene dos estados de operacin. :

- Cuando los terminales principales D y S no permiten el paso de
corriente, se dice que se encuentra en el estado de Corte (Bloqueo).
En tal estado dichos terminales soportan el mximo voltaje
proporcionado por la fuente de alimentacin. Para que el transistor
trabaje en dicho estado, el terminal de control G no debe recibir seal
de voltaje.

- Cuando los terminales principales D y S permiten el paso mximo de
en estado de Saturacin. En tal estado los terminales D y S tienen
una cada de voltaje de 3V aproximadamente. Para que el transistor
trabaje en dicho estado, el terminal de control G debe recibir
permanentemente una seal de voltaje.

En la figura 2.40, presentamos la analoga del trabajo del transistor
MOSFET con un circuito hidrulico: (Recordemos que la presin de agua
es equivalente al voltaje en un circuito elctrico, y el fluido de lquido es
equivalente a la corriente elctrica).

G
S
D
canal n
G
D
S
canal n
G
S
D
canal p
S
G
D
canal p
29
mayor presin
de agua
menor presin
de agua
+
-
DRENADO
R
SURTIDO
R
GAT
E
(sin seal de voltaje)

Figura 2.40


En estado de Corte:

- BVDSS: Mximo voltaje que pueden soportar los terminales de
potencia D y S.


- ID: Mxima corriente contina que pueden soportar los terminales de
potencia D y S.
- BVGS: Mximo voltaje que puede soportar el terminal de control G y su
retorno por S.
- VGS(th): Voltaje umbral mximo en G y S necesario para hacer
conducir al MOSFET.

mayor presin
de agua
menor presin
de agua
+
-
DRENADOR SURTIDOR
GATE
(seal de voltaje)

Figura 2.41

- PD: Mxima potencia de disipacin del dispositivo. PD= IDxVDS.
- Gfs: Transconductancia (gfs=ID/VGS), es la amplificacin de corriente
respecto del voltaje de control aplicado. Sus unidades son
mhos
.


30
En la figura 2.42, se muestra la curva caracterstica del transistor
MOSFET.

Figura 2.42

Los tiempos de conmutacin del transistor MOSFET son mucho menores
que de los transistores BJT, por ejemplo:

ON
t = 4 s en el transistor BJT y 40 s q en el transistor MOSFET.
(1 s =1000 s q )
OFF
t = 11 s en el transistor BJT y 70 s q en el transistor MOSFET.

Por lo tanto los transistores MOSFET pueden trabajar con altas
frecuencias de conmutacin.

Debido a la alta impedancia del terminal de control, los MOSFET son
dispositivos muy sensibles a las cargas estticas que puedan recibir
durante su manipulacin, las cuales podran daar el terminal G. Por tal
razn se recomienda poner a tierra al personal que trabaje con dichos
dispositivos.

En la actualidad los fabricantes ofrecen sus productos protegidos contra
las cargas estticas.

31

Tenemos algunos tipos de encapsulados:


terminal D normalmente se encuentra internamente unido a su placa de
aluminio. Los valores mximos de corriente I
D
se encuentra en el rango
de 18A, y los valores mximos de voltaje BV
DSS
es alrededor de 1000V.

En la figura 2.44, se tiene un transistor de encapsulado TO-220J. Los
valores mximos de corriente I
D
se encuentra en el rango de 32A, y los
valores mximos de voltaje BV
DSS

terminal D normalmente se encuentra internamente unido a su placa de
D
de 32A, y los valores mximos de voltaje BV
DSS

6.4 PRUEBAS CON MULTMETRO EN ESCALA DE DIODO

Para comprobar el perfecto estado del transistor MOSFET, usamos el
multmetro digital en escala de diodo. Las medidas obtenidas deben tener
aproximadamente los valores de la tabla 2.4.

MOSFET de enriquecimiento canal n

Figura 2.46

GND
rojo
negro

32

Tabla 2.4

Existen casos en los cuales las medidas D y S presentan valores muy
pequeos (como si estuvieran en cortocircuito).

Lo que ha sucedido es que hemos activado el MOSFET al tocar el terminal
de control G con nuestras manos. Para remediar tal situacin y verificar
que el dispositivo se encuentra en buen estado, se recomienda tocar
nuevamente los terminales del MOSFET para desactivarlo, ante lo cual las
medidas seran las mostradas en la tabla superior.

Si el MOSFET tuviese un diodo damper, las medidas correctas seran
como se muestra en la tabla 2.5.

D S OL
S D Ejm: 0.6
D G OL
G D OL
G S OL
S G OL

Tabla 2.5

7. TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA (IGBT)

Los transistores de potencia, en el caso de tensin e intensidad importantes, no
ofrecen la velocidad de conmutacin adecuada para determinados convertidores
con onda de salida cercana a la senoidal. Acabamos de ver que los MOSFET si
son dispositivos conmutadores de alta frecuencia pero tienen prestaciones
moderadas en potencia controlada. Los semiconductores que juntan en un
compromiso tcnico la velocidad de conmutacin con control de potencias altas
son los transistores de puerta aislada.

Su acrnimo IGBT se deriva de su designacin en ingls Insulated Gate Bipolar
Transistor.

El IGBT es tambin un dispositivo controlado por seal de voltaje aplicado a su
terminal de control denominado Gate. Los terminales de potencia se denominan
Colector y Emisor.

D S OL
S D OL
D G OL
G D OL
G S OL
S G OL
33
En la figura 2.47, se presentan el smbolo del IGBT.

Figura 2.47

Observamos que el nombre de los terminales es una mezcla de los usados en los
transistores BJT y MOSFET. Los terminales de potencia son C y E. El terminal de
control es G, el cual debe cerrar circuito por E.

Los transistores IGBT estn en continuo desarrollo por los fabricantes de
dispositivos, los que ofrecen al mercado cada da nuevos dispositivos con
caractersticas de trabajo de mayores tensiones y corriente. Actualmente se
ofrecen transistores IGBT de Quinta Generacin, indicando que pueden trabajar
a frecuencias de hasta 100kHz. Con tales velocidades de trabajo los equipos de
potencia se irn cada vez reduciendo de tamao.


EL transistor IGBT esta diseado para trabajar como interruptor
electrnico de alta frecuencia. Por lo tanto tiene dos nicos estados de
operacin:

- Cuando los terminales principales C y E no permiten el paso de
corriente, se dice que se encuentra en el estado de Corte (Bloqueo).
En tal estado dichos terminales soportan el mximo voltaje
proporcionado por la fuente de alimentacin. Para que el transistor
trabaje en dicho estado, el terminal de control G no debe recibir seal
de voltaje.

- Cuando los terminales principales C y E permiten el paso mximo de
en estado de Saturacin. En tal estado los terminales C y E tienen
una cada de voltaje de 0.1V aproximadamente. Para que el transistor
trabaje en dicho estado, el terminal de control G debe recibir
permanentemente una seal de voltaje.

En las figuras 2.48 y 2.49, presentamos la analoga del trabajo del
transistor IGBT con un circuito hidrulico: (Recordemos que la presin de
agua es equivalente al voltaje en un circuito elctrico, y el fluido de
lquido es equivalente a la corriente elctrica).

G
C
E

34
mayor presin
de agua
menor presin
de agua
+
-
COLECTOR
EMISOR
GAT
E
(sin seal de voltaje)

Figura 2.48

mayor presin
de agua
menor presin
de agua
+
-
COLECTOR EMISOR
GATE
(seal de voltaje)

Figura 2.49


En estado de Corte:

- V
CES
: Mximo voltaje que pueden soportar los terminales de potencia C
y E.


- I
C
: Mxima corriente continua que pueden soportar los terminales de
potencia C y E.
- V
GES
: Mximo voltaje que puede soportar el terminal de control G y su
retorno por E.
- V
GE
(th): Voltaje umbral mximo en G y E necesario para hacer conducir
al IGBT.
- P
D
: Mxima potencia de disipacin del dispositivo. P
D
= I
C
xV
CE
.
- V
CE(on)
: Cada de voltaje en C y E durante la saturacin del IGBT.
35
En la figura 2.50, se muestra la curva caracterstica del transistor IGBT.

Figura 2.50

Se observa que el IGBT se encuentra en la regin de Corte para valores
V
GE
menores a 5 voltios. En dicha regin los terminales de potencia del
dispositivo soportan el mximo voltaje proporcionado por la fuente de
alimentacin.

Tambin observamos que para valores V
GE
superiores a 10 voltios pero
menores que 20, el IGBT se encuentra en la regin de Saturacin,
soportando sus terminales de potencia la mxima corriente permitida por
la carga.

Los transistores IGBT tienen lo mejor de los transistores BJT (gran
capacidad de potencia) y los transistores MOSFET (gran velocidad de
conmutacin), siendo por lo tanto en la actualidad los ms usados en los
convertidores DC/AC.


36

Se tienen algunos de los tipos de encapsulados en que se pueden
presentar los transistores IGBT.


En la figura 2.51, se tiene un transistor de encapsulado TO-220J. Los
valores mximos de corriente I
C
se encuentra en el rango de 15A, y los
valores mximos de voltaje V
CES

En la figura 2.52, se tiene un transistor de encapsulado TO-3PJ. donde el
aluminio Los valores mximos de corriente I
C
se encuentran en el rango
de 25A, y los valores mximos de voltaje V
CES

En la figura 2.53 se tiene un transistor de encapsulado TO-3PL, donde el
C
de 80A, y los valores mximos de voltaje V
CES

7.4 PRUEBAS CON "MULTMETRO EN ESCALA DE DIODO"

Las medidas correctas del transistor IGBT mediante un multmetro digital
en escala de diodos son:
(Transistor IGBT con diodo damper)
Figura 2.54

C E OL
E C Ejm: 0.6
C G OL
G C OL
G E OL
E G OL

GND
rojo
negro
37
S SE EL LE EC CC CI I N N D DE E D DI IS SP PO OS SI IT TI IV VO OS S D DE E P PO OT TE EN NC CI IA A

8. IMPORTANCIA DE UNA CORRECTA SELECCIN

En todo equipo electrnico de control industrial, se cumple el siguiente esquema
de conexiones:

EQUIPO ELECTRONICO DE
CONTROL INDUSTRIAL
Energa Elctrica de Entrada
(V y A no controlados)
ACTUADOR
SISTEMA
CONTROLADO
Energa Elctrica de Salida
(V A controlados)
Valor
deseado
Valor
medido

Figura 3.1
Observamos que el Equipo Electrnico de Control Industrial tiene como seales
de entrada valores de voltaje de diverso nivel de energa.

38

Las seales de voltaje de potencia, ingresan directamente a la etapa de
potencia del equipo, mientras que, las seales de voltaje de poca potencia,
ingresan directamente a la etapa de control del mismo.

La Etapa de Potencia del equipo se encuentra conformada por alguno de los
dispositivos electrnicos de potencia (Diodos, Tiristores, Transistores de
Potencia, etc.) estudiados en las unidades anteriores.

La Etapa de Control del equipo se encuentra conformada por dispositivos
electrnicos de poca potencia tales como: diodos Zener, diodos LED, pequeos
diodos rectificadores, transistores de seal, circuitos integrados analgicos y
digitales, transformadores reductores de alimentacin y sincronismo,
transformadores de pulsos, etc.

Por lo tanto se podra dividir al Equipo Electrnico de Control Industrial en dos
etapas:

- Etapa de Potencia. (Tambin denominado Pre-Actuador por los
instrumentistas).

- Etapa de Control.

A continuacin presentamos el siguiente grfico:

EQUIPO ELECTRONICO DE CONTROL INDUSTRIAL
Etapa de Potencia Etapa de Control
Dispositivos de
pequea seal
Dispositivos de
Potencia

Figura 3.2

Entonces, se concluye que, para efectuar una correcta seleccin de los
Dispositivos de Potencia a comprar e instalar en un equipo electrnico de control
industrial, se necesita conocer los valores de la energa elctrica de entrada
(Voltaje y Corriente),de la energa elctrica de salida (Voltaje y Corriente que
solicita el Actuador) y, el circuito de potencia a implementar dentro de la etapa
de potencia.
39

De la correcta informacin obtenida, se puede comprar los dispositivos de
potencia sin temor a fallas durante su funcionamiento.

9. CIRCUITO BSICO

A continuacin estudiaremos diversos circuitos implementados con dispositivos
de potencia. Por lo tanto cualquiera de ellos puede conformar la Etapa de
Potencia de un Equipo Electrnico de Control Industrial.

PARA DIODOS RECTIFICADORES

El circuito bsico implementado para poder reconocer los valores
principales de voltaje y corriente que soporte el diodo consiste en una
fuente de alimentacin AC y una carga resistiva.

Figura 3.3

Observamos que V
S
es el valor eficaz de la fuente de alimentacin AC que
alimenta al diodo y que, segn su polaridad determinar el estado de
Bloqueo o Conduccin del diodo.

Cuando V
S
tiene la polaridad indicada, el diodo se encontrar en estado
de Conduccin permitiendo que la corriente elctrica fluya hacia la carga
R. En dicha carga se obtendr un voltaje DC promedio V
0
que servir para
que sta desarrolle su potencia til.

Por lo tanto, se concluye que el flujo de corriente que pasa a travs del
dispositivo de potencia depende prcticamente del valor resistivo de la
carga R.
La frmula a usar para determinar dicho valor de corriente es:

I
D
=V
0
/R

Donde I
D
es la corriente DC que pasa a travs del diodo D1.

Cuando V
S
tiene la polaridad invertida, el diodo se encontrar en estado
de Bloqueo, no permitiendo flujo de corriente elctrica hacia la carga R.

40
En dicho caso el diodo soporta el voltaje pico inverso (VIP) de la fuente
de alimentacin.

La frmula para determinar el voltaje pico inverso que soporta el diodo en
dicho circuito es:

VIP
DIODO
= V
S
. 2

PARA TIRISTORES

El circuito implementado es el siguiente:

Figura 3.4

Observamos que el circuito es similar al caso anterior, salvo la inclusin
del Tiristor. Por lo tanto las mismas frmulas anteriores se usarn para el
caso en que el Tiristor conduzca totalmente (corriente mxima a travs
del Tiristor) y cuando se encuentre en Bloqueo (VIP que soporta).

PARA TRANSISTORES

El circuito implementado es el siguiente:

Figura 3.5
Donde la carga es R y la fuente de alimentacin es E (voltaje DC).

SEAL DE
CONTROL
41
Observe que la seal de control es una onda cuadrada, necesaria para
que el dispositivo de potencia trabaje en Bloqueo o Conduccin.

Si la seal de control aplicada al dispositivo de potencia es un valor
suficiente para ponerlo en conduccin, entonces tendremos una corriente
que fluye a travs de R y el dispositivo, cuyo valor esta dado por :

I
T
=E/R

Donde I
T
es la corriente que pasa por el transistor.

Si la seal de control es 0, entonces el dispositivo se encuentra en el
estado de Bloqueo, soportando sus terminales de potencia el voltaje E.
Entonces el mximo voltaje que soporta el transistor en estado de
bloqueo para ste circuito es:

V
mx
= E.

10. CONSIDERACIONES DE VOLTAJE Y CORRIENTE

Con los valores de corriente mxima y voltaje mximo soportado por el
dispositivo de potencia, se tienen dos valores importantes que nos servirn para
poder escoger el dispositivo de potencia necesario a usar.

Lgicamente, informacin adicional son la frecuencia a la que trabajar el
dispositivo y que estar limitado por los tiempos de apagado (
OFF
t
) y tiempo de
encendido (
)
ON
t
.

Una vez determinados los valores de corriente y voltaje, es necesario aplicar
factores de seguridad.

Factor de seguridad para corriente: 1.3
Factor de seguridad para voltaje: 2.0

La forma de usar dichos factores son:

Corriente mxima del dispositivo a comprar (IDC)= Corriente mxima calculada x
1.3

Voltaje pico inverso dispositivo a comprar (VIP)= Voltaje Pico Inverso calculado x
2.0

11. DETERMINACIN DE SEMICONDUCTOR A USAR

Es necesario conocer los principales fabricantes de dispositivos de potencia,
razn por la cual damos algunos nombres:


42
RCA
General Electric
SEMIKRON
International Rectifiers
Motorola

Con los datos conseguidos en la seccin anterior se recurren a los manuales de
cualquiera de los fabricantes recomendados y luego de identificar el tipo de
dispositivo a comprar, se escogen los valores estndares (corriente y voltaje)
inmediato superiores que tienen a la venta, encontrando luego su respectivo
cdigo de dispositivo.

Mencionaremos que cada fabricante tiene su propio cdigo con el cual pueden
identificar a los dispositivos que fabrican.

Luego de encontrado el cdigo, puede ir a solicitar dicho dispositivo al proveedor
de repuestos.

12. LECTURA DE CATLOGOS DE REPUESTOS

En nuestro medio es un poco difcil conseguir los catlogos de repuestos de cada
fabricante, pero gracias a la ayuda de internet podemos ahora acceder a las
pginas Web de cada uno y buscar en forma fcil toda la informacin necesaria
para escoger el repuesto deseado.

En el caso que no se disponga de acceso a Internet y de los manuales de los
fabricantes arriba indicados, se puede hacer uso de un catlogo universal que
nos permite encontrar los cdigos de reemplazo de todo tipo de dispositivos
electrnicos teniendo como dato los valores de corriente y voltaje hallados. Dicho
catlogo es el muy conocido Manual de Repuestos ECG.

El procedimiento para usar dicho manual es el siguiente:

- Disponer de valores de corriente y voltaje hallados segn frmulas y factores
de seguridad.
- En el manual ECG, buscar el rubro del dispositivo correspondiente (Diodo,
Tiristor, etc.).
- Una vez localizado el tipo de dispositivo, busquen los valores estndares de
voltaje y corriente que se encuentran disponibles. Escoga los valores
estndares inmediatos superiores disponibles.
- Luego, tendr Ud. un cdigo de dispositivo que cumple los valores deseados
con el cual podr ir a solicitar a su proveedor de repuestos electrnicos.

Notar tambin que en el manual ECG se puede encontrar informacin adicional
(t
ON
, t
OFF
, Potencia de disipacin, frecuencia de trabajo, etc.) que sern tiles
para decidirse por tal o cual componente.

43

13. PRDIDAS DE POTENCIA EN LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA

Las prdidas de potencia en los dispositivos de potencia se dan slo durante los
tiempos de conmutacin (t
ON
y t
OFF
) pues en el resto del tiempo se encuentran en
estado de Saturacin en estado de Bloqueo, en los cuales la disipacin de
potencia es despreciable.

Prdida de Potencia en Saturacin= I
TERMINALES PRINCIPALES
x V

= I
mximo
x ( 0 ~ V) = 0 Wats.

Prdida de Potencia en Corte= I
x V

= ( 0 ~ A) x V
mximo
= 0 Wats.

A continuacin tenemos el siguiente grfico que corresponde al trabajo de un
transistor:

Figura 3.6
Del grfico, se deduce que las prdidas de potencia son pulsantes y se producen
durante cada ciclo de trabajo del dispositivo de potencia. Como la temperatura es
una variable lenta, el calor en la pastilla de silicio del dispositivo tiene efecto
Disipacin de potencia
cuando cambia de estado
OFF a ON
Disipacin de potencia
cuando cambia de estado
ON a OFF

44
acumulativo, pudiendo alcanzar valores extremos que fcilmente pueden fundir
el semiconductor inutilizando el dispositivo.

14. DETERMINACIN DE DISIPADORES DE CALOR

Las prdidas de potencia en los dispositivos de potencia se manifiestan como
calentamiento del mismo, causando su deterioro si dicha cantidad de calor
alcanza temperaturas por encima de lo permitido. Por lo expuesto, se deduce
que todos los dispositivos de potencia deben tener encapsulados con partes
metlicas y factibles de montar en un radiador de calor que permitir proteger al
semiconductor contra excesos de temperatura.

A continuacin tenemos algunas afirmaciones que nos pueden ayudar a tener un
concepto claro sobre dicho problema:

- Parte de la potencia generada por cualquier dispositivo semiconductor se
transforma en calor radiado a travs de la envoltura externa.

- El cambio en temperatura es el producto de la potencia disipada por la
resistencia trmica: u R P T
D
= A . Donde:

= AT Cambio de temperatura en un objeto transmisor de calor (unidades
0
C)
=
D
P Potencia disipada por el objeto (unidades Wats)
= u R Resistencia trmica del objeto (unidades
0
C/W)

- Si un semiconductor debe disipar una cierta cantidad de calor, su resistencia
trmica debe hacerse lo menor posible a fin de mantener su elevacin al
mnimo.

- El germanio puede tolerar temperaturas de 85 a 100
0
C y el silicio de 150 a
200
0
C. En general debe evitarse trabajar el semiconductor a tales
temperaturas.

- En un transistor trabajando en la regin activa :
CE C D
V I P . = .

CLCULO DE UN RADIADOR TRMICO PARA UN TRANSISTOR CON
ENCAPSULADO TO-220

- La ecuacin de disipacin de potencia es: P
D(mx)
=[T
j(mx)
-T
A(mx)
]/
JA
Ru
Donde:
PD(mx): es la mxima potencia de disipacin del dispositivo. Dicho dato
lo da el fabricante.
TJ(mx): es la mxima temperatura que soporta la pastilla de silicio. Dato
dado por fabricante.
45
TA(mx):es la mxima temperatura del medio ambiente donde se
instalar el equipo de potencia.
JA
Ru : es la resistencia trmica total medida desde la pastilla de silicio
hasta el medio ambiente.

- Se tiene :
SA CS JC JA
R R R R u u u u + + = .
Donde:
JC
Ru : es la resistencia trmica medida desde la pastilla de silicio hasta la
placa metlica de aluminio del encapsulado.
CS
Ru : es la resistencia trmica medida desde la placa metlica hasta el
disipador de aluminio.
SA
Ru : es la resistencia trmica medida desde el disipador de aluminio al
medio ambiente.

- Los valores tpicos de disipacin de potencia que pueden manejar
ciertos encapsulados son:
Cpsula TO-3, aproximadamente 2.8 W .

- El trmino
JC
Ru se obtiene de los datos del fabricante.
Ejm. Se tiene un transistor de encapsulado TO-220 con los siguientes
datos : T
A(mx)
=60
0
C, T
j(mx)
=125
0
C, I
C(mx)
=0.8 A, V
CE(mx)
=10 V. Determine
Ud. el radiador a usar.

Solucin. Se deduce que el dispositivo disipara una potencia de 10Vx 0.8
A = 8 W .

Por lo tanto debe montarse en un radiador trmico que disipe una
potencia de 8-1.8 = 6.2 W. Del manual se observa que los encapsulados
TO-220 tienen un
JC
Ru = 5
0
C/W .

Luego tenemos
JA
Ru =(T
j
- T
A
)/P
D
, entonces
JA
Ru =(125-60)/(0.8x10)=
8.13
0
C/W.

Entonces la suma de las resistencias trmicas debe ser igual a 8.13 y
siendo
JC
Ru = 5
0
C/W se tiene :
CS
Ru +
SA
Ru =3.13. Si se emplea grasa
de silicona, que es eficiente conductor trmico, entre el radiador y la
cpsula del regulador,
CS
Ru =0.13
0
C/W. Por lo tanto
SA
Ru debe
proporcionar los adicionales 3
0
C/W.

Con dicho valor encontrado se busca en los manuales de radiadores
trmicos y se escoge el valor estndar inmediato superior.


46
RECOMENDACIONES PARA AUMENTAR LA EFECTIVIDAD DEL
RADIADOR

Los materiales ms usados como radiador son el cobre y aluminio.
El cobre tiene una conductibilidad 4 veces mayor que el aluminio pero su
precio es mucho mayor.

- Un valor ms alto de emisividad significa una mejor capacidad para
radiar calor.

- El emisor con acabado de pintura negra o anodizado negro rada con
mayor eficiencia.

- Para el acoplamiento o adaptacin fsica al elemento generador de
calor se busca un material que presente buenas caractersticas de
conduccin trmica y, a la vez una elevada resistencia elctrica: mica,
aluminio anodizado y xido de berilio.

- Resistencias trmicas ms bajas la presenta la unin aislante y con
grasa de silicona.

- Evitar el montaje de elementos sensibles a la temperatura
(transistores, reguladores, etc.) prximos a componentes que disipan
calor.

- Los semiconductores en cpsulas de pequeo tamao que radan calor
deben tener las longitudes de sus terminales de conexin al mnimo y
han de aumentarse al mximo posible las superficies de cobre donde
se conectan, en el circuito impreso.

- Asegurarse el ptimo contacto entre el radiador y el dispositivo que
calienta. Use grasa de silicona para una mejor transferencia de calor.

- Al utilizar un radiador provisto de aletas, la mxima disipacin de calor
tiene lugar cuando aqullas se hallan en posicin vertical.

- Doble, cuando sea necesario, en forma cuidadosa los terminales de los
componentes sensibles a la disipacin de potencia. Las menores
grietas que se produzcan en los mismos reducirn su capacidad de
disipacin de calor.

- Cuando el dispositivo deba aislarse elctricamente de su radiador, se
utilizar una lmina aislante de espesor comprendido entre 0.07 y 0.09
mm, dependiendo de la tensin que deba soportar. Aplicar adems
grasa de silicona para compensar el incremento de la resistencia
trmica.

47
F FU UN ND DA AM ME EN NT TO OS S

15. INTRODUCCIN

Los armnicos son corrientes o tensiones cuyas frecuencias son mltiplos enteros
de la frecuencia de la onda (corriente o voltaje) que les da origen.

Los armnicos son originados por ondas no senoidales y peridicas. A
continuacin podemos ver algunas de estas ondas y su correspondiente
desarrollo en Series de Fourier:

ANALISIS DE FOURIER

Tabla 10.1
En la Tabla 10.1, podemos observar que una onda cuadrada denominada u ,
cumple los requisitos de no ser senoidal y ser peridica, por lo tanto dicha onda
se puede descomponer en la sumatoria infinita de ondas senoidales.


48
16. SERIE DE FOURIER

La serie de Fourier nos dice que toda onda no senoidal y peridica puede ser
descompuesta en la sumatoria infinita de ondas senoidales de frecuencias
mltiplos. En el caso de la onda cuadrada estudiada en la Tabla:

.....) 7 sen
7
1
5 sen
5
1
3 sen
3
1
(sen
4
+ + + + =
.
t t t t
u
u = = e =
t

Podemos observar que la onda cuadrada, segn las series de Fourier es igual a la
sumatoria de:

- Una onda senoidal de igual frecuencia a la onda cuadrada, denominada
fundamental.

- Una onda senoidal de frecuencia triple de la onda cuadrada, denominado
tercer armnico.

- Una onda senoidal de frecuencia quntuple de la onda cuadrada, denominado
quinto armnico.

- Una onda senoidal de frecuencia stima de la onda cuadrada, denominado
stimo armnico, etc.

Al lado derecho tenemos el espectro de frecuencias de la onda cuadrada
representada en forma de barras. Observe que la amplitud de dichas barras es
igual a la amplitud de la onda senoidal y la posicin en el eje horizontal
corresponde a su frecuencia armnica.

C CA AU US SA AS S Y Y E EF FE EC CT TO OS S

17. CAUSAS

- Son originadas por cargas no lineales que absorben corriente en forma de
impulsos bruscos en vez de hacerlo suavemente en forma senoidal.

- Dichos impulsos crean ondas de corriente distorsionadas que originan a su vez
corrientes de armnicos de retorno hacia otras partes del sistema de
alimentacin.

- Normalmente las fuentes de alimentacin con condensador y diodos, que
llevan incorporados los equipos de oficina, son cargas monofsicas no lineales.

- En las plantas industriales, las causas mas frecuentes de corrientes armnicas
son cargas trifsicas no lineales, como motores de accionamiento controlados
electrnicamente y UPS.

- La propia red de alimentacin puede ser una fuente indirecta de armnicos de
tensin. Todas las cargas que compartan un transformador o un ramal con
49
fuerte carga de armnicos pueden ser afectadas por los armnicos de tensin
producidos.

18. EFECTOS

- Conductores Neutros.- En condiciones normales, con una carga lineal
equilibrada las corrientes de cada fase se anulan en el neutro. En un sistema
de 4 conductores con cargas monofsicas no lineales, los triplens (armnicos
impares mltiplos de los terceros armnicos) 3
0
, 9
0
, 15
0
, etc., se suman en el
neutro. Luego, el neutro recalienta.

- Interruptores automticos.- Los interruptores magneto-trmicos se calientan
con Irms, por lo tanto son una buena proteccin frente a armnicos. Los
interruptores electrnicos detectores de picos pueden dispararse
prematuramente.

- Barras colectoras y esprragos de conexin.- Diseados para soportar I
FASE

mx, pero por los armnicos triplens pueden sobrecargarse.

- Paneles elctricos.- Pueden resonar debido a los campos magnticos
generados por corrientes armnicas de alta frecuencia. Luego, el panel
empieza a vibrar y emite un zumbido.

- Telecomunicaciones.- Como los cables de telecomunicaciones se tienden muy
cerca de los cables de alimentacin elctrica (ms cerca al neutro), los triplens
originan interferencias inductivas.

- Transformadores.- Generalmente del tipo de conexin Delta-Estrella. Los
armnicos provocan calentamiento excesivo con el mismo amperaje. Obligan
a modificar la capacidad de potencia del trafo.

- Generadores.- Los armnicos producen calentamiento, distorsin en los cruces
por cero de la onda de corriente, lo que origina perturbacin e inestabilidad de
los circuitos de control del generador.

C CU UA AN NT TI IF FI IC CA AC CI I N N Y Y C CO OR RR RE EC CC CI I N N

Ejemplo

Red de alimentacin de 60 Hz con cargas no lineales que causan distorsiones de
la forma de onda de corriente de lnea. Luego se tendrn armnicos de corriente:


50

Figura 12.1

ARMONICO Frecuencia (Hz)

Onda fundamentasl 1er Armnico .60
2do armnico 120
3er armnico ...................180 etc.

19. CORRIENTE DE LNEA IS

i
S
no es senoidal en los rectificadores.

20. DEFINICIONES BSICAS

Por anlisis de Fourier, la corriente de lnea se puede expresar en trminos de su
componente i
S1
de frecuencia fundamental + otros componentes de frecuencias
superiores (denominados armnicos).
Si v
S
es una onda senoidal, luego el flujo promedio de potencia (P) es:

P = V
S
I
S1
Cos
1
(I)

Donde: V
S
.. valor r
ms
de v
S

I
S1
.. valor r
ms
de i
S1

1
desfasaje entre v
S
e i
S1

Tambin la potencia aparente (S) es:

S = V
S
I
S
. (II)

Donde: I
S
.valor r
ms
de i
S
.
51

Entonces se define el factor de potencia (PF) como:

PF = P / S (III)

Donde: PF = (I
S1
/ I
S
) C
os
1
(IV)

Se define el desplazamiento del factor de potencia (DPF), el cual es el mismo que
el factor de potencia en circuitos con voltajes y corrientes senoidales, como
sigue:
DPF = Cos
1
(V)

Por lo tanto: PF = (I
S1
/ I
S
) DPF (VI)

Se observa que una gran distorsin de la corriente de lnea resultar en un
pequeo valor de I
S1
/ I
S
y por lo tanto en un pobre PF a pesar que DPF sea la
unidad.

Se puede calcular el valor r
ms
de i
S
(I
S
) :

T

I
S
= [ (1/T) i
2
S
(t) dt]
1/2
(VII), :
0

I
S
= [ I
2
S1
+ I
2
Sh
]
1/2
(VIII)
h=2

De la ecuacin VIII, el valor rms de la componente de distorsin en la corriente
de lnea puede definirse como:

I
dis
= [ I
2
S
- I
2
S1
]
1/2
= [ I
2
Sh
]
1/2
(IX)
h=2

Para cuantificar la distorsin de la onda de corriente, se define la Distorsin
Armnica Total (THD):

%THD = (I
dis
/I
S1
) 100% (X)

Tambin es importante conocer el valor pico de iS : IS,pico en relacin al valor
rms de iS: IS, luego se define el factor de cresta (FC):

FC = I
S,peak
/ I
S
.(XI)

Tambin se define el factor de forma (FF) :

FF = I
S
/ I
d
(XII)


52
21. RESUMEN DE LAS NORMAS TCNICAS DE CALIDAD DE LOS SERVICIOS
ELCTRICOS

El da 11/10/97 se aprob mediante DECRETO SUPREMO N0020-97-EM la Norma
Tcnica de Calidad en los Servicios Elctricos, la cual fija estndares mnimos de
calidad para asegurar un nivel satisfactorio de la prestacin de los servicios
elctricos hacia los usuarios.

El control de la calidad de los servicios elctricos se realiza en los siguientes
aspectos:

1. Calidad de Producto.-
* Tensin
* Frecuencia
* Perturbaciones (Flcker y Tensiones Armnicas)

2. Calidad de Suministro.-
* Interrupciones

3. Calidad de servicio comercial.-

* Trato al Cliente
* Medios de Atencin
* Precisin de Medida

4. Calidad de Alumbrado Pblico.-

* Deficiencias de Alumbrado.

Analizaremos slo la primera parte pues corresponde al tema en curso:

TENSION.- El intervalo de medicin (k) ser de 15 minutos y la tolerancia
permitida en las ciudades es de +/- 5% del valor nominal de tensin.

FRECUENCIA.- El intervalo de medicin (k) es de 15 minutos y la variaciones
sostenidas permitidas deben estar en el rango de 0.6% de su valor nominal.

PERTURBACIONES.- Para el Flcker, se considera un umbral de irritabilidad
asociado a la fluctuacin mxima de luminancia que puede ser soportada sin
molestia por una muestra especfica de poblacin.
Para las Tensiones Armnicas, el intervalo de medicin ser de 10 minutos y no
deben superar los valores lmites indicados en la siguiente Tabla:

22. MTODO PARA ENCONTRAR ARMNICOS

1.1 RELACIN A/R

A .Average RMS (corriente medida con pinza normal)
R .True RMS (corriente medida con pinza especial)

53
Si se encuentra que A/R = 1 .entonces no existe distorsin o
armnicos.

Si se encuentra que A/R= 0.5 .existe distorsin considerable.

REDUCCIN DE LA CARGA DE LOS TRANSFORMADORES

Medir I
pico
e I
RMS
. Se tienen las siguientes ecuaciones:

THDF = Factor de reduccin de armnicos del trafo.

THDF = 2 I
RMS(FASE)
/ I
pico(FASE)

Cuando los voltajes y corrientes son senoidales THDF = 1.0

KVA corregido = THDF (KVA nominal)

Ejm.- Se tiene un trafo perteneciente a una sub-estacin, conectado en
estrella (baja tensin), de 400KVA. Las mediciones de corriente
efectuadas fueron:

CONDUCTOR I
RMS
I
pico

R 410 A 804 A
S 445 A 892 A
T 435 A 828 A

Promedio IRMS por fase = (410+445+435)/3 = 430 A

Promedio Ipico por fase = (804+892+828)/3 = 841 A

Entonces el THDF = 2 (430) / 841 = 0.723.

Luego, el resultado nos indica que, debido a la presencia de armnicos en
las lneas de corriente del secundario del trafo causados por la cargas no
lineales, la potencia mxima del trafo es del 72.3% de su valor nominal y
no se debe sobrepasar dicho valor pues de lo contrario recalentar y se
daar.

23. DESCOMPOSICIN DE LAS SEALES DE V E I EN COMPONENTES
ARMNICAS

En general, apoyados por las series de Fourier, podemos decir que:

v(t) = V
m1
Cos(wt+
v1
) + V
m2
Cos(2wt+
v2
) + + V
mh
Cos(hwt+
vh
) +

i(t) = I
m1
Cos(wt+
i1
) + I
m2
Cos(2wt+
i2
) + + I
mh
Cos(hwt+
ih
) +

Si se tiene el siguiente circuito electrnico:


54

VRL
R
L
Vin

Figura 12.2

Dichas seales de corriente observadas a la salida del circuito, tienen los
siguientes componentes armnicos:

H Imh(Am) Ih(%) ANGULO Ih(
0
)

1 1.1175 100 -56.1
3 0.4301 38.49 -165.0
5 0.0754 6.74 -131.5
7 0.0485 4.34 +149.2
9 0.0432 3.87 -170.9
11 0.0091 0.82 -153.0
13 0.0176 1.50 +146.7
15 0.0141 1.26 -170.5

Cada armnica tiene su fase y su amplitud. En general las armnicas de orden
par son nulas debido a que los dispositivos actan en forma simtrica y
peridica. Las armnicas de orden elevado son pequeas, fundamentalmente a
que son suavizadas por la presencia de inductancias en el sistema.

La presencia de armnicas pares es sntoma de que el control de los
semiconductores esta desbalanceado y la presencia de armnicas elevadas
puede ser indicio de variaciones bruscas de voltaje o corriente que pueden
conducir a un deterioro del sistema bajo control o radiointerferencia en sistemas
de control adyacentes.

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