Diodocaracteristicas 121216215101 Phpapp02

UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP.
Pgina 1

CARLOS GOMEZ SALAZAR
ltima revisin: diciembre 2012
INTRODUCCIN:
El diodo semiconductor no solo es de gran importancia en las aplicaciones
electrnicas modernas, sino que adems la teora de la unin n-p sirve como
fundamento en la comprensin de los dispositivos semiconductores. Pero antes de
ver qu es un diodo semiconductor, por qu rectifica, qu diferencia hay entre un
diodo rectificador y uno demodulador de AM, y qu es la corriente inversa de
saturacin, el voltaje de ruptura y qu es el voltaje umbral, es conveniente
comenzar especificando cul es la representacin de la circulacin de corriente
elctrica que se utilizar.

En cada "rama" de un circuito (parte del circuito entre dos bifurcaciones o "nodos",
formada por alambres y componentes, todos conectados en serie uno con el
otro), puede haber solo una corriente elctrica, caracterizada por su magnitud
("intensidad de corriente") que es un nmero real I con la unidad correspondiente
(ampere, A, para la corriente en el S.I. de unidades), y uno de los dos sentidos de
circulacin (hacia uno u otro extremo de la rama). Se conviene en que el signo
positivo (o negativo) de la intensidad de corriente I indica que fluye en el mismo
sentido (o al revs) del indicado esquemticamente por la flecha en los diagramas
de circuitos:
I > 0 A si fluye en el sentido indicado;
o bien, I < 0 A cuando fluye al revs.

UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP. Pgina 2

Pero hay que convenir adems si la corriente I representa un flujo de cargas
positivas o de cargas negativas.
Desde el punto de vista de la energa de las cargas en un punto del circuito, el
problema es anlogo al caso de la masa m de un cuerpo en el campo
gravitatorio g de la Tierra, donde el cuerpo sufre una variacin de altura
hcayendo hacia una energa potencial gravitacional (mgh+constante) menor:Los
portadores de carga elctrica q de un circuito fluyen hacia un voltaje V donde
tienen una energa potencial elctrica U (= qV+constante) menor
Pero en el caso del Electromagnetismo, a diferencia de la Gravitacin, existe la
repulsin y pueden haber portadores de cargas positivas (q > 0 C) y negativas
(como los electrones libres en un metal, que tienen carga q = -e < 0 C). Para unas
la variacin de voltaje V tiene un signo, y para las otras (que circulan al revs)
V tiene el signo opuesto. Pero como ambos factores (q y V) cambian de signo,
entonces la variacin U = qV de energa potencial U es igual en ambos casos, y
entonces resulta que respecto del voltaje hay dos formas equivalentes de
representar la misma corriente:
(i) Cargas positivas yendo hacia un voltaje menor
(ii) cargas negativas yendo hacia un voltaje mayor
Aqu se adopta la primera, que es la convencin ms difundida:
I representa la circulacin de cargas elctricas positivas fluyendo hacia un voltaje
menor


Diodo

Diodo en primer plano. Ntese la forma cuadrada del cristal semiconductor (objeto negro de la izquierda).
Tipo Semiconductor
Principio de funcionamiento Efecto Edison
Fecha de invencin John Ambrose Fleming (1904)
Smbolo electrnico

Configuracin nodo y Ctod


Entonces la corriente I > 0 A sale del borne de mayor potencial de la fuente de
voltaje (indicado con "+"), pasa a travs de todos los elementos del circuito
("cayendo" a un voltaje menor), y entra por el borne negativo de la fuente.
En el caso de los conductores (metales), la verdadera "corriente fsica" de cargas
elctricas circula al revs que la "corriente convencional" I > 0 A que se representa
en los esquemas (como se muestra en la Figura).


fig. 1: Diagrama esquemtico de una fuente de voltaje ideal conectada a un
resistor. En el circuito se indica el sentido de circulacin de la corriente elctrica de
intensidad I > 0 A, segn la convencin adoptada (circulando al revs que
los electrones libres dentro del material conductor del resistor).
Hay que enfatizar que "dentro" de la fuente de voltaje (que es el elemento que
realiza trabajo para mantener la circulacin de cargas a travs de un medio
disipativo), la corriente I > 0 A va desde el borne "-" al borne "+". A la fuente de
voltaje se la denomina "Fuerza Electromotriz" (FEM), y en su interior las cargas son
llevadas (mediante la transformacin de alguna forma de energa) a una energa
potencial mayor.
Pero "fuera" de la FEM, sobre cada elemento pasivo del circuito, la corriente I > 0 A
va al revs (desde "+" hacia "-"). Estos voltajes o diferencias de potencial elctrico se
denominan "cadas de voltaje", porque corresponden a una corriente de cargas que
"caen" hacia una energa potencial inferior, en un voltaje menor.
En el caso de la corriente de cargas negativas dentro de un metal, fuera de la FEM
tambin caen a una energa potencial inferior, pero fluyendo hacia un voltaje
mayor.
DIODO SEMICONDUCTOR (Diodo de unin n-p y diodo Schottky)


1-QU ES

Un rectificador de corriente elctrica o "DIODO" es un componente electrnico de
2 (o ms) terminales o electrodos, que solo permite la circulacin de la corriente en
un solo sentido, que para cargas elctricas positivases desde el electrodo "A" de
mayor potencial elctrico (denominado nodo), hacia el electrodo "K" de menor
potencial (denominado ctodo). Por lo tanto un diodo es, en general, un
componente unidireccional, asimtrico.

Un rectificador perfecto es el que para cualquier voltaje aplicado, no conduce
absolutamente ninguna corriente de cargas positivas desde K hacia A, mientras que
al revs, conduce cualquier valor infinitamente grande de corriente.

Existe un conjunto muy grande de rectificadores semiconductores y dispositivos
relacionados con caractersticas fsicas y geomtricas propias, segn la
funcin que deban realizar.
Los primeros componentes electrnicos que dominaban la Electrnica a mediados
del Siglo XX, fueron las"vlvulas" termoinicas, tambin denominadas "lmparas" o
"tubos" termoinicos. El voltaje de la "placa" (nombre del nodo de las vlvulas) es
suficientemente mayor al del K como para que electrones del K abandonen el
metal, y formen una corriente interior desde el K hacia la placa. Por lo tanto todas
las vlvulas rectifican corriente elctrica. La ms simple, el diodo termoinico,
posee 2 terminales para los electrodos (K y placa) y otros 2 terminales para un
calefactor del K (En algunas vlvulas el calefactor tambin acta de ctodo). El
diodo termoinico se usa especficamente para rectificar, mientras que otros tipos
de vlvulas tienen ms terminales para realizar otras funciones (como por
ejemplo amplificar).
Con el desarrollo de la Electrnica de "Estado Slido" a partir de la concepcin de la
Fsica Cuntica (entre 1900 y 1927), la invencin del transistor bipolar (de


contacto en 1947 y de unin en 1951) y la fabricacin de transistores (a partir de
1954), en la segunda mitad del Siglo XX comenzaron a desarrollarse una infinidad
de componentes semiconductores, y entre ellos, muchos tipos especiales de
rectificadores. A uno de los dos ms simples se lo conoce simplemente como "diodo
rectificador (semiconductor)".


Fig. 2: Fuente de voltaje alterno V
AC
alimentando una resistencia R
L
de carga a
travs de (a) un diodo termoinico (omitiendo el calefactor y su circuito) y (b) un
diodo de estado slido. En ambos circuitos, debido al efecto del rectificador,
a R
L
solo llegan los semiciclos positivos de V
AC
. Estos dos componentes son los
rectificadores ms elementales de cada generacin de dispositivos
electrnicos. Por su propiedad ms importante (conducir corriente en un sentido y
bloquearla en el otro), el smbolo electrnico del diodo semiconductor es una
"flechita" en el sentido de circulacin "directo" (forward en ingls), desde A hacia K.
El sentido correspondiente a voltajes negativos, se denomina "inverso"(reverse).
Por su propia construccin fsica, aunque se pueda hablar de voltaje inverso, en las
vlvulas termoinicas no existe ninguna corriente inversa. En los dispositivos de
estado slido esto es diferente. No solo existe una corriente inversa, sino que
adems es muy importante en el funcionamiento de muchos dispositivos (por ser
muy sensible a la iluminacin y a la temperatura).
Este artculo trata de los 2 tipos ms simples de rectificadores modernos
(semiconductores) mostrados en la Figura siguiente, compuestos por (la unin o
contacto de) dos materiales:
(1) Diodos de "Unin Semiconductor-Semiconductor": son los ms conocidos
(comnmente llamados "diodos rectificadores"), constituidos por la unin de un
semiconductor dopado tipo-n con un semiconductor del mismo material
pero tipo-p (diodos de "unin n-p");

(2) Diodos de "Barrera Schottky Metal-Semiconductor" o "Diodos Schottky": son los
primeros que existieron (llamados "diodos de seal"), constituidos por un metal y
un semiconductor dopado tipo-p. Estos 2 materiales suelen estar ligados mediante
un contacto puntual o por una unin fsica, como por ejemplo mediante difusin.



Fig. 3: Muestra de los dos tipos de diodos semiconductores ms comunes y simples:
un diodo rectificador 1N4007, de unin n-p de silicio (con encapsulado plstico) y
dos diodos de seal 1N60, Schottky de germanio (con encapsulado de vidrio). En el
smbolo de este ltimo, el K se indica con una"S"de "Schottky".
En el Apndice "Otros diodos y dispositivos relacionados", se mencionan por
comparacin algunos tipos especiales de rectificadores de estado slido con
estructura ms compleja, como diodos zener, varactores, diodostnel, diodos
reguladores de corriente (CRDs), diodos Shockley, DIACs, diodos emisores de luz
(LEDs), fotodiodos, fotoceldas y algunos rectificadores de 3 terminales que no son
realmente diodos (o son algo ms que diodos), pero que en algn sentido estn
relacionados a los rectificadores (como los SCRs, los TRIACs y los
diodos zenerprogramables).

2-PARA QU SIRVE
(1) El rectificador ms conocido es el "DIODO DE UNIN n-p" o
simplemente "DIODO RECTIFICADOR". En algunas de sus aplicaciones se usa
solamente la propiedad de conducir corriente en un sentido y bloquearla en el
otro. En otras se usa la propiedad del aumento brusco de la corriente con el voltaje
al alcanzar sus valores lmite de voltaje (ruptura en inverso, y umbral en directo) y
en otras la dependencia del voltaje directo con la temperatura. Por ejemplo:
(1.1) Rectificadores de Voltaje y de Corriente: Esta es la aplicacin ms extendida y
conocida de un rectificador, donde 1, 2 4 diodos conectados al secundario de un
transformador de una fuente de alimentacin, sirven para convertir corriente
alterna (AC, Altern Current) en corriente con una sola polaridad, para despus
(con otros elementos de circuito), convertirla finalmente en corriente continua
(DC, Direct Current).



Fig. 4: Diagramas esquemticos de fuentes AC de voltaje V
i
(bobinado secundario
de un transformador) con rectificadores. El voltaje de salida V
o
corresponde a: (A)
media onda implementada usando un bobinado simple con 1 diodo; (B) onda
completa, bobinado simple con 4 diodos, (C) onda completa, bobinado de punto
medio con 2 diodos; y (D) rectificador bipolar de onda completa simtrica,
bobinado de punto medio con 4 diodos.
Los diodos rectificadores tambin se usan en paralelo con un interruptor, para
reducir a la mitad la potencia de calefactores en diversos aparatos (soldadores,
secadores de pelo, estufas, etc.), ya que durante medio ciclo (la mitad del
tiempo) no conducen.
(1.2) Compuertas Lgicas: Con diodos rectificadores y transistores se pueden
implementar configuraciones que se comportan como "circuitos lgicos",
realizando las operaciones bsicas (not, or y and, o las universales nor y nand), y
combinaciones de ellas. Estos circuitos se usan en indicadores luminosos, en
sistemas de control electrnico, en conmutacin activacin de relays.
(1.3) Multiplicadores de Voltaje: Conectando diodos rectificadores y
condensadores, se pueden implementar configuraciones de alto voltaje que cargan
los condensadores en los semiciclos AC, aumentando el voltaje entre dos puntos
dados del circuito. Se utilizan en fuentes de alto voltaje (como por ej. las fuentes de
TVs y de ozonizadores de aire en hospitales y de agua en piscinas).


Fig. 5: Diagramas esquemticos de un duplicador de voltaje y de un multiplicador
de voltaje extendible, a partir de una fuente de voltaje AC V
i
(t) de amplitud V
M
,
condensadores y diodos rectificadores. En el segundo circuito, cada condensador
queda cargado con V
M
y, donde se unen el diodo y el condensador n-simos, se
tiene el voltaje de salida V
o
= nV
M
.
(1.4) Reguladores de voltaje y Protectores de Sobrevoltaje: Los diodos rectificadores
pueden limitar el voltaje de 3 modos diferentes: sin conducir en inverso (A en la
Fig. siguiente), sin conducir en directo (B), y conduciendo en directo (D). Un cuarto
modo es limitar el voltaje conduciendo en inverso, que se realiza con un diodo
especial, denominado zener (C en la Figura).



Fig. 6: Curva caracterstica de un diodo, indicando cuatro puntos de trabajo de
protectores de sobretensin (A y B) y reguladores de voltaje (C y D) utilizando un
diodo, con los correspondientes diagramas esquemticos de los circuitos. En A y en
C se utiliza el voltaje inverso de ruptura V
BR
como lmite de voltaje, mientras que
en B y en D el voltaje umbral V
. En A y en B el diodo no conduce (acta

como protector de sobrevoltaje), mientras que en C y en D el diodo deja pasar
corriente fijando el voltaje (acta como regulador de voltaje). A, B y D se
implementan con un diodo rectificador comn, mientras que C tiene un
diodo zener.
(a) Proteccin por voltaje de ruptura V
BR
( V
RMax
), conectado en inverso sin
conducir (A en la Fig. anterior): Esta configuracin se fundamenta en que la curva
caracterstica I vs. V en inverso tiene un "voltaje de ruptura" V
BR
(breakdown,
tpicamente 2-1000 V dependiendo del tipo de diodo) y una pendiente muy
pronunciada (zona de avalancha). Esto significa que cuando no se alcanza ese
voltaje, el diodo tiene una resistencia muy grande (no conduce), pero cuando un
transitorio de voltaje intenta sobrepasar el valor de ruptura, el diodo se vuelve
conductor (con muy baja resistencia) en sentido inverso, manteniendo al voltaje
cercano al de ruptura.
Conectando entonces al diodo en oposicin y en paralelo con el circuito que se
desea proteger, ante un sobrevoltaje de tensin transitorio y que supere el voltaje
de ruptura, el diodo deja pasar corriente (en inverso) "absorbiendo" el transiente en
una fraccin de microsegundo (y posiblemente fundiendo algn fusible para
interrumpir el funcionamiento).
Para AC se conectan dos diodos en "anti-serie" (en serie pero uno en oposicin con
el otro), y el conjunto anti-serie conectado en paralelo con el circuito que se desea
proteger. De las dos barreras en serie, limita la mayor, la de ruptura. De este modo,
durante una sobretensin que supere V
BR
, segn su polaridad, uno deja pasar
corriente en directo y el otro en inverso, impidiendo que aumente voltaje.


En general los rectificadores no se usan de este modo, ya que no estn preparados
para conducir en sentido inverso. Por eso, cuando los diodos rectificadores
(comunes) se usan as, es para transientes no repetitivos.
(b) Proteccin por voltaje umbral V
, conectado en directo pero sin conducir (B en

la Fig. anterior): Esta configuracin es similar a la anterior pero para proteccin
contra sobrevoltajes muy pequeos. Se fundamenta en que la curva
caracterstica I vs. V en directo tiene un "voltaje umbral" V
(threshold) y una
pendiente muy pronunciada (En diodos de germanio (Ge) es V
Ge
0.25 V y en
diodos de silicio (Si) es V
Si
0.6 V). Conectando entonces al diodo en directo y en
paralelo con el circuito que se desea proteger, ante un voltaje transitorio y que
tienda a superar el umbral, el diodo conduce "absorbiendo" el transiente.
Para AC se conectan dos diodos en "anti-paralelo" (back-to-back), y el conjunto
anti-paralelo conectado en paralelo con el circuito que se desea proteger. En
paralelo, la barrera que limita es la menor, la del voltaje umbral (ya que en
general, para los rectificadores, el voltaje umbral es mucho menor que el voltaje de
ruptura). De este modo, durante la sobretensin, segn su polaridad, uno de los
diodos deja pasar corriente en directo, impidiendo que aumente demasiado el
voltaje
Esta proteccin es utilizada para voltajes relativamente bajos. Para mayores voltajes
y potencias, en vez de utilizar varios diodos, se utiliza un varistor (VARiable
resISTOR), tambin denominado VDR (Voltage Dependent Resistor). El ms comn
es el MOV (Metal Oxide Varistor), fabricado con material policristalino sinterizado
compuesto de xidos de zinc (Zn) con xidos de bismuto (Bi), cobalto (Co) y
manganeso (Mn). Este material tiene uniones semiconductoras entre granos, por lo
tanto se puede modelar como un conjunto o arreglo de diodos en serie y en
paralelo.

(c) Regulador de voltaje mediante voltaje umbral V
, conduciendo en directo (D en
la Fig. anterior): En paralelo con el circuito que se desea proteger, funciona como


"anclaje" de voltaje (clamp diode). La regulacin de voltaje directo no es muy
buena, pero de todos modos, porcentualmente es muy superior a las variaciones
relativas de la corriente.
Para regular simtricamente circuitos de AC de este modo, se colocan en anti-
paralelo. Cuando se requiere que acte a voltajes mayores, se colocan ms diodos
en serie, y para aumentar la capacidad de absorber corriente, se colocan.
Para una mejor regulacin de voltaje, en vez de esta configuracin conduciendo en
directo, es ms comn utilizar un solo diodo zener conduciendo en inversa (como
en C de la Figura anterior). La curva caracterstica en la zona inversa de ruptura es
mucho ms pronunciada que la zona de conduccin directa (como se ve con el
trazador de curvas en un Apndice al final), por lo que un zener tiene mejor
regulacin de voltaje. Adems se consiguen diodoszener de varios voltajes (cosa
que no sucede con los voltajes umbral).
(1.5) Transductores de temperatura a voltaje: Los diodos semiconductores
rectificadores son muy fciles de usar en termometra industrial y en laboratorios,
como termmetros pequeos, rpidos, confiables, de gran exactitud y repetibilidad,
incluyendo muy bajas temperaturas.
La termometra usando diodos semiconductores est basada en la dependencia del
voltaje directo V
F
(T, I
F
) con la temperatura T y la corriente directa I
F
en una unin
n-p. Para que solo dependa de T, se usa una pequea corriente elctrica constante,
tpicamente I
F
10 A (0.1%), lo suficientemente baja como para no
sobrecalentar ni el dispositivo ni el sistema donde se mide T, y lo suficientemente
alta como para que la magnitud de V
F
sea relativamente grande (del orden de 100
mV superior) para ser "leda" con un circuito electrnico standard.

La "curva de respuesta con la temperatura" V
F
(T) de una unin n-p con Ge o con Si,
es relativamente lineal solamente en rangos pequeos de temperatura. Pero con la
Electrnica moderna, la alinealidad no es un problema. Muchos controladores de
temperatura tienen un algoritmo PID y un termmetro formado por el diodo


sensor de temperatura, con los puntos (V
F
, T) obtenidos en una calibracin previa,
guardados en la memoria.


Fig. 7: Diagrama esquemtico de curvas caractersticas Corriente vs. Voltaje de un
diodo a una misma corriente I
F
pero a diferentes temperaturas (T
1
< T
2
< T
3
< T
4
), y
representacin de su respuesta Voltaje directo vs. Temperatura. En la parte inferior
se muestra el esquema bsico usado en termometra.
Por ejemplo el sensor de temperatura DT-670 Lake Shore es un diodo de Si
especificado para funcionar entre 1.4 y 500 K (0 K -273.15
o
C), se puede usar
bajo campo magntico por sobre los 60 K, y posee una respuesta media con la
temperatura aproximadamente lineal en dos tramos:
(a) dV
F
/dT -22.6 mV/K en el rango 1.4K T 23K (1.644290V V
F

1.140817V)
(b) dV
F
/dT -2.1 mV/K en el rango 23K T 500K (1.140817V V
F

0.090681V)
A continuacin se muestran partes de las curvas caractersticas I vs. V de algunos
componentes, utilizando elHameg HM6042-1 (V2.01) Curve Tracer. Con este
instrumento trazador de curvas, de los 4 cuadrantes (I y IV para polarizacin
directa; Cuadrantes II y III para polarizacin inversa), solo se puede ver un
cuadrante por vez.
En el eje vertical Y el instrumento representa la corriente en 8 divisiones (div.Y)
que, segn la escala seleccionada, 2, 20 y 200 mA, representan 0.25,2.5 y 25
mA/div.Y respectivamente.
En el eje horizontal X el instrumento representa el voltaje en 10 divisiones (div.X)
que, segn la escala seleccionada, 2, 10 y 40 V, representan 0.2, 1 y 4 V/div.X
respectivamente.



Fig. 8: Cuadrante I de la curva caracterstica de un diodo rectificador 1N4007 de
silicio en el trazador de curvas (25mA/div.Y; 0.2V/div.X). Se observa un voltaje
umbral V
< 0.66 V, a partir del cual comienza a conducir.

(2) El siguiente diodo semiconductor es el DIODO SCHOTTKY, el primer
rectificador, el primer demodulador de radio de amplitud modulada (AM), el
primer componente electrnico, y tambin el primer componente de estado slido
de la Historia. Es un componente que adems de su propiedad de rectificar en
directo y bloquear en inverso, tiene la propiedad de tener una barrera de
potencial muy baja, lo que se asocia a una velocidad de conmutacinalta (para
pasar del estado de "conduccin" en directo, al estado "bloqueado" en inverso), y
por lo tanto til enaplicaciones de alta frecuencia. De hecho, para distinguirlos de
los dems diodos, en las tiendas de Electrnica se los conoce como diodos "de seal",
debido a su extendida aplicacin como detectores (o
demoduladores) parademodular la onda de radio de AM (i.e., obtener la seal de AF
"escondida" en la modulacin de las ondas de RF). Esta fue una de las primeras
aplicaciones de los rectificadores (en la denominada "Radio Galena"), y actualmente
es una aplicacin muy generalizada de este tipo de diodos.


Fig. 9: Diagrama esquemtico de la demodulacin de una onda de radio AM
mediante un diodo Schottky. Se muestran esquemticamente la onda de radio AM
sintonizada antes, y la onda de AF despus del diodo detector.



Fig. 10: Cuadrante I de la curva caracterstica de un diodo Schottky, tipo 1N60 de
germanio (0.25mA/div.Y; 0.2V/div.X). El instrumento muestra un voltaje umbral
muy bajo (V
0.13V) en comparacin con el diodo rectificador de silicio .

3- DE QU EST HECHO
Los dos tipos de diodos semiconductores ms simples son dispositivos bsicos de
estado slido donde el A est compuesto por un material semiconductor tipo-
p (generalmente Si, Ge o GaAs). En un diodo rectificador el K es del mismo material
semiconductor que el A pero tipo-n, y en un diodo Schottky el K es
un metal Como toda la corriente que alimenta un circuito debe pasar por los
rectificadores de la fuente de alimentacin, losdiodos rectificadores deben ser
capaces de disipar cierta cantidad de potencia con el mnimo de "fugas" en inverso.
Por lo tanto, los rectificadores generalmente se fabrican mediante "uniones" (en vez
de "contactos puntuales") para tener mayor capacidad de transporte, y con Si (en
vez de Ge), pues el Si se puede usar a unas decenas de grados ms que el Ge.
Adems, las corrientes inversas de fuga (I
o
) son unas 1000 veces menores en los
diodos de Si que en los de Ge (Estas 2 grandes ventajas del Si respecto del Ge son
mucho ms importantes que la desventaja de los diodos de Si de tener un
umbral V
0.6 V, que es casi el triple que en el Ge).



Fig. 11: Esquemas, smbolos y curvas caractersticas de diodos reales: diodo
de unin n-p de Si y diodo Schottky metal-semiconductor de Ge.
Algunos diodos Schottky son fabricados con contactos y otros con uniones
especiales (para tener barreras bajas), pero entre metal y semiconductor tipo-
p (porque la barrera con el metal es menor que con un semiconductor tipo-n). El
semiconductor generalmente es Ge (porque tiene una barrera menor que el Si),
aunque tambin hay con Si (para que puedan soportar mayores temperaturas y
posean menores corrientes inversas de fuga).
Ejemplos:
Serie de diodos rectificadores de Si "1N4001-1N4007"
Diotec Electronic Corp. es uno de los fabricantes de la "Series 1N4001-1N4007
1Amp General Purpose Silicon Diodes". Son 7 diodos (1N4001/2/3/4/5/6/7) que
pueden funcionar entre -65 y 175
o
C, poseen una I
oMax
= 5 A yV
RMax
= 50, 100,
200, 400, 600, 800, 1000 V respectivamente. Vienen con encapsulado "DO-41" de
plstico (4.1 mm de largo, 2.6 mm de dimetro) y con una masa de 0.34 g.
Diodo Schottky "1N60"
International Semiconductors, Inc. y Central Semiconductors fabrican un "1N60
Germanium Glass Diode" hecho con Ge (Gold Bonded Technology), que puede
funcionar entre -55 y 70
o
C, y posee una corriente inversa mxima deI
oMax
= 40 A
y V
RMax
20 V. Viene en el encapsulado "DO-7" de vidrio (menos de 8mm de largo,
casi 3mm de dimetro) y con una masa de 0.2g.
Este componente tambin existe en silicio. Weitron y Formosa MicroSemi Co.,
LTD. fabrican un "1N60 Schottky Barrier Diode" o "Small Signal Schottky Diode"
(Silicon Epitaxial Planar), que puede funcionar entre -65 y 95
o
C
aproximadamente, y posee una I
oMax
= 0.1 A y V
RMax
40 V. Viene en el
encapsulado "DO-35" de vidrio (menos de 5mm de largo, 2mm de dimetro).


4-CMO FUNCIONA
El mecanismo de rectificacin de un diodo semiconductor es muy distinto al de una
vlvula, debido a que los mecanismos de conduccin en s mismos son muy
diferentes. Sin embargo, algunos conceptos son generales.
Por ejemplo, para ver cmo un rectificador elctrico bloquea la corriente en un
sentido pero la deja circular en el otro, hay que observar que el dispositivo no es
simtrico; est formado por dos electrodos diferentes: nodo (A) y ctodo (K), y el
voltaje V
AK
V
A
- V
K
sobre el rectificador (la cada de voltaje sobre el A respecto
del K) puede tener dos signos diferentes.
Cuando el voltaje es inverso, V
R
V
AK
< 0 V, la polaridad del dispositivo se
denomina "polarizacin inversa"(reverse bias). En este caso la circulacin de
corriente est bloqueada y el rectificador (perfecto) no conduce (I
R
= 0A). Esto
significa que habra que vencer una "barrera de energa" (potencial elctrica) para
que una corriente (de cargas positivas) pudiera circular en sentido inverso (desde
K hacia A). La existencia de esa barrera no solo hace que el dispositivo no sea
simtrico, sino que adems determina que haya un sentido privilegiado.
Cuando el voltaje es directo, V
F
V
AK
> 0 V, la polaridad del dispositivo se
denomina "polarizacin directa"(forward bias). El sentido de circulacin de
portadores positivos yendo desde A hacia K se denomina sentido directo. Puede
darse uno de estos 2 casos:
(1) No hay barrera a la conduccin en directo (como en el caso de un diodo
semiconductor ideal donde V
=0V),o bien,
(2) Existe otra barrera (en sentido directo), que es menor que la barrera para la
conduccin inversa (como en los diodos reales o "prcticos").
Por eso es que sobre el rectificador, para que haya corriente directa I
F
> 0A, en
general no solo es necesario aplicar un voltaje directo V
F
, sino que adems ese
voltaje debe ser suficiente para que los portadores de carga alcancen o superen
una brecha de energa; el voltaje directo debe alcanzar cierto "voltaje umbral"
(threshold) V
relacionado con la barrera en directo:


0V V
V
F

Esta expresin toma en cuenta ambos casos, con barrera en polarizacin directa
(V
>0V)o sin ella (V
=0V).
Las vlvulas termoinicas rectificadoras estn diseadas fsicamente para que esta
barrera a la conduccin en directo sea menor que al revs. En la barrera interviene
la energa E
W
necesaria para hacer que los electrones abandonen el material del K
(denominada "funcin trabajo"). Al aumentar el voltaje de la placa en relacin al K,
aumenta la energa potencial elctrica de los electrones en el material del K. Como
hay que "arrancarlos" de la superficie del K y acelerarlos hasta la placa, el
voltaje V
p
sobre las vlvulas es relativamente alto. Para que este V
p
sea menor, (i.e.,
para que cueste menos funcin trabajo), se utilizan ctodos calientes. El proceso se
denomina "emisin termoinica", y tpicamente V
p
100-500 V.

El diodo semiconductor de unin funciona de un modo muy diferente, pero
tambin hay que aplicar un voltaje umbral para vencer una barrera (aunque
mucho menor que en las vlvulas). A continuacin se explica cualitativamente el
origen fsico de los parmetros que determinan la curva Corriente vs.
Funcionamiento del diodo semiconductor real
Tres parmetros importantes en el funcionamiento del diodo rectificador de
unin n-p y diodo Schottky reales son:
(1) Intensidad de corriente inversa de saturacin I
o

(2) Voltaje inverso de ruptura V
BR
( V
RMax
)
(3) Voltaje (directo) umbral V

Cuando se fabrica un diodo de unin n-p, al poner en contacto dos materiales con
concentracin distinta (exceso de electrones libres en el tipo-n y exceso de
agujeros en el tipo-p), habr difusin de portadores de carga de uno y de otro lado


atravs de la unin.
Entonces, los electrones (portadores de carga negativos y mayoritarios en el
material tipo-n) difundirn hacia eltipo-p, dejando iones positivos donadores
"desnudos" (en el tipo-n), cruzando la unin y recombinndose con agujeros,
haciendo que queden iones negativos aceptadores desnudos (en el tipo-p).
Anlogamente, los agujeros (portadores de carga positivos y mayoritarios en el
material tipo-p) difunden hacia eltipo-n cruzando la unin y recombinndose con
electrones (En un diodo Schottky sucede algo relativamente similar, pero con
electrones libres y un metal en vez de un semiconductor tipo-n).


Fig. 12: Representacin esquemtica de la estructura de un diodo semiconductor
de unin n-p. Debido a la recombinacin de electrones libres del tipo-n con los
agujeros del tipo-p, alrededor de la unin quedan iones que generan un campo
elctrico intrnseco (de contacto) E
np
desde el tipo-n hacia el tipo-p.
Por lo tanto, la zona de material (originalmente neutro) tipo-n que rodea la unin
queda positiva, y la zona cercana a la unin dentro del material tipo-p queda
negativa, dando lugar a la aparicin de un campo elctrico inverso, intrnseco o de
contacto, E
np
, que "apunta" desde el tipo-n (positivo) hacia el tipo-p (negativo).

Este campo E
np
de n hacia p produce una fuerza elctrica F
np
= qE
np
sobre las
cargas q. Esta fuerza est en contra de los agujeros que estn difundiendo hacia n,
y anlogamente, el mismo E
np
produce una fuerza elctrica contra los
electrones que estn difundiendo hacia p.
Por lo tanto, la difusin persiste hasta que el E
np
llegue a ser lo suficientemente
intenso en la unin, como para compensar la difusin y establecer el equilibrio.
La regin de recombinacin que rodea la unin donde existe el campo
elctrico E
np
, se denomina regin de deplexin, o regin de carga de espacio, o
regin de transicin (depletion region; depletion layer) y tiene un espesor .

La existencia de E
np
(que apunta de n hacia p), hace que en la regin de
recombinacin exista una variacin o salto de potencial elctrico V
0
(de unas
cuantas dcimas de volt, mayor en n respecto de p), y por lo tanto hay una barrera
de energa potencial electrosttica eV
0
para los agujeros y una barrera -eV
0
para
para los electrones


(1) Corriente inversa de saturacin I
o

Es importante observar que la existencia de esta regin intermedia sin portadores
de carga (ni electrones libres ni agujeros), hace que el dispositivo no
pueda ser conductor.
Cuando el dispositivo se polariza en sentido inverso o de bloqueo (reverse
bias), V
R
< 0 V, aparece un campo elctrico exterior E
ext
adicional en la misma
direccin (atravesando la unin a lo largo de la regin de recombinacin). Como
en el material tipo-n el potencial aplicado externamente es positivo respecto
del tipo-p, el campo E
ext
sobre todo el material tiene el mismo sentido que E
np
, por
lo que el campo elctrico total en la unin es la suma de dos campos inversos y
posee una intensidad (inversa) mayor: E
TOTAL
= E
np
+ E
ext
. Esto significa queaumenta
el ancho de la regin de recombinacin, la barrera se hace mayor y no puede
haber flujo de cargas. Entonces, a travs de la unin n-p en el cero absoluto (T = 0
K) no hay conduccin en inverso.

El estado de no conductor a 0 K con polarizacin inversa cambia cuando T > 0 K.
La presencia del campo elctrico de los tomos desnudos con energa trmica kT,
rompe algunos enlaces covalentes cercanos, y entonces aparecenpares agujero-
electrn libre generados por la agitacin trmica en ambos lados de la regin de
transicin.
El electrn de los pares generados en el tipo-n se liga a algn in positivo cercano,
y el agujero de los pares generados en el tipo-p se liga a algn in negativo (como
se muestra esquemticamente en la Figura).

Por lo tanto, alrededor de la unin a T > 0 K los agujeros en el tipo-n y electrones
en el tipo-p generados trmicamente, bajo la fuerza del campo elctrico inverso
atraviesan la unin hasta recombinarse (flecha verde).
Esto constituye una pequea corriente inversa I
R
cuya intensidad con muy poco


voltaje inverso alcanza el valor lmite I
o
, que es el parmetro denominado corriente
inversa de saturacin del diodo.


Fig. 13: Representacin esquemtica del origen de la corriente inversa de
saturacin I
o
en un diodo semiconductor de unin n-p. En la zona de transicin
a T > 0 K, se rompen enlaces generando pares agujero-electrn. De este modo
quedan agujeros entre los iones positivos del tipo-n y electrones entre los iones
negativos del tipo-p, que se recombinan movidos por el campo elctrico
inverso.
En un diodo perfecto I
o
0 A, pero en un diodo ideal la teora de Shockley predice
y explica la existencia de I
o
, observada en los diodos reales (o prcticos).
Esta corriente inversa se desprecia en muchas aplicaciones, ya que es del orden de
100 A y 0.1 A en diodos de Ge y de Si respectivamente. Pero por otro lado,
existen otros dispositivos donde se utiliza la sensibilidad de I
o
con la temperatura o
bien con la iluminacin (dado que tambin la luz visible puede romper enlaces
covalentes y generar pares electrn-agujero).
(2) Voltaje inverso de ruptura V
BR
( V
RMax
)
Si el voltaje inverso sigue aumentando negativamente, finalmente alcanzar un
voltaje lmite -V
BR
asociado a otra barrera, a partir de la cual comienza una
conduccin en sentido inverso. Esta corriente inversa normalmente destruye al
dispositivo, salvo los especialmente diseados para conducir en ese rgimen hasta
un valor mximo de potencia (denominados diodos Zener).
El caso ms comn es que cuando V
R
= -V
BR
los agujeros y electrones generados
trmicamente que componen la corriente adquieren energa suficiente como para
liberar enlaces de electrones de valencia y as producir nuevos portadores de carga.
A su vez, estos nuevos portadores liberan otros, en un proceso acumulativo
denominado multiplicacin por avalancha".

Pero existe otro mecanismo que origina conduccin inversa. Si los portadores de
carga no tienen energa suficiente para romper enlaces en las colisiones, igual es
posible que se produzca una "ruptura" (breakdown) al alcanzar un voltaje -


V
BR
asociado a un campo elctrico inverso suficientemente intenso como para
romper directamente los enlaces. En este caso la conduccin inversa se
denomina zener, y se produce generalmente en diodos donde el voltaje de
ruptura V
BR
es menor que unos 6V.
En la prctica, los trminos "Zener" o "ruptura" se utilizan en general, no solo para
los diodos de ruptura sino tambin para los de avalancha que poseen, en
principio, voltajes V
BR
mucho mayores.
En un diodo perfecto y en un diodo ideal no hay ruptura, es decir, V
BR
. Pero en
un diodo real V
BR
es un parmetro muy importante, de valor finito.
(3) Voltaje umbral V

En un diodo perfecto y en un diodo ideal tampoco hay voltaje umbral, es decir, V

0 V. Pero en un diodo real V
tambin es un parmetro muy importante, de valor

finito, como se verifica experimentalmente en las imgenes del cuadrante I de la
curva I vs. V vistas en el trazador de curvas. En efecto, se observa en las curvas que
la conduccin en directo de un diodo de unin de Si y de un diodo Schottky de Ge
es nula o casi despreciable hasta que el voltaje directo alcanza un valor umbral.
Veamos cmo esto se explica cualitativamente.



Fig. 14: Representacin esquemtica del cambio en el ancho de la regin de
transicin con las polarizaciones inversa y directa.
Cuando el dispositivo se polariza en sentido directo (forward bias), V
F
> 0 V, el
campo elctrico exterior E
ext
que atraviesa la unin a lo largo de la regin de
recombinacin, ahora tiene sentido opuesto al campo intrnseco E
np
, por lo que el
campo elctrico total posee una intensidad menor: E
TOTAL
= E
np
- E
ext
. Esto significa
que el campo sobre la unin polarizada directamente disminuye el ancho de la
regin de recombinacin y consecuentemente la barrera se hace ms delgada. Pero
si an queda algo del campo intrnseco que el campo exterior no haya cancelado,
persiste parte de la barrera y el dispositivo sigue en estado "no conductor".
El voltaje umbral es el que produce un campo exterior directo que cancela al
campo intrnseco inverso, y a partir del cual, sin barrera, podr haber conduccin.
ste es entonces el origen del voltaje umbral.
Curva Caracterstica Corriente I vs. Voltaje V del diodo semiconductor
Considerando portadores mayoritarios y minoritarios, el fsico e inventor
estadounidense William Bradford Shockley (1910-1989) en 1949 elabor la teora
de la unin n-p con su clebre ecuacin para la corriente inversa I
o
, que conduce a
la expresin de la corriente I en funcin del voltaje aplicado V (polarizacin
inversa o directa), conocida como Ley del Diodo Ideal de Shockley:
I = I
o
(e
eV/(kT)
1)
donde la corriente inversa de saturacin es
I
o
= constante x T
2
e
-E
G0
/(kT)

siendo E
G0
E
G
(0K) el valor del gap del material a T = 0 K.


Fig. 15: Representacin esquemtica de las curvas caractersticas de un rectificador
perfecto, un diodo ideal (Ecuacin de Shockley) y de un diodo semiconductor de


La Ecuacin de Shockley describe bastante bien el comportamiento para pequeas
corrientes de un diodo ideal de unin n-p de germanio (con E
G0
Ge
= 0.785 eV),
donde dominan las corrientes de difusin. Pero en el caso de un diodos de Si o de
GaAs, es necesario hacerle correcciones. Esto se debe a efectos de superficie, a
efectos de "tunelaje" en la unin, y otros fenmenos no considerados en la
deduccin de Shockley.
La curva I vs. V del diodo ideal de unin n-p de silicio crece ms suavemente que
la caracterstica del diodo de Ge. Con las primeras dcimas de voltio de V, el
crecimiento de la corriente directa I
F
comienza variando como e
eV/(2kT)
(en vez
de e
eV/(kT)
como es para el Ge). Haciendo las correspondientes correcciones, la
caracterstica para el Si resulta:
I = I
o
(e
eV/(nkT)
1)
donde n = 2 cuando domina la recombinacin (corrientes pequeas), n = 1 cuando
domina la difusin (corrientes grandes), 1< n < 2 cuando ambos fenmenos
contribuyen apreciablemente, y:
I
o
= constante x T
3/2
e
-E
G0
/(2kT)

y donde E
G0
Si
=1.21eV.
Por lo tanto las expresiones para un diodo ideal de unin n-p de germanio y de
silicio se pueden sintetizar en una sola ecuacin con 5 parmetros dependientes
del material:
I = I
o
(e
eV/(nkT)
1) = constante x T
m
e
-E
G0
/(kT)
(e
eV/(nkT)
1)


donde para un diodo ideal de unin n-p de germanio:
n =1
m =2.0
E
G0
=0.785eV
=1

mientras que para un diodo ideal de unin n-p de silicio:
(I
F
grande) 1 n 2(I
F
pequea)
m =1.5
E
G0
=1.21eV
=2

Otra forma de expresar I es con E
G
E
G
(T) en vez de E
G0
, usando que el
valor E
G
del gap decrece en forma aproximadamente lineal con T, y entonces
resulta:
I = constante x T
(3+/2)
e
-E
G
/(kT)
(e
eV/(nkT)
1)


donde es una constante que depende del material.
A partir del voltaje umbral V
, el diodo conduce en directo, y la cada de voltaje

directo V
F
(forward voltage-drop) es del orden de 0.3 V hasta aproximadamente 3 V,
dependiendo del dispositivo y de la intensidad de la corrienteforward I
F
.
Para los diodos rectificadores usados en aplicaciones de potencia (generalmente de
silicio con V
Si
0.6 V), V
F
est en el rango 0.7-1.7 V. Por ejemplo, en el diodo
1N4007 de silicio tpicamente es V
F
1.1 V para I
F
1 A.
En los diodos Schottky usados en la actualidad como demoduladores en las radios de
AM, la V
F
tiene que ser baja (para que tengan eficiencia y rapidez de conmutacin en
las aplicaciones de alta frecuencia). En estos dispositivosV
F
suele estar en el rango
0.15-0.45 V. Por ejemplo, en el diodo 1N60 de germanio (con V
Ge
0.25 V)
tpicamente es V
F
0.3 V para I
F
1 mA.
Medicin de E
G
usando diodos semiconductores:
La ltima expresin es interesante porque muestra explcitamente que para un diodo
de germanio ( = n = 1) o para un diodo de silicio con una corriente
directa I
F
pequea ( = n = 2), y dentro de un rango pequeo de temperaturas
cercanas a la ambiente (T 300 K) donde el trmino T
(3+/2)
vara mucho menos
con T que e
-E
G
/(kT)
, y donde e
eV
F
/(nkT)
>> 1,se tiene
I
F
constante x e
-E
G
/(kT)
e
eV
F
/(nkT)
= constante x e
(eV
F
-E
G
)/(nkT)

de donde resulta que manteniendo la corriente directa I
F
constante y pequea
(cercana al umbral),
T constante x (E
G
- eV
F
) A
0
+ A
1
V
F

Entonces se puede estimar experimentalmente el gap a T 300 K usando la relacin
(lineal) del voltaje directo V
F
con la temperatura T del material del diodo
semiconductor (alrededor de la temperatura ambiente), a partir del cociente E
G
/e = -
A
0
/A
1
entre la ordenada al origen A
0
y (menos) la pendiente -A
1
, como se describe en
el Apndice "Medicin del gap de un semiconductor" del artculo El Semiconductor
(Tipo-n y Tipo-p), usando un diodo deunin n-p 1N4007 para el Si, y un
diodo Schottky 1N60 para el Ge.


Tres comentarios ms:
Las uniones entre dos materiales elctricos diferentes, tienen otras aplicaciones.
(1) Cuando se ponen en contacto dos metales diferentes ... se forma un rectificador?
Los metales (puros y aleaciones) tienen electrones libres (disponibles para la
conduccin elctrica) con diferentes energas, dependiendo de la temperatura y de los
niveles electrnicos de la banda de valencia de cada metal. Qu ocurre entonces
cuando se ponen en contacto 2 metales diferentes?


Hay una barrera de potencial?
Cuando se ponen en contacto migran electrones de un metal al otro hasta que un
campo elctrico equilibre el gradiente de concentracin en la unin, provocando la
aparicin de un voltaje (potencial de contacto o potencial termoelctrico Seebeck)
aproximadamente proporcional a la temperatura de la unin.
La unin metal-metal se llama termopar y es una clase de dispositivos muy
importantes, con gran aplicacin entermometra como transductores de temperatura
a voltaje.
Por ejemplo, el termopar tipo-K est formado por el par de aleaciones
denominadas chromel (90%Ni-10%Cr) yalumel (95%Ni-2%Mn-2%Al-1%Si).
El chromel resulta positivo respecto del alumel y la sensibilidad del termopar tipo-K
es 41V/
o
C.
Pero un termopar no es un rectificador, ya que ninguno de los dos metales
constituyentes tiene gap. S es asimtrico (debido al potencial Seebeck que tiene una
polaridad definida), pero no es un rectificador, pues conduce fcilmente en
ambos sentidos.

(2) Los terminales metlicos en los extremos de un diodo de unin n-p, forman
dos rectificadores Schottky?
Lgicamente aparecern dos potenciales de contacto en estas uniones metal-
semiconductor adicionales, en los extremos del diodo semiconductor n-p. Sin
embargo estas uniones se fabrican para que no rectifiquen, para que sean
simplemente un contacto resistivo.
Cuando se tiene este tipo de unin, que es independiente del sentido y de la intensidad
de la corriente, en vez de llamarse "unin", se la denomina contacto hmico. En
general se reserva la denominacin "unin" para la existencia de una "barrera de
energa potencial", que produce la rectificacin.

(3) El fenmeno inverso al Seebeck es el Efecto Peltier, descubierto en uniones metal-


metal a travs de las cuales se obliga a circular una corriente elctrica.
La aplicacin de este efecto termoelctrico en refrigeradores termoelctricos sin
partes mviles se hizo prctica ms de un siglo despus de su descubrimiento, pero
usando semiconductores.
Varios pares de elementos tipo-n y tipo-p fuertemente dopados, se conectan
formando un mdulo generador termoelctrico (TEG, ThermoElectric Generator). Los
elementos se interconectan (en serie y en paralelo) alternadamente y con lminas
metlicas, y el TEG queda compuesto por contactos hmicos metal-
semiconductortipo-n y contactos hmicos metal-semiconductor tipo-p. La
generacin y absorcin de calor est asociada a la diferencia de energa potencial
elctrica de los portadores en uno y otro tipo de semiconductor.
5-MISCELNEAS
Rectificador con Piedra Galena: Un diodo que se adelant medio siglo !
A principios del Siglo XX, la Humanidad se encontraba asombrada tanto por la magia
de La Radio como por el misterio de la (rectificacin mediante la) "piedra galena".
La Radio Galena fue un receptor de radio con los mnimos componentes que adquiri
ese nombre justamente porque su diodo detector se construy mediante un metal en
contacto con una piedra galena, que es sulfuro de plomo (PbS), el principal mineral
natural del plomo, con estructura cristalina cbica y comportamiento
semiconductor.

El efecto "rectificador de puntas de contacto" en cristales haba sido descubierto en
1874 por el fsico e inventor alemn Karl Ferdinand Braun (1850- 1918), quien
observ la dependencia de la resistencia con la polaridad del voltaje aplicado y con el
detalle de las condiciones en la superficie de contacto, publicado en Ann. Phys.
Chem., 153,556(1874).
Mucho ms tarde, en los comienzos de la comunicacin con RF, el fsico, bilogo,
botnico, arquelogo, inventor y escritor de ciencia ficcin bengal Jagadish Chandra
Bose (1858-1937), en sus experimentos con microondas de 1894 implement la idea


de demodular ondas de radio con un cristal semiconductor. En 1901 Bose present
una patente de un detector de radio AM con piedra galena, un diodo de
unin conductor-semiconductor ( U.S. Patent 775,840 (1904) ). Este diodo metal-
galena fue el primer componente electrnico de la Historia !. As naci tambin la
primera radio con detector a galena, la "Radio Galena".
Finalmente, Braun comparti con Marconi el Premio Nobel de Fsica 1909 por sus
contribuciones a la "telegrafa sin alambres".

El diodo con piedra galena fue un dispositivo completamente anacrnico. Por un lado
se adelant a la teora necesaria para comprender su funcionamiento, ya que era un
componente cuntico de la Electrnica de Estado Slido que empezara a desarrollarse
medio siglo despus ! Y por otro lado, comenz a utilizarse a principios del Siglo XX,
cuando no exista ni siquiera la Electrnica (todava no se inventaban las vlvulas
termo inicas !!). Tena todas las ventajas (respecto de las vlvulas) que tendran los
dispositivos de estado slido "del futuro", como por ejemplo ser liviano, pequeo,
compacto, econmico, sin calefaccin y de bajo consumo, casi sin desgaste ni fallas,
miniaturizable e integrable, fabricable y soldable automticamente y en
serie.
Los primeros dispositivos rectificadores utilizaban un metal (como el oro) o grafito, en
contacto con una galena. Fue la primera forma del diodo de estado slido, llamado
entonces "rectificador de contacto" o "rectificador de punto". Adems de hacerse
con galena, tambin se fabric con un xido de cobre (Cu) y tambin
con selenio (Se).
Despus de la patente de 1904 del diodo metal-galena, basndose en el trabajo
de Braun de 1874, el inventor estadounidense Greenleaf Whittier Pickard (1877-
1956) desarroll y patent en 1906 el diodo "bigote de gato" (cat's whisker), con un
alambrecito de 0.255 mm de dimetro (AWG 30, el "bigote"), de bronce fosforado
(cobre con 3.5-10% de estao y 1% de fsforo), en contacto con un cristal de silicio
fundido. Este diodo se utiliz como detector de AM aproximadamente entre 1906 y


los aos 1940s, y la Radio Galena pas a llamarse tambin "Radio de Cristal".
Generalmente, cuando en la actualidad alguien dice haber armado una radio galena,
en realidad se refiere a unaradio de cristal, cuyo rectificador es un
diodo Schottky comercial.
El diodo Schottky ha estado presente en toda la Historia de la Electrnica y en la
actualidad se sigue fabricando y utilizando igual que antes, como detector, como si el
tiempo no hubiese transcurrido. Es uno de los grandes inventos vigentes de nuestra
Civilizacin, pero que al principio se utiliz durante dcadas sin conocerse la teora
de su funcionamiento.
En la Fsica Clsica no exista el concepto de gap ni de bandas de energas en los
slidos. Por lo tanto, el principio bsico de funcionamiento de un diodo
semiconductor se pudo desarrollar despus de establecerse los fundamentos de
la Fsica Cuntica (1927).
Desde el punto de vista elctrico, la galena es un semiconductor natural
con gap pequeo (E
G
0.4 eV). Es decir que la unin metal-galena forma un
rectificador donde la barrera metal-semiconductor no es muy alta. Esta barrera de
energa se denomina barrera Schottky en reconocimiento al fsico terico e inventor
alemn Walter Hermann Schottky (1886-1976), quien extendi la teora del fsico
terico ingls Nevill Francis Mott (1905-1996) (Premio Nobel de Fsica 1977) de
1939 sobre la rectificacin metal-semiconductor.
La barrera de potencial "semiconductor-semiconductor" de la unin n-p fue
descubierta en 1939 por el ingeniero estadounidense Russell Shoemaker Ohl (1898-
1987) quien realiz importantes investigaciones sobre semiconductores (Todos los
diodos, incluidos LEDs y LASERs, son descendientes del trabajo de Ohl. Su trabajo lo
condujo a desarrollar la primera celda solar de silicio. Present la primera patente en
1941, "Light-Sensitive Electric Device", y la obtuvo en 1946).

En el mismo tiempo, despus de la Segunda Guerra Mundial, a un grupo de
investigadores de Bell Labs se les encomend buscar una alternativa de amplificador


con elementos de estado slido, para reemplazar las voluminosas y frgiles vlvulas
termoinicas de vidrio, es decir, desarrollar una nueva tecnologa electrnica (cuando
el nico componente de estado slido era el "viejo"
diodo Schottky).
Uno de ellos, el fsico e inventor estadounidense William Bradford Shockley (1910-
1989), tuvo la idea de modificar la conductividad de los semiconductores usando un
campo elctrico externo (Ms de 15 aos antes, en 1930, el fsico astraco-
hngaro Julius Edgar Lilienfeld (1882-1963) haba patentado el principio de lo que
ahora se denomina MESFET, transistor por efecto de campo con unin metal-
semiconductor, basado en esa idea, pero aparentemente, nadie la haba puesto en el
contexto de los nuevos semiconductores).

Despus de intenso trabajo, dos de sus colegas, el ingeniero elctrico John
Bardeen (1908-1991) y Walter Houser Brattain (1902-1987) (ambos fsicos
estadounidenses), en 1947 lograron amplificacin con un transistor de punto de
contacto, inventando as el primer transistor de la Historia.
Pero Shockley continu trabajando en secreto en un transistor diferente. Por un lado
busc un diseo que fuese menos frgil y cuya fabricacin pudiera ser
comercialmente ms viable. Y por otro lado, estudi una mejor descripcin terica de
la conductividad, incluyendo la inyeccin de portadores minoritarios.
Finalmente, en 1949 Shockley estableci la teora de la curva caracterstica I vs. V de
una unin n-p y desarroll la teora del transistor de unin (BJT, Bipolar Junction
Transistor) que llam "sandwich transistor" ("The Theory of p-n Junctions in
Semiconductors and p-n Junction Transistors" Bell Syst. Tech. J. 28 435 (1949) )
("Electrons and Holes in Semiconductors" D. Van Nostrand Princeton, N.J., 1950).

Por fin, en 1949 se comprenda el fenmeno descubierto por Braun 75 aos antes
(1874) y que vena siendo utilizado en la Radio desde el principio del Siglo XX !


Shockley invent el transistor de unin, lo di a conocer y obtuvo la patente en 1951.
Form su propia compana en 1955 y recibi el Premio Nobel de Fsica 1956 junto
con Brattain y Bardeen en reconocimiento por la invencin del transistor, algo que
cambiara tremendamente las comunicaciones y la tecnologa de nuestra
Civilizacin.
Posteriormente, la teora de la unin n-p fue extendida por C. T. Sah, R. N. Noyce y el
mismo Shockley ("Carrier Generation and Recombination in p-n Junction and p-n
Junction Characteristics" Proc. IRE 45 1228 (1957) ) y despus por J. L. Moll ("The
Evolution of the Theory of the Current-Voltage Characteristics of p-n Junctions" Proc.
IRE 46 1076 (1958) ).
Desafortunadamente, Shockley hizo que tambin se lo recuerde por sus
controvertidas afirmaciones racistas e ideas acerca del mejoramiento de la raza,
realizadas en los aos 1960.

Un comentario final: En esos aos (1956-7), el mismo Bardeen, uno de los 3
inventores del transistor, public junto con los fsicos tericos estadounidenses Leon
N. Cooper (1930 - ) y John Robert Schrieffer (1931 - ) una serie de artculos
explicando la Superconductividad Tipo-I ("Teora BCS", Bardeen-Cooper-Schrieffer),
por lo que los 3 compartieron el Premio Nobel de Fsica 1972. Bardeen es la nica
persona con 2 Premios Nobel de Fsica (1956 y 1972).


REFERENCIAS

(1) Sze S M 1981 Physics of Semiconductor Devices; Second Edition (N.Y.: John Wiley
&Sons)

(2) Millman J and Halkias Ch C 1965 Electronic Devices and Circuits (McGraw-Hill)
Traduccin al Castellano:
Millman J y Halkias Ch C 1975 Dispositivos y Circuitos Electrnicos (Madrid:
Pirmide)
(Un viejo libro de la poca, cuando a los estudiantes de Ingeniera Electrnica se les
enseaba algo de la Fsica de los dispositivos)

(3) Horowitz P Hill W 1989 The Art Of Electronics; 2nd Edition (Cambridge:
Cambridge)

(4) Falicov L M 1980 La estructura electrnica de los slidos; Tercera Edicin
(Washington, DC: OEA) Monografa no. 3, Serie de Fsica

(5) McWhorter G and Evans A J 1994 Basic Electronics: Electronic Devices and
Circuits, How They Work and How They Are Used (Richardson: Master) Radio Shack
62-1394

Diodocaracteristicas 121216215101 Phpapp02

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Diodocaracteristicas 121216215101 Phpapp02

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP.

. En A y en B el diodo no conduce (acta

, conectado en directo pero sin conducir (B en

< 0.66 V, a partir del cual comienza a conducir.

0.13V) en comparacin con el diodo rectificador de silicio .

0.6 V, que es casi el triple que en el Ge).

relacionado con la barrera en directo:

>0V)o sin ella (V

tambin es un parmetro muy importante, de valor

, el diodo conduce en directo, y la cada de voltaje

Vous aimerez peut-être aussi