Informe de laboratorio #3

Julin Camilo Nez Guisao, Andres Camilo Montoya

Facultad de ingeniera, Universidad de Antioquia
Medelln, Colombia
Juliann1010@gmail.com
Camilo_1393@hotmail.com

Resumen: Un transistor es un dispositivo electrnico de estado
slido que es capaz de variar su resistencia interna en funcin de
una seal de entrada. Un transistor tiene tres terminales, y
dependiendo del voltaje en cada uno de ellos el transistor se
comporta como un switche o como un amplificador. Adems es el
dispositivo ms usado en la electrnica ya que maneja grandes
potencias y frecuencias elevadas.
Palabras clave: Regin, corte, saturacin, activa, unin bipolar,
transistor, switche, amplificador.

I. Procedimiento

1.1. Diferencias entre transistor 2N2222 y transistor
2N3906:
La principal diferencia entre estos transistores es que el 2N2222 es
un transistor NPN, el cual conduce corriente de colector a emisor,
mientras que el 2N3906 es un transistor PNP y la corriente va de
emisor a colector.
El transistor 2N2222 presenta un factor de ganancia de corriente que
va desde 35 hasta 100 (35, 40, 50, 75, 100) mientras que el transistor
2N3906 vara desde 30 a 100 (30, 60, 80, 100) lo cual implica que
hay mayor flexibilidad a la hora de amplificar una corriente con el
transistor 2N2222 porque tiene menos valores restringidos.
1.2. Rel
Un relevador o rel es un interruptor accionado por un electroimn.
El rel est constituido por dos partes: la primera es un cable de
cobre (bobina) enrollado en una barra de hierro, y la segunda parte es
un switche mecnico. Estas dos partes del rel no tienen ningn
medio elctrico por el cual comunicarse, por lo tanto la bobina y el
switche pueden constituir dos circuitos totalmente independientes
elctricamente.
La funcin del rel se da cuando se hace pasar corriente a travs de la
bobina, sta magnetiza la barra por efecto del campo magntico
generado por dicha corriente, haciendo que la barra se convierta en
un imn. El campo magntico producido por el imn activar el
switche que se encuentra al otro lado del rel. El switche se puede
abrir o cerrar dependiendo de cmo est configurado (normalmente
abierto o normalmente cerrado).
Se debe tomar en cuenta una precaucin con rel y es que cuando se
desactiva la fuente que lo alimenta y se le deja de suministrar
corriente al mismo, la bobina que se encuentra dentro del relevador
queda cargada y ella procede a descargarse, lo que puede llegar a
generar picos de corriente dentro de los otros componentes del
circuito y podran verse afectados. Para solucionar este problema se
debe colocar un diodo en paralelo al rel.
La imagen Fig. 1.1 muestra la configuracin de un relevador.

Fig. 1.1- Componentes dentro de un rel. Tomada de
http://www.dtic.upf.edu/~jlozano/interfaces/rly_diag.gif
II. Simulacin
2.1. Curvas caractersticas del transistor
Para obtener las curvas caractersticas del transistor, se van a
simular los circuitos 1 y 2 correspondientes a Fig. 2.1

Fig. 2.1- El circuito 1 corresponde a un transistor NPN y el circuito 2 a
uno de configuracin PNP.
Para poder obtener la curva caracterstica del transistor en el
circuito 1, se hizo un barrido DC para la fuente

tomando
valores desde 0 hasta 20, mientras se pona a variar la fuente

tomando los valores enteros desde el 0 hasta el 5.

Para invocar un transistor BJT en PSPICE se debe especificar el
modelo de transistor a utilizar, muy similar a un diodo. Se puede
utilizar la librera Eval.lib para invocar un modelo en particular
como el 2N2222, pero infortunadamente no se cuenta con dicha
librera en el software; no obstante, se puede recurrir a la
sentencia .MODEL para invocar un modelo ms general de los
transistores.
Para este primer caso, las lneas de invocacin del transistor
son:
Q1 3 2 0 NPNEST
.MODEL NPNEST NPN
El NETLIST correspondiente al circuito 1 de Fig. 2.1 se
encuentra en la carpeta Laboratorio 3/Simulacin
1/Simulacion1.
La grfica que corresponde a la curva caracterstica del
transistor NPN es la dada en Fig. 2.2


Fig. 2.2- Curva caracterstica del transistor para diferentes valores de
voltaje en la base mientras que vara la fuente del colector. Los valores
para la fuente de la base son 0V, 1V, 2V, 3V, 4V y 5V identificados con
los colores: verde, rojo, azul oscuro, amarillo, violeta y azul claro
correspondientemente.
Para observar mejor la imagen Fig. 2.2, se recomienda ir a la
carpeta /Laboratorio 3/ Simulacin 1/NPN.
Regin de corte:
La lnea verde donde el voltaje en la base es cero, se ve
claramente que la corriente en el colector del transistor siempre
ser cero sin importar que tan grande sea el valor de la fuente
del colector. En este caso se dice que el transistor se encuentra
en la regin de corte, donde el voltaje de base no es lo
suficientemente grande para poner a operar el transistor y las
junturas Base-Emisor y Base-Colector se encuentran en
polarizacin inversa. El transistor se comporta como un circuito
abierto, es decir, las corrientes de base, emisor y colector son
iguales a cero.
Los dems casos pasan por las regiones de saturacin y activa
que sern explicados a continuacin.
Regin de saturacin:
En la regin de saturacin, la corriente de la base es muy grande
y el transistor se comporta como un switche cerrado, dejando
pasar toda la corriente que pasa por el colector, las dos junturas
Base-Emisor y Base-Colector se encuentran directamente
polarizadas, lo cual implica que el voltaje en la base ser
siempre mayor a los voltajes en el colector y en el emisor.
En este caso

Otra caracterstica importante, es que la cada de potencial entre
los terminales Colector-Emisor es pequea, idealmente equivale
a 0.2V.
Regin activa:
Cuando un transistor no est ni en regin de corte ni en
saturacin, est en regin activa.
Esta es una regin intermedia, donde se deja pasar una cierta
cantidad de corriente que depende de la corriente de base y de
un factor de ganancia que es suministrado por el fabricante.
En la regin activa, la corriente en la base es pequea, y la
juntura Base-Emisor se encuentra directamente polarizada
mientras que la unin Base-Colector est en inversa.
La relacin entre las corrientes est dada por las ecuaciones
(2.1) y (2.2).

()

()
Esta regin es la ms importante si se quiere utilizar el transistor
como un amplificador de seal.
Con todo lo anterior, se hace un grfico donde se ilustran las
tres regiones (Fig. 2.3).



Fig. 2.3- Regiones de funcionamiento. Imagen tomada de
http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/tema5.pdf
En este caso, el transistor trabaja en regin activa desde que el
voltaje Colector-Emisor sea mayor a 1 V (ver hoja de datos del
transistor 2N2222).
Para el circuito 2 de Fig. 2.1 se hace un barrido DC para la
fuente del colector entre 0 y -20 V, mientras se pone a variar la
fuente de la base desde -5 hasta 0.
Para poder invocar un transistor PNP en PSPICE, se hace un
procedimiento muy similar al anterior, solo es cambiar en la
sentencia .MODEL NPN por PNP.
El NETLIST asociado se encuentra en la carpeta /Laboratorio
3/Simulacin 1/Simulacin1_2.
Al simular el archivo .cir, PSPICE muestra la grfica Fig. 2.4.

Fig. 2.4- Curva caracterstica para transistor PNP. Las lneas verde,
roja, azul oscura, amarilla, violeta y azul clara corresponden a los
casos donde la fuente de base equivale a -5V. -4V, -3V, -2V, -1V y 0V.
El modelo PNP tiene las mismas caractersticas que el modelo
NPN en cuanto a las regiones de operacin siempre y cuando se
alimente el transistor con fuentes de voltaje negativo, si se hace
lo contrario, el PNP funcionar inversamente a como debera
hacerlo.
2.2. Montaje del transistor con fuentes DC:
El circuito a simular es el que est dado en la grfica Fig. 2.5

Fig. 2.5- Montaje con transistor NPN alimentado con seal DC.
Para el montaje de este circuito, simplemente se usa el modelo
del transistor NPN utilizado en el punto anterior y se
parametriza una resistencia de base, la cual tomar cinco valores
diferentes (1K, 3K, 5K, 7K y 10K).
Con los datos arrojados por el archivo .out, se hace una tabla
donde se puede visualizar claramente la regin de trabajo del
transistor. Dicha tabla es la correspondiente a Fig. 2.6.
Fig. 2.6- Cambio de los voltajes en los terminales del transistor a
medida que vara la resistencia de base.
En todos los casos anteriores, el transistor se encuentra en la
regin activa puesto que el voltaje en el colector es mayor al
voltaje en la base.
2.3. Montaje del transistor con fuente AC y condensadores:
El circuito a simular est dado en la grfica Fig. 2.7
Rvar

Modo de
operacin
1K 1.5939 4.4034 0.7673 Activa
3K 1.4208 6.0545 0.6005 Activa
5K 1.2843 7.3435 0.4703 Activa
7K 1.1738 8.3737 0.3663 Activa
10K 1.0424 9.5722 0.2452 Activa

Fig. 2.7- Montaje con transistor, fuentes DC y AC, resistencias y
capacitores.
El NETLIST correspondiente al circuito mostrado a Fig. 2.7 se
encuentra en Laboratorio 3/Simulacin 3/Simulacion3.
Como no se especific de cuanto debera ser la frecuencia de la
fuente AC, se tom un valor de 1KHz para que sea ms
coherente la comparacin entre la teora con la parte
experimental.
Como se puede apreciar, el montaje es muy parecido al
realizado en el punto anterior, solo se le agregan tres
condensadores, uno en cada terminal del transistor.
La funcin de

es eliminar la parte DC de la seal en

caso de que esta tenga un offset.
Como se toman los mismos valores para

del punto anterior,

se puede pronosticar que el transistor siempre estar en regin
activa y por lo tanto debe amplificar la seal de entrada.
Para comprobar esto, se toma un grfico de PSPICE donde se
compara la entrada con la salida. Ver Fig. 2.8

Fig. 2.8- Grfica de voltajes de entrada (verde) y salida (Para cada
valor de

se toma un color diferente).

Para observar mejor la imagen Fig. 2.8, se recomienda al lector
ver en Laboratorio 3/Simulacin 3/Vi_Vo.
Tal como se aprecia en Fig. 2.8 hay una ganancia importante en
la salida con respecto a la seal de entrada. Por otro lado
tambin hay un desfase entre las dos seales.
Este desfase es medible desde la grfica obtenida. Se seal con
un marcador en PSPICE la cantidad de tiempo justa que hay
entre dos puntos comunes de ambas grficas, este tiempo de
desfase es de .
Para observar mejor la ganancia de voltaje del sistema, realizar
un anlisis AC para graficar el diagrama de Bode de magnitud
del sistema.


Fig. 2.9- Diagrama de Bode de magnitud para la ganancia de voltaje.
El NETLIST correspondiente a este anlisis en AC se encuentra
en la carpeta Laboratorio 3/Simulacin 3/Simulacin3_1.
Tal como se aprecia en Fig. 2.9 la ganancia para la amplitud de
voltaje debe ser al menos de 10 unidades.
Para poder apreciar mejor la imagen se recomienda al lector ir a
Laboratorio 3/Simulacin 3/VG.
Tal como lo fue para el voltaje, se espera que la corriente
tambin tenga una ganancia en la salida porque el transistor se
encuentra operando en la regin activa.
Para corroborar esto, se toma un grfico de PSPICE
superponiendo las dos seales. Ver Fig. 2.10

Fig. 2.10- Grfica de corrientes de entrada (verde) y salida (Para
cada valor de

se toma un color diferente).

Para observar mejor el grfico Fig. 2.10 se recomienda al lector
ir a Laboratorio 3/Simulacin 3/Ii_Io.
Al igual que el voltaje, la corriente tiene una amplificacin
importante y adems un desfase, que bien, no es tan grande
como el que hay entre las seales de tensin, pero que
igualmente existe.
El desfase temporal fue sealado con un marcador en la grfica,
este desfase es de aproximadamente .
Para ver con ms claridad la ganancia de la corriente del
amplificador en funcin de la frecuencia, se hace el diagrama de
Bode de magnitud. Ver Fig. 2.11

Fig. 2.11- Diagrama de Bode de magnitud para la corriente
Tal como se puede apreciar en Fig. 2.11 la ganancia de la
corriente tiene al menos 16 unidades independientemente el
valor que tome

.
III. Experimento
3.1. Montaje del circuito de Fig. 2.5
Se mont el circuito de la figura Fig. 2.5, se calibr el
potencimetro tal que la diferencia de voltaje Colector-Emisor
fuera de 6V. El valor de la resistencia obtenido fue de 200.
Los datos de las mediciones estn tabulados en Fig. 3.1

Robtenida

Regin de
trabajo
200 3.40V 8.78V 2.75V Activa
Fig. 3.1- Datos obtenidos en el laboratorio.
Era de suponerse que el transistor se encontrara en regin activa
debido a que fue pedido mucho voltaje entre el colector y el
emisor.
Estos datos obtenidos concuerdan muy bien con los datos
obtenidos en la simulacin ya que entre menor sea la resistencia
de base, aumentar el voltaje en la base y en el emisor mientras
disminuye el del colector; si se sigue disminuyendo la
resistencia se llegar a la regin de saturacin.
3.2. Montaje del circuito de Fig. 2.7:
Se hizo el montaje en el laboratorio del circuito de la imagen
Fig. 2.7 con las especificaciones requeridas, con

, la frecuencia de la fuente AC es igual a 1KHz y su

amplitud pico a pico de 200mV.
El resultado visualizado en el osciloscopio est dado en Fig. 3.2






Fig. 3.2- Grfica arrojada por el osciloscopio para el transistor en
regin activa.
Con la ayuda de los marcadores del osciloscopio se muestra el
desfase temporal entre las dos seales, la cual es muy
aproximada a la obtenida tericamente.
A simple vista se puede ver que el desfase es un poco ms de
radianes, ya que mientras la seal de entrada llega a un mximo,
la de salida acaba de pasar por un mnimo.
3.3. Montaje con el rel:
Se pide hallar la resistencia

para el circuito de la figura Fig.

3.3

Fig. 3.3- Montaje con transistor en saturacin y rel.
Para que el rel se active y cierre el circuito que encienda el
bombillo, es necesario que circule corriente por l, para ello, se
necesita que el transistor est en regin de saturacin puesto que
as se comportar como un circuito cerrado.
Por comodidad se va a tomar la fuente

.
Como en la regin de saturacin la corriente de base no es
despreciable, la ecuacin de corrientes para el transistor est
dada por:

Adems se tiene que tomar un

en este caso, este valor

ser igual a

Por medio de la ley de Ohm y recordando que en un transistor
en regin activa

, se tiene que:

En regin de saturacin se cumple:

Despejando

Por ltimo, aplicando nuevamente la ley de Ohm se halla

Para efectos prcticos se toma una resistencia de 2.2K
Una vez obtenido este resultado, se procedi con la
implementacin del circuito de Fig. 3.3 en la protoboard.
La primera parte del circuito conformada por

, el transistor, el
diodo y la bobina del rel, funcion perfectamente. Esto se pudo
comprobar ya que el rel emita un sonido que indicaba que se
estaba cerrando un conector.
A pesar de esto, el circuito que conformaba el bombillo y el
switche del rel no funcion debido a las malas conexiones
entre la base del bombillo y el cable que iba al tomacorriente, e
intentando solucionar estas conexiones, accidentalmente se
ocasionaron dos cortos circuitos, al final la base del bombillo se
quem y no se contaba con otra de repuesto para intentarlo
nuevamente.
Aunque el bombillo se quem y toda la segunda parte del
circuito sufri el corto, la primera parte qued intacta y tanto el
transistor como el diodo seguan funcionando correctamente;
esta es la ventaja de trabajar con dispositivos como rels, ya que
l hace funcionar un circuito (generalmente un circuito de
potencia) dependiendo del funcionamiento de otro, los dos
circuitos son completamente independientes elctricamente, por
eso si se presentan accidentes como el ocurrido en la sesin del
laboratorio, no habrn daos en toda la estructura general del
sistema.
IV. Conclusiones
- Hasta ahora, el transistor es el nico dispositivo electrnico
que sirve como switche o si se quiere, como amplificador
de voltaje y de corriente, estas caractersticas propias de l
lo hacen muy til y puede ayudar a simplificar diseos
muy extensos.
- La utilizacin del rel para trabajar con circuitos de
potencia es imprescindible, ya que como se vio en el
laboratorio, si ocurre algn accidente utilizando la seal
alimentadora de 110V, los dems componentes del circuito
no se vern afectados. Pero no solamente se pueden utilizar
rels para este tipo de casos, hay dispositivos ms
sofisticados que pueden cumplir las mismas funciones tales
como los optoacopladores, stos bsicamente se encargan
de que el circuito de potencia se cierre utilizando medios
pticos (luz). En lo personal, no hay una mejor manera de
controlar un circuito de potencia que sta, ya que no hay
forma de que la informacin fluya en los dos sentidos, sino
en uno solo tal como si fuera luz que entra por los ojos.
- Si se desea ver el transistor como un switche digital, se
tiene que notar una diferencia importante entre un
transistor NPN y uno PNP, el primero de ellos se satura
con un nivel de voltaje HIGH (alto) mientras que el otro, al
ser su complemento funciona de manera opuesta, y para
saturarlo se requiere un nivel de voltaje LOW (bajo).
- Con base en los transistores y tomndolos como switches
digitales se pueden crear las compuertas lgicas, esto
implica que los transistores son la base de la electrnica
digital.
V. Referencias
Introduccin a transistores y sus regiones
http://iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress.com/2008/04/t
ransistores.pdf
El transistor y tipos de transistor
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
Regiones de trabajo del transistor y curva caracterstica
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/curvasc
aracteristicas.html.