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Les semi-conducteurs

1) Prliminaires
Du point de vue de leur conductivit lectrique, les corps se subdivisent essentiellement en 3
groupes :
a) les isolants : ne conduisent pas le courant lectrique
b) les conducteurs mtalliques : conduisent bien le courant lectrique, dautant mieux que
la temprature est plus basse
c) les semi-conducteurs : conduisent le courant nettement moins bien que les mtaux,
mais dautant mieux que la temprature est plus leve
(exemples types : le silicium Si, le germanium Ge)
La bonne conductivit lectrique des mtaux est due la prsence des lectrons libres du
gaz lectronique qui parcourent tout le rseau mtallique.
Les semi-conducteurs (exemple : le silicium Si) forment des
rseaux atomiques (du type diamant) o les atomes sont relis par
covalence. Il nexiste pas dlectrons libres comme dans les
mtaux. La migration des lectrons ne peut se faire que par
petits pas , les lectrons sautant dun atome lautre.

2) Modle : la thorie des bandes nergtiques
En tudiant le modle quantique, nous avons vu que pour les
atomes isols (tat gazeux) les lectrons prsentent des niveaux nergtiques
rigoureusement dtermins, associs aux diffrents nuages lectroniques atomiques.
Lespace compris entre 2 niveaux est interdit llectron.
A ltat condens (liquide ou solide), les niveaux nergtiques de chaque atome sont
influencs par ceux de tous les voisins, ce qui entrane que ces niveaux nergtiques
slargissent en bandes nergtiques ; lespace entre 2 bandes reste interdit aux lectrons.
2s
2p
3s
3p
atome isol
n
i
v
e
a
u
x

n
e
r
g

t
i
q
u
e
s
2s
2p
3s
3p
association d'atomes
b
a
n
d
e
s

n
e
r
g

t
i
q
u
e
s

(Cet largissement en bandes est dailleurs confirm par ltude spectrale : en option sciences de 2
e
, on
vous a montr que ltat condens (liquides et solides) prsente des spectres dabsorption bandes.)
Pour ltude des semi-conducteurs bass sur le silicium Si, il importe de distinguer 2 bandes :
* la bande de valence : cest la bande nergtique des lectrons qui assurent les liaisons
covalentes (ralises par les lectrons de valence) entre les
atomes du rseau. Pour le silicium p.ex., cest la bande 3p.
* la bande de conduction : cest la bande dnergie immdiatement suprieure la bande
de valence. Pour le silicium p.ex., cest la bande 4s.
1
Comme les lectrons recherchent toujours ltat de la plus basse nergie, au zro absolu :
- la bande de valence du silicium, dnergie infrieure celle de la bande de conduction, est
compltement remplie ; tous les lectrons de la dernire couche des atomes forment 4
liaisons covalentes avec leurs voisins.
- la bande de conduction de Si est vide, le matriel se comporte en isolant parfait.
Des lectrons ayant acquis un excs dnergie par agitation thermique ou par impact dun
photon peuvent passer de la bande de valence la bande de conduction et se dplacer
travers le rseau par sauts successifs dun atome lautre. La conductivit lectrique
augmente avec le nombre des lectrons dans la bande de conduction.
Remarquons que le transfert dlectrons depuis la bande de valence vers la bande de
conduction laisse videmment des places vides dans la bande de valence . Ces trous
correspondent en fait des charges positives portes par les atomes dficitaires en lectrons.
Si
Si
Si Si
doublet de liaison
lectron libre dans la
bande de conduction
trou dans la
bande de valence
transfert d'un lectron depuis la bande de valence
vers la bande de conduction

Un trou peut tre occup par llectron dun atome voisin, ce qui entrane en dfinitif la
migration du trou dun atome lautre. Ainsi une bande de valence partiellement dpeuple
devient conductrice par sauts de trous .
Reprsentation schmatique du dplacement des lectrons libres et des trous dans le
silicium soumis une diffrence de potentiel lectrique :

Si Si
Lorsquun lectron libre de la bande de conduction et un trou de la
bande de valence se rencontrent sur le mme atome, llectron passe
dans le trou et les 2 porteurs de charges disparaissent simultanment.
2
3) Diffrence entre isolants et semi-conducteurs
bande de conduction vide
bande de valence pleine
transfert d'lectrons impossible,
la diffrence d'nergie est trop grande
bande de valence
faiblement dpeuple
bande de conduction
faiblement peuple
transfert d'lectrons possible, la
diffrence d'nergie est petite
isolant semi-conducteur

La diffrence entre les isolants et les semi-conducteurs est donc purement quantitative. Dans
la 2
e
priode du tableau priodique, lcart nergtique important entre la bande de valence 2p
et la bande de conduction 3s fait du diamant un isolant. A partir de la 3
e
priode, lcart bien
plus faible permet au silicium (3
e
priode) et au germanium (4
e
priode) de se comporter en
semi-conducteurs.
Comme lagitation thermique provoque le transfert dlectrons depuis la bande de valence la
bande de conduction, on comprend pourquoi les semi-conducteurs conduisent le courant
lectrique mieux chaud.
4) Semi-conducteurs intrinsques et semi-conducteurs dops
Les semi-conducteurs constitus des lments silicium Si ou germanium Ge ltat pur sont
appels semi-conducteurs intrinsques. Surtout froid, leur conductivit lectrique est faible.
Afin daugmenter la conductivit lectrique des semi-conducteurs, on ajoute par traces
(environ 1 atome sur 1 million) des atomes dun autre lment (le dopant) judicieusement
choisi de manire ce que ses atomes prsentent par rapport llment qui constitue le
rseau (Si ou Ge) soit un lectron en excs, soit un lectron en dfaut.
a) semi-conducteurs dops du type n
Soit le silicium dop au phosphore. Par rapport au
silicium, le phosphore prsente 1 lectron de
valence excdentaire. Un atome P remplace par
endroits un atome Si dans le rseau. Comme
latome de phosphore ne peut former que 4
liaisons covalentes avec les 4 atomes voisins
silicium, il abandonne llectron excdentaire au
rseau. Latome de phosphore prend une charge
positive (perte dun lectron) qui reste
videmment sur place ( elle est due lexcs dun
proton dans le noyau de P).
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
P
Mais llectron abandonn reprsente une charge
ngative mobile, car il doit passer dans la bande
de conduction du silicium, la bande de valence
tant pleine. Le silicium ainsi dop devient
durablement conducteur par sauts
dlectrons : cest un semi-conducteur du type n
( ngatif ).
bande de conduction de Si
P
+
niveau nergtique
du donneur phosphore
e
bande de valence de Si
3
b) semi-conducteurs dops du type p
Soit le silicium dop laluminium. Par rapport au silicium, latome daluminium prsente un
lectron de valence en dfaut. Afin que Al puisse sintgrer dans le rseau et former 4
liaisons covalentes avec ses 4 atomes voisins Si, le rseau lui cde llectron dficitaire
partir de la bande de valence de Si qui acquiert ainsi un trou. La charge ngative que prend
latome Al nest pas mobile, car Al a besoin de cet lectron supplmentaire pour assurer ses
4 liaisons. Mais la bande de valence du silicium se dpeuple durablement et devient
conductrice par sauts de trous . La migration de trous tant assimilable une migration de
charges positives, nous obtenons un semi-conducteur du type p ( positif ).
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Al
bande de conduction de Si
Al
-
niveau nergtique
de l'accepteur aluminium
e
bande de valence de Si

5) Avantage des semi-conducteurs dops
Comme les niveaux nergtiques des lments dopants se situent entre les bandes de
valence et de conduction du silicium, le nombre des transitions dlectrons est bien plus
important que dans les semi-conducteurs intrinsques. Partant, la conductivit lectrique des
semi-conducteurs est suprieure celle des semi-conducteurs intrinsques.
Mais lnorme avantage du dopage consiste en ce que lon dispose maintenant de 2 types de
conducteurs diffrents, lun conduisant le courant lectrique par sauts dlectrons
(charges ngatives), lautre par sauts de trous (assimilables des charges positives).
Lorsque nous appliquons une source lectrique aux 2 types de conducteurs, la migration des
porteurs de charges (lectrons ou trous) se fait en sens inverse :
type n type p

Cest en effet lassociation des 2 types de semi-conducteurs qui permet la ralisation des 2
applications qui sont la base de llectronique moderne : la diode et le transistor !
6) La diode
La diode est un dispositif qui laisse passer le courant lectrique dans un sens, mais bloque le
courant dans lautre sens.
La diode est forme par lunion de 2 semi-conducteurs lun dop de type p et lautre dop de
type n. La zone de contact entre les 2 types de semi-conducteurs dops sappelle jonction.
Lorsque le ple positif dune source de courant est
reli au semi-conducteur p et le ple ngatif de la
source est reli au semi-conducteur n, les porteurs
de charges (lectrons et trous) migrent dans les 2
types de semi-conducteurs vers la jonction. Au
niveau de la jonction, les lectrons se combinent aux
trous : le courant lectrique passe.
p
n
jonction
4
p n
jonction
Lorsque la source de courant est relie la diode en
sens inverse, les porteurs de charges sloignent des 2
cts de la jonction qui, alors dpeuple de charges,
devient non-conductrice : le passage du courant est
bloqu.
Dans les circuits lectroniques, la diode est
schmatis par le symbole ci-contre. La flche
traduit le sens du passage du sens conventionnel
(de + vers -) du courant lectrique.
Dans les diodes luminescentes (light emitting diodes
LED, Leuchtdioden), lnergie libre lors de lunion des lectrons et des trous est rayonne
sous forme de photons de lumire dont la couleur dpend du dopage. Le spectre mis est
videmment un spectre de bandes.
anode cathode
domaine
p-dop
domaine
n-dop
7) Le transistor (anglais : transformation resistor, cest--dire rsistance adaptable, contrlable)
Le transistor est un dispositif qui permet de contrler un courant dintensit plus forte laide
dun courant dintensit plus faible. Il peut servir de commutateur ou damplificateur.
Nous expliquons le fonctionnement sur lexemple du transistor bipolaire dit npn .
Il est constitu dune association de trois couches de semi-conducteurs dops, savoir :
C
collecteur
- une couche du type n appele metteur (E)
metteur b
a
s
e
R
B
P
R
C
p n n
J
BC
J
BE
- une couche du type p appele base (B)
- une couche du type n appele collecteur (C)
La couche p de la base est trs mince par rapport celles
de lmetteur et du collecteur. Elle forme avec les
couches n de part et dautre les 2 jonctions J
BE
et J
BC
.
Lmetteur est reli au pole ngatif dune source
lectrique, le collecteur au pole positif. La base est porte
un potentiel positif par rapport lmetteur et ngatif par
rapport au collecteur.
Les deux rsistances R
B
et R
C
, avec R
B
>> R
C
, servent limiter les courants lectriques.
Dans la zone de contact , les lectrons de la bande de conduction de lmetteur et les trous
de la bande de valence de la base migrent vers la jonction J
BE
. Si les tranches n et p
taient dune paisseur comparable, les lectrons de n se combineraient aux trous de
p et tout le courant passerait par la connexion de la base. Mais comme la tranche p
est extrmement mince, la grande majorit des lectrons de n traversent la base ; attirs
par limportant potentiel de la jonction J
BC
, ils passent vers le collecteur ( ).
5
R
B
P
R
C
p n n
J
BC
J
BE
E
B
dplacement des lectrons
atome dopant charg +
lectron dans la bande
de conduction de Si
atome dopant charg -
trou dans la bande
de valence de Si
n p
J
BE
dtails
E
B

Seulement un nombre trs restreint dlectrons en provenance de lmetteur se combinent
aux trous de la base. Pour rgnrer les trous neutraliss par cette recombinaison, il faut
quun faible courant (enlevant de lectrons la tranche p ) circule par le circuit de
connexion de la base.
Mais si la base cesse dtre charge positivement par rapport lmetteur (connexion
interrompue sur la figure ci-dessous), les trous de p disparaissent progressivement par
recombinaison avec les lectrons injects par lmetteur. Les charges fixes ngatives
associes aux atomes dopants de la base repoussent les lectrons en provenance de n .
On assiste ainsi une dpltion en charges mobiles de la jonction J
BE
: le courant metteur-
collecteur devient quasi nul.
R
B
P
R
C
p n n
J
BC
J
BE
E
B
atome dopant charg +
lectron dans la bande
de conduction de Si
atome dopant charg -
trou dans la bande
de valence de Si
n p
J
BE
dtails
E
B

C
C
C
s
i
g
n
a
l

d
e

s
o
r
t
i
e
Remarquons que le transistor npn est souvent assimil une association de deux diodes
selon le schma ci-contre : les diodes D
1
et D
2
sont les
quivalents des 2 jonctions J
BE
et J
BC
.
Puisque le potentiel de B est suprieur celui de E, la
diode D
1
est polarise de faon ce que le courant passe
(polarisation en mode direct). La diode D
2
par contre
devrait bloquer le passage du courant (polarisation en sens
inverse du passage du courant). Le courant passe
seulement parce que lpaisseur de la base est trs faible.
R
B
P
R
C
D
1
D
2
E B
sens conventionnel du courant
Conclusion : le transistor permet de moduler un courant
collecteur-metteur assez intense laide dun courant
base-metteur beaucoup plus faible.
Lamplification ralise par le transistor est illustr par le diagramme I
C
= f(I
B
) dress avec le
circuit reprsent ci-contre. Les 2
ampremtres A
1
et A
2
permettent de
mesurer les intensits du courant
lectrique passant par la base (I
B
) et par le
collecteur (I
C
).
Dans le domaine A-B de la courbe, le
courant I
C
est proportionnel au courant I
B
,
ce qui signifie que lamplification est
linaire. Pour lamplification dun signal
analogique (p.ex. musique), il importe de
restreindre lamplification la partie linaire
de la courbe caractristique du circuit,
faute de quoi lamplification saccompagne de distorsions.
R
B
P
R
C
5 V
10 k
1 k 100 k
A
1
I
B
I
C
npn
E
B
A
2
I
C
I
B
signal d'entre
6
8) la cellule photovoltaque (Solarzelle)
La cellule photovoltaque convertit directement lnergie lumineuse en nergie lectrique et
sert de nos jours sur grande chelle pour lexploitation de lnergie solaire.
La cellule photovoltaque est constitue dune mince plaque de silicium denviron 0,3 mm
dpaisseur, dope p sur sa face infrieure et n sur sa face suprieure expose la
lumire.
Au niveau de la jonction entre les 2 couches, les lectrons mobiles de la couche n se
combinent aux trous de la couche p . La dpltion en charges mobiles cre un potentiel
de jonction d aux charges fixes localiss sur les atomes dopants (voir figure ci-dessous).
cathode en grille
anode compacte
couche n-dope
couche p-dope
lumire
n
p
p
o
t
e
n
t
i
e
l
d
e

j
o
n
c
t
i
o
n
charges fixes (dopage)
charges mobiles
dtails
p
h
o
t
o
n

Lorsquau niveau de la jonction un photon casse une liaison Si-Si, lapport dnergie fait
avancer un lectron depuis la bande de valence vers la bande de conduction, crant ainsi un
lectron mobile et un trou mobile. Le potentiel de jonction dplace llectron mobile vers la
couche n et le trou vers la couche p . Une cathode en forme de grille capte les
lectrons mobiles sur la face suprieure de la couche n . Les trous migrent vers une
anode compacte dispose sur la face infrieure de la couche p .
La diffrence de potentiel entre la cathode et lanode, plutt indpendante de lintensit de
lclairage, vaut 0,56 V pour les cellules base de silicium. Lintensit du courant lectrique
dbit par la cellule dpend fortement de lclairage et vaut (pour une cellule courante)
environ 200 A / m
2
de surface expose la verticale la lumire solaire. Compte tenu du fait
que la puissance maximale de la radiation solaire correspond 1000 W/ m
2
, un calcul
simpliste montre que le rendement de la transformation ne dpasse gure 10 %.


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