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: PSpice
y
Capture
Una herramienta para el anlisis
y diseo de circuitos
Dirigido a estudiantes de universidades e institutos universitarios en las
carreras de electricidad y electrnica, que deseen aprender a utilizar los
programas PSpice
y Capture
de OrCAD
V
I
32 . 0
1
=
R
I
192 . 0
2
=
R
I
3328 . 0
3
=
R
I
A continuacin se realiza el clculo utilizando PSpice. Por cuanto el programa
no acepta la declaracin .Sens I(R), se requiere colocar una fuente auxiliar de 0 voltios
en serie con la resistencia de 2.5 que ser la encargada de leer la corriente solicitada.
El resultado de la simulacin aparece en el archivo .OUT y se incluye a
continuacin:
*******************************************************************
*** 12/ 27/ 06 08: 24: 08 *** PSpi ce Li t e ( J ul y 2006) *** I D# 10813 ***
Ej empl o 3. 18. Anal i si s de sensi bi l i dad
**** CI RCUI T DESCRI PTI ON
*******************************************************************
V1 1 0 10
R1 1 2 3
R2 2 0 10
83
R3 2 3 2. 5
Vo 3 0 0
. Opt i on nopage
. Sens I ( Vo)
. End
*** SMALL SI GNAL BI AS SOLUTI ON TEMPERATURE = 27. 000 DEG C
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 10. 0000 ( 2) 4. 0000 ( 3) 0. 0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
V1 - 2. 000E+00
Vo 1. 600E+00
TOTAL POWER DI SSI PATI ON 2. 00E+01 WATTS
*** DC SENSI TI VI TY ANALYSI S TEMPERATURE = 27. 000 DEG C
DC SENSI TI VI TI ES OF OUTPUT I ( Vo)
ELEMENT ELEMENT ELEMENT NORMALI ZED
NAME VALUE SENSI TI VI TY SENSI TI VI TY
( AMPS/ UNI T) ( AMPS/ PERCENT)
R1 3. 000E+00 - 3. 200E- 01 - 9. 600E- 03
R2 1. 000E+01 1. 920E- 02 1. 920E- 03
R3 2. 500E+00 - 3. 328E- 01 - 8. 320E- 03
V1 1. 000E+01 1. 600E- 01 1. 600E- 02
Vo 0. 000E+00 - 2. 080E- 01 0. 000E+00
J OB CONCLUDED
*******************************************************************
Los valores calculados por el programa corresponden exactamente a los
obtenidos manualmente. Si el valor de la sensibilidad de I con respecto a V1 que es
0.16 A/V se relaciona con el valor actual de V1 que es 10 V y se lleva a porcentaje se
tiene que la sensibilidad es 0.16x10/100 = 0.016 que corresponde a la sensibilidad en
Amp/Percent de la tabla. Lo mismo puede hacerse con los dems valores.
La sensibilidad de I(Vo) con respecto a R1 es de -0.32 lo que significa que un
incremento de R1 disminuye la corriente, como era de esperarse. El efecto de R2 sobre
I(Vo) da 0.019 lo cual significa que tiene menos incidencia que los dos elementos
anteriores y adems que un incremento de R2 aumenta la corriente por la rama de 2.5
. Un incremento de R3 disminuye la corriente, con -0.3328 como factor de
sensibilidad.
En trminos porcentuales el elemento que ms afecta la corriente I(Vo) es la
tensin en la fuente y a continuacin la resistencia R1. Estos datos permitiran al
diseador tomar decisiones sobre posibles modificaciones del circuito de acuerdo a sus
intereses.
En circuitos grandes sera prcticamente imposible realizar estos clculos
manualmente, razn por la cual muy rara vez son tratados a nivel de anlisis de
circuitos, sin embargo con la ayuda de PSpice el proceso es muy simple y se convierte
en una herramienta muy sencilla para mejorar los diseos.
84
3.9 Barrido de la Temperatura
El programa PSpice toma en cuenta la temperatura. El valor predeterminado es
de 27 C (300 K) y este valor se puede modificar con el comando .OPTION TNOM =
X; por medio de la instruccin .TEMP, o mediante un anlisis .DC o .STEP que tenga
como variable la temperatura. La temperatura debe expresarse en grados centgrados.
Si se piensa en un equipo trabajando en condiciones normales de operacin, la
temperatura de sus componentes dista mucho de los 27 C, un valor ms cercano
podra ser 70 C. A esta temperatura, los valores de resistencias, inductancias,
capacitancias y algunos parmetros de modelos y subcircuitos habrn cambiado, unos
aumentando y otros disminuyendo, pero en definitiva, los valores de voltajes y
corrientes se ven afectados; por ese motivo cuando se va a simular un circuito con
propsitos de diseo se requiere tomar en cuenta la temperatura de trabajo del equipo.
Para verificar la operacin de un determinado circuito a diferentes valores de
temperatura, es necesario declarar como modelos los elementos susceptibles de
cambio. A travs de los parmetros de esos modelos se especifican las formas de
variacin con la temperatura. Hecho lo anterior se emplea el comando .TEMP,
mediante el cual se indicarn los diferentes valores de temperatura a los cuales se har
la simulacin. El anlisis de temperatura .Temp es muy similar a la opcin de barrido
por lista del anlisis .Step, pero no requiere la palabra list. Si se desea hacer un
barrido lineal o logartmico de temperatura, sta debe tratarse como un parmetro y
usar la instruccin .DC o la .step.
La instruccin .temp por si misma produce una salida en texto que incluye los
diferentes valores de temperatura, los valores de los parmetros variables a esa
temperatura, los voltajes en los nodos y las corrientes a travs de las fuentes
independientes de voltaje. El barrido .Temp puede ir acompaando barridos .DC, .AC,
.Tran. Si se desea usar la instruccin .Print para obtener las respuestas del circuito,
debe ir acompaado de uno o ms de los tres barridos anteriores; igual sucede si desea
obtener resultados grficos.
Las formas generales para el anlisis de temperatura son:
.TEMP <valores de temperatura>
o las instrucciones .Dc o .Step, que empleen como variable la temperatura.
Ejemplos:
.Temp 125
.Temp 0 27 75 125
.DC Temp 20 50 10
.Step Temp 20 50 80
El primer ejemplo pide que la simulacin se haga para 125 C; el segundo
ordena hacer un barrido para cuatro temperaturas: 0, 27, 75 y 125 C; el tercero hace
un barrido lineal para valores entre 20 y 50 en pasos de 10 C; y el ltimo es un barrido
paramtrico de la temperatura para tres valores, 20, 50 y 80 C.
Como ejemplo de barrido de temperatura se va a mostrar un ejercicio sencillo,
el simulador cambia los parmetros de los modelos susceptibles a la temperatura de
acuerdo a expresiones que se explican en la Unidad IV, y los resultados de corrientes,
85
voltajes y corrientes se ajustan a esos cambios.
Ejemplo 3.19. Un circuito est formado por una fuente de 10 V con resistencia
interna de 2 y una resistencia de carga de 8 . Suponga que las dos resistencias
cambian linealmente con la temperatura de acuerdo al coeficiente TC1 = 0.02. Calcule
los valores de corriente en el circuito, la tensin en la carga y los valores de las
resistencias cuando: a) la temperatura toma los valores 27, 50 y 35 C; b) la
temperatura aumenta linealmente desde 25 hasta 100 C.
Ej empl o 3. 19. Var i aci on de r esi st enci a por t emper at ur a
. opt i on noecho
V1 1 0 10
R1 1 2 Rt emp 2
R2 2 0 Rt emp 8
. Model Rt emp RES ( TC1 = 0. 02)
. Temp 25 50 35; no t i ene que ser monot ona
. Opt i on nopage
. End
El archivo de entrada anterior corresponde a la parte (a) del ejemplo. El archivo
Ejemplo 3.19.out, editado, se presenta a continuacin en forma resumida:
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
*** 12/ 30/ 06 10: 46: 14 *** PSpi ce Li t e ( J ul y 2006) *** I D# 10813 ***
Ej empl o 3. 19. Bar r i do de t emper at ur a
*********************************************************************
. opt i on noecho
**** Resi st or MODEL PARAMETERS
Rt emp
R 1
TC1 . 02
**** TEMPERATURE- ADJ USTED VALUES TEMPERATURE = 25. 000 DEG C
**** RESI STORS
R1 <Rt emp> R2 <Rt emp>
R 1. 920E+00 7. 680E+00
**** SMALL SI GNAL BI AS SOLUTI ON TEMPERATURE = 25. 000 DEG C
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 10. 0000 ( 2) 8. 0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
V1 - 1. 042E+00
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
**** TEMPERATURE- ADJ USTED VALUES TEMPERATURE = 50. 000 DEG C
**** RESI STORS
R1 <Rt emp> R2 <Rt emp>
R 2. 920E+00 1. 168E+01
86
**** SMALL SI GNAL BI AS SOLUTI ON TEMPERATURE = 50. 000 DEG C
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 10. 0000 ( 2) 8. 0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
V1 - 6. 849E- 01
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
**** TEMPERATURE- ADJ USTED VALUES TEMPERATURE = 35. 000 DEG C
**** RESI STORS
R1 <Rt emp> R2 <Rt emp>
R 2. 320E+00 9. 280E+00
**** SMALL SI GNAL BI AS SOLUTI ON TEMPERATURE = 35. 000 DEG C
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 10. 0000 ( 2) 8. 0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
V1 - 8. 621E- 01
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
En la primera parte aparecen los parmetros del modelo, multiplicador R = 1 y
coeficiente lineal de variacin de resistencia por temperatura TC1 = 0.002, y a
continuacin los resultados para cada una de las temperaturas; a diferencia de un
barrido .step, aqu el programa permite la lista en cualquier orden.
Para la parte (b) del ejemplo 28 se har un barrido .DC de la temperatura, como
se muestra en el archivo de entrada siguiente:
Ej empl o 3. 19_b. Bar r i do de t emper at ur a
. opt i on noecho
V1 1 0 10
R1 1 2 Rt emp 2
R2 2 0 Rt emp 8
. Model Rt emp RES ( TC1 = 0. 02)
. DC Temp 25 100 5
. Pr i nt I ( R1) V( 1, 2) V( 2)
. Pr obe
. Opt i on nopage
. End
La parte correspondiente a la corriente del circuito y a los voltajes deseados, se
ve a continuacin:
**** DC TRANSFER CURVES TEMPERATURE I S SWEPT
TEMP I ( R1) V( 1, 2) V( 2)
2. 500E+01 1. 042E+00 2. 000E+00 8. 000E+00
3. 000E+01 9. 434E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
3. 500E+01 8. 621E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
4. 000E+01 7. 937E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
4. 500E+01 7. 353E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
5. 000E+01 6. 849E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
5. 500E+01 6. 410E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
87
6. 000E+01 6. 024E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
6. 500E+01 5. 682E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
7. 000E+01 5. 376E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
7. 500E+01 5. 102E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
8. 000E+01 4. 854E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
8. 500E+01 4. 630E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
9. 000E+01 4. 425E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
9. 500E+01 4. 237E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
1. 000E+02 4. 065E- 01 2. 000E+00 8. 000E+00
Figura 3.32 Variacin de corriente y resistencias del Ejemplo 3.19_b
En la Figura 3.32 se aprecian las curvas de la corriente en el circuito, observe
que la corriente disminuye con la temperatura pues las resistencias aumentan en la
medida en que la temperatura aumenta ya que TC1 es positivo. En la parte inferior se
encuentran las lneas que representan los valores de las resistencias: R1 =
V(1,2)/I(R1), R2 = V(2)/I(R1), se ve que aumentan con la temperatura.
3.10 Ejercicios
E.3.1 Mediante PSpice, encuentre la potencia de cada uno de los elementos del
circuito de la Figura 3.33.
E.3.2 Calcule las resistencias equivalentes de cada uno de los circuitos a, b y c de la
figura 3.34.
E.3.3 Encuentre la curva de e(t) para el circuito de la Figura 3.35.
E.3.4 Utilizando un barrido paramtrico de de resistencia y con la ayuda de Probe,
encuentre el valor de Rx que resulta en la mxima potencia consumida por Rx, en el
circuito de la Figura 3.36.
Figura 3.33 Circuito para el ejercicio E.3.1
88
(a) (b)
(c)
Figura 3.34 Circuitos para el ejercicio E.3.2
Figura 3.35 Circuito para el ejercicio E.3.3
Figura 3.36 Circuito para el ejercicio E.3.4
E.3.5 Por superposicin, halle la corriente a travs de la resistencia de 8 del circuito
de la Figura 3.37
E.3.6 A un circuito serie con R = 50 y L = 5 mH, se le alimenta con una fuente de
pulsos rectangulares con un periodo de 2 segundos y con valores que alternan entre 0 y
5 voltios. La condicin inicial de la corriente en la inductancia es i(0+) = 0. Encuentre
la curva de corriente vs tiempo entre 0 y 6 segundos.
E.3.8 Obtenga la forma de onda resultante de la siguiente suma:
V(t) = 16 sen(2t) + 4.8 sen(6t + 30) + 1.6 sen(9t + 60) voltios
89
Figura 3.37 Circuito para el ejercicio E.3.5
E.3.9 Halle los cinco primeros armnicos de la descomposicin de Fourier de la seal
que se muestra en la Figura 3.38.
Figura 3.38 Seal para el ejercicio E.3.9
E.3.10 Halle el lugar geomtrico de la impedancia y de la admitancia del circuito de la
Figura 3.39, para un barrido de frecuencias. Cul es la frecuencia de resonancia? En
Probe, obtenga y marque el valor de la impedancia y de la admitancia a la frecuencia
de resonancia.
Figura 3.39 Circuito para el ejercicio E.3.10
E.3.11 Obtenga el lugar geomtrico de la funcin de transferencia I/I
0
, tanto en
magnitud como en fase, para el circuito de la Figura 3.40.
Figura 3.40 Circuito para el ejercicio E.3.11
E.3.12 Halle los diagramas de Bode para el ejercicio anterior.
E.3.13 Obtenga los diagramas de Bode para la funcin de transferencia siguiente:
H(s) = 2s/(s
2
+ 2s + 2).
90
E.3.14 Un potencimetro de 10 k alimenta una resistencia de carga de 5 k.
Encuentre la tensin de salida del potencimetro si est alimentado por una tensin de
12 V y su punto mvil se desplaza en pasos del 1% de un extremo al otro.
Figura 3.41 Circuito para el ejercicio E.3.14
91
Unidad IV
Las Bibliotecas de Componentes: Modelos
y Subcircuitos
Objetivos
Despus de estudiar esta unidad usted debera ser capaz de
1. identificar diferentes modelos y subcircuitos en PSpice
2. reconocer las formas generales de declaracin de modelos de componentes
circuitales
3. identificar los parmetros en la declaracin de modelos
4. escribir declaraciones de diferentes modelos en PSpice
5. editar los archivos de datos de modelos de componentes circuitales
6. identificar diferentes tipos de subcircuitos
7. reconocer las formas generales de subcircuitos
8. escribir archivos de entrada para subcircuitos
9. emplear subcircuitos y modelos en simulaciones
Actividades de aprendizaje
1. Lea cuidadosamente los contenidos de esta unidad
2. Ejecute en su equipo los ejercicios que aparecen como ejemplos en esta
unidad y revise los resultados, tanto en los archivos texto como en Probe,
segn corresponda
3. Realice los ejercicios del final de la Unidad
Introduccin
El programa PSpice caracteriza muchos de los elementos circuitales por medio
de modelos matemticos, cuyos parmetros pueden modificarse por el usuario, y
tambin utiliza subcircuitos que son bloques de componentes interconectados que
cumplen tareas especficas. Diodos, transistores, rels, resistencias, capacitancias e
inductancias son ejemplos de modelos, mientras que amplificadores operacionales,
interruptores y lneas de transmisin son ejemplos de subcircuitos. Los datos de estos
elementos circuitales se guardan en bibliotecas de componentes. El PSpice A/D utiliza
las bibliotecas *.lib que son archivos texto, mientras que el Capture emplea bibliotecas
*.olb en donde estn los smbolos de los componentes, estas bibliotecas de smbolos
estn asociadas con sus respectivas bibliotecas de texto a travs del archivo pspice.ini.
La ruta de acceso para las bibliotecas *.lib es: OrCAD_15.7_Demo/tools/pspice/library
y para las *.olb es: OrCAD_15.7_Demo/tools/capture/library/pspice.
92
4.1 Modelos
Muchos componentes en PSpice, especialmente elementos activos, se definen
como modelos a fin de poder modificar los parmetros de acuerdo a la gran variedad
de productos comerciales que existen en el mercado. Elementos pasivos, tales como
resistencias, inductancias, capacitancias e inductancias mutuas pueden considerarse
como invariables, pero tambin pueden tener valores afectados por parmetros de
acuerdo a un modelo contemplado en la biblioteca de modelos de PSpice.
Especficamente, el programa permite tomar en cuenta el efecto de la temperatura
sobre el valor de resistencias, inductancias y capacitancias, el efecto de la corriente
sobre el valor de la inductancia, el efecto del voltaje sobre el valor de la capacitancia,
el efecto de parmetros geomtricos en el acoplamiento magntico de transformadores
con ncleo ferromagntico, el efecto de variacin de parmetros en lneas de
transmisin con o sin prdidas, entre otros. En la Tabla 4.1 se aprecian los diferentes
modelos analgicos del programa. En resumen, PSpice permite la variacin de
parmetros para elementos activos o pasivos, mediante el uso de modelos. Para
introducir un elemento representado por un modelo en el archivo de datos para el
programa, se requieren dos o tres lneas; la primera especifica el nombre del
dispositivo, los nodos de conexin y el nombre del modelo; la segunda es la
instruccin .Model, donde se define el modelo con sus diferentes parmetros; y la
tercera es la instruccin .Lib <nombre de la biblioteca>, esta ltima lnea de datos es
necesaria cuando se trata de modelos comerciales, pero no hace falta cuando se trata de
los modelos intrnsecos o genricos de PSpice.
La forma general de la instruccin .Model es:
.MODEL <Nombre> [AKO: <Modelo de referencia>] <Tipo de modelo>
+ ([<Parmetro = valor> [Tolerancia] ... ])
En donde Nombre es cualquier cadena de caracteres que se asigne para definir
el modelo, es arbitrario y no tiene ninguna restriccin; por conveniencia, en muchos
casos se comienza con la inicial del dispositivo que representa. Tipo de modelo
corresponde a una de las opciones de modelos que ofrece PSpice y que aparecen en la
Tabla 4.1, es obligatorio, y define sin dudas el dispositivo que se est simulando.
Parmetro = valor son los diferentes parmetros del modelo con sus correspondientes
valores. Tolerancia es el porcentaje de tolerancia individual (DEV) o de lote (LOT)
que se usar en el anlisis de Monte Carlo, y puede colocarse junto al valor del
parmetro.
A continuacin ejemplos de declaraciones .Model:
.Model Rmia RES (R = 2 TC1 = 0.02)
.Model Dtres D
.Model Dcarga D (IS = 1E-9 Dev 1% Lot 5%)
.Model Minter PMOS (Level = 3)
.Model Qentrada NPN (IS = 1E-9 BF = 40)
En el primer ejemplo se declara un modelo de resistencia (RES) al cual se le ha
dado el nombre de Rmia, los parmetros declarados son el multiplicador R = 2 y el
coeficiente lineal de temperatura TC1 = 0.02. Los dos siguientes ejemplos
corresponden a modelos de diodos. Dtres toma todos los valores predeterminados del
93
modelo bsico de PSpice. El cuarto ejemplo es una declaracin de un modelo de
transistor MOSFET que toma todos los valores predeterminados del modelo nivel 3 de
PSpice. El ltimo ejemplo es una declaracin de un modelo BJT que toma los valores
predeterminados de los parmetros del modelo de PSpice, salvo los de IS y BF.
Tabla 4.1. Modelos analgicos incluidos en PSpice
Nombre Tipo Dispositivo
Bxxx GASFET GaAS MESFET
Cxxx CAP Capacitancia
Dxxx D Diodo
Jxxx PJF FET canal P
Jxxx NJF FET canal N
Kxxx CORE Transformador con ncleo magntico
Lxxx IND Inductancia
Mxxx NMOS MOSFET canal N
Mxxx PMOS MOSFET canal P
Qxxx NPN Transistor bipolar NPN
Qxxx PNP Transistor bipolar PNP
Qxxx LNPN Transistor bipolar NPN lateral
Rxxx RES Resistencia
Sxxx VSWITCH Interruptor PST controlado por tensin
Txxx TRN Lnea de transmisin con prdidas
Wxxx ISWITCH Interruptor SPST controlado por corriente
Zxxx NIGBT IGBT canal N
AKO (A Kind Of model) es una opcin que presenta PSpice y que permite
referirse a otro modelo ya definido. Al definir un nuevo modelo con AKO, ste toma
los parmetros del modelo original, salvo aquellos que se especifiquen en la
declaracin del nuevo modelo. Ejemplos:
.Model Qnuevo AKO: Qentrada NPN (BF = 30 IKF = 40m)
.model D1N4001 ako:D1N4002 D(Bv=150)
.model D1N4003 ako:D1N4002 D(Bv=300)
El primero es un modelo de transistor NPN llamado Qnuevo que toma los
parmetros de otro modelo llamado Qentrada, excepto los de los parmetros BF e IKF
cuyos valores aparecen en el parntesis. El segundo es el diodo D1N4001 que toma
como parmetros los del D1N4002, salvo el voltaje Zener que ahora ser de 150 V. El
tercero es similar al anterior, pero el D1N4003 toma un voltaje Zener de 300 V.
4.2 Modelos de elementos pasivos: R, L y C.
4.2.1 Resistencia como modelo
El modelo para resistencia se basa en la variacin de su valor con la
temperatura, en forma lineal, cuadrtica o exponencial de acuerdo a las siguientes
expresiones:
a) Para variacin lineal:
Resistencia = Valor
.
R(1 + TC1(T - T
Nom
))
b) Para variacin cuadrtica:
94
Resistencia = Valor
.
R(1 + TC1(T - T
Nom
) + TC2(T - T
Nom
)
2
)
b) Para variacin exponencial:
Resistencia =
) (
01 . 1
Nom
T T TCE
R Valor
Los parmetros del modelo son los siguientes:
Parmetro Significado Unidad Predeterminado
R Multiplicador de resistencia
1
TC1 Coeficiente lineal de temperatura C
-1
0
TC2 Coeficiente cuadrtico de temperatura C
-2
0
TCE Coeficiente exponencial de temperatura %/C 0
La declaracin de una resistencia simulada por un modelo es:
Rxxx <N+> <N-> <Nombre del Modelo> <Valor>
.Model <Nombre del Modelo> RES (P1 = V1 V2 = V2 ...)
Ejemplo:
Rentrada 2 3 Respecial 3k
.Model Respecial RES (R = 5 TC1 = -0.004 TC2 = 0.005)
Para este ejemplo la resistencia tendr un valor de 3 k multiplicado por 5 o 15
k a una temperatura de 27 C, y los valores a otras temperaturas estarn afectados por
la variacin cuadrtica definida por los parmetros TC1 y TC2. Si no hay variacin de
temperatura, el uso del modelo no tendra sentido.
Ejemplo 4.1. Una resistencia variable se conecta en serie a una fuente de DC
de 10 V. Utilice un modelo para la resistencia que permita encontrar la corriente del
circuito cuando la resistencia cambia 100 a 200 en pasos de 10 . El resultado debe
presentarse como una tabla de valores y en forma grfica.
Para hacer variar el valor de la resistencia se puede hacer un barrido del
parmetro R del modelo, y para la salida se incluye una instruccin .Print que
presentar la tabla de valores calculados de la corriente del circuito y una instruccin
.Probe que permitir ver la grfica de la corriente. A continuacin el archivo de
entrada para la simulacin:
Ej empl o 4. 1. Resi st enci a var i abl e como model o
Vi n 1 0 100
R1 1 0 Rcar ga 5
. Model Rcar ga RES; no hace f al t a l a i nst r ucci n . Li b
. DC RES Rcar ga ( R) 10 200 2
. Pr i nt DC I ( R1)
. Pr obe I ( R1) V( 1)
. Opt i on nopage
. End
Analice las instrucciones del archivo anterior, especialmente la del barrido .DC.
Qu hace este barrido? Ahora escriba en el PSpice el archivo de entrada, gurdelo
como Ejemplo 4.1.cir, ejecute la simulacin, obtenga y analice los resultados del
archivo Ejemplo 4.1.out. En la Figura 4.1 se presentan las curvas de corriente y de
resistencia equivalente del circuito. Cuando el multiplicador R del modelo toma el
95
valor de 10, la resistencia equivalente vale 50 , y la corriente del circuito 2 A, y
cuando el multiplicador toma el valor de 200, la resistencia equivalente vale 1 k y la
corriente 100 mA.
Figura 4.1 Corriente y resistencia equivalente del circuito del Ejemplo 4.1
Ejemplo 4.2. Una resistencia de carga de 10 conectada a una fuente de 10 V
de DC, tiene un coeficiente de variacin lineal de resistencia por temperatura de 0.02,
encuentre la corriente del circuito en forma de tabla, si la temperatura toma valores de
25, 50, 75 y 100 C. Utilice un modelo de resistencia con un R = 2.
A continuacin se presenta el archivo de entrada del circuito para PSpice, para
poder obtener una tabla de resultados se requiere una instruccin .DC; la variacin de
la temperatura se hizo como barrido anidado.
Ej empl o 4. 2. Var i aci on de r esi st enci a por t emper at ur a
. opt i on nopage noecho
Vi n 1 0 10
Rcar ga 1 0 Rt emp 5
. Model Rt emp RES( R=2 TC1=0. 02)
. DC Vi n l i st 10 Temp 25 100 25
. Pr i nt DC I ( Rcar ga)
. End
Escriba en el PSpice el archivo de entrada, gurdelo como Ejemplo 4.2.cir,
ejecute la simulacin, obtenga y analice los resultados. El resultado debe dar una tabla
de valores de temperatura y sus correspondientes de la corriente del circuito. Tambin
puede hacerse mediante un barrido .DC acompaado de uno .Step; para eso basta con
dividir la lnea de la instruccin .DC en dos, la primera quedar .DC Vin List 10, y
la segunda .Step Temp 25 100 25; sin embargo de esta manera no se obtiene una
tabla de resultados sino valores separados para cada temperatura.
4.2.2 Inductancia como modelo
El modelo para la inductancia se basa en la variacin de su valor con la
temperatura y con la corriente, ambas en forma cuadrtica, de acuerdo a la siguiente
expresin:
Inductancia = Valor
.
f(I
Ind
, T), en donde
f(I
Ind
, T)=L(1+IL1
.
I
Ind
+IL2
.
I
Ind
2
)
.
(1+TC1(T-T
Nom
)+TC2(T-T
nom
)
2
)
96
Los parmetros del modelo son los siguientes:
Parmetro Significado Unidad Predeterminado
L Multiplicador de inductancia
1
TC1 Coeficiente lineal de temperatura C
-1
0
TC2 Coeficiente cuadrtico de temperatura C
-2
0
IL1 Coeficiente lineal de corriente amp
-1
0
IL2 Coeficiente cuadrtico de corriente amp
-2
0
La declaracin de una inductancia simulada por un modelo es entonces:
Lxxx <N+> <N-> <Nombre del Modelo> <Valor>
+ [IC = corriente inicial)
.Model <Nombre del Modelo> IND (P1 = V1 V2 = V2 ...)
Ejemplo:
Lentrada 2 3 Lejemplo 0.1m IC = 0
.Model Lejemplo IND (L = 2 TC1 = 0.03 IL1 = 0.2)
Para este ejemplo, la inductancia tendr un valor de 0.1 mH para una corriente
de 0 amperios y a una temperatura de 27C, para otros valores de corriente y
temperatura, la inductancia depende de la expresin anterior.
Ejemplo 4.3. Una resistencia de 10 en serie con una bobina de 1 mH se
alimenta con una fuente escaln de 10 V. Si la condicin inicial de la corriente en la
inductancia es de 5 A, calcule la corriente del circuito para una temperatura de 100 C,
utilizando para la resistencia un TC1 = 0.01 C
-1
, y para la inductancia un modelo con
IL1 = IL2 = 0.1 A
-1
, TC1 = 0.05. Compare los resultados sin los efectos de la
temperatura y la corriente, y aquellos con los efectos de ambas variables.
El archivo de entrada para las dos situaciones se ve a continuacin:
Ej empl o 4. 3. R y L como model os
Va 1 0 PWL 0, 0 1m, 10
Rm 1 2 Rmod 10
Lm 2 0 Lmod 1m I C = 5
. Model Rmod RES ( TC1 = 0. 01)
. Model Lmod I ND ( I L1 = 0. 1, I L2 = 0. 1, TC1 = 0. 05
. Temp 100
. Tr an 3m 3m ski bp
. Pr obe
. End
Si n var i aci on de par amet r os
Va 1 0 PWL 0, 0 1m, 10
Rm 1 2 10
Lm 2 0 1m I C = 5
. Tr an 3m 3m ski bp
. Pr obe
. End
En la Figura 4.2 se puede ver la comparacin de las curvas de corriente. La
curva pasa de subamortiguada a una sobreamortiguada, tambin se observa que sin
97
variacin de parmetros la corriente se estabiliza en 1 A, mientras que con los
parmetros afectados por la corriente y la temperatura el punto de estabilizacin est
por debajo de 1 (aproximadamente en 579 mA).
Figura 4.2 Corrientes del circuito para el Ejemplo 4.3
4.2.3 Capacitancia como modelo
El modelo para la capacitancia se basa en la variacin de su valor con la
temperatura y con la tensin, ambas en forma cuadrtica, de acuerdo a la siguiente
expresin:
Capacitancia = Valor
.
f(V
Cap
, T), en donde
f(V
Cap
, T)=C(1+VC1
.
I
Ind
+VC2
.
I
Ind
2
)
.
(1+TC1(T-T
Nom
)+TC2(T-T
nom
)
2
)
Los parmetros del modelo son los siguientes:
Parmetro Significado Unidad Predeterminado
C Multiplicador de inductancia
1
TC1 Coeficiente lineal de temperatura C
-1
0
TC2 Coeficiente cuadrtico de temperatura C
-2
0
VC1 Coeficiente lineal de tensin voltio
-1
0
VC2 Coeficiente cuadrtico de tensin voltio
-2
0
La declaracin de una capacitancia simulada por un modelo es entonces:
Cxxx <N+> <N-> <Nombre del Modelo> <Valor>
+ [IC = voltaje inicial)]
.Model <Nombre del Modelo> CAP (P1 = V1 V2 = V2 ...)
Ejemplo:
C1 5 3 Cfiltro 12u IC = 3
.Model Cfiltro CAP (C = 4 TC1 = 0.03 VC1 = 0.02 VC2 = 0.01)
Ejemplo 4.4. Para el circuito de la Figura 4.3 obtenga en una misma figura, la
tensin de la fuente y la curva de respuesta transitoria del voltaje en los terminales de
la resistencia de 20 , desde 0 hasta 1 ms, para una temperatura de 50 C. La tensin
de la fuente es un escaln de 10 V y las condiciones iniciales son i
L
(0
+
) = 3 A, v
C
(0
+
) =
4 V. Emplee modelos para los elementos de circuito, con los siguientes parmetros:
98
R1 = 1, TC1 = 0.02, TC2 = 0.005
C1 = 1, VC1 = 0.01, VC2 = 0.002, TC1 = 0.02, TC2 = 0.005
L1 = 1, IL1 = 0.1, IL2 = 0.002, TC1 = 0.02, TC2 = 0.005
Figura 4.3 Circuito para el Ejemplo 4.4
Para la simulacin se tiene el siguiente archivo de entrada:
Ej empl o 4. 4. R, L y C como model os
Vs 1 0 PWL 0, 0 10n, 10
R1 1 2 R32 60
L1 2 3 L32 1. 5m
C1 3 0 C32 2. 5u I C = 4
. Model R32 RES ( TC1 = 0. 02 TC2 = 0. 005)
. Model L32 I ND ( I L1 = 0. 1 I L2 = 0. 002 TC1 = 0. 02
+TC2 = 0. 005)
. Model C32 CAP ( VC1 = 0. 01 VC2 = 0. 002 TC1 = 0. 02
+TC2 = 0. 005)
. Tr an 1m 1m 0 2u
. Pr obe
. End
Par t e b. Si n var i aci n de par met r os
Vs 1 0 PWL 0, 0 10n, 10
R1 1 2 60
L1 2 3 1. 5m
C1 3 0 2. 5u I C = 4
. Tr an 1m 1m 0 2u
. Pr obe
. End
En la Figura 4.4 se observan las curvas de salida y la tensin de la fuente.
Figura 4.4 Resultados de la simulacin para el Ejemplo 4.4
99
4.3 Modelos de componentes electrnicos: diodos y transistores
4.3.1 Los diodos
El diodo es un elemento modelo D, y su declaracin tomar dos lneas:
Dnombre <N+> <N-> <Nombre del modelo> [Area]
.Model <Nombre del modelo> <D> [Parmetros]
N+ es el nodo y N- el ctodo. Nombre del modelo es cualquier nombre que
se le quiera dar al mismo. Puede empezar por la inicial del tipo de elemento aunque no
es necesario. rea es un parmetro que se utiliza para determinar el nmero de diodos
equivalentes en paralelo de un modelo determinado, su valor por defecto es uno (1).
Tabla 4.2. Parmetros del modelo genrico del diodo de PSpice
Nombre Parmetro Unidad Valor por defecto
IS Corriente de saturacin A 1E-14
RS Resistencia parsita (serie) 0
CJO Capacitancia p-n polarizacin cero F 0
VJ Potencial p-n V 1
TT Tiempo de trnsito S 0
BV Tensin de ruptura inversa V Infinito
IBV Corriente de ruptura inversa A lE-l0
ISR Corriente de recombinacin A 0
EG Energa de activacin eV 1.11
N Coeficiente de emisin 1
M Coeficiente de gradacin p-n 0.5
XTI Exponente de temperatura IS 3
KF Coeficiente de ruido flicker 0
AF Coeficiente de ruido flicker 1
NR Coeficiente de emisin para ISR 2
IKF Corriente de codo de alta inyeccin A Infinito
NBV Factor de idealidad de ruptura inversa A 1
IBVL
Corriente de codo de ruptura inversa
de bajo nivel
A 0
NBVL
Factor de idealidad de ruptura inversa
de bajo nivel
1
FC
Coeficiente de capacitancia de
deflexin directa
0.5
TIKF Coef. lineal de temperatura de IKF C
-1
0
TBV1 Coef. lineal de temperatura de BV C
-1
0
TBV2 Coef. cuadrtico de temp. de BV C
-2
0
TRS1 Coef. lineal de temperatura de RS C
-1
0
TRS2 Coef. cuadrtico de temp. de RS C
-2
0
T_Measured Temperatura medida C
T_ABS Temperatura absoluta C
T_Ref_Global Relativa a la temperatura actual C
T_Ref_local Relativa a la temp. de un modelo AKO C
El modelo genrico de PSpice se deriva del modelo SPICE2G6 de Berkeley,
100
con la incorporacin de tres parmetros adicionales: IKF, ISR y NR. En cuanto a los
efectos de la temperatura en el modelo, PSpice toma en cuenta las de SPICE2, pero le
adiciona variaciones de ISR, IKF y RS. Para el clculo de ruido, el modelo de PSpice
toma un ancho de banda de 1 Hz y considera que la resistencia parsita RS produce
ruido trmico y que el diodo intrnseco produce ruido de disparo y ruido Flicker.
Este modelo permite la declaracin de 29 parmetros para el diodo, si no se declara
ninguno, el programa toma los valores por defecto. Para mayor informacin sobre los
modelos de PSpice se recomienda consultar el PSpice Reference Manual de OrCAD y
el libro de Giuseppe Massobrio y Paolo Antognetti: "Semiconductor Device Modeling
With SPICE", segunda edicin, publicado por McGraw Hill, Inc., en 1993.
El parmetro Area, de la declaracin del diodo, incrementa los valores de IS,
ISR, IKF, CJO, IBV e IBVL y disminuye el valor de RS. El diodo se modela como una
resistencia de valor igual a RS/Area en serie con un diodo intrnseco.
Puede obtenerse un modelo utilizable para el diodo con los parmetros IS, RS,
BV e IBV; para aplicaciones como interruptores de alta velocidad se deben considerar
tambin CJQ y TT. Dejar el valor de CJO en cero puede traer como consecuencia
problemas de convergencia en algunas aplicaciones, pues se tendra cero como tiempo
de transicin. Cuando se usan diodos comerciales, los parmetros de ellos se
encuentran en bibliotecas de componentes, y, en lugar de la lnea del modelo se indica
la ubicacin de la biblioteca mediante la instruccin .Lib <nombre>.lib, o la ruta
completa de acceso si la biblioteca se encuentra en otro directorio, como se puede ver
en los ejemplos que viene a continuacin.
Ejemplo 4.5. Determine los valores de la corriente a travs de la resistencia de
2.2 k, y los voltajes V1, V2, y Vo en el circuito de la Figura 4.5, utilizando un diodo
genrico, con los valores predeterminados de sus parmetros.
Figura 4.5 Circuito para el Ejemplo 4.5
Archivo de datos para la simulacin:
Ej empl o 4. 5. Uso del model o gener i co del di odo
. Opt i on nopage noecho
Va 1 0 10
Rl 1 2 4. 7k
Dl 2 3 Dsi l
. Model Dsi l D; no r equi er e l a i nst r ucci n . l i b
R2 3 4 2. 2k
Vb 4 0 - 5
. DC Va 10 10 1
. Pr i nt DC V( l , 2) V( 3, 4) V( 3) I ( R2)
. End
101
La parte de inters del archivo de salida se muestra a continuacin:
_____________________________________________________________________
**** DC TRANSFER CURVES TEMPERATURE = 27. 000 DEG C
Va V( 1, 2) V( 3, 4) V( 3) I ( R2)
10 9. 758 4. 568 - 432. 3m 2. 076m
_____________________________________________________________________
La biblioteca EVAL.LIB contiene varios modelos de componentes y algunos
subcircuitos. Es necesario resaltar que para poder utilizar las bibliotecas se requiere
conocer los modelos de dispositivos que se encuentran en ella, para lo cual se pueden
leer tales archivos en la ventana de PSpice o en cualquier procesador de texto, o
imprimirlos si as se desea. Abra el archivo eval.lib e identifique los elementos de esta
biblioteca que se encuentra en C:/OrCAD/OrCAD_15.7_Demo/tools/library/eval.
Entre los componentes de eval.lib se encuentra el diodo Zener D1N750 de
Motorola. Para ilustrar el uso de las bibliotecas, se utilizar este diodo en el siguiente
ejemplo.
Ejemplo 4.6. Determine la potencia disipada por la resistencia de carga 1 k y
por el diodo Zener Motorola D1N750 de la Figura 4.6
Figura 4.6 Circuito para el Ejemplo 4.6
El archivo de datos para este caso ser:
Ej empl o 4. 6. Uso de di odo comer ci al
V1 1 0 5
R1 1 2 1k
R2 2 0 1k
D1 2 0 D1N750
. Li b eval . l i b
. DC V1 Li st 5
. Pr i nt DC W( R2) W( D1)
. End
Observe cuidadosamente el archivo de datos del circuito. No aparece la
instruccin .Model, que es remplazada por la .Lib. Cuando la biblioteca que contiene
el modelo se encuentre en otro directorio, se hace necesario indicar la ruta de acceso
en la lnea de la instruccin .Lib, por ejemplo C:/PSpice/Eval.Lib.
Los resultados de la simulacin para el Ejemplo 4.6 son:
_____________________________________________________________________
*** 01/ 03/ 07 18: 22: 45 **** PSpi ce Li t e ( J ul y 2006) *** I D# 10813 ***
Ej empl o 4. 6. Uso de di odo comer ci al
**** CI RCUI T DESCRI PTI ON
********************************************************************
102
. Opt i on nopage noecho
**** Di ode MODEL PARAMETERS
D1N750
I S 880. 500000E- 18
I SR 1. 859000E- 09
BV 4. 7
I BV . 020245
NBV 1. 6989
I BVL 1. 955600E- 03
NBVL 14. 976
RS . 25
CJ O 175. 000000E- 12
VJ . 75
M . 5516
TBV1 - 21. 277000E- 06
*** DC TRANSFER CURVES TEMPERATURE = 27. 000 DEG C
V1 W( R2) W( D1)
5. 000E+00 5. 550E- 04 2. 615E- 03
_____________________________________________________________________
En el archivo de salida aparecen los parmetros del modelo D1N750 y despus
los resultados del anlisis, en este caso la potencia en la resistencia de carga fue de
0.56 mW, y la resistencia disipada en el diodo Zener fue de 2.62 mW.
Ejemplo 4.7. Obtenga la curva caracterstica del diodo Zener D1N750 del
circuito de la Figura 4.7. La fuente es de corriente alterna sinusoidal de 10 V y 100 Hz.
Figura 4.7 Circuito para el ejemplo 4.7
El archivo *.cir correspondiente se ve a continuacin.
Ej empl o 4. 7. Cur va del di odo Zener D1N750
Vi n 1 2 si n( 0 10 100)
R1 0 1 1k
D1 2 0 D1N750; no r equi er e l a i nst r ucci n . Model
. Li b eval . l i b
. Tr an 40m 40m 20m 80u
. Pr obe
. End
La curva de la corriente en funcin del tiempo se aprecia en la Figura 4.8. Para
obtener la curva caracterstica, que se muestra en la Figura 4.9 se hace un cambio de la
variable en el eje X de manera que pase a ser el voltaje en los terminales del diodo
V(2). Desde el men Plot seleccione Axis settings, presione el botn Axis
variable y ahora escoja como variable V(2), presione el botn OK y nuevamente
103
presione el botn OK.
Figura 4.8 Corriente del circuito en funcin del tiempo para el Ejemplo 4.7
Figura 4.9 Curva caracterstica del diodo Zener D1N750
4.3.2 Los transistores bipolares BJT
Son los modelos Q de PSpice en sus diferentes tipos: NPN, PNP y LPNP. La
declaracin del modelo del transistor bipolar requiere dos lneas:
Q<nombre> <NC> <NB> <NE> [NS] -<nombre del modelo> [rea]
.Model <Nombre del modelo> <NPN|PNP|LPNP> [Parmetros]
NC, NB, NE, y NS son respectivamente los nodos de colector, base, emisor y
substrato (este ltimo slo para los LPNP; nombre de modelo es cualquier nombre
que se le quiera dar al mismo, puede empezar por la inicial del tipo de elemento
aunque no es necesario; rea es un parmetro que se utiliza para determinar el
nmero de BJT's equivalentes en paralelo de un modelo determinado, su valor por
defecto es uno (1). A continuacin unos ejemplos de declaracin de BJT's
Q1 14 2 13 PNPNOM
Q13 15 30 1 NPNSTRONG 1.5
Q7 VC 5 12 [SUB] LATPNP
Los modelos de transistores bipolares de PSpice se basan en los modelos de
Gummel-Poon/Ebers-Moll y permiten la declaracin de 63 parmetros para el BJT, si
no se declara ninguno, el programa toma los valores por defecto. En la Tabla 4.3 se
pueden ver los diferentes parmetros del modelo de BJT de PSpice.
104
Tabla 4.3. Parmetros del modelo de PSpice para transistores bipolares
Nombre Parmetro Unidad
Valor por
defecto
AF Exponente de ruido flicker 1
BF ideal mxima directa 100
BR ideal mxima inversa 1
CJC Capacitancia p-n, cero bias, b-c F 0
CJE Capacitancia p-n, , cero bias, b-e F 0
CJS Capacitancia substrato p-n, cero bias F 0
CN
Coeficiente de cuasi saturacin de temperatura para
mobilidad de huecos
2.42 NPN
2.20 PNP
D
Coeficiente de cuasi saturacin de temperatura para
velocidad de portadora de huecos
0.87 NPN
0.52 PNP
EG Altura de barrera eV 1.11
FC Coeficiente de descarga, polarizacin directa 0.5
GAMMA Factor de dopaje de la regin epitaxial 1E-11
IKF Corriente de codo para directa A Infinito
IKR Corriente de codo para inversa A Infinito
IRB Corriente a la cual RB cae a la mitad A Infinito
IS Corriente de saturacin A 1E-16
ISC Corriente de saturacin b-c A 0
ISE Corriente de saturacin b-e A 0
ISS Corriente de saturacin substrato p-n A 0
ITF Dependencia del tiempo de trnsito en I
C
A 0
KF Coeficiente de ruido flicker 0
MJC Factor de gradacin p-n, b-c 0.33
MJE Factor de gradacin p-n, b-e 0.33
MJS Factor de gradacin del substrato p-n 0
NC Coeficiente de emisin b-c 2
NE Coeficiente de emisin b-e 1.5
NF Coeficiente de emisin de corriente directa 100
NK Coeficiente de emisin de alta corriente 0.5
NR Coeficiente de emisin de corriente inversa 1
NS Coeficiente de emisin substrato p-n 1
PTF Defasaje a F 0 1/(2TF) HZ Grado 0
QCO Factor de carga de la regin epitaxial Culombio 0
QUASIMOD
Bandera que controla la regin de cuasi-saturacin.
1 dependencia de la temperatura
0 independencia de la tempratura
0
RB Resistencia de base, cero bias 0
RBM Resistencia mnima de base RB
RC Resistencia del colector 0
RCO Resistencia de la regin epitaxial 0
RE Resistencia de emisor 0
TF Tiempo de trnsito directo (ideal) s 0
TR Tiempo de trnsito inverso (ideal) s 0
TRB1 Coeficiente lineal de temperatura de RB C
-1
0
TRB2 Coeficiente cuadrtico de temperatura de RB C
-2
0
105
Nombre Parmetro Unidad
Valor por
defecto
TRC1 Coeficiente lineal de temperatura de RC C
-1
0
TRC2 Coeficiente cuadrtico de temperatura de RC C
-2
0
TRE1 Coeficiente lineal de temperatura de RE C
-1
0
TRE2 Coeficiente cuadrtico de temperatura de RE C
-2
0
TRM1 Coeficiente lineal de temperatura de RBM C
-1
0
TRM2 Coefic. cuadrtico de temperatura de RBM C
-2
0
T_ABS Temperatura absoluta C
T_Measured Temperatura medida C
T_Rel_Global Relativa a la temperatura actual C
T_Rel_Local Relativa a la temperatura de un modelo AKO C
VAF Tensin de Early directa V Infinito
VAR Tensin de Early inversa V Infinito
VG Voltaje de cuasi saturacin a 0 K V 1.206
VJC Potencial propio de b-c V 0.75
VJE Potencial propio de b-e V 0.75
VJS Potencial propio del substrato p-n V 0.75
VO Codo de voltaje de mobilidad de portadores V 10
VTF Dependencia del tiempo de trnsito en VBC V Infinito
XCJC Fraccin de CJC conectada internamente a RB 1
XCJC2 Fraccin de CJC conectada internamente a RB 1
XTB Coeficiente de temperatura para directa e inversa 0
XTI Exponente para efecto de temperatura en IS 3
El parmetro Area de la declaracin del BJT, multiplica todas las corrientes y
capacitancias y divide todas las resistencias. Adems de los libros recomendados en la
seccin anterior, si desea mayor informacin y ejemplos sobre dispositivos
semiconductores, se sugiere leer los captulos 7 a 10 del libro de Muhammad H.
Rashid: SPICE for Circuits and Electronics USing PSpice", segunda edicin,
publicado por Prentice Hall, en 1995. Para el anlisis de ruido se supone que la
resistencia parsita genera ruido trmico y que las corrientes de colector y de base
generan ruido de disparo y ruido flicker.
Ejemplo 4.8. Encuentre la ganancia para pequeos cambios alrededor del
punto de equilibrio entre Vo y Vin del circuito de la Figura 4.10, as como la
resistencia vista desde Vin y desde Vo, si se sabe que los BJT's son National modelo
2N3904.
Figura 4.10 Circuito para el Ejemplo 4.8
106
El archivo de entrada para el PSpice quedar as:
Ej empl o 4. 8. Ampl i f i cador con BJ T' s Q2N3904
. Opt i on nopage noecho
Vi n 1 0 10
R1 1 2 47k
Q1 2 1 3 Q2N3904
Q2 2 3 4 Q2N3904
. Li b Eval . l i b
Re 4 0 4. 7k
Vcc 2 0 12
. TF V( 4) Vi n; V( 4) = Vo
. End
El archivo de resultados de la simulacin muestra los parmetros del modelo,
los valores del punto de operacin, y para el anlisis de funcin de transferencia
presenta la ganancia para pequeas seales alrededor del punto de equilibrio, la
resitencia de entrada y la resistencia de salida vista desde Vo. A continuacin el
archivo de salida editado.
_____________________________________________________________________
*** 01/ 04/ 07 20: 31: 17 *** PSpi ce Li t e ( J ul y 2006) *** I D# 10813 ****
Ej empl o 4. 8. Ampl i f i cador con BJ T' s Q2N3904
**** CI RCUI T DESCRI PTI ON
*********************************************************************
. Opt i on nopage noecho
**** BJ T MODEL PARAMETERS
Q2N3904
NPN
LEVEL 1
I S 6. 734000E- 15
BF 416. 4
NF 1
VAF 74. 03
I KF . 06678
I SE 6. 734000E- 15
NE 1. 259
BR . 7371
NR 1
I SS 0
RB 10
RE 0
RC 1
CJ E 4. 493000E- 12
VJ E . 75
MJ E . 2593
CJ C 3. 638000E- 12
VJ C . 75
MJ C . 3085
XCJ C 1
CJ S 0
VJ S . 75
TF 301. 200000E- 12
107
XTF 2
VTF 4
I TF . 4
TR 239. 500000E- 09
XTB 1. 5
KF 0
AF 1
CN 2. 42
D . 87
**** SMALL SI GNAL BI AS SOLUTI ON TEMPERATURE = 27. 000 DEG C
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 10. 0000 ( 2) 12. 0000 ( 3) 9. 4489 ( 4) 8. 7677
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
Vi n 4. 237E- 05
Vcc - 1. 908E- 03
TOTAL POWER DI SSI PATI ON 2. 25E- 02 WATTS
**** SMALL- SI GNAL CHARACTERI STI CS
V(4)/Vin = 9.934E-01 = Ganancia para pequeas seales
INPUT RESISTANCE AT Vin = 4.696E+04 = Resistencia de entrada
OUTPUT RESISTANCE AT V(4) = 2.651E+01 = Resistencia de salida
_____________________________________________________________________
Como puede apreciarse en la ltima seccin, la ganancia es de 0.99, la resistencia vista
por la fuente de entrada es de 46.97 k y la resistencia de salida vale 26.51 .
4.3.3 Los transistores de efecto de campo JFET
Los transistores JFET, modelo J de PSpice, tipos NJF y PJF se modelan como
un FET intrnseco que emplea una resistencia (RD/area) en serie con el nodo drenador
(d), y otra resistencia (RS/rea) en serie con el nodo fuente (s). La declaracin de un
JFET sigue la forma:
Jnombre <ND> <NG> <NS> <nombre del modelo> [rea]
.Model <nombre del modelo> <NJF|PJF> [parmetros]
Los nodos son ND o drenador (d), NG o compuerta (g) y NS o fuente (s);
nombre del modelo es cualquier nombre que se le quiera dar al mismo, puede
empezar por la letra inicial del mismo elemento, aunque no es necesario. NJF o PJF se
usan segn se trate de un transistor de canal n o de canal p; rea multiplica los
valores de corrientes y capacitancias y divide los de las resistencias, es un parmetro
que se utiliza para declarar el nmero de JFET's equivalentes en paralelo de un modelo
determinado, su valor predeterminado es uno (1). A continuacin un par de ejemplos
de declaracin de JFET:
J2 10a 10b 10c Jentrada
J13 1 2 3 Jmedio 2.5
El primero es un transistor con el nodo del drenador conectado al nodo10a, el
de la compuerta al nodo 10b y el de la fuente al nodo 10c, llamado Jentrada; el
segundo llamado Jmedio tiene los nodos drenador, compuerta y fuente conectados
respectivamente a los nodos 1, 2 y 3; tiene un factor de rea de 2.5.
108
El JFET de PSpice se basa en el modelo de Schichman-Hodges y permite la
declaracin de 25 parmetros, si no se declara ninguno el programa toma los valores
por defecto. Tales parmetros son:
Tabla 4.4. Parmetros del JFET
Nombre Parmetro Unidad
Valor por
defecto
AF Exponente de ruido 1
ALPHA Coeficiente de ionizacin V
-1
0
BETA Coeficiente de transconductancia A/V
2
1E-4
BETATCE Coeficiente exponencial de temparatura %/C 0
CGD Capacitancia p-n, cero bias, g-d F 0
CGS Capacitancia p-n, cero bias, g-s F 0
FC Coeficiente de capacitancia polarizacin directa 0.5
IS Corriente de saturacin, compuerta p-n A 1E-14
ISR
Parmetro de recombinacin de corriente,
compuerta p-n
A 0
KF Coeficiente de ruido 0
LAMBDA Modulacin de longitud del canal V
-1
0
M Coeficiente de gradacin, compuerta p-n 0.5
N Coeficiente de emisin, compuestra p-n A 0
NR Coeficiente de emisin para ISR 2
PB Potencial compuerta p-n V 1
RD Resistencia de drenaje 0
RS Resistencia de fuente 0
T_Abs Temperatura absoluta C
T_Measured Temperatura medida C
T_Rel_Global Relativa a la temperatura actual C
T_Red_Local Relativa a la temperatura de un modelo AKO C
VK Voltaje de codo de ionizacin V 0
VTO Voltaje de umbral V 0
VTOTC Coeficiente de temperatura VTO V/C 0
XTI Coeficiente de temperatura IS 3
Se puede lograr un modelo utilizable para el JFET con solo tres parmetros:
VTO, BETA e IS, que se pueden obtener a partir de la informacin tcnica del
fabricante. En el caso del JFET de canal n de Motorola J2N549l, de la hoja de datos
del fabricante se tiene que V
GS(apagado)
= -3.5 V; Igss = 5 pA; I
DSS
= l0mA, cuando V
DS
= l0VyV
GS
= 0. Para el modelo de PSPice se toma: VTO = V
GS(apagado)
; IS = I
gss
; y el
valor de BETA = I
DSS
/(VTO)
2
. As tendremos VTO = -3.5 V; IS = 5 pA; BETA =
0.816mA/V
2
.
Ejemplo 4.9. Obtenenga las curvas caractersticas para el JFET J2N5491, si
Vdd se vara de 0 a 12V, y Vgs de 0 a 3.5V.
El circuito para obtener las curvas consiste en el JFET, dos fuentes de tensin
de valor variable y un ampermetro para leer la corriente de drenaje. El circuito para
PSpice se aprecia en la Figura 4.11.
109
Figura 4.11 Circuito para el Ejemplo 4.9
Ej empl o 4. 9. Cur vas del J 2N5491
Vgs G 0 2. 5
Vdd 1 0 12
Vamp 1 D 0
J 1 G D 0 J 2N5491
. Model J 2N5491 NJ F( VTO = - 3. 5 I S = 5p BETA = 0. 816m)
. DC Vdd 0 12 0. 5
. St ep Vgs 0 - 3. 5 - 0. 7
. Pr obe
. End
Figura 4.12 Curvas del JFET J2N5491
En la Figura 4.12, tomada de Probe se aprecian las curvas de corriente de
drenaje versus voltaje de drenaje para el transistor J2N5491. La curva superior
corresponde a una tensin Vgs de 0 V y la inferior a una tensin Vgs de -3.5 V.
4.3.4 Transistores de efecto de campo MOSFET
Son los modelo M de PSpice en sus tipos NMOS y PMOS, su tratamiento es similar al
de los JFET's. La forma general de declaracin permite definir algunos parmetros
directamente en la declaracin del dispositivo, o en el modelo o por medio de la
instruccin .OPTIONS. Los valores que aparecen en la declaracin del dispositivo
tienen prioridad sobre los del modelo y stos a su vez sobre los de .Options. Los
Mosfets vienen en siete niveles de diseo que se basan en los siguientes modelos, de
los cuales el nivel predeterminado es el 1:
Nivel 1: Schichman-Hodges
Nivel 2: Modelo analtico basado en la geometra de Grove-Frohman
Nivel 3: Semiemprico de canal corto
110
Nivel 4: Modelo Berkeley Short-channel IGFET Model (BSIM)
Nivel 5: Modelo EKV versin 2.6
Nivel 6: Modelo BSIM3 versin 2.0
Nivel 7: Modelo BSIM3 versin 3.1
La forma general de la declaracin del MOSFET genrico es:
Mnombre <ND> <NG> <NS> <NB> <Nombre del modelo>
+ [L = valor] [W = va1or] [AD = valor] [AS= valor]
+ [PD = valor] [PS = valor] [NRD = valor] [NRS =valor]
+ [NRG = valor] [NRB = valor] [M = valor] [N = valor]
Model <Nombre del modelo> <NMOS|PMOS> [Parmetros]
ND, NG, NS y NB son los nodos drenador, compuerta, fuente y substrato; L y
W son la longitud y el ancho efectivos del canal y toman valores por defecto de 100
m; AD y AS son las reas de difusin de drenador y fuente; toman cero (0) como
valor por defecto. PD y PS corresponden a los permetros de difusin de drenador y
fuente, toman cero (0) como valor por defecto; NRD, NRS, NRG y NRB son las
resistencias relativas de drenador, fuente, compuerta y substrato, que, al multiplicarse
por la resistencia de la capa drenador-fuente (RSH), dan los valores en ohmios de RD,
RS, RG y RB; uno (1) es el valor por defecto para NRD y NRS, y cero (0) para NRG y
NRB; M es un multiplicador con uno (1) como valor por defecto, que sirve para
simular el efecto de mltiples dispositivos en paralelo, y N es un multiplicador con uno
(1) como valor por defecto que sirve para simular el efecto de mltiples dispositivos en
serie. A continuacin unos ejemplos de Mosfets:
Mej1 l0 15 20 0 Pcaso1 L = 15u W = 8u
.Model Pcasol PMOS (Level = 3 XJ = 1.2u TOX = 0.1u)
Mej2 11 16 21 0 Pcaso2
.Model Pcaso2 PMOS (level = 6)
Mej3 12 17 22 0 Ncaso1 L = 25u W = 16u AD = 200p AS = 200p
+ NRD = l0 NRS = 15 NRG = 10 NRB = 2
.Model Ncaso1 NMOS
En el primer ejemplo se declara un transistor PMOS nivel 3, y se especifican la
longitud y anchura del canal (15 m y 8 m), as como la profundidad de la unin
metalrgica (1.2 m) y el espesor del xido (0.1 m); en el segundo ejemplo se
declara un PMOS nivel 6 con sus parmetros predeterminados; y en el tercer ejemplo
se declara un NMOS nivel 1 con los valores de longitud y anchura del canal, las reas
de difusin de drenador y fuente, y las resistencias relativas de drenador, fuente,
compuerta y substrato. Para tener una mejor informacin sobre los moedlos de
MOSFET disponibles en la versin de evaluacin, se sugiere revisar la biblioteca
eval.lib para determinar los mosfets que se encuentran en ella.
En sus diferentes niveles, los Mosfets tiene ms de 300 parmetros; quienes
estn interesados en ellos pueden consultar la Gua de Referencia de PSpice (psrg.pdf).
Adems de los incluidos en la declaracin del modelo genrico de un MOSFET,
existen otros parmetros que son comunes a los diferentes niveles, stos se presentan
en la Tabla 4.5.
111
Tabla 4.5. Parmetros comunes a los diferentes niveles de MOSFET
Nombre Parmetro Unidad
Valor por
defecto
AF Exponente de ruido flicker 1
CBD Capacitancia substrato drenador pn, cero bias F 0
CBS Capacitancia substrato fuente pn, cero bias F 0
CGBO
Capacitancia por longitud de canal comn
compuerta-substrato
F/m 0
CGDO
Capacitancia por longitud de canal comn
compuerta-drenador
F/m 0
CGSO
Capacitancia por longitud de canal comn
compuerta-fuente
F/m 0
CJ
Capacitancia inferior por rea, substrato pn, cero
bias
F/m
2
0
CJSW
Capacitancia lateral por longitud, substrato pn, cero
bias
F/m 0
FC Coeficiente de capacitancia polarizacin directa 0.5
IS Corriente de saturacin, compuerta p-n A 1E-14
JS Corriente de saturacin por rea, substrato pn A/m
2
0
JSSW Corriente de saturacin por longitud, substrato pn A/m 0
KF Coeficiente de ruido flicker 0
L Longitud de canal m 100
*
LEVEL Nivel o ndice del modelo 1
MJ Coeficiente de gradacin inferior, substrato pn 0.5
MJSW Coeficiente de gradacin lateral, substrato pn 0.33
N Coeficiente de emisin, substrato pn 1
PB Potencial inferior substrato pn V 0.8
PBSW Potencial lateral substrato pn V PB
RB Resistencvia de substrato 0
RD Resistencia de drenaje 0
RDS Resistencia drenador-fuente Infinito
RG Resistencia de compuerta 0
RS Resistencia de fuente 0
RSH Resistencia lmina difusora drenador-fuente /cuadro 0
T_Abs Temperatura absoluta C
T_Measured Temperatura medida C
T_Rel_Global Relativa a la temperatura actual C
T_Red_Local Relativa a la temperatura de un modelo AKO C
TT Tiempo de trnsito substrato pn s
0
* Generalmente se declara a travs de la instruccin .OPTIONS.
Ejemplo 4.10. Obtenga las curvas de Id contra Vd (en corriente continua), para
un mosfet canal N genrico, en la medida en que Vg cambia desde 0 hasta 2 V en
pasos de 0.5. Haga un barrido de Vd desde 0 hasta 5 V en pasos de 0.1. Trace la lnea
de carga para una resistencia de 100 k. Repita la simulacin para un mosfet
comercial. Qu sucede?
112
Figura 4.13 Circuito para el Ejemplo 4.10
Ej empl o 4. 10 Cur va de un Mosf et canal N gener i co
Vg g 0 0
Vd d 0 0
M1 d g 0 0 Mspi ce
. Model Mspi ce NMOS
. DC Vd 0 5 0. 1 Vg 0 2 0. 5
. Pr obe
. End
En la Figura 4.14 se aprecian las cinco curvas. Observe que todas tienen el
mismo smbolo, porque para Probe los resultados de un barrido anidado se toman
como un conjunto unitario de datos. Diferenciar una de otra no es sencillo y se
requiere analizar las caractersticas del circuito.
Figura 4.14 Curvas del Mosfet del Ejemplo 4.10
Si se desea obtener las cinco curvas con diferente smbolo cada una, de manera
que su identificacin se puede hacer mediante una doble pulsacin en cada uno de los
smbolos, se puede hacer un barrido .STEP, cuyo archivo .cir queda de la forma
siguiente:
Ej empl o 4. 10 Cur va de un Mosf et canal N, con . st ep
Vg g 0 0
Vd d 0 0
M1 d g 0 0 Mspi ce
. Model Mspi ce NMOS
. DC Vd 0 5 0. 1
. St ep Vg 0 2 0. 5
. Pr obe
113
. End
En la Figura 4.15 se aprecian las cinco curvas plenamente identificadas. Sobre
estas curvas se dibujar la lnea de carga; la expresin que trazar la lnea de carga es:
(5V - Vd)/100k. El conjunto de curvas y la lnea de carga se ven en la Figura 4.16.
Figura 4.15 Curvas del mosfet del Ejemplo 4.10
Figura 4.16 Curvas y lnea de carga para el mosfet
Cuando se trata de hacer la simulacin con un mosfet comercial como el
IRF150 que es un NMOS, con las mismas condiciones del ciruito de la Figura 4.13 no
se obtienen la curvas del transistor, eso se debe a que no se cumple con las condiciones
de la hoja de datos (data sheet) del transistor.
4.3.5 Transistor de arseniuro de Galio
Es el dispositivo tipo GASFET de PSpice. El tratamiento de este transistor es
similar al del JFET, su forma general es
Bnombre <ND> <NG> <NS> <nombre del modelo> [rea = valor]
.Model <nombre del modelo> <GASFET> [parmetros]
Los GASFET vienen en cinco niveles; el nivel 1 es la opcin por defecto. Los
modelos en los cuales se basan son:
Nivel 1 Curtice
Nivel 2 Raytheon o Statz
114
Nivel 3 TDM de Triquint
Nivel 4 Parker-Skellern
Nivel 5 TDM-2 de Triquint
A continuacin un ejemplo de declaracin de un GASFET:
Bentrada 11 22 33 Arseniuro Ara = 2
.Model Arseniuro GASFET (Level = 2 VTO 0 1.5 Alpha = 1.8)
Tabla 4.6. Parmetros comunes a los diferentes niveles de GASFET
Nombre Parmetro Unidad
Valor por
defecto
AF Exponente de ruido 1
ALPHA Coeficiente de ionizacin V
-1
0
BETA Coeficiente de transconductancia A/V
2
1E-4
BETATCE Coeficiente exponencial de temparatura %/C 0
CDS Capacitancia drenador fuente F 0
CGD Capacitancia p-n, cero bias, g-d F 0
CGS Capacitancia p-n, cero bias, g-s F 0
EG Altura de barrera eV 1.11
FC Coeficiente de capacitancia polarizacin directa 0.5
IS Corriente de saturacin, compuerta p-n A 1E-14
KF Coeficiente de ruido flicker 0
LAMBDA Modulacin de la longitud del canal V
-1
0
LEVEL Nivel o ndice del modelo 1
N Coeficiente de emisin, compuestra p-n A 0
RD Resistencia de drenaje 0
RG Resistencia de compuerta 0
RS Resistencia de fuente 0
T_Abs Temperatura absoluta C
T_Measured Temperatura medida C
T_Rel_Global Relativa a la temperatura actual C
T_Red_Local Relativa a la temperatura de un modelo AKO C
TRD1 Coeficiente lineal de temperatura de RD C
-1
0
TRG1 Coeficiente lineal de temperatura de RG C
-1
0
TRS1 Coeficiente lineal de temperatura de RS C
-1
0
VBI Potencial compuerta pn V 1.0
VTO Voltaje de umbral V 0
VTOTC Coeficiente de temperatura VTO V/C 0
XTI Coeficiente de temperatura IS 3
En la Tabla 4.6 se presentan los parmetros que son comunes a los diferentes
niveles de GASFET. Como en el caso de los MOSFET, los cinco diferentes niveles
incluyen un alto nmero de parmetros, por lo cual se sugiere consultar la Gua de
Referencia de PSpice (psrg.pdf).
4.4 Modelos de rels de voltaje y de corriente
El programa trae los modelos de dos rels o interruptores accionados por
voltaje y por corriente respectivamente, el primero es el dispositivo S o modelo
Vswich y el segundo es el dispositivo W o modelo Iswich. Estos dispositivos se usan
115
slo para anlisis transitorio; si se emplean en anlisis .DC o .AC el dispositivo
permanecer abierto introduciendo en el circuito uan resistencia en serie con un valor
igual a Roff.
En muchas oportunidades es necesario analizar un circuito en el cual la
apertura o cierre de un interruptor genera cambio en las condiciones y en consecuencia
produce un estado transitorio entre las dos situaciones estables previa y posterior a la
accin del interruptor. En algunos casos es posible realizar la simulacin utilizando
fuentes escaln (PWL) o de pulsos (PULSE) o fuentes Poly en lugar de las originales
del circuito. Sin embargo, es posible simular los circuitos con interruptores, para lo
cual se pueden utilizan los dispositivos S y W que PSpice tiene en su biblioteca de
modelos.
S es un interruptor controlado por voltaje y obedece al modelo VSWITCH de
PSpice. En realidad se trata de una resistencia que vara inversamente con una tensin
de control. Si la tensin es alta la resistencia de S es pequea y si la tensin es
"baja", la resistencia de S es grande. El "alta" y el "baja" son relativos y equivalen, por
defecto a 1 V y 0 V respectivamente. Dentro de los lmites alto y bajo de la tensin de
control la resistencia del dispositivo cambia siguiendo una curva exponencial.
La forma general de declaracin de un interruptor controlado por voltaje es:
Snombre <N+> <N-> <NC+> <NC-> <Nombre del Modelo>
en donde Snombre es la identificacin del dispositivo y debe empezar por la letra S;
N+ y N- corresponden a los terminales del interruptor; NC+ y NC- son los terminales
de la tensin de control y Nombre del Modelo es aquel que arbitrariamente se le haya
asignado. La forma general de declaracin del interruptor debe ir acompaada de la
declaracin del modelo:
.Model <Nombre del Modelo> VSWITCH [ ( P1 = V1, P2 = V2,...) ]
Nombre del Modelo es el mismo dado en la declaracin de S; VSWITCH es el tipo de
modelo de acuerdo a PSpice y P1 = V1, P2 = V2, etc. son los parmetros del modelo
con sus respectivos valores. Los parmetros de VSWlTC'H con sus valores por
defecto se mencionan a continuacin:
Parmetro Significado Unidad Valor por Defecto
RON Resistencia on 1
ROFF Resistencia off 1E+6
VON Voltaje de control para on Voltio 1
VOFF Voltaje de control para off Voltio 0
W es un interruptor controlado por corriente y obedece al modelo ISWITCH de
PSpice. En realidad se trata de una resistencia que vara inversamente, con la corriente
que pasa a travs de una fuente de voltaje que se usa para el control. Esta fuente puede
ser cualquiera, inclusive una fuente auxiliar de 0 Voltios. Si la corriente es "alta" la
resistencia de S es pequea y .si la corriente es "baja" la resistencia de S es grande. El
"alta" y el "baja" son relativos y equivalen, por defecto a 1 A y 0 A respectivamente.
La forma general de declaracin de un interruptor controlado por corriente es:
Wnombre <N+> <N-> <Vcontrol> <Nombre del Modelo>
116
en donde Wnombre es la identificacin del dispositivo y debe empezar por la letra W;
N+ y N- corresponden a los terminales del interruptor; Vcontrol es el nombre de la
fuente de voltaje a travs de la cual circula la corriente de control y Nombre del
Modelo es aquel que arbitrariamente se le haya asignado. La forma general de
declaracin del interruptor debe ir acompaada de la declaracin del modelo:
.Model <Nombre del Modelo> ISWlTCH [( P1 = V1, P2 = V2,...) ]
Nombre del Modelo es el mismo dado en la declaracin de W; ISWITCH es el tipo de
modelo de acuerdo a PSpice y P1 = V1, P2 = V2, etc. son los parmetros del modelo
con sus respectivos valores. Los parmetros de ISWITCH con sus valores por defecto
se mencionan a continuacin:
Parmetro Significado Unidad Valor por Defecto
RON Resistencia on 1
ROFF Resistencia off 1E+6
ION Corriente de control para "on" Amperio 1
I0FF Corriente de control para "off" Amperio 0
Los parmetros de los dispositivos S y W se pueden cambiar a voluntad; entre
mayor sea ROFF y menor RON, se tendr una mejor simulacin del interruptor, sin
embargo esto se traduce en dificultades de clculo para el programa y en tiempos
prolongados de procesamiento. Se recomienda que la relacin ROFF/RON sea menor
que 10
12
para evitar problemas de convergencia del simulador.
El dispositivo S puede usarse como rel de voltaje, en cuyo caso la tensin de
control puede ser cualquier voltaje que se quiera supervisar, de manera que cuando
alcance el valor del parmetro Von cerrar un interruptor para accionar una alarma u
otro dispositivo. De manera similar el dispositivo W puede utilizarse como rel de
corriente. Los dos dispositivos S y W pueden usarse para que actuen como
interruptores temporizados, en estos casos, para la tensin o la corriente de control se
emplean fuentes PWL o Pulse, declarando el tiempo inicial como parmetro global.
Esta posibilidad se ha utilizado para construir los subcircuitos Sw_topen y Sw_tclose
de los cuales se hablar en la seccin 4.6 de esta misma Unidad.
Ejemplo 4.11 El circuito de la Figura 4.17 (a) se encuentra en estado estable
con el interruptor cerrado. En t = 0.5 s el interruptor se abre. Utilice un interruptor
controlado por corriente y calcule i(t) para los siguientes casos: a) si R
0
= 10 ; b) si
R
0
= 18 ; y c) si R
0
= 23 .
(a) (b)
Figura 4.17 Circuito para el Ejemplo 4.11
117
El circuito de la Figura 4.17 (b) es un circuito auxiliar para simular el
interruptor como un rel de corriente. Cuando la corriente a travs de la resistencia de
1 caiga por debajo de 1 A, el interruptor W asociado al modelo Iswitch se abrir. El
archivo .cir del circuito se ve a continuacin:
Ejemplo 4.11
V1 1 0 DC 100
L1 1 2 1
R1 2 3 2
R2 2 4 {Ro}
.param Ro = 10
C1 4 0 0.01
W1 3 5 Iswitch
R3 5 0 8
.Tran 0.5 5 0 1m
.Step param Ro List 10, 18, 23
.Probe
* A continuacin la declaracin del circuito auxiliar
Iaux 0 a pwl (0, 10 0.5, 10 0.5001, 0)
Raux a 0 1
.End
4.5 Modelos de transformadores con ncleo magntico
El dispositivo K de PSpice se utiliza para simular el acoplamiento magntico
entre bobinas, y el modelo tipo CORE permite simular transformadores con ncleo
magntico. La versin de evaluacin trae cuatro tipos de transformadores con ncleo
de ferrita. El acoplamiento magntico y los transformadores se tratarn en detalle en la
Unidad VII
4.6 Modelos de lneas de transmisin
Una lnea de transmisin para PSpice puede ser desde un par de conductores en
un circuito impreso, pasando por una lnea telefnica, hasta una lnea de transmisin
de potencia con acoplamiento magntico y prdidas. El dispositivo T de PSpice
permite simular lneas de transmisin ideales y con prdidas; para estas ltimas el
programa ofrece el modelo tipo TRN. Adicionalmente el PSpice en su versin de
evaluacin trae ocho subcircuitos de lneas de transmisin. El tratamiento de las lneas
de transmisin se har en la Unidad VII.
4.7 Modelos de componentes digitales
El estudio de los dispositivos digitales est fuera del alcance de este texto. Sin
embargo vale la pena resaltar que estos dispositivos se tratan como cualquier otro
elemento que pueda ser simulado por modelos. Las bibliotecas de PSpice contienen
una gran variedad de dispositivos analgicos y digitales; la biblioteca eval.lib contiene
modelos tales como la compuerta AND 74S11, el dispositivo lgico programable
PAL20RP4B, el octoacoplador A4N25, el SCR 2N1595, el TRIAC 2N5444, el timer
555D; por su parte la biblioteca 7400.lib trae un nmero grande dispositivos digitales
de la serie 7400, tomados del TTL Data Book, y la biblioteca FRQCHK.lib contiene
un subcircuito decodificador.
118
4.8 Subcircuitos
Un subcircuito se define como un conjunto de componentes que trabajan
unidos para realizar una tarea. Un grupo de elementos interconectados en patrones que se
repiten pueden definirse como un subcircuito. As como muchos de los componentes que
traen las bibliotecas de PSpice viene en forma de modelos, otros muchos vienen en la
forma de subcircuitos. Ejemplos de subcircuitos son interruptores, amplificadores
operacionales, componentes digitales, etc.
En PSpice la declaracin de un subcircuito tiene la siguiente estructura:
.SUBCKT <nombre del subcircuito> <nodos externos del subcircuito>
Lneas de datos de componentes del subcircuito
.ENDS
Un subcircuito puede ser complejo y tener muchos nodos internos, pero en su
declaracin slo se mencionan los nodos externos, o sea los que unen el subcircuito
con el resto del circuito principal. Las lneas de datos tienen las formas ya conocidas
de acuerdo a los elementos que lo conforman.
Para llamar un subcircuito se utiliza la forma:
Xyyy <Nodo1> <Nodo2> [Nodo ...] ... <Nombre del subcircuito>
Si el subcircuito se encuentra guardado en alguna biblioteca es necesario
indicarle al programa el nombre de la biblioteca, a travs de la instruccin .LIB.
X1 1 2 3 4 5 LM324
X2 6 8 sw_tclose params: tclose = 0.5
X3 1 2 4 5 6 A4N25
X4 a b Sw_topen params: Roff = 1E6 Ron = 0.1
.Lib eval.lib
El primer ejemplo, X1 es el subcircuito amplificador operacional LM324; X2
es un interruptor SPST temporizado para el cierre, que opera cuando t = 0.5 s; X3 es el
optoacoplador A4N25; X4 es un interruptor temporizado para la apertura, acta
cuando t = 0 s y tiene un valor de resistencia de contacto de 0.1 , y de resistencia
cuando el circuito est abierto de 1 G; los cuatro se encuentran en la biblioteca
eval.lib. Si se trabaja con la versin profesional, el primero se encuentra en la
biblioteca opam.lib, el segundo y el cuarto en la anl_misc.lib y el tercero en la opto.lib.
4.9 Creacin y edicin de modelos y subcircuitos
Si se desea crear un nuevo componente, el procedimiento a seguir depende de
la versin que se est empleando como se ver a continuacin. El ejemplo a utilizar es
la realizacin de un par de subcircuitos para amplificadores operacionales con
propsitos acadmicos, sin incluir en ellos las fuentes de alimentacin. El primero que
se llamar AO_UNET_1 se utilizar para anlisis en DC, y el AO_UNET_2, para
anlisis en AC.
Los archivos *.cir para cada uno de ellos aparecen a continuacin, observe que
se han colocado muchas lneas de comentarios para que el usuario tenga la mxima
informacin para su aplicacin.
119
*-----------------------------------------------------------------
* Subcircuito AO_UNET_1 de un OP_AMP para DC
*
* Resistencia de entrada de 2 Meg, segunda etapa compuesta de
* fuente de tension controlada por tension con ganancia 2E+5 y
* resistencia de salida de 75 ohmios
*
* conexiones: entrada no inversora
* | entrada inversora
* | | salida
* | | |
.subckt AO_UNET_1 1 2 3
Rent 1 2 2Meg
Rsal 4 3 75
Esal 4 0 2 1 2E+5
.Ends
*-----------------------------------------------------------------
*
* Subcircuito AO_UNET_2 de un OP_AMP para AC
*
* Resistencia de entrada de 2 Meg, segunda etapa compuesta por el
* paralelo de fuente de corriente controlada por tensin con
* transconductancia de 1 S, resistencia de 10 K y capacitancia de
*
1.562 uF, y tercera etapa formada por fuente de tension controlada
* por tension con ganancia 20 y resistencia de salida en serie, con
* un valor de 75 ohmios.
*
* conexiones: entrada no inversora
* | entrada inversora
* | | salida
* | | |
.subckt AO_UNET_2 1 2 3
Rent 1 2 2Meg
G 0 5 1 2 1
R2 5 0 10K
C1 5 0 1.562u
Esal 0 4 5 0 20
Rsal 4 3 75
.Ends
*
************************************************************
Si se est trabajando con la versin de evaluacin, las posibilidades estn
bastante limitadas, si embargo se puede incluir el archivo texto dentro del archivo
eval.lib, e incluir los nombres de los subcircuitos en la lista de componentes. De esa
manera estn disponibles para las simulaciones desde el PSpice A/D.
Si se est trabajando con la versin profesional se puede hacer uso de las
posibilidades que presenta el programa, creando el subcircuito a partir de otro ya
existente, como se seala a continuacin.
El proceso para el primer amplificador es el siguiente:
1. Desde el men inicio abre el Model Editor del grupo de OrCAD
2. En el men File seleccione New
3. Del men Model seleccione Model New
4. En el espacio Model escriba el nombre del modelo AO_UNET_1, y en la
ventana desplegable From Model: seleccione Operacional Amplifier, y
presione OK
5. Del men View, seleccione Model Text, con lo cual aparece la definicin del
modelo por defecto. Reemplcela por su archivo.
6. Desde el men File, seleccione Save as y guarde el archivo con el nombre
120
UNET.lib
7. Vaya ahora al Capture y abra la biblioteca UNET.olb
8. Haga una doble pulsacin sobre el smbolo del AO_UNET_1, aparecer una
ventana de edicin
9. Modifique el smbolo, para suprimirle las entradas de alimentacin y colocarle
el nuevo nombre.
10. Haga un doble pulsacin sobre el smbolo, aparecer una ventana editable
11. Haga una pulsacin sobre PSpice Template y modifquelo para que queden los
nodos %+ %- %out
12. Pulse el botn de salvar
13. Abra la biblioteca Nom.lib y agregue .Lib UNET.lib, guarde y cierre.
14. Desde el PSpice A/D y desde Capture abra un nuevo proyecto y haga una
prueba con el modelo recin creado.
Ahora deber hacer algo similar para crear el segundo subcircuito, pero
inicie abriendo la biblioteca recin creada: UNET.lib.
Si usted desea emplear un modelo existente, pero modificando sus parmetros,
colquelo en la ventana de Capture, seleccinelo y desde el men Edit active el Model
Editor. Haga los cambios que sean necesarios y cierre la ventana. Si desea modificar el
smbolo del elemento, desde el men abra Edit/Part y edtelo, finalmente salga del
editor mediante File/Exit. Este elemento as modificado slo ser vlido para el
proyecto en ejecucin.
1
A continuacin un ejemplo de aplicacin:
Ejemplo 4.12. Simule el circuito de la Figura 4.18, para encontrar la forma de
la tensin de salida, si V(t) = sen(3t) V. Utilice el subcircuito OA_UNET_2 que
guard en la biblioteca eval.lib.
Figura 4.18 Circuito para el Ejemplo 4.12
El archivo .cir es el siguiente:
Ejemplo 4.12 Amplificador operacional en CA
V1 1 0 sin(0 3 {1/(2*3.14159)})
R1 1 2 3
R2 2 3 6
R3 2 4 2
C1 2 0 1
C2 3 4 {1/24}
Jaime Salcedo Luna, 2007
121
X1 4 0 3 AO_UNET_2
Ccarga 3 0 25u
.Option nopage
.Lib EVAL.LIB
.Tran 0.01 10 0 0.01
.Probe
.End
4.10 Uso de subcircuitos de amplificadores operacionales e interruptores
Los amplificadores operacionales y los interruptores los maneja el programa
PSpice como subcircuitos. En la biblioteca eval.lib se encuentran los amplificadores
operacionales LM324, LF411 y A741, y los interruptores temporizados Sw_tOpen y
Sw_tClose. Los interruptores son del tipo SPST y slo tienen dos terminales, mientras
que los amplificadores operacionales tienen cinco terminales que deben declararse en
el orden en que aparecen en el subcircuito y que son: terminal de entrada no inversora,
terminal de entrada inversora, fuente de alimentacin positiva, fuente de alimentacin
negativa, y salida. El orden se puede ver en el archivo eval.lib al cual se puede llegar a
travs de la siguiente ruta: C://OrCAD/OrCAD_15.7_Demo/tools/pspice/library/eval.
A continuacin se muestra el programa del amplificador A741, tal como
aparece en la biblioteca eval.lib:
*- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
* connect i ons: non- i nver t i ng i nput
* | i nver t i ng i nput
* | | posi t i ve power suppl y
* | | | negat i ve power suppl y
* | | | | out put
* | | | | |
. subckt uA741 1 2 3 4 5
*
c1 11 12 8. 661E- 12
c2 6 7 30. 00E- 12
dc 5 53 dx
de 54 5 dx
dl p 90 91 dx
dl n 92 90 dx
dp 4 3 dx
egnd 99 0 pol y( 2) ( 3, 0) ( 4, 0) 0 . 5 . 5
f b 7 99 pol y( 5) vb vc ve vl p vl n 0 10. 61E6 - 10E6 10E6 10E6 - 10E6
ga 6 0 11 12 188. 5E- 6
gcm 0 6 10 99 5. 961E- 9
i ee 10 4 dc 15. 16E- 6
hl i m90 0 vl i m1K
q1 11 2 13 qx
q2 12 1 14 qx
r 2 6 9 100. 0E3
r c1 3 11 5. 305E3
r c2 3 12 5. 305E3
r e1 13 10 1. 836E3
r e2 14 10 1. 836E3
r ee 10 99 13. 19E6
r o1 8 5 50
r o2 7 99 100
r p 3 4 18. 16E3
vb 9 0 dc 0
122
vc 3 53 dc 1
ve 54 4 dc 1
vl i m 7 8 dc 0
vl p 91 0 dc 40
vl n 0 92 dc 40
. model dx D( I s=800. 0E- 18 Rs=1)
. model qx NPN( I s=800. 0E- 18 Bf =93. 75)
. ends
*$
*- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Como se aprecia en el archivo .cir anterior, el A741 lo conforman dos
condensadores, nueve resistencias, cinco diodos, dos transistores, una fuente DC de
corriente, seis fuentes DC de voltaje, y cinco fuentes controladas. El orden de los
nodos aparece especificado en las primeras lneas del archivo.
Las simulaciones con la versin de evaluacin estn condicionadas a no ms de
dos amplificadores operacionales por circuito.
Ejemplo 4.13 En el circuito de la Figura 4.19, la resistencia R1 representa la
resistencia interna de la fuente, y por la configuracin se trata de un circuito
integrador/derivador. Encuentre las frecuencias para las cuales la tensin de salida
tiene la misma magnitud de la tensin de entrada. La zona de integracin est en las
frecuencias altas o en las bajas?, y, la de derivacin? Cul es la ganancia en el rango
de frecuencias medias?
2
Figura 4.19 Circuito para el Ejemplo 4.13
El archivo del circuito es el siguiente:
Ej empl o 4. 13
V1 1 0 AC 1
R1 1 ent r ada 50
C1 ent r ada 2 0. 01u
R2 2 3 100k
X1 3 0 4 5 sal i da uA741
2
Este circuito fue tomado del sitio Web de la Universidad de Wayne, disponible en la siguiente
direccin: webpages.eng.wayne.edu/cadence/ECE7570/doc/Lab_7.pdf
123
. Li b eval . l i b
C2 3 sal i da 0. 01n
R3 3 sal i da 300k
V2 4 0 9
V3 0 5 9
R4 sal i da 0 1k
. AC DEC 101 0. 1 10Meg
. Pr obe
. End
La solucin grfica se puede apreciar en la Figura 4.20. Observe que las
tensiones de entrada y salida tienen la misma magnitud cuando la frecuencia es de
56.27 Hz y cuando es de 126.325 Hz y que la ganancia en el rango de frecuencias
medias es de 2.9893. Por otra parte cuando es pequea el condensador C2 presenta
una impedancia muy grande, haciendo casi despreciable su efecto integrador, as que
el efecto derivador se presenta en la zona de transicin entre frecuencias bajas y
medias; mientras que a frecuencias altas, la impedancia de C1 es muy pequea,
haciendo despreciable el efecto derivador, y haciendo que el efecto integrador se
presente en la zona de transicin entre frecuencias medias y altas.
Figura 4.20 Solucin del Ejemplo 4.13
La biblioteca eval.lib trae dos interruptores SPST temporizados, uno al cierre y
el otro a la apertura, ambos en la forma de subcircuitos. El archivo del subcircuito para
el interruptor temporizado para la apertura es el siguiente:
*- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
* For DC and AC anal yses, t he swi t ch wi l l be Cl osed.
. SUBCKT Sw_t Open 1 2 PARAMS:
+ t Open=0 ; t i me at whi ch swi t ch begi ns t o cl ose
+ t t r an=1u ; t i me r equi r ed t o swi t ch st at es, may not be 0
+ Rcl osed=0. 01 ; Cl osed st at e r esi st ance
+ Ropen=1Meg ; Open st at e r esi st ance ( Ropen/ Rcl osed < 1E10)
V1 3 0 pul se( 1 0 {t Open} {t t r an} 1 10k 11k)
S1 1 2 3 0 Smod
. model Smod Vswi t ch( Ron={Rcl osed} Rof f ={Ropen})
. ends
*
*$
*- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
124
Observe lo que dice en la primera lnea de comentarios, este interruptor
permance cerrado para anlisis de AC y DC, solamente funciona para anlisis
transitorio. El subcircuito interruptor temporizado utiliza un rel de voltaje (S1) que
utiliza como parmetros las resistencias Ron y Roff; para la temporizacin emplea una
fuente auxiliar pulse (V1) con los tiempos de apertura y de transicin como
parmetros.
Ejemplo 4.14 Encontrar la curva de la corriente que baja por la resistencia de 2
en el circuito de la Figura 20, si el interruptor se abre cuando t = 1 s.
Figura 4.21 Circuito para el Ejemplo 4.14
Empleando el subcircuito Sw_topen, el archivo del ejemplo 4.14 ser:
V1 1 0 20
X1 1 2 Sw_topen params: topen = 1
.Lib eval.lib
R1 2 3 3
R2 3 0 2
L1 3 4 1
C1 4 0 1
.Tran 4 8 0 16m
.Probe
.End
El resultado de la simulacin se ve en la Figura 4.22. Observe la discontinuidad
en la corriente cuando el interruptor se abre, la corriente cambia instantneamente de 4
a 0 A, luego crece, para tender finalmente a cero.
Figura 4.22 Curva de la corriente a travs de R2
4.11 Ejercicios
E.4.1 Determine la corriente a travs de un circuito en serie compuesto por una fuente
de DC de 10 V, una resistencia de 4 k y otra de 6 k, para temperaturas de 25, 50 y
125
75 grados centgrados, si los parmetros de variacin de la resistencia por temperatura
son TC1 = 0.02 y TC2 = 0.005.
E4.2 Una resistencia variable conectada a los terminales de una fuente de 10 V de
corriente continua puede tomar valores entre 10 y 20 . Utilizando un barrido del
parmetro R del modelo de PSpice para resistencias, encuentre la curva de la potencia
consumida por la resistencia variable.
E.4.3 Para el circuito de la Figura 4.23, encuentre, en una misma ventana de Probe, las
curvas de potencia de las dos resistencias, empleando para la simulacin el modelo de
resistencia de PSpice.
Figura 4.23 Circuito para el ejercicio E.4.3
E.4.4 En el circuito de la Figura 4.24 se sabe que vc(0+) = 8 V, y que el interruptor se
cierre cuando t = 1 s. a) Obtenga las curvas de v0(t), de la potencia entregada por la
fuente controlada, y de la energa en el condensador.
Figura 4.24 Circuito para el ejercicio E.4.4
Figura 4.25 Circuito para el ejercicio E.4.5
E.4.5 Obtenga las curvas de respuesta en frecuencia (magnitud y fase) del filtro activo
que se muestra en la Figura 4.25, desde 1 Hz hasta 100 kHz, si v(t) = 12 cos t V. Para
el amplificador operacional utilice el subcircuito AO_UNET_2 (pgina 119).
E.4.6 Dado el circuito de la Figura 4.26, alimentado con una seal sinusoidal de 150
V, a 30 Hz y con un ngulo de fase de 50, se pide: a) hacer un barrido por lista del
parmetro BV del diodo, para los valores de 50 y 70, y obtener las grficas del voltaje
126
de salida Vab y de la cada de tensin en cada diodo. La variacin de este parmetro
afecta al voltaje de salida Vab? Explique apoyndose en el resultado obtenido; b) hacer
un barrido de la fuente de la rama central para valores de 0, 40, 60 y graficar el voltaje
de salida. Qu efecto se produce con la variacin del voltaje?
Figura 4.26 Circuito para el ejercicio E.4.6
E.4.7 Para el circuito de la Figura 4.27 y mediante un barrido paramtrico, encuentre
el rango de valores de Rx que hace que la corriente a travs del Zener se encuentre
entre 2 mA y 20 mA. Encuentre la curva de tensin en los terminales del Zener.
Figura 4.27 Circuito para el ejercicio E.4.7
Figura 4.28 Circuito para el ejercicio E.4.8
E.4.8 Obtenga la grfica de la ganancia de voltaje Vout/Vin vs B, en donde B es la
posicin del cursor del potencimetro. R = 5 k, R1 = 2 k, amplificador operacional
LM324, con alimentacin de 15 V.
E.4.9 El interruptor de la Figura 4.29 ha estado en la posicin superior por un largo
tiempo. Cuando t = 1s, cambia a la posicin inferior, y un segundo ms tarde vuelve a
127
la posicin superior. Encuentre: a) la grfica de i(t) para 0 t 4s; b) el tiempo para el
cual i(t) = 0.
Figura 4.29 Circuito para el ejercicio E.4.9
E.4.10 Para el circuito de la Figura 4.30
3
, con una tensin Vi(t) de 1 voltio pico a pico
a una frecuenciad de 1 Hz, haga un barrido paramtrico de la resistencia R1 para los
valores de 100 , 480 , 1 k y 10 k, y obtenga, en diferentes pares de ejes, las
curvas del voltaje y la corriente de salida. En cada caso identifique las cuatro curvas.
Qu concusiones de pueden sacar de estos resultados? Qu valor uso para Vcc?
Figura 4.30 Circuito para el ejercicio E.4.10
E.4.11 Para el circuito de la Figura 4.31, realice un barrido paramtrico de la
resistencia R1, por dcadas, entre 1 y 10 M, y obtenga las curvas de IC e IB del
transistor. Se observa el paso de saturacin a corte? Para cules valores de R1 est el
transistor en saturacin y para cules en corte?
3
Los circuitos para los ejercicios E.4.10 y E.4.11 fueron tomados del Manual de OrCAD II de la
Universidad de Jan
128
Figura 4.31 Circuito para el ejercicio E.4.11
129
Unidad V
Simulaciones desde el Capture CIS
Objetivos
Despus de estudiar esta unidad usted debera ser capaz de
1. abrir el programa Capture
2. crear un proyecto nuevo
3. agregar o quitar bibliotecas de componentes
4. buscar componentes en las bibliotecas
5. dibujar un circuito en la interfaz grfica
6. editar nombres y valores de componentes
7. hacer los ajustes de los diferentes barridos
8. ejecutar simulaciones desde el Capture
9. editar el perfil de la simulacin
10. analizar los resultados
11. identificar los diferentes tipos de archivos que crea el programa Capture
12. guardar y salir del programa
Actividades de aprendizaje
1. Lea cuidadosamente los contenidos de esta unidad
2. Siga paso a paso el Ejemplo 5.1
3. Realice los ejercicios del final de la Unidad
Introduccin
En las unidades anteriores se hicieron simulaciones directamente desde el
PSpice A/D mediante la entrega de informacin del circuito a simular en formato de
texto o archico .cir. En esta Unidad se tratar del uso del Capture o programa de
entrada esquemtica para el simulador. El Capture genera un archivo .net que alimenta
el simulador PSpice. El proceso a seguir es bsicamente el siguiente: a) abrir el
programa Captures CIS; b) abrir un nuevo proyecto; c) cargar las bibliotecas de
componentes necesarias para la simulacin; d) colocar las partes o dispositivos del
circuito; e) conectar los diferentes componentes (alambrado del circuito); f) editar las
propiedades de los componentes; g) hacer los ajustes de la simulacin (parmetros de
barridos); h) especificar las salidas o resultados; i) ejecutar la simulacin; j) revisar y
analizar los resultados; k) guardar la informacin. La interfaz de usuario es muy
amigable y, en la mayora de los casos, una vez iniciados en la simulacin desde el
Capture es muy poco probable que se quieran hacer las simulaciones por otra va.
De igual manera que con las simulaciones desde PSpice, los resultados se
obtienen a travs del archivo texto o archivo .out, o mediante el posproceasor grfico
Probe.
130
A continuacin se explicar paso a paso cmo se hace una simulacin a partir
del Capture o entrada esquemtica.
5.1 Creacin de un nuevo proyecto
Se va a empezar con el Ejemplo 5.1. Abra el Capture CIS desde el grupo de
OrCAD. Seleccione el men New/Project, y en la ventana que aparece (ver Figura 5.1)
escriba el nombre del proyecto (Ejemplo 5.1, para este caso), marque la opcin
Analog or Mixed-Signal Circuit Wizard, y escoja el directorio donde desea guardarlo
(EJEMPLOS, en este caso), o cree una nueva carpeta. Presione el botn OK.
Figura 5.1 Ventana de nuevo proyecto
Notas importantes:
1. Si usted desea llevar la simulacin para ejecutarla en otra PC, es necesario que
guarde todos los archivos que ella crea en una carpeta nueva, y para trasladarla,
copie la carpeta completa con todo su contenido.
2. Para cerrar la simulacin debe seguir la secuencia siguiente, a fin de garantizar que
todos los archivos queden guardados. Desde el men File seleccione Close
Project, despus File/Close, y finalmente File/Exit.
A continuacin aparecer una ventana donde usted decidir si el proyecto se va a
crear sobre uno ya existente o si va a ser una pgina en blanco, como se ve en la Figura
5.2. En general se marca la opcin de crear un proyecto nuevo.
131
Figura 5.2 Ventana de creacin de un proyecto nuevo
En la Figura 5.3 se ve la ventana donde se dibujar el circuito. El circuito a
simular, ser un RLC en serie, y se har un anlisis transitorio. A la derecha de la
ventana del Capture hay una barra de herramientas para dibujar su circuito. Al
acercarse con el puntero del ratn aparece la identificacin de cada botn. En la parte
superior est una barra de tareas con dos filas, el primer botn de la segunda fila,
permite hacer los ajustes necesarios para la simulacin.
Figura 5.3 Ventana para dibujar el circuito
5.2 Dibujo del circuito y ajuste de valores
Con el botn Partes se colocan los cuatro elementos del circuito: una fuente
sinusoidal (Vsin), una resistencia (R), una inductancia (L), y un condensador (C); con
el botn tierra se coloca la referencia o nodo cero (componente 0/Source que se
encuentra en la biblioteca Source) que es indispensable. Al pulsar el botn Partes, se
muestra la ventana de seleccin de partes que se aprecia en la Figura 5.4; si aparece en
blanco, con el botn Add Library agrega las bibliotecas de componentes. En la
parte superior izquierda se escribe el nombre del elemento (VSIN), y el dibujo del
dispositivo se ve en la parte inferior hacia el centro. Al pulsar OK, la fuente aparece en
132
la ventana del Capture, con un clic del ratn se ubica en la posicin que se desee, con
la tecla Esc se desactiva la colocacin. Igual se hace con los otros elementos. En la
Figura 5.5 se pueden ver los cinco elementos ya colocados. En su posicin por defecto,
el terminal izquierdo de los elementos pasivos es el terminal positivo.
Figura 5. 4 Ventana de seleccin de partes
Figura 5.5 Los componentes del circuito
Si se desea colocar el condensador en forma vertical con el positivo hacia
arriba, se selecciona con el ratn y se pulsa tres veces la tecla R, o tambin, con el
componente seleccionado presione la tecla H y despus la tecla R. Despus, con la
herramienta de conductores se unen los diferentes componentes. Para cambiar los
valores por defecto se hace una doble pulsacin sobre el valor mostrado y se edita ese
valor. Para la fuente, junto al dibujo se ven las palabras Voff, Vamp, y Freq, que
corresponden a la componente de continua, a la amplitud de la seal alterna y a la
frecuencia, respectivamente. Con un doble clic sobre cada una de ellas, se pueden
133
editar sus valores. Para editar el ngulo de fase, se hace una doble pulsacin sobre el
smbolo del dispositivo, con lo cual se obtiene una parte de una hoja de clculo
editable, con los parmetros del elemento (Figura 5.6). En la celda debajo de Phase se
escribe 30 que es el ngulo de fase. Se presiona el botn Display y se selecciona Name
and Value. Con la herramienta de etiquetar nodos se les numera, aunque no es
necesario, es recomendable para dar una mejor presentacin al archivo de salida. El
diagrama del circuito queda como se ve en la Figura 5.7.
Figura 5.6
Figura 5.7
5.3 Perfil y ajustes de la simulacin
El circuito est listo para ajustar la simulacin. Al presionar el botn New
Simulation Profile, se obtiene una lnea editable donde se escribe un nombre arbitrario
para el perfil de la simulacin, (Anlisis Transitorio), y se presiona el botn Create
(Figura 5.8), con lo cual se obtiene la ventana de ajustes de la simulacin.
Figura 5.8 Creacin de un nuevo perfil para la simulacin
En la Figura 5.9 se ve la ventana de ajustes de la simulacin. El barrido por
defecto es el transitorio. Frente a Run to time se escribe la duracin del barrido, en
este caso 3 segundos, para ver 6 ciclos de la onda sinusoidal. Presione Aceptar y la
simulacin queda lista para ejecutarla.
134
Figura 5.9 Ventana de ajustes de la simulacin
5.4 Ejecucin de la simulacin
Figura 5.10 Circuito listo para la simulacin
En la segunda fila de la barra de tareas del Capture, el tercer botn de izquierda
135
a derecha es un tringulo con el vrtice hacia la derecha, ese es el botn de ejecucin
de la simulacin. Al ajustar la simulacin este botn aparece resaltado con un color
azul, como se aprecia en la Figura 5.10. Plselo, y ejecutar la simulacin, presentando
al finalizar una ventana de Probe en blanco.
5.5 Resultados grficos
Si la simulacin genera ms de un punto para cada variable, el programa
automticamente presenta una ventana de Probe donde se pueden obtener los
resultados en forma grfica. En la Figura 5.11 se ven las curvas del voltaje de entrada
y de la corriente del circuito.
Figura 5.11 Resultado inicial de la simulacin
Como puede apreciarse fcilmente, las curvas son segmentos de rectas, las
cuales pueden mejorarse editando los ajustes de la simulacin. Para esto, en la segunda
lnea de la barra de tareas de Capture existe un botn rectangular con una lnea azul
gruesa en su parte superior, situado a la izquierda del botn de ejecucin de la
simulacin y llamado Edit Simulation Settings. Al pulsar sobre este botn se obtiene
la ventana de edicin, all se coloca el paso forzado de que se habl en la seccin de
anlisis transitorio de la Unidad III. En esta oportunidad se colocar el valor que
resulte de dividir el tiempo del barrido entre 500 o sea 3/500 = 6 ms, como se aprecia
en la Figura 5.12.
Figura 5.12 Edicin del ajuste de la simulacin
Desde la ventana de ajustes de la simulacin se puede cambiar cualquiera de
los valores de la simulacin o hasta el tipo de barrido. Con los nuevos valores se repite
la simulacin para obtener las curvas mejoradas. En la Figura 5.13 se aprecian los
resultados finales. La lnea negra el smbolo del tringulo invertido es la tensin en la
fuente, y la roja con el smbolo del rombo es la corriente a travs del circuito en su
136
etapa inicial.
Figura 5.13 Resultados finales de la simulacin
En la siguiente unidad se utilizarn stos y otros resultados de simulaciones,
para hacer una introduccin al uso del postprocesador grfico.
5.6 Resultados en modo texto
Los resultados en modo texto se obtienen mediante instrucciones .Print o si se
han utilizado instrucciones que por defecto producen resultados en el archivo *.out,
tales como .op, .tf, y .four.
Desde el Capture las instrucciones .Print se hacen a travs de los componentes
especiales VPrint1 que da como resultado el voltaje de un nodo, Vprint2 que sirve para
obtener la diferencia de potencial entre un par de nodos, e Iprint que mide la corriente
a travs de una rama del circuito. Los smbolos correspondientes se asemejan a una
impresora de matriz de puntos y llevan marcada la polaridad negativa. Estos
dispositivos funcionan como multmetros con muchas opciones: DC, Transitorio, AC
con posibilidad de leer magnitud, fase, parte real, parte imaginaria, decibeles.
Para ver la forma de conectarlos, se han agregado al circuito anterior, como se
pueden ver en la Figura 5.14, a la fuente se le han asignado valores de DC y de AC,
para poder apreciar el resultado con estos tipos de barridos. Una vez colocados en el
circuito se hace una doble pulsacin sobre cada uno de ellos y en la lnea editable que
aparece, se coloca una o varias letras (cualesquiera) como bandera bajo la opcin a
elegir. En la parte superior de la Figura 5.14 se ve que se han marcado con la palabra
si las opciones AC y DC, en la misma lnea, aunque no visible se seleccionaron las
opciones de parte real y parte imaginaria.
Como resultados para el anlisis de AC a una frecuencia de 2 Hz, se obtuvieron
los siguientes resultados: Vprint1 = V(1) = 8 + j0 V; Vprint2 = V(2,3) = 3,521 j3,971
V; y finalmente Iprint = I(R1) = 0,16 j0,1805 A.
137
Figura 5.14 Circuito con pseudo componentes Vprint e Iprint
5.7 Archivos que crea el programa Capture
Figura 5.15 Archivos generados por Capture para una simulacin
Cuando se crea un proyecto nuevo, el programa Capture crea una serie de
carpetas que contienen toda la informacin relevante para la simulacin, tales como el
esquemtico del circuito, el archivo .net, similar al archivo .cir pero generado por
138
Capture y que sirve de entrada al Pspice, los perfiles de la simulacin, la memora
temporal (cache) del diseo, las bibliotecas utilizadas, la lsita de componentes. Estas
carpetas se pueden apreciar en la ventana del Project Manager que aparece cuando
se minimiza la ventana de Capture (Figura 5.15). Todas estas carpetas y sus
correspondientes archivos deben guardarse si la simulacin se quiere repetir, o si se
desea trasladar a otro equipo.
El Proyect Manager muestra en forma de rbol los diferentes recursos
empleados, empezando por la carpeta Design Resources que contiene las diferentes
pginas o esquemas de su diseo; en el caso del ejemplo anterior slo hay una pgina
esquemtica. Si se aaden otras pginas, stas se agregan a la carpeta del diseo. A
continuacin se ve la carpeta Design Cache donde se encuentra una lista de completa
de las partes o componentes usados en el proyecto. Las bibliotecas de smbolos de
componentes que se utilicen en el proyecto se guardan en la carpeta Library.
Al mismo nivel de la carpeta Design Resources se encuentran la carpeta Output
y la carpeta PSpice Resources. En la primera se encuentra el archivo nombre.net
generado por el Capture y que sirve de entrada de datos del circuito para el PSpice. En
la carpeta PSpice resources se encuentran los archivos externos que se hayan incluido
a travs de la instruccin .Include; las bibliotecas de modelos y subcircuitos de PSpice
que se hayan usado, y finalmente los ajustes de la simulacin que se hayan empleado.
Para abrir cada carpeta se hace una doble pulsacin sobre ella con el botn
izquierdo del ratn o se pulsa una vez sobre el signo ms (+) que se encuentra a su
izquierda; para cerrarla se pulsa sobre el signo menos (-). Si no aparece ningn signo a
su izquierda es que la carpeta est vaca.
Cuando se desea abrir un proyecto existente, lo primero que aparece es la
ventana del Project Manager y para mostrar la ventana de Capture debe abrirse la
carpeta llamada Design Resources, luego se hace una doble pulsacin sobre el
archivo nombre.dsn el cual abre la carpeta Schematic1, dentro de la cual se
encuentra la pgina de Capture con su nombre correspondiente. Para el ejemplo
anterior, la pgina de Capture es la denominada Circuito del Ejemplo5.1. Al pulsar
dos veces sobre ella se abre la pgina de la simulacin.
Para cerrar un projecto y salir del Capture es importante guardar los cambios
que se hayan hecho, para lo cual se recomienda cerrar la simulacin desde el men
File de la manera siguiente:
File/Close
File/Close Project
File/Exit
Con lo cual se llega a la ventana del PSpice A/D. Para salir de ella se sugieren
los sigientes pasos, desde el men File:
File/Close
File/Close Simulation
File/Exit
139
5.8 Otros ejemplos desde el Capture
Ejemplo 5.2 Mostrar en una sola ventana de Probe el voltaje en los terminales
de la resistencia de 6 y el voltaje de la fuente v(t) en el circuito de la Figura 5.16. La
fuente v(t) produce un tren de pulsos rectangulares alternos con valores pico de 12 V y
periodo de 1 Hz. La fuente controlada tiene un valor de 2i, en donde i es la corriente
que baja por la resistencia de 4.
Figura 5.16
El circuito tiene una fuente de pulsos de voltaje que se denomina VPULSE, una
fuente de corriente continua o VDC y una fuente de voltaje controlada por corriente o
fuente o fuente H y un interruptor SPDT que no existe en la biblioteca eval.lib, pero
que se puede reemplazar por dos SPST, uno temporizado para la apertura y el otro
temporizado para el cierre. Esto hace que se necesiten tres subcircuitos (H, Sw_tclose
y Sw_topen), lo cual supera el lmite de dos subcircuitos para la versin de evaluacin,
as que la nica posibilidad es realizarlo en la versin profesional.
Para comenzar, se abre un nuevo proyecto con el nombre Ejemplo5_2 y se
guarda en la carpeta Ejemplo5.2 en la parte del disco duro que usted desee, pero
recordando siempre su ubicacin. En la ventana de Capture se colocan e interconectan
los diferentes dispositivos. En la Figura 5.17 se muestran los diferentes componentes
con sus respectivas conexiones, observe que la corriente de control de la fuente H va
en la direccin deseada, pero la polaridad de la fuente de voltaje qued invertida, para
corregirlo se cambia el signo a la transresistencia (Gain).
Figura 5.17 Circuito sin editar
140
A continuacin se editan los valores de los diferentes componentes, y el
resultado se muestra en Figura 5.18.
Figura 5.18 Circuito del Ejemplo 5.2
Puesto que se pide mostrar las curvas de voltaje en funcin del tiempo, se
hacen los ajustes de la simulacin para un barrido transitorio de 3 s y un paso forzado
de 6 ms, el resultado en Probe se puede apreciar en la Figura 5.19.
Figura 5.19 Resultados del Ejemplo 5.2
Ejemplo 5.3 El circuito de la Figura 5.20 no tiene energa almacenada para t <
0. Haga un barrido de frecuencia y un barrido transitorio para encontrar, en cada caso,
la tensin en los terminales del condensador. Para el barrido en frecuencia utilice el
voltaje efectivo y un rango de frecuencias entre 0.01 y 100 Hz.
) 45 2 cos( 2 ) ( = t t v voltios.
Figura 5.20 Circuito para el Ejemplo 5.3
Se piden dos tipos de anlisis y la fuente es sinusoidal por tanto se puede usar
una fuente mtiple que en el caso del Capture es la fuente VSRC; por otra parte el
circuito incluye un interruptor, y de acuerdo con las condiciones del subcircuito
141
interruptor ste no acta sino para anlisis transitorio. Para resolver esta situacin se
reemplaza el efecto del interruptor por la declaracin de las condiciones iniciales. La
fuente de voltajes como se dijo es sinusoidal y en su declaracin se deben utilizar
expresiones para la amplitud y la frecuencia. En la Figura 5.21 se ve el circuito en el
Capture. Observe que 1/ y 2 se escribieron entre llaves, en la versi 15 de PSpice el
valor de est predeterminado, en versiones anteriores deba declararse como
parmetro.
Figura 5.21 Circuito del Ejemplo 5.3 con todos sus valores
A continuacin se harn los ajustes de la simulacin. Primero se har el barrido
.AC (AC Sweep) para el rango 0.01 f 100 Hz, se selecciona un barrido logartmico
por dcadas y se coloca frecuencia inicial (Start Frequency) 0.01, frecuencia final (End
Frequency) 100, y puntos por dcada 101, para tener curvas suaves; despus se har
una nueva simulacin heredada de la anterior para el barrido transitorio para 6 s y con
un paso forzado de 12 ms.
Los resultados de las simulaciones se ven en la figuras 5.22 y 5.23. En la 5.22
se aprecian la magnitud y la fase de la tensin del condensador, y en la 5.23 los
voltajes en los nodos entrada y medio, que corresponden al voltaje de la fuente y del
condensador respectivamente.
Figura 5.22 Magnitud y fase del voltaje del condensador
142
Figura 5.23 Voltajes en la entrada y en los terminales del condensador
Ejemplo 5.4 Para el circuito de la figura 5.24 encuentre las curvas de la
corriente a travs de la inductancia, para valores de la resistencia que van de 0.5 a 1.5
en pasos de 0.1. En la misma ventana, pero en un diferente par de ejes, represente
las curvas que muestran cmo cambia el sobrepaso y el tiempo de levante en funcin
de R. Muestre en una nueva ventana las curvas para R1 = 0.5 y para R1 = 1.5
Figura 5.24 Circuito para el Ejemplo 5.4
En este ejemplo aparecen varias cosas nuevas: una fuente escaln unitario de
corriente que empieza cuando t = 1 s y que se simula mediante una fuente IPWL; una
resistencia variable para la cual se usar una resistencia normal y se declarar su valor
como un parmetro variable; un barrido paramtrico del valor de la resistencia
variable; y un anlisis de comportamiento del sobrepaso y del tiempo de levante de la
corriente en funcin de la resistencia variable, que se hace desde Probe.
Para ajustar la fuente IPWL se hace una doble pulsacin sobre ella, en la lnea
de propiedades (Figura 5.25), se busca T1, en la celda vaca que se encuentra debajo se
escribe 1, bajo T2 se escribe 1.001; se busca I1 y en su celda se se escribe 0, y bajo I2
se escribe 1. Se seleccionan las columnas T1, T2, I1 e I2 y mediante el botn Display
se pide que se muestren el nombre y el valor (Name and Value), los cuales aparecern
en la ventana de Capture.
Figura 5.25 Ajustes de la fuente IPWL
143
Para definir el parmetro global R_var, se busca un pseudo componente
llamado PARAM y se ubica en la vecindad del circuito, a continuacin se hace una
doble pulsacin sobre ese nombre lo cual lleva a una lnea de propiedades como se ve
en la Figura 5.26 (a). Se pulsa sobre el botn New Column y aparece una ventana
desplegable con dos lneas editables, en la primera se escribe el nombre del parmetro
y en la segunda un valor de ese parmetro (inicializacin de la variable), como se ve en
la Figura 5.26 (b); se selecciona la nueva columna y mediante el botn Display (Figura
5.26 (c)) se pide que se muestre el nombre y el valor (Name and Value). En la Figura
5.27 se muestra el circuito con sus valores ajustados.
(a)
(b)
(c)
Figura 5.26 Ajustes de la resistencia variable
Figura 5.27 Circuito para el Ejemplo 5.4 con sus valores ajustados
Para la simulacin se presiona el botn de ajustes de la simulacin, all se
selecciona un barrido transitorio para 16 s y con un paso forzado (Maximun step size)
de 32 ms como ajuste general (General Settings); a continuacin se selecciona un
barrido paramtrico (Parametric Sweep): frente a Parameter Name se escribe R_var, se
escoge un barrido lineal con un valor inicial de 0.5 , un valor final de 1.5 y un
paso de 0.1 . En la Figura 5.28 puede verse la ventana de ajustes de la simulacin.
144
Observe que se encuentran seleccionados el barrido transitorio y el barrido
paramtrico. No se aprecia el ajuste del tiempo del anlisis transitorio que es de 16 s.
Figura 5.28 Ajustes de la simulacin para el Ejemplo 5.4
En las siguientes figuras se pueden ver los resultados de la simulacin. En la
Figura 5.29 la familia de curvas de la corriente a travs de la inductancia en la medida
en que se cambian los valores de R1, la de mayor sobrepaso es la de menor resistencia.
En la Figura 5.30 se puede ver la variacin del tiempo de levante y del sobrepaso con
la variacin de la resistencia R1, y en la Figura 5.31 se muestran las curvas de
corriente en la inductancia para R1 = 0.5 y para R1 = 1.5 .
Figura 5.29 Familia de curvas de corriente en la inductancia
145
Figura 5.30 Curvas de Sobrepaso y Tiempo de Levante vs R1
Para obtener las curvas de Sobrepaso y Tiempo de levante se habilita la opcin
Performance Anlisis del men Trace de Probe, en la columna de la derecha se
selecciona Overshoot y en la de la izquierda I(L1), luego desde el men Plot se agrega
un nuevo eje Y (Add Y axis) y se agrega una nueva curva, esta vez se selecciona
Risetime_StepResponse en la columna de la derecha e I(L1) en la de la izquierda. Para
las curvas de la corriente para R1 = 0.5 se abre una nueva ventana y all se trazan las
curva I(L1)@1 e I(L1)@11.
Figura 5.31 Corriente a travs de la inductancia para R1 = 0.5 y R1 = 1.5
5.9 Ejercicios
Realice desde el Capture los siguientes ejercicios:
E.1.20 (p. 32)
E.1.21 (p. 33)
E.2.10 (use una fuente VPWL o una VPULSE) (p. 51)
E.3.4 (p. 88)
E.3.10 (p. 89)
E.3.14 (p. 90)
E.4.6 (p. 126)
146
E.4.7 (p. 126)
E.4.8 (p.126)
E.4.9 (p.127)
E.4.10 (p. 127)
E.4.11 (p. 127)
147
Unidad VI
Anlisis de Resultados: Probe
Objetivos
Despus de estudiar esta unidad usted debera ser capaz de
1. identificar los diferentes botones de la interfaz de Probe
2. agregar curvas de voltajes, corrientes y potencias
3. agregar ejes y modificar las escalas de los mismos
4. aplicar expresiones matemticas a las variables del circuito
5. obtener informacin de las curvas y variar sus parmetros
6. utilizar los cursores para medir variables
7. utilizar las opciones de bsqueda en Probe
8. marcar valores especficos de curvas
9. abri ventanas y subventanas
10. cambiar variables de los ejes
11. modificar las rejillas horizontal y vertical
12. obtener curvas de anlisis de comportamiento en Probe
13. dibujar trazas de barridos especficos de anlisis parametricos
14. exportar grficas de Probe a otras aplicaciones
15. modificar los colores de fondo y de las curvas desde el archivo pspice.ini
Actividades de aprendizaje
1. Lea cuidadosamente los contenidos de esta unidad
2. Siga paso a paso los ejemplos de la Unidad
Introduccin
El postprocesador Probe permite ver los resultados de las simulaciones en
modo grfico, con caractersticas que lo hacen ver como un osciloscopio multicanal
con una gran variedad de opciones de clculo y de representacin. En esta seccin se
har una introduccin a su uso, empleando los resultados del anlisis transitorio del
circuito del Ejemplo 5.1, Figura 5.7 (pgina 133), y otros ejemplos tomados de la
Gua del Usuario de PSpice.
6.1 La ventana de Probe: barras de tareas
La ventana de Probe, Figura 6.1, tiene en su parte superior una barra de tareas
con botones, algunos de los cuales aparecen atenuados; a la izquierda se encuentran
cinco botones en forma vertical, los cuales sirven para ver: a) siempre al frente, fija la
ventana de Probe encima de las dems ventanas; b) el archivo *.cir, que aparece
atenuado ya que la simulacin se hizo desde el Capture; c) el archivo de salida en
modo texto o archivo *.out; d) la ventana de Probe, con la informacin del archivo
148
*.out disponible; e) la cola de la simulacin, con una lista de las simulaciones que se
han realizado; f) los ajustes de la simulacin.
Figura 6.1 Ventana de Probe, en blanco
6.2 Trazado de curvas
Al pulsar el botn de aadir trazas se obtiene una ventana dividida en dos
columnas, la de la izquierda contiene todos los voltajes y corrientes que el simulador
calcul, y en la de la izquierda, toda una serie de operaciones y funciones matemticas
que se pueden aplicar a las variables de la izquierda. Para obtener la curva de la
corriente del circuito, se pulsa el botn de aadir trazas y se selecciona la corriente
I(R1), al presionar el botn OK, se obtiene la curva que se muestra en la parte
izquierda de la Figura 6.2. Desde el men Plot/Axis settings/Y axis se puede
cambiar la escala de los ejes, en este caso se va a cambiar la escala vertical para que
muestre desde -600mA hasta 200mA; los ajustes se ven en la parte derecha de la
Figura 6.2.
Figura 6.2 Curva original y ventana de ajuste de escala en el eje Y
Haciendo un clic con el botn derecho del ratn sobre la traza puede obtener
informacin sobre la simulacin y tambin puede, seleccionando Properties,
modificar el color de la traza, el tipo de lnea, el ancho de la lnea, y el smbolo que
identifica cada traza. En la Figura 6.3 se muestra la ventana de propiedades de la traza
lista para cambiar el color, el espesor y el smbolo.
En la Figura 6.4 se ve la nueva curva, donde adems se muestra el botn que
habilita los cursores de Probe.
149
Figura 6.3 Ventana para el cambio de propiedades de la curva
Figura 6.4 Curva con propiedades de las trazas modificadas
6.3 Mediciones en Probe: uso de cursores
El ltimo botn resaltado en la barra de herramientas en la Figura 6.5, habilita
un par de cursores que permiten tomar lecturas de los diferentes puntos de la curva
sobre la cual se encuentran. Al presionar el botn de los cursores se habilitan otros
botones en la barra de herramientas que permiten marcar puntos, desplazarse a puntos
caractersticos tales como mximos, mnimos, puntos de inflexin, entre otros. Para
marcar un punto se ubica el cursor en el punto de inters y se pulsa el ltimo botn a la
derecha de la barra de tareas.
Los cursores identificados como A1 y A2 en la Figura 6.5, muestran las
lecturas correspondientes al eje X en la primera columna y al eje Y en la segunda, as
como la diferencia entre las dos lecturas. En este caso la diferencia en la primera
columna es 500 milisegundos, lo cual corresponde exactamente con el periodo de la
seal. En la parte superior se aprecian los puntos mximos marcados con sus
correspondientes valores.
150
Figura 6.5 Curva con los cursores habilitados y dos puntos marcados
6.4 Opciones de bsqueda
Para continuar mostrando las caractersticas del programa Probe, entre ellas las
opciones de bsqueda, se harn varias simulaciones basadas en el circuito de la Figura
6.6, y con diferentes tipos de barridos, como se describe a continuacin: barrido de
corriente continua (.DC), barrido transitorio (.TRAN), anlisis de corriente alterna
(.AC) y anlisis paramtrico (.STEP).
Ejemplo 6.1. Para el circuito de la Figura 6.6, realice un barrido de corriente
continua del voltaje de la fuente de entrada entre -10 y 15 voltios en pasos de 1 V,
para: a) obtener las curvas de los voltajes de entrada, medio y salida; b) encontrar los
valores de los voltajes de los nodos medio y salida cuando la tensin de entrada es de 4
V; c) obtener, en una nueva ventana, la curva de la cada de tensin en la resistencia
R1. Para encontrar los valores que se piden en el punto (b) se usar la opcin de
bsqueda de Probe.
Figura 6.6 Circuito simulado desde el Capture
151
Figura 6.7 Grficas de los voltajes pedidos
Las opciones de bsqueda se encuentran en el men Trace/Cursor/Search
Commands o mediante el icono que se asemeja a un par de binoculares en la barra
de tareas. Mediante esta herramienta se pueden ubicar valores exactos tanto en el eje
horizontal como en el eje vertical. Para hacer una bsqueda de un valor en el eje
horizontal se escribe search forward x value (#), en donde # es el valor numrico que
se desea ubicar. Para la bsqueda vertical se usa: search forward level (#).
En la Figura 6.7 se aprecian los voltajes solicitados, para esta figura se
ajustaron los ejes de manera que quedaran entre -10 y 15 voltios, se cambiaron las
propiedades de las trazas para cambiar el espesor y los colores.
Para usar los cursores se pulsa sobre el icono correspondiente, luego con el
botn izquierdo del ratn se pulsa sobre el smbolo de V(medio) y con el botn
derecho sobre el smbolo de V(salida), estos smbolos quedan rodeados con cuadrados
de vrtices redondeados en lneas de puntos. El cursor A1 se mueve con el botn
izquierdo del ratn o con las flechas hacia la izquierda y hacia la derecha; el cursor A2
se mueve con el botn derecho del ratn o con las teclas izquierda y derecha mientras
se oprime la tecla Shift.
Para buscar exactamente el valor 4.0 en el eje horizontal, con los cursores
activados, se pulsa sobre el icono que semeja un par de binoculares en la barra de
tareas de Probe y en la lnea editable que aparece (ver Figura 6.8) se escribe search
forward x value (4.0) y se selecciona el cursor 1 o el 2 segn el inters que se tenga;
en este caso se hizo para el cursor 1 y se repiti para el cursor 2. En la Figura 6.9 se
aprecian los resultados de la bsqueda, que eran los resultados solicitados: Vmedio =
2.40 V y Vsalida = 0 V.
Figura 6.8 Comando de bsqueda sobre el eje X
152
Figura 6.9 Respuesta a las preguntas a y b del ejercicio
A fin de dar respuesta a la pregunta (c), se abre el men Window/New y en la
ventana que aparece se grafica la seal V(entrada, medio), la cual se puede apreciar en
la Figura 6.10.
Figura 6.10 Cada de tensin en R1
Ejemplo 6.2. Para el circuito de la Figura 6.6 realice un anlisis transitorio,
fijando la tensin Vcc en 5 voltios y aplicando al circuito una seal de entrada
sinusoidal de 10 voltios de amplitud y con una frecuencia de 1 kHz. Se pide encontrar
la tensin de salida cuando la tensin de entrada valga 8 voltios en el segundo ciclo. Se
realizar un barrido de 2ms de duracin para ver dos ciclos de la onda alterna y se
graficarn las tensiones a la entrada y a la salida. Los resultados se pueden observar en
la Figura 6.11.
Para obtener los puntos marcados se procedi as: a) se habilitaron los cursores,
uno sobre cada onda; b) se realiz una bsqueda para el tiempo en el cual V(entrada) =
8.0 voltios, para esto se avanz el cursor del voltaje de entrada hasta llegar al segundo
ciclo, se puls el botn de bsqueda (binoculares) y se escribi el comando para
153
bsqueda vertical: search forward level (8.0), esta bsqueda produjo un resultado de
1.15 ms; c) en la curva del voltaje de salida se hizo una bsqueda del valor de voltaje
para t = 1.15 ms (search forward x value (1.15m)), la que dio como resultado 3
voltios.
Figura 6.11 Resultados del barrido transitorio
Figura 6.12 Circuito modificado para el Ejemplo 6.3
Ejemplo 6.3 Para el circuito de la Figura 6.12, realice un barrido de frecuencia
(.AC), por decadas con las condiciones siguientes: V2 = 10 V, frecuencia variable
entre 1 Hz y 100 MHz. Se pide: a) las curvas de ganancia Vmedio/Ventrada y
Vsalida/Ventrada, y a partir de esta ltima, encontrar el ancho de banda; b) en una
nueva ventana repetir la parte (a) en decibeles; c) en una nueva, trazar los diagramas
de Bode de la funcin de transferencia Vsalida/Ventrada, y a partir de ellos encontrar
el ngulo de fase para una magnitud de -30 dB, y la magnitud para un ngulo de fase
de 0.
En la Figura 6.13 se aprecian las curvas de ganancia; para determinar el ancho
de banda se midi primero el valor mximo (0.40296), y como las frecuencias de corte
se encuentran a un 70.7% del valor mximo (0.28489), con los dos cursores se ubic
este valor en la parte descendente de la curva y en la parte ascendente de la misma,
154
empleando para ello la opcin search de Probe. El ancho de banda calculado por los
cursores como la diferencia entre las dos frecuencias de corte fue de 6.112 MHz.
Figura 6.13 Curvas de ganancia y ancho de banda
En la Figura 6.14 se puede apreciar la ganancia del circuito en decibeles. La
determinacin del ancho de banda se hizo de la misma manera que la anterior, pero
tomando en cuenta que las frecuencias de corte se encuentran 3 dB por debajo del
valor mximo. El ancho de banda calculado como la diferencia entre las lecturas de los
cursores B1 y B2 da un valor ligeramente por debajo del calculado anteriormente.
Figura 6.14 Curva de ganancia en decibeles
6.5 Ventanas y subventanas
Para los diagramas de Bode, se abre una nueva ventana y desde el men
Plot/Add New Plot to Window se agrega un nuevo par de ejes; en el par de la parte
superior se dibuja la curva de ganancia en decibeles y en el par de la parte inferior se
dibuja la grfica de ngulo de fase con el comando P(Vsalida/Ventrada). Los valores
155
obtenidos se encuentran marcados en los diagramas de la Figura 6.15: 85.50 cuando la
ganancia es de -30 dB, y -85 dB cuando el ngulo es de 0.
Figura 6.15 Diagramas de Bode
Ejemplo 6.4 Realice un barrido paramtrico para ver cmo cambia la ganancia
y el ancho de banda cuando la resistencia de entrada se cambia desde 100 hasta 10
k. Se deben ver: a) las curvas de ganancia de voltaje versus frecuencia; b) las curvas
de ganancia de voltaje de salida versus frecuencia para cuando la resistencia de entrada
toma los valores 100 , 1000 y 10 k; c) la curva de diferencia entre la ganancia en
decibeles del ltimo barrido con relacin al primero; d) la variacin del ancho de
banda y de la ganancia versus la resistencia de entrada.
Figura 6.16 Circuito con resistencia de entrada variable
Para dar respuesta a esta parte del ejercicio se cambi la resistencia R1 por una
resistencia variable con un valor mximo de 10 k, para lo cual, el valor set
ajustado por defecto en 0.5 se reemplaz por {k}, en donde k es un parmetro global;
mediante el pseudo componente Param se defini un nuevo parmetro, k al cual se le
dio un valor inicial de 0.5 (ver Figura 6.17). Finalmente se agreg un nuevo anlisis, el
paramtrico, junto al de de AC anterior.
156
Figura 6.17 Ajustes para la resistencia variable, a la izquierda el valor del punto
variable set, y a la derecha la definicin del parmetro k
El barrido paramtrico se hizo por dcadas, y k tom valores desde 0.01 hasta 1
con 10 puntos por dcada para un total de 21 valores. Las 21 curvas de la ganancia de
voltaje se aprecian en la Figura 6.18.
Figura 6.18 Curvas de ganancia de voltaje
En Probe, desde el men Plot/AC se puede ver que los barridos 1, 11 y 21
corresponden a las resistencias 100 , 1000 y 10 k, la curvas de ganancia para
estas 3 resistencias se muestran en la Figura 6.19.
Figura 6.19 Curvas de ganancia de voltaje para 3 valores de R1
En la Figura 6.20 se ven las curvas de ganancias en decibeles para los barridos
1 y 21 y su diferencia, que corresponden a la parte (c) del ejercicio.
157
Figura 6.20 Diferencia de ganancias en dB entre el barrido 1 y el 21
6.6 Anlisis de comportamiento en Probe
En la parte (d) se peda obtener las curvas de variacin de el ancho de banda y
la ganancia en funcin de la resistencia variable R1, para hacerlo se utiliz la opcin
que presenta Probe de Anlisis de Comportamiento, que se obtiene a travs del men
Trace/Performance Anlisis, como se explica a continuacin.
Para obtener la curva de Ancho de Banda contra el parmetro variable k, se
abri una nueva ventana de Probe. Desde el men "Plot", se seleccion "AC" y la
opcin All. Se habilit men "Trace/Performance Anlisis". En la ventana
emergente se puls el botn "Wizard". Se hizo una pulsacin sobre el botn "Next".
En la lista que apareci se escogi "Bandwith" y se presion "Next". En el espacio
para el nombre de la traza se escribi V(salida)/V(entrada) y en la lnea de abajo 3 (el
ancho de banda se obtiene cuando la magnitud alcanza 3 dB por debajo del valor
mximo). Se presion "Next", con lo cual apareci una curva de ganancia para k =
0.01. Esta curva sirvi para verificar si la forma era la esperada. Al oprimir
nuevamente "Next" se obtuvo la curva de Ancho de Banda para una atenuacin de 3
dB en la ganancia. Se cambi el eje horizontal a logartmico, mediante el botn
correspondiente en la barra de tareas de Probe.
Para obtener la curva de ganancia en decibles contra k se procedi as: desde el
men "Plot" se agreg otro eje Y a la misma ventana de Probe. Se oprimi el botn
para agregar trazas. En la ventana de Funciones o Macros se seleccion Max(1) de la
lista de "Goal Functions". En la lista de variables de la simulacin se seleccion
V(salida)/V(entrada) y se edit el texto para que quedara as:
Max(dB(V(salida)/V(entrada))) y se puls "OK". En el segundo eje apareci la curva
de ganancia en dB contra k, como se puede ver en la Figura 6.21
158
Figura 6.21 Curvas de ganancia y ancho de banda versus k
6.7 Cambios en la interfaz de Probe
Para llevar una imagen de Probe a cualquier otro programa, se puede utilizar la
opcin del men Window/Copy to Clipboard esta opcin presenta la posibilidad de
copiar en el portapapeles las figuras en colores sobre fondo blanco, y pegarlas despus
en otra aplicacin, sin necesidad de cambiar la interfaz de usuario que, por defecto,
presenta lneas de colores sobre fondo negro. Sin embargo el programa trae un archivo
llamado pspice.ini el cual se puede editar para personalizar la interfaz. Los cambios
ms comunes son los colores de la interfaz, all puede cambiar el color de fondo, los
colores de los ejes y las marcas de escala, y la secuencia de colores de las trazas.
Para cambiar estos colores siga la siguiente ruta en la versin de evaluacin:
C:/OrCAD/OrCAD_15.7_Demo/tools/pspice/pspice.ini; si est en otra versin,
bsquelo con la herramienta de bsqueda de Windows. Abra el archivo y ubique la
seccin titulada [PROBE DISPLAY COLORS], haga los cambios que se muestran en
la siguiente tabla:
PROBE DISPLAY COLORS
Nuevos valores
NUMTRACECOLORS=12
BACKGROUND=BRIGHTWHITE
FOREGROUND=BLACK
TRACE_1=BLACK
TRACE_2=DARKRED
TRACE_3=DARKBLUE
TRACE_4=DARKGREEN
TRACE_5=MUSTARD
TRACE_6=CYAN
TRACE_7=YELLOW
TRACE_8=PINK
TRACE_9=MAGENTA
TRACE_10=DARKPINK
TRACE_11=LIGHTBLUE
TRACE_12=PURPLE
159
Guarde los cambios y tendr la interfaz con fondo blanco, lneas de los ejes
negros y la nueva secuencia de colores.
160
161
Unidad VII
Aplicaciones en Anlisis de Circuitos
Objetivos
Despus de estudiar esta unidad usted deber ser capaz de
1. aplicar el programa en el anlisis de circuitos resistivos
2. aplicar el programa en el anlisis de circuitos de corriente alterna
3. aplicar el programa en el anlisis de circuitos trifsicos
4. aplicar el programa en circuitos con acoplamiento magntico
5. aplicar el programa en el anlisis de redes de dos puertos
Actividades de aprendizaje
1. Siga paso a paso los ejemplos de la Unidad
Introduccin
Las unidades anteriores se dedicaron al aprendizaje del uso del simulador con
tres de sus componentes: PSpice A/D, Capture y Probe. Esta unidad est dedicada a la
solucin de ejercicios de anlisis de circuitos con ejemplos de circuitos resistivos,
circuitos de corriente alterna, acoplamiento magntico, transformadores, entre otros.
Se parte de la base de que los interesados conocen los teoremas fundamentales de
circuitos, y se ver el simulador como una herramienta para su aplicacin. Se
incorporan algunos temas ausentes en el anlisis de circuitos tradicionales, como la
variacin de la ganancia en fuentes controladas, los diagramas de Nyquist y de
Nichols, la recomposicin de ondas en base a las componentes de Fourier, las lneas de
transmisin, y la optimizacin. Se tratar tambin de la caracterizacin de
componentes comerciales para su uso con el PSpice.
7.1 Circuitos Resistivos
Se resolvern circuitos resistivos con fuentes independientes y con fuentes controladas.
Ejemplo 7.1 Para el circuito de la Figura 7.1 encuentre los voltajes y las
corrientes de cada una de las resistencias, y determine la resistencia equivalente vista
por la fuente.
La simulacin puede hacerse desde el Capture o desde el PSpice. Si se desea
tener los valores de voltajes y corrientes en forma de tabla, ser ms sencillo hacerlo
desde el PSpice pues desde el Capture se requeririra el uso de un gran nmero de
componentes Vprint e Iprint; si se hace desde el Capture usando un anlisis de punto
de operacin, los valores de os voltajes y las corrientes se pueden leer directamente en
el dibujo del circuito. Este ejemplo se har usando tanto el PSpice como el Capture.
162
Figura 7.1 Circuito del Ejemplo 7.1
Desde el PSpice el archivo quedar as:
Ej empl o 7. 1
V1 2B 0 135
R1 2B 2A 9
R2 2A 0 18
R3 2A 1B 5
R4 1B 0 8
R5 1B 1A 4
R6 1A 0 6
R7 1A 0 12
. DC V1 Li st 135
. TF V( 1A) V1
. Pr i nt DC V( 1A) V( 1B, 1A) V( 1B) V( 2A, 1B) V( 2A) V( 2B, 2A)
. Pr i nt DC I ( R1) I ( R2) I ( R3) I ( R4) I ( R5) I ( R6) I ( R7)
. End
Los resultados de los voltajes son: (todos los valores en voltios)
V1 V( 1A) V( 1B, 1A) V( 1B) V( 2A, 1B) V( 2A) V( 2B, 2A)
135 12 12 24 30 54 81
Los resultados de las corrientes son: (todos los valores en amperios)
I ( R1) I ( R2) I ( R3) I ( R4) I ( R5) I ( R6) I ( R7)
9 3 6 3 3 2 1
Para la simulacin desde el Capture se hace un barrido de Punto de Operacin
(Bias Point); el ajuste de la simulacin se ve en la Figura 7.2.
Figura 7.2 Ajuste de la simulacin para el Ejemplo 7.1
163
Observe que se activ la opcin .TF. Los resultados del punto de operacin se
ven en la Figura 7.3. Los nmeros que aparecen junto a los conductores son los
voltajes en los nodos y las corrientes en las diferentes ramas, y coinciden plenamente
con los obtenidos en modo texto desde el PSpice. Para obtener la resistencia vista por
la fuente se incluyo en el archivo de PSpice y desde el Capture la instruccin .TF, la
cual di como resultado Resistencia de Entrada vista desde V1 = 15 , resultado que
tambin puede obtenerse como el cociente entre V(2B) e I(R9) o sea 135/9 = 15
Figura 7.3 Resultados del anlisis desde el Capture
Ejemplo 7.2 Simule el circuito de la Figura 7.4, para determinar el voltaje en
los terminales de la resistencia de 5 y la potencia que esta resistencia consume.
Figura 7.4 Circuito para el Ejemplo 7.2
Para la simulacin desde el PSpice:
Ej empl o 7. 2
G1 0 1 1 2 3
R1 1 4 1
V1 4 0 8
R2 1 2 2
R3 2 0 3
R4 2 3 4
R5 3 0 5
. DC V1 Li st 8
. Pr i nt DC V( 3) W( R5)
. End
La simulacin da como resultado los siguientes valores: V(3) = -13.33 V y
P(R5) = 35.56 W.
164
Simulando desde el Capture con un barrido de DC por lista se tiene:
Figura 7.5 Circuito del Ejemplo 7.2 con la potencia consumida en la resistencia de 5
Observe que el pseudo componente Vprint1 se ajust para que leyera el voltaje
en DC de la resistencia de 5 , y que mediante la opcin del men de Capture de
potencia (W) se mostr directamente la potencia consumida en la resistencia de 5 ,
que fue de 35.56 W, el mismo resultado obtenido desde el PSpice. La tensin en la
resistencia se mostr en el archivo .out y fue de -13-33 V.
Ejemplo 7.3 Resuelva el circuito de la Figura 7.6, para encontrar la potencia
consumida por la fuente de corriente controlada por corriente, y la impedancia vista
por la fuente idependiente.
Figura 7.6 Circuito para el Ejemplo 7.3
Por tratarse de un circuito de corriente continua sin elementos de
almacenamiento de energa, la condicin de estado estable es la misma condicin
inicial, as que se puede resolver con un anlisis de punto de operacin y uno .TF.
Figura 7.7 Simulacin desde el Capture del Ejemplo 7.3
En la Figura 7.7 se ve el circuito simulado desde el Capture con el resultado de
la potencia de la fuente controlada (14.45 W); la impedancia vista por la fuente se
obtiene del archivo .out y se muestra en la parte inferior del circuito.
165
Ejemplo 7.4 Mediante el uso de la instruccin .TF determine la resistencia
entre los terminales x-y del circuito de la Figura 7.8.
Figura 7.8 Circuito para el Ejemplo 7.4
En esta oportunidad se har la simulacin desde el PSpice, para lo cual ser
necesario emplear una fuente de DC, de voltaje o de corriente, de cualquier valor entre
los terminales x-y y otra fuente de voltaje de DC en serie con la resistencia de 1.65 k
con el terminal positivo por donde entra la corriente Iy, que servir como ampermetro
para la fuente controlada. El archivo .cir es el siguiente:
Ej empl o 7. 4 Resi st enci a equi val ent e
Vi n x 0 10
R1 x 1 4k
R2 1 0 21k
Vamp 1 2 0
R3 2 3 1. 65k
R4 3 0 0. 6k
R5 3 4 20k
R6 4 0 0. 75k
F1 4 3 Vamp 39
. TF V( 4) Vi n
. opt i on nopage
. End
El resultado de la ejecucin da 15.23 k como resistencia de entrada; la
instruccin .TF tambin da como resultado la ganancia V(4)/Vin y la resistencia de
salida vista desde los terminales 4 y 0 hacia el resto del circuito, con la fuente
independiente de tensin muerta (circuito pasivo), pero esos resultados no son de
inters para la pregunta del presente ejemplo. Se deja como ejercicio para los alumnos,
la realizacin de este ejemplo desde el Capture.
Ejemplo 7.5 Encuentre el equivalente Thevenin en los terminales a y b del
circuito de la Figura 7.9, que est alimentado por una fuente de voltaje de DC de
119.59 mV, con el terminal positivo hacia la resistencia de 4 k.
Figura 7.9 Circuito para el Ejemplo 7.5
166
La instruccin .TF calcula la funcin de transferencia para pequeas seales,
linealizando el circuito alrededor del punto de trabajo, y produce como resultado la
ganancia o relacin entre una variable de salida y el valor de una fuente independiente
ya sea de voltaje o de corriente, la resistencia de entrada vista desde esa fuente
independiente, y la resistencia de salida vista desde los nodos de la variable de salida
haciendo el circuito pasivo. Esta caracterstica de la instruccin .TF permite encontrar
el equivalente Thevenin de un circuito de corriente continua, con una adecuada
seleccin de las variables. Si como variable de salida se escoge la tensin en los
terminales de la carga del equivalente Thevenin, entonces la resistencia de salida ser
la resistencia de Thevenin; si el circuito es lineal, el voltaje de Thevenin se puede
obtener a partir de la ganancia, como el producto de sta por el valor del voltaje o de la
corriente de la fuente independiente declarada en la instruccin; si el circuito contiene
elementos no lineales, el voltaje de Thevenin se puede obtener mediante un anlisis
.DC. El Ejemplo 7.5 se resolver desde el Capture empleando la instruccin .TF y
tambin un barrido de .OP para obtener por dos vas el voltaje de Thevenin.
El circuito dibujado en el Capture se muestra en la Figura 7.10, observe que el
terminal b corresponde en este caso con el terminal de referencia 0 o tierra. Los ajustes
de la simulacin para la instruccin .TF se pueden ver en la figura 7.11, note que la
fuente es V1 y la variable de salida es V(a).
Figura 7.10 Circuito del Ejemplo 7.5, dibujado en Capture
Figura 7.11 Ajustes de la simulacin para .TF
Los resultados del anlisis .TF aparecen en el archivo Ejemplo 7.5.out, all se
aprecia que la ganancia es de -0.8359 -0.84; y la resistencia de salida o resistencia de
167
Thevenin es de 74.46 . A partir de la ganancia que es la relacin V(a)/V1 se puede
obtener V(a) que corresponde al voltaje de Thevenin: V
TH
= -0.84119.59E-3 = -0.1 V.
Si ahora sobre el mismo circuito se determina el voltaje V(a) se obtiene -99.97 mV que
es aproximadamente -0.1 V. De esa manera, el equivalente Thevenin ser:
Figura 7.12 Equivalente Thevenin del circuito del Ejemplo 7.5
7.2 El Principio de Superposicin bajo PSpice
Cuando en un mismo circuito se tienen varias fuentes independientes es posible
aplicar las propiedades de linealidad para calcular el aporte que hace cada una
de ellas al resultado que se busca. Este principio se llama Principio de
Superposicin o simplemente Superposicin y consiste en tomar las fuentes
independientes una a la vez, considerando las dems muertas, esto es, las
fuentes de voltaje como cortocircuitos y las de corriente como circuitos
abiertos. En PSpice este procedimiento es muy sencillo y consiste en aplicar el
procesamiento por lotes o grupos (Batch). Se genera el archivo de datos del
circuito con la primera fuente independiente con su valor y a las dems se les
da el valor cero (0), despus de la instruccin .End se contina con los datos del
circuito con el valor de la segunda fuente y las dems cero, y as sucesivamente
hasta que se hayan considerado todas. El resultado ser la sumatoria de los
resultados parciales para cada variable.
Ejemplo 7.6 Determine la corriente a travs de la resistencia de 10 en el
circuito de la Figura 7.13.
Unidad en construccin
168
7.xx Ejercicios
E.7.1 Desde el PSpice resuelva el circuito del Ejemplo 7.3
E.7.2 Calcule desde el PSpice y desde el Capture: a) la potencia consumida por cada
uno de los elementos del circuito de la Figura 7.xx,.; b) la resistencia vista por la
fuente independiente, utilizando la instruccin .TF.
Figura 7.xx Circuito para el ejercicio E.7.2
E.7.3 Determine la resistencia vista por la fuente independiente en el circuito de la
Figura 7.nn
Figura 7. Circuito para el ejercicio E.7.3