Modulo Electronica Industrial

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD
ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS TECNOLOGIA E INGENIERIA

CONTENIDO DIDCTICO DEL CUSO: 299019 ELECTRNICA INDUSTRIAL

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA
PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRNICA

299019 ELECTRNICA INDUSTRIAL
JIMMY RAL ROCHA VALBUENA
(Director Nacional)

FABIAN BOLIVAR
Acreditador

BOGOT
Julio de 2009


ASPECTOS DE PROPIEDAD INTELECTUAL Y VERSIONAMIENTO

El presente mdulo fue diseado en el ao 2008 por el Ing. Jorge Eduardo
Quintero Muoz.
El presente mdulo ha tenido una actualizacin, realizada en el 2009 por el
Ing. JIMMY RAL ROCHA VALBUENA, quien ha sido tutor de la UNAD en el
CEAD JAG de Bogot, desde ao 2006 y que se desempea actualmente como
director del cuso a nivel nacional.

En este mismo ao el Ing. FABIAN BOLIVAR, tutor del CEAD de Neiva,
apoy el proceso de revisin de estilo del mdulo y dio aportes disciplinares,
didcticos y pedaggicos en el proceso de acreditacin de material didctico
desarrollado en el mes de JULIO de 2009.


INTRODUCCIN

La electrnica industrial cuenta con mltiples aplicaciones en el control de la
potencia de la conversin de energa y del control de acondicionamientos de
motores elctricos
El curso acadmico de Electrnica Industrial suministra los elementos necesarios
para el anlisis y diseo de conversores AC DC, DC AC, DC -DC. Estos
dispositivos son la base y parte fundamental en el diseo de diferentes productos
y sistemas electrnicos.
El estudiante deber adquirir las herramientas conceptuales y procedimentales
para desarrollar habilidades para el diseo y anlisis de diversas configuraciones
circuitales empleando dispositivos de potencia. Este conocimiento le permitir
obtener las destrezas necesarias para el desarrollo de diferentes aplicaciones de
los circuitos elctricos empleados en control industrial, electrnica industrial,
electromedicina y dems ramas de la electrnica industrial que se fundamentan en
el uso y aplicacin de los dispositivos estudiados.
El desarrollo del curso acadmico desde sus estructura de fundamentacin terica
y prctica, busca generar en el estudiante competencias cognitivas, comunicativas
y contextuales mediante el desarrollo de habilidades del pensamiento como
anlisis, sntesis, comparacin y diseo.

Se pretende que el estudiante conozca los dispositivos empleados en la
electrnica de potencia, las diferentes configuraciones de convertidores de voltaje,
los circuitos trifsicos y dems elementos de la Electrnica de Potencia. El
aprendizaje de estos conceptos es clave para la posterior aplicacin en circuitos
elctricos y electrnicos.


INDICE DE CONTENIDO

UNIDAD 1 CIRCUITOS CONVERTIDORES AC-DC Y CIRCUITOS
CONVERTIDORES AC-AC
CAPITULO 1: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA
Leccin 1: QUE ES LA ELECTRNICA DE POTENCIA
Leccin 2: DISPOSITIVOS EMPLEADOS EN LA ELECTRONICA DE POTENCIA
Leccin 3: CARACTERSTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE
POTENCIA
Leccin 4: CAMPOS DE APLICACION DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA
Leccin 5: CLASIFICACIN DE LOS CIRCUITOS ELECTRNICOS DE
POTENCIA
CAPITULO 2: CIRCUITOS CONVERTIDORES AC-DC CON DIODOS DE
POTENCIA
Leccin 1: DIODOS RECTIFICADORES
Leccin 3: RECTIFICADOR TRIFASICO DE MEDIA ONDA
Leccin 4: TENSIONES DE LINEA DE UNA RED TRIFASICA
Leccin 5: RECTIFICADOR TRIFSICO DE ONDA COMPLETA
CAPITULO 3: FUNCIONAMIENTO DE LOS TIRISTORES
Leccin 1: ESTRUCTURA DEL TIRISTOR
Leccin 2: CAUSAS DE DISPARO DEL TIRISTOR
Leccin 3: CIRCUITOS DE DISPARO
Leccin 4: CIRCUITOS DE APAGADO
Leccin 5: CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS TIRISTORES


UNIDAD 2 CIRCUITOS CONVERTIDORES DC-AC Y CIRCUITOS
CONVERTIDORES DC-DC
CAPITULO 4: CIRCUITOS CONVERTIDORES AC-DC CON TIRISTORES DE
POTENCIA
Leccin 1: CONVERTIDOR MONOFSICO AC-DC DE MEDIA ONDA
Leccin 2: CONVERTIDOR MONOFSICO AC-DC DE ONDA COMPLETA
Leccin 3: CONVERTIDOR TRIFSICO AC-DC DE MEDIA ONDA
Leccin 4: CONVERTIDOR TRIFSICO AC-DC DE ONDA COMPLETA
Leccin 5: CIRCUITOS CONVERTIDORES AC-AC CON TIRISTORES DE
POTENCIA
CAPITULO 5: CONTROL DE FASE TRIFASICO
Leccin 1: CICLOCONVERTIDOR MONOFSICO/MONOFASICO
Leccin 2: CICLOCONVERTIDOR TRIFSICO/MONOFSICO
Leccin 3: TRANSISTORES DE POTENCIA
Leccin 5: CIRCUITOS CONVERTIDORES DC - AC
CAPITULO 6: INVERSORES MONOFSICOS
Leccin 1: INVERSOR MONOFSICO DE MEDIO PUENTE O PUSH PULL
Leccin 2: INVERSOR TRIFSICO
Leccin 3: INVERSOR TRIFSICO COMERCIAL
Leccin 4: CONVERTIDORES DC - DC
Leccin 5: CONVERTIDOR DC-DC REDUCTOR


LISTADO DE GRFICOS Y FIGURAS

Figura 1. Sistema Bsico de Electrnica de Potencia.
Figura 2. Encapsulado de diodos de potencia rectificadores de baja frecuencia
Figura 3. Construccin interna de un tiristor
Figura 4. Tipos de encapsulados de tiristores
Figura 5. Smbolo del GTO
Figura 6. Smbolo del LASCR
Figura 7. Smbolo y estructura interna del TRIAC
Figura 8. Smbolo del MCT
Figura 9. MOSFET: Estructura interna y smbolos
Figura 10. IGBT - N: Estructura interna y smbolos
Figura 11. Relacin entre potencia manejada y frecuencia de conmutacin
Figura 12. Caracterstica de conmutacin de un BJT
Figura 13. Caracterstica de conmutacin del MOSFET e IGBT
Figura 14. Caracterstica de conmutacin del SCR
Figura 15. Caracterstica de conmutacin del GTO, MCT y SITH
Figura 16. Equipo de Rayos X
Figura 17. Equipo de Radioterapia
Figura 18. Campos de aplicacin de los dispositivos de conmutacin
Figura 19. Conversiones de potencia elctrica
Figura 20. Tipos de rectificadores
Figura 21. Principio del circuito inversor
Figura 22. Principio del circuito control de fase
Figura 23. Principio del circuito convertidor DC-DC reductor


Figura 24. Principio de los circuitos interruptores estticos DC y AC
Figura 25. Tipos de encapsulado de diodos rectificadores de potencia
Figura 26. Curva caracterstica de los diodos rectificadores de potencia
Figura 27. Tensiones de fase
Figura 28. Concepcin de un rectificador trifsico
Figura 29. Rectificador trifsico de media onda con carga resistiva
Figura 30. Rectificador trifsico de media onda con carga resistiva. Diodo 1 en
conduccin
conduccin
conduccin
Figura 33. Onda de salida del Rectificador trifsico de media onda con carga
resistiva.
Figura 34. Tensin de polarizacin inversa del diodo D1 cuando D2 conduce.
Figura 36. Factor de Forma y Factor de Rizado
Figura 37. Tensiones de lnea de una red trifsica
Figura 38. Puente rectificador trifsico
Figura 39. Onda de salida del puente rectificador trifsico
Figura 40. Condicin de condicin de los Diodos D1 y D5 en el puente rectificador
trifsico
trifsico

trifsico
Figura 43. Tensin de salida del puente rectificador trifsico
Figura 44. Forma de onda de la corriente por el diodo D1.
Figura 45. Forma de onda de la corriente por la fase R.


Figura 49. Estructura interna y smbolo del tiristor.
Figura 50. Curva tensin-corriente del tiristor.
Figura 51. Disparo no deseado por exceso de tensin
Figura 52. Disparo no deseado por dv/dt
Figura 53. Disparo por corriente de puerta
Figura 54. Comportamiento del tiempo de disparo con carga resistiva
Figura 55. Comportamiento del tiempo de disparo con carga inductiva
Figura 56. Acoplamiento directo entre el circuito de disparo y la puerta
Figura 57. Acoplamiento magntico entre el circuito de disparo y la puerta
Figura 58. Acoplamiento ptico entre el circuito de disparo y la puerta
Figura 59. Apagado por contacto mecnico
Figura 60. Apagado forzado por circuito LC paralelo
Figura 61. Apagado forzado por circuito LC serie
Figura 62. Apagado por medio de AC
Figura 63. Apagado por tiristor auxiliar
Figura 64. Curva de limitacin de impulsos de corriente
Figura 65. ngulos de bloqueo y conduccin
Figura 66. Tiempo de encendido (TON)
Figura 67. Tiempo de apagado (TOFF)
Figura 68. Convertidor monofsico AC-DC media onda, carga resistiva
Figura 69. Convertidor monofsico AC-DC onda completa, carga inductiva
Figura 70. Convertidor trifsico AC-DC media onda, carga inductiva
Figura 71. Convertidor trifsico AC-DC media onda, conduccin del tiristor 1


Figura 74. Convertidor trifsico AC-DC media onda, voltaje en la carga
Figura 75. Convertidor trifsico AC-DC onda completa, carga inductiva
Figura 76. Convertidor trifsico AC-DC onda completa, formas de onda
Figura 77. Convertidor trifsico AC-DC onda completa, variacin tensin de salida
Figura 78. Convertidor AC-AC. Control de fase monofsico
Figura 79. Convertidor AC-AC. Control de fase monofsico con TRIAC
Figura 80. Convertidor AC-AC. Control de fase trifsico con SCR
Figura 81. Convertidor AC-AC. Cicloconvertidor monofsico/monofsico
Figura 82. Convertidor AC-AC. Cicloconvertidor trifsico/monofsico
Figura 83. Convertidor AC-AC. Cicloconvertidor trifsico/ trifsico
Figura 84. Estructura MOS
Figura 85. Estructura MOS: (a) Inversin dbil; (b) Inversin fuerte
Figura 86. Estructura MOSFET de enriquecimiento Canal N y smbolo.
Figura 87. Polarizacin del MOSFET de enriquecimiento de canal N
Figura 88. (a) Inversin dbil; (b) Inversin fuerte
Figura 89. Caracterstica I-V del MOSFET de enriquecimiento canal N
Figura 90. Estructura interna de un IGBT
Figura 91. Circuito equivalente y smbolo de un IGBT
Figura 92. Aplicacin de los inversores en drivers de motores AC
Figura 93. Aplicacin de los inversores en UPS
Figura 94. Aplicacin de los inversores en conversin de energas alternativas
Figura 95. Puente Inversor Monofsico
Figura 96. Tensiones de control del Puente Inversor Monofsico
Figura 97. Tensiones y corriente de salida del Puente Inversor Monofsico con
carga puramente inductiva
carga RL


Figura 99. Espectro de frecuencia de la tensin de salida del Puente Inversor
Monofsico
Figura 100. Formas de conexin de los secundarios de los transformadores
Figura 101. Inversor trifsico puente
Figura 102. Seales de control de puerta y tensiones de lnea del Inversor trifsico
puente
Figura 103. Circuitos equivalentes por semiciclo del Inversor trifsico puente
Figura 104. Tensiones de fase y de lnea del Inversor trifsico puente
Figura 105. Principio de un convertidor DC-DC
Figura 106. Convertidor DC-DC reductor
Figura 107. Convertidor DC-DC elevador
Figura 108. Convertidor DC-DC elevador. Intervalo de carga de la bobina
Figura 109. Convertidor DC-DC elevador. Intervalo de descarga de la bobina
Figura 110. Convertidor DC-DC elevador. Comportamiento de la corriente de la
bobina


UNIDAD 1
Nombre de la Unidad CIRCUITOS CONVERTIDORES AC-DC Y CIRCUITOS
CONVERTIDORES AC-AC
Introduccin Los circuitos que realizan el proceso de conversin de ca
a dc se usan en muchas aplicaciones industriales; los
convertidores controlados por fase se clasifican en dos
tipos, dependiendo de la alimentacin, por un lado los
convertidores monofsicos y los convertidores trifsicos.
Dentro de los contenidos de esta unidad encontramos
adems los distintos dispositivos semiconductores de
potencia; estos dispositivos se pueden dividir en tres tipos,
el primero son los diodos de potencia, transistores y
tiristores. Tambin se pueden dividir en general en cinco
tipos: diodos de potencia, tiristores, transistores de unin
bipolar (BJT), transistores de efecto de campo (Mosfet) ,
transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y
transistores de induccin esttica (SIT), todos estos
dispositivos estn continuamente con mejora en sus
caractersticas y rendimiento
Justificacin El conocimiento de los dispositivos semiconductores
empleados en la electrnica de potencia, permite que se
tenga la capacidad de comprender el funcionamiento de
estos, para posteriormente emplearlos en diferentes
aplicaciones de la electrnica industrial. El anlisis de los
convertidores ac dc , y ac ac es importante para poder
implementar circuitos de aplicaciones que requieren dicho
proceso de conversin de energa.
Intencionalidades
Formativas
Conocer las caractersticas de los dispositivos empleados
en la electrnica industrial.
Analizar los conversores ac dc.
Estudiar las aplicaciones y configuraciones de los
conversores ac ac
Denominacin de
captulos
CAPITULO 1: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE
POTENCIA.
CAPITULO 2: CIRCUITOS CONVERTIDORES AC-DC
CON DIODOS DE POTENCIA


CAPITULO 1: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

Introduccin
En el mundo de hoy la electrnica de potencia cuenta con cuantiosas aplicaciones
en diferentes reas, encontramos aplicaciones en el control de velocidad de
motores, conversin de energa elctrica, amplificadores de RF, arranque de
mquinas sncronas, aspiradoras, calentamiento por induccin, computadores,
control de temperatura, electrodomsticos, elevadores, fotocopiadoras, fuentes de
poder, en fin son innumerables las aplicaciones, que nos motivan a profundizar en
el anlisis de los dispositivos y circuitos empleados para este fin

Leccin 1: QUE ES LA ELECTRNICA DE POTENCIA
Es la aplicacin de circuitos basados en dispositivos de estado slido
(semiconductores) con el propsito de controlar y efectuar conversiones de la
energa elctrica. La figura 1, muestra la concepcin de un sistema de electrnica
de potencia bsico.

Figura 1. Sistema Bsico de Electrnica de Potencia.
Obsrvese que un sistema de electrnica de potencia esta compuesto
bsicamente de:


Fuente de energa elctrica: Provenientes de las redes elctricas de
potencia AC, de fuentes DC como las bateras, rectificadores AC, paneles
solares, de generadores elicos, etc.
Circuito de potencia: Es la etapa de potencia, basada principalmente en la
conmutacin (ON/OFF) de dispositivos semiconductores tales como diodos,
SCR (Rectificadores Controlados de Silicio), TRIAC (Triodos AC),
transistores MOSFET, Transistores BJT, Transistores IGBT. Tambin se
utilizan elementos pasivos como transformadores, condensadores y
bobinas. En esta etapa se manejas grandes valores de corriente y de
tensin.
Circuito de mando: Es la etapa de control, basada principalmente en
microcontroladores, circuitos integrados lineales, DSP (Procesador Digital
de Seal), con el propsito de gobernar el suicheo de los dispositivos
semiconductores de potencia.
Carga: Puede ser puramente resistiva (cuando se controla por ejemplo el
calor) o compuesta resistiva-inductiva (RL), cuando se controlan
velocidades de motores, en donde se regulan los valores DC o RMS de la
tensin aplicada, la frecuencia o el numero de fases. Tambin pueden ser
bateras en proceso de carga, lmparas incandescentes o fluorescentes en
procesos de control de intensidad de iluminacin, etc.

En este punto es importante tener una primera aproximacin al empezar a conocer
detalles de funcionamiento, como tambin caractersticas tcnicas, de los
dispositivos semiconductores que se emplean en el campo de la electrnica.
Algunos de los ms importantes son:
Diodos de potencia
Se encuentran en el mercado de tres clases:
De uso general, disponibles con tensiones hasta 3KV y 3.5KA, empleados
principalmente para rectificar AC de 60 Hz. La figura 2 muestra los
encapsulados comerciales de estos dispositivos.


Figura 2. Encapsulado de diodos de potencia rectificadores de baja frecuencia

De alta velocidad o recuperacin rpida, disponibles con tensiones hasta
1.5KV y 1KA, con tiempos de recuperacin inversa menores a 5 s y su
principal aplicacin est en convertidores de potencia de alta frecuencia
(frecuencias mayores a 20 KHz), Inversores, UPS (Unidades de Potencia
Ininterrumpida).
Schottky, disponibles con tensiones hasta 100 V y 300 A, con tiempos de
recuperacin inversa menores a 10 ns y su principal aplicacin est en
fuentes conmutadas, convertidores, cargadores de bateras, diodos de libre
paso (para descargar bobinas en conmutacin de alta frecuencia).

Tiristores
Son dispositivos de tres terminales, denominados nodo (A), ctodo (K) y
compuerta (G). El tiristor conduce siempre que la tensin del nodo sea mayor a la
del ctodo (como en el caso de los diodos) y que adems haya una pequea
corriente circulando desde el terminal de la compuerta al ctodo. La figura 3
muestra la construccin interna de un tiristor, su modelo equivalente con base a
transistores BJT y su smbolo electrnico.


Figura 3. Construccin interna de un tiristor
La figura 4, muestra los distintos tipos de encapsulados existentes, dependiendo
de la capacidad de corriente manejada por el tiristor.

Figura 4. Tipos de encapsulados de tiristores


Hay varios tipos de tiristores en el mercado y se pueden clasificar de la siguiente
manera:
Rectificadores Controlados de Silicio (SCR): Una vez entra en
conduccin el circuito de compuerta ya no tiene ningn control sobre el
dispositivo. El tiristor dejar de conducir cuando el potencial del nodo es
igual o menor al del ctodo y esto se logra por conmutacin natural (fuente
de energa AC) o por conmutacin forzada mediante un circuito adicional
(fuente de energa DC). Estn disponibles con tensiones hasta de unos 6
KV y corrientes hasta de 3.5 KA.
Tiristor desactivado por compuerta (GTO): Es un tiristor de auto
desactivacin, pues se activa como el SCR, pero se desactiva aplicando un
pulso negativo a la compuerta de corta duracin, por lo tanto no requiere de
circuitos de conmutacin forzada. Se aplican en conmutacin forzada de
convertidores y su disponibilidad de tensin y corriente es del orden de 4
KV y 3 KA respectivamente.
La figura 5 muestra el smbolo del tiristor GTO y sus principales
caractersticas.

Figura 5. Smbolo del GTO

Tiristor de induccin esttico (SITH): Funciona semejante al GTO, su
principal aplicacin est en convertidores de potencia mediana con
frecuencias en el orden de los MHz, mucho mayores que la del GTO, con
tensiones hasta 1.2 KV y corrientes hasta 0.3 KA.


Tiristor de conduccin inversa (RCT): Es un tiristor que incluye un diodo
conectado inversamente entre el nodo y el ctodo. Su tensin puede ir
hasta 2.5 KV, 1 KA en conduccin directa y 0.5 KA en conduccin inversa,
con tiempos de interrupcin menores a 40 s. Se aplican principalmente en
sistemas de traccin donde se requiere interrupcin de alta velocidad.
Tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT): Funciona de
manera similar al RCT, con velocidades de interrupcin de 8 s y tensiones
de slo 1.2 KV y corrientes de 0.4 KA.
Rectificador controlado de silicio fotoactivado (LASCR): Se utilizan
principalmente en sistemas de alta tensin de hasta 6KV y 1.5 KA con
velocidades de interrupcin de 300 s. La figura 6 muestra el smbolo de
este tiristor y sus principales caractersticas.

Figura 6. Smbolo del LASCR
Trodo de corriente alterna (TRIAC): Se comporta como dos SCR
conectados en antiparalelo con un solo terminal de compuerta. El flujo de
corriente se puede controlar en cualquier direccin. Su principal aplicacin
es control de AC de baja potencia para controles de calor, iluminacin,
motores universales e interruptor de AC. La figura 7 muestra la estructura
interna y el smbolo de un TRIAC.


Figura 7. Smbolo y estructura interna del TRIAC
Tiristor controlado por MOS (MCT): Entran en conduccin aplicando un
pequeo pulso de voltaje negativo a la compuerta MOS respecto al nodo y
se desactivan aplicando un pequeo pulso positivo. Se comporta similar a
un GTO. Se consiguen con tensiones hasta 1 KV y corrientes de 0.1 KA. La
figura 8 muestra el smbolo del MCT y sus principales caractersticas.

Figura 8. Smbolo del MCT

Transistores bipolares de unin (BJT): Los BJT de alta potencia se emplean en
la mayora de las veces en los convertidores de energa que trabajan con
frecuencias menores a 10 KHz, con tensiones hasta 1.2 KV y corrientes hasta de
0.4 KA. Se trabajan en los estados de saturacin (ON) y corte (OFF).


Transistores MOSFET: Se emplean en convertidores de potencia de alta
velocidad de conmutacin (varias decenas de KHz), con tensiones de hasta 1KV y
corrientes de slo 50 A. La figura 9 muestra construccin interna de un MOSFET,
sus smbolos y caractersticas ms importantes.

Figura 9. MOSFET: Estructura interna y smbolos

Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT): A diferencia de los BJT,
estos no son controlados por corriente (la de Base), sino por tensin (la de
Compuerta). Presentan una velocidad de conmutacin intermedia entre los BJT (la
menor) y los MOSFET (la mayor), hasta unos 20 KHz. Su tensin y corriente de
trabajo mximo se encuentran en 1.2 KV y 0.4 KA respectivamente. La figura 10
muestra el smbolo y la estructura interna de un IGBT canal N.


Figura 10. IGBT - N: Estructura interna y smbolos
En conclusin, el componente bsico del circuito de potencia, es decir el elemento
de conmutacin, debe cumplir los siguientes requisitos:
Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo,
OFF, Apagado) y otro de baja impedancia (conduccin, ON, encendido).
Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea
potencia.
Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando
est en estado de bloqueo, con pequeas cadas de tensin entre sus
terminales de potencia (Emisor Colector para el BJT, Drenador Surtidor
para el MOSFET, nodo Ctodo para el tiristor), cuando est en estado
de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes
potencias.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro (ON/OFF u
OFF/ON).
El ltimo requisito se traduce en que, a mayor frecuencia de funcionamiento, habr
una mayor disipacin de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la
frecuencia. La figura 11 muestra como los tiristores que trabajan a bajas
frecuencias de conmutacin pueden manejar mayores potencias en contraste con
los MOSFET que aunque conmutan a mayores frecuencias manejan menores
potencias.

Figura 11. Relacin entre potencia manejada y frecuencia de conmutacin


Leccin 3: CARACTERSTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE
POTENCIA
Es importante ahora comprender cmo una tensin de control puede llevar al
dispositivo de potencia a los estados de encendido (ON) y apagado (OFF).
Desde el punto de vista de las caractersticas de control, los dispositivos de
potencia se pueden clasificar en:
Dispositivos con necesidad de seal continua en el terminal de
control para el encendido (compuerta o base): BJT, MOSFET, IGBT.
La figura 12 muestra este requisito en el caso del BJT. Obsrvese que
para que el BJT se mantenga encendido durante el tiempo T
ON
se
requiere obligatoriamente que durante ese mismo tiempo se este aplicando
una seal de amplitud apropiada en el terminal de control que en este caso es
la base, de esta manera el BJT entra en saturacin y prcticamente el
colector y el emisor quedan en cortocircuito quedando conectada la
fuente de energa V
F
a la resistencia de carga y por lo tanto el voltaje de
salida V
O
es el mismo V
F
.

Figura 12. Caracterstica de conmutacin de un BJT
La figura 13, muestra la misma situacin anterior pero en este caso los
dispositivos de conmutacin son un MOSFET y un IGTB.

Figura 13. Caracterstica de conmutacin del MOSFET e IGBT
Dispositivos con necesidad de slo un pulso en el terminal de
control para el encendido (compuerta): SCR, GTO, MCT, SITH, TRIAC.
V
O
V
F
T
ON
V
B
T
ON
V
O
T
T
0
0
1
t
t
V
F
V
B
V
F
V
O
V
GS
V
F
0
1
0
V
O
V
GS
T
ON
T
t
T
ON
T
t


La figura 14 muestra este requisito en el caso del SCR.

Figura 14. Caracterstica de conmutacin del SCR
Obsrvese que en el instante t = 0 se suministra un pulso de corta duracin
en el terminal de compuerta del tiristor y este empieza a conducir, es decir,
entra en el estado de encendido, de tal manera que se puede asumir que el
nodo y el ctodo quedan en cortocircuito y por lo tanto el voltaje V
O
de la
carga es el mismo de la fuente V
F.
En el estado de conduccin pulsos de
compuerta negativos no tienen ningn efecto en el SCR.
La figura 15 muestra este mismo requisito en el caso del GTO, MCT,
SITH.

Figura 15. Caracterstica de conmutacin del GTO, MCT y SITH

V
F
V
F
0
0
1
-1
V
O
V
O
V
G
V
G
t
t
V
F
V
O
V
G
V
G
0
1
-1
V
F
0
V
O
t
t
T
ON
T


En el caso del GTO y del SITH, se requiere de un solo pulso positivo en la
compuerta para llevarlo al estado de encendido y un pulso negativo para
apagarlo disparado en el tiempo T
ON .

En el MCT los pulsos son invertidos, es decir, pulso negativo en la
compuerta para que el dispositivo se encienda y positivo para que se
apague.
Dispositivos de encendido controlado y apagado sin control: SCR,
TRIAC. Esto significa que una vez que ha entrado en conduccin, desde
el terminal de compuerta no se puede hacer nada para llevarlo al estado de
apagado. En el caso de que la fuente de energa V
F
sea DC, el
dispositivo queda enganchado en conduccin de forma indefinida hasta
que por algn medio se interrumpa la corriente de potencia que circula
entre nodo y ctodo. Esta caracterstica los hace tiles en circuitos de
alarma.

Cuando la fuente de energa es AC, por la misma naturaleza de la
corriente alterna, al pasar del semiciclo positivo al negativo la corriente
nodo ctodo se hace cero y adems el dispositivo queda polarizado
inversamente, es decir, el nodo con menor tensin que el ctodo,
entonces de forma natural el dispositivo se apaga (Vase la figura 14).

Dispositivos con caractersticas de encendido y apagado
controlado: BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT, SITH. Esto significa que el
encendido y apagado del dispositivo se puede controlar en cualquier
momento desde el terminal de compuerta (Vase las figuras 13, 14 y 15)

Leccin 4: CAMPOS DE APLICACION DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA
Las aplicaciones de la electrnica de potencia son considerables. Pero, para tener
una idea, las aplicaciones se pueden clasificar de acuerdo a la potencia elctrica
manejada de la siguiente manera:
Baja Potencia (menor a 100 W):
- Alarmas
- Balastos electrnicos
- Fuentes de alimentacin DC
- Herramientas elctricas
Media Potencia (entre 100 W y 1 KW):
- Cargadores de bateras
- Secadores
- Reguladores de velocidad (taladros)
- Cobijas elctricas
- Lavadoras
Alta Potencia (entre 1 KW y 100 KW):
- Hornos de induccin
- Accionadores para locomotoras
- Secadoras


- Soldadura automtica
- Equipos de Rayos X
- Equipos Lser
La figura 16, muestra un equipo de RX, donde se requieren tensiones DC del
orden de los 150 KV, para alimentar el tubo de RX y obtener imgenes del
cuerpo humano.

Figura 16. Equipo de Rayos X
Muy Alta Potencia (entre 100 KW y 1 MW):
- Inversores para generadores
- Corriente directa de alto voltaje (HVDC)
- Aceleradores de partculas
- Trenes elctricos de alta velocidad
La figura 17, muestra un acelerador lineal de partculas (LINAC), empleado en
radioterapia en tratamientos contra el cncer y en donde se utilizan las tcnicas
de la electrnica de potencia.


Figura 17. Equipo de Radioterapia
La figura 18 presenta el universo de aplicaciones actuales de los dispositivos de
conmutacin de potencia, en donde se relaciona la capacidad de potencia
manejada en volta-amperios (VA) versus la frecuencia de conmutacin en Hz.


Figura 18. Campos de aplicacin de los dispositivos de conmutacin

Leccin 5: CLASIFICACIN DE LOS CIRCUITOS ELECTRNICOS DE
POTENCIA
Aprovechando las caractersticas de conmutacin de los dispositivos
semiconductores de potencia, se puede controlar la potencia elctrica de una
forma a otra de acuerdo con las necesidades de la carga. La figura 19, muestra
todas las posibilidades de conversin de potencia elctrica.
FRECUENCIA DE CONMUTACION (Hz)
P
O
T
E
N
C
I
A
M
A
N
E
J
A
D
A


Figura 19. Conversiones de potencia elctrica
Los circuitos que convierten AC en DC se denominan rectificadores.
Cuando funcionan con base en diodos se les denominara rectificadores
no controlados, cuando funcionan con base a tiristores (SCR, GTO) se les
denomina rectificadores controlados o convertidores AC-DC y
rectificadores semicontrolados cuando emplean diodos y tiristores. Su
propsito es eliminar un semiciclo de la corriente sinusoidal o que en la
carga ambos semiciclos sean de la misma polaridad para que el valor
promedio de esta nueva tensin sea diferente de cero. El voltaje de entrada
al rectificador puede ser monofsico o trifsico. Puede que se utilice
transformador para aumentar o disminuir la tensin de entrada y
acondicionarla a las necesidades de la carga (Vase la figura 20).

Figura 20. Tipos de rectificadores


Los circuitos que convierten DC en AC se denominan inversores. Se
utilizan para alimentar cargas AC a partir de fuentes DC. Los inversores
pueden ser monofsicos o trifsicos. La figura 21 muestra la concepcin de
tales circuitos. En la mayora de los casos los dispositivos de conmutacin
son transistores BJT o MOSFET y la onda seno de salida del inversor se
filtra para obtener una onda seno pura.

Figura 21. Principio del circuito inversor
Los circuitos que convierten AC en AC se denominan convertidores AC-
AC y pueden tener dos aplicaciones. La primera dejando la frecuencia
constante y modificando el valor RMS de la tensin alterna, se les
denomina, controladores de fase. La segunda aplicacin es dejando el
valor RMS constante y modificando la frecuencia, se les denomina
cicloconvertidores. Los convertidores AC-AC pueden ser monofsicos o
trifsicos. La figura 22 muestra un controlador de fase monofsico.

V
F
+ ++ +
- -- -
+ ++ +
- -- -
+ ++ +
- -- -
+ ++ +
- -- -
tiempo tiempo
V
C
V
O
V
C
V
O
V
F
-V
F
+ ++ +
- -- -
+ ++ +
- -- -


Figura 22. Principio del circuito control de fase
Los circuitos que convierten DC en DC se denominan pulsadores DC.
Existen dos tipos de estos convertidores: reductores y elevadores. La figura
23 muestra un convertidor DC-DC reductor.

Figura 23. Principio del circuito convertidor DC-DC reductor
El interruptor por lo general es un BJT o un MOSFET y el voltaje de salida
Vo es igual al producto entre el ciclo de trabajo (Ton/T) y el voltaje de la
fuente de alimentacin Vg.
Todos los anteriores circuitos mencionados anteriormente, efectan
conversin de potencia elctrica cambiando la forma del voltaje de la fuente
de energa, pero los circuitos interruptores estticos no hacen conversin,
sino, como su nombre lo indica actan como elementos conmutadores todo
o nada, similares a los de naturaleza mecnica. Se les denomina estticos
ya que no hay piezas mecnicas en movimiento. Los hay de dos tipos, para
aplicaciones DC y AC (monofsicos y trifsicos). La figura 24 muestra los
circuitos bsicos de los interruptores estticos DC y AC monofsicos.

INTERRUPTOR ESTATICO
DC
INTERRUPTOR ESTATICO
AC MONOFASICO


Figura 24. Principio de los circuitos interruptores estticos DC y AC


CAPITULO 2: CIRCUITOS CONVERTIDORES AC-DC CON DIODOS DE
POTENCIA

Introduccin
Como ya se describi anteriormente el propsito de un circuito rectificador es el
de tomar una onda sinusoidal (AC) y convertirla en una onda unidireccional o de
una sola polaridad. Los circuitos rectificadores se pueden clasificar en
rectificadores de media onda y de onda completa ya sean monofsicos o
trifsicos. Antes de entrar a los detalles de funcionamiento de tales circuitos, es
necesario primero hacer un breve repaso del principio de funcionamiento de los
diodos rectificadores y sus parmetros de seleccin ya que esta funcin es propia
de los ingenieros electrnicos cuando disean y construyen o cuando hacen
mantenimiento a este tipo de circuitos.

Leccin 1: DIODOS RECTIFICADORES
TIPOS DE ENCAPSULADO
Los diodos que se estudiarn en este apartado sern los rectificadores de baja
frecuencia (60 Hz) ya que son los ms utilizados en electrnica de potencia y se
dejaran de lado los diodos rpidos (fast) y los Schotkky, ya que en la mayora de
sus aplicaciones son reemplazados sobresalientemente por tiristores y dispositivos
BJT, MOSFET e IGBT. La figura 25 presenta los diferentes tipos de encapsulados
empleados en los diodos de potencia. En el caso de los diodos rectificadores de
baja frecuencia, los encapsulados mas empleados son el de tipo cermico para
aplicaciones de alta tensin y corriente, el de tipo tornillo para aplicaciones de bajo
voltaje y corriente y el de tornillo con cable de extensin para aplicaciones de
media tensin y corriente.


Figura 25. Tipos de encapsulado de diodos rectificadores de potencia
CARACTERISTICAS ESTTICAS
Se refieren al comportamiento del diodo en los estados de encendido (conduccin,
ON) y apagado (bloqueo, OFF) trabajando en baja frecuencia en donde los
tiempos de recuperacin directa e inversa (caractersticas dinmicas) no se toman
en cuenta, ya que no son relevantes en esta condicin. La figura 26 muestra la
curva caracterstica de un diodo rectificador modelado de forma real.

Figura 26. Curva caracterstica de los diodos rectificadores de potencia


El cuadrante I, presenta el comportamiento cuando el diodo se encuentra
polarizado directamente y por lo tanto se encuentra encendido y el cuadrante III,
cuando se encuentra polarizado inversamente y por lo tanto se encuentra
apagado. Tambin muestra los circuitos que lo modelan en los estados
mencionados anteriormente de forma respectiva.
Los parmetros de seleccin de un diodo rectificador de baja frecuencia
bsicamente son los siguientes:
Del estado de encendido:
1. Intensidad medio nominal (I
FAV
) o I
DC
: Es el mximo valor promedio de la
corriente que el diodo puede soportar a determinada temperatura del
encapsulado (normalmente a 110 C mximo). Se calcula con la frmula
de la ecuacin 1:

2. Intensidad de pico repetitivo (I
FRM
): Mxima intensidad que puede ser
soportada cada 16.7 ms (60 Hz) por tiempo indefinido, con duracin de
pico de 1 ms a determinada temperatura del encapsulado (normalmente a
110 C mximo)
Del estado de apagado:
3. Tensin inversa de trabajo (V
RRM
): Tensin inversa mxima que puede
ser soportada por el diodo en picos de 1 ms repetidos cada 8.3 ms por
tiempo indefinido sin peligro de avalancha.

Leccin 2: TENSIONES DE FASE DE UNA RED TRIFASICA
En este punto es necesario hacer un breve repaso del principio de funcionamiento
de una red AC trifsica. La figura 27 muestra los voltajes de fase trifsicos
medidos con respecto al neutro. Las fases se denominan R, S y T y el neutro N.
La fase R (color rojo) parte del origen de la base de tiempos y por lo tanto su
ngulo de fase es cero. La fase S (color azul) se encuentra atrasada con respecto
a R 120, es decir que inicia a partir de 2/3 radianes. La fase T (color marrn) se
encuentra atrasada con respecto a R 240, que es igual a estar adelantada 120,
es decir que inicia a partir de 4/3 radianes.


Figura 27. Tensiones de fase
Las ecuaciones que describen el comportamiento senoidal de la corriente alterna
son las siguientes:
V
R
= V
MF
sen t; (Ecuacin 2),
V
S
= V
MF
sen (t 120); (Ecuacin 3),
V
T
= V
MF
sen (t + 120); (Ecuacin 4),
Donde V
MF
, es el voltaje pico de la onda seno y es igual a: 2 V
RMS
. En Colombia,
en instalaciones residenciales e industriales de baja tensin el valor RMS de las
tensiones de fase es de 120 V y por lo tanto el pico es de 170 V
aproximadamente. As mismo, , es la velocidad angular medida en radianes por
segundo y es igual a 2f, donde f, es la frecuencia lineal y en nuestro pas esta es
de 60 Hz. En conclusin:
V
MF
= 2 V
RMS;
(Ecuacin 5),
= 2f; (Ecuacin 6).
Leccin 3: RECTIFICADOR TRIFASICO DE MEDIA ONDA
No se considerar en este apartado los rectificadores monofsicos de media onda
y onda completa ya que estn suficientemente explicados en la literatura de
electrnica general, mas bien se estudiarn los rectificadores trifsicos. La figura
28 muestra como a partir de la red trifsica AC se rectifica y se entrega corriente
continua a motores DC, hornos de induccin, hornos de fundicin, procesos
electrolticos de galvanoplastia, etc.


Como el rectificador trifsico de media onda trabaja con voltajes de fase se har
una breve repaso de los sistemas elctricos trifsicos.

Figura 28. Concepcin de un rectificador trifsico
Las ventajas de los rectificadores trifsicos con respecto a los monofsicos son las
siguientes:
Mayor potencia de salida
Mayor tensin DC a la salida
Menor rizado en la tensin de salida
Menores exigencias para el filtro de salida
Mejor factor de potencia
La figura 29 muestra un rectificador trifsico de media onda con carga resistiva.

Figura 29. Rectificador trifsico de media onda con carga resistiva
N


Con respecto a la figura 29 se pueden hacer las siguientes observaciones:
El transformador empleado es del tipo estrella estrella (Y-Y).
Un transformador trifsico equivale a conectar a 3 monofsicos.
El punto comn de los arrollamientos secundarios es el neutro, N.
Si solo se usara un arrollamiento secundario, se tendra un rectificador
monofsico de media onda.
El rectificador trifsico de media onda consiste en conectar tres
rectificadores monofsicos de media onda en paralelo.
Cuando cualquiera de los diodos conduce a la carga le queda conectada la
fase respectiva, por lo tanto en este tipo de rectificador, se trabaja con
tensiones de fase.
Slo un diodo conduce a la vez, ya que si lo hicieran dos o tres al mismo
tiempo se presentara un cortocircuito.

La figura 30, muestra la condicin para que el diodo D1 entre en conduccin y le
quede aplicada a la carga la fase R.

conduccin


Anlisis del intervalo 30(/6 radianes) hasta los 150(5 /6 radianes):
La fase R se encuentra en el semiciclo positivo y es la que toma los
mayores valores de tensin, por lo tanto el diodo D1 es el que queda
polarizado directamente y entra en conduccin (ON).
La fase S se encuentra en el semiciclo negativo, por lo tanto el diodo D2 se
encuentra polarizado inversamente y de esta manera queda bloqueado
(OFF).
La fase T, aunque durante un corto intervalo se encuentra en el semiciclo
positivo, como D1 conduce, al ctodo D2 le queda la fase R con mayor
tensin que su nodo y por lo tanto queda polarizado inversamente (OFF).
El diodo D1 conduce durante 120.

quede aplicada a la carga la fase S.

conduccin

Anlisis del intervalo 150(5/6 radianes) hasta los 270(3/2 radianes):


La fase S se encuentra en el semiciclo positivo y es la que toma los
La fase T se encuentra en el semiciclo negativo, por lo tanto el diodo D3 se
(OFF).
La fase R, aunque durante un corto intervalo se encuentra en el semiciclo
positivo, como D2 conduce, al ctodo D1 le queda la fase S con mayor
quede aplicada a la carga la fase T.

conduccin

Anlisis del intervalo 270(3/2 radianes) hasta los 390(/6 radianes):


La fase T se encuentra en el semiciclo positivo y es la que toma los
La fase R se encuentra en el semiciclo negativo, por lo tanto el diodo D1 se
(OFF).
La fase S, aunque durante un corto intervalo se encuentra en el semiciclo
positivo, como D3 conduce, al ctodo D2 le queda la fase T con mayor

La figura 33 sirve para calcular el valor DC de la tensin de salida del rectificador
de media onda con carga resistiva.

Figura 33. Onda de salida del Rectificador trifsico de media onda con carga
resistiva.

Para calcular el valor promedio (V
DC
) de una tensin se utiliza la siguiente
ecuacin:
V
DC
=
V
MF
V
MF
V
MF
V
MF
V
MF


Para aplicar esta ecuacin es necesario determinar el periodo en radianes,
como se muestra a continuacin:
T = 5/6 - /6 = 2/3 radianes
Lo anterior implica que el periodo de la onda rectificada es 1/3 de la onda
seno de cualquiera de las fases y por lo tanto la frecuencia es tres veces
mayor, es decir, 180 Hz.
Para aplicar la ecuacin 7 se utilizar la ecuacin de tensin de la fase R,
integrada entre los lmites /6 y 5/6.

Resolviendo la ecuacin 8 se obtiene el valor promedio o DC de la tensin de
salida del rectificador trifsico de media onda con carga resistiva:

Recordando que el valor DC de la tensin de salida de un rectificador monofsico
de onda completa es 2V
MF
/ , entonces, la tensin de salida del rectificador
trifsico de media onda es 1.3 veces mas grande, es decir, al emplear un
rectificador trifsico de media onda se logra un aumento del 30%, lo cual justifica
utilizarlo.
Ahora se puede calcular el valor de la corriente DC que circula por la carga R
L
de
la siguiente manera:
I
DC
= V
DC
/ R
L
; (Ecuacin 10)
Tambin es importante calcular el valor DC de la corriente a travs de los diodos
(I
DDC
) ya que este es un parmetro de seleccin (I
FAV
). Como los tres diodos estn
conectados al mismo nodo de la carga y como las tensiones de la fase tienen la
misma magnitud, la corriente DC por estos es 1/3 de la corriente DC por la carga:
I
DDC
= V
DC
/(3 R
L
); (Ecuacin 11)


Se calcular ahora el valor eficaz o RMS de la corriente por cada diodo que
corresponde a la corriente por fase de cada devanado secundario del
transformador que sirve para determinar el calibre del conductor de los mismos y
tambin para determinar la potencia del secundario. En radianes el periodo de la
corriente por los diodos es 2 radianes, por lo tanto la corriente eficaz por el diodo
1 correspondiente a la fase R es:

Resolviendo la ecuacin 12 se obtiene:
I
DRMS
= 0.4854 I
MF
; (Ecuacin 13)
,
donde I
MF
esta dado por:
I
MF
= V
MF
/ R
L
; (Ecuacin 14)
,
La especificacin en potencia aparente S en VA del transformador suponiendo que
es ideal (cero perdidas de potencia) ser:
S = 3 V
FRMS
I
DRMS =
2.06 V
FRMS
2
/ R
L
; (Ecuacin 15).
Es importante analizar ahora las tensiones de polarizacin inversa que soportan
los diodos del rectificador cuando se encuentras apagados (OFF) para asegurarse
de que no entrarn en avalancha al exceder el lmite de (V
RRM
).
La figura 34 muestra la condicin del circuito cuando el diodo D1 se encuentra
abierto debido a que D2 conduce, durante el intervalo 5/6 y 3/2.



En este caso la tensin del nodo con respecto a tierra es la tensin de fase R y la
del ctodo es la de la fase S, por lo tanto, la diferencia de tensin entre nodo y
ctodo es V
RS
, que corresponde a una tensin de lnea en un sistema trifsico,
que es 3 veces mayor que una tensin de fase, como se explicar en el apartado
siguiente.
abierto debido a que D3 conduce, durante el intervalo 3/2 y /6.

del ctodo es la de la fase T, por lo tanto, la diferencia de tensin entre nodo y
ctodo es V
RT
que es 3 veces mayor que una tensin de fase.
En vista de lo anterior, la mxima tensin de pico inverso es:
V
RRM
= 3 V
MF
; (Ecuacin 16)
La figura 36 muestra los valores del factor de forma (FF) que se considera como
una medida de la tensin de salida en donde se halla el cociente entre el valor
RMS y el DC. Tambin se muestra el valor del factor de la componente ondulatoria
definida como el cociente entre el valor eficaz de todas las componentes
sinusoidales que conforman la onda (serie trigonomtrica de Fourier) y el valor
DC.



Leccin 4: TENSIONES DE LINEA DE UNA RED TRIFASICA
Las cargas trifsicas se pueden conectar entre las fases y el neutro, como se
conect el transformador en el rectificador trifsico de media onda, en este caso
se dice que la carga est alimentada por voltajes de fase. Tambin se pueden
conectar entre las fases sin utilizar el neutro, en este caso se dice que la carga
est alimentada por los voltajes de lnea V
RS
, V
ST
y V
TR.
La figura 37 ilustra cmo
se obtienen los voltajes de lnea a partir de los de fase y la relacin entre estos.
Como puede observarse una tensin de lnea se obtiene a partir de las diferencias
entre dos tensiones de fase.
V
RS
= V
R
- V
S
= 3 V
MF
sen (t + 30); (Ecuacin 17),
V
ST
= V
S
V
T
= 3 V
MF
sen (t - 30); (Ecuacin 18),
V
TR
= V
T
V
R
= 3 V
MF
sen (t + 150); (Ecuacin 19),
De las ecuaciones anteriores se puede concluir:
Que las tensiones de lnea son 3 veces ms grandes que las de fase, por
eso en Colombia, como el voltaje de fase es de 120 V RMS, el voltaje de
lnea es de 208 V RMS aproximadamente.
Las tensiones de lnea adelantan a las de fase en 30.
V
ORMS
V
ODC
V
MF
V
MF
V
MF


Las tensiones de lnea al igual que las de fase se encuentran defasadas
entre si 120.

Figura 37. Tensiones de lnea de una red trifsica
Leccin 5: RECTIFICADOR TRIFSICO DE ONDA COMPLETA
La figura 38 muestra el circuito de un rectificador trifsico de onda completa,
denominado tambin puente rectificador trifsico.
Este circuito rectificador tiene las siguientes caractersticas:
Se emplean 6 diodos.
Dos diodos conducen al mismo tiempo y aplican a la carga tensiones de
lnea, no de fase, por lo tanto, el valor DC de la tensin en la carga ser
mayor que el producido por el puente rectificador de media onda.
Cuando se emplea transformador, el secundario se conecta en estrella,
para aumentar las tensiones de lnea.
Presenta menor tensin de rizado.
La frecuencia es 6 veces mayor que la de la red, es decir que en Colombia,
la frecuencia de la onda de salida de este tipo de rectificador es de 360 Hz.


Figura 38. Puente rectificador trifsico
El proceso de conduccin es el siguiente:
1) Cuando D1 conduce, la corriente sale de la fase R, pasa por D1, atraviesa
la carga y cuando retorna a travs del diodo D5, la tensin aplicada a la
carga es la tensin de lnea V
RS
. Cuando retorna a travs del diodo D6, la
tensin aplicada a la carga ser ahora la tensin de lnea V
RT.

2) Cuando D2 conduce la corriente sale de la fase S, pasa por D2, atraviesa la
carga y cuando retorna a travs del diodo D6, la tensin aplicada a la carga
es la tensin de lnea V
ST
. Cuando retorna a travs del diodo D4, la tensin
aplicada a la carga ser ahora la tensin de lnea V
SR.

3) Cuando D3 conduce la corriente sale de la fase T, pasa por D3, atraviesa la
carga y cuando retorna a travs del diodo D5, la tensin aplicada a la carga
es la tensin de lnea V
TS
. Cuando retorna a travs del diodo D4, la tensin
aplicada a la carga ser ahora la tensin de lnea V
TR.

La figura 39 muestra la tensin de salida rectificada en la carga, mostrando los
intervalos de conduccin de los diodos.


Figura 39. Onda de salida del puente rectificador trifsico
La figura 39 se construye de la siguiente manera:
1) Se dibujan primero los voltajes de lnea V
RS
, V
ST
y V
TR
de acuerdo con las
ecuaciones 17 a 19.
2) Se dibujan los voltajes desfasados 180 de cada uno de los voltajes de
lnea dibujados en el paso 1 y que corresponden a: V
SR
, V
TS
y V
RT
,
respectivamente.
La figura 40, muestra la condicin para que los diodos D1 y D5 entren en
conduccin y le quede aplicada a la carga la tensin de lnea V
RS
, durante el
intervalo 30(/6 radianes) y 90(/2 radianes).
Como se puede concluir, los diodos 1 al 3 se polarizan por la tensin de fase ms
positiva y los diodos 4 al 6 por la tensin de fase ms negativa. En este caso,
durante el intervalo que se est analizando, la fase R es la ms positiva y la S la
ms negativa, por eso conducen D1 y D5 y por lo tanto la tensin en la carga es el
voltaje de lnea V
RS.


trifsico

A partir de 90 (/2 radianes) y hasta los 150 (5/6 radianes), la fase R sigue
siendo la ms positiva, pero ahora la fase T se convierte en la ms negativa, por lo
tanto D5 deja de conducir y lo hace ahora D6 y por lo tanto la tensin en la carga
es el voltaje de lnea V
RT
, como se muestra en la figura 41.
A partir de los 150 (5/6 radianes) hasta 210 (7/6 radianes), la fase ms
positiva es ahora S y T sigue siendo la ms negativa, por lo tanto los diodos que
conducen son D2 y D6 respectivamente y entonces la tensin aplicada a la carga
ST,
como se muestra en la figura 42.
positiva sigue siendo S y R es ahora la ms negativa, por lo tanto los diodos que
SR.
positiva es ahora T y R sigue siendo la ms negativa, por lo tanto los diodos que
TR


Figura 41. Condicin de condicin de los Diodos D1 y D6 en el puente
rectificador trifsico

Figura 42. Condicin de condicin de los Diodos D2 y D6 en el puente
rectificador trifsico


A partir de los 330(11/6 radianes) hasta 30(/6 radianes), la fase ms positiva
sigue siendo T y S es ahora la ms negativa, por lo tanto los diodos que
TS.

La figura 43 muestra finalmente la tensin rectificada en la carga, con la
informacin de que diodos conducen por cada intervalo y por lo tanto sirve para
calcular el valor DC de la tensin de salida del puente rectificador trifsico con
carga resistiva.

Figura 43. Tensin de salida del puente rectificador trifsico
Para calcular el valor promedio (V
DC
) de una tensin se utiliza la ecuacin 7.
Para aplicar esta ecuacin es necesario determinar el periodo en radianes,
como se muestra a continuacin:
T = 3/6 - /6 = /3 radianes
Lo anterior implica que el periodo de la onda rectificada es 1/6 de la onda
seno de cualquiera de las fases y por lo tanto la frecuencia es 6 veces
mayor, es decir, 360 Hz.
Para aplicar la ecuacin 7 se utilizara la ecuacin de tensin de lnea V
RS
,
integrada entre los lmites /6 y /2.
V
DC
=
V
RS
V
MF
V
MF
V
MF


Resolviendo la ecuacin 20 se obtiene el valor promedio o DC de la tensin de
salida del rectificador trifsico de onda completa con carga resistiva:

Comparando la ecuacin 9 con ecuacin 21, se puede concluir que la tensin DC
del puente rectificador trifsico es el doble de la del rectificador trifsico de media
onda con lo que se logra un aumento del 100%, lo cual justifica utilizarlo.
Ahora se puede calcular el valor de la corriente DC que circula por la carga R
L
de
la siguiente manera:
I
DC
= V
DC
/ R
L
; (Ecuacin 22)
Tambin es importante calcular el valor DC de la corriente a travs de los diodos
(I
DDC
) ya que este es un parmetro de seleccin (I
FAV
). Como los tres diodos estn
conectados al mismo nodo de la carga y como las tensiones de lnea tienen la
misma magnitud, la corriente DC por estos es 1/3 de la corriente DC por la carga:
I
DDC
= V
DC
/(3 R
L
); (Ecuacin 23)
La figura 44 muestra la forma de la corriente por los diodos, en este caso para el
diodo D1. Se puede observar como en el periodo entre /6 y 3/6 conducen los
diodos D1 y D5 y durante el periodo 3/6 y 5/6 conducen los diodos D1 y D6, lo
que implica que cada diodo conduce durante 4/6 radianes o sea 120. El periodo
de las corrientes por los diodos es de 2 radianes o 360. Adems, el valor pico
de la corriente por los diodos esta dada por la siguiente ecuacin:
I
MD
= 3 V
MF
/ R
L
; (Ecuacin 24)

/6 5/6 13/6
RS RT RS
/6 5/6 3/6
RS RT
RS
RS
I
D1
3 V
MF
R
L
t
0


Figura 44. Forma de onda de la corriente por el diodo D1.

Se calcular ahora el valor eficaz o RMS de la corriente por lnea de cada
devanado secundario del transformador que sirve para determinar el calibre del
conductor de los mismos y tambin para determinar la potencia del secundario. La
figura 45 muestra la onda de corriente por la fase R.

Figura 45. Forma de onda de la corriente por la fase R.
En radianes el periodo de la corriente de la figura 45 es 2 radianes, por lo tanto la
corriente eficaz correspondiente a la fase R es:

Resolviendo la ecuacin 25 se obtiene:
I
FRMS
= 0.7804 I
MD
; (Ecuacin 26)

La especificacin en potencia aparente S en VA del transformador suponiendo que
es ideal (cero perdidas de potencia) ser:
S = 3 V
FRMS
I
FRMS =
5.73 V
FRMS
2
/ R
L
; (Ecuacin 27).
Es importante analizar ahora las tensiones de polarizacin inversa que soportan
los diodos del rectificador cuando se encuentras apagados (OFF) para asegurarse
de que no entrarn en avalancha al exceder el lmite de (V
RRM
).
abierto debido a que D2 conduce, durante el intervalo 5/6 y 9/6.
/6 5/6
TR
ST
SR TS
3/6
7/6 9/6 11/6
I
R
RS RT
I
R
3 V
MF
R
L
-3 V
MF
R
L
t
(ECUACION 25)
/6
/2
____
(I
MD
sen (t+30))
2
dt;
4
2
I
FRMS
= [ ]
1/2


del ctodo es la de la fase S, por lo tanto, la diferencia de tensin entre nodo y
ctodo es V
RS
que es 3 veces mayor que una tensin de fase, como ya se explic
anteriormente.
abierto debido a que D3 conduce, durante el intervalo 3/2 y /6. En este caso la
tensin del nodo con respecto a tierra es la tensin de fase R y la del ctodo es
la de la fase T, por lo tanto, la diferencia de tensin entre nodo y ctodo es V
RT,

que corresponde a una tensin de lnea en un sistema trifsico, que es 3 veces
mayor que una tensin de fase.



En vista de lo anterior, la mxima tensin de pico inverso es:
V
RRM
= 3 V
MF
; (Ecuacin 28)
La figura 48 muestra los valores del factor de forma (FF) y el rizado de la onda de
voltaje de salida del puente rectificador trifsico.

V
ORMS
V
ODC
V
MF
V
MF




Introduccin
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores
de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos
de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no
conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer
que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores
prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones. Se estudia en este capitulo
al tiristor mas empleado en la industria, el SCR (Rectificador Controlado de Silicio)

Leccin 1: ESTRUCTURA DEL TIRISTOR
El tiristor (SCR) es un dispositivo semiconductor biestable de cuatro capas, PNPN
de tres terminales: nodo (A), ctodo (K) y puerta (G). Puede conmutar de
bloqueo a conduccin, o viceversa, en un solo cuadrante. La figura 49, muestra la
estructura interna en funcin de las uniones PN, su equivalente en transistores
BJT y su smbolo.

Figura 49. Estructura interna y smbolo del tiristor.

CARACTERSTICA TENSIN CORRIENTE


La curva caracterstica del tiristor se muestra en la figura 50 y en ella se pueden
identificar las siguientes zonas de funcionamiento:
Zona de bloqueo inverso (VAK < 0):
El SCR se encuentra bloqueado (circuito abierto) y solo lo recorre una dbil
corriente de fuga inversa (IRRM). No se debe sobrepasar la tensin inversa
mxima (VRRM), ya que entra en avalancha y se destruye trmicamente.
Zona de bloqueo directo (VAK > 0; sin excitar la puerta):
El SCR se encuentra bloqueado. Solo lo recorre una dbil corriente de fuga directa
(IDRM). No se debe sobrepasar la tensin directa mxima (VDRM), pues entra en
conduccin sin accin de control en la puerta.

Figura 50. Curva tensin-corriente del tiristor.
Zona de conduccin (VAK > 0; puerta excitada):
El SCR conduce (cortocircuito). Entre la puerta (G) y el ctodo (K) circula un
impulso positivo de corriente. La duracin del impulso de cebado ser lo suficiente
para que la corriente nodo-ctodo (IT) sea igual a la corriente de enganche, IL.
Mientras el SCR conduce, se comporta como un diodo rectificador.
Es importante tener en cuenta que el SCR se bloquea cuando la corriente directa
(IT) es menor que la corriente de mantenimiento (IH), en cuyo caso la puerta
pierde todo poder sobre el SCR.
El tiristor, tiene las siguientes caractersticas generales:
CORRI ENTE DE
FUGA DIRECTA
CORRI ENTE DE
FUGA I NVERSA
VOLTAJE DE
RUPTURA
DIRECTO
VOLTAJE DE
RUPTURA
DIRECTO
DISPARO DE
PUERTA
CAIDA DE
TENSI N
DIRECTA
(CONDUCCION) CORRI ENTE DE
ENGANCHE
CORRIENTE DE
MANTENIMIENTO


Interruptor casi ideal.
Soporta tensiones altas cuando se encuentra polarizado inversamente.
Es capaz de controlar grandes potencias.
Fcil controlabilidad, por intermedio de la puerta.
Relativa rapidez de conmutacin.

Leccin 2: CAUSAS DE DISPARO DEL TIRISTOR
Para producir el disparo del SCR, la corriente nodo-ctodo, IT, debe ser mayor
que la de enganche, IL. Para mantenerse en la zona de conduccin, por el SCR
debe circular una corriente mayor a la de mantenimiento, IH, por debajo de la cual
el SCR se bloquea. Hay dos tipos de disparo: los no deseados y los deseados, es
decir, los producidos por pulsos de puerta.
DISPAROS NO DESEADOS
Se presentan por exceso en la tensin aplicada entre nodo y ctodo y por
variacin brusca de la misma (dv/dt).
Por exceso de tensin: Si la tensin soportada por la unin de control se
acerca al valor de ruptura directa, la corriente de portadores minoritarios
aumenta considerablemente presentndose la corriente de avalancha. Si la
corriente de fugas se eleva por encima del valor de la corriente de
mantenimiento el SCR es capaz de mantener el estado de conduccin tal
como se ilustra en la figura 51.
Por dVAK/dt: Si se produce un cambio brusco de polarizacin inversa a
directa, no hay tiempo para la organizacin de cargas. La tensin soportada
por la unin de control ser elevada, acelerando de esta manera los
portadores minoritarios. Si esta corriente aumenta por encima de la
corriente de mantenimiento, el SCR se mantiene en conduccin tal como lo
muestra la figura 52.


Figura 51. Disparo no deseado por exceso de tensin

Figura 52. Disparo no deseado por dv/dt
DISPAROS DESEADOS O POR PULSOS DE PUERTA
Los huecos inyectados por el terminal de puerta, generan la inyeccin de una
nube de electrones libres desde el ctodo. Algunos electrones son captados y
acelerados hacia la unin de bloqueo, generando pares electrn-hueco. Estos
huecos generados se dirigen hacia el ctodo introduciendo as ms electrones. Si
la corriente generada se aumenta por encima de la de enganche, el SCR es capaz
de mantener el estado de conduccin aunque desaparezca el pulso de puerta, tal
como se muestra en la figura 53. La corriente de puerta deber tener un mnimo
valor de amplitud y una mnima duracin para que logre poner en conduccin al
tiristor, cuando este se encuentra polarizado directamente. En la figuras 54 y 55 se
ilustra este principio para cargas resistivas e inductivas respectivamente.


Figura 53. Disparo por corriente de puerta

Figura 54. Comportamiento del tiempo de disparo con carga resistiva
El tiempo de retardo a la excitacin, tr, se mide a partir del momento en que la
corriente de puerta, IG, alcanza su mnimo valor hasta que la corriente por el
tiristor, IT, alcanza el 10% de su valor final. El tiempo de subida, ts, se mide a
partir del momento en que termina tr hasta que IT alcanza el 90% de su valor final.


El tiempo de disparo, td, es la suma de los dos tiempos anteriores. La duracin del
pulso de puerta debe ser mayor a td.

Figura 55. Comportamiento del tiempo de disparo con carga inductiva
El tiempo mnimo del pulso de puerta en este caso debe ser mayor al tiempo que
la corriente del tiristor se tarda en alcanzar el valor de la corriente de
enclavamiento o enganche. Obsrvese que en este caso, este tiempo depender
de la constante de tiempo RL.

Leccin 3: CIRCUITOS DE DISPARO
Los circuitos de disparo, son los encargados de generar los pulsos de puerta
positivos, cuando el SCR se encuentra polarizado directamente, para lograr el
enganche del tiristor. Pueden ser circuitos de electrnica cableada o
microcontrolada. De acuerdo a la manera como se acopla el circuito de disparo
con la puerta se clasifican en:
Acoplamiento directo
Acoplamiento magntico
Acoplamiento ptico

ACOPLAMIENTO DIRECTO
La figura 56, muestra un circuito de disparo acoplado directamente a la puerta del
SCR. Cuando el circuito de control no esta generando un pulso, el transistor BJT


NPN se encuentra en corte y lo mismo el PNP. En este caso, no hay tensin en el
divisor de tensin conectado a la puerta y por lo tanto no hay disparo. Cuando se
genera el pulso, el transistor NPN entra en saturacin, colocando la base del
transistor PNP a tierra y entrando tambin en saturacin, quedando el divisor de
tensin conectado a la fuente de alimentacin Vcc y por lo tanto la puerta recibe
un pulso de voltaje que generar la corriente de puerta.

Figura 56. Acoplamiento directo entre el circuito de disparo y la puerta

ACOPLAMIENTO MAGNTICO
La figura 57, muestra el acoplamiento magntico entre el circuito de disparo y la
puerta. En este caso la tierra del SCR y la del circuito de control son
independientes. Esto es importante para aislar elctricamente el circuito de
disparo del SCR y evitar que pueda llegar a daarse por fallas internas del tiristor.
El diodo en antiparalelo con el primario del transformador se emplea para
desmagnetizar el ncleo, cuando no hay pulso a la salida del circuito de control y
el transistor NPN pasara de saturacin a corte.


Figura 57. Acoplamiento magntico entre el circuito de disparo y la puerta

ACOPLAMIENTO PTICO
La figura 58, muestra el acoplamiento ptico entre el circuito de disparo y la
puerta. Su finalidad es la misma que la del acoplamiento magntico.

Figura 58. Acoplamiento ptico entre el circuito de disparo y la puerta


Leccin 4: CIRCUITOS DE APAGADO
El SCR en circuitos DC, una vez que entra en conduccin queda enganchado
indefinidamente, hasta que por medios externos se abra el circuito de potencia
para que la corriente del tiristor se haga cero (IT), o se le aplique una tensin
inversa al nodo-ctodo para obligarlo forzosamente a apagarse.
APAGADO POR CONTACTO MECNICO
Extincin del SCR interrumpiendo el circuito mediante un cortocircuito, tal como se
observa en la figura 59 (a, b), o introduciendo una corriente inversa usando una
fuente auxiliar, como lo muestra la figura59 (c) o un condensador cargado, como lo
presenta la figura 59 (d, e).

Figura 59. Apagado por contacto mecnico
APAGADO POR CONMUTACION FORZADA
Se obliga a la corriente a pasar a travs del tiristor en sentido inverso,
consiguiendo un tiempo de apagado menor.
Existen dos tipos de conmutacin forzada:
Por autoconmutacin
Por medios exteriores
APAGADO POR CONMUTACIN FORZADA POR AUTOCONMUTACIN
Circuitos que apagan al SCR automticamente tras un tiempo predeterminado
desde la aplicacin del impulso de disparo. Los ms usados son:
Circuito oscilante LC en paralelo: Con el condensador cargado se produce el
disparo del SCR. Cuando el condensador se descarga sobre el SCR en
sentido directo, por oscilacin del circuito LC, el condensador se carga en


sentido opuesto hasta que IR (de carga) es menor que IT, entonces se
produce el apagado, tal como lo muestra la figura 60.

Figura 60. Apagado forzado por circuito LC paralelo
Circuito oscilante LC en serie: La corriente que circula al disparar el SCR excita
al circuito LC. Una vez terminado el primer semiciclo de la oscilacin, la
corriente se invierte y se apaga el SCR, tal como lo ilustra la figura 61.

Figura 61. Apagado forzado por circuito LC serie

APAGADO POR CONMUTACIN FORZADA POR MEDIOS EXTERIORES
Circuitos que apagan al SCR sin depender del tiempo en que se produjo el
disparo. Los ms usados son:
Conmutacin por medio de Corriente Alterna: el SCR se apaga cada vez que
cambia el sentido de la tensin al semiciclo negativo, tal como se puede
apreciar en la figura 62.


Figura 62. Apagado por medio de AC
Conmutacin por tiristor auxiliar: si el tiristor uno (T1) conduce y el dos est en
corte (T2), entonces el condensador se carga por T1; cuando T2 conmuta a
conduccin, el tiristor T1 se bloquea y el condensador se carga por RL en
sentido inverso. Pasado un tiempo tq (>0.7 RL C), que depende de C y debe
ser mayor que el toff del SCR, la tensin en T1 (VT1) tiende a hacerse
positiva, como se presenta en la figura 63.

Figura 63. Apagado por tiristor auxiliar

Leccin 5: CARACTERSTICAS TCNICAS DE LOS TIRISTORES
Los fabricantes de tiristores presentan en las hojas tcnicas de estos los
siguientes tipos de caractersticas:
Estticas


De control
Dinmicas
De conmutacin

CARACTERISTICAS ESTTICAS
Corresponden a la regin nodo-ctodo. Son aquellos valores que determinan las
posibilidades mximas de un determinado SCR. Estos datos son:
Tensin inversa de pico de trabajo............................................. VRWM
Tensin directa de pico repetitiva............................................... VDRM
Tensin directa............................................................................ VT
Corriente directa media............................................................... ITAV
Corriente directa eficaz............................................................... ITRMS
Corriente directa de fugas........................................................... IDRM
Corriente inversa de fugas.......................................................... IRRM
Corriente de mantenimiento........................................................ IH
Las caractersticas trmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son:
Temperatura de la unin............................................................. Tj
Temperatura de almacenamiento................................................ Tstg
Resistencia trmica contenedor-disipador.................................. Rc-d
Resistencia trmica unin-contenedor........................................ Rj-c
Resistencia trmica unin-ambiente............................................ Rj-a
Impedancia trmica unin-contenedor......................................... Rj-c
CARACTERSTICAS DE CONTROL
Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito
de control que responde mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes
definen las siguientes caractersticas:
Tensin directa mx. ................................................................... VGFM
Tensin inversa mx. ................................................................... VGRM
Corriente mxima.......................................................................... IGM
Potencia mxima......................................................................... PGM


Potencia media............................................................................ PGAV
Tensin puerta-ctodo para el encendido................................... VGT
Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento..... VGNT
Corriente de puerta para el encendido........................................ IGT
Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento ... IGNT
CARACTERISTICAS DINMICAS
TENSIONES TRANSITORIAS
Valores de la tensin superpuestos a la seal de la fuente de alimentacin.
Son breves y de gran amplitud.
La tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos
valores.
IMPULSOS DE CORRIENTE
Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los
cuales puede tolerarse una corriente de pico dada.
A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos.
El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la temperatura media de la
unin.
La figura 64, muestra lo explicado anteriormente.

Figura 64. Curva de limitacin de impulsos de corriente
NGULOS DE CONDUCCIN
La corriente y tensin media de un SCR dependen del ngulo de conduccin.
A mayor ngulo de conduccin, se obtiene a la salida mayor potencia.


Un mayor ngulo de bloqueo o disparo significa un menor ngulo de conduccin:
ngulo de conduccin = 180 - Angulo de disparo
Conociendo la variacin de la potencia disipada en funcin de los diferentes
ngulos de conduccin se pueden calcular las protecciones necesarias.
La figura 65 muestra los conceptos de ngulo de disparo o bloqueo y ngulo de
conduccin.

Figura 65. ngulos de bloqueo y conduccin
CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
Los tiristores no son interruptores perfectos, ya que necesitan un tiempo para
pasar de corte a conduccin y viceversa.
3.6.4.1 TIEMPO DE ENCENDIDO (TON)
Tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conduccin (Figura 66).
Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta
alcanza el 50 % de su valor final hasta que la corriente de nodo alcanza el 10 %
de su valor mximo.
Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de nodo pase
del 10 % al 90 % de su valor mximo, o, el paso de la cada de tensin en el
tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial.
TON = td + tr


Figura 66. Tiempo de encendido (TON)
TIEMPO DE APAGADO (TOFF)
Tiempo que tarda el tiristor en pasar de conduccin a corte (Figura 67).
Tiempo de recuperacin inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas
en la conduccin del SCR, por polarizacin inversa de este, se eliminan
parcialmente.
Tiempo de recuperacin de puerta (tgr): tiempo en el que, en un nmero
suficiente bajo, las restantes cargas acumuladas se recombinan por difusin,
permitiendo que la puerta recupere su capacidad de control.
TOFF = trr + tgr

Figura 67. Tiempo de apagado (TOFF)


LIMITACIONES DEL TIRISTOR
LIMITACIONES DE LA FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO
La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos valores.
El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del
dispositivo.
La frecuencia rara vez supera los 10 Khz.
LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE TENSIN dv/dt
dv/dt es el valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo del cual no se
producen picos transitorios de tensin de corta duracin, gran amplitud y elevada
velocidad de crecimiento.
A) CAUSAS
La alimentacin principal produce transitorios difciles de prever en aparicin,
duracin (inversamente proporcional a su amplitud) y amplitud.
Los contactores entre la alimentacin de tensin y el equipo: cuya apertura y
cierre pueden producir transitorios de elevada relacin dv/dt (hasta 1.000 V/s)
produciendo el basculamiento del dispositivo.
La conmutacin de otros tiristores cercanos que introducen en la red picos de
tensin.
B) EFECTOS
Puede provocar el encendido del tiristor, perdiendo el control del dispositivo.
La dv/dt admisible vara con la temperatura.
LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE INTENSIDAD di/dt
di/dt es el valor mnimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no
se producen puntos calientes.
A) CAUSAS
Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo
cerca de la puerta, si el circuito exterior impone un crecimiento rpido de la
intensidad, en esta zona la densidad de corriente puede alcanzar un gran valor.
Como el cristal no es homogneo, existen zonas donde la densidad de
Intensidad es mayor (puntos calientes).

B) EFECTOS


En la conmutacin de bloqueo a conduccin la potencia instantnea puede
alcanzar valores muy altos.
La energa disipada producir un calentamiento que, de alcanzar el lmite trmico
crtico, podra destruir el dispositivo.
ESPECIFICACIONES TECNICAS DE TIRISTORES
A continuacin se presentan hojas tcnicas para seleccin de SCR y TRIAC
tomadas de http://onsemi.com








ACTIVIDADES DE AUTOEVALUACIN DE LA UNIDAD 1

1. Realice un mapa conceptual de los dispositivos empleados en la
electrnica de potencia.
2. Realice un cuadro comparativo de las clasificacin de los circuitos
electrnicos de potencia
3. Realice un resumen (profundice en fuentes externas) acerca de las
aplicaciones de los circuitos electrnicos de potencia.
4. Realice un cuadro comparativo de los circuitos de disparo y apagado
empleados en los tiristores.


FUENTES DOCUMENTALES DE LA UNIDAD 1
MUHAMMAD, Rashid .Electrnica de potencia , Circuitos dispositivos y
aplicaciones . Mexico. 3. Edicin . Prentice Hall , 2004.

CHAPMAN, Stephen J. Mquinas elctricas. Colombia 3. Edicin . Mc Graw
Hill, 2002

TURNBULL , Murphy. Power Electronic Control of AC Motors,. Gran Bretaa, 1a
Edicin . Editorial Pergamon Press. 1988.

SUGANDHI R:K., SUGANDHI K:K., Tiristores, conceptos y aplicaciones , Mexico
. 1 Edicin . Editorial Limusa , 1985.

HART Daniel . W. Electrnica de potencia. 2 Edicin .Prentice Hall . 2003.

MOHAN , Ned., UNDERLAND, Tore. Power electronics: converters, aplications
and design. 2 a edicin . Ed Jhon Wiley . 1995.

KASSAKIAN Jhon G. Principles of Power Electronics. 1a Edicin . Ed Adisson
Wiley . 1998


UNIDAD 2
Nombre de la Unidad CIRCUITOS CONVERTIDORES DC-AC Y CIRCUITOS
CONVERTIDORES DC-DC
Introduccin Existen diversas aplicaciones en la industriales donde es
necesario realizar la conversin de un voltaje fijo de una
fuente dc a un voltaje variable de suministro de dc. El
equivalente de un convertidor dc dc es un transformador,
en donde la relacin de vueltas permite subir o bajar el
valor del voltaje. Los convertidores de dc son
frecuentemente empleados en el control de motores de
traccin de automviles elctricos, tranvas, gras
marinas, montacargas y elevadores de minas. Tambin se
pueden emplear en el frenado regenerativo de motores de
dc para regresar la energa a la fuente y de esta manera
generar un ahorro de energa en los sistemas de
transporte que tiene frenado frecuente
Justificacin El anlisis de los circuitos convertidores dc-ac y dc-dc
nos permite tener la capacidad de emplearlos en diversas
aplicaciones que requieren el procesos de conversin dc
ac, o el aumento o control del nivel de voltaje dc
Intencionalidades
Formativas
Conocer las caractersticas y aplicaciones de los -
convertidores dc ac.
Analizar las configuraciones empleadas en los
conversores dc dc y conocer sus aplicaciones
Denominacin de
captulos
CAPITULO 4: CIRCUITOS CONVERTIDORES AC-DC
CON TIRISTORES DE POTENCIA


CAPITULO 4: CIRCUITOS CONVERTIDORES AC-DC CON TIRISTORES DE
POTENCIA

Introduccin
En el capitulo dos se estudiaron los circuitos rectificadores con diodos. Tienen el
inconveniente de que el voltaje DC que entregan es fijo. Para obtener voltajes DC
variables, a partir de alimentaciones AC, se reemplazan los diodos por los
tiristores SCR, controlndose el ngulo de disparo. Esta solucin tiene
aplicaciones industriales, en procesos electroqumicos, control de iluminacin de
bombillas y control de velocidad de motores DC. A estos circuitos rectificadores
con SCR se les denomina tambin convertidores AC-DC. Se clasifican en
convertidores monofsicos y trifsicos.
Leccin 1: CONVERTIDOR MONOFSICO AC-DC DE MEDIA ONDA
Consiste en el circuito de un rectificador monofsico de media onda, en donde el
diodo rectificador se ha reemplazado por un tiristor. La figura 68, muestra el
circuito, el primer cuadrante, es decir voltaje DC y corriente DC en la carga
positivos y las formas de onda respectivas.
Obsrvese cmo durante el semiciclo positivo de Vs, el tiristor se encuentra
polarizado directamente, pero no conduce hasta que al terminal de puerta se le
aplique un pulso o disparo de tensin en t = . A partir de ese momento, la
tensin Vs queda aplicada a la carga R el resto del semiciclo positivo hasta que t
= . A partir de ese momento se inicia el semiciclo negativo, quedando el tiristor
polarizado inversamente, apagndose o dejando de conducir de forma natural, ya
que adems la corriente del mismo, io, ha llegado a cero y ha quedado por debajo
de la corriente de mantenimiento. El SCR queda apagado desde t = hasta t =
2.


Figura 68. Convertidor monofsico AC-DC media onda, carga resistiva
El valor promedio o DC sobre la carga, se calcula a partir de la forma de onda de
Vo, de la siguiente manera:

La ecuacin 29, muestra como VDC, depende del ngulo de disparo . Cuando
=0, VDC, es mximo y equivale a Vm/, el mismo valor del rectificador de media
onda con diodo. Cuando =, VDC, es mnimo y equivale a cero.
El valor eficaz o RMS sobre la carga, se calcula a partir de la forma de onda de

La ecuacin 30, muestra como VRMS, depende del ngulo de disparo . Cuando
=0, VRMS, es mximo y equivale a Vm/2, el mismo valor del rectificador de
media onda con diodo. Cuando =, VDC, es mnimo y equivale a cero.
Los parmetros de seleccin del tiristor empleado como rectificador (no como
switch) son los siguientes:
ITAV: Corriente directa media, que equivale a la mxima corriente promedio
rectificada. En este caso el valor de este parmetro de seleccin se calcula
para la condicin mas critica (=0) y por lo tanto vale Vm/(R).
ITRMS: Corriente directa eficaz, que equivale a la mxima corriente eficaz
rectificada. En este caso el valor de este parmetro de seleccin se calcula
para la condicin mas critica (=0) y por lo tanto vale Vm/(2R).
VRWM: Tensin inversa de pico de trabajo, que equivale a la mxima
tensin de polarizacin inversa que soporta el tiristor antes de entrar en
avalancha. En este caso equivale a Vm, segn se puede deducir de la
figura 68 para la onda VT1.
dv/dt: Mximo cambio brusco de polarizacin inversa a directa. Se asume el
intervalo de tiempo de la conmutacin como de un microsegundo. El caso
critico se presenta cuando =/2 y equivale a Vm/1s, segn se deduce de
la figura 68 para la onda VT1.

Leccin 2: CONVERTIDOR MONOFSICO AC-DC DE ONDA COMPLETA
(ECUACION 29)
___
Vm sen t dt = Vm (1 + cos )/(2);
1
2
V
DC
=
(ECUACION 30)
___
(Vm sen t)
2
dt = Vm/2 1/( - + (sen 2)/2) ;
1
2
V
RMS
=
[ ]
1/2
[ ]
1/2


Consiste en el circuito de un rectificador monofsico de onda completa, en donde
los diodos rectificadores se han reemplazado por tiristores y la carga se asume
altamente inductiva, de tal manera que la corriente por la carga es continua y libre
de componentes armnicas, ya que la carga se comporta como un filtro
pasabajas. La figura 69, muestra el circuito, los cuadrantes de operacin, en
donde existen dos posibilidades de polaridad de la carga en cuanto al voltaje DC
(positivo o negativo), mientras que la corriente DC en la carga es siempre positiva.
Tambin se muestran las formas de onda respectivas.

Figura 69. Convertidor monofsico AC-DC onda completa, carga inductiva
Durante el semiciclo positivo los tiristores 1 y 2 se encuentran polarizados
directamente y se disparan simultneamente cuando t = . A partir de ese
momento, la tensin Vs queda aplicada a la carga el resto del semiciclo positivo.
Ahora bien, como la carga es inductiva, los tiristores 1 y 2 seguirn conduciendo
durante un intervalo del semiciclo negativo ya que la corriente atrasa a la tensin,
hasta cuando t = + . En ese momento se disparan al mismo tiempo los
tiristores 3 y4 que se encuentran polarizados directamente y se apagan los


tiristores 1y2 de forma automtica, pues ya se encontraban polarizados
inversamente.
Durante el intervalo t = hasta t = , el voltaje de entrada Vs y la corriente de
entrada is son positivos y por lo tanto la potencia fluye de la red de alimentacin a
la carga. En este caso el convertidor funciona en modo de rectificacin. Durante el
intervalo t = hasta t = + , el voltaje de entrada Vs es negativo y la
corriente de entrada is es positiva y por lo tanto la potencia fluye desde la carga a
la red de alimentacin, es decir de forma inversa. En este caso el convertidor
funciona en modo de inversin. Este tipo de convertidor se emplea mucho en la
industria hasta potencias de unos 12 KW.

=0, VDC, es mximo y equivale a 2Vm/, el mismo valor del rectificador de
media onda con diodo. Cuando =, VDC, es mnimo y equivale a - 2Vm/. El
anlisis anterior demuestra que en este caso el convertidor opera en los dos
cuadrantes, tal como se muestra en la figura 69.

La corriente DC por la carga es:
IDC = Ia = VDC/R, ya que la inductancia en DC se comporta como un
cortocircuito.
La corriente DC por tiristor es:

La corriente RMS por la carga es:
(ECUACION 31)
+
___
Vm sen t dt = (2Vm cos )/;
1
V
DC
=
(ECUACION 32)
___
(Vm sen t)
2
dt = Vm/ 2 = Vs ;
1
V
RMS
=
[
]
1/2
+
(ECUACION 33)
+
___
Ia dt = Ia/2;
1
2
I
TAV
=


IRMS = VRMS/R, ya que la inductancia en DC se comporta como un cortocircuito.
La corriente RMS por tiristor es:

Leccin 3: CONVERTIDOR TRIFSICO AC-DC DE MEDIA ONDA
Los convertidores trifsicos son ampliamente utilizados en propulsores de motores
DC de velocidad variable. En el caso del convertidor AC-DC de media onda se
construye reemplazando los diodos rectificadores del rectificador trifsico de
media onda por tiristores. La figura 70, muestra el circuito, los voltajes de fase del
sistema trifsico y las corrientes de disparo de puerta de cada tiristor. Se analizar
el circuito para una carga altamente inductiva, como en el caso anterior.

Figura 70. Convertidor trifsico AC-DC media onda, carga inductiva
La figura 70, muestra la referencia de los disparos de cada tiristor. Por ejemplo en
el caso del tiristor 1, el ngulo de disparo se presenta en t = /6 + , para el
tiristor 2, el ngulo de disparo se presenta en t = 5/6 + y para el tiristor 3, se
presenta en t = 9/6 + .
La figura 71, muestra cmo se inicia la conduccin del tiristor 1 a partir de t = /6
+ y como se apaga en t = 5/6 + , aplicando a la carga la tensin de fase R.
Por lo tanto el tiristor conduce durante 4/6 radianes equivalente a 120.
(ECUACION 34)
+
___
Ia
2
dt = Ia/2;
1
2
I
TRMS
=
[ ]
1/2


La figura 72, muestra cmo se inicia la conduccin del tiristor 2 a partir de t =
5/6 + y como se apaga en t = 9/6 + , aplicando a la carga la tensin de
fase S. Por lo tanto el tiristor conduce durante 4/6 radianes equivalente a 120.

La figura 73, muestra cmo se inicia la conduccin del tiristor 3 a partir de t =
9/6 + y cmo se apaga en t = 13/6 + , aplicando a la carga la tensin de
fase T. Por lo tanto el tiristor conduce durante 4/6 radianes equivalente a 120.


Finalmente, la figura 74, muestra la forma de onda del voltaje en la carga.

Figura 74. Convertidor trifsico AC-DC media onda, voltaje en la carga
Vo, cuya frecuencia fundamental es tres veces la de la red de la siguiente manera:

=0, VDC, es mximo positivo y equivale a 33 Vm/2, el mismo valor del
rectificador trifsico de media onda con diodos. Cuando =/2, VDC, es cero.
(ECUACION 35)
/6+
___
Vm sen t dt = (3 3 Vm cos )/(2);
1
2/3
V
DC
=
5/6+


Cuando =, VDC, es mximo negativo y equivale a -33 Vm/2. El anlisis
anterior demuestra que en este caso el convertidor opera en los dos cuadrantes.

cortocircuito.


Estos convertidores se utilizan ampliamente en aplicaciones industriales de hasta
200 KW, en las que se requiera operacin en dos cuadrantes. En el caso del
convertidor AC-DC de onda completa se construye reemplazando los seis diodos
rectificadores del rectificador trifsico de media onda por tiristores. La figura 75,
muestra el circuito de este convertidor. Se analizar el circuito para una carga
altamente inductiva, como en el caso anterior.

(ECUACION 36)
/6+
___
(Vm sen t)
2
dt = 3 Vm (1/6 + 3 cos /(8))
1/2
;
1
2/3
V
RMS
=
5/6+
[ ]
1/2
(ECUACION 37)
/6+
___
Ia dt = Ia/3;
1
2
5/6+
I
TAV
=
(ECUACION 38)
/6+
___
Ia
2
dt = Ia/3;
1
2
5/6+
[
]
I
TRMS
=
1/2


Figura 75. Convertidor trifsico AC-DC onda completa, carga inductiva

La figura 76, muestra las formas de onda de este convertidor bajo estudio. Las
ondas se dibujaron asumiendo que = /3. Los tiristores se disparan en el
momento en que se presentan cruces en los voltajes de fase, que para el caso de
Vcn y Van se presenta en t = /6. A partir de ese momento se inicia la
temporizacin de retardo del ngulo de disparo , para disparar el tiristor 1 en t =
/6 + , conectando la fase R (a) al terminal positivo de la carga hasta t =3/6 +
,. En este intervalo el tiristor 6 esta en conduccin y conecta la fase S (b) al
terminal negativo de la carga, para quedar esta con una diferencia de potencial
VRS (Vab) equivalente a un voltaje de lnea. A partir de t = 3/6 + , el tiristor 1
contina en conduccin y entra ahora a conducir el tiristor 2, quedando la carga
con el voltaje de lnea VRT (Vac) hasta cuando t = 5/6 + . Lo anterior significa
que cada tiristor conduce durante 4/6 es decir 120. Si los tiristores se numeran
en el orden de la figura 76, la secuencia de disparos es: 1-2, 2-3, 3-4, 4-5, 5-6 y 6-
1.


Figura 76. Convertidor trifsico AC-DC onda completa, formas de onda

Vo (frecuencia fundamental es seis veces la de la red), tomando a VRS, de la
siguiente manera:

(ECUACION 39)
/6+
___
3 Vm sen (t + /6) dt = (3 3 Vm cos )/;
1
/3
V
DC
=
/2+


=0, VDC, es mximo positivo y equivale a 33 Vm/, el mismo valor del
rectificador trifsico de onda completa con diodos. Cuando =/2, VDC, es cero.
Cuando =, VDC, es mximo negativo y equivale a -33 Vm/. El anlisis
anterior demuestra que en este caso el convertidor opera en los dos cuadrantes,
tal como lo muestra la figura 77.

Figura 77. Convertidor trifsico AC-DC onda completa, variacin tensin de salida


cortocircuito.

(ECUACION 40)
/6+
___
(3 Vm sen (t + /6))
2
dt = 3 Vm (1/2 + (33 cos2)/4))
1/2
;
1
/3
V
RMS
=
/2+
[ ]
1/2
(ECUACION 41)
/6+
___
Ia dt = Ia/3;
1
2
5/6+
I
TAV
=



Leccin 5: CIRCUITOS CONVERTIDORES AC-AC CON TIRISTORES DE
POTENCIA
Los convertidores AC-AC tienen las siguientes aplicaciones:
Control de potencia: Se mantiene la frecuencia constante (la misma de la
red de alimentacin, 60 Hz) pero se vara el voltaje eficaz aplicado a la
carga con el propsito de controlar la potencia que esta consume. A estos
circuitos se les conoce como controladores de fase y sus principales
aplicaciones son la calefaccin industrial y el control de iluminacin de
luces. Slo dejar control de iluminacin, la parte de luces es redundante
Control de frecuencia: Se les denomina cicloconvertidores, cuya funcin es
convertir potencia AC de una determinada frecuencia en otra potencia AC
de otra frecuencia diferente, menor que la primera. La aplicacin de esta
conversin AC-AC es principalmente la variacin de la velocidad de los
motores de induccin.
CONTROL DE FASE MONOFSICO
El propsito es controlar el voltaje, la corriente y la potencia que entrega una
fuente de AC a una carga AC. La figura 78, muestra los circuitos de este tipo de
controlador de fase monofsico con base en SCR y TRIAC, como tambin la
forma de onda del voltaje en la carga. Obsrvese que esta onda no tiene valor DC,
ya que es totalmente simtrica, debido a que los disparos de las puertas de los
tiristores se hacen con un defasamiento de 180 ( radianes). Si la carga es
puramente resistiva, la corriente por el circuito se encuentra en fase con el voltaje
de carga. En la mayora de las aplicaciones industriales la carga es puramente
resistiva ya que lo que se controla es calor o intensidad lumnica proveniente de
un filamento de una bombilla incandescente.

(ECUACION 42)
/6+
___
Ia
2
dt = Ia/3;
1
2
5/6+
[
]
I
TRMS
=
1/2


Figura 78. Convertidor AC-AC. Control de fase monofsico

Variando el ngulo de disparo , desde 0 hasta , se puede variar el VRMS de la
carga desde Vm/2 hasta 0 voltios respectivamente y as de esta manera se vara
la potencia en la carga R, ya que la potencia es:
P = VRMS
2
/ R.
La figura 79 muestra un circuito de control de fase monofsico, cuyo tiristor es un
TRIAC y el circuito de control de disparo de puerta, permite control de potencia de
(ECUACION 43)
___
( Vm sen t )
2
dt = Vm/2 (1/( - + (sen2)/2))
1/2
;
2
2
V
RMS
=
[ ]
1/2

CONTROL AC CON DOS SCR CONTROL AC CON TRIAC
ANGULO DE DISPARO ()
ANGULO DE CONDUCCION ()
VOLTAJE APLICADO A LA CARGA (Vo)
FUENTE AC FUENTE AC CARGA AC
CARGA AC
T1
T2
DISPARO PUERTA T1 ()
DISPARO PUERTA T2 (+)
CIRCUITO
CONTROL
CIRCUITO
CONTROL


la carga desde un 5% a un 95%. En este circuito con R3 se ajusta el mnimo
ngulo de disparo posible (95% de potencia). R1 consiste en un potencimetro
lineal de eje con el cual se varia el ngulo de disparo, es decir que = f(R1).

Figura 79. Convertidor AC-AC. Control de fase monofsico con TRIAC



Introduccin
La figura 80, muestra el convertidor AC-AC trifsico, alimentando cargas resistivas
conectadas en estrella. Estos circuitos simtricos son bastante empleados porque
no generan tensiones DC y un menor contenido de armnicos (explicar qu son
armnicos). La secuencia de disparo de los tiristores es T1, T2, T3, T4, T5, T6.
Para que fluya la corriente a travs del controlador de corriente, por lo menos dos
tiristores deben conducir. Si todos los dispositivos fueran diodos, tres diodos
conduciran simultneamente siendo el ngulo de conduccin de cada uno de
ellos de 180.
Recordando las ecuaciones que definen los voltajes de fase:
VRN = Vm sen t
VSN = Vm sen (t - 2/3)
VTN = Vm sen (t - 4/3)
Los voltajes de lnea son los siguientes:
VRS = 3 Vm sen (t + /6)
VST = 3 Vm sen (t - /2)
VTR = 3 Vm sen (t - 7/6)

r
s
t
n
R
R
R
R
S
T
N
T1
T4
T3
T6
T5
T2


Figura 80. Convertidor AC-AC. Control de fase trifsico con SCR
Dibujar la forma de onda del voltaje de fase en el lado de la carga es bastante
complejo. A continuacin se describe los valores que toma Vrn en un ciclo, para
un ngulo de disparo = 60:
0 < t < 60 : Vrn = 0; No conduce ningn tiristor
60 < t < 120 : Vrn = 0.5 VRS; Conducen T1, T3
120 < t < 180: Vrn = 0.5 VRT; Conducen T1, T5
180 < t < 240: Vrn = 0; No conduce ningn tiristor
240 < t < 300: Vrn = 0.5 VRS; Conducen T4, T6
300 < t < 360: Vrn = 0.5 VRT; Conducen T4, T2
En este tipo de convertidor AC-AC el rango del ngulo de disparo es:
0< < 150.
El voltaje de salida RMS para la fase r, Vrn, del lado de la carga es:
Para 0< < 60:

Para 60< < 90:

Para 90< < 150:

Leccin 1: CICLOCONVERTIDOR MONOFSICO/MONOFASICO
Un cicloconvertidor es un variador de frecuencia que convierte potencia AC de
una frecuencia a otra frecuencia menor mediante conversin AC-AC. La mayor
aplicacin de estos circuitos es el control de velocidad de motores AC de baja
velocidad hasta 15 KW, con frecuencias en el rango de 0 hasta 20 Hz.
El circuito del cicloconvertidor monofsico/monofsico se muestra en la figura 81,
junto con la forma de onda del voltaje de salida.
(ECUACION 44)
0
___
( Vrn )
2
dt = 3 Vm 1/(/6 /4 + (sen2)/8) ;
1
2
V
RMS
=
2
[ ]
1/2
[ ]
1/2
(EC. 45)
0
___
( Vrn )
2
dt = 3 Vm 1/(/12 + (3 sen2)/16 + (3 cos2)/16) ;
1
2
V
RMS
=
2
[ ]
1/2
[
]
1/2
(EC. 46)
0
___
( Vrn )
2
dt = 3 Vm 1/(5/24 - /4 + (sen2)/16 + (3 cos2)/16) ;
1
2
V
RMS
=
2
[ ]
1/2
[
]
1/2


Figura 81. Convertidor AC-AC. Cicloconvertidor monofsico/monofsico
En la figura 81, se puede observar que la carga se conecta a dos convertidores
AC-DC de onda completa. Uno se emplea para el control de los semiciclos
positivos del voltaje de salida (Convertidor P) y el otro el de los semiciclos
negativos (Convertidor N). Obsrvese como los tiristores del convertidor N estn
conectados invertidos con respecto a los del convertidor P. El convertidor positivo
est activo durante medio ciclo del periodo de la onda de salida (To/2) y lo mismo
sucede con el convertidor negativo. Para que la onda de salida sea simtrica y
tenga un valor DC igual a cero los ngulos de disparo de ambos convertidores
deben ser iguales, el positivo medido desde el inicio del primer ciclo positivo y el
del negativo medido desde el primer ciclo negativo.
En la figura 81 se muestra una onda de voltaje de salida con tres semiciclos
positivos controlados con duracin de 3 y tres semiciclos negativos de igual
duracin para un periodo de To igual a 6. Si la frecuencia de entrada es de 60
Hz, para un periodo de 2, para un periodo de salida tres veces mayor la
frecuencia ser tres veces menor, es decir de 20 Hz.
El valor RMS se calcula de la siguiente manera, para la onda de 20 Hz:

La ecuacin anterior aplica para la siguiente condicin: 0< < .
(ECUACION 47)
___
( Vm sen t )
2
dt = Vm/2 (1/( - + (sen2)/2))
1/2
;
6
6
V
RMS
=
[ ]
1/2


Leccin 2: CICLOCONVERTIDOR TRIFSICO/MONOFSICO
La figura 82, muestra el circuito y la forma de onda de salida de un cicloconvertidor
trifsico/monofsico. Se utilizan dos convertidores AC-DC trifsicos de onda
completa, uno para los ciclos positivos y el otro para los negativos. En la figura 82,
se muestra una onda de salida con un periodo de 10, que equivale a 5 veces
ms que el periodo de la red de alimentacin de 60 Hz, por lo tanto la frecuencia
de la onda de salida ser 5 veces menor es decir de 12 Hz.
El anlisis de este cicloconvertidor es similar al de los convertidores
monofsico/monofsico.
Este tipo de cicloconvertidor se utiliza para el control de velocidad de motores de
induccin monofsicos pero de mayor potencia.

Figura 82. Convertidor AC-AC. Cicloconvertidor trifsico/monofsico
5.5 CICLOCONVERTIDOR TRIFSICO/TRIFASICO
Cuando el motor de induccin a controlar su velocidad es trifsico se requiere de
un convertidor trifsico/trifsico. Empleando tres cicloconvertidores
trifsicos/monofsicos como los de la figura 82, uno por cada fase, se construye
un cicloconvertidor trifsico/trifsico, tal como se muestra en la figura 83.


Figura 83. Convertidor AC-AC. Cicloconvertidor trifsico/ trifsico

Leccin 3: TRANSISTORES DE POTENCIA
Los transistores de potencia se utilizan como interruptores, debido a que tienen
caractersticas de encendido (ON) y apagado (OFF), que se pueden controlar
desde uno de sus terminales. La velocidad de conmutacin de los transistores es
mayor que la de los tiristores y por lo tanto son los dispositivos ideales para las
aplicaciones en convertidores DC-AC y DC-DC, de baja y media potencia ya que
sus especificaciones de tensin y corriente es menor que la de los tiristores
mismos. Se analizaran en este capitulo, los principios de funcionamiento y
especificaciones tcnicas de los transistores MOSFET (Transistores
Semiconductores de Metal Oxido de Efecto de Campo) y los IGBT (Transistores
Bipolares de Compuerta Aislada), ya que son los mas ampliamente utilizados en
electrnica de potencia.
EL TRANSISTOR MOSFET EN CONMUTACIN
En este tipo de transistor su funcionamiento est basado en el transporte de
carga asociado a un nico tipo de portadores, ya sea electrones libres o huecos
(e- o p+). Debido a ello, a veces son conocidos con el nombre de transistores
unipolares, a diferencia de los transistores bipolares (BJT), en los que el transporte
de carga se realiza mediante ambos tipos de portadores inyectados a travs de las
uniones PN polarizadas directamente.


Desde el punto de vista fsico, el principio de funcionamiento se centra en la
accin de un campo elctrico sobre cargas elctricas, provocando su
desplazamiento y, por ende, la corriente elctrica. De ah su nombre genrico de:
FET - Field Effect Transistor.
Se han desarrollado diversas estructuras de transistores FET, segn la tecnologa
y/o necesidades. Las ms importantes son las implementadas con tecnologas
sobre Silicio (Si) como el JFET, o Junction FET, y el MOSFET, o Metal-Oxide-
Semiconductor FET.

Existen cuatro tipos de transistores MOSFET:
MOSFET de enriquecimiento de canal N
MOSFET de enriquecimiento de canal P
MOSFET de empobrecimiento de canal N
MOSFET de empobrecimiento de canal P
Estudiaremos el principio de funcionamiento del MOSFET de enriquecimiento de
canal N ya que el transistor MOSFET, mas empleado en electrnica de potencia.
ESTRUCTURA METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (MOS)
La estructura MOS se compone de dos terminales y tres capas: Un SUBSTRATO
de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de OXIDO
DE SILICIO (SiO2) que posee caractersticas dielctricas o aislantes. Por ltimo,
sobre esta se coloca una capa de METAL (Aluminio o polisilicio), que posee
caractersticas conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto hmico,
como se muestra en la Figura 84.

Figura 84. Estructura MOS


La estructura MOS acta como un condensador de placas paralelas en el que G y
B son las placas y el xido el aislante. De este modo, cuando VGB=0, la carga
acumulada es cero y la distribucin de portadores es aleatoria y correspondiente al
estado de equilibrio en el semiconductor. Si VGB > 0, aparece un campo elctrico
entre los terminales de puerta y substrato. La regin semiconductora p se
comporta creando una regin de empobrecimiento de cargas libres p+ (zona de
deplexin), al igual que ocurriera en la regin P de una unin PN cuando estaba
polarizada negativamente. Esta regin de iones negativos se incrementa con VGB.
Al llegar a una cota de VGB, los iones presentes en la zona semiconductora de
empobrecimiento no pueden compensar el campo elctrico y se provoca la
acumulacin de cargas negativas libres (e-) atrados por el terminal positivo. Se
dice entonces que la estructura ha pasado de estar en inversin dbil a
inversin fuerte. El proceso de inversin se identifica con el cambio de polaridad
del substrato debajo de la regin de puerta. En inversin fuerte, se forma as un
CANAL de e- libres en las proximidades del terminal de gate (puerta) y de huecos
p+ en el extremo de la puerta.
La intensidad de puerta, iG, es cero, puesto que en continua se comporta como un
condensador (GB). Por lo tanto, la impedancia desde la puerta al substrato es
prcticamente infinita e iG=0 siempre en esttica. Bsicamente, la estructura MOS
permite crear una densidad de portadores libres suficiente para sustentar una
corriente elctrica, tal como se muestra en la figura 85.

Figura 85. Estructura MOS: (a) Inversin dbil; (b) Inversin fuerte
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N
Se trata de una estructura MOS de cuatro terminales en la que el substrato
semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interfase Oxido-
Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente dopado
(n+), tal como se puede observar en la figura 86, junto con su smbolo.


Figura 86. Estructura MOSFET de enriquecimiento Canal N y smbolo.
Los cuatro terminales de la estructura de la Figura 86 son:
G -- Puerta o Gate
B -- Substrato o Body
D -- Drenador o Drain
S -- Fuente o Source
Obsrvese la estructura MOS de la Figura 87. En ella aparecen diversas fuentes
de tensin polarizando los diversos terminales: VGS, VDS. Los terminales de
substrato (B) y fuente (S) se han conectado a GND. De este modo, VSB=0, se
dice que no existe efecto substrato. En los MOSFET se cumple siempre la
siguiente condicin: iG=0 e iD = iS.

D
G
S
B


Figura 87. Polarizacin del MOSFET de enriquecimiento de canal N
Se consideran ahora tres casos, segn los valores que tome la tensin vGS:
1) VGS = 0
Esta condicin implica que VGB=0, puesto que VSB=0. En estas condiciones no
existe efecto campo y no se crea el canal de e- debajo de la puerta. Las dos
estructuras PN se encuentran cortadas (B al terminal ms negativo) y aisladas.
iDS = 0 aproximadamente, pues se alimenta de las intensidades inversas de
saturacin. (VGS= 0 iDS= 0)
2) La tensin VGS crea la zona de empobrecimiento o deplexin en el canal. Se
genera carga elctrica negativa en el canal debida a los iones negativos de la red
cristalina (similar a la de una unin PN polarizada en la regin inversa), dando
lugar a la situacin de inversin dbil anteriormente citada. La aplicacin de un
campo elctrico lateral VDS > 0, no puede generar corriente elctrica iDS.
3) La tensin VGS da lugar a la inversin del canal y genera una poblacin de e-
libres debajo del oxido de puerta y p+ al fondo del substrato. Se forma el CANAL N
o canal de electrones, entre el drenador y la fuente (tipo n+) que modifica las
caractersticas elctricas originales del sustrato. Estos electrones son cargas
libres, de modo que en presencia de un campo elctrico lateral podran verse
acelerados hacia D o S. Sin embargo, existe un valor mnimo de VGS para que el
nmero de electrones sea suficiente para alimentar esa corriente es VTn,
denominada TENSIN UMBRAL.
Por lo tanto, se pueden diferenciar dos zonas de operacin para valores de vGS
positivos:
Si VGS < VTn la intensidad iDS = 0 (en realidad solo es aproximadamente
cero) y se dice que el transistor opera en inversin dbil. En ella, las
corrientes son muy pequeas y su utilizacin se enmarca en contextos de
muy bajo consumo de potencia. Se considerar que la corriente es siempre
cero. En este caso el transistor se encuentra en CORTE (OFF).
Si VGS >= VTn, entonces iDS es distinto de cero, si VDS es mayor de
cero. Se dice que el transistor opera en inversin fuerte.
La figura 88 (a) muestra el caso de la inversin dbil y la 88 (b) la inversin fuerte.


Figura 88. (a) Inversin dbil; (b) Inversin fuerte
Mientras mayor sea el valor de VGS, mayor ser la concentracin de cargas libres
en el canal y por tanto, ser superior la corriente iDS. Al ser la intensidad iDS
proporcional a VGS y VDS, se puede estudiar la relacin paramtrica (iDS, VDS)
con VGS como parmetro. Se obtiene la curva de la Figura 89. En ella se aprecia
cmo a partir de un valor dado de la tensin VDS, la intensidad iDS permanece
constante. En este caso se dice que el transistor se encuentra en SATURACIN
(ON).

Figura 89. Caracterstica I-V del MOSFET de enriquecimiento canal N


Se puede resumir lo expuesto de la siguiente manera:
REGION DE CORTE:
VGS = 0 , entonces, iDS = 0
REGION DE CONDUCCION:
VGS >= VT, entonces, iDS > 0, si VDS > 0.
Dentro de esta regin existen dos posibles estados del MOSFET:
- REGION HMICA: iDS aumenta con VDS, es decir, el MOSFET se
comporta como una resistencia (no lineal).
- REGION DE SATURACIN: iDS es aproximadamente constante con
VDS. El MOSFET se comporta como una fuente de intensidad
controlada por tensin (VGS = cte).
PARAMETROS DE SELECCIN DE UN MOSFET COMO SWITCH
A continuacin se presentan las especificaciones tcnicas de un transistor
MOSFET de enriquecimiento canal N, fabricado por Internacional Rectifier
(www.ifr.com):



Leccin 4: EL TRANSISTOR IGBT EN CONMUTACIN
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor) es
un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrnica de potencia. Posee la caractersticas de las
seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta
corriente y voltaje de baja saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta
aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en
un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.

CAMPOS DE APLICACIN
Los transistores IGBT han permitido desarrollos hasta entonces no viables en
particular en los variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en
maquinas elctricas y convertidores de potencia, en aplicaciones del automvil,
tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin,
domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz y ha
sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y
medias energas como fuente conmutada, control de la traccin en motores y
cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos
colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos
de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.


Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la
capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de
base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de
conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de
electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los MOSFET. Maneja
ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a
los primeros.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin
de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas
de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE UN IGBT
La figura 90, muestra la construccin interna de un IGBT. Obsrvese que es
similar a la de un MOSFET, pero se le ha agregado una capa de material P+, para
obtener el terminal de colector.

Figura 90. Estructura interna de un IGBT
La figura 91, muestra el circuito equivalente del IGBT y su respectivo smbolo.


Figura 91. Circuito equivalente y smbolo de un IGBT
Considrese que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que
no existe ningn voltaje aplicado al Gate. Si un voltaje VGS es aplicado al Gate, el
IGBT se enciende inmediatamente, la corriente IC es conducida y el voltaje VCE
se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo
TON en el que la seal en el Gate es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal
de colector C debe ser polarizada positivamente con respecto al terminal de
emisor E. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al Gate
G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15V,
puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la
corriente de Ic es igual a la corriente de carga IE (asumida como constante). Una
vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el Gate.
Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el Gate
es muy baja.
EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal
Gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en
el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor lmite VGTH para el estado de cambio de encendido a
apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje
VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de
encendido se mantiene bajo, el Gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la
corriente Ic se autolimita.
PARAMETROS DE SELECCIN DE UN IGBT COMO SWITCH


A continuacin se presentan las especificaciones tcnicas de un transistor IGBT,
canal N fabricado por Internacional Rectifier (www.ifr.com):



Leccin 5: CIRCUITOS CONVERTIDORES DC - AC
La generacin de una seal alterna (AC) a partir de una fuente de corriente
continua (DC) es uno de los procesos de conversin de potencia elctrica ms
empleados en la actualidad. Entre sus aplicaciones cabe mencionar el control de
sistemas de iluminacin de emergencia, autotrnica, control de motores de imn
permanente y control de posicin y velocidad de motores de induccin (Vase la
figura 92). Los circuitos que llevan a cabo esta conversin reciben el nombre de
inversores.

Figura 92. Aplicacin de los inversores en drivers de motores AC
Otro campo de gran demanda para los inversores es el de los sistemas de
alimentacin ininterrumpidos (UPS) que permiten la operacin segura de cargas
crticas como los sistemas satelitales, equipo para control de trfico areo, nodos
de Internet, transacciones bancarias y equipos para soporte de la vida, entre otros.
La figura 93, muestra el diagrama de bloques de una UPS.
En conclusin, un inversor es un circuito utilizado para convertir corriente continua
en corriente alterna. La funcin de un inversor es cambiar un voltaje de entrada de
corriente directa a un voltaje simtrico de salida de corriente alterna, con la
magnitud y frecuencia deseada por el usuario o el diseador.


Figura 93. Aplicacin de los inversores en UPS
Los inversores son utilizados en una gran variedad de aplicaciones, desde
pequeas fuentes de alimentacin para computadoras (fuentes conmutadas),
hasta aplicaciones industriales para manejar alta potencia. Los inversores tambin
son utilizados para convertir la corriente continua generada por los paneles solares
fotovoltaicos, acumuladores o bateras, etc, en corriente alterna y de esta manera
poder ser inyectados en la red elctrica o usados en instalaciones elctricas
aisladas. (Vase la figura 94).

Figura 94. Aplicacin de los inversores en conversin de energas alternativas
Un inversor simple consta de un oscilador que controla a un transistor, el cual es
utilizado para interrumpir la corriente entrante y generar una onda cuadrada.
Esta onda cuadrada alimenta a un transformador que suaviza su forma,


hacindola parecer un poco ms una onda senoidal y produciendo el voltaje de
salida necesario. Las formas de onda de salida del voltaje de un inversor ideal
debera ser sinusoidal.
Los inversores, se pueden clasificar en general de dos tipos:
Inversores monofsicos (120 V- 60 Hz)
Inversores trifsicos. (3 X120/208 V 60 Hz)
Las normas generales que deben cumplir los inversores son:
Dado que los inversores deben proveer una salida de corriente alterna, sta
debe tener valor medio nulo y ser simtrica respecto al eje del tiempo, con
los dos semiperodos de forma idntica, de igual duracin, desfasados de
180y de signos opuestos. A su vez cada semiperodo debe ser simtrico
respecto a 90.
En los inversores trifsicos, adems se exige que las tres ondas de salida
constituyan un sistema simtrico y equilibrado.
El inversor ideal debera entregar una onda de tensin senoidal, es decir sin
contenido armnico, como lo es la tensin de red. Por tanto, mejor
prestacin y rendimiento tendr aquel inversor cuya salida tenga menor
cantidad de armnicos.
Todos los inversores cualquiera sea el tipo, debe estar preparados para
alimentar cargas con componentes reactivos.
El circuito de potencia de los inversores se implementa con elementos de
conmutacin: MOSFET, BJT, MCT, SIT, IGBT, GTO, SCR, etc.
La eleccin del elemento adecuado es en funcin de la potencia; tensin y
frecuencia requeridos por la carga y el costo del mismo.
El circuito de control de hecho deber adaptarse al elemento seleccionado no slo
para el correcto funcionamiento del inversor, sino adems para cumplir con las
condiciones particulares que exija la aplicacin.



Introduccin
Para bajas (desde unos 500w), medianas y altas potencias (hasta 10 KW) en
aplicaciones monofsicas este inversor es el circuito por excelencia, no obstante
cuando la fuente de alimentacin es de 6V o menor, no es recomendable ya que
conducen dos elementos en serie y por tanto su rendimiento no ser bueno.

Leccin 1: INVERSOR MONOFSICO DE MEDIO PUENTE O PUSH PULL
Para bajas (desde unos 500w), medianas y altas potencias (hasta 10 KW) en
aplicaciones monofsicas este inversor es el circuito por excelencia, no obstante
cuando la fuente de alimentacin es de 6V o menor, no es recomendable ya que
conducen dos elementos en serie y por tanto su rendimiento no ser bueno.
La figura 95, muestra el circuito de potencia implementado con fuente de tensin
DC (E), utilizando transistores, pudiendo emplearse cualquier otro elemento de
potencia (MOSFET, IGBT), menos tiristores.

Figura 95. Puente Inversor Monofsico
La fuente se ha representado por una batera, pudiendo ser un rectificador a
diodos o controlado segn la necesidad, pero es necesario que la tensin que
alimenta al puente no presente ondulacin, es decir que sea lo ms continua
posible, por tanto son recomendables los rectificadores polifsicos con filtro a
capacitor de salida.
La conduccin se establece en forma diagonal, los transistores Q1 y Q2 conducen
al mismo tiempo durante un semiciclo y luego en el otro semiciclo conducen Q3 y


Q4. Siempre y sin excepcin la conduccin, cualquiera sea los elementos
utilizados se realiza en conmutacin, es decir los estados son corte y saturacin,
nunca quedan operando en zona activa, salvo el momento en que se produce la
conmutacin.
Dichos transistores operan de acuerdo a la seal que reciben en sus bases, para
el caso de que la salida aplicada a la carga se pretenda de onda cuadrada, la
seal ser tambin cuadrada. La corriente de carga es un parmetro dependiente
y por tanto adoptar una forma de onda impuesta por dicha carga.
En la figura 96 se muestran las seales de excitacin de los transistores y en la
figura 97, la tensin de salida aplicada sobre la carga. Para una carga R pura la
corriente tendr esta misma forma de onda, mientras que para una carga inductiva
L pura, la corriente ser lineal por tramos y atrasada en 90de la tensin como se
ve en la figura 97.

Figura 96. Tensiones de control del Puente Inversor Monofsico
Puede apreciarse aqu la intervencin de los diodos que conducen durante un
tiempo de T/4, de manera que los transistores en este caso han reducido su
tiempo de conduccin que para carga R pura es de T/2, a tan solo T/4.
En efecto cuando conducen los transistores Q1 y Q2 se tiene tensin en la carga
positiva y corriente positiva, por tanto la potencia entregada a la carga es positiva,
la fuente entrega energa a la carga, mientras que cuando conducen los diodos D3


y D4, la tensin es negativa y la corriente sigue siendo positiva, resultando una
potencia negativa, la carga devuelve energa a la fuente. Como la carga es L
pura, la energa puesta en juego es puramente reactiva, no hay consumo de
energa y en consecuencia toda la energa recibida por la inductancia es devuelta
a la fuente.

carga puramente inductiva
Los dos casos vistos de carga R pura y L pura en la prctica solo pueden
aproximarse a casos particulares, por ejemplo cuando la carga se acopla a travs
de un transformador de salida, cabe hacer el estudio para el caso de que dicho
transformador se encuentre en vaco, siendo entonces los resultados muy
similares al de carga inductiva pura.
Los casos reales en general son de cargas RL, como el mostrado en la figura 98.


carga RL
Ntese aqu como se ha reducido el tiempo de conduccin de los diodos y ha
mejorado el defasaje entre corriente y tensin.
El valor RMS de la tensin de salida se calcula de la siguiente manera:

Desarrollando la serie trigonomtrica de Fourier para la tensin de salida del
inversor se tiene:

(ECUACION 48)
0
___
( E )
2
dt = E;
2
T
V
RMS
=
T/2
[ ]
1/2
Vo(t) = (4/) E
= , 5 , 3 , 1
.
1
n
Senwt
n
(ECUACION 49)


El valor RMS para la tensin de salida fundamental o primer armnico (n=1), es el
siguiente:
V1RMS = 4 E / (2) = 0.9 E ; (ECUACION 50)
La ecuacin 50, muestra el valor RMS de la tensin de salida si se empleara un
filtro pasabajas que dejara pasar solo la componente fundamental y la onda sera
una senoidal pura. La figura 99, muestra el espectro de frecuencia de la onda
cuadrada de tensin de salida del inversor.

Figura 99. Espectro de frecuencia de la tensin de salida del Puente Inversor
Monofsico

Leccin 2: INVERSOR TRIFSICO
El inversor trifsico se utiliza normalmente para los circuitos que necesitan una
elevada potencia a la salida.
Los primarios de los transformadores deben estar aislados unos de los otros, sin
embargo, los secundarios se pueden conectar en tringulo o en estrella, tal como
se muestra en la figura 100.
Los secundarios de los transformadores se conectan normalmente en estrella para
de esta forma eliminar los armnicos de orden 3, (n = 3, 6,9...) de la tensin de
salida.


Figura 100. Formas de conexin de los secundarios de los transformadores
Este inversor se puede conseguir con una configuracin de seis transistores y seis
diodos como se muestra en la figura 101, que muestra tres inversores
monofsicos conectados en paralelo.

Figura 101. Inversor trifsico puente
A los transistores le podemos aplicar dos tipos de seales de control: desfasadas
120 180 entre s.
A continuacin se analizara nicamente el caso de las seales de control
desfasadas 180.
Cada transistor conduce durante 180. Desfasando convenientemente las seales
de control de los transistores se hace que conduzcan en cualquier instante tres de
ellos. En la figura 101 cuando se dispara Q1 el terminal a queda conectado al
extremo positivo de la fuente de continua.


Se tienen seis modos de operacin durante un ciclo y la duracin de cada uno de
ellos es de 60, siendo la secuencia de disparo de los transistores: 1,2,3 - 2,3,4 -
3,4,5 - 4,5,6 - 5,6,1 - 6,1,2. Las seales aplicadas en puerta a los transistores se
muestran en la figura 102.

Figura 102. Seales de control de puerta y tensiones de lnea del Inversor trifsico
puente
Existen tres modos de operacin por semiciclo y sus circuitos equivalentes se
muestran en la figura 103.

Figura 103. Circuitos equivalentes por semiciclo del Inversor trifsico puente


A continuacin se hace el anlisis de circuitos de cada uno de los tres modos,
para las tensiones de fase:
Modo 1 para 0 < t < /3 se tiene:

Modo 2 para /3 < t < 2/3 se tiene:

Modo 3 para 2/3 < t < se tiene:

La figura 104, muestra las formas de onda de las tensiones de fase y las tensiones
de lnea, recordando que las tensiones de fase son:
Van,
Vbn,
Vcn
Las tensiones de lnea se forman a partir de las de fase de la siguiente manera:
Vab = Van Vbn


Vbc = Vbn Vcn
Vca = Vcn Van

Figura 104. Tensiones de fase y de lnea del Inversor trifsico puente
Obsrvese como tanto las tensiones de fase y de lnea se encuentran desfasadas
120, como era de esperarse en un sistema trifsico.


Desarrollando la serie trigonomtrica de Fourier para las tensiones de lnea se
tiene:

Las tensiones eficaces de lnea se calculan de la siguiente manera:

De la ecuacin 50 se obtiene el voltaje RMS de lnea de la n-sima componente:

Haciendo n = 1, se obtiene el valor RMS de lnea del primer armnico:

El valor RMS de la tensin de fase se calcula a partir de la tensin de lnea as:

(ECUACION 50)
(ECUACION 51)
(ECUACION 52)
(ECUACION 53)
(ECUACION 54)
(ECUACION 55)
(ECUACION 56)


Leccin 3: INVERSOR TRIFSICO COMERCIAL
A continuacin se muestra las caractersticas tcnicas de un inversor trifsico
comercial de 100 KW (www.xantres.com):

El diseo del inversor para conexin a red GT100E proviene de nuestra probada
plataforma para sistemas fotovoltaicos y aerogeneradores, utilizada en el mercado
norte-americano y europeo. Fcil de instalar y operar, el GT100E automticamente
controla el arranque y la parada. Incorpora un sistema avanzado de seguimiento
de la potencia mxima (MPPT) para maximizar la energa obtenida de los paneles
fotovoltaicos. Para minimizar las prdidas durante el proceso de inversin, usamos
tecnologa de conmutacin mediante transistores bipolares de puerta aislada
(IGBTs). Se pueden paralelizar mltiples inversores para instalaciones de ms
potencia. Diseado para las instalaciones fotovoltaicas europeas, el GT100E
cumple con todos los requisitos CE, el Real Decreto en Espaa (RD 661/2007) y
ha sido certificado por TV Rheinland.
Caractersticas:


Controles mediante procesador digital de seal (DSP) con autodiagnsticos
y panel VFD para visualizar el estado operativo.
El inversor posee desconectores y seccionadores.
Fallos de sobretensin, infratensin y proteccin de frecuencia provocando
la parada del inversor.
La proteccin anti-isla previene la generacin de energa en caso de corte
de energa.
El usuario puede definir los puntos de potencia en funcin de los paneles,
as como para personalizar las secuencias de arranque y parada.
Software grfico para comunicacin y control en tiempo real.
Opciones:
Monitorizacin remota mediante mdem telefnico
Notificacin de fallos va MODEM
Adquisicin de datos y registro
Extensiones de garanta



Leccin 4: CONVERTIDORES DC - DC
Los convertidores son dispositivos electrnicos encargados de transformar la
energa suministrada a la entrada en otra de caractersticas predeterminadas.
El concepto de conversin esttica de energa constituye un aspecto esencial para
cualquier sistema basado en componentes electrnicos, desde un computador a
un instrumento de medida, pasando por un perifrico o un sistema de
telecomunicaciones.
Dentro de este concepto, la conversin de corriente continua a corriente continua
(DC/DC) tiene una gran importancia, ya que la gran mayora de los equipos
electrnicos e informticos, tanto de uso domstico como industrial, precisan de
una alimentacin de tensin continua. A menudo sta debe obtenerse a partir de
la red, siendo necesario realizar previamente una conversin AC/DC. La
conversin DC/DC significa la obtencin de una tensin continua con unas
caractersticas determinadas a partir de otro nivel de tensin que no las posee.
En la actualidad existen dos mtodos claramente diferenciados para realizar la
conversin DC/DC:
Los convertidores lineales basados en el empleo de un elemento
regulador que trabaja en su zona resistiva disipando energa.
Los convertidores conmutados, que se basan en el empleo de elementos
semiconductores que trabajan en conmutacin (corte/conduccin),
regulando de esta forma el flujo de potencia hacia la salida del convertidor.
Estos dispositivos semiconductores pueden ser, indistintamente, un
transistor (BJT, MOSFET, IGBT) o un tiristor o GTO.
Debido al gran nmero de ventajas patentes entre este tipo de convertidores
(conmutados) sobre los anteriores (lineales), analizaremos nicamente los
principios de los convertidores conmutados, tambin denominados choppers. La
figura 105 muestra la concepcin de un convertidor DC-DC.


Figura 105. Principio de un convertidor DC-DC
Ahora bien, las aplicaciones de los convertidores DC/DC recaen
fundamentalmente sobre dos campos:
Fuentes de alimentacin conmutadas. Son fuentes de alimentacin en
las que el regulador en vez de ser lineal es conmutado, consiguindose un
importante aumento del rendimiento y una buena respuesta dinmica.
Alimentacin de motores de corriente continua, cuya regulacin
requiere tensiones continuas variables. Las potencias utilizadas en este
caso son considerables.
Como un convertidor DC/DC es un sistema electrnico cuya misin es transformar
una corriente continua en otra de igual carcter pero diferente valor, se puede
encontrar un smil en alterna con los transformadores y su relacin de
transformacin.
En funcin de la razn existente entre la tensin de entrada en el chopper y la de
salida se pueden clasificar los convertidores DC/DC, en principio de forma general
en:
Convertidores reductores: La tensin que se obtiene a la salida del
chopper es inferior a la aplicada a la entrada. En este caso la razn de
transformacin dada por VDC/E es menor que la unidad. Donde VDC es el
valor promedio de la tensin de salida y E es el valor DC de la tensin de
entrada al convertidor.
Convertidores elevadores: La tensin de salida es mayor que la que
existe a la entrada. Por lo que VDC/E>1.

Leccin 5: CONVERTIDOR DC-DC REDUCTOR


La figura 106 muestra el circuito bsico de un convertidor DC-Dc reductor con
carga resistiva pura y empleando como dispositivo de conmutacin un transistor
MOSFET o un IGBT.

Figura 106. Convertidor DC-DC reductor
El conmutador se abre y se cierra siguiendo una seal de periodo T denominado
periodo de convertidor. El tiempo durante el cual el conmutador est cerrado, y
por tanto la carga se encuentra conectada a la fuente primaria de energa, se
denominara tiempo de conduccin, TON. Por otro lado el tiempo que el
conmutador permanece abierto, dejando aislada la carga, se llamar tiempo de
bloqueo, TOFF. La suma de TON y TOFF, como se puede apreciar en la figura,
da el periodo de convertidor (T).
Cuando el conmutador est cerrado, 0< t < TON, la tensin de la fuente se refleja
en la carga, provocando la circulacin de corriente a travs de ella. Si por el
contrario est abierto, TON < t < T, el vnculo entre la fuente y carga se rompe,
quedando esta ltima aislada de la primera. Como la carga es resistiva pura, la
corriente circulante por la misma, en estas condiciones, se anula completamente.
El voltaje promedio o DC en la carga se calcula determina de la siguiente manera:

Donde, al cociente entre TON y T se le denomina ciclo de trabajo, .
La tensin eficaz en la carga se calcula de la siguiente manera:

V
F
V
O
V
GS
V
F
0
1
0
V
O
V
GS
T
ON
T
t
T
ON
T
t
E
E
VDC
VDC (ECUACION 57)
(ECUACION 58)


Considerando que todos los elementos que participan en el convertidor son
ideales y que no se producen prdidas en los mismos, se puede decir que la
potencia de entrada es la misma que la obtenida a la salida del convertidor. Por
tanto:

De las ecuaciones anteriores se puede concluir que:
La tensin media en la carga, VDC, es directamente proporcional a la
tensin aplicada a la entrada del convertidor.
Variando TON se consigue hacer oscilar entre 0 y 1, con lo que la tensin
promedio de salida podr variar entre 0 y E. De esta manera se puede
controlar el flujo de potencia a la carga.
Se ha visto como la tensin y la potencia entregada a la carga estn en funcin de
, cociente entre TON y T. Pues bien, a dicho cociente se le denomina ciclo de
trabajo. Y se define como la fraccin del periodo del convertidor en el cual el
interruptor se halla cerrado.

Como se deduce de la ecuacin 57, la tensin DC que aparece a la salida del
convertidor depende nicamente del ciclo de trabajo y del valor de la fuente de
alimentacin. Como esta ltima generalmente se mantendr constante, se dispone
de la variacin del ciclo de trabajo como nico medio posible de modificar la
tensin de salida.
Analizando la expresin que define el ciclo de trabajo se puede deducir que se
presentan tres formas diferentes de modificar el ciclo de trabajo, y por tanto la
tensin de salida:
a) Variando el tiempo de conduccin TON, al mismo tiempo que se mantiene
T fijo. Llamado tambin Modulacin por Ancho de Pulso (PWM) ya que la
frecuencia de la seal del convertidor se mantiene constante mientras que no
ocurre as con la anchura del pulso que define el tiempo de conduccin del
convertidor.
(ECUACION 59)


b) Variando T y conservando TON constante. Denominado Modulacin de
Frecuencia ya que es la frecuencia del convertidor la que vara. El inconveniente
ms destacado de este mtodo de control se encuentra en la generacin
indeseada de armnicos a frecuencias impredecibles, por lo que el diseo del
consiguiente filtro se revestir de una complejidad en algunos casos excesiva.
c) Modificando ambos
8.2 CONVERTIDOR DC-DC ELEVADOR
La figura 107, muestra el circuito bsico de un convertidor DC-DC elevador.

Figura 107. Convertidor DC-DC elevador
El interruptor representa al elemento de conmutacin (BJT, MOSFET, IGBT).
Cuando el interruptor est cerrado (0< t < TON), toda la tensin de la fuente
primaria E se aplica sobre la bobina (Figura 108), lo que provoca que la corriente
circulante por la misma aumente, almacenando la inductancia energa durante
este intervalo y al mismo tiempo el condensador (Con una capacitancia C muy
grande) se descarga a travs de la carga, ya que previamente se haba cargado
cuando el interruptor se encontraba abierto. El diodo en este intervalo de tiempo
se encuentra polarizado inversamente y por lo tanto no conduce, desconectando
la carga de la fuente de energa.

Figura 108. Convertidor DC-DC elevador. Intervalo de carga de la bobina
E
E


Si ahora el interruptor se abre (TON < t < T), la tensin que existe en la bobina se
suma a la tensin de fuente, obtenindose una tensin de salida Vo, siempre
superior a esta ltima y de idntica polaridad (Figura 109). Al mismo tiempo, la
energa almacenada previamente por la bobina se transfiere a la carga a travs
del diodo D, obligando a la corriente a disminuir. En este intervalo de tiempo el
condensador se encuentra en proceso de carga y el diodo esta polarizado
directamente y por lo tanto conduce.

Figura 109. Convertidor DC-DC elevador. Intervalo de descarga de la bobina
A continuacin se efectuaran los clculos para determinar el valor de la tensin
DC a la salida en funcin de la tensin de entrada E y el ciclo de trabajo
Anlisis con el conmutador cerrado (0 < t < TON ):
La figura 110, muestra el comportamiento de la corriente de la bobina en
el tiempo.

Figura 110. Convertidor DC-DC elevador. Comportamiento de la corriente de la
bobina
Obsrvese como al inicio del tiempo de encendido TON, la corriente de la
bobina se encuentra en su valor mnimo, I1, para iniciarse el proceso de
carga y al terminar este tiempo, se carga a su valor mximo, I2.
E
TON TOFF


Cuando el interruptor se cierra la tensin en los extremos de la bobina
cumple con la siguiente expresin:

Integrando esta ecuacin entre 0 y TON (para dt), y desde I1 hasta I2
para (di), se puede decir:

Anlisis con el conmutador cerrado (TON < t < T ):
La tensin en la carga ser:

Como el incremento de la intensidad circulante por la bobina durante el
TON del convertidor es idntico al decremento de la misma durante el
TOFF del mismo, entonces se tiene que:

Colocando la expresin en parntesis en funcin del ciclo de trabajo , se
tiene que la tensin en la carga es igual a:

De esta ltima ecuacin se deducen las siguientes consecuencias:
Si el ciclo de trabajo es igual a cero, es decir el conmutador nunca se cierra,
es decir permanece siempre abierto, la tensin de salida es igual a la de la
fuente de energa.
(ECUACION 59)


Aumentando el ciclo de trabajo, aumenta la tensin de salida por encima de
la de entrada.
Matemticamente si el ciclo de trabajo es igual a uno, la tensin de salida
es infinita, algo que es imposible fsicamente.
Si se coloca un condensador suficientemente grande en paralelo con la carga, la
tensin en sta se mantendr prcticamente constante e igual a su valor medio,
que ser:

(ECUACION 60) VDC


ACTIVIDADES DE AUTOEVALUACIN DE LA UNIDAD

1. Realice un resumen (profundizando en fuentes externas), acerca de
los circuitos convertidores AC-DC con tiristores de potencia.
2. Relice un cuadro comparativo entre los tipo de convertidores AC-AC.
3. Realice un resumen de los diferentes transistores de potencia
empleados en la electrnica de potencia.
4. Realice un resumen (profundizando en fuentes externas), acerca de la
aplicacin de los inversores


FUENTES DOCUMENTALES DE LA UNIDAD 2
MUHAMMAD, Rashid .Electrnica de potencia , Circuitos dispositivos y
aplicaciones . Mexico. 3. Edicin . Prentice Hall , 2004.

CHAPMAN, Stephen J. Mquinas elctricas. Colombia 3. Edicin . Mc Graw
Hill, 2002

TURNBULL , Murphy. Power Electronic Control of AC Motors,. Gran Bretaa, 1a
Edicin . Editorial Pergamon Press. 1988.

SUGANDHI R:K., SUGANDHI K:K., Tiristores, conceptos y aplicaciones , Mexico
. 1 Edicin . Editorial Limusa , 1985.

HART Daniel . W. Electrnica de potencia. 2 Edicin .Prentice Hall . 2003.

MOHAN , Ned., UNDERLAND, Tore. Power electronics: converters, aplications
and design. 2 a edicin . Ed Jhon Wiley . 1995.

KASSAKIAN Jhon G. Principles of Power Electronics. 1a Edicin . Ed Adisson
Wiley . 1998


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