Sobre los semiconductores y

sus principales aplicaciones

Francisco Javier Ulla Pedrera
Asignatura Fsica del Estado Solido 3 Fsicas grupo D.
Universidad omplutense de !adrid.
"os semiconductores son un tipo de materiales cuya caracterstica esencial es #ue
pueden comportarse como conductores o como aislantes seg$n las condiciones %sicas a las
#ue est&n sometidos. En la actualidad son los materiales m&s utili'ados en la industria
tecnol(gica y tienen una importancia capital para la sociedad moderna.
En el siguiente traba)o e*plicaremos brevemente el %uncionamiento de estos materiales as
como sus principales aplicaciones+ entre los temas #ue trataremos est&n,
-istoria de los semiconductores.
Descripci(n %sica de los semiconductores.
Semiconductores e*trnsecos.
.. /ipo 0.
1. /ipo P.
Aplicaciones de semiconductores en dispositivos electr(nicos.
.. /ermistores.
1. /ransductores de presi(n.
3. Diodos uni(n P20 .
3. 4eneraci(n y recepci(n de se5al en sistemas %ot(nicos.
6nvestigaci(n actual en %sica de semiconductores.


"a 7istoria de los semiconductores se remonta al a5o .89:+ cuando Ambrose Fleming+
en busca de un detector de se5ales el;ctricas desarrolla un dispositivo con dos elementos+ el
diodo de vaco. A su ve' en ese a5o se produce el desarrollo de la primera c;lula %otoel;ctrica
tomando como base el e%ecto %oto el;ctrico+ a5os m&s tarde esto dar& lugar al comien'o de la
investigaci(n entre otras cosas de la televisi(n. ontin$an desarroll&ndose dispositivos como
el trodo y comien'an a utili'arse cristales como detectores de se5al. Sobre .839 <durante la
Segunda 4uerra !undial = se busca un detector de cristal #ue satis%aga las necesidades del
radar+ esto origina un desarrollo muy r&pido de la industria electr(nica 7asta #ue %inalmente el
diodo semiconductor se impone al diodo de vaco #ue pr&cticamente es abandonado+ esto se
debe a una serie de venta)as del diodo semiconductor %rente al de vaco entre las #ue
destacan, dimensiones reducidas+ capacidad para captar se5ales de muy alta %recuencia+
capacidades en paralelo muy pe#ue5as etc.
/ras 7aber introducido brevemente el conte*to 7ist(rico vamos a pasar a la
descripci(n %sica de los semiconductores.
Descripcin fsica:
"os materiales electr(nicos se pueden clasi%icar de %orma gen;rica seg$n su
conductividad como conductores y aislantes+ sin embargo e*isten un tipo de materiales+ los
semiconductores+ #ue conducen o no seg$n las condiciones a las #ue est&n sometidos+ vemos
#ue de %orma intuitiva el estudio de este tipo de materiales es muy importante ya #ue conocer
las condiciones seg$n las cuales esos materiales van a conducir o no y de #u; %orma lo van a
7acer puede tener un gran n$mero de aplicaciones %sicas < como realmente sucede =.
E*isten diversos modelos %sicos con los #ue estudiar estos materiales+ nosotros lo
vamos a 7acer mediante el modelo de bandas de energa.
"os materiales van a presentar dos tipos de bandas de energa+ banda de valencia y
banda de conducci(n.
"a banda de valencia es la banda energ;tica m&s alta ocupada por los electrones en el
cero absoluto+ #ue son los electrones de valencia y por tanto los #ue %ormaran los enlaces
#umicos+ esta banda no tiene la capacidad de conducir la electricidad <mediante electrones=
por lo #ue si un electr(n se encuentra en ella no in%luir& en la conducci(n del material.
Por otro lado+ la banda de conducci(n es el intervalo de energas electr(nicas #ue
permite a los electrones su%rir aceleraciones por la presencia de un campo el;ctrico y por tanto
permite la e*istencia de corrientes el;ctricas.
"a particularidad de los semiconductores es #ue estas dos bandas est&n separadas
entre s por un gap de energa pro7ibida por lo #ue+ para #ue el material condu'ca+ los
electrones de valencia deben ad#uirir una cierta energa su%iciente para #ue pasen de la banda
de valencia a la de conducci(n. "a anc7ura de este gap a 399> va desde 9+1? Ev para el
Seleniuro de Plomo <66= 7asta los : Ev para el Diamante+ el cual ya se considera seg$n el caso
un aislante+ la anc7ura tpica podemos tomarla entorno a . Ev siendo .+. Ev para el silicio+ #ue
es el material semiconductor tipo+ la mayora de semiconductores tienen valencia 3. Para
7acernos una idea de este modelo vamos a ver un es#uema,

A#u vemos las dos bandas de energa separadas por el gap+ en una situaci(n en la #ue
los electrones no tuvieran energa su%iciente para atravesar el gap <a cero >elvin= la
conductividad del semiconductor sera cero+ a medida #ue les damos energa a los electrones+
por e)emplo aumentando la temperatura+ los electrones de)an de tener una probabilidad nula
de pasar a la banda de conducci(n por lo #ue comien'a a e*istir conductividad la cual escalar&
a medida #ue sigamos aumentando la temperatura <sin llegar al punto de %usi(n del material=.
En este tipo de materiales se produce un curioso e%ecto y es #ue+ cuando se produce el
salto del electr(n a la banda de conducci(n se crea un @A7uecoAA en la banda de valencia el
cual tambi;n contribuye a la conducci(n del material actuando como un portador de carga
positiva+ el electr(n y su 7ueco para un semiconductor de este tipo estar&n en la misma
proporci(n y la conductividad #uedara determinada por los pares electr(n 7ueco+ estos dos
tipos de portadores tienen caractersticas cinem&ticas ligeramente distintas+ como por e)emplo
su masa e%ectiva+ pero se comportaran de una manera muy similar en otros aspectos+ por
e)emplo tienen la misma carga el;ctrica pero opuesta.
"a conductividad ser& por tanto,
o = n
c
qp
c
+n
h
qp
h

Donde n es la concentraci(n de portadores y es,
n
c
= n
h
= n
0
c
-L
g
2k1

Donde n
0
se puede considerar una constante.
p
h
es la movilidad de los portadores.
De esta %orma ya tendramos caracteri'ada la conductividad de un semiconductor en
%unci(n de la temperatura.
-emos descrito los semiconductores bas&ndonos en los llamados semiconductores
intrnsecos+ en los cuales n
c
= n
h
sin embargo y seg$n la e*presi(n anterior es muy di%cil
controlar bien el comportamiento de este tipo de semiconductores ya #ue pe#ue5as
variaciones de temperatura producen cambios notables de la conductividad+ para ello lo #ue
se 7ace es crear semiconductores e*trnsecos.
Para crear este tipo de semiconductores dopamos el material con alg$n tipo de
&tomos de %orma #ue se cree un e*ceso de portadores de alguno de los dos tipos anteriores+
de esta %orma se pueden crear dos tipos de semiconductores e*trnsecos,
Semiconductores tipo n:
Para crearlos se suele a5adir al material &tomos dopantes de valencia :+ por e)emplo
antimonio+ esto origina #ue cuatro de sus electrones se impli#uen en el enlace #umico y el
electr(n sobrante #uede muy d;bilmente ligado y #ue se necesite muy poca energa para
enviarlo a la banda de conducci(n+ 7ay #ue recordar #ue en este caso no se producira un
7ueco asociado+ el es#uema en este caso sera,

Podemos ver a7ora #ue la densidad de portadores+ la cual est& relacionada con la
conductividad de la %orma #ue se vio en el apartado anterior+ es,
n
tot
= n
c
(Jopontc) +n
c
(intrinscco) +n
h
(intrinscco) = n
0d
c
-L
d
k1
+2n
0
c
-L
g
2k1

donde E
g
es el gap de energa de los dopantes.
Seg$n esto+ para ba)as temperaturas la conductividad del material va a depender
principalmente del t;rmino dopante+ a altas temperaturas la intrnseca volver& a ser la
dominante+ sin embargo para temperaturas intermedias tendremos una regi(n de
agotamiento en la cual se 7abr&n llevado todos los electrones donantes a la banda de
conducci(n y sin embargo la temperatura ser& su%icientemente ba)a como para #ue la
aportaci(n intrnseca sea despreciable+ de esta %orma en ese intervalo tendremos una
conductividad pr&cticamente constante. Bariando la concentraci(n de portadores podemos
por tanto variar la conductividad del material de la %orma m&s conveniente para poder
utili'arlo en diversas aplicaciones.
Semiconductores tipo P:
Este tipo de semiconductores se crea dopando el material con &tomos de valencia 3+
por e)emplo galio+ de %orma #ue se crea una banda de energa #ue est& muy pr(*ima a la
banda de valencia por lo #ue los electrones de esta banda con muy poca energa pueden saltar
a ella creando 7uecos en la banda de valencia #ue ser&n los #ue condu'can+ el es#uema en
este caso ser&,

El proceso es b&sicamente el mismo de antes+ a ba)as temperaturas dominara la
conducci(n por 7uecos 7asta #ue se alcance la saturaci(n de aceptantes y la conducci(n sea
pr&cticamente constante+ a altas temperaturas volver& a dominar la conducci(n intrnseca. Por
motivos de espacio y debido a la similitud con el caso anterior no vamos a pro%undi'ar m&s en
este tipo de semiconductores dopados.
Bamos a pasar ya a 7ablar brevemente de las aplicaciones de los semiconductores.
"os semiconductores tienen un amplio rango de aplicaci(n+ desde aplicaciones
electr(nicas 7asta (pticas como emisores y receptores de se5ales luminosas.
Seg$n lo visto anteriormente sabemos #ue la conductividad el;ctrica de estos
materiales depende %uertemente de la temperatura+ esta propiedad la utili'an los termistores.
Termistores:
"os termistores son dispositivos #ue utili'an esta propiedad para medir la temperatura
de un medio conociendo la conductividad el;ctrica del semiconductor+ estos dispositivos se
pueden utili'ar para alarmas relacionadas con la temperatura+ por e)emplo alarmas contra
incendio. Se puede %i)ar una temperatura variando las concentraciones de dopantes etc a
partir de la cual el material de)a pasar una corriente m&s intensa para activar la alarma.
Transductores de presin:
Estos dispositivos utili'an una propiedad #ue consiste en #ue la estructura de bandas y
el gap de energa son %unci(n de la separaci(n entre &tomos del material+ de esta %orma
cuando aplicamos presi(n a un semiconductor y creamos una ligera de%ormaci(n en el los
&tomos se ven %or'ados a acercarse y la conductividad vara+ viendo el cambio en la
conductividad y conociendo el semiconductor se puede llegar a saber la presi(n #ue se 7a
aplicado sobre ;l.
Diodos de unin P-N:
Es posiblemente una de las aplicaciones m&s importantes de los semiconductores+
consiste en la uni(n de un semiconductor de tipo p con uno de tipo n+ el dese#uilibrio el;ctrico
resultante de la uni(n crea un volta)e llamado potencial de contacto a trav;s de la uni(n. "o
importante de este dispositivo es #ue la conducci(n en una direcci(n es muy di%erente a la
conducci(n en la otra direcci(n+ si conectamos el polo positivo de la %uente a la regi(n p
estaremos en polari'aci(n directa+ lo #ue disminuir& el valor del potencial de barrera
permitiendo el paso de corriente el;ctrica+ sin embargo+ si se coloca el polo positivo de la
%uente a la regi(n n se aumentara la barrera de potencial del diodo impidi;ndose el paso de
corriente+ a esto se le llama polari'aci(n inversa. Estos diodos se pueden usar como
recti%icadores de se5al etc.


Propiedades pticas:
"os materiales semiconductores tambi;n se pueden utili'ar para captar o producir
se5ales luminosas.
"os gap de los semiconductores son muy %&cilmente modi%icables creando compuestos
me'cla entre ellos+ pudiendo conseguir pr&cticamente cual#uier gap de energa #ue #ueramos
variando las concentraciones de dos o m&s semiconductores con distinto gap de esta %orma,
E
g
(x) = E
g
(scmi 1)x +(1 -x)E
g
(scmi 2)
Podemos 7acer #ue el gap de energa caiga en el rango de %recuencia visible por lo
#ue+ por e)emplo si sometemos a este semiconductor a una di%erencia de potencial
e*citaremos sus electrones llev&ndolos a la banda de conducci(n+ los electrones tienen un
tiempo de vida media en la banda de conducci(n antes de volver a caer a la de valencia+ este
proceso es continuo por lo #ue continuamente est&n subiendo electrones a la banda de
conducci(n y cayendo de la de valencia mientras la %uente e*terna este actuando+ si el gap esta
en el rango visible+ en el proceso de cada de un electr(n de la banda de conducci(n a la de
valencia la energa #ue pierde es emitida mediante un %ot(n+ cuya %recuencia es la
correspondiente a la del gap de energa por lo #ue tendramos una emisi(n continua de lu' en
la %recuencia del gap.
Este proceso tambi;n puede 7acerse a la inversa de %orma #ue tenemos un
semiconductor con un cierto gap de energa+ ese semiconductor podr& usarse como detector
para radiaci(n de esa determinada %recuencia ya #ue+ si sobre el semiconductor inciden
%otones con la %recuencia del gap 7abr& una cierta probabilidad de #ue un electr(n absorba el
%ot(n y salte a la banda de conducci(n aumentando la conductividad del semiconductor.
En estos procesos 7abr& #ue tener en cuenta e%ectos t;rmicos ya #ue los electrones
tambi;n pueden pasar a la banda de conducci(n debido a la temperatura.
4racias a estas propiedades se crean diodos de semiconductores emisores de lu' as
como l&seres de semiconductores <utili'an tambi;n los principios de emisi(n estimulada e
inversi(n de poblaci(n=+ detectores etc.
Investigacin:
"a investigaci(n actual en %sica de semiconductores es muy amplia debido a la gran
importancia #ue tienen estos materiales en la vida tecnol(gica moderna+ entre otras algunas
lneas de investigaci(n actuales son,
Cecristali'aci(n en %ase s(lida+ crecimiento /-!+ %otoemisi(n en sistemas
metalDsemiconductor <EPS+UPS+ACUPS+PED=+ dise5o de dispositivos de estado s(lido para la
emisi(nDdetecci(n de se5ales en el rango de los /-' etc.


Bibliografa:
Introduccion to Solid State physics, Charles Kittel. Imagen de la portada. CHAPTER 8:
SEMICODUCTOR CRYSTALS
Ashcroft Mermin Solid State Physics.2,2!" homogeneous and inhomogeneous
semiconductors
Im#genes utili$adas, %oogle im#genes.
Apuntes Fsica de materiales, Mar&a 'ianchi M(nde$ Mart&n. Informaci)n general y
Aplicaciones de los semiconductores.
P#gina *e+ del ,epartamento de -&sica Aplicada de la .ni/ersidad de Salamanca.
In/estigaci)n
P#gina *e+ del ,epartamento de -&sica Aplicada y 0lectromagnetismo de la
.ni/ersidad de 1alencia. In/estigaci)n
0lectr)nica de dispositi/os, .ni/ersidad de 1alencia. Informaci)n general.
Semiconductores, 2s/aldo Mosconi, 3icardo 3.Pe4a -acultad de Ingenier&a. 5e
o+tenido rese4as hist)ricas.
.ni/ersidad 6acional de la Patagonia San 7uan 'osco. Informaci)n general.
8i9ipedia" informaci)n general so+re los semiconductores, /alores de los gap para
distintos materiales.

Mi contri+uci)n ha sido o+tener toda la informaci)n, estudiarla, comprenderla y
sinteti$arla para luego escri+ir el tra+a:o sin seguir ning;n elemento de la +i+liograf&a
en particular sino la idea general <ue o+tu/e so+re el tema, para las aplicaciones si me
+as( en particular en los apuntes de f&sica de materiales.
El traba)o me 7a llevado apro*imadamente entre .?D.8 7oras.
: 7oras en buscar in%ormaci(n+ F entender el contenido+ . 7ora en estructurar el
traba)o y entre : y ? escribirlo.