EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP .

CARARCTERSTICAS BSICAS

I. Marco Teorico
El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus
respectivos contactos llamados; colector(C), base (B) y emisor (E).
La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulacin de
corriente: electrones y lagunas o agujeros.
A. CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES:
Los transistores bipolares se clasifican de la siguiente manera:
i. por la disposicin de sus capas:
transistor PNP.
Transistor NPN.
ii. por el material semiconductor empleado:
transistor de silicio.
Transistor de germanio.
iii. por la disipacin de potencia:
transistor de baja potencia.
Transistor de mediana potencia.
Transistor de alta potencia.
iv. por la frecuencia de trabajo:
transistor de baja frecuencia.
Transistor de alta potencia.
B. POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES:
Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo
correctamente. Para ellos se debe cumplir que:
o La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y
o La juntura COLECTOR BASE este polarizado inversamente.
Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con
respecto al emisor y el colector debe tener un voltaje tambin positivo pero,
mayor que el de la base. En el caso de un transistor PNP debe ocurrir lo contrario.


C. CODIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES:
Los transistores tienen un cdigo de identificacin que en algunos casos especifica
la funcin que cumple y en otros casos indica su fabricacin.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos,
Japoneses y Americanos.
1. Codificacin europea:
Primera letra
A : Germanio
B : Silicio
Segunda Letra
A : Diodo (excepto los diodos tnel)
B : Transistor de baja potencia
D : Transistor de baja frecuencia y de potencia
E : Diodo tnel de potencia
F : Transistor de alta frecuencia
L : Transistor de alta frecuencia y potencia
P : Foto semiconductor
S : Transistor para conmutacin
U : Transistor para conmutacin y de potencia
Y : Diodos de potencia
Z : Diodo Zener
Nmero de serie
100 999 : Para equipos domsticos tales como radio, TV, amplificadores,
grabadoras, etc.
10 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones especiales.
Ejemplo : AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus
aplicaciones son de baja frecuencia.

2. Codificacin japonesa:
Primero
0 (cero) : Foto transistor o fotodiodo
1 : Diodos
2 : Transistor
Segundo
S : Semiconductor
Tercero
A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)
B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)
C : Transistor NPN de RF
D : Transistor NPN de AF
F : Tiristor tipo PNPN
G : Tiristor tipo NPNP
Cuarto
Nmero de serie : comienza a partir del nmero 11
Quinto
Indica un transistor mejor que el anterior
Ejemplo:

Es un transistor PNP de RF con mejores caractersticas tcnicas que el
2SA186.


3. Codificacin americana:
Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificacin con
el prefijo 2N y a continuacin un nmero que indicaba la serie de
fabricacin. Ejemplo 2N3055, 2N2924, etc.
Actualmente, cada fbrica le antepone su propio prefijo, as se tiene por
ejemplo : TI1411, ECG128, etc. que corresponden respectivamente a
TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.

II. OBJETIVOS:

1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar pnp
2. Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar PNP

III. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO


1. Un multmetro
2. Un miliamperimetro.
3. Un microamperimetro.
4. Un voltimetro de c.c..
5. Un transistor 2N3906.
6. Un Osciloscopio.
7. Resistores : Re= 330 , Re= 1K ,
R1= 56K , R2= 22K
8. Condensadores: Cb= 0.1 F, Cc=
0.1 F, C e =3.3 F.

9. Una fuente de c.c. variable
10. Tres cordones AC
11. Cables conectores.(3 coaxiales
ORC)
12. Un potencimetro de 1M
13. Una placa con zcalo de 3
terminales
14. Dos placas con zcalo de 2
terminales
15. Un generador de seales



IV. PROCEDIMIENTO

1. Verificar el estado operativo del transistor usando el ohmmetro. Llenar la Tabla
RESISTENCIA DIRECTA INVERSA
Base emisor 420.6 7.77 M
Emisor colector 300.2 92.6 K
Colector -Emisor 18.7K 107.8 M

2. Armar el siguiente circuito:

a) Medir las comentes que circulan por el colector (Ic) y la base(Ib). Obtener el (Pl=0)
b) Medir los voltajes entre colector-emisor(Vce), entre base-emisor(Vbe), y entre emisor-
tierra (Ve)
c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2.
d) Cambiar R1 a 68K repetir Los pasos (a) y (b)
Y anotar Los datos en la tabla 3 (por ajuste de P1)
e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K, 250K, 500K y 1M. Observar lo que
sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce(Usar Re=0). Llenar la Tabla 5.

3. Ajuste el generador de seales a 50 mv.pp, 1 KHz., onda senoidal. Observar la
Salida Vo con el osciloscopio. .Anotar en la Tabla 4.

Valores (R1= 56K) Ic(mA) Ib(A) Vce (v) Vbe(v) Ve (v)
Tericos 3.2431 162.156 20 7.4525 0.3 1.1237
Medidos 7.08 40 17.7 2.66 0.331 2.393


Valores (R1= 68K) Ic(mA) Ib(A) Vce (v) Vbe(v) Ve (v)
Tericos 2.7454 137.271 20 8.5718 0.3 0.9512
Medidos 6.27 32.9 19.05 3.68 0.316 2.119

Tabla 5 Vi (mv.pp) Vo (v.pp) Av Vo(sin Ce) Av (sin Ce)
5 (Q3) 400mv 6v 15 1v 2.5

P1 100 K 250 K 500 K 1 M
Ic (mA) 3.46 1.18 1.05 0.13
Ib(uA) 15.9 6.9 1.6 0.2
Vce (v) 7.42 10.43 11.52 11.82