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CH VII LES SEMI-CONDUCTEURS

1 Dfinition, modle du semi-conducteur pur


2 Les semi-conducteurs dops P et N
3 La diode jonction PN
- Principe - Principe
-Caractristique courant tension.
4 Le transistor
- Principe
- Caractristique courant tension.
VII.1 Modle dun Semi conducteurs pur
Dans un semi conducteur, comme le germanium ou le silicium (Z= 14),
les liaisons chimiques entre atomes sont covalentes :
Mise en commun dlectrons priphriques
Si
a) Modle
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
VII.1 Modle dun Semi conducteurs pur
Si un lectron se dtache il laisse un trou (charge positive)
Si
Si
Si
Si
b) Paire lectron- trou
Ec
Bande interdite
(Gap)
T > 0K
h
= A e
-Eg/KT
Cration de paires
lectron -trou par la
chaleur, la lumire
Conductivit intrinsque par ces paires e-trous,
Trs sensible la temprature
(trs faible basse temprature)
* Dplacement dlectrons et de trous sous laction dun champ E..
Ev
Bande de valence
h
Diagramme en nergie
Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si
c) Mcanisme de dplacement dun trou
Si Si Si Si Si
Soit:
situation:
Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si
On recommence:
Conclusion:
Sous laction dun champ lectrique
Dplacement dlectrons (dans le sens de E) avec une mobilit
e
Dplacement de trous (dans le sens de +E) avec une mobilit
t
Courant total = courant de trous + courant dlectrons
n : nombre volumique dlectrons dans la bande de conduction
p: nombre volumique de trous dans la bande de valence
d) Conductivit intrinsque
( ) ( ) ( ) E e p n E e p E e n j
p e p e
. . ). .( ). .( + = + + + =
p: nombre volumique de trous dans la bande de valence
p=n
n et p dpendent de la temprature T
Conductivit intrinsque par ces paires e-trous
est trs sensible la temprature (trs faible basse temprature)
= A e
-Eg/KT
( )e p n
p e
. + =
A temprature ambiante :
Semi-Conducteurs : n et p
t
assez faibles
Exemple : Si ~ 10
10
/cm3
Isolants: n et p trs faibles
Conductivit intrinsque Conductivit intrinsque
modr pour les semi-conducteurs
trs faibles pour les isolants
Exemple du cristal de silicium T= 0 K
Bande de
valence
sature (8 e
-
)
Exemple du cristal de silicium temprature ambiante
ou en prsence de rayonnements
n
i
typ. 10
10
at/cm
3
hh
Courant d e
-
Courant de trous
-
Courant total Courant total
n
i
= p
i
n
i
typ. 10 at/cm
Si 300K
VII.2 Semi-conducteur dop N ou P
Dopage : Impurets introduites dans le matriau en trs faible quantit
et de faon contrle durant son laboration
Quantits sont suffisamment faibles par rapport au nombre datomes du semi-
conducteur pour ne pas perturber le cristal
Exemple : silicium dop 5 10
22
Si/cm
3
et 10
15
atomes dimpurets /cm
3
.
=> les atomes dimpuret prennent la place datomes du semi-conducteur
Ex dImpurets de type N ou P
N : phosphore (P), antimoine (Sb).
5 lectrons de valence par atome => un de plus que le silicium
P : aluminium (Al ), bore (B)
3 lectrons de valence par atome => un de moins plus que le silicium
Dopage N
lectron
supplmentaire
Si
p
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Ev
Ec
Niveau donneur
N : phosphore (P), antimoine (Sb)..
5 lectrons de valence par atome => un de plus que le silicium
Si
Sb
Dop N
Les lectrons dits extrinsques sont peu lis aux atomes.
=> Si T augmente ils se dtachent et deviennent libres: conductivit
majoritairement par ces lectrons
La conductivit extrinsque
est plus forte que la conductivit intrinsque,
augmente plus vite en fonction de la temprature
Ev
Exemple: dopage par donneur (type N) du silicium
5 e
-
de valence
(P, As, Bi)
Ec
1 lectron libre
5 e
+
(neutralit)
(P, As, Bi)
n
i
: 10
10
at/cm
3
N
D
: typique 10
15
at/cm
3
N
total
: 10
22
at/cm
3
Ev
Niveau donneur
Conduction par les lectrons libres essentiellement
due aux lectrons extrinsques
E appliqu
lectrons
Courant
Dopage P
P : aluminium (Al ), bore (B)
3 lectrons de valence par atome => un de moins que le silicium
Ev
Ec
Niveau accepteur
Si
B
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Manque un lectron
= trou
Les trous dits extrinsques sont peu lis aux atomes.
=> Si T augmente ils se dtachent et deviennent libres: conductivit
majoritairement par ces trous
La conductivit extrinsque
est plus forte que la conductivit intrinsque,
augmente plus vite en fonction de la temprature
Ev
Al
Dop P
Exemple: dopage par accepteur (type P) du silicium
Ec
3 e
-
de valence
(B, Al, Ga, in)
N
A
typique 10
15
at/cm
3
N
total
= 10
22
at/cm
3
Ev
1 trou
3 e
+
(neutralit)
(B, Al, Ga, in)
Niveau accepteur
Conduction par les trous essentiellement due aux
trous extrinsques
E appliqu
trous
Courant
N
Bilan de porteurs (dopage N)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
+
+
+
+
+
+
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-
-
-
-
-
Ec
MAJORITAIRES (-)
n = N
D
Bilan des porteurs libres
Minoritaires (+)
p = p
i
-
+ n
i
10
15
10
10
>>>
Ev
Niveau donneur
VII.3 La jonction PN (diode)
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
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P
N
-
-
-
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P
-
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N
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
- -
-
-
-
-
-
-
- -
Jonction de deux semi-conducteurs dops N et P
Diffusion des porteurs et donc
Chargement lectrique
Recombinaisons de paires lectron-trou
Situation diffrente selon le type de porteurs
(majoritaires ou minoritaires)
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
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+
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-
-
-
Zone de dpltion et situation des majoritaires
N
-
-
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P
+
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+
-
-
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+
+
+
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-
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-
+
+
+
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+
-
potentiel
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-
-
-
-
+
-
+
- +
+
+
+
+
+
+
+
-
+
-
+
-
+
-
- +
+
-
-
+
Les majoritaires sont repousss par la barrire de potentiel
Champ de barrire
N
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
+
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+
+
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+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
P
Situation des minoritaires
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
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+
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+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
potentiel
Les minoritaires sont acclrs par la barrire de potentiel
Champ de barrire
Minoritaires (-)
Minoritaires (+)
Equilibre
Un quilibre stablit entre :
Diffusion des porteurs et chargement
Fixe la zone de dpltion
Cration de paires lectron-trou (T+rayonnements) et
recombinaisons
Fixe le nombre de paires lectron-trou
Polarisation externe directe
(situation des majoritaires)
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
P
N
E barrire
+
+
+
-
-
-
E appliqu
E rsultant
-
-
-
-
+
+
-
-
+
+
+
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
-
-
-
+ - Sens du courant
-
-
+
+
++
+
-
-
Au Au--del du seuil del du seuil (barrire de potentiel) (barrire de potentiel)
Les majoritaires passent trs facilement et recombinent Les majoritaires passent trs facilement et recombinent
Au Au--del du seuil del du seuil (barrire de potentiel) (barrire de potentiel)
Les majoritaires passent trs facilement et recombinent Les majoritaires passent trs facilement et recombinent
fort courant fort courant direct direct (fourni par la source) (fourni par la source) fort courant fort courant direct direct (fourni par la source) (fourni par la source)
Polarisation externe directe
(situation des minoritaires)
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
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-
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-
P
N
E barrire
-
-
-
+
+
+-
-
-
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
E appliqu
E rsultant
-
+
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
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+
+
-
-
-
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-
-
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-
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-
-
-
-
-
+
+
-
-
+
+
+
+
-
-
+ - Sens du courant
Les minoritaires ne passent pas Les minoritaires ne passent pas Les minoritaires ne passent pas Les minoritaires ne passent pas
courant courant direct direct uniquement d aux majoritaires uniquement d aux majoritaires courant courant direct direct uniquement d aux majoritaires uniquement d aux majoritaires
Polarisation inverse
(situation des majoritaires)
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
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-
P
N
-
-
-
+
+
+-
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+
E appliqu
+
+
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-
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+
+
+
E barrire
E rsultant
+
+
+
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-
+
+
-
-
+
+
+ -
Sens du courant ventuel
Les majoritaires ne passent pas Les majoritaires ne passent pas Les majoritaires ne passent pas Les majoritaires ne passent pas
Pas de courant Pas de courant inverse inverse d aux majoritaires d aux majoritaires Pas de courant Pas de courant inverse inverse d aux majoritaires d aux majoritaires
+
+
-
-
-
-
+
+
Polarisation inverse (situation des
minoritaires)
+
+
+
+
+
+
+
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P
N
-
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+
+-
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+
+
+
E rsultant
E appliqu E barrire
-
h ou T
+
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+
+
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+
+
+ -
Sens du courant ventuel
Les minoritaires passent facilement Les minoritaires passent facilement Les minoritaires passent facilement Les minoritaires passent facilement
Courant Courant inverse inverse d aux minoritaires d aux minoritaires Courant Courant inverse inverse d aux minoritaires d aux minoritaires
+
+
-
-
-
-
+
+
Mais trs faible et sensible la temprature Mais trs faible et sensible la temprature
+
Rcapitulation
I
V
P
N
I
V
I (mA) I (mA)
V (v)
- Is (pA)
exp( / ) 1 qV kT <<
exp( / ) 1 qV kT >
exp( / ) i qV kT
0
s
i i
I = I
s
(exp qV/kT-1)
Courant de minoritaires Courant de majoritaires
+
+
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P +
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+
P
Le transistor bipolaire
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N
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P P
-
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+
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+
+
Emetteur Base Collecteur
PNP PNP
+
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P
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N N +
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-
Le transistor bipolaire
Emetteur Base Collecteur
- - - - - -
NPN NPN
Polarisation du transistor en direct-direct
+
+
-
Emetteur Base
Collecteur
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-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+ -
+
2 jonctions 2 jonctions 4 polarisations possibles 4 polarisations possibles
-
+
Transistor = Transistor =
2 diodes passantes 2 diodes passantes
+ - + -
+
Courant metteur-base
(majoritaires)
Courant collecteur-base
(majoritaires)
Rgime de Rgime de
SATURATION SATURATION
Polarisation du transistor en inverse-inverse
Emetteur Base
Collecteur
-
-
-
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-
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+
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+
+
+
+
Transistor = Transistor =
2 diodes bloques 2 diodes bloques
+ -
+ -
Pas de courant de
majoritaires
Pas de courant de
majoritaires
Rgime de Rgime de
BLOCAGE BLOCAGE
Polarisation du transistor en
direct-inverse
Emetteur Base
Collecteur
-
-
-
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- -
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+
+ -
+ -
Transistor = Transistor =
1 diode bloque 1 diode bloque
+ 1 diode passante + 1 diode passante
??
Situation des majoritaires de
lmetteur
Emetteur Base
Collecteur
-
-
-
-
-
- -
-
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-
-
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+
+
+
+
+
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+
+
+
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+
+
+
+
+
+
+
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-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+ -
+ -
+
Courant metteur-base
(majoritaires)
Les majoritaires venant de lmetteur
sont acclrs
Les majoritaires Les majoritaires
Traversent Traversent
Courant base-collecteur
Mme pour une petite tension Base Mme pour une petite tension Base--Collecteur => Collecteur => Cest effet transistor!!! Cest effet transistor!!!
Situation des majoritaires de
lmetteur
Emetteur Base
Collecteur
-
-
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
+
+
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+
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-
+
+
+
+
+
+
+ -
+ -
+
Courant metteur-base
(majoritaires)
Dopage faible Dopage faible
(trous peu nombreux) (trous peu nombreux)
+ base troite + base troite
Courant base-
collecteur
Attention!!! une partie
recombine avec les
majoritaires de la
base
Courant de
base!!!!
La majorit
traverse
L effet transistor
I
E
I
C I
B
-
-
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
+
+
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-
-
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+
+
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-
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-
-
-
-
-
+
+
+
+
+ -
+ -
+
+
+
+
+
+
Emetteur Base Collecteur
Presque Presque tous tous
les majoritaires les majoritaires
traversent traversent
Trs faible Trs faible
courant de base courant de base
II
CC
= = II
E E
II
EE
= I = I
CC
+ I + I
BB
traversent traversent
I
E
I
C
I
B
B C I I =
0,99 0,99
100
1
=