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Des Matériaux (3 ème édition)

Corrigé des exercices

Chapitre 9 - Propriétés physiques

EXERCICE 9-9

a) Nombre N d’atomes de Si par unité de volume :

Le silicium ayant la même structure cristalline que le carbone (diamant), dont la maille élémentaire est présentée à la figure 3.19 du livre, il est aisé d’en déduire le nombre d’atomes de Si appartenant en propre à cette maille :

Sommets : 8x(1/8) = 1; Centre des faces : 6x(1/2) = 3; Intérieur maille : 4

Donc, un total de 8 atomes en propres par maille.

Le volume V de cette maille étant égal à a 3 , on en déduit la valeur N du nombre d’atomes de Si par unité de volume :

N = 8/a 3 = 8/(5,43x10 -8 cm) 3 = 4,997x10 22 at/cm 3

N 5x10 22 at./cm 3

b) Nombre de porteur de charges (n e ou n t ) par unité de volume (cm 3 ) de Si intrinsèque :

Dans le silicium intrinsèque, à chaque fois qu’un atome de Si est « ionisé » quand un de ses électrons de liaison passe dans la bande de conduction, il y a simultanément création d’un trou (ou lacune électronique) dans la bande de valence (fig. 9.25 du livre « Des Matériaux »). Les nombres de porteurs de charges n e et n t sont donc égaux à n i et on peut écrire l’équation 9.57 de cette façon :

σ = n e eµ e + n t eµ t = n i e(µ e + µ t )

(1)

Connaissant la valeur de la conductivité σ et celle des mobilités µ e et µ t à 20 °C (tableau 9.7 du livre),

on en déduit la valeur de n i , donc de n e et de n t :

n i = σ/[e(µ e + µ t )] = (4,3x10 -4 )/[1,6x10 -19 (0,14 + 0,04)]

n i = 1,493x10 16 m -3

n i = n e =

n t =

1,493x10 10

cm -3

c) Rapport r d’atomes de Si ionisés au nombre total d’atomes de Si à 20 °C :

Le nombre d’atomes de Si ionisé est égale à n i le nombre de porteurs de charge par unité de volume (calculé à la question b) et le nombre N d’atomes de Si par unité de volume a été calculé à la question (a). Le rapport r est donc égal à :

r = n i /N = (1,493x10 10 cm -3 )/( 4,997x10 22 )

r = 3x10 -13

Remarque : à 20 °C, il n’y a donc que 1/3 de millionième de millionième d’atomes de Si qui assurent la conduction intrinsèque !!!

d) Rapport des conductivités intrinsèques à 1400 et à 20 °C:

Pour calculer ce rapport, il suffit d’utiliser l’équation 9.63 donnant la variation de la conductivité intrinsèque en fonction de la température absolue T :

Des Matériaux (3 ème édition)

Corrigé des exercices

σ

2

σ

1

=

 -E  g exp  2kT        2
-E
g
exp 
2kT
 
 
 
2
-E
g
exp 
2kT
 
1

Donc :

ln

σ

2

E

g

1

1

-

σ

1

2k

T

1

T

2

=

(2)

Ici, T 2 = 1673 K et T 1 = 293 K et les autres grandeurs (E g , k) sont connues. On obtient donc :

ln(σ 2 /σ 1 ) = 17,94

Donc:

(σσσσ 2 /σσσσ 1 ) = 6,027x10 7

e) Type de semi-conducteur pour le Si dopé au phosphore:

Le phosphore étant un élément pentavalent, il introduit un excès d’électrons quand il dope le silicium. Chaque atome de phosphore introduit un électron supplémentaire, libre de se déplacer plus aisément que les électrons « intrinsèques » du Si (voir fig. 9.27b du livre). Les porteurs de charge majoritaires étant des électrons

chargés négativement,

le silicium extrinsèque dopé au phosphore est donc de type n

.

f) Concentration C d en phosphore requise:

La conductivité extrinsèque σσσσ ext à 20 °C doit être égale à la conductivité intrinsèque σσσσ int à 1400 °C. En utilisant le résultat de la question (d), on peut donc écrire :

(σσσσ ext ) 20 °C

= 6,027x10 7 (σσσσ int ) 20 °C

(3)

Dans le cas d’un semi-conducteur extrinsèque, la conductivité σσσσ ext est assurée essentiellement par les porteurs de charge introduits par le dopant (ici, des électrons) car le nombre n d de porteurs de charge majoritaires est bien supérieur au nombre de porteurs de charge « intrinsèques » n e ou n t (n d >> n e = n t ); l’équation 9.57 appliquée à la conductivité extrinsèque s’écrit alors:

(σσσσ ext ) 20 °C = n d eµ e

(4)

En combinant les équations (3) et (4), on obtient le nombre n d de porteurs de charges majoritaires par unité de volume :

n d

=

( σ

ext

)

°

20 C

e

µ

e

=

6,027x10

7

( σ

int

)

°

20 C

e

µ

e

= 1,107x10

18

cm

-3

Ce nombre n d est aussi égal au nombre d’atomes de phosphore qui a été ajouté par unité de volume de silicium. La concentration atomique C d requise pour le dopage est donc égale à :

C d = n d /N = (1,107x10 18 )/(4,997x10 22 ) = 2,215x10 -5 = 22,15 ppm at.

C d = 22,15 ppm at

Remarque : il suffit d’ajouter seulement 22 ppm at. de phosphore au silicium pour multiplier la conductivité de ce dernier à 20 °C par 60 millions de fois !!!