EXERCCIOS SOBRE SEMICONDUTORES (FASE 2)

1. Considerando a distribuio de Fermi, determine a probabilidade de um estado com energia E=E

F
+n.k.T
se encontrar ocupado (n um inteiro).

2. Tendo em conta que num semicondutor os eltrons de conduo ocupam nveis de energia de acordo com
a estatstica de Fermi:
a) Compare a probabilidade de ocupao de um estado com energia E=E
F
+0,5 eV temperatura de 20 C
e de 40 C.
b) Compare a probabilidade de ocupao de um estado com energia E=E
F
+0,6 eV temperatura de
O K, 2000 K e 4000 K.

3. A banda proibida do Germni o puro de 0,72 eV. Compare a concentrao de eltrons de conduo
temperatura de 20 C e 40 C.

4. Determine a diferena entre o meio da banda proibida e o nvel de Fermi no GaAs temperatura de
300 K, sabendo que E
g
=l,4 eV e que as massas efetivas dos eltrons e lacunas so 0,067.m
o
e 0,65.m
o
,
respectivamente.

5. Considerando um modelo unidimensional de um semicondutor intrnseco, a energia medida a partir da
base da banda de valncia dada ela equao
abaixo.
Esta expresso aproximada e pode considerar-se precisa apenas na vizi nhana da base da banda de
conduo, o que corresponde a k=k,= p/a, em que a a constante da rede cristalina (a=3,14.10
-10
m).
Consi derando que o nvel de Fermi se encontra no meio da banda proi bida e que a sua energia vale
E
F
=2,17 eV, determine a banda proibida do semicondutor. No confunda k com a constante de Boltzman.

6. Um cristal de Si dopado com ndio, para o qual o nvel aceitador est 0,16 eV acima do topo da banda de
valncia. A banda proibida do Si 1,1 eV e as massas efetivas das l acunas e eltrons so 0,39. m
o
e
0,26. m
o
, respectivamente.
a) Que concentrao de impurezas originaria um nvel de Fermi coincidente com o nvel da impureza
a 300 K ?
b) Nesta situao, qual a frao de impurezas que se encontrar ionizada?
c) Determine as concentraes dos portadores minoritrios e majoritrios no cristal.

7. Consi dere uma amostra de Silcio dopada com Fsforo a uma concentrao uni forme N
d
=10
17
cm"
3
.
Determine a posio do nvel de Fermi a 24C, relativamente base da banda de conduo e em relao
ao nvel dos tomos doadores (E
d
), sabendo que E
c
-E
d
=0,045 eV. A banda proibida 1,1 eV e as
massas efetivas de eltrons e lacunas so 0,26.mo e 0,39.mo, respectivamente.






8. A TEMPERATURA AMBIENTE A CONCENTRAO INTRSECA DE PORTADORES no Ge n
I
= (2,5x
10
13
cm
-3
). CONSIDERE QUE Ge EST DOPADO COM IMPUREZAS ACEITADORAS, SENDO SUA
CONDUTIVIDADE DE 100
-1
cm
-1
. A MOBILIDADE DE ELETRONS E LACUNAS NESTE CASO
n
=
3800 cm
2
V
-1
s
-1
E
p
= 1800 cm
2
V
-1
s
-1
RESPECTIVAMENTE. CALCULE A CONCENTRAO DE
ELETRONS E LACUNAS NESTE SEMICONDUTOR.

9 Um lingote de silcio dopado com 10
16
tomos/cm
3
de arsnico. Encontre a diferena (EF-Ei)
na temperatura de 300K

10) Qual a concentrao de buracos na camada de valncia de uma amostra de silcio intrseco
272 K?

11) O silcio dopado com 2.0X10
16
cm
-3
de tomos doadores e 3.0x10
17
cm
-3
de tomos
aceitadores. Assumindo que todos os dopantes so ionizados, qual a densidade de eltrons na
banda de conduo?

12) O silcio dopado com 2.0x10
16
cm
-3
de atomos tipo-n 3.0x10
17
cm
-3
de tomos e tipo-p.
Assumindo que todos os dopantes so ionizados, qual a densidade de buracos na banda de
valncia? (300K)

13) Uma amostra de silcio dopado com 8.0x10
14
cm
-3
de tomos de boro. Qual a condutividade
assumida na temperatura de 300K?

14) Um lingote de silcio dopado com 10
16
tomos/cm
3
de arsnico. Encontre a concentrao de
portadores na temperatura ambiente (300K): p= ? n= ?

15)


16)







17)



18)




Observaes adicionais:

Para Si 300K: n = 1500 cm/Vs p = 450 cm/Vs ni = 1.5X10
10
cm
-3
eg do si = 1.12 eV

Para Questo 10: ni (do Si) = 9.65X10
+9
atomos/cm
3


Dados gerais :
Nc = 2.78X10
25
m
-3
(silcio)
Nv = 9.84X10
24
m
-3
(silcio)
mo= massa do eltron,= 9,1093897 10
-31
kg
k (cte de Boltzman)

= 8,62 x 10
-5
eV/(tomo.K)
q = 1,62X 10
-19
C