1) Qu tipo de transistores existen segn su tecnologa de fabricacin ?

Explique

Los transistores suelen construirse de Ge o de Si segn la tcnica usada. Los transistores de aleacin
prcticamente se usan slo con el Ge, debido en gran parte a su temperatura de fusin mucho ms
baja que la del Si.
Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia,
inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la
que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La
corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de
transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar
(las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin
embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar
Artculo principal: Transistor de unin bipolar.
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores,
estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el
sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del
mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o
huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In),
Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector
que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre
ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas
contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin
gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.
Transistor de unin unipolar o de efecto de campo
El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer
transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de
silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un
transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y
el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos
corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos
tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin
de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla
del canal mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.
Fototransistor
Artculo principal: Fototransistor.
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la
luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2
maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente
de base. (IP) (modo de iluminacin).

2) Que materiales se utilizan en la fabricacin de transitares? Indique sus caractersticas?
Heteroepitaxia.
En concepto, la heteroepitaxia es similar al arseniuro de galio. Se trata de emplear dos
elementos atmicos, uno del grupo III y otro del grupo V para que juntos creen la estructura
semiconductora.Pero en este caso, no se unen qumicamente. Por medio de procedimientos
de alta precisin, se van depositando sucesivamente capas de los dos materiales unas sobre
otras. Las capas son extremadamente finas y sus estructuras electrnicas interaccionan entre
s, comportndose como un material semiconductor.
Transistores balsticos
Cuando un electrn se mueve en medio de un cristal semiconductor, se ve frenado por la
estructura del cristal y tambin por las impurezas existentes y por los defectos en la
estructura cristalina. Pero si el grosor del cristal se reduce, el retardo originado por dichos
defectos se hace despreciable. En este caso, si al electrn se le somete a un campo elctrico,
se acelera libremente, alcanzando velocidades muy superiores a las que alcanza en un
cristal de grosor normal.
Funcionamiento a baja temperatura
El aumento de la temperatura es, a escala microscpica, un aumento en la vibracin de los
tomos. Esta vibracin causa un frenado de los electrones, ya que aumenta la posibilidad de
que sean interceptados por la red.
El funcionamiento a baja temperatura reduce dicha vibracin, aumentando la velocidad de
movimiento de los electrones.
Existe un tipo especial de materiales llamados superconductores. Estos materiales, que no son
semiconductores, a temperaturas cercanas al cero absoluto (0 grados Kelvin) se comportan como
conductores perfectos, sin ofrecer ninguna resistencia al paso de la corriente. Su uso se ha estudiado
para la construccin de componentes lgicos para ordenadores, que sustituyan a los realizados con
semiconductores. Su ventaja principal es una velocidad mucho mayor, lo que ofrece grandes
expectativas.

3) Que curvas caractersticas nos permiten explicar el funcionamiento del transistor?


Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En primer
lugar, en la representacin de I
D
frente a V
GS
, para una V
DS
dada, se aprecia claramente el paso de la
regin de corte a la de saturacin En la prctica slo se opera en el segundo cuadrante de la grfica,
puesto que el primero la V
GS
positiva hace crecer rpidamente I
G
.

Caracterstica V
GS
- I
D
del transistor NJFET
En la caracterstica V
DS
- I
D
del transistor NJFET se observa la diferencia entre las regiones lineal y
de saturacin En la regin lineal, para una determinada V
GS
, la corriente crece proporcionalmente a
la tensin V
DS
. Sin embargo, este crecimiento se atena hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de
saturacin, en donde I
D
slo depende de V
GS
.

Caracterstica V
DS
- I
D
del transistor NJFET
Ntese que, segn esta grfica, la regin de saturacin del JFET se identifica con la regin activa
normal de los transistores bipolares. Mientras que en RAN la corriente de colector slo depende de
la de base, aqu la magnitud de control es la tensin V
GS
. Por el contrario, si la resistencia del JFET
en la regin lineal es muy pequea puede encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones lineal
de JFET y de saturacin del BJT.


4) En su estructura, en que se diferencian los transistores PNP y NPN




NPN


El smbolo de un transistor NPN.
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a
los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de
los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es
mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y
velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre
dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin
emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en
la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.
PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en
da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las
circunstancias.


El smbolo de un transistor PNP.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de
material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el
emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica
externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la
corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo