EL TRANSISTOR

El transistor, inventado en 1951, es el componente electrnico estrella, pues inici una autntica
revolucin en la electrnica que ha superado cualquier previsin inicial. Tambin se
llama Transistor Bipolar o Transistor Electrnico.

El Transistor es un componente electrnico formado por materiales semiconductores , de uso
muy habitual pues lo encontramos presente en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como
las radios, alarmas, automviles, ordenadores, etc.

Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue
posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores",
televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color, etc. Antes de aparecer
los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban
ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al
gran consumo que tenan.
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos
electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control.

Caractersticas de los transistores
El transistor produce resultados que pueden ser comparables a los de un tubo de vaco, pero hay
una diferencia bsica entre los dos dispositivos.
El tubo de vaco es un dispositivo controlado por tensin mientras que el transistor es un
dispositivo controlado por corriente. Un tubo de vaco funciona normalmente con su rejilla
polarizada en el sentido negativo, o de alta resistencia, y su placa est polarizada en sentido
positivo, o de baja resistencia. El tubo conduce slo por medio de electrones, y su contrapartida
en cuanto a conduccin es el transistor NPN, cuyos portadores mayoritarios son siempre
electrones. No hay equivalente de tubo de vaco para los transistores PNP, cuyos portadores
mayoritarios son los huecos.
El transistor se puede conmutar en corte y conduccin variando la polarizacin en el electrodo de
base con respecto al potencial de emisor. Ajustando la polarizacin a un punto situado
aproximadamente a mitad de camino entre el corte y la saturacin se situar el punto de trabajo
del transistor en la regin activa de funcionamiento. Cuando funciona en esta regin el transistor
es capaz de amplificar. Las caractersticas de un transistor polarizado en la regin activa se pueden
expresar en trminos de tensiones de electrodo y de corrientes lo mismo que en los tubos de
vaco.
El comportamiento del transistor se puede analizar en trminos matemticos por medio de
ecuaciones que expresan las relaciones entre sus corrientes, tensiones, resistencias y reactancias.
Estas relaciones se denominan parmetros hbridos y definen los valores instantneos de tensin y
de corriente que existen en el circuito sometido a examen. Los parmetros permiten predecir el
comportamiento del circuito en particular sin construirlo realmente.
A continuacin se enumeran algunos de los parmetros ms tiles en las aplicaciones del
transistor:
Ganancia de tensin: Se expresa como razn de la resistencia de salida a la resistencia de entrada.
La resistencia de entrada de un transistor tpico es baja, aproximadamente 500 ohmnios, mientras
que la resistencia de salida es relativamente alta, ordinariamente ms de 20.000 ohmnios. Para un
transistor de unin la ganancia de resistencia suele ser mayor de 50.
Ganancia de tensin: Es el producto de alfa y la ganancia de resistencia. Aunque un transistor de
unin tenga un valor de alfa menor que la unidad, si por el contrario posee una ganancia de
resistencia del orden de 2.000 a causa de que su resistencia de salida es extremadamente alta, la
ganancia de tensin ser aproximadamente 1.800
Ganancia de potencia: Es el producto de alfa elevado al cuadrado y la ganancia de resistencia. Es
del orden de 400 o 500.
Hay tres configuraciones bsicas: conexin de base a masa, conexin de emisor a masa y conexin
de colector a masa. Las tres corresponden, aproximadamente, a los circuitos de rejilla a masa,
ctodo a masa y placa a masa en la terminooga del tubo de vaco.
El circuito de base a masa tiene baja impedancia de entrada y alta impedancia de salida, y desde el
circuito de entrada hasta el de salida no se produce inversin de fase de la seal. El circuito de
emisor a masa tiene una impedancia de entrada ms alta y una impedancia de salida ms baja que
el circuito de base a masa, y se produce una inversin de fase entre la seal de entrada y la de
salida. Esto proporciona ordinariamente la mxima ganancia de tensin en un transistor. El
circuito de colector a masa tiene impedancia de entrada relativamente alta, impedancia de salida
baja y no produce inversin de fase de la seal desde e circuito de entrada hasta el de salida. La
ganancia de potencia y la ganancia de tensin son ambas bajas.

Ganancia de corriente o parmetro de un transistor
La circunstancia de que una pequea corriente de base controle las corrientes de emisor y colector
mucho ms elevadas, indica la capacidad que posee un transistor para conseguir una ganancia de
corriente. As, la ganancia de corriente de un transistor es la relacin que existe entre la variacin
o incremento de la corriente de colector y la variacin de la corriente base.

As, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variacin de corriente de
colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de base, la ganancia ser:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales vara bastante de unos a otros. As, nos
podemos encontrar transistores de potencia que poseen una de tan slo 20. Por otro lado, los
transistores de pequea seal pueden llegar a tener una de 400. Por todo ello, se pueden
considerar qe los valores normales de este parmetro se encuentran entre 50 y 300.
En las tablas de especificaciones tcnicas, que facilitan los fabricantes de transistores, en vez de
utilizarse la para identificar la ganancia de corriente, se suele utilizar h
FE
. As por ejemplo, para el
transistor de referencia BC108 se lee en sus hojas de caractersticas, una h
FE
entre 150 y 290; lo
que nos indica que la ganancia de corriente de este transistor, puede encontrarse entre estos
valores.
Cmo es posible que en las hojas de caractersticas del transistor BC 108 nos indiquen que posee
una ganancia comprendida entre 150 y 290?
La respuesta est en que la ganancia de corriente de un transistor vara de una forma sustanciosa
con la corriente de colector. Adems, la temperatura ambiente influye positivamente en el
aumento de dicha corriente. Hay que pensar que al aumentar la temperatura de la unin del diodo
colector aumenta el nmero de portadores minoritarios y, por tanto, se produce un aumento de la
corriente de colector.
Para poder cuantificar este fenmeno, los fabricantes de transistores proporcionan, en las hojas
de especificaciones tcnicas, curvas de ganancia de corriente, donde se relacionan las variaciones
que sufre con respecto a la corriente de colector y a la temperatura ambiente.
En estas curvas, se puede apreciar cmo la ganancia de corriente aumenta hasta un valor mximo
mientras la corriente de colector aumenta; sobrepasado ese lmite, para mayores valores de dicha
corriente, la ganancia decrece. Tambin, se hace observar la existencia de tres curvas distintas,
que indican diferentes condiciones de trabajo para diferentes temperaturas ambiente.
Cuando se disea un circuito con transistores hay que tener en cuenta estas variaciones de la
ganancia de corriente, de lo contrario se podran cometer errores sustanciales, que invalidaran las
condiciones de trabajo requeridas por el diseo inicial.
Tensiones de ruptura
Al igual que ocurra con los diodos, cuando se polariza inversamente cualquiera de las uniones de
un transistor aparecen pequeas corrientes inversas, que no provocarn la ruptura de dichas
uniones si la tensin que se aplica no supera los valores mximos fijados en las hojas de
especificaciones tcnicas.
Tensin inversa colector-base (V
CBO
) con el emisor abierto

En este caso, la unin formada por la base y el colector estn polarizadas inversamente con la
tensin V
CB
. Como ocurra con los diodos, esto provoca la circulacin de una pequea corriente de
fuga (I
CBO
) que no ser peligrosa hasta que no se alcance la tensin de ruptura de la unin.
Normalmente esta tensin suele ser elevada (del orden de 20 a 300 V).
Nunca deber trabajarse, por supuesto, con una tensin superior a la indicada por el fabricante en
sus hojas tcnicas. Este dato suele aparecer indicado con las siglas V
CBO
.

Tensin inversa colector-emisor con la base abierta

En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica una tensin entre el colector y el
emisor que es igual a la suma de las tensiones de las fuentes de emisor a colector. Esta fuerte
diferencua de potencial provoca un pequeo flujo de electrones que emite el emisor y que se
sienten fuertemente atrados por el potencial positivo de la fuente. El resultado es una pequea
corriente de fuga de emisor a colector I
CEO
. Al igual que ocurra anteriormente, el valor de esta
corriente est determinado por la tensin colector-base (V
CEO
) aplicada. En las hojas tcnicas
tambin aparece la tensin mxima de funcionamiento (V
CEO
) que en ningn caso debe ser
superada, para evitar el peligro de destruccin del semiconductor.
As, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de especificaciones tcnicas aparecen los
siguientes valores para las tensiones de ruptura: V
CBO
= 30V y V
CEO
= 20V, lo que significa que este
transistor nunca deber operar con tensiones superiores a estos valores especificados.

Resistencia de entrada

Se podra decir que la resistencia de entrada de un transistor es la que presenta ste, visto desde
los bornes de entrada.
Al observar la caracterstica de transferencia del transistor, representada en la figura de abajo, se
puede ver que la intensidad de base aumenta con la tensin base-emisor.

Pues bien, a la relacin existente entre las variaciones de tensin base-emisor y las de la corriente
de base, que se corresponden con la tensin y la corriente de entrada, se la denomina resistencia
de entrada, es decir:

Para realizar el clculo de la resistencia de entrada nos valdremos de la curva caracterstica de
transferencia.


Regiones de trabajo


Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o del signo de los
voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transitor, ste se puede encontrar en
alguna de las cuatro regiones que se pueden observar en el grfico de la derecha. Estas regiones
son; Regin activa directa, Regin de saturacin, Regin de corte y Regin activa inversa. A
continuacin podemos observar el comportamiento de cada una de estas regiones.
La regin activa directa corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor-base. Esta es la
regin de operacin normal del transistor para amplificacin.

La corriente de colector es proporcional a la corriente de base

Centrando la atencin en la recombinacin de los electrones en la base procedentes del emisor
podemos observar que all donde haba un hueco pasa a haber, tras la recombinacin, un in
negativo inmvil. Si desaparecen los huecos de la base y se llena de iones negativos, se carga
negativamente, y se repelen los electrones procedentes del emisor. En este caso se impedira la
circulacin de la corriente, es decir, es necesario que la corriente de base reponga huecos para
que haya corriente de colector.

Por tanto, por cada electrn recombiando hay que introducir un hueco nuevo que neutralice la
carga negativa. Si la reposicin de huecos es lenta (corriente I
B
pequea) la capacidad de inyectar
electrones ser baja, debido a la repulsin elctrica. Este fenmeno tiene la propiedad de ser
aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional, denominadaganancia directa de corriente, o
bien ganacia esttica de corriente.
Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atrados por el potencial positivo
aplicado al colector, pueden atravesar la unin BC, y dar origen a la corriente de colector I
C

Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta drsticamente el nmero de
portadores minoritarios del diodo base-colector, con lo que su corriente inversa aumenta tambin.

Regin activa inversa
Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor-base y a una polarizacin directa de la
unin colector-base. Esta regin es usada raramente.
Regin de corte
Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en sta regin
corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo aplicaciones de conmutacin en el modo
apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC 0).

En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de depleccin
en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de carga mviles, por lo tanto, no
puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los portadores minoritarios s pueden
atravesar las uniones plarizadas en inversa, pero dan lugar a corrientes muy dbiles. Por lo tanto,
un transistor en corte equivale a efectos prcticos, a un circuito abierto.
Regin de saturacin
Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin den esta regin
corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor acta como
un interruptor cerrado (VCE 0).


Avalancha secundaria. Curvas SOA.
Si se sobrepasa la mxima tensin permitida entre colector y base con el emisor abierto (V
CBO
), o la
tensin mxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (V
CEO
), la unin colector -
base polarizada en inverso entre en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo,
denominado avalancha primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones por
debajo de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin de la
intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unin base - emisor en directo.
En efecto, con dicha polarizacin se crea un campo magntico transversal en la zona de base que
reduce el paso de dicha polarizacin se crea un campo magntico trransversal en la zona de base
que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequea zona del dispositivo (anillo circular).
La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de polarizacin
de la base, a la corriente de colector y a la V
CE
, y alcanzando cierto valor, se produce en los puntos
calientes un fenmeno degenerativo con el consiguiente aumento de las prdidas y de la
temperatura. A este fenmeno, con efectos catastrficos en la mayor parte de los casos, se le
conoce con el nombre de avalancha secundaria (o tambin segunda ruptura).

El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es producir
unos codos bruscos que desvan la curva de la situacin prevista (ver grfica inferior derecha).

El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la avalancha secundaria durante
cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas
lmite en la zona activa con los tiempos lmites de trabajo, conocidas como curvas FBSOA.
Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de cruvas para corriente
pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto.

Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con la
polarizacin inversa de la unin base-emisor se produce la focalizacin de la corriente en el centro
de la pastilla de Si, en un rea ms pequea que en polarizacin directa, por lo que la avalancha
puede producirse con niveles ms bajos de energa. Los lmites de I
C
y V
CE
durante el toff vienen
reflejados en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.

Curvas caractersticas
Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parmetros para
determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes
bsicas de resolucin de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y bajo la
accin de unas excitaciones concretas, existirn unos valores de estos cuatro parmetros que
caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de
operacin (Q).
Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que relacionan V
BE
con I
B
y V
CE
con
I
C
e I
B
. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.
Caractersticas V
BE
-I
B

Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la tensin
de polarizacin V
BE
sobre la corriente de base I
B
. Estas grficas reciben el nombre de curvas
caractersticas de transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un diodo
cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prcticamente constantes, por lo que sern de gran ayuda para
localizar averas en circuitos con transistores.

La funcin que liga V
BE
con I
B
es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse dado que la unin
base - emisor, es una pn normal, igual que la de diodo, y al polarizarla, seguir el mismo
comportamiento que aquel.
La curva representada en la figura sigue la expresin:

Caractersticas V
CE
-I
C

Estas caractersticas tambin son conocidas como familia de colector, ya que son las
correspondientes a la tensin e intensidad del colector. En la siguiente figura, se muestran una
familia de curvas de colector para diferentes valores constantes de la corriente base.

Idealmente, en la Regin Activa, la corriente de colector depende exclusivamente de la de base, a
travs de la relacin I
C
=+I
B
. Por lo tanto, en el plano V
CE
-I
C
la representacin estar formada por
rectas horizontales (independientes de V
CE
) para los diversos valores de I
B
(en este caso se ha
representado el ejemplo para =100).
Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de I
B
para no emborronar el grfico. Para I
B
=0,
la corriente de colector tambin debe ser nula. La regin de corte est representada por el eje de
abscisas. Por contra, para V
CE
=0 el transistor entra en saturacin, luego esta regin queda
representada por el eje de ordenadas.
Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un poco
ms compleja, y las curvas quedarn como representa la siguiente figura:
Las diferencias son claras:

En la Regin Activa la corriente del colector no es totalmente independiente de la tensincolector-
emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la resistencia interna del transistor.
La regin de saturacin no aparece bruscamente para V
CE
=0, sino que hay una transicin gradual.
Tpicamente se suele considerar una tensin de saturacin comprendida entre 0.1V y 0.3V.
Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del transistor. Se puede
comprobar que, para una tensin constante de colector-emisor, si se producen pequeas
variaciones de la corriente de base (del orden de A) esto origina unas variaciones en la corriente
de colector mucho ms elevadas (del orden de mA), de lo cual se deduce la capacidad del
transistor para amplificar corrientes.
Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensin V
CE
afecta muy poco a la corriente de
colector I
C
. Si se aumenta V
CE
demasiado (por encima de V
CEO
), la unin del colector entra en la
regin de ruptura y ste puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensin V
CE
es muy pequea
(por debajo de los 0.7V), la corriente de colector ser muy dbil, obtenindose una ganancia de
corriente muy baja. En conclusin, para conseguir que el transistor trabaje como amplificador de
corriente, la tensin de polarizacin inversa V
CE
debe mantenerse por encima de 0.7V y por debajo
de la tensin de ruptura.



Recta de carga del transistor
Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una determinada resistencia
de carga y averiguar el punto de funcionamiento del mismo. Para ello, trazamos la recta de carga
del transistor en las curvas de colector para poder determinar los puntos de funcionamiento.
Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor comn), podemos aplicar la ley de
Ohm entre los extremos de la resistencia de carga R
L
. La tensin aplicada a esta resistencia se
corresponder con la tensin total aplicada por la fuente V
CC
menos la cada de tensin que se
produce entre el colector y el emisor V
CE
. De esta forma obtendremos la siguiente expresin, que
se corresponder con la ecuacin de la recta de carga:

Para dibujar esta recta sobre la cruva caracterstica, lo primero que hay que hacer es encontrar sus
extremos (I
C
=0 y V
CE
=0).
Para V
CE
=0

Para I
C
=0

Llevando estos valores a la curva caracterstica de colector, obtendremos la recta de carga para
una determinada resistencia de carga R
L
y una fuente V
CC
.
A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales: puntos de corte, punto de
saturacin, punto de trabajo.

El punto de corte es donde la lnea de carga corta a la curva correspon-
diente a la corriente de base igual a cero (I
B
=0). Dada la escasa polarizacin directa a que queda
sometido el diodo de emisor-base, la corriente que aparece por el colector es prcti-
camente nula (slo circula una pequesima corriente de fuga I
CEO
). Haciendo una aproximacin, se
puede decir, sin equivocarse mucho, que el punto de corte se da en la interseccin de la recta de
carga con el eje horizontal, es decir cuando V
Cecorte
=V
CC
.
El punto de saturacin aparece donde la lnea de carga corta a la intensidad de base de
saturacin. En este punto, la corriente de colector es la mxima que se puede dar para la
operacin de transistor, dentro de los lmites de la recta de carga. Haciendo una aproximacin, se
puede decir que el punto de saturacin aparece en la interseccin de la recta de carga con el eje
vertical, es decir, cuando:

Para corrientes de base superiores a la de saturacin se produce tambin el efecto de saturacin
en el transistor.

El punto de trabajo es aqul donde el transistor trabaja de una forma normal y que, normalmente,
se encuentra entre la zona de corte de saturacin. Para determinar el punto de trabajo (Q) de
transistor para una determinada corriente de base (I
B
), se busca el punto de interseccin de la
recta de carga con la curva correspondiente a dicha corriente de base.
Por ltimo, hay que indicar que, cuando se disea un circuito para un transistor, se tiene que
procurar que el transistor nunca opere por encima de la curva de potencia mxima. Esto se
consigue eligiendo valores adecuados de la tensin de fuente V
CC
y de la resistencia de carga R
L
, de
tal forma que la recta de carga trazada con dichos valores, est siempre por debajo de la curva de
potencia mxima. En la figura siguiente, es esquematiza esta situacin:
Obtencin de la Ganancia a partir de las curvas caractersticas
La ganancia en corriente de un transistor se defina como la relacin que se da entre la variacin
de la corriente d el colector y la variacin de corriente de base. Para determinar dicha ganancia se
puede recurrir a las caractersticas del colector.
Como ejemplo, supongamos que las curvas caractersticas del transistor ensayado es la que se
muestra en la figura de la izquierda.
Para un punto de funcionamiento situado en V
CE
=20V, segn las cruvas de la figura de la izquierda,
la intensidad de colector variar entre I
C
=28mA e I
C
=43mA, mientras que la intensidad de base lo
har entre I
B
=0.10mA e I
B
=0.15mA. La ganancia se calcula as:

Hemos de tener en cuenta que punto de funcionamiento se encuentra trabajando el transistor, es
decir, la tensin que se le est aplicando al mismo, y con ello, la ganancia calculada, ser para esa
tensin de trabajo, siendo para otra, otra ganancia diferente de la calculada en otro punto.
Curva de mxima potencia del transistor
Una de las aplicaciones de las curvas caractersticas de un transistor, es que, a partir de stas se
pueden determinar los lmites de funcionamiento del mismo. Estos lmites estn determinados por
una potencia mxima que puede desarrollar un transistor sin provocar su destruccin.
Veamos en qu consiste ste fenmeno:
El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor, que vara en funcin dela
intensidad que se le aplique a su base I
B
. Por esta resistencia variable circula una corriente I
C
,
relativamente grande, que provoca en la misma una potencia calorfica o calentamiento, debido
al efecto Joule. Esta potencia se calcula realizando el producto de la tensin V
CE
, aplicada entre el
colector y el emisor, por la instensidad de colector I
C
. (P = V
CE
I
C
).
Como esta potencia se transforma ntegramente en calor, provoca un aumento de la temperatura
en el transistor que, en el caso de salirse de los lmites admisibles, provocar la destruccin del
mismo.
La potencia mxima trabajo de un transistor es un dato que proporciona los fabricantes en las
hojas de especificaciones tcnicas.
As, por ejemplo, para el transistor BC107 se indica una potencia mxima de 300mW.
Con este dato se puede trazar una curva de potencia mxima sobre la familia de curvas de
colector, para as poder determinar para qu tensiones de colector-emisor y corrientes de colector
es posible trabajar con el transistor sin que se deteriore.
Por ejemplo, para no superar los valores lmite, en el caso del transistor BC107 se deber cumplir
en todo momento la expresin:


Luego la curva de potencia mxima para este transistor ser tal que el producto V
CE
I
C
=0.3W.
En la figura de la derecha, se muestran las curvas correspondientes a la familia de colector del
transistor BC107, y en las que se ha aadido la curva de potencia mxima.
La hiprbola divide a la caracterstica en dos zonas diferenciadas: la zona prohibida de
funcionamiento , que queda por encima de la misma (sombreado con naranja), en la cual la
potencia es mayor de 300mW y, por lo tanto, es donde el transistor corre peligro de destruccin
por la accin del calor; y la zona de trabajo, que queda por debajo de la hiprbola, y en la cual la
potencia es inferior a 300mW.

Influencia de la temperatura ambiente en la potencia mxima de un transistor
La potencia mxima que puede disipar un transistor, en forma de calor, depende de la
temperatura mxima permitida en la unin colector T
j
(max). Esta temperatura nunca debe ser
superada, ya que a partir de ella se puede destruir el transistor. Este dato aparece en las hojas de
caractersticas del componente. As, por ejemplo, el transistor BC107 posee una T
j
(max) de 175C.
La potencia mxima a que puede trabajar un transistor tambin depende de la temperatura
ambiente. Hay que tener en cuenta que el calor producido en las uniones se conduce a travs del
encapsulado del transistor y se disipa al aire que le rodea. Cuanto mayor sea la temperatura de
este aire (temperatura ambiente), peor ser la ventilacin del transistor, y por lo tanto, menor la
potencia mxima que se le puede exigir al mismo.
Por lo general, en las hojas de caractersticas tcnicas se indica la potencia mxima para una
temperatura ambiente de 25C.

En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior habra que encontrar la potencia
mxima de funcionamiento para que el transistor trabaje dentro de sus lmites de temperatura
admisibles. En algunas hojas de especificaciones tcnicas aparece la curva de reduccin, como la
que se encuentra en la figura de la derecha.
Esta curva, nos indica que para una temperatura ambiente de 25C, la potencia mxima es de
125mW. Sin embargo, para 55C, la potencia mxima disminuye a 50mW.
En el caso de que se desee aumentar la potencia de un transistor, se puede acoplar un disipador
de calor, o aleta de refrigeracin en la superficie de la cpsula del mismo, de esta forma, se
consigue que el calor se evace con mayor facilidad hacia el aire exterior.



El transistor como amplificador
La necesidad de amplificar las seales es casi una necesidad constante en la mayora de los
sistemas electrnicos. En este proceso, los transistores desarrollan un papel fundamental, pues
bajo ciertas condiciones, pueden entregar a una determinada carga una potencia de seal mayor
de la que absorben.
El anlisis de un amplificador mediante su asimilacin a un cuadrpolo (red de dos puertas), resulta
interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de parmetros relativamente
simples que nos proporcionan informacin sobre su comportamiento.

En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la intensidad de los sonidos y de las
seales en general. El amplificador posee una entrada por donde se introduce la seal dbil y otra
por donde se alimenta con C.C. La seal de salida se ve aumentada gracias a la aportacin de esta
alimentacin, siguiendo las mismas variaciones de onda que la de entrada.
La seal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios, la aportan dispositivos
como el micrfono (transforman ondas sonoras en seales elctricas que siguen las mismas
variaciones que las primeras), sensores trmicos, luminosos, etc.

Cuando un amplificador realiza la funcin de elevar la seal que ha sido aplicada a su entrada, se
dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la ganancia de un
amplificador es la relacin que existe entre el valor de la seal obtenida a la salida y el de la
entrada. Dependiendo de la magnitud elctrica que estemos tratando, se pueden observar tres
tipos de ganancia:ganancia en tensin, ganancia en corriente y ganancia en potencia.
De esta forma podemos definir los siguienteas parmetros:
Ganancia de tensin (normalmente en decibelios): A
v
= V
o
/ V
i

Impedancia de entrada (ohmios): Z
i
= V
i
/ I
i

Impedancia de salida (ohmios): Z
o
= V
o
/ I
o
(para V
g
= 0)
Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): A
i
= I
o
/ I
i

Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): A
p
= P
o
/ P
i


Un amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y menor sea su impedancia de
entrada y salida.
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo que es vlido para
un margen de frecuencias no tiene porqu serlo necesariamente para otro. De todas formas, en
todo amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia permanece
prcticamente constante (banda de paso del amplificador). El margen dinmico de un amplificador
es la mayor variacin simtrica de la seal que es capaz de presentar sin distorsin a la salida;
normalmente expresado en voltios de pico (V
p
) o Voltios pico-pico (V
pp
).
Ampliacin
Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador, se partir del circuito de la
figura, en el que el transistor se conecta en la configuracin denominada de emisor comn.

El generador V
eb
asegura que la unin base-emisor est polarizada en sentido directo. Una batera
V
c
(V
c
>> V
be
) proporciona la tensin de polarizacin inversa a la unin del emisor.
El circuito de entrada, en el que se aplicar la seal que se desea amplificar, es el que contiene a la
base y el emisor. El circuito de salida est conectado a las terminales del colector y del emisor.
R
c
es la resistencia de carga del circuito de salida.
Supondremos que, cuando la tensin de entrada es nula (terminales de entrada cortocircuitadas),
las corrientes que circulan por cada terminal son I
e
, I
b
e I
0
, con los sentidos indicados en la figura.
A continuacin, se calcularn cuales son los incrementos que se producen en dichas intensidades
si se modifica ligeramente la tensin Web, aplicando una ddp adicional a la entrada.
En este desarrollo, se admitir que el incremento de tensin aplicado, es lo suficientemente
pequeo para que las variaciones de intensidad que provoca estn relacionadas linealmente con
l.
Asimismo, se despreciarn los efectos dinmicos producidos por la aplicacin de una diferencia de
potencial, aplicada muy lentamente.
Variacin de la intensidad de salida (-I
0
).
Como se muestra en la figura siguiente, la corriente de salida es -I
0
. Dicha intensidad tiene, tres
componentes: I
pb
, I
bb
e I
nc
. Ahora bien, en un transistor polarizado en el modo activo, la corriente
I
pb
es muy superior a las otras dos (unas mil veces superior en el ejemplo anterior) por lo que, a
efectos de clculo de las variaciones en la intensidad del colector, es admisible suponer que:

Suponiendo que la variacin de V
eb
, incremento de V, es pequeo, la variacin de la corriente de
salida es:

... y llamando transconductancia, g
m
, al factor I
0
/V
T
, resulta que:

La transconductancia tiene las dimensiones de una conductancia y su valor depende de la
temperatura y del punto de funcionamiento. A la temperatura ambiente, g
m
vale unos 0.04
mOhmnios por mA de intensidad en el colector.
Variacin de la intensidad de entrada (-I
b
)
La corriente de base, tiene, segn hemos expuesto, tres componentes: I
ne
, I
bb
e I
nc
. De ellas, tan
slo las dos primeras dependen directamente de la tensin V
eb
. Nos limitaremos, por tanto a
calcular sus variaciones.
De las ecuaciones anteriores se deduce que:

Por otra parte, el trmino exponencial puede expresarse en funcin de la intentsidad del colector:

El incremento de la corriente de base es:

Denominando a todo el trmino entre corchetes, tendremos que:

El parmetro o cuantifica el efecto que, sobre la corriente de base, produce un incremento de la
tensin V
eb
. As al disminuir la barrera de potencial en la unin emisor-base, se produce un
aumento de huecos inyectados desde el emisor, aumentando la concetracin de portadores
minoritarios en la base, lo que conduce a un incremento de la tasa de recombinacin. Debido a
ello, I
bb
crece.
Por otra parte, la disminucin de la barrera de potencial antes citada, supone un incremento del
nmero de electrones inyectados en el emisor desde la base, con lo que se produce un aumento
de la corriente I
ne
.
Variacin de la tensin colector-emisor (V
ce
).
La tensin colector-emisor es:

Por tanto, si V
eb
se incrementa, V
ce
variar como:

La expresin anterior implica que el incremento de la tensin colector-emisor puede aumentar sin
lmite, sin ms que incrementar suficientemente la resistencia de carga R
0
. Tal suposicin no es
cierta cierta ya que hay que tener presente que, en el modelo simplificado que se ha desarrollado,
no se ha tenido en cuenta el efecto de la tensin de polarizacin inversa V
cb
sobre la anchura de la
base, W. Valores muy elevados de g
m
R
m
suponen una importante variacin de V
cb
, lo que
modificara notablemente la anchura W, no siendo vlidas entonces las premisas del modelo
utilizado.


Ganancias de corriente y de tensin:
Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente figura, se aplica una seal alterna de
pequea amplitud, y frecuencia lo suficientemente pequea para que puedan ser despreciados los
efectos dinmicos que no han sido tenidos en cuenta en el modelo anterior.
En estas condiciones, por el circuito de entrada circular una corriente alterna -I
b
-AI
b
. Es decir,
sobre la corriente -I
b
que exista para un incremento de tensin 0, se superpone una corriente
alterna de amplitud incremento de la intensidad de base.
De forma anloga, en el circuito de salida aparecer una corriente alterna de amplitud igual al
incremento de la intensidad de colector, superpuesta a -I
c
(corriente de colector para un
incremento de tensin 0).
Se define ganancia en intensidad como:

Obsrvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de instensidad puede tomar valores
muy elevados.
De forma anloga, se defina la ganancia de tensin como:

En definitiva, la seal de entrada, se ve amplificada tanto en intensidad como en tensin.

EL TRANSISTOR BIPOLAR
Se denomina transistor de unin a un dispisitivo electrnico constituido por un cristal
semiconductor en el que se han formado dos uniones p-n consecutivas. Esto puede conseguirse
creando dos zonas de tipo p separadas por un zona de tipo n (transistor PNP) o bien creando dos
zonas tipo n separadas por una zona p (transistor NPN).
El transistor es el caballo de batalla de la electrnica. Como elemento amplificador activo, ha
sustituido casi por completo a las vlvulas o tubos electrnicos. La estructura interior muestra que
el transistor es una especie de "diodo doble", con dos uniones (una entre base y emisor y otra
entre base y coelctor). Esto deja claro rpidamente las dos formas posibles, a saber: el transistor
PNP y el transistor NPN. Como el cristal base es extremadamente delgado, una pequea corriente
de control, entre base y emisor, puede regular una corriente mucho ms alta entre colector y
emisor.
La principal aplicacin del transistor es su fuincionamiento como amplificador. Para ello es preciso
polarizar una de las uniones en sentido directo y la otra en sentido inverso. La zona exterior de la
unin polarizada en sentido directo se denomina emisor, mientras que la zona exterior de la unin
polarizada en sentido inverso se denomina colector. La parte central recibe el nombre de base.
Los transistores son fundamentales en la mayora de los circuitos electrnicos que realizan la
funcin de amplificacin, control, estabilizacin de la tensin, etc. Hay que pensar que los
dispositivos electrnicos que generan las seales de control, como una resistencia NTC en un
termostato, una LDR en una barrera fotoelctrica, un micrfono de audio, etc, producen seales
elctricas muy dbiles que, en la mayor parte de las aplicaciones, hay que aumentar (proceso de
amplificacin) para poder conseguir alimentar a dispositivos o receptores, que necesitan de un
aporte mayor de energa para su funcionamiento (rels que ponen en marcha una lmpara o
motor, o altavoces, etc.)
Antes de descubrirse en transistor (1950), los circuitos electrnicos estaban constituidos a base de
vlvulas de vaco. Estas eran muy voluminosas y necesitaban para su funcionamiento de una
resistencia de caldeo, que provocaba un consumo de energa excesivo y acortaba la vida de las
mismas.
El invento del primer transistor por Schockley dio paso a una nueva era. A partir del transistor
bipolar se han ido desarrollando otro tipo de transistores, como el transistor de efecto campo
"JFET" y el transistor de campo de xido metlico "MOSFET" que por sus especiales caractersticas
les hace ideales para el tratamiento de seales de radio frecuencia y en el diseo de circuitos
digitales. Con ellos, tambin se han desarrollado los circuitos integrados o "chips", que reunen en
un solo componente multitud e transistores de todo tipo, diodos, resistencias, etc, consiguiendo
miniaturizar y simplificar enormemente los circuitos. Los circuitos integrados consiguen realizar
mltiples funciones con un solo componente, como las que realiza el micropocesador de, por
ejemplo, un ordenador.
El transistor es un componente fcilmente identificable por sus tres terminales de conexin que
salen al exterior a travs de una de las bases de su cpsula. Estos, suelen estar dispuestos en lnea
o segn los vrtices de un tringulo imaginario. Cada uno de estos terminales est unido a un
cristal tipo P o tipo N. De esta forma, nos encontramos con un terminal de emisor, un terminal de
base y otro de colector.
Existen dos tipos de transistores, los PNP y los NPN. En la siguiente figura, se muestra la
disposicin de los cristales en cada uno de los dos tipos, as como su smbolo correspondiente.
Obsrvese que si el transistor es PNP (PeNetra) la flecha correspondiente al emisor se dibuja hacia
dentro, y si es NPN (No PeNetra) dicha flecha se dibuja hacia fuera.

En el proceso de fabricacin de un transistor NPN, se hace que el cristal semiconductor
correspondiente al emisor est muy contaminado, por lo que contendr un exceso de portadores
de carga; su tarea consistir en enviar o emitir estos portadores de carga (electrones) a la base. El
cristal semiconductor de la base se fabrica en una dimensin extremadamente delgada y un grado
tenue de contaminacin o dopaje; los electrones emitidos por el emisor atraviesan, prcticamente
en su totalidad, a este cristal, para acabar dirigindose al colector. La misin de la base consistir
en controlar dicho flujo de electrones. El cristal semiconductor del colector se fabrica con un grado
de contaminacin intermedio y recibe este nombre porque recoge los electrones enviados por el
emisor.
Cuando la unin emisor base est polarizada en sentido directo y la unin base colector lo est en
sentido inverso, se dice que el transistor est funcionando en el modo activo.
Este tipo de funcionamiento presenta propiedades de amplificacin, ya que la corriente del
colector puede experimentar grandes cambios con pequeas variaciones en la tensin emisor-
base.
En efecto, al polarizar en sentido directo la unin emisor-base, se inyecta un exceso de huecos en
la base, exceso que se difunde hacia el colector. Si el espesor de la base es muy pequeo (menor
que una longitud de difusin) una gran parte de los huecos inyectados desde el emisor llega hasta
la unin base-colector por lo que la corriente que atraviesa esta unin es mucho ms intensa que
la corriente inversa correspondiente a una unin p-n aislada. Por otra parte, pequeas variaciones
en la tensin emisor-base provocan grandes variaciones en la corriente que atraviesa dicha unin
(recurdese la elevada pendiente de la caracterstica I(V) de una unin polarizada en sentido
directo), y por tanto la corriente de colector tambin sufrir grandes variaciones.
En definitiva, en un transistor funcionando en modo activo, se produce un traslado de corriente
desde un circuito de baja resistencia (el circuito que contiene la unin emisor-base) a otro circuito
de resistencia elevada (circuito con la unin base-colector), producindose una amplificacin de
potencia.
De lo expuesto hasta ahora, se deduce que, para que el transistor funcione como tal, es preciso
que la base sea muy delgada.
Un dispositivo pnp con una base cuya anchura sea mucho mayor que la longitud de difusin no se
comporta como un transistor, sino como dos uniones p-n separadas.
Funcionamiento del Transistor.
Para estudiar el funcionamiento del transistor nos vamos a referir exclusivamente al tipo NPN.
Primeramente, entenderemos, o monaremos en un entrenador didctico el siguiente circuito,
para el estudio del modo de comportamiento del transistor:

Al conectar la fuente de tensin, el LED habr de encenderse, ya que al conectar el polo positivo
de la pila a la base (cristal de tipo P) y el negativo al emisor (cristal tipo N), la unin queda
polarizada directamente y, por tanto, circular una elevada corriente a travs del cristal (como si
se tratase de un diodo), que hace que el LED se encienda.
Esto se puede observar en la figura de superior:
Si se permutan los conductores en los terminales del transistor segn se indica el esquema
siguiente, el Led, al ser cerrado el circuito, no se habr de encender, debido a que si se polariza la
unin emisor-base PN en sentido inverso, la corriente a travs del cristal ser prcticamente nula y
por lo tanto, el diodo LED permanecer apagado tal y como se muestran en las dos imagenes que
vienen a continuacin.



Como se puede observar en la figura de la derecha, la zona de puntos, representa la anchura que
adquiere la regin de transicin, y el componente se comporta como un diodo polarizado
inversamente, la regin de deplexin crece.
Seguidamente, se conectan los terminales de colector y emisor como se muestra a continuacin,
podrs comprobar como en este caso el diodo LED no se enciende.

Veamos cul es la explicacin a todos estos fenmenos.
Los electrones libres del cristal N del emisor son repelidos por el polo negativo de la fuente de
alimentacin, mientras que los electrones libres del cristal N del colector son atrados por el polo
positivo. De todo esto, se deduce que se produce un desplazamiento de electrones en el sentido
del emisor al colector. A pesar de ello, los electrones del emisor no poseen la suficiente energa
para atravesar las barreras AB y CD de las uniones, las cuales los repelen.
La corriente emisor-colector es por tanto muy pequea y por eso el diodo LED no se enciende,
considerndose a efectos prcticos como una corriente de fuga.
Si ahora conectamos una resistencia de 1000W y una fuente de alimentacin de 1,5V realizando el
montaje que se expone en la siguiente figura, podremos comprobar como en este caso si que se
enciende el diodo LED.

La principal barrera que se opona al paso de los electrones desde el emisor al colector, la
constitua la barrera AB, ya que una vez atravesada sta, los electrones se encuentran bajo la
influencia del campo elctrico del polo positivo.
Al aplicar una pequea tensin positiva a la base (cristal P), con respecto al emisor (cristal N),
dicha barrera desaparecer, por quedar polarizada directamente la unin de los cristales PN que la
componen, sintindose atrados los electrones por los potenciales positivos de la base y del
colector. Dado que el potencial positivo del colector es mucho ms elevado que el de la base, los
electrones se sentirn ms atraidos por el primero, por lo que se obtiene una elevada corriente de
colector (que hace que el diodo se encienda y una pequea corriente de base.
A esta explicacin hay que aadir que, al ser el cristal de la base extremadamente delgado y estar
dbilmente contaminado con unos pocos huecos, la base se satura rpidamente al ser invadida
por la gran cantidad de electrones procedentes del emisor, causando una difusin de los mismos
hacia la zona de empobrecimiento de la unin con el colector. Una vez que los electrones han
superado la unin, son atrados con fuerza por el fuerte campo elctrico positivo a que est
sometido el colector.
El nmero de electrones que fluyen hacia el colector ser ms elevado cuanto mayor sea la
tensin de polarizacin directa del diodo base-emisor. Por lo que se puede decir que esta tensin,
junto con la corriente de base, controla la corriente de colector. Haciendo un smil, podramos
decir que la tensin de polarizacin del diodo base-emisor abre ms o menos una compuerta por
donde pasan los electrones; esta compuerta se consigue abrir con un pequeo esfuerzo (dbil
corriente de base); sin embargo, por ella pasan una gran cantidad de electrones, que se dirigen
hacia el colector, debido al fuerte potencial elctrico que ste posee.
Si tenemos en cuenta que la corriente de base es muy pequea con respecto a la del colector y
que esta ltima vara en consonancia con la primera, habremos comprendido la ms importante
propiedad del transistor, consistente en su capacidad de amplificacin de corriente.
Este fenmeno nos permitir que, con la dbil corriente que puede tener cualquier forma de
variacin en el tiempo, como pueden ser seales de radio, TV, sonido, etc, podamos obtener la
misma forma de variacin en el tiempo sobre una corriente mayor, procedente de una fuente de
alimentacin, lo que da lugar a poder transformar seales dbiles en otras suficientemente fuertes
para producir, por ejemplo, sonido en un altavoz, imagen en un televisor, etc.

El estudio que se ha hecho para el transistor NPN es igualmente vlido para el PNP, con la nica
diferencia de que en el caso del transistor PNP la conduccin se produce cuando se aplica una
tensin negativa en el colector con respecto al emisor y una tensin ingualmente negativa, aunque
de inferior valor a la base, con respecto al emisor.
La siguiente figura, muestra la distribucin de portadores en un transistor pnp sin polarizar, as
como las barreras de potencial que aparecen en las uniones.

Estas distribuciones corresponden a las de un transistor tpico, en el cual el emisor est ms
intensamente dopado que el colector, y ambos estn ms dopados que la base.
Pot tanto, las concentraciones de portadores mayoritarios verifican que:

Por el contrario, las concentraciones de portadores minoritarios cumplen las desiualdades:

...donde los subndices e, b y c hacen referencia al emisor, base y colector, respectivamente. El
segundo subndice, o, se refiere a que las concentraciones corresponden a las del equilibrio
trmico.
Las barreras de potencial que aparecen en las uniones emisor-base y base-colector se representan
por V0 y V'0, respectivamente. Dadas las diferencias en el dopado emisor, base y colector, antes
citadas, resulta evidente que V
0
>V'
0
.
Supongamos ahora un transistor polarizado en el modo activo. La tensin directa aplicada a la
unin emisor base es Veb' y la tensin de polarizacin inversa aplicada a la unin base-colector es
Vbo'.
En la siguiente figura, se representan las barreras de potencial correspondientes a cada unin, y en
un tercer lugar, se muestran las concentraciones de portadores a lo largo del transistor. Para
obtener dichas concentraciones se pueden seguir los razonamientos expuestos en el estudiados
en otros captulos, para el caso del modelo unidimensional de la unin p-n.
As, la disminucin de la barrera de potencial de la unin del emisor provoca una inyeccin de
huecos desde el emisor a la base, y una inyeccin de electrones desde la base al emisor. Las
concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados de la unin son:

Donde el exceso de huecos de la base P
b
(O), suele ser mucho mayor que el exceso de electrones
en el emisor, n
o
(O), ya que como se ha indicado anteriormente el emisor est mucho ms dopado
que la base y, por tanto, P
bo
>> n
eo
.
Por otra parte, las concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados de la unin de
colector, porlarizada inversamente, son mucho menores que las correspondientes a una unin sin
polarizar, hacindose prcticamente despeciables.
Hay que sealar que, en las proximidades de las dos uniones, las concentraciones de portadores
mayoritarios, se modifican ligeramente con respecto a las del equilibrio trmico.
No obstante, y dado el elevado valor de P
eo
, n
bo
y P
co
, las variaciones relativas son muy pequeas
frente a las modificaciones en las concentraciones de los portadores minoritarios. Por ello, en la
figura donde se muestran, las concentraciones aparecen representadas mediante rectas
horizontales.
Si la anchura de la base fuese varias veces la longitud de difusin, P
b
decrecera exponencialmente
hasta P
bo
y luego, en las proximidades de la unin del emisor, disminuira hasta un valor casi nulo.
No obstante, y dado que el espesor de la bse es muy inferior al de una longitud de difusin, la
disminucin de la concentracin de huecos desde el borde de la unin emisor-base hasta el borde
de la unin base-emisor es prcticamente lineal, tal como se muestra en la figura anterior.
Esta aproximacin est fundamentada en el hecho de que, al recombinarse muy pocos huecos de
los inyectados desde el emisor, la corriente de difusin de huecos a travs de la base es
prcticamente constante, lo que requiere un gradiente de concentraciones prcticamente
uniforme y, por tanto, una distribucin lineal.