Scientia et Technica Ao XIV, No 40, Diciembre de 2008. Universidad Tecnolgica de Pereira.

ISSN 0122-1701 37

Fecha de Recepcin: 8 de Septiembre de 2008
Fecha de Aceptacin: 1 de Diciembre de 2008.
DISEO Y CONSTRUCCIN DE UN INVERSOR TRIFSICO

Design and Construction of a Three-phase inverter

RESUMEN
Este artculo presenta el diseo y construccin de un inversor trifsico, el cual
muestra el principio de operacin de la topologa de 3 ramas, caractersticas de
las protecciones, y resultados experimentales de acuerdo a la tcnica de
modulacin utilizada. Como carga se implement una configuracin RL que fue
sometida a un nivel de voltaje de 72.1V. Adems se aplic un filtro en
configuracin L pasa-bajo donde se elimin desde el tercer armnico

PALABRAS CLAVES: Compensacin, Electrnica de Potencia, Red Snubber,
PWM.

ABSTRACT
This document presents the design and construction of a three-phase investor,
who shows the principle of operation of the topology of 3 branches,
characteristics of the protections, and experimental results according to the
technique of used modulation. As it loads implemented a configuration RL that
was put under a level of voltage of 72.1V. In addition a filter in configuration L
was applied pass-under where it was eliminated from the third overtone

KEYWORDS: Compensation, Power electronics, PWM, Snubber Network.


CARLOS ANDRS TORRES P.
Ingeniero Electricista, M. Sc.
Estudiante de Doctorado en
Ingeniera Electrnica
Universitat Rovira I Virgili
carlosandres.torres@urv.cat

DUBERNEY MURILLO Y.
Ingeniero Electricista, M. Sc (c).
Profesor Catedrtico
Ingeniera Elctrica
Universidad Tecnolgica de Pereira
duberneymurillos@gmail.com

CARLOS RESTREPO PATIO
Ingeniero Electricista, M. Sc.
Estudiante de Doctorado en
Ingeniera Electrnica
Universitat Rovira I Virgili
carlos.restrepo@urv.cat

Grupo de Investigacin en
Electrnica de Potencia UTP

1. INTRODUCCIN

El desarrollo de dispositivos electrnicos, as como gran
cantidad de cargas no lineales existentes en instalaciones
industriales y comerciales tales como convertidores de
potencia (controladores de velocidad de motores, fuentes
de alimentacin conmutadas, hornos etc.), han
deteriorado la calidad de la energa en los sistemas de
distribucin y transmisin, causando una operacin no
deseada de los sistemas elctricos [1].

Por tal motivo se ha creado la necesidad de disear y
construir prototipos tales como inversores trifsicos, para
luego ser implementados en actividades como:
compensadores estticos de reactivos, compensacin de
armnicos, correccin del factor de potencia, etc.,
tratando de esta manera reducir la magnitud de dichos
problemas. El avance que han experimentado los
semiconductores, en trminos de frecuencia de
conmutacin, prdidas en conduccin y facilidad de
manejo han contribuido en gran medida a la
popularizacin de este tipo de convertidores y su
evolucin [2].

El objetivo de un inversor trifsico es generar energa
elctrica de corriente alterna a partir de una fuente de
energa de corriente continua, con magnitudes y
frecuencias deseadas. Se constituye principalmente por
dispositivos electrnicos de potencia, que trabajan como
interruptores operando en corte y saturacin con una
secuencia apropiada para obtener tres tensiones de salida
simtricas y balanceadas. El controlador es otro
componente fundamental en la constitucin del
convertidor, es el que genera las seales de encendido y
apagado de los dispositivos semiconductores y garantiza
su buen comportamiento. Cualquier tipo de inversor
(monofsico trifsico) utilizan dispositivos con
activacin y desactivacin controlada (es decir BJT,
MOSFET, IGBT, MCT, SIT, GTO) o tiristores de
conmutacin forzada, segn la aplicacin. Un inversor se
puede clasificar segn el tipo de entrada en: VSI
(Inversor por fuente de tensin), CSI (Inversor por fuente
de corriente), siendo este ultimo utilizado solo en
aplicaciones con excitadores de motores AC de muy alta
potencia o en excitadores de control vectorial [3].

2. CONFIGURACIN DEL CIRCUITO

La Figura 1 muestra la topologa de un inversor VSI
trifsico en puente completo, el cual se componen de 6
transistores IGBTs, cada uno con un diodo en conexin
inversa, empleados para conducir la corriente reactiva de
retorno a la fuente de tensin E. Estos inversores se
dividen segn su forma de operar en: conduccin a 180
de cada elemento, con lo cual habr 3 elementos en
conduccin al mismo tiempo y conduccin a 120, con 2
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elementos por vez. Adems pueden alimentar los dos
tipos caractersticos de cargas trifsicas simtricas:
conexin delta y estrella.
Q
1
QQ
4
Q
3
QQ
6
Q
5
QQ
2
+
-
b a c
V
ab
V
bc
V
ca
b
a c
n
E
.
Figura 1. Inversor puente trifsico de 3 ramas.

2.1 Conduccin a 180

Cada transistor conducir durante 180. Tres transistores
se mantienen activos durante cada instante del tiempo.
Cuando el transistor Q1 est activado, la fase a se conecta
con la terminal positiva del voltaje de entrada. Cuando se
activa el transistor Q4, la fase a se lleva a la terminal
negativa de la fuente DC. En cada ciclo existen seis
modos de operacin, cuya duracin es de 60o. Los
transistores se numeran segn su secuencia de excitacin
por ejemplo (123, 234, 345, 456, 561, 612). Las seales
de excitacin mostradas en la Figura 2 estn desplazadas
60o unas de otras, para obtener voltajes trifsicos
balanceados [3].

2
G
1
G
2
G
3
G
4
G
5
G
6
V
ab
V
bc
V
ca

Figura 2. Secuencia de la seales de excitacin de los
transistores a 180.

2.1 Conduccin a 120

En este tipo de control, cada transistor conduce durante
120. En cualquier instante del tiempo, slo conducen dos
transistores. Las seales de excitacin se muestran en la
figura 3. La secuencia de conduccin de los transistores
es 61, 12, 23, 34, 45, 56, 61.

2
G
1
G
2
G
3
G
4
G
5
G
6
V
ab
V
bc
V
ca

Figura 3. Secuencia de la seales de excitacin de los
transistores a 120.

3. PROTECCIN PARA ENCENDIDO Y
APAGADO DE LOS IGBTs

Esta proteccin ms conocida como red snubber, se
puede considerar como un conjunto de componentes
(pasivos y/o activos) que se incorporan a un circuito de
potencia, para la proteccin de dispositivos de
conmutacin contra las transiciones de encendido y de
apagado, asegurando un rgimen de trabajo seguro [4].
La funcin principal que desarrollan los circuitos
snubber es absorber la energa procedente de los
elementos reactivos del circuito durante el proceso de
conmutacin controlando parmetros tales como la
evolucin de la tensin o corriente en el interruptor, o
bien limitando los valores mximos de tensin que ha de
soportar. Se incrementa de esta forma la fiabilidad de los
semiconductores al reducirse la degradacin que sufren
debido a los aumentos de potencia disipada y de la
temperatura de la unin. Aunque existen distintos tipos
de circuitos, en el diseo solamente utilizaremos el
Snubber de Tensin RCD, el cual es un tipo de circuito
que encuentra un amplio campo de aplicacin en la
proteccin de interruptores, como es el caso de los
transistores bipolares. Se distinguin dos utilidades en los
circuitos RCD (resistencia condensador y diodo):

Control de la pendiente de subida de la tensin
en el interruptor durante el transitorio de
apagado.
Enclavamiento de la tensin en el interruptor.

En la Figura 4 se observa el esquema de la red snubber a
implementar.


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1. Las notas de pie de pgina debern estar en la pgina donde se citan. Letra Times New Roman de 8 puntos
39
Q
1
QQ
4
D
s
R
s
C
s
D
s
R
s
C
s
P
N

Figura 4. Red Snubber RCD.

Los diodos que se encuentran en paralelo con los IGBTs,
los protegen contra altos picos de voltaje (manteniendo el
flujo de corriente en la misma direccin), los
condensadores aseguran un nivel mnimo de voltaje en el
dispositivo hasta que la corriente sea cero, garantizando
con esto reducir las prdidas de potencia en la
conmutacin, y las resistencias limitan el pico de
corriente de descarga a travs del transistor a un valor
seguro.

3.1 Diseo de la Red Snubber

Para el clculo de la red snubber se aplica el siguiente
criterio [5].

3.1.1 Capacitor Snubber
V
s
V
t I
C
CD
f L
s
200 * 2
140 * 2
. 2
.

=
F C
s
7 . 0
F C
s
1 . 0 =
3.1.2 Resistencia Snubber
Resistencia Mnima
A A
V
I I
V
R
L M
D
s
2 39
250

76 . 6
s
R
Resistencia Mxima
F
s x
C
T
R
S
ON
s
1 . 0 * 3
10 2
. 3
4
(min)

= <
Donde
(min) ON
T es el mnimo tiempo de encendido. Esto
quiere decir que
S
R debe ser pequeo para lograr una
rpida descarga de
S
C .
< 6 . 666
s
R
Por lo tanto
S
R debe estar entre:
< 6 . 666 76 . 6
s
R
= 56
s
R
3.1.2 Potencia Disipada
kHz V F f V C P
D S RS
5 * ) 250 .( 1 . 0 * 5 . 0 . . . 5 . 0
2 2
= =
W P
RS
16 =
4. PROTECCIN POR TEMPERATURA

4.1 Disipador de Calor

El disipador de calor en los circuitos electrnicos es una
pieza clave, sobre todo si se trata de electrnica de
potencia, donde las elevadas corrientes por los
semiconductores pueden causar su destruccin. Tanto as,
que en muchas aplicaciones, la potencia mxima de un
circuito de potencia est limitada por el diseo trmico
del sistema [6].

4.1.1 Diseo Trmico del Disipador

La diferencia de temperaturas entre la juntura y el
ambiente en condiciones de estado estacionario est dada
por la siguiente ecuacin obtenida del circuito trmico de
la Figura 5.
( )
SA CS JC AVE A J
R R R P T T

+ + = (1)
J
T
C
T
s
T

R
JC
R
CS

R
SA
A
T
AVE
P

Figura 5. Modelo trmico bsico.

Donde:
AVE
P : Representa la potencia de prdida disipada en
cada semiconductor.
JC
R

: Representa la resistencia trmica entre la juntura y

la carcasa del semiconductor.
CS
R

: Resistencia trmica entre la carcasa del

semiconductor y el disipador de calor.
SA
R

: Resistencia trmica entre el disipador y el

ambiente.
J
T : Representa la temperatura de la juntura del
semiconductor.
C
T : Representa la temperatura de la de la carcasa.
S
T : Representa la temperatura del disipador.
A
T : Representa la temperatura ambiente
La resistencia
SA
R

no depende del semiconductor, sino

del tipo de disipador a usar, por tanto es una cantidad que
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depende del material, el pulimiento de su superficie, el
tamao y la diferencia de temperatura entre el disipador y
la temperatura ambiente. De la hoja de datos tcnicos del
IGBT IRG4PC50FD obtenemos los parmetros de
acuerdo a lo especificado anteriormente.

Parmetros Valores
AVE
P

78W
JC
R

0.64 C/W
CS
R

0.24 C/W
C
I
39A
Tabla 1. Parmetros para el clculo del disipador

De la curva
C
T contra
C
I se observa que
C T
mx C
100
) (
= .
Asumimos una temperatura ambiente C T
A
40 = .

C R P T T
CS AVE S S
28 . 81 . = =

(2)
C T T T
A S
28 . 41 = = (3)
W
C
P
T
R
AVE
SA

5292 . 0

(4)
2
85 . 755
.
1
cm
R
A
SA
=

(5)

Pero cuando el disipador que se utiliza no es plano y con
aletas, las dimensiones calculadas son ms pequeas, por
tal razn se escoge un disipador de calor de aluminio por
conveccin natural, con dimensiones
2
78 . 263 cm A = ,
para el inversor [7].

5. PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTE

Los convertidores de potencia pueden provocar cortos
circuitos o fallas, y las corrientes resultantes debern
eliminarse con rapidez. Con el fin de prevenir situaciones
de riesgo para los usuarios o el convertidor, se instalaron
fusibles, el cual su objetivo es que, en funcionamiento
fuera de rango, estos se destruyan antes que otras partes
valiosas del convertidor o antes que se produzcan
incendios o explosiones.

Las condiciones a tener en cuenta en la seleccin del
fusible son:

1.
IGBT rms fusible rms
I I


2.
IGBT fusible
t I t I
2 2

3.
IGBT rms fusible arco
V V



Para este inversor las condiciones son ms
conservadoras, debido a que no se pudo acceder a
fusibles ms avanzados como son los fusibles rpidos.
Se utilizo fusibles de 5A de 5 ciclos por segundo, para
cada salida y entrada del inversor tal y como se ve en la
Figura 6.

1. A A 39 5
2.
( ) ( ) ( ) ( )
s s
cps A cps A
2 2
2 2
12.675A 2.0833A
5 . 0 39 5 5
<

Se puede observar que para esta seleccin de fusible las
condiciones se cumplen.
Q
1
QQ
4
Q
3
QQ
6
Q
5
QQ
2
+
-
F
1
b
a
c
E
F2
F3
F4

Figura 6. Inversor Trifsico con fusibles.

5. CONSTRUCCIN DEL INVERSOR

5.1 Rectificador Monofsico Implementado

Como fuente DC para la utilizacin del inversor se utilizo
un rectificador monofsico de onda completa, constituido
por 4 diodos de potencia de 600V y 50A, y un
condensador electroltico de 2200F a 250V , tal y como
se muestra en la Figura 7.
C
F
N
+
-

Figura 7. Rectificador Monofsico.

5.2 Tarjeta de Potencia

Para la construccin del inversor se utilizaron
semiconductores de potencia del tipo IGBT.
Especficamente se utiliz un mdulo integrado fabricado
por International Rectifier (modelo IRG4PC50FD), con
los que se construy cada rama del inversor. Estos IGBTs
soportan 39A y un voltaje de 600V entre colector y
emisor. En la Figura 8 se observa el esquemtico de la
tarjeta de potencia elaborada en el software EAGLE 4.11.


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1. Las notas de pie de pgina debern estar en la pgina donde se citan. Letra Times New Roman de 8 puntos
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Figura 8. Tarjeta de Potencia.

5.3 Tarjeta de Disparo

Para que los IGBTs conduzcan es necesario generar una
seal de voltaje de alrededor de 15V entre la puerta y el
emisor. Por lo tanto, al cambiar de estado los IGBTs
generan tierras flotantes en las fuentes de disparo, lo que
hace necesaria la implementacin de un circuito de
disparo que sea capaz de generar los 15V
independientemente para cada uno [8]. Para solucionar
este problema de excitacin adecuada se utiliz el
circuito integrado IR2110 de International Rectifier. En
la Figura 9 se muestra el esquemtico de la tarjeta de
disparo.

Figura 9. Tarjeta de Disparo.

6. RESULTADOS EXPERIMENTALES

Para la evaluacin experimental del inversor, se utiliz el
montaje mostrado en la Figura 10, con un PWM a
conduccin 120 programado en el DSP (Digital Signal
Procesing) TMS320F2812 de spectrum digital. Esta
configuracin se realiz para compensar el desequilibrio
de las seales de carga (voltajes y corrientes) que se
presentaban, debido a que los IGBTs no posean las
mismas caractersticas. A la salida de tensin alterna del
inversor se conect una carga RL, de valores 300 y
20mH conectadas en estrella y en delta, esta ultima sin
los condensadores de compensacin, debido a que en este
tipo configuracin la conexin no presenta punto de
retorno.
Q
1
C
1
C
2
QQ
4
Q
3
QQ
6
Q
5
QQ
2
+
-
E
R
L

Figura 10. Inversor Trifsico con carga RL en Y

Finalmente se implement un filtro en configuracin L,
la inductancia utilizada fue de 10mH y la capacitancia de
0.1F. La medida de las formas de onda sin y con filtro
para una entrada de 72.1Vdc, se ilustran a continuacin.


Figura 11. Voltaje de lnea Vab en conexin Y.




Figura 12. Voltaje de fase Va en conexin Y.


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Figura 13. Voltaje de lnea Vab filtrado en conexin Y.



Figura 14. Voltaje de fase Va filtrado en conexin Y.




Figura 15. Voltaje de lnea Vab en conexin delta.




Figura 16. Voltaje de lnea Vab filtrado en conexin delta.

7. CONCLUSIONES

Se diseo y construy un inversor trifsico de potencia de
tres ramas utilizando transistores bipolares de puerta
aislada (IGBTs). El diseo fue avalado mediante
simulacin utilizando Matlab. El anlisis de resultados
permiti seleccionar la red snubber y observar el
comportamiento del modelo para conexiones en Y y
Delta con carga RL. Los resultados observados
evidencian el buen desempeo del prototipo. La conexin
Y con filtro LC present el mejor comportamiento.

8. BIBLIOGRAFA
[1] F. Henao, D.R Cadavid, H.A Garca, O.P. Palacio and
R. Bohrquez, Diseo de Filtros Activos para Cargas
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[3] Muhammad H., Electrnica de Potencia, Prentice Hall.
Mexico, 1996.
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OVIEDO, Gijn (ESPAA), 1999.
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Texto Electrnica de Potencia, universidad
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Tensin y Elevada Velocidad para Hexfet o Circuitos
Puente con IGBT,Revista Espaola de
Electrnica,Octubre,1990.