Escuela Superior Politcnica del Litoral

Facultad de Ingeniera en Mecnica y Ciencias de la

Produccin

Ciencia de Materiales
Docente: Ing. Cornejo Martnez Mauricio

Tpicos: 1.- Propiedades Elctricas
2.- Semiconductores
3.- Superconductividad

Grupo # 2 -Integrantes
lava Zavala Bryan
Cobos Dvila Danny
Garca Meja Gladys
Nez Idrovo Luis
Romero Lara Jairo
Unamuno Mosquera Ramn
Yuquilema Guamn Cristhian

Guayaquil Ecuador
.
Conductividad elctrica
Se utiliza la conductividad elctrica , para especificar el carcter elctrico de un material
e indica la facilidad con que un material es capaz de conducir una corriente elctrica.
Reciproco de la conductividad es la resistividad.
La unidad: [( )

Modelo clsico
En los slidos metlicos los tomos estn ordenados en una estructura cristalina y estn
unidos por sus electrones de valencia por enlace metlico. El enlace metlico en los
slidos metlicos hace posible el libre movimiento de los electrones de valencia, de forma
que son compartidos por muchos tomos sin llegar a estar unidos a ningn tomo en
particular. Algunas veces los electrones se visualizan como formando una nube de carga
electrnica.
Ley de ohm
La ley de ohm relaciona la corriente; el paso de carga por unidad de tiempo, con el voltaje
aplicado.

Donde R es la resistencia del material a travs del cual pasa la corriente.
Las unidades de V, I y R son, voltios (J/C), amperios(C/s) y ohmios (V/A).
El valor de R depende de la configuracin de la muestra y en muchos casos es
independiente de la corriente.
La resistividad es independiente de la geometra de la muestra y est relacionada con R.
Se observa que los conductores elctricos tales como los metales puros plata, cobre y oro
tienen las conductividades ms altas.
Los aislantes elctricos como el polietileno y el polietileno tienen conductividades
elctricas muy bajas.
El silicio y germanio tienen conductividades entre las de los metales y los aislantes y por
ello se clasifican como semiconductores.
La ley de Ohm en forma microscpica, la cual es independiente de la forma del conductor
elctrico:

Donde: (

) (

)

Velocidad de deriva de los electrones en un metal conductor
A temperatura ambiente los iones positivos de la red cristalina vibran y, poseen energa
cintica. Los electrones libres intercambian energa con los iones de la red por colisiones
elsticas e inelsticas. Mientras no exista campo elctrico, no existe flujo neto de
corriente.
Al aplicar un campo elctrico, los electrones aceleran en direccin opuesta al campo
aplicado. Los electrones chocan con los iones de la red y pierden su energa cintica. La
velocidad de los electrones vara con el tiempo. La velocidad promedio est definida por:

Donde la movilidad electrnica (), es la constante de proporcionalidad entre la velocidad
promedio y el campo elctrico.
La densidad de corriente depende del nmero de electrones por unidad de volumen, la
carga elctrica y la velocidad promedio. La forma de la ecuacin es

Resistividad elctrica de los materiales
La resistividad elctrica de un metal puro es aproximadamente la suma de dos trminos:
un componente trmico

, y un componente residual

El componente trmico es consecuencia de las vibraciones de los iones positivos en torno
a sus posiciones de equilibrio. Conforme aumenta la temperatura los iones positivos
vibran cada vez ms. As, a medida que la temperatura aumenta, las resistividades
elctricas aumentan. La componente residual en estos metales es pequea y puede ser
debida a defectos estructurales que dispersan electrones. La componente residual es casi
independiente de la temperatura y es significativa slo a bajas temperaturas.
La adicin de elementos qumicos a metales puros produce una dispersin de los
electrones de conduccin incrementando la resistividad elctrica del metal en estado puro.

Modelo de bandas de energa y Conductividad elctrica
Para metales
En una porcin slida de metal, los tomos estn juntos y en contacto unos con otros. Los
electrones de valencia estn deslocalizados e interaccionan entre s de forma que los
primitivos niveles de energa atmicos se ensanchan en regiones amplias denominadas
bandas de energa. Los electrones internos no forman bandas de valencia por estar
apantallados por los otros electrones externos. Cada nivel de energa se denomina
estado. En la banda de valencia los niveles de energa estn tan prximos entre s que
forman una banda continua de energa.
Para aislantes
El modelo de bandas de energa aplicado a los aislantes consiste en una banda de
valencia de energa inferior llena y una banda de conduccin de mayor energa vaca.
Ambas bandas estn separadas por un salto energtico elevado

. Para liberar un
electrn para la conduccin se debe comunicarle energa suficiente para que salte esta
separacin energtica.
SEMICONDUCTORES
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como
un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o
magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que
se encuentre. El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio.
La conductividad elctrica de los materiales semiconductores no es tan alta en
comparacin a la de los metales, sin embargo tienen algunas cualidades nicas que los
hacen especialmente tiles.
Tipos de Semiconductores:
Semiconductor intrnseco
Semiconductor extrnseco
Semiconductor intrnseco
Son aquellos cuyo comportamiento se basa en la estructura electrnica inherentes al
material puro, los mismos se caracterizan por tener una estructura de bandas de
electrones del tipo mostrado en la figura 1.
Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea,
que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese
caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar
la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran
presentes en la banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos

Son soluciones solidas muy diluidas en los cuales los tomos de impureza del soluto van
a tener caractersticas diferentes de valencia respecto a la red del disolvente. Se
concentra en un intervalo de 100 a 1000 partes por milln (ppm).
Los semiconductores extrnsecos tienes un pequeo porcentaje de impurezas con
respecto a los intrnsecos, debido a que esta dopado, que quiere decir esto, que tiene
elementos trivalentes o pentavalentes que pueden formar 3 o 5 enlaces con otros
elementos.

Semiconductores extrnsecos tipo n (tipo negativo)

Son los que estn dopados con elementos pentavalente, los semiconductores de silicio o
germanio que contengan tomos de impurezas de grupo V reciben el nombre de
semiconductores extrnsecos de tipo n (tipo negativo) ya que la mayora de los portadores
de cargas son electrones. La conductibilidad del material aumenta en una forma muy
elevada



Semiconductores extrnsecos tipo p (tipo positivo)

Son los que estn dopados ahora con elementos trivalentes, pero lo que sucede ahora es
que al formar una estructura cristalina, dejen una vacante con nivel energtico superior a
la banda de valencia y los huecos portadores son mayoritarios.
Una banda de valencia es aquella que est ocupada por los electrones de valencia del
tomo, es decir electrones que se encuentre en la ltima capa o nivel energtico, tome en
cuenta que los electrones de valencia forman enlaces entre atomos mas no intervienen en
la conduccin elctrica. En cambio una banda de conduccin ocupada por los electrones
libres, aquellos que se a desligados de sus tomo y se mueven con facilidad y esto
electrones son los responsables de conducir la corriente elctrica.







Ley de accin de masas

En semiconductores como el silicio y el germanio, los electrones y huecos mviles
generaran y re combinaran de manera constante, los huecos constante son positivos y
electrones libres negativo a temperatura constante.

: Concentracin intrnseca de portadores en un conductor a temperatura
constante.


Un portador mayoritario es cuando cuya concentracin en semiconductores extrnsecos
es mayor, y los portadores minoritarios cuya concentracin es la ms pequea, tambin
describimos los siguientes:

Para que el semiconductor sea elctricamente neutro, decimos que la densidad de carga
negativa como la suma de los iones aceptadores negativos y los electrones, igual a la
densidad de carga positiva como la suma de los iones donadores positivos y los huecos:

, y el nmero de electrones es mucho mayor que el nmero de huecos (n mayor p)

se deduce:

. (Concentracin de portadores mayoritarios) Es de tipo n.

Para un semiconductor de tipo n la concentracin de electrones libres es
aproximadamente igual a la concentracin de tomos donadores

( )
Las ecuaciones para semiconductores tipo p de silicio y germanio son

Efectos de la temperatura sobre la conductividad intrnseca
En los metales la conductividad decrece al aumentar a la temperatura. Las
conductividades en los semiconductores crecen al aumentar la temperatura para el rango
de temperatura que en el proceso predomina.
El aumento de la temperatura produce una agitacin en los tomos y esparce electrones
produciendo disminucin de la trayectoria, desplazamiento de los electrones e incrementa
la resistividad.

Efecto de la temperatura sobre la conductividad trmica en los semiconductores
extrnsecos
A bajas temperaturas el nmero de tomos como impurezas (ionizados) por volumen
determina la conductividad elctrica del silicio. Conforme aumenta la temperatura, el
nmero de tomos ionizados tambin lo hace por lo tanto conforme aumenta la
temperatura aumenta la conductividad.
SUPERCONDUCTIVIDAD
Se denomina superconductividad a la capacidad intrnseca que poseen ciertos materiales
para conducir corriente elctrica con la disminucin de la resistividad elctrica, esto
sucede al enfriar ciertos metales y aleaciones por debajo de una temperatura crtica
propia de cada material que pueden estar en el orden de algunos K.
La superconductividad es un fenmeno de la mecnica cuntica.
Observaciones de superconductividad:
Por debajo de una temperatura crtica la resistividad en corriente continua se
vuelve aproximadamente cero, obteniendo una corriente persistente (sper-
corriente)
Para corriente alterna, el superconductor ofrece resistencia, aunque para
frecuencias bajas es muy pequea.
Los materiales superconductores se comportan como un diamagntico perfecto en
un campo magntico dbil; la induccin magntica en el interior es nula dado que
el flujo magntico es expulsado del interior de la muestra. (Efecto Meissner)
Al aplicar campos magnticos mayores al valor crtico

a una muestra
superconductora este recupera su resistencia elctrica normal provocando la
desaparicin de la superconductividad.
El valor de campo crtico depende de la temperatura.
Si la corriente que circula por el superconductor excede una corriente crtica el
estado superconductor es destruido. El valor de la corriente crtica depende de la
geometra de la muestra. (efecto Slisbee)


Tipos de Superconductores
Segn el campo magntico se distinguen dos:
Tipo 1: No permiten en absoluto que penetre un campo magntico externo; si se
supera la temperatura crtica y

se rompe el estado superconductor

Tipo 2: Tambin conocidos como superconductores imperfectos, en el sentido que
el campo magntico realmente penetra a travs de pequeos espacios llamados
vrtices.


En conductores ordinarios como cobre y plata la resistencia elctrica es no nula. La
superconductividad ocurre en una gran variedad de materiales, como el estao, aluminio,
aleaciones y algunos semiconductores.
Diamagnetismo
En electromagnetismo es una propiedad de los materiales que consiste en repeler los
campos magnticos. Por lo contrario los materiales que son atrados por los campos
magnticos se los llama ferromagnetismo.




Bibliografa
William F. Smith. Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales. 3era edicin.
Editorial Mc Graw Hill. Captulo 5. Pginas 143 188.
http://es.wikipedia.org/wiki/Superconductividad