2 EBAS Examenes

EBAS
Exmenes resueltos
2000-2009
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Dpto. de Electrnica Fsica Examen de: ELECTRNICA BSICA(Feb/00) PGINA N
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

ANTES DE EMPEZAR lea atentamente estas INSTRUCCIONES
Mantenga en lugar VISIBLE durante todo el examen un documento de IDENTIFICACIN
Escriba, DESDE ESTE MOMENTO, sus datos personales (apellidos, nombre y DNI) EN TODAS LAS HO1AS, tanto de
enunciados como para borradores, de que disponga.
Las soluciones, en Iorma concisa pero completa, deben escribirse EN ESTAS MISMAS HO1AS de enunciados y SLO
deben ocupar el ESPACIO correspondiente (entre el Iin de cada enunciado y el comienzo del siguiente). La ENTREGA DE
TODAS las hojas de enunciados es OBLIGATORIA aunque no haya escrito nada en alguna de ellas.
Utilice para borradores SLO las hojas en blanco suministradas y SLO una vez identiIicadas con sus datos personales.
Pero, al Iinal, NO ENTREGUE hojas adicionales ni borradores. En ningun caso serian tenidas en cuenta.
Puede utilizar su CALCULADORA y, para consulta, sus LIBROS DE TEORIA. Pero NO SE PERMITE el uso
compartido de medios, ni el de colecciones o libros (exclusivos) de problemas, apuntes de clase, Iotocopias de
transparencias, anotaciones en hojas sueltas, etc.
Dispone de un tiempo maximo de 3 HORAS para la realizacion de este examen. Cada ejercicio vale 2,5 PUNTOS (para un
total de 10) y en cada apartado se especiIica su puntuacion parcial.
Fecha Prevista Publicacin de Calificaciones: 10/2/00
Fecha Prevista de Revisin: 15/2/00, a las 11:00 a.m. (Admisin de solicitudes hasta una hora antes de la revisin)

Ejercicio 1. Suponiendo que los diodos de la Figura 1
son iguales e ideales salvo por tener una tension umbral
igual a 0,6 V, indique su estado (ON/OFF) y el valor de
la tension J
O
para los valores de J
1
sealados en la
tabla. Desarrolle y explique cada caso y escriba los
resultados Iinales en la tabla.
J
1
(V) D
1
D
2
J
O
(V)
0
ON ON 5,4 (0,9 p.)
5
ON OFF 7,8 (0,9 p.)
9,4
OFF OFF 10 (0,7 p.)
10k
10k
D
1
D
2
6V
J
O
10V
J
1

Figura 1

SOLUCIN E1ERCICIO 1

En todos los casos el diodo D
2
limita J
O
5,4 V

J
1
0 V Suponemos D
1
ON v D
2
OFF, por tanto. 10 (1010)I0,6, I 0,47 mA
Esa corriente produce una J
O
4,70,6 5,3 V que es imposible. Por tanto, D
2
conduce v J
O
5,4 J

J
1
5 V Suponemos D
1
ON v D
2
OFF, por tanto. 10 (1010)I0,65, I 0,22 mA
Esa corriente produce una J
O
52,20,6 7,8 V que es coherente con las hipotesis.

J
1
9,4 V Suponemos D
1
ON v D
2
OFF, por tanto. 10 (1010)I0,69,4, I 0 mA, lo que supone D
1

OFF. Al no pasar corriente, J
O
10 V, lo que es coherente con la hipotesis D
2
OFF.
PGINA N 2
SOLUCIN E1ERCICIO 1 (Cont.)

Ejercicio 2. Para el circuito de la Figura 2.1, se pide:
a) Expresar el valor de !
/" (1,0 p.)

b) Expresar la relacion ,$, ,%
&
/'
(
, de pequea seal en Iuncion de la Irecuencia, siendo %
&
e '
(
las
amplitudes complejas (Iasores) de )
&
e *
(
y sabiendo que %
++
- %
,-
~~ .//0 (1,0 p.)
c) Expresar y dibujar aproximadamente en la graIica de la Figura 2.2 la Iuncion ,$,/" en la region en que
se cumple
0

0
, donde
0
1/!
+ (0,5 p.)
DATOS:
,
*0
'
0 ./
1 !
; 1
20
~~ 1; !
3
1
30
-1
; los eIectos capacitivos en el transistor son
despreciables
%
++
)
&
"
+
*
4

Figura 2.1
0
0
" $ log
" $
" $

0
log
1
0
1
0

Figura 2.2
o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

SOLUCIN E1ERCICIO 2
J
CC
R I
D
I
B

a) En continua.
BE CC B
BE CC
B
J J
e kT
RI
e kT
R
r
R
J J
I
= =
=
t

J
g
R
C
I
d
I
b
r
t
|I
b

b) En alterna.
( ) ( )
"
"
# #
#
#
#
e e |
e e
e |
e
|
e |
e
e |
e
t
t t
t
t t
t
t t
f
f
R
Cr f
Cr f
R
R r
Cr f
Cr f R r
Cr f I I I
Cr f I I R r I
I
J
Z
b b b
b b b
d
g
+
+
=
+
+
~
|
|
.
|
\
|
>>
<<
~
~
+ +
+ +
=
+ +
+ +
= =

Y tomando el modulo
( )
( )
$
"
$
$
"
#
e e |
e e
+
+
= R Z

c) En la region de interes e%e
"
es despreciable frente a | v # frente a e%e
"
.
( ) ( ) | e e
|
e e
&'( &'( &'(
"
"
~ ~ R Z R Z

PGINA N 4
Ejercicio 3. Para una determinada aplicacion en que se desea duplicar la capacidad de conduccion de
corriente del transistor MOS de canal n, se ha decidido conectar otro transistor similar en paralelo, como
muestra la Figura 3. En el caso ideal en que ambos transistores Iueran identicos, el dispositivo conjunto que
Iorman se comportaria como un unico transistor equivalente de parametro k igual al doble del de los
transistores individuales, y de la misma tension umbral.
No obstante, se ha detectado que las tensiones umbrales de ambos transistores son diIerentes, lo que
le aparta del Iuncionamiento ideal indicado, como pretende ilustrar este ejercicio. A pesar de ello, el
dispositivo conjunto se comporta como un MOSFET de canal n en cuanto a que tiene J
T
y J
DS,SAT

G
D
S
M
1
M
2

Figura 3
Obtener razonadamente para el dispositivo conjunto:
a) Su tension umbral J
T
(0,8 p.)
b) La tension J
DS,SAT
para J
GS
3 V (0,8 p.)
c) La expresion de la caracteristica I
D
f(J
GS
) para saturacion
(activa), es decir, M
1
y M
2
en saturacion (0,9 p.)

DATOS: k
1
k
2
1 mA/V
2
, J
T1
1 V, J
T2
2 V,
En saturacion I
D
k (J
GS
-J
T
)
2

SOLUCIN E1ERCICIO 3
a) La tension umbral J
T
del dispositivo confunto sera aquella para la que si J
GS
J
T
, M1 v M2 estan en
corte. Por tanto, coincide con el menor valor de J
T1
v J
T2
.

V 1
1
= =
T T
J J

b) La tension J
DS,SAT
del dispositivo confunto sera aquella para la que si J
DS
~J
DS,SAT
, M1 v M2 estan en
activa. Por tanto, coincide con el mavor valor de J
DS,SAT1
(J
GS
) v J
DS,SAT2
(J
GS
).
V 2 V 1 V 3
1 , , 2 , 2 1 1 , 2 1
J J J J J J J J J J
SAT DS SAT DS SAT DS T GS T GS SAT DS T T
= = = = > = <

c)
V) en ( , 5 6 2 (mA) ) ( ) (
) (
) (
2 2
2 2
2
1 1
2
2 2 2
2
1 1 1
2 1
GS GS GS D T GS T GS D
T GS D
T GS D
D D D
J J J I J J J J I
J J I
J J I
I I I
+ = + =
=
=
+ =
k k
k
k

o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

SOLUCIN E1ERCICIO 3 (Cont.)

Ejercicio 4. La seal alterna v
i
, de pequea amplitud, es
ampliIicada por el circuito de la Figura 4. Los transistores estan
polarizados en modo activo directo con la misma corriente continua
de colector, que no necesita calcular. Se pide:
a) Dibujar el circuito equivalente para alterna y pequea seal (1,0 p)
b) Decir en que conIiguracion trabaja cada transistor (0,3 p)
c) Calcular la ganancia de pequea seal A
v
v
o
/v
i
(0,8 p)
d) Calcular la impedancia de entrada al ampliIicador, R
i
(0,4 p)

DATOS
Para ambos transistores:
k 25 , 1
ie
h r
; r
o
h
oe
-1
; h
fe
100.
A la Irecuencia de la seal los condensadores pueden tratarse como
cortocircuitos
+V
CC
12V
-V
CC
-12V
R
C
5k 8R
R2,4k
R
R
E
0,5k
v
o
v
i
T
N
T
P
R
i

Figura 4
SOLUCIN E1ERCICIO 4

a) El circuito equivalente es el siguiente, donde r
N
r
P
r
kT/e /I
C
1,25 k.
R/2
r
P
r
N
i
bN
i
bP R
E
i
bN
i
bP
R
C v
i
v
o
B
B
E E C
C
T
P
T
N

b) T
P
trabafa en colector comun, v T
N
en base comun

!"#$%& %( )

*+,-.$/% 0102.$.$+ 3 4.56789

!" $% &'( %')'( )* *+,('-. !|"#$,
/0
& '!|"#$,
/1
,
/0
& ',
/1

( ) ( ) ( )
( ) *
+ ( ) (,
+ (--
, # #
=
O
O
=
+ +
=
+ +

= =
t t t
|
|
|
|
- 2
2
, - 2 - ,
, 2
3
3
4
$
5
/0 0 $ 1 /1
/0 5
,
'
3

)"
( )
( ) ( ) O = ~ + + =
=
+ +
+
=
+
=
+
=
=
+
=
+ , ) #
,
, #
,
, #
#
,
#
#
,
#
#
, , ,
2
- 2
2
- 2 2 2
4
2 2
3
2
3
3
,
2
3
3
,
2
3
3
2
$
$ 5
3
5
' ,
,
/0
,
,
/1
,
,
,
t
t
|
| | |

Dpto. de Electrnica Fsica Examen de: ELECTRNICA BSICA(1un/00) PGINA N
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI


Ejercicio 1. En la Iigura 1.1 se presenta un circuito recortador utilizado para limitar el valor de la tension
a la salida, v
O
. Se aproxima el Iuncionamiento del diodo con un modelo lineal por tramos con una
resistencia en directa, R
f
0 , una tension umbral, J0,5 V, y una tension de disrupcion, J
Z
.
a) Calcule y represente la Iuncion de transIerencia v
O
I(v
I
) en este caso. (1 p).
b) Represente la seal a la salida v
O
(t) si la seal a la entrada, v
I
(t), es la seal triangular de la Iigura 1.2.
(0,5 p).
c) Si se reIina el modelo del diodo considerando el valor de R
f
20 , calcule la nueva expresion de la
Iuncion de transIerencia v
O
I(v
I
) (1 p).

DATOS: J
B
1 V, R 1 k

!
"
#
$
%
$
&
+
-

Figura 1.1
$
%
'
T
T/2
-3 V
+3 V

Figura 1.2

SOLUCIN E1ERCICIO 1

a) Cuando el diodo esta en corte, v
O
v
I
-J
B
v
I
- 1
.
Esto se cumple para v
O
-J

, luego la condicion a la
entrada es v
I
J
B
-J

0,5. Para v
I
J
B
- J
0,5 J el diodo esta en conduccion, v v

O
-J
-0,5 J.
Representandola.
!"#$%& %( )
!
"
!
#
$%
&
%
& $%
%
&
$%

b)
!
"
(%)
*
*
*+)
,- .
-
!
#
)
/01
,/01

c) En el tramo en que el diodo esta en corte (v
I
J
B
- J
) sigue siendo v
O
v
I
- J
B
v
I
- 1.
En el tramo en que el diodo conduce (v
I
J
B
- J
), el circuito equivalente es ahora el de la figura

+
%
&
!
#
!
"
2
,
,
+
-
%

v tendremos ! " #
#$ " %
#$ " #
! " #

I
v
f
R R
J
B
J
I
v
f
R J i
f
R J
O
v

.
o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

Ejercicio 2. La Iigura 2 muestra un circuito receptor de comunicaciones opticas que emplea un Iotodiodo
como sensor y un ampliIicador de corriente realizado con un JFET de canal n. El Iotodiodo, de sensibilidad
s, equivale desde el punto de vista circuital, a un generador de corriente de valor sp
i
(siendo p
i
la potencia
de la pequea seal luminosa incidente) en paralelo con un diodo, como muestra la Iigura 2.
a) En ausencia de seal (p
i
0), calcule R
S
para que i
L
0, comprobando que el diodo opera en OFF y el
transistor en saturacion (1 p.)
b) Dibuje el circuito equivalente de pequea seal para Irecuencias medias (0,5 p.)
c) Calcule la relacion
i
l
p
i
de pequea seal y Irecuencias medias(0,5 p.)
d) Halle el margen dinamico a la salida para la seal i
l
, sabiendo que no esta limitado por el diodo ni
porque el JFET entre en region de corte o gradual, sino por la Ialta de validez del modelo de pequea
seal del transistor.
NOTA: Considere el margen dinamico de la corriente como la maxima amplitud simetrica de i
l
que no
produce distorsion. Suponga que el JFET es un dispositivo aproximadamente lineal si:
5
T GS gs
J J v <

(0,5p.)

DATOS:
J
CC
12 V,
R
D
3 kO, R
G
10 kO, C
S
.

Para el Iotodiodo:
J
0,5 V, J
Z
,
s 0,5 A/W

Para el JFET en saturacion se cumple que:
( )
2
T GS D
J J I =k
con: k 1 mA/V
2
, J
T
-6 V, J
A
(tension

Early) ,

Figura 2

SOLUCIN AL E1ERCICIO 2
a) En ausencia de seal, como i
L
0, se tiene que I
D
J
CC
/ R
D
4 mA. Por tanto.
Asi,
El diodo opera en OFF va que

J
Diodo
J
G
J
CC
(J
CC
) J
CC
24 V 0,5 V J

El transistor opera en saturacion porque J
GS
~ J
T
v

J
DS
J
D
J
S
0 V (12 V 4 V) 8 V ~ J
GS
J
T
2 V
V 4 ) (
2
= + = =
k
D
T GS T GS D
I
J J J J I
O =
= k 1
D
GS
S
I
J
R
!" $" + !%
!"#$%& %( )

b) Teniendo en cuenta que el condensador C
S
equivale a un cortocircuito a la frecuencia de trabafo, que
el diodo esta en OFF v el transistor en saturacion.

c) En primer lugar, mS 4 ) ( 2 = =
T GS m
J J g
Del analisis del circuito anterior.

d) Como mA 6 , 1
5
=
< = =
T GS
m gs m l gs m l
J J
g v g i v g i

*+,-././0 1:
En el circuito de la Iigura 3 el ampliIicador operacional no esta saturado y la tension v
I
> 0
23 Calcule la tension de salida v
O
en Iuncion de v
I
suponiendo que el MOSFET de acumulacion esta
trabajando en saturacion. 45 673
83 Calcular el rango de valores de v
O
para los que el MOSFET esta en conduccion 45 673
.3 Calcular el rango de valores de v
O
para los que el MOSFET esta en saturacion 49:; 673

R
J
T
v
I
vO
-
<

Figura 3

Datos: con el MOSFET en saturacion se cumple:
i
D
k (v
GS
-J
T
)
2

O = = K 1
2
V
mA
1 R k

=>?@A$B% *C*DA$A$> 1

a)
2 2 2
) ( ) (
O T O T T GS
I
kv J v J k J v k
R
v
i = = = =
) voltios en y (
I O I
I
O
v v v
kR
v
v = =

b) v
GS
~ J
T
J
T
v
O
~ J
T
v
O
0

c) v
DS
> J
Dsat
v
GS
- J
T
J
T
v
O
- J
T
-v
O

De la condicion, v
DS
0 v
O
> - v
O
, la igualdad, que es tambien parte de la condicion de saturacion, se
cumple siempre. Por tanto, estara saturado si esta en conduccion v
O
0

A/W 20 = =
)
`
=
=
G m
i
l
G i gs
gs m l
R sg
p
i
R sp v
v g i
o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

E1ERCICIO 4: El regimen de conmutacion del circuito que se le propone en este ejercicio esta limitado
por el condensador C (Iigura 4), es decir, puede Ud. no considerar los eIectos capacitivos del diodo y del
transistor, ya que tienen una respuesta instantanea a la excitacion que tenga lugar en sus respectivos
terminales, es decir, que el transistor y el diodo trabajan en cuasi-estatica.
En la base del transistor, en el instante t 0, se aplica un escalon de tension desde 0 a 5 V, como
tambien se ilustra en la Iigura 4, que satura al transistor. El diodo es un diodo emisor de luz caracterizado
por una tension umbral, J
1,2 V.
Para cada uno de los instantes o intervalos de tiempo que se le indican a continuacion, diga si el
diodo se encuentra encendido o apagado y razone la respuesta:
a) 0 t (0,5 p.)
b)
0 t (0,7 p.)
c) t (0,5 p.)

d) Cuanto tiempo permanece el diodo apagado?
(0,8 p.).
Figura 4

Datos: Tension umbral de conduccion del diodo J
1,2 V. Para el transistor, J

CE,sat
0,2 V.

SOLUCIN E1ERCICIO 4
Caso
Instante o
intervalo
Estado del diodo
(encendido o
apagado?)
a 0 t ENCENDIDO
b
0 t APAGADO

c t ENCENDIDO

a) Caso 0 t : Circuito en estado estacionario. C aisla etapa del diodo v del transistor, diodo en ON (Si
estuviese OFF, la tension en sus bornas seria de 5 V ~ J
).

b) Caso
0 t : Para t 0, TRT cortado, tension en bornas del condensador J

BA
1,25 3,8 V. En el
instante t 0
, el TRT se satura. Como el condensador no puede cambiar inmediatamente la tension

en sus bornas:
J J J J J J
B B BA

6 , 3 ) 0 ( 2 , 0 ) 0 ( V 8 , 3 ) 0 ( , por lo que el diodo
se encuentra apagado

c) Igual que en el caso a)
!"#$%& %( )

d) Para 0
t t
ON
, donde t
ON
es el tiempo que el diodo se encuentra apagado, el transistor se encuentra
saturado v el diodo en abierto. J
A
esta fifada a 0,2 V (tension J
CE,sat
). La corriente que circula a traves
de la resistencia R carga al condensador segun la ecuacion.
( )
V 6 , 3 ) 0 (
,
=
+
B
sat CE B
B CC
J
dt
V V d
C
R
V V

cuva solucion es
| |
RC
t
J J J t J
B CC CC B

=
+
exp ) 0 ( ) (
de donde
| | s m 82
) 0 (
ln exp ) 0 ( =
=
+
+
B CC
CC
ON
ON
B CC CC
J J
J J
RC t
RC
t
J J J J

Dpto. de Electrnica Fsica Examen de: ELECTRNICA BSICA(Sep/00) PGINA N
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI


Ejercicio 1. Un diodo de GaAs (arseniuro de galio) posee una caracteristica !"# cuya medida experimental se
muestra en la Iigura 1.1 mediante rombos. La ecuacion que describe el Iuncionamiento de dicho diodo es:
|
.
|
\
|
= 1 exp
0
$%&
'#
! !
|1|
donde $ es un parametro, en general, distinto de 1. Se pretende determinar los valores de !
(
y $, para lo que es de
gran ayuda redibujar la Iigura 1.1 cambiando ! por log! (logaritmo en base 10), resultando la Iigura 1.2.
Considerando un rango de tensiones suIicientemente alto para poder despreciar el termino -1 de la ecuacion
|1|, se han ajustado los puntos experimentales de la Iigura 1.2 por una linea recta para # 0,9 V. Se le pide:
a) Calcular !
(
. Note que al tratarse de un ajuste, la linea recta no pasa por # 0, ! 0. (1 p.)
b) Calcular el valor de $ con la inIormacion suministrada en la Iigura 1.2 y sabiendo que %&*' 25 mV (1 p.)

Figura 1.1 Figura 1.2

c) Como se observa en la Iigura 1.2, si la linea recta de ajuste se prolonga para tensiones mayores que 0,9 V,
la diIerencia con los valores experimentales llega a ser importante. Esto es debido a que la ecuacion |1| no
incluye todos los Ienomenos que ocurren en el diodo real. Uno de ellos es un eIecto resistivo parasito,
caracterizado por una resistencia que se representa mediante la letra +, se expresa en O y que se desea
aadir a la ecuacion |1|. Sabiendo que con la inclusion de la resistencia +, el circuito equivalente del diodo
real queda como un diodo (representado por la ecuacion |1|) en serie con dicha resistencia +, indique cual
y por que de las ecuaciones siguientes es la correcta (0,5 p.).
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
Tensin, ! (V)
C
o
r
r
i
e
n
t
e
,

#

(
A
)
1.E-12
1.E-11
1.E-10
1.E-09
1.E-08
1.E-07
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
Tensin, ! (V)
C
o
r
r
i
e
n
t
e
,

#

(
A
)
10
0

10
-2

10
-4

10
-6

10
-8

10
-10

10
-12

C
o
r
r
i
e
n
t
e
,

(
A
)

0,0
PGINA N 2
1)
|
.
|
\
|
= 1 exp
0
mkT
eJ
R I I
2)
|
.
|
\
|

+
= 1 exp
0
mkT
R eJ
I I
3)
( )
|
.
|
\
|

+
= 1 exp
0
mkT
IR J e
I I
4)
R
mkT
eJ
I I + |
.
|
\
|
= 1 exp
0

SOLUCIN E1ERCICIO 1:

a) Despreciando el 1 en la ecuacion [1] v tomando logaritmos se obtiene.
mkT
eJ
I I

mkT
eJ
I I
mkT
eJ
I I
logaritmo del base la cambiar al
434 , 0 log log
exp ln 434 , 0 log log
exp log log log
0
0
0
+ =
(
+ =
(
+ =

Considerando las condiciones del afuste, para J0 ocurre que II
0
10
-12
A.

b) De la ecuacion anterior, el termino 0,434e/mkT es la pendiente de la figura 1.2. Calculando la pendiente
de dicha grafica se obtiene
08 , 2
5 025 , 0
6 , 0 434 , 0
log
434 , 0 = =
A
A
=
x
x
I
J
kT
e
m
c) La opcion 3 es la unica que dimensionalmente es correcta.

Ejercicio 2. Los tres transistores bipolares del circuito de la Iigura 2 son identicos, y para este ejercicio se pueden
caracterizar por un modelo lineal por tramos. Se sabe que T
2
esta en saturacion.
a) De los cuatro estados posibles del transistor (activa directa, saturacion, corte y activa inversa), deduzca en
cual de ellos se encuentra T
1
. (0,5 p.)
b) Calcule el rango de valores de R
D
para el que T
3
esta en activa. Si no resolvio el apartado a), suponga el
transistor T
1
en corte. (1 p.)
c) Para R
D
60 O el transistor T
3
esta en saturacion y se mide una caida de tension en sus bornas de 0,7 V.
Calcule los valores de las corrientes I
C2
e I
C3
. Compruebe que T
2
y T
3
estan en saturacion. (1 p.)

DATOS:
J
CC
5 V
R
A
1,7 KO
R
B
0,4 KO
R
C
6 KO

De los transistores.
|100
J
E
J
BE
(ON)0,7 V
J
CEsat
0,2V

!
""
#
$
T
3
%
"& #
'
#
(
T
2
T
1
%
)&
%
"*
!
""
#
$
T
3
%
"& #
'
#
(
T
2
T
1
%
)&
%
"*
#
"
o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

Figura 2

SOLUCION E1ERCICIO 2:

a) J
BE
0 J
E
, J
BC
-J
CE2
-0,2 V J
C
. J
E
.- J
CEsat
. 0,5 V. Ambas uniones en inversa, luego T
1
esta en corte.

b) T
3
en activa I
C3
|I
B3
, I
E3
(|1)I
B3
. Resolviendo.
( ) ) 1 ( ) 1 (
) 1 (
) 1 (
3 3 2 3 3 3
3 2 3 3 3
+ + = + + + + =
+ +

= + + + + =
| | | |
|
|

D B B CEsat CC CE CE B D CE B B CC
D A
CEsat E CC
B CE B D BE B A CC
R R I J J J J I R J I R J
R R
J J J
I J I R J I R J

Para que se cumpla T
3
en activa.
OK J J J I
CEsat E CC B
+ > >

0
3

( )
CEsat D B
D A
CEsat E CC
CEsat CC CEsat CE
J R R
R R
J J J
J J J J > + +
+ +

> ) 1 (
) 1 (
3
| |
|

Despefando, R
D
~3,09 KO

c)
mA
R
J J J
I J J J I R J
I mA
R
J
I
B
R CEsat CC
C CE R CE C B CC
C
D
R
E
D
D
D
75 , 9
2
67 , 11
3 2 3 3
2 3
=

= + + + =
= = =

Para comprobar hipotesis, calculamos.
mA
R
J J
I
mA I I I
C
E CC
B
C E B
72 , 0
92 , 1
2
2 3 3
=
=
= =

Y se comprueba.
I
B2
~0, I
C2
|I
B2
, luego T2 en saturacion
I
B3
~0, I
C3
|I
B3
, luego T3 en saturacion

Ejercicio 3. En el circuito inversor CMOS de la Iigura 3.1 los dos MOSFET (M
1
y M
2
) tienen el mismo valor
absoluto de la tension umbral|J
T1
||J
T2
| y la misma constante k
p
k
n
. Los dos son normalmente oII. Cuando estan
trabajando en saturacion cumplen las respectivas ecuaciones que se indican en las Iiguras 3.2 y 3.3. Calcular:
a) La region del plano (v
I
,v
O
) en la que los dos MOSFET trabajan en saturacion. (1 p.)
b) La expresion de v
I
en Iuncion de v
O
cuando los dos MOSFET estan trabajando en saturacion y la corriente
i0. (1 p.)
c) Dibuje en el plano (v
I
,v
O
) la region calculada en a) y la caracteristica de transIerencia calculada en b) (0,5 p.)

!"#$%& %( )

Figura 3.1 Figura 3.2 Figura 3.3

DATOS: 1 mA/V
2
, ,J
T
,1V, J
S
10V,

*+,-.$/% 0102.$.$+ 34

a) La condicion de saturacion para M
1
es
v
DS
J
DSsat
v
GS
- [J
T
[, es decir, v
O
v
I
- [J
T
[
Para M
2
la misma condicion es
v
SD
J
SDsat
v
SG
- [J
T
[, es decir, J
S
- v
O
J
S
- v
I
- [J
T
[
Ambas desigualdades se combinan en. v
I
[J
T
[ v
O
v
I
- [J
T
[, que define una banda en el plano (v
I
,v
O
).
Ademas v
I
[J
T
[ para que M
1
este en conduccion v J
S
- [J
T
[ v
I
para que M
2
este en conduccion.
b) Por la configuracion del circuito v la condicion i0 se deduce que la corriente de drenador de los dos
MOSFET es igual. Para estar en saturacion hav que estar en conduccion es decir para M
1
se debe cumplir
v
GS
[J
T
[ v para M
2
se debe cumplir v
SG
[J
T
[. Puesto que K
p
K
n,
de las expresiones de las corrientes de
drenador v de las anteriores consideraciones se deduce que
v
SG 2
- [J
T
[ v
GS1
- [J
T
[, es decir J
S
- v
I
- [J
T
[ v
I
- [J
T
[ de donde se deduce v
I
J
S
/25J, que es la funcion de
transferencia buscada
c)

Region de la pregunta a)
v
I

v
O

,J
T
,
2,J
T
,
J
S
-2,J
T
,
J
S
/2 J
S
-,J
T
,
J
S

D
S
G
i
D

i
D

(v
GS
J
T
,)
2

i
D

S
D
G
i
D

(v
SG
J
T
,)
2

Curva de transferencia de la
pregunta b)
V
S

M
2

v
I

M
1

v
0

i
Circuito
de
carga

-
V
S

o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

Figura 4
Ejercicio 4. Los dos transistores bipolares del ampliIicador
diIerencial con salida diIerencial de la Iigura 4 trabajan en
activa directa. Ambos estan a la misma temperatura pero no son
iguales: para Q
1
, I
S1
o
F
I
ES1
0,9 10
-14
A, mientras que, para
Q
2
, I
S2
o
F
I
ES2
1,1 10
-14
A. Por tanto el circuito no es
simetrico.

a) Se aplica a las dos entradas la misma tension v
I1
v
I2
v
A
.
Exprese la tension de salida v
O
en Iuncion de v
A
. (0,8 p.)

b) Se aplica a las dos entradas una (pequea) seal comun
v
i1
(t) v
i2
(t) v
c
(t). A partir del resultado del apartado a),
sin resolver ningun circuito, calcule la ganancia
) (
) (
t v
t v
A
c
o
C
, siendo v
o
(t) la parte alterna de la tension de
salida. (0,4 p.)

Por ultimo, las entradas se excitan con una (pequea) seal diIerencial v
i1
(t) - v
i2
(t) v
d
(t)/2.
c) Dibuje el cto equivalente de pequea seal (0,7 p.)
d) Calcule la ganancia
) (
) (
t v
t v
A
d
o
D
(0,6 p.)
DATOS: J e kT r
I
e kT
r
o
C
025 , 0 , , , 1
2 1
= = >> = = | | | |
t

NOTA: Considere los eIectos capacitivos de los transistores despreciables.

SOLUCIN E1ERCICIO 4

a) Con ambos transistores en activa directa, las ecuaciones de Ebers-Moll se escriben.
2
1
2
1
2
2 2
1
1 1
exp
exp
S
S
C
C
EB
S C
EB
S C
I
I
i
i
kT
ev
I i
kT
ev
I i
=
~
~

Ya que los dos transistores tienen la misma v
EB
. Y la ecuacion en el nodo de emisor.
+
~
+
~
+ ~ + =
2 1
2
0 2
2 1
1
0 1
2 1 2 1 0
S S
S
C
S S
S
C
C C E E
I I
I
I i
I I
I
I i
i i i i I
Y por fin ( ) V 1 , 0
2 1
2 1
0 2 1
=
+
~ =
S S
S S
C C C C O
I I
I I
I R i i R v , independiente de v
A

b) La tension de salida es independiente del voltafe comun aplicado a las entradas, de forma que, para entrada
comun, la seal de salida es nula v A
C
0

Q1 Q2
v
I1
v
I2
J
CC
-J
CC
R
C
1 kO
v
O
-
I
0
1 mA
(ideal)
R
C
1 kO
-

-
!"#$%& %( )

c) El circuito equivalente de pequea seal no puede simplificarse pues no es simetrico

d) En el nodo de emisor ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) t i t i t i t i
b b b b ! " ! "
" " = + b b , Ademas.

( )
( ) ( )
( )
( ) ( )( )
( ) ( )
|
|
.
|
\
|
+ + =
|
|
.
|
\
|
+ =
= + ~ =
!
"
"
!
#
"
! "
"
! " " ! ! " "
!
! !
S
S
S
S
b
C C
b
b d
d
b b
d
I
I
I
I
I
e kT
t i
I
e kT
I
e kT
t i
r r t i t v
t v
t i r t i r
t v
| |
t t t t

Y a la salida.
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) $ % "&
!
!
!
!
"
"
!
#
" " !
=
|
|
.
|
\
|
+ +
~ ~ =
S
S
S
S
C
D b C b b C o
I
I
I
I
e kT
I R
A t i R t i t i R t v | | |

*
r
t"

v
d
(!
R
C
| i
b"

r
t!

-v
d
(!
R
C
| i
b!

i
b"
i
b!

v
o

+
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI


Ejercicio 1. Para una determinada aplicacion se desea utilizar como generador de energia electrica la celula solar
que muestra la Iigura 1.a. Para ciertas condiciones de temperatura y radiacion solar (que se estima que seran
similares a las de operacion real) la celula puede modelarse como un generador de corriente en paralelo con un diodo
aproximado por un modelo lineal por tramos, tal y como muestra la Iigura 1.b. La caracteristica !-" como
componente de dos terminales de la celula tiene el aspecto de la Iigura 1.c. Para las condiciones mencionadas, se le
pide calcular de Iorma razonada:

a) La corriente en el punto A de la Iigura 1.c, que es la que produce la celula cuando se cortocircuitan sus
terminales (" 0). Indique el estado en que opera el diodo en dicho punto A. (0,6 p.)
b) La tension en el punto B de la Iigura 1.c, que es la que aparece en bornas de la celula cuando se deja en circuito
abierto (! 0). Indique el estado en que opera el diodo en dicho punto B. (0,8 p.)
c) La potencia maxima que puede generar la celula, que se obtiene cuando trabaja en el punto C de la Iigura 1.c.
(0,6 p.)
d) La resistencia de carga que habria que poner en los terminales de la celula para operase en el punto C de la Iigura
1.c. (0,5 p.)

Figura 1.a Figura 1.b Figura 1.c

DATOS: !
$
2 A. Modelo lineal por tramos del diodo: "
0,5 V; %
&
0,1 .
+
_
!
"
"
#
+
_
!
"
"

!
C
'

(

!"#$%& %( )

*+,-.$/% 0102.$.$+ 34

a) Para J J
D
0, el diodo esta en OFF, e I
D
0. Por tanto I -I
L
-2 A.
b) Cuando I 0, la corriente por el diodo es I
D
I
L
2 A ~ 0, por lo que esta en ON. Asi, su tension en bornas es.
J J
D
J
r
f
I
D
0,5 V 0,1 0,7 V
c) En el punto C el diodo esta en el umbral entre OFF v ON por lo que I
D
0 y J J
D
J
. Asi la potencia disipada

es P
dis
I J -2 A 0,5 V -1 W, por lo que la potencia generada es P
gen
-P
dis
1 W.
d) La resistencia de carga necesaria viene dada por.

25 , 0
A 2
V 5 , 0
I
J
R

o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

Ejercicio 2. El circuito de la Iigura 2, Iormado por las resistencias de valor R
B
y los dos transistores, se excita con
una pequea seal v
i
y ataca una resistencia de carga R.

Figura 2

a) Calcule, en continua, los valores de corriente de colector de T1 y
T2, I
C1
e I
C2
, y la corriente I
0
que atraviesa la resistencia de carga.
(1 p.)
b) Calcule la ganancia de tension
i
o
v
v
de pequea seal. (1 p.)
c) Cual es el margen dinamico a la salida, sabiendo que viene
limitado por la saturacion de los transistores? (0,5 p.)

DATOS: O = = O = = = 25 , 43 ; ; 3 , 4 ; 5 ; 025 , 0 R
I
J
r K R J J J J
B
T
B EE T t

J J J J T
J J J J T
BE CEsat
EB ECsat
7 , 0 ; 2 , 0 ; 100 2
7 , 0 ; 2 , 0 ; 100 1
2
1
2
1
= = = =
= = = =
| |
| |


a) En polari:acion mA
R
J J
I
R
J J
I
B
BE EE
B
B
EB EE
B
1
2
2
1
1
=
= =
=
0 100
0
2 1
= = = I mA I I
C C

b)

O = = = 25
2 1
B
T
I
J
r r
t t

( )
t
| |
r R
v
i i i
B
i
b b o
+
= + =
2
2 1

2
2
=
+
=
t
|
r R
R
v
v
B i
o

c) En reposo, J
0
0. Si T1 se satura, a la salida la seal es v
0
4,8 V. Si es T2, v
0
-4,8 V. Por tanto, el
margen dinamico es 4,8 V.

v
i
R
B
R
B
J
EE
I
C1
I
C2
T1

T2

R

i
O
I
O
i
o
-J
EE
v
O
J
O
v
o
~

R
B
i
b1 r
t1 |i
b1
|i
b2
i
b2
R
B
v
i ~
r
t2
R

i
o
v
o
PGINA N 4

Ejercicio 3. En el circuito ampliIicador de la Iigura 3:
a) Calcule el punto de trabajo del JFET y demuestre que esta en saturacion. (1 p.)
b) Dibuje el circuito equivalente en pequea seal y a Irecuencias medias. (0,5 p.)
c) Calcule la transconductancia, g
m
. (0,3 p.)
d) Calcule la ganancia en tension, v
o
/v
i
. (0,7 p.)
Realice las simpliIicaciones que considere oportunas, explicandolas.

DATOS

Del circuito: R
1
1 kO; R
2
10 MO;
R
S
0,3 kO; R
D
1 kO; R
L
20 kO;
J
CC
10 V; C .

Del JFET: J
t
4 V, k0,625 mA/V
2
,
Ec. de saturacion: ( )
2
t GS D
J J k I =

Figura 3


a) Es un JFET de canal n, por tanto, J
t
-4 J.
Suponiendo que el JFET esta en saturacion, se obtiene.
( ) ( ) ( ) ( ) 0 1 2
2 2 2 2 2 2
= + + = = =
t D t S D S t S D t S t GS D
kJ I J kR I kR J R I k J J k J J k I
De las dos soluciones, la valida es I
D
4,4 mA, pues es la que hace 32 , 1 = =
S D GS
R I J V~J
t

Resolviendo la malla de salida se obtiene.
( ) 28 , 4 = + =
S D D CC DS
R R I J J J
Si esta en saturacion se ha de cumplir que 68 , 2 = = >
t GS DSsat DS
J J J J J, lo que, efectivamente, se
cumple.

v
i
R
1
R
2 R
S
R
D
J
CC
C

C

C

R
L
v
o
o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

b)

c) ( ) mS 35 , 3 2 = = =
t GS
Q
GS
D
m
J J k
dv
di
g
d)
( )
35 , 3
//
2
2 1
= ~
+
=
gs
D gs m
gs
L D gs m
i
o
v
R v g
R
R R
v
R R v g
v
v

Ejercicio 4. El circuito de la Figura 4 es un ampliIicador
diIerencial en que los dos transistores son identicos y trabajan a la
misma temperatura.
a) Calcule el punto de trabajo en continua (I
C
, J
CE
) de ambos
transistores y demuestre que no depende del valor de R
E
ni de
R
L
. (0,9 p.)
Para una excitacion diIerencial de pequea seal como la mostrada
en la Iigura:
b) Dibuje el circuito equivalente de pequea seal, utilizando las
propiedades de simetria del circuito y la excitacion. (0,8 p.)
c) Calcule el margen de valores posibles de la ganancia A
v
v
0
/v
d

si R
E
se puede variar entre 0 (cortocircuito) e (circuito
abierto) (0,8 p.)

DATOS: J
CC
9 V; R
C
10 kO; R
L
1 kO; I
0
0,5 mA
Las Iuentes de corriente continua son ideales.
J
BE
~ 0,6 V, J
T
0,025 V, | 100, r
t
| J
T
/I
C
, r
o

Q
1
Q
2
R
C
J
CC
R
C
-J
CC
R
E
v
d
/2
I
0
I
0
v
O
-
R
L
-v
d
/2
Q
1
Q
2
R
C
J
CC
R
C
-J
CC
R
E
v
d
/2
I
0
I
0
v
O
- v
O
-
R
L
-v
d
/2
Figura 4
v
i
R
1
R
2

R
L
v
o
R
D
g
m
v
gs
G
D

S

v
gs
!"#$%& %( )

*+,-.$/% 0102.$.$+ 34

a) Se supone que los transistores funcionan en activa directa. Por la simetria del circuito, no circula corriente
continua ni por R
L
ni por R
E
, por tanto.
2 1 2 1 0
mA 0,5
C C E E
I I I I I = ~ = = =
Tambien las tensiones colector - emisor son iguales.
V 6 , 4 6 , 0 5 9 ) (
1 1 1 1 1 2
= + = = = =
BE C C CC E C CE CE
J R I J J J J J
De estos resultados se desprende que el punto de polari:acion no depende de R
E
o R
L
v que, en efecto, los
transistores trabafan en la region activa directa.

b) En los puntos medios de las resistencias R
E
v R
L
no hav seal diferencial, v, por efemplo, la mitad i:quierda del
circuito queda.

Con r
t
1000,025/0,5 5 kO

c)
= =

=
=
+ +
|
|
.
|
\
|
= = =
0) ( 52 , 9
5
10 5 , 0 100
) ( 0
2
) 1 (
2
2
2
E
E
E
C
L
d
o
d
o
v
R
R
R
r
R
R
v
v
v
v
A
|
|
t

R
C
,,(R
L
/2)

R
E
/2
v
d
/
2

v
o
/
2

r
t
i
b1
|i
b1
56 0
6
.6
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

compartido de medios, No se permite la consulta de escritos en hojas sueltas: apuntes, Iotocopias de transparencias, etc., ni
de colecciones (exclusivas) de problemas, esten o no editadas en Iorma de libro.

Ejercicio 1. El circuito sealizador de la Iigura 1.1 consta de un diodo emisor de luz naranja y otro inIrarrojo.
Dichos diodos se pueden modelar linealmente por tramos en regimen cuasi-estatico mediante los parametros
indicados en los datos al Iinal del enunciado. Por la entrada !
"
#$% se introduce un escalon de tension de -4V a 4V
como indica la Iigura 1.2. Despreciando los eIectos capacitivos de los diodos y suponiendo que conmutan
instantaneamente, rellene la tabla adjunta indicando si los diodos se iluminan o no y calcule la tension !
&
#$% con el
sentido indicado en la Iigura 1.1 cuando la tension de entrada vale:
a) - 4 V (0,7 ptos)
b) 4 V (0,7 ptos)
Suponga ahora que ambos diodos emisores de luz tienen una capacidad en directa (ON) de 1 nF y una capacidad
en inversa (OFF) de 10 pF, por lo que la conmutacion ya no es instantanea. Si en t0 se produce la conmutacion de
4 V a 4 V:
c) Dibuje el circuito que gobierna el transitorio justo despues de t0
. (0,6 ptos).
d) Como consecuencia de este transitorio, que diodo cambia antes su estado (de encendido a apagado o
viceversa): el naranja o el inIrarrojo? (0,5 ptos). Razone su respuesta sin resolver ecuaciones
diIerenciales.
Datos:
Diodo inIrarrojo: 10 , V 7 , 0
'( (
) *
si
( +(
* $ !

) ( circuito abierto

Diodo naranja: 25 , V 5 , 1
', ,
) *
si
, +,
* $ !

) ( circuito abierto
) 100

!"
)
Naranja InIrarrojo
!o

Figura 1.1

4
-4
t
!" (en V)

Figura 1.2
!"#$%& %( )
*+,-.$/% 0102.$.$+ 34

v
I
(t) (V) v
O
(t) (V) Diodo inIrarrojo (si/no) Diodo naranja (si/no)
-4 -2 no si
4 1 si no

a) Hipotesis. Diodo infrarrofo no conduce v el naranfa si.
I (4-J
n
)/(RR
fn
) 20 mA

;

v
o
(t) -J
n
-IR
fn
-2 V, lo que confirma la hipotesis

b) Hipotesis. Diodo infrarrofo conduce v el naranfa no.
I (4-J
)/(RR
fi
) 30 mA

;

v
o
(t) J
IR
fi
1 V, lo que confirma la hipotesis

c)

d) El diodo naranfa, va que partiendo de la tension inicial del transitorio (-2 V) se llega antes a 1,5 V (tension
umbral del naranfa) que a (0,7 V) tension umbral del infrarrofo.

C
OFF
4V
R
J
,n C
ON
R
f,n

o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

Ejercicio 2. El conjunto de tres transistores bipolares T1, T2 y T3 acoplados segun muestra la Iigura 2.1 Iunciona
como el transistor npn equivalente representado en la Iigura 2.2. Se le pide calcular:
a) El parametro | del transistor equivalente, deIinido como el cociente I
C
/I
B
de las corrientes indicadas en la
Iigura 2.2 cuando T1, T2 y T3 operan en activa (0,9 p)
b) La minima tension J
CE
en el transistor equivalente para la que T1, T2 y T3 operan en activa con I
B
~ 0.
Considere para este apartado el modelo lineal por tramos para los transistores (0,7 p)
c) El valor de J
BE2
J
BE1
cuando T1, T2 y T3 operan en activa. Considere para este apartado el modelo de
Ebers-Moll para los transistores en activa, y exprese el resultado con tres ciIras signiIicativas (0,9 p)

B
C
E
T1
T2
T3
!
"
B
!
#
C
!
$
E


DATOS: J
t
25 mV
Para todos los BJT: |10, ,J
A
,
! Modelo lineal por tramos: J
E
~ 0,7 V, ,J
CE,sat
, ~ 0,2 V
! Modelo de Ebers-Moll para activa: I
C
| I
B
, I
B
I
0
exp (,J
BE
,/J
t
)


a) Como I
C1
I
B3
y I
B2
I
C3
:
b)

c)

1110 1110 ) (
) 1 (
2 3
2 3
3 2
1 3
1 3
1
= = + + = + =
=
=
+ =
=
e equivalent I I I I I
I I
I I
I I
I I
B B C E C
C C
C C
C E
B C
| | | |
|
|
|
|
V 9 , 0
, min ,
, , 3 1
, 2
= + >
)
`
+ > > = =
> =
E sat CE CE CE
E sat CE CE sat CE E CE EC CE
sat CE CE CE
J J J J
J J J J J J J J
J J J

mV 115 Ln 2 exp
exp
exp
1 2
2 1 2
2 2
0 2
1
0 1
= = =
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
=
=
|
|
.
|
\
|
=
| |
|
t BE BE
t
BE BE
B
t
BE
B
B
t
BE
B
J J J
J
J J
I
J
J
I I
I
J
J
I I
PGINA N 4

Ejercicio 3. El circuito de la Iigura 3 representa un ampliIicador seguidor de Iuente realizado con JFETs, en el
que Q
2
actua como Iuente de corriente. Considerando que ambos transistores son identicos y trabajan en saturacion,
se pide:

a) Valor de continua de la corriente de drenador I
D2
y de la
tension puerta-Iuente J
GS
para cada uno de los transistores
(0,5 p). Considere para este apartado J
A

b) En pequea seal, resistencia equivalente de la Iuente de
corriente Q
2
vista desde su drenador (0,5 p).
c) Ganancia de tension en pequea seal v
o
/v
i
(1 p).
d) Resistencia de salida en pequea seal R
out
(0,5 p).

DATOS: k1 mA/V
2
, ,J
t
,1 V, Tension de Early J
A
50 V.
D
A
o
I
J
r


a) J
GS2
0 V; I
D2
k(J
GS2
-J
t
)
2
kJ
t
2
1 mA
Ademas, I
D1
I
D2
luego J
GS1
0

b) Los parametros de pequea seal de ambos transistores son k
I
J
r m kI g
D
A
D m
50 ; S 2 2
0

Al ser v
gs2
0, la resistencia equivalente de pequea seal de Q2 es r
02

c) En pequea seal.

98 , 0
) // ( 1
) // (
) // )( (
02 01 1
02 01 1
02 01 1

r r g
r r g
v
v
r r v v g v
m
m
i
o
o i m o

d) Para calcular la resistencia de salida, hacemos v
i
0 en el circuito anterior, con lo cual la fuente de corriente
dependiente esta controlada por su propia tension, v por tanto es una resistencia de valor
1
1
m
g
.
v
i
J
DD
v
o
-J
SS
Q
1
Q
2
D
D
S
S
R
out
G
G

Figura 3
r
01
v
o
g
m1
(v
i
- v
o
)
r
02
r
01
v
o
g
m1
(v
i
- v
o
)
r
02
o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

Luego R
out
490
1
// //
1
02 01
m
g
r r

Ejercicio 4. Para el ampliIicador diIerencial de la Iigura, se
pide:

a) Calcular el nivel de continua a la salida y comprobar que los
transistores estan saturados (0,5 p)
b) Calcular la ganancia en modo comun (A
Jc
v
o
/v
ic
, con
v
i1
v
i2
v
ic
), siendo v
o
el voltaje de pequea seal a la salida
(1,0 p)
c) Calcular la ganancia en modo diIerencial (A
Jd
v
o
/v
id
, con
v
i1
-v
i2
v
id
/2) (1,0 p)

J
DD
5 V; R
D
7 k; I
0
1 mA
Transistores iguales: k 1 mAV
-2
; J
T
1 V; J
A

Las Iuentes de corriente continua son ideales

Figura 4

J
D
D
-J
DD
v
i1
v
i
2
v
O
2I
0
R
D
2I
0
R
D
2I
0
Q
1
Q
2
!"#$%& %( )
*+,-.$/% 0102.$.$+ 34

a) mA 1
0
= = I I
D
para ambos transistores. ( ) V 2 2
0 0
= + =
D DD O
R I I J J
Ambos estan saturados con V 1 V 4 V; 2 = > = + = = = + =
T GS GS G D S D DS
D
T GS
J J J J J J J J
k
I
J J
O = =
o D m
r kI g ; m 2 2
-1

b) 0 0 0
2
= = =
Jc o gs m
A v v g

c) 7
2 2
2
= =
= =
D m
Jd
id
D m gs D m o
R g
A
v
R g v R g v

v
o
R
D
g
m
v
gs2
#
5
6
5
*
5
v
ic
v
o
R
D
g
m
v
gs2
#
5
6
5
*
5
v
ic
v
o
R
D
g
m
v
gs2
#
5
6
5
*
5
-v
id
/2
v
o
R
D
g
m
v
gs2
#
5
6
5
*
5
Dpto. de Electrnica Fsica Examen de: ELECTRNICA BSICA(Septiembre/01) PGINA N
o
1
APELLIDOS CALIFICACIN
NOMBRE N
o
DNI
! Mantenga en lugar VISIBLE durante todo el examen un documento de IDENTIFICACIN
! Escriba, DESDE ESTE MOMENTO, sus datos personales (apellidos, nombre y DNI) EN TODAS LAS HOJAS, tanto de
! Las soluciones, en forma concisa pero completa, deben escribirse EN ESTAS MISMAS HOJAS de enunciados y SLO
deben ocupar el ESPACIO correspondiente (entre el fin de cada enunciado y el comienzo del siguiente). La ENTREGA DE
! Utilice para borradores SLO las hojas en blanco suministradas y SLO una vez identificadas con sus datos personales.
Pero, al final, NO ENTREGUE hojas adicionales ni borradores. En ningn caso seran tenidas en cuenta.
! Puede utilizar su CALCULADORA y, para consulta, sus LIBROS DE TEORA. Pero NO SE PERMITE el uso
compartido de medios. No se permite la consulta de escritos en hojas sueltas: apuntes, fotocopias de transparencias, etc., ni
de colecciones (exclusivas) de problemas, estn o no editadas en forma de libro.
! Dispone de un tiempo mximo de 3 HORAS para la realizacin de este examen. Cada ejercicio vale 2,5 PUNTOS (para un
total de 10) y en cada apartado se especifica su puntuacin parcial.
! Fecha Prevista Publicacin de Calificaciones: 20/09/01
! Fecha Prevista de Revisin: 26/09/01, a las 11:00 a.m. (Admisin de solicitudes hasta las 17:30 h. del 25/09/01)
Ejercicio 1. Se desea disear un circuito electrnico que realice la funcin
I O
v v = . Para ello, se plantea el
circuito de la figura 1.1, cuya curva de transferencia est formada por tres tramos lineales que aproximan dicha
funcin, tal y como indica la figura 1.2.
Para que el circuito funcione correctamente, los diodos D
1
y D
2
han de estar en corte en el tramo 1 (v
I
<1 V), D
1
ha de
conducir y D
2
estar en corte en el tramo 2 (1< v
I
<4) y ambos diodos han de conducir en el tramo 3 (4<v
I
<9). Se pide:
a) Valores de V
1
y V
2
que aseguran que los estados de los diodos son los arriba sealados. (0,5 p)
b) Valor de R
1
para que la funcin de transferencia del circuito sea la del tramo 2 para 1< v
I
<4. (1 p)
c) Valor de R
2
para que la funcin de transferencia del circuito sea la del tramo 3 para 4< v
I
<9. (1 p)
DATOS: R=1 k". Para ambos diodos, i=0 para v<0,7 V y v=0,7 V para i>0 A.
R
v
I
D
1
v
O
R
1
V
1
D
2
R
2
V
2
R
v
I
D
1
v
O
R
1
V
1
D
2
0
1
2
3
4
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
v I (V)
V
o
(
V
)
1
2
3
PGINA N 2
SOLUCIN EJERCICIO 1:
a) Los diodos entrarn en conduccin cuando la tensin en sus bornas sea igual a la tensin de codo, v
O
-
V
1,2
=V
!.
D
1
entra en conduccin para v
I
=1, v
O
=1, luego V
1
=0,3 V
D
2
entra en conduccin para v
I
=4, v
O
=2, luego V
2
=1,3 V
b) En el tramo 2, D
1
conduce y D
2
est cortado. Para que v
O
=2 V con v
I
=4 V, la corriente por R ha de ser 2
mA. Esta corriente debe provocar una cada de tensin en R
1
de 1 V, luego R
1
=0,5 k".
c) En el tramo 3, ambos diodos conducen. Para que v
O
=3 V con v
I
=9 V, la corriente por R ha de ser 6 mA;De
ellos 4 mA van por la rama de D
1
y 2 mA atraviesan R
2
, luego R
2
=0,5 k".
Ejercicio 2. A la entrada del circuito de la Figura 2.1 se aplica un escaln de voltaje v
I
entre 5 V y 2 V como
indica la Figura 2.2, que tambin muestra la variacin con el tiempo del voltaje de salida v
O
en los terminales del
condensador C.
a) En los instantes t
1
y t
2
sealados en la grfica, el circuito est en estado estacionario. Rellene la tabla adjunta,
indicando el estado del transistor (activa directa, activa inversa, corte o saturacin) y justificando brevemente las
respuestas (1,0 p)
Durante el intervalo de tiempo T, el voltaje v
O
evoluciona linealmente desde 0 hasta, aproximadamente, 2,7 V.
b) Diga en qu estado se halla el transistor y cunto vale la corriente de colector durante este intervalo de tiempo T
(1,0 p)
c) Si T = 2,7 ms, calcule la capacidad C (0,5 p)
(Si no calcul la corriente de colector en el apartado anterior, suponga i
C
constante e igual a 2 mA.)
DATOS: R = 2,3 k!; V
EE
= 5 V.
Transistor: # = 500; en activa directa y saturacin v
EB
= V
EB(ON)
= 0,7 V; en saturacin v
EC
= V
EC(sat)
" 0 V; el efecto
de las capacidades parsitas es despreciable.
o
3
APELLIDOS
NOMBRE N
o
DNI
v
I
R
V
EE
v
O
C
i
B
i
C
v
I
R
V
EE
v
O
C
v
I
R
V
EE
v
O
C
i
B
i
C
v
I
t
5V
v
O
t
T
2,7V
t
1
t
2
0
2V
I
t
5V
v
O
t
T
2,7V
t
1
t
2
0
2V
I
B
(mA) I
C
(mA) V
EC
(V) ESTADO
t
1
0 0 5 CORTE
t
2
1 0 0 SATURACIN
a) La corriente de colector es la que atraviesa el condensador, que es nula en los estados estacionarios en que se
encuentra el circuito en ambos casos.
En t = t
1
, 0 = I
E
R + V
EB
, luego el transistor est cortado con I
B
= 0. De la grfica V
EC
= V
EE
- I
E
R
E
- v
O
= V
EE
= 5 V
En t = t
2
, V
EE
= I
E
R + V
EB
+ 2 V. El transistor conduce con I
E
= (V
EE
-2 V-V
EB(ON)
)/R = 1 mA = I
B
, ya que la corriente
de colector es nula. Si la unin BE est en directa pero la corriente de colector es cero el transistor debe estar
saturado V
EC
= V
EC(sat)
! 0 V, lo que se confirma en la grfica V
EC
= V
EE
- I
E
R
E
- v
O
= 0 V
b) En este tramo la polarizacin de la unin base emisor es como antes e i
E
= 1 mA. Adems,
) (
0
sat EC O E E EE EC
V v R i V v = > " " = , ya que de la grfica v
O
< 2,7 V en este tramo, y el transistor trabaja en activa
directa con i
B
= i
E
/(!+1) ! 2 A; i
C
= !i
B
! i
E
= 1 mA
c)La corriente i
C
carga el condensador de 0 a 2,7 V:
F 1
) 0 ( ) (
) 0 ( ) ( ;
0
!
"
= # = = " =
$
O O
C C
T
C
O O
O
C
v T v
T i
C
C
T i
C
dt i
v T v
dt
dv
C i
(Con i
C
= 2 mA se obtendra C = 2 F)
PGINA N 4
Ejercicio 3. En el circuito de la figura 3.1 considere que ambos transistores MOSFET de acumulacin estn
trabajando en saturacin y en rgimen cuasi-esttico. T1 es de canal n y T2 es de canal p.
1) Demuestre que i
o
es proporcional a v
i
y calcule la constante de proporcionalidad entre I
o
y V
i
(es decir, calcule
i
O
/v
I
) en funcin de V
DD
, K y V
T
. (1 p.)
2) Si la salida se conecta a la entrada con la resistencia R, tal como se indica en la figura 3.2, calcule la relacin
R
i
=v
I
/i
I
para gran seal. (1,5 p.)
-V
DD
v
I
i
D1
T2
T1
i
D2
i
o
V
DD
T2
T1
-V
DD
v
I
iI
R
V
DD
Fig. 3.1 Fig. 3.2
DATOS:
K = 0,25 mA/V
2
|V
T
|

= 2 V V
DD
= 12 V R = 30 !
I
D1
= K(V
GS1
|V
T
|)
2
I
D2
= K (V
SG2
|V
T
|)
2
SOLUCION EJERCICIO 3:
1) i
D1
= K (v
I
+ V
DD
V
T
)
2
i
D2
= K ( V
DD
v
I
V
T
)
2
i
O
= i
D2
i
D1
= K (2V
DD
2 V
T
) (-2v
I
) = - 4 K (v
DD
V
T
) v
I
i
O
/v
I
= -4 K (V
DD
V
T
) = -10 mA/V
3) i
I
= -i
O
! v
I
/i
I
= 100 "
o
5
APELLIDOS
NOMBRE N
o
DNI
Ejercicio 4. La figura 4.1 muestra un circuito receptor de comunicaciones pticas, que utiliza un amplificador
operacional (AO) para amplificar la fotocorriente generada por un fotodiodo en inversa, que aparece representado
como un generador de corriente IG. El margen dinmico de la tensin de salida del AO est limitado por las
tensiones de alimentacin, como se indica en la figura 4.2. Considerando que las dems caractersticas del AO son
ideales, se le pide:
a) Expresar I
O
en funcin de I
G
cuando el AO opera en rgimen lineal (el tramo vertical de la figura 4.2) (1,0 p.)
b) Calcular el valor de I
G
para el que el AO se satura con valor +V
CC
(0,6 p.)
c) Expresar I
O
en funcin de I
G
cuando el AO opera en rgimen saturado con valor +V
CC
(0,9 p.)
DATOS: V
CC
= 10 V, R = 10 k!. Del fotodiodo: |V
!
| =15 V
SOLUCION AL EJERCICIO 4:
a) Como la corriente I
"
=0, se deduce que toda la corriente I
G
circula por la resistencia 2R. Adems, en rgimen
lineal el AO impone el cortocircuito virtual V
"
=V
+
(vase la Fig. 4.2), y por tanto:
b) mA 5 , 0
2 2
= = =
R
V
R
V
I
CC O
G
c) De nuevo la corriente I
"
=0, por lo que igualmente toda la corriente I
G
circula por la resistencia 2R. Al estar
saturado el AO no impone el cortocircuito virtual (vase la Fig. 4.2), sino que V
O
= V
CC
, y por tanto:
G G G O
O
G O
O
G
I I I I
R
V
I I
R
V
I
3 2
2
= + = "
#
#
$
#
#
%
&
+ =
=
1 ) mA ( ) mA ( + = " + =
G O
CC
G O
I I
R
V
I I
I
O
R
2R
+V
CC
'V
CC
I
G
'V
CC
V
+
'V
'
V
O
+V
CC
'V
CC
V
O
Dpto. de Electrnica Fsica Examen de: ELECTRNICA BSICA(Enero/02) PGINA N
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

Puede utilizar su CALCULADORA y, para consulta, sus LIBROS. Pero NO SE PERMITE el uso compartido de medios.
Tampoco se permite la consulta de escritos en hojas sueltas: apuntes, Iotocopias de transparencias, etc.
Fecha Prevista de Revisin: 11/02/02, a las 12:00 a.m. (Admisin de solicitudes hasta una hora antes)

Ejercicio 1. El Iotodiodo del circuito de la Iigura 1.1 se puede modelar mediante el circuito equivalente de la
Iigura 1.2. En oscuridad desde mucho tiempo atras, recibe a partir de ! 0 una iluminacion tal que produce una
corriente Iotogenerada constante "
#
10 A como muestra la Iigura 1.3. Se pide:

a) Calcular la tension de salida en estado estacionario en oscuridad (! 0) y en iluminacion (! ) (1,0 p.)
b) Expresar la variacion de la tension de salida en Iuncion del tiempo ! para ! ~ 0 (1,0 p.)
c) Calcular el tiempo de conmutacion !
#$
que se deIine como el que tarda la tension de salida en alcanzar el 90
de su valor Iinal desde que se establece la iluminacion (0,5 p.)

DATOS: %
&&
5 V; ' 100 k; ln(10) 2,3; el diodo en inversa ((
)
%
0,7 V) en regimen transitorio equivale

a una capacidad de valor &
*
10 pF y en estado estacionario a un circuito abierto, siempre en paralelo con la Iuente
de corriente proporcional a la iluminacion.

0
!
+
#
(!)
"
#
10A
0
!
+
#
(!)
I
#
,- . / 0


%
&&
(
1
(!)
'
%
&&
(
1
(!)
'
+
#
(!) D +
#
(!) D +
#
(!) D
!"#$%& %( )

*+,-.$/% 0102.$.$+ 34

a) En estado estacionario sin iluminacion el diodo esta en inversa, luego la corriente por el diodo es cero.
J
O
0 J (t 0)
Se puede comprobar que v
D
-J
CC
J

Con iluminacion el diodo sigue en inversa v la corriente es la del generador.
J
O
I
L
R 1 J (t )
Nuevamente, comprobamos que v
D
1-J
CC
J

b) En estado transitorio por el diodo circula, ademas de la corriente del generador, una componente que carga la
capacidad C
J
, segun muestra la figura siguiente.
I
L
J
CC
v
O
(t)
R
C
J
i
C
I
L
J
CC
v
O
(t)
R
C
J
i
C

Con
( )
( )
dt
dv
RC R I R i I v
dt
dv
C
dt
v J d
C i
O
J L C L O
O
J
O CC
J C
= + =
=
=

Esta ecuacion diferencial, con la condicion inicial
v
O
(t) 0, conduce a.
|
|
.
|
\
|
=

J
RC
t
L O
e R I t v 1 ) (

c) En t t
LH
.
( ) ( ) !s 3 , 2 10 ln 1 , 0 9 , 0 ~ = = =

J LH
RC
t
L LH O
RC t e R I t v
J
LH

o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

Ejercicio !" En los circuitos de las Iiguras 2.1 y 2.2 la estimacion de la corriente i
L
no puede realizarse mediante
modelos aproximados lineales por tramos. Por ello se le pide que calcule, utilizando el modelo de Ebers-Moll:
a) La expresion de i
L
en Iuncion de v
G
para el circuito de la Iigura 2.1 cuando el BJT opera en activa (0,6 p)
b) El valor de v
G
(con tres ciIras signiIicativas) para el que el transistor se satura (0,7 p)
c) Idem a) para el circuito de la Iigura 2.2 (1,2 p)

Figura 2.1

Figura 2.2

DATOS: I
CC
100 mA.
Para el diodo: i
D
~ I
S
exp (v
D
/J
t
)
Para los BJT:| 100, J
t
25 mV, I
0
1 pA, J
CE,SAT
0 V.
En activa: i
C
~ | i
B
, i
B
~ I
0
exp (v
BE
/J
t
)


a) Del nudo a la salida, teniendo en cuenta que v
G
v
BE
.
) / exp(
0 t
J
G
v I
CC
I
B
i
CC
I
L
i | | = =

b) Para v
CE
J
CE,sat
0, i
L
v
CE
/R
L
0, por lo que, de la ecuacion anterior.
mV 518
0
n = =
|
|
.
|
\
|
I
CC
I
l
t
J
G
v
|

c) Como v
G
v
D
v
BE
.
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
= =
= =
=
=
t
J
G
v
S
I I
CC
I
B
i
CC
I
L
i
t
J
G
v
S
I I
B
i
t
J
G
v
B
i
S
I
I
B
i
t
J
D
v
S
I
B
i
t
J
D
v
G
v
I
B
i
2
exp
0
2
exp
0
exp
0
exp
exp
0
| |

i
L

v
G

R
L

I
CC
i
L

v
G

R
L

I
CC
PGINA N 4

Ejercicio 3. El componente de dos terminales de la Iigura 3.1 esta Iormado por 2 MOST de canal n de
acumulacion. La caracteristica de este componente es igual a la que tiene el componente de la Iigura 3.2 si sus
parametros son ajustados adecuadamente.

a) Calcular la expresion de k
3
y J
T3
en Iuncion de k
1
, k
2
, V
T1
y J
T2
para que las caracteristicas J-I de los
componentes de las Iiguras 3.1 y 3.2 sean identicas (2 p.)
b) Cuanto vale I si J J
T1
J
T2
? (0,5 p.).

DATOS: En saturacion i
D
k
i
(J
GS
J
Ti
)
2
, J
Ti
> 0, i 1, 2, 3
Figura 3.1

Figura 3.2


En los 2 MOST de la figura 3.1 J
DS
J
GS
J
Dsat
J
GS
J
T
estan en saturacion si no estan cortadas.
Sea J
1
J
DS1
v J
2
J
DS2

a)
( )
( )
T GS
T
T
T
T
J J porque raices las de positivo Signo
k
I
J J
k
I
J J
J J k I
J J k I
>
=
=
=
=
2
2 2
1
1 1
2
2 2 2
2
1 1 1

( )
|
|
.
|
\
|
+ = + +
2 1
2 1 2 1
1 1
k k
I J J J J
T T

I
T
1
T
2
J
+
_
I
T
1
T
2
J
+
_
I
T
3
J
+
_
I
T
3
J
+
_
o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

( ) ( )
2
2 1
2
2 1
1 1
1
T T
J J J
k k
I +
|
|
.
|
\
|
+
=
2 1 3 2
2 1
3
1 1
1
T T T
J J J
k k
k + =
|
|
.
|
\
|
+
=

b)
0
2 1
=
+ s
I
corte en MOST ambos J J J
T T

Ejercicio 4. Si en el ampliIicador de la Iigura los dos transistores T
1
y
T
2
son identicos:

a) Calcule h
ie
r
t
(0,5 p.)
b) Dibuje el circuito de pequea seal en modo comun y en modo
diIerencial (1 p.)
c) Calcule v
o
/v
i
(1 p.)

DATOS:| 100, J
t
0,025 V,
R
C
1 kO
R0,2 kO
J
A
(tension Early)

J
CC
R
C
R
C
v
o
T
1
T
2
v
i
R

-J
EE
25A 25A
!"#$%& %( )

*+,-.$+% &, /0/1.$.$+ 23

a) Las corrientes de colector de T1 v T2 son iguales por simetria. I
C!
I
C"
2,5 mA
Luego r
t
h
ie
|J
t
/I
C
1 kO

b) El circuito es simetrico para cada transistor. En modo comun no hav corriente por R v v
ic
v
i
/2

En modo diferencial el punto medio de la resistencia R se puede llevar a tierra por simetria v v
id
v
i

c) v
o
v
oc
v
od

v
oc
0 va que al no circular corriente por R obliga a que i
b1
|i
b1
por lo que i
b1
0
v
id
R(|1)i
b1
2r
t
i
b1
v v
od
-R
C
|i
b1
, con lo que
( )
t
|
|
r R
R
v
v
C
id
od
" ! + +
=
Finalmente,
( )
## $ #
" $ ""
!%%
" !
= =
+ +
=
t
|
|
r R
R
v
v
C
i
o

R
C
r
t
v
oc v
ic
|i
b1
i
b1
R
C
r
t
v
od
v
id
/ "
|i
b1
i
b1
R/2

Dpto. de Electrnica Fsica Examen de: ELECTRNICA BSICA (1un/02) PGINA N
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

Se permite el uso de CALCULADORA y, para consulta, LIBROS o cualquier documentacion ENCUADERNADA
(apuntes, Iotocopias de transparencias, colecciones de problemas, etc.). NO se permite el uso compartido de medios.

Ejercicio 1. El diodo Zener del circuito de la Iigura 1.1 tiene una caracteristica I-V cuya aproximacion lineal por
tramos se muestra en la Iigura 1.2. En ella se indica que cuando el Zener desea utilizarse como regulador de tension
en inversa, su corriente ha de estar entre I
:min
e I
:max
. Calcule:
a) Los valores maximo y minimo de R para que el Zener regule tension si J
CC
12 V (1 p.)
Se Iija ahora el valor de R0,3 k y se cambia la tension de alimentacion a J
CC
7 V. Calcule:
b) La corriente que circula por el diodo, I
D
. (0,7 p.)
c) La tension que cae en el diodo Zener, J
D

(0,8 p.)

DATOS: I
CC
10 mA. En la Iigura 1.2 se considera tension positiva la que cae de anodo () a catodo (-) y corriente
positiva la que va de anodo a catodo (vease la Iigura 1.3).


SOLUCIN

a) Cuando el Zener regula tension, J
D
6 V e
CC D
D CC
R
I I
R
J J
I

por tanto, para la I
:max
.

k 2 , 0
10 20
6 12
max
min
CC :
D CC
I I
J J
R
I
:max
I
:min
-6

-2

-20

0,5

J(V)
I(mA)

Catodo (-)

Anodo ()
R
J
CC
I
D
J
D
I
CC
I
R
!"#$%& %( )

J
EE

J
A

T
2

T
1

I
A

R

Figura 2
v para la I
:min

k 5 , 0
10 2
6 12
min
max
CC :
D CC
I I
J J
R
Por tanto, 0,5~R~0,2 (k)

b) Se supone que el Zener regula tension v J
D
6 V. Por tanto,
33 , 3
3 , 0
6 7
R
J J
I
D CC
R
mA
que es menor que I
CC
. En consecuencia, el Zener no regula tension v J
D
6 V, lo que significa que esta en
inversa sin conducir, por lo que I
D
0.

c) Si el Zener no conduce se cumple que I
R
I
CC
10 mA v
4 3 , 0 10 7
R I J J
R
J J
I
R CC D
D CC
R
V

*+,-././0 )1
23 Calcule la corriente I
A
suponiendo que T
1
esta en saturacion, T
2
en activa y que J
A
2 V 45 613
73 Si J
A
J
T
, cual es el estado de T
2
? 489: 613
.3 Existe algun valor de J
A
que hace que T
2
entre en saturacion, y en
ese caso cual es? (Suponga T
1
en la region lineal, en la que se
comporta como una resistencia controlada por la tension puerta-
Iuente) 45 613

DATOS:

10 V 10
V 2 , 0 V 7 , 0 ) ( 100 :
saturacion en V; 1
V
mA
1 :
2
2
2
1
R J
J J ON J T
) -J k(J I J k T
EE
ECsat E EB
T GS D T

o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

SOLUCIN:

a) ( ) mA 101 V 1
V
mA
1 101 ) ( ) 1 (
2
2
2
= = + =
T GS A
J J k I |
b) T
1
en corte = = s 0 0
B D T GS
I I J J T
2
en corte
c) Si T
2
en saturacion, v T
1
en :ona lineal, el circuito se puede representar como .

Con J J v J J
EB ECsat
7 , 0 2 , 0 = = la corriente <
= 0
) (
GS D
EB ECsat
B
J R
J J
I no es compatible con la hipotesis de T
2
en
sat no existe ningun valor J
A
para el que T
2
esta en saturacion.

J
EE
R

R
D
(J
GS
)

J
EC sat
J
EB
J
A
I
B
!"#$%& %( )
*+,-././0 12 Para el ampliIicador seguidor de emisor de la Iigura:
34 Calcule el punto de polarizacion (J
CE
, I
C
), comprobando que el transistor esta en activa2 5678 924
:4 Dibuje el circuito equivalente para la pequea seal. Considere que en pequea seal la Iuente de corriente se
comporta como una resistencia de valor R
eq
100 kO. 5678 924
.4 Calcule la ganancia de tension de pequea seal v
0
/v
i
5678 924
;4 Halle el margen dinamico a la salida, que viene dado por la maxima amplitud de la seal sinusoidal v
o
a partir de
la cual el transistor deja de Iuncionar en activa. 5< 924
Figura 3

DATOS:
J
CC
5 V, R
B
462 kO
I
0
1 mA, R
L
1 kO
| 200, J
BE
J
E
0,7 V
,
J
CESAT
0,2 V,
J
T
kT/e 0,025 V
=>?@A$B%
a) En polari:acion, las capacidades se comportan como circuitos abiertos, luego
C E
I I I ~ = = mA 1
0
.
V 3
1
0
~ +
+ |
=
E B CE
J
I
R J
El transistor esta en activa pues I
C
~0,
CESAT CE
J J >

b) El circuito equivalente de pequea seal es

con k 5 = = =
C
T
B
T
I
J
I
J
r |
t
. Resolviendo,

( )( ) ( )( )
( )( )
976 . 0
1 //
1 // 1 //
0
0
0
~
+
~
+ +
+
=
)
`
=
+ =
t t t
|
|
|
| |
r R
R
r R R
R R
v
v
i r v v
i R R v
L
L
L eq
L eq
i b i
b L eq

c) El margen dinamico vendra dado por lo que antes ocurra, que el transistor se corte o se sature.
Para que se corte,
( )
V 1 0
) 1 ( //
0
0
0
= ~ =
+ |
|
+ = +
L C
L eq
C c C
R I v
R R
v
I i I
Para que se sature, V 8 , 2
0 0
= = = + v J v J J v J
CESAT CE CESAT ce CE

El margen dinamico es la menor de las amplitudes (en valor absoluto) MD
out
1 V

v
i
r
t

v
o

R
B
|i
b
i
b
R
eq
//R
L

-
I
0
R
L

R
B

v
i
v
o
C

J
CC
-J
CC
C

o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

Ejercicio 4. El circuito de la Iigura 4 muestra una Iuente de
corriente compuesta por cuatro transistores pnp. Sabiendo que
todos los transistores operan en activa, calcule:

a) La corriente "
#$%
suponiendo &
$'(
&
$')
0,6V (0,7 p.)
b) El valor de la resistencia #
1
para que la corriente "
0
sea 5 veces
menor que "
#$%
* Desprecie las corrientes de base respecto a las
demas del circuito. (1 p.)
c) Las tensiones &
$'+
, &
$'(
, &
$',
y &
$')
con tres ciIras
signiIicativas, considerando que para todos los transistores
-
$'
. /
&
&
" " exp . (0,8 p.)

DATOS: #
2
4,4 k &
-
0,025 V
&
$$
10 V "
.
7,5.10
-14
A

&
$$
0
(
0
+
#
+
#
(
0
)
&
$$
0
,
"
1
"
#$%
&
1
!"#$%& %( )
*+,-.$/%0

12 mA 2
7 , 4
6 , 0 6 , 0 10
2
4 2
! "
# # #
$
%& %& %%
"%'

32

6 , 100 ln
ln
ln
ln
0 0
1
0
1 0
0
1
2
1 0 1 2
$
$
$
#
"
$
$
# " $
$
$
# #
$
$
# #
" $ # #
"%' (
"%'
(
)
( %&
)
"%'
( %&
%& %&

42 V 560 , 0 ln
0
3 1

)
( %& %&
$
$
# * *
V 600 , 0 ln
4 2

)
"%'
( %& %&
$
$
# # *

Dpto. de Electrnica Fsica Examen de: ELECTRNICA BSICA (Sept/02) PGINA N
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

Se permite el uso de CALCULADORA y, para consulta, LIBROS o cualquier documentacion ENCUADERNADA
(apuntes, Iotocopias de transparencias, colecciones de problemas, etc.). NO se permite el uso compartido de medios.

Ejercicio 1. El circuito de la Iigura 1.1 es un circuito regulador de tension. Los cinco diodos son identicos y se
pueden modelar con la ecuacion de Shockley.
a) Calcule el valor de R para que la tension a la salida J
0
sea de 3 V cuando J
I
5 V. (0,9 p)
Se quiere mejorar el circuito regulador sustituyendo los diodos por un diodo especial para este tipo de
aplicaciones, un diodo zener que modelamos con el modelo lineal por tramos de la Iigura 1.2.
b) Dibuje el nuevo circuito, colocando adecuadamente el zener, y compruebe que la tension J
0
3 V para J
I
5 V.
(0,8p)
c) Calcule para este circuito la variacion de la tension de salida respecto a su valor nominal cuando la tension de
entrada J
I
aumenta 0,5V sobre el valor nominal de 5V. (0,8 p)
NOTA: De los valores de resistencia con precision de ohmio y los de tension con precision de mV cuando sea
necesario.

J
I
R
J
O
J
I
R
J
O
R
J
O

DATOS:

Modelo de Shockley
I
0
10
-12
A; J
t
0,025 V
I I
0
(exp J/J
t
-1)
Diodo zener
J
0,7 V; r
D
2
J
Z
2,98 V; r
Z
0,75
SOLUCIN

v
i
- J
Z
J

v
i
- J
Z
J

v
i
- J
Z
J

i
v

-
i
v

-
!"#$%& %( )
a) En cada diodo cae
5
0
J
J
D
= , luego O =
(
|
|
.
|
\
|
=
75 1
5
exp
0
0
0
R
J
J
I
R
J J
T
I

b)
R
J
I
J
O
R
J
I
J
O
J
I
J
O

Y el circuito equivalente.

R
J
I
J
O
r
Z
J
Z
R
J
I
J
O
r
Z
J
Z

Luego
J J
r R
J J
r J
Z
Z
: I
Z
3
0
= +
+
=

c) ) 16 , 0 ( 005 , 0 005 , 3
0
'
'
0
J J J J
r R
J J
r J
Z
Z
Z I
Z
= A = +
+
=

*+,-././0 )1 El circuito de la Iigura 2.2 se quiere usar para cargar el condensador C bajo el control de la seal v
I

de la Iigura 2.1.
Se parte del instante t 0 en el que se supone que el condensador esta completamente descargado, es decir v
O
0.
Suponiendo que el TRT nunca llega a saturarse:
a) Dibuje el circuito equivalente de gran seal en t ~ 0 para este circuito, razonando sobre el estado del
transistor. 2345 617.
b) Calcule las corrientes de base, colector y emisor para el instante t 0
y t . 2345 617.
c) Obtenga la ecuacion diIerencial de v
O
respecto a t a partir de t 0
2348 617.
d) Obtenga v
O
(t) a partir de t 0
resolviendo la ecuacion diIerencial del apartado c). 2345 617.

DATOS: R
g
50 kO. | 100 J
cc
10 V
Diodo base emisor: J
BE
~ 0,6 V C 1 F
El transistor responde inmediatamente a la seal de entrada, es decir, las capacidades del transistor
son nulas.

Figura 2.1

Figura 2.2
v
I
(t)
5V
0
t
v
I
J
CC
10J
R
g
C

v
O

o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

SOLUCIN:
a)

b)

( )
=
=
+ =
=
=
=
=
=
=

~

=
0
mA 89 , 8
1
0
mA 8 , 8
0
mA 088 , 0
50
6 , 0 5
min
max
min
max
min
max
!
"
! #
!
"
! "
!
! $
%
$ !# &
%
$ !# &
!
'
'
' '
'
'
' '
'
'
(
)
*
) + )
*
) + )
'
|
|

c)
,- ) + )
"*
,- '
"
- )
$ !# &
%
-
# $
) (
1 1
) 0 (
0
} }

+
= = >
+
|

) (
1
1
) (
1
Derivando
!# &
%
%
$ $
$ !# &
%
$
+ )
"*
"*
)
,-
,)
) + )
"* ,-
,)
+
=
+
+

+
=
|
|
|

s 500 s 10 . 5
101
10 . 5 10
1
4
4 6
= = =
+
=

|
t
%
"*

+
""
)
&
*
%
+
!#
)
/
'
!
"

|&
!
) (
1
!# &
$ $
+ )
)
,-
,)
t
=
t
+
PGINA N 4
d)
Solucion general de la ecuacion homogenea
t
t
A t v
O
= exp ) (
Solucion particular
BE I O
J v t v = ) (
Condicion inicial
(
=
= + = =
t
t
J v t v
J v A J v A v
BE I o
BE I BE I O
exp 1 ) ( ) (
) ( ) ( 0 ) 0 (

Ejercicio 3.
La Iigura 3.1 muestra un circuito ampliIicador realizado con tres transistores MOSFET de acumulacion de canal n
que operan en saturacion. El transistor T
2
, debido al cortocircuito que presenta entre puerta y drenador, actua como
un componente de dos terminales. En pequea seal, este componente de dos terminales se comporta como una
resistencia equivalente R
EQUIJ
. Se le pide calcular:

Figura 3.1

a) El valor de R
L
para que I
L
10 mA (1 p.)
b) El valor de R
EQUIJ
(0,5 p.)
c) El valor de la transconductancia i
l
/ v
g
de pequea
seal y Irecuencias medias del circuito (1 p.)

DATOS: J
DD
5 V
Para los transistores MOSFET: en
saturacion i
D
k ( v
GS
J
T
)
2
J
T
2 V para los tres transistores.
k
1
k
2
0,1 mA/V
2
, k
3
10 mA/V
2

SOLUCIN:

a) mA 0,9 ) ( V 5 ) ( 0
2
1 1 1
= = = = =
T DD D DD DD GS
J J I J J J k
0 V 5 ) ( 0 ,
2 3
2
2
2 1 2
= = = = = + = =
GS DD G DD DD
D
T GS D D
J J J J J
I
J J I I Como
k

O =

= + = + = 200 ) ( 0
3
3
3
3
3
3
3
D
D
T DD
L L D DD
D
T GS
I
I
J J
R R I J
I
J J Asi
k
k

v
o
J
I
J
BE
4,4V

t

t 0

R
g
C

|1
J
DD
J
DD
- J
DD - J
DD
v
g
R
L
T
2
T
3
T
1
I
L
i
l

-

o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

b)

2 2
1
m m
EQUIJ
g v g
v
i
v
R = = =

O = = = k ,67 1 mS 0,6 ) ( 2 g
2 2 2 EQUIJ T GS m
R J J Como k

c)

mS 4
1 ) / 1 )( (
3
2
1
2 1 3 3 3
3 3
=
+
=
)
`
= =
=
m
L
m
m
g
l
L l m g m s g gs
gs m l
g
R
g
g
v
i
R i g v g v v v
v g i

: mS 0 2 ) ( 2 g mS 0,6 g g
3 3 3 2 1
= = = =
T GS m m m
J J v que empleado ha se donde k

v
g

-

g
m1
v
g
1!g
m2
v
gs3

-

g
m3
v
gs3
i
l R
L
v

T
2

-

v
gs2
g
m2
v
gs2
i

v

-

i

PGINA N 6
Ejercicio 4 El ampliIicador operacional de la Iigura 4.1 es ideal excepto en su tension de offset, que es distinta de
cero, y en su ganancia, que no es inIinita. Como consecuencia, el voltaje de salida del AO en regimen lineal (no
saturado) se puede modelar como v
0
A (v
v
-
) J
off

a) Calcular el valor de v
0
cuando v
I
0 (1,2 p.)
b) Calcular el valor de v
I
para el que v
0
0. (1,3 p.)

DATOS: A 10
5
, J
off
10 V, R
2
10 kO, R
1
1 kO

Figura 4.1

SOLUCIN:

=
+
+ =
e off
I
i e
Av J v
R R
v v
R v v
0
2 1
0
1
I off
v
R R
R
A J
R R
R
A v
2 1
2
2 1
1
0
1
+
=
|
|
.
|
\
|
+
+
2 1
1
2 1
2
0
1
R R
R
A
v
R R
R
A J
v
I off
+
+
+
=

a) Asi mV 1,1
11
10
1
V 10
1
0
5
2 1
1
0
=
+
=
+
+
= =
R R
R
A
J
v v
off
I

b) Asi mV 0,11 V 10
10 10
11
0
5
2
2 1
0
= =
+
= =
off I
J
AR
R R
v v
R
2
v
O
+

-

v
I
R
1

-

R
2
v
o
v
e
J
off
-A v
e
i

v
I
R
1
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

Puede utilizar su CALCULADORA y, para consulta, sus LIBROS. Pero NO SE PERMITE el uso compartido de medios.
Tampoco se permite la consulta de escritos en hojas sueltas: apuntes, Iotocopias de transparencias, etc.
Fecha Prevista de Revisin: 4/02/03, a las 12:00 a.m. (Admisin de solicitudes hasta una hora antes)

Ejercicio 1. Polarizando en directa un diodo de union pn en el laboratorio, se han obtenido dos puntos signiIicativos de su
curva IV: ! (10 mA, 600 mV), " (20 mA, 700 mV). Se ha veriIicado tambien que en inversa #
$
~20 V y %
$
.
Se pide:
a) Encontrar los parametros #
y &
'
(tension de codo y resistencia en directa) del modelo lineal por tramos que se ajusta a
los dos puntos medidos (0,7 p.)
Con dos diodos iguales que el anterior se construye un circuito limitador de #
como el de la Iigura 1.

Figura 1

b) Escribir las ecuaciones de la
Iuncion de transIerencia (
)
I((
*
)
de este circuito y representarlas
graIicamente (1 p.)
R

(
*
,- ./0 12 3#4
D
2
(
) D
1

(
*
c) Dibujar la Iorma de la tension de salida en Iuncion del tiempo, calculando los valores de amplitud (0,8 p.)
DATOS: O = = =

5 & #
/
6
5 #782. 2 (
*
1 10 25 5
3
; ); ( sene


a)
9# & * # #
9!
9#
&
* * & # #
* & # #
' ! !
'
" ! ' " !
'
500 10 . 10 600
10
) 20 10 (
) 700 600 (
) (
= = =

O =
=
=
+ =

!"#$%& %( )

*+ Para -0,5Jv
I
0,5J ningun diodo conduce v v
O
v
I
.
Para v
I
~0,5J conduce el diodo D
1
. Para v
I
0,5J conduce D
2
. En ambos casos tenemos una recta de pendiente
,
-. / /
-.-.
-.

,
f
f
R R
R
, con ordenada en el origen 0/1 .
-
.
R
R
J
f
V

v
O
v
I
1
pendiente: 9,910
-3
pendiente: 9,910
-3
0,5 -0,5
v
O
v
I
1
pendiente: 9,910
-3
pendiente: 9,910
-3
v
O
v
I
1
pendiente: 9,910
-3
pendiente: 9,910
-3
0,5 -0,5

2+
4,5J x 9,910
-3
44,5 mJ
5 J
0,5 J
-0,5 J
4,5J x 9,910
-3
44,5 mJ
5 J
0,5 J
-0,5 J

o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

Ejercicio !" Se pretende comparar diIerentes modelos del BJT en activa (ver nota) en el calculo del punto de trabajo del
circuito de la Iigura 2. Sin necesidad de comprobar que el BJT opera en activa, se le pide:
a) Calcular "
#$
, %
#
, "
&$
e %
&
utilizando el modelo lineal por tramos basico (0.5 p.)
b) Idem a) utilizando el modelo lineal por tramos avanzado (1 p.)
c) Utilizando el modelo de Ebers-Moll aproximado para activa, no es posible alcanzar una solucion por
resolucion analitica. Deducir la ecuacion con %
&
como unica incognita que se obtiene con este modelo (1 p.)

DATOS:

NOTA:
mV V A, V, , k , V, ,
: BJT del modelos los De
. , k V, V,
t
25 10 80 2 100 70 0
700 50 3 5
15
0
= = = O = = =
O = O = = =
% " ' "

( ( " "
) $
& # ## &&
t
|
#
$$
%
$
%
&
#
&&

|
|
.
|
\
|
= =
+ =
|
|
.
|
\
|
+ =
= =
*
#$
+ # # &
# $ #$ #
)
&$
&
$ #$ # &
"
"
% % % %
% ' " " %
"
"
%
" " % %
exp
activa en aproximado Moll - Ebers de Modelo
activa en avanzado por tramos lineal Modelo
activa en basico por tramos lineal Modelo
|
|
|
t
1

Figura 2


,-
A
46 0 =
= =
#
$ ##
# $ # # ##
(
" "
% " % ( "

V 78 , 1 = =
& # && &$
( % " " |

./' *,0*/1
V 78 , 1 mA, 6 , 4 V, 7 , 0 A, 46 = = = = =
&$ # & #$ #
" % % " % |

2-
A , ) (
t
t
2 44 0 =
+
= = +
' (
" "
% " % ' ( "
#
$ ##
# $ # # ##

= =
=
|
.
|
\
|
+
+
=
|
|
.
|
\
|
+ =
=
V ,
mA ,
84 1
52 4
1
1
1
0
& & && &$
)
&
#
)
&&
# &
#
)
&$
&
& & && &$
( % " "
"
(
%
"
"
% %
%
"
"
%
( % " "
|
|
|

./' *,0*/1
V , mA, , V, , A, , 84 1 52 4 788 0 2 44 = = = =
&$ & #$ #
" % " %

PGINA N 4
c)
) ln( , , amperios en Expresando
ln Como
ln
exp
13
0
0 0
10 025 0 5 0 3
C C C
C
t C
B
BB BE B B BB
C
B
C
t BE
B C
t
BE
B
I I I
I
I
J I
R
J J I R J
I
I
I
I
J J
I I
J
J
I I
+ =
|
|
.
|
\
|
+ = + =
=
|
|
.
|
\
|
=
=
|
|
.
|
\
|
=
| |
|
|
|

Ejercicio 3. En el circuito de la Iigura 3, calcule:
a) La corriente de polarizacion I
D
(0.5 p.)
b) La ganancia en modo diIerencial v
o1d
/v
i1
(1 p.)
c) La ganancia en modo comun v
o1c
/v
i1
(1 p.)

DATOS
R 1 kO; I
o
2 mA
R
eq
1 MO (resistencia equivalente de la Iuente de corriente I
o

en alterna)
Los transistores M1 y M2 son iguales, trabajan en saturacion y
los valores de sus parametros de circuito equivalente en
pequea seal son: g
m
2 mS, 1/r
o
0
R
I
O
J
DD
I
D
v
i1
R
v
o1
M1 M2
J
GG
J
GG
R
I
O
J
DD
I
D
v
i1
R
v
o1
M1 M2
R
I
O
J
DD
I
D
v
i1
R
v
o1
M1 M2
J
GG
J
GG

Figura 3


a) I
D
I
o
/21 mA
o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

b) v
d
v
i1

1
2
2 2
1
1
1
1
1 1
= =
= =
=
R g
v
v
R
v
g R
v
g v
R v g v
m
i
d o
i
m
d
m d o
gs m d o

D
1
v
o1d
G
1
v
d
2

g
m
v
gs1 R

S
1

c)
( )
4
1
1
1
1
1
1 1
1
1 1
1
10 5 , 2
2 1 2
2
2
2
2
2
=
+
=
=
|
.
|
\
|
+ =
=
=
eq m
m
i
c o
c o eq m
i
m c o
c o
eq
i
m c o
gs m c o
i
c
R g
R g
v
v
v R g
R v
g v
R
R
v
R
v
g v
R v g v
v
v

D
1
v
o1c
G
1
v
c
g
m
v
gs1
S
1
R

2Req

Ejercicio 4. Para el circuito de la Iigura 4, en t 0 el condensador esta descargado y v
I
0. En t 0 la seal v
I
pasa de valer
0 V a valer J
CC
.
v
I
C
v
C
J
CC
R
v
O
T1
T2
v
I
C
v
C
J
CC
R
v
O
T1
T2

Figura 4
DATOS:

J
1
J
2
0,7 V; |
1
|
2
100; J
CEsat1
J
ECsat2
0,2 V

V
CC
10 V; R 1 MO; C 0,1 F

Suponiendo que el modelo para T
1
y T
2
es el lineal por tramos de cuasiestatica, calcule:
a) J
o
en t 0, indicando el estado en que se encuentran T
1
y T
2
(0.8 p.)
b) J
o
en t 0
, indicando el estado en que se encuentran T

1
y T
2
(0.8 p.)
c) la evolucion de v
O
para t ~ 0 (0.9 p.)

!"#$%& %( )
*+,-.$+% &, /0/1.$.$+ 23

45 en t 0 el condensador esta descargado J
C
0 v J
I
0 = = 0
2 1
BE BE
J J T
1
v T
2
estan en corte J
O
0

65 en t 0
por continuidad J
C
0. Puesto que J
I
J
CC
10J, entonces 0 R i V V
R CC EB
2
> = donde i
R
es la
corriente a traves de R entrante en los emisores < = T 7
8 9
EB BE
J J
1
en corte v T
2
en conduccion J
BC2
0 T
2

en activa J
O
0,7 J

:5
J
o
(0
-
) 0J
J
C
(0
-
) J
C
(0
) 0J J
o
(0
) J

Hipotesis. en t ~ 0
T
2
esta en activa v T
1
en corte.

R

J
o
J
i
B
J
C
J
CC
|i
B
C

) ( donde
exp ) (
, ) (
) (
) (
) (
| t
t
|
|
+ =
|
.
|
\
|
+ =
= =
+ + =
=
+ =
+
9
; 7 7
9
9
RC
t
J J J J
J J J
dt
dv
C R J J
dt
J J d
C i
Ri J J
CC CC O
o
o
o CC
o
B
B o CC

Comprobacion hipotesis.

J
EC2
J
o
~ J
ECsat
T
2
en activa
J
BE1
J
C
J
o
-J
T
1
en corte.

J
o
J
CC
J

t
t

o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

Se permite la consulta de LIBROS o apuntes ENCUADERNADOS y el uso de CALCULADORAS de bolsillo. NO se
permite la consulta de escritos en hojas sueltas. NO se permite el uso compartido de medios.

Ejercicio 1. El circuito de la Iigura 1.1 tiene un diodo cuya caracteristica I-V se muestra en la Iigura 1.2.
Se le pide calcular:
a) El rango de valores de J
I
para el que el diodo esta en OFF en ausencia de seal (0,7p.).
b) El punto de trabajo (J
D
, I
D
) para J
I
10V (0,8 p.).
c) La resistencia equivalente del diodo en pequea seal y Irecuencias medias para J
D
550 mV (1 p.).

Fig. 1.1

Fig. 1.2

Modelo del diodo:
( ) ( )
> +
s
=

ON) (estado para

OFF) (estado para 0
2
J v J v b J v a
J v
i
D D D
D
D

DATOS: R
1
1 kO, R
2
10 kO, J
0,50 V, a 100 mA/V

2
,

b 10 mA/V

SOLUCIN
"# En OFF J
R
R
J J J
R R
R
J J i
I I D D
5 , 5 1 0
1
2
2 1
1
=
|
|
.
|
\
|
+ s s
+
= =

$# De "# se deduce que el diodo esta en ON.
R
2
v
D
v
i
i
D
R
1

-

J
I

-

ON

OFF

i
D
J

!"#$%& %( )
( ) 0
// //
1
) (
) ( ) (
2 2 1 2 1
2
1
2
2
=
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+ +
|
|
.
|
\
|
=
+ =
!
"
! !
"
" "
! !
# " " $
! %
!
" "
"
" " # " " $ %
%
& &
&
& %
&
& & &

( ) ( )
0 2
//
1
amente alternativ o
0 45 , 0 50 , 0 1 . 11 50 , 0 100
2
2
2 1
2
2
=
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+ +
= +

!
"
#" $" " $"
! !
# $"
" "
%
& &
& &

<
= + = = >
=
0 143 , 0
mA 422 , 0 032 , 0 10 032 , 0 100 V 0,532 0 032 , 0
50 , 0
2
& &
&
% "
"
!"

O =
O = + = + = =

=
50
m 20 10 ) 50 , 0 550 , 0 ( 100 2 ) ( 2
1
1
550
()
&
*" "
&
&
()
+
# " " $
,-
,.
+
&

*+,-././0 )1 En el circuito de la Iigura 2:
23 Calcule la tension que se mediria entre la base y el colector "
/0
1 con precision hasta el mV, sin hacer
ninguna aproximacion acerca del valor de %
(2
45 613.
73 Sabiendo que %
(
14 mA, calcule %
(2
45 613.
o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

c) Suponga ahora, que donde antes se midio la tension J
BC
se coloca ahora un generador de tension
continua de 650 mV con el positivo en el terminal de base del transistor. Calcule la corriente de
colector, con precision hasta el mA, e indique su sentido (0,5 p.).

Fig. 2

DATOS: J
CC
0,625 V; o
R
0,818; I
CS
10
-12
A; J
t
kT/q0,025 V

SOLUCIN:

!"
( ) V 620 , 0 1 25 exp ln 1
25 exp
ln
exp 1 exp 0
= + =
|
|
.
|
\
|
+ =
+
|
|
.
|
\
|
= =
R t
CS
ES F
t BC
t
BE
ES F
t
BC
CS C
J
I
I
J J
J
J
I
J
J
I I
o
o
o

#"
A 10 64 , 8
25 exp
10 14 26 exp
10 14 1 exp 25 exp
13
3
3
=
+
=
=
|
|
.
|
\
|
=
CS R
ES
t
BC
CS R ES E
I
I
J
J
I I I
o
o

$"
A 136 , 0 25 exp 26 exp exp 26 exp = + = + =
CS R CS
t
BE
ES F CS C
I I
J
J
I I I o o

con sentido saliente del colector

J
BC
J
CC
I
E
PGINA N 4

Ejercicio 3.
Para el circuito de la Iigura 3.1:
a) Calcule la corriente i
O
en Iuncion de las seales de entrada v
1
y v
2
. Suponga que todos los FET estan en
saturacion. (0,9 p.).
Para el circuito de la Iigura 3.2:
b) Calcule la relacion v
O
/v
I
suponiendo que los FET estan en saturacion (0,7 p.).
c) Sabiendo que los FET no entran en region gradual, en que rango de valores de v
O
los FET operan en
saturacion? (0,9 p.).

DATOS: k 1 = R
Ambos FET son NORMAL-ON (de deplexion), con V 1 , , ; mA/V 1
2
= = k
T
J
NOTA: No se necesita el valor de J
DD
para resolver el ejercicio.

Fig. 3.1

Fig. 3.2
SOLUCIN:
a)
( ) ( )
( ) ( ) ( )
( )
( ) ( )
( )
T
T
O O
T T O T o
o T SG T GS D D O
J v v R
v v J v v
i R i v v
J v v J v R i J R i v
i J v J v i i i
2 2 1
2
2
2
1 2
1 2 1 2
1 2
2
1 2
2
1
2
2
2
1
2
2 1 2
k +
+ k
= + =
= k = k k =
= = k k = =

b)
( ) ( )
( )
8 , 0
(V)
5
4
) (
2 1
2 2
2
2 1
= =
=
k +
k
= = =
I
O
O O
I O
T
I T
O I
v
v
R i v
v mA i
J R
v J
i v v v

c) Canal n: 4V 4V
25 , 0
25 , 0
8 , 0
) (
T
2
= = > > = = =
T
O T O O
O
O I GS
J
v J v v
v
v v n v
Canal p: 4V 25 , 0 ) ( ) (
1
s > = =
O T O GS SG
v J v n v p v
Asi 4V , , s
O
v

v
2
-J
DD
v
O
v
1
J
DD
i
O
R

T1

T2

-J
DD
v
O
v
I
J
DD
i
O
R

-

T1

T2

o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

Ejercicio 4.
El circuito de la Iigura 4.1, utilizado para desplazar el nivel de continua de la seal de entrada, se excita
con el pulso dibujado en la Iigura 4.2.

a) Calcule el valor de la tension en bornas de la capacidad v
C
y la tension de salida v
O
para el estado
estacionario en el intervalo t 0 (0,5 p.).
b) En t 0 se produce la transicion y v
I
pasa a valer -5 V. Indique el valor de la tension de salida v
O
y el
estado del diodo en el instante t 0
(0,5 p.).
c) Obtenga la ecuacion diIerencial que rige la evolucion de v
C
en el intervalo 0 t T, y calcule la
expresion de v
O
(t) en ese caso (1 p.).
d) En tT la tension a la entrada vuelve a cambiar al valor J
F
. Si T 1 ms, indique el valor de la tension
de salida v
O
y el estado del diodo en el instante t T
(0,5 p.).


DATOS:
C 100 F; R 100 : J
F
7 V; J
R
5 V
Para el diodo:
Modelo con tension de codo J
0,5 V y resistencia en directa r

F
1.
EIectos capacitivos internos despreciables

SOLUCIN:
!" En estado estacionario, con v
I
J
F
, no hav flufo de corriente, el condensador esta cargado v v
C
J
F
7
J v v
0
0 J.
#
$

%
&'
(
'
*
+ ,
#
-

(
-
#
$

#
,

+
-
+
-
+ -
!"#$%& %( )

!" El valor de tension en bornas del condensador no puede cambiar bruscamente, por lo que
v
C
(t0
) v
C
(t0
-
) J
F
7 V. Por tanto, v
O
v
I
- v
C
-J
R
- J
F
-12 V. Al estar polari:ado
negativamente, el diodo esta en inversa.

#" El circuito equivalente en este intervalo es

R C
C C R C
J v
dt
dv
RC
R
v J
dt
dv
C = +

=
Resolviendo, |
.
|
\
|
+ =
RC
t
A J t v
R C
exp ) (
De la condicion de contorno v
C
(t0
-
) v
C
(t0
) V
F
deducimos
A V
F

V
R
, v podemos calcular
( )
|
.
|
\
|
=
|
.
|
\
|
+ = =
10
) (
exp 12 exp ) ( ) (
ms t
RC
t
J J t v J t v
R F C R O

$" La tension en bornas del condensador no cambia,
( ) 6V 5,8 exp ) ( ) ( =
|
.
|
\
|
+ + = = = =
+
RC
T
J J J T t v T t v
R F R C C

La tension de salida en este instante es

= > = = = J t v J T t v
C F
0,5V 1,14V ) ( ) (
0
.
El diodo esta polari:ado en directa.

NOTA

Si calculamos la evolucion del voltafe de salida para el intervalo t~T, podemos representar la respuesta completa al
pulso de entrada.
!"#
!"$
!%
&
%
!&'( & &'( " "'(
t(ms)
v
O
(
V
)

%
&

'
&
(
'

* +
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

Escriba, DESDE ESTE MOMENTO, sus datos personales (apellidos, nombre y DNI) EN TODAS LAS
HO1AS, tanto de enunciados como para borradores, de que disponga.
Las soluciones, en Iorma concisa pero completa, deben escribirse EN ESTAS MISMAS HO1AS de enunciados
y SLO deben ocupar el ESPACIO correspondiente (entre el Iin de cada enunciado y el comienzo del
siguiente). La ENTREGA DE TODAS las hojas de enunciados es OBLIGATORIA aunque no haya escrito
nada en alguna de ellas.
Utilice para borradores SLO las hojas en blanco suministradas y SLO una vez identiIicadas con sus datos
personales. Pero, al Iinal, NO ENTREGUE hojas adicionales ni borradores. En ningun caso serian tenidas en
cuenta.
Se permite la consulta de LIBROS o apuntes ENCUADERNADOS y el uso de CALCULADORAS de bolsillo.
NO se permite la consulta de escritos en hojas sueltas. NO se permite el uso compartido de medios.
Dispone de un tiempo maximo de 3 HORAS para la realizacion de este examen. Cada ejercicio vale
2,5 PUNTOS (para un total de 10) y en cada apartado se especiIica su puntuacion parcial.
Fecha Prevista de Revisin: 2/10/03, a las 11:00 a.m. (Admisin de solicitudes hasta una hora antes de la
revisin)
PGINA N 2
Ejercicio 1. Se desea polarizar un diodo emisor de luz (LED) tal como se indica en la Iigura 1.1. El LED tiene
una curva caracteristica V-I de estatica como la indicada en la Iigura 1.2, donde !
depende de la temperatura ("

#
) de
la union del LED. Esta dependencia es de la Iorma ) ( ) (
$%& # $%& #
" " $ ! " !

. La temperatura de la union "
#

depende la temperatura ambiente ("
$%&
), de la potencia electrica consumida por el LED (() y de la resistencia termica
entre la union y el ambiente (
#)$%&
). La relacion entre estas variables es
$%& # $%& #
( " "

. . NOTA: en esta
expresion se ha supuesto que la potencia de luz emitida es despreciable Irente a la potencia electrica consumida.
Se desea disear un circuito de Iorma que la temperatura de la union en operacion "
#
sea 50C superior a la "
$%b
.
a) Calcule la potencia electrica consumida por el LED en ese caso (0,8 p.).
b) Calcule la corriente * del LED (0,9 p.).
c) Calcule el valor de la resistencia del circuito + para lograr el Iuncionamiento citado (0,8 p.).
Datos: V 2 ;
mV
10
$%&
!
,
$
V 5 ;
W
C
100
- $%& #
! .

Fig. 1.1

Fig. 1.2


!" W 5 , 0
100
50
; 50
/
,
, "
( , " "$%& "
#$%&

#"

mA 333
5 , 1
5 , 0
; . .
V 5 , 1 5 , 0 2 ) (

!
/
!
(
* * ! * ! (
! ! " $ ! " " !
$%& $%&

$"

5 . 10
33 , 0
5 . 3
3
1
5 , 1 5
-
!
-
! !
*
! !
+
-

*
!

!
*
+

!
-
PGINA N 4
Ejercicio 2. Se pretende utilizar un BJT real para una aplicacion en la que operara con altas corrientes. Como
consecuencia de ello, el eIecto de la resistencia parasita asociada a la region semiconductora del colector (que es la
region menos dopada) no es despreciable. Este eIecto puede estudiarse con el circuito equivalente de la Iigura 2, en
la que se muestra un BJT convencional con una resistencia en el terminal de colector. A este conjunto (BJT
convencional resistencia de colector) se le denominara BJT de alta corriente. Como se puede ver el BJT de alta
corriente es un dispositivo de 3 terminales.

a) Exprese la ecuacion caracteristica I
C
I
C
(I
B
, J
CE
) de estatica del BJT de alta corriente cuando el BJT
convencional esta Iuncionando en activa. Exprese esta ecuacion caracteristica en Iuncion de los parametros R
S
,
|
0
y J
A
(0,9 p.).
b) En el plano I
C
, J
CE
de las curvas caracteristicas de salida del BJT de alta corriente, represente la region en la que
el BJT convencional opera en activa (0,8 p.).
c) Calcule el parametro de pequea seal r
0
(ci
C
/cv
CE
)
-1
del BJT de alta corriente en el punto de trabajo I
B
20
mA suponiendo que el BJT convencional esta en activa. (0,8 p.).

Figura 2

DATOS:

R
S
2 O.
Para el BJT convencional la ecuacion en activa y estatica teniendo en cuenta el eIecto Early es
B
A
CE
C
I
J
J
I
|
|
.
|
\
|
+ = 1
0
|
|
0
100; J
A
60 V; J
CE,sat
0,2 V

a) Llamando J
CE
a la tension colector emisor del BJT convencional.

( )
S B A
B E C A
C B
A
S C E C
C
B
A
CE
C
CE S C E C
R I J
I J J
I I
J
R I J
I
I
J
J
I
J R I J
0
0
0
0
1
1
|
|
|
|
+
+
=
|
|
.
|
\
|
+ =
|
|
.
|
\
|
+ =
+ =
' '
'

b)
Frontera con corte. 0 >
C
I
Frontera con saturacion.
2 , 0 ) A ( 2 ) V (
, ,
+ >
+ > + = >
'
'
C E C
sat CE S C CE S C E C sat CE CE
I J
J R I J R I J J J

I
C
J
CE
+
-
R
S
I
B
B

C

E

o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

CONTINUACIN SOLUCIN E1ERCICIO 2:

!"
O = O + O = + =
(
(
c
c
=

'
"# # "$
$
%
$ $
%
&
'
( )
)
*
+
,
,
+
-
|

,
)(
&'(
+
)
&)(
,
).(
* # +
)
+ $,#
+
)
* $

$,# '
)-./')
PGINA N 6
Ejercicio 3. El circuito de la Iigura 3 presenta un ampliIicador con dos etapas en cascada, la primera en colector
comun y la segunda en emisor comun, separadas en el dibujo por la raya discontinua. Un analisis aproximado del
circuito de polarizacion ha dado los siguientes valores de continua: I
C1
~I
E1
1 mA; I
C2
~I
E2
1 mA; J
CE1
5,7 V;
J
CE2
1,4 V. Se pretende realizar un analisis parcial del circuito de pequea seal, abordando el problema etapa por
etapa.

a) Dibujar el circuito equivalente de pequea seal de la segunda etapa, dando el valor de los parametros del
circuito equivalente de pequea seal del BJT (0,5 p).
b) Calcular, para la segunda etapa, la resistencia de entrada R
in2
y la ganancia de tension v
o
/v
o1
(0,5 p).
c) Indicar el margen dinamico a la salida asociado al transistor T
2
(0,5 p).
d) Dibujar el circuito equivalente de pequea seal de la primera etapa, sustituyendo la segunda por su R
in2
y dando
el valor de los parametros de pequea seal (0,5 p).
e) Calcular la ganancia de tension de la primera etapa v
o1
/v
i
y la ganancia de tension total v
o
/v
i
(0,5 p).

R
C
R
1
C
R
2
C
v
i
v
o
R
E1
C
J
CC
R
E2
R
L
T
1
T
2
v
o1
R
C
R
1
C
R
2
C
v
i
v
o
R
E1
C
J
CC
R
E2
R
L
T
1
T
2
v
o1

DATOS
R
1
R
2
100 kO
R
E1
4,3 kO
R
E2
3,6 kO
R
C
R
L
4 kO
J
CC
10V
C
Para ambos transistores
J
T
0,025 V
J
E
0,7 V
J
CEsat
0,2 V
|100
r
o

Figura 3

a)
R
C
// R
L
v
o
|i
b2
r
t2
i
b2
v
o1
R
C
// R
L
v
o
|i
b2
r
t2
i
b2
v
o1

k 5 , 2
2
2
= | =
t
C
T
I
J
r

b) O = = k r R
in
5 , 2
2 2 t
;
( )
80
//
2 1
= =
t
|
r
R R
v
v
L C
o
o

c)El margen dinamico asociado a T
2
vendra dado por lo que antes ocurra, el corte o la saturacion.
-Margen al corte (I
C2
i
c2
(v
o
)~0) ( ) V 2 //
2
= >
L C C o
R R I v
-Margen a saturacion (J
CE2
v
ce2
(v
o
)~J
CESAT
) V 2 , 1
2
= >
CE CESAT o
J J v
Limita la saturacion, luego el margen dinamico a la salida asociado a T
2
es 1,2 J.

NOTA. La maxima excursion de la seal a la entrada de la segunda etapa, v
o1
, puede ser V 015 , 0
2 , 1
1
=
o
o
v
v
. Se
podria comprobar que dicho valor esta muv por debafo del margen dinamico asociado a T
1
, luego es la segunda
etapa la que limita el margen dinamico del circuito total.

o
7

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

CONTINUACIN SOLUCIN E1ERCICIO 3:

d)

r
v
o1
v
i R
1
// R
2
i
b1
i
b1
R
E1
//R
in2
r
v
o1
v
i R
1
// R
2
i
b1
i
b1
R
E1
//R
in2

" # $ %
&
&

C
T
I
J
r

e)

'( $ )
** &
** &
% & &
% & &
in E
in E
i
o
R R r
R R
v
v

La ganancia total sera el producto de las dos + $ ,(
&
&

i
o
o
o
i
o
v
v
v
v
v
v

PGINA N 8

Ejercicio 4. En el circuito de la Iigura 4 los transistores Q1 y Q2 son MOST de acumulacion en tanto que el Q3
es de deplexion. Se supone que todos operan en la region de saturacion.
De estos transistores se conoce ademas que:
- Q1 y Q2 son iguales y su ecuacion de transIerencia es I
D
100 (J
GS
-4)
2
, donde I
D
se expresa en mA y J
GS

en voltios.
- Q3 responde a la ecuacion de transIerencia I
D
100 (J
GS
2)
2
, donde I
D
se expresa en mA. y J
GS
en
voltios.

Se pide:
a) El valor de J
DS2
(1 p.).
b) El valor de I
D1
(1 p.).
c) Compruebe si el transistor Q3 esta realmente en saturacion. (0,5 p.)

Figura 4


a) Como Q1 v Q2 son iguales v sus J
GS
son iguales implica que sus I
D
son iguales. Ademas, del circuito se
desprende que las I
D
de los transistores Q2 v Q3 son iguales. Por tanto,
I
D1
I
D2
I
D3
Sustituvendo las expresiones de las corrientes del enunciado se obtiene.
J
GS3
2 J
GS2
- 4 v, por tanto, J
GS2
6 J J
DS2

b) Ya que I
D1
I
D2
v sustituvendo el valor de J
GS2
6 J se obtiene
I
D1
100 (6-4)
2
400 mA

c) De la expresion I
D
100 (J
GS3
2)
2
deducimos que J
T
-2J, por tanto podemos escribir.
J
DSAT3
J
GS3
-J
T
02 2J.
Del apartado b) J
GS3
2J J
DSAT3
.
El transistor Q
3
esta en la frontera entre regiones gradual v saturacion, siendo valida la expresion utili:ada.
Q
3
Q
2
Q
1
I
D1
8J
Dpto. de Electrnica Fsica Examen de: ELECTRNICA BSICA (Ene/04) PGINA N
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

Escriba, DESDE ESTE MOMENTO, sus datos personales (apellidos, nombre y DNI) EN TODAS LAS
HOJAS, tanto de enunciados como para borradores, de que disponga.
Las soluciones, en Iorma concisa pero completa, deben escribirse EN ESTAS MISMAS HOJAS de enunciados
y SLO deben ocupar el ESPACIO correspondiente (entre el Iin de cada enunciado y el comienzo del
siguiente). La ENTREGA DE TODAS las hojas de enunciados es OBLIGATORIA aunque no haya escrito
nada en alguna de ellas.
Utilice para borradores SLO las hojas en blanco suministradas y SLO una vez identiIicadas con sus datos
personales. Pero, al Iinal, NO ENTREGUE hojas adicionales ni borradores. En ningun caso serian tenidas en
cuenta.
Se permite la consulta de LIBROS o apuntes ENCUADERNADOS y el uso de CALCULADORAS de bolsillo.
NO se permite la consulta de escritos en hojas sueltas. NO se permite el uso compartido de medios.
Dispone de un tiempo maximo de 3 HORAS para la realizacion de este examen. Cada ejercicio vale
2,5 PUNTOS (para un total de 10) y en cada apartado se especiIica su puntuacion parcial.
Fecha Prevista de Revisin: 3/02/04, a las 11:00 a.m. (Admisin de solicitudes hasta una hora antes de la
revisin)
PGINA N 2
Ejercicio 1. El circuito de la Iigura 1.1 consta de un Iotodiodo y un condensador. El Iotodiodo puede modelarse
con una Iuente de corriente dependiente linealmente de la potencia luminosa incidente p
L
(t) en paralelo con un diodo,
tal y como muestra la Iigura 1.2. La constante de proporcionalidad de la Iuente de corriente es la sensibilidad S del
Iotodiodo. Sabiendo que la seal luminosa p
L
(t) varia con el tiempo como muestra la Iigura 1.3, se le pide calcular:
a) i
C
(t 0) y v
C
(t 0) (0,7 p.)
b) i
C
(t 0
) y v
C
(t 0
) (0,8 p.)
c) El tiempo que tarda v
C
(t) en alcanzar el valor 10J
t
(1 p.).
p
L
(t)
p
L
C
p
L
C

v
C
_
+
i
C
i
D
_
+
v
D
Sp
L

t
P
0

DATOS: J
t
25 mV, C 1 F, S 0,5 A/W, I
S
10
-12
A, P
0
2 mW
Modelo del diodo:
|
|
.
|
\
|
~
t
D
S D
J
t v
I t i
) (
exp ) ( , capacidades internas despreciables


a) Como para t 0, p
L
P
0
, se parte de un estado estacionario inicial en el que las seales no varian con el
tiempo v por tanto.
mV 518 Ln
exp
mA 1 0
0
0
=
|
|
.
|
\
|
= =
|
|
.
|
\
|
~
= = = =
S
t D C
t
D
S D
D
C
C
I
P S
J v v
J
v
I i
P S i
dt
dv
C i

b) La tension en el condensador no puede variar instantaneamente, por lo que.
mV 518 ) 0 ( ) 0 ( = = = =
+
t v t v
D D

Como exp ( 0 ) ( 0)
D
D S D D
t
v
i I i t i t
J
+
| |
~ = =
|
\ .
< S P
+
= = = v por tanto i t
0
( 0 ) 1 mA
C

c) Para t ~ 0, p
L
0.
A
J
v
I
CJ
t
dv
J
v
I
C
dt
dt
dv
C
J
v
I
t
C
S
t
C
t
C
S
C
t
C
S
+
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
= =
|
|
.
|
\
|
exp
exp exp

La condicion de contorno inicial es mV 518 Ln ) 0 (
0
=
|
|
.
|
\
|
= =
S
t C
I
P S
J t v , por lo que.
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
= =
|
|
.
|
\
| =
=
0 0
1
exp
1 ) 0 (
exp
P S J
v
I
CJ t
P S
CJ
J
t v
I
CJ
A
t
C
S
t
t
t
C
S
t

Asi, el valor v
C
10J
t
se alcan:a en el instante.
10 10
0
1
1,13 sg
t
final t
S S
e CJe
t CJ
I S P I

| |
= ~ =
|
\ .

PGINA N 4
Ejercicio 2.
a) En el circuito de la Iigura 2, D
1
es un Iotodiodo que recibe luz del LED D
2
de tal Iorma que genera una
Iotocorriente. Calcular la corriente I suponiendo que el FET esta en saturacion. (1.5 p.)
b) VeriIique las hipotesis que haya usado en el apartado a) respecto al estado de Iuncionamiento de los diodos
D
1
y D
2
. (0.5 p.)
c) Para que valores de J el FET esta en saturacion? (0.5 p.)
J
CC
R
I
J
D
1
D
2
I
D2
J
CC
R
I
J
D
1
D
2
I
D2
Figura 2
DATOS:
FET: FET de acumulacion de canal n ; J
T
1V ; k 1mA/V
2
;
J
CC
12 V; R 1 MO
D
1
: Suponga que el modelo del Iotodiodo cuando no esta iluminado es lineal por tramos con V
1
0,5 V.
La corriente Iotogenerada I
f
es proporcional a la potencia luminosa P
l
emitida por D
2
de acuerdo con
I
f
SP
l
(S 0,01A/W).
D
2
: Suponga que el modelo del LED es lineal por tramos con J
2
2 V. La potencia luminosa generada
P
l
es proporcional a la corriente que circula por el LED (I
D2
) de acuerdo con P
l
BI
D2
(B 0,1W/A).


a) Como podremos comprobar posteriormente, D
1
esta en inversa v D
2
en directa

( )
( ) V en A en ; 1
V en A en 10
.
) (
2
2
2
2
2
2
2
GS f GS f
T GS D l f
GS f GS
GS CC
f
f CC GS
T GS D
J I J I
J J SBK SBI SP I
J I J
R
J J J
I
J R I J J
J J k I
=
= = =
=

=
=
=

mA I
valida no solucion J
valida solucion J J
J
J J J J J
D
T
GS
GS GS GS GS GS
46 , 6
54 , 2
, 54 , 3
2
9 4 1 1
0 9 ; 10 1 2
2
2 2
=

>
+
=
= = +

b) Fotodiodo D
1
. ( )
1 2 1
54 , 5

J J J J J J
D GS G D
< = + = = , luego esta en inversa
LED D
2
. , luego esta en directa 0 46 , 6
2
> = mA I
D
c)
J J J J J J J J
T GS DS
54 , 4 ; 54 , 2 ;
2
> > >

PGINA N 6
Ejercicio 3. En el circuito ampliIicador de la Iigura 3, en el que los dos transistores son iguales y estan en activa,
calcule:
a) I
B1
e I
B2
(0,8 p.)
b) J
O
(0,5 p.)
c) La ganancia en pequea seal y Irecuencias medias v
o
/v
i
(1,2 p.)
C
J
CC
C
v
i
v
i
i
B1
i
B2
R
B
R
E
R
E
R
EE
R
B
R
C
Q
1
Q
2
v
O
v
o
J
O
-J
CC

Figura 3
DATOS:
|100 ~~ 1; J
BE1
J
BE2
0,7 V; J
t
0,025 V
Parametros de pequea seal a Irecuencias medias de los transistores: r
t
J
t
/I
B
, r
o

R
B
5 kO; R
E
50 O; R
EE
7,1 kO; R
C
8 kO; J
CC
15 V


a) Las dos corrientes de base son iguales, a pesar de que el circuito no es simetrico por las mallas de colector
de los transistores. En la malla de base v en continua se cumple que.
2 1
1 1 1
1 1 1
mA 01 , 0
1420 10 3 , 14
2 0
B B
B B B
CC C EE C E BE B B
I I
mA en I I I
J I R I R J I R
= =
+ =
+ + + =

b) V 7 mA 1 100
1 1 1
= = = =
C C CC O B C
I R J J I I

c)
v
i
R
B
i
b1
r
t
|i
b1
i
b2
v
o
R
E
R
EE
R
C
v
i R
B
r
t
|i
b2
R
E

o
7

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

CONTINUACIN SOLUCIN EJERCICIO 3:

De acuerdo con el dibufo, se tiene.

"# $ %
&
&

EE E
C
i
C b
i
o
R R
r
R
v
R i
v
v

Para ello se ha tenido en cuenta que.

' " $ &

& (
& &
& (

r
R R i i r v
i i
EE E b b i
b b

PGINA N 8

Ejercicio 4. El circuito de la Iigura 4 tiene un ampliIicador operacional ideal que esta alimentado a J
CC
10 V y
-J
CC
-10 V. Se pide:
a) Calcular el valor de la componente continua de la tension de salida, J
O
. (1 p)
b) Calcular el valor de la componente alterna de la tension de salida v
o
(t). (0.5 p)
c) Teniendo en cuenta las tensiones de alimentacion del ampliIicador operacional, representar la Iorma de la
tension a la salida del circuito v
O
(t)J
O
v
o
(t). (0.5 p)
d) Calcular el margen dinamico de la seal de entrada en alterna v
g
(t) para que el ampliIicador operacional no
entre en saturacion a J
CC
. (0.5 p)

R
f
DATOS:
R
1
R
2
2 k; R
g
5 k; R
f
10 k;
v
g
3 cos(t) V; J
G
1V.

Figura 4
+J
CC
-J
CC
R
2
+
-
+
R
g
R
1
v
O
J
O
v
o
v
g
J
G


a) Anali:ando el circuito para J
G
, anulando el generador v
g
(t), se obtienen las siguientes ecuaciones.

+
+
=
=
=
|
|
.
|
\
|
+
J J
J
J
R
J
R
J
R R
J
f g
G
f g
2
0
1 1
0
0
Despefando se obtiene.
g f
f
G
R R
R
J J
=
2
0

Sustituvendo. . 4
0
J J =

b) Anulando el generador J
G
v anali:ando para v
g
(t) se obtiene.

g f
f
g o
R R
R
t v t v
=
2
) ( ) ( donde sustituvendo valores se obtiene. ) cos( 12 ) ( t t v
o
e = J

o
9

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

CONTINUACIN SOLUCIN EJERCICIO 4:

c)
v
0
(t)
10
5
4
-5
-8
-10
t

d) La amplitud maxima de v
o
(t) es de 6 voltios. Por tanto.
a
" #$%& ' ( )
*
" &
" & t
t v
t v
o
max g
J
Dpto. de Electrnica Fsica Examen de: ELECTRNICA BSICA (Jun/04) PGINA N
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

Escriba, DESDE ESTE MOMENTO, sus datos personales (apellidos, nombre y DNI) EN TODAS LAS HOJAS, tanto de
Las soluciones, en forma concisa pero completa, deben escribirse EN ESTAS MISMAS HOJAS de enunciados y SLO
Utilice para borradores SLO las hojas en blanco suministradas y SLO una vez identificadas con sus datos personales.
Dispone de un tiempo mximo de 3 HORAS para la realizacin de este examen. Cada ejercicio vale 2,5 PUNTOS (para un
PGINA N 2
EJERCICIO 1:
El diodo tnel (tambin llamado diodo Esaki), cuyo smbolo circuital se muestra en la figura 1.1, es un diodo que se
caracteriza porque el fenmeno de disrupcin de la unin p-n se produce para tensiones de polarizacin directa
(v
D
>0). Como consecuencia, la curva caracterstica i
D
-v
D
de un diodo tnel tiene una regin de pendiente negativa. El
modelado de este diodo para v
D
>0 puede hacerse en buena aproximacin por la siguiente ecuacin:

2
( ) exp 1 0
exp 1
D
E D E D S D E
t
D
D
S D E
t
v
k v J v I v J
J
i
v
I v J
J
| |
+ s s
|
\ .
=

| |
>
|
\ .

donde k
E
, J
E
e I
S
son los parmetros modelo. La representacin grfica de esta ecuacin es la curva caracterstica que
se muestra en la figura 1.2.
Para el circuito de la figura 1.3, que contiene un generador de pequea seal v
g
se le pide calcular:
a) El valor del cociente I
O
/I
G
de polarizacin (0,8 p.)
b) La resistencia equivalente del diodo tnel para la pequea seal (0,9 p.)
c) El valor del cociente i
o
/i
g
de pequea seal (0,8 p.)


DATOS: J
t
= 25 mV, R=17,5 O, J
G
= 350 mV
Del diodo: I
S
= 1 pA, k
E
= 1 A/V
3
, J
E
= 550 mV

SOLUCIN
a)
20 mA
G
O
J
I
R
= =
Como
2
350 mV <550 mV ( ) exp 1
14 mA 0.0012 mA 14 mA
G
D G E D E G E G S
t
J
J J J I k J J J I
J
| |
= = = = + =
|
\ .
= + ~

Tenemos que 20 mA 14 mA = 34 mA
G O D
I I I = + = +
Asi.
20 mA
0, 59
34 mA
O
G
I
I
= =

+
_
v
D

i
D

R
+
~
v
g

V
G

I
G
+i
g
I
O
+i
o

0
10
20
30
40
50
60
70
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
v
D
(V)
i
D
(
m
A
)
o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

b)

2
1
( ) 2 ( ) exp
100 mS 0.35 mS 100 mS 10
D G
S G D
E E G E G E G
EQ D t t
v J
EQ
I J di
k J J k J J J
r dv J J
r

c) Es un divisor de corriente.
10
( // ) 1.33
10 17.5
EQ
o
o g EQ
g EQ
r
i
i R i r R
i r R

PGINA N 4
EJERCICIO 2:

Para el circuito de la figura:
a) Demuestre que T
1
y T
2
no pueden estar a la vez en su regin gradual de
funcionamiento. (1 p.).
b) Existe un nico valor de v
I
para el que ambos transistores estn a la vez en
saturacin. Calcule ese valor. (1 p.).
c) Sabiendo que la potencia luminosa p
L
emitida por el diodo LED es proporcional
a la corriente i
D
que circula por l (p
L
= Bi
D
), calcule el valor mximo de p
L
, as
como el valor de v
I
para el que se obtiene ese mximo. (0,5 p.).

DATOS:
J
T1
= J
T2
= J
T
= 1,5V ; k
1
= k
2
= k 1 mA/V
2
; J
SS
= 10 V; LED: J

= 2 V
A
W
3 , 0 = B

SOLUCIN:

a) T1 en region gradual J
DS1
s J
GS1
-J
T1

T
2
en region gradual J
SD2
s J
SG2
-J
T2

Sumando ambas.

J
SD1
J
SD2
s J
GS1
J
SG2
-J
T1
-J
T2
J
SS
- J
D
s J
SS
- 2J
T
J
D
> 2J
T

Pero v
D
s J
2J 2J
T
3J, que es incompatible con lo anterior.

b)
T1 en saturacion iD1 k1(vGS1-JT1)2 k(vI-JT)2
T2 en saturacion iD2 k1(vSG2-JT2)2 k(JSS-vI-JT)2
Como iD1 iD2 iD k(vI-JT)2 k(JSS-vI-JT)2 vI JSS/2 2,5 J

(Ambos saturados v
DS1
> v
GS1
-J
T1
v v
SD2
> v
SG2
-J
T2
v
SD1
v
SD2
> v
GS1
v
SG2
-J
T1
-J
T2
J
SS
- v
D
> J
SS
- 2J
T

v
D
s 2J
T
, que efectivamente se cumple)

c)
J
SS
J
SS
-J
T
J
T
J
SS
/2
p
L
T
1
cortado
T
2
gradual
p
L
=0
T
1
saturado
T
2
gradual
p
L
(v
I
-J
T
)
2
T
1
gradual
T
2
saturado
p
L
(J
SS
-v
I
-J
T
)
2
T
1
gradual
T
2
cortado
p
L
=0
T
1
saturado
T
2
saturado
p
L
J
SS
2
/4
J
SS
J
SS
-J
T
J
T
J
SS
/2
p
L
J
SS
J
SS
-J
T
J
T
J
SS
/2
p
L
T
1
cortado
T
2
gradual
p
L
=0
T
1
saturado
T
2
gradual
p
L
(v
I
-J
T
)
2
T
1
gradual
T
2
saturado
p
L
(J
SS
-v
I
-J
T
)
2
T
1
gradual
T
2
cortado
p
L
=0
T
1
saturado
T
2
saturado
p
L
J
SS
2
/4

p
L
maxima se obtiene para J
J
v
SS
I
5
2
= = ;
mW p mA J
J
k i
L T
SS
D
675 , 3 25 , 12
2
max
2
= =
|
|
.
|
\
|
=
J
S
i
D
p
L
T
2
T
1
v
I
PGINA N 6
Ejercicio 3.
R R
L
I
0
J
CC
-J
CC
v
I
(t)
v
O
(t)
R R
L
I
0
J
CC
-J
CC
v
I
(t)
v
O
(t)
La tensin en la base del transistor del circuito es v
I
(t) = J
I
+v
i
(t),
donde v
i
(t) es una seal alterna y J
I
= -3V una componente continua
no deseada. La misin del circuito es eliminar esta componente
continua.
a) Calcule R para que el nivel de continua en la carga sea J
O
= 0 V
Para ese valor de R, y suponiendo el TRB en activa, calcule adems
el punto de trabajo (I
C
,J
EC
) del transistor (1 p.)
b) La ganancia de tensin A
v
= v
o
/v
i
de pequea seal (0,5 p.)

c) El valor de v
o
para que el TRB se corte (0,5 p.).
d) El valor de v
o
para que el TRB se sature (0,5 p.).

DATOS
J
CC
= 12 V; R
L
= 1 kO; I
0
= 10 mA (fuente de corriente continua
ideal); J
t
= 0,025 V
BJT: | = 100; J
EB
= 0,7 V; J
ECsat
~ 0,2 V; J
A

SOLUCIN:
a)
Como J
O
0 J, por R
L
no circula corriente continua, luego.
J
O
0 J
I
J
EB
I
0
R R -(J
I
J
EB
)/I
0
0,23 kO

Ademas, en continua. I
C
|/(|1)I
0
~ I
0
10 mA, J
EC
J
I
J
EB
J
CC
9,7V
(referencia para la corriente de colector. positiva si sale del colector)

b)
r
t
|J
t
/I
C
~ |J
t
/I
0
0.25 kO, r
o

v
o
(|1)R
L
i
b
, v
i
(r
t
(|1)(R
L
R))i
b
A
v
(|1)R
L
/(r
t
(|1)(R
L
R)) 0,81

c)
i
C
(t) > 0 I
C
i
c
(t) I
C
-|i
x
(t) I
C
-|/(|1)v
o
(t)/R
L
~ I
C
-v
o
(t)/R
L
> 0
v
o
(t) s I
C
R
L
10 V

d)
v
EC
(t) > J
ECsat
J
EC
v
ec
(t) J
ECt
v
e
(t) J
EC
(1R/R
L
)v
o
(t) > J
ECsat

v
o
(t) > -(J
EC
-J
ECsat
)/(1R/R
L
) -8 V

R
L
v
o
| i
b
r
t
i
x
R
v
i
R
L
v
o
| i
r
t
i
b
R
v
i
E
PGINA N 8
Ejercicio 4.
El circuito de la figura se utiliza para conmutar un diodo emisor de luz (LED).
En el instante t = 0 se cierra el interruptor.
Se pide:

a) Calcular la tensin J
E
para t < 0. Diga en qu estado se encuentra el LED. (0,9 p.).
b) Para t >> 0, calcular el valor de J
E
. Diga en qu estado se encuentra el LED. (0,6 p.).
c) Calcular la evolucin de la tensin, v
E
(t) para t > 0. Dibujar la forma de la seal v
E
(t). (1 p.).

DATOS:
J
CC
= 10 V; R = 75 O;
R
B
= 1 kO; R
E
= 11 O; C = 100 nF
J
IN
5 V
LED. J 1,2 V
BJT. | 100, J
CEsat
0,2 V
J
E
0,7 V.

Fig. 1

SOLUCIN:

a) En t0 en BJT esta en saturacion
=
+

~ + + + ~ mA 100
E
CEsat CC
C C E CEsat C C CC
R R
J J J
I I R J J I R J

El LED esta encendido

V 1 , 1 = =
C E E
I R J
Hav que comprobar que I
C
| I
B

( )
mA 2 , 3 =
+
=
=
B
BE E in
B
B in
B
R
J J J
R
J J
I
mA 2 , 3 100 . mA 100 = < =
B C
I I | . Esta en saturacion

b) t ~~ 0 el BJT esta en corte.

= = = = = 0 ; 0 ; 0
E E C B B
J I I I J El LED esta apagado

c) en t ~ 0. el condensador en t 0
tiene una tension de J

E
1,1J

El condensador se descarga a traves de R
E
.
La ecuacion diferencial queda.
0
.
= +
=
C R
v
dt
dv
R
v
dt
dv
C
E
e e
E
e e

(V) . 1 , 1 ) (
1 , 1 ) 0 ( :
. ) ( ) ( C R
t
E
E
C R
t
C E E
E
e t v
k v inicial condicion
e k t v t v

+
= =
= =

J
CC
R
J
IN
R
B
R
E
C

t 0

-

v
E
(t)
i
E
0

R
E
i

C

-
v
E
(t)
o
9

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

"
#
$%&
%
1,1'
()
#
*(1,1+,
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

Las soluciones, en Iorma concisa pero completa, deben escribirse EN ESTAS MISMAS HOJAS de enunciados y SLO
PGINA N 2
EJERCICIO 1:

En el circuito de la Iigura 1, los cuatro diodos tienen una corriente inversa de saturacion, I
s
10 A, y su
Iuncionamiento se corresponde con la ecuacion de Shockley:
|
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
= 1 exp
kT
qV
I I
s

para tensiones mayores que la de disrupcion (-V
Z
).
Suponiendo despreciable cualquier eIecto capacitivo en el circuito, se pide:
a) Calcule el valor limite de la resistencia R
1
para que el Zener Z
1
no entre en disrupcion si el conmutador esta
en la posicion 1. (1,0 p.).
b) El anterior valor de R
1
, es el maximo o el minimo? Explique la respuesta. (0,5 p.).
c) Calcule el valor de la resistencia R
1
para que la corriente que atraviesa el diodo Z
1
valga 5 A cuando el
conmutador pasa a la posicion 2 (1,0 p.).

Figura 1

Datos:
kT/q 0,025 V;
V
cc
12 V,
V
Z
(Z
1
,Z
2
)

11 V;
V
Z
(D
3
,D
4
)

;
R
2
10 kO.

SOLUCIN

a) En el lmite,
O = =
)
`
= =
= =
M 1 , 1
10
11

A 10 A 10 A 20
V 11
1
1
1 1 1
R
I
R I V
R
R R

b) Es un valor mximo, porque si R
1
aumenta, su cada de tensin tambin lo hace y el diodo Z
1
entrara en
disrupcin.
c) V 01 , 0 5 , 1 ln 025 , 0 1 ln 1 exp
1
1
1
1
= =
|
|
.
|
\
|
+ = |
.
|
\
|
=
S
Z
Z
Z
S Z
I
I
q
kT
V
kT
qV
I I
2k
A 5
0,01V
1
1
1 1 1
= = = =
R
R
R Z
I
V
R V V

D
3

R
1

R
2

Z
1

Z
2

D
4

V
CC
1
2
V
CC
PGINA N 4

EJERCICIO 2:

Para el circuito ampliIicador en Iuente comun de la Iigura:
a) Calcule el valor de R
C
que hace que el nivel de continua a la salida sea nulo, V
O
0 V. Compruebe que el
transistor en estas condiciones esta saturado (1,0 p.)
b) Calcule la ganancia de voltaje en pequea seal, v
o
/v
i
(1,0 p.)
c) Calcule la resistencia de entrada al ampliIicador en pequea seal, R
i
(0,5 p.)

DATOS
V
CC
5 V; R
BC
100 kO; R
L
1kO
MOSFET V
T
2,5 V; k 0,8 mAV
-2

En saturacion I
D
k. (V
GS
-V
T
)
2

NOTA: Considere despreciables los eIectos
capacitivos de los transistores.
Figura 2

SOLUCIN

a) Si el transistor est saturado, ( ) ( ) mA 5
2 2
= = =
T CC T GS D
V V k V V k I .
En continua, la ecuacin del nudo de salida:
( ) O = = = = + + =
k 1 0
D
CC
C D
C
CC
O D
L
O
BC
O
C
O CC
I
V
R I
R
V
V I
R
V
R
V
R
V V

Se verifica la saturacin del transistor:
( ) V 5 , 2 V 5 = = > = = =
T CC T GS CC CC O DS
V V V V V V V V

b) El circuito equivalente de pequea seal es el de la figura, en el que ( )
-1
V mA 4 2 = =
T GS m
V V k g . En este
circuito v
gs
v
i
(t), por lo que:

( ) ( ) ( )
( )
( )
( )
( )( ) ( ) 2 1 = ~ = = + =
L C m BC L C BC m
i
o
v i m
L C
o
BC
o i
R R g R R R R g
t v
t v
A t v g
R R
t v
R
t v t v

c)
( )
( ) ( )
O ~
= k 3 , 33
1
1
BC
V
BC
o i
i
i
R
A
R
t v t v
t v
R

R
BC
+V
CC
R
C
R
L
v
i
( t )
- V
CC
v
O
( t )
R
i
R
BC
+
R
C
R
L
v
i
( t )
- V
CC
v
O
( t )
R
i
R
BC
R
L
,, R
C
v
i
( t )
v
o
(t)
R
i
g
m
v
gs
+
BC
R
L
,, R
C
v
i
( t )
v
o
(t)
PGINA N 6
Ejercicio 3.

Para el circuito ampliIicador con BJT`s de la Iigura 3 se le pide calcular:
a) La corriente de polarizacion I
L
. Suponga que los dos transistores operan en activa (0,8 p.)
b) El valor de la resistencia R
L
para el que V
L
0. Compruebe la hipotesis sobre el estado de los transistores (0,7 p.)
c) La ganancia de corriente de pequea seal,
l
I
g
i
A
i
(1 p.)

Figura 3

DATOS:
V
t
25 mV, V
CC
5 V, R
B
475 k, R
C
700
Para T
1
(npn):
1
100, V
1
, V
E1
0,5 V, V
CEsat1
0,2 V
Para T
2
(pnp):
2
50, V
2
, V
E2
0,7 V, V
ECsat2
0,2 V

NOTA: Considere despreciables los eIectos capacitivos de los transistores.

SOLUCIN:
a)

V
L
I
L
R
B
R
C
R
L
-V
CC
V
CC
V
E1
V
E2
1
I
B1
2
I
B2
I
B2
I
B1
V
L
v
l
I
L
i
l
i
g
R
B
R
C
T
1
T
2
R
L
-V
CC
V
CC
o
7

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

1
1
1 1 1
2
2 1
2 2 2
2
20 A
2 mA
1 mA
1 mA
50 mA
C
C
CC E
B
B
C B
E
R
C
B C R
L C B
V V
I
R
I I
V
I
R
I I I
I I I
|
|
= =
= =
= =
= =
= = =

b)
( )
100
L CC
L
L
V V
R
I

= = O

Comprobacin activa:
1 1 1 2 1
2 2 2 2
: 20 A 0; ( ) ( ) 9, 3 V ~ 0,2 V
: 1 mA 0; 5 V ~ 0,2 V
B CE CC E CC CEsat
B EC CC L ECsat
T I V V V V V
T I V V V V
= > = = =
= > = = =

c)

1
1
2
2
1, 25 k
25
t
B
t
B
V
r
I
V
r
I
t
t
= = O
= = O

1
1
2 1 1 1 2
2 1 2
2 2
4.815
B
b g
B
C l C B
b b I
C g B C
l b
R
i i
R r
R i R R
i i A
R r i R r R r
i i
t
t t t
| | |
|
=

+

= = = =
`
+ + +
)

i
l
i
g R
B
i
b1
r
t1
|
1
i
b1
R
C
i
b2
r
t2
|
2
i
b2
v
be2
R
L
v
be1
PGINA N 8
Ejercicio 4.

El ampliIicador diIerencial de la Figura 4.1 utiliza un Iotodiodo iluminado (F) como Iuente de corriente. El
Iotodiodo, que esta iluminado por una Iuente de luz constante, se puede caracterizar como un diodo en oscuridad en
paralelo con una Iuente ideal de corriente de valor I
F
tal como se indica en la Figura 4.2. A su vez, el diodo en
oscuridad se puede caracterizar como una Iuente ideal de tension de valor V
cuando esta en ON y como un circuito

abierto cuando esta en OFF.

Figura 4.1

Figura 4.2

Suponiendo que el ampliIicador diIerencial esta en modo comun, es decir, v
1
v
2
, calcule el rango de valores de la
seal de entrada v
1
para el que:
a) El Iotodiodo se comporta como una Iuente ideal de corriente (0,75 p.)
b) Los transistores no estan saturados (0,75 p.)
c) Los transistores no estan en corte (1 p.)

DATOS: V
CC
10 V, R
C
0,8 k
Transistores iguales: V
E
0,6 V; 100; V
CEsat
0,2 V
Fotodiodo: V
0,6 V ; I
F
1 mA

NOTA: Considere despreciables los eIectos capacitivos de los transistores.
SOLUCIN:

a) Para que el fotodiodo se comporte como fuente ideal de corriente, la tensin en sus bornas (lado p respecto de
lado n) debe ser menor que V
, V
CC
v
N
< V
. Puesto que la tensin en los emisores v

E
= v
1
V
E
resulta que:
v
1
> V
E
V
CC
V

= 10 V.

b) En modo comn la corriente por los colectores de los 2 transistores es la misma, I
C1
=I
C2
I
F
/2=0.5 mA.
En el lmite saturacin-activa v
1
= V
CC
R
C
I
F
/2 V
CEsat
V
E
10 V, es decir para que los transistores no estn
en saturacin, v
1
10 V.

c) En modo comn y con los transistores en corte y las corrientes de los emisores de los transistores son ambas
iguales a 0. Por tanto la corriente por el fotodiodo debe ser nula. Para que eso ocurra, la tensin en bornas del
fotodiodo (lado p menos lado n) debe ser igual a V
V
CC
v
N
= V

, es decir, en los emisores v
E
= 10.6 V.
En el lmite entre corte y activa siguen siendo vlidas las ecuaciones de activa y por tanto v
E
= v
1
V
E
de donde
se deduce v
1
10 V. Por tanto los transistores no estarn corte si v
1
> 10 V
F

I
F

v
1

F
R
C
R
C

v
2

-V
CC

V
CC

+

+
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

NO SE PERMITE el uso compartido de medios (calculadora, libros, etc). NO SE PERMITE la consulta de escritos en
hojas sueltas.
Dispone de un tiempo maximo de 3 HORAS para la realizacion de este examen. Cada ejercicio vale 25 PUNTOS (para un
Fecha Prevista Publicacin de Calificaciones: 11 de Febrero de 2006
Fecha Prevista de Revisin: 14 febrero, a las 11 a.m. (Admisin de solicitudes hasta una hora antes de la revisin)

PGINA N 2
Ejercicio 1. El circuito de la Iigura 1.1 es un regulador de tension con diodo zener. La Iuncion del diodo es mantener una
tension constante en la resistencia de carga R
L
con independencia de las variaciones en R
L
y en V
I
. En el diseo del regulador
debe asegurarse que la corriente en el diodo zener se mantiene dentro de los limites -I
Zmin
y -I
Zmx
. Utilizando el modelo lineal por
tramos de la Iigura 1.2 para el diodo zener, se pide:

a) Para V
I
15V, calcular los valores maximo y minimo de R
L
en el circuito regulador. (1,3 puntos)

b) Para R
L
500 , calcular los valores maximo y minimo de V
I
en el circuito regulador. (1,2 puntos)

DATOS: V
Z
5V; I
Zmn
10mA; P
Zmx
1W; R48,7 ; - I
Zmin
I
D
I
Zmax

R


i
D
R
L

V
I

-
-V
Z
v
D
v
D i
D
n
0,7V

-I
Zm

+
-I
Zmx
o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI


a)

cumplir debe diodo el en disipada potencia La
mA 10 ; -
D

Z Z
I i I

R
P
Z
1 W; V
Z
I
Z
< 1 W; I
Z
< 200 mA
Por tanto: mA 200 mA 10
Z
I

La corriente por R vale: mA 205
R
V V
I
Z I
R

Para I
Zmn
se cumple:
6 , 25 :
Lmn
Lmn
Z
Zmn R Zmn R
R donde De
R
V
I I I I
Lmx

Para I
Zmax
se cumple:
936 :
Lmx
Lmx
Z
Zmx R Zmx R
R donde De
R
V
I I I I
Lmn

b) En este caso debe cumplirse igualmente que: mA 200 10
Z
I mA

Para I
Zmin
se cumple:
V 97 , 5 ) ( ) (
D
L
Z
Zmn D R Zmn D R I
V
R
V
I R V I I R V I R V
L

Para I
Zmax
se cumple:
V 23 , 15 ) ( ) (
D
L
Z
Zmx D R Zmx D R I
V
R
V
I R V I I R V I R V
L

R
L
I
Z
I
R
V
Z
+
-
V
I
PGINA N 4
Ejercicio 2. El circuito de la Iigura 2 es un espejo de corriente diseado para que I
1
e I
2
sean aproximadamente
iguales. Sin embargo, la rotura de una pista ha dejado el colector de T
2
en circuito abierto de Iorma que I
2
0 aunque
I
1
1,2 mA. Se sabe que T
1
esta en modo activo directo de Iuncionamiento. Se pide:

V
CC
R
I
1
1,2 mA
I
2
0
T
1
T
2
i
E2
i
E1
v
BE
V
CC
R
I
1
1,2 mA
I
2
0 I
2
0
T
1
T
2
i
E2
i
E1
v
BE
v
BE

Figura 2
1. Decir en que modo de Iuncionamiento esta el transistor T
2
(0,5 puntos)
2. Expresar la corriente i
E1
en Iuncion de v
BE
, de los parametros del
modelo de Ebers-Moll
F
,
R
, I
S
y del voltaje termico V
t
(1,0 puntos)
3. Expresar la corriente i
E2
en Iuncion de v
BE
, de los parametros del
modelo de Ebers-Moll
F
,
R
, I
S
y del voltaje termico V
t
(0,5 puntos)
4. Calcular la tension en el colector del transistor T
2
, v
CE2
(0,5 puntos)

DATOS: T
1
y T
2
son identicos y estan a la misma temperatura; sus
parametros para el modelo de Ebers-Moll son
F
0,99;
R
0,33;
I
S
10
-15
A, V
t
0,025 V
CS ES S
I I I
R F

o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI


1. T
1
est en activa directa por lo que la unin base-emisor est en directa, as que T
2
ha de estar a su vez en
activa directa o saturado, y slo esto ltimo es compatible con la condicin i
C2
0

2.
|
|
.
|
\
|
= 1 exp
1
t
BE
F
S
E
V
v I
i
o
, puesto que v
BC1
0

3. Si la corriente de colector se anula, la ecuacin de Ebers-Moll correspondiente permite establecer una relacin
entre v
BE
y v
CE2
|
|
.
|
\
|
= = 1 exp 1 exp 0
2
2
t
BE
R
t
BC
C
V
v
V
v
i o
Introducida en la otra, se obtiene:
|
|
.
|
\
|
= 1 exp
1
2
t
BE
S
F
R F
E
V
v
I i
o
o o

4. V 0,6822
2
1 ln 1 exp
2
1
2 1 1
=
|
|
.
|
\
|
+ =
|
|
.
|
\
|
= + =
R F
F
S
t BE
t
BE
S
F
R F
E E
I
I
V v
V
v
I i i I
o o
o
o
o o

V 0,6545
2
1 ln
1
2
=
|
|
.
|
\
|
+ =
R F
F R
S
t BC
I
I
V v
o o
o o

V 0,0277
2 2
= =
BC BE CE
v v v

Como en saturacin los 1s son despreciables frente a las exponenciales, se podra haber puesto directamente:
( )
( ) V 0,0277 ln
ln 1 exp 1 exp 0
2
2
2
2
= ~
+ ~
|
|
.
|
\
|
= =
R t CE
BE R t BC
t
BE
R
t
BC
C
V v
v V v
V
v
V
v
i
o
o o

PGINA N 6

Ejercicio 3. En el circuito de la Iigura suponiendo que ambos transistores estan trabajando en la region de saturacion:
1) Calcular los valores de las tensiones de polarizacion V
GS1
, V
GS2
. (1 punto)
2) Calcular el parametro de pequea seal g
m
para el punto de polarizacion (0,5 puntos)
3) Calcular la impedancia de entrada en pequea seal
i
i
i
i
v
Z (1 punto)

V
CC

Figura 3
i
i

R
R
R
i v
i

Datos:

Para ambos transistores: ; V
CC
5 V
2 - 2
mAV 1 ; V 1 ; k V V v k i
T r GS D

R 500 R
i
1 k
v
o
v
i
o
7

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI


1) Por simetria ~ I
Ri
0, V
GS1
V
GS2
V
GS
; V
CC
- I
D
RV
GS
~ V
CC
K(V
GS
-V
T
)
2
R V
GS
teniendo en cuenta que V
GS
~ V
T
~ V
GS

3V

2) g
m
2k (V
GS
V
T
) 4 mA/V

3)
R
i

( )
( ) ( )
( )
=
|
|
.
|
\
|

=
|
|
.
|
\
|
+ +
=
+ +
= =
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
+
=
|
|
.
|
\
|
=
2
2
0
0 0
0
0
0
0
1
// 1
//
1 1 1
1
1
1
//
1
: //
i
m i
i
i
m
i i
i i
i
i
m
i
i
i
i m
i i
i i m
i i
i
i m
R
g R R
R R
R
g
v
v
R R
v R
v v
v
v
g
R
i
v
Z
R R g
R v
v
v R R g
R R
R
v
R
v v
V g R v

i
i
+
+

v
o v
i R

g
m
v
i
g
m
v
o R
_
PGINA N 8

Ejercicio 4.
Para el ampliIicador diIerencial de la Iigura se pide:

a) Tension continua a la salida V
O
, comprobando que los transistores estan saturados. Considere para este apartado despreciable
el eIecto de modulacion del canal de los transistores (eIecto Early). (0,8 puntos)

b) En Irecuencias medias y pequea seal, T
3
y T
4
se comportan como resistencias. Calcule su valor. (0,7 puntos)

c) Calcule la ganancia de tension en modo diIerencial
2 1 i i
o
d
od
v
v v
v
v
v
A
d
.
Dado el bajo valor que se obtiene, que parametro de los transistores T3 y T4 se podria manipular Iacilmente para aumentarla?
(1 punto)

I
0
-V
DD
V
DD
v
i2
v
i1
v
O
=V
O
+v
o
T
4
T
3
T
2
T
1

DATOS:

V
DD
10 V, I
0
1 mA (ideal)

Transistores de acumulacion de canal n y canal p de
la misma tecnologia con
k 0,5 mA/V
2
, ,V
T
,1 V, V
A
50 V

Figura 4

o
9

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI


a) En continua, el circuito es simtrico por lo que I
0
se reparte equitativamente por ambas ramas:
2
0
4 3 2 1
I
I I I I
D D D D
= = = =
( ) ( ) V 8
0
2
0
2
4 4
= = = V V V V k V V k I
T DD T SG D

T
3
y T
4
conducen (V
SG3,4
=V
DD
-V
0
>V
T
), y al tener G y D cortocircuitados, estn siempre en saturacin (V
SD3,4
=V
SG3,4
>V
SG3,4
-V
T
)

Por otro lado, , y se comprueba que V
DS1,2
=V
O
-V
S1,2
>V
GS1,2
-V
T
= -
V
S1,2
-V
T

( ) ( ) V 2
1
2
1
2
1 1
= = =
S T S T GS D
V V V k V V k I

b) Los parmetros de pequea seal son idnticos para los cuatro transistores: k 100 mS, 1 2
0
= = = =
D
A
D m
I
V
r kI g
El circuito de pequea seal para T
3
o T
4
:

+
v
gs
-
g
m
v
gs
r
0
+
v
gs
-
g
m
v
gs
r
0

1/g
m
r
0

de donde k 1
1
//
1
0 4 3
= ~
|
.
|
\
|
= =
m m
EQ EQ
g
r
g
r r

c)

Circuito equivalente de pequea seal en modo diferencial:

( )
5 , 0
2
//
0 3
= + = =
r r g
v
v
A
EQ m
d
od
v
d

v
d
/2
g
m
v
gs1
r
0
+
v
gs1
-
r
EQ3
v
o1=
-v
od
v
d
/2
g
m
v
gs1
r
0
+
v
gs1
-
r
EQ3
v
o1=
-v
od

Una forma sencilla de aumentar la ganancia en modo diferencial es aumentar la r
EQ
de los transistores de carga, para lo cual
podemos jugar con el parmetro relacin de aspecto, ensanchando el dispositivo (|Z) y acortndolo (+L)

Dpto. de Electrnica Fsica ELECTRNICA BSICA (Sep/06) PGINA N
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

hojas sueltas.
Fecha prevista Publicacin de Calificaciones: 20/09/06
Fecha prevista Revisin: 25/09/06, a las 12:00 a.m. (Admisin de solicitudes hasta una hora antes)

PGINA N 2
Ejercicio 1. El circuito de la Figura 1 incorpora un diodo D2 y un diodo emisor de luz L1. Los dos diodos tienen la curva
I-V de la Figura 2. El diodo L1 tiene una tensin umbral en directa V
1
=1V y el diodo D2 tiene una V
2
=0,5 V. L1 esta
encendido si I
L1
~0 y esta apagado en caso contrario. Las transiciones aparecen como consecuencia de la variacion de la tension
en el generador V
I
que sigue la curva de la Figura 3. Se pide:
a) Calcular I
L1
y V
L1
(con el criterio de signos indicado en la Figura 1) y diga si L1 esta apagado para t0 (1,0 pto).
b) Para t calcular I
L1
(con el criterio de signos indicado en la Figura 1) y diga si L1 esta apagado (0,5 pto).
c) Calcular el tiempo a partir de que el generador V
I
conmuta (t0) para que la corriente I
L1
valga 0.1 mA (1,0 pto)

DATOS:
V
Z
10 V; C1 F; R3 kO;
Suponga despreciables las capacidades internas de los diodos.
D2
R

Figura 1

Figura 2 Figura 3

SOLUCION EJERCICIO 1

a) Suponemos que D2 y L1 estan en directa
2 1 1
2 1
1
5 V
1.166 mA
I L
L
v V Ri V
V V
i
R

= + +

= =

lo que conIirma las hipotesis anteriores. i
L1
~ 0 por lo que L1 esta encendido. v
L1
1V

b) Como ahora v
I
0, i
L1
0 y L1 esta apagado.

c) En t0 se inicia la transicion de L1 desde estar encendido a apagado. Dicha transicion es debida a que el condensador C no se
descarga instantaneamente.
( ) ( ) ( )
( ) ( )
2
1
1
0 0 0 4.
C I D
C C
L
v t v t v t
v t V dv t
i C
dt R

= = = = =
= =
5 V

( )
( )
( ) ( )
( )
1
1 1
1
exp 0 3.5 V
1
exp 0.1 mA
C
C
C C
c
L
dv t
RC v t V
dt
t
v t V B v V B B
RC
dv t t
i C B
dt R RC

+ =
| |
= + = + =
|
\ .
| |
= = =
|
\ .

-V
Z
I
V
t

v
I
(V)
V

5

C L1 v
L1
+
_
_
+
v
I v
C
i
L1
+

o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

ln( ) 7.4 ms
0.1 mA
B
t RC
R

PGINA N 4
Ejercicio 2. El circuito de la Figura 4 se disea para suministrar una corriente continua constante I
L
a la carga R
L
. Para
estudiar el comportamiento de los transistores emplee el modelo lineal por tramos.

a) Suponiendo que ambos transistores Q
1
y Q
2
estan en activa, y despreciando las corrientes de base Irente a las otras corrientes
del circuito, calcule para cada uno de ellos el valor de la corriente de colector, I
C1
e I
C2
I
L
. (1 p)

b) JustiIique la pertinencia de haber despreciado las corrientes de base, tomando como criterio que su valor no supere el 15 de
la corriente de cualquier colector. (0,7 p)

c) Compruebe que el transistor Q
1
no esta saturado, y especiIique el valor maximo que puede tener la tension en la carga V
L
para
que Q
2
no se sature y permita por tanto que el circuito Iuncione como Iuente de corriente. (0,8 p)

V
CC
Q
2
Q
1
R
2
R
1
R
L I
L
+
V
L
-

Figura 4

DATOS
V
CC
10 V; R
1
10 kO; R
2
62 O
Transistores pnp identicos
Modelo lineal por tramos: V
EB
=V
E
0.7 V; V
ECSAT
0.2 V; |100

a) Llamando I
1
a la corriente que atraviesa R
1
, e I
2
a la que atraviesa R
2
:
1 2 1 1 1 1 1 C1
1 2 2 2 E2 C2
2 0.86 m
11.29 mA
CC EB EB E
EB
V V V R I V R I I I
V R I I I I
= + + = + = ~
= = ~ ~
A

b) Puesto que |=100, I
B1
<0.15 I
C1
e I
B2
<0.15 I
C2

1 2
B1 2 B2 1
9 A 0.15 1.69 ; 113 A 0.15 129 A
C C
I I
I I mA I I
| |
= ~ < = = ~ < =

c) Q
1
no est saturado porque
EC1 ECsat
2 1.4 V V
E
V V
= = >
Para que Q
2
no se sature
EC2 ECsat
V 9
CC E L L
V V V V V
= > < .1 V

PGINA N 6
Ejercicio 3. El transistor compuesto de la Figura 5 combina las virtudes de los MOSFETs y los bipolares: como aquellos,
tiene corriente de puerta nula, como estos, presenta una transconductancia muy elevada. Considerado como transistor unitario
con la asignacion de terminales que se ve en la Iigura, sus relaciones corriente-tension son Iormalmente identicas a las de un
MOSFET de canal n. Se suponen conocidos los parametros de los transistores elementales (k y V
T
para el MOSFET y V
, | y
V
CE(sat)
para el bipolar).
a) Demuestre que, cuando los transistores que lo Iorman estan en activa, el transistor compuesto de la Iigura cumple la ley
i
DC
k
C
(v
GSC
-V
TC
)
2
, donde el subindice C hace reIerencia a los parametros del transistor compuesto. Calcule la expresion de k
C
y
de V
TC
en Iuncion de k, V
T
, V
, y | (1,5 p)
b) Si el BJT se satura, o el MOSFET entra en region gradual, el transistor compuesto tambien sale de su region activa de
Iuncionamiento. Diga cual es la minima tension de drenador a Iuente v
DSC
para la que el transistor esta en region activa si
V
T
1 V, V
CE(sat)
0,2 V, V
0,6 V y v
GSC
2 V (estos datos son para utilizar exclusivamente en esta pregunta) (1,0 p)
G
D
S
i
DC
G
D
S
G
D
S
i
DC
i
DC

Figura 5

a) i
B
, i
C
, v
BE
, | corresponden al transistor bipolar, v
GS
, i
D
, k, V
T
al MOSFET, y v
GSC
, i
DC
, k
C
, V
TC
al transistor compuesto:
BE DS CE DSC BE GS GSC
v v v v v v v + = = + = ;
( ) ( ) ( ) ( )
2 2
1 1
T GSC T GS D C DC
V V v k V v k i i i + = + = + =

| |
( ) ; 1
TC T C
V V V k
| = + = + k

b) Las dos condiciones siguientes expresan que ni el MOSFET ni el BJT salen de su regin activa de funcionamiento:
( ) ( )
V 2 , 0
V 1
sat sat
= > >
= > > >
CE DSC CE CE
T GSC DSC T BE GSC BE DSC T GS DS
V v V v
V v v V v v v v V v v

La ms restrictiva es la primera: el transistor est en activa directa si v
DSC
> 1 V
PGINA N 8
Ejercicio 4. En el ampliIicador diIerencial de la Figura 6,
a) calcule el valor minimo de la seal de entrada v
I
para que la caida de tension en la Iuente de corriente v
G
(deIinida tal
como aparece en la Iigura) sea menor de 1 V (1,3 p.)
b) calcule el valor maximo de la seal de entrada v
I
para que los transistores no esten saturados (1,2 p.)
DATOS: V
CC
10 V, R
C
0,8 k; I
G
1 mA
Transistores iguales: V
E
0.6 V; 100; V
CEsat
0.2 V

Figura 6

a) Si la tensin en la fuente de corriente v
G
debe ser menor que 1V , v
G
= V
CC
v
E
<1V . La tensin en los
emisores es v
E
= v
1
V
E
resulta que:
v
I
> V
E
V
CC
1

V = 10,4 V.

b) En modo comn la corriente por los colectores de los 2 transistores es la misma, I
C1
=I
C2
I
G
/2=0.5 mA.
En el lmite saturacin-activa la tensin v
CE
= V
CEsat
y por tanto v
1
= V
CC
R
C
I
G
/2 V
CEsat
V
E
10 V, es decir
para que los transistores no estn en saturacin, v
1
10 V.

v
I

I
G
V
CC
R
C
R
C

+
-V
CC
-
v
G
+
Dpto. de Electrnica Fsica ELECTRNICA BSICA (Feb/07) PGINA N
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

hojas sueltas.
Dispone de un tiempo mximo de 3 HORAS para la realizacin de este examen. Cada ejercicio vale 25 PUNTOS (para un

PGINA N 2

Ejercicio 1. En el circuito de la figura 1 los cuatro diodos, D
1
, D
2
, D
3
y D
4
son iguales. El generador V
G
es de tensin
continua.
a) Para V
G
= 0 V, diga, razonando la respuesta, en qu estado se encuentra cada uno de los diodos. Calcule la corriente
por las resistencias R
1
, R
2
y R
L
.

(1 p)
b) Para V
G
= 7 V demuestre que los diodos D
1
y D
4
estn en OFF. Calcule el valor de la tensin de salida, V
0
y la
corriente por la resistencia R
L.
(1 p)
c) Para V
G
= -7 V explique cul ser el estado de cada uno de los diodos. (0,5 p)

V
CC

DATOS: V
CC
=10V; R
1
=R
2
=R
L
= 10 k. Para los diodos
utilice un modelo lineal por tramos con V
= 0.7 V.

Figura 1

SOLUCIN EJERCICIO 1

a) Suponemos que los cuatro diodos estn en ON, por lo que la tensin en cada uno de ellos vale V
. En ese caso, siendo V

G
=0, la
tensin de salida ser:

V
0
=V
G
+V

- V
= 0V, y por tanto I

RL
=0.

I
R1
=(V
CC
- V
)/R
1
=0,93 mA

I
R2
=(-V
+ V
CC
)/R
2
=0,93 mA

Como el circuito es simtrico:

I
D1
=I
D2
=0,465 mA

Por otro lado:

I
D3
=I
D1
=0,465 mA

I
D4
=I
D2
=0,465 mA

La corriente de cada diodo es positiva, como corresponde a la
hiptesis de estado ON.

b) Suponemos que los diodos D1 y D4 estn en OFF, como
dice el enunciado, y que los diodos D2 y D3 estn en ON. Por
tanto, las corrientes por los diodos D1 y D4 sern I
D1
= I
D4
=0.

En ese caso:
V
G
R
L
R
1
D
1
D
2
D
3
D
4
V
0
R
2
-V
CC
V
CC
V
G
R
L
D
1
D
2
D
3
D
4
-V
CC
R
1
R
2
I
R1
V
0
I
RL
I
R2
o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

I
R2
=(V
G
-V

+V
CC
) / R
2
=I
D3
=1,63 mA

V
CC
= I
R1
R
1
+

V
+ I
RL
R
L

I
R1
=I
D2
=I
RL
= (V
CC
- V
)/(R
1
+R
L
)=0,465 mA

V
0
=I
RL
R
L
=4,65 V

La tensin en el diodo D
4
ser: V
D4
=V
0
- (V
G
- V
)=-1,65 V. Por tanto el diodo D

4
est en OFF.
La tensin en el diodo D
1
ser: V
D1
=V
0
+V

- V
G
=-1,65 V. Por tanto el diodo D
3
est en OFF.

c) En este caso, por la simetra del circuito los diodos D
1
y D
4
estaran en ON y los diodos D
2
y D
3
en OFF.

PGINA N 4
Ejercicio 2. El circuito de la Figura 1 representa un amplificador CMOS. Los dos transistores M
1
y M
2
son normal OFF. Se
pide:

a) Calcular I
D1
, I
D2
y

V
0
(en continua) y los parmetros del circuito equivalente en pequea seal, g
m
y r
0
, para cada transistor.
Compruebe que ambos transistores trabajan en activa. Para el anlisis de polarizacin tome V
A
, pero no use esta
aproximacin para ningn otro clculo. (1p)
b) Dibujar el circuito equivalente en pequea seal y calcular la ganancia de tensin, A
V
=v
o
/v
i
. (1,5 p)

Figura 1

DATOS
V
DD
=5 V; V
I
=2,5V; R=312,5 k

k
1
= k
2
= k

= 0,810
-4
A/V
2
; V
T1
= V
T2
= V
T
= 0,5 V; V
A
=100V;
V
DD

SOLUCIN EJERCICIO 2

a) Analizando el circuito se obtiene:

I
D1
= k(V
SG1
-V
T
)
2
= k(V
DD
-V
I
-V
T
)
2
=3,210
-4
A
I
D2
= k(V
GS2
-V
T
)
2
= k(V
I
-V
T
)
2
=3,210
-4
A

Como I
D1
=I
D2
, entonces I
R
=0 V
0
=V
I

g
m1
=2 k(V
SG1
-V
T
)= 2 k(V
DD
V
I
V
T
)= 3,210
-4
mhos
g
m2
= 2 k(V
GS2
-V
T
)= 2 k (V
I
V
T
)=3,210
-4
mhos

r
01
=V
A
/I
D1
= 312,5k
r
02
=V
A
/I
D2
= 312,5k
Comprobacin de estado de los transistores:
Para M
1
se obtiene que: V
SG1
=V
DD
-V
I
=2,5V > V
T
=0,5V; y adems V
SD1
=V
DD
-V
0
=2,5V>V
SD1,sat
=V
SG1
-V
T
=2V; por tanto est en
activa.
Para M
2
se obtiene que: V
GS2
=V
I
=2,5V > V
T
=0,5V; y adems V
DS2
= V
0
=2,5V>V
DS2,sat
=V
GS2
-V
T
=2V; por tanto est en activa.

b)

Analizando por nudos se obtiene:

2 2 1 1
02 01
0
)
1 1 1
(
gs m sg m
i
v g v g
R
v
r r R
v

v
sg1
= - v
i

v
gs2
= v
i

De donde se obtiene:
02 01
2 1
0
1 1 1
1
r r R
g g
R
v
v
m m
i

= - 66,6
R

v
i
M
1
v
o
M
2
i
D1
i
D2
+
V
I
+
r
01
g
m1
v
sg1
v
sg1
_
R

v
0
+
+ i
R
i
0
r
02
v
gs2 v
i
g
m2
v
gs2
_
PGINA N 6
Ejercicio 3. El circuito convertidor tensin-corriente de la Figura 1 est formado por un par diferencial con dos transistores
idnticos que trabajan en activa. Se pide:
a) Calcular las corrientes de los colectores I
C1
e I
C2
en continua y los parmetros r
1
y r
2
del modelo equivalente para
pequea seal de los transistores T
1
y T
2
respectivamente. (0,5p)
b) Dibujar el circuito equivalente en pequea seal del circuito completo (no utilice el teorema de Bartlett). (1p)
c) Sobre el circuito anterior, calcular la resistencia de entrada del circuito en modo diferencial, r
in
=v
d
/ i = (v
1
-v
2
)/i, es decir
cuando la seal alterna en modo comn v
c
=0. (1p)

V
CC

DATOS:
V
CC
=10V; I
0
=1mA; R
E
=5k
Transistor:
=100; V
t
=25mV

Figura 1

SOLUCIN EJERCICIO 3

a) Siendo un amplificador diferencial simtrico, I
C1
= I
C2
= I
0
/2= 0,5 mA

Por tanto: r
1
= r
2
= V
t
/I
C
= 5k

b)

i
b1
i
b2
i
b1
i
b2
R
C
R
C
R
E
R
E r

r

+
v
2
v
1
+
R
E
R
E
I
0
R
C
R
C
i
C2
i
C1
i

T
1
T
2
-V
CC
v
1
v
2
+
+
o
7

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

c) Analizando el circuito (modo diferencial) se obtiene:

i
b1
= - i
b2
= i

v
1
= r
1
i
b1
+2R
E
i
b1
(+1)+ r
2
i
b1
+v
2

Despejando: R
in
=v
d
/i= (v
1
-v
2
)/i= r
1
+2R
E
(+1)+ r
2
1 M

PGINA N 8
Ejercicio 4. El circuito de la Figura 1 se utiliza para aplicaciones de comunicaciones pticas. El transistor trabaja
conmutando y con ello se modula el diodo emisor de luz (D
LED
) en ON (encendido) OFF (apagado). La seal que se aplica al
circuito es la de la figura 2. Se pide:

a) Para t<0, diga el estado en el que se encuentran los diodos D
1
y D
LED
y el transistor. Calcule la corriente de colector del
transistor, i
C
, la corriente a travs del diodo, i
LED
, y la tensin en bornas del condensador v
0
. (0,9p)
b) Para t, diga el estado en el que se encuentran los diodos D
1
y D
LED
y el transistor. Calcule la corriente de colector del
transistor, i
C
, la corriente a travs del diodo, i
LED
, y la tensin en bornas del condensador v
0
. (0,9p)
c) Calcule la variacin de la tensin en el condensador para t>0, v
0
(t). (0,7p)

Figura 1

Figura 2

DATOS:
V
CC
= 5V; R
C
=2k; R
B
=500 ; R=1,8k;
C=10nF

DIODO D
1
: Modelo lineal por tramos con
V
1
=0,7V

DIODO LED: Modelo lineal por tramos
con V
LED
=1,2V

TRANSISTOR BIPOLAR:
V
E
=0,7V; V
CE,sat
=0,2V; =100

V
CC

SOLUCIN EJERCICIO 4

a) Para t<0, v
I
= 0. Por tanto V
BE
=0. El transistor est en corte. Entonces i
C
=I
C
=0 y el diodo D
1
est en OFF, ya que
por l no circula corriente.

Hiptesis: el diodo LED est en ON. Analizando la rama del LED y teniendo en cuenta que el condensador se
comporta como un circuito abierto, se obtiene:

V
CC
=(R
C
+R)i
LED
+V
LED
, de donde se obtiene: i
LED
=I
LED
=1mA>0, lo que confirma la hiptesis.

La tensin en bornas del condensador ser: v
0
=V
0
=RI
LED
=1,8V.

b) Para t>0, v
I
= 5V. Hiptesis: el transistor est en saturacin, el diodo D
1
est en ON y el LED en OFF.

V
BE
=0,7V; V
CE
=V
CE,sat
= 0,2V; V
D1
= V
1
=0,7V

Analizando la rama del colector del transistor se obtiene:
V
CC
=R
C
i
C
+V
1
+V
CE,sat
C
=I
C
=2,05mA>0, lo que confirma la hiptesis de D
1
en ON
Por otro lado: v
I
= R
B
i
B
+V
BE
B
=I
B
=8,6mA
Se comprueba la hiptesis de transistor en saturacin, ya que I
C
<I
B
Si el LED est en OFF, i
LED
=0. Por tanto: v
LED
+i
LED
.R=V
CE
+V
D1
v
LED
=V
LED
=0,2+0,7=0,9V< V
LED
, lo que
confirma la hiptesis de LED en OFF.
La tensin en bornas del condensador ser: v
0
= RI
LED
=0V.

v
I
5 V

t

R
C
D
LED
i
C
i
LED
D
1
R
B
v
0
+
C
R

v
i
o
9

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

c) Para t>0, la corriente por el LED es cero. El condensador, que en t=0
+
est a 1,8 V, se descargar a travs de
la resistencia R.

R.i
C
=v
0
; por tanto R.C dv
0
/dt + v
0
=0
v
0

Resolviendo esta ecuacin diferencial se obtiene: v
0
(t)=Ae
t/RC

Aplicando la condicin inicial de v
0
(t=0)=1,8V se obtiene: A=1,8V.

Por tanto: v
0
(t)=1,8e
-t/RC
V
i
C
R

C

o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

hojas sueltas.

PGINA N 2

Ejercicio 1. En el circuito de la Iigura 1.1 los dos diodos, D
1
y D
2
, tienen la misma curva i-v (representada en la Iigura 1.2).
Calcule la expresion de v
L
en Iuncion de v
I
, para v
I
> 0, en los siguientes casos:

a) Cuando sea valida la hipotesis de que los dos diodos estan cortados. (0,7 p)
b) Cuando sea valida la hipotesis de que un diodo conduce y el otro no. (0,7 p)
c) Cuando sea valida la hipotesis de que ambos diodos conducen. (0,7 p)
d) Dibuje la Iuncion de transIerencia v
L
en Iuncion de v
I
. (0,4 p)

DATOS: R
1
= 4 kO; R
2
= 2 kO; R
G
6 kO.

D
1

_
R
1
R
2
Figura 1.1
D
2
+
v
I

i
D R
G

0,6 V
+
v
L
_

v
D

Figura 1.2


a) Hipotesis: D
1
y D
2
cortados. No circula corriente por los diodos. El circuito equivalente es:

6
2 1
2 I
G
I L
v
R R R
R
v v =
+ +
=
R
G R
1
R
2
+
v
I
_

+
Esta relacion es valida solo cuando v
D1
0,6V y v
D2
0,6V.

v
L
Es decir:

_
v
D1
=v
R1
= v
I
R
1
/(R
G
+R
1
+ R
2
) 0,6 V v
I
1,8V
v
D2
= v
R2
=v
I
R
2
/(R
G
+R
1
+ R
2
) 0,6 V v
I
3,6 V

Por tanto D
1
y D
2
estan cortados para 0 v
I
1,8 V

b) Cuando v
I
1,8V, v
D1
0,6V y v
D2
0,3V. Por tanto el diodo D
1
empezara a conducir antes que D
2
.

Hipotesis: D
1
conduce y D
2
cortado. El circuito equivalente mientras D
1
conduce y D
2
permanece cortado es:

+ v
D1
-

V v v
R D
6 , 0
1 1
= = v
I
> 1,8 V.
D
1 R
G
R
2
R
1
+
v
I
_
4
6 , 0
) (
2
2
1 2 2

=
+
= = =
i
G
D i L R D
v
R R
R
v v v v v

+
La hipotesis se cumple cuando v
D2
< 0,6V v
i
3 V.

v
L
Por tanto, la hipotesis de D
1
conduciendo y D
2
cortado es
valida para 1,8 s v
i
3 V
_

o
3

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

c) Hipotesis: D
1
y

D
2
conducen. Para que D
2
empiece a conducir, segun el apartado anterior, debe cumplirse que v
I
3V. En este
caso el circuito equivalente es:
v
D1
0,6V
+ v
D1
-
+
R
1
R
2
v
I
R
G
_
D
1
D
2
+
_
v
L
v
D2
= v
R2
v
L
= 0,6V

d) La Iuncion de transIerencia del circuito es:

v
I
/ 6 para 0 v
I
1,8 V (D
1
y D
2
cortados)

v
L
(v
I
- 0,6)/4 para 1,8 V v
I
3 V (D
1
conduce y D
2
cortado)

0,6 V para v
I
3V (D
1
y D
2
conducen)

v
L
(V)
0,6
0,3
v
I
(V)
3 1,8

PGINA N 4
Ejercicio 2. El circuito de la Iigura 2.1 representa un ampliIicador. Los dos transistores T
1
y T
2
trabajan en activa. Se le
pide calcular:

a) Los valores de continua I
C1
, I
C2
, V
CE1
y

V
CE2
. Para este analisis de polarizacion puede despreciar las corrientes de base de los
transistores Irente al resto de corrientes del circuito. (0,7 p)
b) Los parametros del circuito equivalente en pequea seal para cada transistor, r
1
y r
2
y dibujar el circuito equivalente en
pequea seal. (0,8 p)
c) La ganancia de tension, A
V
=v
l
/v
i
. (1 p)

Figura 2.1

DATOS
V
CC
12 V; R 4 k;
R
C
2 k; R
E
3,3 k;
R
G
2 k; R
L
2 k ;
C.

T1 y T2:
= 100 ; V
E
0,7 V ;
V
t
25 mV; V
CE,sat
0,2 V

V
CC V
CC
-
v
L
T
2
T
1
v
i
+
R
G
C
C

C

C
R
E
R
L
R
C
R

R

R


a) En continua el circuito a analizar es el siguiente:

Despreciando las corrientes de base Irente al resto de corrientes del circuito, resulta que la
corriente a traves de las tres resistencias R es la misma, y por tanto la tension en cada una de ellas
es de V
R
=V
CC
/3 4V.
V
CC V
CC
R

R

R

R
C
R
E
T
1
I
C2
I
C1
T
2
V
CE2
= V
R
- V
BE1
+ V
BE2
= 4 - 0,7+0,7 = 4 V
La tension en R
E
sera V
RE
= V
B2
- V
E
= 4 - 0,7 = 3,3V
La corriente de emisor de T2 sera: I
E2
= V
RE
/ R
E
1mA.
Y por tanto: I
C1
= I
C2
= I
E2
= 1mA.
V
CE1
= (V
CC
- I
C1
R
C
)-( V
RE
+ V
CE2
) (12-2) (3,34) 2,7 V

o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

b) El circuito equivalente en pequea seal es:

R
G
v
i
+
-
i
b1
i
b1
r
1
i
b2
i
b2
R

R
L R
C r
2
R

v
l

Donde: r
1
V
t
/ I
C1
2,5 k r
2
V
t
/ I
C2
2,5 k

c) Analizando el circuito anterior se obtiene:

) // (
) // (
//
) // // (
) // (
) 1 (
) // (
2 2
2
1 2 1 2
1
L C
G
i
L C b l
b b b b
L C b l
R R
r R R
R R
r R R R
v
R R i v
i i i i
R R i v

3 , 14 ) // (
) // (
//
) // // (
1
2 2

L C
G i
l
R R
r R R
R R
r R R R v
v

PGINA N 6

Ejercicio 3. El circuito de la Iigura 3.1 es un ampliIicador diIerencial realizado con dos MOSFET de acumulacion de canal
p que trabajan en saturacion. Se pide:
a) Calcular el valor de la tension continua en el nudo de salida, V
L
, V
SG1
y V
SG2
cuando el ampliIicador Iunciona
correctamente. Para este apartado no tenga en cuenta el eIecto de modulacion de la longitud de canal. (0,5p)
b) Dibujar el circuito equivalente en pequea seal completo, y calcular el valor de los parametros del circuito equivalente
en pequea seal, g
m1
, g
m2
, r
01
y r
02
. (1p)
c) Aplicando el Teorema de Bartlett, calcular la ganancia de tension en modo diIerencial: A
vd
=v
l
/(v
1
-v
2
). (1p)

V
DD
R
D
M
1
M
2
I
G
R
D
v
1
+
v
2
v
L
- -
+
DATOS:
V
DD
10V; R
D
10k; Iuente de corriente
ideal, I
G
1mA.
Transistores:
V
A
50V; 0,125 mA/V
2
; V
T
1V

-V
DD

Figura 3.1


a) Siendo un ampliIicador diIerencial simetrico, I
S1
I
S2
= I
G
/2= 0,5 mA.

Por tanto: V
L
=-V
DD
+R
D
I
S2
-5V.

I
D1
I
S1
(V
SG1
-V
T
)
2
V
SG1
= 3V V
SG2


v
1
+
-
v
sg1
+
g
m1
v
sg1
v
2
+
-
v
l
v
sg2
-
+
r
02 r
01
R
D
R
D
g
m2
v
sg2

-

Donde r
01
= r
02
V
A
/I
S1
= V
A
/I
S2
100k y g
m1
=g
m2
=2(V
SG1
-V
T
)= 2(V
SG2
-V
T
) = 0,5 10
-3

-1
.

o
7

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

c) Aplicando el teorema de Bartlett con entrada diIerencial se debe analizar el siguiente circuito:

Analizando el circuito se obtiene:

v
01
=g
m1
v
sg1
(r
01
//R
D
)= -g
m1
(r
01
//R
D
) v
d
/2

v
l
=v
02
=-v
01

Por tanto:

Av
d
=v
l
/v
d
g
m1
(r
01
//R
D
)/2 2,5

v
d
/2
+
g
m1
v
sg1
R
D
r
01
v
sg1
+
-
v
01

-
PGINA N 8
E
2k;
Ejercicio 4. El circuito de la Iigura 4.1 esta Iormado por un transistor pnp. El generador de entrada suministra una seal
como la mostrada en la Iigura 4.2. Se pide:

a) Para t < 1s, diga el estado en el que se encuentra el transistor. Calcule el valor de la tension a la salida, v
L
(t). (0,9p)
b) Para t , diga el estado en el que se encuentra el transistor y calcule el valor de la tension a la salida, v
L
(t). (0,9p)
c) Calcule la variacion de la tension en el condensador para t ~ 0, v
L
(t). (0,7p)

Figura 4.1

Figura 4.2

DATOS:
V
CC
5V; R
C
2,8k; R
B
23 k; R
C10nF

TRANSISTOR BIPOLAR:
V
E
0,7V; V
EC,sat
0,2V; 100

V
CC
v
L
+
v
IN
C
R
C
R
E
v
1
5
IN
(V)

R
B
t (s)


a) Para t<0, v
I
0V. El condensador se comporta como un circuito abierto.

Hipotesis: transistor en saturacion. Entonces v
EC
V
EC,sat
0,2V.

Las ecuaciones de las mallas que pasan por EB y EC son:

V
CC
= R
E
i
E
+V
E
+R
B
i
B
R
E
(i
B
i
C
)+V
E
+R
B
i
B

V
CC
= R
E
(i
B
i
C
)+V
EC,sat
+R
C
i
C

Resolviendo, se obtiene i
B
0,095 mA, i
C
0,96 mA. Se comprueba la saturacion ya que i
B
~ 0, i
C
<i
B

v
L
(t) = R
C
i
C
2,7 V.

b) Para t , v
IN
5V. El condensador se comporta como un abierto.

Hipotesis: transistor en corte. Entonces i
C
i
B
=i
E
0.

Por tanto v
E
= V
CC
5V y v
B
= v
I
5V v
EB
0 V
E
, v
CB
-5 V, lo que conIirma la hipotesis de corte.

En este caso v
L
(t)=R
C
i
C
0V.

c) Para t 1s el transistor esta en corte y i
C
0. El circuito que se debe analizar para calcular v
L
(t) es:

R
C
.i
L
=v
L
; por tanto R
C
.C dv
L
/dt + v
L
=0
R
C
i
L
C

v
L

Resolviendo esta ecuacion diIerencial se obtiene: v
L
(t) = A exp(-(t - 1)/R
C
C )

Aplicando la condicion inicial de v
L
(t 1) 2,8 V se obtiene A 2,8 V.

Por tanto: v
L
(t) 2,8exp(-(t - 1)/R
C
C ); con t en s y v
L
(t) en V.
Dpto. de Electrnica Fsica ELECTRNICA BSICA(Jun/08) PGINA N
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

hojas sueltas.
Dispone de un tiempo mximo de 3 HORAS para la realizacin de este examen. Cada ejercicio vale 25 PUNTOS (para un
Fecha prevista Publicacin de Calificaciones Provisionales: 23/06/08
Finalizacin del Plazo de Solicitud de Revisiones: 27/06/08
Fecha Revisin de Examen: 30/06/08, a las 11:00 a.m.

PGINA N 2
Ejercicio 1.
I
2
D
1
D
2
I
1
I
I
2
D
1
D
2
I
1
I
D
1
D
2
I
1
I

D
1
D
2
R R I
1
I
2
I
D
1
D
2
R R I
1
I
2
I
Figura 1.1

Figura 1.2
Debido a la dispersin inherente al proceso de
fabricacin, la corriente de saturacin de los dos
diodos de la Figura 1.1 puede ser diferente hasta en un
factor diez. Se supone aqu que se es el caso, de
manera que I
S1
= 10I
S2
= 10
-14
A. Ambos diodos
obedecen la ley ideal de Shockley y estn a la misma
temperatura.
a) Calcule las corrientes que pasan por los diodos y las tensiones en sus terminales cuando estn conectados
como en la Figura 1.1. (0,8 p.)

Para determinada aplicacin, la diferencia de corrientes resulta inaceptable y se pretende corregirla introduciendo
resistencias en serie como se ve en la Figura 1.2.

b) Calcule las tensiones en ambos diodos para que la diferencia entre las corrientes sea slo del 10 %, es decir,
I
1
/I
2
= 1,1 (0,5 p.)
c) Calcule el valor R de la resistencia que hay que introducir para conseguir la relacin anterior. (0,4 p.)

Los diodos son LEDs que emiten una potencia luminosa proporcional a la corriente directa que circula por ellos,
siendo la constante de proporcionalidad = 0,1 mW/mA.
d) Calcule la eficiencia energtica de la emisin de luz (
consumida elctrica Potencia
emitida luminosa Potencia
q ) en los dos
circuitos. (0,8 p.)

DATOS: I = 1 mA; J
t
= 0,025 V

SOLUCIN EJERCICIO 1

a)
V 631 , 0 1 ln
mA 091 , 0 mA, 91 , 0
mA 1
10
2 1
2 1
2 1
2 1
2 1 2 1
=
|
|
.
|
\
|
+
+
= =
~ ~
)
`
= = +
= =
S S
t
S S
I I
I
J J J
I I
I I I
I I I I

b)
mA 476 , 0 mA, 524 , 0
mA 1
1 , 1
2 1
2 1
2 1
~ ~
)
`
= = +
=
I I
I I I
I I

V 672 , 0 1 ln V; 617 , 0 1 ln
2
2
2
1
1
1
=
|
|
.
|
\
|
+ = =
|
|
.
|
\
|
+ =
S
t
S
t
I
I
J J
I
I
J J
c)
O =
= + = + k 15 , 1
2 1
1 2
2 2 1 1
I I
J J
R J R I J R I
d) La potencia electrica consumida es la corriente I por la tension a la que se entrega, es decir, IJ
1
para el circuito
de la Figura 1.1 e I(I
1
RJ
1
) para el de la Figura1. 2. La potencia luminosa emitida es en ambos casos I. Entonces.
( )
082 , 0
22 , 1
1 , 0
158 , 0
631 , 0
1 , 0
1 1 1 1
2 Figura
1 1
1 Figura
= =
+
=
+
=
= = = =
R I J I R I J
I
J I J
I

q

q

PGINA N 4
Ejercicio 2. En el circuito de la Figura 2, cada uno de los transistores puede estar en tres estados (corte, activa o
saturacin) y se pueden modelar mediante el modelo lineal por tramos.

a) Puesto que hay dos transistores, existen 9 combinaciones de
estados de los dos transistores. Indique de forma razonada
cuales de estas nueve combinaciones NO se pueden dar en
este circuito, y escriba NO en la casilla correspondiente
(0,5 p.)

pnp corte pnp activa pnp sat.
npn corte 00 01 02
npn activa 10 11 12
npn satur. 20 21 22

Figura 2

b) Slo para valores de i
G
>0: calcule la expresin de la funcin de transferencia v
O
= f(i
G
) y represntela en un
plano v
O
-i
G
. Para este clculo no considere la posibilidad de que ambos transistores estn en corte. (1,5 p.)
c) Sabiendo que v
O
= f(i
G
) es tal que f(-i
G
)=-f(i
G
) (simetra respecto al origen), dibuje la funcin de transferencia
completa e indique en cada tramo de esta funcin el estado de cada uno de los dos BJT (corte, activa o
saturacin) (0,5 p.)

DATOS: R=1 k; J
CC
=10 V. Transistores J
E
=0,7 V; =99; J
CEsat
= J
ECsat
=0,2V

SOLUCIN EJERCICIO 2

(a) Las bases v los emisores de ambos transistores estan conectadas entre si de manera que no es posible que las
uniones emisor-base de ambos transistores esten simultaneamente en directa. Por tanto no es posible que ambos
transistores esten en activa o bien uno de ellos en activa v otro en saturacion. Por tanto solo hav 5 situaciones
posibles. (i) npn en activa v pnp en corte, (ii) ambos en corte, (iii) npn en corte v pnp en activa, (iv) npn en
saturacion v pnp en corte v (v) npn en corte v pnp en saturacion.
pnp cor. pnp act. pnp sat.
npn cor.
npn act. NO NO
npn sat. NO NO

(b) Segun dice el enunciado, solo se deben considerar las combinaciones (i), (iii), (iv), v (v). La (iii) v la (v) exigen
que la corriente i
G
0, por lo que no se consideran.

(i) Hipotesis. npn en activa v pnp en corte. En ese caso el circuito
queda

Cuva solucion es v
O
(1) R i
G

Esta solucion es valida si se cumplen las condiciones de la hipotesis es
decir si
1) i
B
~0, (para el npn) !
2) v
CE
~J
CEsat
(para el npn)
3) v
EB
J
E
(para el pnp).
Estas condiciones implican.
1) i
G
~0
2) J
CC
-v
O
~J
CEsat

3) -J
E
J
E
. Esta ultima condicion siempre se cumple

o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

(iv) Hipotesis. npn en saturacion v pnp en corte.
Por tanto v
O
J
CC
- J
CEsat
Esta solucion es valida si se cumplen las condiciones de la hipotesis
es decir si
1) i
B
~0 , (para el npn) !
2) i
B
~ i !
C
, (para el npn)
3) v
EB
J
E
(para el pnp).
Estas condiciones implican.
1) i
G
~0
2) i
G
~ v
O
R- i
G
, es decir v
O
(1) i
G
R
3) -J
E
J
E
. Esta ultima condicion siempre se cumple

Por tanto la grafica queda.

(c)

PGINA N 6
Ejercicio 3. En la figura 3 el transistor Q1 forma parte de un amplificador de tensin con carga activa, formada
por los transistores Q2 y Q3, que se pueden considerar idnticos y a la misma temperatura. Sabiendo que el circuito
trabajar en frecuencias medias, se pide:

a) Para el espejo de corriente formado por los transistores Q2 y Q3, calcule el valor de R para que I
0
= 2 mA. En
este apartado desprecie el efecto Early en los transistores (0,4 p.)
b) Para el transistor Q1, calcule los valores de continua I
D1
y J
GS1
. Suponga en este apartado que el espejo de
corriente colocado entre los puntos A y B funciona como una fuente de corriente ideal (Req) de valor
I
0
=2 mA (0,5 p.)
c) Dibuje el circuito equivalente en pequea seal de todo el circuito (Q1, Q2 y Q3) y demuestre,
razonadamente, que la impedancia equivalente del espejo de corriente vista desde el drenador de Q1 (punto
A) es el parmetro de pequea seal r
0
del transistor Q2 (0,8 p.)
d) Calcule la ganancia en tensin A
v
v
o
/v
f
para R
f
= 100 O y R
f
= 0 O (0,8 p.)
v
f
R
f
C
R
S
Q1
C
R
G
Q2 Q3
J
DD
R
A
B
I
O
i
o
+
_
v
o
v
f
R
f
C
R
S
Q1
C
R
G
Q2 Q3
J
DD
R
A
B
I
O
i
o
+
_
v
o

Figura 3
DATOS:
Q1: NMOS de acumulacin (normalmente OFF)
J
T
= 1 V; k = 1 mA/V
2
; J
A

R
G
= 5 MO; R
S
= 1 kO; J
DD
= 10V; C
Q2, Q3: PMOS de acumulacin (normalmente OFF)
J
T
= 4 V; k = 1 mA/V
2
; J
A
= 50 V
r
0
~ J
A
/ I
D

SOLUCIN EJERCICIO 3

a) Como queremos que la corriente que sale del drenador de Q2 sea 2 mA, podemos calcular la tension resolviendo la
ecuacion.
2 GS
J
k
0
2
I
J J
T GS
= . La solucion valida (para la cual Q2 esta en saturacion) es . Como Q2 v
Q3 son identicos v tienen , la corriente en el drenador de Q2 es la misma que la corriente en la
resistencia R v vale
J J
GS
41 . 5
2
=
GS GS GS
J J J = =
3 2 0
I
R
J J
I I
GS DD
ref
+
= =
0
. Introduciendo el valor obtenido para obtenemos que
GS
J O = k R 3 , 2 .

b) El circuito de polari:acion queda.

Como por la puerta no circula corriente mA I 2
0
J
DD
R
G
R
S
I
D1
= = v J
1 1 DS
J
GS
=
GS
Para calcular J resolvemos.
1
k
0
1
I
J J , la solucion valida (para que Q1 este en
saturacion) es J
T GS
=
GS
41 , 2
1
J =

o
7

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

c) Circuito equivalente en pequea seal.

R
f
R
S
v
f R
G
r
0(Q2)
g
m(Q2)
v
gs(2)
g
m(Q3)
v
gs(3)
r
0(Q3)
R

g
m(Q1)
v
gs(1)
G
1
S
1
D
1
D
2
S
2
D
3
S
3
G
3
= G
2
Como la fuente de corriente asociada al transistor Q3 depende de la tension en si misma tenemos que 0
3 2
= =
gs gs
v v . De
forma que el circuito se simplifica de la siguiente forma.

r
0(Q2)
R
f
R
S
v
f R
G
g
m(Q1)
v
gs(1)
G
1
S
1
D
1
D
2
S
2

Del circuito se puede ver que la resistencia equivalente en pequea seal del espefo de corriente visto desde el drenador de
Q1 (D1) es
) 2 ( 0 Q
r

d) Haciendo la suposicion de r
0(Q2)
R
G
sobre el circuito anterior, podemos plantear el siguiente sistema de 3 ecuaciones
con 4 incognitas, donde i
f
es la corriente en la resistencia R
f
.

( )
f f gs f
f gs Q m
S
gs
Q gs m
R i v v
i v g
R
v
r v g v
=
= + +
=
1
1 ) 1 (
1
) 1 ( 0 1 0
0

De este sistema podemos sacar la relacion entre v
0
v v
f.

f m
Q m
S
S f
f m
Q m
f
v
R g
r g
R
R R
R g
r g
v
v
A
+
~
|
|
.
|
\
| +
+
= =
1
) 2 ( 0 ) 2 ( 0
0

Para R
f
0 obtenemos A
v
70
Para R
f
100 obtenemos A
v
54,7

PGINA N 8
Ejercicio 4. En el amplificador diferencial de la figura 4 se ha
ajustado el valor de la corriente de polarizacin I
PP
para
conseguir que la ganancia en modo comn sea nula. En esa
situacin y en ausencia de seal (v
i1
= v
i2
=0) se ha medido la
tensin continua entre la base y el emisor J
BE
= 630 mV. Se pide
que calcule:
J
PP
-J
PP
R
R

I
PP
v
i2
+
Figura 4
+
-
-
v
i1
+
J
O
v
o
-
M

a) La corriente de drenador I
D
del transistor MOST en
continua (ausencia de seal) (0,5 p.)
b) La corriente I
PP
ajustada, es decir, la que hace que la
tensin de pequea seal de salida v
o
sea nula cuando
v
i1
= v
i2
= v
c
(modo comn)

(1 p.)
c) El cociente |v
m
/v
d
para v
i1
=v
i2
= v
d
/2 (modo diferencial),
siendo v
m
la tensin de pequea seal del nodo M (1 p.)

DATOS:
J
t
= kT/e = 25 mV
La fuente de corriente I
PP
es ideal
J
PP
> 0 y es lo suficientemente grande para que ambos
transistores operen siempre en activa.
De los transistores:
MOST: i
D
= k (v
GS
J
T
)
2
; k = 2 mA/V
2
; J
T
= 0,37 V (es decir, MOST de deplexin)
BJT: | =100
NOTA: Los valores numricos de R y J
PP
no son necesarios para contestar las preguntas formuladas.

SOLUCIN EJERCICIO 4

a)
2 2 2 2
( ) ( ) 2 mA/V (0, 63 V ( 0, 37 V)) 2 mA
D GS T BE T
I J J J J k k = = = =

b) Como el circuito no es simetrico, no se aplica el Teorema de Bartlett, sino que se trabafa con el circuito
completo.

v
o
R
R

+
+
-
-
v
c
+
-
M

R
EQ
g
m1
v
gs
v
gs
+
-
v
c
v
be
+
-
r
t
g
m2
v
be
1 2
0
o m gs
v Rg v Rg = =
m be
v . Como en modo comun
gs c m b
v v v v
e
= = , se deduce que para el circuito anterior I
PP

debe haberse afustado para que.
1 2 m m
g g =
Como.
o
9

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

1
1
2
2 ( ) 4 mS
0, 025 V 4 mS = 0,1 mA
m GS T
E t m C E
m
t t
g J J
I J g I I
g
r J J
t
k
|
= =
~ =
`
= = ~

)

Por lo que.
2,1 A
PP D E
I I I = + =

c) Como el circuito no es simetrico, no se aplica el Teorema de Bartlett, sino que se trabafa con el circuito completo.
v
o
R
R

-
+
+
-
v
d
/2
+
-
M

R
EQ
g
m1
v
gs
v
gs
+
-
v
be
+
-
r
t
g
m2
v
be
v
d
/2
i
b

Del nudo M, considerando que R
EQ
.
1 2 m gs m be b
be b
g v g v i
v r i
t
+ =
`
=
)

Como
1 2 m m m
g g g = v en modo diferencial y
2 2
d d
gs m be
v
v v v
m
v
v = = tenemos que.
( ) ( )
( ) 2 0,
2 2 1 2 2 1
be d m
m gs be m m m
d m
v v v
g v v v r g v
r v r g
t
t t
25
2
| | |
|
= + = = = ~
+ +
o
1

APELLIDOS CALIFICACIN
NOMBRE N
o
DNI

Escriba, DESDE ESTE MOMENTO, sus datos personales (apellidos, nombre y DNI) EN TODAS
LAS HOJAS, tanto de enunciados como para borradores, de que disponga.
Las soluciones, en Iorma concisa pero completa, deben escribirse EN ESTAS MISMAS HOJAS de
enunciados y SLO deben ocupar el ESPACIO correspondiente (entre el Iin de cada enunciado y el
comienzo del siguiente). La ENTREGA DE TODAS las hojas de enunciados es OBLIGATORIA
aunque no haya escrito nada en alguna de ellas.
Utilice para borradores SLO las hojas en blanco suministradas y SLO una vez identiIicadas con sus
datos personales. Pero, al Iinal, NO ENTREGUE hojas adicionales ni borradores. En ningun caso
serian tenidas en cuenta.
NO SE PERMITE el uso compartido de medios (calculadora, libros, etc). NO SE PERMITE la
consulta de escritos en hojas sueltas.
Dispone de un tiempo maximo de 3 HORAS para la realizacion de este examen. Cada ejercicio vale 2,5
PUNTOS (para un total de 10) y en cada apartado se especiIica su puntuacion parcial.
Fecha prevista Publicacin de Calificaciones Provisionales: 22 Septiembre 2008
Finalizacin del Plazo de Solicitud de Revisiones: 23 Septiembre 2008
Fecha Revisin de Examen: 25 Septiembre 2008

o
2

APELLIDOS
NOMBRE N
o
DNI

Ejercicio 1. El componente de dos terminales de la Figura 1.1 contiene dos Iotodiodos identicos conectados en
serie y en oposicion. Cada uno de los Iotodiodos puede caracterizarse tal como se indica en la Figura 1.2, es decir,
por un diodo ideal en oscuridad en paralelo con una Iuente de corriente I
L
cuyo valor es proporcional a la potencia
luminosa recibida por el Iotodiodo. El objetivo de dicho componente es limitar el valor absoluto de la corriente que
circula por la rama en la que este intercalado. Su ecuacion caracteristica if(v) (ver Figura 1.1 para las deIiniciones
de i y v) puede expresarse como iI
A
tanh|g(v)| donde I
A
es una constante y tanh es la Iuncion tangente hiperbolica.
Se pide que calcule:
a) I
A
(1,0 pto).
b) La expresion de la Iuncion g(v) (1,5 pto).
DATOS: I
L
10 A, I
s
1 A, J
t
0,025 V
La caracteristica de diodo ideal en oscuridad es la ecuacion de Shockley, es decir, i
D
I
s
|exp(v
D
/J
t
)-1|
La Iuncion tangente hiperbolica se puede poner como tanh(x) |exp(x)-exp(-x)|/|exp(x) exp(-x)|



a) La funcion tangente hiperbolica esta limitada a los valores 1 v -1. Por tanto I
A
es el valor absoluto de la
corriente maxima que circula por el componente de la Figura 1.1. Dado que la tension en un fotodiodo es una
funcion creciente con la corriente se concluve que esa corriente maxima del componente de la Figura 1.1 se alcan:a
cuando v tiende a . En esa situacion el fotodiodo D
2
esta con una tension inversa que tiende a - v por tanto la
corriente que circula por el es la corriente inversa del diodo en oscuridad I
s
mas la corriente de iluminacion I
L
. En
consecuencia I
A
I
s
I
L
11 A

b) Substituvendo los fotodiodos por sus circuitos equivalentes con un diodo en oscuridad mas una fuente de
corriente, el componente de 2 terminales de la Figura 1.1 queda.

Si v
D1
v v
D2
son las tensiones en el fotodiodos (con el convenio habitual de signos, es decir, tension del anodo
respecto del catodo) se tiene que
1 2 D D
v v v = . La corriente que circula por los fotodiodos es i. Por tanto.
1 2
exp 1 exp 1
D D
s L s L
t t
v v
i I I I I
J J
| | | | | | | |
= = +
| | | |
| |
\ . \ . \ . \ .

De donde se obtiene que
1
ln 1
D L
t s
v I i
J I
| | +
= +
|
\ .
y
2
ln 1
D L
t s
v I i
J I
| |
= +
|
\ .
, lo que combinado con la primera expresion da
ln 1 ln 1
L L
t s s
I i I i v
J I I
| | | | +
= + +
| |
\ . \ .
. Despefando i se obtiene ( ) tanh
2
L s
t
v
i I I
J
| |
= +
|
\ .
, por tanto la funcion g(v) es.
o
3

APELLIDOS
NOMBRE N
o
DNI

"# $
% &'
!
" "
"
#
#" () *+$

o
4

APELLIDOS
NOMBRE N
o
DNI

Ejercicio 2. En el circuito de la Figura 2 haga las aproximaciones e hipotesis que considere oportunas,
comprobandolas posteriormente, y calcule:
a) La corriente de emisor en continua, I
E
, indicando su sentido (0,7 pto); obtenga el modo de Iuncionamiento (o
region de polarizacion) en que se encuentra el transistor (0,4 pto).
b) La impedancia de entrada Z
e
en pequea seal y Irecuencias medias (0,9 pto).
c) La ganancia de tension v
o
/v
s
en pequea seal y Irecuencias medias (0,5 pto).

Datos: R
s
50 O; R
A
1 kO; R
B
2 kO; R
E
9,3 kO; R
C
4 kO; R
L
750 O; J
P
15 V; J
t
0,025 V; C
Del transistor: J
E
0,7 V; | 100; J
CEsat
0,2 V; J
A


a) Hipotesis. I
B
pequea frente a la corriente que circula por R
B
v transistor en activa.
) transistor del (saliente
R
J
I
J J J
R R
R
J J
E
E
E
E B E
A B
B
P B
mA 1
V; 3 , 9 7 , 0 10 V; 10
= =
= = = =
+
=

Comprobacion.
Si el transistor esta en activa.
mA 5 mA 01 , 0 =
+
= = ~
B A
P
RB
E
B
R R
J
I que mientras
I
I
|

Luego se cumple que I
B
es pequea frente a la corriente que circula por R
B
, siempre que el transistor este en
activa. Para verificar esto, calculamos.
CEsat E C CE C C P C E C
J J J J I R J J I I > = = = = = = ~ V 7 , 1 3 , 9 11 V 11 mA 1
Por tanto el transistor esta en activa e I
B
es suficientemente pequea, por lo que el resultado hallado para I
E
es
valido.

b) El circuito de pequea seal v frecuencias medias es.

R
B
R
C
R
E
C
v
s
+

R
S
R
A
R
L
J
P
C

C
Z
e
v
o
+

-

Figura 2
i
b R
C
R
E
v
s
R
S
i
b
R
L
C
E

Z
e
v
o
+

-

r
t
E

B

i
s

o
5

APELLIDOS
NOMBRE N
o
DNI

Siendo O = = " # $ %
B
t
I
J
r
t
, r
o
J
A
/I
C
. Para calcular Z
e
se invecta I
test
v se mide J
test
.

O ~
+
= = %#
& |
t
r
i
v
Z
test
test
e

c) ( )
( )
( )
S
E
b b s
E
b s
b e
E
e
b s
S s e s
R
R
r
i r i v
R
r
i i
r i v
R
v
i i
R i v v
(
+ + =
+ + =
=
= + +
+ =
&
&
& |
|
|
t
t
t
t

( )
b L C o
i R R v | '' =

Por lo que
( )
( )
( $ )
&
''
~
(
+ + +
=
S
E
L C
s
o
R
R
r
r
R R
v
v
|
|
t
t

3)

r
t
i
b
i
b
v
test
+

-

R
C R
L
i
test
o
6

APELLIDOS
NOMBRE N
o
DNI

Ejercicio 3. El circuito de la Figura 3.1 utiliza un transistor JFET de canal n de deplexion (normal-ON) en
estatica. Para altas tensiones J
DS
, la union pn entre puerta y drenador de dicho transistor T
1
entra en disrupcion. La
Figura 3.2 muestra la curva caracteristica de salida en Iuente comun de T
1
para J
GS
J
GG
, en la que se observa que
presenta un nuevo tramo vertical cuando J
DS
J
DS,max
. Como consecuencia, en el circuito de la Figura 3.1 el
transistor T
1
puede operar en un nuevo estado (disrupcion) dependiendo del valor de R. Este eIecto puede modelarse
utilizando como circuito equivalente de T
1
el mostrado en la Figura 3.3, que consta de un transistor T
2
ideal (es decir,
sin disrupcion) y un diodo Zener.
Se le pide que calcule:
a) La tension J
DS,max
que se muestra en la Figura 3.2 (0,5 p).
b) La corriente I
G
para R 5 kO, sabiendo que T
1
NO opera en gradual

(1 p).
c) La corriente I
G
para R 1 kO, sabiendo que T
1
NO opera en gradual

(1 p).

DATOS:
J
DD
24 V, J
GG
2 V
Tension de disrupcion del diodo Zener: ,J
Z
, 10 V
De T
2
: k 1 mA/V
2
, J
T
4 V
J
DD
Figura 3.1
G
S
T
2
I
G
I
D
D
Figura 3.2
I
D
J
DS
J
DS,max
J
GS
J
GG
Figura 3.3
R
D
J
GG
G
S
T
1
I
G
J
DD
Figura 3.1
G
S
T
2
I
G
I
D
D
G
S
T
2
I
G
I
D
D
Figura 3.2
I
D
J
DS
J
DS,max
J
GS
J
GG
I
D
J
DS
J
DS,max
J
GS
J
GG
Figura 3.3
R
D
J
GG
G
S
T
1
I
G
R
D
J
GG
G
S
T
1
I
G


a)
( )
,max
2 V10 V 8 V
DS GS GD GG GD GG Z DS
J J J J J J J J = = s =

b) En primer lugar, independientemente del valor de R.

2
2
2
(ya que 0)
G ZENER G
D D ZENER
S G D D
I I I
I I I
I I I I
= =
=
= + =

Hipotesis. T
1
en saturacion (esto es, T
2
saturacion v Zener en OFF)
0
G ZENER
I I =

Comprobacion de la hipotesis.
( ) ( )
2 2
2 2 ,max
4 mA 4 V 8 V
D D ZENER D GS T GG T DS DD D DS
I I I I J J J J J J RI J k k = = = = = = =

c)

Hipotesis. T
1
en disrupcion (esto es, T
2
saturacion v Zener en disrupcion)
,max
8 16 mA
DD DS
DS DS D
J J
J J I
R
= =
o
7

APELLIDOS
NOMBRE N
o
DNI

"
"
# $%
# $% &' $% ( &" $%
S D GS T
G S D
I I J J
I I I

Comprobacion de la hipotesis.
( &" $% )
ZENER G
I I

o
8

APELLIDOS
NOMBRE N
o
DNI

Ejercicio 4. El circuito diIerencial de la Figura 4 maneja grandes seales y se usa como conmutador en
aplicaciones digitales. Los transistores son identicos, la Iuente de corriente es ideal y se consideran despreciables los
eIectos capacitivos. Se pide:
a) Suponiendo ambos transistores en activa, calcule las expresiones i
E1
f(v
I1
J
R
) e i
E2
f(v
I1
J
R
). Para este
apartado, use para los transistores el modelo de Ebers-Moll con los parametros o e I
ES
(0,8 p).
Para el analisis de los proximos apartados use el modelo lineal por tramos para los transistores, con J
E
0,7 V,
J
CEsat
0,2 V y | ~~ 1.
b) Para v
I1
~~-J
R
indique el valor maximo de v
I1
que asegura que los transistores no entran en saturacion (0,5 p).
c) Para v
I1
-0,7 V, calcule el valor de la tension de salida v
O
(0,6 p).
d) Para v
I1
-1,7 V, calcule el valor de la tension de salida v
O
(0,6 p).

R
C
R
C
J
R
-J
EE
I
0
T
1
T
2
i
E1
i
E2
v
O
v
I1
R
C
R
C
J
R
-J
EE
I
0
T
1
T
2
i
E1
i
E2
v
O
v
I1

Figura 4

DATOS:
J
R
1,3 V; R
C
0,25 kO; I
0
4 mA
J
t
0,025 V

NOTA: Los valores numericos de o, I
ES
y
J
EE
no son necesarios para contestar las
preguntas Iormuladas


a) Siendo v
E
la tension en el emisor de los transistores
|
|
.
|
\
| +
=
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
=
t
R I
E
E
t
E R
ES E
t
E I
ES E
J
J v
i
i
J
v J
I i
J
v v
I i
1
2
1
2
1
1
exp exp e exp
Ademas,
0 2 1
I i i
E E
= + , luego
|
|
.
|
\
| +
+
=
|
|
.
|
\
| +
+
=
t
R I
E
t
R I
E
J
J v
I
i
J
J v
I
i
1
0
2
1
0
1
exp 1
;
exp 1

b) Para v
I1
~~ -J
R
tenemos i
E1
I
0,
i
E2
0, es decir T
1
conduce v T
2
esta cortado. T
1
seguira en activa mientras
V 5 , 0
0 1 1 0 1
= + < > + =
CEsat E C I CEsat E I C CE
J J I R v J J v I R v

c) Al ser v
I1
~~ -J
R
, T
1
conduce v T
2
esta cortado, v nos queda el circuito de la figura.
o
9

APELLIDOS
NOMBRE N
o
DNI

R
C
-J
EE
I
0
"
#
v
O
$%& '

Donde ' #
#
$

I R v
C O

d) En este caso, v
I#
-J
R
, T
1
esta cortado v T
2
conduce.
R
C
R
C
J
R
-J
EE
I
0
"
(
v
O

Donde ' $
O
v

Dpto. de Electrnica Fsica ELECTRNICA BSICA(Feb/09) PGINA N
o
1

APELLIDOS

CALIFICACIN
NOMBRE

N
o
DNI

hojas sueltas.
Fecha prevista Publicacin de Calificaciones Provisionales: 20 Febrero 2009
Finalizacin del Plazo de Solicitud de Revisiones: 23 Febrero 2009
Fecha Revisin de Examen: 25 Febrero 2009

PGINA N 2

Ejercicio 1. El circuito detector de impulsos de la Iigura 1.1 produce una indicacion visible de los pulsos de corriente
positivos y negativos. El circuito esta Iormado por un divisor de resistencias conectado a un circuito rectiIicador compuesto por
los diodos, D
1
y D
2
, y los LEDs D
3
y D
4
. El J-FET de canal n, en saturacion, Iija la corriente directa de los LEDs a un valor
constante. Esto hace que la potencia luminosa emitida por los LEDs sea la misma para un rango de valores de la entrada de
impulsos de corriente.

a) Explique cualitativamente y de manera razonada el estado de los 4 diodos cuando la seal de entrada sea la mostrada en la
Iigura 1.2. (0,5 p)
b) Calcule el valor de la corriente directa de los LEDs cuando estan en ON. (0,5 p)
c) Calcule el minimo valor de I
0
necesario para que el circuito Iuncione con el J-FET en saturacion. (1,5 p)

DATOS: R
1
R
2
100 O; I
0
100 mA
Diodos. Modelo lineal por tramos con J

0,7 V
J-FET: k = 0,625 mA/V
2
; J
T
4V.
i
IN

-I
0

I
0


a) Para i
IN
0, no hay corriente en ningun elemento del circuito.
Para i
IN
I
0
, los diodos D
3
y D
2
estan en ON y los diodos D
1
y D
4
estan en OFF, ya que la corriente no puede circular por ellos al
encontrarse conectados en inversa. Por tanto el LED D
3
se enciende con el impulso positivo de i
IN
.
Para i
IN
- I
0
, los diodos D
4
y D
1
estan en ON y los diodos D
2
y D
3
estan en OFF, ya que la corriente no puede circular por ellos
al encontrarse conectados en inversa. Por tanto el LED D
4
se enciende con el impulso negativo de i
IN
.

b) Como v
GS
0, i
D
k (J
GS
-J
T
)
2
k J
T
2
10mA.
Para i
IN
I
0
, i
D3
i
D2
i
D
10mA.
Para i
IN
- I
0
, i
D4
i
D1
i
D
10mA.

c) Para que el circuito Iuncione correctamente, el J-FET debe estar en saturacion. Para ello se debe cumplir que:
J
GS
>J
T,
que se cumple siempre, ya que es un J-FET con J
GS
0, y
J
DS
>J
DS,sat
J
GS
-J
T
4J

Para valores de i
IN
positivos, con los diodos D
3
y D
2
en ON, se debera cumplir: J
R2
(I
0
- i
D
)R
2
2 J
J
DS
> 2 J
4; de donde se
obtiene I
0
> 64mA.
Para valores de i
IN
negativos, con los diodos D
1
y D
4
en ON se obtiene que: J
R2
-(-I
0
i
D
)R
2
2 J
J
DS
> 2 J
4; de donde se
obtiene - I
0
> 64mA, por tanto I
0
s -64mA

Por tanto, el valor minimo de I
0
necesario para que el circuito Iuncione con el J-FET en saturacion es

64mA.
Figura 1.1
R
1
i
IN
D
1
D
2
R
2
D
3
t
i
D
D
4
Figura 1.2
PGINA N 4
Ejercicio 2. El circuito de la Iigura 2.1 representa un ampliIicador en base comun. Se le pide calcular:

a) El punto de trabajo del transistor (I
C
, I
B
, J
BE
v

J
CE
). (0,8 p)
b) Los parametros del circuito equivalente en pequea seal del transistor y dibujar el circuito equivalente en pequea seal. (0,7
p)
c) La ganancia de tension, A
J
v
0
/v
g
. (1 p)

Figura 2.1

DATOS
J
CC
5 V;
R
C
2 k; R
E
100 ;
R
B
50 k; R
L
1 k ;
J
t
25 mV ; C

BJT.
100 ; J
E
0,7 V ;
J
CE,sat
0,2 V; J
A

J
CC
R
B
+
R
E
C
C

R
L
R
C
v
0
v
g


a) En continua el circuito a analizar es el siguiente:

Suponemos que el transistor esta en activa, por tanto J
BE
0,7V
J
CC
I
B
I
C
I
E
R
E
R
C
J
CC
R
C
(I
C
I
B
)R
B
I
B
J
BE
R
E
I
E

Sabiendo que: I
C
I
B
, I
E
I
C
I
B

Se obtiene: I
B
0,16510
-4
A 0;
Por tanto: I
C
I
B
1,65 mA
R
B
J
CE
(J
CC
- (1)I
B
R
C
)- R
E
(1)I
B
1,535 V J
CE,sat


o
5

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

Donde r

J
t
/I
B
1,51 k

R
E
v
g
+
v
e
i
b
i
b1
R
B
R
L R
C r
v
0
c) Analizando el circuito anterior por nudos se obtienen las siguientes ecuaciones :

v
0
(1/R
B
1/R
C
1/R
L
) - i
b
v
e
/r

v
e
(1/R
E
1/ r
)-v
g
/R
E
i
b
- v
e
/r

De donde se despeja :
7 , 5
)
1 1 1
)(
1 1
(
0
L C B E
E
g
R R R r R
R r
v
v

PGINA N 6
Ejercicio 3. La Iigura 3.1 representa un par de transistores acoplados en continua que se utiliza en el circuito de la Iigura
3.2. Los transistores trabajan en activa. Se pide:

a) Calcular el valor de del transistor equivalente al par de la Iigura 3.1. El transistor equivalente se comporta como npn o
pnp? Que condiciones deben cumplirse para que el par Iuncione correctamente (con los 2 transistores en activa)? (1 p)

b) Calcular la expresion de la resistencia de entrada y de la ganancia en corriente en pequea seal del circuito de la Iigura 3.2
en Iuncion de los parametros de los transistores en pequea seal (
1
,
2
, r
1
y r
2
) y de los componentes del circuito. (1,5
p)

Figura 3.1

Figura 3.2
DATOS: C
Para T
1
. J
E1
0,7V,J
CE1,sat
0,2 V,
1
200, r
1,
J
A1

Para T
2
. J
E2
0,7V,J
EC2,sat
0,2 V,
2
100, r
2,
J
A2


a) Analizando el circuito se obtiene:

Por tanto el transistor equivalente se comporta como un npn, en el que:

I
C
(
2
1)
1
I
B

2

1
I
B

Por tanto el transistor equivalente tendra una

2

1
210
4

Para que ninguno de los transistores se salga de activa debe ocurrir que:

I
B1
0; I
B2
0 v I
B
0

T
1
T
2
T
1
T
2
R
C
C

R
1
R
2
C
R
E
C

i
g
(
1
1)
2
1
I
B
1
I
B
(
2
1)
1
I
B
T
1
T
2
1
I
B
(
1
1)I
B
I
B
J
CC
J
CC
i
0
R
L
Ademas: J
CE1
J
CE1sat

J
EC2

J
CE1
J
EB2
J
EC2sat

J
CEeq
J
EC2
J
CE1
J
EB2
J
CE1sat
J
E1
0,9 V.

T1 entraria antes en saturacion, luego se debe cumplir J
CE1
J
CE1sat

o
7

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

r
2

Analizando este circuito se obtiene:
R
ent
R
1
//R
2
// r
1

) ) // )(( (
) // (
1 2 1
2 1 2 1

r R R R R
R R R
i
i
A
L C
C
g
l
i

2
i
b2

1
i
b1
R
1
R
2
r
1
i
b2
i
b1
i
g
R
C
i
0
R
L
PGINA N 8
Ejercicio 4. El circuito de la Iigura 4.1 esta Iormado por un generador de corriente, un transistor npn y un condensador. El
generador de entrada suministra una seal como la mostrada en la Iigura 4.2.

a) Para t 0, diga el estado en el que se encuentra el transistor. Calcule el valor de la tension en el condensador, v
C1
(t). (0,5p)
b) Para t , diga el estado en el que se encuentra el transistor y calcule el valor de la tension en el condensador, v
C1
(t). (0,5p)
c) Calcule la tension y la corriente en el condensador para t ~ 0, v
C1
(t) e i
C1
(t) y la corriente de colector del transistor, i
C
(t) para
t ~ 0. Represente graIicamente estas tres variables. (1,5p)

Figura 4.1

Figura 4.2

DATOS:
J
CC
5V; C
1
10pF; I
0
10 A

TRANSISTOR BIPOLAR:
J
E
0,7V; J
CE,sat
0,2V; 100

Considere despreciables los eIectos
capacitivos del transistor

J
CC
i
G
(t)
I
0
C

v
C1
-

i
C1
i
G
(t)
i
C
t


a) Para t0, i
G
(t)

0A. No hay corriente en el condensador ni en la base de transistor. El transistor esta en corte. La tension en
el condensador es 0: v
C
(t)0, para t0.

b) Para t , i
G
(t)

10 A. El condensador se comporta como un abierto, por tanto i
B
(t) i
G
(t)10 A.

El transistor esta en activa, ya que i
B
~0 v v
CE
(t)J
CC
- 05VJ
CEsat

Por tanto i
C
i
B
1 mA y v
C1
v
BE
J
E
0,7V

c) En t 0
el condensador mantiene su tension: v

C1
(t0
) v
C1
(t0
-
) 0V.

El transistor esta en corte, ya que v
BE
(t0
) v
C1
(t0
)

0. La corriente del generador i
G
atraviesa el condensador y se cumple:

i
C1
(t) C
1
dv
C1
(t)/dtI
0

por tanto, v
C1
(t) I
0
t/C
1
v
C1
(t0
) I
0
t/C
1

Esta situacion se mantendra hasta que v
C1
(t) J
E
0,7V; es decir, hasta t
1
J
E
C
1
/ I
0
0,7 s.

A partir del momento en que v
C1
(t) J
E
0,7V, la tension del condensador permanece constante a ese valor (alcanza su valor
Iinal) y su corriente i
C1
(t) C
1
dv
C1
(t)/dt 0.

El transistor empieza a conducir en activa, ya que i
B
i
G
~0 v v
CE
(t)J
CC
- 05VJ
CEsat
. Por tanto i
C
(t) i
B
1 mA para t 0,7
s.

0 para t 0 0 para t 0 0 para t 0,7 s
v
C1
(t) I
0
t/C
1
para 0 t 0,7s i
C1
(t) I
0
para 0 t 0,7s i
C
(t)
J
E
para t 0,7 s 0 para t ~ 0,7 s I
0
para t 0,7 s

o
9

APELLIDOS

NOMBRE

N
o
DNI

i
G
(t)

I
0

t
i
C1
(t)
I
0
0,7 s

t

v
C1
(t)

J
E
t
I
0
0,7 s
0,7 s
t
i
C
(t)

2 EBAS Examenes

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/" (1,0 p.)

0,5 J el diodo esta en conduccion, v v

), el circuito equivalente es ahora el de la figura

1,2 V. Para el transistor, J

0 t : Para t 0, TRT cortado, tension en bornas del condensador J

, el TRT se satura. Como el condensador no puede cambiar inmediatamente la tension

. Asi la potencia disipada

0,7 V) en regimen transitorio equivale

resolviendo la ecuacion diIerencial del apartado c). 2345 617.

% " ' "

, indicando el estado en que se encuentran T

ON) (estado para

0,50 V, a 100 mA/V

0,5 V y resistencia en directa r

depende de la temperatura ("

' " $ &

El LED esta encendido

tiene una tension de J

cuando esta en ON y como un circuito

. Puesto que la tensin en los emisores v

. En ese caso, siendo V

= 0V, y por tanto I

)=-1,65 V. Por tanto el diodo D

el condensador mantiene su tension: v

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