Vous êtes sur la page 1sur 68

18 I SABER ELETRNICA 430 I Novembro 2008

Microcontroladores
SE431_Reportagem.indd 18 16/12/2008 17:56:25
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 1
Editora Saber Ltda.
Diretores
Hlio Fittipaldi
Thereza Mozzato Ciampi Fittipaldi
Associada da:
Associao Nacional
das Editoras de Publicaes Tcnicas,
Dirigidas e Especializadas
Associao Nacional
dos Editores de
Revistas
Atendimento ao Leitor: atendimento@sabereletronica.com.br
Os artigos assinados so de exclusiva responsabilidade de seus autores. vedada a reproduo total ou parcial dos textos
e ilustraes desta Revista, bem como a industrializao e/ou comercializao dos aparelhos ou idias oriundas dos textos
mencionados, sob pena de sanes legais. As consultas tcnicas referentes aos artigos da Revista devero ser feitas exclu-
sivamente por cartas, ou e-mail (A/C do Departamento Tcnico). So tomados todos os cuidados razoveis na preparao do
contedo desta Revista, mas no assumimos a responsabilidade legal por eventuais erros, principalmente nas montagens, pois
tratam-se de projetos experimentais. Tampouco assumimos a responsabilidade por danos resultantes de impercia do montador.
Caso haja enganos em texto ou desenho, ser publicada errata na primeira oportunidade. Preos e dados publicados em
anncios so por ns aceitos de boa f, como corretos na data do fechamento da edio. No assumimos a responsabilidade
por alteraes nos preos e na disponibilidade dos produtos ocorridas aps o fechamento.
editorial
Editor e Diretor Responsvel
Hlio Fittipaldi
Diretor Tcnico
Newton C. Braga
Conselho Editorial
Joo Antonio Zuffo,
Newton C. Braga
Redao
Fabieli De Paula
Auxiliares de Redao
rika Yamashita, Monique Souza,
Thayna Santos
Colaboradores
Alexandre Capelli, Alexandre Novakoski ,
Alexandre dos Santos, Antonio Dresch Jnior,
Danny R. Efrom, rico Back Machado, Mark Lee,
Patrcia Soares, Roberto R. Cunha
Designers
Carlos C. Tartaglioni, Diego M. Gomes,
Edimaldia Ferreira
Produo
Diego M. Gomes
www.sabereletronica.com.br
Saber Eletrnica uma publicao mensal da
Editora Saber Ltda, ISSN 0101-6717. Redao,
administrao, publicidade e correspondncia:
Rua Jacinto Jos de Arajo, 315, Tatuap, CEP
03087-020, So Paulo, SP, tel./fax (11) 2095-
5333.
VENDAS DE PUBLICIDADE
Carla de C. Assis,
Ricardo Nunes Souza
PARA ANUNCIAR: (11) 2095-5339
publicidade@editorasaber.com.br
Capa
ETS Lindgren
Impresso
So Francisco Grfca e Editora
Distribuio
Brasil: DINAP
Portugal: Logista Portugal tel.: 121-9267 800
ASSINATURAS
www.sabereletronica.com.br
fone: (11) 2095-5335 / fax: (11) 2098-3366
atendimento das 8:30 s 17:30h
Edies anteriores (mediante disponibilidade de
estoque), solicite pelo site ou pelo tel. 2095-5330, ao
preo da ltima edio em banca.
Encerrando o ano, o presidente da Associao
Brasileira da Indstria Eltrica e Eletrnica (Abinee),
Humberto Barbato, acompanhado de diretores da
entidade, apresentou na coletiva de imprensa, os
dados do setor eletroeletrnico do ano de 2008 e as
perspectivas para o prximo ano. O faturamento da
indstria eletroeletrnica, em 2008, dever atingir R$
123,7 bilhes com crescimento de 11% em relao ao
ano anterior, no sofrendo um impacto significativo
da crise mundial.
O setor de componentes eltricos e eletrnicos
mostra uma retrao de 5 % em relao 2007 e o
de utilidades domsticas manter os mesmos nmeros. As demais reas
da indstria eletroeletrnica devero apresentar bom crescimento de
faturamento. O mercado de PCs, que atingiu 12 milhes de unidades,
cresceu 20 % e s no foi melhor devido desvalorizao do real frente ao
dolar, mas mesmo assim, ficou dentro das expectativas, segundo o diretor
da rea de informtica, Hugo Valrio.O nmero de empregados, ficou em
torno de 165.500 contratados, com 9,4 mil empregos diretos a mais do
que o ano de 2007.
Para 2009, apesar da gravidade da crise econmica mundial, a Abinee,
considerando que a trajetria do crescimento da indstria eletroeletrnica
tem acompanhado o desempenho do pas, prev uma evoluo de 7%,
confirmada a previso de crescimento de 3,0% da economia nacional.
Barbato afirmou que a expectativa do setor tambm continua positiva
para o prximo ano em relao aos investimentos. Ele ressalta que: im-
portante que o governo corte os custeios para continuar investindo e com
isto oxigene o mercadodiz.
J o diretor da rea de automao da Abinee, Nelson Ninin, destacou o
papel da Petrobras como catalisador dos investimentos para o segmento e
acredita que no haver queda no faturamento das empresas em 2009. O
diretor de economia da Associao, Antnio Correa de Lacerda, salientou
que, aproveitando a tendncia mundial, o governo deveria reduzir a taxa
de juros e desonerar os investimentos e o consumo, para que estes sejam
mantidos e ampliados garantindo o crescimento do mercado interno.
Esta linha, definida em inmeras declaraes da entidade e de partici-
pantes do setor, que o governo deveria diminuir os impostos e o custo
Brasil, pois isto que o pas necessita para se fortalecer e resistir s crises
internacionais, foram por ns mostradas neste ano todo como assunto
recorrente. A atual situao internacional j est colocando prova este
governo que a est, e em poucos meses saberemos a realidade.
Hlio Fittipaldi
SE431_indice.indd 1 18/12/2008 14:30:33
2 I SABER ELETRNICA 430 I Novembro 2008
ndice
Editorial
Seo do Leitor
Acontece
ABEE
01
04
06
42
I nst i t ut o Moni t or . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Cypres s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Texas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
NXP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Ci ka . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Nat i onal I ns t rument s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Met al t ex . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
ALV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
Tato . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
Brkl i n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
Honeywel l . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
I R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
Microchip ............................................................ 59
Portal Saber Eletrnica ...................................... 63

Agi l ent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 capa
STMi croel ect roni cs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 capa
At mel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 capa
ndice de anunciantes
36
44
20
Reportagem
14 O futuro dos displays
Desenvolvimento
16 Conhea os fltros EMI/RFI em modo comum
20 Tpicos em eletrnica analgica: Rudo
24 EMC (Compatibilidade Eletromagntica)
Eletrnica Aplicada
30 Leitores RFID com comunicao Ethernet
32 Conversor CC-CC Forward tipo Buck
Tecnologias
36 O que falta para a tecnologia 3G decolar de vez?
37 Teclas Capsense (TM) com CSD
Circuitos Prticos
44 Carregador de bateria com o FSD210
46 Fonte Chaveada de 90 W para monitores com
funo Standby
48 Amplifcadores Operacionais Auto-Zerados
Microcontroladores
51 Teclado de porta de carro utilizando LIN
Componentes
54 Termostato termmetro digital com o
MAXQ3212
55 Monitor de banco de baterias
56 Flash de LEDs duplos para 1,2 A
58 A4935 Driver MOSFET trifsico automotivo
60 Sintetizadores programveis de clock com sadas
LVCMOS
61 LT3085 LDO SMD da Linear
61 Vishay amplia linha de 140 CHR
62 TSOP22xx Nova famlia de sensores IR para
controle remoto
64 LT5581 Detector de potncia RMS para 6 GHz
SE431_indice.indd 2 18/12/2008 12:14:12
SE431_indice.indd 3 16/12/2008 17:14:01
Fornecedores de CI
Ol, editores da Saber Eletrnica, vi
em uma das matrias, um circuito re-
lacionado com a pesquisa que estou
desenvolvendo em minha empresa. Trata
sobre um medidor pontual monofsico
de caractersticas eltricas, usando o CI
MSP430FE427.
Procurei este CI em alguns fornecedores
e os mesmos s podiam import-lo em
grande quantidade. Vocs podem in-
dicar um contato ou uma loja, onde eu
Chaves Seletoras
Gostaria de saber se h algum artigo a
respeito de chaves seletoras publicado na
revista ou no site Saber Eletrnica.
Rubervan dos Santos
Powertemp Tecnologia Industrial
Santo Andr - SP
Caro Rubervan, sobre chaves seletoras
ainda no temos nehum artigo espec-
fco, porm sua sugesto j foi encami-
nhada para nossos editores publicarem
algo a respeito.
Componentes
Prezados senhores, tenho 45 anos e
possuo a coleo Saber Eletrnica desde
o nmero 49 (ano 1976). Recentemente,
folheando as revistas pensei em fazer
algumas montagens eletrnicas para o
meu flho. S que aqui no Rio de Janeiro
Player de Ringtone - SE 429
Leio e acompanho a Saber Eletrnica h anos. A revista
sempre apresenta artigos teis e esclarecedores. Porm
tenho algumas sugestoes!
Como leitor, reparei que, por exemplo, no artigo Player de
Ringtones com Microcontroladores, publicado na edio
n 429, o autor entra nos ltimos detalhes de programao,
mas no menciona onde pode ser adquirido o produto,
qual o seu preo e como se carrega o software. Gostaria
que visassem mais o contexto do usurio fnal.
Paulo Ernane
Belo Horizonte - MG
Caro Paulo, agradecemos sua preferncia por nossa pu-
blicao e sua sugesto j est anotada. Nosso objetivo
sempre melhorar o contedo para poder adequ-lo ao
mximo com o nosso pblico-alvo. Continue nos enviando
suas anlises atravs do e-mail: atendimento@saberele-
tronica.com.br. Obrigado pelo contato!
poderia compr-lo? Agradeo a ateno
e fao votos de boa sorte nessa revista
to interessante para os profssionais de
eletrnica.
Aldonso Martins
Diretor Comercial
EcoEnergia Efcincia Energtica
Recife - PE
Informamos que no site da Saber Ele-
trnica (www.sabereletronica.com.br)
voc encontra a pesquisa de componen-
tes viabilizada pela Net Components,
onde h uma lista de empresas e forne-
cedores de produtos eletrnicos. Sobre
o MSP430 indicamos a loja Arrow Brasil
(www.arrowbrasil.com.br), localizada
em So Paulo.
difcil encontrar alguns componentes
para a montagem dos circuitos (micro-
fone e fone de cristal, basto de ferrite,
capacitor varivel para transistores etc).
Gostaria que vocs me indicassem algu-
ma loja, pode ser em So Paulo, que envie
produtos via correio.
Marcus Barra
Rio de Janeiro- RJ
Ficamos contentes em saber que est
repassando seus conhecimentos de ele-
trnica para seu flho e informamos que
a loja Mvtech, localizada em So Paulo,
faz encomendas via correio. Segue o site
da loja: www.mvtechbrasil.com.br.
Saber Eletrnica n 429
4 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
seo do leitor
Contato com o Leitor
Envie seus comentrios, crticas
e sugestes para atendimento@
sabereletronica.com.br.
As mensagens devem ter nome
completo, ocupao, empresa e/ou ins-
tituio a que pertence, cidade e Estado.
Por motivo de espao, os textos podem
ser editados por nossa equipe.
. . .
SE431_leitor.indd 4 12/12/2008 17:44:37
.
SE431_leitor.indd 5 16/12/2008 17:12:41
6 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
acontece
O Brasil precisar de R$ 10,2 bilhes
para alavancar a evoluo do setor
de empreendedorismo inovador no
Pas. A concluso do indito estudo
sobre Parques Tecnolgicos no
Brasil, desenvolvido pela Associao
Nacional de Entidades Promotoras
de Empreendimentos Inovadores
(Anprotec) em parceria com a Agn-
cia Brasileira de Desenvolvimento
Industrial (ABDI).
A pesquisa foi desenvolvida durante o
ano de 2007. Dos 57 parques tecno-
lgicos brasileiros identificados, 35
foram analisados. J no cenrio inter-
Brasil precisar de R$ 10,2 bilhes
para alavancar Parques Tecnolgicos
nacional, os pases estudados foram
Frana, Reino Unido, Espanha, Irlanda,
Finlndia, Japo, China, ndia, Coria do
Sul, Taiwan, Cingapura, Malsia, Nova
Zelndia e Estados Unidos. Depois da
concluso do mapeamento, o estudo
fez a classificao para definir padres
e parmetros de avaliao e compa-
rao. Por fim, estabeleceu-se viso
de futuro dos parques tecnolgicos,
proposies de polticas pblicas e
programas de apoio aos centros e as
empresas neles instaladas.
Segundo o dirigente da Anprotec
e responsvel pela pesquisa, Jos
Eduardo Fiates, nenhum dos parques
tecnolgicos brasileiros contribui
de maneira efetiva para o desenvol-
vimento cientfico, tecnolgico e
econmico do pas. preciso que
haja estratgia poltica para equilibrar
e otimizar o potencial do Brasil. A
atuao desses centros precisaria
estar mais integrada s necessidades
regionais e s prioridades econmi-
cas brasileiras. Sem esses elementos,
tampouco sem o aporte de universi-
dades ou instituies de pesquisa, fica
difcil gerar desenvolvimento susten-
tado, acrescenta Fiates.
Durante a coletiva de imprensa que
ocorreu este ms em So Paulo (SP),
o presidente da Siemens no Brasil,
Adilson Primo, anunciou um cresci-
mento recorde de 33% no pas. Com
esse nmero a empresa assume a
liderana em desempenho nos mer-
cados emergentes. O balano fiscal
foi encerrado no dia 30 de setembro,
com um faturamento lquido de R$
4,6 bilhes maior do que os R$ 3,5
bilhes do ano anterior.
Segundo a empresa os nmeros deste
ano j remetem o novo portiflio, or-
ganizado desde janeiro nos setor de
Energy, Industry e Healthcare, com
a Siemens IT Solutions and Services
como cross-sector.Em 2008 o setor
de Energia impulsionada pela procura
por parte dos pases nas Amricas,
obteve conquistas em exportaes e
oportunidades - chaves no mercado
domstico. J na Industria conseguiu
grandes contratos no fornecimento
de automao industrial, drives, equi-
pamentos eltricos, e solues para
o segmento de leo e gs.
Com Healthcare, a Siemens estabe-
leceu tendncias com um inovador
equipamento de Tomografia Compu-
Siemens:
crescimento de 33% no Brasil
tadorizada Somatom Definition Dual
Source, alcanando o primeiro lugar
no mercado brasileiro de Ressonan-
cia Magntica por Imagem (RMI).Com
essas conquistas e novas estruturas a
Siemens afirma que com o seu novo
portiflio pode suprir as necessida-
des e oferecer solues para os seus
clientes em diversos segmentos.
Houve tambm este ano um cresci-
mento no seu quadro de funcionrios
em 2008. Aumentou dois mil novos
colaboradores e emprega hoje no
Brasil cerca de nove mil pessoas, 27%
a mais do que no ano anterior. Alm
disso, a empresa aumentou em 26%
investimento em treinamentos. O
segredo da Siemens transformar
os riscos em oportunidades afirma
Primo que na entrevista mostrou-
se otimista e confiante para 2009,
mesmo diante do cenrio de crise
mundial. No ano fiscal que se inicia
temos o desafio de continuar cres-
cendo, de 3 a 4 vezes o PIB brasileiro
O Presidente da Siemens no Brasil,
Adilson Primo mostrou-se otimista para
2009, mesmo diante do cenrio de crise
mundial.
e a previso de investimento de R$
120 milhes, diz. A empresa j inicia
2009 com R$ 5,3 bilhes em entrada
de pedidos.
SE431_acontece3.indd 6 16/12/2008 20:14:57
SE431_acontece3.indd 7 16/12/2008 20:15:08
8 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
acontece
Desacelerao econmica
afeta fabricantes de chips
A Associao Brasileira da Indstria
Eltrica e Eletrnica (Abinee) divulgou
neste ms os dados do desempenho
do setor em 2008 e as perspectivas
para 2009, com a presena dos dire-
tores das reas de telecomunicaes,
economia, automao, e informtica.
O faturamento da indstria em 2008
crescer 11% em relao a 2007,
totalizando R$ 123,7 bilhes. O am-
paro nos investimentos e o aumento
do consumo, contribuiram para
esse bom desempenho da indstria
eletroeletrnica. De acordo com a
associao, a rea de telecomunica-
es ser a que mais vai faturar em
2008, obteve um crescimento de 21%
em comparao ao ano anterior, j a
indstria de componentes Eltricos e
Eletroeletrnicos dever fechar com
saldo negativo 5%.
Expectativa positiva para 2009, 7%
factveis. afirma o presidente da
Abinee, Humberto Barbato, que
mesmo em um ambiente de crise
tem perspectivas otimistas para o
ano de 2009, j que as projees de
crescimento do PIB do Brasil esto
por volta de 3%, e como a indstria
Abinee apresenta o faturamento de 2008
caminha junto com desempenho do
pas, a Abinee prev esta evoluo.
As exportaes de produtos eltricos
e eletrnicos crescero 11% em 2008,
ultrapassando os US$ 9,3 bilhes de
2007, somando este ano US$ 10,3
bilhes. A nica rea que apresentou
queda foi a de informtica 8%. E as
demais tiveram em mdia um cresci-
mento de 4%.
Os Componentes Eltricos e Eletr-
nicos continuam sendo os produtos
mais importado, totalizaro US$ 19
bilhes, 40% acima do ano passado.
As importaes devero atingir US$
33,7 bilhes neste ano, superando
40% de 2007.
Com a permanncia dos investimen-
tos do Programa de Acelerao do
Crescimento (PAC), e a constante
inovao tecnolgica em celulares na
eletrnica e na informtica, asse-
guram esse otimismo na indstria
eletroeletrnica, mantendo estvel o
nmero de empregados totalizando
166 mil para 2009.
O presidente da Abinee, Humberto Barbato
(segundo, da esqueda para direta) apre-
senta o faturamento e as projees de
crescimento para 2009.
Novos sinais de desacelerao na
demanda mundial por chips emer-
giram neste ltimo ms, quando a
STMicroelectronics reduziu suas
projees para o quarto trimestre
e fontes setoriais disseram que duas
importantes empresas do setor em
Taiwan esto se preparando para
reduzir custos.
Os embarques de celulares vo cair
em 2009, depois de diversos anos de
crescimento aparentemente irrever-
svel, e as montadoras de automveis
- nica fonte de lucro para muitos
fabricantes de chips nos ltimos anos
- esto reduzindo a produo e demi-
tindo trabalhadores.
A STMicro, maior fabricante europia
de chips, atribui recente desacele-
rao dos setores de comunicao
sem fio, automveis e perifricos
para computadores a reduo das
projees de vendas e receita no
quarto trimestre, apenas uma semana
depois de ter confirmado os nmeros
originais.
A Intel, maior fabricante mundial de
chips, cujos microprocessadores
acionam 80 por cento dos computa-
dores pessoais do planeta, anunciou
no comeo do ms que previa uma
forte queda de vendas no quarto tri-
mestre, devido perda de demanda
empresarial e privada. As perspecti-
vas desfavorveis para o setor, foram
confirmadas por pesos pesados dos
semicondutores como a Applied Ma-
terials e a National Semiconductor.
SE431_acontece3.indd 8 16/12/2008 20:15:16
SE431_acontece3.indd 9 16/12/2008 20:15:25
10 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
acontece
Produtos
Osciloscpios da Farnell
A Farnell Newark anuncia as novas s-
ries de Osciloscpios de sinais mistos
MSO2000 e de tecnologia Digital
Phosphor DPO2000 da Tektronix.
So ferramentas que envolvem sinais
analgicos e digitais, recursos de na-
vegao e busca Wave Inspector que
ajudam a verificar longos registros de
memria. Alm disso, oferecem de-
codificao automtica de barramen-
tos de dados seriais e a nova funo
FilterVu, que permite a reduo de
rudo na visualizao do sinal atravs
de filtros.
A maioria dos projetos eletrnicos
feitos atualmente possuem micro-
processadores, microcontrolado-
res, DSPs, RAM, Flash, EEPROMs,
FPGAs, A/Ds, D/As e outros disposi-
tivos de entrada e sada. A tendncia
que nos sistemas embarcados os
barramentos paralelos sejam substi-
tudos por barramentos seriais tais
como I2C, SPI, RS-232, CAN e LIN.
Nos barramentos seriais um nico
sinal pode incluir informaes de
endereo, dados, controle e clock; a
complexidade envolvida na depura-
o de circuitos que contenham essas
tecnologias muito maior.
As Sries MSO2000 e DPO2000 solu-
cionam estes problemas por meio de
recursos de trigger, decodificao e
anlises de barramentos seriais nunca
antes verificados em um osciloscpio
nesta faixa de preos. Os MSO2000
proporcionam ainda a habilidade de
correlacionar no tempo sinais ana-
lgicos e digitais usando at quatro
canais de osciloscpio e 16 canais
digitais simultaneamente. As Sries
MSO2000 e DPO2000 so ideais
para projetistas de sistemas embar-
cados e de educadores envolvidos no
ensino de sistemas digitais.
Osciloscpios de sinais mistos MSO2000
e de tecnologia Digital Phosphor
DPO2000 da Tektronix.
STMicroelectronics e LG Electronics
apresentam celular com NFC
A STMicroelectronics e a LG Elec-
tronics apresentam as vantagens do
NFC (Near Field Communication)
do telefone mvel KU380-NFC da
LG, que utiliza o system-on-ship
ST21NFCA da ST.
O novo lanamento oferece capa-
cidades de pagamentos Paypass
sem contato, viabilizadas por um
carto (U)SIM, assim como funes
de Reader/leitura sem contato. O
telefone celular KU380-NFC, um dos
primeiros aparelhos compatveis com
NFC do mercado mundial, aumenta a
flexibilidade para os desenvolvedores
de servios ao suportar aplicaes
que operam tanto no processador do
terminal quanto no carto (U)SIM.
A ST e a LG conseguiram a flexibi-
lidade do KU380-NFC atravs da
combinao de uma arquitetura
aberta com os mais recentes padres
ETSI como Host Controller Interface
(HCI), Single Wire Protocol (SWP),
para comunicao com o carto
(U)SIM, alm dos padres de co-
municao RF 13.56MHz-based. Os
primeiros prottipos do celular esto
sendo demonstrados com a utilizao
de um carto (U)SIM da Gemalto,
totalmente compatveis com todos os
padres ETSI relevantes, com aplica-
es Reader e PayPass.
O telefone KU380-NFC, primeiro
do mercado a utilizar o controller
ST21NFCA NFC da ST , o resulta-
do de uma colaborao bem-sucedida
entre a LG Electronics, a Gemalto e a
ST, disse o gerente de marketing de
Telecom e NFC da STMicroelectro-
nics, Laurent Degauque.Colaborar
com esses dois lderes e pioneiros
na implementao da tecnologia
NFC em um produto para o usurio
final que oferece todos os modos
operacionais NFC uma grande
oportunidade para a ST mostrar os
benefcios da arquitetura aberta do
ST21NFCA, completa.
SE431_acontece3.indd 10 16/12/2008 20:15:34
Produtos
Osciloscpios da Farnell
A Farnell Newark anuncia as novas s-
ries de Osciloscpios de sinais mistos
MSO2000 e de tecnologia Digital
Phosphor DPO2000 da Tektronix.
So ferramentas que envolvem sinais
analgicos e digitais, recursos de na-
vegao e busca Wave Inspector que
ajudam a verificar longos registros de
memria. Alm disso, oferecem de-
codificao automtica de barramen-
tos de dados seriais e a nova funo
FilterVu, que permite a reduo de
rudo na visualizao do sinal atravs
de filtros.
A maioria dos projetos eletrnicos
feitos atualmente possuem micro-
processadores, microcontrolado-
res, DSPs, RAM, Flash, EEPROMs,
FPGAs, A/Ds, D/As e outros disposi-
tivos de entrada e sada. A tendncia
que nos sistemas embarcados os
barramentos paralelos sejam substi-
tudos por barramentos seriais tais
como I2C, SPI, RS-232, CAN e LIN.
Nos barramentos seriais um nico
sinal pode incluir informaes de
endereo, dados, controle e clock; a
complexidade envolvida na depura-
o de circuitos que contenham essas
tecnologias muito maior.
As Sries MSO2000 e DPO2000 solu-
cionam estes problemas por meio de
recursos de trigger, decodificao e
anlises de barramentos seriais nunca
antes verificados em um osciloscpio
nesta faixa de preos. Os MSO2000
proporcionam ainda a habilidade de
correlacionar no tempo sinais ana-
lgicos e digitais usando at quatro
canais de osciloscpio e 16 canais
digitais simultaneamente. As Sries
MSO2000 e DPO2000 so ideais
para projetistas de sistemas embar-
cados e de educadores envolvidos no
ensino de sistemas digitais.
Osciloscpios de sinais mistos MSO2000
e de tecnologia Digital Phosphor
DPO2000 da Tektronix.
STMicroelectronics e LG Electronics
apresentam celular com NFC
A STMicroelectronics e a LG Elec-
tronics apresentam as vantagens do
NFC (Near Field Communication)
do telefone mvel KU380-NFC da
LG, que utiliza o system-on-ship
ST21NFCA da ST.
O novo lanamento oferece capa-
cidades de pagamentos Paypass
sem contato, viabilizadas por um
carto (U)SIM, assim como funes
de Reader/leitura sem contato. O
telefone celular KU380-NFC, um dos
primeiros aparelhos compatveis com
NFC do mercado mundial, aumenta a
flexibilidade para os desenvolvedores
de servios ao suportar aplicaes
que operam tanto no processador do
terminal quanto no carto (U)SIM.
A ST e a LG conseguiram a flexibi-
lidade do KU380-NFC atravs da
combinao de uma arquitetura
aberta com os mais recentes padres
ETSI como Host Controller Interface
(HCI), Single Wire Protocol (SWP),
para comunicao com o carto
(U)SIM, alm dos padres de co-
municao RF 13.56MHz-based. Os
primeiros prottipos do celular esto
sendo demonstrados com a utilizao
de um carto (U)SIM da Gemalto,
totalmente compatveis com todos os
padres ETSI relevantes, com aplica-
es Reader e PayPass.
O telefone KU380-NFC, primeiro
do mercado a utilizar o controller
ST21NFCA NFC da ST , o resulta-
do de uma colaborao bem-sucedida
entre a LG Electronics, a Gemalto e a
ST, disse o gerente de marketing de
Telecom e NFC da STMicroelectro-
nics, Laurent Degauque.Colaborar
com esses dois lderes e pioneiros
na implementao da tecnologia
NFC em um produto para o usurio
final que oferece todos os modos
operacionais NFC uma grande
oportunidade para a ST mostrar os
benefcios da arquitetura aberta do
ST21NFCA, completa.
SE431_acontece3.indd 11 16/12/2008 20:15:43
12 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
acontece
Curtas
Para amenizar os efeitos da crise a
Sony anunciou neste ms a realizao
de um plano de restruturao, no qual
prev a reduo dos investimentos e a
demisso de oito mil dos 160 mil fun-
cionrios. A empresa tem previso de
fechar 10% das fbricas de produo e
reduo de 30% nas aplicaes, princi-
palmente para os aparelhos e compo-
nentes eletrnicos. Com essa medida
a Sony tem o objetivo de poupar US$
105,00 bilho. A queda da demanda e
a valorizao do iene afetam as vendas
da Sony. Segunda a empresa estas
iniciativas so a resposta aos imprevis-
tos e s rpidas mudanas no cenrio
econmico global.
J est em funcionamento o novo siste-
ma de segurana do MASP (Museu de
Arte de So Paulo). Com 96 cmeras
e sete monitores de alta definio, o
sistema o mais avanado do mundo
em museus, informa a LG Security
System que doou cerca de R$ 1mi-
lho e meio ao projeto, iniciado em
janeiro de 2008. O novo Centro de
Monitoramento Avanado de Museus
tm cmeras de giro localizadas em
pontos estratgicos com capacidade
de aproximao de 444 vezes, a maior
disponvel no mercado.Outra inova-
o tecnolgica a cmera que fala
- por meio dela, as informaes so
transmitidas por voz pessoa que
monitora a central.
A nova atualizao do guia de produ-
tos da Atmel - para o inverno 2008
(inverno no norte do globo), j est
disponvel no endereo: www.onful-
fillment.com/atmel/. Para acessar
basta colocar seu usurio e senha, e
pesquisar os novos tens. A empresa
manufaturadora de semicondutores,
foi fundada em 1984. Sua produo
inclui as memrias EEPROM e Flash,
microcontroladores (incluindo o 8051,
a arquitetura ARM e sua arquitetura
prpria, a Atmel AVR), FPGAs, chips
para smartcard, RFID, interfaces RF,
CIs para automveis e outros com-
ponentes eletrnicos.
Crise Monitoramento Guia de Produtos
Diretor da National Instruments
fala sobre mudanas do setor automotivo
Durante o evento NI Automotive Day,
promovido pela National Instruments
no ms de novembro em So Paulo,
que contou com a presena de cerca
de 180 pesquisadores e engenheiros
ligados indstria automobilstica,
foram apresentadas as mais recentes
tecnologias voltadas a este segmento.
O Diretor Internacional de Marketing
da lder mundial em instrumentao
virtual, Dave Wilson, enfatizou o sta-
tus da classe mundial desta indstria
no Brasil. Segundo o executivo, o
consumo de carros no Pas maior
do que na Frana e na Gr Bretanha.
S em 2008 j foram vendidos cerca
de 3,25 milhes de automveis, sen-
do 90% deles com a tecnologia Flex.
Para Wilson, esta uma indstria que
est passando por grandes mudanas
muito rapidamente. A demanda por
produtos com recursos cada vez mais
sofisticados e de altssima qualidade. E a
eletrnica ser uma grande aliada neste
caminho, via recursos de software e
conectividade. At 2010, segundo da-
dos da ABI Research, 40% dos compo-
nentes de um carro sero eletrnicos.
O que representa um grande desafio
para os engenheiros do setor.
As principais dificuldades passaro a
situar-se na fase de testes e prototi-
pia. A maneira como se testava at
recentemente no funciona mais.
Hoje, devemos tentar achar os
problemas de um novo projeto no
mundo virtual e consert-los, antes
de fazer prottipos e testes no mun-
do real, e assim acelerar o ciclo do
desenvolvimento, diz Wilson.
Os processadores multicore trou-
xeram novas possibilidades para
as tecnologias mais avanadas. E a
linguagem grfica de programao La-
bVIEW, da National Instruments, tira
o mximo partido desta nova realida-
de, independentemente do nmero
de ncleos de um processador.
SE431_acontece3.indd 12 16/12/2008 20:15:58
Curtas
Para amenizar os efeitos da crise a
Sony anunciou neste ms a realizao
de um plano de restruturao, no qual
prev a reduo dos investimentos e a
demisso de oito mil dos 160 mil fun-
cionrios. A empresa tem previso de
fechar 10% das fbricas de produo e
reduo de 30% nas aplicaes, princi-
palmente para os aparelhos e compo-
nentes eletrnicos. Com essa medida
a Sony tem o objetivo de poupar US$
105,00 bilho. A queda da demanda e
a valorizao do iene afetam as vendas
da Sony. Segunda a empresa estas
iniciativas so a resposta aos imprevis-
tos e s rpidas mudanas no cenrio
econmico global.
J est em funcionamento o novo siste-
ma de segurana do MASP (Museu de
Arte de So Paulo). Com 96 cmeras
e sete monitores de alta definio, o
sistema o mais avanado do mundo
em museus, informa a LG Security
System que doou cerca de R$ 1mi-
lho e meio ao projeto, iniciado em
janeiro de 2008. O novo Centro de
Monitoramento Avanado de Museus
tm cmeras de giro localizadas em
pontos estratgicos com capacidade
de aproximao de 444 vezes, a maior
disponvel no mercado.Outra inova-
o tecnolgica a cmera que fala
- por meio dela, as informaes so
transmitidas por voz pessoa que
monitora a central.
A nova atualizao do guia de produ-
tos da Atmel - para o inverno 2008
(inverno no norte do globo), j est
disponvel no endereo: www.onful-
fillment.com/atmel/. Para acessar
basta colocar seu usurio e senha, e
pesquisar os novos tens. A empresa
manufaturadora de semicondutores,
foi fundada em 1984. Sua produo
inclui as memrias EEPROM e Flash,
microcontroladores (incluindo o 8051,
a arquitetura ARM e sua arquitetura
prpria, a Atmel AVR), FPGAs, chips
para smartcard, RFID, interfaces RF,
CIs para automveis e outros com-
ponentes eletrnicos.
Crise Monitoramento Guia de Produtos
Diretor da National Instruments
fala sobre mudanas do setor automotivo
Durante o evento NI Automotive Day,
promovido pela National Instruments
no ms de novembro em So Paulo,
que contou com a presena de cerca
de 180 pesquisadores e engenheiros
ligados indstria automobilstica,
foram apresentadas as mais recentes
tecnologias voltadas a este segmento.
O Diretor Internacional de Marketing
da lder mundial em instrumentao
virtual, Dave Wilson, enfatizou o sta-
tus da classe mundial desta indstria
no Brasil. Segundo o executivo, o
consumo de carros no Pas maior
do que na Frana e na Gr Bretanha.
S em 2008 j foram vendidos cerca
de 3,25 milhes de automveis, sen-
do 90% deles com a tecnologia Flex.
Para Wilson, esta uma indstria que
est passando por grandes mudanas
muito rapidamente. A demanda por
produtos com recursos cada vez mais
sofisticados e de altssima qualidade. E a
eletrnica ser uma grande aliada neste
caminho, via recursos de software e
conectividade. At 2010, segundo da-
dos da ABI Research, 40% dos compo-
nentes de um carro sero eletrnicos.
O que representa um grande desafio
para os engenheiros do setor.
As principais dificuldades passaro a
situar-se na fase de testes e prototi-
pia. A maneira como se testava at
recentemente no funciona mais.
Hoje, devemos tentar achar os
problemas de um novo projeto no
mundo virtual e consert-los, antes
de fazer prottipos e testes no mun-
do real, e assim acelerar o ciclo do
desenvolvimento, diz Wilson.
Os processadores multicore trou-
xeram novas possibilidades para
as tecnologias mais avanadas. E a
linguagem grfica de programao La-
bVIEW, da National Instruments, tira
o mximo partido desta nova realida-
de, independentemente do nmero
de ncleos de um processador.
SE431_Acontece_vFinal.indd 13 18/12/2008 12:41:47
Fabieli de Paula
14 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
reportagem
O Futuro
dos Displays
M
ostrador touch screen dupla
face; monitor com imagens 3D;
tela de plasma do tamanho da
parede ou com apenas 0,05
milmetros de espessura; moldura de foto
em diodo orgnico emissor de luz (OLED);
display OLED com vida til mais longa e
com menor consumo de energia e at TV
digital porttil que cabe no bolso. A lista
no pra de crescer. So tantas as novidades
internacionais divulgadas este ano que fica
difcil acompanhar o mercado tecnolgico
mundial de produtos eletroeletrnicos.
Para reunir investidores, pesquisadores, es-
tudantes, governantes e at mesmo curiosos
da Amrica Latina, aconteceu no ms de
novembro o LatinDisplay 2008. O evento
apresentou diferentes tecnologias de fabri-
cantes e centros de pesquisa que apontam a
tendncia mundial de displays com imagem
em 3D para dispositivos mveis.
Durante o evento a LiquaVista mostrou
uma inovao de baixo consumo de energia
fazendo com que a bateria do celular dure
mais. A tecnologia permite que, por meio
O centro de gravidade da produo
de displays est no Extremo Oriente, en-
quanto as novidades em mostradores 3D
e flexveis vm em sua maioria da Europa
e Estados Unidos. Porm, em aplicaes,
a Amrica Latina tem um papel ativo. O
destaque a carteira estudantil equipada
com computador e tablete que est sendo
usada por alunos da rede pblica de ensino
do municpio de Serrana (SP), uma inovao
brasileira que est ganhando fora no Brasil
e fora dele. A pea gerou muita ateno no
LatinDisplay 2008, tanto na palestra que foi
ministrada pelo fsico Victor Pellegrini Mam-
mana, que inventor de um dos dispositivos
usados nessa ferramenta educacional, quanto
na exposio paralela ao simpsio, onde o
produto foi exposto afirma Engelsen.
O especialista acredita que a indstria
de displays passa por uma fase em que a
cooperao entre engenheiros e pessoal de
marketing que est funcionando como mo-
tor das inovaes em produtos de displays.
Isso ocorre em displays 3D, mostradores
flexveis e touch screens. Essas telas tor-
Veja nesta matria alguns destaques do
evento internacional - LatinDisplay 2008 e
descubra as novidades e perspectivas para a
tecnologia das telas
de muitas gotas de leo, os pixels mudem
de cor. A HP trouxe o projeto de um display
reflexivo, que no consome energia com a
imagem parada e gasta muito pouco com a
imagem em movimento, para vrios usos,
incluindo sinalizao externa. O projeto
mundial e tem participao de cientistas
brasileiros do CTI (Centro de Tecnologia
da Informao). J a Qualcomm desenvolveu
para os celulares o display que fica sempre
ligado sem gastar energia. O destaque da
fabricante so displays muito brilhantes
sob a luz solar.
Houve tambm um simpsio, onde
aconteceram palestras ministradas por re-
presentantes internacionais dos setores de
pesquisa e desenvolvimento (P&D) e produ-
tivo de displays. Segundo o organizador do
programa do simpsio, Daniel den Engelsen
que um dos principais especialistas em tec-
nologias para displays do mundo, apesar de
a Amrica Latina hoje representar um papel
insignificante na produo de mostradores
de informao, a regio tem um papel ativo
nas aplicaes desses produtos.
SE431_Reportagem.indd 14 12/12/2008 16:25:52
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 15
reportagem
E
Joe Valle, secretrio de Cincia e
Tecnologia, escreve sobre a tela da
carteira digital.
naram-se uma febre por causa do iPhone,
da Apple. J as 3D so a nova moda nos
Estados Unidos, onde muitos cinemas esto
investindo nessa tecnologia.
Para Engelsen, os novos displays reflexi-
vos que praticamente no consomem ener-
gia dependero muito de sua performance
de imagem para ganhar mercado, pois tero
que apresentar bom contraste, representa-
o e iluminao. J os displays flexveis, avalia,
atingiro apenas nichos de mercado. A no
ser que algum encontre um meio para com-
binar uma forma agradvel de utilizao com
um dispositivo mvel, como por exemplo,
quem sabe, vestir o display?.
Para o consumidor dessas novidades em
displays, Engelsen lembra que o mais impor-
tante uma boa performance de imagem:
iluminao suficiente e conveniente; cores
de alta fidelidade; alto contraste; eliminao
dos reflexos de iluminao do ambiente; e
ausncia de artefatos ao se assistir filmes,
por exemplo. Esse um problema presente
nas telas de TV LCD que sofrem de manchas
de movimento. As solues que reduzem
as manchas de movimento ainda no foram
implementadas nos produtos atuais, um dado
importante para quem est pensando em
comprar um LCD agora.
Logo depois da performance de imagem,
o pesquisador cita que vem a facilidade de
se colocar informao no display. O iPho-
ne um bom exemplo de como uma tela
touch screen facilita enormemente o uso
e torna a vida dos consumidores mais fcil.
Essa caracterstica tambm o ponto alto
da carteira estudantil brasileira. Em vez de
usar o clssico mouse, qualquer um pode
facilmente desenhar e escrever on line na
carteira, por meio do tablete ou touch scre-
en, e ela ainda permite trabalho interativo
entre duas ou mais pessoas. O prximo
passo na digitalizao do mundo, segundo
ele, o protocolo de TV de Internet (IPTV).
Alm de poder assistir TV de qualquer
parte do mundo, qualquer um poder fa-
cilmente baixar informaes da internet na
tela de seu televisor. Isso vai tornar a vida de
muita gente mais fcil. IPTV precisa ainda de
estrutura adequada: cabos de fibra de vidro,
nova compresso de vdeo etc. A China est
seguindo nessa direo.
Em relao questo tecnolgica dos
displays, Engelsen conclui que os OLEDs
sero mais importantes na prxima dcada.
Isso porque eles podem ser produzidos por
custos menores que os LCDs, tm menor
consumo de energia e excelente perfor-
mance de imagem. A Sony lanou a primeira
TV OLED de 11 polegadas em dezembro de
2007 e sua performance arrasadora! Tanto
a Samsung quanto a Sony esto planejando
lanar novos modelos em 2009, antecipa. Ele
diz que a tecnologia CRT (sigla para tubos
de raios catdicos) ser obsoleta em cinco
anos, enquanto os LCDs vo dominar o ce-
Carteiras digitais
O governo federal, por meio da
Secretaria da Cincia e Tecnologia
para a Incluso Social (SECIS), que
pertence ao Ministrio da Cincia e
Tecnologia, anunciou durante o Latin-
Display 2008, que as salas de aula do
futuro, informatizadas, so prioridade
para o prximo ano.
O Projeto Alvorecer, caracterizado
pelas carteiras digitais - com com-
putadores acoplados - e ferramentas
pedaggicas (softwares e materiais),
vai ser levado para outras escolas da
rede pblica do Brasil. O projeto
prioridade para a secretaria em 2009
e objeto do convnio que vai ser
assinado entre a Abinfo (Associao
Brasileira de Informtica) e a SECIS
no comeo do prximo ano. Este o
projeto estratgico da secretaria para a
democratizao do ensino no pas, disse
Joe Valle, secretrio de Cincia e Tecno-
logia para a Incluso Social do Ministrio
da Cincia e Tecnologia.
O projeto j aplicado em Serrana,
interior paulista. Serrana o grande
laboratrio para o pas. Vamos aproveitar
a expertise, a experincia que deu certo.
E o nosso modelo para replicar no
Brasil, comenta. De acordo com Valle,
o governo liberou em 2008 cerca de R$
1,5 milho para pesquisas com a carteira
digital e a implantao do sistema em
Serrana.
Serrana tem atualmente 160 carteiras
digitais (Lap Tup-niquim). Segundo o dire-
tor do projeto na Prefeitura de Serrana
(SP), Miguel Joo Neto, a partir de agora
o foco ser estender o contedo e
as novas ferramentas pedaggicas
que integram o Projeto Alvorecer.
A tecnologia do CTI est pronta
para ser levada para as escolas. Agora,
vamos iniciar o processo para com-
plementar a soluo tecnolgica, por
meio de convnios para a ampliao
do contedo. Um dos softwares, por
exemplo, tem recursos semelhantes
ao usado pela NASA (EUA).
nrio na prxima dcada. Ele ressalta que os
investimentos para fabricao de LCD esto
incrivelmente altos e que os grandes players
desse mercado so Samsung, LGE, Sharp,
AUO e CMEL. A competio entre elas
extremamente agressiva. Se uma fbrica no
ocupa sua capacidade plena, est perdendo
dinheiro por causa dos custos fixos e depre-
ciao de equipamento especial carssimo.
Agora, com a crise econmica, estas compa-
nhias devem reduzir seus investimentos em
fbricas de gerao 10.
NXP Novo 1
Cypress 1
Cika 1
Atmel 1
Texas 1
Monitor 1
Honeywell 1_3
Alv 1_4
Burklin 1_2
Agilent 1
Metaltex 2_3
Tato 1_4
ST Micro 1
National 1
Portal 1
SE431_Reportagem.indd 15 12/12/2008 16:25:35
16 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Desenvolvimento
Newton C. Braga
Diferente dos antigos circuitos analgicos, a maioria dos circuitos
modernos utiliza fontes chaveadas. As fontes chaveadas ou Switched
Mode Power Supplies (abreviadas por SMPS) geram um elevado nvel
de interferncias e rudos, ou seja, EMI e RFI.
Para evitar que os rudos e interferncias geradas se propaguem atravs
da rede de energia, devem ser usados filtros. Neste artigo, abordamos
alguns tpicos da tecnologia dos filtros em modo comum, assim como
a maneira como eles so utilizados
Conhea os filtros
EMI/RFI em modo comum
F1.Evitando que o sinal se progague.
F2.Filtro em modo comum e
diferencial interligados.
C
ircuitos de comutao rpida, como
os usados em fontes de alimentao
chaveada, podem gerar rudos e
sinais de altas freqncias que se
propagam tanto pelo ar quanto atravs da
rede de energia.
Para evitar que os sinais se propaguem
atravs da rede de energia alcaando
outros equipamentos ligados na mesma
rede, e que sejam sensveis, devem ser
utilizados filtros.
Conforme mostra a figura 1, esses filtros
so normalmente intercalados entre o apa-
relho interferente e a rede de energia.
No caso especfico das fontes de alimen-
tao chaveadas, so raros os projetos que
no incluem um ou mais filtros, observe a
figura 2. Esses filtros podem ser do tipo
em modo comum (common mode) ou
diferenciais (differential).
Na maioria dos casos, entretanto, o
uso de um nico filtro em modo comum
j consegue eliminar at 90% do rudo
gerado, dispensando-se assim o filtro
diferencial adicional.
Para os leitores que tm problemas
de rudos e RFI gerados em circuitos
comutadores de alta velocidade, como os
das fontes chaveadas, ser interessante
entender mais sobre o funcionamento dos
filtros em modo comum.
SE431_Conhecaosfiltros.indd 16 16/12/2008 17:29:13
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 17
O filtro em modo comum
No filtro em modo comum existem
dois enrolamentos que so ligados cada
um em srie com uma das fases do sinal de
alimentao, conforme ilustra a figura 3.
As conexes dos enrolamentos devem ser
feitas de tal maneira que os fluxos criados
pelos enrolamentos tenham sentidos em
que um tenda a cancelar o outro. Dessa
forma, a impedncia apresentada pelo dis-
positivo se torna prxima de zero (existem
apenas pequenas perdas pela fugas e pela
resistncia dos enrolamentos).
Conforme mostra a figura 4, o rudo
gerado por uma fonte chaveada aparece
normalmente em uma das fases, ou nas
duas, e consiste numa componente de alta
freqncia. No entanto, como essa corrente
F3. Filtro de modo comum.
F5. Impedncia Zt de uma toride.
F4. O rudo retorna na outra fase.
F6. Grfco da permeabilidade
e fator de perda do material.
F7. Impedncia x Freqncia.
F8. Representao do Ncleo Toroidal.
F9. Determinando o tamanho do ncleo.
material para se fabricar um indutor para
um filtro o ferrite. Esse material oferece
a mais elevada impedncia na faixa de
freqncias dos rudos que devem ser
eliminados. Na figura 5 temos uma curva
em que mostramos a impedncia Zt de um
toride de ferrite em funo da freqncia
do sinal. Observe que os valores mximos
so alcanados entre 1 e 10 Mhz.
encontra nos enrolamentos uma impedn-
cia elevada, pois ela no cancelada pela
corrente de retorno, isso quer dizer que
a tenso em modo comum que aparece
cancelada pelo indutor. O resultado que
o sinal no passa para a rede de energia,
propagando-se at outros equipamentos
que sejam sensveis.
O material do indutor
A maioria das fontes chaveadas comuns
opera com freqncias entre 20 e 200 kHz.
O rudo gerado nessas fontes tem normal-
mente uma faixa de freqncias entre 200
kHz e 50 Mhz, o que significa que o melhor
SE431_Conhecaosfiltros.indd 17 12/12/2008 17:41:01
18 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Desenvolvimento
No mesmo grfico temos a reatncia
indutiva em srie (Xs) e a resistncia em
srie (Rs) do enrolamento, as quais so
funes da permeabilidade e do fator de
perdas do material, que, geram juntos a
impedncia total do dispositivo, a qual
est plotada.
Esse grfico revela que nas baixas fre-
qncias, a reatncia indutiva Xs iguala a
impedncia total, enquanto que nas altas
freqncias a resistncia em srie que
contribui mais para a impedncia total.
Quando a freqncia aumenta, par-
tindo de um baixo valor, a resistncia em
srie cresce e comea a se somar com a
reatncia em srie criando Zt, a impedncia
total. Em aproximadamente 700 kHz, a
reatncia decrescente iguala a resistncia
que aumenta. Acima dessa freqncia, a
resistncia em srie que contribui mais
para a impedncia total. Na figura 6 temos
um grfico em que a permeabilidade e o
fator de perda do material usado (ferrite) se
comportam em funo da freqncia.
Observe que a permeabilidade caindo
depois dos 700 kHz, faz com que a reatncia
indutiva caia tambm, e o fator de perda
aumentando com a freqncia faz com que
a resistncia se torne o fator dominante
na determinao da impedncia nas altas
freqncias.
Note que na figura 6 a impedncia
total tem seu valor mais elevado, e por-
tanto de maior utilidade como material de
filtro, em freqncias entre 1 e 20 MHz.
Isso ocorre devido s perdas do material,
e somente com pouca contribuio da
permeabilidade.
Fica claro ento que a faixa de fre-
qncias onde um material til num
filtro, impossvel de identificar a partir
da permeabilidade e fator de perdas em
baixas freqncias.
A melhor maneira de identificar o
melhor material utilizando curvas com-
parativas (impedncia x freqncia), como
a ilustrada na figura 7.
Nessa figura temos as curvas (impedn-
cia x freqncia) de trs tipos de ferrites. O
material J tem uma impedncia total alta
na faixa de freqncias de 1 a 20 MHz,
sendo o mais utilizado para se enrolar
filtros de modo comum.
J o material W, tem 20% a 50% mais
impedncia do que o material J em freq-
ncias abaixo de 1 MHz. Por esse motivo,
esse material preferido para enrolar filtros
onde o rudo de baixa freqncia o pre-
dominante.O material K, por outro lado,
recomendado para o caso em que os rudos
de alta freqncia predominam. Na faixa
acima de 2 MHz, esse material tem 100%
mais impedncia que o material J.
Formato do ncleo
A geometria mais popular para o
enrolamento de filtros EMI/RFI a que
faz uso de ncleos toroidais, veja a figura
8. Todavia, entre os dois enrolamentos,
utilizado um divisor no metlico, cuja
finalidade permitir sua fixao numa
placa de circuito impresso.
O ncleo E mais caro do que o
ncleo toroidal, mas o seu uso tem suas
vantagens. A montagem mais barata e as
bobinas prontas tem recursos para serem
E
SE431_Conhecaosfiltros.indd 18 12/12/2008 17:41:16
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 19
fixadas mais facilmente nas placas de
circuito impresso. O prprio enrolamento
exige mquinas menos sofisticadas, sendo,
por isso, mais econmico.
Deve-se considerar ainda que os ncle-
os E apresentam uma fuga de indutncia
maior do que os ncleos toroidais, mas
possvel utilizar um gap que aumenta
essa fuga, e com isso fazer o dispositivo
absorver tanto os rudos em modo comum
quanto os diferenciais.
Curvas de impedncia
O tamanho do ncleo para um determinado
filtro pode ser determinado a partir da im-
pedncia desejada e das curvas impedncia
x freqncia do material. Na figura 9 temos
alguns exemplos dessa curvas.
Considerando o espao no projeto
disponvel para a instalao do filtro,
selecione um ncleo a partir do grfico
na figura 9. Para obter uma impedncia
especfica, divida a impedncia desejada
pela impedncia por volta ao quadrado
(Z/N 2), obtida no grfico na freqncia de
interesse. O quadrado desse nmero nos
dar o nmero de espiras que devem ser
enroladas no ncleo selecionado. Se esse
nmero de espiras no couber no ncleo,
um ncleo maior dever ser escolhido. No
ser preciso levar em conta a possibilidade
de haver saturao do ncleo, pois a maioria
dos rudos em modo comum de baixas
tenses. As curvas mostradas nos grficos
foram obtidas no site da Magnetics (www.
mag-inc.com) e so tpicas para ncleos
comuns, com uma tolerncia de 30%. As
variaes normalmente so devidas s
mudanas do dimetro do fio usado e sua
colocao no enrolamento.
Concluso
Conforme os leitores perceberam, no
difcil projetar um filtro EMI/RFI para uma
fonte chaveada usando torides comuns.
O prprio comportamento do mate-
rial e a distribuio das freqncias que
devem ser eliminadas numa faixa que
praticamente inerente s propriedades
dos ferrites, facilita as coisas. Se o leitor
estiver com problemas de EMI/RFI em
fontes chaveadas de circuitos os mais
diversos, por que no projetar e incluir
um filtro baseado nas informaes dadas
neste artigo? E
SE431_Conhecaosfiltros.indd 19 16/12/2008 16:55:58
20 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Desenvolvimento
A
lguns acreditam que escolher
componentes com os mais bai-
xos nveis de rudo ir garantir
a operao otimizada de um
circuito de condicionamento de sinais.
Isto no verdade embora seja um
bom ponto de partida.
O problema que os datasheets for-
necem informaes muito limitadas, sem
especifcar a origem do rudo, como o
rudo varia com o tempo, temperatura e
confgurao do circuito, para citar apenas
alguns exemplos de fatores que possuem
infuncia no desempenho de um circuito
em relao ao rudo.
O desenvolvimento de projetos com
baixo rudo fundamental para os dispo-
sitivos atuais, sejam portteis ou no.
Com a reduo do valor da tenso de
alimentao das aplicaes atuais (devido
necessria reduo de consumo e para
operao efciente com baterias) os sinais a
serem medidos ou monitorados possuem
valor semelhante ao dos nveis de rudo.
Devido a reduo da alimentao,
ocorre uma reduo no valor do LSB
(Least Significant Bit) ou bit menos
signifcativo. Por exemplo, imagine um
sensor que gere uma sada de 30 mV
mximo. Para um sistema de 12 bits,
LSB ir representar um sinal de 3,5 V.
Qualquer rudo referenciado a entrada
com valor de 1 V ir afetar signifcati-
vamente a medio.
Tpicos em Eletrnica
Analgica: Rudo
J a algum tempo os proble-
mas relacionados com o rudo ge-
rado pelo prprio sistema no se
limitam s aplicaes industriais
e cientfcas. Aquisies de dados
com alta resoluo e medies
de preciso j fazem parte de
equipamentos de uso geral e, em
especial, a aplicaes portteis
alimentadas a bateria.
Nestes casos o desafo maior
devido s tenses baixas encon-
tradas em equipamentos alimen-
tados por baterias. A preciso do
sistema depende totalmente do
nvel de rudo de fundo.
Para obter o melhor desempe-
nho de um circuito de condicio-
namento de sinais deve-se levar
em conta todas as fontes de rudo,
mesmo no nvel de componentes,
e entender sua contribuio no
nvel de rudo geral do sistema
Roberto Cunha
Qualquer circuito analgico que ir
alimentar um conversor analgico-digital,
deve possuir rudo baixo para evitar a
reduo da relao sinal-rudo (SNR).
A perda na relao sinal rudo, em
dB, devido a um amplifcador ser dada
pela equao:
Onde:
N
ADC
o rudo rms, em V, do
ADC,
f
-3dB
a largura de banda (-3 dB)
do ADC ou a freqncia de corte
do fltro de entrada,
N o ganho de rudo do ampli-
fcador,
E
n
a densidade espectral de
rudo de entrada do amplifcador
operacional em nV/Hz
FSR a faixa total de entrada do
ADC (10 V para uma faixa de
entrada de +/- 5V, por exemplo).
Um sistema mal projetado ir degra-
dar a relao sinal/rudo desperdiando a
preciso de um sistema com conversores
analgico/digitais de alta resoluo.
A obteno de medies precisas em
circuitos de alta resoluo depende do
SE431_Ruido.indd 20 16/12/2008 18:16:12
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 21
nvel de rudo do sistema. O mximo
valor que pode ser obtido na relao
sinal/rudo ser:

Rudos relacionados com
os componentes
Vrios fatores devem ser considerados
durante o desenvolvimento de amplifca-
dores de baixo rudo utilizando ampli-
ficadores operacionais, principalmente
cada tipo de rudo, seu comportamento
e sua contribuio no desempenho geral
do sistema.
Rudo Johnson ou Trmico
Um resistor qualquer solto sobre uma
mesa ter uma quantidade prpria de
rudo associada a ele. Esse tipo de rudo,
conhecido como Rudo Johnson, no est
relacionado qualidade do resistor e sua
tenso ser igual a
Onde:
k = Constante de Boltzmann ou
1,38 x 10
-23
J/K
T = Temperatura absoluta em
kelvin
R = valor da resistncia em ohms
B = largura de banda em Hz
Dessa forma, um resistor de 100 ko-
hms apresentar um rudo igual a 40nV
rms para uma largura de banda de 1 Hz e
temperatura de 25 C (298 kelvin).
Este tipo de rudo aleatrio, mas
possui uma distribuio gaussiana, o que
fornece um espectro de freqncia plano.
O rudo Johnson independente e
sempre presente.
Em circuitos de baixo rudo, o rudo
Johnson gerado por um resistor externo
ser, geralmente, o fator limitante e que
no pode ser facilmente reduzido.
Rudo Schottky ou Shot
O rudo Schotky est associado com
a corrente que circula em uma juno
PN, ocorre devido s futuaes dessa
corrente. Quanto menor a corrente, mais
dominante ser o rudo Schotky, e seu
valor dado por:
Onde:
q = c ar ga do e l t r on ou
1,6 x 10
-19
C
I
o
= corrente DC de operao
B = largura de banda em Hz
Da mesma forma que o rudo Johnson,
o rudo Schotky aleatrio e possui dis-
tribuio gaussiana.
Rudo Flicker ou 1/f
Tanto os amplifcadores operacionais
como os resistores apresentam caracte-
rsticas de rudo diferentes do que seria
esperado a partir do clculo do rudo
Johnson. Em baixas freqncias o rudo
signifcativamente ampliado e segue uma
caracterstica 1/f, isto , o espectro de rudo
apresenta uma quantidade igual de potn-
cia por dcada de freqncia. Este rudo
conhecido como Flicker altamente depen-
dente da qualidade de ambos, amplifcador
operacional e resistores. Um resistor de
fo ir apresentar menos rudo do que um
resistor equivalente de carbono.
No caso dos amplifcadores operacio-
nais, o rudo Flicker depende da quali-
dade e do nvel de cuidado empregado
em seu projeto, alm do processo de
fabricao utilizado.
Rudo
Popcorn
Este tipo de rudo recebe esse nome
porque, quando reproduzido em um
altofalante, soa como pequenos estou-
ros. caracterizado por variar entre
diferentes nveis de rudo e pode durar
entre milissegundos at segundos. Bons
componentes de baixo rudo no apre-
sentam esse tipo de rudo.
Somatrio das fontes
de rudo
Podemos ver na fgura 1 o diagrama
de um amplifcador com a indicao das
diversas fontes de rudo do sistema.
As fontes de rudo so aleatrias
e dessa forma devem somadas geo-
metricamente (RMS). A frmula mais
reconhecida para obteno do rudo
total de um circuito com amplifcador
operacional que inclui os diferentes tipos
de rudo :
Onde:
Vn = tenso de rudo do amplif-
cador operacional
In = corrente de rudo do ampli-
fcador operacional
4kTRext = rudo Johnson dos
resistores externos
F1: circuito amplifcador para condiciona-
mento de sinais mostrando suas fontes
de rudo.
F1. circuito amplifcador para condicionamento
de sinais mostrando suas fontes de rudo.
SE431_Ruido.indd 21 16/12/2008 17:27:24
22 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Desenvolvimento
Rudo relacionado com um
amplificador operacional
importante conhecer os compromis-
sos que devero ser assumidos durante o
projeto do amplifcador. Como eles afetam
o desempenho da aplicao, importante
saber como o componente foi projetado
e qual o processo utilizado na sua fabri-
cao. As informaes contidas em um
datasheet no so sufcientes para uma
escolha efetiva.
A caracterstica de rudo de um ampli-
fcador bipolar dependente da corrente
quiescente (polarizao DC). O que funcio-
na para minimizar Vn, isto , baixa resis-
tncia de base rb e alta corrente de coletor
Ic, o oposto do necessrio para minimizar
In. Este o maior compromisso a ser as-
sumido em projetos com amplifcadores
bipolares. Componentes que apresentam
circuitos de cancelamento de Ib introdu-
zem rudo correlacionado, que deve ser
levado em conta na anlise de rudo do
circuito. Componentes com compensao
de polarizao possuem corrente de rudo
maior do que a prevista pela corrente de
polarizao Ib.
Componentes CMOS apresentam
rudo de contribuintes diferentes em
diferentes regies de operao. Ajustes
podem ser feitos para se obter melhor
desempenho em rudo, mas sempre tero
implicaes na aplicao fnal. O rudo
Flicker (1/f) inversamente proporcional
largura e comprimento do transistor, ento
para reduzir o rudo, projetistas utilizam
transistores com maior geometria nos es-
tgios de entrada. Essa escolha provoca o
aparecimento de capacitncias de entrada
maiores que podem se tornar fatores limi-
tantes para a aplicao.
Componentes CMOS possuem corrente
de rudo muito menor quando comparada
com componentes bipolares. A corrente de
rudo pode ser desprezada em temperatura
ambiente, mas poder ser um problema
com o aumento de temperatura.
Comparado aos componentes bipola-
res, os que utilizam JFETs, que possuem
baixo gm, tendem a apresentar tenses de
rudo maiores para condies de operao
similares. Sua tenso de rudo tambm
contm rudo Flicker, mas apresentam
melhores correntes de rudo do que os
bipolares. Sua corrente de rudo In pode
ser desprezada em temperatura ambien-
te, mas com o aumento de temperatura
comea a ser um problema e ir dobrar
para cada aumento de 20C, j que a cor-
rente de polarizao IB ir dobrar a cada
10C. Muitos amplifcadores operacionais
JFET optaram por trocar tenso de rudo
por maires capacitncias de entrada. Uma
simples comparao entre trs tecnologias
pode ser vista na tabela 1.
Aps a escolha do sensor e amplif-
cador a ser utilizado, deve-se escolher os
outros componentes que iro formar o
circuito. A melhor escolha , geralmente,
utilizar resistores de pequeno valor que
iro reduzir o efeito da corrente de rudo
do amplifcador operacional. Os resistores
iro introduzir sua parcela prpria de ru-
do que ir elevar o nvel mnimo de rudo
do sistema.
O rudo introduzido pelos resistores
no deve dominar o rudo do sistema.
Reduzir a largura de banda da medio
uma boa prtica no projeto de circuitos de
condicionamento de sinais de baixo rudo.
Isso pode ser obtido com circuitos simples
de um plo ou com fltros ativos complexos
de ordem mais elevada.
Como pode ser visto nas equaes
apresentadas, a largura de banda um
item crtico no clculo do rudo de um
sistema. Quanto maior for a freqncia
de operao, maior ser a quantidade
de rudo presente. Um circuito de baixo
rudo dever possuir a mxima limitao
possvel em sua largura de banda.
A largura de banda de rudo em um
amplifcador operacional normalmente
limitada por uma rede RC. Mas impor-
tante lembrar que a largura de banda de
rudo no igual largura de banda da
rede RC. Se o fltro possuir uma baixa taxa
de corte (rollof) a contribuio de sinais
com freqncias maiores do que a freq-
ncia de corte do par RC pode ser muito
maior do que o esperado. A largura de
banda de rudo de um fltro passa baixas,
do tipo Buterworth, de 1 ordem ser igual
a 1,57 x f
-3dB
do fltro. Isso representa mais
de 50% de aumento.
Um fltro de 2 ordem, pelo menos,
recomendvel. Na tabela 2 podemos ver a
contribuio na largura de banda de rudo
de fltros de diversas ordens.
Um mtodo para projeto
Iniciando com a escolha de um sensor e
suas caractersticas, rudo, impedncia, res-
posta de freqncia e nvel de sinal, obter o
menor rudo referenciado entrada (RTI)
ir otimizar a relao sinal/rudo (SNR).
Em vez de lidar com as necessidades
de ganho e potncia primeiro e, a, lutar
com os problemas de rudo, pode ser mais
interessante iniciar o projeto focando no
baixo rudo.
Como o processo iterativo, inicie
considerando se o amplifcador ir operar
com banda larga ou na regio 1/f.
Em seguida selecione os componentes
ativos para o melhor desempenho em
relao ao rudo. Escolha os componentes
passivos e limite a largura de banda.
Analise as caractersticas que no so
relacionadas com o rudo, como impe-
Bipolar CMOS JFET
Tenso de rudo o melhor bom melhor
Corrente de rudo bom o melhor melhor
Freqncia de Corner o melhor bom melhor
Sensibilidade temperatura o melhor melhor bom
Tabela 1. Desempenho em rudo para diferentes processos de fabricao.
Ordem do fltro Largura de banda de rudo
1 1,57 x f
-3dB
2 1,11 x f
-3dB
3 1,05 x f
-3dB
4 1,03 x f
-3dB
Tipo Brick Wall 1,00 x f
-3dB
Tabela 2. Largura de banda de rudo em funo da ordem do fltro utilizado.
SE431_Ruido.indd 22 16/12/2008 17:27:50
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 23
dncia de entrada, consumo de corrente
e ganho em malha aberta.
Continue este processo at que se
encontre uma soluo que atenda todas
as necessidades do sistema de forma sa-
tisfatria.
Utilizando o circuito da fgura 2 e subs-
tituindo o amplifcador operacional por
unidades com diferentes nveis de rudo
interno, podemos verifcar sua infuncia
no rudo de sada.
A densidade de rudo de um ampli-
fcador possui muita infuncia no nvel
de rudo na sada do amplifcador, como
pode ser observado na fgura 3. Onde so
mostrados os nveis de rudo na sada para
vrios dispositivos, todos confgurados
para um ganho de 1000.
possvel que, em alguns casos, um
amplifcador operacional com uma densi-
dade de rudo de banda larga maior seja
mais adequado que outro com especifca-
o menor. Se o sensor operar em freq-
ncias muito baixas, um amplifcador com
baixo rudo 1/f ser melhor opo.
Amplificadores operacionais tipo
Auto-zero corrigem erros que aparecem na
entrada continuamente. Como o rudo 1/f
se aproxima assintoticamente do nvel DC,
ele tambm ser corrigido. Esses amplifca-
dores so indicados para condicionamento
de sinal de sensores de baixa freqncia.
Para projetos de baixa tenso de alimen-
tao, sadas e entradas do tipo Rail-to-Rail
(RR) podem ser mais apropriados. Como a
tenso de modo comum vai de um extremo
da alimentao at o outro, um par dife-
rencial de entrada opera quando o outro
par para de trabalhar. Variaes bruscas de
tenses de ofset e corrente de polarizao
de entrada podem causar distoro.
Para lidar com esse problema, alguns
amplifcadores operacionais utilizam cir-
cuitos do tipo charge pump internos para
eliminar distoro de crossover na tenso
de entrada.
Dependendo do projeto, o circuito
charge pump pode produzir rudo que ir
aparecer na sada do amplifcador causando
problema se o rudo estiver dentro da banda
de interesse. Neste caso aconselhvel o uso
de um analisador de espectro para verifcar
se a amplitude e freqncia forem muito
menores do que a do sinal.
Amplifcadores operacionais bipolares
mais novos utilizam tcnicas para cancelar
parcialmente a corrente de polarizao
de entrada. Essa tcnica pode adicionar
correntes de rudo.
recomendvel a escolha de trs ou
quatro dispositivos de baixo rudo. Leve
em conta suas tecnologias. Verifque se tc-
nicas especiais de projeto, como auto-zero,
cancelamento de corrente de polarizao ou
amplifcadores rail-to-rail, por exemplo, so
adequadas para seu circuito. Procure fotos
da pastilha semicondutora mostrando a
rea dos transistores de entrada, lembrando
que transistores maiores apresentam menor
rudo mas capacitncia maior.
Projetos de baixo rudo devem utili-
zar resistores de baixo valor, portanto os
estgios de sada devem ser capazes de
suportar cargas maiores. Aps a escolha
do amplifcador operacional, devem ser
escolhidos os resistores e capacitores. A
escolha inadequada de resistores ir au-
mentar muito o rudo do sistema.
Alm dos resistores, capacitores tam-
bm devem ser utilizados para compen-
sao e reduo de rudo. Componentes
reativos no adicionam qualquer rudo,
mas corrente de rudo circulando neles
provocam o aparecimento de tenses de
rudo que iro entrar no sistema.
Concluso
Projetos de amplifcadores de baixo
rudo para condicionamento de sinais
de sensores com baixo nvel de sada
necessitam que se fque atento a diver-
sas caractersticas que normalmente
so desprezadas em outros tipos de
aplicao.
Todas as consideraes a respeito
das fontes de rudo, intrnsecas aos
componentes utilizados, devem ser
levadas em considerao. A tecnologia
e processo de fabricao dos amplifca-
dores operacionais so importantes no
desempenho fnal do circuito.
E por fm, extremamente impor-
tante que baixas impedncias sejam
utilizadas ao redor do amplifcador para
minimizar os efeitos das correntes de
rudo, do rudo trmico e captao de
rudos atravs de interferncia eletro-
magntica (EMI).
F2. Circuito de condicionamento
de sinais.
F3. Nvel de rudo na sada de um amplifcador em funo
do rudo interno do amplifcador operacional.
E
SE431_Ruido.indd 23 12/12/2008 17:43:59
24 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Desenvolvimento
C
om o aumento da velocidade
de processamento dos sistemas
eletrnicos atuais, bem como o
emprego da nanotecnologia na
construo de circuitos, os problemas com
interferncias ( geradas e absorvidas ) tor-
naram-se um fator crtico para engenheiros
desenvolvedores e de aplicao. O merca-
do internacional, j h algum tempo, exige
um certifcado de garantia quanto EMI
(Electromagnetic Interference ), o qual tor-
nou-se obrigatrio para os fabricantes de
equipamentos eletrnicos: trata-se da EMC
( Compatibilidade Eletromagntica).
A inteno deste artigo explorar um
pouco a EMC, relacionando seus conceitos
fundamentais com os demais fenmenos
correlatos ( EMI, ESD, distrbios da rede
eltrica, etc. ) e propor algumas solues
para o projetista ou tcnico de aplicao.
EMC e EMI
A EMC e a EMI so conceitos interliga-
dos, porm, devemos entender de modo
claro a diferena que existe entre ambos,
pois comum encontrarmos confuses,
as quais apenas atrapalham a diagnose e
soluo de problemas.
A EMI o fenmeno fsico da inter-
ferncia eletromagntica, por exemplo,
quando ligamos um forno de microondas
prximo a uma TV, notamos a interfe-
rncia (rudo eletromagntico) tanto na
imagem como no som.
No exemplo dado, essa interfern-
cia pode chegar TV de duas formas:
irradiada atravs do ar, ou induzida
(Compatibilidade
Eletromagntica)
EMC
Saiba como esse assunto pode diferenci-lo no
mercado, e garantir a qualidade dos produtos e
servios na sua empresa ou no seu emprego
Alexandre Capelli
pela rede eltrica atravs do cabo de
alimentao.
Muitas vezes a EMI propaga-se das
duas formas, simultaneamente.
A EMC a caracterstica contrria a
EMI, isto , ela um parmetro que refete
o nvel de interferncia que determinado
equipamento emite.
A palavra compatibilidade, no que
se refere a EMC, signifca que determinado
dispositivo no emite interferncia eletro-
magntica acima do nvel compatvel com
sua categoria, e tambm apresenta deter-
minada imunidade a EMI ao seu redor.
Apenas para exemplifcar, os equipa-
mentos eletrnicos embarcados em um
avio devem ter altssima imunidade a
EMI, pois uma interferncia poderia cau-
sar um desastre. Resumindo, podemos
dizer que a EMI a doena e a EMC o
atestado de sade.
Ainda neste artigo, discorreremos so-
bre rgos e logstica de certifcao.
Tipos de Interferncias
Para melhor compreenso da EMC,
vamos explorar um pouco alguns con-
ceitos bsicos sobre os tipos de interfe-
rncias que um circuito eletrnico pode
sofrer, ou gerar:
a) Distrbios da rede eltrica:
Na revista Saber Eletrnica n 343
publicamos um artigo que analisa com
detalhes os tipos de distrbios que uma
rede eltrica pode apresentar. Como no
o foco deste artigo, no estudaremos cada
um deles novamente, porm, o importante
saber que anomalias da rede eltrica
(sags, spikes, distoro hormnica etc.)
so uma forma de rudo eltrico e podem
contribuir para a gerao de interferncias
eletromagnticas EMI.
b) ESD:
A ESD ( descargas eletrostticas) tam-
bm j foi alvo de nossos artigos (revista
n349 ) e, embora no possa ser classifca-
da como um rudo eletromagntico, esse
fenmeno um tipo de distrbio eltrico,
que se caracteriza por uma descarga el-
trica produzida pelo acmulo de cargas
armazenadas nos corpos. A ESD, alm
de danifcar componentes eletrnicos,
pode gerar EMI.
c) EMI:
Finalmente, temos o rudo eletro-
magntico propriamente dito, que
pode ser transmitido por irradiao ou
conduo.
A EMI pode ser causada de modo
contnuo (sempre presente), ou espora-
dicamente.
Podemos afrmar, portanto, que os
trs fennemos acima (distrbios da rede
eltrica, ESD e EMI) so as trs principais
fontes de interferncia em um circuito
eletrnico.
A seguir, analisaremos como interfe-
rncias de diferentes naturezas podem
gerar problemas semelhantes.
(*)Este artigo foi publicado na edio da SE n 350
SE431_EMC.indd 24 18/12/2008 12:12:55
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 25
ESD como EMI
A descarga eletrosttica (ESD) pode
ser uma fonte de interferncia eletromag-
ntica (EMI). Os problemas que a ESD
pode gerar transcendem as etapas de
manufatura de circuitos e demais etapas
fabrs. Mesmo o equipamento estando
em pleno funcionamento em campo, a
descarga eletrosttica gera interferncias
eletromagnticas cuja frequncia pode
variar de 300 a 100 MHz (Figura 1).
nessa hora que a ESD, mesmo se
inofensiva quanto a integridade dos cir-
cuitos, pode causar o mau funcionamento
do equipamento atravs da interferncia
eletromagntica.
Mas, fsicamente falando, como isso
pode ocorrer?
O primeiro conceito importante que o
tcnico ou engenheiro de campo deve en-
tender que no preciso uma descarga
eletrosttica direta sobre o equipamento
para que haja EMI. Na verdade, a ESD
gera campos eletromagnticos que po-
dem se propagar por mais de 10 m da
sua fonte.
Para melhor compreenso desse fen-
meno, vamos analisar um exemplo prti-
co. A fgura 2 mostra a ocorrncia de uma
ESD nas proximidades de uma mquina.
Suponha que essa mquina possua uma
placa eletrnica com um lay-out (circuito
impresso) que tenha, pelo menos, uma
espira quadrada (na prtica isso sempre
ocorre). Pela lei de Faraday temos:
Onde:
V = tenso induzida
N = n de espiras
A = rea da espira
B = densidade do campo eletromag-
ntico
L = distncia da fonte de ESD at a
espira formada.
Assumindo os seguintes valores:
N = uma espira
A = vide tabela Fig. 3
L = vide tabela Fig. 3
dI = 10 A
dt = 1 ns
PS: dI/dt = variao da corrente
pelo tempo.
E, aplicando a frmula V= N.A.B
podemos observar atravs da fgura 3,
como a ESD induz tenses no circuito.
No exemplo adotamos duas reas: 1 cm
2
.
Notem que para uma rea de 10 cm
2
a
uma distncia de 10 cm temos 20 volts
induzidos!
primeira vista podemos ter a falsa
impresso que a amplitude do fenmeno
no to grave assim, visto que a 3 m
temos apenas 0,7 V induzidos (bobina
de 10 cm
2
).
Ora, temos que lembrar que, atual-
mente, existem no mercado processado-
res alimentados com apenas 2,1V. Isso
signifca que 0,7 V corresponde a 30%
do total da alimentao.
Como proteger o equipamen-
to da EMI gerada pela ESD?
Para que uma proteo seja efciente
devemos atacar tanto a causa como
o efeito. Assim sendo, seguem agora
algumas tcnicas para atenuao tanto
da ESD como da EMI:
a) Dispositivos protetores:
H no mercado vrios tipos de pro-
tetores contra sobretenses, porm,
devemos ter cuidado na escolha, pois
nem todos so rpidos o sufciente para
eliminar a descarga eletrosttica.
O diodo zener uma boa opo. A
figura 4 ilustra dois deles ligados em
antiparalelo. Esse arranjo no permite
que tenses acima da nominal do zener
cheguem ao circuito.
F1. Interferncia eletromagntica gerada
por descarga eletrosttica.
F2. ESD prxima a
uma mquina.
F3. Tabela.
F4. Zeners ligados
em antiparalelo.
SE431_EMC.indd 25 12/12/2008 17:40:30
26 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Desenvolvimento
b) Filtros de alta frequncia:
O fltro pode ser ativo ou passivo, des-
de que sua atenuao tenha um range de
100 a 300 MHz. Eis aqui uma proteo que
atua no efeito e no na causa.
c) Ferrites:
Os ncleos de ferrite tipo toroidais
tambm so muito efcazes para eliminar
a EMI, no importando sua fonte. A fgura
5 traz um exemplo de aplicao.
d) Placas de circuito
impresso multifaces:
Essa tcnica, obviamente, somente
pode ser utilizada na fabricao do equipa-
mento. A razo da sua efcincia pode ser
facilmente entendida atravs da fgura 6.
Como temos vrios planos para dis-
tribuir as trilhas, evitamos a formao
de bobinas, o que difculta a recepo de
ondas eletromagnticas.
e) Aterramento:
O aterramento eltrico a melhor so-
luo contra ESD. No basta, entretanto, o
aterramento da planta da fbrica estar den-
tro das normas, se a mquina no estiver
com todas as suas partes bem aterradas.
Embora essa deva ser uma preocupa-
o do fabricante, caso o tcnico em campo
encontre uma simples portinhola metli-
ca sem aterramento, no custa colocar um
fo ligando-a no restante da mquina.
A fgura 7 mostra um exemplo de um
painel IHM aterrado.
H cerca de dois anos recebi uma so-
licitao de assistncia tcnica atpica.
Um cliente, que acabara de comprar
um Centro de Usinagem com CNC,
estava impossibilitado de utilizar sua
mquina porque o vizinho (ou melhor
vizinha) reclamava de interferncias
na faixa de rdio AM.
O caso quase tomou propores
em esfera legal, visto que a vizinha
em questo no conseguia ouvir
seu rdio AM nas estaes acima de
1000 kHz, quando a mquina entrava
em operao.
De fato, foi uma terrvel coincidncia,
pois, a mquina estava separada do
Outra amarga experincia em campo
rdio apenas pela espessura do tijolo
da parede divisria.
A primeira soluo que veio na minha
mente foi tentar mudar a mquina
para outro local na fbrica, mais dis-
tante do rdio. Isso no foi possvel
devido logstica de produo. A
segunda soluo foi tentar conversar
com a reclamante e mudar o rdio
de posio, porm, ela recusou-se de
imediato visto que dormia naquele
quarto, e era l que desejava ouvir
o rdio.
Bem, uma vez definido o problema,
comecei o processo de eliminao
da interferncia.
Lembre-se: uma simples portinha
no aterrada pode permitir a entrada de
EMI.
1 Tentativa:
O defeito ocorria apenas quando o
motor do eixo-rvore (principal e mais
potente motor da mquina) era ligado.
Na verdade, esse motor era acionado por
um inversor de frequncia. De imediato ,
diminu a freqncia de PWM do inversor,
a fm de que a EMI diminuisse na mesma
proporo.
Resultado:
A interferncia diminuiu, porm, ain-
da estava presente, e a vizinha continuava
insatisfeita.
F5. Ncleos
de ferrite.
F6. PCI tipo
multifaces.
F7. Aterramento com
fo em painel IHM.
SE431_EMC.indd 26 12/12/2008 17:40:39
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 27
2 Tentativa:
Alm da freqncia de PWM, ins-
talei um transformador isolado entre a
mquina e a rede eltrica. A inteno era
isolar a antena formada pelos cabos de
alimentao.
Resultado:
Pequena melhoria, mas ainda com
interferncia no rdio.
3 Tentativa:
Instalamos uma tela metlica na pa-
rede do cliente. A tela estava aterrada, e
servia como gaiola de Faraday.
Resultado: Inalterado.
4 Tentativa:
Retirei todas as modifcaes anterio-
res, e colocamos no lugar trs pequenos
ncleos toroidais de ferrite nos cabos de
alimentao do inversor.
Resultado:
Eliminao completa da interferncia.
Cliente e vizinha satisfeitos.
Que nos sirva de lio!
Dicas para o engenherio de-
senvolvedor ou tcnico de
campo
Antes de analisarmos as fontes de ali-
mentao como geradores de EMI, vamos
estudar trs conceitos importantes:
a) O esquema oculto
A fgura 8 mostra como os componen-
tes passivos (fos, capacitores, indutores e
resistores) se comportam na prtica. Po-
demos notar a diferena de performance
para baixa e alta freqncia. Um capacitor,
por exemplo, funciona como um circuito
LC, onde ele ganha um componente in-
dutivo em srie.
A resposta, conseqentemente, tam-
bm muda.
Essas diferenas entre componente
ideal e real devem ser observadas pelo
profssional de eletrnica.
b) Rudo comum x Diferencial
Outro fator importante a natureza do
rudo. Podemos encontrar, basicamente,
dois tipos de rudos: comum e diferencial.
Conforme observamos na fgura 9, o rudo
diferencial apresenta a polaridade inversa
F8. Componentes diferentes dos
componentes passivos.
em relao ao retorno. No rudo comum
temos a mesma polaridade, tanto para ida
como para volta.
O rudo diferencial predomina em fre-
qncias menores que 1 MHz. J o comum
para freqncias acima dessa.
c) Tipos de capacitores
Finalmente, a ltima dica quanto
ao tipo de capacitor para cada faixa de
freqncia.
A tabela a seguir mostra um resu-
mo do melhor capacitor a ser utilizado
em um fltro em vista da freqncia de
operao.
Fontes de
alimentao x EMI
Nas duas ltimas dcadas, a fonte de
alimentao chaveada substituiu quase
que na totalidade a linear. De maior ren-
dimento, menor peso e menor tamanho.
Esse tipo de fonte tornou-se ideal para os
circuitos modernos. Porm, ela apresenta
uma desvantagem em relao a fonte con-
vencional linear: o rudo eltrico emitido
pelo circuito chaveador.
As fontes chaveadas operam em fre-
qncias que variam de 20 kHz a 60 kHz.
Algumas delas, alm do circuito de cha-
veamento principal, tambm possuem o
regulador de tenso chaveado. O resultado
de tantos sinais modulados a EMI. A
fgura 10 ilustra os caminhos por onde a
EMI sai da fonte para a rede. Notem que as
pequenas capacitncias parasitas formadas
pelo transformador, transistor chaveado,
dissipador de calor e parte retifcadora so
sufcientes para transmitir o rudo eltrico
para a rede.
A fonte chaveada no apenas vil,
pois, alm de gerar rudo na rede, ela
tambm sensvel ao rudo emitido por
outros dispositivos. Spikes, sags e outros
distrbios podem causar sua queima.
F9. Polaridades dos
rudos.
SE431_EMC.indd 27 12/12/2008 17:40:49
28 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Desenvolvimento
Tipo Frequncia Mxima
Eletroltico de Alumnio 100 kHz
Eletroltico de Alumnio 1 MHz
Papel 5MHz
Mylar 10 MHz
Poliestireno ou Mica 500 MHz
Cermica 500 MHz
O remdio tanto para eliminar a
emisso de EMI quanto a sua recepo
o mesmo. A fgura 11 apresenta um
fltro que elimina rudos de natureza
diferencial e comum.
Embora esse fltro seja uma tima
soluo para a eliminao da EMI condu-
zida para a rede, necessitamos de outra
proteo para a EMI irradiada. Nesse
caso, a gaiola de Faraday bastante ef-
ciente para essa tarefa.
A fgura 12 mostra uma fonte de um
PC, onde podemos notar que ela est
confnada em uma caixa metlica que,
junto com o restante do gabinete, dever
ser aterrada. Mais uma vez, essa tcnica
protege o ambiente da EMI gerada pela
fonte e vice-versa.
Um dica ao desenvolvedor: Segundo a
IEEE-C62.41 (Prtica de Proteo de Fontes
de Baixa Tenso), uma fonte deve resistir a
uma sobretenso de 106%, e a uma subten-
so de 87% por um tempo mnimo de meio
ciclo de senide (8,33 ms) sem apresentar
variaes carga.
Regulamentao
Finalmente, vamos s principais di-
cas sobre regulamentao da EMC. Na
verdade, as normas e procedimentos sobre
regulamentaes da EMC tiveram origem
na Europa em 1996.
O objetivo das normas estabelecer
limites para a emisso de EMI, e suscepti-
bilidade a ela. A regulamentao interna-
cional divide-se em duas classes:
A = equipamentos industriais e/ou
comerciais.
B = equipamentos residenciais
Independente da classe, as normas
tm trs principais origens: Normas
Europias, Inglesas, ou Comisso Inter-
nacional.
As normas europias iniciam seu
cdigo por EN (European Norm) , por
exemplo: EN61000-4- As inglesas por BSI,
porm, embora de cdigos distintos no
prefxo, so equivalentes na funo (por
exemplo: BSI 61000-4-2). J as normas
da Comisso Internacional iniciam seus
cdigos por IEC (International Electro-
technical Commission).
A exceo s regras acima so as
normas especfcas para Eletromedicina
e Sistemas de Informao, que iniciam
por CISPR.
Abaixo seguem as sete principais
normas sobre compatibilidade eletro-
magntica.
CISPR11: emisso para equipa-
mentos mdicos
CISPR22: emisso para equipa-
mentos de informao
IEC61000-4-2: limite para imuni-
dade a ESD
IEC610100-4-3: limite para imu-
nidade a RFI (interferncia por
radiofreqncia)
IEC61000-4-4: limite para imuni-
dade a EFT (transiente extrema-
mente rpido)
IEC61000-4-5: imunidade a tran-
sientes (picos)
IEC61000-4-6: imunidade a RFI
conduzida.
Concluso
Mas, sendo um fabricante de equi-
pamentos, como posso obter o certifcado
de EMC para o meu produto?
Semelhante ao processo de gesto de
qualidade ISO 9000, podemos encontrar
no mercado rgos certificadores de
EMC.
A maioria desses rgos, alm da cer-
tifcao, tambm oferecem consultoria,
enquadrando cada caso nos padres
internacionais.
Cabe lembrar que esse certifcado
fundamental (obrigatrio) para quem
pretende exportar produtos para a Co-
munidade Europia e Estados Unidos.
F10. Caminhos da EMI da
fonte para a rede.
F11. Filtros contra rudos
(diferencial e comum).
SE431_EMC.indd 28 12/12/2008 17:41:00
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 29
Mais uma vez solicito aos leitores
que nos enviem suas crticas e sugestes
sobre este e demais artigos desta revista.
No se esqueam que sua contribuio
valiosa!
F12. Fonte tpica
para PC.
Caso se interesse por mais informa-
es sobre o tema, voc pode aces-
sar os links indicados a seguir:
www.lit.inpe.br/areas/emi/emi.
htp
(certificao)
www.abricem.com.br
(cursos)
www.compliance-club.com
(informaes gerais)
www.schaffner.com
(produtos)
www.campstat.com/glossario.
htm
(glossrio de termos tcnicos)
Informaes
E
SE431_EMC.indd 29 16/12/2008 17:29:43
30 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Eletrnica Aplicada
Industrial
Leitores RFID com
comunicao Ethernet
Este trabalho tem o objetivo
de mostrar a aplicabilidade de
leitores de identifcao por rdio
freqncia (RFID) de baixa fre-
qncia (125KHz) com comunica-
o de dados via Ethernet TCP/IP
(protocolo de Internet) em um
ambiente industrial agressivo
Antonio Dresch Jr. e
Danny R. Efrom
A
tualmente, os sistemas de co-
municao esto avanando na
convergncia entre os meios da
tecnologia da informao volta-
da ao ambiente corporativo e a tecnologia
da automao para o ambiente industrial.
Percebe-se que fabricantes de equipamen-
tos de ambas as reas esto apresentando
solues em hardware para realizar a
integrao dos dados gerando um sistema
integrado em tempo real.
No ambiente Fieldbus (cho de fbrica)
crescente a utilizao do padro Ethernet
como meio comum para integrar os dados
de maneira mais simplifcada com o am-
biente corporativo.
Com o desenvolvimento da tecnologia
dirigida para a rea de transmisso de
dados, surgiu o PROFINET, um protoco-
lo para transmisses de dados enviadas
por estrutura Ethernet, com o propsito
de aumentar a qualidade e velocidade
da entrega de dados aos equipamentos
industriais.
Baseadas na web, operaes e ligao
Internet se combinam para tornar o acesso
fcil e de implantao simples, com quase
ilimitada fexibilidade e escalabilidade.
Esse mtodo facilita a interligao de
equipamentos industriais por toda a rede,
tornando vivel sua monitorao total.
Contudo, para aplicaes onde no h
a necessidade de comunicao determi-
nstica, o protocolo TCP/IP pode ser uma
alternativa, associada ao meio fsico da
estrutura PROFINET. Por se tratar de um
protocolo largamente aplicado, o TCP/IP
viabiliza sua implantao pela grande
quantidade de dispositivos disponveis no
mercado, reduzindo os custos em equipa-
mentos e instalaes.
Outra vantagem ser um protocolo
bastante difundido pelos programadores
de sofware, o que facilita sua integrao
com os mais diversos sistemas.
Anlise Situacional
Levando-se em conta o ambiente in-
dustrial, cada indstria possui caracters-
ticas diferentes produzindo efeitos como
a umidade, poeira, produtos qumicos,
temperatura e interferncias eletromagn-
ticas. Todos estes fatores podem interferir
na rede Ethernet Industrial.
Para que a tecnologia Ethernet Indus-
trial tenha seu desempenho esperado,
devem-se utilizar os procedimentos pa-
dres de cabeamento, de equipamentos e
de montagem, com o objetivo de imunizar
a rede de possveis defeitos.
O ambiente da aplicao pertence
a uma empresa multinacional fabri-
cante de motores situado na cidade de
Joinville-SC. O local de contexto uma
linha de montagem de processo seriado
dividida em 16 clulas operacionais. Cada
clula rastreada por meio de leitores
RFID que identifcaro os pallets (tags)
que servem de base para a montagem do
produto (motor eltrico).
O objetivo da rastreabilidade, alm de
fazer apontamento de tempos do processo,
ser o controle da qualidade do processo
produtivo.
Neste ambiente existem muitas m-
quinas que geram interferncias eletro-
magnticas (EMI), sendo um dos princi-
pais geradores de rudos na transmisso
de dados, exigindo a blindagem dos cabos
de rede e um sistema de aterramento
equipotencial.
importante observar que a blinda-
gem seja uma malha e no apenas uma
capa metlica. Alm disso, o aterramento
tem que seguir os padres preconizados
na NBR5410, garantindo o escoamento das
correntes parasitas geradas pela EMI.
Outro fator degradante a constan-
te presena de leos lubrifcantes que
provocam corroso em materiais pro-
venientes de alguns polmeros (como o
SE431_REID.indd 30 16/12/2008 18:35:30
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 31
PVC), exigindo isolao especial para os
cabeamentos.
O leitor RFID de baixa freqncia
trabalha com acoplamento magntico e
com pequenas distncias de leitura em
relao s tags (80 mm). Portanto, nesta
confgurao no ser infuenciado pela
EMI, j seu gabinete deve ser feito de ma-
terial resistente a corroses do ambiente.
Nesse caso foi utilizado de poliamida
com comportamento de combusto auto-
extinguvel.
Este gabinete possui classe de proteo
IP65 quando instalados seus respectivos
conectores atendendo as exigncias do
circuito interno.
Os conectores do cabo PROFINET
devem prever conexo da sua blindagem
para o terra (PE) em todas as suas termi-
naes, garantindo a imunidade a rudos
EMI e capacitncias indesejadas devido ao
comprimento do cabo.
Nos cabos eltricos de alimentao
do leitor RFID e nos cabos PROFINET
utilizado isolao PUR (Poliuretano),
conforme recomendao do fabricante,
resistente aos fuidos e outros agentes do
ambiente inserido.
Realizado nas devidas instalaes e
com os procedimentos recomendados,
pode-se confrmar a imunidade da co-
municao dos dados entre o leitor RFID
e o controlador da linha de montagem
possibilitando a construo de um sistema
robusto.
Concluso
A utilizao do TCP/IP no cho de fbri-
ca uma convergncia tecnolgica em busca
do aprimoramento dos processos e reduo
dos custos para a transmisso de dados.
Tendo em vista os agentes contami-
nantes existentes e o nvel de exigncia
extrema do ambiente, quando compara-
do com outras indstrias, a viabilidade
tcnica deste projeto se justifca, visto que
atende s normas e recomendaes dos
fabricantes.
Esta mesma configurao pode ser
utilizada em ambientes menos agressi-
vos, garantindo assim a sua blindagem
em eventuais mudanas dos processos
ou as instalaes de novas mquinas nas
proximidades.
Como trabalho futuro fca a sugesto
de realizar o supervisionamento peridi-
Bibliografa
1) Isotron-Harting - Ethernet
Industrial - Disponvel em: http://
www.isotron.com.br
2) Lumberg Automation - Field
attachable connectors - Dispon-
vel em: http://www.lumbergau-
tomation.com
3) Prado, Eduardo - Wireless LAN
no mercado corporativo - Dispo-
nvel em: http://www.wireless-
brasil.org/wirelessbr/colabora-
dores/eduardo_prado/artigo_
26.html
4) Phoenix Contact - Fieldbus
Conector - Disponvel em: http://
www.phoenixcontact.com
5) Ulrich, Maikon - Aplicao do
cabeamento para rede Ethernet
Industrial - Trabalho de Gradu-
ao. Faculdade de Tecnologia
SENAI Joinville-SC.
E
co e sistemtico dos equipamentos, cabos
e acessrios instalados na planta fabril
observando possveis falhas do sistema,
levando em conta os agentes degradantes
do ambiente.
SE431_REID.indd 31 18/12/2008 12:17:05
32 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Eletrnica Aplicada
Industrial
As mquinas de soldas com eletrodo
revestido existentes atualmente no mer-
cado nacional apresentam como fonte de
alimentao fontes de energia conven-
cionais como transformadores de taps,
porm possvel desenvolver e aplicar a
topologia de fontes eletrnicas, entre elas
de fontes chaveadas. O objetivo deste
artigo expressar atravs de clculos e
simulaes esta possibilidade.
Soldagem a arco eltrico com eletro-
do revestido.
O princpio de funcionamento das
mquinas de soldas a arco eltrico com
eletrodos revestidos, que atravs da
gerao de calor transferir o metal do
eletrodo ao metal base e soldar a pea.
Itens importantes fazem parte disto:
Produzir arco eltrico atravs de
curto-circuito ou seja atravs de
contato eltrico do eletrodo ao
metal base (a temperatura atinge
aproximadamente 4000C);
Controlar o comprimento do arco,
a abertura e a reabertura;
A tenso sem carga a tenso antes
de iniciar o arco e este valor varia
entre 60 a 70V aproximadamente;
A tenso de abertura do arco a
tenso no momento de ser fazer o
arco, o seu valor correspondente
o mnimo;
A tenso de trabalho a tenso
durante a soldagem, apresenta-se
em torno de 30V;
A corrente de soldagem respon-
svel pela distribuio espacial da
energia trmica do arco eltrico e a
sua intensidade o que determina
a taxa de deposio na pea.
Conversor CC-CC
Forward Tipo Buck
Alexandre Arajo dos Santos,
rico Back Machado e
Patrcia Sebajos Soares
Configurao do equipa-
mento de soldagem
A confgurao do equipamento de
soldagem com eletrodo revestido uma
das mais simples possveis e esta classi-
fcada em:
Fonte de energia;
Pina (alicate) para ligao pea;
Cabos de interligao (eletrodo e
terra);
Porta eletrodo;
Revestimentos dos eletrodos.
So utilizados na soldagem a arco
eltrico uma fonte de energia capaz de
fornecer valores de tenso e corrente nas
faixas apresentadas na tabela a seguir e
que foram utilizados como parmetros
para o projeto do conversor Forward
tipo Buck.
A primeira etapa tem incio, quando
o interruptor (T1) disparado e comea a
conduzir. A fonte Vin fornece energia ao
enrolamento primrio do transformador
e devido ao fuxo magntico originado faz
com que esta energia seja induzida no en-
rolamento secundrio do transformador.
A tenso induzida polariza diretamente o
diodo (D
6
) colocando-o em conduo.
O indutor de fltragem (L
3
) armazena
esta tenso e impe uma corrente na
sada, logo, a corrente no primrio cresce
j a partir de um valor mnimo, a esta
corrente chama-se de magnetizao. A
corrente que passa a circular pelo enro-
lamento secundrio ir fornecer energia
tanto para o capacitor (C
2
) como para a
carga (R). Esta etapa fnalizada quando
o interruptor (T
1
) bloqueado. Durante
esta etapa no h corrente no enrolamento
de desmagnetizao.
Este artigo refere-se ao projeto
de um conversor CC-CC atravs da
topologia de uma fonte chavea-
da Forward tipo Buck aplicado
mquina de solda a arco eltrico
com eletrodo revestido
SE431_CC2.indd 32 16/12/2008 19:04:35
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 33
A segunda etapa ocorre, quando o in-
terruptor (T
1
) e o diodo (D
6
) se bloqueiam, a
corrente (iLs) do indutor de fltragem circula
pelo diodo (D
7
) porque o mesmo polariza-
do diretamente e entra em conduo, a ener-
gia acumulada na indutncia magnetizante
devolvida fonte de alimentao atravs do
diodo (D
5
) tanto o indutor de fltragem (L
3
)
como o capacitor (C
2
) passam a fornecer ener-
gia carga, mantendo sua corrente constante
pode ser observado que o transformador
deve ser inteiramente desmagnetizado nesta
etapa, ou seja, toda a energia armazenada
no transformador dever retornar fonte,
caso contrrio ele saturar e provocar um
mau funcionamento no conversor, para que
isto acontea necessrio que a razo cclica
seja a mxima, quando for concluda esta
etapa de desmagnetizao, o diodo (D
5
)
bloqueado.
A terceira etapa acontece aps o blo-
queio de (D
5
), a carga continua sendo
alimentada pelo indutor de fltragem (L
3
) e
pelo capacitor (C
2
) at o instante, em que o
interruptor (T
1
) passar a conduzir dando in-
cio a um novo perodo de funcionamento.
As principais caractersticas do conver-
sor Forward tipo Buck so:
um conversor de transferncia direta
de energia;
A sada isolada da entrada;
Permite ajustar a razo cclica de ope-
rao atravs da relao de transformao e
opera como abaixador;
Possibilita usar vrias sadas;
A corrente de sada de boa qua-
lidade;
A corrente na entrada descontnua.
Especificao do projeto
Vin
min
= 263,16V - Tenso mnima de
entrada;
Vin
max
= 277,01V - Tenso mxima de
entrada;
V
out
= 30V - Tenso de sada do con-
versor;
I
out
= 100A - Corrente de sada do
conversor;
= 75% - Rendimento do conversor
Forward;
P
out
= 3000W - Potncia de sada do
conversor;
fs = 30kHz - Freqncia de chavea-
mento;
D
mx
= 0,5 - Razo cclica mxima;
Ta = 400C - Temperatura de operao.
Dimetro do Eletrodo (mm) Intensidade Aproximada (A) Tenso Aproximada (V)
1 35 18
2 70 19 a 21
3 105 22 a 25
4 140 26 a 28
5 175 29 a 30
6 210 31 a 36
Tabela 1 - Valores usuais.
F1. Primeira etapa de
Funcionamento.
F2. Segunda etapa de
funcionamento.
F3. Terceira etapa de
funcionamento.

SE431_CC2.indd 33 16/12/2008 19:04:49


34 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Eletrnica Aplicada
Industrial
Atravs de clculos chegou-se ao
valor de indutncia do indutor de fltro
de sada 109,60.
Coefciente de perdas por histeresse:
k
h
= 4.10
-5
Coefciente de perdas por correntes
parasitas: k
e
= 4.10
-10
Excurso da densidade de fuxo em
teslas: B
m
= 0,15
Pn=V
e
. B
m
2,4
(k
h
.f
s
+k
e
.f
s
2
) = 2,55 W
As perdas totais no indutor so
PT = Pc + Pn = 2,99 W
O capacitor de sada defnido que
satisfaz as caractersticas desejadas de
capacitncia (C
2
) e RSE : H 1.500 F x
63 V da marca Epcos, Resistncia Srie
Equivalente de 0,08 .
Para especificar o ncleo do tran-
formador so adotados os valores a
seguir:
Kp = 0,3 - Fator de utilizao primrio;
Kw = 0,5 - Fator de utilizao da rea
da janela;
j = 450A/CM
2
- Densidade de corrente;
B = 0,3T - Variao da densidade de
fuxo.
O clculo da rea total do ncleo re-
sultou em: 55,87 cm
4
para A
e
. A
w
.
Da tabela de ncleos do fabricante
Thornton optou-se pelo NEE-65/33/52
(o mesmo ncleo indutor de fltragem),
que possui rea efetiva da perna central
do ncleo conforme: A
e
=10,57 cm
2
.
O nmero de espiras do primrio
calculado: 14 espiras;
O nmero de espiras do secundrio
calculado: 4 espiras;
O nmero de espiras do enrolamento
de desmagnetizao considerado o
mesmo das espiras do primrio: N
d
= N
p
= 14 espiras.
De acordo com o que foi calculado o fo
deve ser 7 AWG, seo 0,1055 cm
2
, seo
de isolamento 0,1122 cm
2
. Mas, deve ser
levado em considerao o dimetro mxi-
mo possvel do condutor no ncleo este
o que deve ser utilizado. Portanto deve-
se calcular a quantidade de condutores
em paralelo para que atenda ao exigido.
O valor calculado de 17 condutores em
paralelo, com a seo de 0,188 cm
2
.
O fo escolhido de acordo com a seo
calculada deve possuir a bitola 3 AWG,
seo 0,2667 cm
2
, seo de isolamento
0,2837 cm
2
. No entanto, tambm devem
ser calculados condutores em paralelo
para o secundrio, atendendo ao dime-
tro mximo possvel. Condutores em pa-
ralelo no enrolamento secundrio so:
Com uma rea de janela do ncle
de 7,93 cm
2
, sero necessrias 21 es-
piras e um entreferro de 1,067 mm. E
o condutor encontrado o 3 AWG de
seo 0,2667 cm
2
e seo de isolamento
0,3017 cm
2.
Porm de acordo com a tabela de
fos de cobre que o dimetro mximo
que satisfaz o especifcado o condutor
19AWG, seo 0,006527 cm
2
. Portanto ,
a seo calculada maior que a mxima
possvel sendo necessrio utilizar-se
condutores paralelos para adequar ao
permitido.
Para verifcar se a taxa de ocupao
da janelo do carretel do ncleo escolhido
comporta o enrolamento, calcula-se o
fator de ocupao do mesmo.
A elevao da temperatura de ope-
rao do indutor deve ser no mximo
de 40 C.
As perdas no ncleo de ferrite so
calculadas pelas seguintes expresses
empricas:
A seo do condutor para o enrola-
mento primrio : 0,0574 cm
2
.
41 com seo de 0,01148cm
2
.
O fio definido de acordo com os
clculos deve ser 15 AWG, seo 0,0165
cm
2
, seo de isolamento 0,019021 cm
2
.
Entretanto devem ser calculados de
condutores em paralelo para atender o
dimetro mximo.
Chegando-se a trs condutores em
paralelo. O diodo escolhido o SKN 71/04
da Semikron. A corrente mdia no diodo
de circulao (D
7
) :

Id
med
=lout.D = 50 A
SE431_CC2.indd 34 16/12/2008 19:05:10
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 35
A mxima tenso reserva sobre o dio-
do (D
7
) ser a mesma do diodo (D
6
).
VD7 mx = VD6 mx = 81,84 V
O diodo escolhido o SKN 71/04 da
Semikron.
Aps ter especifcado os diodos de
magnetizao e de circulao, pode-se
ento determinar a potncia dissipada
sobre os mesmos e o uso, ou no, de
dissipadores.
Pd = V
f
.Idmd + rt.I
Def
2
= 96,6 W
A resitncia trmica calculada com
base nos dados fornecidos pelo data sheet
entre juno e ambiente :
As perdas totais so:
P
totlGBT
= P
conlGBT
+ P
off
= 10,59 W
A resistncia trmica do dissipador :
tre os mais diversos tipos de conversores
CC-CC isolados e no isolados existentes,
o motivo de sua escolha deve-se porque
as mquinas de soldas a arco eltrico
requerem um valor menor de tenso na
sada. Portanto necessrio utilizar-se da
topologia abaixador de tenso, o fato de
ser isolado devido a isolar a entrada da
sada. Este conversor o mais adequado
para o valor de potncia da mquina de
solda.
apresentado como sugesto a espe-
cifcao dos componentes que podem ser
empregados na montagem. Conclui-se
que a rea de Eletrnica de Potncia uma
rea muito promissora e que este trabalho
apenas umas das inmeras aplicaes e
estudo que podem ser realizados.
De acordo com o calculado - a resis-
tncia trmica entre o dissipador e o am-
biente necessrio utilizar dissipador, o
mesmo pode ser o P1/120 M12 fabricante
Semikron.
O interruptor especifcado o IRG4P-
SH71U.
Aps defnido o interruptor, preciso
verifcar se h necessidade do uso de um
dissipador para dissipar o calor gerado
no interior do componente durante a
sua operao. Seguem os clculos das
perdas.
As perdas por conduo so dadas:
As perdas por bloqueio so:
Concluso
De acordo com o calculado a resis-
tncia trmica entre o dissipador e o am-
biente necessrio utilizar o dissipador,
o mesmo pode ser o K5 - M8, fabricante
Semikron.
Neste projeto necessrio a utilizao
de um circuito de comando para polarizar
e disparar a chave (interruptor) da fonte
Forward por isto foi defnido utilizar o
circuito integrado SG 3525 a sua defnio
deve-se, por atender as especifcaes do
projeto, simplicidade e pelas seguintes
caractersticas que so apresentadas a
seguir:
Possui tenso de referncia regulada
de 5,1V;
Consumo na faixa de 15mA;
Faixa de tenso de trabalho entre
8V e 35V;
Baixo custo;
Fcil aquisio no mercado e bas-
tante utilizado;
Flexvel a todas as confguraes
(Push-pull, Fly-Back, Forward,);
Possui oscilador interno com faixa
de freqncias de trabalho de 100Hz
at 500kHz;
Sof-start interno;
Amplifcador interno (de erro in-
tegrado);
Controle do tempo morto ajustvel
para garantir que os dispositivos
de chaveamento no conduzam ao
mesmo tempo, levando queima
dos mesmos.
Atravs de todo o equacionamento e
simulaes realizados no sofware Spice,
possvel implementar este projeto na pr-
tica, montando um prottipo e fazendo-se
alteraes e adequaes necessrias.
A topologia Forward tipo Buck foi
defnida aps todo o estudo e pesquisa en-
Bibliografa
01) BARBI, Ivo - Projeto de Fontes
Chaveadas - Publicao
Interna: Florianpolis - 1997.
02) BARBI, Ivo - Eletrnica de
Potncia - Edio do Autor
- 2000.
03) BARBI, Ivo; MARTINS, Deni-
zar C. - Conversores CC-CC
bsicos no isolados - Edio
dos Autores - 2000.
05) MARQUES, Paulo Villani
- Tecnologia da Soldagem -
ESAB - O Lutador, 1 ed. - 1992.
07) SENAI - Departamento Nacio-
nal. Manual de Soldagem
- Edio interna - 1976.
08) HOFFMAN, Salvador - Solda-
gem: Tcnicas, Manuteno,
Treinamento e Dicas. - Sagra
Luzzato - 1992.
10) PETRY, Clvis A. ; NETO, Anis
C. - Projeto e Implementao
de uma Fonte de Alimenta-
o Isolada do Tipo Forward
Isolada - Publicao Interna
INEP/UFSC - 2000.
11) BASCOP, Ren P. T.; PERIN,
Arnaldo J. - O Transistor
IGBT Aplicado em Eletrnica
de Potncia. 1 ed - Sagra
Luzzatto - 1997.
12) WAINER, Emlio; BRANDI
Srgio D. MELLO, Fbio D.
H. - Soldagem Processos e
Metalurgia. 1 ed - 1992.
13) MARQUES, Paulo V.; MODE-
NESI, Paulo J.; BRACARENSE,
Alexandre Q. - Soldagem:
Fundamentos e Tecnologia. 1
ed. - 2005.
E
SE431_CC2.indd 35 16/12/2008 19:05:26
36 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
tecnologias
*Alexandre Novakoski
O que falta
para a Tecnologia 3G
decolar de vez?
O
que falta para a 3G se tornar
um sucesso? Esse o questiona-
mento que certamente muitos
empresrios do ramo de telefonia
se fazem diariamente, em busca de uma
soluo que impulsione de uma vez por
todas as vendas de equipamentos baseados
nesta tecnologia.
Embora j tenham superado a marca de
100 milhes de assinantes pelo mundo, os
usurios de 3G ainda representam uma par-
cela pequena se comparados com os atuais
2 bilhes de assinantes de telefonia mvel
em todo o globo. No preciso ser nenhum
guru da telecomunicao para constatar
que as operadoras de celular tero que se
desdobrar para fazer da tecnologia 3G o
fenmeno de vendas que o GSM foi. Mas
por onde comear?
maneira que venha facilitar a adequao da
rotina crescente velocidade de cognio
pela qual a humanidade vem passando.
Pensar que um executivo portugus,
enquanto viaja de trem, pode muito bem
esclarecer face a face dvidas de seu cliente
baseado no Brasil, ao mesmo tempo em
que participa de uma conferncia com seu
scio espanhol, de fato uma funcionalidade
bastante til no mundo corporativo de hoje,
que quase sempre exige otimizao nos
processos de tomada de decises negociais.
O que dizer ento daqueles fanticos por
futebol que podero ver e ouvir de perto
uma entrevista com seu dolo-artilheiro do
campeonato logo aps o trmino da parti-
da? Se bem contextualizado, o novo padro
aliado a sistemas avanados de navegao
via satlite trar inovaes prticas aos
usurios.
A interatividade tem ditado o rumo da
comunicao de uns tempos para c. Com
o advento da internet, logo surgiram a web
2.0, os conceitos wikis, alm da mudana
na forma tradicionalista de comunicao de
muitos jornais, que passaram a abrir espa-
os para contedos colaborativos de seus
leitores. E com a tecnologia 3G no ser
diferente. Contudo, publicidade somente
no basta. As empresas de telefonia mvel
apenas enxergaro um cenrio alvissareiro
se conseguirem provar o carter utilitrio
da tecnologia a seus futuros assinantes. Com
criatividade e investimentos tambm na
produo de contedos pragmticos, quem
sabe no sero capazes de cunhar o termo
3G manacos em breve?
(*)Alexandre Novakoski gerente de canais
da Seal Telecom, empresa especializada na
distribuio e implantao de sistemas para
comunicao presencial e distncia.
A informao a ser transmitida aos usu-
rios fundamental. Consumidores, por mais
vanguardistas e adeptos ao mundo tecnol-
gico que sejam, apenas so motivados a usar
uma nova mdia se forem dadas explicaes
objetivas das inmeras possibilidades e dos
reais benefcios que ela lhes trar. Afinal de
contas, estamos falando de um veculo ainda
dispendioso se cotejado com outros meios
de comunicao, cuja qualidade no intercm-
bio de dados, segundo muitos especialistas,
por vezes inferior.
Dizer que a 3G uma mdia que simples-
mente permite enviar e receber vdeos por
meio de um aparelho mvel incorrer em
uma arriscada miopia de mercado. Se anali-
sada sob um prisma mais aguado, certo
que veremos uma tecnologia capaz de mudar
comportamentos e hbitos de vida, de uma
E
SE431_3G.indd 36 12/12/2008 17:32:37
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 37
tecnologias
Mark Lee
Teclas CapSense
TM

com CSD
O
mdulo de usurio CSD propor-
ciona sensoriamento capacitivo
de alta performance utilizando um
modulador Sigma-Delta. CSD
parte da soluo PSoC CapSense da Cypress
para sensoriamento de toque capacitivo que
j substituiu mais de 2,5 bilhes de interrup-
tores mecnicos.
O sensoriamento de toque CapSense
est mudando a aparncia do projeto indus-
trial em produtos como telefones celulares,
PCs, eletrnica de consumo e linha branca.
As solues CapSense apresentam a robusta
arquitettura PSoC, Programmable System-
on-Chip, que acelera o tempo de acesso
ao mercado, integra uma ampla variedade
de funes crticas no sistema e reduz os
custos (figura1).
Uma vista em corte da placa de circuito
impresso (PCB) CapSense para uma aplica-
o tpica mostrada na figura 2. Uma rea
Apresentamos um processo
de projeto bsico para criar
botes CapSense utilizando o
mdulo do Usurio CSD e o PSoC.
Ser abordado a geometria do
sensor, o layout da PCB, viso
esquemtica do CSD, determina-
o de valores de componentes
e projeto para manufaturabi-
lidade
F1. Sensoriamento PSoC CapSense da Cypress.
SE431_Teclas Capsense.indd 37 16/12/2008 20:53:59
38 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
tecnologias
cobreada na placa forma o sensor capacitivo
que sensoria a presena de um dedo sobre
a camada protetora do material que o
recobre. A camada protetora pode ser de
plstico, vidro ou qualquer outro material
no condutor.
Uma camada de vidro resulta em maior
sensibilidade ao toque, quando comparada ao
plstico (pelo menos 2 x mais sensvel) de-
vido elevada constante dieltrica do vidro.
O plstico tambm selecionado para esta
camada devido ao seu custo, facilidade de ma-
nufatura, peso, alm de maior resistncia ao
impacto quando comparado com o vidro.
Mtodo CSD de
Sensoriamento
CSD significa CapSense com modulador
Sigma-Delta. Um diagrama simplificado para
o CSD programado por PSoC ilustrado
na figura 3. O CSD programado tanto na
famlia CY8C21x34 quanto CY8C24x94 de
chips PSoC. Uma implementao simples de
sensor mostrada, mas o CY8C21434 pode
suportar at 20 entradas.
Outros chip s da famlia podem suportar
mais de 40 entradas. Os nmeros especficos
dos pinos so mostrados no diagrama.
No entanto, todos os pinos, com exce-
o de Vdd e GND podem ser redirecio-
nados pelo projetista para facilitar o layout
do circuito.
O CSD exige dois componentes exter-
nos, Rb e Cmod. Alm disso, temos mais
um resistor externo em srie, Rs que pode
ser acrescentado em cada entrada para
aumentar a imunidade a RF.
O resistor Rb determina a faixa de
valores de capacitncia que o circuito pode
medir. O capacitor Cmod atua no sentido de
atenuar o ruido de alta freqncia.
Consulte o data sheet do Modulo do
Ususrio CSD no software PSoC Designer
para conhecer a teoria de operao deste
circuito. O PSoC Desgner est disponvel
gratuitamente para download em: www.
cypress.com/capsense.
Tamanho e
Formato das Teclas
O formato e o tamanho das teclas
determinam a performance do sensor. Re-
comendaes para o formato so dadas na
figura 4. O melhor formato o redondo.
Um furo pode ser acrescentado para um
LED de fundo, sem que isso degrade a per-
formance do sensor.
Os sensores quadrados tambm fun-
cionam bem, se os cantos forem arredon-
dados. As cargas acumulam-se nas pontas,
assim os sensores arredondados tendem a
responder de maneira mais uniforme por
toda sua superfcie. Tringulos e os sensores
interdigitalizados no so recomendados
devido distribuio no uniforme do
campo eltrico.
F3. Uma confgurao possvel para o CSD do
CapSense utilizando o PSoC CY8C21434.
F2. Seo em corte de um sensor
capacitivo CapSense.
Espessura da Camada (mm)
F5. Referncia para seleo do
tamanho das teclas ou botes.
D
i

m
e
t
r
o

d
o

B
o
t

o

(
m
m
)
F4. Recomendaes para os
formatos dos botes.
SE431_Teclas Capsense.indd 38 12/12/2008 17:39:08
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 39
tecnologias
A capacitncia sensoriada quando o
dedo no est presente denominada
capacitncia parasita e indicada por Cp. A
capacitncia do dedo Cf definida como a
mudana na capacitncia do sensor devido
ao toque do dedo.
O sinal produzido por um toque pro-
porcional relao Cf/Cp. Um valor maior
para Cf se traduz em um sinal CSD maior.
Cf aumenta com o tamanho do sensor e
tambm medida que a capa de cobertura
diminui.
Todos esses fatores so mostrados
na referncia de tamanhos de botes da
figura 5. Um bom projeto CapSense tem
uma capacitncia de dedo de pelo menos
0,1 pF, conforme mostrado nas rea no
sombreadas da figura 5.
Para blindar o sensor e as suas trilhas
evitando fontes de rudos e para controlar
a sensibilidade dos locais de toque, um plano
de terra tambm utilizado.
A proximidade do sensor do plano
de terra influencia a capacitncia parasita.
Com o aumento da espessura da proteo,
o tamanho da separao tambm deve
aumentar para manter o mesmo nvel de
sinal. Uma regra de projeto para sensores
CapSense manter a tamanho da separao
igual espessura da proteo de cobertura,
como ilustrado na figura 5. Note que o
superdimensionamento da separao tende
a aumentar a interferncia cruzada entre
botes.
Este grfico baseado numa capa pls-
tica (veja figura 2) de espessura mnima
necessria para a capacitncia do dedo, e
o tamanho da separao em torno da rea
do sensor.
Como um exemplo de projeto, consi-
dere uma cobertura plstica com 2 mm de
espessura e uma meta de projeto de Cf = 0,2
pF. Usando o grfico da figura 5, o dimetro
do boto 10 mm e a separao entre o
permetro da rea do sensor e a rea de
terra adjacente de 2 mm.
SNR
SNR a relao sinal / rudo do sistema.
O sinal a mudana na resposta do sensor.
O rudo a variao pico-a-pico na resposta
do sensor quando o dedo no est presente.
A exigncia mnima para a SNR 5:1, o que
significa que o sinal deve ser 5 vezes maior
do que o rudo. A figura 6 mostra o que
ocorre com um sistema com SNR 2,1 e
outro com 5:1.
Orientao para Layout
As seguintes regras de projeto consistem
num bom ponto de partida para se fazer um
layout CapSense de sucesso, como ilustrado
na figura 7. Veja o application note AN2292
para mais detalhes no layout CapSense.
Tamanho e forma do boto: 10 mm de
dimetro, redondo. Maior dimetro aumenta
a SNR. Tambm pode haver um furo de 2 mm
opcional para insero de LED.
Trilha do PSoC para a rea do sensor:
comprimento menor do 200 mm, largura
menor do que 7 mil. Trilhas mais curtas
e mais estreitas aumentam a relao SNR
do boto.
Formato do PCB: 0,16 mm, FR4, 2 ca-
madas, sensores de tipo. Componentes de
fundo e roteamento em placas mais finas
diminuem a SNR. Preenchimento de terra:
camada superior com trilhas de 7 mil, es-
paamento de 70 mil. Camada inferior com
linhas de 7 mil e espaamento de 45 mil.
Abertura de 20 mm em torno dos traos
e 20 mil ou mais em torno de todos os
sensores. Aumentando a abertura em torno
das trilhas, aumenta a SNR.
Roteamento: No se recomenda ne-
nhum roteamento na camada superior e sob
os sensores. Sinais devem ser isolados em
relaoo terra. Somente uma via por sen-
sor. Vias adicionais diminuem a SNR. Aterre
todos os GPIO. Para aumentar a imunidade
a RF coloque, resistores de 560 ohms em
srie com os pinos de entrada do CapSense
e coloque resistores de 330 ohms em srie
com os pinos I2C. Coloque estes resistores
dentro de 10 mm do PSoC.
Sintonizando o CSD
Esta seo requer alguma familiaridade
com a criao de um projeto CapSense e os
parmetros de ajuste do mdulo do usurio.
Para um guia passo-a-passo que assume que
o leitor no tenha nenhuma experincia pr-
via com o CapSense, consulte o CY3213A
CapSense Kit Quick Start Guide.
O parmetro N de resoluo fixa o nvel
mximo da velocidade de leitura do CSD em
2N . A finalidade de se sintonizar o CSD fi-
xar o nvel da velocidade de leitura em torno
de 50% deste valor mximo. O resistor de
veocidade de contagem fixado em perto
de 50% desta mxima contagem.O resistor
Rp determina a faixa de capacitncias que
medida pelo CSD. Como as contagens so
proporcionais capacitncia parasita Cp e
Cp tambm desconhecida por antecipao
para uma nova montagem, o resistor Rb
deve ser ajustado para acomodar os valores
inferiores e superiores de Cp.
O processo de sintonia do CSD segue
o fluxograma mostrado na figura 8. Rb o
primeiro a ser fixado para um baixo valor, 2
OHk, de modo a permitir a medida de uma
ampla faixa de capacitncias. O desconhecido
F6. Formas de onda para o sinal obtido
numa SNR ruim (2:1) e numa boa (5:1).
F7. Exemplo de layout para uma PCB CapSense.
SE431_Teclas Capsense.indd 39 12/12/2008 17:39:18
40 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
tecnologias
F8. Fluxograma para sintonizar o CSD.
Equao 1.
Equao 2.
F9. Fixando os parmetros SysClk, N e
REF no PSoC Designer.
Cp ento estimado utilizando os valores
medidos na equao 1. Trs parmetros,
SysClk, N e REF so exigidos para se utilizar
a equao 1.
A figura 9 indica como fixar estes calo-
res a partir do menu do PSoC Designer. O
parmetro SysClk da equao 1 o clock do
sistema PSoC. O clock para as entradas do
CapSense SysClk dividido por 4.
O ajuste tpico para SysClk 24 MHz.
N o ajuste de resoluo para o CSD (9 e
16 bits). REF o ajuste programvel (1 a 8)
que controla a tenso de referncia. Counts
o valor de contagem que o PSoC armaze-
na internamente no conjunto denominado
CSD_asSNResult. Para mais informaes
sobre os nomes das variveis CSD, veja o
data sheet para CSD no PSoC Designer.
Um novo valor de Rb calculado usando
a equao 2, de tal forma que a contagem te-
nha uma valor na linha de base que seja 450%
de 2N . O processo de sintonia ilustrado
pelo seguinte exemplo. Com N = 16 bits, REF
= 4, f = 6 MHz, Rb = 2k e a nova contagem
de varredura= 9830. A equao 1 estima Cp
= 12,5 pF. Pela equao 2, a contagem de
varredura aumenta para Counts = 32 768
(50% de 2N) com um novo valor de resistor
Rb = 6,6 k ohms. Depois que o valor de Rb
determinado, o valor REF pode ser usado
para ajustar a sensibilidade. REF est sob o
controle do software. O equilbrio entre os
botes encontrado modificando-se o valor
de RF para cada boto. Melhor performance
alcanada com valores de RF perto de 4.
Equao 3.
F10. Distribuio das contagens.
Cada incremento em REF reduz a sensibili-
dade em 25%.
Projeto para manufatura
A sensibilidade do sistema de sen-
soriamento do CD reduzida quando a
velocidade de leitura est abaixo dos 85%
da velocidade mxima. Ajustando a linha de
base mdia paa 50% da velocidade mxima,
o sistema tem uma boa margem de projeto.
A equao 3 mostra isso.
A figura 10 mostra quatro distribuies
que esto de acordo com as exigncias de
novas velocidades, no excedendo 80% de
2N. Observe que medida que o nvel mdio
de velocidade aumenta, a variao aceitvel
de unidade para unidade para o sistema tor-
na-se menor. O sistema torna-se mais difcil e
caro para fabricar. O plano de qualidade para
o CSD deve considerar o ponto de operao
Ponto de Correo
do CSD
Margem
do projeto
Plano de controle
de qualidade
a) 50% da varredura
mxima
35%
Manter a PCB no
mesmo material
b) 60% da varredura
mxima
25%
Manter a PCB no mes-
mo material e limitar
os fornecedores
c) 70% da varredura
mxima
15%
Monitorar o teste da
capacitncia da PCB
dentro de margem
de 10%
d) 80% da varredura
mxima
5%
Monitorar a capaci-
tncia da PCB dentro
de margem de 5%
Tabela 1.
E
SE431_Teclas Capsense.indd 40 12/12/2008 17:39:34
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 41
tecnologias
da velocidade de varredura. Este plano
dado na Tabela 1 para PCBs CapSense. Cada
entrada CapSense tem um valor levemente
diferente da capacitncia parasita Cp devido
a problemas de roteamento. Ento, o valor
compartilhado de Rb deve ser fixado para a
entrada com o maior valor de Cp.
Devido variao de Cp entre os sen-
sores, algumas entradas tero velocidades
de varreduras de 50% da mxima e outras
abaixo deste valor. Todas as varreduras de-
vem ficar entre 25% e 50% de 2N. Para se
validar que uma sintonia est centralizada
perto de 50%, criar um histograma similar
ao da figura 10, usando um tamanho de
amostra de 10 a 30 placas.
A constante dieltrica do material da
PCB tem um impacto direto no nvel de
contagem atravs da capacitncia parasita
Cp. A tabela 2 lista outros parmetros que
tm um impacto na performance do sistema.
Os parmetros nesta tabela so escolhidos
na ordem a aproximada de importncia. A
eliminao de aberturas (air gaps) entre a
rea do sensor e o dedo a considerao
mais importante no projeto.
O que controlar O que causa
Aberturas (air gaps)
na montagem
Manter a PCB no
mesmo material
Variao da cons-
tante dieltrica da
PCB
Manter a PCB no
mesmo mate-
rial e limitar os
fornecedores
Transientes em Vdd
Monitorar o teste
da capacitncia
da PCB dentro de
margem de 10%
Ripple em Vdd
Monitorar a
capacitncia da
PCB dentro de
margem de 5%
Interferncia cru-
zada das trilhas com
o LED
Aparece como
um evento de
toquel
Espessura da cober-
tura
Reduz a sensibi-
lidade
Adesivo no con-
dutivo
Reduz a sensibi-
lidade
Condutividade da
cobertura
Reduz a sensibi-
lidade
Tabela 2.
E
SE431_Teclas Capsense.indd 41 16/12/2008 16:05:58
42 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Informativo ABEE-SP N47 - Dezembro/08 www.abee-sp.com
Mensagem do
Presidente
Seja associado da ABEE-SP
No h taxa de inscrio. A contribuio anual
de apenas R$ 60,00 para Associado Individual e
R$ 30,00 para Associado Aspirante. Voc ter
inmeros benefcios diretos como descontos
especiais na aquisio de normas, livros, assi-
natura de revistas e jornais, participao em
cursos e palestras, adeso ao plano de sade,
convnios com advogados, dentistas, farmcias,
entre outros. Preencha a fcha de inscrio dis-
ponvel no site www.abee-sp.com e envie pelo
endereo eletrnico abeesp@abee-sp.com
NR-10 Comentada
Preo: R$ 15,00
Autores: Joo Jos
Barrico de Souza;
Joaquim Gomes Pereira
102 pginas
Instalaes Eltricas
de Baixa Tenso
ABNT NBR 5410
Preo: R$ 100,00
209 pginas
pelo e-mail abeesp@abee-sp.com
obs.: preo de capa mais despesas de envio.
Livros na ABEE-SP
Metrologia Aplicada
Autor: Walfredo Schmidt
Preo: R$ 40,00
128 pginas
Eng Eletricista Joo Oliva
Presidente
CREA-SP 0600914179
Assemblia Geral Ordinria no RJ
Em novembro, 32 engenheiros ele-
tricistas, liderados pelo Pres. Reynaldo
Barros, associados representantes das
ABEEs Regionais e de Associaes de
Engenheiros Eletricistas partiram em
caminhada histrica pelas avenidas do
Rio de Janeiro, at a Sede Social Prpria
da ABEE Nacional.
Em esprito de unio eles descerra-
ram a placa comemorativa aos 71 anos
de fundao e fortaleceram os votos e
compromissos assumidos em 29 de junho
de 1937. Durante a confraternizao os
engenheiros discutiram o planejamento
estratgico para 2009 com o consultor
Eng Gordilho.
Eles aprovaram a Medalha Desta-
que da Engenharia Eltrica do ano de
2008 ao I Eng Eletricista: Jos Roberto
Arruda e a realizao de alguns eventos
para o prximo ano, entre eles o II
Seminrio de Eficincia Energtica.
C
hegamos ao final de mais um ano de
muito trabalho. muito gratificante
para todos ns, Diretores e Con-
selheiros da ABEE-SP, ver o quanto
avanamos na valorizao profissional e ao
mesmo tempo a conscincia do caminho que
se vislumbra para os prximos anos.
Quero aproveitar este momento espe-
cial para agradecer todo o seu carinho, sua
ateno e principalmente o seu voto de
confiana. Em nome da diretoria desejamos
um Feliz Natal e um Ano Novo de muita
sade e prosperidade a voc e aos seus
familiares.
Aos 52 anos de fundao da ABEE-
SP e 71 anos da ABBE Nacional, 2008 se
consolida como o ano da visibilidade e
reconhecimento nacional. Realizamos uma
verdadeira cruzada pela cobrana do efetivo
cumprimento do papel legal do Sistema
CONFEA/CREA/MTUA e maior transpa-
rncia em sua gesto. Alm de marcamos
presena da Engenharia Eltrica em todos
os Estados da Federao, com a instalao
das ABEEs do PA, PE, PB, AC e TO.
O I Seminrio Nacional de Eficincia
Energtica O 3 Choque do Petrleo
realizado no Clube de Engenharia do Rio
de Janeiro, com o patrocnio de Furnas
Centrais Eltricas SA, foi sucesso absoluto
que reuniu mais de 240 participantes e 21
entidades apoiadoras institucionais, dentre
elas o Sistema Firjan e Sebrae RJ.
Por fim, fechamos o ano com chave de
ouro, promovendo o III Manifesto de Apoio
Segurana em Eletricidade: O dia Nacional
da NR-10, em So Paulo. E ainda marcamos
forte presena na WEC (Congresso Mundial
dos Engenheiros), em Braslia.
A ABEE a Energia
da Engenharia
Venha participar da vida associativa
associa-se e junte-se a ns!
At breve!
SE431_ABEE.indd 42 12/12/2008 17:33:50
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 43
Colabore com a ABEE-SP via ART
Os profssionais de qualquer rea tecno-
lgica, associados ABEE-SP ou no, que
utilizam a Anotao de Responsabilidade
Tcnica - ART" devem preencher o cdigo
056 ou 56 do formulrio. Com essa ao,
o responsvel tem o direito de destinar
10% do valor entidade de classe de sua
preferncia. Quando estes campos no so
preenchidos, a contribuio deixa de ser
feita. ART em papel: preencha 056 no campo
21. ART eletrnica via internet (www.creasp.
org.br): preencha 56 no campo 31.
abee-sp
Gesto 2007/2010
Filiada ABEE Nacional
DIRETORIA
Presidente: Eng. Joo Batista Serroni de Oliva
Vice-presidente: Eng. Victor M. A. S. Vasconcelos
1 Secretrio: Eng. Celso Naves Lemos
2 Secretrio: Eng. Nelson Gabriel de Camargo
1 Tesoureiro: Eng. Odcio B. de Louredo Filho
2 Tesoureiro: Eng. Jos Antonio Bueno
Diretor Social: Eng. Kleber Rezende Castilho
Diretor s/ pasta: Eng. Aramis Araz Guerra
CONSELHO CONSULTIVO
Engenheiros: Jos Roberto Cardoso, Luiz Carlos
Alcntara, Hilton Moreno, lvaro Martins,
Roberto Bartolomeu Berkes e Alexandre Csar
Rodrigues da Silva
CONSELHO FISCAL
Engenheiros: Joo Chaebo Gadum Neto, Mrcio
Antonio Figueiredo e Edson Martinho
CONSELHEIROS SUPLENTES
Engenheiros: Demtrio Cardoso Lobo,
Alexandre Ferraz Naumoff, Jos Aquiles Baesso
Grimoni, Tiago Soares da Fonseca e Bernardo
Levino dos Santos
CONSELHEIROS DE HONRA EX-PRESIDENTES
Engenheiros: Dulio Moreira Leite, Arnaldo
Augusto Salomon Tassinari, Arnaldo Pereira
da Silva, Antnio Soares Pereto e Aramis
Araz Guerra
CONSELHEIROS NO CREASP DA ABEE-SP
Engenheiros: Paulo Eduardo Queirs Mattoso
Barreto, Jos Luiz Pegorin, Raul Teixeira
Penteado Filho e Carlos Costa Neto
Publicao da Associao Brasileira de
Engenheiros Eletricistas - Seo So Paulo
Rua Dr. Tirso Martins, 100 - cj.116 - V. Mariana
CEP 04120-050 - So Paulo - Fone: (11) 5539-8048
www.abee-sp.com / abeesp@abee-sp.com
Estudos revelam necessidade de
fontes de energia renovveis
Apoio Institucional:
enquanto o cu de Londres emite 7.000
lux, o cu nublado de So Paulo emite
mais de 14.000 lux, sendo que os paulistas
consomem mais do que o dobro de energia
eltrica.
O sindicalista relembra que, no incio
deste ano, o Brasil sofreu com a notcia de
um possvel apago, por falta de chuva, que
gerou reduo nos nveis dos reservatrios
das usinas hidreltricas, e alto consumo de
energia. Apesar da necessidade urgente
de haver uma economia no uso da ele-
tricidade, nenhuma medida foi tomada.
O governo no demonstra populao a
real necessidade de haver uma reduo no
consumo e com isso no h conscientizao
para os gastos de energia.
O Brasil muito rico em alternativas
que no desgastam a natureza. Quando
aprendermos a utilizar esses recursos,
com certeza no teremos mais preocu-
paes, diz.
O horrio de vero, que teve incio em
19 de outubro e ir at 15 de fevereiro de
2009, um perodo em que se deve inten-
sificar o incentivo ao uso da luz natural. De
acordo com o presidente do Sindicato dos
Eletricitrios de So Paulo, Carlos Reis, a
populao precisa criar novos hbitos.
Temos uma hora a mais com luz solar
no vero. Devemos aproveit-la melhor.
Alm da economia na conta de energia
eltrica, poupamos insumos da natureza.
Essa alternativa pode ser enquadrada em
algumas empresas tambm. H prdios que
tm janelas grandes e s a claridade do sol
o suficiente.
Estudo realizado pela Faculdade de
Arquitetura e Urbanismo da Universidade
de So Paulo (USP) indica que cerca de 30%
a 40% da energia eltrica consumida pelos
edifcios comerciais da cidade de So Paulo
so para gerao de luz artificial, enquanto
nas capitais da Europa no ultrapassam
14%. Segundo os mesmos levantamentos,
O Google est usando o poder de
seu site para promover uma pgina onde
as pessoas podem calcular os benefcios
financeiros das variadas formas de econo-
mizar energia.
A calculadora de economia de energia,
decorada com temas de Halloween,
uma das diversas medidas que o Google
tem tomado para combater os problemas
de energia do pas. O site ainda inclui um
link para dicas avanadas de economia de
energia.
De acordo com o blog Google Blo-
goscoped, o link no funciona em alguns
pases. A calculadora conta cada palavra em
sua pgina a fim de maximizar a velocidade
de carregamento, mas freqentemente
utiliza algumas palavras abaixo de sua
caixa de busca para promover diferentes
iniciativas.
O texto para o plano de economia
de energia diz: Espantado com os altos
preos da energia? Aqui esto algumas
formas de economizar. Acesse este
endereo: www.google.com/intl/en_us/
hauntedhouse08/
Luz natural a melhor
alternativa para economizar
Google: calculadora de energia
SE431_ABEE.indd 43 12/12/2008 17:34:09
44 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Circuitos Prticos
Newton C. Braga
D
escrevemos aqui uma aplicao
do circuito integrado FSD210
da Fairchild (www.fairchild.
com) em um carregador de
bateria de 3,5 W. Na condio de baixo
consumo, o circuito precisa de apenas
0,1 W quando conectado rede de 220 V.
Na figura 1 temos o diagrama completo
do carregador.
Conforme podemos ver pelo dia-
grama, a ponte retificadora que fornece
a corrente contnua para o circuito de
chaveamento ligada diretamente
rede de energia.
Dois indutores e um capacitor logo
aps estes diodos formam o circuito de
filtro contra a EMI produzida pelo setor
de chaveamento. Neste setor temos o
circuito integrado FSD210 que excita
diretamente um transformador de alto
rendimento com sinais modulados em
freqncia. No secundrio deste trans-
formador existe o setor de retificao,
que fornece a corrente contnua para a
carga da bateria com uma sada de 5,2
V x 0,65 A.
Carregador de Bateria
com o FSD210
A Fairchild apresenta uma
aplicao de um carregador de
bateria de 3,5 W capaz de operar
com uma faiza de tenses de en-
trada de 85 a 265 Vac
Fairchild apresenta uma apli-
cao de um carregador de ba-
teria de 3,5 capaz de operar com
uma faixa de tenses de entrada
de 85 a 265 Vac
A realimentao que fornece o sinal
de controle para o modulador obtida
de uma derivao deste circuito que,
atravs do transistor Q
2
excita um aco-
plador ptico.
Este acoplador, que isola o circuito
de baixa tenso da rede de energia e do
circuito de chaveamento, fornece a rea-
limentao que determina a regulagem
do circuito de chaveamento. O circuito
possui uma partida suave (soft start)
interna. Na figura 2 temos o esquema
de enrolamento do transformador.
Neste transformador temos:
Np formado por 99 voltas de fio
0,16 x 1 (enrolamento solenide), duas
camadas;
Na formado por 18 espiras de fio
0,16 x 1 (enrolamento central solenide),
duas camadas;
Ns formado por 50 voltas de fio
0,16 x 1 (enrolamento solenide), trs
camadas;
N5,2V formado por 9 voltas de
fio 0,4 x 1 (enrolamento solenide) trs
camadas. E
SE431_Carregador.indd 44 16/12/2008 19:11:08
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 45
F1. Carregador de baterias AB-33
com o FSD210 da Fairchild.
F2. Diagrama esquemtico
do transformador.
SE431_Carregador.indd 45 18/12/2008 12:57:58
46 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Circuitos Prticos
O
circuito integrado L5991 con-
siste em um controlador de
corrente do tipo PWM. As
principais caractersticas do
circuito sugerido so:
Tenso de entrada: 88 a 284 Vca;
Freqncia da rede: 50 ou 60 Hz;
Potncia mxima de sada: 90 W;
Sada de Defexo hori zontal:
200 V/0,325 A, ripple a plena carga
de 1%;
Fonte Chaveada de 90 W
para Monitores com
Funo Standby
Este artigo descreve a utilizao do circuito integrado L5991 (ST-
Microelectronics) em uma placa de aplicao que contm uma fonte
chaveada para monitores de vdeo com potncia at 90 W
Sada de Amplifcador de vdeo de
80 V, 0,125 A, com ripple a plena
carga de 1%;
Sada de defexo vertical de +/- 15
V com 0,33 mA e ripple a plena
carga de 1%;
Sada de flamento de 6,3 V, 800 A
com ripple a plena carga de 2%;
Freqncia de chaveamento de
40 kHz;
Efcincia: > 80%.
A topologia selecionada do tipo
fyback e no modo de operao com baixa
tenso de rede, com potncia de 90 W
CCM (Continuous Conduction Mode). Esta
confgurao possibilita menor estresse
dos componentes de potncia quando a
tenso baixa.
Na fgura 1 temos ento o diagrama
completo da fonte sugerida pela ST.
Observe a utilizao de um trans-
formador com enrolamentos separados
F1. Diagrama completo da fonte
chaveada para monitores.
SE431_FonteChaveada.indd 46 12/12/2008 17:41:42
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 47
para as diversas tenses de sada. Note
tambm que o feedback obtido da sada
de 15 V e que na sada de 200 V temos
um elemento de disparo que serve de
proteo para o circuito.
No entanto, o principal destaque para
este projeto a funo Standby que est
disponvel diretamente no circuito inte-
grado L5991. Quando a potncia exigida
pela carga est na faixa de 40 W a 90 W
(modo normal) a freqncia do conversor
ajustada em 40 kHz.
Porm, quando o monitor entra num
modo de baixo consumo (suspenso ou
OFF), a potncia exigida ser muito
menor, da ordem de poucos wats. Nes-
tas condies, o L5991 ir reconhecer
automaticamente esta nova condio de
operao e muda a freqncia de comu-
tao para 18 kHz.
Neste circuito, o capacitor C6 em pa-
ralelo com R19 e R20 fxam a freqncia
de oscilao e este valor pode ser modi-
fcado para fxado por C6 e R20.
Uma caracterstica importante do
circuito que ele dissipa apenas 300 mW
com uma alimentao de 264 V. O tempo
tpico para acord-lo de 2,8 segundos
em 88 V e 0,8 segundos em 264 V.
O circuito conta ainda com a possi-
bilidade de se agregar protees contra
subtenso (OCP) e sobretenso (OVP),
utilizando os recursos j existentes no
circuito integrado L5991. Outra possibili-
dade consiste em se agregar um circuito
de partida de baixo consumo, conforme
mostrado na fgura 2. Este circuito tem
um consumo de apenas 10 mW e fornece
tempos para acordar de 0,7 segundos e
0,2 segundos com as tenses mnima e
mxima de entrada especifcadas.
A placa de circuito impresso sugerida
pela ST ilustrada na fgura 3. Conforme
podemos ver, a simplicidade do circuito
possibilita o uso de uma placa comum
de face nica.
Concluso
A placa sugerida pela ST Micro-
clectronics (www.st.com) possibilita o
desenvolvimento de uma excelente fonte
chaveada para monitores. Mas, como
se trata de projeto especfco, deve-se
ter em mente que ela no isolada da
rede de energia, apresentando portanto
potenciais perigosos, com os quais o
projetista deve tomar cuidado. Mais
informaes podem ser obtidas no do-
cumento original AN1132 no site da ST,
incluindo-se as informaes sobre as
caractersticas do transformador utili-
zado. Neste documento temos circuitos
adicionais para agregar outros recursos
no citados neste artigo.
F2. Circuito de partida de
baixo consumo.
F3. Placa de circuito impresso para
a fonte chaveada de 90 W.
E
SE431_FonteChaveada.indd 47 12/12/2008 17:41:54
48 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Circuitos Prticos
Newton C. Braga
Amplificadores
Os circuitos integrados MCP6V01/2/3 da Microchip possuem carac-
tersticas que possibilitam sua aplicao em equipamentos portteis,
condicionamento de sensores, medidas de temperatura, correo de
offset DC e instrumentao mdica. Neste artigo, baseado no prprio
sheet data do componente mostramos algumas configuraes para
estes componentes
O
s amplificadores operacionais
MCP6V01/2/3 possuem correo
da tenso de offset de entrada
mesmo para desvios muito
pequenos. Estes componentes possuem
um produto ganho-faixa passante de 1,3
MHz e rejeitam fortemente rudos de co-
mutao. O ganho unitrio estvel e no
tem nenhum rudo 1/f. O PSRR e CMRR
excelente e eles podem operar com uma
tenso to baixa quanto 1,8 V, drenando
apenas 300 A de corrente quiescente por
amplificador. Na figura 1 temos as pinagens
dos componentes desta famlia.
O circuito tpico de aplicao mostrado
na figura 2.
Outras caractersticas de destaque:
Vos Drift: +/- 50 nV/
o
C (max);
Vos: +/- 2 V (max);
PSRR: 130 dB (min);
CMRR: 130 dB (min);
Io: 300 A;
Sada/entrada rail-to-rail;
Tenso de alimentao: 1,5 a 5,5 V.

F1. Pinagens dos amplifcadores


operacionais MCP6V01/2/3.
F2. Circuito tpico de aplicao.
SE431_AmplificadoresOperacionis.48 48 16/12/2008 17:40:41
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 49
F6. Circuito diferencial para pontes com
sensores de presso, temperatura etc.
F3. Modo normal de operao do ampli-
fcador no zeramento de um circuito.
F4. Operao no modo de auto-zeramento.
F5. Aplicao em uma ponte de Wheatstone.
Circuitos
Na figura 3 temos o modo de ao
normal deste amplificador, onde obtido
o autozeramento.
Na figura 4 vemos o modo de operao
para o auto-zeramento de um circuito.
1. Ponte de Wheatstone - 1
Na figura 5 temos uma aplicao tpica
destes amplificadores o-peracionais numa
ponte de Wheatstone. O dispositivo se
mostra importante neste tipo de aplicao,
onde os sinais so fracos e o rudo em
modo comum intenso. Como o circuito
no simtrico, a sada tem apenas uma
polaridade (single-ended).
2. Ponte de Wheatstone - 2
Um circuito que tem uma excurso
tanto para valores positivos como negati-
vos (totalmente diferencial) ilustrado na
figura 6, sendo indicado para pontes de
sensores como as que fazem uso de sensores
de presso e de temperatura. Este circuito
apresenta uma alta performance quando
comparado com o anterior.
SE431_AmplificadoresOperacionis.49 49 16/12/2008 17:46:35
50 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Circuitos Prticos
Uma falha no RTD pode ser detectada,
pois a tenso de sada sair da faixa de
valores prevista.
4. Amplificador para
Par Termoeltrico - 1
A utilizao dos amplificadores opera-
cionais desta srie com pares termoeltricos
exibida na figura 8.
Este circuito utiliza apenas um am-
plificador operacional, tendo uma sada
nica referenciada terra.
5. Amplificador para
Par teroemtrico 2
Uma configurao melhor implementada
vista na figura 9.
O MCP1541 produz uma tenso de
sada de 4,10 V com uma alimentao de 5
V. Esta tenso ligada escada de resistores
de 4,100 e 1,322 ohms produz uma tenso
e resistncia equivalente de Thevenin de
1,00 V e 250 R. O resistor de 1,322 ohms
combinado em paralelo com o resistor r do
topo produzindo um resistor equivalente
de 0,569 ohms.
V4 deve ser convertida para a forma
digital e ento corrigida de acordo com
a no linearidade do termopar. O ADC
pode usar o MCP1541 como sua fonte de
tenso de referncia.
6. Comparador de Preciso
Completamos a srie de circuitos apli-
cativos com um comparador de preciso.
Neste circuito temos uma etapa de alta
ganho antes da entrada de modo a melhorar
a performance. O circuito mostrado na
figura 10. No se recomenda utilizar o
MCP6V01 como comparador propriamente
dito, dadas suas caractersticas que exigem
um loop de realimentao.
Amplificadores com caractersticas
especficas, como o descrito neste artigo,
possibilitam a implementao de solues
de alto desempenho com menor nmero
de componentes. Os amplificadores com
recursos de autozero so um exemplo desta
gama de aplicaes. O leitor poder obter
muito mais no data sheet dos componentes
sugeridos, baixando-o diretamente do site
da Microchip (www.microchip.com).
F7. Circuito para sensor RTD usando dois amplifcadores
operacionais excitando diretamente um ADC.
F8. Aplicao com par termoeltrico.
F9. Outra confgurao para partermoeltrico
com circuito regulador de tenso.
F10. Comparador de preciso.
3.Circuito Sensor com RTD
Na figura 7 temos uma aplicao dos
amplificadores operacionais com autozero
com sensor RTD. Este circuito excita dire-
tamente a entrada de um ADC.
O circuito projetado para operar com
RTDs de 3 terminais, corrigindo a influ-
ncia da resistncia do cabo de conexo
(Rw). O resistor R1 no afeta a tenso de
sada servindo apenas para balancear as
entradas dos amplificadores operacionais.
E
SE431_AmplificadoresOperacionis.50 50 16/12/2008 17:41:20
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 51
Microcontroladores
A
Freescale parte do fato de
que os teclados tradicionais
utilizam micro-switches que
controlam diretamente as cor-
rentes que acionam os vidros eltricos e
os espelhos.
Embora estas chaves possam controlar
as correntes destes dispositivos, uma vez
que elas no so elevadas, o teclado se tor-
na complexo dada a necessidade de que,
em alguns casos, os motores devem ser
controlados nos dois sentidos de rotao.
Alm disso, o mesmo dispositivo poder
ser controlado a partir de dois pontos,
por exemplo: os vidros da frente devem
ser controlados tanto pelo passageiro da
direita como da esquerda.
Considerando-se as correntes eleva-
das, o dispositivo torna-se caro e difcil
de instalar. Com a utilizao da soluo
eletrnica e uma interface para a rede LIN
(Local Interconect Network), os proble-
mas so resolvidos.
No Application Note AN2205 da
Freescale (www.freescale.com), que re-
sumimos neste artigo, mas que pode ser
Teclado de Porta de
Carro utilizando LIN
Veja a montagem de um te-
clado de porta de carro para con-
trolar os vidros, baseado em um
microcontrolador e na rede LIN
baixado na ntegra no site da empresa,
resumimos o projeto de um teclado como
um n escravo da rede LIN. Isso signifca
que ele pode iniciar as comunicaes com
outros ns da rede, no caso o mestre. No
entanto, o mestre envia ao teclado uma
mensagem a cada 100 ms que responde
com um cdigo de 4 bits que se refere a
todas as funes que ele deve realizar,
conforme diagrama de blocos mostrado
na fgura 1.
Nesse tipo de projeto deve-se conside-
rar ainda que existe uma diferena entre
o teclado utilizado e o teclado comum de
uma calculadora.
De fato, nesta aplicao duas teclas
podem ser pressionadas ao mesmo tem-
po, o que no ocorre com uma calcula-
dora. Assim, a utilizao da abordagem
de matriz X-Y no projeto do teclado no
se aplica.
Uma disposio de leitura em matriz
tem uma capacidade limitada para detec-
tar o pressionamento simultneo de duas
teclas. Para se obter este tipo de aplicao
emprega-se a tcnica das teclas-espelho.
Figura 1 Funes implementadas pelo
teclado.
Figura 2 Chaves utilizadas noteclado.
Figura 3 - Diagrama completo do teclado
de porta de carro.
F1. Funes implementadas
pelo teclado.
Newton C. Braga
SE431_carro.indd 51 12/12/2008 17:46:29
52 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Microcontroladores
O que acontece que se as teclas da
mesma linha ou coluna forem pressiona-
das, estas linhas sero curto-circuitadas.
Desta forma, tm-se a deteco de uma
terceira funo. Isso conseguido com uma
matriz 5 x 2 usando-se 10 linhas I/O do
microcontrolador. Trata-se do mesmo tipo
de soluo que normalmente empregada
no projeto de joysticks.
Outro problema a ser considerado o
tipo de tecla a ser utilizada neste tipo de
aplicao. Como em um carro podemos
ter quatro teclados, um em cada porta,
sendo possvel que mais de uma tecla seja
pressionada ao mesmo tempo, isso deve
ser previsto.
Para este tipo de aplicao em que as ja-
nelas devem subir e descer, exgindo assim
funes complexas, no se usa a disposio
convencional em matriz.
Uma soluo seria utilizar 16 chaves,
com uma disposio em que se empregam
16 I/Os em lugar da matriz 4 x 4. A seguir
detalhamos as possveis solues.
No primeiro caso temos a interface
direta com 16 chaves. Este mtodo tem por
vantagem precisar de um sofware simples,
mas a desvantagem est na necessidade de
se empregar 16 linhas I/O.
No segundo caso utilizam-se as entra-
das analgicas-para-digital. A vantagem
est no uso de apenas 4 linhas I/O , mas
a desvantagem reside na necessidade de
se empregar um MCU com ADC e alguns
componentes externos.
A terceira soluo utiliza 8 chaves onde
a durao do pressionamento distingue
entre a operao normal e rpida. A vanta-
gem est no uso de apenas 8 linhas I/O e a
desvantagem est no fato de ser um pouco
complicada para o usurio.
Finalmente temos a soluo adotada
neste projeto que consiste em 8 chaves,
onde a subida e descida rpida so ob-
tidas com o acionamento simultneo de
duas chaves (up e down). Na fgura 2
temos o aspecto das chaves utilizadas.
Na figura 3 temos fi nalmente o
diagrama completo do controlador de
vidros com teclado na porta do carro,
sugerido pela Freescale.
Informaes sobre o software e a
listagem para o microcontrolador empre-
gado podem ser obtidos no documento
original da Freescale.
F2. Chaves utilizadas
no teclado.
F3. Diagrama completo do
teclado de porta de carro.
E
SE431_carro.indd 52 12/12/2008 17:46:42
SE431_Componentes.indd 53 16/12/2008 20:55:47
54 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Componentes
Termostato - Termmetro
Digital com o MAXQ3212
Baseados no Application Note 3965 da Maxim (www.maxim-ic.com) descrevemos a
seguir o projeto de um termostato digital com um termmetro de quatro dgitos baseado
no micricontrolador MAXQ3212. O circuito inclui ainda uma interface 1-wire. O leitor po-
der obter mais informaes sobre este projeto e tambm sobre o microcontrolador no
site da Maxim
Newton C. Braga
F1. Diagrama completo do termostato-
termmetro com o MAXQ3212.
SE431_Componentes.indd 54 16/12/2008 16:45:01
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 55
E
R
egulagem e controle da temperatura
so necessrias em uma infinidade
de aplicaes. Podemos citar o
controle da temperatura ambiente,
estufas, fornos de secagem, cmaras de
refrigerao e muito mais. Com a utilizao
de microcontroladores, o desenvolvimento
de projetos que atendam a este tipo de ne-
cessidade torna-se relativamente simples.
O projeto que descrevemos um exemplo,
havendo inclusive um kit de avaliao para
os leitores interessados.
O sistema em questo tem por finalidade
medir a temperatura ambiente, a qual
comparada com uma referncia dada pelo
usurio, e em sua funo ativar um rel
se ela estiver abaixo do valor desejado. O
sistema usa um display de LEDs de quatro
dgitos para mostrar a temperatura e tambm
para ajustar o valor da temperatura em que
deve ocorrer o acionamento do rel.
O microcontrolador utilizado o
MAXQ3212, que tem por funo operar
como uma interface entre o sensor e os
demais elementos do sistema.
Na figura 1 temos o diagrama com-
pleto do termostato-termmetro com o
microcontrolador indicado.
O interfaceamento do microcontrolador
com o display de LEDs feito atravs do
circuito integrado ICM7218API. Este circuito
pode excitar displays de at 8 dgitos, mas
neste caso apenas quatro so utilizados. Na
disposio empregada temos a preciso de
0,1
o
C, ou seja, a indicao de temperatura
com uma casa depois da vrgula (ponto
decimal).
Este componente contm todos os ele-
mentos para excitao de displays de anodo
comum, sem a necessidade de limitao
externa de corrente.
O sistema possui inclusive um rel que
acionado se a temperatura cair abaixo do
valor programado. Este rel eletromecnico
comum possibilita o controle de dispositivos
externos de alta potncia ligados rede de
energia como, por exemplo, um aquecedor
de ambiente. O rel empregado do tipo
de 5 A com 8 A de capacidade de contato,
mas podem ser utilizados dispositivos
equivalentes nesta aplicao, desde que
estejam dentro dos limites de capacidade
do FET usado como driver.
O sensor de temperatura um DS18B20-
PAR da Maxim que mede a temperatura
ambiente. Este dispositivo tem uma preci-
so de +/- 0,5
o
C na faixa que vai de -10
o
C a
+85
o
C, mas o sistema programado para
atuar na faixa de +12 C a +38
o
C, que uma
faixa razovel de temperaturas para um
ambiente fechado.
Evidentemente, outras faixas de valo-
res podem ser programadas. A resoluo
do dispositivo selecionvel entre 9 e 12
bits. O sensor utilizado tem uma interface
1-Wire, um sistema da Maxim que permite
a utilizao de um nico pino de porta do
microcontrolador. Para a aplicao indicada
o cdigo-fonte pode ser baixado do site da
Maxim. Mais detalhes sobre o modo de
programao e eventuais modificaes
para operao com mais de um sensor ou
em outras faixas de temperatura podem
ser obtidas na documentao original da
Maxim.
Monitor de Banco de Baterias
A A Linear Technology (www.linear.
com) anunciou o lanamento do
circuito integrado LTC6802, um
monitor de bateria capaz de moni-
torar o estado de at 12 baterias
individualmente. O dispositivo utiliza
tecnologia que possibilita a integrao
de diversos LTC6802 em srie com
optoacopladores ou isoladores, para
monitoramento de preciso de cada
clula em bancos de baterias conec-
tadas em srie.
Este tipo de configurao de bate-
rias utilizada em aplicaes de alta
potncia como veculos eltricos,
scooters, carros de golfe, cadeiras de
rodas, barcos, robs, equipamento
mdico porttil e nobrakes.
Com densidade superior de energia,
as baterias de Ltio-on so escolhidas
como fontes de energia para estas
aplicaes. No entanto, projetar um
banco de baterias confivel um pro-
blema complexo, uma vez que estas
baterias so sensveis a sobrecarga
e sobredescarga, exgindo que cada
clula do conjunto seja corretamente
gerenciada. Com o LTC6802 isso
possvel com tenses conjuntas at
1000 V.
O erro mximo total medido
garantido em menos de 0,255 na
faixa de -40 C a +85 C e as tenses
da clula so medidas em intervalos
de 13 ms. Cada clula monitorada
para as condies de sobretenso e
subtenso. Cada lTC6802 se comu-
nica atravs de uma interface serial
de 1 MHz e alm disso inclui entra-
das para sensores de temperatura,
linhas GPIO e uma referncia de
tenso precisa. Na figura 1 temos
um diagrama de aplicao tpica do
dispositivo.
F1. Diagrama tpico de
aplicao para o LITC6802.
Monitor de banco de baterias
SE431_Componentes.indd 55 16/12/2008 16:45:17
56 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Componentes
Controlador Hot Swap duplo para Redes pticas
A Vishay Intertechnoloy (www.vishay.
com) lanou o primeiro MOSFET de
Potncia e diodo Schottky monolticos para
30 V com invlucro dotado de dissipao
superior e inferior, destinados a aplicaes
com ventilao forada.
O novo componente, denominado
SiE726DR tem uma eficincia melhorada
para aplicaes de alta corrente e alta
freqncia. O dispositivo tem uma resistn-
cia de conduo extremamente baixa, de
apenas 0,0024 ohms com 10 V de tenso de
gate e 0,0033 ohms com 4,5 V de tenso de
gate. Sua capacidade de conduo de cor-
rente 50% do que os dispositivos equiva-
lentes em invlucros SO-8.
Otimizados para aplicaes de controle
low-side em conversores DC-DC, aplica-
es VRM, placas grficas e servidores, alm
de sistemas de telecomunicaes, o disposi-
tivo tem uma carga de gate de 50 nC. O Vsd
de 0,37 V.
Flash de LEDs Duplos para 1,2 A
O circuito integrado LM3553 da
National Semiconductor ( ) consiste
em um flasher de LEDs com capa-
cidade de excitar dois LEDs com
correntes at 1,2 A. O dispositivo,
fornecido em invlucro SDF12A
conforme mostra a figura 1 tambm
compatvel com interface IC.
O componente opera num modo
fixo de freqncia e corrente, como
um conversor DC/DC elevador
de tenso. Na sada ele possui dois
terminais que drenam a corrente da
carga formada pelos LEDs. Um ou
mais LEDs pulsantes de alta corrente
podem ser excitados em srie, ou
tanto num modo de alta corrente
quanto de baixa corrente. Um modo
de tenso fixa de sada tambm est
disponvel.
O LM3553 pode ser programado
com 128 nveis diferentes de cor-
rente e contm ainda um timer de 16
bits de programao da durao do
pulso. A freqncia de comutao de
1,2 MHz permite o uso de capacito-
res pequenos. Destacamos ainda o
pino TX, que fora o circuito a um
modo lanterna durante um evento de
flash de modo a permitir a sincro-
nizao entre o amplificador e os
modos Flash/Torch.
Dentre as aplicaes sugeridas para
este componente temos:
Flash de cmeras em telefones
celulares;
Flashes de aplicaes diversas;
Acionamento de LEDs de iluminao
de painis de fundo.
Na figura 2 temos o diagrama de
blocos do componente.
Dentre as principais caractersticas
deste componente, destacamos as
seguintes:
Corrente programvel at 1,2 A
em 128 passos;
90% de eficincia de pico;
Excita 2 LEDs em srie com 1,2 A
a partir de 5 V;
Excita 2 LEDs em srie com 600
mA a partir de 3 V;

Proteo contra sobretenso


ajustvel;
Quatro modos de operao: lan-
terna, flash, indicador e modo de
tenso (4,96 V);
O LED desligado no shutdown.
Na figura 3 damos um primeiro
circuito de aplicao.
Para alimentao com 3,3 V este cir-
cuito fornece uma corrente de 600
mA aos LEDs. Na figura 4 vemos a
curva de programao para os 128
passos de ajuste possveis.
Na figura 5 mostramos um circuito
para excitao de 1 LED apenas no
modo de tenso com uma corrente
de 700 mA.
Temos finalmente, na figura 6, um cir-
cuito que opera no modo de tenso,
com sada de 4,95 V, fornecendo uma
corrente de 700 mA.
Mais informaes sobre o uso deste
componente o leitor pode baixar no
prprio datasheet em formato PDF
a partir do site da National Semi-
conductor. Uma placa de desenvol-
vimento tambm est disponvel no
mesmo site.

F1. Dispositivo em invlucro SDF12A.


F2. Diagrama de blocos de componente.
F3. Circuito de Aplicao. F4. Curva de Programao.
F5. Circuito para excitao.
F6. Modo de Tenso com sada de 4,95 V.
SE431_Componentes.indd 56 16/12/2008 16:45:41
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 57
Controlador Hot Swap duplo para Redes pticas
A Vishay Intertechnoloy (www.vishay.
com) lanou o primeiro MOSFET de
Potncia e diodo Schottky monolticos para
30 V com invlucro dotado de dissipao
superior e inferior, destinados a aplicaes
com ventilao forada.
O novo componente, denominado
SiE726DR tem uma eficincia melhorada
para aplicaes de alta corrente e alta
freqncia. O dispositivo tem uma resistn-
cia de conduo extremamente baixa, de
apenas 0,0024 ohms com 10 V de tenso de
gate e 0,0033 ohms com 4,5 V de tenso de
gate. Sua capacidade de conduo de cor-
rente 50% do que os dispositivos equiva-
lentes em invlucros SO-8.
Otimizados para aplicaes de controle
low-side em conversores DC-DC, aplica-
es VRM, placas grficas e servidores, alm
de sistemas de telecomunicaes, o disposi-
tivo tem uma carga de gate de 50 nC. O Vsd
de 0,37 V.
Flash de LEDs Duplos para 1,2 A
O circuito integrado LM3553 da
National Semiconductor ( ) consiste
em um flasher de LEDs com capa-
cidade de excitar dois LEDs com
correntes at 1,2 A. O dispositivo,
fornecido em invlucro SDF12A
conforme mostra a figura 1 tambm
compatvel com interface IC.
O componente opera num modo
fixo de freqncia e corrente, como
um conversor DC/DC elevador
de tenso. Na sada ele possui dois
terminais que drenam a corrente da
carga formada pelos LEDs. Um ou
mais LEDs pulsantes de alta corrente
podem ser excitados em srie, ou
tanto num modo de alta corrente
quanto de baixa corrente. Um modo
de tenso fixa de sada tambm est
disponvel.
O LM3553 pode ser programado
com 128 nveis diferentes de cor-
rente e contm ainda um timer de 16
bits de programao da durao do
pulso. A freqncia de comutao de
1,2 MHz permite o uso de capacito-
res pequenos. Destacamos ainda o
pino TX, que fora o circuito a um
modo lanterna durante um evento de
flash de modo a permitir a sincro-
nizao entre o amplificador e os
modos Flash/Torch.
Dentre as aplicaes sugeridas para
este componente temos:
Flash de cmeras em telefones
celulares;
Flashes de aplicaes diversas;
Acionamento de LEDs de iluminao
de painis de fundo.
Na figura 2 temos o diagrama de
blocos do componente.
Dentre as principais caractersticas
deste componente, destacamos as
seguintes:
Corrente programvel at 1,2 A
em 128 passos;
90% de eficincia de pico;
Excita 2 LEDs em srie com 1,2 A
a partir de 5 V;
Excita 2 LEDs em srie com 600
mA a partir de 3 V;

Proteo contra sobretenso


ajustvel;
Quatro modos de operao: lan-
terna, flash, indicador e modo de
tenso (4,96 V);
O LED desligado no shutdown.
Na figura 3 damos um primeiro
circuito de aplicao.
Para alimentao com 3,3 V este cir-
cuito fornece uma corrente de 600
mA aos LEDs. Na figura 4 vemos a
curva de programao para os 128
passos de ajuste possveis.
Na figura 5 mostramos um circuito
para excitao de 1 LED apenas no
modo de tenso com uma corrente
de 700 mA.
Temos finalmente, na figura 6, um cir-
cuito que opera no modo de tenso,
com sada de 4,95 V, fornecendo uma
corrente de 700 mA.
Mais informaes sobre o uso deste
componente o leitor pode baixar no
prprio datasheet em formato PDF
a partir do site da National Semi-
conductor. Uma placa de desenvol-
vimento tambm est disponvel no
mesmo site.

F1. Dispositivo em invlucro SDF12A.


F2. Diagrama de blocos de componente.
F3. Circuito de Aplicao. F4. Curva de Programao.
F5. Circuito para excitao.
F6. Modo de Tenso com sada de 4,95 V.
SE431_Componentes.indd 57 16/12/2008 16:45:53
58 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Componentes
A4935 Driver MOSFET Trifsico Automotivo
Lanado recentemente pela Allegro
MicroSystems (www.allegro.com),
o circuito integrado A4935 con-
siste num controlador trifsico para
utilizao com MOSFETs externos de
canal N no controle de motores de
uso automotivo.
O dispositivo possui um regulador
interno do tipo bomba de cargas
(charge pump), que fornece uma
tenso maior que 10 V para o disparo
de MOSFETs mesmo quando a
tenso de alimentao cai para valo-
res to baixos como 7 V. A operao
do circuito ainda continua eficiente
com tenses de alimentao caindo
para 5,5 V.
Um capacitor bootstrap utilizado
para proporcionar a tenso abaixo da
tenso de bateria, necessria exci-
tao dos MOSFETs de potncia de
canal N. Uma bomba de carga interna
para excitar o transistor do lado alto
permite uma operao DC (100% de
ciclo ativo).
fornecido um controle completo
de todos os seis FETs de potncia
numa ponte trifsica permitindo que
motores sejam excitados com bloco
de comunicao, ou ainda excitao
senoidal. Os FETs de potncia so
protegidos de comutao simut-
nea no mesmo ramo atravs de um
controle cruzado e um tempo morto
ajustado atravs de resistor.
A corrente da ponte pode ser
medida utilizando-se um amplifica-
dor sensor de corrente integrado.
Trata-se de um amplificador diferen-
cial com uma faixa em modo comum
abaixo do terra, o que permite que
ele seja usado do lado baixo no
sensoriamento de corrente. O ganho
e o offset so determinados por um
resistor externo.
Na figura 1 temos o diagrama de
blocos deste componente e sua utili-
zao tpica.
A faixa de tenses de operao do
dispositivo vai de 5,5 V a 50 V, com
uma corrente quiescente tpica de 10
mA. A tenso regulada caracterstica
de sada de 13 V. A resistncia tpica
do diodo boostrap de 10 ohms e
seu limite de corrente de 500 mA. O
tempo de propagao (on-off de 90
ns geralmente. Com 240 k ohms, o
tempo morto ser de 3,5 microsse-
gundos.
Na figura 2 temos a curva que
mostra a dependncia do tempo
morto em funo do resistor uti-
lizado. O leitor pode obter mais
informaes sobre o uso deste
componente no datasheet disponvel
no site da Allegro.
F1. Diagrama de blocos e aplicao tpica.
F2. Dependncia do tempo
morto em funo do resistor.
SE431_Componentes.indd 58 16/12/2008 16:46:06
Novembro 2008 I SABER ELETRNICA 430 I 17
Microcontroladores
SE431_Reportagem.indd 17 17/12/2008 15:44:02
60 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Componentes
Sintetizadores Programveis de Clock com sadas LVCMOS
Os circuitos integrados CDCE949
e CDCEL949 da Texas Instruments
(www.ti.com) consistem em sinte-
tizadores de clock PLL programveis
com caractersticas de alto desempe-
nho e baixo custo. Estes componen-
tes podem gerar at nove sinais de
clock a partir de uma nica freqncia
de entrada. Cada sada pode ser
programada no prprio sistema para
qualquer freqncia de clock at
230 MHz, empregando para isso at
4 PLLs independentes configurveis.
Na figura 1 temos o diagrama de
blocos destes componentes e a sua
pinagem.
O CDCx949 tem pinos de sadas
separadas, Vddout, 1,8 V para o
CDCEL949 e 2,5 V a 3,3 V para o
CDCE949. A entrada aceita um
cristal externo ou um sinal de clock
LVCMOS.
Se for utilizado um cristal externo,
conta-se com um capacitor on-chip
que adequado para a maioria das
aplicaes. O valor deste compo-
nente pode ser programado entre 0
e 20 pF. Alm disso temos um VCXO
on-chip selecionvel de modo a pos-
sibilitar a sincronizao da freqncia
de sada por um sinal externo de
controle, ou seja, um sinal PWM. O
dispositivo suporta programao de
uma EEPROM no voltil para fcil
customizao em uma aplicao. Ele
prajustado para uma configurao
default, a qual pode ser modificada
conforme a aplicao. Na figura
2 temos o diagrama funcional dos
dispositivos desta srie.
Outros dispositivos da mema srie
podem ser utilizados na mesma
funo, conforme mostra a tabela
abaixo:
F2. Diagrama funcional dos geradores de clock da Texas Instruments.
F1. Diagrama de blocos do CDCE949 e CDCEL949.
Tipo
CDCE949
CDCE937
CDCE925
CDCE913
CDCEL949
CDCEL937
CDCEL925
CDCEL913
# PLLs
4
3
2
1
4
3
2
1
Sada
2,5/3,3 V
2,5/3,3 V
2,5/3,3 V
2,5/3,3 V
1,8 V
1,8 V
1,8 V
1,8 V
Outras caractersticas importantes
dos CDCE949 e CDCEL949 so:
Programabilidade de EEPROM no
sistema;
Trs entradas de controle configur-
veis pelo usurio;
Gera sinais de alta preciso para
aplicaes em vdeo, udio, USB,
IEEE1394, RFID e gera sinais de clock
de freqncias comuns utilizadas
como a plataforma DaVinci, OMAP,
DSPs;
Opera com Bluetooth, WLAN, Ether-
net e GPS;
Cristal externo de 8 a 32 Mhz;
Cerne PLL de baixo rudo.
Mais informaes podem ser obtidas
no site da Texas Instruments.
LT3085 LDO SMD da Linear
A Linear Technology (www.linear.
com) lanou o LT3085, um LDO
para 500 mA que pode ser ligado em
paralelo para fornecer mais cor-
rente. A nova gerao de LDO NPN
permite a associao em paralelo
utilizando-se um simples resistor. Os
dispositivos so ajustveis at 0 V.
A nova arquitetura destes com-
ponentes usa uma referncia de
corrente em lugar de referncia de
tenso, como ocorre nos dispositivos
equivalentes deste tipo. Com isso
possvel dividir igualmente a corrente
entre diversos reguladores simples-
mente ligando seus pinos em paralelo.
Um resistor em srie para correta
diviso feito com um simples tra-
ado na placa de circuito impresso.
A corrente de sada de 500 mA e
as tenses de entrada podem variar
entre 1 a 36 V. A queda de tenso
no regulador de apenas 275 mV a
plena carga. A tenso de sada ajus-
tvel entre 0 e 35 V e a referncia de
corrente on-chip alcana uma preciso
de +/- 1%. O dispositivo inclui ainda
recursos de proteo.
O invlucro SMD DFN de 6 pinos e
MSOP de 8 pinos podem dissipar 1 e
2 W respectivamente, sem a necessi-
dade de dissipador de calor.
Destaques:
Possibilidade de conexo em pa-
ralelo para maior capacidade de
corrente;
Queda de tenso de 275 mV
Baixo rudo: 33 uVrms numa faixa
de 100 kHz;

Referncia de corrente estvel


de 10 uA;
Faixa de tenses de sada de 0 a
35 V;
Faixa de tenses de entrada de
1,2 a 36 V;
Corrente de sada: 0,5 A;
Limitao trmica;
Estvel com capacitores cermicos,
tntalo ou alumnio.

A Vishay Intertechnology Inc.


(www.vishay.com) de modo
a atender as necessidades do
mercado automotivo e de sistemas
industriais, anunciou a ampliao de
sua linha de capacitores de alum-
nio 140 CRH para montagem em
superfcie, a qual passa a oferecer
valores de capacitncias mais altos,
assim como correntes de ripple.
Trata-se de uma srie de capaci-
tores eletrolticos polarizados de
alumnio com um eletrlito no s-
lido, sendo ideal para aplicaes em
filtragem, suavizao de tenses,
bufferizao e desacoplamento de
tenses, tanto em sistemas indus-
triais como de uso automotivo que
operem em temperaturas elevadas
(at 125 C).
A faixa de valores de capacitncias
dos novos capacitores vai de 10 F
a 1 000 F com tenses de traba-
lho de 6,3 V a 63 V, e uma elevada
corrente de ripple - de 900 mA
em 100 kHz/125 C. A ESR de 90
mohms em 100 kHz.
Os capacitores esto disponveis
em cinco tamanhos de invlucros,
de 8 mm x 8 mm x 10 mm at o
maior (de 12,5 mm x 12,5 mm x
16 mm).
Para alta resistncia a vibraes, os
capacitores 140 CRH de 12,5 mm
de dimetro tambm esto dispo-
nveis em verses de 4 pinos. Para
os de 10 mm as verses de 4 pinos
podem ser obtidas sob encomenda.
Os capacitores apresentam uma
vida longa que chega a 3 000 horas
Vishay Amplia Linha de 140 CHR
com +125 C. Os dispositivos
esto de acordo com as normas
RoHS e so prova de carga e
descarga, assim no existe limitao
de corrente de pico. Sua faixa de
temperaturas de operao vai de
-55 C a +125 C.
F1. Nova linha de capacitores de
alumnio 140 CHR da Vishay.
SE431_Componentes.indd 60 16/12/2008 16:46:35
Dezembro 2008 I SABER ELETRNICA 431 I 61
LT3085 LDO SMD da Linear
A Linear Technology (www.linear.
com) lanou o LT3085, um LDO
para 500 mA que pode ser ligado em
paralelo para fornecer mais cor-
rente. A nova gerao de LDO NPN
permite a associao em paralelo
utilizando-se um simples resistor. Os
dispositivos so ajustveis at 0 V.
A nova arquitetura destes com-
ponentes usa uma referncia de
corrente em lugar de referncia de
tenso, como ocorre nos dispositivos
equivalentes deste tipo. Com isso
possvel dividir igualmente a corrente
entre diversos reguladores simples-
mente ligando seus pinos em paralelo.
Um resistor em srie para correta
diviso feito com um simples tra-
ado na placa de circuito impresso.
A corrente de sada de 500 mA e
as tenses de entrada podem variar
entre 1 a 36 V. A queda de tenso
no regulador de apenas 275 mV a
plena carga. A tenso de sada ajus-
tvel entre 0 e 35 V e a referncia de
corrente on-chip alcana uma preciso
de +/- 1%. O dispositivo inclui ainda
recursos de proteo.
O invlucro SMD DFN de 6 pinos e
MSOP de 8 pinos podem dissipar 1 e
2 W respectivamente, sem a necessi-
dade de dissipador de calor.
Destaques:
Possibilidade de conexo em pa-
ralelo para maior capacidade de
corrente;
Queda de tenso de 275 mV
Baixo rudo: 33 uVrms numa faixa
de 100 kHz;

Referncia de corrente estvel


de 10 uA;
Faixa de tenses de sada de 0 a
35 V;
Faixa de tenses de entrada de
1,2 a 36 V;
Corrente de sada: 0,5 A;
Limitao trmica;
Estvel com capacitores cermicos,
tntalo ou alumnio.

A Vishay Intertechnology Inc.


(www.vishay.com) de modo
a atender as necessidades do
mercado automotivo e de sistemas
industriais, anunciou a ampliao de
sua linha de capacitores de alum-
nio 140 CRH para montagem em
superfcie, a qual passa a oferecer
valores de capacitncias mais altos,
assim como correntes de ripple.
Trata-se de uma srie de capaci-
tores eletrolticos polarizados de
alumnio com um eletrlito no s-
lido, sendo ideal para aplicaes em
filtragem, suavizao de tenses,
bufferizao e desacoplamento de
tenses, tanto em sistemas indus-
triais como de uso automotivo que
operem em temperaturas elevadas
(at 125 C).
A faixa de valores de capacitncias
dos novos capacitores vai de 10 F
a 1 000 F com tenses de traba-
lho de 6,3 V a 63 V, e uma elevada
corrente de ripple - de 900 mA
em 100 kHz/125 C. A ESR de 90
mohms em 100 kHz.
Os capacitores esto disponveis
em cinco tamanhos de invlucros,
de 8 mm x 8 mm x 10 mm at o
maior (de 12,5 mm x 12,5 mm x
16 mm).
Para alta resistncia a vibraes, os
capacitores 140 CRH de 12,5 mm
de dimetro tambm esto dispo-
nveis em verses de 4 pinos. Para
os de 10 mm as verses de 4 pinos
podem ser obtidas sob encomenda.
Os capacitores apresentam uma
vida longa que chega a 3 000 horas
Vishay Amplia Linha de 140 CHR
com +125 C. Os dispositivos
esto de acordo com as normas
RoHS e so prova de carga e
descarga, assim no existe limitao
de corrente de pico. Sua faixa de
temperaturas de operao vai de
-55 C a +125 C.
F1. Nova linha de capacitores de
alumnio 140 CHR da Vishay.
SE431_Componentes.indd 61 16/12/2008 16:47:08
62 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Componentes
TSOP22xx Nova famlia de Sensores IR para Controle Remoto
A Vishay Semiconductors (www.
vishay.com) lanou uma nova famlia
de mdulos receptores de infraver-
melho para sistemas de controle
remoto. Os novos componentes so
todos fornecidos em invlucros com
a pinagem exibida na figura1.
Na tabela direita temos os tipos
com as freqncias correspondentes
de portadora.
Os novos componentes operam com
tenses de 2,7 V a 5,5 V e possuem
recursos que os tornam imunes
luz ambiente. O fotodetector e o
circuito amplificador esto integrados
no mesmo invlucro, conforme pode-
mos ver pelo diagrama de blocos da
figura 2.
Na figura 3 temos um circuito tpico
de aplicao onde os componen-
tes R
1
e C
1
so opcionais, servindo
apenas para melhorar o desempenho
do sistema em condies mais rgidas,
filtrando a tenso de alimentao,
comum ao microcontrolador ou
outro circuito de processamento
dos sinais. Para aplicaes comuns os
valores tpicos destes componentes
so R
1
= 100 ohms e C
1
= 0,1 F.
A tenso de sada no precisa ter
uma carga terra para menos de 1 V. F1. Pinagem dos novos receptores
infravermelhos (IR) da Vishay.
F2. Diagrama de blocos dos
receptores infravermelhos.
F3. Circuito tpico de aplicao.
F4. Diagrama de diretividade dos
receptores IR TSOP22xx da Vishay.
A carga capacitiva na sada deve ser
menor do que 2 nF. Nesta aplicao,
os sinais do receptor so aplicados
diretamente a um microcontrolador.
O alcance chega a 45 m e a corrente
de sada, assim como a corrente de
alimentao, so de 5 mA. Na figura
4 mostramos um diagrama horizontal
de diretividade do dispositivo.
Quando sinais so aplicados na
entrada do dispositivo na presena de
interferncia, por exemplo, lmpadas
fluorescentes, sua sensibilidade dimi-
nui de modo a assegurar a integri-
dade dos dados.
SE431_Componentes.indd 62 16/12/2008 16:47:28
64 I SABER ELETRNICA 431 I Dezembro 2008
Componentes
LT5581 Detector de Potncia RMS para 6 GHz
A Linear Technology (www.lin-
ear.com) lanou recentemente o
LT5581, um circuito integrado de de-
tector de potncia RMS para 6 GHz,
com uma faixa dinmica de 40 dB. O
dispositivo utiliza uma tnica propi-
etria para medir potncia de RF
numa faixa de -34 dBm a +6 dBm em
2,1 GHz de sinais modulados, com
um fator de crista to alto como 12
dB. Na figura 1 temos uma aplicao
tpica deste circuito integrado.
A sada do dispositivo uma tenso
contnua numa escala proporcional
potncia do sinal de entrada em dBm.
O LT558 apropriado para medidas
de preciso e controle numa ampla
variedade padres como o GSM/
DGE, CDMA, CDMA2000, W-CDMA,
TD-CDMA, UMTS, LTE e WIMAX. A
sada final lifada em srie com um
resistor de 300 ohms on-chip que
possibilita uma filtragem do ripple da
modulao com apenas um capacitor
adicional.
Outras caractrsticas de destaque
deste novo componente so sua ten-
so de alimentao at 5 V, sua baixa
corrente de consumo, apenas 1,4
mA em 3,3 V e o tempo de resposta
muito rpido de 1 us de subida e 8
us de caida. Na figura 2 temos o seu
diagrama de blocos.
Os leitores interessados em mais
informaes sobre este componente,
incluindo um circuito prtico de
aplicao podem baixa o data sheet
completo diretamente do site da
Linear Technology.
F1.Aplicao do LT558 em medida de potncia entre 10MHz a 60 GHz.
F2. Diagrama de blocos do LT5581 da Linear.
SE431_Componentes.indd 64 16/12/2008 16:47:48
Novembro 2008 I SABER ELETRNICA 430 I 19
Microcontroladores
SE431_Reportagem.indd 19 16/12/2008 17:50:45
SE429_Leitor.indd 6 20/10/2008 18:24:07