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DIRECCIONES DE MAYOR CONCENTRACIN ATMICA: La concentracin atmica
se define como el nmero de tomos por unidad de volumen. Para un elemento X,
la concentracin atmica se calcular como:
El concepto de concentracin puede extenderse y referirse, no a todo el volumen
de la celdilla, sino a un plano o a una direccin. Se hablara, entonces, de
una concentracin (o densidad) atmica superficial o lineal. Matemticamente, la
concentracin (o densidad) atmica superficial en el plano de ndices (h k l), que
encierra un rea A dentro de la celdilla, se calcular como:
Y la concentracin (o densidad) atmica lineal a lo largo de la direccin , que
atraviesa la celdilla en un segmento de longitud L, vendr dada por:
FRACCIN DE EMPAQUETAMIENTO:
Puede comprobar fcilmente que la fraccin de empaquetamiento es del 74%. Este valor
representa una cota mxima para la fraccin de empaquetamiento en las estructuras en las
que slo intervienen tomos idnticos
La fraccin de empaquetamiento ( ) es la fraccin de espacio ocupado en la celdilla.
Matemticamente:
Si nicamente existe un tipo de tomos, y stos se consideran esferas perfectas de radio r,
entonces la fraccin de empaquetamiento se calcular como:
Siendo
, el nmero de tomos que contiene la celdilla
, el volumen de la celdilla unidad
Si existiera ms de un tipo de tomos, entonces la definicin ha de extenderse del modo
siguiente:
Siendo
el nmero de tomos de la especie i
, el radio atmico de la especie i
Imagen 3: plano (111)
El concepto de fraccin de empaquetamiento, referida a un volumen, puede extenderse a
una superficie o una direccin, basndonos en las respectivas concentraciones
superficiales o lineales. As, definiremos la fraccin de empaquetamiento superficial sobre
el plano (h k l) como:
Donde es el nmero de tomos con centro en una regin del plano de rea A.
Del mismo modo, la fraccin de empaquetamiento lineal a lo largo de la direccin [h k l] se
definir como:
Donde n es el nmero de tomos centrados en un segmento de longitud L sobre la
direccin considerada.
PLANOS DE MAYOR CONCENTRACIN ATMICA (COMPACIDAD):
Las estructuras que poseen el valor mximo de la fraccin
de empaquetamiento, 74%, se dice que son estructuras
de mxima fraccin de empaquetamiento, o de mxima
compacidad. Como consecuencia de ello, en la estructura
CCC pueden encontrarse planos atmicos con la mayor
concentracin atmica posible. Estos planos son los {111}
Ver imagen 3.
Se utilizan las mismas formulas anteriormente dadas para
las direcciones de mayor empaquetamiento
La siguiente tabla resume el clculo de la concentracin atmica superficial de los planos
, y , en la estructura CCC.
Planos
Seccin
planar
considerada
Nmero de tomos
contenidos en la
seccin
considerada
rea de la
seccin
planar
considerada
Concentracin
atmica
superficial
{100}
{110}
Imagen 4: Octadricos
Imagen 5: tetradricos
{111}
INTERSTICIOS
A diferencia de la estructura CCI, en la CCC ambos tipos de intersticios tienen formas
regulares.
Los intersticios octadricos (ver imagen 4):se encuentran en
el centro del cubo y en el punto medio de cada una de las aristas
de la celdilla. Hay un total de 4 intersticios octadricos por
celdilla: 1x1 (en el centro del cubo) + (en mitad de las
aristas.
El radio mximo de un tomo que pudiera alojarse en el interior
de estos intersticios vale 0.414 r.
Los intersticios tetradricos (ver imagen 5): se sitan en
los centros de los ocho cubitos en que se puede dividir el cubo
elemental, o sea, en la posicin