Introduo

O processo de fabricao de um Circuito Integrado consiste de uma srie de

passos que so elaborados em uma ordem especfica. A realizao destes passos
converte um projecto de circuito em um componente real.
O conhecimento do processo de fabricao de um circuito integrado
fundamental ps permite ao projectista: melhorar o projecto, propor ideias inovadoras
usando as caractersticas do processo, inferir sobre o efeito do layout no desempenho do
circuito.
Este trabalho considerar apenas o processo de fabricao de CIs baseada no
silcio (Si) sendo o material mais popular, caracterizado por uma larga gama de
componentes com boa relao custo-desempenho.

















Em electrnica, um circuito integrado (tambm conhecido como CI,
microcomputador, micro-chip, chip de silcio, chip) um circuito electrnico funcional
miniaturizado constitudos por um conjunto de transstores, dodos, resistncias e
condensadores, fabricados num mesmo processo, que produzido na superfcie de um
substrato fino de material semicondutor de silcio.





O silcio um material abundante e ocorre normalmente na forma de areia. Pode
ser refinado usando-se tcnicas simples de purificao e crescimento de cristais.
Tambm apresenta propriedades fsicas adequadas para a fabricao de dispositivos
activos com boas caractersticas elctricas. Alm disso, o silcio pode ser facilmente
oxidado para formar uma excelente camada isolante, SiO
2
(vidro). Esse xido nativo
empregado para fabricar capacitores e MOSFETs (Transstor de Efeito de Campo Metal
xido Semicondutor). Serve tambm como uma boa barreira de difuso contra
impurezas indesejveis, que podem se difundir para o silcio com alto grau de pureza.
Essa propriedade de mascaramento do xido de silcio permite alterar de forma
localizada as propriedades elctricas do silcio. Portanto, elementos activos e passivos
podem ser construdos em um mesmo pedao de material (substrato). Os componentes
podem ento ser interconectados utilizando-se camadas de metal (similares ao
empregado para definio de circuitos impressos).

1. As Etapas de Fabricao de Circuitos Integrados
As etapas bsicas envolvidas na fabricao dos circuitos integradas so:
1.1. A preparao de lmina de silcio
1.2. Crescimento Epitaxial
1.3. A oxidao
1.4. A difuso
1.5. A deposio Qumica em Fase de Vapor
1.6. A metalizao
1.7. A fotolitografia
1.8. O encapsulamento
Algumas dessas etapas podem ser repetidas vrias vezes, em diferentes
combinaes e sob diferentes condies de processamento durante o processo de
fabricao dos CIs.
1.1. A preparao de lmina de silcio

Os circuitos integrados em termos gerais so basicamente construdos a partir
silcio monocristalino. Devido a caracterstica do silcio (Polisilcio) que apresenta
estrutura formada por diversos blocos e desorganizados, tornando-se necessrio um
processo de purificao para obteno de um silcio de alta qualidade. O monosilcio
apresenta estrutura com tomos bem alinhados e com caractersticas fsicas uniformes.








(Silcio Policristalino)
Como o silcio policristalino apresenta estrutura cristalina desorganizada,
provocando reaes nas propriedades eltricas dos materiais para os circuitos integrados
necessria a obteno do silcio monocristalino. O processo de Czochralski torna o
silcio mais puro devido ao fato de que as impurezas possuem diferentes pontos de
fuso.








(Silcio monocristalino)
O silcio policristalino triturado e depois fundido. Enquanto est na fase lquida
podem ser adicionadas quantidades controladas de impurezas por meio de um processo
conhecido como dopagem (dopantes como Ferro e Boro) ao silcio intrnseco para que
sejam obtidas as propriedades eltricas desejadas. possvel controlar tambm o tipo
dos portadores usados para produzir conduo elctrica, criando-se, tanto lacunas
(silcio tipo p) como eltrons (silcio tipo n). Essa habilidade de controlar o tipo de
impureza e a dopagem do silcio permite a fabricao de dodos, transstores e resistores
em circuitos integrados de forma bastante flexvel.
Aps a obteno do silcio dentro das caractersticas necessrias, o cristal
cortado com lminas ou fios de diamante formando wafers (bolachas), com espessuras
que variam de 0,25mm e 1mm de acordo com o dimetro do cristal.












(Wafers-bolachas)
O material polido e tratado quimicamente, somente aps todo esse processo
que receber o desenho para formao do circuito integrado atravs de um processo
conhecido como fotolitografia at essa fase o circuito integrado construdo camada por
camada, at constituir o componente projetado.






















1.2. Crescimento Epitaxial
Com o wafer plano, inicia-se a criao da camada epitaxial. Do grego: Epi = sobre,
taxis = arranjo, epitaxis = arranjo sobre. Este processo consiste na deposio de uma
fina camada de silcio monocristalino sobre um substrato monocristalino seguindo a
mesma orientao e mesma estrutura cristalogrfica.
No interior de um reator epitaxial ocorrem de reaes de reduo entre compostos
de silcio como SiCl
4
(tetracloreto de silcio) ou HSiCl
3
(Triclorosilana) com hidrognio.











Figura 16 - Reator Epitaxial

Nesta fase so utilizados gases como fosfina (PH3) e diborina (B2H6) para a
dopagem de substrato tipo n e tipo p, respectivamente. Das reaes formam-se
hidrognio que fica na atmosfera e silcio extrnseco que formar o substrato do circuito
integrado. A espessura desta camada varia entre 5 e 25m.

Esses dopantes distribuem-se de maneira uniforme na camada epitaxial.

Figura 1.2 - Em amarelo na figura, a camada epitaxial.
1.3. A oxidao

A oxidao o processo qumico de reaco do silcio com o oxignio para
formar o dixido de silcio (SiO
2
). Para acelerar a reaco necessrio aquecer a lmina
a altas temperaturas (por exemplo, na faixa de 1.000 C a 1.200 C) em fornos especiais
ultralimpos. Para evitar a introduo de pequenas quantidades de contaminantes (que
podem alterar significativamente as propriedades elctricas do silcio), necessrio
manter o ambiente muito limpo para o processamento. Isso vlido para todas as etapas
envolvidas na fabricao de circuitos integrados. Ar especialmente filtrado circula em
toda a rea de processamento, e todo o pessoal deve vestir roupas feitas de materiais
especiais.



















Figura 1.3
O oxignio usado na reaco pode ser introduzido tanto como um gs de alta
pureza (em que o processo conhecido como oxidao seca) quanto como vapor de
agua (em que o processo conhecido como oxidao hmida). Em geral, a oxidao
hmida tem uma taxa de crescimento maior, mas a oxidao seca apresenta melhores
caractersticas elctricas. Nesse caso, a camada de xido crescida termicamente tem
excelentes propriedades de isolamento elctrico. A ruptura dielctrica para o SiO
2

aproximadamente 10
7
V/cm. Possui uma constante dielctrica de cerca de 3,9 e pode ser
usado para formar excelentes capacitores.

A camada de dixido de silcio fina e transparente e a superfcie do silcio
altamente reflexiva. Se uma luz branca incidir sobre uma lmina oxidada, ocorrero
efeitos de interferncia construtivos e destrutivos no xido, fazendo que certas cores
sejam reflectidas. Os comprimentos de onda da luz reflectida dependem da espessura da
camada de xido. De facto, pela cor da superfcie da lmina, pode-se deduzir a
espessura da camada de xido.

Figura 1.3.1
1.4. A difuso
A difuso o processo pelo qual os tomos se movem de uma regio com alta
concentrao para uma regio com baixa concentrao pela rede cristalina. Na
fabricao de CIs, a difuso um mtodo em que so introduzidos tomos de impureza
(dopantes) no silcio para mudar a sua resistividade. A velocidade em que ocorre a
difuso de dopantes no silcio uma funo muito dependente da temperatura. Portanto,
para aumentar a velocidade, a difuso de impurezas de dopantes feita geralmente em
altas temperaturas (1.000 C a 1.200 C) para obter o perfil de dopagem desejada. A
seguir, quando a lmina resfriada e atinge a temperatura ambiente, as impurezas so
essencialmente congeladas na posio. O processo de difuso executado em fornos
similares aos usados para oxidao. A profundidade com que as impurezas se difundem
depende da temperatura e do tempo do processo
As impurezas mais comuns usadas como dopantes so o boro, o fsforo e o
arsnio. O boro dopante tipo p e o fsforo e o arsnio so dopantes tipo n. Esses
dopantes so efectivamente mascarados por finas camadas de xido. Difundindo-se o
boro em um substrato tipo n, forma-se uma juno pn (diodo). Se a concentrao da
dopagem for suficientemente alta, a camada de difuso pode tambm ser usada como
um condutor.

1.5. A deposio Qumica em Fase de Vapor
A deposio qumica em fase de vapor (chemical vapor deposition - CVD) o
processo pelo qual os gases ou vapores reagem quimicamente, levando formao de
um slido sobre o substrato. O mtodo CVD pode ser usado para depositar vrios
matrias sobre o substrato de silcio, incluindo SiO
2
, Si
3
N
2
e silcio policristalino. Por
exemplo, se o gs silina (SiH
4
) e o oxignio forem misturados no ambiente acima do
substrato de silcio, o produto final, dixido de silcio, ir se depositar como um filme
slido sobre o silcio. As propriedades da camada de oxido CVD formada no so to
boas quanto aquela crescida termicamente, mas so boas o suficiente para agirem como
um isolante elctrico. A vantagem do mtodo CVD que o xido pode ser depositado
em taxas mais altas e a temperaturas mais baixas (abaixo de 500 C).
Se o gs silina for usado sozinho, ento uma camada de silcio ser depositada
sobre a lmina. Se a temperatura de reaco for alta o suficiente (acima de 1.000 C), a
camada depositada como uma camada cristalina (supondo que o substrato seja silcio
cristalino). Essa camada chamada epitaxial e o processo de deposio conhecido
como epitaxia, em vez de CDV. Em baixas temperaturas ou se o substrato no for
silcio monocristalino, os tomos no sero capazes de se alinhar no mesmo sentido
cristalino. Essa camada denominada silcio policristalino (si-poli), visto que consiste
em pequenos cristais de silcio alinhados em vrios sentidos. Normalmente, essas
camadas so fortemente dopadas para formar uma regio de alta condutividade que
pode ser usada para interconectar dispositivos.
1.6. A metalizao

O objectivo da metalizao interconectar vrios componentes do circuito
integrado (transstores, resistores, dodos, etc.) para formar o circuito desejado. A
metalizao envolve a deposio inicial de um metal sobre toda a superfcie do silcio.
O traado necessrio para a interconexo , ento, selectivamente delineado (corrodo).
A camada de metal normalmente depositada por processo de pulverizao catdica
(sputtering). Um alvo de metal puro (por exemplo, 99,99% de alumnio) colocado sob
um feixe de ons de argnio (Ar) dentro de uma cmara em vcuo. As lminas so
tambm colocadas dentro da cmara, acima do alvo. Esses tomos de metal cobriro
todas as superfcies dentro da cmara, incluindo as lminas. A espessura da camada de
metal pode ser controlada pelo intervalo de tempo da pulverizao catdica (sputtering),
o qual est normalmente na faixa de 1 a 2 minutos.












Figura 1.6 - sputtering


1.7. A fotolitografia
A fotolitografia corresponde a etapa do processo de fabricao em que a imagem
do circuito transferida para o wafer (bolacha). Em uma impresso atravs de luz. A
fotolitografia considerada a etapa fundamental da construo de circuitos integrados.
atravs dela que os padres de mscaras so transmitidos para o substrato. Este
processo tambm se divide em etapas:
Aplicao de Fotoresiste
O fotoresiste um lquido que tem a capacidade de sofrer polimerizao de
acordo com a presena (fotoresiste positivo) ou ausncia (fotoresiste negativo) de luz.


Com a lmina limpa e a humidade do ar abaixo de 50%, o wafer colocado em
alta rotao (7000rpm durante 40s), e atravs da fora centrfuga, uma camada de
fotoresiste espalhada sobre a sua superfcie. A lmina levada para a estufa onde o
fotoresiste seca e ganha aderncia.
.







Figura 1.7 - Aplicao de fotoresiste

A camada de fotoresiste fica sobre a camada de xido.

Figura 1.7.1 - Camada de fotoresiste
Fabricao da Fotomscara
Fotomscara a imagem fotogrfica negativa de um molde de circuitos integrados.
A mscara uma placa de vidro com um arranjo de padres cada padro consiste em
uma rea clara e outra opaca que, respectivamente, permite ou impede a
passagem da luz. As mscaras so construdas com o objetivo de que seu padro
geomtrico seja capaz de delinear completamente os componentes de um circuito
integrado. Como as estruturas dos dispositivos so formadas por camadas de filmes
finos em multiniveis, necessria uma mscara padro para cada etapa de
fotolitografia.

Devido s necessidades impostas pela alta intensidade de integrao, a gerao
das mscaras padres um processo que requer sofisticados equipamentos e bons
recursos computacionais, sendo um processo que consome tempo e custos
considerveis. Actualmente, com a grande complexidade dos CIs, o projeto das
mscaras s pode ser efetivamente realizado com auxilio de um sistema
computacional conhecido como CAD (Computeraideddesing). O CAD dispe de uma
estao grfica de projeto onde o projetista pode desenhar as clulas bsicas de um CI,
calculadas anteriormente, em funo da tecnologia a ser empregada.








Figura 1.7.2 - Interfase grfica do CAD/CAM com o esboo de um circuito integrado, j em
fase final de elaborao.
Fotogravao
A luz ultravioleta emitida sobre o conjunto e o material fotossensvel sofre
polimerizao apenas nas partes claras (aberturas da mscara).



Figura 1.7.3 - Aplicao de luz ultravioleta
A lmina movimentada sobre a fonte emissora UV at que todos os circuitos
estejam fotogravados no wafer. Este processo ocorre num equipamento chamado
Stepper.









Figura 1.7.4 Stepper

Figura 1.7.5- Fotografia de uma fotomscara




1.8. O encapsulamento

Uma lmina de silcio acabada pode conter centenas, ou mais, de circuitos ou
pastilhas finalizadas. Cada pastilha contm entre 10 a 10
8
, ou mais transstores dentro de
uma forma rectangular, tipicamente entre 1 a 10 mm em cada lado. Os circuitos so
primeiro testados electricamente (ainda em forma de lmina) usando-se uma estao de
teste automtica.

Circuitos com defeitos so marcados para mais tarde serem identificados. Os
circuitos so ento separados uns dos outros (por cortes), dando origem as pastilhas
(chips), e os circuitos em bom estado (acabados) so montados em suporte para serem
encapsulados.













Figura 1.8- Encapsulamento

Fios finos de ouro so tradicionalmente usados para interconectar os suportes do
encapsulamento aos pontos de contacto do circuito acabado. Finalmente, o suporte
encapsulado (selado) utilizando-se material plstico ou epxi sob vcuo ou em uma
atmosfera inerte.






2. Processo de Fabricao de Circuito Integrado

A fabricao de circuitos integrados foi originalmente dominda pela tecnologia
bipolar. No final dos anos 1970, porm, percebeu-se que a tecnologia MOS (metal-
xido-semicondutor) era mais promissora para a implementao de circuitos VLS (Very
Large Scale Integration - Escala Integrao Muito Larga), que exigiam maior densidade
de empacotamento e menor consumo de potncia.

Desde o nicio dos anos 1980, a tecnologia MOS complementar (CMOS) tem
crescido muito rapidamente de tal forma que a tecnologia bipolar passou a ser utilizada
apenas para executar funes especificas, como circuitos analgicos de alta velocidade.
A tecnologia CMOS continuou evoluindo e, no final dos anos 1980, a incorporao de
dispositivos bipolares em CMOS levou o surgimento dos processos de fabricao de
alto desempenho BiCMOS (bipolar-CMOS), que oferecem o melhor das duas
tecnologias.

2.1. O Processo CMOS cavidade n

Dependendo da escolha do material de partida para o substrato, os processo
CMOS podem ser identificados como cavidade n (n-well), cavidade p (p-well). O
material de partida em um processo CMOS cavidade n o substrato tipo p. O processo
comea com uma difuso para formar a cavidade n (figura 2.1 (a)). A cavidade n
necessria sempre que se deseja fabricar MOSFETs tipo p. Uma camada espessa de
dixido de silcio corroda para expor as regies nas quias se deseja fazer a difuso da
cavidade n. As regies no expostas ou recobertas com dixido de silcio sero
protegidas do fosforo dopante. Fosforo geralmente utilizado em difuses profundas
por possuir um coeficiente de difuso elevado, difundindo-se mais rapidamente pelo
substrato que o arsnio.


Figura 2.1 (a)



A segunda etapa definir a regio activa (a regio em que sero colocados os
transstores) usando-se uma tcnica conhecida como oxidao local. Uma camada de
nitrato de silcio (Si
3
N
4
) colocada e o traado das regies a serem oxidadas alinhado
em relao as regies das cavidades n preexistentes (figura 2.3(b)). Depois de uma etapa
de oxidao hmida de longa durao, regies de xido espesso aparecem entre regies
activas (nas quais sero implementados os transstores) (figura 2.3(c)). Esse xido
espesso necessrio para isolar os transstores. Tambm permitem que camadas de
interconexo sejam feitas sobre ele sem formar acidentalmente uma regio de canal
condutivo na superfcie do silcio, como em um transstor MOS.






Figura 2.3(b) Figura 2.3(c)
A prxima etapa a formao da porta de silcio policristalino (figura 2.4(d)).
Essa camada uma das etapas mais crticas do processo CMOS. A fina camada da
regio activa removida (logo apos a remoo do Si
3
N
4
). Uma camada de silcio
policristalino, em geral dopa com arsnio (tipo n), depositada em seu traado
delineado. Uma implantao de arsnio de alta dopagem pode ser usada para formar as
regies n+ de dreno e fonte dos MOSFETs tipo n. Uma camada de fotorresiste pode ser
usada para bloquear as regies em que os MOSFETs tipo p sero formados (figura
2.5(e)). Uma etapa fotolitogrfica reversa pode ser usada para proteger os MOSFETs
tipo n durante a implantao de boro p+ de dreno e fonte (figura 2.6(f)). Antes de as
janelas de contactos serem abertas, uma camada espessa de xido CVD depositada
sobre toda a lmina. Uma fotomscara usada para definir as janelas de contacto (figura
2.7(g)), seguida de uma corroso hmida ou seca do xido. Uma fina camada de
alumnio evaporada ou depositada por pulverizao catdica (sputtering) sobre a
lmina. Uma etapa final de mascaramento e corroso utilizada para delinear as
interconexes (figura 2.8(h)).

Figura 2.4(d) Figura 2.5(e)






Figura 2.6(f)

Figura 2.7(g)

Figura 2.8(h)





2.2. Dispositivos de Integrados
Alm dos MOSFETs canal n e canal p, outros dispositivos podem ser fabricados pela
manipulao das diversas camadas de mascaramento. Isso inclui dodos de juno pn,
capacitores MOS e resistores.

2.2.1. MOSFETs