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APUNTES DE CRISTALES.

Academia de Qumica.
Profesor: LUISA REYNA MUIZ LOZANO.
CRISTALES.


La palabra cristal se asocia principalmente con uno de los tres
estados de la materia: los slidos, a pesar de que existen
slidos que no son cristalinos y lquidos que si lo son.



El slido cristalino est compuesto de tomos en posiciones
fijas y ordenadas, y presenta una estructura peridica que es
caracterstica tanto de cristales de gran tamao como de
partculas de polvo.



No todos los slidos cristalinos tienen forma idntica; sino
que cada variedad se identifica por una simetra determinada.
La sal comn, por ejemplo, se cristaliza en una estructura
cbica llamada cbica de caras centradas donde cada tomo de
sodio tiene seis tomos de cloro como vecinos ms prximos y
todos sus seis tomos son equidistantes.


Por nuestra parte el estudio implica los metales, como por
ejemplo, el plomo, el oro, el cobre entre otros que tambin
cristalizan en esta forma.



Existe otro tipo de estructura llamada cbica de caras
centradas a la que pertenece una de las formas cristalinas del
hierro (hierro ).



Los semiconductores de la columna IV (grupo IV) de la Tabla
Peridica de los elementos, entre los que se encuentra el
Silicio y el Germanio, cristalizan en la estructura de
diamante, que se produce como resultado de los enlaces
covalentes.




Una estructura de diamante est compuesta por dos redes de tipo
cbico de caras centradas las cuales se desplazan, una con
respecto a la otra, por un cuarto de la diagonal del cubo.

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Teniendo como base la importancia de los sistemas cbicos en el
rea de la electrnica definiremos el estudio de los slidos
cristalinos a partir de la ciencia que los estudia.



La Cristalografa de los rayos X estudia la estructura atmica
de la materia, esta disciplina cientfica tambin estudia los
slidos amorfos, pelculas, membranas, fibras, vidrios,
lquidos y gases.



El objetivo principal de la cristalografa es entender las
propiedades de la materia que se encuentran bajo la influencia
de los arreglos atmicos espaciales especficos y de las
interacciones atmicas de los tomos que la forman.



La propiedad visible ms noble de los cristales es su forma
geomtrica, los cristales generalmente tienen superficies
planas y estas superficies se hallan ordenadas en relaciones
definidas entre s.



En un slido cristalino se observa que las caras de este
material tienen formas o contornos caractersticos y que los
ngulos entre las caras son constantes y caractersticos. Es de
recordarse que casi todos los slidos se encuentran como
cristales en virtud de la agrupacin ordenada de los iones,
tomos o molculas que lo componen.



La disposicin ordenada de las partculas se refleja en el
aspecto geomtrico regular de su exterior, como consecuencia de
su colocacin en los puntos principales de poliedros regulares.



Una definicin ms actual de un slido cristalino es: Una
sustancia que tiene sus partculas constituidas en un arreglo
interno regularmente ordenado, esta definicin se basa en su
estructura interna, y de aqu que los cristales pueden
pertenecer a cualquiera de los siguientes sistemas cristalinos.
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1.Cbicos.
2.Tetragonal.
3.Hexagonal.
4.Ortormbico u ortogonal.
5.Monoclnico.
6.Trclinico.



Adems un slido cristalino basado en sus propiedades fsicas
se seala como:

Una sustancia que conserva fijos la forma y el
volumen.


Estas definiciones anteriores del slido cristalino, nos
permitirn establecer la diferencia que existe entre un slido
amorfo y un slido cristalino.



Los slidos amorfos son en realidad lquidos sobre enfriados,
enfriados muy por abajo de sus puntos de congelacin (debido a
que tienen el mismo desorden molecular de los lquidos y por
supuesto carecen de una organizacin a nivel atmico
regular), sin que realmente se congelen. Son slidos sin formas
geomtricas regulares y se les llama: Vidrios.



Ren Hay sugiri que los cristales se constituan de unidades
fundamentales distribuidas en un ordenamiento perfectamente
regular y que la constancia de los ngulos entre las caras era
una propiedad de esta regularidad.



Es por las razones anteriores que la Cristalografa estudia a
los slidos cristalinos, la definicin de la cristalografa es:

La rama de la ciencia que trata de la geometra,
propiedades y estructuras de las sustancias
cristalinas.


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Y la Cristalografa Geomtrica: Estudia a los agrupamientos
especiales externos de los planos cristalinos y formas
geomtricas de los cristales, basndose en las tres leyes
fundamentales:

1.Ley de la constancia de los ngulos interfaciales.
2.Ley de la racionalidad de los ndices
3.Ley de simetra.


El entendimiento de las anteriores leyes nos permitir
establecer claramente el estudio de este tipo de slidos, por
lo que se sealan sus enunciados.





LA LEY DE LA CONSTANCIA de los ngulos interfaciales establece
que para una sustancia, las caras correspondientes a los planos
que forman la superficie externa de un cristal interceptan en
un ngulo definido, y ste permanece constante, sin importar
como desarrollan las caras que comnmente lo hacen en forma
desigual en tamao y forma, pero el ngulo de interseccin de
dos caras correspondientes, es siempre la misma, para cualquier
cristal de la misma sustancia.



LA LEY DE LA RACIONALIDAD de los ndices o parmetros,
establece la posibilidad de elegir a lo largo de tres ejes
coordenadas distintas unitarias: a, b, y c, que son NO
forzosamente iguales entre s, tales intersecciones en un plano
estn dadas por: ma, nb y pc; donde m, n y p son nmeros
enteros incluso infinito o fracciones de nmeros enteros.




Los coeficientes a, b y c se denominan INDICES DE WEISS del
plano, pero tambin existen los llamados INDICES DE MILLER, que
se obtienen tomando los recprocos de los ndices de Weiss y
multiplicndolos por el nmero menor que transforma todos los
recprocos en nmeros enteros.

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LA LEY DE LA SIMETRIA establece que todos los cristales de la
misma sustancia poseen los mismos elementos de simetra, de la
cual existen tres tipos posibles.


1.Un cristal se divide por un plano imaginario que pasa por su
centro, en dos mitades iguales entre s que son la una imagen
de la otra, se dice entonces que el cristal posee un plano de
simetra.


2.Un cristal tiene una lnea de simetra si es posible dibujar
una lnea imaginaria que pase por su centro de manera que al
hacerlo girar 360
0
, el cristal aparece sin cambio dos, tres,
cuatro o seis veces, y en funcin a este grado de repeticin
se dice que posee un eje de simetra binaro, terceario,
cuaternario o senario.


3.El cristal posee un centro de simetra, si cada cara tiene
otra idntica en el lado opuesto de este centro.


Existen 230 formas cristalinas que en base a su simetra se
agrupan en 32 clases que a su vez estn incluidas en los seis
sistemas ya hemos mencionado.



Pero en combinacin de un anlisis matemtico y de las leyes ya
mencionadas, existen 14 tipos de REDES CRISTALINAS O
ESPACIALES.


Las redes cristalinas son:

1. Cbico
1.1. Cbico simple.
1.2. Cbico de cuerpo centrado.
1.3. Cbico de caras centradas.

2. Tetragonal.
2.1. Tetragonal simple.
2.2. Tetragonal de cuerpo centrado.
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3. Hexagonal.
3.1. Hexagonal rombodrico.


4. Ortormbico.
4.1. Ortormbico simple.
4.2. Ortormbico de cuerpo centrado.
4.3. Ortormbico de caras bsicas centradas.
4.4. Ortormbico de caras centradas.

5. Monoclnico.
5.1. Monoclnico simple.
5.2. Monoclnico de caras bsicas centradas.

6. Triclnico.



Hay llam a su unidad fundamental molcula componente la
cual recibe el nombre de celda unitaria.



Qu es una celda unitaria?

Es la unidad bsica repetitiva de la disposicin de
tomos, iones o molculas en un slidos cristalino.


Unidad bsica repetida una y otra vez en tres dimensiones. Esta
celda unitaria engendra la red del cristal, como se muestra en
la siguiente figura.







ESPACIO TRIDIMENSIONAL

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Atomos, iones o
molculas
UNIDAD BASICA.

Si en una celda unitaria, se centra en los tomos, iones o
molculas un punto en el centro de cada una de las posiciones
atmicas (por ejemplo), se recibe este el nombre de punto
reticular, y el orden geomtrico de estos puntos reticulares se
llama estructura cristalina.



Punto
reticular

Considerando que nicamente nos interesa el estudio del sistema
cbico, la geometra del sistema es el siguiente:



SISTEMA. EJES. ANGULOS AXIALES.
CUBICO a = b = c Todos los
ngulos=90
0



El siguiente dibujo muestra la red cristalina tridimensional
mostrando varias celdas unitarias.

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c

b





En un cristal existen tres unidades de traslacin que pueden
por tres vectores..
a , b y c


Y que no estn todos en el mismo plano. Las longitudes de estos
vectores se encuentran representados por: a, b y c (que son
coeficientes que se denominan INDICES DE WEISS).


As que los ngulos entre ellos se representan por: , y .



La posicin de un plano en el espacio puede representarse por
tres puntos en un sistema de coordenadas con ejes X, Y y Z,
siendo posible determinar la cara de un cristal observando sus
puntos de interseccin con los tres ejes, acostumbrndose
definirlos en funcin de los ndices de Miller.



Para ilustrar lo anterior, consideremos una celda unitaria para
un sistema cbico sealando los ndices de Miller.



Si las unidades de distancia a lo largo de los ejes de
referencia X, Y y Z, son llamados a, b y c ( los ndices de
Weiss) son respectivamente como se muestran en el dibujo:


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c
b
a



Los ndices de Miller son las reciprocas de las intersecciones
expresadas como una relacin de nmeros enteros pequeos.

Ejemplo: Si un plano corta a los ejes X, Y y Z en..


(2,1,1/2) respectivamente para:
a = 2
b = 1
c = 1/2

respectivamente sus reciprocas son: (1/2,1,2)



Los ndices de Miller se obtendran de multiplicar estos
valores dados por el nmero menor que transforma a todos los
recprocos en nmeros enteros: 2 (1/2,1,2) = (1,2,4).



Haciendo las consideraciones de los ndices de Miller podemos
obtener:

a).- Los planos que cortan el eje de las X en a o algn otro
entero mltiplo de a, y que son paralelos a los ejes Y y Z,
los cuales se tienen como INDICES DE MILLER.




Para: X Y Z
( 1/2, 0, 0 ) = 2 ( 1/2, 0, 0 ) = ( 1, 0, 0 )

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llamndoseles planos 100

Y su representacin es:


b).- Los ejes X y Y en a o algn mltiplo entero de a, y que
son paralelos al eje de los Z tienen como INDICES DE MILLER
de:



Para: X Y Z
( 1/2, 1/2, 0 ) = 2 ( 1/2, 1/2, 0 ) = ( 1, 1, 0 )



llamndoseles planos 110


Y su representacin en el plano tridimensional es:




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c).- Los planos que cortan los ejes X, Y y Z en a o algn
mltiplo entero de a tienen INDICES DE MILLER de:



Para: X Y Z
( 1/2, 1/2, 1/2 ) = 2 ( 1/2, 1/2, 1/2 ) = ( 1, 1, 1 )



llamndoseles planos 111





Y esta es su representacin tridimensional:






Los tipos ms sencillos de celdas unitarias y a las que vamos
a dedicar este estudio (como ya lo hemos mencionado) es la
celda cbica del sistema cbico, este tipo de sistemas se
encuentra a su vez dividido en:


a).- Sistema cbico simple.
b).- sistema cbico de cuerpo centrado.
c).- Sistema cbico de caras centradas.


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Sus representaciones esquemticas respectivamente son:











Para determinar el nmero de tomos por celda unitaria, se debe
tener en cuenta que los tomos en las esquinas o caras son
compartidos con celdas contiguas.



Un tomo es compartido por 8 celdas unitarias en cada una de
las esquinas en los tres tipos de celdas unitarias, y 2 celdas
unitarias comparten un tomo cuando el sistema es cbico de
aras centradas como se muestra en la figuras. c



8 CELDAS UNITARIAS COMPARTEN UN ATOMO.

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2 CELDAS UNITARIAS COMPARTEN UN ATOMO.





En funcin de lo anterior tenemos que:

a).- Una celda cbica simple contiene equivalente de un slo
tomo (8 esquinas a 1/8 de tomo compartido por cada una de
as 8 celdas unitarias). l

8 x 1/8 = 1 tomo equivalente para una
celda unitaria del sistema
cbico simple.





b).- Una celda cbica de cuerpo centrado contiene el
equivalente de un slo tomo (8 esquinas a 1/8 de tomo
compartido por cada una de las 8 celdas unitarias y un tomo en
el centro de la celda unitaria que nadie comparte).

8 x 1/8 = 1 tomo.
1 tomo en el centro de la
celda unitaria.
-------------------------------
2 tomos equivalentes para
una celda unitaria de un
sistema cbico de cuerpo
centrado.

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c).- Una celda cbica de caras centradas contiene el
equivalente de un slo tomo (8 esquinas a 1/8 de tomo
compartido por cada una de las 8 celdas unitarias y un tomo
que se comparten en 1/2 por cada 2 celdas unitarias en lo
extremos de la celda unitaria principal o analizada).



8 x 1/8 = 1 tomo.

6 x 1/2 = 3 tomos.
------------
4 tomos equivalentes para un
sistema cbico de caras cen-
tras.



DIFRACCION DE LOS RAYOS X POR CRISTALES.

Los rayos X son ondas electromagnticas de corta longitud de
onda y alta energa, este tipo de longitudes de onda fueron
usados para el anlisis de los sistemas cristalinos por dos
cientficos ingleses W.L. Bragg y W. H. Bragg, los cuales
determinaron la localizacin de los tomos de un cristal de
ZnS mediante el anlisis matemtico de los patrones de
difraccin de los rayos X en esta sustancia.



Los rayos X emitidos estn en fase e inciden sobre la muestra y
el rayo X son dispersados o reflejados sobre los tomos en la
primera capa del slido cristalino, el mismo fenmeno se repite
en el tomo que se encuentra en la segunda capa y as
sucesivamente para todos los tomos de la red cristalina.



Esta dispersin del haz de luz forma un ngulo que llamaremos
2 con la capa del cristal como se muestra en la figura.





Rayo reflejado.
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Haz de rayos X 2
Rayo no reflejado.


Cristal














As que la distancia interatmica en un cristal se puede
observar en la siguiente figura.

= rayo X







distancia
interatmica. D F

E
tomos



Donde DE = Sen , en donde la distancia interatmica de los
planos y que es el ngulo de las ondas de rayos X emitidas
y el plano.



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Ahora bien debido a que la distancia DEF es el doble de DE
tenemos que:

DEF = 2 = 2d sen



La relacin de la LEY DE BRAGG permite determinar el espacio
que existe entre los planos de longitudes de onda conocida y
los valores determinados experimentalmente de , en los cuales
tiene lugar la interferencia constructiva de un sistema
cristalino.



Esta ley esta expresada por la siguiente relacin matemtica:


n = 2d sen


en donde n= 1,2,3. Y representa en plano del cristal donde el
tomo, ion o molcula se encuentra ubicado.

Los experimentos indicaron que la longitud de onda de los rayos
X eran del orden de 10
-8
cm. Calculando para un cristal el
nmero de molculas por unidad de volumen, von Laue sugiri que
el arreglo regular de los tomos en los cristales poda usarse
como una especie de red de difraccin para los rayos X por el
carcter ondulatorio de estos rayos al difractarlos sobre un
medio cristalino.


















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DISTANCIAS INTERPLANARES.

Las distancias interplanares en los tres tipos de redes
cristalinas del sistema cbico son:









Cbico simple Cbico de cuerpo Cbico de caras
centrado centradas



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Las distancias interplanares se calculan de acuerdo a la
siguiente ecuacin:

a
d
xyz
= -----------------
dh
2
+dk
2
+ dl
2


h, k y l son las intersecciones en los ejes de coordenadas


haciendo la consideracin que los valores de cada una de las
aristas o longitudes interatmicas del sistema cristalino
cbico toman el valor unitario, esto es a = b = c = 1.








Los planos 100, 110 y 111 en los tres sistemas respectivamente
son:




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PLANOS 100
PLANOS 110
PLANOS 111




Para las distancias interplanares utilizando la frmula
anterior son:


SISTEMA CUBICO SIMPLE.


arista
d
xyz
= ------------------- = a PLANO 100
(1)
2
+ (0)
2
+ (0)
2





arista a
d
xyz
= -------------------= --- PLANO 110
(1)
2
+ (1)
2
+ (0)
2
2


arista a
d
xyz
= ------------------- = ----- PLANO 111
(1)
2
+ (1)
2
+ (1)
2
3


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SISTEMA CARAS CENTRADAS.


arista a
d
xyz
= ------------------- = ------ PLANO 100
2 (1)
2
+ (0)
2
+ (0)
2
2





arista a
d
xyz
= ----------------------- = ----- PLANO 110
2 (1)
2
+ (1)
2
+ (0)
2
22






arista a
d
xyz
= ------------------- = ----- PLANO 111
(1)
2
+ (1)
2
+ (1)
2
3












SISTEMA CUERPO CENTRADO.




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arista
d
xyz
= ------------------- = a PLANO 100
(1)
2
+ (0)
2
+ (0)
2





arista a
d
xyz
= -------------------= --- PLANO 110
(1)
2
+ (1)
2
+ (0)
2
2







arista a
d
xyz
= ---------------------- = ----- PLANO 111


2 (1)
2
+ (1)
2
+ (1)
2
23





















EFECTO DE LA TEMPERATURA SOBRE LOS SOLIDOS.

A temperatura ambiente la capacidad calorfica de muchos
slidos es esencialmente constante. Por lo que podemos asignar
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una sucesin de intervalos iguales de temperatura al pozo de
energa, ms con los aumentos sucesivos de la energa el valor
medio del esparcimiento interatmico aumenta, y aparece, por lo
tanto la expansin trmica.



Debe mencionarse que existe un cambio en la dimensin en el
slido para un incremento de la temperatura, hecho que resulta,
por ser menor para un material con enlaces fuertes (temperatura
de fusin alta), en el cual el pozo de energa es profundo, que
para un material con enlaces dbiles (temperatura de fusin
baja) en el pozo de energa no es tan profundo.


Lo anterior lo podemos observar en el siguiente dibujo:


ENERGIA

Espaciamiento interatmico.
E
a
=
E
T0
SOLIDO DE ENLACES FUERTES.















ENERGIA
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Espaciamiento interatmico.
E
a
=
E
T0
SOLIDO DE ENLACES DEBILES.




Para aumentos iguales de energa trmica, el espaciamiento
interatmico medio cambia tanto menos cuanto ms profundo sea
el pozo energtico del material.



Otra caracterstica a saber, es que, a medida que la
temperatura aumenta el cambio en tamao se vuelve ms
relativamente pronunciado.



La importancia de estudiar este efecto, es que, la expansin
trmica es isotrpica slo en materiales cbicos y amorfos. Y
los sistemas cbicos son parte del estudio del programa de
Qumica en la carrera de ingeniera en comunicaciones y
electrnica.




En otros cristales, la expansin trmica vara con la
orientacin del cristal en los tres ejes del espacio
tridimensional de una celda unitaria o de la red cristalina.




Definamos entonces qu es la anisotropa.



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Un cristal es ANISOTRPICO cuando presenta propiedades
diferentes en direcciones diferentes, por efecto de la
temperatura (como ya se mencion).



La anisotropa no debera sorprender el que los cambios
dimensionales que se producen en un cristal sean aquellas que
se acompaan a las variaciones en la temperatura , humedad y
carga mecnicas. La razn es que la expansin trmica es 40%
mayor en direccin tangencial, que en la direccin radial y
6 a 12 veces mayor en direccin radial que en direccin
longitudinal.



La expansin trmica en la direccin longitudinal es
relativamente independiente de la densidad, mientras que en las
otras dos direcciones depende de la densidad del cristal.





























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CRISTALES IONICOS .


Propiedades de las sustancias.

1.Puntos de fusin y ebullicin elevados.
2.Muy conductores de la corriente elctrica en estado lquido o
en disolucin.
3.Solubles en lquidos polares.
4.Cuerpos duros y frgiles.



Naturaleza del enlace: Fuerte atraccin electrosttica entre
iones.


Ejemplos: NaCl, CaF
2
, K
2
O, BaS.




CRISTALES MOLECULARES.

Los cristales moleculares son originados por fuerzas de Van der
Walls que son fuerzas muy dbiles o pueden ser originados por
fuerzas entre dipolos.

Propiedades de las sustancias.

1.Sustancias gaseosas muy voltiles.



Ejemplos: H
2
, O
2
, Cl
2
.




CRISTALES COVALENTES.

Propiedades de las sustancias.

1. Puntos de fusin enormente elevados.
2. Cuerpos muy duros.
3. Insolubles en casi todos los disolventes.



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Naturaleza del enlace: comparacin (equivalente o desigual) de
pares de electrones.



Ejemplos: C (diamante), SiC, AlN, SiO
2
.




CRISTALES DIPOLARES.

Propiedades de las sustancias.

1.Puntos de fusin y de ebullicin bajos pero mayores que los
que presentan las sustancias formadas por molculas no
polares de magnitud parecida.
2.Solubles en lquidos polares.


Naturaleza del enlace: Atracciones elctricas entre dipolos
moleculares.



Ejemplos: SO
2
, HCl, PCl
5
.





CRISTALES ANALOGOS A LOS DIPOLARES.

Las molculas mantienen su individualidad pero menos claramente
que en estos ltimos.

Propiedades de las sustancias.

1.Puntos de fusin y de ebullicin ms elevados que los de los
cuerpos con molcula de anloga polaridad pero sin posible
formacin de puentes de hidrgeno.
2.Lquidos de alto poder de disociacin de los cristales.



Naturaleza del enlace: Atraccin electrosttica entre el protn
combinado y otro tomo de gran electro-
negatividad y volumen pequeo.
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Ejemplos: H
2
O, HF, CH
3
OH.



CRISTALES METALICOS.

Red cristalina de iones metlicos y en ella los electrones de
valencia se intercambian rpidamente.

Propiedades de las sustancias.

1.Puntos de fusin y ebullicin en general elevados.
2.Conductores de la corriente elctrica.
3.Brillo metlico.



Naturaleza del enlace: Enlace covalente de cada tomo metlico
con algunos de sus vecinos pero rpida
mente cambiante a todos ellos.




Ejemplos: Na, Au, Cu, Zn, Aleaciones metlicas.























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TEORIA DE BANDAS.

En un slido, una banda de energa se compone de un gran nmero
de niveles de energa mnimamente separadas, ya que estn
formados por la combinacin de los orbitales atmicos (con
energas semejantes) procedentes de cada uno de los tomos
dentro de la sustancia.



Recuerda que los electrones de un tomo aislado ocupan slo
orbitales o niveles energticos, especficos y que existen
brechas entre estos niveles.



Para comprender lo anterior, consideremos al Na que contiene
11e
-
distribuidos en estos niveles de energa, la configuracin
electrnica nos indica como son ocupados los niveles de energa
para los 1l1ctrones del Sodio:

1s
2
2s
2
2p
6
3s
1


esta configuracin electrnica en funcin de la energa es:


3s



Energa
2p

2s



1s





El orbital 3s solamente est semi lleno, es claro que las
bandas 3p y las de ms alta energa, estn completamente
vacas.
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Los estados de energa quedan lugar a una banda se pueden
considerar anlogos a los orbitales moleculares que se
extienden a lo largo de cada cristal. Segn el modelo de
bandas, una sustancia es un aislante o un metal (conductor
elctrico) dependiendo del llenado de los niveles de la banda.


En una banda completamente llena hay tantos electrones
movindose en la direccin del campo como en direccin opuesta,
los electrones que se mueven en la direccin del campo no
pueden ser acelerados, puesto que debido a la existencia de una
zona prohibida, no disponen de estados superiores fcilmente
accesibles. La sustancia es por consecuencia considerada un
aislador.



En un metal, la banda de energa no est llena y la aplicacin
de un campo elctrico puede acelerar electrones, haciendo uso
de estados adyacentes.


Las relaciones de periocidad de la red conducen a zonas
prohibidas de energa. Estas energas prohibidas se pueden
considerar como las que corresponden a las energas para las
que la longitud de onda electrnica coincidan con la periocidad
de la red; de acuerdo con la ley de Bragg estos electrones
seran reflejados y no seran capaces de existir en el cristal
como ondas en movimiento.


La banda que contiene la capa exterior o nivel de valencia de
electrones, se conoce como la banda de valencia. Cualquier
banda que est vaca o parcialmente llena y sea continua en
toda la red, se llama banda de conduccin. Esto se puede
observar tomando de apoyo el siguiente dibujo:




BANDA DE
CONDUCCION


BANDA DE VALENCIA


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METAL



BANDA DE
CONDUCCION.

BRECHA ENERGETICA.


BANDA DE VALENCIA.


SEMICONDUCTOR









BANDA DE
CONDUCCION.


BRECHA ENERGETICA.



BANDA DE VALENCIA.


CONDUCTOR





Los niveles de energa vacos son importantes para la
conduccin porque permiten que los electrones suban a niveles
ms altos al ganar energa en su movimiento hacia electrodo
positivo.



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El sentido de la corriente elctrica es de negativo a positivo.
Esto sera posible si la banda estuviese completamente llena y
existiera una brecha energtica por arriba de la banda.



Dependiendo del elemento metlico, por ejemplo: Na y Mg;
podemos observar la brecha de energa.


11
Na = 1s
2
2s
2
2p
6
3s
1

12
Mg = 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2








orbital 3p
BANDA DE VALENCIA SEMI-LLENA (3s
1
)














orbital 3p
BANDA DE VALENCIA LLENA (3s
2
)PERO EXISTE



UN TRASLAPE Y LA SEGUNDA BANDA ACEPTA
ALGUNOS ELECTRONES.





Como puede observarse, existen niveles vacos en la parte alta
de sus bandas de valencia.




Los efectos que se producen en los cristales conductores o
aislador, se realizan por una propuesta matemtica relacionada
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con la forma de las funciones de onda de un electrn para un
potencial perfectamente peridico, lo anterior recibe el nombre
de Teorema de Bolch.




Y su representacin es:



Potencial peridico.


a
x
Superficie.




Esta es la representacin de un potencial dentro de una red
perfectamente peridica.

Donde:


a= arista.
x= direccin de voltaje.





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MATERIALES EXTRINSECOS TIPO N y TIPO P.

Las caractersticas de los materiales semiconductores pueden
alterarse de modo considerable mediante la adicin de ciertos
tomos de impurezas en el material semiconductor relativamente
puro. Estas impurezas, aunque quiz solo se agregue 1 parte en
10 millones puede alterar la estructura de bandas lo
suficientemente como para cambiar totalmente las propiedades
elctricas del material.



Un material semiconductor que se ha sometido a este proceso de
impurificacin se denomina material EXTRINSECO. Hay dos
tipos de materiales extrinsecos de importancia invaluable para
la fabricacin de dispositivos semiconductores:


a).- Tipo n.

b).- Tipo p.





El tipo N se crea aadiendo todos aquellos elementos de
impurezas que tenga cinco electrones de valencia o
pentavalentes (Grupo VA, en tabla peridica); como son:
Antimonio, Arsnico y fsforo, todos estos en base de Silicio.


La 5 valencia no esta asociada con algn enlace covalente
particular. El electrn sobrante une dbilmente a un tomo
padre (Grupo VA) se puede mover con cierta libertad dentro del
material tipo N, a este tipo de impurezas se les llama :
tomos donadores.



El tipo P se forma de la impurificacin de un cristal puro de
Germanio o de Silicio con tomos de impurezas que tengan tres
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electrones de valencia o trivalentes (Grupo IIIA de la tabla
peridica). Y los elementos son: Boro, Galio y el Indio.



Puesto que la vacancia resultante aceptar de inmediato un
electrn libre, las impurezas aadidas reciben el nombre
de : tomos aceptores.

En el estado intrnseco (los materiales intrnsecos son
aquellos semiconductores que se han refinado con todo cuidado
para reducir las impurezas a un nivel muy bajo), el nmero de
electrones libres de Germanio o de Silicio se debe solo a
aquellos pocos electrones en la banda de valencia que han
adquirido suficiente energa e fuentes trmicas o luminosas,
para romper el enlace covalente o las pocas impurezas que
podran no haberse eliminado.



En un material tipo N el nmero de huecos no ha cambiado de
manera significativa a partir de este nivel intrnseco.


El resultado neto, es que el nmero de electrones excede en
demasa el nmero de huecos. Por esta razn, el electrn se
denomina portador mayoritario y el hueco portador minoritario,
lo inverso se aplica para el tipo P.



Entre los niveles de energa hay bandas (teora de bandas) en
las que ningn electrn en la estructura atmica aislada puede
aparecer conforme los tomos de un material se acercan entre
s para formar la estructura de la red cristalina, cuando esto
sucede hay una interaccin entre tomos, que dar como
resultado que los electrones en una rbita particular de un
tomo, tengan niveles de energa un poco diferentes a los de
los electrones en la misma rbita de un tomo adyacente.



En resumen el resultado es una expansin de los niveles
discretos de energa de los posibles estados de energa para
los electrones de valencia correspondientes a esas bandas. Por
lo cual es importante la clara comprensin de la importancia
qumica y electrnica de los ltimos niveles de energa de los
tomos que constituyen a los semiconductores.


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