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INSTITUTO EDUCACIONAL GUILHERME DORA S/S LTDA.

FACULDADE TALENTOS HUMANOS FACTHUS








PROCEDIMENTO ESPERIMENTAL DE
ELETRNICA PARA AUTOMAO







UBERABA
2011




INSTITUTO EDUCACIONAL GUILHERME DORA S/S LTDA.
FACULDADE TALENTOS HUMANOS FACTHUS




RELATRIO DE PRATICAS DE LABORATRIO







Discentes:
Jairo do Nascimento Barbosa 10800525
Flavio Henrique Vinaud 10800096



Uberaba MG
2011
Relatrio referente ao exerccio
prtico apresentado como exigncia na no
curso de graduao de Engenharia
Mecnica da disciplina de Eletrnica para
Automao Industrial do Prof Leandro
Aureliano da Silva.





TABELAS

TABELA 1.............................................................................................12
TABELA 2.............................................................................................12
TABELA 3.............................................................................................12




















FIGURAS

FIGURA 1 .............................................................................................9
FIGURA 2 .............................................................................................10
FIGURA3 ..............................................................................................11
FIGURA 4 .............................................................................................11
FIGURA 5 .............................................................................................11
FIGURA 6 .............................................................................................12
FIGURA 7 .............................................................................................12
FIGURA 8 .............................................................................................13
FIGURA 9 .............................................................................................13
FIGURA 10 ...........................................................................................13
FIGURA 11 ...........................................................................................14
FIGURA 12 ...........................................................................................14












GRFICOS

GRFICO 1 ..........................................................................................16
GRFICO 2 ..........................................................................................16




















SUMRIO


1 INTRODUO ...............................................................................07
2 OBJETIVO ......................................................................................08
3 MATERIAIS UTILIZADOS ..............................................................09
4 DESENVOLVIMENTO TERICO ..................................................09
4.1 SEMICONDUTORES ..................................................................09
5 DESENVOLVIMETNO PRTICO ...................................................12
6 RESULTADOS E ANLISES .........................................................14
7 CLCULOS TERICOS ................................................................17
8 CONCLUSO .................................................................................18
9 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ...............................................19












1 INTRODUO


Este relatrio tem por objetivo demonstrar de forma suscita os resultados
obtidos em aula prtica de laboratrio, com recursos as montagens
apresentadas nas figuras 2 e 3 respectivamente, atravs da montagem de um
circuito de meia onda, com polarizao direta e polarizao reversa atravs do
CIRCUIT MAKER, obtendo-se resultados medidos por voltmetros e
ampermetros montados nos circuitos, alimentando-se com suas leituras
obtidas a tabela de dados a qual vai gerar o grfico que demonstrar a curva
de caractersticas do diodo aplicado ao circuito prtico, que foi proposto.
















2 OBJETIVOS


Temos o objetivo de verificar atravs dos experimentos o efeito da
polarizao direta e reversa coletando medidas mensurveis para montagem
de planilhas de dados que permitam criar um grfico que demonstre a curva
caracterstica do diodo averiguando a variao de corrente destes dispositivos
perante aplicao de diferentes intensidades de tenso da fonte varivel,
atravs de medidas de voltmetros e ampermetros que demonstrem a tenso e
corrente, nos pontos em questo demonstrados nas figuras.

















3 MATERIAIS UTILIZADOS
01 Resistor de 470/5W.
02 Multmetros digitais.
01 Fonte varivel.
01 Diodo 1N4007.


4 DESENVOLVIMENTO TERICO
Deve-se mencionar que um diodo semicondutor pode ser descrito como
um dispositivo ou componente eletrnico que composto de cristal
semicondutor que pode ser de silcio ou germnio disposto em uma pelcula
cristalina cujas faces opostas so dopadas por diferentes tipos de gases que
so inseridos durante a sua constituio. Pode-se dizer que um dos tipos de
componente eletrnicos mais simples, pois um semicondutor normalmente
usado para retificar a corrente eltrica.

4.1 SEMICONDUTOR
Como os tomos possuem a capacidade de se combinarem com outros
tomos dependendo do nmero de eltrons que possuem em sua camada de
valncia. Sendo possvel esta combinao quando este nmero for menor que
oito. Os elementos que possuem oito eltrons na camada de Valencia no se
combinam, pois so inertes e estveis. Considerando agora o silcio, que o
semicondutor mais usado e tem 4 eltrons na camada de valncia.

Figura 1 Esquema das ligaes em um cristal de silcio


Em seu estado puro cada um de seus pares de eltrons de tomos
distintos formam o que chamamos de ligao covalente, de forma que cada
tomo fique em um estado mais estvel ou seja com 8 eltrons sua camada
mais externa. Com isso resulta-se em uma estrutura cristalina homognea. O
material continua um semicondutor. Porem quando certas substancias,
chamadas impurezas so adicionadas, consegue-se alterar as suas
propriedades eltricas que so modificadas totalmente.
Se temos um elemento como o Antimnio, o qual temos 5 eltrons de
Valencia, for adicionado e alguns tomos deste substituam o silcio na estrutura
cristalina, 4 dos 5 eltrons comportam-se como se fossem os de valncia do
silcio e o excedente ser liberado para o nvel de conduo.

Figura 02 - Cristal de silcio dopado com Antimnio

O cristal vai conduzir e em razo da carga negativa dos portadores
(eltrons), denominado semicondutor tipo n. Mesmo assim o material
continua eletricamente neutro, devido aos tomos possurem o mesmo numero
de prtons e eltrons. Sendo que somente a distribuio de cargas se altera,
de modo a permitir a conduo. E quando uma impureza com trs eltrons de
valncia como o alumnio adicionada. Alguns tomos de silcio iro transferir
um eltron de valncia para completar a falta no tomo da impureza, criando
um buraco positivamente carregado no nvel de Valencia e o cristal ser um
semicondutor tip P, em virtude da carga positiva dos portadores ou seja
buracos



Figura 3 Cristal de silcio dopado com alumnio.
Se um semicondutor tipo P colocado junto a um do tipo N, na regio de
contato, chamada juno, haver a formao de uma barreira de potencial.

Figura 04: Juno Tipo PN.
No estado normal, o semicondutor eletricamente neutro, pois os
tomos tanto do semicondutor quanto da impureza tm iguais nmeros de
eltrons e prtons. Na juno, os eltrons portadores da parte N tendem a
ocupar buracos na parte P, deixando esta com um potencial negativo e a parte
N com um potencial positivo e, assim, formando uma barreira potencial Vo.
Assim, a polaridade da barreira de potencial mantm os eltrons na parte N e
os buracos na parte P.

Figura 05: Polarizao Direta.




Se um potencial externo V > Vo for aplicado, o potencial de barreira ser
quebrado e a corrente elevada, pois existem muitos eltrons em N. Diz-se
ento que a juno est diretamente polarizada. No caso de inversamente
polarizada, o potencial de barreira ser aumentado, impedindo ainda mais a
passagem de eltrons e a corrente ser pequena.

Figura 06: Polarizao Invertida.

Este conjunto, chamado diodo de juno, funciona como um retificador.
A curva abaixo tpica deste tipo de diodo. Acima de um pequeno valor de
polarizao direta, a corrente aumenta exponencialmente.


Figura 07: Curva caracterstica do diodo de juno.
A polarizao inversa tem um limite. Para a direta, acima de um
determinado valor ocorre um efeito de ruptura, quebrando a barreira de
potencial e a corrente sobe quase na vertical. A Barreira de potencial para o
diodo de Si aproximadamente 0,7v, para o Ge aproxima-se de 0,3v.



Figura 08: esquerda um Diodo PN comercial comum, direita a
representao do mesmo diodo.

5 - DESENVOLVIMENTO PRATICO

Circuitos

Figura 9: Resistncia direta do diodo 1N4007, obtida pelo Circuit Maker.


Figura 10: Resistncia reversa do diodo 1N4007 obtida pelo Circuit Maker.

OHMS
268.8k
D1
1N4007
OHMS
8.367Me
D1
1N4007



Figura 11: Montagens dos Circuitos realizadas no Experimento.


Figura 12: Montagem do Circuito com variao da Tenso.

6 - RESULTADOS E ANALISES DE RESULTADOS

Para obter os resultados, referentes aos procedimentos acima utilizou-
se o software Circuit Maker, com o qual aplicou-se um resistor de 470 , um
multmetro, uma fonte varivel e um diodo 1N4007.
Em um primeiro momento obteve-se o valor da resistncia do diodo
direta e reversamente encontrando-se os resultados conforme tabela 1, e tendo
os procedimentos demonstrados nas figuras 09 a 10 para resistncia direta e
reversa.

+
V2
12V
R2
470 ohm
D2
1N4007
D1
1N4007
R1
470 ohm
+
V1
12V
DC A
NO DATA
DC V
NO DATA
+
-
Vs1
10V
D1
1N4007
R1
470 ohm


Resistncia Direta Resistncia Reversa
268,8k 8.367M
Tabela 1: Medidas das resistncias direta e reversa do diodo 1N4007.
A partir da tabela 1, conseguiu-se verificar que o diodo dispunha de
perfeitas condies para a execuo do experimento, devido a sua resistncia
direta ser baixa e a resistncia reversa ser alta.
Em um segundo teste, utilizou-se dos circuitos da figura 12, para obter
os resultados que foram relacionados nas tabelas abaixo sendo uma tabela
para polarizao direta e outra para polarizao reversa.

VD (V) ID (mA)
0 0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
Tabela 2: Resultados para polarizao direta, tirados do Circuit Maker.


VD (V) ID (mA)
0 0
5
10
15
20
25
30
Tabela 3: Resultados para a polarizao reversa tirados pelo Circuit Maker.
Com os valores obtidos, conforme tabelas acima, observou-se que o
diodo quando polarizado diretamente, produz uma corrente alta limitada pelo
seu resistor em srie conforme figura 11. Porem quando polarizado


reversamente, a corrente praticamente nula e a tenso reversa atravs dos
terminais do diodo se torna quase que igual a da fonte.
Atravs do Excel obteve-se a curva caracterstica do diodo tanto
polarizado diretamente como quando polarizado reversamente.

Grfico 1: Polarizao direta utilizando a tabela 2.


Grfico 2: Polarizao reversa utilizando a tabela 3


0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0 2,167E-050,0002106 0,00189
0,01503
0,07411
0,1941
0,3501
0,524
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Polarizao Direta
VD (V) ID(mA)
0
5
10
15
20
25
30
0 5,255E-05 0,0001026 0,0001526 0,0002026 0,0002526 0,0003026
1 2 3 4 5 6 7
Polarizao Reversa
VD (V) ID(mA)


7 - CLCULOS TERICOS
Conforme figura 3 chegou-se aos clculos a seguir para o circuito serie,
nos casos em que o diodo esta polarizado diretamente e no caso de diodo
estar polarizado reversamente, utilizando-se a lei das tenses de Kirchoff
obtm-se:
Polarizado diretamente



Polarizado Reversamente




Com a analise dos resultados da tabela 2 o diodo polarizado diretamente
com a variao de 0,1 V na sua respectiva tenso, notou-se que at o instante
VD= 0,3 seu valor se aproxima de zero.
Contudo na tabela 3 o diodo polarizado reversamente possui os valores
de corrente muito baixos com isso o valor nos terminais do diodo se igualam a
quase os valores da fonte.







8 CONCLUSO

Concluiu-se que podemos utilizar as caractersticas do diodo tipo PN em
uma gama infinita de aplicaes prticas que envolvem desde o controle
simples de modulaes at fontes chaveadas mais complexas, ou seja, possui
imensa utilizao em diversos campos da eletrnica pela sua versatilidade.
Com o experimento soube-se exatamente como ele funciona, deixando claro a
sua importncia para o campo da eletrnica principalmente os ligados a
manuteno, instalao e projetos de equipamentos eltricos e eletrnicos.
Comprovou-se que o conjunto diodo de juno, conseguem funcionar como
retificadores. A sua curva tpica o seu smbolo, a partir da compreenso de
seu funcionamento podemos compreender toda lgica por traz dos circuitos
montados com dispositivos destas naturezas. Notou-se que, acima de um
pequeno valor de polarizao direta, a corrente aumenta bastante e em sua
polarizao inversa tem limite. Acima de um determinado valor ocorre um efeito
de ruptura, quebrando a barreira de potencial e a corrente cresce quase que
verticalmente.













9 BIBLIOGRAFIA
[1] - MALVINO, Albert P. Eletrnica . vol.1 e 2 . Pearson Education do Brasil
Ltda., 1997.
[2] Site da Datasheets for electronics components;
www.datasheetcatalog.com; acessado em 03/05/2011.
[3] Manual Zowie Technology Corporation; 1N4001 THRU 1N4007 - SILICON
RECTIFIER
[4] - BOYLESTAD, R. L.,NASCHELKY. L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria
de Circuitos, 6 edio Prentice-Hall do Brasil, 1998.
[5] CIPELLI, Antonio Marco V., Teoria de Projetos de Circuitos
Eletrnicos, 23 edio So Paulo: rica, 2007.

[6] Fonte: http://www.webartigos.com/articles/14668/1/Polarizacao-Direta-
Reversa-e-Curva-Caracteristica-do-Diodo-
1N4007/pagina1.html#ixzz1LF2C25Z6
[7] ARTIGO: UNIVERSIDADE de Coimbra, Departamento de Engenharia e
Eletrtcnica e de Computadores, acesso em 03/05/2011.