9355 MOPPESSCEPRA/11 Centro de Formao Profissional da Reparao Automvel
Tecnologia dos Semicondutores Componentes Referncias
Coleco Formao Modular Automvel Ttulo do Mdulo Tecnologia dos Semicondutores Componentes Coordenao Tcnico-Pedaggica CEPRA Centro de Formao Profissional da Reparao Automvel Departamento Tcnico Pedaggico Direco Editorial CEPRA Direco Autor CEPRA Desenvolvimento Curricular Maquetagem CEPRA Ncleo de Apoio Grfico Propriedade Instituto de Emprego e Formao Profissional Av. Jos Malhoa, 11 - 1000 Lisboa 1 Edio Portugal, Lisboa, Fevereiro de 2000 Depsito Legal 148441/00
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2.6.4 -DODO FOTOVOLTICO.................................................................... 2.20 2.6.5 -DODO ZENNER................................................................................. 2.22 2.7 -DODOS DE POTNCIA......................................................................... 2.28 2.7.1 -RECTIFICAO DE MEIA ONDA....................................................... 2.28 2.7.2.1 -RECTIFICAO DE ONDA COMPPLETA COM DODOS... 2.30 2.7.2.2 -RECTIFICAO DE ONDA COMPPLETA COM DODOS MONTADOS EM PONTE (PONTE RECTIFICADORA)....... 2.32 2.7.2.3 ESTABILIZAO E REGULAO........................... 2.35 3 -TRANSSTOR ...................................................................................... 3.1 3.1 INTRODUO.......................................................................................... 3.1 3.2 -PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRANSSTOR .......................... 3.3 3.3 -TIPOS DE TRANSSTORES................................................................... 3.11 3.3.1 -TRANSSTORES DE POTNCIA........................................................ 3.12 3.3. 2 -CODIFICAO DE TRANSSTORES................................................ 3.13 3.3. 3 -SIMBOLOGIA DE TRANSSTORES .................................................. 3.16 3.4 -MONTAGENS COM TRANSSTORES................................................... 3.17 3.4.1 -REGULADORES ELETRNICOS DE CARGA DE BATERIAS .......... 3.17 3.4.2 -IGNIO TRANSSTORIZADA........................................................... 3.21 3.4.3 -DETECTOR DE SONOLNCIA........................................................... 3.23 3.5 -APLICAES PRTICAS COM TRANSSTORES................................ 3.27 3.5.1 -TCNICA DE IMPULSOS ................................................................... 3.27 3.5.2 -CIRCUITO MONOESTVEL ............................................................... 3.29 3.5.3 -CIRCUITO ASTVEL .......................................................................... 3.35 3.5.4 -CIRCUITO BIESTVEL....................................................................... 3.39 3.5.5 -FONTES DE ALIMENTAO ESTABILIZADAS................................. 3.41 3.5.6 - A MONTAGEM DARLINGTON........................................................... 3.43 3.6 -CIRCUITOS BSICOS AMPLIFICADORES E TRANSSTORES.......... 3.44 Tecnologia semicondutores Componentes E.3 ndice 4 -OUTROS TIPOS DE TRANSSTORES................................................4.1 4.1 - O TRANSSTOR DE UNIJUNO, UJT ..................................................4.1 4.2 -TRANSSTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET) .........................................4.5 4.3 -FOTOTRANSSTOR..................................................................................4.7 5 -TIRSTORES.........................................................................................5.1 5.1 -CARACTERSTICAS DO TIRISTOR.........................................................5.3 5.1.1 -TIPOS DE DISPARO DO TIRISTOR .................................................... 5.4 5.2 -OUTRAS CARACTERSTICAS .................................................................5.5 5.2.1 -CARACTERSTICA INVERSA .............................................................. 5.5 5.2.2 -CARACTERSTICA DIRECTA SEM CORRENTE DE GATE................ 5.6 5.2.3 -CARACTERSTICA DIRECTA COM CORRENTE DE GATE ............... 5.6 5.2.4 -ESQUEMA EQUIVALENTE DO TIRSTOR .......................................... 5.6 5.3 -TIRISTOR GTO..........................................................................................5.7 5.4 -APLICAES PRTICAS COM TIRSTORES.........................................5.7 5.4.1 -FUNCIONAMENTO BSICO EM CORRENTE CONTNUA................. 5.8 5.4.2 -FUNCIONAMENTO BSICO EM CORRENTE ALTERNADA ............ 5.11 5.4.3 -DISPARO DA GATE DO TIRISTOR POR MEIO DE SENSORES...... 5.14 5.4.3.1 -DISPARO POR LUZ ............................................................. 5.15 5.4.3.2 -DISPARO POR CORRENTE DO CORPO HUMANO........... 5.16 5.4.3.3 -CARREGADOR DE BATERIAS DE 12V 5A......................... 5.17 5.4.3.4 -SENSOR ESTROBSCOPICO PARA ACERTO DO PONTO DE IGNIO DO MOTOR................................ 5.18 5.5 -CARACTERSTICAS DO TIRSTOR.......................................................5.19 BIBLIOGRAFIA........................................................................................ C.1 Tecnologia semicondutores Componentes E.4 ndice DOCUMENTOS DE SADA PS-TESTE.............................................................................................. S.1 CORRIGENDA DO PS - TESTE......................................................... S.12 ANEXOS EXERCICIOS PRTICOS ........................................................................ A.1 CORRIGENDA DOS EXERCICIOS PRTICOS...................................... A.2
Tecnologia dos Semicondutores Componentes E.1 Objectivos Gerais e Especficos do Mdulo OBJECTIVOS GERAIS E ESPECFICOS No final deste mdulo, o formando dever ser capaz de: OBJECTIVOS GERAIS Identificar as partculas da matria e as suas propriedades semicondu- toras, bem como definir com grande clareza todos os componentes electrnicos mais usuais na industria automvel OBJECTIVOS ESPECFICOS 1. Com base na constituio da matria atmica, identificar os ele- mentos atmicos que melhor se ajustam ao fabrico de componen- tes electrnicos semicondutores. 2. Descrever como se processa com toda a clareza o mecanismo da corrente elctrica neste tipo de materiais. 3. Enumerar quais os materiais usados para misturar com semicondu- tores por forma que estes sejam considerados de semicondutores dopados. 4. Face s tcnicas de dopagem de semicondutores, identificar num dodo ou transstor, quais as pastilhas tipo N e tipo P e qual o tipo de elementos que se combinam com os semicondutores por forma a obtermos semicondutores destes tipos.
Tecnologia dos Semicondutores Componentes E.2 Objectivos Gerais e Especficos do Mdulo 5. Especificar com grande rigor, qual a constituio dum dodo e qual o seu comportamento quando funciona, polarizado directamente e indirectamente.
6. Distinguir um dodo convencional de um dodo de Zenner, e qual aquele que se adapta mais como rectificador de corrente alternada e como regulador de tenso.
7. Descrever o significado de tenso de Zenner, exemplificando num circuito de regulao de tenso, o componente que tem como fun- o servir-se deste tipo de tenso.
8. Descrever o funcionamento duma juno NPN ou PNP a que damos o nome de transstor
9. Identificar, num circuito electrnico, os componentes semiconduto- res dodos e transstores.
10. Descrever o funcionamento de circuitos electrnicos como circuito mono estvel, astvel e biestvel, enumerando as suas aplica- es na rea automvel.
11. Identificar num circuito electrnico, um transstor e compreender a sua funo.
12. Descrever o funcionamento do tirstor, especificando algumas possveis aplicaes prticas no automvel. Tecnologia dos semi condutores componentes E.3 Pr-Requisitos COLECO Desenho Tcni co Mat emt ica ( clculo) F sica, Qu mi ca e M at eriais Organi zao Of icinal FORMAO MODULAR AUTOMVEL Circ. Int egrados, M icrocont rol ador es e Mi croprocessado res Rede de Ar Comp. e M anut eno de Ferrament as Pneumt i cas Sist emas El ect rni cos Diesel Caract er st icas e Funcionament o dos M ot ores Focagem de Faris Lmpadas, Fari s e Farol ins Si st emas de Arref eciment o Si st emas de Sobreal iment ao Rede Elct ri ca e M anut eno de Ferrament as El ct ri cas Si st emas de I njeco M ecnica Di agnst ico/ Repa- rao em Sist emas M ecni cos Convencionai s Int roduo ao Aut omvel Diagnst i co e Rep. de Avari as no Sist ema de Suspenso Uni dades El ect rni cas de Comando, Sensores e Act uadores Si st emas de Inf ormao Si st emas de Segurana Passivos Si st emas de Direco Mecni ca e Assi st ida Si st emas de Transmi sso Si st emas de Conf ort o e Segurana Embrai agem e Caixa de Vel oci dades Noes Bsi cas de Sol dadura Met rologi a rgos da Suspenso e seu Funcionament o Geomet ria de Direco Anl ise de Gases de Escape e Opacidade Processos de Furao, Roscagem e M andril agem Gases Carburant es e Combust o Mdulo em estudo Noes de M ecnica Aut omvel para GPL Const it uio e Funcionament o do Equi pament o Com- versor para GPL Legi slao Espec f i ca sobre GPL Di agnst ico/ Repa- rao em Si st emas com Gest o Elect rnica Di agnsi co/ Repar ao em Si st emas El ct ri cos Convenci onai s Rodas e Pneus Pr-Requisito Ferrament as de M ont agem e Desmont agem Termodinmica M anut eno Programada Processos de Traagem e Puncionament o Processos de Cort e e Desbast e LEGENDA Emi sses Pol uent es e Di sposit ivos de Cont rolo das Emi sses Si st emas de Segurana Act i va Si st emas de Travagem Ant i bloqueio Si st emas de Inj eco Geri das Elect roni cament e Vent i lao Forada e Ar Condi cionado Si st emas de Travagem Hidrul icos Magnet i smo e El ect romagnet i sm o - M ot ores e Geradores Si st emas de Carga e Arranque Const ruo da I nst alao Elct rica Lubri f i cao de M ot ores e Transmi sso Al iment ao Diesel Si st emas de Al i ment ao por Carburador Lei t ura e Int erpret ao de Esquemas El ct ri cos Aut o Di st ribui o Si st ema El ct ri co e sua Simbologi a El ect ri ci dade Bsica Si st emas de Avi so Acst icos e Luminosos Si st emas de I gni o Si st emas de Comunicao Tecnol ogia dos Semi - Condut ores - Component es Clculo e Curvas Caract er st i cas do M ot or Si st emas de Admisso e Escape Ti pos de Bat erias e sua M anut eno PR-REQUISITOS
A electrnica est a impor-se definitivamente nos automveis actuais, sendo a grande responsvel pelo enorme desenvolvimento tecnolgico das ultimas dcadas. Os materiais semicondutores e o aparecimento do transstor trouxeram novas potencia- lidades humanidade. Estes materiais e componentes electrnicos permitem-nos hoje, construir mquinas mais pequenas, mais leves e sobretudo mais potentes e fiveis. Para termos uma ideia, um computador com as caractersticas de um vulgar computa- dor pessoal moderno, nas dcadas de 50 e 60, ocupava o espao de uma sala. Chegamos a um ponto em que praticamente todos os sistemas do automvel so geri- dos electronicamente. Esta tecnologia requer tcnicos altamente especializados sobretudo com grande capaci- dade de aceitao de mudana. Neste mdulo vamos estudar o princpio de funcionamento dos componentes electrni- cos e a sua aplicao nos sistemas do automvel.
Tecnologia dos Semicondutores Componentes 1.1 Semicondutores 1 SEMICONDUTORES Actualmente, os semicondutores so indispensveis para a elaborao de circuitos electrnicos. Desde os simples dodos aos microprocessadores, as suas capacidades so enormes. Sem fugir regra, a sua aplicao no automvel tornou-se comum. Assim, necessrio que qualquer tcnico do ramo automvel se inteire do seu princpio de funcionamento e das suas potencialidades. 1.1 ESTRUTURA BSICA DOS SEMICONDUTORES - SEMICONDUTORES INTRNSECOS Os electres giram em torno do ncleo do tomo, em rbitas mais ou menos bem definidas e distintas. Estas rbitas encontram-se a dife- rentes distncias do ncleo do to- mo, tornando-se possvel agrup-las em camadas distintas, que se encontram umas sobre as outras, assemelhando-se s sucessivas cascas de uma cebola. Graficamente, representamos esta situao como se mostra na Fig. 1.2. No que diz respeito ao que vamos estudar a seguir, interessa-nos ape- nas considerar a ltima camada ou camada exterior. Fig. 1.1 rbitas efectuados pelos electres num tomo Fig. 1.2 Representao grfica das vrias rbitas de tomo de um elemento Tecnologia dos Semicondutores Componentes 1.2 Semicondutores Os materiais que so constitudos por tomos que facilmente recebem e libertam elec- tres, quando sujeitos a uma fonte de electres, so bons condutores. Este fenmeno verifica-se nos materiais cujos tomos possuam menos de quatro elec- tres numa camada exterior.
Os materiais que so constitudos por tomos que dificilmente acei- tam ou cedem electres, quando sujeitos a uma diferena de poten- cial, so maus condutores. Este fenmeno verifica-se nos materiais cujos tomos possuam mais de quatro electres na cama- da exterior.
Os tomos tm tendncia para se ligarem uns aos outros, formando molculas de mat- ria elementar ou compostos.
Fig. 1.3 - Representao grfica das vrias rbi- tas de tomo de um elemento mau con- dutor Fig. 1.4 - Em determinadas matrias, como por exemplo na maioria dos slidos natu- rais, os tomos e as molculas tm tendncia para se agruparem em gru- pos estveis, formando uma cadeia bastante coesa Tecnologia dos Semicondutores Componentes 1.3 Semicondutores Para um mesmo tipo de matria, os electres da camada exterior de um tomo, mistu- ram-se com os electres das camadas exteriores dos tomos vizinhos, de modo a par- tilharem das rbitas das camadas exteriores desses tomos. A este tipo de entrelaamento d-se o nome de ligao covalente.
Em muitos casos, os tomos e as molculas formam estruturas semelhantes que se ilustra ao lado. Quando as substncias apresentam estas caractersticas, designam-se por substn- cias cristalinas ou cristais.
A matria assim constituda no mais do que o agrupamento destes cristais, que se unem uns aos outros de modo que, num volume mnimo, caibam o maior nmero pos- svel de cristais. Fig. 1.5 Ligao covalente Fig. 1.6 Estrutura cristalina Tecnologia dos Semicondutores Componentes 1.4 Semicondutores Imagine como que iria agrupar esferas, todas ao mesmo tamanho, de modo a ocupa- rem o volume mnimo. Os bons condutores de electricidade, tais como o cobre e o alumnio, so materiais que so constitudos por um aglomerado de cristais.
Tal como os bons condutores, os semicondutores so construdos a partir de substncias formadas de cristais. Os materiais bsicos mais utilizados para o fabrico de semicondutores so o germnio e o silcio, possuindo cada um deles 4 electres na ltima camada.
Fig. 1.7 Aglomerado de cristais de dois bons condutores Alumnio e Cobre Fig. 1.8 tomos de Silcio e Germnio Tecnologia dos Semicondutores Componentes 1.5 Semicondutores No estado puro, os cristais de germnio e silcio so maus condutores (isolantes).
1.2 SEMICONDUTORES DOPADOS OU EXTRNSECOS No cristal de silcio, os electres da camada exterior de cada tomo misturam-se com os electres das camadas exteriores dos outros tomos de silcio, de modo a partilharem das rbitas exteriores desses tomos. Assim, cada tomo passa a dispor de oito elec- tres na sua camada exterior, como se mostra na Fig. 1.10. Mas, com esta configurao, no existem electres livres que permitam a conduo elctrica.
Fig. 1.9 Os semicondutores puros so maus condutores Fig. 1.10 Ligaes covalentes entre tomos de Silcio Tecnologia dos Semicondutores Componentes 1.6 Semicondutores At este momento s foram considerados os semicondutores puros ou intrnsecos. Os cristais de silcio ou germnio puros no tm aplicao prtica, sendo o seu compor- tamento dependente da temperatura de funcionamento. Para tornar o cristal puro num semicondutor, necessrio juntar uma poro de ele- mentos diferentes ao silcio e ao germnio. A estes elementos d-se o nome de impure- zas. A operao de adio de impurezas tem o nome de dopagem. O semicondutor dopado , tambm, designado como semicondutor extrnseco. A concentrao de impurezas auxiliares normalmente fraca dependendo da aplicao prtica do semicondutor. Para se dopar um semicondutor utilizam-se dois tipos de impurezas:
Elementos contendo cinco electres de valncia, tais como o fsforo e o antimnio.
Elementos contendo trs electres de valncia, tais como o boro, o glio e o ndio;
Fig. 1.11 Representao dos tomos de fsforo e antimnio Tecnologia dos Semicondutores Componentes 1.7 Semicondutores
A adio de elementos com cinco electres de valncia, leva a que o cristal fique com um excesso de electres na sua estrutura cristalina. Estes electres comportam-se como electres livres, tornando o cristal num semicondutor.
Todo o cristal que constitudo que dopado com elementos com cinco electres de valncia possuindo assim electres livres, denominado material do tipo N (N negativo) ou semicondutor tipo N. A adio de elementos com trs electres de valncia ao silcio, ocasiona falta de elec- tres na estrutura cristalina.
Fig. 1.12 Representao dos tomos de boro e ndio Boro ndio Fig. 1.13 Electro livre na ligao covalente Tecnologia dos Semicondutores Componentes 1.8 Semicondutores Fica assim um lugar por ocupar na interligao dos tomos. Ao lugar que falta ocupar, d-se o nome de lacuna. Esta lacuna pode-se considerar como uma carga elctrica positiva.
Todo o material que construdo desta maneira e tenha electres a menos na sua estru- tura cristalina, denominado material do tipo P (P-positivo) ou semicondutor tipo P. Para que compreenda melhor como se efectua o deslocamento de uma lacu- na, imagine que um indiv- duo chega tarde ao cinema e que apenas existe um lugar vago no centro de uma fila. Para que o indivduo possa ocupar o seu lugar, basta pedir a cada ocupante que se desloque para a direita (Fig. 1.15), correspondendo assim ao deslocamento do lugar na direco do indiv- duo.
Fig. 1.14 Lacuna na ligao covalente Fig. 1.15 - Analogia entre o deslocamento de uma lacuna e o de um lugar livre no cinema Tecnologia dos Semicondutores Componentes 1.9 Semicondutores
Considerando que a lacuna um portador de uma carga positiva (+) da mesma manei- ra que um electro um portador de uma carga (-). A lacuna pode deslocar-se de um tomo para o outro, como um electro (Fig. 1.16).
Ligando uma fonte de alimentao, como por exemplo uma pilha, ao material semicon- dutor do tipo P, verificar-se- o seguinte...
Fig. 1.16 - Deslocamento da lacuna entre tomos Fig. 1.17 Deslocamento de uma lacuna entre tomos Fig. 1.18 Ligao de um semicondutor tipo P a uma pilha Tecnologia dos Semicondutores Componentes 1.10 Semicondutores ... O borne positivo da pilha atrai os electres (-) do semicondutor (cargas de sinal con- trrio atraem-se) e, da mesma maneira, o borne negativo (-) da pilha repele os elec- tres. Deste modo, liberta-se um electro de ligao covalente, que se ir deslocar para a esquerda para o borne positivo (+) que vai substituir uma das lacunas da vizinhana do borne. Este deslocamento de um electro deixa uma lacuna em sua substituio. A lacuna estando carregada positivamente, deslocar-se- para a direita, para o borne negativo (-) da pilha. Este processo repete-se e a lacuna continuar a deslocar-se para a direita, at que atinge a vizinhana da ligao negativa da pilha. Nesta altura, a lacuna ser substituda por um electro que deixa o fio que est ligado ao borne negativo da pilha e o fio est ligado ao borne positivo da pilha, remover um electro outra extremidade do semicondutor. O processo volta a repetir-se sucessivamente.
1 4 2 5 3 6 Fig. 1.18 Deslocamento da lacuna ao longo do semicondutor Tecnologia dos Semicondutores Componentes 1.11 Semicondutores Esta remoo contnua das lacunas do borne positivo (+) para o borne negativo (-) oca- siona (uma corrente de cargas positivas) num material do tipo P e produz-se quando a tenso da pilha obriga os electres a moverem-se na ligao covalente.
Nota: Este movimento das lacunas no se produz seno no interior do semicondutor, enquanto que o fluxo de electres circula na totalidade do circuito. Ligando uma fonte de alimentao como por exemplo uma pilha, ao material do tipo N, gerar-se- uma corrente de electres. Esta corrente devida ao movimento dos elec- tres livres em excesso, existentes no material semicondutor. Como pode aperceber-se, este comportamento muito parecido com o que se passa num fio de cobre. Fig. 1.19 Corrente de lacunas e corrente de electres num material tipo P Fig. 1.20 - Corrente de electres num material tipo N
Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.1 A Juno PN 2 A JUNO PN Todos os componentes semicondutores so baseados em junes PN, por tal facto, muito importante compreender o que uma juno PN e como encontrar as suas pro- priedades. Se aplicarmos um potencial atravs de um cristal semicondutor, Tipo P ou N, este deixa- se atravessar por uma corrente elctrica, se invertermos a polaridade do potencial apli- cado, obteremos uma corrente elctrica no sentido inverso da primeira. Suponhamos, que temos um pedao de material semicondutor no qual a parte da esquerda do Tipo P, e o da direita e do Tipo N, e que lhe aplicamos um potencial entre os dois extremos, com este arranjo verificamos que entre o Tipo P e o Tipo N existe uma regio de contacto onde se verificam alguns fenmenos importantes, isto , uma deter- minada direco da corrente elctrica, esta regio apresenta uma baixa resistncia e quando se inverte o sentido da corrente, ao trocarmos a polaridade de potencial aplica- do, ao trocarmos a polaridade de potencial aplicado, apresenta uma muito alta resistn- cia. regio de transio chama-se juno PN. 2.1 JUNO PN. FUNCIONAMENTO Consideremos um semicondutor Tipo N, por exemplo, o silcio. Cada tomo de silcio formado por uma parte central com um excesso de carga (+4) quatro electres de valn- cia cada um dos quais com uma carga de (-1). Este tomo de silcio est electricamente neutro. Cada tomo dador tem uma central com excesso de carga de (+5) cinco electres de valncia cada um dos quais com uma carga (-1). S quatro destes electres de valncia so usadas em ligaes com os tomos de sil- cio. O quinto electro fica livre para vaguear no material. Como ele se movimenta longe do tomo dador deixa ficar para trs um io positivo com um excesso de carga (+1). O io positivo no mudar de posio, permanecer portanto imvel, pois fica fixo na estrutura cristalina. Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.2 A Juno PN Deste modo um semicondutor Tipo N fica cheio de ies positivos imveis (io dador) e electro mveis (cargas negativas). De modo semelhante, o silcio Tipo P pode ser considerado como u material neutro cheio de ies negativos imveis (io aceitador) e lacunas mveis (cargas positivas). O semicondutor do Tipo N geralmente de silcio injectado com fsforo, enquanto que o semicondutor do Tipo P de silcio injectado com boro.
Consideremos, ento, o que acontece quando amostras de material Tipo P e Tipo N se juntam uma outra formando um cristal com estrutura contnua. Como se mostra na figura 2.2.Na regio Tipo P existe uma alta concentrao de lacunas havendo, portanto, uma movimentao de lacunas da regio P para a regio N. Fig.2.1 Concentrao de carga elctrica nos semicondutores dopados do Tipo P e Tipo N Parte central do tomo Lacuna
Io aceitador Electro em excesso
Io dador _ + Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.3 A Juno PN Recordando que na regio Tipo P, as lacunas so portadoras maioritrias,, quando se difundem para dentro da regio Tipo N tornam-se portadores minoritrios (os electres livres so nesta regio Tipo N os portadores maioritrios).
Como as lacunas se difundem para dentro da regio Tipo N, elas recombinam-se com os portadores maioritrios, os electres livres. Existir, igualmente uma difuso de electres livres da regio Tipo N para a regio Tipo P, porque h uma mais alta concentrao de electres livres na regio Tipo N do que na regio tipo P. Ao atingirem a regio Tipo P, os electres livres tornam-se portadores maioritrios em excesso e desaparecem por recombinao com as lacunas (portadores maioritrios da regio Tipo P). Fig.2.2 Reparao simblica duma juno PN com a regio de depleo Regio de Depleo P N Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.4 A Juno PN Pode parecer, eventualmente, que todas as lacunas devero defundir-se para a regio tipo N e que todos os electres livres devero difundir-se para a regio Tipo P, porm, tal no acontece. S os portadores maioritrios que se encontram perto da regio da juno iro difundir- se. Recordar, que o material tipo P possui ies negativos imveis e lacunas mveis. Quando as lacunas prximas da juno de difundirem para dentro da regio N, elas dei- xam ficar para trs um io negativo. A regio Tipo P no ser mais electricamente neutra tem mais cargas negativas do que cargas positivas, devido a Ter perdido lacunas. Por sua vez, a regio Tipo N prxima da juno torna-se positivamente carregada, por- que perdem electres. Os electres livres difundindo-se da regio Tipo N para a regio Tipo P deixaro fica para trs ies positivos na regio Tipo N. A difuso de portadores maioritrios de cada regio resulta no aparecimento de uma zona saturada na qual deixa de haver futuras difuses estabelecendo-se uma situao de equilbrio. Pelo facto desta regio Ter muito poucas cargas mveis restantes, chamada como se v na figura 2.2 de regio de repleo. 2.2 JUNO PN POLARIDADE DIRECTAMENTE Uma tenso de polaridade aplicada a uma juno PN ligando o terminal positivo da bateria ao material Tipo P e negativo ao material Tipo N, como se indica na figura 2.3.
( A resistncia R serve como limitadora de corrente) Fig.2.3 Polarizao directa de juno PN Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.5 A Juno PN A polaridade negativa da pilha ao ser aplicada ao semicondutor do Tipo N, ir repelir das proximidades do terminal negativo (-) os electres do semicondutor do Tipo P, ir repelir das proximidades do terminal (+) as lacunas do semicondutor do Tipo P, Ver figura 2.4.
A movimentao de cargas elctricas ao longo da juno PN vai causar a reduo da regio de depleo. Os electres e as lacunas aproximar-se-o da juno dos dois semicondutores. Os electres livres, como esto proximos das lacunas, atravessaro a juno, indo ocu- par o lugar das lacunas e as lacunas o lugar dos electres diminuindo assim a regio de depleo, como se apresenta na figura 2.5.
Fig.2.4 Transmisso de cargas elctricas ao longo da jno PN Fig.2.5 Trocas de electres e lacunas na juno PN Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.6 A Juno PN Os electres, depois de passarem juno, dirigir-se-o para o borne positivo da pilha, completamente e criando assim uma corrente de electres que ir circulart ao longo do circuito, enquanto a pilha estiver aplicada aos terminais da juno PN, ver figura 2.6.
Desta forma, quando se aplica uma tenso a uma juno, de modo que a polaridade positiva da pilha fique aplicada no semicondutor Tipo P e a negativa ao semicondutor do Tipo N, diz-se que o semicondutor est polarizado directamente (polarizao directa), figura 2.7.
Fig.2.6 Sentidos das correntes electrnicas e de lacunas Fig.2.7 Juno PN polarizada directamente Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.7 A Juno PN 2.3 JUNO PN POLARIZADA INVERSAMENTE Quando uma fonte de tenso aplicada a uma juno como se mostra na figura 2.8, a jun- o diz-se estar inversamente polarizada.
O terminal positivo est ligado ao material Tipo N e o terminal negativo ao material Tipo P. Com a juno polarizada desta forma, os electres livres do material Tipo N so atrados para o terminal positivo e as lacunas para o terminal negativo. Os portadores maioritrios so puxados para longe da juno e deste modo mais os ies positivos e ies negativos ficam a descoberto, como se mostra a figura 2.9.
Fig.2.8 Juno PN polarizada inversamente Fig.2.9 Comportamento das cargas elctricas quando a juno se apresenta polarizada inversamente Polarizado Inversamente Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.8 A Juno PN Como se pode constatar, a regio de depelao sai aumentada. Basta uma pequena tenso inversa, para parar completamente a difuso de portadores maioritrios e consequentemente tornar a circulao de corrente nula. 2.4 O DODO At agora temos estudado somente um modelo que damos o nome de juno PN. A juno PN utilizada para a construo de dodos. Dodos so completamente electrnicos semicondutores que tm grande nmero de apli- caes.
Quando esto montados em circuitos elctricos, umas vezes so polarizados directa- mente e outras vezes indirectamente os dodos comportam-se, assim, como vlvulas que s deixam circular uma corrente num s sentido. Isto torna bastante vivel o uso do dodo em transformao de correntes alternadas em correntes contnuas. Um dodo constitudo pela juno de dois semicondutores um do Tipo P e outro do Tipo N. Fig.2.10 Constituio interna dum dodo Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.9 A Juno PN O dodo ligado ao circuito elctrico atravs de dois terminais de ligao que se cha- mam respectivamente nodo e ctodo. Como j foi referido, os dodos so dispositivos electrnicos que tm por finalidade permitir que a corrente elctrica passe num ni- co sentido. O smbolo esquemtico do dodo o representado na figura 2.11 indicando, a esta, o sentido con- trrio ao deslocamento dos elec- tres. Aqui v-se igualmente a correspondncia dos terminais de ligao respectivamente nodo (A) e ctodo (K).
Por analogia, resolvemos comparar o papel dum dodo num circuito, como uma vlvula montada num cano de gua. A figura 2.12 representa um cano com uma vlvula que s deixa passar a gua num dos sentidos.
Fig.2.11 Dodo Sentido contrrio ao da deslocao dos electres Fig.2.12 Analogia do funcionamento do dodo com uma vlvula Vlvula de paleta Cano Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.10 A Juno PN Quando a gua circula no sentido indicado pelas setas a vlvula deixa-a passar. Se o sentido de circulao da gua se inverter, a vlvula de paleta vem para baixo e, ao encontrar-se com o batente, fecha a conduta e o lquido deixa de circular, como se veri- fica pela figura 2.13.
Na comparao atrs feita, o sentido de circulao da gua corresponde ao da corrente elctrica e a vlvula corresponde ao dodo.
O dodo tem a funo de permitir a passagem de corrente num sentido, bloqueando a sua passagem no sentido inverso.
Fig.2.13 A vlvula bloqueia o fluxo de corrente quando o sentido se inverte Fig.2.14 Smbolo elctrico do dodo e sentido do flu- xo electrnico qundo polarizado directa- mente Sentido de deslocao dos electres Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.11 A Juno PN Faa a montagem indicada pela figura 2.15.
Uma vez que o dodo est directamente polarizado, a corrente passar segundo o senti- do fazendo com que a lmpada acenda. Fazendo agora a montagem indicada na figura 2.16.
Fig.2.15 Circuito elctrico simples com o uso de um dodo Fig.2.16 Quando o dodo polarizado inversamente apresenta uma resis- tncia elctrica muito elevada comportando-se como um circuito aberto fazendo com a lmpada no acenda. Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.12 A Juno PN Como o nodo est agora a um potencial negativo em relao ao ctodo, a corrente no circula, comportando-se o dodo como um interruptor aberto fazendo. Com que o circuito esteja igualmente aberto no circulando qualquer corrente. Os dodos podem apresentar-se com variados aspectos, como se pode ver na figura 2.17.
2.5 CARACTERSTICAS ELCTRICAS DUMA JUNO PN Foram referidos at agora algumas caractersticas de funcionamento duma juno sujeita a diferentes tipos de polarizao. Vamos agora estudar mais algumas propriedades tomando como referencia a curva caracterstica da figura 2.18.
Fig.2.17 Aspecto exterior de vrios tipos de dodos Fig.2.18 Curva caracterstica tpica tenso corrente para uma dada juno PN T. Ambiente Alta Temperatura Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.13 A Juno PN A anlise da figura 2.18, permite-nos concluir que o aumento do valor da tenso directa aplicada juno, a partir de zero, s um ligeiro fluxo de corrente directa Atravessa a juno, at se atingir um certo valor de tenso directa, a partir do qual esta entra francamente em conduo, a). A corrente aumenta rapidamente para uma pequena variao de tenso (a resistncia directa de juno torna-se baixa). Na direco inversa, quando aplicamos uma tenso da polarizao inversa, a corrente inversa de saturao mantm praticamente constante, assumindo valores muito baixos b). A resistncia inversa da juno torna-se muito alta, at ser atingido um determinado valor limite de tenso denominado por tenso Inversa de Rotura (num dodo normal 20V). A inverso das ligaes num circuito (e a consequente inverso da sua polarizao), pode originar anomalias de funcionamento, podendo destruir elementos desse circuito inclusivamente o prprio dodo. Quando se polariza um dodo em sentido inverso, na realidade ele atravessado por uma corrente extremamente fraca. Essa corrente to pequena, que somente com um microamperimetro (aparelho que detecta correntes mais pequenas que o ampere) possvel detect-la. Se aumentar a tenso de polarizao inversa, acima do valor para o qual o dodo foi pre- visto, vai haver uma altura a partir da qual, a resistncia do dodo diminui rapidamente, dando lugar a um aumento de corrente muito brusco ir danificar o dodo. Por esse motivo, verifique sempre qual a tenso inversa que se prev que o dodo pode suportar. Outro aspecto importante que se deve Ter em considerao, a corrente mxima que o dodo pode suportar sem se deteriorar, quando polarizado directamente. Como sabe, quando uma corrente percorre um circuito, os seus componentes aquecem (efeito de joule). Quando o dodo est polarizado directamente, a corrente que o atravessa, obriga-o a aquecer. Para atenuar este efeito, os dodos que esto sujeitos passagem de corrente intensas, so constitudos de modo a serem montados sobre placas metlicas, nomeadamente em alumnio, que tm a funo de dissipar o calor. Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.14 A Juno PN A maioria dos fabricantes, gravam no corpo do dodo letras identificadoras do nodo e do ctodo, o seu smbolo esquemtico ou mais usualmente uma lista branca indicadora do ctodo do dodo como se apresenta na figura 2.19.
Quando os dodos s possuem um terminal de ligao, isso quer dizer que a carcaa do dodo corresponde ao outro terminal de ligao. Por vezes, a carcaa do dodo tem um perno roscado. Este tipo de dodos destinam-se a serem montados sobre placas metlicas, que t~em por funo dissipar o calor que se produz quando esto em funciona- mento.
Fig.2.19 Indicao dos terminais ctodo e nodo do do- do atravs duma barra geralmente pintado a branco do lado do ctodo Fig.2.20 Configurao dos terminais de dodo com invlucros metlicos roscados Fig.2.21 Dodo com dissipador Placa dissipadora de calor Terminal Terminal de liogao Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.15 A Juno PN Nota: As placas dissipadoras de calor so boas condutoras de calor e de electricidade. por este motivo que se pode fazer a ligao de um fio condutor chapa e o terminal de teste funcionar como um segundo terminal do dodo. Quando estudar a rectificao das corrente, nos alternadores, ir verificar que na mes- ma placa de dissipao so instalados vrios dodos que possuem um nodo ou ctodo comum. As propriedades duma juno PN esto dependentes de alguns factores condicionan- tes: Natureza do material semicondutor Se observarmos as curvas caractersticas quer do silcio, quer do germnio como se apresenta na figura 2.22.
Verificamos que o valor da corrente inversa de saturao b) muito menor para a jun- o semicondutora a silcio do que para o germnio, logo, conclui-se que esta depende de natureza do material intrnseco, em igualdade de outros factores, por isso as junes de silcio serem usadas em componentes que podem trabalhar a temperaturas mais elevadas. Fig.2.22 Curva caracterstica tensocorrente do dodo de silicio compa- rativamente ao dodo de germnio Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.16 A Juno PN Em circuitos ligados a grandes potncias, onde circulam fortes correntes elctricas, so geralmente utilizadas dodos ou componentes feitos de silcio. O germnio devido igualmente ao seu custo mais elevado utilizado em menor escala do que o silcio. O germnio tem uma utilizao muito grande em telecomunicaes, em sistemas de comando e sensores bastantes sensveis. Este tipo de semicondutores dita geralmente o preo do equipamento em questo. Dopagem da regio Tipo N e Tipo P Para o mesmo material, quanto maior for a dopagem em ambos as regies maior ser o efeito rectificador de juno, aumentando a corrente directa e diminuindo a corrente inversa de saturao, em igualdade de tenses aplicadas. A largura da zona de depleo tanto menor quanto maior for as dopagens de ambas as regies. Quando as regies Tipo N e Tipo P possuem desigualdade de dopagens, a zona de depleo estende-se para a regio menos dopada. Dimenso da Superfcie da juno Esta superfcie da juno determina a corrente directa mxima admissvel pela juno sem que as perdas for feito de joule provoque o aumento de temperatura. Situao analoga se passa quando fazemos passar por um fio com uma seco peque- na, uma corrente bastante elevada o fio ir aquecer. Quanto maior for a dimenso, sobretudo de seco de superfcie de juno, maior ser a corrente nominal aceitvel pelo dodo.
Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.17 A Juno PN Temperatura da juno A temperatura um dos limites mais determinantes das propriedades duma juno dum dodo que afecta fundamentalmente a caracterstica de rectificao podendo provocar a distribuio do dodo, caso a temperatura seja elevada. Pelo contrrio, a temperatura muito baixas no haver conduo em qualquer dos senti- dos. 2.6 TIPOS DE DODOS Nos captulos atrs, falamos, sobretudo em dodos cujas junes semicondutoras eram dopadas com materiais diferentes. O semicondutor do Tipo N geralmente silcio dopado com fsforo enquanto que o semi- condutor do Tipo P de silcio dopado com boro. Existem outros tipos de dodos onde os materiais semicondutores so dopados com outro tipo de substncias, conforme a funo que esto destinados. 2.6.2 DODO EMISSOR DE LUZ LED O dodo emissor de luz (light emisson diode led) um dodo com a particularidade de acender quando percorrido por uma corrente elctrica no sentido directo. Polarizada inversamente, ele no acende. Isto acontece, porque o dodo, sendo constitudo por duas junes uma do Tipo P e outra do Tipo N, a dopagem usada nos semicondutores LED diferente da dopagem descrita noutros captulos. Quando os portadores de carga electro lacuna se recombinam, uma quantidade de energia gerada. Esta energia pode aparecer de diversas formas, uma das quais a de emisso de luz. Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.18 A Juno PN Este feito utilizado no dodo emissor de luz, o qual uma juno PN especial, polariza- da no sentido directo. A luz emitida essencialmente monocromtica, e o comprimento de onda depende do material usado. Um led pode emitir luz no comprimento de onda na gama dos infravermelhos, ultraviole- tas e at na gama visvel pela nossa viso. Na prtica os compostos intermetlicas fornecem a melhor emisso de luz. O arsenieto da glio dopado com zinco fornece uma sada luminosa em infravermelhos. O fosforeto de glio dopado com silcio e zinco fornece uma luz verde e o fosforeto de glio dopado com oxignio e zinco fornece uma luz vermelha. S o ttulo informativo fica com a ideia de que para um dodo emissor de luz tpico de arsenieto de glio as dimenses da pastilha de juno de 1,270 microns quadrados sendo a luz emitida pelo topo da superfcie da pastilha. Com a polaridade de cerca de 1 volt e corrente de 100 mA, a luz de sada de cerca de 50 w de potncia luminosa temperatura ambiente. Em desenvolvimentos ruentes, a pastilha plana foi substituda por uma pastilha em forma de abboda, para evitar reflexes de luz internas dando assim maior eficincia misso de luz.
Fig.2.23 Smbolo do dodo LED Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.19 A Juno PN 2.6.3 FOTODODOS Quando a luz incide numa juno PN, a energia luminosa absorvida pela estrutura cristali- na do dodo aumenta o nvel de energia dos electres. Isto provoca a quebra de ligaes dos electres aos seus tomos, criando novos electres livres e novas lacunas. No dodo fotocondutor, uma tenso aplicada juno PN e os electres e lacunas cria- das prximo da juno pela energia luminosa so atradas em direco aposta, resultante uma corrente que fluir atravs do dodo, sendo esta corrente proporcional intensidade luminosa.
Pode parecer que este tipo de dodo no tenha viabilidade prtica mas ao contrrio do que se possa pensar de inicio este dodo tem grande aplicao em sistemas fotoelectri- cos, sensores de luminosidade e dentro da industria automvel Em sensores de medio de quantidade de combustvel existente no depsito.
Fig.2.24 Fotododo em corte Ligao do ctodo Luz Fio de arame Semicondutor Ligao do nodo Envlucro Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.20 A Juno PN Num depsito de gasolina ou gs (GPL) tem de existir um mtodo elctrico ou electrnico que seja de tal forma hermtico por forma a no criar a ignio do combustvel no prprio depsito. Existe normalmente um sistema que funciona por meios fotoelectricos como se apresenta na figura seguinte, figura 2.25.
Ao diminuir o nvel de combustvel no interior do depsito faz deslocar por meio das vrias alavancas a barra a) opaca de modo a tapar o fluxo luminoso do led emissor de luz para os fotodiodos que compem os trs sensores. Este sensor pode operar no ambiente interior do depsito pois no existe nenhum con- tacto que possa ocasionar alguma disrupo e consequentemente a combusto de todo o combustvel do depsito. 2.6.4 DODO FOTOVOLTAICO No dodo fotovoltaico nenhuma tenso de polarizao aplicada ao dodo, e desta forma no existir queda de tenso atravs da juno PN, permitindo o aparecimento de uma barreira de potencial (zona de deflao) como vimos anteriormente. Fig.2.25 Sistema de medio da quantidade de gasolina existente no depsito Sensor 1 Sensor 2 Sensor 3 Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.21 A Juno PN Quando a luz iniciada sobre a juno, a densidade dos portadores difundidos atravs da juno ir aumentar. Se a regio de um dos lados da juno for produzida muito fina, ela pode tornar-se rapidamente saturada com os portadores, e ento, uma diferena de potencial ser cria- da atravs da juno, e uma corrente ir fluir atravs de uma resistncia externa ligada aos terminais do componente. O exemplo mais comum de um dodo fotovoltaico a clula solar, a qual converte a energia recebida do sol em energia elctrica. Este dodo largamente usado em satlites como fonte de energia para a alimentao do equipamento electrnico.
Fig.2.26 Dodo fotovoltaico Caixa Semiconsdutores Lente Luz Sada Caixa Lente Luz Sada Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.22 A Juno PN Num satlite de comunicaes os painis fotovoltaicos so expostos luz solar durante o dia carregando as baterias do prprio satlite e de noite os painis no No funcionam dando lugar descarga sobre todo o equipamento electrnico compo- nente do satlite. No automvel j vai comeando a ser bastante utilizado o painel solar com vista na cons- truo dum automvel futuro mas ecolgico. O dodo fotovoltaico o mais caro de todos os dodos o que torna, pelo menos no momento, impensvel economicamente a construo dum automvel cuja fonte de ali- mentao sejam os painis solares fotovoltaicos. Num satlite de comunicaes, as peas mais caras so efectivamente os painis sola- res de alimentao ao prprio satlite. 2.6.5 DODO DE ZENER Em condies normais de funcionamento, quando aplicamos uma tenso inversa a uma juno por forma a esta ficar polarizada inversamente, verificamos que ela no conduz corrente elctrica. Assim, o dodo est polarizado comportando-se como um circuito aberto, no conduzindo corrente elctrica. Se elevarmos a tenso inversa ao dodo, chegamos a uma situao que o dodo atinge o valor de tenso inver- sa de rotura comeando a conduzir corrente elctrica progressivamente at ao ponto de se auto destruir. Existem dodos, que graas dopa- gem utilizada nas junes Tipo P e Tipo N permitem o seu funcionamento permanente em polarizao inversa. Este tipo de dodos tem o nome de dodo de zener. Fig.2.27 Curva caracterstica do do- do de zener Zona de polariza- o inversa Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.23 A Juno PN Como se apresenta na figura 2.27 o dodo de zener destina-se a explorar a parte do gr- fico assinalada como zona de polarizao inversa.
Os grficos a) e b) da figura 2.28 representam o comportamento de dois dodos de zener a) dodo de zener de 4 V; b) dodo de zener de 30 V. O dodo de zener um componente electrnico semelhante ao dodo, possuindo tam- bm dois terminais de ligao. O seu smbolo esquemtico representado na figura 2.29.
Fig.2.28 Tipos de curvas caractersticas tenso-corrente em polarizao inversa I inv. I inv. V inv. V inv.
Fig.2.29 Smbolo do dodo de zener Sentido contrrio ao da deslocao dos electres Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.24 A Juno PN O funcionamento do dodo de zener podes ser comparado a uma vlvula montada na seco dum cano de gua como se apresenta nas figuras seguintes. A figura 2.30 representa um cano no qual est montada uma vlvula de paleta com o eixo na parte de cima e um batente na parte de baixo.
Sobre a vlvula de paleta existe uma outra vlvula que se encontra fechada pela aco duma mola. Quando a gua circula no sentido indicado pela figura, a vlvula da paleta abre e deixa passar o lquido. Um dodo de zener, quando polarizado directamente, comporta-se de um modo seme- lhante ao do circuito hidrulico indicado anteriormente ou seja: em polarizao directa o dodo de zener funciona como um dodo vulgar.
Fig.2.30 Analogia do dodo zener a uma vlvula hidrulica Fig.2.31 Dodo de zener em polarizao directa Sentido de deslocao dos electres Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.25 A Juno PN Se o sentido de circulao da gua se inverte, a vlvula de paleta encosta-se ao baten- te e fecha o cano, impedindo o lquido de circular, como se apresenta na figura 2.32.
Um dodo de zender quando polarizado inversamente e desde que a tenso de polari- zao no ultrapasse um determinado valor, comporta-se de um modo semelhante ao do circuito hidrulico assinalado no bloco anterior.
Ao valor da tenso de polarizao inversa qual do dodo de zener se torna condutor chama-se tenso de zener. Quando neste caso o dodo de zener se torna condutor d-se uma repentina queda de resistncia entre os seus terminais e consequentemente, um aumento de corrente. Fig.2.32 Analogia dum dodo de zener com uma vl- vula de paleta com segurana Fig. 2.33 Dodo de zener polarizado inversamente A corrente no passa Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.26 A Juno PN Perante pequenas variaes de tenso em torno do valor da tenso de zener, ocorrem grandes variaes de corrente, que podem repetir-se um sem nmero de Vezes, sem que o valor mximo da corrente no ultra- passe aquela para que o dodo de zener foi projec- tada. A utilizada do dodo de zener reside na aplicao do efeito da tenso de zener. As caractersticas dos dodos de zener so indicados nos manuais dos fabricantes. Na figura 2.35 encontramos um tipo de dodo de zener e as seguintes caractersticas do mesmo dodo catalogadas pelo fabricante. As caractersticas dos dodos de zener so indicados nos manuais dos fabricantes.
Fig.2.34 . Variao de corrente num dodo de zener Fig.2.35 Exemplo dum dodo de zener com todas as suas caractersticas de funcio- namento dadas pelo fabricante Diodo de Zeuner de Silicio BZT 03/C...
Aplicao: Reguladores de Tensio de mdia potncia
Prestao mxima Potncia dissipada I = 10 mm, T L = 25C P V 3,25 W T amb = 25C P V 1,3 W
Potncia dissipada quando sujeito a picos repetidos de corrente P ZRM 10 W
Potncia dissipada quando sujeito a picos no repetidos de corrente P ZSM 600 W
Temperatura juno T j 175 C
Intervalo de temperatura de bom funcionamento T stg -65.... 175 C
Caractersticas T j = 25 C
Voltagem directa V F 1,2 V I F = 0,5 A Ctodo Dimenses em mm Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.27 A Juno PN Os dodos de zener devem ser usados, tendo sempre em conta as suas caractersticas especficas. Os dodos de zener tem larga aplicao na industria electrnica especificamente na rea de alimentao, mais concretamete em sistemas de estabilizao e regulao de tenso. Todos os reguladores de tenso possuem dodos de zener com base em regularem a tenso na aparelhagem ligada, posteriormente ao regulados. A figura seguinte, apresenta-se um circuito simples com o objectivo de regular a tenso na linha segundo a tenso dita de zener, figura 2.36.
Estando aplicada uma tenso contnua de 12 [V] aos terminais de entrada (Vin) do circuito, esta tenso polariza o dodo de zener inversamente at ao valor de tenso de zener de 6 [V]. At se atingir a tenso V 2 = 6 [V] o dodo no conduz nenhuma corrente. A partir deste valor, at se atingir o valor de V in = 12 [V] o dodo se zener passa a conduzir uma determinada corrente fazendo com que a tenso de sada (Volt) seja regulada nos 6 [V] no danificando nenhum componente que se encontra a jusante do dodo de zener.
Fig.2.36 Regulao duma tenso por meio dum dodo de zener Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.28 A Juno PN 2.7 DODOS DE POTENCIA RECTIFICAO E REGULAO A principal aplicao dos dodos de potncia so em circuitos rectificadores conver- tendo tenses alternadas em tenses contnuas. Iremos descrever de seguida o papel dos dodos de potncia como rectificamos num cir- cuito conversor de corrente alternada em corrente contnua. H, pelo menos duas maneiras de rectificar uma tenso alternada: Rectificao de meia onda. Rectificao de onda completa. 2.7.1 RECTIFICAO DE MEIA ONDA Quando ligamos um dodo em srie com uma fonte de corrente alternada como por exemplo um transformador elctrico verificamos que o dodo rectifica a tenso alternada como se apresenta na figura 2.37.
Fig.2.37 Rectificao de meia onda Diodo Fonte CA Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.29 A Juno PN
Pelo que estudamos anteriormente, verificamos que o dodo ao ser percorrido pela for- ma de onda que se apresenta em figura 2.38 vai sendo constantemente polarizado directamente pelas alternncias positivas a) e polarizado inversamente pelas alternn- cias negativas b). Como o dodo rectificado no conduz corrente elctrica quando polarizado inversamente ele s vai conduzir durante os periodos das alternncias positivas sendo a resistncia R percorrida por uma corrente com uma forma de onda semelhante a da figura 2.39.
Fig.2.38 Tenso alternada sinusoidal em S Fig.2.39 Tenso rectificada em R Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.30 A Juno PN 2.7.2.1 RECTIFICAO DE ONDA COMPLETA COM DODOS Atendendo ao circuito da figura 2.40 verificamos que a sinunoide caractersticas de ten- so e corrente atravessam o transformador mantendo a mesma forma de onda diferido apenas a amplitude em consequncia da relao de transformao do transformador.
A sinusoide da figura 2.41 percorre os dois dodos em simultneo.
O dodo D 1 conduz a primeira alternncia positiva uma vez que est polarizado direc- tamente, o dodo D 2 , por sua vez, est a funcionar ao corte no conduzindo corrente porque est inversamente polarizado. Fig.2.41 Tenso alternada sinusoidal em S Fig.2.40 Circuito elctrico rectificador de onda completa Transformador Fonte CA Dodo Resistncia Dodo Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.31 A Juno PN
Na alternncia negativa o dodo D 1 encontra-se ao corte deixando de conduzir corrente elctrica mas dodos D 2 uma vez que passa a estar polarizado directamente, passa conduo. Como os dois dodos esto ligados ao mesmo ponto da resistncia R, contribuem os dois para a forma de onda final que atravessa a resistncia. Esta forma de onda apresenta-se na figura 2.42. Este tipo de rectificao relativamente pouco utilizado pois necessita sempre dum transformador de ponto mdio por forma a garantir a ligao dos dois dodos, figura 2.43.
Fig.2.42 Forma de onda de tenso rectificada em R Fig.2.43 Circuito elctrico de rectificao de onda com- pleta utilizando um transformador de ponto mdio Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.32 A Juno PN 2.7.2.2 RECTIFICAO DE ONDA COMPLETA COM DODOS MONTADOS EM PONTE (PONTE RECTIFICADORA) Este tipo de rectificao muito semelhante ao tipo descrito no ponto anterior e actualmente o sistema de rectificao mais usual em electrnica.
A montagem dos dodos est disposto de tal forma que constitui uma fonte. Normalmente denomina-se de fonte rectificadora e para que o circuito funcione devi- damente todos os dodos tero de possuir caractersticas iguais ou equivalentes. Aos terminais de sada do transformador verificamos a presente duma tenso alterna- da como se apresenta na figura 2.45.
Fig.2.44 Circuito elctrico de rectificao usando uma ponte de dodos ou ponte rectificadora Fig.2.45 Forma de onda de tenso alterna- da medida em S Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.33 A Juno PN Durante as alternncias positivas s entram em conduo de corrente elctrica dois dodos que se encontram, na ponte, polarizadas directamente, como se apresenta na figura 2.46 na sada da ponte de rectificao de um alternador.
Somente os dodos d 1 e d 2 conduzem estando os restantes polarizados inversamente no se encontram portanto conduo. Por sua vez, durante as alternncias negativas s entram em conduo os dodos D 3
e D 4 pois so os nicos que se encontram polarizados directamente perante esta cor- rente (negativa). Observe a figura 2.47.
Fig. 2.46 Funcionamento da ponte rectificadora nas alternncias positivas Fig.2 47 Funcionamento da ponte rectificadora nas alternncias negativas Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.34 A Juno PN Veja que o sentido da corrente muda somente antes de aingir a ponte rectificadora. A resistncia R percorrida por uma tenso rectificada em onda completa tal como se representa na figura 2.48.
As pontes rectificadora podem existir nos circuitos concebidos por quadros dodos de potncia, figura 2.49.
Por outro lado, existem no mer- cada pontes rectificadoras j feitas e integradas numa s cai- xa como se demonstra pela figura 2.50.
Fig.2.48 Forma de onda de tenso rectificada aos terminais da bateria Fig.2.49 Montagem de dodo em ponte Fig.2.50 Ponte rectificadora integrada Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.35 A Juno PN 2.7.2.3 ESTABILIZAO E REGULAO
Como foi visto, no ponto anterior, a forma de onda que obtemos sada da ponte rectifi- cadora uma corrente contnua como se mostra na figura 2.48. Por forma a tornar a forma de onda o mais contnua possvel introduzimos o condensador C de maneira a que o ripple seja atenuado, figura 2.52.
O condensador C armazena uma certa quantidade de energia medida que a corrente o atravessa atenuando assim os vales da forma de onda da figura 2.48. Quanto maior for a capacidade de C maior ser a linearidade da forma de onda. Fig.2.51 Circuito elctrico de rectificao, estabilizao e regulao de tenso Fig.2.52 Tenso aos terminais do condensador C Tecnologia dos Semicondutores Componentes 2.36 A Juno PN Quanto menor for a capacidade de C menor ser a linearidade da forma de onda.
Quando colocamos o dodo de zener verifica-se que a tenso de sada desta fonte de alimentao fica regulada nos 6 [V] passando a forma de onda a Ter uma amplitude infe- rior a forma de onda anterior, como se observa na forma de onde c) da figura 2.53.
a) Maior valor capacitivo em C b) Manor valor capacitivo em C c) Com dodo de zener de 6 [ V ] includo no circuito Fig.2.53 Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.1 Transstor 3 TRANSSTOR
3.1 INTRODUO A ateno dedicada aos semicondutores ficou mais alrgada quando em 1948, W. Smock- ley, J. Bardeen e W. M. Brattain inventaram o transistor. O transstor de contacto pontual foi o primeiro tipo a ser fabricado, com grande aplicao em pequenos amplificadores de audio, em prteses auditivas e receptores de rdio por- tteis. Um dos problemas do transstor de contacto pontual consiste em que hoje no se com- preende claramente a maneira como funciona sendo portanto difcil conceber transsto- res deste tipo adaptados s diversas aplicaes. A figura 3.1 mostra a maneira como constitudo um transstor de contacto pontual, e o modo como pode ser utilizado para amplificar um sinal de corrente alternada.
Fig.3.1 Tipos de transstores Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.2 Transstor Neste transstor, os fios de contacto em ouro do emissor e do colector so ligados pastilha de germnio a uma distncia de apenas 0,1 mm um do outro.
Se bem que tenha sido descoberto u pouco mais tarde do que o transstor de contacto pontual, o transstor de junes hoje o mais utilizado dadas as suas muitas vanta- gens. Em particular, bastante menos ruidoso, mais pequeno, melhor segurana de funcio- namento e mais simples de fabricar que o tipo de contacto pontual. Alm disso, a maneira como funciona j claramente compreendida, podendo os tran- sstores ser concebidos para aplicaes particulares. Existe um certo nmero de materiais semicondutores bons para o fabrico de transsto- res. Os mais importantes sero provavelmente o silcio (Si), o germnio (Ge) e o arsenito de glio (GaAs). Os primeiros transstores utilizavam germnio fundamentalmente dado que fcil de trabalhar e pode ser obtido em forma pura. Outra vantagem deste material que necessita apenas de uma baixa tenso directa, e dado que os electres e lacunas se movimentam facilmente no seu interior os dispositi- vos podem funcionar a maiores frequncias do que os fabricantes com outros materiais semicondutores. Fig.3.2 Transstor de contactos pontuais Emissor (contacto pontual em fio de ouro) Colector (contacto pon- tual em fio de ouro) Resistncia de carga Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.3 Transstor Infelizmente, s til a temperaturas inferiores a 100C. Os transstores, se bem que j tenha sido necessrio algum tempo para desenvolver mtodos de produo de material de alta qualidade e de seu tratamento. No entanto, o silcio, hoje, o material mais utilizado no fabrico dos dodos comerciais, transstores e circuitos integrados. Uma sua grande vantagem relativamente ao germnio que pode funcionar a temperatu- ras at 200C. No entanto, a qualidade de funcionamento a alta frequncia no to boa como no caso do germnio. Entre os novos materiais semicondutores, o mais prometedor o arsenito de glio. Est-se actualmente a desenvolver a sua qualidade cristalina e os mtodos de fabrico, e este material adquirir certamente uma grande importncia dentro de pouco tempo fun- damentalmente no fabrico de lasers. O arsento de glio permite temperaturas de traba- lho at 300C, juntamente com uma qualidade de trabalho a alta frequncia semelhante do germnio. 3.2 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR O transstor o semicondutor fabricado utilizado placas de material semicondutor. Uma placa de material de Tipo P obtendo-se um transstor PNP, podendo-se igualmente inserir uma placa de Tipo P entre placas do Tipo N obtendo-se um transstor NPN. No transstor existem duas junes, sendo o controlo realizado por um sinal aplicado a uma determinada seco do transstor. Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.4 Transstor Atendendo constituio dum dodo, um transstor constitudo, juntamen- te um segundo elemento semicondu- tor do Tipo P ou do Tipo N, ao conjun- to de juno PN utilizado nos dodos. Verifica-se assim que, enquanto o dodo somente possui uma zona de juno, o transstor possui duas zonas de juno. Tal como foi visto no captulo respei- tante aos dodos, existem dois tipos de pastilhas semicondutoras, do Tipo P e do Tipo N, possvel constru- rem-se dois tipos de transstores: PNP e NPN, ver figura 3.4. Cada uma das trs placas condutores que constituem um transstor, possui um terminal de ligao designando-se por:
Fig.3.3 Juno PN no dodo e jun- o do transstor Fig.3.4 Transstores do tipo PNP e NPN E Emissor; C Colector; B Base Fig.3.5 Terminais do transstor Emissor, o elemento que fornece o fluxo de electres ou lacunas ao tran- Colector, o elemento para o qual os electres ou lacunas fluem. Base, o elemento central ou contro- lador. Juno Transstor Juno Juno Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.5 Transstor No transmissor os semicondutores so dispostos de modo que o emissor e o colector estejam muito perto um do outro. Como se ver mais adiante, isto desti- na-se a que a maior parte das lacunas ou electres que se dirigem para a base, passem facilmente para o colec- tor por causa da velocidade de que esto animados. O material semicondutor que constitui a base dos transstores tem menos impurezas que os materiais semicondutores que constituem o emissor e o colector.
Para explicar como funciona um transstor, vamos escolher um transstor do tipo NPN, ligado a duas pilhas do modo indicado na figura ao lado. Os interruptores A e B, nesta primeira fase esto abertos e portanto, no circula corrente. Fig.3.6 Constituio do transstor Fig.3.7 Distribuio das impurezas (+) e (-) pelas placas condutoras Anel Bese Emissor Colector Cpsula Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.6 Transstor As resistncias R1 e R2 iro servir como limitadoras de corrente.
Fechando o interruptor A e mantendo o interruptor B aberto, a polaridade negativa da pilha ao ser aplicada ao emissor (semicondutor tipo N) repele os electres do semicondutor do tipo N em direco base, enquanto que a polaridade aplicada base (semicondutor do tipo P) ir repelir as lacunas do semicondutor do tipo P.
Deste modo, os electres e as lacunas, aproximar-se-o da juno, recombinando-se e dando assim origem a uma corrente de electres que ir circular ao longo do circuito. Esta situao corresponde de um dodo em polarizao directa. Como comparativamente, a base (semicondutor do tipo P) tem menos impurezas (menos lacunas) que o nmero de electres livres existentes no emissor (semicondutor do tipo N), nem todos os electres existentes no emissor se recombinam com as lacu- nas. Fig.3.8 Circuito de polarizao do transstor no estado aberto Fig.3.9 Polarizao directa da juno NP (emissor-base) Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.7 Transstor Quer isto dizer que a corrente de electres que circula no circuito de polarizao directa (emissor, base) muito pequena.
Se agora fechar o interruptor B, a segunda juno fica inversamente polarizada e os electres do emissor que no se permutarem com as lacunas da base, so atrados para o colector que est a um potencial positivo. Devido pequena espessura da base e velocidade de que os electres ficam animados, estes atravessam a base e, ao chegarem extremidade do colector escapam-se pelo terminal condutor retornando ao gerador de origem. Quando aplicar as polaridades correc- tas a um transstor NPN, poder verifi- car que o sentido das correntes so as indicadas na figura ao lado e que, a corrente que flui para o emissor a soma das correntes que vm do colector e da base. Fig.3.10 Corrente no circuito de polarizao directa (emissor-base), NPN Fig.3.11 Passagem da corrente do emissor para o colector C o r r e n t e
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Corrente do colector Corrente da Base Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.8 Transstor A corrente da base representa cerca de 2% da corrente total que circula no circuito.
O funcionamento do transstor PNP idntico ao do transstor NPN. No entanto, as polaridades aplicadas num transstor PNP tero de ser opostas s utilizadas no transstor NPN. Fechando o interruptor A e mantendo o interruptor B aberto, a polaridade positiva da pilha, ao ser aplicada ao emissor, (semicondutor do tipo P) repele as lacunas do semicondutor do tipo P em direco base (semicondutor do tipo N). ir repelir os electres do semicondu- tor tipo N. Deste modo, os electres e as lacunas aproximar-se-o da jun- o, recombinando-se e dando assim origem a uma corrente de electres que ir circular ao longo do circuito. Esta situao corresponde de um dodo em polarizao directa. Fig.3.13 Circuito de polarizao do transs- tor PNP no estado aberto Fig.3.14 Polarizao directa da juno PN (emissor-base) Fig.3.12 Fluxos da corrente de electres no transstor NPN Corrente de electres C o r r e n t e
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Corrente do colector Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.9 Transstor Como, comparativamente, a base (semicondutor do tipo N) tem menos impurezas (menos electres) que o nmero de lacunas livres existentes no emissor (semicondutor do tipo P), nem todas as lacunas existentes no emissor se recombinam com os elec- tres. Quer isto dizer que a corrente de elec- tres que circula no circuito de polari- zao directa (emissor, base) muito pequena. Nota: Repare que esta situao idntica que acontece no transstor NPN, diferindo apenas no sentido da corrente, pois neste caso os portadores maioritrios so as lacu- nas. Se agora fechar o interruptor B, a segunda juno fica inversamente polarizada e as lacu- nas que no se permutaram com os electres da base so atradas para o colector que tem uma polaridade negativa. Devido pequena espessura de base e velocidade de que as lacunas ficam animadas, estas atravessam a base e, quando chegarem extremidade do colector, so permuta- das por electres que fluem da pilha. Fig.3.15 Corrente no circuito de polarizao directa (emissor-base), PNP Fig.3.16 Passagem de corrente do emissor para o colector C o r r e n t e
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Corrente do colector Corrente da Base Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.10 Transstor Quando aplicar as polaridades correctas a um transstor PNP, poder verificar que os sentidos das correntes so os indicados na figura ao lado e que a corrente que sai do emissor representa a soma das correntes do colector e da base. Tal como num transstor NPN, a corrente de base representa cerca de 2% da corrente total que circula no circuito.
Nota: Note-se que em termos de corrente de electres, as junes do emissor, base e colector de um transstor PNP, esto invertidas em relao s de um transstor NPN.
Para que um transstor funcione correctamente, a primeira juno (emissor, base) deve estar directamente polarizada e a segunda juno (colector, base) inversamente polariza- da. Fig.3.18 A corrente de electres do transstor PNP invertida em relao ao NPN Fig.3.17 Fluxos da corrente de lacunas no tranistor PNP Corrente de electres C o r r e n t e
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Corrente do colector Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.11 Transstor A partir destas condies, ir verificar que possvel comandar rgos elctricos e elec- tro-mecnicos de grande consumo corrente, por meio de correntes muito pequenas. Estas uma das aplicaes dos transstores, entre muitas outras existentes.
3.3 TIPOS DE TRANSSTORES Os transstores aplicam-se nas mais variadas funes na electrnica. Existem no mercado variados tipos de transstores concebidos e fabricados com base em diferentes funes. difcil enumerar todas as funes e aplicaes dos transstores pois isso levaria a uma explicao bastante exaustiva. Basicamente os transstores podem ser utilizados em pr-amplificadores, circuitos de comando de refleco de imagem e varrimento de ecrs de TV, circuitos de comando de canhes electrnicos de cor de TV, circuitos de comutao em computadores e interruptores. Fig.3.19 Polarizao das junes nos transstores PNP e NPN Juno inversamente polarizada Juno directamente polarizada Juno inversamente polarizada Juno directamente polarizada Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.12 Transstor De entre as variadas aplicaes de transstores, podemos diferenciar dois grandes gru- pos de transstores: 3.3.1 - TRANSSTORES DE POTNCIA So concebidos em caixas ou pastilhas com dimenses relativamente grandes de modo a suportarem correntes e potncias elevadas. As figuras seguintes mostram alguns tipos de transstores de potncia.
Por outro lado existem transstores de baixa potncia constitudos por invlucros mais pequenos destinando-se principalmente a comandarem os transstores de potncia.
Fig.3.20 Transstor de potncia do tipo NPN com aplicao em circuitos de comando de ignio e comando de injectores em sistemas de injeco MOTRONIC, suporta altos picos de tenso e potncias at 10 W. Fig.3.21 Transstor de potncia do tipo NPN com larga aplicao em circuitos de comuta- o rpida, comanda potncias da ordem dos 100 W e encontra-se normalmen- te em fontes de alimentao e carregadores de baterias. Dimenso em mm Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.13 Transstor
Os fabricantes de transstores apresentam componentes com nmeros de cdigo diferen- tes como se pode constatar pelas figuras anteriores.
3.3.2 CODIFICAO DE TRANSSTORES O cdigo correspondente ao dispositivo semicondutor consiste em: Duas letras seguidas por um nmero de srie. Exemplo:
Fig.3.22 Transstor de potncia do tipo NPN com aplicao geral em comutao de sinais de baixa amplitude e andares amplificado- Dimenso em mm Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.14 Transstor A primeira letra, neste caso B d-nos a informao acerca do tipo de material semicondu- tor usado no fabrico do transstor. A Corresponde a todos os dodos ou transstores constitudos com germnico. B Corresponde a todos os dispositivos semicondutores fabricados em silcio. C Corresponde a todos os dispositivos semicondutores fabricados em arsenito de glio. R Corresponde a todos os dispositivos semicondutores fabricados com um composto baseado em cdmio. A Segunda letra indica a funo para o transstor deve estar destinado segundo a garan- tia do fabricante. A Dodo: Deteco de sinal, comutao, misturador de sinais. B Dodo: Capacidade varivel (valiceptor). C Transstor: Baixa potncia, audio frequncia. D Transstor: Alta potncia, audio frequncia. E Dodo: Deteco de sinal. F Transstor: Baixa potncia, alta frequncia. G Dodo: Oscilador. H Dodo: Sensibilidade magntica. U Transstor: Alta potncia, comutao. X Dodo: Multiplicador (usado em triplicadores de tenso em TV). Y Dodo: Rectificador. Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.15 Transstor
Z Dodo: Regulador de tenso. O nmero de srie consiste em: Trs dgitos compreendidos entre 100 e 999 para dispositivos projectados para uso domstico. Trs dgitos compreendidos entre 100 e 999 para dispositivos projectados para uso domstico. A nomenclatura seguinte difere da anterior e bastante usual. IN Com dois a quatro dgitos numricos significa que estamos perante um dodo. 2N Com dois a quatro dgitos numricos significa que estamos perante um transstor. Para que fique com uma ideia mais concreta daquilo que acabou de ser dito, fique-se com o seguinte exemplo: O transstor com a codificao BC 549 corresponde a um transstor constitudo basica- mente em silcio uma vez que a primeira letra B. A Segunda letra C significa que o fabricante garante o bom funcionamento do transstor como comutador. A comutao feita por este transstor no deve ser feita com elevados fluxos de corrente uma vez que o transstor de baixa potncia. Por outro lado, o transstor no serve para funcionar em circuitos que funcionam com altas frequncias ajustando-se a frequncia muito mais baixas, por exemplo audio fre- quncia, limitando o uso do transstor num receptor de rdio ou TV aos andares respon- sveis pela amplificao ou comutao a baixa frequncia. Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.16 Transstor Dentro da gama de transstores especficos para comutao existem dois subgrupos que dividem os transstores de comutao rpida geralmente aqueles que funcionam predo- minantemente em alta frequncia (do ingls High Switch), e os transstores de comuta- o lenta (do ingls Low Switch). 3.3.3 SIMBOLOGIA DE TRANSSTORES Basicamente, existem dois tipos de transstores independentes. Existem transstores de juno NPN e PNP. Atendendo ao seu funcionamento, como j foi referenciado, os transstores NPN e PNP possuem smbologias diferentes. Analogamente aquilo que se passava no captulo dos dodos, a disposio das pastilhas semicondutoras d ao transstor um funcionamento distinto e particular. No caso do dodo o smbolo utilizado era: Para o caso dos transstores a smbologia utilizada : Fig.3.23 Simbologia de dodos Fig.3.23 Simbologia de dodos Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.17 Transstor 3.4 MONTAGENS COM TRANSSTORES 3.4.1 REGULADORES ELECTRNICOS DE CARGA DE BATERIAS Os tcnicos estudaram diversos tipos de reguladores electrnicos com o objectivo de conseguir uma maior capacidade de suporte de calor, a ocupao dum espao mais limitado e consequentemente o peso, um fabrico mais facilitado e sobretudo a libertao das partes mecnicas que estavam aliadas aos rels que tornavam a vida dos regulado- res bem limitada bem como outros aparelhos elctricos ligados ignio como por exemplo os platinados. Os reguladores utilizam bsicamente transstores e dodos zener. Na figura 3.25 est representado um circuito que corresponde a um regulador de carga de baterias com cinco transstores e em 3.26 apresenta-se o esquema electrnico cor- respondente. Analisando a figura 3.26 comeamos por distinguir, em primeiro lugar, a posio da bateria (1) e o conjunto das bobinas do alternador trifsico (2) ligadas ponte de dodos rectificadores (3). Tambm se pode ver no ponto 4 o interruptor de contacto da chave.
Fig.3.25 Constituio interna dum regulador electrnico Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.18 Transstor
O circuito entra em funcionamento quando se estabelece a ligao com a bateria atra- vs do interruptor da chave (4) circulando corrente elctrica atravs de todo o circuito. A corrente gerada pela bateria (1) passa atravs do regulador atravessando em primei- ro lugar, o fusvel (F) de proteco polarizando a base do transstor T2 atravs da resis- tncia R1. Neste momento, T2 entra em conduo deixando fluir corrente elctrica que passa do colector para o emissor deste mesmo transstor atravs da resistncia R2. Como conse- quncia o transstor T1 entra igualmente em conduo permitindo que a bobina DE seja polarizada ligando assim o rotor do alternador que comea a gerar corrente elctrica para a bateria tomando em conta que o veio rotor do alternador se encontra em movi- mento.
Fig.3.26 Esquema electrnico dum regulador de carga da bateria Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.19 Transstor Ao mesmo tempo, a corrente positiva que entra atravs da resistncia R3 permite a polarizao do conjunto de transstores (T3 e T4) onde praticamente toda a corrente deste ramo atravessa o transstor T3 comandado pela resistncia R7 e pelo dodo de zener que tem como funo pilotar a regulao da tenso da bateria. Nestas condies a corrente que circula entre o emissor colector do transstor T4 praticamente nula e a corrente de base deste transstor bastante baixa graas ao conjunto de resistncias R4 e R5 e ao potencimetro (P). Assim o transstor T5 no tem corrente de polarizao de base encontrando-se na zona de funcionamento de corte permitindo que a corrente atravesse os transstores T2 e T1 de modo a que o alternador carregue a bateria ligando (DE). Tudo o que foi dito encontra-se documentado na figura 3.27.
No momento que a bateria se encontra totalmente carregada aumenta a tenso nos ter- minais do dodo de zener (ZN) como se pode ver na figura 3.28.
Fig.3.27 Regime de carga da bateria Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.20 Transstor Deste modo, quando a tenso aumenta acima de determinados limites, o dodo de zener entra em conduo permitindo a passagem de corrente que ir polarizar o transstor T3. Como este transstor do tipo PNP, ao receber a polarizao positiva na sua base leva a que o transstor entre na zona de funcionamento de corte, bloqueando. Assim o transstor T4 polarizado entrando conduo, alimentando o transstor T5, que por sua vez pe o transstor T2 ao corte uma vez que a tenso na base de T2 dimi- nui significativamente permitindo que o transstor T1 no conduza nenhuma corrente desligando do circuito a bobina (DE) de excitao do alternador.
Quando a tenso da bateria diminui at determinado valor, o dodo de zener (ZN) deixa de conduzir conduzir corrente elctrica fazendo com que o transstor T3 fique polarizado e por sua vez T4 deixe de conduzir, e assim T5 fica ao corte deixando o transstor polari- zado pela corrente da resistncia R1. O transstor T1 novamente polarizado conduzindo corrente elctrica para a bobina DE por forma que esta ponha o alternador em funcionamento e carregue novamente a bate- ria. Fig.3.28 Funcionamento do regulador no regime de bateria totalmente carregada Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.21 Transstor 3.4.2 IGNIO TRANSISTORIZADA Este tipo de circuitos tem a grande vantagem sobretudo no seu reduzido tamanho em comparao com o sistema de ignio por meio de platinados. Neste momento a electrnica impera j o domnio da ignio dos motores a gasolina exactamente pela razo em cima referida. A figura 3.29 temos representado um esquema dum sistema de ignio simples por transstores. Como se pode ver, o circuito apresenta fundamentalmente trs fases de funcionamento determinados por blocos, so eles: Sensor de impulsos (A) Pr amplificador (B) Amplificador de potncia (C)
Quando o sensor de impulsos se encontra em posio neutra sem alimentar o transstor T1, ocorre que o transstor de potncia (T4) est a trabalhar na zona de funcionamento de conduo de corrente que uma vez que a sua base se encontra polarizada positiva- mente, permite a circulao de corrente atravs da resistncia (R1) polarizando o enro- lamento primrio da bobina de ignio. Por outro lado, no circuito pr amplificador, a entrada de corrente pela linha positiva +BAT alimenta a base do transstor (T2) atravs das resistncias (R2) e (R3). Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.22 Transstor Esta polarizao positiva da base de (T2) permite a passagem de corrente desde a resistncia (R4) at ao ramo emissor- colector do transstor NPN e o contacto com a massa atravs da resistncia R5.
Quando se produz um sinal no sensor de impulsos em (A) com a rotao do veio son- da, a base do transstor T1 fica polarizado positivamente atravs da resistncia (R6), este transstor funciona agora na zona de conduo circulando a corrente atravs das resistncias (R2) e (R5). Por sua vez o transstor T2 encontra-se na zona de corte. O condensador C1 sofre uma descarga positiva que alimenta a base do transstor T3 pon- do-o em conduo, circulando neste momento, uma corrente que atravessa R1, passan- do por T3 at massa. O transstor de potncia T4 est na zona de funcionamento de corte no conduzindo corrente entre o seu colector e o seu emissor. Assim o enrolamento primrio da bobina de ignio deixa de ser percorrida por corrente elctrica, sendo este o momento em que se produz induo magntica no enrolamento secundrio e consequentemente alta tenso que posteriormente passar ao distribuidor e s velas de ignio. Fig.3.29 Esquema electrnico simples de um sistema de ignio B Preamplificador C Amplificador de Potncia A Sensor de Implusos Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.23 Transstor Quando o impulso positivo dado base do transstor T1 termina, este transstor entra na zona de funcionamento de corte e todo o sistema toma o funcionamento descrito de inicio. O ciclo continuar quando, de novo, o sensor de impulso detectar a passagem do veio sonda emitindo um impulso base do transstor T1 e assim sucessivamente. Os outros componentes tem interesse para o estudo em questo embora possuam um papel secundrio. O condensador C2 funciona como um filtro bem como C3 que evitam a gerao de interferncias geradas pela comutao dos transstores fazendo com que o circuito electrnico trabalhe com deficincias. Por outro lado, este circuito permite demonstrar a grande potencialidade da electrnica que traduzir um sinal de pequena amplitude como o caso do sinal detectado pelo sensor de impulsos, num sinal de amplitude superior por forma a comandar um transs- tor de potncia que liga ou desliga a bobina de ignio do circuito. O transstor substitui assim o antigo platinado que como pea mecnica possui uma vida muito mais limita- da. 3.4.3 DETECTOR DE SONOLNCIA De modo a conseguir aquilo que se considera a mxima segurana na conduo dum veculo, desenvolveu-se um dispositivo electrnico de aviso de situaes de alto risco. Para os condutores profissionais, que nem sempre cumprem a norma que diz respeito ao nmero de horas ao volante, criou-se um sistema electrnico que tem como funo avisar o condutor dum modo luminoso e sonoro quando o condutor apresenta o mnimo sintoma de sonolncia. Quanto tal acontece, verifica-se atravs da experincia que os msculos ficam mais distendidos que o normal, sobretudo sobre os msculos das mos e em consequncia a condutividade da corrente elctrica atravs das mos diminui. Com este principio colocou-se duas fitas coladas ao volante, feitas de material condutor onde uma delas ligada massa dentro da unidade electrnica. Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.24 Transstor A figura 3.30 representa o conjunto dos elementos que formam este equipamento elec- trnico.
A figura 3.31 representa a dis- posio das fitas metlicas no volante e o respectiva ligao unidade electrnica. Verifica-se que uma das fitas metlicas ligada massa sendo a outra fita o sensor principal do sistema.
Fig.3.30 Conjunto dos sistemas electrnicos que formam o detector de sonolncia Ao distribuidor Bobina Buzina Interruptor de contacto
1 Sensor muscular; 2 Sensor muscular; 3 Cabo de ligao unidade electrnica; 4 Cur- sor; 5 Anel de colector; 6 Cabo de contacto massa. Fig.3.31 Disposio dos controlos do volante para o sensor de distenso muscular Unidade Electrnica Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.25 Transstor Pela figura 3.30 temos um esquema geral de todos os elementos onde se situa o sensor de distenso muscular (A) colocado no mesmo volante. Em circunstncias normais, as mos do condutor permitem estabelecer a ligao elctri- ca entre as duas fitas ligando o sistema massa neste ponto. de referir que a corrente elctrica que percorre as mos do condutor bastante baixa da que o esquema electrnico dever incluir um sistema amplificador que ter a funo de tornar esta corrente perceptvel pelo sistema. Para conseguir este objectivo dispem-se de seguida na figura 3.32 o esquema electr- nico.
O esquema da figura 3.32 marca a primeira fase de funcionamento do sistema quando o condutor fixa normalmente as mos no volante do veculo.
Fig.3.32 Esquema electrnico do sistema
Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.26 Transstor Neste momento passa uma corrente elctrica que atravessa a resistncia varivel R2 e passa atravs das mos do condutor at massa, esta corrente apresenta um valor bastante baixo (da ordem dos mili amperes), como j foi dito, mas suficiente para polarizar a base do transstor T1 que agrupado ao transstor T2 aumenta a sensbilidade do sistema fazendo com que R4 seja percorrida por uma corrente elctrica por forma que a tenso na base do transstor T3 baixa. Consequentemente e como o transstor T3 no polarizado e o restante circuito que ele comanda no accionado, portanto a lmpada no acende, o buzzer no emite qual- quer sinal sonoro e o rel no accionado, permitindo a continuidade da bateria com o sistema de ignio. O potencimetro R2 serve para regular a sensibilidade do sistema tornando-o mais ou menos rpido na resposta distenso muscular das mos do condutor. No momento em que o condutor apresenta sinais de cansao ao volante a firmeza com que ele agarra o volante diminui aumentando a resistncia elctrica entre as fitas metli- cas. A corrente que anteriormente circulava em R2 at massa baixa consideravelmente e o transstor T1 deixa de ver a sua base polarizada uma vez que o contacto das mos com o volante constitui um circuito aberto. Portanto o transstor T1 e consequentemente o transstor T2 deixam de conduzir. Como se v pela figura 3.33 a corrente elctrica passa pelos pontos do circuito assinala- dos com trao mais grosso, uma vez que o transstor se apresenta ao corte a tenso entre a base e o emissor do transstor T3 aumenta de forma que este transstor fica polarizado permitindo que a lmpada acenda. Atravs do dodo D1 circula uma corrente elctrica que permite que o transstor T4 no conduza encontrando-se na zona de corte. O transstor T5 fica com a sua base polarizada porque T4 est ao corte aumentando a tenso na base do transstor T5 que permite ligar o buzzer e accionar o rel,uma vez que os componentes se encontram ligados em paralelo. Uma vez o rel (7) accionado faz com que o sistema de ignio seja desligado da bate- ria fazendo com que o motor pare nesse mesmo instante.
Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.27 Transstor Este sistema constitui assim um dispositivo de segurana do veiculo que vigia constante- mente a condio fsica do condutor actuando sobre o funcionamento do automvel quando necessrio.
3.5 APLICAES PRTICAS COM TRANSSTORES 3.5.1 TCNICA DE IMPULSOS Os transstores podem ser utilizados para ligar ou desligar uma determinada carga a uma fonte de tenso, com a vantagem sobre qualquer outro tipo de comutao mec- nica, visto operar electricamente e ter uma resposta muito mais rpida. Fig.3.33 Esquema electrnico do sistema no momento em que o condutor apresenta sinais de cansao
Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.28 Transstor
No comutador mecnico quando ele est aberto, no flui corrente pela carga RL, no entanto quando ele est fechado toda a tenso Vcc aparece aos terminais da carga RL. O transstor de comutao tem as mesmas propriedades que o comutador mecnico. Quando um transstor usado como comutador hbito dividir as suas zonas de fun- cionamento em: regio activa, regio de corte e regio de saturao. Na regio de corte, ambas as junes, a do emissor e a do colector polarizadas inver- samente no havendo fluxo de corrente entre o emissor e o colector. Nesta regio, o transstor funciona abaixo da curva caracterstica para I E = 0 em que neste caso I E a corrente do emissor. Nos circuitos de comutao a regio activa no tem interesse pratico uma vez que o transstor situa-se normalmente na zona de corte ou na zona de saturao. A regio esquerda de V CB =0 em que V CB a tenso medida entre o colector e a base do transstor e acima de I E = 0 a zona de saturao.
Fig.3.34 Circuitos simples de transstores como comutadores Fig.3.35 Curva caracterstica do transstor apontando as regies de funcionamento Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.29 Transstor Nesta regio, as junes de emissor e colector esto polarizadas directamente, sendo portanto o momento em que h passagem de corrente atravs do transstor. 3.5.2 CIRCUITO MONOESTVEL O circuito monoestvel o circuito que tem somente um estado estvel no qual pode permanecer por um tempo indeterminado e tem um outro estado quase estvel, no qual pode permanecer um determinado tempo finito.
No circuito monoestvel necessrio aplicar um impulso por meio de uma fonte exter- na para que aquele faa uma transio do estado estvel para o estado quase estvel, onde permanecer um tempo bastante longo em comparao com o tempo de transi- o entre estados. O circuito passar do estado quase estvel para o estado estvel com necessidade de aplicar qualquer impulso exterior. Assim quando se processa o disparo do circuito monoestvel o mesmo volta ao estado original por si prprio ao fim de um tempo T pelo que conhecido como circuito univi- brador.
Fig.3.36 Circuito monoestvel com transstores Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.30 Transstor Para o estado quase estvel (o transstor T 1 a funcionar conduo e T 2 ao corte), o cir- cuito simplifica-se donde se obtm o circuito equivalente:
Para o instante t = 0 a tenso no condensador dado por V (0) = Vcc + VcE onde VcE = 0 porque o transstor est a trabalhar na zona de saturao. Ao aplicarmos um impulso aplicado no ponto D, o transstor T 2 passa a zona de condu- o e consequentemente T 1 passa ao centro. Este estado permanece at que o condensador C descarregue toda a energia que adqui- riu com o impulso. Quando o condensador se descarregar, o transstor T 1 passa a trabalhar novamente conduo e T 2 por sua vez volta a trabalhar ao corte, como de inicio.
Fig.3.37 Malha do circuito monoestvel V D Tenso na Base de T2 + V CC
V D
Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.31 Transstor Como se v pela figura na forma de onda gerada em V B2 (*) a curva ascendente e a sua durao dependem do valor capacitivo do condensador conforme este armazene mais ou menos caga durante o mesmo periudo de tempo Fig.3.38 Formas de onda em vrios pontos do circuito Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.32 Transstor Aplicaes de circuito monoestavel Este circuito tem aplicaes em quase todos os dispositivos com memria podendo com- plementar o sistema de comando do limpa pra brisas dum automvel, e ainda poder fazer parte integrante da gesto electrnica do mesmo.
A figura 3.39 representa um esquema electrnico de um conta rotaes que tem como sensor ou captador de impulsos uma pequena bobina que rodeia o cabo de alta tenso da bobina. Fig.3.39 Esquema electrnico de um conta rotaes com uma apli- cao dum circuito monoastvel Captador de impulsos Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.33 Transstor Assim a corrente que percorre o cabo das velas gera um campo magntico que detec- tado pela bobina que rodeia o cabo. Por sua vez a bobina gera um impulso, por induo magntica, que emite para o circuito electrnico (ver figura 3.40).
O transstor T1 entra em conduo quando o motor est parado uma vez que a base deste polarizada negativamente e desta forma ele encontra massa a partir do dodo D1. Nestas condies o transstor T2 encontra-se igualmente ao corte porque tem polariza- o positiva. Durante o funcionamento do sistema o transstor T1 polarizado positivamente cada vez que detectado um impulso pelo sensor. Quando isto ocorre, o transstor T1 entra ao corte mas permite que o transstor T2 entre na zona de conduo e estabelea corrente para o aparelho M. Por outro lado, quando o transstor T2 se encontra conduo, estabelece-se uma que- da de tenso na resistncia ligada ao seu colector (R8).
Fig.3.40 Sensor de impulsos ligado ao cabo de alta ten- so da bobina Ao conta rotaes Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.34 Transstor O impulso situado no ponto A do circuito bloqueia o dodo D1 de modo que a corrente de base de T1 no pode circular fazendo com que este transstor fique ao corte.
Na figura 3.41 pode ver-se com mais pormenor, um sistema com a mesma funo que o anterior utilizando um circuito monoestvel. Em primeiro lugar, a presena de um dodo de zener (DZ1) mantm a tenso de alimen- tao a 8,2 volts para que todo o funcionamento do circuito no seja afectado por oscila- es de tenso. O impulso que se produz no mili - ampermetro sempre de durao e amplitude cons- tantes. Os conta rotaes modernos utilizam geralmente um circuito monoestvel com o fim de gerar os impulsos para o aparelho de medida.
Quando se pretende atrasar impulsos, de um determinado tempo (t), se aplicarmos um impulso negativo atravs de um condensador na base do transstor T 2 , o qual estar a saturao, passa ao corte ao fim de um determinado tempo, (atraso do impulso) temos ento, no colector do transstor T 2 a passagem brusca do potencial Vcc para zero, o que no mais do que a resposta do circuito ao impulso aplicado, mas atrasada de um determinado tempo (t), pretendido. Fig.3.41 Esquema dum circuito electrnico de um conta rotaes
Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.35 Transstor 3.5.3 CIRCUITO ASTVEL O circuito astvel aquele que no apresenta estados estveis, isto , por analogia com o monoestvel apresenta dois estados quase estveis.
O circuito astvel tem um comportamento bastante semelhante ao funcionamento do cir- cuito monoestvel. Este comportamento difere porque como se pode ver na figura 3.42, existem agora dois condensadores ligados s bases dos transstores T1 e T2, ao contr- rio do circuito monoestvel que s possui um condensador ligado a um dos dois transs- tores. Assim explica-se que a descarga do condensador marca o tempo de polarizao da base do transstor a que o condensador est ligado e consequentemente define o numero de estados de funcionamento que o circuito pode ter. No circuito astvel, o condensador C1 (ver figura 3.42) tem carrega-se atravs da corren- te que circula atravs das resistncias R1 e Rc. Neste momento o condensador C2 encontra-se carregado polarizando a base do tran- sstor T2, conduzindo este corrente elctrica (I2),por sua vez o transstor T1 no se encontra polarizado estando na zona de funcionamento de corte. Fig.3.42 Circuito astvel Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.36 Transstor No estado seguinte a tenso Vb1 tende a aumentar e ao atingir determinado limite pe o transstor T1 em conduo e consequentemente T2 em corte. O condensador C1 descarrega a sua energia armazenada sobre a base do transstor T1 e a conduo deste permite a carga do condensador C2. Quando C1 se descarrega o transstor volta a entrar em corte e o transstor T2 volta a ser polarizado pelo condensador C2 estando em conduo. O circuito astvel funciona de forma cclica trocando as cargas e descargas dos conden- sadores pelos transstores T1 e T2 indefinidamente at que a tenso de alimentao seja suficiente para manter o circuito em funcionamento, por isso este circuito toma mui- tas vezes o nome de multivibrador.
Este circuito gera ondas quadradas como se pode ver pela figura 3.43 cuja frequncia podemos variar pelo que o circuito estvel pode ser utilizado como modulador, sendo para isso necessrio aplicar-lhe uma tenso varivel V.
Fig.3.43 Formas de onda do circuito astvel medidos em vrios pontos Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.37 Transstor Pode ainda ser utilizado como circuito de comando duma gesto de ignio electrnica ou unicamente como gerador de ondas quadradas ou rectangulares dependente dos valores das capacidades e das resistncias que fazem alongar ou encurtar os estados.
Aplicaes de circuito astvel O circuito astvel tem um papel importante em circuitos auto no que diz respeito a circui- tos de comando do pisca-pisca pois no necessita de rels nem de qualquer aparelho com base mecnica como se apresenta na figura 3.44.
Fig.3.44 Esquema electrnico de um sistema de comando dos piscas Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.38 Transstor
Fig.3.45 Esquema elaborado do circuito de comando de piscas usando um circuito astvel Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.39 Transstor 3.5.4 CIRCUITO BIESTVEL O circuito biestvel aquele que apresenta dois estados estveis, podendo existir inde- finidamente em cada um dos estados, s mudando de estado, por uma transio abrup- ta quando lhe aplicada uma excitao ou um impulso exterior. O circuito seguinte constitui aquilo que normalmente se designa por flip-flop.
Se designarmos um dos estados por estado 1, o qual corresponde a estar por exemplo o transstor T 2 a conduzir e o transstor T 1 cortado. (Quando T 2 est saturao a ten- so do colector prxima de zero). Para passar ao estado 2, o qual corresponde a termos T 1 na saturao e reciprocamen- te T 2 ao corte, (para desbloquear T 1 ) necessrio aplicar um sinal exterior na base, isto , um impulso negativo. O circuito da figura 3.46, utiliza-se com os dispositivos activos, isto , dois transstores NPN: Fig.3.46 Circuito biestvel Impulso Impulso Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.40 Transstor Quando injectarmos um impulso negativo na base do transstor T 2 , equivale a colocar- mos o mesmo na zona de corte desligando o circuito que a ele est agregado. Passar s a haver corrente no transstor T 1 e todo o circuito que est agregado a ele, como se apresenta na Figura 3.47.
Neste momento a tenso entre o colector e o emissor do transstor T1 praticamente nula porque o transstor se encontra na zona de conduo existindo um fluxo de corren- te elctrica atravs dele. Todo o restante circuito se encontra inerte no momento. Quando ligamos um impulso negativo na base do transstor T 1 este passa imediatamen- te a funcionar na zona de corte, cortando todo o fluxo de corrente que por ele passa. Neste momento o transstor T 2 entra em funcionar na zona de saturao pois o impulso expande-se atravs da resistncia R 2 que impondo uma diferena de potencial entre o colector e o emissor do transstor T 2 por forma a coloc-lo na zona de saturao fazendo com que ele passe a conduzir corrente elctrica. Este circuito tem um uso bastante alargado em circuitos de comando electrnico funcio- nando como interruptor. O circuito biestvel tem aplicao em quase todas as operaes digitais de gesto elec- trnica tal como circuitos de memria e em contadores. Tem ainda larga aplicao como gerador de impulsos. Fig.3.47 Malha em funcionamento do circuito biestvel Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.41 Transstor 3.5.5 FONTES DE ALIMENTAO ESTABILIZADAS A estabilidade nas fontes de alimentao D.C. tem por finalidade garantir aos terminais de carga uma tenso constante, independentemente das variaes que possa sofrer a rede de alimentao, a tenso fornecida pelo rectificador e sistema de filtragem e o valor de carga dentro de determinados valores. Numa fonte de alimentao estabilizada podemos considerar dois blocos distintos: a rec- tificao (de meia onda e de onda completa com transformador de ponto mdio ou ponte de dodos) na qual podemos incluir a filtragem e o circuito estabilizador. Existem fundamentalmente dois tipos de estabilizao: a estabilizao srie e a estabili- zao paralelo, conforme o estabilizador fica situado em srie ou em paralelo com a car- ga a alimentar.
Fig.3.48 Tipos de estabilizao Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.42 Transstor Estabilizao Paralelo Neste tipo de estabili- zao o dispositivo estabilizador coloca- do em paralelo com a carga como referimos atrs, sendo as varia- es de tenso com- pensadas pela queda de tenso na resistn- cia R. O dispositivo mais largamente utilizado, neste tipo de estabilizao o dodo de zener como j foi visto no captulo respeitante a dodos. Estabilizao Srie Este tipo de estabilizao caracteriza-se pelo facto de o dispositivo estabilizador ficar em srie com a carga a alimentar. O funcionamento sumrio deste tipo de estabilizao consiste no facto de o dispositivo estabilizador apresentar uma resistncia varivel que vai compensar as variaes de tenso de entrada ou a variao da corrente na carga, de modo a determinar uma ten- so constante na sada. O elemento geralmente utilizado como estabilizador o transstor aproveitando-se o fac- to da sua resistncia entre colector e emissor variar a corrente aplicada sua base.
Fig.3.49 Estabilizao paralelo Fig.3.50 Estabilizao srie Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.43 Transstor No circuito da figura 3.50 apenas temos o elemento que se destina a estabilizar e con- sequentemente a regular a tenso de sada atravs de tenso de referncia fornecida pelo dodo de zener. 3.5.6 A MONTAGEM DARLINGTON Para potncias demasiado ele- vadas, muitas vezes existe difi- culdade, e em muitos casos at impossibilidade, de referenciar um certo tipo de transstores uma vez que a corrente que se destina a circular atravs deles bastante elevada. Para estes casos existe como alternativa a montagem Darling- ton. A figura 3.51 representa o tipo de montagem Darlington com dois transstores. Com o objectivo em aumentar o rendimento do transstor, ganho de corrente e tenso recorre-se montagem Darlington onde os dois transstores repartem a potncia que se pretende ali- mentar. Outro modo de caracterizar este tipo de montagem montagem em cascata.
Fig.3.51 Montagem de transstores em cas- cata tipo Darlington Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.44 Transstor
Podem-se assim agrupar dois ou mais transstores com o objectivo de conseguir contro- lar melhor cargas de elevada potncia.
3.6 CIRCUITOS BSICOS AMPLIFICADORES E TRANSS- TORES Vamos considerar o transstor usando-o num circuito elctrico simples como amplifica- dor. Como referimos atrs, dos trs modos de funcionamento referidos Base comum; Emis- sor comum e Colector comum, ficou estabelecido que o ganho de corrente em base comum praticamente unitria e que em emissor comum, especialmente, e colector comum, o mesmo ganho alto dependendo porm do tipo de transstor. Na prtica utiliza-se mais vulgarmente a montagem em emissor comum por ser aquele que apresenta melhores ganhos de corrente e tenso. Fig.3.52 Montagem de transstores em cascata tipo Darlington mltiplo Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.45 Transstor Numa primeira anlise vamos estudar as condies do transstor em corrente contnua como se apresenta na figura 3.52.
O circuito da figura 3.52 pretende representar um andar dum circuito amplificador no que diz somente respeito polarizao em corrente contnua. Note-se que o transstor obteve a mesma tcnica de polarizao utilizada quando referimos o circuito em emissor comum. Note-se tambm que as resistncias R 1 e R 2 servem de divisor de tenso para polariza- o de base do transstor. Desta forma o transstor est polarizado e por ele fluem correntes elctricas que so res- ponsveis pela elevao de amplitude da onda de sada do andar amplificador. Sem polarizao em corrente contnua o transstor no amplifica.
Fig.3.53 Exemplo dum circuito dum patamar amplificador composto por uma mon- tagem em emissor comum sendo este o circuito de polarizao em ten- so continua Fig.3.54 Aumento da amplitude da sinusoide feito pelo mdulo amplificador Tecnologia dos Semicondutores Componentes 3.46 Transstor Injectando um determinado sinal na base do transstor polarizado este sinal aproveita parte de tenso de polarizao por forma a ver a sua amplitude elevada.
O sinal AC introduzido na base e sai do colector atravs de condensadores de modo que as condies de polarizao DC no so de qualquer modo afectados pelo sinal do circuito exterior. Para evitar perdas do sinal de entrada AC atravs da resistncia de emissor, esta ltima curto-circuitada por um condensador de largo valor capacitivo, por forma a que o sinal AC aparea directamente entre a Base e o Emissor do transstor. Fig.3.55 Circuito amplificador global AC Entrada AC Sada Tecnologia dos Semicondutores Componentes 4.1 Outros Tipos de Transstores 4 OUTROS TIPOS DE TRANSSTORES 4.1 O TRANSSTOR DE UNIJUNO, UJT O transstor de unijuno um dispositi- vo com trs terminais, cuja principal caracterstica exibir uma zona de resis- tncia negativa. Essa caracterstica confere ao dispositi- vo propriedades importantes aplicveis no projecto de circuitos de comando mais simples do que com outros disposi- tivos. O transstor de unijuno quando est ao corte, apresenta uma resistncia interna bastante elevada. O transstor de unijuno um dispositi- vo ideal para circuitos de temporizao, circuitos de disparo, sobretudo oscilado- res, sensores e dispositivos de controlo de potncia. O transstor constitudo por uma barra de cristal semicondutor Tipo N, no qual est implantada uma pequena zona de Tipo P. Nas extremidades da barra esto ligados os dois elctrodos que constituem a base 1 e base 2. Na zona do tipo P est ligado o elctrodo do emissor. A construo bsica e o smbolo de representao mostrado na figura 4.2. B1 = base 1 B2 = base 2 E = Emissor Fig.4.1 Transstor de unijuno Tecnologia dos Semicondutores Componentes 4.2 Outros Tipos de Transstores Uma juno PN formada numa parte da regio Tipo N de silcio entre os terminais B e C.
Podemos seguir o funcionamento atravs da figura 4.3.
Fig.4.2 Constituio do transstor de unijuno Juno PN Base 2 Base 1 Emissor Emissor Fig.4.3 Funcionamento do transstor de unijuno Forma de onda de sada Tecnologia dos Semicondutores Componentes 4.3 Outros Tipos de Transstores A juno PN torna-se directamente polarizada e uma alta concentrao de lminas injectada na regio do Tipo N que ir provocar uma corrente para o elctrodo C. A resistncia desta regio ir assim descer, devido presena de uma alta densidade de portadores, e portanto parte da tenso (VBC) cair atravs da regio tipo N, mesmo admitindo que a corrente atravs da regio aumente. Assim, a resistncia negativa da regio ocorre entre o emissor (E) e o colector (C), como se ilustra pelo grfico da figura 4.4. Designa-se por regio de resistncia negativa, uma vez que para um aumento de ten- so, a corrente desce.
O transstor de unijun- o, permite a realizao de geradores de impul- sos muito simples e geradores de formas de onda no sinusoidal.
Fig.4.4 Curvas caractersticas tenso-corrente do transstor de unijuno Regio de saturao Vale Regio de resistncia Negativa Pico Tenso de Emissor C o r r e n t e
d o
e m i s s o r
C o r r e n t e
Tenso Fig.4.5 Circuito prtico oscilador com transstor de unijun- o Sada Tecnologia dos Semicondutores Componentes 4.4 Outros Tipos de Transstores O circuito da figura 4.5 permite gerar impulso com determina- da largura de banda e perodo, impulsos esses que nos permi- tem por conduo, dispositi- vos tais como componentes de comando ou componentes de comutao. Vejamos as formas de onda da tenso nos vrios pontos do circuito.
Este tipo de transstor em muitos casos uma alternativa aos circuitos monoestvel e astvel possuindo a grande vantagem da diminuio do nmero de componentes no circuito. Na figura 4.7 apresentamos um outro tipo de conta rota- es que utiliza um transstor unijuno em substituio do circuito monoestvel como vimos anteriormente.
Fig. 4.6 Formas de onda medidos em diversos pontos do circuito Fig. 4.7 Esquema electrnico dum circuito conta rotaes com um transstor unijuno Tecnologia dos Semicondutores Componentes 4.5 Outros Tipos de Transstores Por outro lado, temos na figura 4.8 um circuito electrnico que permite ligar os piscas em que o circuito de comando igualmente um circuito com um transstor unijuno.
Analisando a figura 4.6, a forma de onda gerada em Vb2, a frequncia pode ser variada pela variao do valor do condensador e tambm pela regulao da resistncia vari- vel. No circuito da figura 4.8 ligamos a sada do transstor unijuno (B2) base de um tran- sstor NPN pois a amplitude de oscilao gerada pelo transstor unijuno no sufi- ciente para fazer ligar o conjunto de lmpadas. Por este motivo, o circuito da figura 4.8 ter de possuir um condensador com uma capacidade elevada para que a lmpada acenda e apague. Com a diminuio da capacidade em C o circuito ir oscilar com uma frequncia superior at um ponto que a lmpada manter-se- sempre acesa. 4.2 TRANSSTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET) O transstor de efeito de campo um dispositivo cujo controlo de corrente feito cus- ta dum campo elctrico.
Fig. 4.8 Circuito de comando de piscas com transstor unijuno Tecnologia dos Semicondutores Componentes 4.6 Outros Tipos de Transstores Existem dois tipos de transstores de efeito de campo: Os de juno (FET, field effect transistors). Os de Gate isolada, conhecidos por MOS (Metal xido Semicondu- tor). Tal como os transstores convencionais de juno, tambm os transstores de efeito de campo tm dois tipos de regies, nomeadamente o canal N e o canal P.
O dispositivo FET formado a partir duma barra de material semicondutor normalmente de silcio, na qual so injectadas impurezas de modo a torn-la do tipo N ou do tipo P, da a designao de canal n e canal p respectivamente. Nos extremos dessa barra de silcio so colocados os contactos puramente ohmcos que vo constituir os terminais Drain e Source. Estes transstores tm um papel muito determinante em circuitos de memria como veremos mais adiante.
Fig. 4.9 Transstor de efeito de campo FET D Drain S Source G Gate Tecnologia dos Semicondutores Componentes 4.7 Outros Tipos de Transstores 4.3 FOTOTRANSSTOR Tal como referenciamos no ponto 2.6.2 respeitante ao captulo sobre dodos tambm o transstor tem um seu familiar que funciona com meios fotoelctricos. O fototransstor um dispositivo fotoelctrico, cujo funcionamento pode ser comparado basicamente a um transstor NPN e PNP, dispondo- se de uma zona translcida na cp- sula, por onde pode ser iluminado atravs dum feixe de luz, no tendo o terminal de base ligado. A pastilha semicondutora respeitante base do transstor composta por silcio ou arse- nito de glio e impurezas por forma a ser sensvel a qualquer feixe luminoso suficiente- mente intenso. A corrente de base gerada simplesmente custa do feixe que excitando a base do transstor o pe de imediato na zona de conduo. Este tipo de transstor tem grande aplicao prtica em circuitos sensores e detectores de passagem e proximidade. A gerao de automveis com controlo automtico possui nos seus circuitos de controlo de navegao sensores mltiplos, todos eles fabricados custa de fototransstores. Existe uma gerao de fototransstores que possuem duas formas de polarizao de base do transstor.
Fig.4.10 - Fototransstor C Colector E Emissor Tecnologia dos Semicondutores Componentes 4.8 Outros Tipos de Transstores Possuem um terminal que liga a base do transstor e admitem atravs duma janela, o feixe luminoso como se apresenta na figura 4.9.
Os dispositivos fotoelcticos, tais como o fototransistor tm aplicaes nos circuitos de controlo devido ao isolamento que proporcionam. Assim os chamados opto copler que como o prprio nome indica fazem o acopla- mento ptico de sinais, no so mais do que um fototransstor montados junto com o dodo emissor de luz, Led (do ingls ligth emission diode) cujo smbolo se representa do seguinte modo:
C Colector B Base E - Emissor Fig.4.11 Transstor fototransstor Fig.4.12 Opto - coplers Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.1 Tirstores 5 TIRSTORES Um dos componentes mais utilizados nos projectos electrnicos que envolvem controle de potncia, automatismos e temporizao o dodo controlado de silcio mais conheci- do por tiristor ou mais abreviadamente SCR (do ingls Silicon Controlled Rectifier). Conhecer o princpio de funcionamento deste dispositivo semicondutor no significa somente um acesso maior aos projectos que o envolvem como tambm a possibilidade de criao de novos circuitos e aplicativos bastante interessantes. O rectificador controlado de silcio, muitas vezes abreviado como SCR, um compo- nente rectificado que normalmente bloqueia o fluxo de corrente em ambas as direces, mas pode ser disparado de tal modo que a corrente fluir no sentido directo, enquanto se mantm bloqueado na direco inversa, figura 5.1. Esta caracterstica permite o controlo dos perodos de rectificao, da o seu nome. Deste modo o seu funcionamento muito semelhante ao da vlvula electrnica conheci- da por Tiratro, este muitas vezes denominado e correntemente conhecido como tiristor. Fig.5.1 Curva caracterstica tenso-corrente do tiristor SCR Caracterstica directa de conduo Impulso de disparo Tenso directa de auto-restabelecimento Caracterstica directa de bloqueio Tenso Inversa Tenso de colapso C o r r e n t e
d i r e c t a
C o r r e n t e
i n v e r s a
Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.2 Tirstores O nome Tiristor proveniente da palavra grega que significa uma porta. Ento, exac- tamente todos os componentes de quatro camadas (PNPN) com gates ou portas tais como rectificadas controlados de silcio, SCR, comutadores bidireccionais, TRIACS, e interruptores controlados por gates, seriam chamados tiristores. Contudo, a palavra tiristor comeou a ser aceite nos ltimos anos, como significando um SCR. Um tiristor um comutador (ou interruptor) de material semicondutor que se apre- senta vulgarmente como componente com trs terminais. O tiristor apresenta uma dissipao interna bastante baixa. O tiristor unilateral SCR, e o comutador bilateral correntemente designado por TRIAC, so frequentemente montados numa caixa como se ilustra pela figura 5.2.
O tiristor tem trs ligaes onde o perno roscado corresponde ao nodo, o terminal mais largo saliente da caixa o ctodo, e o mais estreito a gate.
Fig.5.2 Exemplo prtico dum tiristor e respectiva simbologia Perno Tiristor Triac Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.3 Tirstores Existem porm outros tipos de tiristores com constituio fsica bastante semelhante aos tran- sstores, neste caso o prprio fabricante define o posiciona- mento dos terminais atravs de marcas no invlucro do compo- nente. O triac, por sua vez, idntico ao tiristor, excepto no caso do terminal mais largo salien- te da caixa que normalmente referido como sendo o terminal principal 1, MT1 (maior terminal 1) e o perno ser portanto o terminal principal 2, MT2. 5.1 - CARACTERSTICAS DO TIRISTOR A caracterstica esttica tpica dum tiristor, para ambos os estados, conduo e corte a seguinte:
Fig.5.3 Terminais do tiristor Fig.5.4 Regies de funcionamento do tiristor SRC Estado de conduo Bloqueio directo Mxima tenso inversa Avalanche inversa Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.4 Tirstores Analisando a figura 5.4, inicialmente a sua caracterstica elctrica no sentido directo de alta resistncia, semelhante portanto caracterstica no sentido inverso, mas quando disparado torna-se de baixa resistncia semelhante, portanto, caracterstica no sentido directo de um rectificador de juno normal, neste momento o tiristor atinge o estado de conduo. Uma vez no estado de conduo, o componente ir manter-se nesse estado at que a corrente principal que o atravessa seja reduzida a um valor de corrente bastante peque- no. Ento ele regressar ao estado de bloqueio e manter-se- bloqueado at surgir novo disparo. Com tenso inversa aplicada, a caracterstica de corrente semelhante de um dodo semicondutor polarizado inversamente. Nesta regio existe uma pequena corrente que vai aumentando com o aumento da ten- so aplicada, podendo atingir valores elevados quando se atinge a mxima tenso inver- sa, ou seja, tenso de avalanche inversa. Quando polarizado directamente, se no tiver impulso de gate aplicado, circula no tiristor uma pequena corrente de fuga at ser atingida a tenso Vbo (tenso de Breakover), ten- so qual o dispositivo passa rapidamente do estado de bloqueio ao estado de condu- o. 5.1.1 TIPOS DE DISPARO DO TIRISTOR O tiristor pode ser posto conduo por vrios modos: Pelo mtodo convencional, ou seja, por impulso de gate, -lhe aplicado um impulso de tenso positivo que produz no tiristor uma corrente superior corrente de arranque. Outra forma de por o tiristor conduo efectuar tambm a comuta- o do componente para o estado de conduo atravs do aumento da tenso directa at que ocorra na juno, a tenso de rotura, (tenso de breakover). Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.5 Tirstores 5.2 OUTRAS CARACTERSTICAS A caracterstica do tiristor pode ser dividida em trs zonas, ou sejam: Zona inversa, zona directa sem corrente de gate e zona directa com corrente de gate. 5.2.1 CARACTERSTICA INVERSA A caracterstica inversa corresponde ao tiristor estar polarizado inversamente, ou seja, a juno J 2 polarizada directamente e as junes J 1 e J 3 polarizadas inversamente, por- tanto ao corte. Na prtica, toda a tenso fica aplicada na juno J 1 pois esta apresentada uma resis- tncia inversa bastante elevada e muito maior que a juno J 3 . A caracterstica inversa do tristor em tudo semelhante de um dodo PN com polarizao inversa. Fig.5.5 Constituio interna do tiristor Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.6 Tirstores 5.2.2 CARACTERSTICA DIRECTA SEM CORRENTE DE GATE Quando se polariza o tiristor directamente, isto , o nodo positivo em relao ao cto- do, as junes J 1 e J 3 ficam polarizadas directamente conduo, e a juno J 2 polari- zada inversamente donde toda a tenso aplicada fica aos terminais daquela juno. Neste caso no h corrente entre a nodo e o ctodo existindo apenas corrente inversa da juno J 2 . 5.2.3 CARACTERSTICA DIRECTA COM CORRENTE DE GATE Quando se aplica a corrente de gate, temos o tiristor a conduzir corrente elctrica, pas- sando a haver corrente na juno J2, pois alm da juno J3 estar polarizada directa- mente, temos os transstores N2P2N, em conduo devido corrente injectada pela gate do tiristor. Mesmo quando o impulso elctrico dado na gate do tiristor cessa, o tiris- tor continua a conduzir corrente elctrica. 5.2.4 ESQUEMA EQUIVALENTE DO TIRISTOR Quando se aplica a corrente de gate temos o escoamento do tiristor, pas- sando a haver corrente na juno J 2 , pois alm da juno J 3 estar polariza- da di rectament e, t emos os transistores N 2 P 2 N 1 em conduo devido corrente injectada pela gate do tiristor. Fig.5.6 A montagem com transstores dispostos desta for- ma constituem o circuito equivalente do tiristor pos- suindo um comportamento terico anlogo ao SRC Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.7 Tirstores 5.3 TIRISTOR GTO Existe um tipo especial de tiristor, o chamado GTO, (gate-turn-off) constitudo para poder ser posto ao corte atravs da gate, com a aplicao de um impulso de corrente negativo, um tiristor especfico para pequenas correntes, sendo em geral aplicado com outros tiristores com outros tiristores servindo de comando e a estes. um dispositivo com trs terminais, tendo uma gate nica onde so apli- cados impulsos ora positivos ora negativos consoante se quer por o dispositivo conduo ou ao corte respectivamente. representado em geral pelo smbo- lo apresentado na figura 5.7.
5.4 APLICAES PRTICAS COM TIRISTORES O tiristor um dodo e como tal tem a propriedade de conduzir a corrente num nico sentido. No entanto, a corrente que passa atravs de um tiristor pode ser controlada externamente atravs duma gate. O tiristor externamente rpido e pode controlar correntes muito intensas a partir de sinais muito fracos, o que o torna ideal em aplicaes que envolvem sobretudo senso- res. Por exemplo, com uma corrente da ordem de 200 A, apenas podemos controlar uma corrente de 3 ou 4
A com facilidade, utilizando tiristores comuns. Existem dispositivos electrnicos cujo funcionamento est dependente de tiristo- res que so os reguladores de carga de baterias. A figura 5.8 mostra um esquema de um desses reguladores eletrnicos, onde a bobina de excitao do alternador (EXC) ligada atravs dum tiristor. Fig.5.7 Tiristor GTO Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.8 Tirstores
Fazendo a analise do circuito da figura 5.8, o ramo de resistncias que compem um divisor de tenso que em funo da tenso da bateria (pontos + e -) polarizam a base do transstor T1 atravs da tenso regulada no potencimetro de ajuste. O dodo de zenner regula a tenso presente na bateria. Acima de um determinado entra em conduo de maneira que o transstor T1 fique ao corte permitindo que o tirstor des- ligue a bobina de excitao do alternador A tenso que afecta o emissor do transstor T1 limitada a um determinado valor pelo dodo de zener (DZ1). Ao ser polarizado, o transstor permite a passagem de corrente elctrica para a gate do tiristor atravs do dodo D2 que serve de vlvula unidireccional e a resistncia R2 que tem como funo limitar a corrente para a gate do tiristor por forma a no o danificar. 5.4.1 FUNCIONAMENTO BSICO EM CORRENTE CONTNUA Para utilizar o tiristor num circuito de corrente contnua, alimentando-o por exemplo com uma bateria, temos que fazer as ligaes mostradas na figura 5.9. Fig.5.8 Esquema electrnico dum regulador de carga de bateria Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.9 Tirstores
O tiristor SCR ligado da mesma forma que um interruptor comum, em srie com a carga (dispositivos controlados), por exemplo uma lmpada, e tambm com a bateria ou fonte de alimentao. Nesta ligao deve ser observada a polaridade dos elementos principais do tiristor, ou seja, o seu nodo e o seu ctodo, pois ele s consegue conduzir a corrente num senti- do, quando polarizado directamente, tal como acontece com o dodo. Com a gate G desligada, o tiristor SCR comporta-se como um interruptor aberto, no deixando passar corrente alguma, o que significa que a lmpada permanecer apagada (ou a carga desactivada). Para ligar o tiristor devemos polarizar a gate G com uma tenso positiva. Como a cor- rente necessria ao disparo muito pequena, suficiente a ligao desta comporta a qualquer ponto de potencial positivo atravs de uma resistncia, com valor tanto mais alto quanto maior for a sensibilidade do componente. Com o objectivo de limitar a corrente de gate do tiristor normal utilizarem-se resistncias em srie. Na figura 5.10 temos duas maneiras de fazer o disparo. Fig.5.9 Carga (uma lmpada, por exemplo) Bateria SCR Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.10 Tirstores
Em a) a resistncia ligada ao terminal positivo da bateria que alimenta o circuito principal, atravs de um interruptor de presso. Em b) temos uma fonte separada. Os tiristores SCR precisam de uma tenso mnima que varia 1,2 e 2,0 [V] para dis- parar, sendo esta a tenso mnima desta segunda fonte (B 2 ). Basta pressionar por um instante a chave de disparo para que o SCR ligue e mes- mo depois de desaparecido o impulso de disparo, ele mantm-se em plena condu- o. Para desligar o SCR temos duas possibi- lidades: Uma delas consiste em interromper por um instante a corrente principal confor- me, mostra a figura 5.11. Fig.5.10 Circuitos deisparo do tiristor Interruptor de presso Carga Corrente de disparo Carga Interruptor de presso Corrente de disparo Fonte auxiliar Fig.5.11 Formas de desactivar o funcionamen- to do tiristor SRC Desligando por um momento o SCR desliga Pressionando por um instante o SCR deslioga Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.11 Tirstores 5.4.2 FUNCIONAMENTO BSICO EM CORRENTE ALTERNADA A tenso da rede de alimentao alternada, o que significa que a sua polaridade inverte-se constantemente, havendo em cada inverso instantes em que ela nula, conforme se representa na figura 5.12.
Se ligarmos um SCR num circuito de corrente alternada, o seu comportamento ser diferente daquele que vimos anteriormente quando funcionava em corrente contnua. O primeiro ponto a ser observado que a tenso cai a zero em cada final de semiciclo, o que significa que, se o SCR estiver a conduzir nesse instante, mas no tiver impulso de disparo na sua gate, ele desligar-se-. Num circuito de corrente alternada, o SCR precisa ter um estmulo na sua gate, ou seja, precisa estar com a gate constantemente polarizada positivamente, enquanto desejarmos que ele conduza num determinado semiciclo. Se isto no acontecer, o mximo que pode acontecer ser o SCR conduzir apenas um semiciclo inteiro, como se apresenta na figura 5.13. Fig.5.12 Funcionamento em corrente alternada Ponto de mximo positivo Pontos em que a tenso zero Pontos de mximo negativo Semiciclo Ciclo Tempo Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.12 Tirstores
Fig.5.13 Funcionamento do tiristor em corrente alternada Na rede de corrente alternada Situao I Situao II Situao III Semiciclo conduzido O SCR no conduz este semiciclo Parete do semiciclo conduzzido Disparo do semiciclo negativo No h conduo Disparo no inicio do semiciclo Disparo no meio do semiciclo Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.13 Tirstores Outro ponto importante est no facto de que o SCR ser um dodo (controlvel) e portan- to s pode conduzir a corrente num sentido. Isso significa que num circuito de corrente alternada ele s pode conduzir metade dos semiciclos (apenas os positivos que conseguem por o tiristor conduo) como se mostra na figura 5.14.
Um tiristor usado para controlar uma lmpada, por exemplo num circuito de corrente alternada s pode aplicar metade dos semiciclos, o que significa que ele tem um con- trolo de 50% da potncia. Dizemos que o tiristor constitu um controlo de meia onda quando usado desta forma. Para que o tiristor possa controlar os dois semiciclos, ou seja, o ciclo inteiro, existem alguns artifcios interessantes que so mostrados na figura 5.15.
Fig.5.14 Forma de onda de resposta do tiristor funcionando em corrente alternada Para manter o disparo Tenso na rede Tenso na carga aplicada pelo SCR Fig.5.15 Circuitos de comando simples de cargas por meio de tiristores Dodo Dodo Dodos Carga Carga Sinal na carga SCR SCR Rede C.A. Rede C.A. Sinal na carga Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.14 Tirstores O primeiro consiste em se fazer a sua alimentao a partir de um sistema de rectifica- o de onda completa com dois dodos, figura 5.15 a) em que temos um transformador com tomada central. No segundo circuito temos a utilizao de uma fonte rectificadora com quatro dodos que funcionam da mesma forma. Na utilizao dos SCR`s nos circuitos de corrente alternada existem cuidados importan- tes que devem ser tomados: Se tivermos um circuito de controle de potncia em que os pulsos de disparo podem ser tanto positivos como negativos, pois so aproveitados a partir da prpria tenso alternada da rede, devemos evitar que os pulsos negativos cheguem gate do SCR. Quando SCR estiver polarizado no sentido inverso, ou seja, com o nodo negativo em relao ao ctodo, de modo algum podemos aplicar um pul- so negativo de disparo no SCR pois isso poder provocar a destruio imediata do componente. Para que tal no acontea montamos geralmente um dodo em srie com a gate do tiristor como se apresenta na figura 5.16. 5.4.3 DISPARO DA GATE DO TIRISTOR POR MEIO DE SENSORES A corrente que pode disparar um SCR geralmente muito pequena, o que significa que estes dispositivos so muito sensveis e podem ser ligados directamente a sensores. O tipo mais comum de sensores que pode ser utilizado de modo directo no disparo de um tiristor o LDR. Este componente , como j foi visto em electricidade bsica, uma resistncia varivel com o fluxo luminoso que nela incide. Fig.5.16 Proteco do tiristor Carga Do circuito de disparo Dodo de proteco Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.15 Tirstores No caso do circuito da figura 5.17 o LDR possui uma resistncia com alto valor ohmco quando no existe qualquer feixe luminoso a incidir sobre a resistncia estando o SCR no estado de corte de corrente. Quando se projecta um feixe luminoso no LDR, este passa a ter uma resistncia de baixo valor resistivo representando o potnciometro, um divisor de tenso, queligado gate do tiristor permite que este entre no estado de conduo. 5.4.3.1 DISPARO POR LUZ O tiristor pode ento activar um sistema de alarme, uma lmpada ou outro qualquer dis- positivo como mostra a figura 5.17. Devemos lembrar que alimentando o circuito com a tenso de 12 [V], perdemos cerca de 2 [V] no tiristor uma vez que este no ideal, de tal modo que na carga alimentada s chegam 10 [V].
Fig.5.17 Disparo da gate por meio de um LDR Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.16 Tirstores Pela anlise da figura 5.17 verificamos que o LDR ligado junto a um potencimetro que serve de ajuste do ponto de sensibilidade. Com fraca luminosidade o LDR apresenta uma resistncia elevada. Ajustando R 1 colo- camos o seu cursor, ligado gate do SCR num ponto em que a tenso obtida insufi- ciente para provar a corrente de disparo. Nestas condies o SCR mantm-se desliga- do. No momento em que a luz incide no LDR a sua resistncia diminui permitindo que a gate do tiristor seja percorrida por uma corrente suficiente para que o mesmo seja posto em conduo.
5.4.3.2 DISPARO POR CORRENTE DO CORPO HUMANO Os tiristores tambm podem ser disparados pela corrente que circula atravs do nosso corpo quando tocamos no terminal correspondente gate G do tiristor como se apre- senta na figura 5.18.
Tocando por um instante no fio que liga a gate do tiristor, a corrente que circula entre o positivo da alimentao passando pelo nosso corpo at gate do componente sufi- ciente para provocar o seu disparo. Fig.5.18 Disparo dum tiristor por meio do contacto humano Terra Sensor Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.17 Tirstores 5.4.3.3 CARREGADOR DE BATERIAS DE 12V 5A O cuidado com a bateria do automvel essencial para que o veculo funcione adequa- damente, especialmente no momento do arranque do motor. Este cuidado deve ser dobrado quando o automvel permanece parado durante um lar- go espao de tempo. Em especial para aqueles que necessitam de recarregar a bateria frequentemente, fica este projecto que se destina a carregar a bateria do automovel. Pode carregar baterias de 12 V com uma corrente mxima de 5 A. O circuito apresenta tambm um meio de medir a tenso aos extremos da bateria e proceder carga da mesma em funo da corrente que atravessa M1(ver figura 5.19) A tenso alternada presente aos terminais do transformador de alimentao deve estar compreendida entre 15 e 18V. Esta tenso rectificada pela ponte rectificadora e aplicada na sida do SCR e ao cir- cuito nivelador-estabilizador. O circuito nivelador faz com que DL2 ou DL3 acendam conforme a tenso presente nos terminais da bateria. O dodo DL3 sinaliza a descarga da bateria gerando um impulso para o transstor TR2 o qual pe o tiristor na zona de conduo. Uma vez o tiristor SCR1 entrar conduo, a bateria receber corrente de carga direc- tamente da ponte rectificadora. Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.18 Tirstores
5.4.3.4 SENSOR ESTRBOSCOPICO PARA ACERTO DO PONTO DE IGNIO DO MOTOR Trata-se de um circuito relativamente simples onde os terminais (R) e (N) que ligam o equipamento bateria impondo a tenso de 12 volts no circuito. Os transstores TR1 e TR2 constituem um circuito oscilador pela carga e descarga do condensador C2 transformando assim a tenso contnua da bateria numa corrente alternada que serve de alimentao para o transformador (T1). Este circuito alimenta o circuito primrio do transformador (T1) e como se trata de um transformador elevador de tenso, ao secundrio gera uma tenso de cerca de 600 V que serve de alimentao base da lmpada estrboscopica (ver figura 5.20). Os terminais (A) e (C) esto alimentados mas a lmpada s acende com um impulso de alta tenso gerado pelo transformador xenon que acompanha a lmpada. Este transformador alimentado somente quando o tirstor SRC1 posto em conduo. Fig.5.19 Esquema electrnico de um carregador de baterias utilizando um tirstor Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.19 Tirstores O disparo de gate do tirstor SRC1 feito pelo impulso captado na sada do ponto de alta tenso da bobina.
5.5 CARACTERSTICAS DO TIRISTOR Os SCR`s mais usados em projectos electrnicos so os da srie 106 que podem apare- cer com as seguintes denominaes no mercado:
Fig.5.20 Esquema electrnico de um sensor estrboscopico para acerto do ponto de ignio TIC 106 (Texas Instruments) IR 106 (Internacional Rectifier) MRC 106 (Motorola) C 106 (General Eectric) Fig.5.21 Tipos de caixas de tiristores Tecnologia dos Semicondutores Componentes 5.20 Tirstores Quando utilizamos um tiristor num projecto, alm da disposio dos seus terminais, que mostrada na figura 5.21, tambm precisamos de conhecer suas caractersticas elctri- cas elctrica que so: Tenso Mxima: A tenso mxima normalmente dada por uma letra ou nmero aps o tipo no podendo ser superada com o risco de destruio do componente. No podemos usar um SCR de 50 [V] num circuito onde a tenso predominante 110 [ V]. Uma tolerncia normal usar um SCR que tenha especificao de tenso pelo menos o dobro daquela que vamos usar. Por exemplo, numa rede de 110 [V] usamos um SCR de 200 [V], na rede de 220 [V], um SCR de 400 [V] e assim por diante. A ttulo informativo deixamos as especificaes de alguns tiristores da srie 106 TIC 106 (Texas).
A corrente mxima admissvel de 5 amperes. Para os MCR 106 da Motorola:
Tipo Tenso (V) TIC 106 A TIC 106 B TIC 106 C TIC 106 D TIC 106 E TIC 106 M TIC 106 S TIC 106 N 100 200 300 400 500 600 700 800 Tipo Tenso (V) MCR 106 - 1 MCR 106 - 2 MCR 106 - 3 MCR 106 - 4 MCR 106 - 6 30 60 100 200 400 BIBLIOGRAFIA A .Silva Pereira, Mrio guas, Rogrio Baldaia- Electrnica Volume1 -10oano de esco- laridade Porto Editora. A. Silva Pereira, Mrio guas, Rogrio Baldaia -Electrnica volume 2 -10oano de es- colaridade Porto Editora. Antonio Pinto, Vitor Alves -Tecnologias 1 QoAno de escolaridade Porto Editora. Antonio Pinto, Vitor Alves -Tecnologias 11Ano de escolaridade Porto Editora. Antonio Pinto, Vitor Alves -Tecnokogias 12Ano de escolaridade Porto Editora. MALVINO- ELECTRNICA VOLUME 1 MCGRAW HILL Hubert, G. -ELECTRICITE ET CIRCUITS ELECTRIQUES, E. T.A.I. CHAMBEAU PAUL, -L 'Electronique automobile Notions de base E.T.A.I. E. Duffy James -Auto Electricity and Electronics Technology GoodHeart Willcox. Egas Branco; Reis Silva -Electrnica Digital Dina Livro A de S -Electronics for Scientists -Prentice Hall Redaccion de Editec I Rede -La Electronica aplicada ai Automovil, Rede
Tecnologia dos Semicondutores Componentes S.1 Ps-Teste PS-TESTE Em relao a cada um dos exerccios seguintes, so apresentados 4 (quatro) respostas das quais apenas 1 (uma) est correcta. Para cada exerccio indique a resposta que considera correcta, colocando uma cruz (X) no quadradinho respectivo. 1 O tomo de alumnio tem na sua terceira e ltima orbita.
2 A rbita de valncia de um tomo aquela que permite relacionar-se com outras rbitas de outros tomos.a) A rbita de valncia :
a) 1 electro..............................................................................................
b) 2 electres............................................................................................
c) 3 electres............................................................................................
Tecnologia dos Semicondutores Componentes S.3 Ps-Teste 5 A corrente elctrica num semicondutor feita por:
6 Para se dopar um semicondutor do tipo P, que tipo de impurezas so utiliza- das?
a) Electres que vo do plo negativo para o plo positivo da bateria....
b) Lacuna que vo do plo positivo para o polo negativo da bateria.......
c) Electres que vo do plo positivo para o negativo e lacunas que vo do plo negativo para o plo positivo..........................................
d) Electres que vo do plo negativo para o plo positivo e lacunas que vo do plo positivo para o plo negativo................................... a) Silcio, Germnio, Alumnio..................................................................
b) Cloro, Sdio, Magnsio........................................................................
c) Boro, Glio, ndio..................................................................................
a) A Lmpada no acende.......................................................................
b) A lmpada acende................................................................................
c) Nada acontece......................................................................................
d) O dodo aquece e a lmpada no acende...........................................
Tecnologia dos Semicondutores Componentes S.6 Ps-Teste
11) O que acontece quando o dodo polarizado inversamente e ligado em srie com uma lmpada.
12) Como se comporta o dodo quando polarizado directamente.
a) A Lmpada no acende.......................................................................
b) A Lmpada acende..............................................................................
c) Nada acontece......................................................................................
d) A lmpada pisca...................................................................................
a) No conduz corrente elctrica..............................................................
b) O fabricante no permite que o componente seja polarizado desta forma...................................................................................................
c) Conduz corrente elctrica.....................................................................
d) Por vezes conduz corrente elctrica....................................................
Tecnologia dos Semicondutores Componentes S.7 Ps-Teste 13) Quantos terminais tem um dodo? Como se chamam.
14) O dodo de Zenner ligado inversamente:
a) Dois, ctodo e base..............................................................................
b) Dois, nodo e colector..........................................................................
c) Dois, ctodo e nodo............................................................................
d)Trs, base, colector e emissor..............................................................
a) No conduz..........................................................................................
b) Conduz.................................................................................................
c) Queima.................................................................................................
Conduz quando atinge a tenso de Zenner.............................................
Tecnologia dos Semicondutores Componentes S.8 Ps-Teste 15) Quantos terminais de ligao tem um transstor?
16) Quais os nomes que se do aos pinos dos transstores?
a) Um ou trs consoante o tipo.................................................................
b) Trs......................................................................................................
c) Dois.......................................................................................................
a) um semiconduto................................................................................
b) Tem uma armadura..............................................................................
c) Armazena energia................................................................................
d) Todas esto correctas..........................................................................
Tecnologia dos Semicondutores Componentes S.11 Ps-Teste 21) Quando se liga um transstor, qual a juno que fica directamente polariza- da?
22) Quais so os dodos que esto directamente polarizados?
a) Emissor e base.....................................................................................
b) Colector e emissor................................................................................
c) Colector e base.....................................................................................
d) Colector, emissor e base......................................................................
a) A e C.....................................................................................................
b) B e C.....................................................................................................
c) B e D.....................................................................................................
d) D e C....................................................................................................
Corrigenda do Ps Teste Tecnologia dos Semicondutores Componentes S.12 CORRIGENDA DO PS-TESTE
N de Perguntas Resposta Certa 1 C 2 D 3 B 4 A 5 D 6 C 7 B 8 B 9 A 10 B 11 A 12 C 13 C 14 D 15 B 16 D 17 C 18 B 19 D 20 C 21 A 22 A
Tecnologia dos Semicondutores Componentes C.1 Exerccios Prticos EXERCCIOS PRTICOS EXERCCIO N. 1 - Medio de dodos e transstores com o mltmetro
- MEDIO DE DODOS E TRANSSTORES COMO MULTMETRO , REALIZANDO AS TARE- FAS INDICADAS EM SEGUIDA, TENDO EM CONTA OS CUIDADOS DE HIGIENE E SEGU- RANA.
EQUIPAMENTO NECESSRIO - DODOS - TRANSSTORES - MULTMETRO DIGITAL - SUPORTE DE MATRIZES PARA SIMIULAO DE CIRCUITOS
TAREFAS A EXECUTAR
1 TESTES DE CONTINUIDADE COM DODOS.
2 TESTES DE CONTINUIDADE COM DODOS DE ZENNER.
3 TESTES DE CONTINUIDADE COM TRANSSTORES.
4 TESTES DE CONTINUIDADE COM TIRISTORES.
5 MONTAGENS COM PONTES RECTIFICADORAS DE DODOS.
6 MONTAGENS COM TRANSSTORES.
7 MONTAGENS COM TIRISTORES.
Tecnologia dos Semicondutores Componentes C.2 Guia de Avaliao dos Exerccios Prticos GUIA DE AVALIAO DOS EXERCCIOS PRTICOS EXERCCIO PRTICO N 1: Medio de dodos e transstores com o mult- metro
TAREFAS A EXECUTAR NVEL DE EXECUO GUIA DE AVALIAO 1 Testes de continuidade com dodos.