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Tipos de diodos de estado slido

PRACTICA N10
RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA.
OBJETIVOS:
Convertir la corriente alterna en continua
Conocer las propiedades del diodo semiconductor

MARCO TEORICO
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la
corriente elctrica en una nica direccin. De forma
simplificada, la curva caracterstica de un diodo
consta de dos regiones, por debajo de cierta
diferencia de potencial, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de ella
como un circuito cerrado con muy pequea
resistencia elctrica.

Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos
capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento
est basado en los experimentos de Lee De Forest.
Diodo pn o Unin pn
Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n, por lo que
tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales
por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de electrones y protones es el
mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga
neta es 0).












Formacin de la zona de carga espacial
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (J
e
).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona
que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de
deplexin, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su
anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de
iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que
actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas
p y n. Esta diferencia de potencial (V
0
) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de
germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5
micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga
espacial es mucho mayor.
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se
encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no est polarizado. Al
extremo p, se le denomina nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona n, el
ctodo, se representa por la letra C (o K).
A (p)

C K (n)
Representacin simblica del diodo pn
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est
polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.





Polarizacin directa
En este caso, la batera disminuye la barrera de
potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones
a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado
directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente,
tenemos que conectar el polo positivo de la
batera al nodo del diodo y el polo negativo al
ctodo. En estas condiciones podemos observar
que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia
de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la
energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han
desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se
desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en
el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de
valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.
Polarizacin inversa
En este caso, el polo negativo de la batera se
conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n,
lo que hace aumentar la zona de carga espacial,
y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el
valor de la tensin de la batera, tal y como se
explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los
electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el
conductor dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batera. A medida que
los electrones libres abandonan la zona
n, los tomos pentavalentes que antes
eran neutros, al verse desprendidos de
su electrn en el orbital de conduccin,
adquieren estabilidad (8 electrones en la
capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que
se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez
que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7
electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que
cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de
estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su
orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la
temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin
produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de
saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como
su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la
superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro
enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie
del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los
electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de
saturacin, la corriente superficial de fugas es despreciable.


CIRCUITOS RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA
Un rectificador de onda completa convierte la totalidad de la forma de onda de entrada en una
polaridad constante (positiva o negativa) en la salida, mediante la inversin de las porciones
(semiciclos) negativas (o positivas) de la forma de onda de entrada. Las porciones positivas (o
negativas) se combinan con las inversas de las negativas (positivas) para producir una forma de
onda enteramente positiva (negativa).
Rectificador de onda completa mediante puente de Graetz
Se trata de un rectificador de onda completa en el que, a diferencia del anterior, slo es necesario
utilizar transformador si la tensin de salida debe tener un valor distinto de la tensin de entrada.
En la Figura 3 est representado el circuito de un rectificador de este tipo.


Figura 3.- Rectificador de onda completa con puente de Gratz
A fin de facilitar la explicacin del funcionamiento de este circuito vamos a denominar D-1 al diodo
situado ms arriba y D-2, D-3 y D-4 a los siguientes en orden descendente.
Durante el semiciclo en que el punto superior del secundario del transformador es positivo
con respecto al inferior de dicho secundario, la corriente circula a travs del camino
siguiente:
Punto superior del secundario --> Diodo D-1 --> (+)Resistencia de carga R(-) --> Diodo D-4 --> punto
inferior del secundario.
En el semiciclo siguiente, cuando el punto superior del secundario es negativo y el inferior
positivo lo har por:
Punto inferior del secundario --> Diodo D-2 --> (+)Resistencia de carga R (-) --> Diodo D-3 --> punto
superior del secundario.
En este caso, vemos como circula corriente por la carga, en el mismo sentido, en los dos
semiciclos, con lo que se aprovechan ambos y se obtiene una corriente rectificada ms uniforme
que en el caso del rectificador de media onda, donde durante un semiciclo se interrumpe la
circulacin de corriente por la carga.

PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
Objetivos
Convertir la corriente alterna en continua.
Conocer las propiedades del diodo semiconductor.
Elementos empleados
Diodo
Diodo de luz
Condensador
Conjunto de impedancias
Transformador
Procedimiento
1. Se arma el circuito puente rectificador


2. Medir la tensin de entrada en el transformador
V
entrada
=226 V
3. Medir la tensin en el secundario del trasformador
V
secundario
=13.30 V
4. Medir la tensin de salida VCC.
V
salida
=13.80 V
5. Medir la tensin en los diodos
V
diodos
=11.42 V
CUESTIONARIO
1. Cundo se dice que un diodo esta polarizado directamente?
El diodo debe estar conectado en el polo positivo
de la batera al nodo del diodo y el polo negativo
al ctodo. En estas condiciones podemos observar
que: el polo negativo de la batera repele los
electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unin p-n; el polo
positivo de la batera atraer a los electrones de
valencia del cristal p, esto equivalente a decir que
empuja a los huecos hacia la unin p-n; cuando la
diferencia de potencial entre los bornes de la
batera es mayor que la diferencia de potencial en
la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar
a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n;
una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de
carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en
electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo
de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde
el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

2. Averiguar las caractersticas del diodo

Un diodo consiste de un tubo vaco en cuyo interior se encuentra una vlvula, la cual
est conectada a dos electrodos. Los electrones se desplazan del ctodo al nodo, si es
que le aplicamos al diodo una diferencia de potencial positiva.
Poseen: mxima intensidad en la direccin, mxima capacidad, mxima tensin de
operacin, mximo voltaje en direccin de su mximo
3. Qu funcin desempea el condensador C?

Sirve de filtro la cual permite eliminar las interferencias existentes por el mal
funcionamiento de los equipos adicionales con los que se trabaja m adems de atrapar
la corriente alterna restante y conseguir de este modo una corriente elctrica casi
continua.





4. Indique otro tipo de rectificador de onda completa, sealando el recorrido de la
corriente de conduccin.
Rectificador de onda completa mediante dos diodos con trasformador de punto
medio
El circuito, representado en la Figura , funciona como sigue:
El transformador convierte la tensin alterna de entrada en otra tensin alterna del
valor deseado, esta tensin es rectificada durante el primer semiciclo por el diodo D1
y durante el segundo semiciclo por el diodo D2, de forma que a la carga R le llega una
tensin continua pulsante muy impura ya que no est filtrada ni estabilizada.
En este circuito tomamos el valor de potencial 0 en la toma intermedia del
transformador.






OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES

Podemos observar que la importancia de los diodos rectificadores es muy grande, pues
permite tanto transformar una seal de corriente alterna a una de corriente continua, como
duplicar, triplicar, cuadriplicar, etc. Voltajes y poder sujetar seales a un cierto valor de CD
requerido.

Tambin es conveniente resaltar la importancia del conocimiento de las funciones de
transferencia para este tipo de dispositivos, pues permite reafirmar el conocimiento del
comportamiento del voltaje con respecto del tiempo en estos componentes.

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