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Mthodes Numriques Indites pour lExtraction des Paramtres

Physiques dune Jonction p-n partir de la Caractristique


Courant-Tension
Safae Aazou

, El Mahdi Assaid

Rsum
Dans cette tude, nous prsentons deux mthodes numriques indites pour lextraction des
trois paramtres physiques dune jonction p-n non-idale partir de sa caractristique courant-
tension. La jonction p-n est modlise par un circuit lectronique contenant une diode de courant
de saturation I
s
et de facteur didalit n monte en srie avec une rsistance R
s
. Dans la premire
mthode, nous exprimons laire sous la courbe I = f(V ) sous la forme dun polynme deux
variables I et V de degr deux, dont les coecients dpendent des trois paramtres physiques.
Puis, nous calculons numriquement cette aire et dterminons les trois paramtres par un lissage
bidimensionnel. Dans la deuxime mthode, nous tablissons une expression algbrique du courant
I en fonction de la conductance dynamique
dI
dV
et du courant I dont les coecients dpendent des
trois paramtres physiques. Ensuite, nous calculons numriquement la conductance dynamique et
dterminons I
s
, n et R
s
par un t bidimensionnel.
Mots-cls : Jonction p-n, courant de saturation, facteur didalit, rsistance srie, diode, fonction de LambertW,
PSpice, Mathematica.
1 Introduction
En microlectronique, le travail avec un composant lectronique exige la connaissance prise de
ces paramtres physiques. Dans ce travail, nous allons dterminer les trois paramtres physiques de
la jonction p-n partir de la caractristique courant-tension moyennant deux nouvelles mthodes
numriques. La jonction p-n est modlise par un circuit lectronique comprenant une diode de courant
de saturation I
s
et de facteur didalit n monte en srie avec une rsistance R
s
. Dans un premier
temps, nous modlisons ce circuit lectronique laide du logiciel de simulation lectronique PSpice [1]
et gnrons la caractristique I = f(V ) correspondante. Dans la premire mthode, nous exprimons
laire sous la courbe I = f(V ) sous la forme c
v
V +c
i
I +c
i2
I
2
o les coecients c
v
, c
i
, et c
i2
dpendent
des trois paramtres physiques I
s
, n et R
s
. Ensuite, nous calculons numriquement laide du logiciel
Mathematica [2] laire sous la courbe I = f(V ) pour chaque valeur de la tension V . Enn, nous
eectuons un lissage bidimensionnel du rsultat numrique obtenu par lquation polynomiale cite
ci-dessus et dterminons les trois paramtres physiques partir des coecients c
v
, c
i
, et c
i2
. Dans la
deuxime mthode, nous tablissons une quation transcendante donnant le courant I en fonction de
la conductance dynamique
dI
dV
et du courant I : I = c
idi
I
dI
dV
+ c
di
dI
dV
+ c
2
o les coecients c
idi
, c
di
,
et c
2
dpendent des trois paramtres physiques de la jonction. Puis, nous calculons numriquement
laide du logiciel Mathematica la valeur de la conductance dynamique pour chaque valeur de la tension
V . Ensuite, nous procdons un lissage bidimensionnel du rsultat numrique obtenu par lquation
transcendante exprimant le courant et dterminons I
s
, n et R
s
partir des coecients c
idi
, c
di
, et c
2
.

Univ. Chouaib Doukkali , EOES, Dpartement de Physique B.P. 20, El Jadida-Maroc. aazou.safae@yahoo.fr

Univ. Chouaib Doukkali , EOES, Dpartement de Physique B.P. 20, El Jadida-Maroc. eassaid@yahoo.fr
1
2
2 Equations de Base
Considrons le circuit lectronique form par la diode D1N4002 monte en srie avec une rsistance
R
s
, lensemble est aliment par un gnrateur de tension continue V (voir gure 1). Le courant I
traversant le circuit est rgi par la loi des mailles et lquation de la diode :
V
d
= V R
s
I (1)
I = I
s
_
exp
_
V
d
nV
th
_
1
_
(2)
o V
th
=
k
B
T
q
. k
B
est la constante de Boltzmann. T est la temprature absolue. q est la charge de
llectron. En injectant lexpression de V
d
dans la deuxime quation, nous obtenons :
I = I
s
_
exp
_
V R
s
I
nV
th
_
1
_
(3)
La solution analytique exacte de lquation gnralise (3) sexprime en fonction de la fonction de
LambertW [3, 4] :
I = I
s
+
nV
th
R
s
LambertW
_
I
s
R
s
nV
th
exp
_
V + I
s
R
s
nV
th
__
(4)
3 Prsentation des Mthodes
La premire mthode : La premire mthode sinspire de celle utilise par Ortiz-Conde [5] pour
dterminer les paramtres physiques dune cellule solaire. Le point de dpart de la mthode est la
solution de lquation gnralise de la jonction p-n ( voir quation (4)). Pour simplier lcriture de
lquation (4) nous posons : a =
I
s
R
s
nV
th
, b = I
s
R
s
, c = nV
th
, d =
nV
th
R
s
et x = V . Lquation (4) devient
alors :
I = I
s
+ dLambert
_
a exp
_
x + b
c
__
(5)
Pour calculer laire sous la courbe I = f(V ), nous utilisons lquation suivante :
_
V
0
LambertW
_
a exp
_
x + b
c
__
dx =
_
c
2
LambertW
2
_
a exp
_
x + b
c
__
+ cLambertW
_
a exp
_
x + b
c
___
V
0
(6)
Et nous tenons compte du fait que :
LambertW
_
a exp
_
x + b
c
__
=
I + I
s
d
(7)
Et que pour V = 0, I = 0 et LambertW[a exp(
b
c
)] =
I
s
d
. La fonction Co-Content CC(I, V ) [5] qui
dsigne laire sous la courbe I = f(V ) est alors exprime par :
CC(I, V ) =
_
V
0
IdV = I
s
V + d
_
c
2
_
I + I
s
d
_
2

_
c
2
_
I
s
d
_
2
_
+ c
_
I + I
s
d
_
c
_
I
s
d
_
_
(8)
Aprs quelques manipulations algbriques, lquation (8) devient :
CC(I, V ) = c
v
V + c
i
I + c
i2
I
2
(9)
3
o :
c
v
= I
s
, c
i
= nV
th
_
I
s
R
s
nV
th
+ 1
_
et c
i2
=
R
s
2
(10)
Dans notre programme crit en langage Mathematica, nous calculons numriquement CC(I, V ) pour
chaque valeur de la tension V partir des donnes gnres par le logiciel PSpice. Ensuite, nous eec-
tuons un lissage bidimensionnel des rsultats numriques par lquation (9). Les paramtres physiques
de la jonction I
s
, n et R
s
sont alors dtermins partir des coecients c
v
, c
i
, et c
i2
:
I
s
= c
v
, R
s
= 2c
i2
et n =
2c
v
c
i2
+ c
i
V
th
(11)
La deuxime mthode : Cette mthode consiste tout dabord chercher lexpression de la conduc-
tance dynamique
dI
dV
partir de lquation (3) :
dI
dV
=
I
s
nV
th
_
1 R
s
dI
dV
_
exp
_
V R
s
I
nV
th
_
(12)
A partir de lquation (3), nous pouvons aussi crire :
I
s
exp
_
V R
s
I
nV
th
_
= I + I
s
(13)
En injectant (13) dans (12) et en eectuant le calcul nous conduisons une quation transcendante
donnant le courant I en fonction de la conductance dynamique
dI
dV
et du courant I lui mme :
I = c
idi
I
dI
dV
+ c
di
dI
dV
+ c
2
(14)
o :
c
idi
= R
s
, c
2
= I
s
et c
di
= R
s
I
s
+ nV
th
(15)
Dans notre programme Mathematica, nous calculons numriquement la conductance dynamique
dI
dV
pour chaque valeur de la tension V partir des donnes gnres par le logiciel PSpice. Puis, nous
procdons un lissage bidimensionnel du rsultat numrique obtenu par lquation (14). Finalement,
nous dduisons les paramtres physiques de la jonction I
s
, n et R
s
partir des coecients c
idi
, c
di
, et
c
2
:
R
s
= c
idi
, I
s
= c
2
et n =
c
di
+ c
idi
c
2
V
th
(16)
4 Rsultas et Discussion
Nous considrons le circuit lectronique form par la diode D1N4002 dont le courant de saturation
I
s
= 1.14 10
8
A, le facteur didalit n = 1.984 et la rsistance srie r
s
= 0.03 , monte en srie
avec une rsistance qui vaut 20 , la rsistance srie totale R
s
= 20.03 . Le circuit lectronique est
aliment par un gnrateur de tension continue V (voir gure 1).
Dans la gure 2, nous reprsentons la caractristique courant-tension I = f(V ) de la jonction p-n,
obtenue en eectuant une simulation du circuit lectronique laide du logiciel PSpice.
Dans la gure 3-a, nous reportons la courbe optimise obtenue laide de la premire mthode ainsi que
la caractristique I = f(V ) gnre par PSpice. Nous remarquons que lcart entre la courbe optimise
et les donnes initiales est trs faible (voir gure 3-b).
Dans la gure 4-a, nous traons la caractristique optimise obtenue laide de la deuxime mthode
ainsi que la caractristique I = f(V ) gnre par PSpice. Dans la gure 4-b, nous reprsentons lcart
relatif entre ces deux caractristiques. Nous pouvons remarquer que cet cart ne dpasse gure les 2 %.
Dans le tableau ci-dessous nous comparons les valeurs numriques des paramtres physiques de la
jonction p-n obtenues par les deux mthodes aux valeurs donnes par PSpice.
4
Paramtres PSpice Premire Mthode Deuxime Mthode
I
s
(A) 1.4 10
8
1.44 10
8
1.41 10
8
R
s
() 20.03 20.078 16.708
n 1.984 1.985 1.990
Tab. 1 Rsultats numriques des trois paramtres physiques obtenus par les mthodes proposes.
5 Conclusion
Dans cet article, nous prsentons deux nouvelles mthodes dextraction des trois paramtres phy-
siques dune jonction p-n non-idale partir de sa caractristique courant-tension I = f(V ). Les
deux mthodes ne ncessitent aucune introduction de valeurs initiales contrairement aux programmes
dextraction directe qui sont bass sur la mthode de Newton. La premire mthode est base sur le
calcul numrique et analytique de laire sous la courbe I = f(V ). La deuxime mthode est base
sur le calcul numrique et analytique de la conductance dynamique
dI
dV
. Les valeurs extraites, par les
deux mthodes, des paramtres physiques sont en trs bon accord avec les valeurs exprimentales. En
plus, les caractristiques optimises concident avec la courbe I = f(V ) exprimentale. Lapplication
des deux mthodes peut tre tendue des composants ayant mme cinq paramtres tels les cellules
solaires.
Rfrences
[1] Pspice 9.1. Copyright 1998, OrCAD Inc.
[2] Mathematica 4.0 . Copyright 1988-1999, Wolfram Research Inc.
[3] R. Corless, G. H. Gonnet, D. E. G. Hare, D. J. Jerey et D. E. Knuth, On Lamberts W function
. Adv. Comput. Math., 5, 329-359, 1996.
[4] T. C. Banwell, Exact analytical solution for current ow through diode with series resistance.
Electronics Letters, 36, 291-292, 2000.
[5] A. Ortiz-conde, F. J. Garcia Sanchez, J. Muci, New method to extract the model parameters of
solar cells from the explicit analytic solutions of their illuminated characteristics. Solar Energy
Materials & Solar Cells, 90, 352361, 2006.
5
Fig. 1 Jonction p-n non-idale 3 para-
mtres physiques.
Fig. 2 Caractristique courant-tension de la
jonction p-n.
Fig. 3 Caractristiques exprimentale (points) et numrique (ligne continue) de la jonction non-idal
obtenue via la premire mthode (a). Lcart relatif entre la caractristique optimise laide de la
premire mthode et la caractristique exprimentale.
Fig. 4 Caractristique exprimentale (points) et numrique (ligne continue) de la jonction non-idal
obtenue via la deuxime mthode (a). Lcart relatif entre caractristiques exprimentale et optimise
laide de la deuxime mthode (b).