Proyecto Final Circuitos Electr onicos II:

Mezclador de Se nales
Pineda Molina Christopher Isaac
Jose Daniel Lopez Perez
Jesus Eduardo Lara Gonz alez
April 10, 2014
Division de Ingenieras Campus Irapuato-Salamanca
DICIS
Salamanca, Guanajuato Mexico
Contents
1 Objetivo 2
2 Componentes 2
3 Equipo 2
4 Introduccion 2
4.1 Funcionamiento del mezclador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
5 Desarrollo 4
5.1 Simulacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
5.2 Implementacion fsica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
5.3 Analisis del circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
5.4 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
6 Conclusion General 9
1
1 Objetivo
El alumno debera aplicar el conocimiento adquirido durante el curso para con-
struir un circuito mezclador de se nales, el cual debe ser capaz de aceptar dos
se nales y desplegar la suma de ambas.
2 Componentes
Transistor 2N3819
2 Potenciometros de 1 M
2 Resistencias de 1 M
1 Resistencia de 2,2 M
1 Resistencia de 2,2 K
1 Resistencia de 4,7 K
1 resistencia de 470
2 Capacitores de 0.1F
1 Capacitor de 47F
1 Capacitor de 220F
3 Equipo
Osciloscopio
Generador de funciones
Fuente de Alimentacion Regulable
4 Introducci on
Para quienes gustan de los circuitos mas ecientes y simples, el circuito realizado
en esta practica combina simplicidad y eciencia para actuar como mezclador
de dos fuentes de se nal en una salida.
4.1 Funcionamiento del mezclador
Los siguientes terminos se usan para describir el funcionamiento del mezclador:
Ganancia (o perdida) de conversion es la razon de la potencia de se nal de
salida (FI) a la de entrada (RF)
Cifra de ruido es la SNR (relacion se nal-a-ruido) en el puerto de entrada
(RF) dividida entre el SNR en el puerto de salida (FI).
2
El aislamiento representa la cantidad de fuga o paso de alimentacion
entre los puertos del mezclador. Sea fRF la frecuencia en el puerto de RF,
fLO la del oscilador local y fIF la de FI. Entonces el aislamiento en el
puerto RF en f LO es la cantidad en que la se nal de nivel de excitacion
se aten ua cuando se mide en el puerto de RF. El aislamiento en el puerto
FI en f L O es la cantidad en que la se nal de nivel de excitacion se aten ua
cuando se mide en el puerto FI.
La compresion de conversion se reere al nivel de potencia de entrada RF
arriba del cual la curva de potencia de salida FI vs potencia de entrada RF
se desva de la linealidad. Arriba de este nivel, un aumento adicional en el
nivel de entrada RF no se traduce en un aumento proporcional en el nivel
de salida. Cuantitativamente, la compresion de conversion es la reduccion
del nivel de salida en dB abajo de la caracterstica lineal. Usualmente,
el nivel de entrada en el que la compresion es de 1 o 3 dB se da en las
especicaciones del mezclador
El rango dinamico es el rango de amplitud dentro del cual el mezclador
puede trabajar sin degradacion en la operacion. Depende del punto de
compresion de conversion y de la cifra de ruido del mezclador.
Figure 1: Mezcladores a FET de terminacion unica: (a) mezclador JFET con
inyeccion de LO y RF en la compuerta; (b) mezclador JFET con inyeccion LO
en la terminal de fuente (c), mezclador a compuerta dual a MOSFET con se nales
de LO y RF inyectadas en compuertas separadas.
3
5 Desarrollo
5.1 Simulaci on
Para este proyecto nal procedimos primero a realizar una simulacion en Proteus
para analizar el comportamiento de este circuito.
Figure 2: Circuito mezclador.
El circuito dise nado en proteus es el siguiente:
Figure 3: Circuito mezclador simulado.
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Las se nales que tenemos a la entrada son de 1kHz y 2kHz cuya amplitud es
de 1Vpp y 2Vpp. Dandonos como resultado la siguiente imagen en donde se
puede ver tanto las se nales de entrada como de salida hay resaltar que en la
implementacion fsica no se uso el transistor 2n3819, en su lugar se uso el 5457.
Figure 4: Resultado de la simulacion en el cual la se nal de color amarillo esla
suma de las otras dos se nales de abajo.
5.2 Implementaci on fsica
Como se trata de un circuito con potencia de alta sensibilidad preferiblemente
se debe probar con batera y el circuito debe ser instalado en una caja de metal
para evitar la captacion de ruido.
5
Figure 5: Circuito en fsico.
Se usaron los mismos valores de entrada que en la simulacion proporcionados
por dos generadores de funciones, se usaron estos valores de entrada ya que el
uso de transistores FET, que se caracterizan por su alta impedancia de entrada,
nos proporciona una respuesta en frecuencia sin atenuacion entre 1Hz y 20KHz.
Por medio de los potenciometros VR1 y VR2 se controla de manera independi-
ente la se nal de entrada antes de efectuar la mezcla y cuyo proposito es ajustar
el nivel de la se nal de entrada para evitar la distorsion mientras que empareja
la impedancia de la entrada con la salida.
R1 y R2 son resistencias que regulan el paso de corriente.
C1, C2 y C3 son capacitores ceramicos que ltran la se nal, debido a que no
estan polarizados no es necesario observar la posicion.
C3 sirve en este caso para hacer un acoplamiento de se nal nal antes de que la
se nal sea exhibida por la salida.
Q1 es un transistor de efecto de campo, com unmente conocida como FET
2N5457.
6
5.3 Analisis del circuito
En el siguiente analisis los datos con los cuales se manejaron las ecuaciones
fueron obtenidos de la hoja de especicaciones del 2n5457. I
DSS
= 1mA, V gs =
.5V , Sustituyendo los siguientes datos en la formula (1) se obtiene
V gs =

Rs

I
DSS

1
V gs
V p

2
(1)
V gs =

2.2K

1mA

1
2V gs
0.5
+
V gs
.25

2
(2)
Al hacer todos las operaciones matematicas nos queda una ecuacion de segundo
orden dada por:
8.8V gs
2
+ 9.8V gs + 2.2 = 0
Obteniendo dos resultados los cuales fueron Vgs1=-0.3117 y Vgs2=-0.80186,
como no puede pasar de Vp el voltaje, se debe escoger Vgs1. Ahora con Vgs se
puede conocer Id la cual es Id = (V gs/Rs) = (0.31/2.2K) = 0.14mA
Para la obtencion de gm primero se debe obtener gm0
gm0 =
2I
DSS
|V p|
=
2mA
0.5V
= 4m
y
gm =

gm0

1
V gs
V p

4m

1
0.31
0.5

= 1.50mS
Ahora se analizara la ganancia en voltaje siendo Av = gm RD y susti-
tuyendo valores nos da
Av =

1.50 10
3

4.7K

= 7.08
Y su ganancia en corriente
Ai = Av

Rc+1M
4.7K

7.08

2.2M+1M
4.7K

= 4820.42
5.4 Resultados
Los resultados obtenidos en la implementacion fsica fueron los siguientes:
7
Figure 6: Se nal de salida al dejar un potenciometro en su maxima carrera y el
otro en su mnima.
Figure 7: Se nal de salida en el mismo caso que en la anterior imagen pero
cambiando los potenciometros.
8
Figure 8: Se nal de salida al poner los dos potenciometros en su maxima carrera
.
Con las anteriores imagenes se puede observar que el circuito cumple con su
proposito ya que suma las se nales y en el caso cuando ambos potenciometros
estan en su mnima carrera el circuito no despliega ninguna se nal ya que estara
sumando dos se nales con valor de 0.
6 Conclusi on General
En este proyecto se aplicaron los conocimientos adquiridos en el curso dandonos
resultados satisfactorios al momento de implementar y trabajar con el circuito,
se puede concluir que un transistor de efecto de campo puede permitir la mezcla
de varias fuentes de se nal de distintos tipos, dando como resultado aplicaciones
que van desde la suma de se nales o al tratamiento de se nales de varias fuentes
como es el preamplicador de un microfono hasta la conversion de audios estereo
a mono, al momento de hacer las pruebas correspondientes y trabajar con el cir-
cuito se observo que este circuito es muy susceptible a la captacion de zumbidos
ya que al momento de la implementacion los factores externos al circuito afec-
taron un poco la se nal de salida, el consumo de este circuito es muy bajo solo
de algunos miliamperios, el de la practica es un JFET especialmente fabricado
para aplicaciones de RF y de mezclador, ofrece muy poco ruido, baja distorsion
y una excelente ganancia de alta frecuencia.
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