FET - TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os transistores de Efeito de Campo, JFET e MOSFET's, Efeito de Campo, JFET e MOSFET's, tem como
caractersticas bsicas e controle de uma corrente por um campo eltrico
aplicado. corrente flui entre os terminais c!amado Suplidouro " S Suplidouro " S, e #reno " #reno "
# #, e o campo de$ido a uma tens%o aplicada entre um terminal de controle, a
porta &'ate& " ' &'ate& " ', e o suplidouro. Este compartimento anlo(o a das $l$ulas
eletr)nicas pentodo.
$anta(em prtica dos FET's *ue os torna cada $e+ mais comuns,
principalmente os MOSFET's, sua alta imped,ncia de entrada, n%o necessria
praticamente nen!uma corrente de entrada na porta para o controle da corrente
de dreno.
JFET
O primeiro FET desen$ol$ido foi o de -un.%o, FET /Junction Field Efect
Transistor0. 1 dois tipos2 Canal 3 Canal 3 e Canal 4 Canal 4.
Sua estrutura consiste numa barra de material semicondutor 3 /ou 40,
en$ol$ida no centro com material 4 /ou 30, a re(i%o 3 /ou 40 esta parte,
estreita, c!amado canal, por influir a corrente controlada.
N
N
P P
CANAL
G - GATE
D - DRENO
S - SUPLIDOURO
Estrutura do JFET canal 3 Estrutura do JFET canal 3
Obs.2 Obs.2 3o FET de canal 4 in$ertem"se camadas semicondutores 3 e 4
D
CANAL P
S
G
CANAL N
S
G
D
Smbolos Smbolos
3ote *ue em torno de um canal forma"se uma re(i%o de potencial na
-un.%o 43. Esta barreira restrin(e a rea de condu.%o de canal ao outro.
FUNCIONAMENTO
MA
VDS
VGS
ID
3a fi(ura acima temos o circuito de teste JFET com uma fonte $ari$el
5es, *ue controla a corrente do canal 6#. 3ote *ue 5es, na polari+a.%o
re$ersa /" no (ate 40.
6nicialmente fa+emos 5es 7 8. O canal 3 est normalmente aberto, pois
a barreira de pot9ncia mnima, assim, circula uma corrente m:ima c!amado
6#SS, caracterstica do JFET para 5ds.
(ora $amos aumentar 5es, fa+endo *ue a lar(ura da barreira de
potencial aumente. Ent%o a rea de condu.%o diminui, *ue diminui a corrente
de dreno. O campo eltrico entre a porta e o supridouro repele eltrons ao
canal, nas pro:imidades da -un.%o e a corrente fica confinada ao centro,
diminuindo. Este o efeito de campo, *ue d nome ao transistor.
;uando maior a tens%o re$ersa 5es, menor a corrente de dreno, com 5ds
fi:a. Se aumentarmos (radualmente, c!e(ar num ponto em *ue a corrente se
anular. tens%o 5(s nesse ponto c!amado 5(soff ou 5(scorte, a tens%o de
estran(ulamento do canal, ou de corte.
CURVA CARACTERSTICA
#reno.
ID
VDS
VGS 1 = 0V
VGS 0
VGS 3
VGS 4
VGS 5
VGS = VGScorte
REGIO
ATIVA
Curva Caracterstica de Dreno Curva Caracterstica de Dreno
< anlo(a = caracterstica de coletor do transistor bipolar, e semel!ante =
caracterstica de placa e uma $l$ula pentodo. #escre$e o comportamento nas
tr9s re(i>es de opera.%o, para di$ersos $alores de 5(s.
REGIO DE OPERAO REGIO DE OPERAO
3a re(i%o ati$a re(i%o ati$a, a corrente de dreno controlada pela tens%o 5(s, e
*uase n%o $aria com tens%o 5ds /compartimento de fonte de corrente
controlada0. 3esta o JFET pode funcionar como multiplicador de fonte"de"
corrente.
O JFET est nesta regio quando Vds > Vescorte nas curvas
caractersticas a !arte "ori#ontal da curva !ara uma certa Vgs $toda a rea
%ora de satura&o' "ac"urada' e entre as curvas Vgs( e Vgs)*
satura.%o ocorre *uando 5ds ? 5(scorte. *ui a corrente 6# depende
tanto de 5(s como 5ds /comportamento de resistor controlado0. 3as cur$as
caractersticas de dreno, a reta inclinada *ue une cada cur$a a ori(em do
(rfico. @epare *ue as inclina.%o, relacionada = resist9ncia do canal, diferente
em cada uma das cur$as /$alores de 5(s0. 3esta re(i%o, o JFET atua como
resistor controlado por tens%o, ou c!a$e, conforme a aplica.%o.
;uando 5(s 5(scorte, o JFET est na re(i%o de corte re(i%o de corte, e a corrente de
dreno nula. Asada na opera.%o como c!a$e /alternando com a satura.%o "
c!a$e fec!ada0.
APLICAES
B0 Fonte de Corrente2 B0 Fonte de Corrente2
RS
ID
+ VDD
RL
O $alor de @S e a cur$a do JFET determinam a corrente 6#. O $alor de @S e a cur$a do JFET determinam a corrente 6#.
O circuito opera o JFET fica na re(i%o ati$a, ou se-a, 5dsC 5(scorte,
isso imp>e limite ao $alor de @D.
O circuito usado em polari+a.%o, sendo fre*E9ncia dentro dos
amplificadores operacionais e outros C6's analF(icos.
G0 mplificadores2 G0 mplificadores2
3a opera.%o como amplificadores, usamos o conceito da
Transcondut,ncia, *ue define o (an!o dos FET's.
! = =
ID
VGS
Transcondut,ncia, (m ou , a rela.%o entre a $aria.%o na corrente 6d
e a $aria.%o em 5(s *ue a pro$oca.
3os FET, a Transcondut,ncia maior para tens%o 5(s de polari+a.%o
menor e corrente 6# maior.
ssim, o (an!o determinado pela polari+a.%o como nos bipolares e
$l$ulas0, e o tipo de FET.
a0 4olari+a.%o2 corrente de dreno de JFET se(ue a rela.%o *uadrtica. a0 4olari+a.%o2 corrente de dreno de JFET se(ue a rela.%o *uadrtica.
ID = IDSS
"
1 - VGS
VGS corte
"
Os $alores de 6#SS e 5(scorte $ariam conforme o tipo e o e:emplar,
dentro de limites amplos.
Ama polari+a.%o somente pode ser feita atra$s de a-uste de trimpot, ou
atra$s de uma fonte de corrente com bipolar.
O tipo mais comum a autopolari+a.%o autopolari+a.%o.
RS
+ VDD
RS
RG
Obs.2 3os amplificadores dreno comum @d n%o usado. Ele n%o altera a
corrente de dreno.
corrente circula em @s, sur(indo uma *ueda de tens%o nele. porta
est aterrada atra$s de @(, e ent%o a tens%o em @s aparece entre S e ',
polari+ando o JFET com uma tens%o re$ersa, *ue se op>e = corrente de dreno
/Suplidouro0, re(ulando"a atra$s de realimenta.%o ne(ati$a. corrente ent%o
fica dada pelas caractersticas do FET e o $alor de @s.
Tambm se usa polari+a.%o por di$is%o de tens%o, semel!ante = usada
com transistor bipolar, mas menos e:ata /pouco mel!or *ue a autopolari+a.%o0.
b0 Supridouro comum2 b0 Supridouro comum2
< a mais usada, pois oferece (an!o de tens%o.
O sinal de entrada aplicado entre a porta e o Suplidouro, e a sada
col!ida no dreno. fase in$ertida.
imped,ncia de entrada muito (rande, - *ue a -un.%o porta"
suplidouro est polari+ada re$ersamente, circulando apenas uma despre+$el
corrente de fu(a. 3a prtica, a imped,ncia dada pelo resistor @E de
polari+a.%o. J a de sada um pouco menor *ue @#.
O (an!o de tens%o dado por2
G = - ! RD
Seu $alor na prtica fica entre H e H8 $e+es, em (eral /bem menor *ue no
bipolar0.
< comum na entrada de instrumentos de medi.%o, e dentro de C.6.
analF(icos, pela alta imped,ncia.
RS
+ VDD
RS RG
C e#t$
SA%DA
ENTRADA
Obs2 Cent. pode ser omitido, em al(umas aplica.>es. 3os amplificadores com
acoplamento direto, todos os capacitores s%o dispensados, mas o (an!o
diminui.


MOS-FET
+or Ter a !orta isolada do substrato' a im!ed,ncia de entrada do
-OSFET ainda maior que a do J.FET' %a#endo com que a corrente de !orta
se/a !raticamente nula0 E1istem dois ti!os de -OSFETS2 de acumula&o e de
de!le&o0
ACUMULA&O'
3 constru&o e o smbolo dos -OSFET de acumula&o so os seguintes2
Como pode"se obser$ar, o MOSFET pode apresentar o substrato
dispon$el ou curto"circuitado internamente com o terminal de fonte, como
mais encontrado. Suas cur$as caractersticas s%o as se(uintes2
DEPLE&O'
4este ti!o e1iste um canal na regio abai1o do di51ido de silcio com o
mesmo ti!o de do!agem das regi6es de dreno e %onte' sendo que a
concentra&o de do!antes no canal um !ouco menor que nas regi6es de dreno
e %onte0 Simbologias2
ssim como no MOSFET de acumula.%o, no MOSFET de deple.%o
podem"se Ter ou n%o dispon$eis os terminais do substrato. Suas cur$as
caractersticas s%o2
APLICA&(ES'
O -OSFET muito utili#ado na %abrica&o de circuitos integrados de
!ortas l5gicas' registradores e mem5rias' entre outros0 7sto se /usti%ica !elo %ato
desse dis!ositivo dissi!ar bai1ssima !ot8ncia e tambm !or !ossibilitar a
integra&o em larga escala $ocu!a uma !equena rea semicondutora*0