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Universidad de Costa Rica
Facultad de Ingeniera
Escuela de Ingeniera Elctrica

IE 0502 Proyecto Elctrico

Desarrollo de un sistema CWDM comunicador de
voz por fibra ptica multimodo

Por:
Francisco Rodrguez Castillo

Diciembre del 2004
IE-0502 Desarrollo de un sistema CWDM comunicador de voz por fibra ptica multimodo ii
Diciembre del 2004 ii

Desarrollo de un sistema CWDM comunicador de
voz por fibra ptica multimodo

Por:
Francisco Rodrguez Castillo

Sometido a la Escuela de Ingeniera Elctrica
de la Facultad de Ingeniera
de la Universidad de Costa Rica
como requisito parcial para optar por el grado de:

BACHILLER EN INGENIERA ELCTRICA

Aprobado por el Tribunal:

___________________
M.Sc. Luis Diego Marn Naranjo
Profesor Gua

___________________ ___________________

Dr. Jorge Arturo Romero Chacn Ing. Jaime Cascante Vindas
Profesor Lector Profesor Lector

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Diciembre del 2004 iii

DEDICATORIA

A mi familia por todo el apoyo brindado
en estos aos de estudio.

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Diciembre del 2004 iv

RECONOCIMIENTOS

Por la ayuda y colaboracin recibida durante el desarrollo de este proyecto, el
agradecimiento al profesor M.Sc. Luis Diego Marn Naranjo, y a los profesores lectores Dr.
Jorge Arturo Romero Chacn y Ing. Jaime Cascante Vindas por las valiosas observaciones
hechas con el fin del mejoramiento de dicho proyecto.

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NDICE GENERAL
NDICE DE FIGURAS______________________________________________________ vi
NDICE DE TABLAS ______________________________________________________ vii
NOMENCLATURA________________________________________________________ viii
RESUMEN________________________________________________________________ ix
CAPTULO 1 : Introduccin _________________________________________________ 1
1.1 Objetivo General___________________________________________________ 2
1.1.1 Objetivos especficos ____________________________________________ 2
1.2 Metodologa_______________________________________________________ 2
CAPTULO 2 : Sistema de comunicacin de voz por fibra ptica ____________________ 3
2.1 Fibra ptica __________________________________________________________ 5
2.1.1 Construccin de la fibra ptica ________________________________________ 5
2.1.2 Clasificacin de la fibra ptica ________________________________________ 6
2.1.3 Caractersticas de la fibra ptica _______________________________________ 9
2.2 Dispositivos optoelectrnicos ___________________________________________ 14
2.2.1 Dispositivos emisores de luz _________________________________________ 14
2.2.1.1 Diodo emisor de luz LED ______________________________________ 14
2.2.1.2 Diodo lser LD ______________________________________________ 19
2.2.2 Dispositivos detectores de luz ________________________________________ 22
2.2.2.1 Fotodiodo pn__________________________________________________ 24
2.2.2.2 Fotodiodo PIN ________________________________________________ 25
2.2.2.3 Fotodiodo de avalancha APD ___________________________________ 27
2.2.2.4 Fototransistores________________________________________________ 29
2.3 Tcnicas de multiplexacin por divisin de longitud de onda WDM ________ 29
CAPTULO 3: Enlace de comunicacin ptico IFO ____________________________ 32
3.1 Enlace de voz ptico para fibra ptica de plstico _________________________ 32
3.1.1 Transmisor _______________________________________________________ 32
3.1.2 Receptor_________________________________________________________ 35
CAPTULO 4 : Modificacin del sistema original para establecer la comunicacin
mediante fibra ptica de vidrio multimodo______________________________________ 37
4.1 Prueba del enlace de voz por fibra multimodo ____________________________ 38
CPITULO 5 : Conclusiones y recomendaciones ________________________________ 40
BIBLIOGRAFA __________________________________________________________ 42
ANEXOS ________________________________________________________________ 43

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Diciembre del 2004 vi

NDICE DE FIGURAS
Figura 1 Seccin transversal de un cable de fibra ptica
1
___________________________ 5
Figura 2 Curvas de atenuacin ________________________________________________ 7
Figura 3 Fibra ptica multimodo de ndice escalonado _____________________________ 8
Figura 4 Fibra ptica multimodo de ndice gradual ________________________________ 8
Figura 5 Fibra ptica monomodo ______________________________________________ 9
Figura 6 Grfica de modos para una fibra de ndice escalonado
3
_____________________ 9
Figura 7 Principio de dispersin de una seal en una fibra ptica
4
__________________ 10
Figura 8 Dispersin de una seal en funcin de su longitud de onda
5
_________________ 11
Figura 9 Atenuacin en funcin de la longitud de onda en una fibra monomodo
6
_______ 11
Figura 10 Atenuacin en funcin de la longitud de onda en una fibra multimodo
7
_______ 12
Figura 11 Factores de atenuacin en una fibra ptica
8
____________________________ 13
Figura 12 ngulo de aceptancia de una fibra ptica
9
_____________________________ 13
Figura 13 Configuracin interna de un LED
10
___________________________________ 15
11
___________________________________ 17
Figura 15 Configuracin interna de un diodo lser
12
______________________________ 20
Figura 16 Curva caracterstica de un diodo lser
13
_______________________________ 20
Figura 17 Efectos de la temperatura en un diodo lser
14
___________________________ 21
Figura 18 Patrn de radiacin de un LED y un diodo lser _________________________ 21
Figura 19 Curva de responsitividad tpica de un fotodiodo SI y un fotodetector ideal
15
___ 22
Figura 20 Responsitividad en funcin de la longitud de onda
16
______________________ 23
Figura 21 Tiempo de levantamiento de un fotodetector
17
___________________________ 23
Figura 22 Configuracin interna de un fotodiodo pn
18
____________________________ 24
Figura 23 Curva caracterstica de corriente-voltaje para un fotodiodo PIN
19
__________ 25
Figura 25 Esquema de transmisin WDM_______________________________________ 30
Figura 26 Transmisin en WDM ______________________________________________ 30
Figura 28 Circuito esquemtico del transmisor de voz ptico
20
______________________ 33
Figura 29 Circuito esquemtico del receptor de voz ptico
21
________________________ 35
Figura 30 Configuracin interna de los mdulos Mitel_____________________________ 37
Figura 31 Terminal de comunicacin 1 _________________________________________ 39
Figura 32 Terminal de comunicacin 2 _________________________________________ 39

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NDICE DE TABLAS

Tabla 1 Caractersticas de transmisin de medios guiados punto a punto...............................4
Tabla 2 Dimetros de fibra ptica ms utilizados....................................................................6
Tabla 4 Materiales utilizados en la fabricacin de LED`s y sus caractersticas.....................17
Tabla 5 Materiales para la fabricacin de PIN`s y sus caractersticas ..................................27
Tabla 6 Materiales para la fabricacin de APD`s y sus caractersticas.................................28

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NOMENCLATURA

n : ndice de refraccin
c: Velocidad de la luz en el vaco
v : Velocidad de la luz en el material
NA : Apertura Numrica
: ngulo de aceptancia
E : Energa
E
g
: Energa de brecha
h : Constante de Planck
f : Frecuencia
: Longitud de onda
P : Potencia ptica
i : Corriente
I
sp
: Corriente alterna pico
I
dc
: Corriente directa
P
dc
: Componente de potencia directa
P
sp
: Componente de potencia alterna pico
: Responsitividad
V : Voltaje
R
L
: Resistencia de carga
C
d
: Capacitancia
M : Ganancia del fotodiodo
V
d
: Voltaje reverso
V
BR
: voltaje de quiebra reverso

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Diciembre del 2004 ix

RESUMEN

En este proyecto se plantean una serie de fundamentos tericos tanto de fibra ptica
como de dispositivos optoelectrnicos, con el fin de brindar una nocin bsica del
funcionamiento de un sistema de comunicacin utilizando la fibra como canal de transmisin.
Se desarrolla entonces un pequeo sistema para la transmisin de voz punto a punto,
utilizando los dispositivos para enlace de voz pticos IFOy los mdulos optoelectrnicos
Mitel para la multiplexacin de seales en una sola fibra ptica multimodo de 62.5/125 m.
Se configuran las terminales de manera que puedan operar utilizando tanto los mdulos de
multiplexacin, como los emisores y receptores individuales para fibra ptica de plstico y se
realizan una serie de pruebas que consisten en el establecimiento de la comunicacin entre las
dos terminales en tramos de diferentes longitudes de fibra y as determinar cuan efectivo
resulta ser el enlace. Cabe resaltar que el trmino efectivo se refiere a la percepcin del
usuario de cmo escucha la seal de audio que se emite desde la otra terminal.

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CAPTULO 1: Introduccin

El desarrollo de nuevas tecnologas en los sistemas de comunicacin ha experimentado
un crecimiento acelerado en los ltimos aos producto de las exigencias actuales para dichos
sistemas, donde se requiere transportar gran cantidad de informacin de forma segura y
rpida.
Las redes de comunicacin pticas no escapan a esta constante evolucin tecnolgica,
por lo que recientemente el concepto de multiplexacin por divisin de longitud de onda de
espaciamiento amplio CWDM ha comenzado a ser conocido en la industria de las
telecomunicaciones debido a las ventajas que presenta con respecto a la tecnologa de
multiplexacin por divisin de longitud de onda densa DWDM
En este proyecto se implement un sistema de comunicacin de voz ptico, orientado
a la introduccin de las comunicaciones por fibra ptica. Adems se documentan conceptos
tericos de fibra ptica, comunicaciones por fibra ptica y optoelectrnica.
Para desarrollar el sistema planteado se utilizaron una serie de dispositivos
optoelectrnicos, tales como tarjetas de comunicacin de voz para fibra ptica de plstico y
mdulos de multiplexacin para fibra ptica multimodo de vidrio.
Se desarroll un trabajo de laboratorio para aprender a utilizar los mdulos CWDM
marca Mitel y las tarjetas para comunicacin de voz marca Industrial Fiber Optics, y
adaptar dichos dispositivos para conformar el sistema de comunicacin.
Se realizaron pruebas para verificar el funcionamiento del sistema en diferentes tramos de
fibra ptica multimodo de 62.5/125 m como telfono ptico.
1.1 Objetivo General

Desarrollar y comprobar el correcto funcionamiento de un sistema de comunicacin utilizando
tarjetas para la transmisin de voz por medio de fibra de plstico adaptando un mdulo
CWDM para fibra ptica multimodo de vidrio.

1.1.1 Objetivos especficos

Documentar los conceptos tericos de fibra ptica, comunicaciones por fibra ptica y
optoelectrnica para la realizacin de este sistema.

Aprender a utilizar los mdulos de multiplexacin por longitud de onda Mitel y los
dispositivos para la transmisin de voz IFO.

Adaptar los mdulos de multiplexacin a los dispositivos de transmisin de voz en
forma verstil.

Verificar el funcionamiento del sistema para transmisin de voz utilizando tramos de
fibra ptica multimodo 62.5/125 de diferentes longitudes.

1.2 Metodologa

Durante la primera etapa del proyecto se proceder a estudiar conceptos tericos sobre
fibra ptica y otros temas relacionados a las comunicaciones pticas con el fin de
documentar los conceptos tericos que fundamentan el proyecto.
La segunda etapa se basa en el trabajo de laboratorio necesario para implementar el
sistema de comunicacin.
En la etapa final se verificar el funcionamiento del sistema entre las dos terminales
utilizando tramos de fibra ptica de diferentes longitudes.

CAPTULO 2: Sistema de comunicacin de voz por fibra ptica

El objetivo principal de un sistema de comunicaciones es intercambiar informacin
entre dos o ms entidades. En su configuracin ms simple la comunicacin entre dos
terminales es llamada transmisin punto a punto; sin embargo, en la mayora de las ocasiones
este procedimiento no es vlido, debido a que los dispositivos estn muy alejados entre s y no
resultara viable utilizar un enlace dedicado entre ellos, o ms an, existe un conjunto de
dispositivos que necesitan conectarse con los dems en instantes de tiempo diferentes.
El intercambio de datos sobre una lnea de transmisin se puede clasificar como full-
duplex o half-duplex.
En la transmisin half-duplex solo una de las estaciones del enlace punto a punto
puede transmitir, esto quiere decir que las estaciones no pueden transmitir al mismo tiempo,
mientras que mediante la transmisin full-duplex las dos estaciones pueden enviar y recibir
datos simultneamente.
Una red de comunicacin proporciona flexibilidad y eficiencia de los recursos
utilizados en la transmisin de informacin entre cantidades masivas de usuarios.
Tradicionalmente las redes de comunicacin se pueden clasificar en dos grandes
categoras:

Red de rea local LAN
Es una red de comunicaciones que interconecta varios dispositivos y proporciona un
medio para el intercambio de informacin entre ellos.

Red de rea amplia WAN
Es una red de comunicaciones que cubre una extensa rea geogrfica, requiere
atravesar rutas de acceso pblico, y parcialmente utiliza circuitos proporcionados por una
entidad proveedora de servicios de telecomunicacin.
Tpicamente, una WAN consiste en una serie de dispositivos de conmutacin
interconectados. La comunicacin generada por cualquier dispositivo se encaminar a travs
de estos nodos internos hasta alcanzar el destino. A estos nodos no les concierne el contenido
de los datos, su funcin es proporcionar el servicio de conmutacin que transmitir los datos
de nodo en nodo hasta alcanzar su destino final.
No se puede hablar de redes de comunicacin y dejar de mencionar la importancia de
los medios de transmisin, ya que de estos depende la capacidad y la eficiencia de la
transmisin.
Si se habla de capacidad de transmisin en trminos de velocidad de transmisin o
ancho de banda, es importante tomar en cuenta la distancia que cubre el medio de transmisin
y adems si este es un enlace punto a punto o un enlace multipunto.
Los medios de transmisin guiados ms utilizados para la transmisin de voz o datos
son: el par trenzado, el cable coaxial y la fibra ptica.

Tabla 1 Caractersticas de transmisin de medios guiados punto a punto
Medio
de transmisin
Razn de
datos total
Ancho
de banda
Separacin
entre repetidores
Par trenzado 4 Mbps 3 MHz 2 a 10 km
Cable coaxial 500 Mbps 350 MHz 1 a 10 km
Fibra ptica 2 Gbps 2 GHz 10 a 100 km

Debido a que el sistema de comunicacin que se desarroll en el presente trabajo
utiliza como medio de transmisin la fibra ptica, a continuacin se presenta una descripcin
general de la fibra ptica y otros elementos que forman parte del sistema implementado.

2.1 Fibra ptica
La fibra ptica es un medio flexible y extremadamente fino, capaz de conducir energa
de naturaleza ptica. Presenta una serie de ventajas con respecto a otros medios de
comunicacin, por ejemplo:
1. Ancho de banda amplio
2. Atenuacin baja
3. Inmunidad electromagntica
4. Peso liviano
5. Tamao pequeo
6. Seguridad con respecto a su manipulacin
7. Seguridad con respecto a la transmisin de datos

2.1.1 Construccin de la fibra ptica
La fibra ptica est formada por dos capas concntricas llamadas ncleo y
revestimiento, las cuales estn protegidas por una cubierta hecha generalmente de polmeros la
cual no afecta la propagacin de la luz en la fibra.
El revestimiento provee la diferencia en el ndice de refraccin que permite que se de
la reflexin total interna de la luz a travs del ncleo. El ndice de refraccin del revestimiento
es alrededor de un 1% ms bajo con respecto al ndice del ncleo.

Figura 1 Seccin transversal de un cable de fibra ptica
1

1
Fuente: Manual The Optical Voice Link, Industrial Fiber Optics, pgina 20
Las caractersticas especficas de la propagacin de la luz en una fibra dependen de
muchos factores como el tamao de la fibra, la composicin de la fibra y la luz incidente
dentro de la fibra. Comnmente se usan los siguientes tamaos:

Tabla 2 Dimetros de fibra ptica ms utilizados
Ncleo (m) Revestimiento (m)
8 125
50 125
62.5 125
100 140

2.1.2 Clasificacin de la fibra ptica

La fibra ptica se clasifica de dos formas:
Por el tipo de material

Fibra de vidrio
El ncleo y el revestimiento son de vidrio, el cual est hecho de silicio fundido ultra-
puro, son las ms usadas en la actualidad debido a las caractersticas que presentan.

Fibra de plstico
Tanto el ncleo como el revestimiento son de plstico, presentan mayores prdidas y
su ancho de banda es limitado. Comnmente estas fibras presentan un dimetro de 1000 m,
cuyo ncleo tiene un dimetro de 980 m. Debido a sus caractersticas, esta fibra presenta
grandes prdidas si se utiliza en enlaces de larga distancia, por lo que no se utiliza en esos
casos; sin embargo, puede ser muy til y econmica en aplicaciones de pequea escala.
Normalmente, se utilizan LED`s de 650 nm como emisores en los sistemas que utilizan fibra
ptica de plstico POF.

Fibra de revestimiento plstico
Su ncleo es de vidrio y el revestimiento es de plstico, tienen menor rendimiento que
la fibra de vidrio.

Figura 2 Curvas de atenuacin

(a) Fibra de plstico (b) Fibra de vidrio
2

Por el ndice de refraccin y los modos en que se propaga la seal

Fibra multimodo de ndice escalonado
La luz se refleja a diferentes ngulos para diferentes trayectorias o modos. La longitud
de la trayectoria para diferentes modos es distinta, lo que implica tiempos de desplazamiento
mayores o menores dependiendo de la trayectoria seguida por el rayo, as seales que entran al
mismo tiempo en la fibra salen en tiempos diferentes.
El pulso ptico sufre un ensanchamiento llamado dispersin modal como resultado de
los diferentes modos en la fibra. Tpicamente este tipo de fibras presenta una dispersin modal
de 15 a 30 ns/km.

2

Figura 3 Fibra ptica multimodo de ndice escalonado

Fibra multimodo de ndice gradual
Una forma de reducir la dispersin modal es utilizando fibras de ndice gradual
GRIN. El ncleo de este tipo de fibras est hecho de capas concntricas de vidrio, cada capa
a partir del eje central del ncleo presenta un ndice de refraccin menor que la anterior,
logrando que el rayo se refracte continuamente obtenindose un patrn casi sinusoidal. Los
rayos que viajan en las capas lejanas al eje central del ncleo se desplazan a velocidades
mayores que los rayos que viajan en las capas cercanas al eje, como resultado de este
fenmeno todos los rayos tienden a llegar al mismo tiempo al final de la fibra. El ndice
gradual reduce la dispersin modal a 1 ns/km o menos.
Los dimetros ms comunes del ncleo para estas fibras son de 50, 62.5 o 85 m y
para el revestimiento es de 125 m, comnmente la ms usada es la de 62.5/125 m.

Figura 4 Fibra ptica multimodo de ndice gradual

Fibra monomodo
Otra forma de reducir la dispersin modal es utilizar fibras con un ncleo ms pequeo
para lograr una propagacin del rayo en un solo modo. Los dimetros del ncleo van desde 5 a
10 m y el dimetro del revestimiento es de 125 m.
Las fibras monomodo tienen un ancho de banda potencial de 50 a 100 GHz-Km, y esta
capacidad est limitada por los dispositivos electrnicos y no por la fibra.
El punto en el cual la fibra transmite en un solo modo depende de la longitud de onda
de la seal y es llamada longitud de onda de corte. Por ejemplo una fibra monomodo operando
en los 1300 nm presenta la longitud de onda de corte alrededor de los 1200 nm.

Figura 5 Fibra ptica monomodo

Figura 6 Grfica de modos para una fibra de ndice escalonado
3

2.1.3 Caractersticas de la fibra ptica

Dispersin
La dispersin es el ensanchamiento que experimenta el pulso cuando se desplaza en la fibra.
La dispersin limita el ancho de banda en la fibra. Los tres tipos principales de dispersin son:

3
Fuente: Libro Fiber Optic Communications, Prentice-Hall, pgina 116
Dispersin modal
Se debe a las diferentes trayectorias de la seal en la fibra ptica. Se presenta solo en la fibra
multimodo y se puede reducir mediante tres formas:
1. Utilizar fibras cuyo ncleo tenga un dimetro pequeo, el cual permitir la
propagacin de pocos modos.
2. Utilizar fibras de ndice gradual las cuales evitan que la seal sufra un ensanchamiento
debido al retardo de propagacin de los modos.
3. Utilizar fibra monomodo, en la cual no se presenta la dispersin modal.

Dispersin del material
Esta se presenta debido a que las diferentes longitudes de onda viajan con diferentes
velocidades a travs de la fibra. La siguiente ecuacin expresa la relacin entre el ndice de
refraccin del material y la velocidad de la luz en el material:
v
c
n = (1)
donde:
n : ndice de refraccin del material
c: velocidad de la luz en el vaco
v: velocidad de la luz en el material

Dispersin de gua de onda
Este tipo de dispersin se debe a que la energa ptica que viaja tanto por el ncleo como por
el revestimiento de la fibra se desplaza a diferentes velocidades como consecuencia de la leve
diferencia de ndices de refraccin de los materiales.

Figura 7 Principio de dispersin de una seal en una fibra ptica
4

4
Fuente: Documento Introduction to DWDM Technology, Cisco Systems Inc., pgina 2-10

Figura 8 Dispersin de una seal en funcin de su longitud de onda
5

Atenuacin
La atenuacin es la prdida de potencia ptica de la seal cuando se desplaza en la fibra, es
medida en decibels por kilmetro y los rangos van desde los 300 dB/km para fibra de vidrio
hasta alrededor de los 0.21 dB/km en la fibra monomodo. La atenuacin vara con la longitud
de onda de la seal.

Figura 9 Atenuacin en funcin de la longitud de onda en una fibra monomodo
6

5
6
Fuente:Libro Referencia Technicians Guide to Fiber Optics, Delmar Publishers Inc., pgina 63

Figura 10 Atenuacin en funcin de la longitud de onda en una fibra multimodo
7

Esparcimiento Scattering
El esparcimiento es la prdida de la energa ptica debido a imperfecciones en la estructura
bsica de la fibra.

Absorcin
La absorcin es el proceso en el cual las impurezas en la fibra absorben parte de la energa
ptica la cual se disipa en pequeas cantidades de calor.

Prdidas por micro-curvaturas
Prdidas debidas a pequeas imperfecciones o variaciones en la interfaz entre el ncleo y el
revestimiento que provocan que la luz se desve y no se produzca la reflexin interna.

7
Fuente:Libro Referencia Technicians Guide to Fiber Optics, Delmar Publishers Inc., pgina 63

Figura 11 Factores de atenuacin en una fibra ptica
8

Apertura numrica
La apertura numrica (NA) es la capacidad de la fibra de captar la luz.
La apertura numrica del material relaciona los ndices de refraccin del ncleo y del
revestimiento mediante la siguiente frmula:
2
2
2
1
n n NA = (2)
Los ngulos a los cuales se pueden propagar los rayos por la fibra forman el llamado cono de
aceptancia. El cono de aceptancia se relaciona con la NA mediante la frmula:
sen NA = (3)
donde es la mitad del ngulo de aceptancia.

Figura 12 ngulo de aceptancia de una fibra ptica
9

8
9
2.2 Dispositivos optoelectrnicos
En los sistemas de comunicacin en los que se utiliza fibra ptica como medio de transporte
para la informacin, son necesarios dispositivos que conviertan una seal elctrica en una
seal ptica y viceversa.

2.2.1 Dispositivos emisores de luz
Los diodos lser y los diodos emisores de luz son los dos tipos de fuentes ms
utilizadas en los sistemas de comunicacin por fibra ptica. A continuacin se presenta una
breve descripcin de cada uno de ellos.

2.2.1.1 Diodo emisor de luz LED
Un diodo emisor de luz es una unin semiconductora pn que emite luz cuando se
polariza directamente.

Funcionamiento
Cuando se une un semiconductor tipo n con un semiconductor tipo p, se tiene que tanto
los electrones libres en la regin n, como los huecos libres en la regin p no tienen la
suficiente energa para sobrepasar la barrera de unin y desplazarse hacia la regin opuesta.
En este punto, la energa potencial de los huecos, siendo opuesta a la de los electrones provoca
un incremento en la barrera de unin.
Al aplicar un voltaje directo en la unin y agregar impurezas dopantes para proveer
una mayor cantidad de electrones y huecos durante la emisin, la barrera de separacin se
reduce. Si la energa suplida es al menos igual que la energa en la regin prohibida (cantidad
de energa entre la banda de valencia y la banda de conduccin) los electrones libres y los
huecos libres tendrn la suficiente energa para moverse en la regin de unin.
Cuando un electrn libre se une con un hueco libre en la barrera de unin, el electrn
puede pasar a la banda de valencia. La energa perdida en la transicin es convertida en
energa ptica en forma de un fotn. En resumen, la emisin de un LED es causada por la
recombinacin de electrones y huecos que son introducidos en la unin de un semiconductor
pn al aplicrsele un voltaje directo.


(a) (b)

(c)

10
(a) Semiconductor dopado con impurezas. (b) Doblamiento de bandas de energa.
(c) LED polarizado

La relacin entre la energa de un fotn y la frecuencia es:

hf E = (4)
donde:
E: Energa (J)
h: Constante de Planck: 6.6261x10
-34
Js
f: frecuencia (Hz)
La longitud de onda se expresa por:

10
Fuente: Boletn Medicin de la constante de Planck utilizando LEDs, Universidad de Buenos Aires, pgina 3
f
c
= (5)
donde:
: Longitud de onda
c: velocidad de la luz en el vaco
f: Frecuencia (Hz)

Entonces la longitud de onda radiada se puede expresar como:

g
E
hc
= (6)

donde:
Eg : Energa de brecha (J)
: Longitud de onda (m)
Si se expresa la energa de separacin en electrn volts y la longitud de onda en manmetros:

g
E
3
10 24 . 1
= (7)

Construccin
Diversos materiales y aleaciones se utilizan para obtener diferentes niveles de energa
en la banda prohibida.
La siguiente tabla presenta algunos de los materiales usados en la fabricacin de
LEDs, as como su longitud de onda de operacin y su energa de banda prohibida.

Tabla 4 Materiales utilizados en la fabricacin de LED`s y sus caractersticas
Material Longitud de onda (nm) Energa de banda
prohibida (eV)
GaInP 640-680 1.82-1.94
GaAs 900 1.4
AlGaAs 800-900 1.4-1.55
InGaAs 1000-1300 0.95-1.24
InGaAsP 900-1700 0.73-1.35

11

Una unin pn formada por un solo semiconductor se conoce como homojuntura. Un
LED construido de esta forma no confina su emisin muy bien. Los fotones son radiados de
los bordes de la unin y de su superficie plana, esto hace que el acople con ciertas fibras
pticas sea ineficiente. En la actualidad se construyen mejores superficies de acople para estos
dispositivos, entre estas se puede mencionar la conocida como Burrus o etched web, la cual
es la ms utilizada en la fabricacin de LEDs.

Caractersticas de operacin de un LED
La potencia ptica generada por un LED es linealmente proporcional a la corriente que
circula por el dispositivo cuando es directamente polarizado. La siguiente ecuacin muestra
dicha relacin:
g
niE P = (8)

11
Fuente: Libro Optoelectronics : An Introduction, Prentice-Hall, pgina 151
donde:
P: Potencia de salida (mW)
n: Fraccin de cargas que se recombinan
i: Corriente (mA)
Eg: Energa de banda prohibida (eV)

Tpicamente un LED opera alrededor de los 50 a 100 mA y requiere un voltaje de 1.2 a1.8 V.
Un LED puede ser modulado analgicamente o digitalmente, como se detalla a continuaci:
La modulacin digital se puede hacer mediante una fuente de corriente, la cual hace
simplemente que el LED se encienda y se apague. La modulacin analgica requiere de una
componente de corriente directa para tener todo el tiempo el valor de la corriente total en la
direccin de polarizacin directa. Sin esta componente dc, una oscilacin negativa en la seal
de corriente podra polarizar inversamente el diodo, apagndolo.
Con base en la modulacin analgica la corriente total del diodo se puede expresar como una
componente de corriente directa y una componente de corriente alterna, como se establece a
continuacin:
t sen I I i
sp dc
+ = (9)
donde:
Isp: componente de corriente alterna pico de la seal
Idc: componente de corriente directa
La correspondiente seal de potencia ptica es por consiguiente:
t sen P P P
sp dc
+ = (10)
donde:
Psp: componente de potencia alterna pico de la seal
Pdc: componente de potencia directa

Los LEDs comerciales presentan un ancho de banda relativamente pequeo. Valores
tpicos se hallan dentro del rango de 1 a 100 MHz.
El tiempo de levantamiento (t
r
) tpico de un LED va de unos pocos nanosegundos hasta
250 ns.
La eficiencia de acoplamiento depende del patrn de radiacin del diodo. Los emisores
de superficie emiten radiacin segn un patrn conocido como Lambertiano. En este patrn la
potencia disminuye como una funcin cos, donde es el ngulo entre la direccin de visin
y la normal a la superficie.
Los LEDs son muy confiables y de larga duracin si se les utiliza dentro de los lmites
de potencia, voltaje, corriente y temperatura especificados por el fabricante.

2.2.1.2 Diodo lser LD
El diodo lser es otro dispositivo formado por semiconductores, pero a diferencia de
los LEDs, el diodo lser est confinado en una cavidad que le proporciona caractersticas
muy especiales.

Funcionamiento
Cuando el diodo es directamente polarizado, las cargas son introducidas dentro de la
capa activa donde la recombinacin tiene lugar causando la emisin espontnea de fotones,
caso semejante al explicado para la emisin del LED, slo que algunas de las cargas
introducidas dentro del semiconductor son estimuladas para emitir otros fotones. Si la
densidad de corriente es lo suficientemente alta, entonces un gran nmero de cargas
introducidas estn disponibles para estimular la recombinacin. Entonces de este modo la
ganancia ptica se hace mayor.
La corriente de umbral es alcanzada cuando es lo suficientemente grande como para
vencer las prdidas del diodo. En este punto, la oscilacin lser ocurre. La corriente de umbral
debe ser pequea para prevenir el sobrecalentamiento del semiconductor, particularmente
cuando opera de forma continua o con altos picos de potencia.

Construccin
La construccin de los diodos lser tiene una construccin muy similar a los diodos
emisores de luz.
La cavidad lser, tpicamente de 300 m, se conforma al pegar a lo largo de las caras
frontal y superior del semiconductor planos cristalinos paralelos. Por medio de esto, se logra
una cantidad importante de reflexin que provee la suficiente realimentacin para que se
presente la oscilacin y se genere as la emisin estimulada.

Figura 15 Configuracin interna de un diodo lser
12

Caractersticas de operacin de un diodo lser
La curva caracterstica de potencia contra la corriente cuando el diodo lser se halla
directamente polarizado se presenta a continuacin:

Figura 16 Curva caracterstica de un diodo lser
13

La potencia de salida para un diodo lser que opera de forma continua vara
tpicamente de 1 mW a 10 mW. La corriente de operacin es generalmente de 20 mA a 40 mA
por encima de la corriente de umbral.
Los diodos lser son ms sensitivos a los cambios de temperatura que los LEDs. Conforme
aumenta la temperatura, la ganancia del diodo decrece, hasta que ms corriente es requerida
para que la oscilacin pueda continuar, provocando un incremento de la corriente de umbral.

12
Fuente: LIbro Optoelectronics : An Introduction, Prentice-Hall, pgina 218

13

Figura 17 Efectos de la temperatura en un diodo lser
14

La longitud de onda de un diodo lser tambin depende de la temperatura. Esta se
incrementa debido a la dependencia del ndice de refraccin del material con la temperatura.
Tpicamente, estos cambios son del orden de 0.3 nm/C.
Al igual que los diodos emisores de luz los diodos lser pueden ser modulados
digitalmente o analgicamente.
Los diodos lser son ms rpidos que los diodos emisores de luz, debido a que el
tiempo de levantamiento del LED es determinado por la emisin espontnea natural del
material, y el tiempo de levantamiento de un diodo lser depende del tiempo de vida de
emisin estimulada. Para que se genere una ganancia, el tiempo de vida estimulado debe ser
menor que el tiempo de vida espontneo.
Otra caracterstica importante de los diodos lser es que su patrn de radiacin est
contenido en una regin angular pequea, haciendo el acople con la fibra ms fcil y eficiente.

Figura 18 Patrn de radiacin de un LED y un diodo lser

14
2.2.2 Dispositivos detectores de luz
Estos dispositivos convierten la radiacin ptica en seales elctricas, sean estas de
voltaje o corriente.
Estos dispositivos funcionan bajo el principio de que portadores de carga libres, sean
estos electrones o huecos, son generados por absorcin de fotones que entran a una seccin
del dispositivo. Este proceso se conoce como efecto fotoelctrico interno.
Entre las propiedades ms importantes de los fotodectores se pueden mencionar:

Responsitividad
Es la razn de la corriente de salida del detector a su potencia ptica de entrada. Sus
unidades son A/W.
P
i
= (11)
donde:
: Responsitividad
i : Corriente de salida del detector
P : Potencia ptica de entrada

Figura 19 Curva de responsitividad tpica de un fotodiodo SI y un fotodetector ideal
15

15
Fuente: Libro Optoelectronics : An Introduction, Prentice-Hall, pgina 313
Respuesta espectral
Se refiere a la curva de la responsitividad del detector como una funcin de su longitud
de onda.

Figura 20 Responsitividad en funcin de la longitud de onda
16

Tiempo de levantamiento
Es el tiempo para que la corriente de salida del detector cambie de un 10% a un 90%
de su valor final cuando la entrada es un escaln.

Figura 21 Tiempo de levantamiento de un fotodetector
17

16
Fuente: Libro Technicians Guide to Fiber Optics, Delmar Publishers Inc., pgina 113
17
2.2.2.1 Fotodiodo pn
El proceso bsico de deteccin es aquel que se da cuando el diodo es inversamente
polarizado, la barrera de energa potencial entre las regiones p y n se incrementa. Los
electrones libres en la regin n y los huecos en la regin p no pueden brincarse la barrera en la
medida que exista una corriente en sentido directo circulando. Debido a que no hay cargas
libres en la unin, se le conoce a esta zona como regin de vaciamiento. Al no haber cargas
libres, su resistencia es alta, resultando que casi todo el voltaje de cada del diodo aparece a
travs de la unin.
Si un fotn incidente es absorbido en la unin, la energa hace que un electrn pase de la
banda de valencia a la banda de conduccin, por lo que ahora es libre de moverse. Por
consiguiente, un hueco libre queda en la banda de valencia, en la posicin dejada por el
electrn. As sucesivamente ms portadores de carga libres son creados por absorcin de
fotones. Con portadores de carga libres en movimiento se produce una corriente que fluye
a travs del circuito externo. Una vez que los huecos libres y los electrones se han
recombinado o bien cuando alcanzan el borde de la unin, donde las fuerzas elctricas son
pequeas, las cargas dejan de moverse, lo cual produce que ya no fluya ms corriente.
Cuando un fotn es absorbido en las regiones p o n fuera de la unin, un par electrn-hueco se
crea, pero estas cargas libres no se movern rpidamente debido a las fuerzas elctricas
dbiles fuera de la unin. La mayora de cargas libres se difunden lentamente a travs del
diodo y se recombinan antes de alcanzar la unin. Estas cargas producen una corriente
despreciable, reduciendo as la responsitividad del detector.

Figura 22 Configuracin interna de un fotodiodo pn
18

18
FuenteOptoelectronics : An Introduction, Prentice-Hall, pgina 313
Los diodos pn tpicos tienen tiempos de levantamiento del orden de microsegundos,
hacindolos inadecuados para sistemas de fibra de alta fidelidad.

2.2.2.2 Fotodiodo PIN
El fotodiodo PIN es el ms comn de los detectores en sistemas de comunicacin por
fibra ptica. Posee una amplia capa semiconductora intrnseca entre las regiones p y n. Esta
capa no tiene cargas libres, pero es de alta resistencia. La mayora del voltaje aplicado es
sobre esta capa, generando fuerzas elctricas fuertes dentro de ella. Tambin existe una alta
probabilidad de que los fotones sean absorbidos en ella en lugar de ser absorbidos en las capas
p y n; esto mejora la eficiencia y la velocidad relativa con respecto al fotodiodo

Caractersticas de operacin de un fotodiodo PIN
Cuando el fotodiodo es polarizado inversamente se dice que opera en modo
fotoconductivo, es decir, la corriente de salida es proporcional a la potencia ptica. Cuando no
se provee de un voltaje reverso, el diodo se halla en conexin directa y se dice que opera en
modo fotovoltaico. En comunicaciones por fibra ptica los detectores operan en modo
fotoconductivo. A continuacin se presentan las curvas de corriente-voltaje tpicas para un
fotodiodo PIN.

Figura 23 Curva caracterstica de corriente-voltaje para un fotodiodo PIN
19

19
An cuando no hay potencia ptica presente, una pequea corriente inversa fluye a
travs del diodo cuando se halla polarizado inversamente; esta es la llamada corriente de
oscuridad I
D
. La corriente de oscuridad es causada por la generacin trmica de portadores de
carga libres en el diodo. Por ser de origen trmico, se incrementa rpidamente con el aumento
de temperatura, al punto de duplicarse por cada aumento de 10 C con respecto a la
temperatura ambiente. El rango de valores tpicos para la corriente de oscuridad va desde unos
pocos nanoamperios hasta un orden de cientos de ellos. Por lo general, los fotodetectores de
silicio son los que presentan el valor de corriente de oscuridad ms bajo y los de germanio los
valores ms altos.
La saturacin, se refiere al estado de operacin donde la potencia ptica de entrada es
mayor que la corriente de salida y el voltaje no puede seguir la entrada de forma lineal.
Cuando el diodo est saturado, el detector responde a los cambios de entrada ptica un poco
ms lentamente, provocando distorsiones de la seal y disminuyendo los tiempos de respuesta
en el receptor, limitando su ancho de banda. La relacin idnea entre el voltaje de salida y la
potencia ptica es:
L
R P V = (12)
donde:
V : Voltaje de salida (V)
P : Potencia de salida (mW)
: Responsitividad del dispositivo (A/W)
R
L
: Resistencia de carga ()

Por otra parte, la velocidad de respuesta de un fotodetector est limitada por lo que se
denomina el tiempo de transicin, que es el tiempo que le toma a los portadores de carga
libres atravesar la capa de vaciamiento. En un diodo PIN la longitud de la regin de
vaciamiento es justo el ancho de la capa intrnseca. La velocidad de los portadores de carga
libres es linealmente proporcional a la magnitud del voltaje reverso, por lo que los voltajes
demasiado elevados disminuyen el tiempo de transicin.
El tiempo de levantamiento en estos dispositivos depende de la capacitancia de unin y
de la resistencia de carga, como se expresa en la siguiente frmula:
d L r
C R t 19 . 2 = (13)
El ancho de banda se calcula como:
d L
dB
C R
f
2
1
3
= (14)
donde:
R
L
: Resistencia de carga ()
C
d
: Capacitancia del dispositivo (pF)

Los fotodiodos diseados para aplicaciones de alta velocidad tienen capacitancias de
pocos pico-faradios. La velocidad de respuesta puede estar limitada por el tiempo de
transicin o por el tiempo de levantamiento, el que sea mayor. Valores de tiempo de
levantamiento para fotodetectores PIN son del orden de 0.5 a 10 ns.
La siguiente tabla resume algunas caractersticas de los fotodiodos PIN dependiendo
del tipo de material del que estn hechos.

Tabla 5 Materiales para la fabricacin de PIN`s y sus caractersticas

Material Longitud de
onda (nm)
Longitud de
onda pico
(nm)
Tiempo de
levantamiento
(ns)
Responsitividad
(A/W)
Corriente de
oscuridad
(nA)
Silicio 300-1100 800 0.5 05 1
Germanio 500-1800 1550 0.1 0.7 200
InGaAs 900-1700 1700 0.3 0.6 10

2.2.2.3 Fotodiodo de avalancha APD
El fotodiodo de avalancha es un detector de unin semiconductor, que tiene alta
ganancia interna y que presenta una responsitividad ms alta que un fotodiodo pn o un
fotodiodo PIN.
Cuando un fotn es absorbido en la regin de vaciamiento, crea un electrn libre y un
hueco libre. Las fuertes fuerzas elctricas que se generan en esta regin causan que estas
cargas libres que ahora existen se aceleren, ganando energa cintica. Cuando estas cargas
aceleradas chocan con tomos neutros, se crean pares electrn-hueco adicionales que usan
parte de su energa cintica para hacer que los electrones crucen la banda de energa. Una
carga acelerada puede generar varias cargas secundarias nuevas y estas cargas pueden generar
otras, as sucesivamente generando una mayor cantidad de pares electrn-hueco.

Caractersticas de operacin de un fotodiodo de avalancha
Los fotodiodos de avalancha son usualmente variaciones de los fotodiodos PIN,
principalmente en cuanto a valores de ganancia se refiere. Esta se puede expresar como:
n
BR
d
V
V
M
=
1
1
(15)
donde:
M : Ganancia del fotodiodo
V
d
: Voltaje reverso aplicado (V)
V
BR
: Voltaje de quiebra reverso (V)
n : Parmetro emprico (mayor que la unidad)

Al igual que el fotodiodo PIN la velocidad de respuesta del APD est limitada por el
tiempo de transicin de los portadores de carga y por la constante de tiempo RC. Tiempos de
levantamiento del orden de 100 ps se pueden obtener con diodos de avalancha de silicio o
germanio.
La siguiente tabla resume algunas caractersticas de los APD`s dependiendo del tipo de
material del que estn hechos.

Tabla 6 Materiales para la fabricacin de APD`s y sus caractersticas
Material Longitud de
onda (nm)
Tiempo de
levantamiento
(ns)

Responsitividad
(A/W)
Corriente de
oscuridad
(nA)
Ganancia
Silicio 400-1000 0.5 75 15 150
Germanio 1000-1600 1 35 700 50
Ingaes 1000-1700 0.25 12 100 20

2.2.2.4 Fototransistores
Un fototransistor es una combinacin integrada de fotodiodo y transistor bipolar
sensible a la luz donde la base recibe la radiacin ptica. Existen transistores de efecto de
campo FET, que son muy sensibles a la luz. La corriente inducida por el efecto fotoelctrico
es la corriente de base del transistor.
El fototransistor no solo convierte la luz en una seal elctrica, sino que tambin la
amplifica. A causa de esta amplificacin presenta mayor ganancia que un fotodiodo; sin
embargo, es de un ancho de banda ms limitado.
Los fototransistores se construyen con silicio o germanio, similarmente a cualquier
tipo de transistor bipolar, adems se les adhieren otros materiales llamados impurezas o
dopantes. Existen tanto fototransistores NPN como PNP. Debido a que la radiacin es la que
dispara la base del transistor, y no una corriente aplicada elctricamente, usualmente la patilla
correspondiente a la base no se incluye en el transistor.
El mtodo de construccin es el de difusin por medio del cual, los dopantes penetran
la superficie slida del silicio. Sobre una superficie sobre la cual ya ha ocurrido la difusin, se
pueden realizar difusiones posteriores, creando capas de dopantes en el material.
La parte exterior del fototransistor est hecha de un material llamado epoxy, que es
una resina que permite el ingreso de radiacin hacia la base del transistor.

2.3 Tcnicas de multiplexacin por divisin de longitud de onda WDM
El ancho de banda de una conexin de fibra ptica se puede incrementar transmitiendo
datos ms rpidamente o transmitiendo diversas longitudes de onda en una nica fibra,
conocida como WDM. El WDM se consigue usando un multiplexor para combinar
longitudes de onda viajando por diferentes fibras hacia una sola fibra. El receptor de la
conexin utiliza un demultiplexor que separa las longitudes de onda y las dirige hacia
diferentes fibras que finalizan en diferentes receptores. El espacio entre las longitudes de
onda individuales transmitidas a travs de la misma fibra sirve de base para diferenciar entre
DWDM y CWDM.


Figura 25 Esquema de transmisin WDM

En sus inicios la tcnica de WDM usaba dos longitudes de onda extensamente
espaciadas en las regiones de 1310 nm y 1550 nm, llamada WDM de banda amplia. La
siguiente figura muestra esta simple configuracin de WDM, donde una fibra se usa para
transmitir y la otra para recibir.

Figura 26 Transmisin en WDM

A principios de 1990 surgi una segunda generacin llamada WDM de banda estrecha,
en la cual se usaban de 2 a 8 canales, los cuales fueron separados en un intervalo de 400 GHz
en la ventana de 1550 nm. A mediados de 1990 emergi el sistema de DWDM con una
capacidad de 16 a 40 canales con una separacin de 100 a 200 GHz, y a finales de esa dcada
el sistema se desarroll al punto de soportar de 64 a 160 canales paralelos en intervalos de 50
a 25 GHz. Recientemente la tcnica CWDM se ha convertido en una alternativa de bajo costo
para las necesidades de transporte de informacin. El CWDM es cada vez ms ampliamente
aceptado como una importante arquitectura de transporte. A diferencia de DWDM, los
sistemas basados en tecnologa CWDM usan lser de realimentacin distribuida DBF no
enfriado y fibra ptica de banda ancha. Estas tecnologas proporcionan varias ventajas a los
sistemas CWDM como un menor consumo energtico, tamao inferior y costos ms bajos. La
disponibilidad comercial de los sistemas CWDM que ofrecen estos beneficios hacen de esta
tecnologa una alternativa viable a los sistemas DWDM para muchas aplicaciones de redes de
rea metropolitana y redes de acceso.
Los sistemas DWDM usan tpicamente separaciones de longitudes de onda de 200
GHz (1.6nm), 100 GHz (0.8nm) o 50 GHz (0.4nm) con futuros sistemas en proyecto para
tener incluso espacios ms estrechos. Las longitudes de onda operativas en sistemas DWDM
estn definidas segn una escala de frecuencias estandarizada, desarrollada por la Unin
Internacional de Telecomunicacin.
Los lsers DBF se usan como fuentes en sistemas DWDM. La longitud de onda deriva
aproximadamente 0.08nm/C con temperatura. Los lsers DBF se enfran para estabilizar la
longitud de onda y evitar que vare fuera de la banda de los filtros de los multiplexores y los
demultiplexores cuando la temperatura flucta en los sistemas DWDM.
Los sistemas CWDM usan lser DBF sin peltier ni termistor. Son especficos para
operar desde 0C hasta 70C con la longitud de onda del lser variando aproximadamente 6
nm sobre este rango. Esta longitud de onda vara acompaada de la variacin de longitud de
onda del lser hasta +/-3nm debido a los procesos de fabricacin de ste, lo que produce una
variacin total de aproximadamente 12nm.
La banda del filtro ptico y el espaciado entre canales tiene que ser suficientemente
ancho para acomodar la variacin del ancho de la portadora de los lsers no refrigerados de
los sistemas CWDM. El espaciado entre portadoras de estos sistemas es tpicamente de 20
nm. El sistema CWDM ofrece algunas ventajas claves sobre los sistemas DWDM para
aplicaciones que requieren hasta 18 o menos canales. Estos beneficios incluyen costos,
requerimientos de energa y espacio.

CAPTULO 3: Enlace de comunicacin ptico IFO

3.1 Enlace de voz ptico para fibra ptica de plstico

Este sistema consta de dos terminales cada una con un transmisor y un receptor por
medio de los cuales se establece una comunicacin punto a punto. Cabe resaltar que para
establecer una comunicacin entre dos individuos se necesitan dos canales de transmisin,
debido a que el receptor y el emisor de cada terminal estn separados, es decir, se necesitan
dos fibras pticas para enlazar cada pareja emisor-receptor del sistema.

Figura 27 Enlace punto a punto mediante dos fibras pticas de plstico

A continuacin se analizarn cada una de las etapas del circuito transmisor y el circuito
receptor.

3.1.1 Transmisor
Un simple transmisor ptico est formado tpicamente por un buffer, un
amplificador y una fuente ptica. El seguidor de voltaje provee una conexin elctrica y un
aislamiento entre el amplificador y el sistema elctrico que suple los datos. La seal de salida
del amplificador alimenta al LED que genera el patrn de datos recibidos en una seal ptica.


Figura 28 Circuito esquemtico del transmisor de voz ptico
20

Operacin del circuito
Las vibraciones captadas por el micrfono son sensadas y reproducidas mediante una
seal AC proporcional a la intensidad y la frecuencia de la seal acstica. Esta seal AC es
acoplada a travs de un capacitor C2 al amplificador de audio LM386N, el cual amplifica la
seal y la conduce hasta el LED L2. La salida del LED es una seal ptica AC con una
componente DC.

Micrfono
Las vibraciones acsticas de la voz son captadas por el micrfono MIC1 que tiene una
membrana sensitiva y un transistor de efecto de campo FET. El micrfono y la resistencia
R2 forman un divisor de voltaje; cuando no existe una entrada de voz, el micrfono acta
como una resistencia pasiva, generando una cada de voltaje a travs del micrfono cercana a
los 7 voltios. Cuando el sonido es sensado por el micrfono esta resistencia y por lo tanto la
cada de voltaje variar de acuerdo a la intensidad y a la frecuencia de la seal.

Amplificador
El amplificador de audio est diseado para trabajar a bajos voltajes. Este tiene una
impedancia de 50 k. Esta impedancia combinada con el capacitor C2 de 0.047 F generan
una frecuencia de corte aproximada a 70 Hz para las seales del micrfono. Esta frecuencia se
calcula mediante la siguiente frmula:
RC
f
dB
2
1
3
= (16)

20
A continuacin se detalla dicho clculo:

) 10 047 . 0 )( 10 50 ( 2
1
6 3
3

=
dB
f
Hz f
dB
7 . 67
3
=

La ganancia del LM386N como se muestra en el circuito esquemtico es de 20. Las entradas
al amplificador son referidas a tierra y el voltaje de salida es internamente polarizado a la
mitad del voltaje suplido, causando una corriente DC que fluye a travs del LED y es igual a:

3
2
R
V
V
I
LED
cc
LED
= (17)

donde V
cc
= 9V y V
LED
= 1.5V
por lo tanto:
150
5 . 1
2
9
=
LED
I
mA I
LED
20 =

Diodo emisor de luz
El LED IF-E96 usado emite luz roja cuya longitud de onda se centra en los 660 nm.
Este LED tiene una cubierta que funciona como conector para acoplarlo a una fibra ptica de
plstico cuyo dimetro del ncleo es de 1000 m.
Este tipo de LED es muy usado frecuentemente porque es barato, confiable, fcil de
manipular, responde rpidamente a la corriente aplicada y el rango de temperatura al cual
puede operar es muy amplio.
El transmisor cuenta con un interruptor para encenderlo y apagarlo cuando se requiera.
Cuando el interruptor est cerrado el circuito consume cerca de 25 mA y un LED rojo sirve de
indicador de encendido.
El circuito tiene tambin un capacitor C1 de 220 F que funciona como una fuente de
baja impedancia cuando el LM386N requiere una mayor cantidad de energa para suplir al
LED.

3.1.2 Receptor
Una vez que la seal transmitida por la fibra ptica alcanza su destino, esta debe ser
convertida en una seal elctrica con el mismo patrn de informacin proveniente del
transmisor. Un receptor ptico usa tpicamente tres elementos: un fotodetector, un
amplificador y algunas veces un seguidor de voltaje.
El fotodetector convierte la seal ptica en una corriente elctrica. Cualquier patrn o
modulacin de la seal proveniente del transmisor ser reproducida como una corriente
elctrica con el mismo patrn.
La potencia ptica puede experimentar prdidas significativas en largos tramos de fibra
y por lo tanto el fotodetector generar una seal elctrica dbil. Para compensar la atenuacin
de la seal se utiliza un amplificador para incrementar la amplitud de la seal elctrica.
Finalmente, un buffer asla el fotodetector y el amplificador de cualquier otra carga en el
receptor.

Figura 29 Circuito esquemtico del receptor de voz ptico
21

21
Operacin del circuito
La seal que sale de la fibra ptica entra a un fototransistor NPN IF-D92 el cual
convierte la luz en una corriente que fluye a travs del potencimetro R2 donde se produce un
voltaje cuya amplitud depende de la resistencia del potencimetro y la corriente generada por
el fototransistor. Este voltaje es acoplado en AC a travs del capacitor C1 al amplificador U1,
el cual incrementa el voltaje AC de la seal de entrada. La salida del amplificador es acoplada
a un parlante de 8 que convierte la seal elctrica en una seal de audio capaz de ser
percibida por una persona.

Fotodetector y potencimetro
El fotodetector utilizado es el IF-D92 el cual es un fototransistor NPN. La
responsitividad tpica para este dispositivo es de 125 A/W.
La corriente a travs del fototransistor genera un voltaje cuando circula por el
potencimetro y con este se controla el volumen de la seal de audio recibida.

Amplificador y parlante
El amplificador de audio LM-386N es configurado de la misma forma que se
configur en el circuito transmisor. El capacitor C4 y la resistencia R3 proveen una
compensacin de carga capacitiva debido a la carga inductiva que significa el parlante para el
amplificador. El parlante de 8 se acopla al amplificador mediante el capacitor electroltico
C3 de 220 F. Como en el circuito transmisor, este tiene tambin un capacitor C1 de 220 F
que funciona como una fuente de baja impedancia cuando el LM386N requiere una mayor
cantidad de energa para suplir al parlante.

CAPTULO 4 : Modificacin del sistema original para establecer
la comunicacin mediante fibra ptica de vidrio multimodo

Debido a que el sistema original est diseado para utilizar fibra ptica de plstico, fue
necesario realizar algunas modificaciones a los circuitos con el fin de adaptarlo al nuevo canal
de transmisin, para proveer la posibilidad de establecer una comunicacin en ambos sentidos
y un mismo instante full-duplex entre las dos terminales utilizando una sola fibra ptica
para el enlace de las terminales.
Para alcanzar el objetivo citado anteriormente se utilizaron los dispositivos CWDM Mitel, los
cuales constan de un emisor y un receptor integrados en un mismo mdulo, configurados en
un sistema ptico interno el cual tiene un divisor de haz que permite la multiplexacin de las
seales, como se muestra en la siguiente figura.

Figura 30 Configuracin interna de los mdulos Mitel
22

Es importante destacar que el sistema que trabaja con fibra de plstico utiliza como detector
un fototransistor, mientras que sistema adaptado para trabajar con fibra de vidrio multimodo
utiliza como detector un fotodiodo PIN, lo que le proporciona al nuevo sistema una serie de
ventajas, las cuales se mencionaron anteriormente.

22
Fuente: Catlogo del fabricante Mitel, dispositivo MF699, pgina 24
Para adaptar el LED de los CWDM en el circuito receptor de cada terminal fue
necesario sustituir la resistencia de 150 por una resistencia de 56 con el fin de obtener
una corriente de alrededor de 54 mA adecuada para el funcionamiento de este dispositivo.
Adicionalmente en el montaje del circuito se incluyeron unas bases de tres pines con el
objetivo de poder usar el sistema original, es decir, utilizar los emisores y los receptores para
fibra de plstico. Esta seleccin se hace mediante dos interruptores incluidos en cada terminal,
los cuales habilitan o el mdulo Mitel o los mdulos del emisor y el receptor para la fibra
ptica de plstico.

4.1 Prueba del enlace de voz por fibra multimodo
Bsicamente las pruebas realizadas consistieron en el establecimiento del enlace de
voz por tramos de fibra ptica multimodo de 62.5/125 m de distintas longitudes, para
determinar que tan buena es la seal de audio percibida.
Primeramente se prob el enlace utilizando un cable de fibra con longitud de 3 m
Patch-Cord, al determinar que la seal se perciba con gran claridad se usaron tramos de
fibra con longitudes de 1.188 km y 2.202 km por separado; al obtener resultados igualmente
satisfactorios, se unieron los dos carretes para obtener una distancia total de 3.390 km, a esta
distancia la seal percibida es bastante buena, aunque si se puede percibir una pequea
disminucin del nivel de volumen de la seal.
Cabe destacar que el sistema se prob utilizando como alimentador un adaptador de
voltaje para cada terminal, sin embargo los resultados obtenidos no fueron satisfactorios
debido a los altos niveles de ruido percibidos, ya que estos adaptadores no cuentan con una
regulacin del nivel de voltaje que suplen.
Adicionalmente se prob el sistema utilizando un cable doble de fibra ptica de
plstico de 15 m aproximadamente para probar la versatilidad del sistema implementado.
Las figuras 31 y 32 muestran a continuacin las terminales implementadas:

Figura 31 Terminal de comunicacin 1

Figura 32 Terminal de comunicacin 2

CAPTULO 5: Conclusiones y recomendaciones

Cuando se trabaja con circuitos que utilizan dispositivos optoelectrnicos es de gran
importancia tener en cuenta las especificaciones elctricas dadas por los fabricantes,
con el fin de obtener el mejor desempeo posible de estos elementos y evitar daarlos.

Las caractersticas de los propios semiconductores hacen que la seal elctrica
generada por un fotodetector sea muy pequea, por lo que se requiere en la mayora de
los casos dependiendo la aplicacin, la amplificacin de dicha seal; como es el caso
especfico del circuito receptor del enlace ptico utilizado.

As como las especificaciones elctricas de los elementos optoelectrnicos son
importantes, las caractersticas pticas tambin lo son, ya que acople entre emisor y
receptor debe ser el mejor, es decir; que la longitud de onda pico de un emisor debe
coincidir en la medida de lo posible con la longitud de onda pico del receptor para
lograr una eficiente reproduccin de la seal transmitida.

El sistema de comunicacin implementado en el desarrollo de este proyecto, es
realmente un sistema muy sencillo pero a la vez es bastante prctico que brinda una
idea del porque en la actualidad el medio ideal para la transmisin de voz o datos a
gran escala es la fibra ptica.

Una aplicacin prctica de este sistema de comunicacin puede ser el uso en
instalaciones y reas de trabajo donde la comunicacin por radio, telfono
convencional o celular no es accesible o no es permitida y exista la facilidad de
enlazarse por medio de fibra ptica.

No es un medio recomendable para hacer pruebas sobre la fibra ptica, ya que es un
simple enlace de voz ptico y no se pueden medir una serie de parmetros importantes
exigidos en redes pticas.

Es posible adaptar los circuitos para que sean alimentados por medio de un adaptador
de voltaje, pero sin embargo hay que agregarle a estos un regulador de voltaje de 8 V
para evitar el ruido que se genera por las variaciones de voltaje del adaptador.

Si se desea aumentar la ganancia del circuito receptor hasta 200 es posible agregar un
capacitor electroltico de 10 F, ya que el amplificador de audio LM386 tiene
provistas las patillas 1 y 8 para dicho fin, por lo que el circuito impreso tiene un
espacio disponible para realizar esta modificacin.

BIBLIOGRAFA

1. Wilson, J; Hawkes,J. Optoelectronics: An Introduction, Prentice-Hall, Estados
Unidos de Amrica,1983.
2. Palais,J. Fiber Optic Communications, Prentice-Hall, Estados Unidos de
Amrica,1992.
3. Sterling,Donald. Technicians Guide To FIBER OPTICS, Segunda Edicin, Delmar
Publishers Inc.,New York, 1993.
4. Stallings,William. COMUNICACIONES Y REDES DE COMPUTADORAS,
Quinta Edicin, Prentice-Hall, Madrid,1997.
5. Senior,J. Optical Fiber Communications, Prentice-Hall, EUA, 1992
6. Manual The Optical Voice Link, Industrial Fiber Optics,1998

ANEXOS

Se incluyen en esta seccin las especificaciones tcnicas de los dispositivos electrnicos y
optoelectrnicos utilizados, as como un dispositivo comercial similar al implementado en este
proyecto.

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