DATOS SIMULADOS:

VDS(v) VRD(v) VGS (v) ID(A)

5 0.0000258 0 6.78947E-07
5 0.0000258 3.94 6.78947E-07
5 9.02 4.27 0.237368421
5 11.2 4.3 0.294736842
0.144 0.00000092 3.94 2.42105E-08
0.517 0.00000284 3.94 7.47368E-08
1 0.00000532 3.94 0.00000014
1.5 0.00000788 3.94 2.07368E-07
2 0.0000104 3.94 2.73684E-07
5 0.0000258 3.94 6.78947E-07
7 0.0000361 3.94 0.00000095
8 0.0000412 3.94 1.08421E-06
8.5 0.0000438 3.94 1.15263E-06
9 0.0000464 3.94 1.22105E-06
10 0.0000515 3.94 1.35526E-06
20 0.000103 3.94 2.71053E-06

GRAFICA DATOS SIMULADOS:


CURVA DADA POR FABRICANTE:



1E-08
0.0000001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0 5 10 15 20 25
CONCLUSIONES:
ALBERTO GARDUO HERNANDEZ
La polarizacin de un JFET exige que las uniones pn estn inversamente polarizadas, para un
JFET de canal N, el voltaje del drenaje debe ser mayor que el voltaje de la fuente para que exista
un flujo de corriente a travs del canal, adems la el voltaje de compuerta debe ser ms negativo
que el de la fuente para que la unin pn se encuentre polarizada inversamente. Las curvas del
JFET son muy parecidas a las de los transistores bipolares, con la diferencia que los JFET son
controlados por tensin, mientras que los bipolares por corriente.

Los transistores MOSFET (Metal-Oxido-Semiconductor) son dispositivos de efecto de campo, al
igual que los JFET, que utilizan un campo elctrico para crear un canal de conduccin.
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente, pero sus ecuaciones
analticas soy muy similares, por esto los transistores MOS tienen las mismas regiones de
operacin que los JFET.

Finalmente cabe resaltar que los transistores BJT son controlados por corriente, puede manejar
altas frecuencias y potencias, se usan como interruptores amplificadores y en el rea de
comunicaciones. Los transistores tipo FET son controlados por voltaje, involucra una fabricacin de
sustrato, dixido de silicio como aislante y metal para las terminales, consume poca potencia.
Adems tiene la cualidad de tener una zona donde se comporta como resistencia por lo tanto en
circuitos integrados se puede usar para suplir a las resistencias porque son ms pequeos. Por
ltimo tienen tiempos de conmutacin ms rpidos que los BJT.

Basndonos en las caractersticas de cada una de las regiones de operacin del FET, podemos
comprobar que para funciones de aplicacin el transistor se debe trabajar en su regin de
saturacin, esto se debe a que el ancho del canal cerca al drenaje depende tanto del voltaje de
compuerta como del voltaje entre drenaje y fuente, esto indica que es necesario, para mantener el
dispositivo en la regin de trodo, asegurar que el voltaje entre drenaje y fuente no aumentara a tal
punto que sea igual o menor al voltaje de umbral, porque en tal caso se dice que el
canal est estrangulado, lo que hace que la corriente que circula a travs de l permanezca casi
constante para aumentos de por encima del voltaje para el cual ocurri la estrangulacin del
canal VD , el cual se obtiene: lo cual entra en saturacin para valores
mayores de ese voltaje, de esta forma la corriente se mantiene constante permitiendo aumentar
el valor de lo cual permite amplificar seales deseadas.