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Jonction p-n

IV. La jonction p-n


Caractristiques de base
A lquilibre
Zone de charge despace
caractristiques courant-tension
Champ de claquage
Htrojonction
Chapitre 5
Science et gnie des matriaux, Romuald Houdr - 2006 /2007
1
Plan du cours
1. Introduction
- Caractristiques physiques des semiconducteurs
- Quels Matriaux pour quel type dapplications
2. Proprits lectroniques des semiconducteurs
- Structure de bandes
- Statistiques doccupation des bandes
- Proprits de transport
- Processus de recombinaison
3. Jonctions et interfaces
- Jonctions mtal/semi-conducteurs
- Jonction p-n lquilibre, Jonction p-n hors-quilibre
4. Composants lectroniques
- Transistors bipolaires
- Transistors effet de champ
- Dispositifs quantiques
- Nouveaux matriaux
5. Composants optolectroniques
- Dtecteurs
- Diodes lectroluminescentes
- Diodes lasers
- Lasers mission par la surface
- Lasers cascade quantique
1/3
bases
1/3
transport
1/3
optique
2
Circuits microlectroniques
3
La jonction p-n
Une jonction p-n correspond la juxtaposition de deux
matriaux identiques ou non de type p et de type n
Type
n
Type
p
V
Une jonction p-n est une diode
4
La jonction p-n
Applications
Transistors bipolaires
Diodes lectroluminescentes
Diodes laser
Cellules solaires
Dtecteurs
5
Substrat type n
Fabrication
Pendant la croissance
Si + donneurs
Si + accepteurs

Image SEM dune jonction p-n
6
Fabrication
Par implantation ou diffusion
7
Jonction p-n fabrication
http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe.html
8
Fabrication
Composant final
9
La jonction p-n
Type
n
Type
p
10
Diagramme de bande
A lquilibre
Type p Type n
E
V
E
C
+ + + +
- - - -
Gradients de concentration il existe un courant de diffusion J
diff
Les impurets ne sont plus compenses un champ lectrique se forme J
cond
Les deux courants sont de signe oppos
11
Diagramme de bande
A lquilibre
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/pnformation3/
12
Diagramme de bande
A lquilibre (pas dexcitation externe)
Le niveau de Fermi doit tre constant
J
n
= -
n
grad V
F

or grad V
F
= 0
do J
n
= 0 (idem pour J
p
)
J = J
drive
+ J
diffusion
= 0
Equation gnrale des courants
Il ny a pas de courant dans la jonction
Le courant de drive compense exactement le courant de diffusion
13
Zone de charge despace
La zone de charge despace ou zone de dpltion
Charges fixes
Charges mobiles
14
Diagramme de bande
A lquilibre (pas dexcitation externe)
Cette barrire de potentiel est la consquence directe de lapparition de
zones charges positivement et ngativement sous leffet de la
diffusion des porteurs. Cest ce qui conduit lquilibre
avec
(nN
D
et pN
A
)
Calcul de la hauteur de barrire de potentiel
En considrant que toutes les impurets sont ionises, nous obtenons
(built-in potential) qV
bi
= E
g
k
B
Tln
N
v
N
c
N
A
N
D






qV
bi
= E
G
-(E
C
- E
F
)
n
- (E
F
- E
V
)
p
15
Zone de charge despace (ZCE)
Approximation dune jonction abrupte
-x
p
x
n
N
D
- N
A
Type p
Type n
Calcul du champ lectrique dans ZCE
Neutralit lectrique: x
p
N
A
= x
n
N
D
Extension de la ZCE: W = x
p
+ x
n
n
D
p
A
x x pour
N
q
dx
d
x x pour
N
q
dx
d
< =
< =
0
0
2
2
2
2

16
Zone de charge despace
Cas dune jonction abrupte
-x
p
x
n
N
D
- N
A
Type p
Type n
-E
max
E
V
bi
= E(x)dx
x
p
x
n

= q
N
A

(x + x
p
)dx
x
p
0

+ q
N
D

(x x
n
)dx
0
x
n

= q
N
A
x
p
2
2
+ q
N
D
x
n
2
2
=
E
max
x
p
2
+
E
max
x
n
2
=
1
2
E
max
W
Extension de la zone de charge despace
W =
2
q
N
A
+ N
D
N
A
N
D






V
bi
17
Exemple: Silicium
Type n: N
D
=10
18
cm
-3
et p=n
i
2
/N
D
=10
2
cm
-3
Type p: N
A
=10
16
cm
-3
et n=n
i
2
/N
A
=10
4
cm
-3
N
c
=2.7x10
19
cm
-3
et N
v
=1.1x10
19
cm
-3
On trouve:
qV
bi
= 0.84 eV

W = 334 nm
Zone de charge despace
=
0

0
=8.85x10
-12
F/m

R
= 11.9
q = 1.6x10
-19
C
E
max
=5x10
4
V/cm
W =
2
q
N
A
+ N
D
N
A
N
D






V
bi
qV
bi
= E
g
k
B
Tln
N
v
N
c
N
A
N
D






18
En pratique N
D
>>N
A
do
et x
p
= W
La zone de charge
despace est principalement
du ct le moins dop
(333 nm)
Zone de charge despace
W = x
n
+x
p
et x
n
N
D
=x
p
N
A
Do
x
n
= N
A
/(N
D
+N
A
)W
x
p
= N
D
/(N
D
+N
A
)W
Zone de charge despace dans types n et p
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/pnformation3/
19
Jonction pn l'quilibre
Rsum
Le courant de drive compense
exactement le courant de diffusion
Zone de charge d'espace
20
Jonction p-n: nanofils
C. Lieber, Harvard (USA)
1 m
http://cmliris.harvard.edu/
21
LEDs nanofils
C. Lieber, Harvard (USA)
22
Diagramme de bande
A lquilibre
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/pnformation3/
23
Apparition dune zone de dpltion (zone de
charge despace)
Charges positives et ngatives portes par
les donneurs et les accepteurs sont fixes
Pas de courant lquilibre
Caractristiques lquilibre
24
Exemple: Silicium
Type n: N
D
=10
18
cm
-3
et p=n
i
2
/N
D
=10
2
cm
-3
Type p: N
A
=10
16
cm
-3
et n=n
i
2
/N
A
=10
4
cm
-3
N
c
=2.7x10
19
cm
-3
et N
v
=1.1x10
19
cm
-3
On trouve:
qV
bi
= 0.84 eV

W = 334 nm
Zone de charge despace
=
0

0
=8.85x10
-12
F/m

R
= 11.9
q = 1.6x10
-19
C
E
max
=3.8x10
5
V/cm
pour 10
15
cm
-3
, qV
bi
= 0.61 eV, W = 1.2 m
qV
bi
= E
g
k
B
Tln
N
v
N
c
N
A
N
D






W =
2
q
N
A
+ N
D
N
A
N
D






V
bi
25
En pratique N
D
>>N
A
do
et x
p
= W
La zone de charge despace
est principalement du ct le
moins dop
Zone de charge despace
W = x
n
+x
p
x
n
N
D
=x
p
N
A
(condition de neutralit)
Do
x
n
= N
A
/(N
D
+N
A
)W
x
p
= N
D
/(N
D
+N
A
)W
Zone de charge despace dans types n et p
-x
p
x
n
N
D
- N
A
Type p
Type n
26
Jonction p-n hors quilibre
W =
2
q
N
A
+ N
D
N
A
N
D






V
bi
V
p
V
( )
n
( )
Lorsque lon applique une diffrence de potentiel, la jonction nest plus
lquilibre
Hors quilibre le calcul liant W et V reste valide avec V
bi
remplac par
V
bi
-V et V= V
p
-V
n
A
p
e
r

u
27
Jonction p-n hors quilibre
Potentiel positif V
f
: V
p
-V
n
: le potentiel interne est V
bi
-V
f
et W
Potentiel ngatif V
r
: V
p
-V
n
: le potentiel interne est V
bi
+V
r
et W
28
Caractristiques I-V
29
qV
bi
= E
g
k
B
Tln
N
v
N
c
N
A
N
D






= E
g
k
B
Tln
np
N
A
N
D
e
E
c
E
F
( )
k
B
T
e
E
F
E
v
( )
k
B
T








= k
B
Tln
N
A
N
D
np






A lquilibre et dans les rgions
neutres (n et p) nous avons
Type n:
n
n0
=N
D
et p
n0
=n
i
2
/N
D
Type p:
p
p0
=N
A
et n
p0
=n
i
2
/N
A
Caractristiques I-V
n
n0
p
n0
= n
p0
p
p0
= n
i
2
qV
bi
= k
B
Tln
n
n0
p
p0
n
i
2






= k
B
Tln
n
n0
n
p0








= k
B
Tln
p
p0
p
n0






On en dduit
n
p0
= n
n0
exp(-qV
bi
/kT)
Ou
n
n0
= n
p0
exp(qV
bi
/kT)
Les densits dlectrons et de
trous des deux cts de la jonction
sont relies par le potentiel V
bi
30
A
p
e
r

u
Caractristiques I-V
n
n0
= n
p0
exp(qV
bi
/kT)
p
p0
= p
n0
exp(qV
bi
/kT)
Ces relations sont toujours valables lorsque lon
polarise la jonction (un champ V extrieur est
appliqu)
Polarisation (directe: V>0, inverse V<0)
n
n
= n
p
exp(q(V
bi
-V)/kT)

avec n
n
et n
p
les densits aux limites de zones de charge despace

Nous avons alors n
n
n
n0
=n
p0
exp(qV
bi
/kT) = n
p
exp(q(V
bi
-V)/kT)

soit n
p
n
p0
exp(qV/kT) (en liminant V
bi
)
ou encore n
p
- n
p0
= n
p0
(exp(qV/kT)-1) du ct p en x=-x
p
de faon similaire, nous avons
p
n
- p
n0
= p
n0
(exp(qV/kT-1) du ct n en x=x
n
Relations de Shockley
31
Caractristiques I-V
Jusqu' prsent nous avons dcrit les
densits de porteurs majoritaires et leur
volution au travers de la zone de
charge d'espace.
Il reste dcrire
comment on passe de
ces valeurs aux valeurs
l'quilibre loin de la
jonction
32
Caractristiques I-V
A
p
e
r

u
Equation de continuit:
Avec
G
n
: taux de gnration (thermique, lumire ...)
R
n
: taux de recombinaison

dn
dt
=
1
q
r

r
J
n
+ G
n
R
n
( )

r
J
n
= q
n
n
r
E D
n
r
n
( )
G
n
-R
n
: retour l'quilibre avec un temps caractristique
n
G
n
R
n
=
n n
0

n
A
d
m
e
t
t
r
e
cart l'quilibre
temps de vie
Densits de porteurs minoritaires dans les couches de types n et p
Pas de courants gnrs dans la zone de charge despace, les porteurs viennent des
couches de types n et p (couches neutres)
Calcul du courant dans les couches neutres (types n et p)
33
Caractristiques I-V
Do en rgime continu (et avec E=0 dans les couches neutres)
A
p
e
r

u
Soit:
34
Caractristiques I-V
On intgre avec n
p
= n
p0
exp(qV/kT) et n
p
=n
p0
pour x=-
n
p
-n
p0
=n
p0
(exp(qV/kT) 1) exp[(x+x
p
)/L
n
]

avec
L
n
est la longueur de diffusion des lectrons dans le type p
35
Caractristiques I-V
On fait l'hypothse que les courants de chaque porteurs
ne varient pas dans la zone de charge d'espace.
A
d
m
e
t
t
r
e
J
x
x
n
-x
p
L
n
dpltion
diffusion
L
p
diffusion
J
n
J
p
J
t
=J
n
+J
p
=cst
n
Le courant total scrit alors
J=J
n
(x
n
)+J
p,diff
(x
n
)=J
n,diff
(-x
p
)+J
p,diff
(x
n
)
Points o il est ais de
calculer les courants
36
Caractristiques I-V
Le courant total scrit alors
Courant de saturation
(diode idale)
Quand V=0, pas de courant car quilibre
Quand V<0, J tend vers J
s
Quand V>0, J augmente rapidement (exponentielle)
37
Caractristiques I-V
P
N
V I
Quand V=0, pas de courant car quilibre
Quand V<0, J tend vers J
s
Quand V>0, J augmente rapidement
38
Calcul du courant J
s
dans une jonction p-n silicium
N
A
=5x10
16
cm
-3
, N
D
=1x10
16
cm
-3
, n
i
10
10
cm
-3

D
n
=21 cm/s, D
p
=10 cm/s,
n
=
p
=5x10
-7
s

J
s
= 8.6x10
-12
A/cm
2


soit dans un dispositif dont la taille va tre de quelques microns un courant de
lordre du femto(10
-15
)-ampre.
Une diode en inverse ne laisse pas passer de courant
En revanche, pour V = 1V (polarisation en directe), J = 2x10
6
A/cm
2

Caractristiques I-V
39
Caractristiques I-V
Caractristiques relles
40
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/biasedPN/
La jonction pn polarise
Courants dans une jonction pn polarise en direct
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/current/
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/iv/#
Courbes I-V
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/pnformation3/#
Formation jonction p-n
La jonction p-n en Java
41
Dans le cas gnral, les caractristiques I-V ne suivent
lquation prcdente que sur une plage restreinte de
courant.
dautres mcanismes sont prendre en compte
dont les deux principaux sont
i) Gnration et/ou recombinaison dans la
zone de dpltion
ii) Rsistance srie
Caractristiques I-V
42
Courant de recombinaison
En fait l'hypothse que les courants de chaque porteurs ne varient pas dans la zone de
charge d'espace est imparfaite. Il existe aussi un courant de recombinaison dans la
charge d'espace.
Le courant total scrit J=J
p,diff
+J
n,diff
+J
dp
A
d
m
e
t
t
r
e
On peut alors montrer que le courant de recombinaison scrit

r
est le temps de recombinaison
J
rec
=
1
2
qn
i
w

r






e
qV
2k
B
T
Polarisation en direct
En direct, V>0, J
dp
est un courant de recombinaison dans la zone de dpltion:
recombinaison via des phonons (chaleur) ou radiative (lumire). Les porteurs
tendent se recombiner pour retourner leur valeur dquilibre.
Nous avons: p
n
n
p
=p
n0
n
n0
exp(qV/k
B
T
)
=n
i
2
exp(qV/k
B
T) (p
n
=p
n0
exp(qV/kT)
La probabilit de recombinaison atteint une valeur maximum quand n
n
=p
n
=n
i
exp
(qV/2k
B
T). Ceci est vrifi quand les centres de recombinaison sont au milieu de
la bande interdite, ce qui est en gnral le cas
43
Courant de gnration
En fait l'hypothse que les courants de chaque porteurs ne varient pas dans la zone de
charge d'espace est imparfaite. Il existe aussi un courant de recombinaison dans la
charge d'espace.
Le courant total scrit J=J
p,diff
+J
n,diff
+J
dp
A
d
m
e
t
t
r
e
Polarisation en inverse
En inverse, V<0, J
dp
est un courant de gnration de paires lectron-trous dans
la zone de dpltion
On peut alors montrer que le courant de gnration scrit

r
est le temps de recombinaison
w =
2
q
N
A
+ N
D
N
A
N
D






V
bi
V
( )
J
gen
=
qn
i
w
2
r
44
Courant de recombinaison
Lexpression gnrale peut scrire

avec le facteur didalit de la jonction
i) Cas idal dun courant de diffusion: =1
ii) Cas o le courant de recombinaison domine: =2
iii) Lorsque les deux contributions sont prsentes: =1-2
45
Caractristiques relles
Caractristiques I-V
J = J
s
e
qV
k
B
T
1








facteur d'idalit
entre 1 et 2
46
Caractristiques I-V
Rsistance srie
A fort courant >1 et augmente continment
avec la tension
Lune des raisons principales est la prsence
dune rsistance srie (R
s
)
Potentiel induit par V
r
= R
s
I


Quand I faible (1 mA) et pour R
s
=2 ohms:
V
r
=2 mV << kT/q(300K)
Pour 100 mA V
r
=200 mV
47
Caractristiques I-V
Polarisation en inverse -Effet Zener
Lorsque la jonction est polarise en inverse (V
i
), la zone de charge despace
varie en V
1/2
(V=V
bi
+V
i
), ainsi que le champ lectrique dans cette zone
Le champ lectrique E
max
ne peut pas augmenter indfiniment lorsque V
i
augmente car
F = qE
max ionisation du matriau avec cration de paires e-h
Dans le silicium F = 10
6
V/cm (champ de claquage)
Dans une jonction, cela se traduit par une tension inverse limite appele tension
Zener (V
z
) qui dpend des niveaux de dopages
V
i
>V
z
fort courant : cest leffet Zener ou encore effet de claquage
un lectron passe directement de la bande de valence la bande de conduction
par effet tunnel travers la zone de charge despace
W =
2
q
N
A
+ N
D
N
A
N
D






V
bi
+V
i
( )
48
Caractristiques I-V
Effet Zener
En pratique, leffet Zener napparat que dans les jonctions trs dopes (W petite)
Lorsque les niveaux de dopages sont faibles effet avalanche
Ce phnomne peut tre destructif, claquage de la jonction ou bien mis profit dans
des diodes conues pour exploiter l'effet, diodes Zener. Vc peut tre choisi par
construction
49
Caractristiques I-V
Diode avalanche
Si la zone de charge despace est grande
(W>0,1 m) phnomne davalanche
Lorsque le champ devient lev (10
5
V/cm),
les porteurs subissent une acclration
importante qui conduit la cration de
nouvelles paires e-h par ionisation du
matriau, elles-mmes responsables de
nouvelles paires e-h, et ainsi de suite
Avalanche (Raction en chane)
Rem: Effet Zener, V
critique
avec T
Effet Avalanche, V
critique
avec T
50
Caractristiques I-V
Champ de claquage en fonction du dopage
51
Diode tunnel
Rgions n et p sont dgnres (niveau de Fermi dans les bandes)
V=0
V<0
V>0
Dopage trs lev W trs petite (<1 nm)
V<0
Etats occups dans la BV mme nergie que des
tats vides dans la BC effet tunnel BV vers BC

V>0
Etats occups dans la BC mme nergie que des
tats vides dans la BV effet tunnel BC vers BV

52
Diode tunnel
V>0
Quand V augmente, le niveau de Fermi de la rgion n
(BC) peut tre suprieur au sommet de la BV
courant diminue
Pour des tensions leves, le courant augmente de
nouveau par injection thermique des porteurs
53
Htrojonction et puits quantique
BC
L= quelques nm
Niveaux d'nergie quantifis
BV
n=1
n=2
n=3
n=1
n=2
n=3
n=4
54
fin de la jonction p-n
complment:
capacit de la jonction
comportement en frquence
55