Arquitectura de

Computadores
Memorias Internas

Jerarqua de Memoria Memoria RAM Memoria ROM Memoria Cache
2014
Armando Alava Pesntez 2 A
Escuela de Computacin e Informtica
22/06/2014
Memorias Internas

Lo primero que debemos definir es el concepto de memoria: dispositivo capaz de almacenar
informacin. No se precisa el tipo de dispositivo (sopor- te), si es mecnico, de estado slido,
magntico u ptico, etc. Tampoco importa el tipo de informacin, qu es, cmo est codificada, etc...
Desde el punto de vista de un Computador, vamos a distinguir tres apartados:
1. La memoria va a contener el Programa (conjunto de instrucciones) y los Datos de trabajo
2. Se trata de un elemento sencillo pero con una gran diversidad de tipos, tecnologas,
prestaciones, etc.
3. Se da una jerarqua entre los diversos dispositivos que componen la memoria, localizndose
unos en el interior del computador y otros en su exterior.

(Perez s.f.)


Jerarqua de Memoria
El diseador de memorias busca utilizar tecnologas de memoria que proporcionen gran capacidad, tanto
porque es necesaria como porque el coste por de bit es bajo. Sin embargo, para complacer las necesidades
requeridas, el diseador necesita utilizar memorias costosas, de capacidad relativamente baja y con tiempos
de acceso reducidos.
Para solucionar este caso, no se puede contar con un solo componente de memoria, sino emplear una
jerarqua de memoria.

Cuando se desciende en la jerarqua ocurre:
a) Disminuye el coste por bit.
b) Aumenta la capacidad.
c) Aumenta el tiempo de acceso.
d) Disminuye la frecuencia de accesos a la memoria por parte
del procesador.
Memoria RAM
Es una memoria voltil que permite leer datos como escribir rpidamente. Una RAM debe estar siempre
alimentada, si se interrumpen la alimentacin se pierden los datos.
Se pueden clasificar segn su tecnologa: RAM Dinmica (DRAM) y RAM Esttica (SRAM).
o DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Memorias que necesitan refrescar su informacin debido a que esta se almacena en
condensadores..
La escritura se aplica a un valor de tensin en lnea bit: un valor de tensin alto representa un 1, y
una tensin baja representa un 0. Se aplica entonces una seal a la lnea de direcciones, permitiendo
que se transfiera carga al condensador.
La lectura, se efecta cuando se selecciona la lnea de direcciones, el transistor entra en conduccin
y la carga almacenada en el condensador es transferida a la lnea de bit y a un amplificador detector
o amplificador de lectura.
o SRAM (Static Random Access Memory)
Memorias que almacenan la informacin en biestables. No necesitan refresco.
Al igual que en una celda DRAM, la lnea de direcciones en la SRAM se emplea para abrir o cerrar un
conmutador. La lnea de direcciones controla en este caso 2 transistores. Cuando se aplica una seal
a esta lnea, los 2 transistores entran en condicin, permitiendo la operacin de lectura o escritura.

Memoria ROM
Es una memoria no voltil: es decir no requiere energa para mantener informacin. Memorias grabadas
durante el proceso de fabricacin del circuito.
Sus tipos son: PROM, EPROM, EEPROM y Flash Memory
o PROM (Programmable Read Only Memory)
Son memorias de solo lectura, y pueden grabarse solo una vez. EL proceso de escritura se lleva a
cabo electrnicamente y puede realizarlo el suministrador o el cliente con posterioridad a la
fabricacin del chip original.



o EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)
Estas memorias son de lectura y escritura, este proceso se lo realiza electrnicamente, pero para
poder escribir en ella es necesario borrar todo el contenido por medio de la exposicin a una luz
ultravioleta.

o EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)
Se trata de una memoria grabable electrnicamente y borrable electrnicamente. Es sobre todo una
memoria de lectura en la cual se puede escribir en cualquier momento, sin necesidad de borrar el
contenido, solo se actualiza el byte o bytes de direccionados.

o Flash Memory
Se denomina as debido a su gran velocidad de reprogramarse. Estas memorias se encuentran, en
coste y funcionalidad, entre las EPROM y las EEPROM.
Las flash utilizan una tecnologa de borrado electrnico, la flas puede borrarse entera en pocos
segundos, mucho ms rpido que las EPROM.















Memoria Cache
El objetivo de la memoria cache es mejorar la velocidad de la memoria, consiguiendo al mismo tiempo un
tamao grande al precio de memorias semiconductoras menos costosas.
Cuando el procesador intenta leer una palabra de memoria, se hace una comprobacin para saber si la
palabra se encuentra en la cache. Si es as se entrega la palabra al procesador. Si no, un bloque de memoria
principal, consistente en un cierto nmero de palabras, se transfiere a la cache y luego la palabra es
entregada al procesador.

Las escrituras se hacen por grupos. En lugar de muchas transferencias cortas de datos, tenemos pocas
transferencias largas. Esto mejora las prestaciones de disco y minimiza la participacin del procesador.
Bibliografa
Perez, Guillermo Bosque. Estructura y Arquitectura de Computadores. Argitalpen Zerbitzua, s.f.
http://www.ehu.es/argitalpenak/images/stories/libros_gratuitos_en_pdf/Ciencia_y_Tecnologia/E
structura_arquitectura_computadores.pdf
Stallings, William. Organizacion y arquitectura de computadores. Madrid: PEARSON EDUCACION
S.A., 2006.