Los Transistores IGBT

Transistor Bipolar de Compuerta Aislada

(Insulated-gate bipolar transistor)
Cmo Funcionan
Caractersticas
Smbolos
Comprobacin
Aplicaciones
Es una presentacin de la:
ACADEMIA VIRTUAL EYSER
Lic. Felipe Orozco Cuautle
Produccin general de:
Electrnica y Servicio
Mxico Digital Comunicacin
Director General:
Profr. Jos Luis Orozco Cuautle
FEBRERO 2014
Introduccin
La aplicacin de los transistores IGBT va en
aumento cada vez ms, sobre todo por su
capacidad de responder a seales de
conmutacin, que permita controlar elementos
que demanden grandes e instantneas
intensidades de corriente elctrica para su
funcionamiento.
En esta jornada, tenemos oportunidad de
aprender los detalles mas relevantes de estos
transistores, entre ellos su principio de
funcionamiento, smbolo, forma de medirlos e
incluso algunas aplicaciones en la prctica.
Definiciones:
El transistor bipolar de puerta
aislada (IGBT, del
ingls: Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo
semiconductor que
generalmente se aplica como
interruptor controlado en
circuitos de electrnica de
potencia.
Actualmente existen muy
diversas aplicaciones
industriales y de uso
domsticos.
Aplicaciones:
Driver Flash cmaras digitales
Driver en Tarjetas Y-sus y Z-sus
en tv plasma
Fuente alimentacin TV plasma
Fuente de alimentacin hornos
micro-ondas Panasonic Inverter
Amplificadores de audio musical
Equipo electrodomstico
(Lavadoras, Refrigeradores,
Climas, etc.)
Automvil (Control de motores
PMSM), Servofrenos (ABS),
Driver ignicin en ECU, etc.
Maquinarias y herramientas
industrailes.
Smbolo:
Se emplean
indistintamente tres
smbolos de transistor
IGBT. Dos de estos le
sealan mas como un
transistor bipolar y la
tercera lo dibuja como
un MOSFET con
doble flecha de
sustrato.
Is (Corriente de Sangra)
Ibe (Corriente base-emisor)
Ic (Corriente de colector)
AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO
NPN, EMISOR COMUN
Transistor Mosfet
Los transistores MOSFET o Metal-
Oxido-Semiconductor (MOS) son
dispositivos de efecto de campo que
utilizan un campo elctrico para
crear una canal de conduccin.
Existen dos tipos de
transistores MOS: MOSFET de
canal N o
MOS y MOSFET de canal P
o PMOS. Este segundo
prcticamente se encuentra en
desuso.
A su vez, estos transistores pueden
ser de crecimiento (enhancement) o
angotamiento (deplexion). En la
actualidad los segundos estn
prcticamente en desuso. es un
transistor utilizado para amplificar o
conmutar seales electrnicas.
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
MOSFET CRECIMIENTO
MOSFET ANGOTAMIENTO
CANAL N
CANAL N
CANAL P
CANAL P
APAGADO (SW. OFF)
N
N
P
DRENADOR
SURTIDOR
COMPUERTA
0v
NO HAY CANAL
DE CONDUCCION
METAL
OXIDO
SEMICONDUCTOR
APAGADO
OFF
ENCENDIDO (SW. ON)
N
N
P
DRENADOR
SURTIDOR
COMPUERTA
SE FORMA EL CANAL
DE CONDUCCION N
ENCENDIDO
ON
ON
OFF
ON
https://www.youtube.com/watch?v=6IrYBgKDtTQ
Video con prctica resoldado SMD
FUNCIONAMIENTO
DEL TRANSISTOR IGBT.
El transistor IGBT posee la
caracterstica de control con
seales de compuerta, de
los transistores de efecto de
campo y con la capacidad de
alta corriente y bajo voltaje
de saturacin del transistor
bipolar simultneamente en
un solo dispositivo.
El IGBT ha sustituido al
bipolar NPN o PNP en
muchas aplicaciones de
potencia. Es ideal para
operar seales de disparo
instantneas.
Se puede concebir el IGBT
como un transistor
Darlington hbrido, ya que se
forma con un transistor
bipolar y un transistor
mosfet.
Cuando le es aplicado un
voltaje Vge a la puerta , el
IGBT enciende al instante, la
corriente de colector Ic es
conducida y el voltaje Vce se
va desde el valor de bloqueo
hasta cero.
El IGBT se apaga
simplemente removiendo la
seal de voltaje Vge de la
terminal Gate.
Equivalente elctrico
discreto de un Transistor IGBT
Vge
Ic Vce= 0v
La tensin de control de
puerta es de unos 15v. Esto
ofrece la ventaja de controlar
sistemas de potencia
aplicando una seal elctrica
de entrada muy dbil en la
puerta.
La transicin del estado de
conduccin al estado de
bloqueo puede tomar
apenas 2 microsegundos,
por lo que la frecuencia de
conmutacin puede estar en
el rango de los 50 kHz.
Los transistores IGBT se
fabrican exclusivamente en
canal tipo N.
En aplicaciones de electrnica
de potencia es intermedio entre
los tiristores o SCR y los
transistores Mosfet. Maneja
ms potencia que los segundos
siendo ms lento que ellos y lo
inverso respecto a los primeros.
Grandes mdulos de IGBT, que
consiste en muchos dispositivos
colocados en paralelo, pueden
manejar altas corrientes del
orden de cientos de
amperios con voltajes de
bloqueo de hasta 6.000 voltios !
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CIRCUITO INVERTER
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Transistores IGBT empleados en
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LOS IGBTs EN
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