ESTUDO DA EVOLUO EM FUNO DA TEMPERATURA DA

EMISSO DE FOTOLUMINESCNCIA DE POOS QUNTICOS DE

GaInNAs/GaAs

EVOLUTION ON TEMPERATURE OF PHOTOLUMINESCENCE
EMISSION FROM GaInNAs/GAAs QUANTUM WELL
J onatas da Silva Cavalcante, Amrico Sheitiro Tabata, Carlos Alberto Zanutto Bassetto J r, J os
Brs Barreto de Oliveira, Campus de Bauru Faculdade de Cincias Fsica: jonatas@fc.unesp.br
PIBIC/CNPq


Palavras-chaves: fotoluminescncia; poos qunticos.
Keywords: Photoluminescence; quantum well.

1.INTRODUO

Recentemente, foi sugerida uma nova famlia de semicondutores, contendo o elemento
nitrognio, mais especificamente a estrutura In
x
Ga
1-x
As
1-y
N
y
/GaAs, visando a fabricao de
dispositivos pticos de alto rendimento (TANSU, 2003; VURGAFTMAN et al., 2003). Nesta
estrutura, denominada poos qunticos, o material binrio GaAs forma as barreiras enquanto o
quaternrio In
x
Ga
1-x
As
1-y
N
y,
o poo quntico. Baseados nesta estrutura, os dispositivos
optoeletrnicos (diodos e laser) emitem na regio espectral de 1,3 m Pavelescu et al. (2003),
conhecida como janela ptica de grande importncia tecnolgica para a transmisso de dados
atravs de fibras pticas, e caracterizada por um mnimo de absoro e disperso do sinal pela fibra.
Observa-se ento que dispositivos pticos processados a partir destes materiais trabalhariam na
conhecida segunda janela ptica, que apresenta menor perda que a primeira. Atualmente so
utilizados dispositivos pticos que trabalham na primeira janela ptica, porm o novo sistema
sugerido apresentou uma grande vantagem sobre eles em funo ser baseado no quaternrio
GaInAsP, o que significa que tem um valor maior de descontinuidade de banda band offset Pan et
al. (2003), resultando em um melhor confinamento de portadores e tornando-os mais atrativos no
que se refere ao rendimento essencial para a sua utilizao, inclusive em altas temperaturas.
Finalmente podemos dizer que as ligas de InGaAsN podem, tambm, ser utilizadas como material
ativo em clulas solares, devido a sua alta eficincia quntica interna (FRIEDMAN, 1998;
YAMAGUCHI, 2002).

2.OBJETIVOS
Este trabalho visa o estudo das propriedades pticas de poos qunticos de In
x
Ga
1-
x
As
0,984
N
0,016
em vrias composies de ndio crescido sobre substrato de GaAs atravs da tcnica
espectroscpica de fotoluminescncia (PL photoluminescence). Estaremos particularmente
interessados no estudo da evoluo da emisso de fotoluminescncia em funo da temperatura para
identificar o tipo de transies radiativas vindas destas amostras.

3.MATERIAIS E METODOLOGIA
3.1Materiais
A amostra aqui estudada faz parte de um conjunto de amostras que foram crescidas por
Epitaxia de Feixe Molecular (MBE - Molecular Beam Epitaxy) sobre o substrato de GaAs (001)
dopado. Fontes slidas de glio, ndio e alumnio tambm foram utilizados. Uma fonte de plasma de
radiofrequncia foi empregada para gerar espcies de nitrognio reativo
.
Cada uma das amostras
contm uma espessura de 6,5 nm de In
x
Ga
1-x
As
0,984
N
0,016,
encaixado no meio de camadas de GaAs
no dopadas, formando um poo quntico. A temperatura de crescimento das amostras foi ao redor
de 430C e a composio x de ndio variou entre 0,26 e 0,43.
5430
A figura-1 mostra o aparato experimental de fotoluminescncia usado neste trabalho. Para a
excitao das amostras, ns usamos a linha 488,0 nm de um laser de Argnio (Spectra-
Physics/modelo Stabilite 2017). As medidas foram efetuadas em um criostato, do tipo circuito
fechado de Hlio (J anis Research/modelo CSS-150). Este criostato opera em uma escala de
temperatura que varia de 8,5 a 300K. O sinal de fotoluminescncia foi disperso por um
monocromador (J obin-Yvon/modelo T64000) de 0,64 m, detectado por um detector de Ge
(Edinburg/modelo EI-L) e resfriado com nitrognio lquido, usando a tcnica usual de deteco
sincrnica com um Lock-in (Stanford/modelo SR850).


Fig.1. Aparato experimental de fotolumiescencia. (a) Laser, (b) monocromador, (c) detector, (d)
criostato, (e) Lock-in.

3.2Metodologia
As amostras foram analisadas por meio de experimentos de fotoluminescncia em funo da
temperatura. A fotoluminescncia uma poderosa tcnica espectroscpica, pois, alm de no ser
destrutiva, pode dar informaes tanto de carter morfolgico da amostra (qualidade cristalina)
quanto de carter ptico. Combinaremos os resultados experimentais desta tcnica com uma
modelagem adequada para retirar informaes sobre os processos radiativos, presentes nas emisses
de fotoluminescncia.

4.RESULTADOS E DISCUSSES
A Figura 2(a) mostra os resultados de fotoluminescncia, da amostra com composio de
ndio de 0,30 em funo da temperatura. Nela a intensidade de cada espectro de PL foi normalizada
para melhor visualizao. A potncia nominal do laser foi de 5 mW, baixa o suficiente para no
danificar a amostra. As medidas de PL foram feitas at a temperatura ambiente, no entanto
apresentaremos nas figuras somente os resultados at a temperatura de 120K, pois aps esta, a
forma do espectro no se altera, ele apenas se desloca para baixas energias. Podemos observar que
em baixa temperatura o espectro de emisso de PL consiste de um pico com largura a meia altura,
de aproximadamente 15 meV. Com base em medidas de PL em funo da potencia de excitao
(no mostrado aqui), esta emisso est associada a relaxaes de portadores entre o nvel
fundamental do eltron para o nvel fundamental do buraco pesado dentro do poo quntico. Com o
aumento da temperatura observa-se que os espectros de PL deslocam-se em energia e novas
emisses tornam-se evidentes. Ainda na fig. 2(a), podemos tambm observar que para o espectro
em mais baixa temperatura (T=10K) a emisso PL quase que perfeitamente simtrica, entretanto,
com o aumento na temperatura observa-se um alargamento para o lado de altas energias. Em
T=60K este alargamento torna-se um pico e a partir dessa temperatura ela se torna emisso
dominante.
Para estudar esta dinmica de emisso de PL em funo da temperatura, fizemos um estudo
de ajuste tericos da forma de linha da emisso da PL. Para um poo quntico ideal (paredes de
potenciais infinitas) e em baixa temperatura, as emisses de PL seriam do tipo funo delta, mas,
5431
para poos reais com paredes de potenciais finitas devido interao da funo de onda dos
portadores no poo com as barreiras, surge um alargamento na linha de emisso PL. A forma da
linha pode-se ento ser aproximada por uma gaussiana, na qual a largura reflete a distribuio
randmica dos tomos nas interfaces barreira/poo/barreira. A seguir, uma anlise mais detalhada
de algumas temperaturas.


0.96 0.98 1.00 1.02 1.04 1.06 1.08
In
x
Ga
1-x
As
0.984
N
0.016
/GaAs
x=0.30
P=5mW
120K
100K
80K
70K
60K
50K
40K
30K
10K


P
L

I
n
t
.

(
a
r
b
.

u
n
i
t
s
)
Energy (eV)
0.96 0.98 1.00 1.02 1.04 1.06 1.08


P
L

i
n
t
.

(
a
r
b
.

u
n
i
t
s
)
Energy (eV)
10K

(a) (b)
0.96 0.98 1.00 1.02 1.04 1.06 1.08


P
L

i
n
t
.

(
a
r
b
.

u
n
i
t
s
)
Energy (eV)
60 K
0.96 0.99 1.02 1.05 1.08


P
L

i
n
t
.

(
a
r
b
.

u
n
i
t
s
)
Energy (eV)
100 K

(c) (d)

Fig.2. (a) Resultado de fotoluminescncia em funo da temperatura para amostra com composio
de ndio de 0,30. Resultado experimental e ajuste terico para as temperaturas (b) 10K, (c) 60K e
(d) 100K.

Na fig.2(b) mostramos o ajuste terico para o resultado em T=10K. Podemos observar que o
ajuste com uma nica gaussiana (linha em azul) bom para lado de alta energia do espectro, mas
para o lado de baixa energia apenas razovel. No foi possvel ajustar a parte de menor energia
com um nmero realstico de gaussianas. A cauda na emisso est associada imperfeio na
interface devido, provavelmente, interdifuso do elemento ndio para as barreiras. Como dito
anteriormente, com o aumento da temperatura observa-se um alargamento no lado de altas energias,
5432
indicando o aparecimento de uma nova emisso. Isso fica evidente no espectro a 60K (fig.2(c)) no
qual este alargamento torna-se um novo pico. Ainda nesta figura, podemos observar duas
gaussianas individuais indicando duas emisses de PL. O pico, que em baixa temperatura estava em
1,034 eV (linha em azul), deslocou-se para menores energias, em 1,019 eV (linha em azul), devido
ao aumento da distncia interatmica e a consequente diminuio da banda proibida dos materiais
com o aumento da temperatura. O pico dominante em 1,038 eV (linha em verde), estaria ligado
emisso associada ao primeiro estado excitado de eltrons com o estado fundamental de buraco
pesado, ou a transies envolvendo os estados fundamentais de eltrons e de buracos leves.
Estamos atualmente estudando estas duas hipteses que consiste no calculo tericos dos nveis de
confinamento destes portadores. Outro aspecto que tambm pode ser observado nesta figura que a
cauda de emisso em baixa energia parece ter ficado mais importante. Isto se deve ao fato de que,
com o aumento da temperatura, portadores que estavam no estado fundamental do poo quntico,
comeam a popular os nveis associados ao estado de cauda e de l a recombinar radiativamente.
Aumentando-se ainda mais a temperatura da amostra, (fig.2(d)), o espectro de PL mostra
novamente a dominncia de um nico pico posicionado 1,034 eV. Esta emisso est associada
emisso em 1,038 eV da fig.2-c (T=60K) que se deslocou para baixas energias, como era esperado.
A emisso dominante em baixa temperatura (linha azul) praticamente some para altas temperaturas
ou fica encoberta pela cauda da emisso, anteriormente discutida.

5.CONCLUSO
Atravs dos experimentos de fotoluminescncia realizados em uma srie de amostras de
InGaAsN/GaAs em funo da temperatura, analisamos detalhadamente sua forma de linha de
emisso. Usando gaussianas para ajustar os espectros experimentais, para baixas temperaturas
detectamos, alm da emisso principal, uma emisso associada imperfeio na interface. Com
aumento da temperatura, outra emisso foi observada e associamos provavelmente ao primeiro
nvel excitado de eltrons ou a buracos leves. Em altas temperaturas esta emisso a dominante.
(Os autores agradecem Fundunesp, FAPESP e CNPq pelo financiamento deste trabalho)

Referncias Bibliogrficas
FRIEDMAN, D. J . et al. 1-eV solar cells with J. Cryst. Growth, Amsterdam, v. 195, 409, 1998.
PAN, Z. Et al. Conduction band offset... Appl. Phy. Lett., Argonne, v. 78, 2217, 2001.
PAVELESCU, E. M. et al. Growth-temperature-dependent Appl. Phy. Lett., Argonne, v. 83,
1497, 2003.
TANSU, N.; MAWST, L. J . The role of hole leakage Appl. Phy. Lett., Argonne, v. 82, 1500,
2003.
YAMAGUCHI, M. Multi-junction solar cells Physica E, Amsterdam, v. 14, 84, 2002.
VURGAFTMAN, I. Et al. (In)GaAsN-based type-II Appl. Phy. Lett., Argonne, v. 83, 2742,
2003.

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