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SOLIDOS
UNI-FIEE
QUIMICA GENERAL
Profesora: Ing. Mara Cceres Chumpitaz
2
Estructura de los slidos
La molculas forman
slidos caracterizados
por un orden
permanente.
Dependiendo de la
velocidad que se enfra
un lquido:
Formar red cristalina
Formar un slido amorfo
Cuarzo se funde y se solidifica
rpidamente en vidrio.
Cuarzo es una forma de
slido cristalino: silica
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Caractersticas slidos
AMORFOS CRISTALINO
Desordenados, no presentan
planos ni direcciones
definidas
Ordenados : Planos y
direcciones definidas
Isotrpicos Anisotrpicos
No tienen punto de fusin
definido, funden en un rango
de temperatura
Punto de fusin definido
El Caucho, el vidrio, los
huesos
Forman redes reticulares
constituidas por celdas
unitarias: metlicos,
inicos, covalentes,
moleculares
4
Estructura de los slidos cristalinos
La mayor parte de los slidos esta formado por
mltiples cristales, simtricos.
Cbica sencilla Cbica centrada
en el cuerpo
Cbica centrada en las
caras
Sistema hexagonal
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Caractersticas generales
Factor de empaquetamiento atmico
Fraccin de espacio vaco de celda unitaria
Nmero de coordinacin
Nmero mximo de tomos idnticos
equidistantes y tangentes.
Densidad

celda
A
V
N mol / / M x da tomos/cel #

6
Clasificacin de slidos cristalinos
Se clasifican segn el tipo de partcula
elemental que forma el cristal y segn
las fuerzas de enlace entre ellas.
Inicos
Covalentes
Metlicos
Moleculares

7
Caractersticas slidos inicos
Puntos de fusin y Ebullicin elevados
NaCl T
f
= 1073 K Al
2
O
3
T
f
= 1799 K
Dureza
La mayora es duro
Fragilidad
Solubilidad
Se disuelven en solventes polares que poseen
altas constantes dielctricas
Conductancia
Estado slido poseen una conductividad muy
baja
Fundidos y aquellos solubles en agua son
buenos conductores
8
Caractersticas slidos inicos
Cuanto mayor sea la carga de los iones de un
compuesto inico mayor ser su punto de
fusin y su dureza y menor su solubilidad.
Cuanto menor sean los radios de los iones, de
un compuesto inico mayor ser su punto de
fusin y su dureza y menor su solubilidad.
9
Z
y
X



Series de Bravais: Sistemas de cristalizacin
10
Arreglos geomtricos
r
r
a
4r
a
a2
Cbico cara centrada
Cara: 6x(1/2) = 3 Vrtices: 8x(1/8) = 1
Total 4 tomos/celda # de coordinacin: 12
a = 8r V = 88r
3
Cbico cuerpo centrado
Vrtices: 8x(1/8)= 1 Centro del cubo: 1
Total: 2 tomos/celda # de coordinacin:8
a=4/33r V= 64/93r
3
Cbico simple
Cara: 8x(1/8) = 1
Total: 2 tomos/celda # de coordinacin: 6
a=2r V= 8r
3
4r
11
Arreglos geomtricos
Hexagonal compacta
Cara:2x6(1/6) + 2x(1/2)= 3 Base media: 3
Total 6 tomos/celda # de coordinacin : 12
12
Los compuestos inicos energa
reticular
Red tridimensional de cationes y aniones.
La energa de formacin de la red se
denomina energa reticular.
Depende de la carga de sus iones de la
distancia interinica y de la geometra del
cristal
Esta energa la podemos calcular por el ciclo
de Born-Haber.
13
Ciclo de Born- Haber para la
determinacin de energas reticulares
Este ciclo relaciona la energa reticular de
los compuestos inicos con las energas de
ionizacin (formar catin), afinidades
electrnicas (formar un anin) y otras
propiedades atmicas y moleculares
Basndose en la Ley de Hess
Desarrollado por Max Born y Fritz Haber
El ciclo define los pasos que proceden a la
formacin de un slido inico
14
Defectos puntuales
Alteraciones o discontinuidades puntuales de
la red cristalina provocada por uno o varios
tomos.
Origen: Movimiento de tomos durante el
calentamiento o el procesado del material,
introduccin de impurezas o por aleacin.
15
Defectos puntuales..
Muchas propiedades importantes de los
slidos vienen controladas tanto por las
imperfecciones
Conductividad.- Semicondunductor tipo n
Color.- El rub con impurezas de Cr es rojo
intenso
Luminiscencia.- El sulfuro de zinc ampliamente
usado en las pantallas de televisin
Difusin
Propiedades mecnicas y plsticas

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Tipos de defectos puntuales
Vacantes
Un tomo falta en su sitio
normal
Intersticiales
Atomo se inserta en una
posicin habitualmente
desocupada
Substitucionales
Substitucin de un tomo
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Defectos
Defecto de Schottky
Par de defectos vacante-
vacante
Tpico de materiales
ceramicos

Defecto de Frenkel
Par de defectos vacante-
intersticial (un in salta a
un lugar intersticial).
Dos
cationes
han
saltado
Un catin
y anin
han
saltado
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Slidos
covalentes
Grafito
Atomos
Enlace covalente
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Caractersticas
Punto de fusin generalmente muy
altos
Duros o suaves
Generalmente son malos conductores
Estos slidos tienen por lo menos un
enlace localizado () por cada tomo
constitutivo.
Los dems electrones pueden estar
deslocalizados o no estarlo.
Tanto los elementos como los
compuestos pueden existir como
slidos covalentes.
grafito
diamante
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Caractersticas
Diamante.- Cada tomo est
enlazado en forma tetradrica
a 4 tomos
Grafito.- Posee una
estructura en capas
En una capa cada tomo de
carbono est unido a otros
tres tomos de carbono y, en
consecuencia, utiliza orbitales
hbridos sp
2
para formar tres
enlaces ( ) con cada uno de
sus tomos contiguos.
Diamante
Grafito
21
Slidos
moleculares
Molculas
hielo
Fuerzas intermoleculares
22
Caractersticas
Puntos de fusin y ebullicin relativamente
bajos
Blandos
Malos conductores
Frgil cuando esta puro

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Slidos
metlicos
Ines positivos y electrones mviles
Enlace metlico
Corte de Cu
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Caractersticas slidos metlicos
a) Maleables y dctiles
b) Brillo peculiar, denominado
lustre y se les puede bruir.
c) Altos puntos de fusin y
ebullicin.
d) Alta densidad y dureza.
e) Buenos conductores del
calor.
Nota: Las caractersticas se relacionan
con el arreglo de los tomos, en las
redes cristalinas.
25
Caractersticas slidos metlicos
f) Conductividades elctricas altas, las
cuales decrecen con la temperatura.
g) Soportan altas tensiones y poseen
alta elasticidad.
h) Son opacos a la luz.
i) Cristalizan en sistemas que poseen
nmeros de coordinacin altos, 8,12
j) Forman fcilmente soluciones
slidas (aleaciones de propiedades
metlicas)
26
Perspectiva Teora Cuntica


Permite determinar si un material es
conductor, aislante o semiconductor.
El anlisis ser cualitativo.
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Teora de bandas de los slidos
2
2
n
E
Z E
o
n

Niveles energticos del hidrgeno
Aproximar
X tomos ?
Los niveles de
energa de cada
tomo cambian
debido a la
influencia del otro
-13,6
-3,4
-1,51
1
2
3
n
E
n
eV

4

-0,85
Banda de energa permitida
El nivel se desdobla en X niveles
Separacin de tomos
Energa
Nivel
Nivel
28
Conductividad elctrica-banda de energa
Los e- que toman parte en la conduccin son los que ocupan
las 2 bandas superiores (de mayor energa E)
Segn el tipo de tomo y tipo de enlace:
Banda de
valencia
llena
aislante Conductor Semiconductor
Muchos estados
energticos vacos
Con espacio grande
entre bandas
Banda de
conduccin
(superior vaca)
Demasiado dbil
para excitar e-
Semillena
Los e- pueden
pasar fcilmente a
un estado
energtico superior
Algunos e- son
excitados a T
ordinarias, y pasan
banda superior,
dejando huecos en
la b. de valencia
Campo
elctrico
tpico
+ +
- -
29
Semiconductores
Un semiconductor puro
como el Ge se le
denomina semiconductor
intrnseco.
En la prctica: diodos y
transistores utilizan
semiconductores con
impurezas, se los ha
dopado, y se le denomina
semiconductor
extrnseco
30
Semiconductor tipo n
Se tiene un e- del
tomo de As est
dbilmente ligado al
tomo, se excita
fcilmente (dona e-) y
pasa a la B.C.
Los principales
portadores de carga
son e-, se le denomina
semiconductor tipo n
B.V.
B.C.
-
Nivel energtico
de e
-
extra
B.V.
B.C.
31
Semiconductor tipo p
Con el tomo de Ga se
tiene una vacante, el cual
acepta fcilmente un e- .
Cuando los e- se mueven
hacia la vacante esta se
desplaza
Los portadores de carga
son vacantes positivas,
se les denomina
semiconductor tipo p
B.V.
B.C.
Nivel energtico
aceptante
+
- +
B.C.
B.V.
32
Semiconductor.-
Brecha de energa
es pequea, de
modo que algunos
e- son excitados y
pasan a la banda
de conduccin a T
normales, dejando
huecos en la
banda de valencia
Estructura
de bandas
33
Caractersticas elctricas de slidos
Conductividad (/ m)
< 10
-8
aislantes Cuarzos,
plsticos,
10
-8
Semiconductores
intrnsecos
Silicio, germanio
10
-8
- 10
6
Semiconductores
extrnsecos
Si o Ge con
impurezas de
Ga, In Sb, P, etc.
10
6
- 10
8
conductores Cobre, plata,...
34
Adicionales
35
Superconductividad
Se da en algunos metales cuando por
debajo de una temperatura crtica (Tc)
la resistividad es cero.
Descubierto en 1911 H. Karmenkligh
Onnes, con He licuado (T 4,2K)
estudio propiedades de materiales a
estas temperaturas.
Ofrecen la posibilidad de generar
campos magnticos altos:
Tren experimental de friccin cero.
Equipos de resonancia magntica.
HgBA
2
Ca
2
Cu
3
O
8
+ delta dopado con talio 138K, R = 0
36
Difraccin por Rayos X
Es una tcnica para
determinar el arreglo de
tomos en los compuestos
slidos, y medir la longitud y
ngulo de enlace.
El fenmeno de difraccin
es la interferencia entre las
ondas que se genera cuando
hay un objeto en su trayecto.
Generando un patrn de
rayas oscuras e iluminadas
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Difraccin por Rayos X
Pantalla con ranuras
Se tiene capas
regulares de tomos en
un cristal, acta como
conjunto tridimensional
de ranuras.
El patrn
vara cundo
se gira el
cristal
Por que rayos X?
Ocurra la
difraccin
de
radiacin
Espacios caractersticos
dentro del objeto 100pm
patrn

38
Ley de Bragg
Suponemos que se
reflejan especularmente:
i = r =
Diferencia de trayectos
correspondientes a
rayos reflejados:

i r
2
1
Rayos
Plano de
tomos
d

2 dsen
Se produce interferencia constructiva de la radiacin
cuando:

Puede producirse para 2d (por eso se usa rayos
X)
La reflexin es especular para ciertos valores de
2dsen = n
n: nmero entero (orden)
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Ley de Bragg
La intensidad de la reflexin depende de la
densidad atmica del plano; cuanto mayor sea
el nmero de tomos por unidad de rea en el
plano que refleja, el rayo reflejado ser ms
intenso.
La intensidad tambin depende del nmero
atmico, es decir del nmero de electrones que
rodean al ncleo.
Plano de
tomos
d
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CLASIFICACION DE LOS SLIDOS CRISTALINOS
Tipo de
Cristal
Partculas
Fuerzas de
Interaccin
Propiedades Ejem.
INICO
Cationes y
Aniones
Atraccin
electrosttica
Altos punto de fusin
Duros y frgiles
Malos conductores
NaCl
Ca(NO
3
)
2

COVALENTE tomos Enlace covalente
Punto de fusin
generalmente muy altos
Duros o suaves
Generalmente son malos
conductores
Diamante
SiO
2
B
P negro
MOLECULAR Molculas
Fuerzas
intermoleculares
Bajos punto de fusin
Blandos
Malos conductores
H
2
0
CH
4
CO
2
METLICO
Ines
positivos y
electrones
mviles
Enlace metlico
De blandos a muy duros
Punto de fusin variables
Maleables y dctiles
Buenos conductores
Al
Cu
Ag
Fe
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Kevlar
Es una poliamida sintetizada por
primera vez por la qumica
Stephanie Kwolek en 1965, quien
trabajaba para DuPont
Se usa habitualmente
especialmente en ropa resistente
(de proteccin): chalecos
antibalas, equipamiento para
deportes extremos y para la
industria aeronautica.
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Caractersticas generales de KEVLAR
Alta fuerza extensible en el peso bajo
Alargamiento bajo para romper el mdulo
alto (rigidez estructural)
Conductividad Elctrica Baja
Alta Resistencia Qumica
Contraccin Termal Baja
Alta Dureza (Trabajar-A-Romperse)
Estabilidad Dimensional Excelente
Alta Resistencia Del Corte