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Resumen En el presente informe se analizan tres tipos de

configuraciones de amplificadores con MOSFET de canal N y
otro tipo de aplicaciones, tales como los seguidores de fuente en
drenaje comn y amplificadores en fuente comn y compuerta
comn. Para cada una de ellas e hicieron sus respectivos clculos
y, en efecto, un correspondiente diseo para evaluar la veracidad
de los modelos matemticos relacionados con el comportamiento
del dispositivo mencionado.
Palabras clavetransistor, MOSFET, drain, sourse, gate,
amplificador, transconductancia.

I. INTRODUCCION
xisten seales de naturaleza anloga, emitidas de forma
mecnica, las cuales en su mayora de veces requieren de
un mecanismo de transduccin, para que en su forma elctrica
puedan tratarse, analizarse, estudiarse o simplemente
identificarse para determinado fin, ya sea prevenir algn tipo
de nocividad o para diversos fines. La mayora de estas
seales pasan el mecanismo de transduccin a muy baja
potencia y su amplitud no es suficiente para ser detectado de
forma audible o visible, siendo este un problema hasta la
dcada de los 50s cuando se introdujo la aparicin del
transistor MOSFET, y con este las aplicaciones que conlleva
como la amplificacin de las seales alternas, aumentando su
magnitud y los seguidores de fuente, manteniendo los valores
de tensin y corriente, casi a los mismo niveles que la seal de
entrada, esto con el fin de implementar amplificaciones de
forma ptima con el menor tipo de prdida de las cualidades
de la seal de entrada y adicionalmente transformara en una
seal detectable frente a los sentidos del ser humano. Lo
anterior revolucion los mecanismos de emisin y recepcin
de seales, permitiendo la creacin de diversos dispositivos
como los detectores de seales de baja amplitud a medias
frecuencias y amplificadores de sonido con ms ganancia a
menor tamao gracias a la implementacin de los
componentes no lineales en estado slido para el diseo como
se describe a continuacin.

II. MARCO TERICO
Se tienen tres tipos de amplificadores con uso de dispositivos
mosfet, y cada uno se distingue por la referencia de la seal de


entrada y la de salida: amplificador de fuente comn, de
compuerta comn y de drenaje comn (o seguidor de fuente).
A. Amplificador de fuente comn[1]


Un capacitor es conectado entre la fuente de seal y la
compuerta, el cual requiere una impedancia pequea
(idealmente cero) con el propsito de este se pueda asumir
como un corto circuito y entonces represente un voltaje cero
en la fuente del mosfet. La fuente de corriente representa la
corriente de drain a sourse, con el fin de fijar la misma hacia
un punto de polarizacin adecuado para la amplificacin.

Al ser analizado con el modelo de pequea seal, tenemos:


En donde

Generalmente

se elige de un valor muy gande (del rango

de los M) con el objetivo de que

, y en
consecuencia, reciba la mayor cantidad de tensin de la seal.
Transistor MOSFET En Circuitos Amplicadores
Arguello Omar, Ortiz Nelson, Santana Daniel
{ojarguelloa, ndortiza, daesantanaac}@unal.edu.co
Universidad Nacional de Colombia

E

2

Y en consecuencia

Adems,

||

||

En consecuencia la ganancia de voltaje ser

||

||

Con

||

B. Amplificador de compuerta comn



Es parecido al circuito de la fuente comn, excepto que en esta
configuracin la compuerta esta referenciada a tierra y la seal
de entrada se le aplica en la terminal de la fuente. Debido a
esto, el voltaje de Gate ser cero, y de ah el nombre de esta
configuracin.



C. Amplificador de Drenaje comn



Se utiliza como amplificador separador y se caracteriza
principalmente porque su ganancia es menor a la unidad, no
obstante posee una baja resistencia de salida y por ello es
capaz de activar cargas de impedancia con poca perdida de
ganancia. Tambin llamado seguidor de fuente, encuentra
aplicacin como etapa de salida en un amplificador de etapas
mltiples. Su accin de separar impedancias tambin se puede
usar para extender la respuesta en la alta frecuencia de
amplificadores y acelerar la operacin de circuitos digitales.

D. Fuente Espejo de corriente


Tienen principal uso en el diseo de fuentes de corriente
constante, especialmente en generacin de corrientes que se
repiten en varios lugares de un circuito integrado para
conseguir corrientes de cd de polarizacin para varias etapas
de un amplificador.

Se tiene que

Y puesto que las corrientes de compuerta son cero

III. PROCEDIMIENTO

Se realizaron tres diseos de amplificador correspondientes a
los tres tipos de configuracin posible con transistores mosfet:
fuente comn, drenaje comn y compuerta comn. Luego se
3
efectu el diseo de dos fuentes de corriente constante, una
con dos nMOS y la segunda con dos pMOS. Finalmente, con
una de las fuentes de corriente constante diseadas, se polarizo
un tercer transistor, igual a los dos anteriores, para disear un
amplificador con carga activa.

Los parmetros del transistor utilizado son

{

A. Amplificador fuente comn
Para esto se supuso una corriente de polarizacin

Entonces tenemos que

Por lo tanto, de polarizacin

Segn el anlisis de polarizacin, y estableciendo

tenemos que:

=10.5629V

Entonces

As, para obtener un valor de

adecuado, hacemos

Los capacitores los elegimos de un orden relativamente alto
para obtener impedancias pequeas en ac, por ejemplo, del
orden de

. El diseo se muestra en la figura 1

Fig. 9. Simulacin del circuito rectificador de media onda.

Luego de hacer el montaje y hacer las respectivas mediciones,
se obtuvieron las siguientes seales (figura 2.) de entrada y
salida en el osciloscopio.

En este caso la ganancia de voltaje esta dada por:

||

Y las resistencias de entrada y salida son:

||

||

Fig. 1. Diseo amplificador MOSFET fuente comn.


Fig. 2. Seales de entrada y salida para el amplificador fuente comn.



Fig. 2.1 modelo de pequea seal para el amplificador de fuente comun

4
B. Amplificador drenaje comn
Para el diseo de este amplificador se asumieron los siguientes
valores

Entonces la corriente de polarizacin es:

Y las resistencias de drenaje y fuente son:

Las resistencias

se tomaron de 10M cada una para

garantizar el divisor de tensin. El diseo final y su respectiva
simulacin se muestran en la figura 4.


De los datos supuestos, tenemos que:

As mismo, las resistencias de salida y entrada son:

||

En consecuencia, la ganancia de voltaje estar dada por:

||

||

C. Amplificador Compuerta comn

Para este diseo se asumieron los mismos parmetros en DC
(de polarizacin) que la configuracin anterior, es decir:

El diseo se muestra en la figura 5, adems de la comparacin
de las seales de entrada y de salida obtenidas por simulacin.

Los resultados medidos se muestran en la figura 6



Fig. 4. Diseo Amplificador Drenaje comn




Fig. 5. Diseo y simulacin Amplificador compuerta comn



Fig. 4.1 modelo de pequea seal para el amplificador de drenaje comn

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En la figura 6.1 se muestra el modelo para el respectivo
anlisis AC.

De donde podemos inferir:

||

||

Por consiguiente:

||

||

||

Y las resistencias de entrada y salida son:

D. Fuente espejo de corriente
Se tiene que la corriente de drain del transistor Q1 es de 2
mA, y sabiendo que los dos transistores son iguales,
entonces la corriente de drain de Q2 debe ser igual, esto es:

(1)

Y puesto que las corrientes de compuerta son cero

Reemplazando en (1)

La ms adecuada es

, por lo que el voltaje de compuerta

es:

Y puesto que las fuentes estn conectadas a tierra, legamos
a que

El grafico 7.1 muestra el diseo del circuito ms los
resultados de su simulacin





Fig. 6. Seales de entrada y salida para el amplificador Compuerta comn
captadas por el osciloscopio.





Fig. 6.1 Seales de entrada y salida para el amplificador Compuerta
comn captadas por el osciloscopio.





Fig. 7configuracion fuente espejo de corriente nmos.

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La resistencia de carga mxima que se le puede adecuar al
montaje para que la corriente en el transistor Q1 no varie,
viene dada por la tensin en drain del mismo que no es
inferior al voltaje de gate disminuido en el voltaje de umbral,
es decir:

El cual se obtendra mediante la resistencia:

En la prctica, se obtuvo una corriente de 2.1mA y un voltaje
de compuerta de 2.29 V


E. Amplificador con carga activa

Con la fuente de corriente constante diseada en el modelo
anterior, se adecua un nuevo mosfet, igual a los dos
contenidos en la fuente de corriente, se realiza el proceso de
polarizacin con la corriente de la fuente, as pues, tenemos el
siguiente diseo y su respectiva simulacin en la figura 8:

IV. ANLISIS
Los resultados obtenidos para el amplificador de fuente comn
fueron realmente cercanos a los esperados, puesto que la
ganancia del amplificador es de 5 V/V aproximadamente, lo
ideal era una ganancia parecida a 6V/V, sin embargo los
condensadores presentaban un retraso en la visualizacin del
estado estable. Adicionalmente el amplificador tiene el desfase
esperado por el anlisis en AC para la ganancia de la cual se
supona, considerndose satisfactorio el resultado de la
prctica de laboratorio para esta seccin, pues se cumplen con
las expectativas y se visualizan las caractersticas para el
amplificador en source comn.

Nuevamente obtenemos los resultados esperados, con una
amplificacin similar a la hallada tericamente, adems de ser
bastante congruente con las simulaciones del circuito. La seal
vuelve a estar en fase, pues observando detenidamente la
ecuacin que nos describe la ganancia, se puede apreciar que
su ganancia es netamente positiva, adems de estar descrita de
la misma manera misma pero en sentido inverso de la
configuracin en source comn. Se esperaba conseguir un
resultado bastante aproximado a la ganancia de casi 4 V/V de
los resultados tericos, sin embargo de bueno podemos
observar que el anlisis, omitiendo la modulacin del canal en
zona de saturacin, se observan los fenmenos capacitivos, los
cuales en la prctica retrasaban bastante la amplificacin por
causa de las condiciones iniciales del circuito y los transitorios
mientras el amplificador entraba en estado estacionario.

Inicialmente se conect una resistencia de 100 como carga
de la fuente, obteniendo as un valor de corriente I
D
=2.2 mA.
Y a medida que se fue aumentando el valor de la resistencia de
carga la,sin sobrepasar el lmite de la carga
mxima() la corriente de drain se conserv ms o
menos en el mismo valor, sin embargo, al sobrepasar este
lmite se observ una variacin cada vez ms notoria a medida
de que se aumentaba ms el valor de la carga.
Adicionalmente se hicieron los clculos respectivos para poder
tener un punto de comparacin al variar experimentalmente el
valor de la resistencia de carga, al variar el valor dentro de los
lmites establecidos de tal forma que

cumpla las
condiciones de saturacin, entonces el lmite se encuentra en
el valor de

para el que el transistor se encuentre cerca de la

frontera entre trodo y saturacin.


V. PREGUNTAS SUGERIDAS
1. Qu condiciones debe tener en cuenta para una
polarizacin que garantice una buena amplicacin?
V
GS
>V
t
) y que se encuentre en zona de saturacin
(V
DS
>=V
GS
- V
t
); esto se logra asumiendo las tensiones
tales que me garanticen la regin de operacin del
transistor en dicha zona, teniendo en cuenta tambin la
oscilacin de la seal.

2. Qu puede concluir de cada una de las
configuraciones de amplificacin?
Del source comn, pues como se evidencia en la imagen
del osciloscopio la seal de salida se encuentra en desfase
con respecto a la seal de entrada, adems con esta
configuracin dentro de las disponibles con el transistor
de efecto de campo, se puede sacar la mayor ganancia. No
obstante se producen efectos poco favorables en relacin
con las resistencia de salida, pues la resistencia de entrada
presenta una ventaja al ser grande y poder captar la seal
casi en su totalidad, no obstante, la impedancia de salida
que se traduce en la resistencia del drain que es
difcilmente acoplable con alguna carga o resistencia de
un transductor al exigir esta misma una cantidad de
corriente haciendo que la seal se caiga.

Para el amplificador en drain comn, es evidente que
atena la seal pero tiene ventajas como seguidor de
corriente, al poder acoplar la impedancia de salida con la
carga conectada, esto balancea las condiciones de
potencia del circuito, haciendo que la seal se mantenga



Fig. 7.1 diseo de la fuente espejo de corriente y su respectiva simulacin

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con una ganancia no mayor a 1, pero asegurando
suministrar la corriente necesaria.

Finalmente el amplificador en gate comn puede asumirse
como la etapa principal de una amplificacin ptima, pues
en diferentes formas de polarizacin la impedancia de
entrada es fcilmente manipulable al ser inversamente
proporcional a la transconductancia del modelo en
pequea seal.

El modelo de amplificador con carga activa puede
optimizarse encontrando una corriente de polarizacin
adecuada para el mosfet, esto depende de la tensin Vdd
que se use, as como de la resistencia de referencia.
3. Qu sucede al variar la amplitud de la seal de
entrada?
La seal de entrada tiene unos lmites establecidos para
no provocar cambios en la forma de onda, pues
precisamente al cambiar o ms bien aumentar la seal a
determinada cantidad, empiezan a considerarse
distorsiones de naturaleza no lineal, lo cual modifica el
comportamiento del transistor, y todo el modelo utilizado
con base en v
gs
<<2(V
GS
-V
t
) no se presenta til para las
presentes aplicaciones.

4. Qu ventajas representa el uso de amplificadores
con carga activa?
Realmente la ventaja que se puede considerar de esta
configuracin es en el sentido de la polarizacin, pues el
transistor se ve forzado a entrar en la regin de operacin
deseada (saturacin) y no se tienen que emplear criterios
de diseo tan rigurosos como en las configuraciones de
divisor de tensin, realimentacin, etc.

5. Qu diferencia existe entre las fuente de corriente
con mosfet canal n y mosfet canal p? se pueden usar
indistintamente?
La diferencia est en que son transistores de diferente
tipo. Desde una perspectiva netamente de el circuito, su
uso no puede hacerse de forma indistinta, puesto que para
la fuente con mosfet canal p las tensiones asociadas a la
polarizacin son de forma negativa, adems los
parmetros de los transistores cambian, fuera de esto su
uso indistinto si es posible, puesto que lo interesante en
este tipo de aplicacin es la corriente que se hace fluir en
el segundo transistor, y siempre y cuando los dos arreglos
sean capaces de otorgarme una corriente deseada de
polarizacin, no se hace distincin del uno con respecto al
otro para su funcionamiento en amplificadores.

I. CONCLUSIONES
En la aplicacin de circuitos con transistores Mosfet es de
vital importancia la polarizacin de los mismos, ya que un
punto de operacin apropiado o punto de polarizacin se
caracteriza por una corriente de drenaje de corriente continua
estable y predecible, I
D
y por una tensin de drenaje a fuente
de DC, V
DS
que asegura la operacin en la regin de
saturacin para todos los niveles de seal de entrada
esperados. Lo que facilita el anlisis del comportamiento del
transistor Mosfet y su estabilidad en aplicaciones como la de
amplificacin.
Segn los resultados hallados en la experimentacin con la
polarizacin en retroalimentacin y con divisor de tensin, la
primera ofrece una cuantas ventajas ms con respecto a la
segunda, ya que permite trabajar con un circuito ms estable y
el comportamiento experimental del transistor es muy
congruente con los clculos tericos hechos anticipadamente,
lo cual hace pensar que en etapas de diseo el Mosfet puede
ser modelado de forma muy eficiente mediante esta
polarizacin.
Para las configuraciones de amplificadores de seal en fuente
comn, se puede contar con un circuito muy estable que
proporciona unos rangos de amplificacin muy provechosos,
es decir tiene unos valores de ganancia altos lo cual tiene
buenas ventajas si se quiere reducir las etapas de amplificacin
para llegar a un valor de tensin deseado. Sin embargo, la
seal de salida queda desfasada con respecto a la seal de
entrada quedando invertida, o en un ngulo de desfase de
180. De esta configuracin de amplificacin se puede esperar
una buena herramienta para aplicaciones que requieran pocas
etapas de amplificacin para llegar a una tensin deseada,
adems que un circuito predecible que generar unas
facilidades importantes en etapas de diseo y modelacin.
Para el amplificador en drenaje comn, se puede tener en
cuenta su ventaja en la reduccin de la impedancia de salida
del circuito lo cual lo hace muy til en circuitos de acople que
tengan una resistencia muy alta y requieran una impedancia
ms pequea a la salida. En esta prctica se observ su
funcin de atenuador, y se pudo verificar como su salida, en
menor amplitud, sigue en fase con la seal de entrada, por
tales caractersticas es llamado amplificador de Bfer de
tensin y seguidor de tensin. La baja en la impedancia a la
salida permite su aplicacin en la salida de un amplificador de
varias etapas, lo que provee al amplificador general de una
resistencia de salida baja, lo que permite suministrar corrientes
de carga relativamente grandes sin prdida de ganancia.
Tambin se pudo apreciar que la efectividad del amplificador
es un poco menor con respecto al primer amplificador
trabajado, ya que los resultados experimentales tuvieron un
rango de variacin mucho mayor, al que se present en el
amplificador en fuentes comn.

II. BIBLIOGRAFA
[1] Sedra K. Smith. Circuitos Micro electrnicos 4ta edicin,
Interamericana.
[2] Boylestand R. & Nashelsky L. Electrnica y Teora de
circuitos Cuarta edicin. Prentice Hall