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ConceptionConception HautHaut NiveauNiveau MixteMixte etet MultiMulti--TechnologiqueTechnologique Sabeur JEMMALI
ConceptionConception HautHaut NiveauNiveau
MixteMixte etet
MultiMulti--TechnologiqueTechnologique
Sabeur JEMMALI
Département Électronique Industrielle
IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation ApplicationsApplications ConclusionConclusion
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
PlanPlan
 Introduction générale
 Architecture du langage VHDL-AMS
 Considérations de développement et
styles de composition d'un système
 Applications
 Conclusions
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Modélisation de la température dans le bipolaire de puissance et dans les mémoires flash

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IntroductionIntroduction IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
PlanPlan
 Introduction générale
 Architecture du langage VHDL-AMS
 Considérations de développement et
styles de composition d'un système
 Applications
 Conclusions
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IntroductionIntroduction
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
IntroductionIntroduction généralegénérale
 Modèles et simulateurs
– Modélisation et simulation
• Le modèle d’un système : représentation de son
comportement à l’aide de laquelle le simulateur comprend et
procède à des calculs
• Le modèle : fidèle (trop difficile) et exact → Critère de la
modélisation
• Le modèle : temps discret ou continu ou les deux
– Temps discret → communication des processus ou équations
booléennes
– Temps continu → équations analytiques ou mathématiques
• SoC → Combiner les deux types de modélisation
• Pour simuler les deux comportements → simulateurs mixtes
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IntroductionIntroduction IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
IntroductionIntroduction généralegénérale
– Limitations de SPICE
• SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit
Emphasis) → Berkeley
• SPICE est un standard de fait → outil le plus
efficace pour le CAO (analogique)
• Mais il comporte des limitations dans certains
domaines :
– Modélisation mixte→SPICE→analogique→numérique??,
– Modélisation comportementale→SPICE→Stucturelle,
– Transmission de données → Système conservatif
(SPICE), Système non conservatif (flots de données)??
– La transparence : connaître le modèle, modèles dans
SPICE sont complexes.
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IntroductionIntroduction
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
IntroductionIntroduction généralegénérale
 Les différent types de langages
– 4 grandes familles de langages descriptifs : les langages de
description logicielle, les langages de description structurelle, les
langages de description matérielle appelés souvent HDL : Hardware
Description Langage et les langages de description matérielle et
logicielle
• Les langages de description logicielle
– C/C++, FORTRAN, ADA, etc.
– Utiliser pour programmer des mini-simulateurs numériques ou pour vérifier
certaines fonctionnalités
– Ces langages se caractérisent par leur souplesse et par la facilité de leur mise en
oeuvre dans certaines applications numériques
– Simulateurs ouverts :
• Eldo de Mentor Graphics → modèles en C : CFAS (C Function Analog Simulation)
• SmartSpice de SILVACO → INTERPRETER
– Outil + co-langages (C/C++): servent à améliorer, affiner, et personnaliser les
modèles à décrire → HDL-A, MAST, ADVance MS, etc.
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IntroductionIntroduction IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
IntroductionIntroduction généralegénérale
 Les différent types de langages
• Les langages de description structurelle
– Macro-modèlisation de SPICE → modéliser des fonctions analogique
– Les macro-modèles sont construits à partir des nombres réduits de composants idéaux
– Les composants utilisés sont des composants primitifs de SPICE
– Inclure des éléments passifs (résistance, capacité, etc.), des sources dépendantes et indépendantes, et
des modèles non-linaire de bas niveau comme les diodes et les transistors bipolaires ou MOS de
niveau 1 de SPICE
– Les sources contrôlées (sources dépendantes) sont des éléments idéaux qui permettent d’exprimer
des relations mathématiques entre les courants et les tensions 4 types :
• Source de tension contrôlée par une tension (VCVS) : V E = EV C (linaire) ,
V E = e(V C ) (non linaire)
• Source de tension contrôlée par un courant (CCVS) : V H = HI C (linaire) ,
VH = h(IC) (non linaire)
• Source de courant contrôlée par un courant (VCCS) : I G = GI C (linaire) ,
I G = g(I C ) (non linaire)
• Source de courant contrôlée par une tension (CCCS) : I G = GI C (linaire) ,
I G = g(I C ) (non linaire)
Avantages → Pas l’apprentissage d’un langage de programmation, bonne connaissance de SPICE
Inconvénients → La non-linérarité des composants, Problème de convergence dû au discontinuité,
Paramétrage des composants qui n’existe pas dans SPICE de base, mais nous pouvons le trouver dans les
dérivés de SPICE → Eldo, SmartSpice, PSPICE, etc. Plage de fonctionnement du macro-modèle est limité,
problème de paramétrage des composants (SPICE3), La limitation de la macro-modèlisation aux circuits
analogiques
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IntroductionIntroduction
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
IntroductionIntroduction généralegénérale
 Les différent types de langages
• Les langages de description matérielle : HDL
– VHDL et Verilog
– Utilisation des HDL pour réduire le temps de conception et du synthèse
– L’idée des HDL pour la conception des circuits analogiques et mixtes
venu de ses langages numériques
– Exemple : HDL-A de Mentor Graphics (Eldo); MAST d’Analogy; SaberHDL
de Synopsys; SpectreHDL de Cadence (Spectre)
– Ces langages sont appelés langages propriétaires (pas de standard)
– Des nouvelles normes apparues à base de ces langages : VHDL-AMS et
Verilog-AMS : modélisation analogique et mixte
– Il existe des langages dérivé de ces langages qui sont : VHDL-A et
Verilog-A : modélisation analogique
• Les langages de description HW et SW
– SystemC : décrie en C++ (Windows ou Linux), Phase de vérification
niveau système
– Associé au ModelSim de Mentor Graphics, et peut être autres HDL
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation ApplicationsApplications
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
PlanPlan
 Introduction générale
 Architecture du langage VHDL-AMS
 Considérations de développement et
styles de composition d'un système
 Applications
 Conclusions
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
 C’est quoi VHDL-AMS ?
VHDL
(VHSIC Hardware Description
Language)
AMS
Standard IEEE 1076 - 1993
Analog signal
Mixted Signal
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation ApplicationsApplications
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
 C’est quoi VHDL-AMS ?
 Le même modèle décrit en VHDL et valable en
VHDL-AMS
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
 A quoi sert VHDL-AMS ?
Système
électrique
Non-
et
non-électrique
synthétisable !
VHDL-AMS
Système
Électrique
Système
Mixtes A/N
Numérique
Système
Analogique
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation ApplicationsApplications
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
 Structure d’un modèle VHDL-AMS
GENERIC
A
A
A
A
R
R
R
R
C
C
C
C
H
H
H
H
P
I
I
I
I
O
T
T
T
T
….
E
E
E
E
R
C
C
C
C
T
T
T
T
T
U
U
U
U
R
R
R
R
E
E
E
E
1
2
3
n
ENTITY
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
 Généralités sur VHDL 1076.1
– Les systèmes à temps continu visés par VHDL-AMS
sont décris par des équations différentielles et
algébriques (DAE)
DAE
Système conservatif
Système non-conservatif
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation ApplicationsApplications
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
Systèmes conservatifs
Systèmes non-conservatifs
 Les inconnues définies explicitement
 Les inconnues définies implicitement
 Obéissent aux lois de la physique et
 N’obéissent pas aux lois de la physique
aux lois de conservation d’énergie
 Les équations mathématiques (DAE)
 Circuit électrique (loi de Kirchoff) ou
 Ils sont exploités au niveau VHDL-
mécanique (loi de Newton) etc.
 Ils sont exploités au niveau VHDL-
AMS par les terminaux et les natures
AMS par des quantités libres ou des
quantités de port (free quantity ou port
quantity)
(terminal et nature)
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
 Terminal et nature
Terminal
Interne : pour déclarer
des nœuds internes
Externe : pour la
connexion entre les
composants
Nature (Domaine)
Électrique
Mécanique
Thermique
etc…
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation ApplicationsApplications
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
 Terminal et nature
– TERMINAL <Node1>,…<NodeN> : <struc_nature>
– PORT(TERMINAL <Node1>,…<NodeN> : <struc_nature>)
– Quantités associées sont appelées
quantité de branche
• Quantité aux borne de la branche (across
quantity) → Effort (cause)
• Quantité à travers de la branche (through
quantity) → Effet
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
 Terminal et nature
– Nature électrique ou non électrique
Nature
Effort
Effet
Électrique
Tension
Courant
Thermique
Température
Puissance
Hydraulique
Pression
Débit
Mécanique de
Vélocité
Force
translation
Mécanique de
Angle de rotation
Torsion
rotation
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation ApplicationsApplications
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
 Terminal et nature
QUANTITY <Effort_Quantity> ACROSS
<Effet_Quantity>
THROUGH <Node1> TO
<Node2>;
SUBTYPE <Subtype_Effort> IS REAL;
SUBTYPE <Subtype_Effet> IS REAL;
NATURE <Struc_nature> IS
<Subtype_Effort> across
<Subtype_Effet> through
<Nature_Ref> reference;
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
 Quantités
Quantités (Quantity)
Quantité libre
Quantité de branche
Quantité port
Quantité implicite
Quantité
Quantité à
aux bornes
travers
(across)
(through)
Terminal et Nature
Quantity Q : REAL;
Quantity V across I through p to n;
Port(Quantity Q :REAL);
Q’dot, Q’integ
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation ApplicationsApplications
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
 Quantité
QUANTITY <Quantite_Libre> : REAL;
QUANTITY <Effort_Quantity> ACROSS
<Effet_Quantity>
THROUGH <Node1> TO <Node2>;
PORT(QUANTITY <Quantite_Port> : REAL);
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
 Déclaration simultanée
Déclaration simultanée
Simple
Procédurale
Conditionnelle ou de
branchement
IF (condition) USE …
V == R * I;
I == C * V’dot;
P : PROCEDURAL IS
BEGIN
END USE;
CASE (condition) USE
END PROCEDURAL;
END CASE;
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation ApplicationsApplications
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
C
I
 Exemple d ’une capacité
m
p
LIBRARY WORK;
USE WORK.ELECTRICAL_SYSTEMS.all;
ENTITY CAPA IS
PACKAGE ELECTRICAL_SYSTEMS;
V
generic(C
: CAPACITANCE:=0.0;
--subtype declarations
SUBTYPE VOLTAGE IS REAL
tolerance “DEFAULT_VOLTAGE“;
IC : REAL :=REAL’LOW);
port ( TERMINAL p, m : Electrical );
BEGIN
assert (C > 0.0 ) report “Error : C must be > 0.0.“;
END CAPA;
-- Architecture 1
ARCHITECTURE AR_CAPA1 OF CAPA IS
-- Les constantes
-- Les terminaux interne (électrique)
-- Déclaration des quantités libre et liée (électrique)
QUANTITY Q : CHARGE;
QUANTITY V ACROSS I THROUGH p TO m;
BEGIN
SUBTYPE CURRENT IS REAL
tolerance “DEFAULT_CURRENT“;
SUBTYPE CHARGE IS REAL
tolerance “DEFAULT_CHARGE“;
SUBTYPE RESISTANCE IS REAL
tolerance “DEFAULT_RESISTANCE“;
SUBTYPE CAPACITANCE IS REAL
tolerance “DEFAULT_CAPACITANCE“;
--nature decalations
NATURE Electrical IS
VOLTAGE
across
CURRENT
through
ELECTRICAL_REF
reference;
Q
== C * V; --Déclaration simultanée simple
I
== Q ’Dot;
--Q’Dot : quantité implicite
ALIAS GROUND IS ELECTRICAL_REF;
--
Conditon initial
Break V => IC When IC /= REAL’LOW;
END AR_CAPA1;
-- Architecture 2
NATURE Electrical_Vector IS
ARRAY (NATURAL RANGE <> ) OF Electrical;
END PACKAGE ELECTRICAL_SYSTEMS;
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
ArchitectureArchitecture dudu langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
 Exemple d‘un ampli. comparateur
LIBRARY WORK;
USE WORK.ELECTRICAL_SYSTEMS.all;
ENTITY limiter IS
generic(GAIN
: REAL:=1.0;
CONSTANT LIMIT : REAL);
port ( TERMINAL inp, inm : in Electrical
TERMINAL p, m : out Electrical );
-- Entrée
-- Sortie
BEGIN
assert (GAIN > 0.0 ) report “Error : Le gain > 0 “;
END limiter;
-- Architecture procédurale
ARCHITECTURE proc OF limiter IS
-- Architecture simultanée conditionnelle
ARCHITECTURE simul OF limiter IS
QUANTITY Vin : ACROSS inp TO inm;
QUANTITY V ACROSS I THROUGH p TO m;
BEGIN
proced:
QUANTITY Vin : ACROSS inp TO inm;
QUANTITY V ACROSS I THROUGH p TO m;
BEGIN
IF ((GAIN * Vin) > LIMIT) USE
PROCEDURAL IS
VARIABLE Vout : VOLTAGE;
BEGIN
Vout := GAIN * Vin;
V == LIMIT;
ELSIF ((GAIN * VIN) < (-LIMIT)) USE
V == -LIMIT;
ELSE
V
:=
Vout;
V == GAIN * Vin;
IF
(Vout > LIMIT) THEN
END USE;
V := LIMIT;
END simul;
ELSIF (Vout < (-LIMIT)) THEN
V := -LIMIT;
END IF ;
END PROCEDURAL;
END proc;
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation ApplicationsApplications
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
IntroductionIntroduction auau langagelangage VHDLVHDL--AMSAMS
 Initialisation et point stable de fonctionnement
NOW := 0 sec
Domaine
fréquentiel
Obtention d’une
solution
Affectation des
valeurs
initiales des
signaux
et des quantités
analogique
Domaine
Mise à jour
des signaux
temporel ?
Activation des
Affectation des
valeurs
Q’above(E)
à Q > E
Activation des
processus
processus du
domaine
Délai nul ?
Activation de tous
les processus
Domaine
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État de repos
ou Domaine
initial
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temporel
Mise à jour du
signal DOMAIN
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation ApplicationsApplications ConclusionConclusion
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
PlanPlan
 Introduction au langage VHDL-AMS
 Description et Implantation de
dispositifs dans VHDL-AMS
 Description et Implantation d’un
modèle thermo-électrique
 Conclusion
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS PBJTPBJT,, MOSMOS etet EEPROMEEPROM ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJTPBJT,, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
C
I C
Transistor Bipolaire de Puissance
Modèle Ebers-Moll (Statique)
I
EC
V
• Une version d’injection
BC
R
B
• Une version transport
I CT =I CC -I EC
I
 Mais ce modèle ne tient pas
B
I
CC
V
BE
compte d’autres phénomènes
– Modèle Gummel-Poon
F
Modèle déduit du modèle d’Ebers-Moll
I E
E
Modèle statique
– Effet de l ’affaiblissement de courant, dû à la recombinaison
 Chute de 
– Ajout 4 paramètres qui tient compte de ce phénomène
 Deux diodes ajoutées par rapport au modèle Ebers-Moll
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJTPBJT,, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
C’
r
C
C 4 I SS [exp(q V BC / n CL K T) - 1]
I
C
C
I
EC
V
BC
I BCN
R
B’
r BB ’
B
I CT =I CC -I EC
I
I
B
CC
I BEN
V
BE
F
E
I
CC =I SS /q b .[exp(q.V BE / k.T) -1]
I
E
C 2 I SS [exp(q V BE / n EL K T) - 1]
r
I
EC =I SS /q b . [exp(q.V BC / k.T) -1]
E
E’
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS PBJTPBJT,, MOSMOS etet EEPROMEEPROM ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJTPBJT,, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
• Modèle dynamique
Q JE
Q JC
– Quatre types de capacité
n +
p
n -
• Capacité de diffusion (non linaire)
E
B C
• Capacité de la jonction (non linaire)
• Capacité de substrat (C te ) C cs
• Capacité de distribution B-C : C JX
– Capacité de diffusion
• Q DE =Q E +Q JE +Q BF +Q JC => Q DE  F .I CC
• Q DC =Q C +Q JC +Q BR +Q JE => Q DC  R .I EC
I E
Q C
I C
Q E
I B
d  τ
F .I
dQ DE
CC 
C
DE
dV BE
dV BE
– Capacité de jonction
C
J  0 
V CE
V BE
• Modélisée par :
C
J
m
V 
  1 
Q BF
Q BR
Φ 
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJTPBJT,, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
C’
C
BC =C DC +C JC
r
C
C
JX
V
BC
B’
r BB ’
B
C
C
BC
V
BE
I
C
V
C
B
BE
CE
CS
I
C
E
C
r
BE =C DE +C J
E
E
E’
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS PBJTPBJT,, MOSMOS etet EEPROMEEPROM ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJTPBJT,, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
 Le PBJT peut être modélisé par
– Un BJT de type Gummel-Poon entre E, C et B interne
– Couplé à une résistance variable Rcc
– Chute de tension Vcc aux bornes de Rcc due
• A la partie ohmique du collecteur épitaxié
• Au gradient de concentration de porteurs dans la zone
modulée
– Rc du modèle Gummel-Poon est rapporté à l’extrémité
du transistor de puissance
– I rec :courant de recombinaison des porteurs minoritaires
dans la zone épitaxiée
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJTPBJT,, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
Épitaxié
E
B
C
N +
N
-
Zone
Zone
Semelle
modulée
ohmique
V cc
Gradient de
p(x)~0
concentration
Vbc i
de porteurs
p(x)~n(x)
Vbe i
I c
I rec
x
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Modélisation de la température dans le bipolaire de puissance et dans les mémoires flash

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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS PBJTPBJT,, MOSMOS etet EEPROMEEPROM ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJTPBJT,, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
– Le modèle du PBJT complet
Emetteur
Base
Collecteur
Semelle
(N++)
(P)
(épitaxie N-)
(N+)
Rcc
E
C in
C
E in
C out
G-P
Re
Rc
Vcc
B in
Irec
Rb
B
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJTPBJT,, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
– Implantation VHDL-AMS du modèle Gummel-Poon
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
 Transistor MOS
– Modèle du transistor MOS niveau 1
• Pas suffisamment précis
• Théorie trop approximée et nombre de paramètres à
ajuster trop faible
– Modèle du transistor MOS niveau 2
• Approche physique
• Précis si tous les paramètres sont utilisés,
• Temps de simulation très grand et souvent problèmes de
convergence
– Modèle du transistor MOS niveau 3
• Approche semi-empirique
• Erreur quadratique moindre et moins long en simulation
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
Grille
• Modèle statique
– Courant statique I DS
• 3 états de fonctionnement
Grille
• Prise en compte des effets
de canal court et étroit
Source
R S
R D
Drain
• Effets de la longueur de
canal sur la mobilité
Source
Drain
I DS
– Résistances d’accès R D et R S
D BS
D BD
• Résistivité du diffusion et du
contact
I BD
I BS
– Courant de jonction I BD et I BS
Bulk ou Substrat
• Courant de fuite
• les deux jonctions
polarisées en inverse
Bulk ou Substrat
• Modélisé par deux diodes
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
• Implantation VHDL-AMS du modèle statique (MOS 3)
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
Grille
• Modèle dynamique
– Les capacités C GD , C GS et C GB
• Capacité de recouvrement
• proposé par MEYER
C GS
C GB
C GD
• Accumulation de charge
Source
R S
R D
Drain
dans la partie intrinsèque du
transistor
I DS
– Les capacités C BD et C BS
D BS
D BD
• Capacité de jonction B/D et
B/S (capacité de déplétion)
C BS
C BD
I BD
I BS
• combinaison d ’une capacité
« plate » C j et une capacité
faisant intervenir les côtés
C jsw
Bulk ou Substrat
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
• Implantation VHDL-AMS du modèle dynamique (MOS 3)
V DD = 5V
V DD = 5V
R
5V
5V
0V
PMOS
0V
C
V out
C
V in
V out
NMOS
NMOS
V in
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
• Implantation VHDL-AMS du modèle dynamique (MOS 3)
V DD = 5V
5V
0V
PMOS
V(2)
NMOS
5V
Cch1
Cch2
V in
V out
0V
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
 Transistor MOS à grille flottante (EEPROM)
– Le point mémoire est constitué de deux transistors :
• Transistor de sélection (T1)
V gs
V cg
• Transistor d’état (T2)
V d
– Transistor de sélection (T1)
V s
T1
T2
• Utilisation d’un transistor MOS LEVEL3
• Fonctionne comme interrupteur (état haut ou bas) à haute
tension (V gs = 16V)
– Transistor d’état (T2)
• transistor contient deux grilles une flottante (FG) et l ’autre
de contrôle (commande) (GC)
• FG : stockage de charge, GC : améliore l ’écriture et
effacement
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
CG
– Modélisation de la cellule EEPROM
• Générateurs sourants statique I DS et I tun
– I DS : 2 régimes de fonctionnement
– I tun : générateur de courant de type
Fowler-Nordheim
C PP
C tun
FG
C GS
C GB
I tun
C GD
Source
Drain
• Modèle capacitif
n 1
n 2
– C GD , C GS et C GB : capacité de Meyer
R S
R D
I DS
– C tun et C
:non-linéaire de type nMOS
pp
• Régime de désertion
:
D BD
D BS
I BS
I BD
• Régime d ’accumulation :
• Utilisation de la conservation de
Bulk ou Substrat
charge
pour évaluer V fg
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
• Implantation VHDL-AMS du modèle statique (EEPROM)
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
• Implantation VHDL-AMS du modèle en régime transitoire (EEPROM)
– Opération d ’effacement
V gs
V cg
V cg
14V
V d
V s
temps
T1
T2
1ms
2ms
0.1ms
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
– Opération d ’effacement
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
– Opération d ’effacement
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
– Opération d’écriture
V gs
V cg
V cg
14V
V d
V s = V d
temps
T1
T2
1ms
2ms
0.1ms
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
– Opération d’écriture
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM ModélisationModélisation
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
PBJT,PBJT, MOSMOS etet EEPROMEEPROM
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation dede dispositifsdispositifs
dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
– Opération d’écriture
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation ApplicationsApplications ConclusionConclusion
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
PlanPlan
 Introduction au langage VHDL-AMS
 Description et Implantation de
dispositifs dans VHDL-AMS
 Description et Implantation d’un
modèle thermo-électrique
 Conclusion
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation AutoAuto--échauff.échauff.
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
AutoAuto--échauff.échauff.
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation d’und’un modèlemodèle
thermothermo--électriqueélectrique dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
 Analogie thermique-électrique
– Conductivité thermique K = C te  base de l’analogie
thermique-électrique
– Idée de l ’analogie thermique-électrique ??
• Équation de chaleur :
Tronçon cylindrique
T(x0)=T0
k0
(t)
x
0
x0
 T
 ( )
t
[
k T
(
)

] (
x 
0)
 x
S
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
AutoAuto--échauff.échauff.
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation d’und’un modèlemodèle
thermothermo--électriqueélectrique dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
 Analogie thermique-électrique
(
x
0
 x
)
(
x
0
 x
)
Rth x
(
) 
Pour le cas statique :
Ts x
(
)
T
0
. 
k
0. S
k
0. S
Par analogie :
température (K)
tension (V)
puissance (W)
courant (A)
résistance thermique (K/W)
capacité thermique (J/K)
résistance ()
capacité (F)
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation AutoAuto--échauff.échauff.
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
AutoAuto--échauff.échauff.
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation d’und’un modèlemodèle
thermothermo--électriqueélectrique dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
 Influence de la température
– Sur les paramètres physiques du silicium
• Concentration intrinsèque et bande interdite
(
 E
T
)
g (
)
n
T
)
 N
.
N
.exp[
]
i 2 (
C
V
kT
.
• Mobilité des porteurs (
 )
. T
L
L 0
• Durée de vie des porteurs (
 )
(
T
)
 
.
T
SHR
SHR 0
– Sur les paramètres des transistors (déjà étudié)
• Courant de saturation
• Courant tunnel de type Fowler-Nordheim (Itun)
• Gains en courant statiques
• Tension de diffusion (VJ) et capacités de jonction (CJ)
• Résistances d ’accès
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
AutoAuto--échauff.échauff.
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation d’und’un modèlemodèle
thermothermo--électriqueélectrique dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
 Implantation du modèle de la température
– Modèle thermique du transistor à base de R-C
Boîtier
Environnement
Isolant
Électrique
R silicium
R n
R embase
Échange environnement
extérieur
Power
C silicium
C n
C embase
T ambiante
Tpuce
Tembase
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation AutoAuto--échauff.échauff.
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
AutoAuto--échauff.échauff.
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation d’und’un modèlemodèle
thermothermo--électriqueélectrique dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
Implantation du modèle de la température
La puissance
Pm = |I b .V BE | + |I c .V CE |
Transistor BJT
Pm = |I DS .V DS |
Transistor MOS
Pm = |I DS .V DS | + |I tun .(V D -V FG ) |
Transistor à grille flottante
e
1
i
θ
1 2  tan
Angle de diffusion
i
L
i
e
Résistance thermique
i
R
thi
k
.
S
 2.
L e
.
.tan 

i
i
i
i
i
4
2
2
C
 C
.
.
e
S
2.
L e
.
.tan
.
e
.tan
Capacité
thi
si
pi
i
i
i
i
i
i
i
3
thermique
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IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
AutoAuto--échauff.échauff.
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation d’und’un modèlemodèle
thermothermo--électriqueélectrique dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
Couplage entre modèle électrique et modèle thermique
A
Tpuce
Modèle thermique
B
Modèle
1D
silicium-air ambiant
électrique
Pm
(R thi -C thi )
T ambiante
C
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation AutoAuto--échauff.échauff.
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
AutoAuto--échauff.échauff.
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
DescriptionDescription etet ImplantationImplantation d’und’un modèlemodèle
thermothermo--électriqueélectrique dansdans VHDLVHDL--AMSAMS
 Implantation des modèles thermiques et effet de l ’auto-
échauffement (MOS 3)
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS ModélisationModélisation ApplicationsApplications ConclusionConclusion
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
ModélisationModélisation
ApplicationsApplications
ConclusionConclusion
PlanPlan
 Introduction au langage VHDL-AMS
 Description et Implantation de
dispositifs dans VHDL-AMS
 Description et Implantation d’un
modèle thermo-électrique dans
VHDL-AMS
 Conclusion
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IntroductionIntroduction VHDLVHDL--AMSAMS  une approche ascendante – –  – – –  – –
IntroductionIntroduction
VHDLVHDL--AMSAMS
une approche ascendante
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Implantation dans VHDL-AMS

ModélisationModélisation

ApplicationsApplications

ConclusionConclusion

ConclusionConclusion

ConclusionConclusion
ConclusionConclusion

Consiste à commencer par développer un modèle simple

Et le Compliquer petit à petit en incluant des équations plus complexes

Modèle de transistor Bipolaire type Gummel-Poon

Modèle de transistor MOS niveau 3

Modèle d’une cellule mémoire EEPROM

L ’auto-échauffement a une grande influence sur les circuits à grand taille

Puissance dissipée plus grande

Car l’influence est faible au niveau d’un seul composant (dynamique)

ENISo - E.I. 59
ENISo - E.I.
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