Transistor

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor

utilizado para entregar una seal de salida en res-
puesta a una seal de entrada.
[1]
Cumple funciones de
amplicador, oscilador, conmutador o recticador. El tr-
mino transistor es la contraccin en ingls de trans-
fer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente
se encuentran prcticamente en todos los aparatos elec-
trnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores
de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras,
lmparas uorescentes, tomgrafos, telfonos celulares,
entre otros.
1 Historia
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios
Bell de Estados Unidos en diciembre de 1947 por John
Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford
Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio
Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula
termoinica de tres electrodos, o triodo.
El transistor de efecto campo fue patentado antes que el
transistor BJT (en 1930), pero no se dispona de la tec-
nologa necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipo-
lares y luego los denominados transistores de efecto de
campo (FET). En los ltimos, la corriente entre el sur-
tidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se contro-
la mediante el campo elctrico establecido en el canal.
Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo
Metal-xido-Semiconductor). Los MOSFET permitie-
ron un diseo extremadamente compacto, necesario para
los circuitos altamente integrados (CI).
Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnolo-
ga CMOS. La tecnologa CMOS (Complementary MOS
MOS Complementario) es un diseo con dos diferen-
tes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se comple-
mentan mutuamente y consumen muy poca corriente en
un funcionamiento sin carga.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio)
y tres partes dopadas articialmente (contaminadas con
materiales especcos en cantidades especcas) que
forman dos uniones bipolares, el emisor que emite
portadores, el colector que los recibe o recolecta y la
tercera, que est intercalada entre las dos primeras, mo-
dula el paso de dichos portadores (base). A diferencia
de las vlvulas, el transistor es un dispositivo contro-
lado por corriente y del que se obtiene corriente am-
plicada. En el diseo de circuitos a los transistores se
les considera un elemento activo, a diferencia de los
resistores, condensadores e inductores que son elemen-
tos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse me-
diante mecnica cuntica.
De manera simplicada, la corriente que circula por el
colector es funcin amplicada de la que se inyecta en el
emisor, pero el transistor slo grada la corriente que cir-
cula a travs de s mismo, si desde una fuente de corrien-
te continua se alimenta la base para que circule la carga
por el colector, segn el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplicacin o ganancia logrado entre corrien-
te de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son
particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de
ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector
Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia
de trabajo, y varias tablas donde se gracan los distintos
parmetros tales como corriente de base, tensin Colec-
tor Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor,
etc. Los tres tipos de esquemas(conguraciones) bsicos
para utilizacin analgica de los transistores son emisor
comn, colector comn y base comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transis-
tor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS,
VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente de emisor o
colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta
o reja de control (graduador) y grada la conductancia del
canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando
la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangu-
lado, por efecto de la tensin aplicada entre Compuerta
y Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el
responsable de impulsar los electrones desde la fuente al
drenaje. De este modo, la corriente de salida en la car-
ga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplicada de
la Tensin presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente
(Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con
la salvedad que en el triodo los equivalentes a Compuer-
ta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa
y Ctodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han per-
mitido la integracin a gran escala disponible hoy en da;
para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios
cientos de miles de transistores interconectados, por cen-
tmetro cuadrado y en varias capas superpuestas.
1
2 2 TIPOS DE TRANSISTOR
2 Tipos de transistor
Distintos encapsulados de transistores.
2.1 Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue
el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado
en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de
una base de germanio, semiconductor para entonces me-
jor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre,
sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas
que constituyen el emisor y el colector. La corriente de
base es capaz de modular la resistencia que se ve en el
colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en
efectos de supercie, poco conocidos en su da. Es dif-
cil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un
golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948)
debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha
desaparecido.
2.2 Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del
ingls Bipolar Junction Transistor) se fabrica bsicamen-
te sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro
de galio, que tienen cualidades de semiconductores, esta-
do intermedio entre conductores como los metales y los
aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal,
se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos
de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas
negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (car-
gas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga)
y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).
La conguracin de uniones PN, dan como resultado
transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siem-
pre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras
dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo
y de signo contrario a la base, tienen diferente contami-
nacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho
ms contaminado que el colector).
Ic
IB
B
C
E
IE
Diagrama de Transistor NPN
El mecanismo que representa el comportamiento semi-
conductor depender de dichas contaminaciones, de la
geometra asociada y del tipo de tecnologa de contami-
nacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comporta-
miento cuntico de la unin.
2.3 Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el
primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo
forma una barra de material semiconductor de silicio de
tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un
contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos
regiones P en una barra de material N y se conectan ex-
ternamente entre s, se producir una puerta. A uno de
estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor
y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una co-
rriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al
que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la con-
duccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en
ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin;
tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, cons-
truido mediante una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aisla-
da, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal
mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET,
donde MOS signica Metal-xido-Semiconductor,
4.1 Emisor comn 3
en este caso la compuerta es metlica y est separa-
da del canal semiconductor por una capa de xido.
2.4 Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electro-
magntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible;
debido a esto su ujo de corriente puede ser regulado por
medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esen-
cia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base
(IB) (modo comn);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este
elemento hace las veces de corriente de base. (IP)
(modo de iluminacin).
3 Transistores y electrnica de po-
tencia
Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la
electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconduc-
tores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de poten-
cia. Es as como actualmente los transistores son emplea-
dos en conversores estticos de potencia, controles para
motores y llaves de alta potencia (principalmente inver-
sores), aunque su principal uso est basado en la ampli-
cacin de corriente dentro de un circuito cerrado.
4 El transistor bipolar como ampli-
cador
El comportamiento del transistor se puede ver como dos
diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor,
polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y
emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de
un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio
y unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector ten-
dremos una corriente proporcional a la corriente de base:
IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1.
Para transistores normales de seal, vara entre 100 y
300.
Entonces, existen tres conguraciones para el amplica-
dor:
E
C
B
V
out
V
in
R
C
V
+
Emisor comn.
4.1 Emisor comn
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por
el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la
seal de entrada como a la de salida. En esta congura-
cin se tiene ganancia tanto de tensin como de corriente.
En caso de tener resistencia de emisor, RE > 50 , y pa-
ra frecuencias bajas, la ganancia en tensin se aproxima
bastante bien por la siguiente expresin: G
V
=
R
C
R
E
; y
la impedancia de salida, por RC
Como la base est conectada al emisor por un diodo en di-
recto, entre ellos podemos suponer una tensin constante,
V. Tambin supondremos que es constante. Entonces
tenemos que la tensin de emisor es: V
E
= V
B
V
g
Y la corriente de emisor: I
E
=
V
E
R
E
=
V
B
V
g
R
E
.
La corriente de emisor es igual a la de colector ms la
de base: I
E
= I
C
+ I
B
= I
B
( + 1) = I
C
(1 +
1

) .
Despejando I
C
=
I
E
1+
1

La tensin de salida, que es la de colector se calcula como:

V
C
= V cc I
C
R
C
= V cc R
C
I
E
1+
1

Como >> 1, se puede aproximar: 1+

1

= 1 y, entonces,
V
C
= V cc R
C
I
E
= V cc R
C
V
B
V
g
R
E
Que podemos escribir como V
C
= (V cc + R
C
V
g
R
E
)
R
C
V
B
R
E
Vemos que la parte (V cc +R
C
V
g
R
E
) es constante (no de-
4 5 EL TRANSISTOR BIPOLAR FRENTE A LA VLVULA TERMOINICA
pende de la seal de entrada), y la parte V
B
R
C
R
E
nos da
la seal de salida. El signo negativo indica que la seal de
salida est desfasada 180 respecto a la de entrada.
Finalmente, la ganancia queda: G
V
=
V
C
V
B
=
R
C
R
E
La corriente de entrada, I
B
=
I
E
1+
, que aproximamos
por I
B
=
I
E

=
V
E
R
E

=
V
B
V
g
R
E

.
Suponiendo que VB>>V, podemos escribir: I
B
=
V
B
R
E

y la impedancia de entrada: Z
in
=
V
B
I
B
=
V
B
V
B
R
E

= R
E

Para tener en cuenta la inuencia de frecuencia se deben

utilizar modelos de transistor ms elaborados. Es muy
frecuente usar el modelo en pi.
4.2 Base comn
E
C
B
R
C
V
out
V
in
V
+
Base comn.
La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el
colector. La base se conecta a las masas tanto de la seal
de entrada como a la de salida. En esta conguracin se
tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada
es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno,
debido a que parte de la corriente de emisor sale por la
base. Si aadimos una resistencia de emisor, que puede
ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un
anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn,
nos da la ganancia aproximada siguiente: G
V
=
R
C
R
E
.
La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de
seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo,
micrfonos dinmicos.
4.3 Colector comn
Colector comn.
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el
emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la se-
al de entrada como a la de salida. En esta conguracin
se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es
ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de entra-
da es alta, aproximadamente +1 veces la impedancia de
carga. Adems, la impedancia de salida es baja, aproxi-
madamente veces menor que la de la fuente de seal.
5 El transistor bipolar frente a la
vlvula termoinica
Antes de la aparicin del transistor los ingenieros utili-
zaban elementos activos llamados vlvulas termoinicas.
Las vlvulas tienen caractersticas elctricas similares a
la de los transistores de efecto campo (FET): la corrien-
te que los atraviesa depende de la tensin en el borne de
comando, llamado rejilla. Las razones por las que el tran-
sistor reemplaz a la vlvula termoinica son varias:
Las vlvulas necesitan tensiones muy altas, del orden
de las centenas de voltios, que son peligrosas para el
ser humano.
Las vlvulas consumen mucha energa, lo que las
vuelve particularmente poco tiles para el uso con
bateras.
Probablemente, uno de los problemas ms impor-
tantes haya sido el peso. El chasis necesario para
5
alojar las vlvulas y los transformadores requeridos
para su funcionamiento sumaban un peso importan-
te, que iba desde algunos kilos a decenas de kilos.
El tiempo medio entre fallas de las vlvulas termo-
inicas es muy corto comparado con el de los tran-
sistores, sobre todo a causa del calor generado.
Las vlvulas presentan una cierta demora en comen-
zar a funcionar, ya que necesitan estar calientes para
establecer la conduccin.
El transistor es intrnsecamente insensible al efecto
microfnico, muy frecuente en las vlvulas.
Los transistores son ms pequeos que las vlvulas,
incluso que los nuvistores. Aunque existe unanimi-
dad sobre este punto, conviene hacer una salvedad:
en el caso de dispositivos de potencia, estos deben
llevar un disipador, de modo que el tamao que se ha
de considerar es el del dispositivo (vlvula o transis-
tor) ms el del disipador. Como las vlvulas pueden
funcionar a temperaturas ms elevadas, la ecien-
cia del disipador es mayor en ellas que en los tran-
sistores, con lo que basta un disipador mucho ms
pequeo.
Los transistores trabajan con impedancias bajas, o
sea con tensiones reducidas y corrientes altas; mien-
tras que las vlvulas presentan impedancias elevadas
y por lo tanto trabajan con altas tensiones y peque-
as corrientes.
Finalmente, el costo de los transistores no solamente
era muy inferior, sino que contaba con la promesa
de que continuara bajando (como de hecho ocurri)
con suciente investigacin y desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede ci-
tar a la primera computadora digital, llamada ENIAC.
Era un equipo que pesaba ms de treinta toneladas y con-
suma 200 kilovatios, sucientes para alimentar una pe-
quea ciudad. Tena alrededor de 18.000 vlvulas, de las
cuales algunas se quemaban cada da, necesitando una lo-
gstica y una organizacin importantes.
Cuando el transistor bipolar fue inventado en 1947, fue
considerado una revolucin. Pequeo, rpido, able, po-
co costoso, sobrio en sus necesidades de energa, reem-
plaz progresivamente a la vlvula termoinica durante
la dcada de 1950, pero no del todo. En efecto, duran-
te los aos 1960, algunos fabricantes siguieron utilizando
vlvulas termoinicas en equipos de radio de gama alta,
como Collins y Drake; luego el transistor desplaz a la
vlvula de los transmisores pero no del todo de los ampli-
cadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes, de equi-
po de audio esta vez, como Fender, siguieron utilizando
vlvulas en amplicadores de audio para guitarras. Las
razones de la supervivencia de las vlvulas termoinicas
son varias:
El transistor no tiene las caractersticas de lineali-
dad a alta potencia de la vlvula termoinica, por lo
que no pudo reemplazarla en los amplicadores de
transmisin de radio profesionales y de radioacio-
nados sino hasta varios aos despus.
[cita requerida]
Los armnicos introducidos por la no linealidad
de las vlvulas resultan agradables al odo humano
(vase psicoacstica), por lo que son preferidos por
los audilos.
El transistor es muy sensible a los efectos electro-
magnticos de las explosiones nucleares, por lo que
se siguieron utilizando vlvulas termoinicas en al-
gunos sistemas de control-comando de aviones caza
de fabricacin sovitica.
[cita requerida]
Las vlvulas son capaces de manejar potencias muy
grandes, impensables para los transistores en sus co-
mienzos; sin embargo a travs de los aos se desarro-
llaron etapas de potencia con mltiples transistores
en paralelo capaces de conseguirlo.
6 Vase tambin
Semiconductor
Transistor de aleacin
Transistor de unin bipolar
Transistor IGBT
Thin-lm transistor
Transistor uniunin
7 Referencias
[1] Transistor en Google Libros.
8 Enlaces externos
Wikimedia Commons alberga contenido multi-
media sobre Transistor. Commons
Wikcionario tiene deniciones y otra informa-
cin sobre transistor.Wikcionario
Transistores Vs. Vlvulas para aplicaciones en au-
dio de alta delidad, Oscar Bonello, fundador de la
compaa Solidyne y miembro de Audio Enginee-
ring Society (AES), propone una interpretacin po-
sible sobre la rivalidad entre entusiastas de una u
otra tecnologa.
6 8 ENLACES EXTERNOS
Como funcionan realmente los transistores Versin
original en Ingls
Smbolos de transistores
7
9 Text and image sources, contributors, and licenses
9.1 Text
Transistor Fuente: http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor?oldid=77720300 Colaboradores: Youssefsan, PACO, Moriel, Frutoseco, Ga-
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