1-3-2 Transistores de efecto de campo

Los transistores de efecto de campo se identifican con el siguiente smbolo:

Tambin en estos transistores hay tres patas bien diferenciadas.
Fundamentalmente, la gran diferencia entre stos y los bipolares es que los transistores
de efecto de campo son controlados por un voltaje en lugar de serlo por una corriente,
como los bipolares. ste voltaje se aplica en la pata Gate (Compuerta), y logra que
circule corriente desde la Source (Fuente) hasta el Drain (Drenador) !o desde el "rain
hasta el #ource$ en forma controlada. sto significa que estos transistores tambin
pueden ser usados como amplificadores e interruptores.
Los transistores de efecto de campo tambin son conocidos por sus siglas: FET
(Field-Effect Transistors)
%n tema muy importante y que tambin diferencia los dos tipos de transistores es que la
impedancia de entrada !en la &ase y en la 'ate$ es muy distinta: la de los transistores
de efecto de campo es muy grande !millones de (hms )*+,, de hecho$. sto significa
que la corriente que pasa en la pata 'ate es pr-cticamente cero. sto es muy .til cuando
queremos separar etapas de amplificaci/n para hacerlas independientes de la corriente
que pasa en una etapa de otra.
sta es otra diferencia significativa frente a los &0T, donde la intensidad que atraviesa la
base es peque1a en comparaci/n con la que circula por las otras terminales, pero no
siempre puede ser despreciada.
2or otro lado hay que tener en cuenta que, al igual que los diodos, los transistores
bipolares y los FTs pueden ser da1ados o destruidos por voltajes o corrientes
e3cesivas.
Los FTs pueden ser divididos en dos familias:
FT de uni/n o de juntura !0FT$
FT metal4/3ido4semiconductor !*(#FT$
5 su ve6, cada familia tiene subdivisiones:
FT de uni/n o de juntura !0FT$
o 0FT de canal 7
o 0FT de canal 2
FT metal4/3ido4semiconductor !*(#FT$
o *(#FT de acumulaci/n !o enriquecimiento$
8anal 7
8anal 2
Gate
Source
Drain
o *(#FT de deple3i/n !o vaciamiento o
empobrecimiento$
8anal 7
8anal 2
1-3-2-1 JFET
La estructura interna de un 0FT se puede apreciar en las siguientes figuras:
D
G
S
P
N
P
!FET de canal "
D
G
S
P
N N
!FET de canal #
8omo se ve en la figura, hay una regi/n que e3iste entre "rain y #ource, la cual es el
camino obligado de los electrones. sta regi/n se llama Canal.
La corriente flu$e de D a S
ste tipo de transistor se polari6a de manera diferente al transistor bipolar. l "rain se
polari6a positivamente con respecto al terminal de #ource !9
""
$ y la 'ate se polari6a
negativamente con respecto al #ource !49
''
$.
5 mayor voltaje 49
''
, m-s angosto es el 8anal y m-s difcil para la corriente pasar del
"rain al #ource. La tensi/n 49
''
para la que el 8anal queda cerrado se llama :pinch4
off: y es diferente para cada FT.
La cur%a caracter&stica del FET
ste gr-fico muestra que al aumentar el voltaje 9
"#
!voltaje "rain 4 #ource$, para un 9
'#
!voltaje 'ate4#ource$ fijo, la corriente aumenta r-pidamente !se comporta como una
resistencia$ hasta llegar a un punto 5 !voltaje de estricci/n o pinch4off$, desde donde la
corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto & !entra en la regi/n de
disrupci/n o ruptura$, desde donde la corriente aumenta r-pidamente hasta que el
transistor se destruye.
#i ahora este gr-fico se hace para m-s de un voltaje 9
'#
, se obtiene lo siguiente:
2ara valores peque1os de 9
"#
, la corriente de #ource es una funci/n casi lineal de la
tensi/n, ya que la penetraci/n de la capa desierta hacia el interior del canal no vara
sustancialmente de su valor inicial. #in embargo, a medida que aumenta la tensi/n,
aumenta tambin la polari6aci/n inversa, la capa desierta profundi6a en el canal y la
'
(
)
DS
*
D
conductancia de ste disminuye. l ritmo de incremento de corriente resulta, en
consecuencia, menor y llega un momento en que el 8anal se ha hecho tan estrecho en
las pro3imidades del #ource que un incremento de 9
"#
apenas tiene efecto sobre la
corriente de #ource. ntonces se dice que el transistor est- trabajando en la 6ona de
estricci/n !pinch4off$, nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llam-ndose
tensi/n de estricci/n 9
2
a la del punto de transici/n entre el comportamiento casi lineal
y el casi saturado.
Canal en proceso de estricci+n
#i a la 'ate se le aplica una polari6aci/n negativa estacionaria, la capa desierta penetra
m-s en el interior que con la polari6aci/n nula; por tanto, para pasar a la 6ona de
estricci/n se necesita menos tensi/n de #ource. l aumentar la polari6aci/n negativa
permite tener la transici/n a la 6ona de estricci/n a corrientes de sumidero a.n
inferiores.
l funcionamiento del FT se basa en la capacidad de control de la conductancia del
8anal por parte de la tensi/n de 'ate y, como la uni/n 'ate48anal se encuentra siempre
polari6ada inversamente, el FT es por esencia un elemento de alta impedancia de
entrada.